JP5088687B2 - Electric field driving apparatus and electronic apparatus - Google Patents

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本発明に係る一態様は、電界駆動型装置及び電子機器に関する。   One embodiment of the present invention relates to an electric field driving apparatus and an electronic device.

電界駆動型装置の一つに、電界によって液晶を駆動することにより透過光を変調する液晶装置がある。この液晶装置の一態様として、液晶を、基板に平行な横電界によって駆動するＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの液晶装置が知られている（特許文献１）。   One of the electric field driving devices is a liquid crystal device that modulates transmitted light by driving liquid crystal by an electric field. As one mode of this liquid crystal device, there is known an FFS (Fringe Field Switching) mode liquid crystal device in which liquid crystal is driven by a lateral electric field parallel to the substrate (Patent Document 1).

図１５は、ＦＦＳモードの液晶装置の例を示す平面図である。ＦＦＳモードの液晶装置は、一方の基板のうち液晶側の面に、第１電極１６と、第１電極１６上に絶縁層を挟んで積層された第２電極２６とを有しており、このうち第２電極２６には多数のスリット２７が設けられている。こうした構成において、第１電極１６と第２電極２６との間に駆動電圧を印加すると、第２電極２６の上面から出て、スリット２７を通り、第１電極１６の上面に至る電気力線を有する電界が生じる。このとき、液晶分子は、上記電界のうち、第２電極２６の上方に生じる基板に平行な成分（横電界）によって駆動され、配向方向が変化する。上記横電界の平面視での方向は、主としてスリット２７の長手方向に直交する方向である。ＦＦＳモードの液晶装置は、こうして液晶分子を駆動して、その偏光変換機能を用いて入射光を変調する装置である。   FIG. 15 is a plan view illustrating an example of an FFS mode liquid crystal device. The FFS mode liquid crystal device includes a first electrode 16 and a second electrode 26 stacked on the first electrode 16 with an insulating layer interposed therebetween on one side of the substrate on the liquid crystal side. Among them, the second electrode 26 is provided with a large number of slits 27. In such a configuration, when a driving voltage is applied between the first electrode 16 and the second electrode 26, electric lines of force that exit from the upper surface of the second electrode 26, pass through the slit 27, and reach the upper surface of the first electrode 16 are generated. An electric field is generated. At this time, the liquid crystal molecules are driven by a component (lateral electric field) parallel to the substrate generated above the second electrode 26 in the electric field, and the alignment direction changes. The direction of the horizontal electric field in plan view is mainly a direction orthogonal to the longitudinal direction of the slit 27. The FFS mode liquid crystal device is a device that drives liquid crystal molecules in this way and modulates incident light using its polarization conversion function.

特開２００２−２９６６１１号公報JP 2002-296611 A

しかしながら上記構成では、スリット２７の長手方向の端部に相当する領域ｄ（図１５におけるエッジ部２６ａの近傍領域）において、横電界の方向がスリット２７の長手方向に直交する方向とはならない。このことに起因して領域ｄでは電界が乱れるため、領域ｄの近傍における液晶の挙動が乱れ、ひいては光学特性が低下してしまうという課題がある。   However, in the above configuration, in the region d corresponding to the longitudinal end portion of the slit 27 (region in the vicinity of the edge portion 26a in FIG. 15), the direction of the transverse electric field does not become the direction orthogonal to the longitudinal direction of the slit 27. Due to this, since the electric field is disturbed in the region d, there is a problem that the behavior of the liquid crystal in the vicinity of the region d is disturbed and the optical characteristics are deteriorated.

この課題を解決するための構成としては、例えば図１６に示すように、スリット２７を、複数の第１電極１６にわたる長さに形成して、電界の乱れるスリット２７の端部を作らない構成が考えられる。しかしながら、この場合には、図１７（図１６のＥ−Ｅ線断面図）に示すように、一部の領域では、信号線１４からの電界ｅが第１電極１６、第２電極２６のいずれにも遮蔽されないため、電界ｅが液晶５０に達してしまう。よって、この電界ｅにより液晶５０の挙動が乱れ、この部分の光学特性が低下してしまうという課題がある。   As a configuration for solving this problem, for example, as shown in FIG. 16, the slit 27 is formed to have a length extending over the plurality of first electrodes 16 so that the end portion of the slit 27 in which the electric field is disturbed is not formed. Conceivable. However, in this case, as shown in FIG. 17 (cross-sectional view taken along the line E-E in FIG. 16), in some regions, the electric field e from the signal line 14 is applied to either the first electrode 16 or the second electrode 26. Therefore, the electric field e reaches the liquid crystal 50. Therefore, there is a problem that the behavior of the liquid crystal 50 is disturbed by the electric field e, and the optical characteristics of this portion are deteriorated.

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

［適用例１］一対の基板間に液晶が挟持され、一対の基板のうちの一方の基板の前記液晶側には、画素ごとに形成された薄膜トランジスタ素子と、前記薄膜トランジスタ素子に電気的に接続された信号線又は前記信号線と同一の層に形成された前記信号線と同一の部材を含む遮光性部材と、第１電極と、前記第１電極の前記液晶側に形成された絶縁層と、前記絶縁層の前記液晶側に形成された第２電極と、が備えられ、前記第２電極には、平面視で少なくとも一部が前記第１電極と重なって、延在方向を有した外形で開口された複数のスリットが形成されており、前記第１電極と前記第２電極との間の電位差に起因して生じた電界により前記液晶が駆動される電界駆動型装置であって、前記複数のスリットは、前記延在方向と交差した所定方向に配列する第１のスリットと、前記所定方向と直交した方向であって配列した前記第１のスリットの短辺の側で該第１のスリットに隣り合って配置される第２のスリットと、を有し、前記遮光性部材は、前記第１のスリットの前記第２のスリット側のエッジ部と、前記第２のスリットの前記第１のスリット側のエッジ部と、の間の前記所定方向に直交した方向における幅よりも大きい幅で形成され、前記遮光性部材は、前記第１のスリットの前記第２のスリット側のエッジ部と前記第２のスリットの前記第１のスリット側のエッジ部との間の領域を覆って平面視で重ねて配置されているとともに、前記第１電極の前記第１のスリットと前記第２のスリットとが隣り合う側の端部と平面視で重ねて配置されていることを特徴とする電界駆動型装置。
また、上記電界駆動型装置であって、前記遮光性部材は、複数の前記第１のスリットの前記第２のスリット側のエッジ部と前記第２のスリットの前記第１のスリット側のエッジ部との間の領域を覆って、前記所定方向に帯状に延在して形成されていることを特徴とする電界駆動型装置。

Application Example 1 A liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates, a thin film transistor element formed for each pixel and electrically connected to the thin film transistor element on the liquid crystal side of one of the pair of substrates. A light shielding member including the same member as the signal line or the signal line formed in the same layer as the signal line , a first electrode, and an insulating layer formed on the liquid crystal side of the first electrode, A second electrode formed on the liquid crystal side of the insulating layer, and the second electrode has an outer shape extending at least partially overlapping the first electrode in plan view. An electric field drive type device in which a plurality of slits are formed, and the liquid crystal is driven by an electric field generated due to a potential difference between the first electrode and the second electrode. The slit of the predetermined direction intersecting the extending direction A second slit arranged adjacent to the first slit on the short side of the first slit arranged in a direction orthogonal to the predetermined direction, The light-shielding member has a predetermined direction between an edge portion of the first slit on the second slit side and an edge portion of the second slit on the first slit side. The light-shielding member is formed with an edge portion on the second slit side of the first slit and an edge on the first slit side of the second slit. The first slit and the second slit of the first electrode overlap each other in the plan view with the first slit and the second slit of the first electrode overlapped with each other in a plan view. Electric field drive type characterized by being arranged Location.
Further, in the electric field drive type device, the light shielding member includes an edge part on the second slit side of the plurality of first slits and an edge part on the first slit side of the second slits. An electric field drive type device characterized in that it is formed to extend in a band shape in the predetermined direction so as to cover a region between the two.

このような構成によれば、接続部のエッジ部の近傍に分布する、電界の乱れる領域が、遮光性部材によって遮光されるので、電界の乱れに起因する光学特性の低下を抑制することができる。また、接続部のエッジ部が第１電極と重なることから、遮光性部材のうち、第２電極に設けられたスリット（帯状部と接続部とによって囲まれた開口部）の領域に延設された部分の少なくとも一部は、第１電極によって遮蔽される。これにより、遮光性部材から生じる電界が上記物質にまで達して当該物質の挙動を乱す不具合を抑制することができる。なお、上記において上層とは、基板上の積層体において、相対的に基板から遠い層をいう。また、接続部のエッジ部とは、接続部の外形を規定する辺であって、帯状部の延在方向と交差する方向に延在する辺をいう。また、平面視とは、基板の法線方向から見ることをいう。   According to such a configuration, since the region where the electric field is disturbed distributed in the vicinity of the edge portion of the connecting portion is shielded by the light shielding member, it is possible to suppress a decrease in optical characteristics due to the disturbance of the electric field. . In addition, since the edge portion of the connection portion overlaps the first electrode, the light shielding member extends to a region of a slit (an opening portion surrounded by the belt-like portion and the connection portion) provided in the second electrode. At least a part of the portion is shielded by the first electrode. Thereby, the electric field which arises from a light-shielding member reaches the said substance, and can suppress the malfunction which disturbs the behavior of the said substance. In the above, the upper layer refers to a layer relatively far from the substrate in the stacked body on the substrate. Moreover, the edge part of a connection part is the edge | side which prescribes | regulates the external shape of a connection part, Comprising: The edge | side extended in the direction which cross | intersects the extension direction of a strip | belt-shaped part. Also, the plan view means viewing from the normal direction of the substrate.

［適用例２］上記電界駆動型装置であって、前記遮光性部材の各部は、平面視で、前記第１電極及び前記第２電極の少なくとも一方と重なっている電界駆動型装置。   Application Example 2 In the above electric field drive type device, each part of the light shielding member overlaps at least one of the first electrode and the second electrode in plan view.

このような構成によれば、遮光性部材の各部は、平面視で第１電極及び第２電極の少なくとも一方と重なっているため、遮光性部材から生じる電界が第１電極又は第２電極によって遮蔽される。これにより、遮光性部材から生じる電界が上記物質にまで達して当該物質の挙動を乱す不具合を抑制することができる。   According to such a configuration, each part of the light shielding member overlaps at least one of the first electrode and the second electrode in a plan view, so that the electric field generated from the light shielding member is shielded by the first electrode or the second electrode. Is done. Thereby, the electric field which arises from a light-shielding member reaches the said substance, and can suppress the malfunction which disturbs the behavior of the said substance.

［適用例３］上記電界駆動型装置であって、複数の画素と、前記基板上に、前記画素ごとに形成された薄膜トランジスタ素子と、を備え、前記遮光性部材は、前記薄膜トランジスタ素子に電気的に接続された信号線、又は前記信号線と同一の層に形成された前記信号線と同一の部材を含んで構成される電界駆動型装置。   Application Example 3 In the electric field drive type device, the electric field drive type device includes a plurality of pixels and a thin film transistor element formed for each pixel on the substrate, and the light shielding member is electrically connected to the thin film transistor element. Or an electric field drive type device including the same member as the signal line formed in the same layer as the signal line.

このような構成によれば、信号線又は上記部材から生じる電界が上記物質の挙動に影響を与える不具合を抑制することができる。   According to such a structure, the malfunction which the electric field produced from a signal wire | line or the said member influences the behavior of the said substance can be suppressed.

［適用例４］上記電界駆動型装置であって、複数の画素と、前記基板上に、前記画素ごとに形成された薄膜トランジスタ素子と、を備え、前記遮光性部材は、前記薄膜トランジスタ素子に電気的に接続された走査線、又は前記走査線と同一の層に形成された前記走査線と同一の部材を含んで構成される電界駆動型装置。   Application Example 4 In the electric field drive type device described above, the device includes a plurality of pixels and a thin film transistor element formed for each of the pixels on the substrate, and the light shielding member is electrically connected to the thin film transistor element. Or an electric field driving type device including the same member as the scanning line formed in the same layer as the scanning line.

このような構成によれば、走査線又は上記部材から生じる電界が上記物質の挙動に影響を与える不具合を抑制することができる。   According to such a structure, the malfunction which the electric field produced from a scanning line or the said member affects the behavior of the said substance can be suppressed.

［適用例５］上記電界駆動型装置であって、前記遮光性部材は、前記第２電極と電気的に接続された対向電極配線、又は前記対向電極配線と同一の層に形成された前記対向電極配線と同一の部材を含んで構成される電界駆動型装置。   Application Example 5 In the electric field drive type device, the light-shielding member is a counter electrode wiring electrically connected to the second electrode, or the counter electrode formed in the same layer as the counter electrode wiring An electric field drive type device including the same member as the electrode wiring.

このような構成によれば、対向電極配線又は上記部材から生じる電界が上記物質の挙動に影響を与える不具合を抑制することができる。   According to such a structure, the malfunction which the electric field produced from a counter electrode wiring or the said member influences the behavior of the said substance can be suppressed.

［適用例６］上記電界駆動型装置であって、複数の画素と、前記基板上に、前記画素ごとに形成された薄膜トランジスタ素子と、を備え、前記遮光性部材は、前記基板上に、平面視で前記薄膜トランジスタ素子のチャネル領域と重なる領域に形成された遮光層を含んで構成される電界駆動型装置。   Application Example 6 In the electric field drive type device, the device includes a plurality of pixels and a thin film transistor element formed for each pixel on the substrate, and the light-shielding member is flat on the substrate. An electric field driving type device including a light shielding layer formed in a region overlapping with a channel region of the thin film transistor element when viewed.

このような構成によれば、遮光性部材によって薄膜トランジスタのチャネル領域を遮光することができる。これにより、薄膜トランジスタの光誤動作等の不具合の発生を抑制することができる。   According to such a configuration, the channel region of the thin film transistor can be shielded from light by the light shielding member. Thereby, it is possible to suppress the occurrence of problems such as optical malfunction of the thin film transistor.

［適用例７］上記電界駆動型装置であって、複数の画素と、前記基板上に、前記画素ごとに形成された薄膜トランジスタ素子と、を備え、前記第１電極は、前記画素ごとに形成され、かつ前記薄膜トランジスタ素子と電気的に接続されており、前記第２電極は、複数の前記画素にわたって一繋がりに形成されている電界駆動型装置。   Application Example 7 In the electric field drive type device described above, the device includes a plurality of pixels and a thin film transistor element formed for each pixel on the substrate, and the first electrode is formed for each pixel. And the second electrode is electrically connected to the thin film transistor element, and the second electrode is connected to the plurality of pixels.

このような構成によれば、第１電極を画素電極とし、第２電極を共通電極とする構成のＦＦＳモードの電界駆動型装置が得られる。   According to such a configuration, an FFS mode electric field drive type device having a configuration in which the first electrode is a pixel electrode and the second electrode is a common electrode can be obtained.

［適用例８］上記電界駆動型装置であって、複数の画素と、前記基板上に、前記画素ごとに形成された薄膜トランジスタ素子と、を備え、前記第１電極は、複数の前記画素にわたって一繋がりに形成されており、前記第２電極は、前記画素ごとに形成され、かつ前記薄膜トランジスタ素子と電気的に接続されている電界駆動型装置。   Application Example 8 In the electric field drive type device described above, the device includes a plurality of pixels and a thin film transistor element formed for each pixel on the substrate, and the first electrode extends over the plurality of pixels. An electric field drive type device, wherein the second electrode is formed for each pixel and is electrically connected to the thin film transistor element.

このような構成によれば、第１電極を共通電極とし、第２電極を画素電極とする構成のＦＦＳモードの電界駆動型装置が得られる。   According to such a configuration, an FFS mode electric field drive type device having a configuration in which the first electrode is a common electrode and the second electrode is a pixel electrode can be obtained.

［適用例９］上記電界駆動型装置を表示部に備えることを特徴とする電子機器。   Application Example 9 Electronic equipment comprising a display unit including the electric field drive type device.

このような構成によれば、不要な電界に起因する光学特性の低下の少ない、高品位な表示が可能な電子機器が得られる。   According to such a configuration, an electronic device capable of high-quality display with little reduction in optical characteristics due to an unnecessary electric field can be obtained.

以下、図面を参照し、電界駆動型装置及び電子機器の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。   Hereinafter, embodiments of an electric field driving apparatus and an electronic device will be described with reference to the drawings. In the drawings shown below, the dimensions and ratios of the components are appropriately different from the actual ones in order to make the components large enough to be recognized on the drawings.

（第１の実施形態）
図１は、電界駆動型装置としての液晶装置１の模式図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線における断面図である。液晶装置１は、枠状のシール材５２を介して対向して貼り合わされた素子基板１０及び対向基板３０を有している。素子基板１０には、基板としてのガラス基板１１が含まれており、対向基板３０には、ガラス基板３１が含まれている。素子基板１０、対向基板３０、シール材５２によって囲まれた空間には、正の誘電率異方性を有する液晶５０が封入されている。素子基板１０は、対向基板３０より大きく、一部が対向基板３０に対して張り出した状態で貼り合わされている。この張り出した部位には、液晶５０を駆動するためのドライバＩＣ５１が実装されている。液晶５０は、「第１電極と第２電極との間の電位差に起因して生じた電界により駆動される物質」に対応する。 (First embodiment)
1A and 1B are schematic views of a liquid crystal device 1 as an electric field drive type device, in which FIG. 1A is a perspective view and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. The liquid crystal device 1 includes an element substrate 10 and a counter substrate 30 which are bonded to each other with a frame-shaped sealing material 52 interposed therebetween. The element substrate 10 includes a glass substrate 11 as a substrate, and the counter substrate 30 includes a glass substrate 31. In a space surrounded by the element substrate 10, the counter substrate 30, and the sealing material 52, a liquid crystal 50 having positive dielectric anisotropy is sealed. The element substrate 10 is larger than the counter substrate 30 and is bonded in a state where a part of the element substrate 10 protrudes from the counter substrate 30. A driver IC 51 for driving the liquid crystal 50 is mounted on the protruding portion. The liquid crystal 50 corresponds to “a substance driven by an electric field generated due to a potential difference between the first electrode and the second electrode”.

液晶５０が封入された領域には、表示に寄与する画素４Ｒ，４Ｇ，４Ｂ（図２）がマトリクス状に多数配置されている。以下では、画素４Ｒ，４Ｇ，４Ｂの集合からなる領域を画素領域５とも呼ぶ。   In the region where the liquid crystal 50 is sealed, a large number of pixels 4R, 4G, 4B (FIG. 2) contributing to display are arranged in a matrix. Hereinafter, an area composed of a set of the pixels 4R, 4G, and 4B is also referred to as a pixel area 5.

図２は、画素領域５の拡大平面図である。画素領域５には、矩形の画素４Ｒ，４Ｇ，４Ｂが多数配置されている。画素４Ｒ，４Ｇ，４Ｂは、それぞれ赤、緑、青の色の表示に寄与する。以下では、画素４Ｒ，４Ｇ，４Ｂのいずれかを指す場合であっても、対応する色を区別しない場合には、単に「画素４」とも呼ぶ。各画素４には、カラーフィルタ３２が配置されている。カラーフィルタ３２は、入射した光の特定の波長成分を吸収することによって透過光を着色することができる樹脂である。カラーフィルタ３２は、図１（ｂ）において、対向基板３０を構成するガラス基板３１の液晶５０側表面に配置されている。また画素４Ｒ，４Ｇ，４Ｂには、それぞれ赤、緑、青に対応するカラーフィルタ３２が配置される。   FIG. 2 is an enlarged plan view of the pixel region 5. In the pixel area 5, a large number of rectangular pixels 4R, 4G, and 4B are arranged. The pixels 4R, 4G, and 4B contribute to the display of red, green, and blue colors, respectively. Hereinafter, even when referring to any of the pixels 4R, 4G, and 4B, when the corresponding colors are not distinguished, they are also simply referred to as “pixel 4”. Each pixel 4 is provided with a color filter 32. The color filter 32 is a resin that can color transmitted light by absorbing a specific wavelength component of incident light. The color filter 32 is disposed on the liquid crystal 50 side surface of the glass substrate 31 constituting the counter substrate 30 in FIG. In addition, color filters 32 corresponding to red, green, and blue are arranged in the pixels 4R, 4G, and 4B, respectively.

画素４は、行方向、及び行方向に交差する列方向に沿ってマトリクス状に配置されている。本明細書では、画素４の配列の行方向をＸ軸、列方向をＹ軸、Ｘ−Ｙ平面に直交する方向をＺ軸と定義する。ある列に配置される画素４の色はすべて同一である。換言すれば、画素４は、対応する色がストライプ状に並ぶように配置されている。また、行方向に並んだ隣り合う３つの画素４Ｒ，４Ｇ，４Ｂの集合によって１つのピクセル３が構成される。液晶装置１は、各ピクセル３において、画素４Ｒ，４Ｇ，４Ｂの輝度バランスを調節することによって、種々の色の表示を行うことができる。   The pixels 4 are arranged in a matrix along the row direction and the column direction intersecting the row direction. In this specification, the row direction of the arrangement of the pixels 4 is defined as the X axis, the column direction is defined as the Y axis, and the direction orthogonal to the XY plane is defined as the Z axis. The colors of the pixels 4 arranged in a certain column are all the same. In other words, the pixels 4 are arranged so that corresponding colors are arranged in a stripe pattern. In addition, one pixel 3 is constituted by a set of three adjacent pixels 4R, 4G, and 4B arranged in the row direction. The liquid crystal device 1 can display various colors in each pixel 3 by adjusting the luminance balance of the pixels 4R, 4G, and 4B.

図３は、画素領域５を構成する複数の画素４における各種素子、配線等の等価回路図である。画素領域５においては、複数本の走査線１２と複数本の信号線１４とが交差するように配線され、走査線１２と信号線１４とで区画された領域に第１電極１６がマトリクス状に配置されている。第１電極１６は、画素電極として機能する。そして、走査線１２と信号線１４とが交差する位置の近傍には、画素４ごとに薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下ＴＦＴと略す）素子２０が配置されている。ＴＦＴ素子２０のゲートは走査線１２に電気的に接続され、ソースは信号線１４に電気的に接続され、ドレインは第１電極１６に電気的に接続されている。   FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of various elements, wirings, and the like in the plurality of pixels 4 constituting the pixel region 5. In the pixel region 5, the plurality of scanning lines 12 and the plurality of signal lines 14 are wired so as to intersect with each other, and the first electrodes 16 are arranged in a matrix in a region partitioned by the scanning lines 12 and the signal lines 14. Has been placed. The first electrode 16 functions as a pixel electrode. In the vicinity of the position where the scanning line 12 and the signal line 14 intersect, a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT) element 20 is arranged for each pixel 4. The TFT element 20 has a gate electrically connected to the scanning line 12, a source electrically connected to the signal line 14, and a drain electrically connected to the first electrode 16.

ＴＦＴ素子２０は、走査線１２から供給される走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍに含まれるＯＮ信号によってオンとなり、このとき信号線１４に供給された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎを第１電極１６に供給する。そして、第１電極１６と、第２電極２６との間の駆動電圧に応じた電界が液晶５０にかかると、液晶５０の配向状態が変化する。液晶装置１は、液晶５０の配向状態に応じた偏光変換機能と、液晶装置１の外部に配置された図示しない偏光板の偏光選択機能とによって透過光を変調することで表示を行う装置である。ここで、第２電極２６は、複数の画素４にわたって（あるいは画素領域５の略全面に）一繋がりに形成された共通電極である。   The TFT element 20 is turned on by an ON signal included in the scanning signals G1, G2,..., Gm supplied from the scanning line 12, and at this time, the image signals S1, S2,. One electrode 16 is supplied. When the electric field according to the drive voltage between the first electrode 16 and the second electrode 26 is applied to the liquid crystal 50, the alignment state of the liquid crystal 50 changes. The liquid crystal device 1 is a device that performs display by modulating transmitted light by a polarization conversion function according to the alignment state of the liquid crystal 50 and a polarization selection function of a polarizing plate (not shown) arranged outside the liquid crystal device 1. . Here, the second electrode 26 is a common electrode formed in a continuous manner over the plurality of pixels 4 (or substantially the entire surface of the pixel region 5).

なお、第１電極１６と第２電極２６とは、層間絶縁膜４５を挟んで対向しており、実質的に容量素子を形成する（図５）。上記駆動電圧は当該容量素子に一定時間保持される。   The first electrode 16 and the second electrode 26 are opposed to each other with the interlayer insulating film 45 interposed therebetween, and substantially form a capacitive element (FIG. 5). The drive voltage is held in the capacitor for a certain time.

次に、画素４の構成要素を、図４及び図５を用いて詳述する。図４は、素子基板１０のうち、３つの画素４を含む部分を抽出して示す平面図である。また、図５は、図４中のＢ−Ｂ線の位置における断面図である。以下では、ガラス基板１１上の積層体において、相対的にガラス基板１１から遠い層を「上層」とも呼び、近い層を「下層」とも呼ぶ。また、平面視とは、ガラス基板１１の法線方向から見ることをいう。   Next, the components of the pixel 4 will be described in detail with reference to FIGS. FIG. 4 is a plan view showing an extracted portion of the element substrate 10 including the three pixels 4. 5 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. Hereinafter, in the laminate on the glass substrate 11, a layer relatively far from the glass substrate 11 is also referred to as an “upper layer”, and a close layer is also referred to as a “lower layer”. The plan view means viewing from the normal direction of the glass substrate 11.

図４に示すように、各画素４には、走査線１２と信号線１４とが交差するように配置されており、この交差に対応してＴＦＴ素子２０が形成されている。また、ＴＦＴ素子２０には、略長方形の画素電極としての第１電極１６が電気的に接続されている。   As shown in FIG. 4, in each pixel 4, the scanning line 12 and the signal line 14 are arranged so as to intersect with each other, and a TFT element 20 is formed corresponding to the intersection. The TFT element 20 is electrically connected to a first electrode 16 as a substantially rectangular pixel electrode.

図５に示すように、ガラス基板１１上には、半導体層２１が積層されている。半導体層２１は、例えばアモルファスシリコン層やポリシリコン層から構成することができ、走査線１２からの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域と、チャネル領域を挟むソース領域及びドレイン領域とを有して構成される。半導体層２１とガラス基板１１との間には、さらに下地絶縁膜や遮光層等が形成されていてもよい。   As shown in FIG. 5, a semiconductor layer 21 is stacked on the glass substrate 11. The semiconductor layer 21 can be composed of, for example, an amorphous silicon layer or a polysilicon layer, and has a channel region where a channel is formed by an electric field from the scanning line 12, and a source region and a drain region sandwiching the channel region. Composed. Between the semiconductor layer 21 and the glass substrate 11, a base insulating film, a light shielding layer, or the like may be further formed.

半導体層２１の上層には、酸化シリコン等からなるゲート絶縁膜４２を挟んで、チタン、クロム、タングステン、タンタル、モリブデン等の高融点金属又はこれらを含む合金等からなる走査線１２が積層されている。走査線１２は、Ｘ方向に沿って配置される。半導体層２１、ゲート絶縁膜４２、走査線１２から、ＴＦＴ素子２０が構成される。本実施形態の半導体層２１は、平面視でＵ字型をなしており、走査線１２は、半導体層２１のＵ字を２箇所で横切るように形成されている。したがって、ＴＦＴ素子２０は、走査線１２と半導体層２１とが異なる２箇所で対向するダブルゲート構造を有している。   A scanning line 12 made of a refractory metal such as titanium, chromium, tungsten, tantalum, molybdenum, or an alloy containing these is laminated on the semiconductor layer 21 with a gate insulating film 42 made of silicon oxide or the like interposed therebetween. Yes. The scanning line 12 is arranged along the X direction. The TFT element 20 is composed of the semiconductor layer 21, the gate insulating film 42, and the scanning line 12. The semiconductor layer 21 of this embodiment has a U shape in plan view, and the scanning line 12 is formed so as to cross the U shape of the semiconductor layer 21 at two locations. Therefore, the TFT element 20 has a double gate structure in which the scanning line 12 and the semiconductor layer 21 face each other at two different locations.

走査線１２の上層には、酸化シリコン等からなる層間絶縁膜４３を挟んで信号線１４が積層されている。信号線１４は、アルミニウム、クロム、タングステン等の金属又はこれらを含む合金等から構成され、遮光性を有する。本実施形態では、信号線１４が遮光性部材に対応する。信号線１４は、図４に示すように走査線１２と直交するように（すなわちＹ方向に沿って）配置され、半導体層２１のＵ字の一方の先端において半導体層２１と電気的に接続されている。より詳しくは、信号線１４は、ゲート絶縁膜４２及び層間絶縁膜４３を貫通して設けられたコンタクトホール２３を介して、半導体層２１のソース領域と電気的に接続されている。   A signal line 14 is stacked on the scanning line 12 with an interlayer insulating film 43 made of silicon oxide or the like interposed therebetween. The signal line 14 is made of a metal such as aluminum, chromium, tungsten, or an alloy containing these, and has a light shielding property. In the present embodiment, the signal line 14 corresponds to a light shielding member. As shown in FIG. 4, the signal line 14 is arranged so as to be orthogonal to the scanning line 12 (that is, along the Y direction), and is electrically connected to the semiconductor layer 21 at one end of the U shape of the semiconductor layer 21. ing. More specifically, the signal line 14 is electrically connected to the source region of the semiconductor layer 21 through a contact hole 23 provided through the gate insulating film 42 and the interlayer insulating film 43.

信号線１４と同一層には、信号線１４と同一の材料からなる中継電極１５が形成されている。中継電極１５は、半導体層２１のＵ字の他方の先端において、ゲート絶縁膜４２及び層間絶縁膜４３を貫通して設けられたコンタクトホール２４を介して半導体層２１のドレイン領域と電気的に接続されている。   A relay electrode 15 made of the same material as the signal line 14 is formed in the same layer as the signal line 14. The relay electrode 15 is electrically connected to the drain region of the semiconductor layer 21 via the contact hole 24 provided through the gate insulating film 42 and the interlayer insulating film 43 at the other U-shaped tip of the semiconductor layer 21. Has been.

信号線１４及び中継電極１５の上層には、保護層４６、酸化シリコン等からなる層間絶縁膜４４を挟んで、透光性を有するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる第１電極１６が積層されている。第１電極１６は、信号線１４より上層に形成されており、また、画素４ごとに独立して設けられている。第１電極１６は、層間絶縁膜４４、保護層４６を貫通して設けられたコンタクトホール２５を介して中継電極１５に電気的に接続されている。したがって、第１電極１６は、中継電極１５を介して半導体層２１のドレイン領域に電気的に接続されている。   A first electrode 16 made of light-transmitting ITO (Indium Tin Oxide) is laminated on the signal line 14 and the relay electrode 15 with a protective layer 46 and an interlayer insulating film 44 made of silicon oxide or the like interposed therebetween. Yes. The first electrode 16 is formed in an upper layer than the signal line 14 and is provided independently for each pixel 4. The first electrode 16 is electrically connected to the relay electrode 15 through a contact hole 25 provided through the interlayer insulating film 44 and the protective layer 46. Therefore, the first electrode 16 is electrically connected to the drain region of the semiconductor layer 21 via the relay electrode 15.

第１電極１６の上層には、酸化シリコン等からなる絶縁層としての層間絶縁膜４５を挟んでＩＴＯからなる透光性を有する第２電極２６が形成されている。第２電極２６は、図４においてドットが配された領域に配置されている。第２電極２６は、複数の画素４にわたって一繋がりに形成された共通電極である。第２電極２６には、平面視で第１電極１６に重なる部分において、多数のスリット２７が設けられている。各スリット２７は互いに平行であり、一定の間隔をおいて配置されている。また、スリット２７は、画素４の短辺に対し（すなわちＸ方向に対し）例えば約５度傾いた方向に延設されている。   On the upper layer of the first electrode 16, a second electrode 26 made of ITO and having translucency is formed with an interlayer insulating film 45 as an insulating layer made of silicon oxide or the like interposed therebetween. The second electrode 26 is arranged in a region where dots are arranged in FIG. The second electrode 26 is a common electrode formed in a continuous manner across the plurality of pixels 4. The second electrode 26 is provided with a large number of slits 27 in a portion overlapping the first electrode 16 in plan view. The slits 27 are parallel to each other and are arranged at regular intervals. Further, the slit 27 extends in a direction inclined by, for example, about 5 degrees with respect to the short side of the pixel 4 (that is, with respect to the X direction).

ここで、図１３（ａ）を用いて第２電極２６の構成について詳述する。本明細書では、第２電極２６のうち画素４内で略平行に配列されて縞模様をなす帯状の部分を帯状部２６Ｂと呼ぶ。図４からわかるように、第２電極２６の帯状部２６Ｂは、平面視で少なくとも一部が第１電極１６と重なっている。また、複数の帯状部２６Ｂを、帯状部２６Ｂの長手方向に対して交差する方向に接続する部分を接続部２６Ａと呼ぶ。本実施形態では、接続部２６Ａの延在方向はＹ軸に平行であり、接続部２６Ａは、Ｘ方向に隣り合う画素４の境界上に配置されている。第２電極２６は、接続部２６Ａと帯状部２６Ｂとを含んで構成される。スリット２７は、接続部２６Ａと帯状部２６Ｂとによって囲まれている。換言すれば、スリット２７の長辺は帯状部２６Ｂの外形によって規定され、スリット２７の短辺は接続部２６Ａの外形によって規定される。また、スリット２７の短辺を規定する接続部２６Ａの外形線をエッジ部２６ａと呼ぶ。別の観点では、接続部２６Ａのエッジ部２６ａとは、接続部２６Ａの外形を規定する辺であって、帯状部２６Ｂの延在方向と交差する方向に延在する辺をいう。   Here, the configuration of the second electrode 26 will be described in detail with reference to FIG. In the present specification, a strip-shaped portion of the second electrode 26 that is arranged substantially in parallel within the pixel 4 and forms a striped pattern is referred to as a strip-shaped portion 26B. As can be seen from FIG. 4, at least a part of the belt-like portion 26 </ b> B of the second electrode 26 overlaps the first electrode 16 in plan view. Moreover, the part which connects the some strip | belt-shaped part 26B in the direction which cross | intersects with respect to the longitudinal direction of the strip | belt-shaped part 26B is called the connection part 26A. In the present embodiment, the extending direction of the connecting portion 26A is parallel to the Y axis, and the connecting portion 26A is disposed on the boundary of the pixels 4 adjacent in the X direction. The second electrode 26 includes a connection portion 26A and a strip portion 26B. The slit 27 is surrounded by the connecting portion 26A and the belt-like portion 26B. In other words, the long side of the slit 27 is defined by the outer shape of the band-shaped portion 26B, and the short side of the slit 27 is defined by the outer shape of the connecting portion 26A. The outline of the connecting portion 26A that defines the short side of the slit 27 is referred to as an edge portion 26a. In another aspect, the edge portion 26a of the connection portion 26A is a side that defines the outer shape of the connection portion 26A and extends in a direction that intersects with the extending direction of the belt-like portion 26B.

図５に戻り、第２電極２６上には、ポリイミドからなる配向膜１８が積層されている。配向膜１８は、液晶５０に接する部材であり、配向膜１８をラビングすることで、駆動電圧無印加時に、液晶５０を当該ラビングの方向に沿って配向させることができる。例えば、Ｘ方向に沿ってラビングがなされている場合は、液晶５０の配向方向とスリット２７の延在方向とがなす角が約５度となる。このようにすれば、第１電極１６と第２電極２６との間に駆動電圧を印加した際の、液晶分子５０ａ（図６）の回転方向を一様にすることができる。これにより、上記回転方向の不均一に起因するドメインの発生を抑制することができる。ガラス基板１１から配向膜１８までの要素により、素子基板１０が構成される。   Returning to FIG. 5, an alignment film 18 made of polyimide is laminated on the second electrode 26. The alignment film 18 is a member in contact with the liquid crystal 50. By rubbing the alignment film 18, the liquid crystal 50 can be aligned along the rubbing direction when no drive voltage is applied. For example, when rubbing is performed along the X direction, the angle formed by the alignment direction of the liquid crystal 50 and the extending direction of the slit 27 is about 5 degrees. In this way, the rotation direction of the liquid crystal molecules 50a (FIG. 6) when a drive voltage is applied between the first electrode 16 and the second electrode 26 can be made uniform. Thereby, generation | occurrence | production of the domain resulting from the nonuniformity of the said rotation direction can be suppressed. The element substrate 10 is composed of elements from the glass substrate 11 to the alignment film 18.

ガラス基板１１に対向して配置されたガラス基板３１の液晶５０側表面には、カラーフィルタ３２、配向膜３８が積層されている。カラーフィルタ３２と配向膜３８との間には、透光性を有するオーバーコートを積層させてもよい。ガラス基板３１から配向膜３８までの要素により、対向基板３０が構成される。   A color filter 32 and an alignment film 38 are laminated on the surface of the glass substrate 31 disposed opposite to the glass substrate 11 on the liquid crystal 50 side. An overcoat having translucency may be laminated between the color filter 32 and the alignment film 38. The counter substrate 30 is configured by elements from the glass substrate 31 to the alignment film 38.

図６は、以上のような構成において、第２電極２６と第１電極１６との間に駆動電圧を印加した場合に生じる電界の様子を示す模式図である。駆動電圧が印加され、第２電極２６と第１電極１６との間に電位差が生じると、第２電極２６の上面から出てスリット２７を通り第１電極１６の上面に至る電気力線を有するような電界が生じる。このとき第２電極２６の上部、すなわち液晶５０の層においてはガラス基板１１と平行な電界が生じる。そして、この電界（横電界）の方向は、スリット２７の長手方向（帯状部２６Ｂの延在方向）に直交する方向である。液晶５０に含まれる液晶分子５０ａは、この横電界の大きさに応じて、ガラス基板１１に平行な面内で配向方向を変える。その結果、液晶分子５０ａの配向方向と、素子基板１０、対向基板３０の外側に配置された偏光板（不図示）の透過軸との相対角度が変化し、その相対角度に応じた偏光変換機能に基づいて透過光が変調される。   FIG. 6 is a schematic diagram showing a state of an electric field generated when a driving voltage is applied between the second electrode 26 and the first electrode 16 in the configuration as described above. When a driving voltage is applied and a potential difference is generated between the second electrode 26 and the first electrode 16, electric lines of force that extend from the upper surface of the second electrode 26 and pass through the slit 27 to the upper surface of the first electrode 16 are provided. Such an electric field is generated. At this time, an electric field parallel to the glass substrate 11 is generated above the second electrode 26, that is, in the layer of the liquid crystal 50. The direction of the electric field (lateral electric field) is a direction orthogonal to the longitudinal direction of the slit 27 (extending direction of the strip-shaped portion 26B). The liquid crystal molecules 50 a included in the liquid crystal 50 change the orientation direction in a plane parallel to the glass substrate 11 in accordance with the magnitude of the lateral electric field. As a result, the relative angle between the alignment direction of the liquid crystal molecules 50a and the transmission axis of the polarizing plate (not shown) disposed outside the element substrate 10 and the counter substrate 30 changes, and the polarization conversion function according to the relative angle. Based on this, the transmitted light is modulated.

このような液晶モードは、ＦＦＳモードと呼ばれる。ＦＦＳモードは、上記のように常に液晶分子がガラス基板１１に略平行に保たれるため、視角によるリタデーションの変化が少なく、広視野角な表示を行うことができる。   Such a liquid crystal mode is called an FFS mode. In the FFS mode, since the liquid crystal molecules are always kept substantially parallel to the glass substrate 11 as described above, the change in retardation due to the viewing angle is small, and a wide viewing angle display can be performed.

ここで、本実施形態の特徴である、信号線１４、第１電極１６、第２電極２６の位置関係について、図４及び図７を用いて説明する。図７は、図４中のＣ−Ｃ線の位置における断面図である。図４及び図７に示すように、信号線１４のＸ方向の幅は、第２電極２６の接続部２６ＡのＸ方向の幅より大きくなっている。また、接続部２６Ａのエッジ部２６ａは、平面視で信号線１４と重なる位置に配置されている。したがって、スリット２７のうちエッジ部２６ａの近傍領域（スリット２７の端部の近傍領域、あるいは短辺の近傍領域）は、平面視で信号線１４によって遮光されている。当該領域は、液晶５０の層に生じる横電界の方向がスリット２７の長手方向に直交する方向とはならず、液晶５０の挙動が乱れてしまうため、光学特性が低下する領域である。しかしながら、上記構成によれば、当該領域が信号線１４によって遮光されることで、光学特性の低下を抑制することが可能となる。   Here, the positional relationship among the signal line 14, the first electrode 16, and the second electrode 26, which is a feature of the present embodiment, will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line CC in FIG. As shown in FIGS. 4 and 7, the width of the signal line 14 in the X direction is larger than the width of the connecting portion 26 </ b> A of the second electrode 26 in the X direction. Further, the edge portion 26a of the connection portion 26A is disposed at a position overlapping the signal line 14 in plan view. Therefore, a region near the edge portion 26a (a region near the end of the slit 27 or a region near the short side) of the slit 27 is shielded by the signal line 14 in plan view. The region is a region where the optical characteristics are deteriorated because the direction of the transverse electric field generated in the layer of the liquid crystal 50 is not the direction perpendicular to the longitudinal direction of the slit 27 and the behavior of the liquid crystal 50 is disturbed. However, according to the above configuration, the area is shielded by the signal line 14, so that it is possible to suppress a decrease in optical characteristics.

特に、本実施形態のように第２電極２６と同一のガラス基板１１上に遮光性部材（信号線１４）を形成し、スリット２７の端部近傍を遮光する構成によれば、対向基板３０側に形成されたブラックマトリクス等によって遮光する構成と比較して、遮光部分の面積を小さく抑えることができる。これは、遮光性部材と第２電極２６とを同一基板上に形成することで、基板貼り合わせ時の組みずれに対するマージンを考慮する必要がなくなるためである。これにより、液晶装置１の透過率を向上させることができる。   In particular, according to the configuration in which the light shielding member (signal line 14) is formed on the same glass substrate 11 as the second electrode 26 as in the present embodiment and the vicinity of the end of the slit 27 is shielded, the counter substrate 30 side is provided. The area of the light-shielding portion can be reduced compared to the configuration in which the light is shielded by the black matrix or the like formed in FIG. This is because the light-shielding member and the second electrode 26 are formed on the same substrate, so that it is not necessary to consider a margin for misalignment at the time of bonding the substrates. Thereby, the transmittance of the liquid crystal device 1 can be improved.

また、エッジ部２６ａは、平面視で第１電極１６とも重なっている。換言すれば、第１電極１６は、帯状部２６Ｂと重なる位置に形成されているとともに、接続部２６Ａの下部にまでかかるように延設されている。   Moreover, the edge part 26a has also overlapped with the 1st electrode 16 by planar view. In other words, the first electrode 16 is formed at a position overlapping the belt-like portion 26B, and is extended to reach the lower portion of the connection portion 26A.

この結果、信号線１４の各部は、平面視で、第１電極１６及び第２電極２６の少なくとも一方と重なっている。信号線１４及び第２電極２６の接続部２６Ａは、いずれも隣り合う画素４の間に配置されているため、信号線１４の多くの部分は第２電極２６と重なっている。また、信号線１４は、平面視で一部がスリット２７にかかるように配置されているが、この部分は第１電極１６と重なっている。したがって、信号線１４の各部は、第１電極１６及び第２電極２６の少なくとも一方と重なっている。このような構成によれば、図７に示すように、信号線１４からの電界ｅが第１電極１６、第２電極２６のいずれかによって遮蔽され、電界ｅが液晶５０に達することがない。よって、この電界ｅにより液晶５０の挙動が乱れる不具合を抑制することができ、ひいては信号線１４の近傍における光学特性の低下を抑制することができる。   As a result, each part of the signal line 14 overlaps at least one of the first electrode 16 and the second electrode 26 in plan view. Since both the connection portion 26 </ b> A of the signal line 14 and the second electrode 26 are disposed between the adjacent pixels 4, most of the signal line 14 overlaps the second electrode 26. Further, the signal line 14 is arranged so that a part thereof covers the slit 27 in a plan view, but this part overlaps the first electrode 16. Accordingly, each part of the signal line 14 overlaps at least one of the first electrode 16 and the second electrode 26. According to such a configuration, as shown in FIG. 7, the electric field e from the signal line 14 is shielded by either the first electrode 16 or the second electrode 26, and the electric field e does not reach the liquid crystal 50. Therefore, it is possible to suppress a problem that the behavior of the liquid crystal 50 is disturbed by the electric field e, and it is possible to suppress a decrease in optical characteristics in the vicinity of the signal line 14.

以上のように、本実施形態の液晶装置１によれば、信号線１４、第１電極１６、第２電極２６の位置関係を調整することにより、スリット２７の端部近傍を遮光すること、及び信号線１４からの電界ｅを遮蔽することの双方を実現することができる。これにより、液晶装置１の光学特性の低減を抑制することができる。   As described above, according to the liquid crystal device 1 of the present embodiment, by adjusting the positional relationship between the signal line 14, the first electrode 16, and the second electrode 26, the vicinity of the end portion of the slit 27 is shielded from light, and Both shielding of the electric field e from the signal line 14 can be realized. Thereby, reduction of the optical characteristic of the liquid crystal device 1 can be suppressed.

（第２の実施形態）
続いて、第２の実施形態について説明する。本実施形態に係る液晶装置１は、第１の実施形態から、走査線１２、信号線１４、第１電極１６、スリット２７の平面的な配置を変更し、また半導体層２１の下層に遮光性部材としての遮光層１３を新たに設けたものであり、その他の点は第１の実施形態と共通である。以下の説明に用いる各図においては、第１の実施形態と同じ要素には同じ符号を付すことにして、その説明は省略する。 (Second Embodiment)
Next, the second embodiment will be described. In the liquid crystal device 1 according to the present embodiment, the planar arrangement of the scanning lines 12, the signal lines 14, the first electrodes 16, and the slits 27 is changed from the first embodiment, and the light shielding property is provided below the semiconductor layer 21. The light shielding layer 13 is newly provided as a member, and the other points are common to the first embodiment. In the drawings used for the following description, the same elements as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

図８は、第２の実施形態に係る液晶装置１の素子基板１０のうち、３つの画素４を含む部分を抽出して示す平面図である。また、図９は、図８中のＤ−Ｄ線の位置における断面図である。本実施形態では、第２電極２６に形成されたスリット２７は、長手方向がＹ方向に沿うような配置となっている。   FIG. 8 is a plan view showing an extracted portion including three pixels 4 in the element substrate 10 of the liquid crystal device 1 according to the second embodiment. FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line DD in FIG. In the present embodiment, the slits 27 formed in the second electrode 26 are arranged such that the longitudinal direction is along the Y direction.

本実施形態における第２電極２６の接続部２６Ａ、帯状部２６Ｂの配置について、図１３（ｂ）を用いて説明する。帯状部２６Ｂは、第２電極２６のうち画素４内で略平行に配列されて縞模様をなす帯状の部分であり、Ｙ方向に沿って延設されている。Ｘ方向に隣り合う画素４の境界には、帯状部２６Ｂが配置される。図８からわかるように、帯状部２６Ｂは、平面視で少なくとも一部が第１電極１６と重なっている。また、接続部２６Ａは、複数の帯状部２６Ｂを、帯状部２６Ｂの長手方向に対して交差する方向に接続する部分であり、Ｘ方向に沿って延設されている。より詳しくは、接続部２６Ａは、Ｙ方向に隣り合う画素４の境界上に配置されている。スリット２７は、接続部２６Ａと帯状部２６Ｂとによって囲まれている。換言すれば、スリット２７の長辺は帯状部２６Ｂの外形によって規定され、スリット２７の短辺は接続部２６Ａの外形によって規定される。また、スリット２７の短辺を規定する接続部２６Ａの外形線がエッジ部２６ａとなる。   The arrangement of the connection part 26A and the band part 26B of the second electrode 26 in the present embodiment will be described with reference to FIG. The belt-like portion 26B is a belt-like portion of the second electrode 26 that is arranged substantially in parallel within the pixel 4 and forms a striped pattern, and extends along the Y direction. A band-like portion 26B is disposed at the boundary between the pixels 4 adjacent in the X direction. As can be seen from FIG. 8, at least a part of the belt-like portion 26 </ b> B overlaps the first electrode 16 in plan view. The connecting portion 26A is a portion that connects the plurality of belt-like portions 26B in a direction intersecting the longitudinal direction of the belt-like portion 26B, and extends along the X direction. More specifically, the connecting portion 26A is disposed on the boundary between the pixels 4 adjacent in the Y direction. The slit 27 is surrounded by the connecting portion 26A and the belt-like portion 26B. In other words, the long side of the slit 27 is defined by the outer shape of the band-shaped portion 26B, and the short side of the slit 27 is defined by the outer shape of the connecting portion 26A. The outline of the connecting portion 26A that defines the short side of the slit 27 is the edge portion 26a.

図８に戻り、走査線１２は、Ｙ方向に隣り合う画素４の境界を含む領域に、Ｘ方向に沿って形成されている。また、走査線１２は、平面視で第２電極２６の接続部２６Ａと重なっている。したがって、エッジ部２６ａは、走査線１２に沿って延在している。Ｕ字状の半導体層２１は、平面視で走査線１２と２点で交わる位置であって、かつ走査線１２の下層に形成されている。平面視で半導体層２１と走査線１２とが重なる領域が、ＴＦＴ素子２０のチャネル領域２１ａとなる。半導体層２１の下層には、平面視でＴＦＴ素子２０のチャネル領域２１ａと重なる領域に、遮光層１３が形成されている。本実施形態では、遮光層１３が、遮光性部材に対応する。図９に示すように、遮光層１３はガラス基板１１上に形成されている。遮光層１３と半導体層２１（図８）との間には、酸化シリコン等からなる層間絶縁膜４１が形成されている。遮光層１３は、例えば走査線１２と同一の材料から構成することができる。遮光層１３は、走査線１２と電気的に接続することにより、走査線１２の抵抗を低減させる役割を果たすこともできる。   Returning to FIG. 8, the scanning line 12 is formed along the X direction in a region including the boundary between the pixels 4 adjacent in the Y direction. Further, the scanning line 12 overlaps the connecting portion 26A of the second electrode 26 in plan view. Therefore, the edge portion 26 a extends along the scanning line 12. The U-shaped semiconductor layer 21 is formed at a position that intersects the scanning line 12 at two points in a plan view, and is formed below the scanning line 12. A region where the semiconductor layer 21 and the scanning line 12 overlap in plan view is a channel region 21 a of the TFT element 20. A light shielding layer 13 is formed below the semiconductor layer 21 in a region overlapping the channel region 21a of the TFT element 20 in plan view. In the present embodiment, the light shielding layer 13 corresponds to a light shielding member. As shown in FIG. 9, the light shielding layer 13 is formed on the glass substrate 11. An interlayer insulating film 41 made of silicon oxide or the like is formed between the light shielding layer 13 and the semiconductor layer 21 (FIG. 8). The light shielding layer 13 can be made of the same material as the scanning line 12, for example. The light shielding layer 13 can also serve to reduce the resistance of the scanning line 12 by being electrically connected to the scanning line 12.

遮光層１３は、Ｘ方向に沿って帯状に形成されており、遮光層１３のＹ方向の幅は、第２電極２６の接続部２６ＡのＹ方向の幅より大きくなっている。また、接続部２６Ａのエッジ部２６ａは、平面視で遮光層１３と重なる位置に配置されている。したがって、スリット２７のうちエッジ部２６ａの近傍領域は、平面視で遮光層１３によって遮光されている。当該領域は、液晶５０の層に生じる横電界の方向がスリット２７の長手方向に直交する方向とはならず、液晶５０の挙動が乱れてしまうため、光学特性が低下する領域である。しかしながら、上記構成によれば、当該領域が遮光層１３によって遮光されることで、光学特性の低下を抑制することが可能となる。   The light shielding layer 13 is formed in a strip shape along the X direction, and the width of the light shielding layer 13 in the Y direction is larger than the width of the connecting portion 26 </ b> A of the second electrode 26 in the Y direction. Further, the edge portion 26a of the connection portion 26A is disposed at a position overlapping the light shielding layer 13 in plan view. Therefore, a region near the edge portion 26a in the slit 27 is shielded by the light shielding layer 13 in plan view. The region is a region where the optical characteristics are deteriorated because the direction of the transverse electric field generated in the layer of the liquid crystal 50 is not the direction perpendicular to the longitudinal direction of the slit 27 and the behavior of the liquid crystal 50 is disturbed. However, according to the configuration described above, the area is shielded from light by the light shielding layer 13, so that it is possible to suppress a decrease in optical characteristics.

エッジ部２６ａは、平面視で第１電極１６とも重なっている。換言すれば、第１電極１６は、帯状部２６Ｂと重なる位置に形成されているとともに、接続部２６Ａの下部にまでかかるように延設されている。   The edge portion 26a also overlaps the first electrode 16 in plan view. In other words, the first electrode 16 is formed at a position overlapping the belt-like portion 26B, and is extended to reach the lower portion of the connection portion 26A.

この結果、遮光層１３は、平面視で、第１電極１６及び第２電極２６の少なくとも一方と重なっている。遮光層１３及び第２電極２６の接続部２６Ａは、いずれも隣り合う画素４の間に配置されているため、遮光層１３の多くの部分は第２電極２６と重なっている。また、遮光層１３は、平面視で一部がスリット２７にかかるように配置されているが、この部分は第１電極１６と重なっている。したがって、遮光層１３の各部は、第１電極１６及び第２電極２６の少なくとも一方と重なっている。このような構成によれば、図９に示すように、遮光層１３からの電界ｅが第１電極１６、第２電極２６のいずれかによって遮蔽され、電界ｅが液晶５０に達することがない。また、走査線１２の各部も平面視で第２電極２６と重なっているため、走査線１２からの電界ｅも第２電極２６によって遮蔽され、液晶５０には達しない。よって、この電界ｅにより液晶５０の挙動が乱れる不具合を抑制することができ、ひいては信号線１４の近傍における光学特性の低下を抑制することができる。   As a result, the light shielding layer 13 overlaps at least one of the first electrode 16 and the second electrode 26 in plan view. Since both the light shielding layer 13 and the connection portion 26 </ b> A of the second electrode 26 are disposed between the adjacent pixels 4, most of the light shielding layer 13 overlaps the second electrode 26. Further, the light shielding layer 13 is arranged so that a part thereof covers the slit 27 in a plan view, but this part overlaps the first electrode 16. Accordingly, each part of the light shielding layer 13 overlaps at least one of the first electrode 16 and the second electrode 26. According to such a configuration, as shown in FIG. 9, the electric field e from the light shielding layer 13 is shielded by either the first electrode 16 or the second electrode 26, and the electric field e does not reach the liquid crystal 50. Further, since each part of the scanning line 12 overlaps the second electrode 26 in plan view, the electric field e from the scanning line 12 is also shielded by the second electrode 26 and does not reach the liquid crystal 50. Therefore, it is possible to suppress a problem that the behavior of the liquid crystal 50 is disturbed by the electric field e, and it is possible to suppress a decrease in optical characteristics in the vicinity of the signal line 14.

以上のように、本実施形態の液晶装置１によれば、走査線１２、遮光層１３、第１電極１６、第２電極２６の位置関係を調整することにより、スリット２７の端部近傍を遮光すること、及び遮光層１３並びに走査線１２からの電界ｅを遮蔽することの双方を実現することができる。これにより、液晶装置１の光学特性の低減を抑制することができる。   As described above, according to the liquid crystal device 1 of the present embodiment, by adjusting the positional relationship among the scanning line 12, the light shielding layer 13, the first electrode 16, and the second electrode 26, the vicinity of the end of the slit 27 is shielded. And shielding the electric field e from the light shielding layer 13 and the scanning line 12 can be realized. Thereby, reduction of the optical characteristic of the liquid crystal device 1 can be suppressed.

（電子機器）
上述した電界駆動型装置としての液晶装置１は、例えば、図１４に示すような、電子機器としての携帯電話機１００に搭載して用いることができる。携帯電話機１００は、表示部１１０及び操作ボタン１２０を有している。表示部１１０は、内部に組み込まれた液晶装置１によって、操作ボタン１２０で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について、高品位な表示を行うことができる。 (Electronics)
The above-described liquid crystal device 1 as an electric field driving type device can be used by being mounted on, for example, a mobile phone 100 as an electronic device as shown in FIG. The mobile phone 100 has a display unit 110 and operation buttons 120. The display unit 110 can perform high-quality display of various information including the contents input with the operation buttons 120 and incoming call information by the liquid crystal device 1 incorporated therein.

なお、液晶装置１は、上記携帯電話機１００の他、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器などの各種電子機器に用いることができる。   The liquid crystal device 1 can be used for various electronic devices such as a mobile computer, a digital camera, a digital video camera, an in-vehicle device, and an audio device in addition to the mobile phone 100 described above.

上記実施形態に対しては、様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。   Various modifications can be made to the above embodiment. As modifications, for example, the following can be considered.

（変形例１）
遮光性部材として、信号線１４、遮光層１３の他に、例えば走査線１２を用いてもよい。図１０は、遮光性部材として走査線１２を用いた場合の画素領域５の拡大平面図である。走査線１２は、Ｙ方向に隣り合う画素４の境界を含む領域に、Ｘ方向に沿って帯状に形成されている。走査線１２のＹ方向の幅は、第２電極２６の接続部２６ＡのＹ方向の幅より大きくなっている。また、接続部２６Ａのエッジ部２６ａは、平面視で走査線１２と重なる位置に配置されている。したがって、スリット２７のうちエッジ部２６ａの近傍領域は、平面視で走査線１２によって遮光され、この部位における光学特性の低下を抑制することが可能となる。 (Modification 1)
As the light shielding member, in addition to the signal line 14 and the light shielding layer 13, for example, the scanning line 12 may be used. FIG. 10 is an enlarged plan view of the pixel region 5 when the scanning line 12 is used as the light shielding member. The scanning line 12 is formed in a band shape along the X direction in a region including the boundary between the pixels 4 adjacent in the Y direction. The width of the scanning line 12 in the Y direction is larger than the width of the connecting portion 26 </ b> A of the second electrode 26 in the Y direction. Further, the edge portion 26a of the connection portion 26A is disposed at a position overlapping the scanning line 12 in plan view. Accordingly, a region near the edge portion 26a in the slit 27 is shielded by the scanning line 12 in a plan view, and it is possible to suppress a decrease in optical characteristics at this portion.

また、走査線１２の各部は、平面視で、第１電極１６及び第２電極２６の少なくとも一方と重なっている。このような構成によれば、走査線１２からの電界が第１電極１６、第２電極２６のいずれかによって遮蔽されるため、走査線１２の近傍における光学特性の低下を抑制することができる。   Each part of the scanning line 12 overlaps at least one of the first electrode 16 and the second electrode 26 in plan view. According to such a configuration, since the electric field from the scanning line 12 is shielded by either the first electrode 16 or the second electrode 26, it is possible to suppress a decrease in optical characteristics in the vicinity of the scanning line 12.

（変形例２）
遮光性部材として、対向電極配線を用いてもよい。図１１は、遮光性部材として対向電極配線１７を用いた場合の画素領域５の拡大平面図である。対向電極配線１７は、Ｙ方向に隣り合う画素４の境界を含む領域に、Ｘ方向に沿って帯状に形成されている。対向電極配線１７は、例えば走査線１２と同一の層に、同一の材料で形成することができる。対向電極配線１７は、図示しないコンタクトホールを介して第２電極２６と電気的に接続されており、第２電極２６を所定の電位に保つために用いられる。 (Modification 2)
A counter electrode wiring may be used as the light shielding member. FIG. 11 is an enlarged plan view of the pixel region 5 when the counter electrode wiring 17 is used as the light shielding member. The counter electrode wiring 17 is formed in a band shape along the X direction in a region including the boundary between the pixels 4 adjacent in the Y direction. The counter electrode wiring 17 can be formed of the same material in the same layer as the scanning line 12, for example. The counter electrode wiring 17 is electrically connected to the second electrode 26 through a contact hole (not shown), and is used to keep the second electrode 26 at a predetermined potential.

対向電極配線１７のＹ方向の幅は、第２電極２６の接続部２６ＡのＹ方向の幅より大きくなっている。また、接続部２６Ａのエッジ部２６ａは、平面視で対向電極配線１７と重なる位置に配置されている。したがって、スリット２７のうちエッジ部２６ａの近傍領域は、平面視で対向電極配線１７によって遮光され、この部位における光学特性の低下を抑制することが可能となる。   The width in the Y direction of the counter electrode wiring 17 is larger than the width in the Y direction of the connection portion 26 </ b> A of the second electrode 26. Further, the edge portion 26a of the connection portion 26A is disposed at a position overlapping the counter electrode wiring 17 in plan view. Therefore, a region near the edge portion 26a in the slit 27 is shielded from light by the counter electrode wiring 17 in a plan view, and it is possible to suppress a decrease in optical characteristics at this portion.

また、対向電極配線１７の各部は、平面視で、第１電極１６及び第２電極２６の少なくとも一方と重なっている。このような構成によれば、対向電極配線１７からの電界が第１電極１６、第２電極２６のいずれかによって遮蔽されるため、対向電極配線１７の近傍における光学特性の低下を抑制することができる。   Each part of the counter electrode wiring 17 overlaps at least one of the first electrode 16 and the second electrode 26 in plan view. According to such a configuration, since the electric field from the counter electrode wiring 17 is shielded by either the first electrode 16 or the second electrode 26, it is possible to suppress a decrease in optical characteristics in the vicinity of the counter electrode wiring 17. it can.

（変形例３）
遮光性部材としては、信号線１４、遮光層１３、走査線１２、対向電極配線１７に代えて、これらのうちの１つと同一の層に形成された同一の部材を含んで構成することもできる。 (Modification 3)
As the light shielding member, instead of the signal line 14, the light shielding layer 13, the scanning line 12, and the counter electrode wiring 17, the same member formed in the same layer as one of them may be included. .

（変形例４）
上記各実施形態は、第１電極１６を画素電極とし、これより上層に位置する第２電極２６を共通電極とするものであるが、これに代えて、第１電極１６を共通電極とし、これより上層に、画素電極としての第２電極２６を配置してもよい。 (Modification 4)
In each of the above embodiments, the first electrode 16 is a pixel electrode, and the second electrode 26 located above the first electrode 16 is a common electrode. Instead, the first electrode 16 is a common electrode. A second electrode 26 as a pixel electrode may be disposed in a higher layer.

図１２は、本変形例に係る液晶装置１の画素領域５の拡大平面図である。図１２は、第２の実施形態の液晶装置１に本変形例を適用した例である。第２電極２６は、画素４ごとに矩形の外形を有して形成されている。第２電極２６には、スリット２７が設けられている。第２電極２６は、コンタクトホール２５を介して半導体層２１のドレイン領域に電気的に接続されている。第２電極２６の下層に形成された第１電極１６は、複数の画素４にわたって一繋がりに形成された共通電極となっている。こうした構成によっても、第１電極１６と第２電極２６との間に駆動電圧を印加することで、液晶５０の層に横電界を発生させることができる。   FIG. 12 is an enlarged plan view of the pixel region 5 of the liquid crystal device 1 according to this modification. FIG. 12 is an example in which the present modification is applied to the liquid crystal device 1 of the second embodiment. The second electrode 26 has a rectangular outer shape for each pixel 4. The second electrode 26 is provided with a slit 27. The second electrode 26 is electrically connected to the drain region of the semiconductor layer 21 through the contact hole 25. The first electrode 16 formed in the lower layer of the second electrode 26 is a common electrode formed in a continuous manner across the plurality of pixels 4. Even with such a configuration, a lateral electric field can be generated in the layer of the liquid crystal 50 by applying a driving voltage between the first electrode 16 and the second electrode 26.

本変形例の構成においても、第２電極２６の接続部２６Ａのエッジ部２６ａは、平面視で遮光層１３と重なる位置に配置されている。したがって、スリット２７のうちエッジ部２６ａの近傍領域は、平面視で遮光層１３によって遮光され、この部位における光学特性の低下を抑制することが可能となる。   Also in the configuration of this modification, the edge portion 26a of the connection portion 26A of the second electrode 26 is disposed at a position overlapping the light shielding layer 13 in plan view. Therefore, a region near the edge portion 26a in the slit 27 is shielded from light by the light shielding layer 13 in a plan view, and it is possible to suppress a decrease in optical characteristics at this portion.

また、遮光層１３の各部は、平面視で、第１電極１６及び第２電極２６の少なくとも一方と重なっている。このような構成によれば、遮光層１３からの電界が第１電極１６、第２電極２６のいずれかによって遮蔽されるため、遮光層１３の近傍における光学特性の低下を抑制することができる。特に、本変形例では、第１電極１６は画素４ごとに分断されておらず、またスリットもなく、画素領域５の略全面にわたって形成されているため、遮光層１３をはじめ、走査線１２、信号線１４等の各種配線を覆うように形成でき、これらの配線からの電界を広く遮蔽することができる。   Each part of the light shielding layer 13 overlaps at least one of the first electrode 16 and the second electrode 26 in plan view. According to such a configuration, since the electric field from the light shielding layer 13 is shielded by either the first electrode 16 or the second electrode 26, it is possible to suppress a decrease in optical characteristics in the vicinity of the light shielding layer 13. In particular, in the present modification, the first electrode 16 is not divided for each pixel 4, is not slitted, and is formed over substantially the entire surface of the pixel region 5, so that the light shielding layer 13, the scanning lines 12, It can be formed so as to cover various wirings such as the signal line 14 and the electric field from these wirings can be shielded widely.

（変形例５）
上記実施形態では、電界駆動型装置の一例として液晶装置１について説明したが、これに限定する趣旨ではない。電界駆動型装置は、第１電極１６と第２電極２６との間の電位差（駆動電圧）に起因して生じる電界によって物質を駆動する構成であればよく、液晶装置に限定されない。 (Modification 5)
In the above embodiment, the liquid crystal device 1 has been described as an example of the electric field drive type device, but the present invention is not limited to this. The electric field driving type device is not limited to a liquid crystal device as long as it is configured to drive a substance by an electric field generated due to a potential difference (driving voltage) between the first electrode 16 and the second electrode 26.

電界駆動型装置としての液晶装置の模式図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線における断面図。It is a schematic diagram of the liquid crystal device as an electric field drive type device, (a) is a perspective view, (b) is a sectional view in an AA line in (a). 画素領域の拡大平面図。The enlarged plan view of a pixel area. 画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図。FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of various elements, wirings, and the like in a plurality of pixels constituting the pixel region. 素子基板のうち、３つの画素を含む部分を抽出して示す平面図。The top view which extracts and shows the part containing three pixels among element substrates. 図４中のＢ−Ｂ線の位置における断面図。Sectional drawing in the position of the BB line in FIG. 共通電極と画素電極との間に駆動電圧を印加した場合に生じる電界の様子を示す模式図。The schematic diagram which shows the mode of the electric field produced when a drive voltage is applied between a common electrode and a pixel electrode. 図４中のＣ−Ｃ線の位置における断面図。Sectional drawing in the position of CC line in FIG. 第２の実施形態に係る液晶装置の素子基板のうち、３つの画素を含む部分を抽出して示す平面図。The top view which extracts and shows the part containing three pixels among the element substrates of the liquid crystal device which concerns on 2nd Embodiment. 図８中のＤ−Ｄ線の位置における断面図。Sectional drawing in the position of the DD line in FIG. 遮光性部材として走査線を用いた場合の画素領域の拡大平面図。The enlarged plan view of the pixel area | region at the time of using a scanning line as a light-shielding member. 遮光性部材として対向電極配線を用いた場合の画素領域の拡大平面図。The enlarged plan view of a pixel area | region at the time of using counter electrode wiring as a light-shielding member. 変形例４に係る液晶装置の画素領域の拡大平面図。FIG. 14 is an enlarged plan view of a pixel region of a liquid crystal device according to Modification Example 4. 第２電極の構成を示す平面図。The top view which shows the structure of a 2nd electrode. 電子機器としての携帯電話機の斜視図。The perspective view of the mobile telephone as an electronic device. ＦＦＳモードの液晶装置の例を示す平面図。The top view which shows the example of the liquid crystal device of FFS mode. ＦＦＳモードの液晶装置の例を示す平面図。The top view which shows the example of the liquid crystal device of FFS mode. 図１６中のＥ−Ｅ線の位置における断面図。Sectional drawing in the position of the EE line | wire in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１…電界駆動型装置としての液晶装置、４…画素、５…画素領域、１０…素子基板、１１，３１…ガラス基板、１２…走査線、１３…遮光層、１４…信号線、１５…中継電極、１６…第１電極、１７…対向電極配線、１８，３８…配向膜、２０…ＴＦＴ素子、２１…半導体層、２１ａ…チャネル領域、２３，２４，２５…コンタクトホール、２６…第２電極、２６Ａ…接続部、２６Ｂ…帯状部、２６ａ…エッジ部、２７…スリット、３０…対向基板、３２…カラーフィルタ、４１，４３，４４，４５…層間絶縁膜、４２…ゲート絶縁膜、４６…保護層、５０…液晶、５０ａ…液晶分子、５１…ドライバＩＣ、５２…シール材、１００…携帯電話機。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Liquid crystal device as an electric field drive type device, 4 ... Pixel, 5 ... Pixel region, 10 ... Element substrate, 11, 31 ... Glass substrate, 12 ... Scanning line, 13 ... Light shielding layer, 14 ... Signal line, 15 ... Relay Electrode, 16 ... first electrode, 17 ... counter electrode wiring, 18, 38 ... alignment film, 20 ... TFT element, 21 ... semiconductor layer, 21a ... channel region, 23, 24, 25 ... contact hole, 26 ... second electrode , 26A ... connection part, 26B ... strip-like part, 26a ... edge part, 27 ... slit, 30 ... counter substrate, 32 ... color filter, 41, 43, 44, 45 ... interlayer insulation film, 42 ... gate insulation film, 46 ... Protective layer, 50 ... liquid crystal, 50a ... liquid crystal molecule, 51 ... driver IC, 52 ... sealing material, 100 ... mobile phone.

Claims (7)

一対の基板間に液晶が挟持され、一対の基板のうちの一方の基板の前記液晶側には、画素ごとに形成された薄膜トランジスタ素子と、前記薄膜トランジスタ素子に電気的に接続された信号線又は前記信号線と同一の層に形成された前記信号線と同一の部材を含む遮光性部材と、第１電極と、前記第１電極の前記液晶側に形成された絶縁層と、前記絶縁層の前記液晶側に形成された第２電極と、が備えられ、前記第２電極には、平面視で少なくとも一部が前記第１電極と重なって、延在方向を有した外形で開口された複数のスリットが形成されており、前記第１電極と前記第２電極との間の電位差に起因して生じた電界により前記液晶が駆動される電界駆動型装置であって、
前記複数のスリットは、前記延在方向と交差した所定方向に配列する第１のスリットと、前記所定方向と直交した方向であって配列した前記第１のスリットの短辺の側で該第１のスリットに隣り合って配置される第２のスリットと、を有し、
前記遮光性部材は、前記第１のスリットの前記第２のスリット側のエッジ部と、前記第２のスリットの前記第１のスリット側のエッジ部と、の間の前記所定方向に直交した方向における幅よりも大きい幅で形成され、
前記遮光性部材は、前記第１のスリットの前記第２のスリット側のエッジ部と前記第２のスリットの前記第１のスリット側のエッジ部との間の領域を覆って平面視で重ねて配置されているとともに、前記第１電極の前記第１のスリットと前記第２のスリットとが隣り合う側の端部と平面視で重ねて配置されていることを特徴とする電界駆動型装置。 A liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates, a thin film transistor element formed for each pixel on the liquid crystal side of one of the pair of substrates, and a signal line electrically connected to the thin film transistor element or the A light-shielding member including the same member as the signal line formed in the same layer as the signal line , a first electrode, an insulating layer formed on the liquid crystal side of the first electrode, and the insulating layer A second electrode formed on the liquid crystal side, wherein the second electrode overlaps with the first electrode in plan view and has a plurality of openings having an extending direction. An electric field driving type device in which a slit is formed, and the liquid crystal is driven by an electric field generated due to a potential difference between the first electrode and the second electrode,
The plurality of slits includes a first slit arranged in a predetermined direction intersecting the extending direction, and a first side on a short side of the first slit arranged in a direction orthogonal to the predetermined direction. A second slit disposed adjacent to the slit of
The light shielding member has a direction orthogonal to the predetermined direction between an edge portion of the first slit on the second slit side and an edge portion of the second slit on the first slit side. Formed with a width greater than the width at
The light-shielding member covers the region between the second slit-side edge portion of the first slit and the first slit-side edge portion of the second slit, and is overlapped in a plan view. An electric field drive type device characterized in that the first slit and the second slit of the first electrode are arranged so as to overlap with an end portion on an adjacent side in plan view. 請求項１に記載の電界駆動型装置であって、
前記遮光性部材は、複数の前記第１のスリットの前記第２のスリット側のエッジ部と前記第２のスリットの前記第１のスリット側のエッジ部との間の領域を覆って、前記所定方向に帯状に延在して形成されていることを特徴とする電界駆動型装置。 It is an electric field drive type device according to claim 1,
The light-shielding member covers an area between the second slit side edge portion of the plurality of first slits and the first slit side edge portion of the second slit, and An electric field drive type device characterized by being formed to extend in a band shape in a direction. 請求項１又は請求項２に記載の電界駆動型装置であって、
前記遮光性部材の各部は、平面視で、前記第１電極及び前記第２電極の少なくとも一方と重なっていることを特徴とする電界駆動型装置。 The electric field drive type device according to claim 1 or 2,
Each part of the light shielding member overlaps at least one of the first electrode and the second electrode in a plan view. 一対の基板間に液晶が挟持され、一対の基板のうちの一方の基板の前記液晶側には、遮光性部材と、第１電極と、前記第１電極の前記液晶側に形成された絶縁層と、前記絶縁層の前記液晶側に形成された第２電極と、が備えられ、前記第２電極には、平面視で少なくとも一部が前記第１電極と重なって、延在方向を有した外形で開口された複数のスリットが形成されており、前記第１電極と前記第２電極との間の電位差に起因して生じた電界により前記液晶が駆動される電界駆動型装置であって、
前記複数のスリットは、前記延在方向と交差した所定方向に配列する第１のスリットと、前記所定方向と直交した方向であって配列した前記第１のスリットの短辺の側で該第１のスリットに隣り合って配置される第２のスリットと、を有し、
前記遮光性部材は、前記第１のスリットの前記第２のスリット側のエッジ部と、前記第２のスリットの前記第１のスリット側のエッジ部と、の間の前記所定方向に直交した方向における幅よりも大きい幅で形成され、
前記遮光性部材は、前記第１のスリットの前記第２のスリット側のエッジ部と前記第２のスリットの前記第１のスリット側のエッジ部との間の領域を覆って平面視で重ねて配置されているとともに、前記第１電極の前記第１のスリットと前記第２のスリットとが隣り合う側の端部と平面視で重ねて配置されており、
前記遮光性部材は、前記第２電極と電気的に接続された対向電極配線又は前記対向電極配線と同一の層に形成された前記対向電極配線と同一の部材を含んで構成されることを特徴とする電界駆動型装置。 A liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates, a light shielding member, a first electrode, and an insulating layer formed on the liquid crystal side of the first electrode on the liquid crystal side of one of the pair of substrates. And a second electrode formed on the liquid crystal side of the insulating layer, and the second electrode has an extending direction at least partially overlapping the first electrode in a plan view. A plurality of slits opened in an outer shape are formed, and the liquid crystal is driven by an electric field generated due to a potential difference between the first electrode and the second electrode,
The plurality of slits includes a first slit arranged in a predetermined direction intersecting the extending direction, and a first side on a short side of the first slit arranged in a direction orthogonal to the predetermined direction. A second slit disposed adjacent to the slit of
The light shielding member has a direction orthogonal to the predetermined direction between an edge portion of the first slit on the second slit side and an edge portion of the second slit on the first slit side. Formed with a width greater than the width at
The light-shielding member covers the region between the second slit-side edge portion of the first slit and the first slit-side edge portion of the second slit, and is overlapped in a plan view. And the first slit and the second slit of the first electrode are arranged so as to overlap with an end portion on the adjacent side in a plan view,
The light-shielding member includes a counter electrode wiring electrically connected to the second electrode or the same member as the counter electrode wiring formed in the same layer as the counter electrode wiring. Electric field drive type device. 一対の基板間に液晶が挟持され、一対の基板のうちの一方の基板の前記液晶側には、画素ごとに形成された薄膜トランジスタ素子と、平面視で前記薄膜トランジスタ素子のチャネル領域と重なる領域に形成された遮光層を含む遮光性部材と、第１電極と、前記第１電極の前記液晶側に形成された絶縁層と、前記絶縁層の前記液晶側に形成された第２電極と、が備えられ、前記第２電極には、平面視で少なくとも一部が前記第１電極と重なって、延在方向を有した外形で開口された複数のスリットが形成されており、前記第１電極と前記第２電極との間の電位差に起因して生じた電界により前記液晶が駆動される電界駆動型装置であって、A liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates, and a thin film transistor element formed for each pixel and a region overlapping a channel region of the thin film transistor element in a plan view are formed on the liquid crystal side of one of the pair of substrates. A light shielding member including the light shielding layer, a first electrode, an insulating layer formed on the liquid crystal side of the first electrode, and a second electrode formed on the liquid crystal side of the insulating layer. The second electrode is formed with a plurality of slits that are at least partially overlapped with the first electrode in a plan view and are opened with an outer shape having an extending direction. An electric field drive type device in which the liquid crystal is driven by an electric field generated due to a potential difference with the second electrode,
前記複数のスリットは、前記延在方向と交差した所定方向に配列する第１のスリットと、前記所定方向と直交した方向であって配列した前記第１のスリットの短辺の側で該第１のスリットに隣り合って配置される第２のスリットと、を有し、The plurality of slits includes a first slit arranged in a predetermined direction intersecting the extending direction, and a first side on a short side of the first slit arranged in a direction orthogonal to the predetermined direction. A second slit disposed adjacent to the slit of
前記遮光性部材は、前記第１のスリットの前記第２のスリット側のエッジ部と、前記第２のスリットの前記第１のスリット側のエッジ部と、の間の前記所定方向に直交した方向における幅よりも大きい幅で形成され、The light shielding member has a direction orthogonal to the predetermined direction between an edge portion of the first slit on the second slit side and an edge portion of the second slit on the first slit side. Formed with a width greater than the width at
前記遮光性部材は、前記第１のスリットの前記第２のスリット側のエッジ部と前記第２のスリットの前記第１のスリット側のエッジ部との間の領域を覆って平面視で重ねて配置されているとともに、前記第１電極の前記第１のスリットと前記第２のスリットとが隣り合う側の端部と平面視で重ねて配置されていることを特徴とする電界駆動型装置。The light-shielding member covers the region between the second slit-side edge portion of the first slit and the first slit-side edge portion of the second slit, and is overlapped in a plan view. An electric field drive type device characterized in that the first slit and the second slit of the first electrode are arranged so as to overlap with an end portion on an adjacent side in plan view. 一対の基板間に液晶が挟持され、一対の基板のうちの一方の基板の前記液晶側には、画素ごとに形成された薄膜トランジスタ素子と、遮光性部材と、前記薄膜トランジスタ素子と電気的に接続された第１電極と、前記第１電極の前記液晶側に形成された絶縁層と、前記絶縁層の前記液晶側に複数の前記画素に跨って形成された第２電極と、が備えられ、前記第２電極には、平面視で少なくとも一部が前記第１電極と重なって、延在方向を有した外形で開口された複数のスリットが形成されており、前記第１電極と前記第２電極との間の電位差に起因して生じた電界により前記液晶が駆動される電界駆動型装置であって、A liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates, and a thin film transistor element formed for each pixel, a light shielding member, and the thin film transistor element are electrically connected to the liquid crystal side of one of the pair of substrates. A first electrode; an insulating layer formed on the liquid crystal side of the first electrode; and a second electrode formed across a plurality of the pixels on the liquid crystal side of the insulating layer, The second electrode is formed with a plurality of slits that are at least partially overlapped with the first electrode in a plan view and are opened with an outer shape having an extending direction. The first electrode and the second electrode An electric field drive type device in which the liquid crystal is driven by an electric field generated due to a potential difference between
前記複数のスリットは、前記延在方向と交差した所定方向に配列する第１のスリットと、前記所定方向と直交した方向であって配列した前記第１のスリットの短辺の側で該第１のスリットに隣り合って配置される第２のスリットと、を有し、The plurality of slits includes a first slit arranged in a predetermined direction intersecting the extending direction, and a first side on a short side of the first slit arranged in a direction orthogonal to the predetermined direction. A second slit disposed adjacent to the slit of
前記遮光性部材は、前記第１のスリットの前記第２のスリット側のエッジ部と、前記第２のスリットの前記第１のスリット側のエッジ部と、の間の前記所定方向に直交した方向における幅よりも大きい幅で形成され、The light shielding member has a direction orthogonal to the predetermined direction between an edge portion of the first slit on the second slit side and an edge portion of the second slit on the first slit side. Formed with a width greater than the width at
前記遮光性部材は、前記第１のスリットの前記第２のスリット側のエッジ部と前記第２のスリットの前記第１のスリット側のエッジ部との間の領域を覆って平面視で重ねて配置されているとともに、前記第１電極の前記第１のスリットと前記第２のスリットとが隣り合う側の端部と平面視で重ねて配置されていることを特徴とする電界駆動型装置。The light-shielding member covers the region between the second slit-side edge portion of the first slit and the first slit-side edge portion of the second slit, and is overlapped in a plan view. An electric field drive type device characterized in that the first slit and the second slit of the first electrode are arranged so as to overlap with an end portion on an adjacent side in plan view. 請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電界駆動型装置を表示部に備えることを特徴とする電子機器。 An electronic apparatus, comprising a display unit for electric field driving device according to any one of claims 1 to 6.
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