JP2007184614A - 多重壁炭素ナノチューブを利用した不揮発性炭素ナノチューブメモリ素子及びその動作方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板に形成された第1電極と、第1電極上に離隔されて形成された第1及び第2垂直壁と、第1垂直壁と第2垂直壁との間の第1電極上に形成された多重壁炭素ナノチューブと、第1及び第2垂直壁にそれぞれ形成された第2及び第3電極と、多重壁炭素ナノチューブの上側に形成された第4電極と、を備えることを特徴とする不揮発性メモリ素子。これにより、不揮発性メモリ素子に第1電極が複数個等間隔に形成され、第4電極は、第1電極と交差する方向に複数個形成され、第1及び第2垂直壁を含む複数の垂直壁が第1電極と交差しつつ第4電極と平行に形成されうる。また、二つの垂直壁のうち一つの垂直壁の第2電極と残りの垂直壁の第3電極とは、配線で連結されている。
【選択図】図1
Description
前記例示した従来のメモリ素子の場合、単一壁炭素ナノチューブがライン状に交差して配列されている。前記例示した従来のメモリ素子がオン状態にあるかオフ状態にあるかは、ライン状に配列された前記二つの炭素ナノチューブの交差点で前記二つの炭素ナノチューブの接触如何によって判断される。
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、このような不揮発性炭素ナノチューブメモリ素子の動作方法を提供することである。
また、前記多重壁炭素ナノチューブの上側に設置された上部基板をさらに備え、前記第4電極は、前記上部基板に形成されうる。
前記基板に複数の前記第1電極が備えられており、前記複数の第1電極は互いに平行し、所定間隔で離隔されうる。
前記第4電極は、複数個備えられており、前記複数の第4電極は互いに平行し、所定間隔で離隔されており、前記第1電極と交差する方向に形成されうる。
前記第4電極の前記多重壁炭素ナノチューブと対向する面を除外した残りの部分は、前記上部基板に埋め込まれうる。
後述する本発明のメモリ素子の動作で第1炭素ナノチューブ34aが図2に示したように上昇して上部電極42に接触されたとき、本発明のメモリ素子は、オン状態にあると見なす。また、本発明のメモリ素子がオン状態にあるとき、本発明のメモリ素子にデータ1が記録されたと見なせる。
図3で、第1電極32は、上面を除外した残りの部分が基板30に埋め込まれた形態に形成されうる。第4電極42も下面を除外した残りの部分が上部基板40に埋め込まれた形態に形成されうる。
図4を参照すれば、下部電極である第1電極32と上部電極の第4電極42との間に電源50を連結して第1電極32に負電圧を印加する。そして、第4電極42に正電圧を印加する。このとき、多重膜炭素ナノチューブ34は、第1電極32上に形成されているので、第1炭素ナノチューブ34aに負電圧が印加される。第1電極32と第4電極42との間の電位差が所定値以上となって、第4電極42と第1炭素ナノチューブ34aとの間に作用する第1静電気力F1が、第1炭素ナノチューブ34aの下端と第2炭素ナノチューブ34bの下端との間に作用する引力である第1ファンデルワールス力より大きくなれば、図4の右側図面に示したように、第1炭素ナノチューブ34aは、第2炭素ナノチューブ34bから突出して第4電極42に接触される。したがって、本発明のメモリ素子は、オン状態にある。このとき、データ1が本発明のメモリ素子に記録されたと見なす。したがって、図4に示した過程は、本発明のメモリ素子にデータ1を記録する過程であると見なせる。
図6に示したメモリアレイにおいて、行は、電極62と平行方向に定義し、列は、電極62に垂直方向に定義する。
図7を参照すれば、複数の配線80それぞれに正電圧が印加される。そして、基板30の複数の電極62それぞれに負電圧が印加される。また、上部基板90に備えられた複数の上部電極92それぞれに正電圧が印加される。このような電圧は、メモリアレイ外部の電源部96から印加される。複数の電極62のうち何れの電極に電圧を印加するか、複数の上部電極92のうち何れの上部電極92に電圧を印加するか及び複数の配線80のうち何れの配線に電圧を印加するかは、電圧制御回路(図示せず)によって決定される。前記電圧制御回路は、一つの電極62、一つの上部電極92または一つの配線80を選択する。したがって、複数の多重壁炭素ナノチューブ64のうち最終的に動作電圧が印加されるものは、前記電圧制御回路によって決定された一つの電極62と一つの上部電極92とが交差する地点に位置した多重壁炭素ナノチューブまたは一つの配線80(すなわち、一つの第5電極70及び、これと対向し、他の垂直壁に形成された第6電極72)と一つの電極62とが交差する地点に位置した多重壁炭素ナノチューブである。
32 第1電極
34 多重壁炭素ナノチューブ
34a 第1炭素ナノチューブ
34b 第2炭素ナノチューブ
36 第1垂直壁
36a 第1キャップ
36b 第2電極
38 第2垂直壁
38a 第2キャップ
38b 第3電極
40 上部基板
42 第4電極
Claims (21)
- 基板と、
前記基板に形成された第1電極と、
前記第1電極上に離隔されて形成された第1及び第2垂直壁と、
前記第1垂直壁と第2垂直壁との間の前記第1電極上に形成された多重壁炭素ナノチューブと、
前記第1及び第2垂直壁にそれぞれ形成された第2及び第3電極と、
前記多重壁炭素ナノチューブの上側に形成された第4電極と、を備えることを特徴とする不揮発性メモリ素子。 - 前記第1及び第2垂直壁の上面にそれぞれ傾斜面を有するキャップが備えられており、前記第2及び第3電極は、それぞれ前記キャップの対向する傾斜面に形成されたことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ素子。
- 前記多重壁炭素ナノチューブの上側に設置された上部基板をさらに備え、前記第4電極は、前記上部基板に形成されたことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ素子。
- 前記多重壁炭素ナノチューブは、内側に第1炭素ナノチューブを備え、外側に前記第1炭素ナノチューブを覆い包む第2炭素ナノチューブを備え、
前記第2炭素ナノチューブの一部が除去されて前記第1炭素ナノチューブの一端が露出されたことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ素子。 - 前記第1電極において上面を除外した残りの部分は、前記基板に埋め込まれていることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ素子。
- 前記基板に複数の前記第1電極が備えられており、前記複数の第1電極は互いに平行しており、所定間隔で離隔されていることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ素子。
- 前記第4電極が複数備えられており、前記複数の第4電極は互いに平行しており、所定間隔で離隔されており、前記第1電極と交差する方向に形成されたことを特徴とする請求項6に記載の不揮発性メモリ素子。
- 前記第1及び第2垂直壁は、
前記第1電極と交差しつつ、前記第4電極と平行に拡張されており、
前記第1及び第2垂直壁と同じ形態で少なくとも1個の垂直壁をさらに備え、
前記第1垂直壁、前記第2垂直壁及び前記少なくとも1個の垂直壁それぞれに前記第2及び第3電極が形成されたことを特徴とする請求項6に記載の不揮発性メモリ素子。 - 前記第1垂直壁、前記第2垂直壁及び前記少なくとも1個の垂直壁の間の前記第1電極上に独立された多重壁炭素ナノチューブが備えられて、前記基板上に多重壁炭素ナノチューブアレイが形成されたことを特徴とする請求項8に記載の不揮発性メモリ素子。
- 前記垂直壁上に形成された前記第2電極は、前記多重壁炭素ナノチューブを介して対向する隣接垂直壁上に形成された第3電極と配線で連結されたことを特徴とする請求項8に記載の不揮発性メモリ素子。
- 前記第4電極において前記多重壁炭素ナノチューブと対向する面を除外した残りの部分は、前記上部基板に埋め込まれていることを特徴とする請求項3に記載の不揮発性メモリ素子。
- 前記第1垂直壁の上端に前記多重壁炭素ナノチューブに向かう傾斜面が存在し、前記第2垂直壁の上端に前記多重壁炭素ナノチューブに向かう傾斜面が存在し、前記第1垂直壁の前記傾斜面に前記第2電極が形成されており、前記第2垂直壁の前記傾斜面に前記第3電極が形成されたことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ素子。
- 前記第1垂直壁、前記第2垂直壁及び前記少なくとも1個の垂直壁の各上面にキャップが存在し、前記キャップに異なる多重壁炭素ナノチューブに向かう二つの傾斜面が存在し、前記二つの傾斜面のうち一つに前記第2電極が形成されており、残りの一傾斜面に前記第3電極が形成されたことを特徴とする請求項8に記載の不揮発性メモリ素子。
- 前記第1及び第2垂直壁は、
前記第1電極と交差しつつ、前記第4電極と平行に拡張されており、
前記第1及び第2垂直壁と同じ形態で少なくとも1個の垂直壁がさらに備えられており、
前記第1垂直壁、前記第2垂直壁及び前記少なくとも1個の垂直壁それぞれに前記第2及び第3電極が形成されたことを特徴とする請求項7に記載の不揮発性メモリ素子。 - 基板と、前記基板に形成された第1電極と、前記第1電極上に離隔されて形成された第1及び第2垂直壁と、前記第1垂直壁と第2垂直壁との間の前記第1電極上に形成された多重壁炭素ナノチューブと、前記第1及び第2垂直壁にそれぞれ形成された第2及び第3電極と、前記多重壁炭素ナノチューブの上側に形成された第4電極とを備える不揮発性メモリ素子の動作方法において、
前記第2及び第3電極と前記第4電極のうち何れか一つと前記第1電極との間に電圧を印加することを特徴とする不揮発性メモリ素子の動作方法。 - 前記電圧は、前記第1電極と前記第4電極との間に印加される極性がそれぞれ異なる書き込み電圧であることを特徴とする請求項15に記載の不揮発性メモリ素子の動作方法。
- 前記電圧は、前記第1電極と前記第2及び第3電極との間に印加される極性がそれぞれ異なる消去電圧であることを特徴とする請求項15に記載の不揮発性メモリ素子の動作方法。
- 前記第1電極は、前記基板に所定間隔で離隔された複数の第1電極を備え、前記電圧は、前記複数の第1電極のうち選択された何れか一つの第1電極に印加されることを特徴とする請求項15に記載の不揮発性メモリ素子の動作方法。
- 前記第4電極は、前記上部基板に所定間隔で離隔された複数の第4電極を備え、前記電圧は、前記複数の第4電極のうち選択された何れか一つの第4電極に印加されることを特徴とする請求項18に記載の不揮発性メモリ素子の動作方法。
- 前記基板に前記第1電極と交差し、前記第4電極と平行した複数の垂直壁が備えらえており、前記第1及び第2垂直壁は、前記複数の垂直壁のうち選択された隣接した二つの垂直壁であり、前記複数の垂直壁それぞれに前記第2及び第3電極が何れも形成されたことを特徴とする請求項19に記載の不揮発性メモリ素子の動作方法。
- 前記複数の垂直壁のうち選択された何れか一つの垂直壁の前記第2電極は、前記選択された垂直壁に隣接した垂直壁上に形成されており、前記第2電極及び多重壁炭素ナノチューブを介して対向する第3電極と配線で連結されており、前記配線を通じて前記電圧が印加されることを特徴とする請求項20に記載の不揮発性メモリ素子の動作方法。
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