JP2007192790A - Semiconductor pressure sensor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体圧力センサに関し、特に、実装形態の多様化に適した表面実装が可能で、低コスト化および信頼性の高い半導体圧力センサに関するものである。 The present invention relates to a semiconductor pressure sensor, and more particularly to a semiconductor pressure sensor that can be surface-mounted suitable for diversification of mounting forms, is low in cost, and has high reliability.
従来、腕時計や家電製品、さらには自動車、航空機等に至る幅広い分野において用いられる圧力センサがある。その一種としてシリコン結晶板の上面にピエゾ抵抗を形成し、これらのピエゾ抵抗を感圧部として圧力を検出する半導体圧力センサがある。この半導体圧力センサは、半導体製造プロセス技術をそのまま転用することができるため製造が容易で、構造が簡素にできるという利点がある。また、電圧感度が極めて大きく、簡単に増幅可能であるため精度の良い圧力センサが得られることから様々な分野で広く用いられている。 Conventionally, there are pressure sensors used in a wide range of fields such as wristwatches, home appliances, automobiles, airplanes, and the like. As one type, there is a semiconductor pressure sensor that forms piezoresistors on the upper surface of a silicon crystal plate and detects pressure using these piezoresistors as a pressure-sensitive portion. This semiconductor pressure sensor has the advantage that it can be easily manufactured and the structure can be simplified because the semiconductor manufacturing process technology can be used as it is. In addition, since the voltage sensitivity is extremely large and can be easily amplified, a pressure sensor with high accuracy can be obtained, so that it is widely used in various fields.
ここで、従来の半導体圧力センサについて、詳細に説明する。
図15は、従来の半導体圧力センサを示す斜視図で、図16は、図15の対角断面図である。
図15において、3はシリコン結晶基板からなる半導体圧力センサチップである(以下単にチップという)。該チップ3は受圧面を上面にし、外ケース1の底部所定位置に図示しない接着材により固定されている。金属ピン2が外ケース1を貫通する形態で埋設されており、前記外ケース1内部に位置する前記金属ピン2の端部と前記チップ3上に設けられたボンディングパッド6は、ボンディングワイヤー4によりそれぞれ接続されている。金属ピン2は圧入または接着固定される。前記外ケース1の外部底面方向に突出する前記金属ピン2の端部は、図示しない回路基板のスルーホールに挿入され半田付けにて接続される構成で実装されるものである。
Here, a conventional semiconductor pressure sensor will be described in detail.
FIG. 15 is a perspective view showing a conventional semiconductor pressure sensor, and FIG. 16 is a diagonal sectional view of FIG.
In FIG. 15, 3 is a semiconductor pressure sensor chip made of a silicon crystal substrate (hereinafter simply referred to as a chip). The
外ケース1は、PPS(ポリフェニレンサルファイド)、PPO(ポリフェニレンオキサイド)、PBT(ポリブチレンテレフタレート)、PET(ポリエチレンテレフタレート)等の樹脂を射出成形して形成したものやセラミック材から成るものが好適に用いられている。
The
外ケース1内部にはゲル状のポッティング樹脂7が、チップ3の受圧面及びボンディングワイヤー4を覆うように充填され半導体圧力センサが構成される。該構成により、前記ゲル状ポッティング樹脂7を介してチップ3に圧力が加わると、その圧力に応じてピエゾ抵抗の抵抗値が変化し、この抵抗値に基づき圧力が測定される(例えば、特許文献1参照)。
上記で説明した従来技術においては、次に説明するような問題点があった。
従来構成による半導体圧力センサは、外部回路基板との接続手段として金属ピン2が利用されることとなるため、外部回路基板側にピンの挿入穴等スルーホールの加工が必須となり、実装コストを増大させている。さらに、半田付けの状態の検査工程においては、半導体圧力センサ実装面とは反対側の裏面を検査することになり、後工程においても工数を増加させコストを増大させる要因となる。また、従来構成では表面実装に対応が難しく自動化の妨げとなり、結果的に製造コストを増大させてしまうという課題があった。また、実装形態も多様化してきており、半導体圧力センサの裏面側のみの半田付けに限らず、側面部からも半田付けするような複数方向からの半田実装が可能となる構成も望まれている。
The prior art described above has the following problems.
The semiconductor pressure sensor according to the conventional configuration uses the
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、その目的は、半導体圧力センサの外部回路基板との接続手段を簡易化し実装コストが安価で低コスト化が図られた半導体圧力センサを提供することにある。また、他の目的として、半導体圧力センサの複数方向からの半田実装を可能とする、実装形態の多様化に対応した表面実装が可能な半導体圧力センサを提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor pressure sensor in which the means for connecting the semiconductor pressure sensor to the external circuit board is simplified, the mounting cost is low, and the cost is reduced. There is. Another object of the present invention is to provide a semiconductor pressure sensor capable of surface mounting corresponding to diversification of mounting forms, which enables solder mounting of the semiconductor pressure sensor from a plurality of directions.
また、他の目的として、圧力センサパッケージに埋設された接続端子となる導電部材と、圧力センサパッケージとの接合強度を増加させ、接続端子の脱落を防止することのできる半導体圧力センサを提供することにある。 Another object of the present invention is to provide a semiconductor pressure sensor capable of increasing the bonding strength between a conductive member serving as a connection terminal embedded in a pressure sensor package and the pressure sensor package and preventing the connection terminal from falling off. It is in.
外部からの圧力を検出する半導体圧力センサにおいて、 両端面に開口部を有し、それぞれの断面が凹型形状に形成された外ケースと、 前記外ケース内に充填し、前記外部からの圧力を伝達する保護部材と、その一部が前記外ケースの外部底面と外部側面に露出して埋設される端子部と、その受圧面と前記外ケースの一端面の開口部面とが一致する方向に前記外ケース内部に搭載され、前記保護部材から伝達された外部圧力の検知レベルに応じた電気信号を生成する半導体圧力センサチップと、前記半導体圧力センサチップと前記端子部とを導通させるボンディングワイヤーとを備える半導体圧力センサである。 In a semiconductor pressure sensor for detecting pressure from the outside, an outer case having openings at both end faces and each section having a concave shape, and filling the outer case to transmit the pressure from the outside The protective member, a terminal part of which is exposed and embedded on the outer bottom surface and the outer side surface of the outer case, and the pressure receiving surface and the opening surface of the one end surface of the outer case are aligned with each other. A semiconductor pressure sensor chip that is mounted inside the outer case and generates an electrical signal corresponding to a detection level of the external pressure transmitted from the protective member, and a bonding wire that electrically connects the semiconductor pressure sensor chip and the terminal portion. A semiconductor pressure sensor is provided.
さらに、前記外ケースは、その裏面における前記開口部の中央部にその断面が凹型形状に形成され、接着剤を充填させるための凹部を備えた半導体圧力センサである。 Furthermore, the outer case is a semiconductor pressure sensor having a recess formed in the center of the opening on the back surface and having a concave shape for filling with an adhesive.
前記端子部は、前記半導体圧力センサチップと導通させる前記ボンディングワイヤーとの接続端となり、前記外ケースから露出するピン端子部と、前記ピン端子部の下部に設けられ、前記外ケースに埋設されて、前記外ケースの外部底面と外部側面に露出する台座とを備え、前記台座は、その形状が円柱もしくは角柱であって、前記円柱もしくは角柱の、前記ピン端子部側の平面部に溝および/または前記円柱もしくは角柱の周囲にローレットが形成されている半導体圧力センサである。 The terminal portion serves as a connection end with the bonding wire to be electrically connected to the semiconductor pressure sensor chip, is provided at a pin terminal portion exposed from the outer case, and below the pin terminal portion, and is embedded in the outer case. And an outer bottom surface of the outer case and a pedestal exposed to the outer side surface, and the pedestal has a shape of a cylinder or a prism, and a groove and / or a flat surface on the pin terminal portion side of the cylinder or the prism Alternatively, a semiconductor pressure sensor in which knurls are formed around the cylinder or the prism.
前記外ケースの内側に露出する、前記端子部のボンディングワイヤーとの接続端面は、前記半導体チップの受圧面と平行であり、前記外ケースの開口部端面より底面方向に位置する半導体圧力センサである。 The connection end surface of the terminal portion that is exposed to the inside of the outer case and the bonding wire is parallel to the pressure receiving surface of the semiconductor chip, and is a semiconductor pressure sensor that is located in the bottom direction from the opening end surface of the outer case. .
前記端子部は、その形状が円柱もしくは角柱であって、前記円柱もしくは角柱の周囲にローレットが形成されている半導体圧力センサである。 The terminal portion is a semiconductor pressure sensor whose shape is a cylinder or a prism, and knurls are formed around the cylinder or the prism.
請求項1に記載の半導体圧力センサの構成によれば、端子部の一端が外ケースの外部底面と外部側面に露出する構成を採用しているので、面実装が容易になり、又、外部底面と外部側面の両方向に導電性を有する端子部の一部を露出させた構成であるので両方向から半田実装することができ、表面実装等の実装形態の多様化に対応できるという効果がある。
According to the configuration of the semiconductor pressure sensor according to
請求項2に記載の半導体圧力センサの構成によれば、裏面の中央部に設けた、断面が凹型形状に形成された開口部に接着剤を充填することにより、この接着剤が端子部の下部(台座)に絡まるように塗布され、端子部の固定強化を図ることができるという効果がある。
According to the configuration of the semiconductor pressure sensor according to
請求項3に記載の半導体圧力センサの構成によれば、細いピン端子部が太い台座上に形成した構造を採ることにより、接続用のピン端子の安定強化を図ることができるという効果がある。 According to the configuration of the semiconductor pressure sensor according to the third aspect, there is an effect that it is possible to enhance the stability of the connecting pin terminal by adopting a structure in which the thin pin terminal portion is formed on the thick pedestal.
請求項4に記載の半導体圧力センサの構成によれば、入力端子となる端子部の下部にある、接着剤が付着する台座の平面部に溝及び/または台座の周囲にローレットを設けるので、接着面が増加し、外ケースとの接合強度をさらに高め、半導体圧力センサの超小型化を実現できるという効果がある。
According to the configuration of the semiconductor pressure sensor according to
請求項5に記載の半導体圧力センサの構成によれば、ボンディングワイヤーが形成するループ高さより高い位置まで、外ケースの側壁が全周にわたり設けられる結果、ポッティング樹脂でボンディングワイヤーを保護出来るまで充填しても、ポッティング樹脂が外ケースの外へ流れ出るのを防止できるという効果がある。
According to the structure of the semiconductor pressure sensor of
請求項6に記載の半導体圧力センサの構成によれば、端子部の周囲にローレットを設けることにより、凹部に設けられる接着剤との接着面が増加し、外ケースとの接合強度を高めることができるという効果がある。
According to the configuration of the semiconductor pressure sensor according to
外部からの圧力を検出する半導体圧力センサにおいて、両端面に開口部を有し、それぞれの断面が凹型形状に形成された外ケースと、前記外ケース内に充填し、外部からの圧力を伝達する保護部材と、その一端が前記外ケースに埋設され、他端が前記外ケースから露出する端子部と、前記保護部材からの外部圧力の検知レベルに応じた電気信号を生成する半導体圧力センサチップと、その前記半導体圧力センサチップの受圧面と前記外ケースの一端面の開口部面とが一致する方向に前記半導体圧力センサチップが前記外ケース内部に搭載され、前記半導体圧力センサチップと前記端子部とを導通させるワイヤーを備え、露出した端子部と外ケースによってできた凹部に接着剤を塗布した半導体圧力センサである。
以下、本発明の半導体圧力センサの実施例について、図面を参照して詳細に説明する。
In a semiconductor pressure sensor for detecting pressure from the outside, an outer case having openings on both end faces and each section being formed in a concave shape, filling the outer case, and transmitting pressure from the outside A protective member; a terminal portion having one end embedded in the outer case and the other end exposed from the outer case; and a semiconductor pressure sensor chip that generates an electrical signal corresponding to a detection level of external pressure from the protective member; The semiconductor pressure sensor chip is mounted inside the outer case in a direction in which the pressure receiving surface of the semiconductor pressure sensor chip and the opening surface of the one end surface of the outer case coincide with each other, and the semiconductor pressure sensor chip and the terminal portion Is a semiconductor pressure sensor in which an adhesive is applied to a recessed portion formed by an exposed terminal portion and an outer case.
Hereinafter, embodiments of the semiconductor pressure sensor of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1乃至図4は、本発明に係る半導体圧力センサの実施例1の構成を示す。図1は半導体圧力センサの上面側から見た外観斜視図、図2はその下面側から見た外観斜視図、図3はその正面からみた断面図、図4は、半導体圧力センサの端子部である金属ピンを示す斜視図である。 1 to 4 show a configuration of a first embodiment of a semiconductor pressure sensor according to the present invention. 1 is an external perspective view of the semiconductor pressure sensor as viewed from the upper surface side, FIG. 2 is an external perspective view of the semiconductor pressure sensor as viewed from its lower surface side, FIG. 3 is a cross-sectional view as viewed from the front, and FIG. It is a perspective view which shows a certain metal pin.
図1及び図2に示すように、外ケース1は、両端面に開口部を有し、それぞれの断面が凹型形状に形成され、その材質はセラミック製で、該外ケース1に導電性部材である金属ピン2が埋設されている。該金属ピン2は外ケース1を貫通した形態で圧入されて固定してあり、さらに金属ピン2の一部が外ケース1の外部底面と外部側面に露出している。そして、図3に示すように、その外ケース1の裏面側における中央部の開口部に凹型形状の接着剤充填凹部5aを設け、該凹部5aに接着剤5を充填する。接着剤充填凹部5aの反対側に半導体圧力センサチップ3を搭載するための開口部8が設けてあり、半導体圧力センサチップ3の受圧面を外ケース1の開口方向に向け、接着剤5により固定設置されている(接着剤不図示)。半導体圧力センサチップ3の受圧面上にボンディングパッド6が設けられている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
又、図4に示すように、金属ピン2は、ボンディングワイヤー4との接続端となるピン端子部2aと、外ケース1に埋設され、ピン端子部2aの下部に設けられる、外ケース1の外部底面と外部側面に露出する台座2bとを備える。そして、前記金属ピン2は金メッキにて表面処理されており、上端面にボンディングワイヤー4にて前記ボンディングパッド6と接続され、半導体圧力センサチップ3は外ケース1の外部と導通となる。前記開口部にゲル状ポッティング樹脂7を充填して半導体圧力センサが完成となる。ここで、半導体圧力センサチップ3は、ゲル状ポッティング樹脂7から伝達された外部圧力の検知レベルに応じた電気信号を生成する。尚、図4に示した端子ピン2の台座2bはその形状が円柱をなしているが、角柱であってもよい。
Further, as shown in FIG. 4, the
前記構成によれば、金属ピン2下端の台座2bが外ケース1の外部底面と外部側面に露出する構成としたので面実装が容易になる。また、外部底面と外部側面の両方向に金属ピン2下端の台座2bを露出させた構成であるので両方向から半田実装することができ、表面実装等の実装形態の多様化に対応できる。また、接着剤充填凹部5aを設けることにより、外ケース1と金属ピン2下端の台座2bに接着剤5が付着することで、外ケース1と金属ピン2の接合について強度を高めることができる。この結果、金属ピン2が外ケース1から脱落することを防止できる。
According to the said structure, since the
次に、本発明に係る半導体圧力センサの実施例2について説明する。実施例2において、実施例1と異なる点についてのみ説明し、図において同一のブロックには同一の符号を付し、その同一のブロックについての詳細な説明は省略する。図5は、本発明の実施例2における半導体圧力センサの端子部である金属ピンの詳細を説明する斜視図である。図6は、その金属ピンを半導体圧力センサのパッケージに組み込んだ場合の断面を示す図である。
図5に示すように、実施例1と異なる点は導電性部材である金属ピン2において台座2c上面に溝2eが設けた点にある。そして、図6に示すように、図5の金属ピン2をセラミック製の外ケース1に圧入し、該金属ピン2の台座2cが外部側面と外部底面に露出されている。台座2cと外ケース1によって形成された接着剤充填凹部5aに接着剤5を充填すると、その溝2eに接着剤5が入り込み台座2aが強固に固定されることになる。
尚、図6では、接着剤5が充填されない溝2eが図示されているが、接着剤5が充填される溝2eに限り、充填されない溝は省略することもできる。実施例1と同様に半導体圧力センサチップを搭載することで半導体圧力センサの完成となる。
Next, a second embodiment of the semiconductor pressure sensor according to the present invention will be described. In the second embodiment, only differences from the first embodiment will be described. In the figure, the same blocks are denoted by the same reference numerals, and detailed description of the same blocks will be omitted. FIG. 5 is a perspective view illustrating details of a metal pin that is a terminal portion of the semiconductor pressure sensor according to the second embodiment of the present invention. FIG. 6 is a view showing a cross section when the metal pin is incorporated in a package of a semiconductor pressure sensor.
As shown in FIG. 5, the difference from the first embodiment is that a
In FIG. 6, the
以上説明したように、上記実施例1で得られたと同様の効果が得られるとともに、次に説明するような新たな効果が得られる。
入出力端子となる金属ピン2の下部の、接着剤5が付着する台座2cの上面に溝2eを設けることにより、接着剤5との接着面が増加し、外ケース1との接合についてさらなる強度を高めることができ、半導体圧力センサの金属ピン2の強化を実現できる。
尚、半導体圧力センサをさらに小型化する場合、溝2を設けることで接着面が確保され、外ケース1との接合についての強度を保持することができる。
As described above, the same effect as that obtained in the first embodiment can be obtained, and a new effect as described below can be obtained.
By providing the
When the semiconductor pressure sensor is further reduced in size, the bonding surface is secured by providing the
次に、本発明に係る半導体圧力センサの実施例3について、説明する。実施例3において、実施例1と異なる点についてのみ説明し、図において同一ブロックには同一の符号を付し、その同一ブロックについての説明は省略する。図7は、本発明の実施例3における半導体圧力センサの端子部である金属ピン2の詳細を説明する斜視図である。図8は、図7に示した金属ピン2を半導体圧力センサのパッケージである外ケース1に組み込んだ場合の下面を示す図である。
Next, a third embodiment of the semiconductor pressure sensor according to the present invention will be described. In the third embodiment, only differences from the first embodiment will be described. In the figure, the same blocks are denoted by the same reference numerals, and description of the same blocks will be omitted. FIG. 7 is a perspective view illustrating details of the
図7に示すように、実施例1と異なる点は導電性部材である金属ピンの台座2dの周囲にローレット(ぎざぎざ)2fを設けた点にある。そして、図8に示すように、図7の金属ピン2をセラミック製の外ケース1に圧入し、台座2dと外ケース1によって形成された接着剤充填凹部5aに接着剤5を充填すると、そのローレット2fに接着剤5が入り込み台座2dが強固に固定されることになる。尚、図8では、接着剤5が充填されないローレット2fが図示されているが、接着剤5が充填されるローレット2fに限り、充填されないローレット2fは省略することもできる。実施例1、実施例2と同様に半導体圧力センサチップを搭載することで半導体圧力センサの完成となる。
As shown in FIG. 7, the difference from the first embodiment is that a
以上、説明したように、上記実施例1と同様の効果が得られるとともに、次に説明するような新たな効果が得られる。
入出力端子となる金属ピン2の台座2dの接着剤が付着する部分にローレット(ぎざぎざ)を設けることにより、接着剤5との接着面が増加し、外ケース1との接合についてさらなる強度を高めることができるので、実施例1と実施例2と同様の半導体圧力センサ構成にすることで、半導体圧力センサの金属ピン2の強化を実現できる。
尚、半導体圧力センサをさらに小型化する場合、ローレット2fを設けることで接着面が確保され、外ケース1との接合についての強度を保持することができる。
As described above, the same effects as those of the first embodiment can be obtained, and new effects as described below can be obtained.
By providing knurls on the part of the
When the semiconductor pressure sensor is further reduced in size, the
ここで、実施例4は、実施例1の図4に示す台座2bの形状が円柱もしくは角柱であって、円柱もしくは角柱の、ピン端子部2a側の平面部に溝2eを、および前述の円柱もしくは角柱の周囲にローレット2fを形成したものである。その他の点については、実施例1と同じである。
図9は、金属ピン2の台座2gの上面部に溝2e、および台座2gの周囲にローレット2fが形成されていることを示す斜視図である。該金属ピン2をセラミック製の外ケース1に埋設し、実施例1と同様に半導体圧力センサを構成する。
Here, in the fourth embodiment, the shape of the
FIG. 9 is a perspective view showing that the
上記実施例1で得られたと同様の効果が得られるとともに、接着剤5との接着面が大きく増加し、外ケース1との接合についてさらなる強度を高めることができるので、半導体圧力センサの金属ピン2の強化を実現できる。また、半導体圧力センサをさらに小型化する場合、溝2eとローレット2fを設けることで接着面が確保され、外ケース1との接合についての強度を保持することができる。
Since the same effect as that obtained in the first embodiment can be obtained, the adhesion surface with the adhesive 5 can be greatly increased, and the strength of the joint with the
次に、本発明に係る半導体圧力センサの実施例5について、説明する。実施例5において、実施例1と異なる点についてのみ説明し、図において同一ブロックには同一の符号を付し、その同一ブロックについての説明は省略する。図10は、本発明に係る半導体圧力センサの構造を示す外観斜視図、図11は、その下面側から見た外観斜視図、図12は、正面から見た断面図である。
図10において、実施例1と異なる点は、該外ケース1の角部付近に、導電性部材である端子部9が円柱形状をなし、実施例1のピン端子部をなくして端子部9の上端面をボンディングワイヤー4との接続端面としたものである。そして、図11に示すように、外ケース1を貫通した形態で、その内側より外部底面部および外部側面部に端子部9の一部面が現れるように、配置されている。尚、ケース1の裏面に凹部5が形成されていることは、実施例1と同様である。
Next, a semiconductor pressure sensor according to a fifth embodiment of the present invention will be described. In the fifth embodiment, only differences from the first embodiment will be described. In the figure, the same block is denoted by the same reference numeral, and the description of the same block is omitted. 10 is an external perspective view showing the structure of the semiconductor pressure sensor according to the present invention, FIG. 11 is an external perspective view seen from the lower surface side, and FIG. 12 is a cross-sectional view seen from the front.
In FIG. 10, the difference from the first embodiment is that the
又、図12に示すように、端子部9の露出部は、外ケース1の外部底面および外部側面とほぼ同一面と成るように配置され、又、この端子部9の上端は外ケース1の内部に向かい大きくせり出し、その接続端面9aはボンディングワイヤー4の一端が接続される。ここで、ボンディングワイヤー4は金線が利用されているので、その接続強度を得るために、端子部9の少なくとも上端面のボンディングワイヤー4との接続端面9aは、金メッキにて表面処理されている。
As shown in FIG. 12, the exposed portion of the
図12において、半導体圧力センサチップ3の受圧面(検知部)は、端子部9のボンディングワイヤー4との接続端面9aとは平行で、外ケース1の開口部端面より底面方向に位置し、半導体圧力センサチップ3の上端面にあるボンディングパッド6の高さと、端子部9のボンディングワイヤー4との接続端面9aはほぼ一致した構成である。ボンディングパッド6と接続端面9aのそれぞれの位置を一致させることにより、ボンディングワイヤー4の接続が容易になり、ボンディング精度がよくなる。さらに、ボンディングワイヤー4が形成するループ高さより高い位置まで、外ケース1の側壁が全周にわたり設けられているので、ポッティング樹脂7でボンディングワイヤー4を保護出来るまで充填しても、ポッティング樹脂が外ケース1の外へ流れ出ることを防止できる。
前記構成によれば、実施例1で説明した効果が得られるとともに、導電性部材である端子部9全体が円柱形状をなすことにより、外ケースの外部側面がさらに広く取れるので、さらなる側面における半田実装が可能となる。
In FIG. 12, the pressure receiving surface (detecting portion) of the semiconductor
According to the above configuration, the effects described in the first embodiment can be obtained, and the outer side surface of the outer case can be made wider by forming the entire
次に、端子部にローレットを設けた実施例6について、図13、図14を参照して説明する。図13は、実施例6における端子部9の構造を示す図で、(a)は円柱形状の端子部9を、(b)は角柱形状の端子部10を示す斜視図である。図14は、図13(a)に示す端子部9を用いた半導体圧力センサの裏面側から見た断面図である。
図13(a)に示す端子部9は、円柱の周囲にローレット9bを、(b)の端子部10は、角柱の周囲にローレット10bを設けたもので、それぞれの上面は、半導体圧力センサチップ3との接続用ボンディングワイヤー4の接続端面9a,10aとなる。図14に示すように、このローレット9bを、又、図示していないが角柱の場合のローレット10b設けることにより、凹部5bに設けられる接着剤5との接着面が増加し、外ケース1との接合強度を高めることができるのは、実施例3の場合と同様である。
尚、図14は、円柱もしくは角柱の周囲の全面にローレットを設けているが、一部であってもよい。
Next, Example 6 in which a knurling is provided in the terminal portion will be described with reference to FIGS. 13 and 14. FIGS. 13A and 13B are diagrams illustrating the structure of the
The
In FIG. 14, knurls are provided on the entire surface around the cylinder or prism, but a part of the knurls may be used.
ここで、本発明に係る実施例の変形例について、説明する。
上記で本発明の実施例について説明したが、セラミック製の角形器状の外ケース1は絶縁部材であれば良く樹脂材で構成することが、又、ボンディングワイヤー4はボンディング方法を変えるとアルミ線でも可能である。そして、アルミ線を用いる場合には、金属ピン2のピン端子部2aの少なくとも上端面(ボンディングワイヤー4を接続する面)の金メッキが不要となる。
以上説明したように、本発明の精神を逸脱しない範囲で改変を実施することが可能である。
Here, the modification of the Example which concerns on this invention is demonstrated.
Although the embodiment of the present invention has been described above, the ceramic rectangular
As described above, modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
1 外ケース 2 金属ピン (端子部) 2a ピン端子部
2b、2c、2d 、2g 台座 2e 溝 2f ローレット
3 半導体圧力センサチップ
4 ボンディングワイヤー
5 接着剤 5a 凹部 6 ボンディングパッド
7 ポッティング樹脂(保護部材) 8 一端の開口部
9、10 端子部 9a、10a 接続端面 9b、10b ローレット。
DESCRIPTION OF
Claims (6)
両端面に開口部を有し、それぞれの断面が凹型形状に形成された外ケースと、
前記外ケース内に充填し、前記外部からの圧力を伝達する保護部材と、
その一部が前記外ケースの外部底面と外部側面に露出して埋設される端子部と、
その受圧面と前記外ケースの一端面の開口部面とが一致する方向に前記外ケース内部に搭載され、前記保護部材から伝達された外部圧力の検知レベルに応じた電気信号を生成する半導体圧力センサチップと、
前記半導体圧力センサチップと前記端子部とを導通させるボンディングワイヤーとを備えることを特徴とする半導体圧力センサ。 In semiconductor pressure sensors that detect external pressure,
An outer case having openings on both end faces, each of which has a concave cross section;
A protective member that fills the outer case and transmits pressure from the outside;
A terminal part of which is exposed and embedded in the outer bottom surface and the outer side surface of the outer case;
A semiconductor pressure that is mounted inside the outer case in a direction in which the pressure-receiving surface and the opening surface of one end surface of the outer case coincide with each other, and generates an electrical signal corresponding to the detection level of the external pressure transmitted from the protective member A sensor chip;
A semiconductor pressure sensor comprising: a bonding wire for conducting the semiconductor pressure sensor chip and the terminal portion.
前記半導体圧力センサチップと導通させる前記ボンディングワイヤーとの接続端となり、前記外ケースから露出するピン端子部と、
前記ピン端子部の下部に設けられ、前記外ケースに埋設されて、前記外ケースの外部底面と外部側面に露出する台座とを備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体圧力センサ。 The terminal portion becomes a connection end with the bonding wire to be electrically connected to the semiconductor pressure sensor chip, and a pin terminal portion exposed from the outer case,
The semiconductor pressure sensor according to claim 1, further comprising a pedestal provided at a lower portion of the pin terminal portion, embedded in the outer case, and exposed to an outer bottom surface and an outer side surface of the outer case.
前記円柱もしくは角柱の、前記ピン端子部側の平面部に溝および/または前記円柱もしくは角柱の周囲にローレットが形成されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体圧力センサ。 The pedestal is cylindrical or prismatic in shape,
4. The semiconductor pressure sensor according to claim 3, wherein a groove and / or a knurl is formed around the cylinder or the prism in a plane portion of the cylinder or the prism on the pin terminal portion side.
前記半導体チップの受圧面と平行であり、前記外ケースの開口部端面より底面方向位置することを特徴とする請求項1に記載の半導体圧力センサ。 The connection end surface with the bonding wire of the terminal part exposed inside the outer case is
2. The semiconductor pressure sensor according to claim 1, wherein the semiconductor pressure sensor is parallel to a pressure receiving surface of the semiconductor chip and is positioned in a bottom direction from an end surface of the opening of the outer case.
前記円柱もしくは角柱の周囲にローレットが形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体圧力センサ。 The terminal part has a cylindrical or prismatic shape,
The semiconductor pressure sensor according to claim 1, wherein knurls are formed around the cylinder or the prism.
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WO2009119349A1 (en) * | 2008-03-24 | 2009-10-01 | アルプス電気株式会社 | Pressure sensor package |
-
2006
- 2006-03-09 JP JP2006063442A patent/JP2007192790A/en active Pending
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WO2009119349A1 (en) * | 2008-03-24 | 2009-10-01 | アルプス電気株式会社 | Pressure sensor package |
JPWO2009119349A1 (en) * | 2008-03-24 | 2011-07-21 | アルプス電気株式会社 | Pressure sensor package |
JP5089767B2 (en) * | 2008-03-24 | 2012-12-05 | アルプス電気株式会社 | Pressure sensor package |
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