JP2007186365A - Method of manufacturing dielectric ceramic composition and multilayer ceramic capacitor - Google Patents

Method of manufacturing dielectric ceramic composition and multilayer ceramic capacitor Download PDF

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雅和 細野
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a dielectric ceramic composition which achieves a high-temperature load life without changing its composition and offers a sufficient reliability even when the thickness of a dielectric layer in a multilayer ceramic capacitor is reduced. <P>SOLUTION: The dielectric ceramic composition comprises a main component containing barium titanate and subcomponents comprising at least MgO, an SiO<SB>2</SB>sintering aid and an oxide of a rare-earth element. The method of manufacturing the dielectric ceramic composition comprises a step of preparing a pre-calcining powder by adding a raw material for the main component and a portion of raw materials for the subcomponents as pre-added subcomponents, a step of preparing a calcined powder by calcining the pre-calcining powder and a step of obtaining a dielectric ceramic composition powder by adding the rest of the raw materials for the subcomponents as post-added subcomponents to the calcined powder. MgO and the SiO<SB>2</SB>sintering aid are separately added as the pre-added subcomponent or the post-added subcomponent. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、誘電体磁器組成物の製造方法に関し、特に、定格電圧を高く設定した場合においても、高温負荷寿命が良好で、高い信頼性を有する積層セラミックコンデンサに用いられる誘電体磁器組成物の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for producing a dielectric ceramic composition, and in particular, a dielectric ceramic composition used for a multilayer ceramic capacitor having a high temperature load life and high reliability even when the rated voltage is set high. It relates to a manufacturing method.

電子部品の一例である積層セラミックコンデンサは様々な電子機器に使用されている。近年、電子機器の小型化、高性能化に対する要求はますます高くなり、積層セラミックコンデンサも例外ではなく、小型化、低価格化、大容量化が急速に進んでいる。   A multilayer ceramic capacitor, which is an example of an electronic component, is used in various electronic devices. In recent years, there has been an increasing demand for downsizing and high performance of electronic devices, and multilayer ceramic capacitors are no exception, and miniaturization, price reduction, and increase in capacity are rapidly progressing.

それに伴い、積層セラミックコンデンサにおける1層あたりの誘電体層の薄層化が進み、薄層化してもコンデンサとしての信頼性を維持できる誘電体磁器組成物が求められている。特に、高い定格電圧で使用される中耐圧用コンデンサの小型化、大容量化には、誘電体磁器組成物に対して非常に高い信頼性が要求される。   Accordingly, the dielectric layer per layer in the multilayer ceramic capacitor has been thinned, and a dielectric ceramic composition that can maintain the reliability as a capacitor even when the layer is thinned is demanded. In particular, very high reliability is required for the dielectric ceramic composition in order to reduce the size and increase the capacity of the medium voltage capacitor used at a high rated voltage.

一方、内部電極層を構成する材料として、従来は白金やパラジウムなどの高価な貴金属が用いられており、積層セラミックコンデンサのコストアップの要因の一つとなっていた。この問題に対し、近年では内部電極層としてニッケルなどの安価な卑金属を用いることができる耐還元性誘電体磁器組成物が開発されている。しかしながら、この耐還元性誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサは、絶縁抵抗(IR)の高温負荷寿命が短く、信頼性が十分ではないという問題があった。   On the other hand, conventionally, expensive noble metals such as platinum and palladium have been used as the material constituting the internal electrode layer, which has been one of the factors for increasing the cost of multilayer ceramic capacitors. In recent years, a reduction-resistant dielectric ceramic composition that can use an inexpensive base metal such as nickel as the internal electrode layer has been developed. However, the multilayer ceramic capacitor using the reduction-resistant dielectric ceramic composition has a problem that the high-temperature load life of the insulation resistance (IR) is short and the reliability is not sufficient.

上記の問題を改善するため、特許文献1では、誘電体材料の主成分であるチタン酸バリウムと焼結助剤であるガラス成分とを予め仮焼きし、仮焼き後の粉体と他の添加成分とを焼成して得られる誘電体磁器組成物から構成される積層セラミックコンデンサを開示している。この文献では、85°C−12.6V(定格電圧は6.3V)で1000時間の条件で、試験後の不良率を算出し、信頼性を評価している。しかしながら、たとえば、180°Cで50V/μmといった、より厳しい条件下で使用すると、信頼性に欠けるという問題があった。   In order to improve the above problem, in Patent Document 1, barium titanate that is a main component of a dielectric material and a glass component that is a sintering aid are preliminarily calcined, and the calcined powder and other additives A multilayer ceramic capacitor composed of a dielectric ceramic composition obtained by firing components is disclosed. In this document, the defect rate after the test is calculated under the condition of 1000 ° C. at 85 ° C.-12.6 V (rated voltage is 6.3 V), and the reliability is evaluated. However, for example, when used under severer conditions such as 50 V / μm at 180 ° C., there is a problem that reliability is lacking.

また、本出願人は、特許文献2において、X7R特性を満足し、高温加速寿命が良好なコンデンサを、主成分であるチタン酸バリウムと、焼結助剤であるガラス成分以外の副成分とを予め仮焼きすることで実現している。また、特許文献3においては、希土類元素を9配位時の有効イオン半径の値により、2つのグループに分け、これらの2種類の希土類元素を組み合わせて用いることで、中耐圧用に好適な積層セラミックコンデンサを開示している。   In addition, the present applicant, in Patent Document 2, a capacitor satisfying X7R characteristics and having a high-temperature accelerated life, a barium titanate as a main component and subcomponents other than a glass component as a sintering aid. This is realized by pre-baking. In Patent Document 3, rare earth elements are divided into two groups according to the value of the effective ion radius at the time of nine coordination, and these two kinds of rare earth elements are used in combination, so that a layer suitable for medium withstand voltage is used. A ceramic capacitor is disclosed.

しかしながら、小型・薄層化に対応するために、さらなる薄層化(5μm程度)を進めるためには、信頼性が不十分となることがあった。
特開2003−63862号公報 特開2000−311828号公報 特開2003−277139号公報
However, in order to cope with the reduction in size and thickness, the reliability may be insufficient to further reduce the thickness (about 5 μm).
Japanese Patent Laid-Open No. 2003-63862 JP 2000-31828 A JP 2003-277139 A

本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、積層セラミックコンデンサの誘電体層を薄層化した場合であっても、十分な信頼性を得ることが可能で、誘電体磁器組成物の組成を変更することなく、高温負荷寿命が良好となる誘電体磁器組成物の製造方法を提供することである。また、本発明の別の目的は、前記の製造方法により得られた誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサを提供することである。   The present invention has been made in view of such a situation, and the object thereof is to obtain sufficient reliability even when the dielectric layer of the multilayer ceramic capacitor is thinned, and the dielectric ceramic composition. It is an object of the present invention to provide a method for producing a dielectric ceramic composition having a good high temperature load life without changing the composition of the product. Another object of the present invention is to provide a multilayer ceramic capacitor using the dielectric ceramic composition obtained by the above production method.

誘電体層の厚みを薄くした場合、直流電圧を印加したときに誘電体層にかかる電界強度が大きくなる。このため、絶縁抵抗の低下が速くなり、コンデンサの寿命が悪化する傾向にある。   When the thickness of the dielectric layer is reduced, the electric field strength applied to the dielectric layer increases when a DC voltage is applied. For this reason, the insulation resistance decreases rapidly, and the life of the capacitor tends to deteriorate.

上記の問題を改善するために、誘電体磁器組成物にMgを含有させる方法が行われているが、その効果は十分なものではなかった。本発明者は、Mgが、誘電体磁器組成物に焼結助剤として含有されているSiと、Mg−Siの状態で偏析相を形成しやすいことに着目し、MgとSiとが、Mg−Siの状態で偏析することを防ぐことで、絶縁抵抗の低下を抑制し、高温負荷寿命の改善が可能であることを見いだし、本発明を完成させるに至った。   In order to improve the above problem, a method of adding Mg to the dielectric ceramic composition has been performed, but the effect was not sufficient. The inventor of the present invention pays attention to the fact that Mg easily forms a segregation phase in the state of Mg-Si with Si contained as a sintering aid in the dielectric ceramic composition. The inventors have found that by preventing segregation in the -Si state, it is possible to suppress a decrease in insulation resistance and to improve the high-temperature load life, thereby completing the present invention.

すなわち、本発明に係る誘電体磁器組成物の製造方法は、
チタン酸バリウムを含む主成分と、
MgOを含む第1副成分と、
SiO系ガラス成分を含む第2副成分と、
、MoOおよびWOから選ばれる少なくとも1種を含む第3副成分と、
R1の酸化物(ただし、R1は、Y、Ho、Er、Tm、Yb、Luから選ばれる少なくとも1種)を含む第4副成分と、
R2の酸化物(ただし、R2は、Dy、Tb、Gd、Euから選ばれる少なくとも1種)を含む第5副成分と、
MnOおよびCrの少なくとも1種を含む第6副成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、
前記主成分100モルに対する各副成分の比率が、
第1副成分:0.1〜5モル、
第2副成分:2〜10モル、
第3副成分:0〜0.5モル(ただし、0は含まない)、
第4副成分:0.1〜10モル(ただし、第4副成分のモル数は、R1単独での比率)、
第5副成分:0.1〜10モル(ただし、第5副成分のモル数は、R2単独での比率)、
第6副成分:0〜0.5モル(ただし、0は含まない)、
であり、
前記主成分の原料と、前記誘電体磁器組成物を構成することとなる副成分の原料のうちの一部と、を添加し、仮焼き前粉体を得る工程と、
前記仮焼き前粉体を仮焼きし、仮焼き済み粉体を得る工程と、
前記仮焼き済み粉体に、前記誘電体磁器組成物を構成することとなる残りの副成分の原料を添加し、誘電体磁器組成物粉末を得る工程と、
前記誘電体磁器組成物粉末を焼成する工程と、を有し、
前記仮焼き前粉体を得る工程において添加する副成分の原料のうちの一部を、前添加副成分とし、前記誘電体磁器組成物粉末を得る工程において添加する残りの副成分の原料を、後添加副成分とした場合に、
前記第1副成分の原料と、前記第2副成分の原料とは、それぞれ別々に前添加副成分または後添加副成分として、添加されることを特徴とする。
That is, the method for producing a dielectric ceramic composition according to the present invention includes:
A main component comprising barium titanate;
A first subcomponent comprising MgO;
A second subcomponent comprising a SiO 2 -based glass component;
A third subcomponent comprising at least one selected from V 2 O 5 , MoO 3 and WO 3 ;
A fourth subcomponent including an oxide of R1 (wherein R1 is at least one selected from Y, Ho, Er, Tm, Yb, and Lu);
A fifth subcomponent containing an oxide of R2 (wherein R2 is at least one selected from Dy, Tb, Gd, Eu);
A method for producing a dielectric ceramic composition having a sixth subcomponent containing at least one of MnO and Cr 2 O 3 , comprising:
The ratio of each subcomponent to 100 moles of the main component is
1st subcomponent: 0.1-5 mol,
Second subcomponent: 2 to 10 mol,
Third subcomponent: 0 to 0.5 mol (excluding 0),
Fourth subcomponent: 0.1 to 10 mol (however, the number of moles of the fourth subcomponent is the ratio of R1 alone),
Fifth subcomponent: 0.1 to 10 mol (however, the number of moles of the fifth subcomponent is the ratio of R2 alone),
6th subcomponent: 0-0.5 mol (however, 0 is not included),
And
Adding the raw material of the main component and a part of the raw materials of the subcomponents constituting the dielectric ceramic composition, and obtaining a powder before calcining;
Calcining the pre-calcined powder to obtain a calcined powder;
Adding to the calcined powder the raw materials of the remaining subcomponents constituting the dielectric ceramic composition, and obtaining a dielectric ceramic composition powder;
Firing the dielectric ceramic composition powder,
A part of the subcomponent raw material added in the step of obtaining the pre-calcined powder is a preaddition subcomponent, and the remaining subcomponent raw material added in the step of obtaining the dielectric ceramic composition powder, When it is a post-addition accessory component,
The raw material for the first subcomponent and the raw material for the second subcomponent are added separately as a pre-addition subcomponent or a post-addition subcomponent, respectively.

従来は、MgとSiとを共存させると、Mg−Siの状態で偏析しやすいため、絶縁抵抗を改善するために添加してあるMgの効果を十分に発揮できなかった。   Conventionally, when Mg and Si coexist, segregation is likely to occur in the Mg—Si state, so that the effect of Mg added to improve the insulation resistance cannot be sufficiently exhibited.

これに対して、本発明では、主成分の原料と、副成分の原料のうちの一部(前添加副成分)とを添加し、仮焼き前粉体を準備する工程と、仮焼き前粉体を仮焼し、仮焼き済粉体を準備する工程と、仮焼き済粉体に、残りの副成分(後添加副成分)を添加し、誘電体磁器組成物粉体を得る工程において、MgOが含まれる第1副成分と、SiO系ガラス成分が含まれる第2副成分とを、それぞれ別々に前添加副成分または後添加副成分として添加する。こうすることで、Mg−Siの偏析を抑制し、Mgが持つ絶縁抵抗向上効果を十分に発揮させ、良好な高温負荷寿命を実現できる。この効果は、誘電体層を薄層化(たとえば、5μm以下)した場合に、特に、重要となる。 On the other hand, in the present invention, a step of adding the raw material of the main component and a part of the raw material of the auxiliary component (pre-added auxiliary component) to prepare the powder before calcining, and the powder before calcining In the step of calcining the body, preparing the calcined powder, and adding the remaining subcomponent (post-addition subcomponent) to the calcined powder to obtain the dielectric ceramic composition powder, The first subcomponent containing MgO and the second subcomponent containing the SiO 2 glass component are added separately as a pre-addition subcomponent or a post-addition subcomponent. By doing so, it is possible to suppress the segregation of Mg—Si, sufficiently exhibit the effect of improving the insulation resistance of Mg, and realize a good high temperature load life. This effect is particularly important when the dielectric layer is thinned (for example, 5 μm or less).

好ましくは、前記前添加副成分として、少なくとも前記第1副成分の原料を添加し、前記後添加副成分として、少なくとも前記第2副成分の原料を添加する。主成分と、前添加副成分として添加される第1副成分とを、仮焼きすることで、高温負荷寿命をさらに良好とすることができる。   Preferably, at least a raw material of the first subcomponent is added as the pre-added subcomponent, and at least a raw material of the second subcomponent is added as the post-added subcomponent. The high temperature load life can be further improved by calcining the main component and the first subcomponent added as the pre-added subcomponent.

好ましくは、前記主成分の原料の平均粒径が0.1〜0.3μmである。主成分の原料として、平均粒径0.1〜0.3μmという微細な粉体を使用することで、本発明に係る積層セラミックコンデンサの誘電体層を薄層化した場合(たとえば、5μm以下)においても、十分な信頼性を維持できる。   Preferably, the average particle size of the main component material is 0.1 to 0.3 μm. When the dielectric layer of the multilayer ceramic capacitor according to the present invention is thinned by using a fine powder having an average particle size of 0.1 to 0.3 μm as a main component material (for example, 5 μm or less) In this case, sufficient reliability can be maintained.

好ましくは、前記仮焼済み粉体を準備する工程における仮焼温度が、500°C以上1200°C以下、より好ましくは、600°C以上750°C以下である。仮焼は複数回行っても良い。   Preferably, the calcining temperature in the step of preparing the calcined powder is 500 ° C. or higher and 1200 ° C. or lower, more preferably 600 ° C. or higher and 750 ° C. or lower. The calcination may be performed a plurality of times.

本発明に係る電子部品は、上記のいずれかの製造方法により得られる誘電体磁器組成物から構成される誘電体層を有する。電子部品としては、特に限定されないが、積層セラミックコンデンサ、圧電素子、チップインダクタ、チップバリスタ、チップサーミスタ、チップ抵抗、その他の表面実装(SMD)チップ型電子部品が例示される。   The electronic component according to the present invention has a dielectric layer composed of a dielectric ceramic composition obtained by any one of the above manufacturing methods. Although it does not specifically limit as an electronic component, A multilayer ceramic capacitor, a piezoelectric element, a chip inductor, a chip varistor, a chip thermistor, a chip resistor, and other surface mount (SMD) chip type electronic components are illustrated.

本発明に係る積層セラミックコンデンサは、上記のいずれかの製造方法により得られる誘電体磁器組成物から構成される誘電体層と、内部電極層とが交互に積層してあるコンデンサ素子を有する。積層セラミックコンデンサとしては、特に、定格電圧が100V以上の中耐圧用積層セラミックコンデンサに好適である。   The multilayer ceramic capacitor according to the present invention has a capacitor element in which dielectric layers composed of a dielectric ceramic composition obtained by any one of the manufacturing methods described above and internal electrode layers are alternately stacked. The multilayer ceramic capacitor is particularly suitable for a medium voltage multilayer ceramic capacitor having a rated voltage of 100 V or higher.

以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。   Hereinafter, the present invention will be described based on embodiments shown in the drawings.

図1は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view of a multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention.

積層セラミックコンデンサ2
図1に示すように、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ2は、誘電体層10および内部電極12が交互に積層された構成のコンデンサ素子4を有する。交互に積層される一方の内部電極層12は、コンデンサ素子4の第1端部4aの外側に形成してある外部電極6の内側に対して電気的に接続してある。また、交互に積層される他方の内部電極層12は、コンデンサ素子4の第2端部4bの外側に形成してある外部電極8の内側に対して電気的に接続してある。
Multilayer ceramic capacitor 2
As shown in FIG. 1, a multilayer ceramic capacitor 2 according to an embodiment of the present invention includes a capacitor element 4 having a configuration in which dielectric layers 10 and internal electrodes 12 are alternately stacked. One internal electrode layer 12 that is alternately stacked is electrically connected to the inside of the external electrode 6 that is formed outside the first end 4 a of the capacitor element 4. The other internal electrode layer 12 that is alternately stacked is electrically connected to the inside of the external electrode 8 that is formed outside the second end portion 4 b of the capacitor element 4.

コンデンサ素子4の形状は、特に制限されず、目的および用途に応じて適宜選択されるが、形状は通常、直方体とされる。寸法についても、制限はなく、目的および用途に応じて適宜選択され、通常、縦(0.4〜5.6mm)×横(0.2〜5.0mm)×高さ(0.2〜1.9mm)程度である。   The shape of the capacitor element 4 is not particularly limited and is appropriately selected depending on the purpose and application, but the shape is usually a rectangular parallelepiped. The dimensions are not limited, and are appropriately selected according to the purpose and application, and are usually vertical (0.4 to 5.6 mm) × horizontal (0.2 to 5.0 mm) × height (0.2 to 1). .9 mm).

誘電体層10
誘電体層10は、本発明の製造方法により得られる誘電体磁器組成物を含有する。
本発明の製造方法により得られる誘電体磁器組成物は、チタン酸バリウムを含む主成分と、
MgOを含む第1副成分と、
SiO系ガラス成分を含む第2副成分と、
、MoOおよびWOから選ばれる少なくとも1種を含む第3副成分と、
R1の酸化物(ただし、R1は、Y、Ho、Er、Tm、Yb、Luから選ばれる少なくとも1種)を含む第4副成分と、
R2の酸化物(ただし、R2は、Dy、Tb、Gd、Euから選ばれる少なくとも1種)を含む第5副成分と、
MnOおよびCrの少なくとも1種を含む第6副成分とを有する。
Dielectric layer 10
The dielectric layer 10 contains a dielectric ceramic composition obtained by the production method of the present invention.
The dielectric ceramic composition obtained by the production method of the present invention comprises a main component containing barium titanate,
A first subcomponent comprising MgO;
A second subcomponent comprising a SiO 2 -based glass component;
A third subcomponent comprising at least one selected from V 2 O 5 , MoO 3 and WO 3 ;
A fourth subcomponent including an oxide of R1 (wherein R1 is at least one selected from Y, Ho, Er, Tm, Yb, and Lu);
A fifth subcomponent containing an oxide of R2 (wherein R2 is at least one selected from Dy, Tb, Gd, Eu);
And a sixth subcomponent containing at least one of MnO and Cr 2 O 3 .

前記主成分100モルに対する各副成分の比率が、
第1副成分:0.1〜5モル、
第2副成分:2〜10モル、
第3副成分:0〜0.5モル(ただし、0は含まない)、
第4副成分:0.1〜10モル(ただし、第4副成分のモル数は、R1単独での比率)、
第5副成分:0.1〜10モル(ただし、第5副成分のモル数は、R2単独での比率)、
第6副成分:0〜0.5モル(ただし、0は含まない)、
であり、好ましくは、
第1副成分:0.2〜2.5モル、
第2副成分:2〜5モル、
第3副成分:0.01〜0.1モル、
第4副成分:0.2〜5モル(ただし、第4副成分のモル数は、R1単独での比率)、
第5副成分:0.2〜5モル(ただし、第5副成分のモル数は、R2単独での比率)、
第6副成分:0.01〜0.25モル(ただし、0.25は含まない)、
である。
The ratio of each subcomponent to 100 moles of the main component is
1st subcomponent: 0.1-5 mol,
Second subcomponent: 2 to 10 mol,
Third subcomponent: 0 to 0.5 mol (excluding 0),
Fourth subcomponent: 0.1 to 10 mol (however, the number of moles of the fourth subcomponent is the ratio of R1 alone),
Fifth subcomponent: 0.1 to 10 mol (however, the number of moles of the fifth subcomponent is the ratio of R2 alone),
6th subcomponent: 0-0.5 mol (however, 0 is not included),
And preferably
1st subcomponent: 0.2-2.5 mol,
Second subcomponent: 2 to 5 mol,
Third subcomponent: 0.01 to 0.1 mol,
Fourth subcomponent: 0.2 to 5 mol (however, the number of moles of the fourth subcomponent is the ratio of R1 alone),
Fifth subcomponent: 0.2-5 mol (however, the number of moles of the fifth subcomponent is the ratio of R2 alone),
6th subcomponent: 0.01-0.25 mol (however, 0.25 is not included),
It is.

なお、本明細書では、主成分および各副成分を構成する各酸化物を化学量論組成で表しているが、各酸化物の酸化状態は、化学量論組成から外れるものであってもよい。ただし、各副成分の上記比率は、各副成分を構成する酸化物に含有される金属量から上記化学量論組成の酸化物に換算して求める。   In this specification, each oxide constituting the main component and each subcomponent is represented by a stoichiometric composition, but the oxidation state of each oxide may be out of the stoichiometric composition. . However, the said ratio of each subcomponent is calculated | required by converting into the oxide of the said stoichiometric composition from the metal amount contained in the oxide which comprises each subcomponent.

上記各副成分の含有量の限定理由は以下のとおりである。
第1副成分に含まれるMgOは、上述したように、絶縁抵抗を改善する効果を有し、高温負荷寿命を改善する。MgO以外の第1副成分としては、CaO、BaOおよびSrOから選ばれる少なくとも1種が含まれることが好ましい。これらの酸化物は、容量温度変化率を平坦化する効果を示す。第1副成分の含有量が少なすぎると、このような効果が得られなくなる傾向にあり、多すぎると、焼結性が悪くなり、比誘電率が低下する傾向にある。
The reasons for limiting the contents of the subcomponents are as follows.
As described above, MgO contained in the first subcomponent has the effect of improving the insulation resistance and improves the high temperature load life. The first subcomponent other than MgO preferably includes at least one selected from CaO, BaO and SrO. These oxides have the effect of flattening the capacity-temperature change rate. If the content of the first subcomponent is too small, such effects tend not to be obtained. If the content is too large, the sinterability tends to deteriorate and the relative permittivity tends to decrease.

第2副成分は、焼結助剤として機能する。第2副成分の含有量が少なすぎると、容量温度特性が悪くなり、また、IR(絶縁抵抗)が低下する傾向にある。一方、含有量が多すぎると、IR寿命が不十分となるほか、誘電率の急激な低下が生じる傾向にある。また、第2副成分は、(Ba,Ca)SiO2+x (ただし、x=0.8〜1.2)であることが好ましい。(Ba,Ca)SiO2+x におけるxは、好ましくは0.8〜1.2であり、より好ましくは0.9〜1.1である。xが小さすぎると、すなわちSiOが多すぎると、主成分に含まれるチタン酸バリウムと反応して誘電体特性を悪化させてしまう。一方、xが大きすぎると、融点が高くなって焼結性を悪化させるため、好ましくない。なお、第2副成分においてBaとCaとの比率は任意であり、一方だけを含有するものであってもよい。 The second subcomponent functions as a sintering aid. When the content of the second subcomponent is too small, the capacity-temperature characteristic is deteriorated and the IR (insulation resistance) tends to decrease. On the other hand, if the content is too large, the IR lifetime tends to be insufficient, and the dielectric constant tends to decrease rapidly. The second subcomponent, (Ba, Ca) x SiO 2 + x ( however, x = 0.8 to 1.2) is preferably. X in (Ba, Ca) x SiO 2 + x is preferably 0.8 to 1.2, more preferably 0.9 to 1.1. If x is too small, that is, if SiO 2 is too much, it reacts with barium titanate contained in the main component and deteriorates dielectric properties. On the other hand, if x is too large, the melting point becomes high and the sinterability deteriorates, which is not preferable. In the second subcomponent, the ratio of Ba and Ca is arbitrary, and may contain only one.

第3副成分は、キュリー温度以上での容量温度特性を平坦化する効果と、IR寿命を向上させる効果とを示す。第3副成分の含有量が少なすぎると、このような効果が不十分となる。一方、含有量が多すぎると、IRが著しく低下する傾向にある。   The third subcomponent exhibits the effect of flattening the capacity-temperature characteristic above the Curie temperature and the effect of improving the IR lifetime. If the content of the third subcomponent is too small, such an effect becomes insufficient. On the other hand, when the content is too large, IR tends to be remarkably lowered.

第4副成分(R1の酸化物)は、容量温度特性を平坦化する効果を示す。第4副成分の含有量が少なすぎると、このような効果が不十分となり、容量温度特性が悪くなってしまう。一方、含有量が多すぎると、焼結性が悪化する傾向にある。   The fourth subcomponent (R1 oxide) exhibits an effect of flattening the capacity-temperature characteristic. When there is too little content of a 4th subcomponent, such an effect will become inadequate and a capacity | capacitance temperature characteristic will worsen. On the other hand, if the content is too large, the sinterability tends to deteriorate.

第5副成分(R2の酸化物)は、絶縁抵抗(IR)、IR寿命およびDCバイアスを改善する効果を示す。ただし、第5副成分の含有量が多すぎると、容量温度特性が悪化する傾向にある。   The fifth subcomponent (R2 oxide) exhibits the effect of improving insulation resistance (IR), IR lifetime, and DC bias. However, if the content of the fifth subcomponent is too large, the capacity-temperature characteristic tends to deteriorate.

第6副成分は、焼結を促進する効果と、IRを高くする効果と、IR寿命を向上させる効果とを示す。ただし、第6副成分の含有量が多すぎると容量温度特性が悪化する傾向にある。   The sixth subcomponent exhibits an effect of promoting sintering, an effect of increasing IR, and an effect of improving IR life. However, if the content of the sixth subcomponent is too large, the capacity-temperature characteristic tends to deteriorate.

誘電体層10の厚さは、一層あたり、通常、40μm以下、特に10μm以下であるが、本実施形態では、7μm以下が好ましく、より好ましくは、5μm以下である。厚さの下限は、通常、0.5μm程度である。なお、誘電体層10の積層数は、通常2〜1000程度とする。   The thickness of the dielectric layer 10 is usually 40 μm or less, particularly 10 μm or less per layer, but in the present embodiment, it is preferably 7 μm or less, more preferably 5 μm or less. The lower limit of the thickness is usually about 0.5 μm. The number of laminated dielectric layers 10 is usually about 2 to 1000.

内部電極層12
内部電極層12に含有される導電材は特に限定されないが、誘電体層10の構成材料が耐還元性を有するため、卑金属を用いることができる。導電材として用いる卑金属としては、NiまたはNi合金が好ましい。Ni合金としては、Mn,Cr,CoおよびAlから選択される1種以上の元素とNiとの合金が好ましく、合金中のNi含有量は95重量%以上であることが好ましい。なお、NiまたはNi合金中には、P等の各種微量成分が0.1重量%程度以下含まれていてもよい。内部電極層12の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよいが、通常、0.5〜5μm、特に0.5〜2.5μm程度であることが好ましい。
Internal electrode layer 12
The conductive material contained in the internal electrode layer 12 is not particularly limited, but a base metal can be used because the constituent material of the dielectric layer 10 has reduction resistance. As the base metal used as the conductive material, Ni or Ni alloy is preferable. The Ni alloy is preferably an alloy of Ni and one or more elements selected from Mn, Cr, Co and Al, and the Ni content in the alloy is preferably 95% by weight or more. In addition, in Ni or Ni alloy, various trace components, such as P, may be contained about 0.1 wt% or less. The thickness of the internal electrode layer 12 may be appropriately determined according to the application and the like.

外部電極6,8
外部電極6,8に含有される導電材は特に限定されないが、本発明では安価なNi,Cuや、これらの合金を用いることができる。外部電極6,8の厚さは用途等に応じて適宜決定されればよいが、通常、10〜50μm程度であることが好ましい。
External electrodes 6, 8
The conductive material contained in the external electrodes 6 and 8 is not particularly limited, but in the present invention, inexpensive Ni, Cu, and alloys thereof can be used. The thicknesses of the external electrodes 6 and 8 may be appropriately determined according to the application and the like, but are usually preferably about 10 to 50 μm.

積層セラミックコンデンサ2の製造方法
本発明の製造方法により得られる誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサ2は、従来の積層セラミックコンデンサと同様に、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を印刷または転写して焼成することにより製造される。以下、製造方法について具体的に説明する。
The multilayer ceramic capacitor 2 using the dielectric ceramic composition obtained by the production method of the production method the present invention of a multilayer ceramic capacitor 2, as in the conventional multilayer ceramic capacitor, by a normal printing method or sheet method using a paste The green chip is manufactured and fired, and then the external electrode is printed or transferred and fired. Hereinafter, the manufacturing method will be specifically described.

まず、誘電体層用ペーストに含まれる誘電体磁器組成物粉末を準備する。
本発明では、誘電体磁器組成物粉末は、以下の第1〜第3の工程を経て得られる。
第1の工程では、主成分の原料粉体と、誘電体磁器組成物を構成することとなる副成分の原料粉体のうちの一部とを、添加・混合し、乾燥させて、仮焼き前粉体を得る。
First, a dielectric ceramic composition powder contained in the dielectric layer paste is prepared.
In the present invention, the dielectric ceramic composition powder is obtained through the following first to third steps.
In the first step, the raw material powder of the main component and a part of the raw material powder of the subcomponent that constitutes the dielectric ceramic composition are added and mixed, dried, and calcined. Obtain a pre-powder.

第2の工程では、この仮焼き前粉体を仮焼きして、仮焼き済粉体を得る。第3の工程では、この仮焼き済粉体と、誘電体磁器組成物を構成することとなる残りの副成分の原料粉体とを、添加・混合し、乾燥させて、誘電体磁器組成物粉末を得る。   In the second step, the pre-calcined powder is calcined to obtain a calcined powder. In the third step, the calcined powder and the remaining subcomponent raw material powder constituting the dielectric ceramic composition are added, mixed, and dried to obtain the dielectric ceramic composition. Obtain a powder.

主成分であるチタン酸バリウムの原料としては、いわゆる固相法の他、いわゆる液相法によっても得ることができる。固相法(仮焼法)は、BaCO、TiOを出発原料として用いる場合、これらを所定量秤量して混合、仮焼、粉砕することにより、原料を得る方法である。液相法としては、シュウ酸塩法、水熱合成法、アルコキシド法、ゾルゲル法などが挙げられる。 The raw material for barium titanate, which is the main component, can be obtained by a so-called liquid phase method as well as a so-called solid phase method. In the case of using BaCO 3 and TiO 2 as starting materials, the solid phase method (calcining method) is a method for obtaining a raw material by weighing, mixing, calcining, and pulverizing a predetermined amount thereof. Examples of the liquid phase method include an oxalate method, a hydrothermal synthesis method, an alkoxide method, and a sol-gel method.

副成分の原料としては、上記した酸化物やその混合物、複合酸化物を用いることができるが、その他、焼成により上記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物、たとえば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合して用いることもできる。誘電体磁器組成物粉末中の各副成分原料の含有量は、焼成後に上記した誘電体磁器組成物の組成となるように決定すればよい。   As a raw material for the accessory component, the above-mentioned oxides, a mixture thereof, or a composite oxide can be used. In addition, various compounds that become the above-described oxide or composite oxide by firing, such as carbonates and oxalates. , Nitrates, hydroxides, organometallic compounds, and the like may be selected as appropriate and used as a mixture. What is necessary is just to determine content of each subcomponent raw material in dielectric ceramic composition powder so that it may become a composition of the above-mentioned dielectric ceramic composition after baking.

本実施形態では、上記の第1の工程において、仮焼き前粉体を得るために添加される副成分の原料粉体のうちの一部を、前添加副成分とし、第3の工程において、仮焼き済粉体に添加される残りの副成分の原料粉体を、後添加副成分とした場合に、MgOを含む第1副成分の原料と、SiO系ガラス成分を含む第2副成分の原料とを、それぞれ別々に前添加副成分または後添加副成分として添加する。 In the present embodiment, in the first step, a part of the raw material powder of the subcomponent added to obtain the pre-calcined powder is a pre-added subcomponent, and in the third step, When the raw material powder of the remaining subcomponent added to the calcined powder is the post-addition subcomponent, the first subcomponent raw material containing MgO and the second subcomponent containing the SiO 2 glass component Are separately added as a pre-addition subcomponent or a post-addition subcomponent.

たとえば、前添加副成分として第1副成分の原料を添加し、仮焼きし、その後得られた仮焼き済粉体に、後添加副成分として第2副成分の原料を添加し、得られた誘電体磁器組成物粉末を焼成する方法が挙げられる。あるいは、前添加副成分として第2副成分の原料を添加し、仮焼きし、その後得られた仮焼き済粉体に、後添加副成分として第1副成分の原料を添加し、得られた誘電体磁器組成物粉末を焼成する方法を採用してもよい。   For example, the raw material of the 1st subcomponent was added as a pre-addition subcomponent, calcined, and the raw material of the 2nd subcomponent was added to the calcined powder obtained after that as a post-addition subcomponent, and obtained. The method of baking dielectric ceramic composition powder is mentioned. Alternatively, the raw material of the second subcomponent was added as a pre-added subcomponent, calcined, and then the first subcomponent raw material was added as a post-added subcomponent to the calcined powder obtained thereafter. A method of firing the dielectric ceramic composition powder may be employed.

すなわち、第1副成分、第2副成分のいずれか一方を、前添加副成分として添加し、主成分原料とともに仮焼きし、その後、残りの一方を後添加副成分として、得られた仮焼き済粉体に添加し、焼成する。こうすることで、Mg−Siの偏析を抑制し、Mgが持つ絶縁抵抗向上効果を発揮させることができる。   That is, either the first subcomponent or the second subcomponent is added as a pre-added subcomponent, calcined together with the main component raw material, and then the remaining calcined as the post-added subcomponent is obtained. Add to the finished powder and fire. By carrying out like this, the segregation of Mg-Si can be suppressed and the insulation resistance improvement effect which Mg has can be exhibited.

好ましくは、前添加副成分として、MgOを含む第1副成分の原料を添加し、仮焼きし、その後、後添加副成分として、SiO系ガラス成分を含む第2副成分の原料を、得られた仮焼き済粉体に添加し、焼成する。他の副成分は、前添加副成分として添加されてもよいし、後添加副成分として添加されてもよい。第1副成分が前添加副成分として添加され、主成分とともに仮焼きされることで、上記の効果がさらに大きくなる。より好ましくは、前添加副成分として、第1副成分のみを添加し、仮焼きし、その後、後添加副成分として、第2副成分と他の副成分とを、得られた仮焼き済粉体に添加し、焼成する。 Preferably, the first subcomponent raw material containing MgO is added as the pre-addition subcomponent, calcined, and then the second subcomponent raw material containing the SiO 2 -based glass component is obtained as the post-addition subcomponent. It is added to the calcined powder obtained and fired. Other subcomponents may be added as pre-addition subcomponents or may be added as post-addition subcomponents. By adding the first subcomponent as the pre-added subcomponent and calcining together with the main component, the above effect is further increased. More preferably, only the first subcomponent is added and calcined as the pre-added subcomponent, and then the second subcomponent and other subcomponents are obtained as the post-added subcomponent, and the obtained calcined powder Add to body and fire.

上述した工程における仮焼条件は、特に限定されないが、以下に示す条件で行うことが好ましい。
昇温速度:50〜500°C/時間、より好ましくは、100〜300°C/時間、
保持温度:500〜1200°C、より好ましくは、600〜750°C、
温度保持時間:0.5〜12時間、より好ましくは、2〜8時間、
雰囲気:空気中または窒素中である。
The calcining conditions in the above-described steps are not particularly limited, but are preferably performed under the following conditions.
Temperature increase rate: 50 to 500 ° C / hour, more preferably 100 to 300 ° C / hour,
Holding temperature: 500-1200 ° C, more preferably 600-750 ° C,
Temperature holding time: 0.5 to 12 hours, more preferably 2 to 8 hours,
Atmosphere: in air or nitrogen.

次に、得られた誘電体磁器組成物粉末を塗料化して、誘電体層用ペーストを調整する。   Next, the obtained dielectric ceramic composition powder is made into a paint to prepare a dielectric layer paste.

誘電体層用ペーストは、誘電体磁器組成物粉末と有機ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、水系の塗料であってもよい。   The dielectric layer paste may be an organic paint obtained by kneading a dielectric ceramic composition powder and an organic vehicle, or may be a water-based paint.

本実施形態では、塗料化する前の状態で、誘電体磁器組成物粉末の平均粒径は、0.1〜0.3μm程度である。   In the present embodiment, the average particle size of the dielectric ceramic composition powder is about 0.1 to 0.3 μm before being formed into a paint.

有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダは特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチラール等の通常の各種バインダから適宜選択すればよい。また、用いる有機溶剤も特に限定されず、印刷法やシート法など、利用する方法に応じて、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択すればよい。   An organic vehicle is obtained by dissolving a binder in an organic solvent. The binder used for the organic vehicle is not particularly limited, and may be appropriately selected from usual various binders such as ethyl cellulose and polyvinyl butyral. Further, the organic solvent to be used is not particularly limited, and may be appropriately selected from various organic solvents such as terpineol, butyl carbitol, acetone, toluene, and the like, depending on a method to be used such as a printing method or a sheet method.

また、誘電体層用ペーストを水系の塗料とする場合には、水溶性のバインダや分散剤などを水に溶解させた水系ビヒクルと、誘電体原料とを混練すればよい。水系ビヒクルに用いる水溶性バインダは特に限定されず、例えば、ポリビニルアルコール、セルロース、水溶性アクリル樹脂などを用いればよい。   Further, when the dielectric layer paste is used as a water-based paint, a water-based vehicle in which a water-soluble binder or a dispersant is dissolved in water and a dielectric material may be kneaded. The water-soluble binder used for the water-based vehicle is not particularly limited, and for example, polyvinyl alcohol, cellulose, water-soluble acrylic resin, or the like may be used.

内部電極層用ペーストは、上記した各種導電性金属や合金からなる導電材、あるいは焼成後に上記した導電材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製する。   The internal electrode layer paste is obtained by kneading the above-mentioned organic vehicle with various conductive metals and alloys as described above, or various oxides, organometallic compounds, resinates, etc. that become the above-mentioned conductive materials after firing. Prepare.

外部電極用ペーストは、上記した内部電極層用ペーストと同様にして調製すればよい。   The external electrode paste may be prepared in the same manner as the internal electrode layer paste described above.

上記した各ペースト中の有機ビヒクルの含有量に特に制限はなく、通常の含有量、たとえば、バインダは1〜5重量%程度、溶剤は10〜50重量%程度とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、10重量%以下とすることが好ましい。   There is no restriction | limiting in particular in content of the organic vehicle in each above-mentioned paste, For example, what is necessary is just about 1-5 weight% of binders, for example, about 10-50 weight% of binders. Each paste may contain additives selected from various dispersants, plasticizers, dielectrics, insulators, and the like as necessary. The total content of these is preferably 10% by weight or less.

印刷法を用いる場合、誘電体層用ペーストおよび内部電極層用ペーストを、PET等の基板上に積層印刷し、所定形状に切断した後、基板から剥離してグリーンチップとする。   When the printing method is used, the dielectric layer paste and the internal electrode layer paste are laminated and printed on a substrate such as PET, cut into a predetermined shape, and then peeled from the substrate to obtain a green chip.

また、シート法を用いる場合、誘電体層用ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを印刷した後、これらを積層してグリーンチップとする。   When the sheet method is used, a dielectric layer paste is used to form a green sheet, the internal electrode layer paste is printed thereon, and these are stacked to form a green chip.

焼成前に、グリーンチップに脱バインダ処理を施す。脱バインダ処理は、内部電極層ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定されればよいが、導電材としてNiやNi合金等の卑金属を用いる場合、脱バインダ雰囲気中の酸素分圧を10−45 〜10Paとすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると、脱バインダ効果が低下する。また酸素分圧が前記範囲を超えると、内部電極層が酸化する傾向にある。 Before firing, the green chip is subjected to binder removal processing. The binder removal treatment may be appropriately determined according to the type of the conductive material in the internal electrode layer paste. However, when a base metal such as Ni or Ni alloy is used as the conductive material, the oxygen partial pressure in the binder removal atmosphere is 10 It is preferable to be −45 to 10 5 Pa. When the oxygen partial pressure is less than the above range, the binder removal effect is lowered. If the oxygen partial pressure exceeds the above range, the internal electrode layer tends to oxidize.

また、それ以外の脱バインダ条件としては、昇温速度を好ましくは5〜300°C/時間、より好ましくは10〜100°C/時間、保持温度を好ましくは180〜400°C、より好ましくは200〜350°C、温度保持時間を好ましくは0.5〜24時間、より好ましくは2〜20時間とする。また、焼成雰囲気は、空気もしくは還元性雰囲気とすることが好ましく、還元性雰囲気における雰囲気ガスとしては、たとえばNとHとの混合ガスを加湿して用いることが好ましい。 As other binder removal conditions, the temperature rising rate is preferably 5 to 300 ° C./hour, more preferably 10 to 100 ° C./hour, and the holding temperature is preferably 180 to 400 ° C., more preferably. 200 to 350 ° C., and the temperature holding time is preferably 0.5 to 24 hours, more preferably 2 to 20 hours. The firing atmosphere is preferably air or a reducing atmosphere, and as an atmosphere gas in the reducing atmosphere, for example, a mixed gas of N 2 and H 2 is preferably used after being humidified.

グリーンチップ焼成時の雰囲気は、内部電極層用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定されればよいが、導電材としてNiやNi合金等の卑金属を用いる場合、焼成雰囲気中の酸素分圧は、10−8〜10−4Paとすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると、内部電極層の導電材が異常焼結を起こし、途切れてしまうことがある。また、酸素分圧が前記範囲を超えると、内部電極層が酸化する傾向にある。 The atmosphere at the time of green chip firing may be appropriately determined according to the type of conductive material in the internal electrode layer paste, but when a base metal such as Ni or Ni alloy is used as the conductive material, the oxygen content in the firing atmosphere The pressure is preferably 10 −8 to 10 −4 Pa. When the oxygen partial pressure is less than the above range, the conductive material of the internal electrode layer may be abnormally sintered and may be interrupted. Further, when the oxygen partial pressure exceeds the above range, the internal electrode layer tends to be oxidized.

また、焼成時の保持温度は、好ましくは1100〜1400°C、より好ましくは1200〜1350°Cである。保持温度が前記範囲未満であると緻密化が不十分となり、前記範囲を超えると、内部電極層の異常焼結による電極の途切れや、内部電極層構成材料の拡散による容量温度特性の悪化、誘電体磁器組成物の還元が生じやすくなる。   Moreover, the holding temperature at the time of baking becomes like this. Preferably it is 1100-1400 degreeC, More preferably, it is 1200-1350 degreeC. If the holding temperature is lower than the above range, the densification becomes insufficient. If the holding temperature is higher than the above range, the electrode temperature is interrupted due to abnormal sintering of the internal electrode layer, the capacity temperature characteristic deteriorates due to diffusion of the constituent material of the internal electrode layer, and the dielectric Reduction of the body porcelain composition is likely to occur.

これ以外の焼成条件としては、昇温速度を好ましくは50〜500°C/時間、より好ましくは200〜300°C/時間、温度保持時間を好ましくは0.5〜8時間、より好ましくは1〜3時間、冷却速度を好ましくは50〜500°C/時間、より好ましくは200〜300°C/時間とする。また、焼成雰囲気は還元性雰囲気とすることが好ましく、雰囲気ガスとしてはたとえば、NとHとの混合ガスを加湿して用いることが好ましい。 As other firing conditions, the heating rate is preferably 50 to 500 ° C./hour, more preferably 200 to 300 ° C./hour, and the temperature holding time is preferably 0.5 to 8 hours, more preferably 1 The cooling rate is preferably 50 to 500 ° C / hour, more preferably 200 to 300 ° C / hour for -3 hours. Further, the firing atmosphere is preferably a reducing atmosphere, and as the atmosphere gas, for example, a mixed gas of N 2 and H 2 is preferably used by humidification.

還元性雰囲気中で焼成した場合、コンデンサ素子本体にはアニールを施すことが好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化するための処理であり、これによりIR寿命を著しく長くすることができるので、信頼性が向上する。   When firing in a reducing atmosphere, it is preferable to anneal the capacitor element body. Annealing is a process for re-oxidizing the dielectric layer, and this can significantly increase the IR lifetime, thereby improving the reliability.

アニール雰囲気中の酸素分圧は、10−3Pa以上、特に10−2〜10Paとすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると誘電体層の再酸化が困難であり、前記範囲を超えると内部電極層が酸化する傾向にある。 The oxygen partial pressure in the annealing atmosphere is preferably 10 −3 Pa or more, particularly preferably 10 −2 to 10 Pa. When the oxygen partial pressure is less than the above range, it is difficult to reoxidize the dielectric layer, and when it exceeds the above range, the internal electrode layer tends to be oxidized.

アニールの際の保持温度は、1100°C以下、特に500〜1100°Cとすることが好ましい。保持温度が前記範囲未満であると誘電体層の酸化が不十分となるので、IRが低く、また、IR寿命が短くなりやすい。一方、保持温度が前記範囲を超えると、内部電極層が酸化して容量が低下するだけでなく、内部電極層が誘電体素地と反応してしまい、容量温度特性の悪化、IRの低下、IR寿命の低下が生じやすくなる。なお、アニールは昇温過程および降温過程だけから構成してもよい。すなわち、温度保持時間を零としてもよい。この場合、保持温度は最高温度と同義である。   The holding temperature at the time of annealing is preferably 1100 ° C. or less, particularly 500 to 1100 ° C. When the holding temperature is lower than the above range, the dielectric layer is not sufficiently oxidized, so that the IR is low and the IR life tends to be short. On the other hand, if the holding temperature exceeds the above range, not only the internal electrode layer is oxidized and the capacity is lowered, but the internal electrode layer reacts with the dielectric substrate, the capacity temperature characteristic is deteriorated, the IR is lowered, the IR Life is likely to decrease. Note that annealing may be composed of only a temperature raising process and a temperature lowering process. That is, the temperature holding time may be zero. In this case, the holding temperature is synonymous with the maximum temperature.

これ以外のアニール条件としては、温度保持時間を好ましくは0〜20時間、より好ましくは2〜10時間、冷却速度を好ましくは50〜500°C/時間、より好ましくは100〜300°C/時間とする。また、アニールの雰囲気ガスとしては、たとえば、加湿したNガス等を用いることが好ましい。 As other annealing conditions, the temperature holding time is preferably 0 to 20 hours, more preferably 2 to 10 hours, and the cooling rate is preferably 50 to 500 ° C / hour, more preferably 100 to 300 ° C / hour. And Further, as the annealing atmosphere gas, for example, humidified N 2 gas or the like is preferably used.

上記した脱バインダ処理、焼成およびアニールにおいて、Nガスや混合ガス等を加湿するには、たとえばウェッター等を使用すればよい。この場合、水温は5〜75°C程度が好ましい。 In the above-described binder removal processing, firing and annealing, for example, a wetter or the like may be used to wet the N 2 gas or mixed gas. In this case, the water temperature is preferably about 5 to 75 ° C.

脱バインダ処理、焼成およびアニールは、連続して行なっても、独立に行なってもよい。   The binder removal treatment, firing and annealing may be performed continuously or independently.

上記のようにして得られたコンデンサ素子4本体に、たとえばバレル研磨やサンドブラストなどにより端面研磨を施し、外部電極用ペーストを印刷または転写して焼成し、外部電極6,8を形成する。外部電極用ペーストの焼成条件は、例えば、加湿したNとHとの混合ガス中で600〜800°Cにて10分間〜1時間程度とすることが好ましい。そして、必要に応じ、外部電極6,8表面に、めっき等により被覆層を形成する。 The capacitor element 4 main body obtained as described above is subjected to end surface polishing by, for example, barrel polishing or sand blasting, and the external electrode paste is printed or transferred and baked to form the external electrodes 6 and 8. The firing conditions of the external electrode paste are preferably, for example, about 10 minutes to 1 hour at 600 to 800 ° C. in a humidified mixed gas of N 2 and H 2 . Then, if necessary, a coating layer is formed on the surfaces of the external electrodes 6 and 8 by plating or the like.

このようにして製造された本発明の積層セラミックコンデンサは、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。特に、定格電圧が100V以上の中耐圧用積層セラミックコンデンサに好適である。   The multilayer ceramic capacitor of the present invention thus manufactured is mounted on a printed circuit board by soldering or the like and used for various electronic devices. Particularly, it is suitable for a medium voltage multilayer ceramic capacitor having a rated voltage of 100V or more.

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこうした実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々なる態様で実施し得ることは勿論である。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to such embodiment at all, Of course, in the range which does not deviate from the summary of this invention, it can implement in various aspects. .

たとえば、上述した実施形態では、積層セラミックコンデンサを例示したが、本発明に係る電子部品としては、積層セラミックコンデンサに限定されず、上記の製造方法により得られた誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有するものであれば何でも良い。   For example, in the above-described embodiment, the multilayer ceramic capacitor is exemplified, but the electronic component according to the present invention is not limited to the multilayer ceramic capacitor, and is constituted by the dielectric ceramic composition obtained by the above manufacturing method. Any material having a certain dielectric layer may be used.

以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。   Hereinafter, although this invention is demonstrated based on a more detailed Example, this invention is not limited to these Examples.

実施例1
まず、主成分原料と副成分原料を用意した。主成分原料としては、平均粒径0.1〜0.3μmのBaTiOを用いた。副成分原料としては、MgO(第1副成分)、(Ba0.6 Ca0.4 )SiO(第2副成分)、V(第3副成分)、Y(第4副成分)、Tb(第5副成分)、MnO(第6副成分)を用いた。なお、MgOおよびMnOについては、それぞれ炭酸塩を原料とし、他の副成分原料には、酸化物を用いた。(Ba0.6 Ca0.4 )SiO(以下、BCGともいう)については、下記に示す方法により製造した。
Example 1
First, a main component material and a subcomponent material were prepared. As the main component material, BaTiO 3 having an average particle size of 0.1 to 0.3 μm was used. As subcomponent materials, MgO (first subcomponent), (Ba 0.6 Ca 0.4 ) SiO 3 (second subcomponent), V 2 O 5 (third subcomponent), Y 2 O 3 (first 4 subcomponents), Tb 4 O 7 (fifth subcomponent), and MnO (sixth subcomponent) were used. As for MgO and MnO, carbonates were used as raw materials, and oxides were used as other subcomponent raw materials. (Ba 0.6 Ca 0.4 ) SiO 3 (hereinafter also referred to as BCG) was produced by the method shown below.

BCGは、BaCO、CaCOおよびSiOをボールミルにより16時間湿式混合し、乾燥後、1150°Cで空気中で焼成し、さらに、ボールミルにより100時間湿式粉砕することにより製造した。 BCG was produced by wet mixing BaCO 3 , CaCO 3 and SiO 2 with a ball mill for 16 hours, drying, firing in air at 1150 ° C., and further wet pulverizing with a ball mill for 100 hours.

次に、これらの原料を、焼成後の組成が、BaTiO100モルに対して、2モルのMgOと、3モルのBCGと、0.01モルのVと、1モルのY(Y換算でのモル数は、2モル)と、0.5モルのTb(Tb換算でのモル数は、2モル)と、0.2モルのMnOとなるように秤量した。各副成分原料については、ここで秤量した量が最終的な添加量となる。 Next, the composition of these raw materials after firing is 2 mol of MgO, 3 mol of BCG, 0.01 mol of V 2 O 5 and 1 mol of Y 2 with respect to 100 mol of BaTiO 3. Weighed so as to be O 3 (2 moles in terms of Y), 0.5 moles of Tb 4 O 7 (2 moles in terms of Tb), and 0.2 moles of MnO. did. About each subcomponent raw material, the quantity weighed here becomes the final addition amount.

次に、主成分の原料と、表1に前添加副成分として示されている副成分の原料とを、ボールミルにより16時間混合し、乾燥後、仮焼き前粉体を得た。この仮焼き前粉体を下記に示す条件により仮焼きを行った。   Next, the raw material of the main component and the raw material of the auxiliary component shown as the pre-added auxiliary component in Table 1 were mixed by a ball mill for 16 hours, and after drying, a pre-calcined powder was obtained. This pre-calcination powder was calcined under the following conditions.

仮焼き
昇温速度:200°C/時間
保持温度:650°C
保持時間:4時間
雰囲気:空気中
Temporary firing temperature rising rate: 200 ° C / hour holding temperature: 650 ° C
Holding time: 4 hours Atmosphere: in air

得られた仮焼き済粉体に、表1に後添加副成分として示されている残りの副成分原料を添加し、ボールミルにより混合した。乾燥後、誘電体磁器組成物粉末を得た。   To the obtained calcined powder, the remaining auxiliary component materials shown as post-added auxiliary components in Table 1 were added and mixed by a ball mill. After drying, a dielectric ceramic composition powder was obtained.

このようにして得られた誘電体磁器組成物粉末100重量部と、アクリル樹脂4.8重量部と、塩化メチレン40重量部と、酢酸エチル20重量部と、ミネラルスピリット6重量部と、アセトン4重量部とをボールミルで混合し、ペースト化して誘電体層用ペーストを得た。   100 parts by weight of the dielectric ceramic composition powder thus obtained, 4.8 parts by weight of acrylic resin, 40 parts by weight of methylene chloride, 20 parts by weight of ethyl acetate, 6 parts by weight of mineral spirits, 4 parts of acetone The parts by weight were mixed with a ball mill and made into a paste to obtain a dielectric layer paste.

平均粒径0.1〜0.3μmのNi粒子100重量部と、有機ビヒクル(エチルセルロース8重量部をブチルカルビトール92重量部に溶解したもの)40重量部と、ブチルカルビトール10重量部とを3本ロールにより混練し、ペースト化して内部電極層用ペーストを得た。   100 parts by weight of Ni particles having an average particle size of 0.1 to 0.3 μm, 40 parts by weight of an organic vehicle (8 parts by weight of ethyl cellulose dissolved in 92 parts by weight of butyl carbitol), and 10 parts by weight of butyl carbitol It knead | mixed with 3 rolls and was made into the paste and obtained the paste for internal electrode layers.

得られた誘電体層用ペーストを用いてPETフィルム上に、厚さ5.5μmのグリーンシートを形成した。この上に内部電極用ペーストを印刷した後、PETフィルムからシートを剥離した。次いで、これらのグリーンシートと保護用グリーンシート(内部電極層用ペーストを印刷しないもの)とを積層、圧着して、グリーン積層体を得た。   Using the obtained dielectric layer paste, a green sheet having a thickness of 5.5 μm was formed on a PET film. After the internal electrode paste was printed thereon, the sheet was peeled from the PET film. Next, these green sheets and protective green sheets (not printed with internal electrode layer paste) were laminated and pressure-bonded to obtain a green laminate.

次いで、グリーン積層体を所定サイズに切断し、グリーンチップとし、脱バインダ処理、焼成およびアニールを下記条件にて行って、積層セラミック焼成体を得た。   Next, the green laminate was cut into a predetermined size to obtain a green chip, and the binder removal treatment, firing and annealing were performed under the following conditions to obtain a multilayer ceramic fired body.

脱バインダ処理
昇温速度:25°C/時間、
保持温度:260°C、
温度保持時間:8時間、
雰囲気:空気中。
Binder removal treatment Temperature rising rate: 25 ° C / hour,
Holding temperature: 260 ° C
Temperature holding time: 8 hours,
Atmosphere: in the air.

焼成
昇温速度:200°C/時間、
保持温度:1200〜1260°C、
温度保持時間:2時間、
冷却速度:200°C/時間、
雰囲気:加湿したN+H混合ガス、
酸素分圧:10−12気圧。
Firing Temperature rising rate: 200 ° C / hour,
Holding temperature: 1200-1260 ° C,
Temperature holding time: 2 hours,
Cooling rate: 200 ° C / hour,
Atmosphere: humidified N 2 + H 2 gas mixture,
Oxygen partial pressure: 10-12 atm.

アニール
昇温速度:200°C/時間、
保持温度:1050°C、
温度保持時間:2時間、
冷却速度:200°C/時間、
雰囲気:加湿したNガス、
酸素分圧:10−5気圧。
なお、焼成およびアニールの際の雰囲気ガスの加湿には、水温を20°Cとしたウェッターを用いた。
Annealing Temperature rising rate: 200 ° C / hour,
Holding temperature: 1050 ° C,
Temperature holding time: 2 hours,
Cooling rate: 200 ° C / hour,
Atmosphere: humidified N 2 gas,
Oxygen partial pressure: 10 −5 atm.
A wetter with a water temperature of 20 ° C. was used for humidifying the atmospheric gas during firing and annealing.

次いで、得られた積層セラミック焼成体の端面をサンドブラストにて研磨した後、外部電極としてIn−Gaを塗布し、図1に示す積層セラミックコンデンサの試料を得た。   Next, after polishing the end face of the obtained multilayer ceramic fired body by sand blasting, In-Ga was applied as an external electrode to obtain a sample of the multilayer ceramic capacitor shown in FIG.

得られたコンデンサ試料のサイズは、3.2mm×1.6mm×0.6mmであり、内部電極層に挟まれた誘電体層の数は5、1層あたりの誘電体層の厚み(層間厚み)は4μmであり、内部電極層の厚さは1.5μmであった。   The size of the obtained capacitor sample was 3.2 mm × 1.6 mm × 0.6 mm, the number of dielectric layers sandwiched between internal electrode layers was 5, and the thickness of the dielectric layers per layer (interlayer thickness) ) Was 4 μm, and the thickness of the internal electrode layer was 1.5 μm.

得られたコンデンサ試料について、以下に示す方法により、比誘電率ε、CR積、高温負荷寿命およびX7R特性の評価を行った。 About the obtained capacitor | condenser sample, the dielectric constant (epsilon) r , CR product, high temperature load lifetime, and X7R characteristic were evaluated by the method shown below.

比誘電率ε
コンデンサ試料に対し、基準温度20°Cにおいて、デジタルLCRメータ(横河電機(株)製 YHP4274A)にて、周波数1kHz,入力信号レベル(測定電圧)0.25Vrms/μmの条件下で、静電容量Cを測定した。そして、得られた静電容量、積層セラミックコンデンサの誘電体厚みおよび内部電極同士の重なり面積から、比誘電率(単位なし)を算出した。比誘電率は、700以上を良好とした。結果を表1に示す。
Dielectric constant ε r
With a digital LCR meter (YHP4274A manufactured by Yokogawa Electric Corporation) at a reference temperature of 20 ° C, the capacitor sample was electrostatically charged under the conditions of a frequency of 1 kHz and an input signal level (measurement voltage) of 0.25 Vrms / μm The capacity C was measured. The relative dielectric constant (no unit) was calculated from the obtained capacitance, the dielectric thickness of the multilayer ceramic capacitor, and the overlapping area of the internal electrodes. The relative dielectric constant was 700 or more. The results are shown in Table 1.

CR積
まず、コンデンサ試料に対し、絶縁抵抗計(アドバンテスト社製R8340A)を用いて、20°Cにおいて100Vの直流電圧を、コンデンサ試料に1分間印加した後の絶縁抵抗IRを測定した。CR積は、上記にて測定した静電容量C(単位はμF)と、絶縁抵抗IR(単位はMΩ)との積を求めることにより測定した。CR積は、500以上を良好とした。結果を表1に示す。
CR product First, with respect to the capacitor samples, by using an insulating resistance meter (manufactured by Advantest Corporation R8340A), a DC voltage of 100V at 20 ° C, was measured insulation resistance IR after applying 1 minute capacitor samples. The CR product was measured by determining the product of the capacitance C (unit: μF) measured above and the insulation resistance IR (unit: MΩ). A CR product of 500 or more was considered good. The results are shown in Table 1.

高温負荷寿命(HALT)
高温負荷寿命(HALT)は、得られた試料を、180°Cで10V/μmまたは50V/μmの直流電圧の印加状態に保持し、平均寿命時間を測定することにより評価した。本実施例においては、絶縁抵抗(IR)が2×10Ω以下になるまでの時間(単位は時間)を寿命時間とした。また、この高温負荷寿命は、10個のコンデンサ試料について行った。評価基準は、180°C、10V/μmの場合が、200時間以上、180°C、50V/μmの場合が、30時間以上を良好とした。結果を表1に示す。
High temperature load life (HALT)
The high temperature load life (HALT) was evaluated by measuring the average life time while maintaining the obtained sample at a DC voltage of 10 V / μm or 50 V / μm at 180 ° C. In this example, the time until the insulation resistance (IR) is 2 × 10 5 Ω or less (unit is time) is defined as the lifetime. Further, this high temperature load life was carried out for 10 capacitor samples. The evaluation criteria were 200 hours or more for 180 ° C and 10 V / μm, and 30 hours or more for 180 ° C and 50 V / μm. The results are shown in Table 1.

50V/μmの直流電圧が印加されている状態は、誘電体層間の厚みが5μmとなった場合にかかる電界強度(約40V/μm)よりも大きい状態である。   A state in which a DC voltage of 50 V / μm is applied is a state in which the electric field strength (about 40 V / μm) applied when the thickness between the dielectric layers becomes 5 μm is larger.

なお、特許文献2(特開2000−311828号公報)では、180°Cで10V/μmの直流電圧の印加した条件で高温負荷寿命を測定している。   In Patent Document 2 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-31828), the high temperature load life is measured under a condition where a DC voltage of 10 V / μm is applied at 180 ° C.

X7R特性
X7R特性については、コンデンサ試料に対し、基準温度を25°Cとした時に、デジタルLCRメータ(YHP社製4274A)にて、周波数1kHz、入力信号レベル(測定電圧)0.25Vrmsの条件下で、静電容量を測定し、−55〜125°Cの温度範囲内で、温度に対する静電容量変化率(ΔC/C)がEIAJ規格のX7R特性を満足する(±15%以内)かどうかを調べ、満足する場合を「○」、満足しない場合を「×」とした。結果を表1に示す。
X7R characteristics For X7R characteristics, when the reference temperature is 25 ° C for the capacitor sample, the digital LCR meter (4274A manufactured by YHP) is used under the conditions of a frequency of 1 kHz and an input signal level (measurement voltage) of 0.25 Vrms. Then, the capacitance is measured, and whether the capacitance change rate with respect to temperature (ΔC / C) satisfies the EIAJ standard X7R characteristics (within ± 15%) within the temperature range of -55 to 125 ° C. In the case of being satisfied, “◯” was given, and in the case of not being satisfied, “X”. The results are shown in Table 1.

Figure 2007186365
Figure 2007186365

表1より、MgOを含む第1副成分と、SiO系ガラス成分であるBCGを含む第2副成分とを、前添加副成分として添加し、仮焼きした場合(試料4、8)または後添加副成分として添加した場合(試料5、9)には、Mg−Siの偏析が生じ、仮焼き工程を有しない場合(試料10)と同程度の特性しか得られないことが確認できた。 From Table 1, the first subcomponent containing MgO and the second subcomponent containing BCG, which is a SiO 2 glass component, are added as pre-added subcomponents and calcined (samples 4 and 8) or after When added as an additive subcomponent (samples 5 and 9), it was confirmed that Mg-Si segregation occurred, and that only the same characteristics as those obtained when the calcining step was not provided (sample 10) were obtained.

一方、MgOを含む第1副成分と、SiO系ガラス成分であるBCGを含む第2副成分とを、それぞれ別々に前添加副成分または後添加副成分として添加した場合(試料1〜3、6、7)では、比誘電率およびCR積を良好に維持しつつ、高温負荷寿命を良好とすることができた。その中でも、MgOを含む第1副成分を前添加副成分として添加し、仮焼きした場合(試料1、2、6)は、SiO系ガラス成分であるBCGを含む第2副成分を前添加副成分として添加し、仮焼きした場合(試料3、7)よりも良好となることが確認できた。 On the other hand, a first subcomponent including MgO, if a second subcomponent including BCG is a SiO 2 -based glass components were respectively added as separately before addition subcomponent or post-addition subcomponent (samples 1-3, In 6 and 7), the high temperature load life could be improved while maintaining the relative dielectric constant and the CR product in good condition. Among these, when the first subcomponent containing MgO is added as a pre-added subcomponent and calcined (Samples 1, 2 , and 6), the second subcomponent containing BCG, which is a SiO 2 glass component, is pre-added. It was confirmed that it was better than when added as a subcomponent and calcined (Samples 3 and 7).

特に、前添加副成分が、MgOを含む第1副成分のみである場合(試料6)、すなわち、主成分と第1副成分のみとを仮焼きした場合は、特許文献2(特開2000−311828号公報)において、高温負荷寿命(電界強度:10V/μm)が最も良好である試料D3(121h)の3倍以上の寿命となっていることが確認できた。さらに、電界強度を50V/μmとした場合であっても、良好な高温負荷寿命を示している。   In particular, when the pre-addition subcomponent is only the first subcomponent containing MgO (sample 6), that is, when the main component and only the first subcomponent are calcined, Patent Document 2 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-2000). 311828), it was confirmed that the lifetime was three times or more that of the sample D3 (121h) having the best high-temperature load lifetime (electric field strength: 10 V / μm). Furthermore, even when the electric field strength is 50 V / μm, a good high temperature load life is shown.

実施例2
仮焼温度を表2に示す温度とした以外は、実施例1の試料6と同様にして、試料を作製し、特性評価を行った。結果を表2に示す。
Example 2
A sample was prepared and evaluated for properties in the same manner as Sample 6 of Example 1 except that the calcining temperature was changed to the temperature shown in Table 2. The results are shown in Table 2.

Figure 2007186365
Figure 2007186365

表2より、仮焼温度を変化させた場合でも、比誘電率およびCR積を維持しつつ、高温負荷寿命を良好とすることができることが確認できた。   From Table 2, it was confirmed that even when the calcining temperature was changed, the high temperature load life could be improved while maintaining the relative dielectric constant and the CR product.

上記の結果から、本発明によれば、積層セラミックコンデンサの誘電体層を薄層化(4μm)した場合であっても、X7R特性を満足し、比誘電率およびCR積を維持しつつ、高温負荷寿命を良好にすることができることが確認できた。したがって、高い定格電圧で使用される中耐圧用コンデンサの誘電体層を薄層化した場合であっても、十分な信頼性を確保することができる。   From the above results, according to the present invention, even when the dielectric layer of the multilayer ceramic capacitor is thinned (4 μm), it satisfies the X7R characteristics, maintains the relative permittivity and the CR product, and maintains the high temperature. It was confirmed that the load life could be improved. Therefore, even when the dielectric layer of the medium voltage capacitor used at a high rated voltage is thinned, sufficient reliability can be ensured.

図1は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

2… 積層セラミックコンデンサ
4… コンデンサ素子
4a… 第1端部
4b… 第2端部
6,8… 外部電極
10… 誘電体層
12… 内部電極層
2 ... Multilayer ceramic capacitor 4 ... Capacitor element 4a ... First end 4b ... Second end 6, 8 ... External electrode 10 ... Dielectric layer 12 ... Internal electrode layer

Claims (6)

チタン酸バリウムを含む主成分と、
MgOを含む第1副成分と、
SiO系ガラス成分を含む第2副成分と、
、MoOおよびWOから選ばれる少なくとも1種を含む第3副成分と、
R1の酸化物(ただし、R1は、Y、Ho、Er、Tm、Yb、Luから選ばれる少なくとも1種)を含む第4副成分と、
R2の酸化物(ただし、R2は、Dy、Tb、Gd、Euから選ばれる少なくとも1種)を含む第5副成分と、
MnOおよびCrの少なくとも1種を含む第6副成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、
前記主成分100モルに対する各副成分の比率が、
第1副成分:0.1〜5モル、
第2副成分:2〜10モル、
第3副成分:0〜0.5モル(ただし、0は含まない)、
第4副成分:0.1〜10モル(ただし、第4副成分のモル数は、R1単独での比率)、
第5副成分:0.1〜10モル(ただし、第5副成分のモル数は、R2単独での比率)、
第6副成分:0〜0.5モル(ただし、0は含まない)、
であり、
前記主成分の原料と、前記誘電体磁器組成物を構成することとなる副成分の原料のうちの一部と、を添加し、仮焼き前粉体を得る工程と、
前記仮焼き前粉体を仮焼きし、仮焼き済み粉体を得る工程と、
前記仮焼き済み粉体に、前記誘電体磁器組成物を構成することとなる残りの副成分の原料を添加し、誘電体磁器組成物粉末を得る工程と、
前記誘電体磁器組成物粉末を焼成する工程と、を有し、
前記仮焼き前粉体を得る工程において添加する副成分の原料のうちの一部を、前添加副成分とし、前記誘電体磁器組成物粉末を得る工程において添加する残りの副成分の原料を、後添加副成分とした場合に、
前記第1副成分の原料と、前記第2副成分の原料とは、それぞれ別々に前添加副成分または後添加副成分として、添加されることを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。
A main component comprising barium titanate;
A first subcomponent comprising MgO;
A second subcomponent comprising a SiO 2 -based glass component;
A third subcomponent comprising at least one selected from V 2 O 5 , MoO 3 and WO 3 ;
A fourth subcomponent including an oxide of R1 (wherein R1 is at least one selected from Y, Ho, Er, Tm, Yb, and Lu);
A fifth subcomponent containing an oxide of R2 (wherein R2 is at least one selected from Dy, Tb, Gd, Eu);
A method for producing a dielectric ceramic composition having a sixth subcomponent containing at least one of MnO and Cr 2 O 3 , comprising:
The ratio of each subcomponent to 100 moles of the main component is
1st subcomponent: 0.1-5 mol,
Second subcomponent: 2 to 10 mol,
Third subcomponent: 0 to 0.5 mol (excluding 0),
Fourth subcomponent: 0.1 to 10 mol (however, the number of moles of the fourth subcomponent is the ratio of R1 alone),
Fifth subcomponent: 0.1 to 10 mol (however, the number of moles of the fifth subcomponent is the ratio of R2 alone),
6th subcomponent: 0-0.5 mol (however, 0 is not included),
And
Adding the raw material of the main component and a part of the raw materials of the subcomponents constituting the dielectric ceramic composition, and obtaining a powder before calcining;
Calcining the pre-calcined powder to obtain a calcined powder;
Adding to the calcined powder the raw materials of the remaining subcomponents constituting the dielectric ceramic composition, and obtaining a dielectric ceramic composition powder;
Firing the dielectric ceramic composition powder,
A part of the subcomponent raw material added in the step of obtaining the pre-calcined powder is a preaddition subcomponent, and the remaining subcomponent raw material added in the step of obtaining the dielectric ceramic composition powder, When it is a post-addition accessory component,
The method for producing a dielectric ceramic composition, wherein the raw material for the first subcomponent and the raw material for the second subcomponent are added separately as a pre-addition subcomponent or a post-addition subcomponent, respectively.
前記前添加副成分として、少なくとも前記第1副成分の原料を添加し、前記後添加副成分として、少なくとも前記第2副成分の原料を添加する請求項1に記載の誘電体磁器組成物の製造方法。 2. The dielectric ceramic composition according to claim 1, wherein at least a raw material of the first subcomponent is added as the pre-added subcomponent, and at least a raw material of the second subcomponent is added as the post-added subcomponent. Method. 前記主成分の原料の平均粒径が0.1〜0.3μmである請求項1または2に記載の誘電体磁器組成物の製造方法。 3. The method for producing a dielectric ceramic composition according to claim 1, wherein an average particle size of the main component material is 0.1 to 0.3 μm. 前記仮焼き済み粉体を得る工程における仮焼温度が、500°C以上1200°C以下である請求項1〜3のいずれかに記載の誘電体磁器組成物の製造方法。 The method for producing a dielectric ceramic composition according to claim 1, wherein a calcining temperature in the step of obtaining the calcined powder is 500 ° C. or more and 1200 ° C. or less. 請求項1〜4のいずれかに記載の方法により得られた誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品。 The electronic component which has a dielectric material layer comprised with the dielectric material ceramic composition obtained by the method in any one of Claims 1-4. 請求項1〜4のいずれかに記載の方法により得られた誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、内部電極層とが、交互に積層してあるコンデンサ素子を有する積層セラミックコンデンサ。 A multilayer ceramic capacitor having a capacitor element in which dielectric layers composed of the dielectric ceramic composition obtained by the method according to any one of claims 1 to 4 and internal electrode layers are alternately laminated. .
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