JP2007173739A - 酸化亜鉛光デバイス、酸化亜鉛光デバイスの利用方法、および酸化亜鉛半導体レーザー - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一方の面に導電薄膜2が設けられたp型シリコン基板1と、上記p型シリコン基板2の他方の面にpn接合されたn型酸化亜鉛薄膜3と、上記n型酸化亜鉛薄膜3の他方の面に形成された第1の光透過性導電薄膜4とを備える酸化亜鉛光デバイスにおいて、上記p型シリコン基板1の表面に酸化亜鉛をレーザー・アブレーション技術により積層させ、その後にアニールすることにより、上記p型シリコン基板1と上記n型酸化亜鉛薄膜3をpn接合させたことを特徴とする酸化亜鉛光デバイス。
【選択図】 図1
Description
その第1は、信号の高速処理のために光通信を高速化できる周波数を選ぶ。このためには、光ファイバの屈折率の分散が小さい1200nm程度の波長の光を使う必要があり、この帯域で発光する光集積回路用の光デバイスと半導体レーザーが望まれる。
その第2は、遠距離用光通信のために光ファイバでの損失をできるだけ小さくする。このために、波長が1500nm程度の光を使う必要があり、この帯域で発光する光集積回路用の光デバイスと半導体レーザーが要望される。
即ち、一方の面に導電薄膜が設けられたp型シリコン基板と、上記p型シリコン基板の他方の面にpn接合されたn型酸化亜鉛薄膜と、上記n型酸化亜鉛薄膜の他方の面に形成された第1の光透過性導電薄膜とを備える酸化亜鉛光デバイスにおいて、上記p型シリコン基板の表面に酸化亜鉛をレーザー・アブレーション技術により積層させ、その後にアニールすることにより、上記p型シリコン基板と上記n型酸化亜鉛をpn接合させた酸化亜鉛光デバイスによって解決された。
この光デバイスは、酸素雰囲気の中で、シリコン基板と酸化亜鉛薄膜の間にpn接合を作ることができるという特徴を有する。特に、請求項2、3、4 に記載されているように希土類、特にエルビウムをドープした酸化亜鉛を用いると、pn接合が確実に形成され、同時に、酸化亜鉛の微結晶の結晶性も良くなる。そして、その結果として、電気光学的特性も改善される。
図1は、本発明に係る酸化亜鉛光デバイスの好ましい実施の形態を示した概念的斜視図である。
図示したように、p型シリコン単結晶1の下面には、一方の電極として使われるアルミニウム薄膜2が設けられ、上面には、n型酸化亜鉛薄膜3が形成されている。そして、上記酸化亜鉛薄膜3の上面には、他方の電極として使われる光透過性導電薄膜4が、ITO(Indium Tin Oxide)によって形成されている。
なお、上記n型酸化亜鉛薄膜3には、希土類元素(エルビウム、イットリウム、ハフニウム等)をドープしない場合と、ドープした場合がある。また、ITOは、光透過性電気導体として周知のものであるため、ここではその説明を省略する。
図2は、図1の酸化亜鉛光デバイスの製作方法の一例のフローチャートである。
本発明の酸化亜鉛光デバイスにおいては、次の手順で、酸化亜鉛薄膜とp型シリコン基板の間にpn接合を形成させる。
なお、以下にエルビウムをドープした酸化亜鉛を用いる場合について説明するが、他の希土類元素をドープした場合、および希土類元素をドープしない場合も同様である。
上記のようにして作られた図1の酸化亜鉛光デバイスの特性を調べる前に、先ず、光透過性電極として使われるITO層の特性を調べた。
ITO層の電気的特性は、図4に概念的に示されている電気回路で測定された。図5は、市販のガラスの上に形成されたITO層、本実験で石英の上に形成された70nmのITO層、およびシリコン基板について、図4の電気回路の電流を変えたときの測定電圧を示すグラフである。この測定結果から、次のように評価された。
w/s=70nm/(1×106nm)=7×10-5 F(w/s)≡1
ρ=ρs・w・F(w/s)=99.66×70nm×1
=7×10-4Ωcm
上記計算式から、ITOの比抵抗は、7×10-4Ωcmであった。この値は、金属よりは電気抵抗は大きいが、電極用導体として充分使えることが分る。また、市販のものよりよいことも分かる。
続いて、製作された酸化亜鉛光デバイスに対し、図1に示すようにアルミニウム電極とITO電極の間に電圧を印加して、本発明に係る酸化亜鉛光デバイスの特性を調べた。
なお、順方向に電圧を印加するとは、図9(a)に示すようにp型シリコン2側からn型酸化亜鉛3の方向に電流が流れるように電圧を印加することを言い、逆方向に電圧を印加するとは、図9(b)に示すようにn型酸化亜鉛3側からp型シリコン2の方向に電流が流れるように電圧を印加することを言う。
なお、図10は、エルビウムをドープしている場合を示すが、ドープしていない場合も同様な結果であった。
本発明に係る酸化亜鉛光デバイスについて、図11の測定システムを用いて、発光特性を測定した。この測定システムの概略は、次の通りである。
先ず、発信器からのクロック信号に同期して試験電圧が増幅器を介して試料に印加され、試料を流れる電流に対応する信号が抵抗器(100Ω)を介してオシロスコープに送られ、一方の信号となる。試料に印加された電圧信号に応答して発光した光は、分光器で分光され上記発信器からの信号に同期しているディテクタで検出され、発信器の信号と同期しているロックインアンプを使って微弱信号が増幅されて、上記オシロスコープに送られ、他方の信号となる。このようにして得られた発光スペクトルは、狭義のエレクトロルミネッセンスにより発光したもの以外に、電子・正孔の対消滅等の他のメカニズムで発光するものをも含むが、この明細書では、この発光スペクトルを総称してEL発光スペクトルと呼ぶ。
なお、図17のウィーンの変位則を表すグラフから分るように、波長1180nmのピークが黒体放射によるとすれば、温度は2400℃以上になってしまう。従って、この波長1180nmにおけるピークは黒体放射によるものではない。
図21は、図1の酸化亜鉛光デバイスに図9(b)のように逆電圧を印加した時の、電流をパラメータとする、900nmまでの発光スペクトルの一例である。図の各スペクトルは、下から順に5mA、10mA、15mA、20mA、25mA、30mA、35mA、40mA、45mA、50mAの電流を流したときのスペクトルである。536、556、665nmに鋭いピークがあることが分る。
図1の酸化亜鉛光デバイスの発光機構を用いて、半導体レーザーを実現することができる。
図31は、図1の酸化亜鉛光デバイスを用いて作られる半導体レーザーの概念的斜視図である。
この半導体レーザーは、図示したようにp型シリコン基板1の上に、エルビウムがドープされていない、あるいはドープされたn型酸化亜鉛層3を形成し、さらにその上に導体ストライプ(Pt/Ti)5を形成する。そして、アルミニウム電極2と導体ストライプ5の間に順電圧を印加すると、酸化亜鉛の導体ストライプとシリコン基板の間の部分が発光する。十分に電流を供給し、電子状態分布の反転を実現すると、放射された光は酸化亜鉛層とシリコン基板の境界領域に沿って伝播し、シリコン基板のへき開面を利用して光反射面(図示せず)をシリコン基板の両端に形成しておくことにより、半導体レーザーが実現される。
図32は、本発明に係る酸化亜鉛光デバイスの他の実施の形態を示した概念的斜視図である。
この実施形態においては、石英(Quartz)基板またはシリコン基板6の上面に、第2のITO薄膜7を形成したものに、さらにエルビウムをドープした酸化亜鉛薄膜層3を形成したものである。そして、上記酸化亜鉛薄膜3の上面には、他方の電極として使われる光を透過する第1の光透過性導電性薄膜4が、ITO(Indium Tin Oxide)によって形成されている。
2 アルミニウム薄膜(導電薄膜)
3 酸化亜鉛薄膜
4 第1の光透過性導電薄膜
5 導電ストライプ
6 石英(Quartz)基板またはシリコン基板
7 第2の光透過性導電薄膜
Claims (12)
- 一方の面に導電薄膜が設けられたp型シリコン基板と、上記p型シリコン基板の他方の面にpn接合されたn型酸化亜鉛薄膜と、上記n型酸化亜鉛薄膜の他方の面に形成された第1の光透過性導電薄膜とを備える酸化亜鉛光デバイスにおいて、上記p型シリコン基板の表面に酸化亜鉛をレーザー・アブレーション技術により積層させ、その後にアニールすることにより、上記p型シリコン基板と上記n型酸化亜鉛をpn接合させたことを特徴とする、酸化亜鉛光デバイス。
- 上記n型酸化亜鉛に希土類元素がドープされていることを特徴とする、請求項1に記載の酸化亜鉛光デバイス。
- 上記希土類元素がエルビウムであることを特徴とする、請求項2に記載の酸化亜鉛光デバイス。
- 上記希土類元素の濃度が、0.05wt%から5wt%の範囲であることを特徴とする、請求項2に記載の酸化亜鉛光デバイス。
- 上記第1の光透過性導電薄膜が、ITO薄膜をレーザー・アブレーション技術で上記酸化亜鉛薄膜に積層させた後に、アニールして形成された薄膜であることを特徴とする、請求項1に記載の酸化亜鉛光デバイス。
- 上記酸化亜鉛光デバイスに順電圧を印加し、500nmから900nmの波長の光を発光させることを特徴とする、請求項3に記載の酸化亜鉛光デバイスの利用方法。
- 上記酸化亜鉛光デバイスに順電圧を印加し、1180nmの波長の光を発光させることを特徴とする、請求項3に記載の酸化亜鉛光デバイスの利用方法。
- 上記酸化亜鉛光デバイスに逆電圧を印加し、536nm、556nm、665nm、980nmの波長の光を発光させることを特徴とする、請求項3に記載の酸化亜鉛光デバイスの利用方法。
- 上記酸化亜鉛光デバイスに逆電圧を印加し、1540nmの波長の光を発光させることを特徴とする、請求項3に記載の酸化亜鉛光デバイスの利用方法。
- 一方の面に導電薄膜が設けられたp型シリコン基板と、上記p型シリコン基板の他方の面にpn接合されたn型酸化亜鉛薄膜と、上記n型酸化亜鉛薄膜の他方の面に形成された導電ストライプと、上記p型シリコン基板の両端に設けられた共振用鏡面とを備え、上記pn接合に順電圧を印加させてレーザー発振をさせる酸化亜鉛半導体レーザーにおいて、上記p型シリコン基板の表面にエルビウムをドープした酸化亜鉛をレーザー・アブレーション技術により積層させ、その後にアニールすることにより、上記p型シリコン基板と上記n型酸化亜鉛をpn接合させたことを特徴とする、酸化亜鉛半導体レーザー。
- 石英またはシリコン基板の上に形成された第2の光透過性導電薄膜と、上記第2の光透過性導電薄膜の上に形成された酸化亜鉛薄膜と、上記酸化亜鉛薄膜の上に形成された第1の光透過性導電薄膜を備える酸化亜鉛光デバイスにおいて、上記酸化亜鉛にエルビウムが0.05wt%から5wt%の濃度でドープされていることを特徴とする、酸化亜鉛光デバイス。
- 上記第1と第2の光透過性導電薄膜に順電圧または逆電圧を印加して、536nm、556nm、665nm、980nm、1540nmの光を発光させることを特徴とする、請求項11に記載の酸化亜鉛光デバイスの利用方法。
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