JP2007180123A - 回路装置、回路モジュールおよび回路装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】実装面積の増大を招くことなくKGD(Known Good Die)が保証された回路装置を提供する。
【解決手段】回路装置10は、配線層20に電気的に接続された回路素子30および受動部品40を封止樹脂層50で封止された構造を有する。封止樹脂層50は配線層20の周縁部を残すように形成され、封止樹脂層50の周囲に配線層20が突出した状態となっている。封止樹脂層50に突出した部分の配線層20は、電極22として用いられる。この電極22は、上面が外部の回路装置との電気的な接続用の接続用端子24として用いられ、下面が回路装置10の動作試験用の試験用端子26として使用される。
【選択図】図3
【解決手段】回路装置10は、配線層20に電気的に接続された回路素子30および受動部品40を封止樹脂層50で封止された構造を有する。封止樹脂層50は配線層20の周縁部を残すように形成され、封止樹脂層50の周囲に配線層20が突出した状態となっている。封止樹脂層50に突出した部分の配線層20は、電極22として用いられる。この電極22は、上面が外部の回路装置との電気的な接続用の接続用端子24として用いられ、下面が回路装置10の動作試験用の試験用端子26として使用される。
【選択図】図3
Description
本発明は、複数の回路素子が組み込まれたマルチチップモジュールおよびマルチチップモジュールに組み込むことに適した回路装置に関する。
携帯電話、PDA、DVC、DSCといったポータブルエレクトロニクス機器の高機能化が加速するなか、こうした製品が市場で受け入れられるためには小型・軽量化が必須となっており、その実現のために高集積のシステムLSIが求められている。一方、これらのエレクトロニクス機器に対しては、より使い易く便利なものが求められており、機器に使用されるLSIに対し、高機能化、高性能化が要求されている。このため、LSIチップの高集積化にともないそのI/O数が増大する一方でパッケージ自体の小型化要求も強く、これらを両立させるために、半導体部品の高密度な基板実装に適合した半導体パッケージの開発が強く求められている。
こうした高密度化の要請に対応するパッケージ技術として、複数の回路素子が積層された多段スタック構造を採用したマルチチップモジュール(MCM)が知られている。
MCMでは、歩留まりの低下を抑制するために、個々の回路素子が良品であることが保証されたKGD(Known Good Die)であることが求められている。そこで、従来は、特許文献1のように、KGDを保証するための試験用電極と他の回路装置との接続用電極の両方を備えたパッケージを用いてKGDを保証した回路装置が提供されていた。また、このような回路装置を用いてMCMが構築されていた。
特開2002−40095号公報
従来の回路装置では、試験用電極と接続用電極が同一面に設けられていたため、回路装置の実装面積の増大を招き、回路装置を組み込んだ回路モジュールの小型化が困難になる要因になっていた。
また、パッケージングされていないベアチップは、動作試験が困難であるため、動作試験の手間がコストの増大につながるという問題を抱えている他に、保存環境によって、品質が著しく低下し、市場に流通させることが困難になるという問題があった。
また、特許文献1に代表される従来の回路装置では、接続用電極がパッケージ上面に形成されているために、ボンディングワイヤのループ分だけ余分に回路装置が厚くなり、MCMの低背化の障害になっていた。
本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、実装面積の増大を招くことなくKGDが保証された回路装置の提供にある。本発明の他の目的は、KGDが保証された回路装置を市場に供給することを可能にする技術の提供にある。本発明のさらに他の目的は、MCMの歩留まりを向上させる技術の提供にある。
本発明のある態様は、回路装置である。当該回路装置は、配線層と、配線層の上方に設けられた回路素子と、回路素子を封止する封止樹脂層と、配線層を介して回路素子と電気的に接続され、封止樹脂層の周囲に突出した状態で設けられている電極と、を備え、電極の一方の面が外部の電極端子と電気的に接続するための接続用端子であり、電極の他方の面が回路素子の動作を試験するための試験用端子であることを特徴とする。この態様によれば、試験用端子が接続用端子の裏面に設けられるので、試験用端子を設けることによる回路装置の実装面積の増大が解消され、回路装置を組み込む回路モジュールをより小型化することができる。また、試験用端子を用いて回路装置の動作確認を行うことにより、KGDが保証された回路装置を市場に供給することができる。
上記態様において、配線層の下面側に絶縁物からなる突起を備えてもよい。この態様によれば、(1)試験用端子の保護、(2)配線層および電極の短絡防止、(3)回路装置の位置決め容易性の向上、(4)回路装置を接着する際の傾き防止、(5)配線層間でのマイグレーション抑制などを図ることができる。
上記態様において、突起が配線層の隙間から突出した封止樹脂層の一部であってもよい。この態様によれば、回路装置の構造および製造プロセスを簡便化し、回路装置の製造コストを低減することができる。
上記態様において、電極が封止樹脂層の下方の領域に設けられていてもよい。回路装置を回路モジュールに組み込み、他の回路装置とワイヤボンディングする場合に、ワイヤのループ高さを封止樹脂層の厚み以下とすることにより、余分な厚みが生じないため回路モジュールを低背化することができる。
本発明の他の態様は、回路モジュールである。当該回路モジュールは、配線基板と、配線基板の上に実装された回路素子と、回路素子の上方に搭載された上述したいずれかの態様の回路装置と、回路素子および回路装置を封止する封止樹脂層とを備えることを特徴とする。この態様によれば、KGDが保証された回路素子が回路モジュールに組み込まれるため、回路モジュールの歩留まりが向上する。
本発明のさらに他の態様は、回路装置の製造方法である。当該回路装置の製造方法は、配線パターンが残るように金属板を選択的にハーフエッチングして溝を形成する工程と、配線パターンの上にめっき膜を形成する工程と、めっき膜の上に回路素子を搭載し、回路素子と配線パターンの所定位置のめっき膜とを電気的に接続する工程と、溝を埋めるとともに、配線パターンの周縁部のめっき膜が露出するように、回路素子を封止樹脂で封止する工程と、金属板の下面をハーフエッチングして、溝に埋め込まれた封止樹脂を金属板の下面側に突出させる工程と、を備えることを特徴とする。この態様によれば、一方の面に接続用端子が形成され、他方の面に試験用端子が形成された電極を備えることにより、実装面積の増大が抑制された回路装置を製造することができる。また、配線層の下部に絶縁性の突起が設けられた回路装置を容易に製造することができる。
本発明によれば、実装面積の増大を招くことなくKGDが保証された回路装置を提供することができる。
本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
(実施形態1)
図1および図2は、それぞれ実施形態1に係る回路装置10の構造を示す上面図および下面図である。図3は、回路装置10の図1のA−A’線上の断面図である。回路装置10は、配線層20、回路素子30、受動部品40および封止樹脂層50を備える。
図1および図2は、それぞれ実施形態1に係る回路装置10の構造を示す上面図および下面図である。図3は、回路装置10の図1のA−A’線上の断面図である。回路装置10は、配線層20、回路素子30、受動部品40および封止樹脂層50を備える。
配線層20は、導電部材で形成された所定の配線パターンを有する。配線層20は、銅などの単一の金属によって形成されていてもよいが、複数の金属層によって形成されていてもよい。たとえば、銅からなる金属層の上にNi膜を介してAu膜を形成することにより、ワイヤボンディング時の接続信頼性を向上させることができる。
回路素子30は、たとえば、IC(集積回路)、LSI(大規模集積回路)などの半導体チップである。回路素子30は、電極面を上にした状態で、配線層20と略同一な平面内に設けられた金属基板32の上にはんだ34によって接続されている。金属基板32は、配線層20と同様に、銅などの単一の金属によって形成されていてもよいが、複数の金属層によって形成されていてもよい。金属基板32の層構造と配線層20の層構造とを等しくすることにより、回路装置10の製造プロセスを簡便にすることができる。回路素子30の電極端子と配線層20とは、金線などのワイヤ150によってワイヤボンディングされている。
受動部品40は、コンデンサ、抵抗、コイル、インダクタなどの電子部品である。受動部品40は、配線層20の上にはんだ36によって接続され、配線層20と電気的に接続されている。
封止樹脂層50は、配線層20の上方に設けられた回路素子30および受動部品40を封止し、回路素子30および受動部品40を外界からの影響から保護している。封止樹脂層50の材料は、たとえば、エポキシ樹脂などの熱硬化性の絶縁樹脂である。回路素子30および受動部品40を封止樹脂層50で封止することにより、回路装置10を実装する前の動作試験時等において回路素子30等が破壊や損傷を受けることを抑制することができる。また、回路装置10の保管環境によって回路素子30等の特性が変化することが抑制されるため、ベアチップでは困難であった市場流通が可能になる。
封止樹脂層50は、回路装置10の周縁部の配線層20が露出するように形成されている。これにより、配線層20の一部が封止樹脂層50の周囲に突出した状態となり、配線層20のうち、封止樹脂層50の周囲に突出した部分が電極22となっている。電極22の上面は、外部の電極端子と電気的に接続するための接続用端子24として用いられる。また、電極22の下面は、電極22の上面と等電位であるため、回路素子30および/または受動部品40の動作を試験するためのプローブ等を接続するための試験用端子26として用いることができる。このように、試験用端子26を接続用端子24の裏面に設けることにより、試験用端子26を設けることによる回路装置10の実装面積の増大が解消されるため、回路装置10を組み込む回路モジュールをより小型化することができる。また、試験用端子26を用いて回路装置10の動作確認を行うことにより、KGDが保証された回路装置10を市場に供給することができる。
また、動作試験済みの回路装置10を回路モジュール(MCM)に組み込むことにより、一部の回路素子の不良によって回路モジュール全体が不良品となることが抑制されるため、回路モジュールの歩留まりが向上する。
また、電極22は封止樹脂層50の下方において封止樹脂層50の周囲に突出している。このため、ワイヤボンディングによって接続用端子24に接続されるワイヤのループの高さを封止樹脂層50の厚みH以下にすることにより、ワイヤのループが回路装置10の厚みに影響することがなくなるので、回路装置10の低背化を実現することができる。
また、封止樹脂層50は、配線層20および金属基板32の隙間から配線層20および金属基板32の下面側へ突出した突起部52を有する。
突起部52によって得られる効果としては下記のような事項が挙げられる。
(1)回路装置10を台の上に置いたときに、回路装置10が突起部52によって支持される。このため、製造過程で回路装置10を搬送等する際に、台との接触により試験用端子26が損傷することが抑制される。これにより、試験用端子26の状態が良好に保たれるため、試験用端子26を用いた回路装置10の動作試験を正確に行うことができる。
(2)回路装置10を回路モジュールに実装する場合に、絶縁物である突起部52によって配線層20および電極22と実装対象との間に適度な隙間が生じるため、回路装置10の配線層20および電極22が回路モジュール内の他の回路と接触することが抑制される。
(3)回路装置10を他の回路装置や樹脂基板等に実装する場合に、突起部52によって表面摩擦が増大し、滑りにくくなるため、回路装置10の位置決めを容易に行うことができる。
(4)回路装置10の実装時に突起部52がスペーサーとして機能することによって、回路装置10と実装対象との間に適度な隙間が生じる。これにより、接着剤を用いて回路装置10を実装する際に回路装置10に加わる力が均一化されるため、接着剤が局所的に押し出されて回路装置10が傾くことが抑制される。
(5)絶縁物である突起部52が障害となって配線層20間でマイグレーションが発生することが抑制される。
(1)回路装置10を台の上に置いたときに、回路装置10が突起部52によって支持される。このため、製造過程で回路装置10を搬送等する際に、台との接触により試験用端子26が損傷することが抑制される。これにより、試験用端子26の状態が良好に保たれるため、試験用端子26を用いた回路装置10の動作試験を正確に行うことができる。
(2)回路装置10を回路モジュールに実装する場合に、絶縁物である突起部52によって配線層20および電極22と実装対象との間に適度な隙間が生じるため、回路装置10の配線層20および電極22が回路モジュール内の他の回路と接触することが抑制される。
(3)回路装置10を他の回路装置や樹脂基板等に実装する場合に、突起部52によって表面摩擦が増大し、滑りにくくなるため、回路装置10の位置決めを容易に行うことができる。
(4)回路装置10の実装時に突起部52がスペーサーとして機能することによって、回路装置10と実装対象との間に適度な隙間が生じる。これにより、接着剤を用いて回路装置10を実装する際に回路装置10に加わる力が均一化されるため、接着剤が局所的に押し出されて回路装置10が傾くことが抑制される。
(5)絶縁物である突起部52が障害となって配線層20間でマイグレーションが発生することが抑制される。
(回路装置の製造方法)
まず、図4(A)に示すように、銅板100の上に、リソグラフィ法により配線層のパターンに合わせてレジスト110を選択的に形成する。銅板100の膜厚はたとえば125μmである。具体的には、ラミネーター装置を用いて銅板100に膜厚20μmのレジスト膜を貼り付け、配線層のパターンを有するフォトマスクを用いてUV露光した後、Na2CO3溶液を用いて現像し、未露光領域のレジストを除去することによって、銅板100の上にレジスト110が選択的に形成される。なお、レジスト110との密着性向上のために、レジスト膜のラミネート前に、銅板100の表面に研磨、洗浄等の前処理を必要に応じて施すことが望ましい。
まず、図4(A)に示すように、銅板100の上に、リソグラフィ法により配線層のパターンに合わせてレジスト110を選択的に形成する。銅板100の膜厚はたとえば125μmである。具体的には、ラミネーター装置を用いて銅板100に膜厚20μmのレジスト膜を貼り付け、配線層のパターンを有するフォトマスクを用いてUV露光した後、Na2CO3溶液を用いて現像し、未露光領域のレジストを除去することによって、銅板100の上にレジスト110が選択的に形成される。なお、レジスト110との密着性向上のために、レジスト膜のラミネート前に、銅板100の表面に研磨、洗浄等の前処理を必要に応じて施すことが望ましい。
次に、図4(B)に示すように、塩化第二鉄溶液を用いて、銅板100の露出部分をハーフエッチングし、所定の配線パターン102に該当しない領域に溝120を形成した後、レジストをNaOH溶液などの剥離剤を用いて剥離する。溝120の深さは、たとえば50μmである。
次に、図4(C)に示すように、リソグラフィ法により、溝120の上にレジスト112を選択的に形成する。レジスト112の形成方法は、レジスト110と同様である。
次に、図4(D)に示すように、電解めっき法または無電解めっき法により、銅板100の表面全体に膜厚10μmのNi膜を形成した後、Ni膜の上に膜厚0.05μmのAu膜を形成した後、レジスト112を除去する。これにより、配線パターン102の表面にAu/Ni膜からなるめっき膜130が形成される。
次に、図5(A)に示すように、回路素子30および受動部品40を搭載する領域にはんだ34およびはんだ36をそれぞれを印刷した後、回路素子30および受動部品40を所定位置に搭載した状態でリフロー処理を行う。これにより、回路素子30および受動部品40が銅板100の上に固定される。
次に、図5(B)に示すように、回路素子30の電極端子とめっき膜130の所定位置とをワイヤボンディングによって電気的に接続する。ワイヤボンディングに用いるワイヤ150として金線を用いることにより、最表面がAuで構成されためっき膜130との接続信頼性を向上させることができる。
次に、図5(C)に示すように、トランスファーモールド法により、エポキシ樹脂を用いて回路素子30および受動部品40を封止する封止樹脂層50を形成する。このとき、封止樹脂層50は、銅板100を部分的に被覆し、銅板100の周縁部のめっき膜130は露出した状態とする。これにより、露出しためっき膜130を外部の電極端子と接続するための接続用端子24として用いることができる。また、銅板100に形成された溝120に封止樹脂層50が埋め込まれる。
次に、図5(D)に示すように、銅板100の下面を塩化第二鉄溶液を用いてハーフエッチングし、銅板100の厚さを20μmにまで薄膜化するとともに、溝120に埋め込まれた封止樹脂層50を露出させることによって、突起部52を形成する。薄膜化された銅板100およびめっき膜130は、図1に示された配線層20に相当する。封止樹脂層50により被覆されず露出した部分は、図1に示したとおり、上面が接続用端子24として使用され、下面が試験用端子26として使用される電極22となる。
突起部52の高さは、たとえば30μmである。このように、封止樹脂層50の一部を突起部52として機能させることにより、回路装置10の構造および製造プロセスが簡便化するため、回路装置10の製造コストが低減される。以上の工程により、図1に示した実施形態1の回路装置10を得ることができる。
(実施形態2)
図6は、実施形態2に係る回路モジュール200の構造を示す断面図である。回路モジュール200は、実施形態1の回路装置10を含む複数の回路素子が組み込まれたMCMである。回路モジュール200は、多層基板210、回路素子220、封止樹脂層230、および実施形態1の回路装置10、封止樹脂層240を含む。
図6は、実施形態2に係る回路モジュール200の構造を示す断面図である。回路モジュール200は、実施形態1の回路装置10を含む複数の回路素子が組み込まれたMCMである。回路モジュール200は、多層基板210、回路素子220、封止樹脂層230、および実施形態1の回路装置10、封止樹脂層240を含む。
多層基板210は、層間絶縁膜212を介して、上面および下面にそれぞれ配線層214および配線層216を有する。配線層214と配線層216とは、層間絶縁膜212を貫通するビアプラグ218によって電気的に接続されている。層間絶縁膜212は、たとえばエポキシ樹脂によって形成され、配線層214、配線層216およびビアプラグ218は、たとえば銅によって形成される。多層基板210の下面には、はんだボール211がアレイ状に複数接合されている。
回路素子220は、たとえば、IC(集積回路)、LSI(大規模集積回路)などの半導体チップである。回路素子220は、接着剤などにより多層基板210の上に搭載され、回路素子220の上面に設けられた電極端子と、配線層214とが金線などのワイヤ219によりワイヤボンディングされている。
封止樹脂層230は、回路素子220を封止する絶縁樹脂である。封止樹脂層230によって回路素子220が外界からの影響から保護される。封止樹脂層230は、多層基板210を部分的に被覆している。配線層214のうち、封止樹脂層230によって被覆されていない領域に、回路装置10を電気的に接続するための電極端子が形成されている。
封止樹脂層230の上にアンダーフィル材232を介して回路装置10が搭載されている。回路装置10は、試験用端子26を用いて動作確認ずみのKGDであるため、回路モジュール200の歩留まりが向上する。回路装置10の下部に設けられた突起部52のうち、少なくとも外周側の突起部52が封止樹脂層230に接触していることが好ましい。これにより、回路装置10を傾けることなく、封止樹脂層230の上に適切に搭載することができる。
回路装置10の接続用端子24は、上述したように、封止樹脂層230によって被覆されていない領域に設けられた電極端子と金線などのワイヤ234によってワイヤボンディングされている。多層基板210において、回路装置10に必要な配線を再配線することにより、回路素子220との接続をエリアアレイ型で行うことができるため、従来のようにリードフレームに実装した場合と比較して、実装面積を小さくすることができる。
封止樹脂層230および回路装置10は、封止樹脂層240によって全体が被覆されている。封止樹脂層240によって、回路装置10および回路素子220がより確実に外界の影響から保護される。
(回路モジュールの製造方法)
実施形態2に係る回路モジュール200の製造工程を図7を参照して説明する。まず、図7(A)に示すような多層基板210を用意する。多層基板210は、層間絶縁膜212を介して配線層214および配線層216が積層され、配線層214と配線層216とがビアプラグ218によって電気的に接続されたた多層構造を有する。
実施形態2に係る回路モジュール200の製造工程を図7を参照して説明する。まず、図7(A)に示すような多層基板210を用意する。多層基板210は、層間絶縁膜212を介して配線層214および配線層216が積層され、配線層214と配線層216とがビアプラグ218によって電気的に接続されたた多層構造を有する。
次に、図7(B)に示すように、多層基板210の上に接着剤(図示せず)などを介して、回路素子220を実装した後、回路素子220の電極端子と、配線層214に設けられた電極端子とを、金線などのワイヤ219を用いてワイヤボンディングする。
次に、図7(C)に示すように、トランスファーモールド法を用いてエポキシ樹脂などの熱硬化性絶縁樹脂からなる封止樹脂層230で回路素子220を封止する。このとき、配線層214に設けられた回路装置10用の電極端子は、封止樹脂層230で被覆されないようにする。封止樹脂層230を形成した後、バーンインを行う。具体的には、回路素子220を加熱することにより、回路素子220に初期不良が発生するか否かを検査する。
次に、図7(D)に示すように、封止樹脂層230の上にアンダーフィル材232を塗布した後、KGDが保証された回路装置10を搭載する。このときに、回路装置10の下部に設けられた突起部52のうち、少なくとも外周側の突起部52を封止樹脂層230に接触させることにより、回路装置10を傾けることなく、封止樹脂層230の上に適切に搭載することができる。
次に、図7(E)に示すように、回路装置10の電極端子と、配線層214に設けられた回路装置10用の電極端子とを、金線などのワイヤ234を用いてワイヤボンディングする。
次に、図7(F)に示すように、トランスファーモールド法により、回路装置10、封止樹脂層230などをエポキシ樹脂などの熱硬化性絶縁樹脂を用いて一括して封止する。続いて、回路モジュール200を実装対象と電気的に接続するためのはんだボール211を多層基板210の下面に接合する。
なお、回路モジュール200を実装する場合に、はんだボール211を溶融する必要がある。このとき、回路モジュール200内のはんだ34およびはんだ36がともに溶融すると、電気的な接続信頼性が低下する可能性がある。このため、はんだ34およびはんだ36の融点は、はんだボール211の融点より高いことが好ましい。このような観点から、はんだ34およびはんだ36として、Sn−0.7Cu(融点:227℃)、Sn(融点:232℃)などを用い、はんだボール211のはんだとして、Sn−3Ag−0.5Cu(融点:217℃)、Sn−1.5Ag−0.5Cu(融点:217℃)などを用いることができる。
本発明は、上述の各実施の形態に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて各種の設計変更等の変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれうるものである。
たとえば、実施形態2の回路モジュール200では、回路素子220が封止樹脂層230によって封止され、封止樹脂層230の上に回路装置10が実装されているが、回路素子220をベアチップとし、回路素子220の上に直接に回路装置10を搭載してもよい。
また、実施形態2の回路モジュール200では、回路素子220と回路装置10の2段スタック構造となっているが、回路装置10を2個以上用意し、回路装置10の上に別の回路装置10を積み上げることにより、3段スタック構造とすることも可能である。
10 回路装置、20 配線層、22 電極、24 接続用端子、26 試験用端子、30 回路素子、40 受動部品、50 封止樹脂層、100 銅板、200 回路モジュール。
Claims (7)
- 配線層と、
前記配線層の上方に設けられた回路素子と、
前記回路素子を封止する封止樹脂層と、
前記配線層を介して回路素子と電気的に接続され、前記封止樹脂層の周囲に突出した状態で設けられている電極と、
を備え、
前記電極の一方の面が外部の電極端子と電気的に接続するための接続用端子であり、前記電極の他方の面が前記回路素子の動作を試験するための試験用端子であることを特徴とする回路装置。 - 前記配線層の下面側に絶縁物からなる突起を備えることを特徴とする請求項1に記載の回路装置。
- 前記突起が前記配線層の隙間から突出した前記封止樹脂層の一部であることを特徴とする請求項2に記載の回路装置。
- 前記電極が前記封止樹脂層の下方の領域に設けられていることを特徴とする請求項3に記載の回路装置。
- 前記電極と他の回路装置とがワイヤによって接続され、前記ワイヤのループ高さが前記封止樹脂層の厚み以下であることを特徴とする請求項4に記載の回路装置。
- 配線基板と、
前記配線基板の上に実装された回路素子と、
前記回路素子の上方に搭載された請求項1乃至5のいずれか1項に記載の少なくとも1つの回路装置と、
前記回路素子および前記回路装置を封止する封止樹脂層と、
を備えることを特徴とする回路モジュール。 - 配線パターンが残るように金属板を選択的にハーフエッチングして溝を形成する工程と、
前記配線パターンの上にめっき膜を形成する工程と、
前記めっき膜の上に回路素子を搭載し、前記回路素子と前記配線パターンの所定位置の前記めっき膜とを電気的に接続する工程と、
前記溝を埋めるとともに、前記配線パターンの周縁部の前記めっき膜が露出するように、前記回路素子を封止樹脂で封止する工程と、
前記金属板の下面をハーフエッチングして、前記溝に埋め込まれた前記封止樹脂を前記金属板の下面側に突出させる工程と、
を備えることを特徴とする回路装置の製造方法。
Priority Applications (2)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012515256A (ja) * | 2009-01-14 | 2012-07-05 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 少なくとも一つの電気伝導性フィルムを基板上へ蒸着させる方法 |
-
2005
- 2005-12-27 JP JP2005374217A patent/JP2007180123A/ja not_active Withdrawn
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