JP2007173712A - Dc-dc converter - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the size and height of a DC-DC converter which is formed by combining and integrating a semiconductor integrated circuit (IC), an inductor and the like without increasing the number of laminated layers or packaging area of the multilayer inductor. <P>SOLUTION: The DC-DC converter is provided with at least the inductor and the semiconductor integrated circuit. The semiconductor integrated circuit and the inductor are mounted on a lead frame which has a region for arranging the semiconductor integrated circuit (IC) including a DC-DC converter control circuit and a switching element, a region for connecting electrode pads of the semiconductor integrated circuit (IC) by wire bonding and a region for arranging the inductor, are wire bonded and are integrally sealed with resin. After that, the part outside the sealing region of the lead frame is cut for forming mounting terminals for connection with external circuits. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、ＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路、増幅器を含む半導体集積回路（ＩＣ）と、インダクタやコンデンサなどの受動素子で構成されるＤＣ−ＤＣコンバータであって、リードフレームに少なくともインダクタ、半導体集積回路（ＩＣ）を複合したＤＣ−ＤＣコンバータに関する。   The present invention is a DC-DC converter including a semiconductor integrated circuit (IC) including a DC-DC converter control circuit and an amplifier, and passive elements such as an inductor and a capacitor, and at least an inductor and a semiconductor integrated circuit in a lead frame. The present invention relates to a DC-DC converter that combines (IC).

携帯型の各種電子機器（携帯電話、携帯情報端末ＰＤＡやノート型コンピュータ、ＤＶＤ，ＣＤ，ＭＤプレイヤー、デジタルカメラ、ビデオカメラ等々）は、電源として電池を用いるものが多く、電源電圧を所定の動作電圧に変換する電力変換装置としてＤＣ−ＤＣコンバータを備えている。ＤＣ−ＤＣコンバータは、スイッチング素子、制御回路を含む半導体集積回路（能動素子）とインダクタ、コンデンサなどの受動素子を、接続線路が形成されたプリント基板等の上にディスクリート回路として構成するのが一般的である。   Many portable electronic devices (such as mobile phones, personal digital assistants PDAs, notebook computers, DVDs, CDs, MD players, digital cameras, video cameras, etc.) use batteries as the power source, and operate the power supply voltage at a predetermined level. A DC-DC converter is provided as a power conversion device that converts voltage. In a DC-DC converter, a semiconductor integrated circuit (active element) including a switching element and a control circuit and passive elements such as an inductor and a capacitor are generally configured as a discrete circuit on a printed circuit board or the like on which a connection line is formed. Is.

図１７は、ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成の一例を示す回路図である。図中の点線部分がＤＣ−ＤＣコンバータの回路であって、このＤＣ−ＤＣコンバータは、入力コンデンサＣｉｎ、出力コンデンサＣｏｕｔ、インダクタＬｏｕｔおよび、ＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路を含む半導体集積回路（ＩＣ）で構成される降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータである。
直流の入力電圧Ｖｉｎを入力し、半導体集積回路（ＩＣ）内の電界効果型トランジスタ（以下スイッチング素子）をスイッチングさせる。スイッチング素子をオンしている時間をＴｏｎ、オフしている時間をＴｏｆｆとすると、出力電圧Ｖｏｕｔは、Ｖｏｕｔ＝Ｔｏｎ ／ （Ｔｏｎ ＋ Ｔｏｆｆ） × Ｖｉｎで表され、出力電圧Ｖｏｕｔは入力電圧Ｖｉｎより降圧される。入力電圧Ｖｉｎが変動した場合は、ＴｏｎとＴｏｆｆの比率を調整すれば、安定に維持した出力電圧Ｖｏｕｔを出力することが出来る。
入力コンデンサ（Ｃｉｎ）は、入力電圧の過渡時の安定化や電圧スパイク防止のために用いられる。出力側には、直流電圧を出力するためのフィルタ回路（平滑回路）を備え、このフィルタ回路は、電流エネルギーの蓄積と放出を行う出力インダクタ（Ｌｏｕｔ）と、電圧エネルギーの蓄積と放出を行う出力コンデンサ（Ｃｏｕｔ）の組み合わせにより構成される。 FIG. 17 is a circuit diagram illustrating an example of a circuit configuration of the DC-DC converter. A dotted line portion in the figure is a circuit of a DC-DC converter, and this DC-DC converter is a semiconductor integrated circuit (IC) including an input capacitor Cin, an output capacitor Cout, an inductor Lout, and a DC-DC converter control circuit. The step-down DC-DC converter is configured.
A DC input voltage Vin is input to switch a field effect transistor (hereinafter referred to as a switching element) in the semiconductor integrated circuit (IC). Assuming that the time during which the switching element is turned on is Ton and the time during which the switching element is off is Toff, the output voltage Vout is expressed by Vout = Ton / (Ton + Toff) × Vin, and the output voltage Vout is stepped down from the input voltage Vin. Is done. When the input voltage Vin fluctuates, the output voltage Vout maintained stably can be output by adjusting the ratio of Ton and Toff.
The input capacitor (Cin) is used for stabilizing the input voltage during transition and preventing voltage spikes. On the output side, a filter circuit (smoothing circuit) for outputting a DC voltage is provided. This filter circuit outputs an output inductor (Lout) for storing and discharging current energy, and an output for storing and discharging voltage energy. It is comprised by the combination of a capacitor | condenser (Cout).

このようなＤＣ−ＤＣコンバータは、各種電子機器の小型化、多機能化に伴い、回路基板上における形成面積の小面積化が強く求められている。そのような要求に対して、半導体集積回路（ＩＣ）やインダクタを複合一体化して小型化することが行われている。
例えば、特許文献１には、図１６の外観図に示すように、プリント基板と、チップインダクタと、制御回路等が形成された半導体集積回路ＩＣにより構成され、半導体集積回路ＩＣが実装されたプリント基板に接続端子を配設して、この接続端子に、チップインダクタを前記半導体集積回路と上下に重ねて配置したＤＣ−ＤＣコンバータが開示されている。
特開２００４−０６３６７６ Such DC-DC converters are strongly demanded to reduce the formation area on the circuit board as the various electronic devices become smaller and more multifunctional. In response to such demands, semiconductor integrated circuits (ICs) and inductors are integrated and miniaturized.
For example, in Patent Document 1, as shown in the external view of FIG. 16, a printed circuit board, a chip inductor, a semiconductor integrated circuit IC on which a control circuit and the like are formed, and a semiconductor integrated circuit IC mounted thereon. A DC-DC converter is disclosed in which a connection terminal is disposed on a substrate, and a chip inductor is disposed on the connection terminal so as to overlap the semiconductor integrated circuit.
JP2004-063676

前記各種電子機器の小型軽量化の要望は常に有り、内蔵されるＤＣ−ＤＣコンバータを小型に構成する要求も強い。前記インダクタのインダクタンス値は、少なくとも数μＨ程度のインダクタンス値が必要である。この様なインダクタは、半導体集積回路と比べると体積が非常に大きいために、ＤＣ−ＤＣコンバータの小型化を図る上で最大の制約となっているのが実際である。そこで、半導体集積回路と重なるようにインダクタを載置して実装することで、小型化を図っている。   There is always a demand for reducing the size and weight of the various electronic devices, and there is a strong demand for a small-sized DC-DC converter built therein. The inductance value of the inductor needs to be at least about several μH. Since such an inductor has a very large volume compared to a semiconductor integrated circuit, it is actually the biggest restriction in reducing the size of a DC-DC converter. Therefore, downsizing is achieved by mounting an inductor so as to overlap the semiconductor integrated circuit.

しかしながら引用文献１のように、半導体集積回路ＩＣとインダクタを近接して配置する場合には、インダクタからの漏洩磁束を考慮しなければならない。例えば電気絶縁層とコイルパターンが交互に積層され、各コイルパターンの端部が順次接続されて多層絶縁基板中に積層方向に重畳した周回コイルが形成され、その端部が外部電極に接続された積層インダクタの場合の漏洩磁束は以下のように作用する。   However, when the semiconductor integrated circuit IC and the inductor are arranged close to each other as in the cited document 1, the leakage magnetic flux from the inductor must be taken into consideration. For example, electrical insulating layers and coil patterns are alternately stacked, end portions of each coil pattern are sequentially connected to form a circular coil superimposed in the stacking direction in a multilayer insulating substrate, and the end portions are connected to external electrodes The leakage magnetic flux in the case of a multilayer inductor acts as follows.

上述の積層インダクタでは、インダクタ部で発生した磁束は、専ら周回コイルの上下に形成されたコイルパターンを有さない磁性体からなる絶縁層（ダミー絶縁層）を通過し、コイルの周囲を通過するが、その一部が外部にも漏れてしまう場合がある。漏れ磁束は、インダクタの周囲に配置される電子部品、例えば前記半導体集積回路に対してノイズとして作用する。   In the multilayer inductor described above, the magnetic flux generated in the inductor section passes through the insulating layer (dummy insulating layer) made of a magnetic material that does not have a coil pattern formed above and below the coil, and passes around the coil. However, some of them may leak outside. The leakage magnetic flux acts as noise on an electronic component arranged around the inductor, for example, the semiconductor integrated circuit.

このような漏れ磁束を防止するには、ダミー絶縁層を厚くするのが一般的な方法である。また、側面方向への漏れ磁束を防止するには、周回コイルの巻径を小さくして、周回コイルの外周側の領域を大きく確保したり、周回コイルの巻径を変更しない場合には、周回コイルの外周側の領域を大きく確保したりして、漏れ磁束を低減することが必要である。
しかしダミー絶縁層を厚くすると、高背化を招くので好ましくない。周回コイルの巻径を小さくすると、その分、巻数の増加を招き、高背化や工数増加といった問題に加えて、直流抵抗の増加といった問題も生じる。 In order to prevent such leakage magnetic flux, it is a general method to increase the thickness of the dummy insulating layer. In order to prevent leakage magnetic flux in the lateral direction, the winding diameter of the winding coil can be reduced to ensure a large area on the outer peripheral side of the winding coil or when the winding diameter of the winding coil is not changed. It is necessary to secure a large area on the outer peripheral side of the coil to reduce the leakage magnetic flux.
However, increasing the thickness of the dummy insulating layer is not preferable because it increases the height. If the winding diameter of the winding coil is reduced, the number of turns increases accordingly, and in addition to problems such as an increase in height and an increase in man-hours, a problem such as an increase in DC resistance also occurs.

そこで本発明は、半導体集積回路（ＩＣ）やインダクタを複合一体化したＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、積層インダクタの積層数や実装面積を増加させる事無く、小型低背のＤＣ−ＤＣコンバータを提供することを目的とする。   Accordingly, the present invention provides a small-sized and low-profile DC-DC converter in a DC-DC converter in which a semiconductor integrated circuit (IC) and an inductor are combined and integrated without increasing the number of stacked inductors and the mounting area. With the goal.

本発明は、少なくとも、インダクタと、半導体集積回路を備えたＤＣ−ＤＣコンバータであって、ＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路とスイッチング素子を含む半導体集積回路（ＩＣ）を配置する領域と、前記半導体集積回路（ＩＣ）の電極パッドとワイヤボンディングして接続される領域と、前記インダクタを配置する領域とを備えたリードフレームに、前記半導体集積回路および前記インダクタを搭載し、ワイヤボンディングして、それらを一体的に樹脂封止した後、封止領域外のリードフレームを切断して、外部回路との接続のための実装端子としたことを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバータである。   The present invention provides a DC-DC converter including at least an inductor and a semiconductor integrated circuit, in which a semiconductor integrated circuit (IC) including a DC-DC converter control circuit and a switching element is disposed, and the semiconductor integrated circuit The semiconductor integrated circuit and the inductor are mounted on a lead frame having a region connected by wire bonding to an electrode pad of (IC) and a region where the inductor is arranged, and wire bonding is performed to integrate them. After the resin sealing, the lead frame outside the sealing region is cut to form mounting terminals for connection to an external circuit.

また本発明は、少なくとも、インダクタと、半導体集積回路を備えたＤＣ−ＤＣコンバータであって、ＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路とスイッチング素子を含む半導体集積回路（ＩＣ）を配置する領域と、前記半導体集積回路（ＩＣ）の電極パッドとフリップチップ実装される領域と、前記インダクタを配置する領域とを備えたリードフレームに、前記半導体集積回路および前記インダクタを搭載し、それらを一体的に樹脂封止した後、封止領域外のリードフレームを切断して、外部回路との接続のための実装端子としたことを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバータである。   The present invention is also a DC-DC converter including at least an inductor and a semiconductor integrated circuit, in which a semiconductor integrated circuit (IC) including a DC-DC converter control circuit and a switching element is disposed, and the semiconductor integrated circuit The semiconductor integrated circuit and the inductor are mounted on a lead frame having a circuit (IC) electrode pad and a region where flip chip mounting is performed and a region where the inductor is disposed, and they are integrally resin-sealed. Thereafter, the lead frame outside the sealing region is cut to form mounting terminals for connection to an external circuit.

これらの構成によれば、リードフレームに半導体集積回路とインダクタを実装することで、ＤＣ−ＤＣコンバータを小型、低背化することが出来る。   According to these configurations, the DC-DC converter can be reduced in size and height by mounting the semiconductor integrated circuit and the inductor on the lead frame.

本発明において前記リードフレームは、フレーム枠と、前記フレーム枠から内側に延出したインナーリードと、吊りリードによって前記フレーム枠から内側に延出したダイパッドを備え、前記半導体集積回路（ＩＣ）を前記ダイパッドに実装するとともに、前記半導体集積回路（ＩＣ）の電極パッドと前記インナーリードとをワイヤボンディングする、あるいはフリップチップ実装するのが好ましい。
このような構成によって、ベアチップ状態の半導体集積回路がダイパッドにはんだなどの接続手段により強固に接続されるため、半導体集積回路の機械的強度が増し、ＤＣ−ＤＣコンバータが実装される回路基板がたわみ等の変形を生じる場合であっても、破壊等の不具合が発生するのを防ぐことが出来る。またダイパッドにより、半導体集積回路が生じる発熱を、回路基板へ逃がすことができ、さらにダイパッドによって安定したグランド電位が得られるため、半導体集積回路は安定した動作が得られる。 In the present invention, the lead frame includes a frame frame, an inner lead extending inward from the frame frame, and a die pad extending inward from the frame frame by a suspension lead, and the semiconductor integrated circuit (IC) is It is preferable that the electrode pad of the semiconductor integrated circuit (IC) and the inner lead are wire-bonded or flip-chip mounted while being mounted on a die pad.
With such a configuration, since the bare chip semiconductor integrated circuit is firmly connected to the die pad by connection means such as solder, the mechanical strength of the semiconductor integrated circuit is increased, and the circuit board on which the DC-DC converter is mounted is bent. Even when deformation such as the above occurs, it is possible to prevent the occurrence of defects such as destruction. In addition, heat generated by the semiconductor integrated circuit can be released to the circuit board by the die pad, and a stable ground potential can be obtained by the die pad, so that the semiconductor integrated circuit can operate stably.

また、封止樹脂で覆われた第１の主面と、前記第１の主面と対向し、前記実装端子が、少なくとも一主面側に露出する第２の主面と、前記第１の主面と前記第２の主面とを接続する側面を備え、前記実装端子が実質的に一面上に形成されたノンリードパッケージとするのも好ましい。このような構成により、実装用のマウンタでの部品吸着が容易となるととともに、実装端子の高さを減じて低背化することが出来る。   A first main surface covered with a sealing resin; a second main surface facing the first main surface; and the mounting terminals exposed at least on one main surface side; and the first main surface It is also preferable to provide a non-lead package including a side surface connecting the main surface and the second main surface, and the mounting terminal is substantially formed on one surface. With such a configuration, it becomes easy to pick up components with the mounting mounter, and the height of the mounting terminal can be reduced to reduce the height.

さらに前記第１の主面側の封止樹脂には、実装端子の機能を示すマーキングが形成されているのが好ましい。少なくとも入力端子を示すマーキングを施すことで、回路基板との接続を間違えることがない。マーキングは塗料や、レーザ加工による刻設、また予め封止金型にマーキングとなる、凸部或いは凹部を設けておけば、樹脂封止後、その形状が転写され、マーキングとして機能する。   Furthermore, it is preferable that a marking indicating the function of the mounting terminal is formed on the sealing resin on the first main surface side. By providing markings indicating at least the input terminals, the connection with the circuit board is not mistaken. If the marking is engraved by paint or laser processing, or if a convex or concave portion is provided on the sealing mold in advance, the shape is transferred after sealing with the resin and functions as a marking.

また本発明においては、前記実装端子の表面にはＡｕ層、もしくはＡｕ−Ｐｄ合金層が形成されているのが好ましい。リードフレームの防錆、はんだ付け、ワイヤボンディング性の向上を図るとともに、低抵抗化することで損失の増加を防いでいる。また、ＤＣ−ＤＣコンバータのスイッチング周波数も数ＭＨｚになるため、Ａｕ層、Ａｕ−Ｐｄ合金層による表皮効果による、低損失化が期待できる。   In the present invention, it is preferable that an Au layer or an Au—Pd alloy layer is formed on the surface of the mounting terminal. In addition to improving lead frame rust prevention, soldering, and wire bonding properties, the resistance is reduced to prevent an increase in loss. Moreover, since the switching frequency of the DC-DC converter is several MHz, a reduction in loss due to the skin effect by the Au layer and the Au—Pd alloy layer can be expected.

本発明によれば、半導体集積回路（ＩＣ）やインダクタを複合一体化したＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、積層インダクタの積層数や実装面積を増加させる事無く、小型低背のＤＣ−ＤＣコンバータを提供することが出来る。   According to the present invention, in a DC-DC converter in which a semiconductor integrated circuit (IC) and an inductor are combined and integrated, a small and low-profile DC-DC converter is provided without increasing the number of laminated inductors and the mounting area. I can do it.

（実施例１）
以下、本発明の一実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータについて説明する。
図１はＤＣ−ＤＣコンバータの斜視図であり、図２はその主面平面図であり、図３は裏面平面図である。図４はＤＣ−ＤＣコンバータの内部透視平面図であり、図５はＡ−Ａ’断面図である。そして、図６はリードフレームの部分拡大図である。なお、本実施例のＤＣ−ＤＣコンバータは、図１７に示した降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータと同じ等価回路で構成されている。 Example 1
Hereinafter, a DC-DC converter according to an embodiment of the present invention will be described.
1 is a perspective view of the DC-DC converter, FIG. 2 is a plan view of the main surface thereof, and FIG. 3 is a plan view of the back surface thereof. 4 is an internal perspective plan view of the DC-DC converter, and FIG. 5 is an AA ′ cross-sectional view. FIG. 6 is a partially enlarged view of the lead frame. Note that the DC-DC converter of this embodiment is configured by the same equivalent circuit as the step-down DC-DC converter shown in FIG.

リードフレームは、フレーム枠により相互に連結され一体の金属板から構成される。このリードフレームは、厚みが０．０５〜０．５ｍｍのＦｅ−Ｎｉ材やＣｕ合金の一枚板である金属板を機械加工（プレス加工）やエッチング加工し、この加工工程の後に、３次元的な加工であるアップセット、ダウンセットを行い、所定形状に形成されたリードフレームにめっきを施して形成される。リードフレームの厚みは、ＤＣ−ＤＣコンバータの厚みにも影響するため、機械的強度を考慮しながら出来るだけ薄いものを選択するのが好ましい。本発明に置いては、０．１ｍｍの４２アロイ（Ｆｅ−４２％Ｎｉ合金）の帯鋼を用いた。めっきは、５μｍ以下のＡｇめっき、Ａｕめっき、またはＮｉ−Ｐｄ−Ａｕめっき、Ａｕ−Ｐｄめっきなどが用いられる。なお、Ａｇめっきの場合にはたんだ付け性向上の観点から、ＤＣ−ＤＣコンバータの裏面側に表れる部分に、Ｓｎ−Ｂｉめっき等を施すのが好ましい。また、めっき不要な部分、例えばフレーム枠にはレジスト膜を形成しておけば、高価な金属めっきを低減できるので好ましい。
図６に示すように、樹脂封止部として囲われた領域には、吊りリードを介してインナーリードを有する。図７は、樹脂封止部を含むインナーリードの部分拡大図である。前記インナーリードは、後に実装端子となる吊りリードとは異なる高さとなる様に、折り曲げ加工が施されており、図４に示すように、インダクタＬ、コンデンサＣｉｎ、Ｃｏｕｔ、半導体集積回路ＩＣが実装されるとともに、前記半導体集積回路ＩＣの電極パッドと前記インナーリードとをワイヤボンディングされる。 The lead frame is composed of a single metal plate that is connected to each other by a frame frame. This lead frame is obtained by machining (pressing) or etching a metal plate, which is a single plate of an Fe—Ni material or Cu alloy having a thickness of 0.05 to 0.5 mm. It is formed by performing upset and downset, which are typical processes, and plating a lead frame formed in a predetermined shape. Since the thickness of the lead frame affects the thickness of the DC-DC converter, it is preferable to select a lead frame that is as thin as possible in consideration of mechanical strength. In the present invention, a 0.1 mm 42 alloy (Fe-42% Ni alloy) steel strip was used. For plating, Ag plating of 5 μm or less, Au plating, Ni—Pd—Au plating, Au—Pd plating, or the like is used. In the case of Ag plating, it is preferable to apply Sn-Bi plating or the like to the portion appearing on the back side of the DC-DC converter from the viewpoint of improving the tackability. In addition, it is preferable to form a resist film on a portion that does not require plating, for example, a frame frame, because expensive metal plating can be reduced.
As shown in FIG. 6, the region surrounded as the resin sealing portion has an inner lead via a suspension lead. FIG. 7 is a partially enlarged view of the inner lead including the resin sealing portion. The inner lead is bent so as to have a height different from that of a suspension lead that will later become a mounting terminal. As shown in FIG. 4, an inductor L, capacitors Cin and Cout, and a semiconductor integrated circuit IC are mounted. At the same time, the electrode pads of the semiconductor integrated circuit IC and the inner leads are wire-bonded.

中央を横断するように設けられ、吊りリード５０ｅ、５０ｊにより保持されたインナーリードには、半導体集積回路ＩＣを実装する比較的大きな面積のダイパッド部７０と、インダクタＬ実装部１００を備え、両端の吊りリードは切断され、回路基板のグランドパターンと接続する実装端子ＧＮＤとなる。ダイパッド部７０に、半導体集積回路ＩＣを構成する半導体チップ、たとえばＧａＡｓチップが配置されダイボンドされる。ＧａＡｓチップの裏面とダイパッド部の表面との間に導電性樹脂や、Ａｇペーストや、Ａｕ−Ｓｉ共晶体からなる接合材、はんだなどの導電性金属ペーストが介在し、これにより両者が、電気的、機械的に接合される。半導体集積回路ＩＣから生じる熱は、実装端子ＧＮＤを介して、回路基板に放熱される。   Inner leads provided so as to cross the center and held by the suspension leads 50e and 50j are provided with a die pad part 70 having a relatively large area for mounting the semiconductor integrated circuit IC and an inductor L mounting part 100. The suspension lead is cut and becomes a mounting terminal GND connected to the ground pattern of the circuit board. A semiconductor chip that constitutes the semiconductor integrated circuit IC, for example, a GaAs chip is disposed on the die pad portion 70 and die bonded. Between the back surface of the GaAs chip and the front surface of the die pad part is a conductive metal paste such as conductive resin, Ag paste, Au-Si eutectic bonding material, solder, and so on. Mechanically joined. Heat generated from the semiconductor integrated circuit IC is dissipated to the circuit board via the mounting terminals GND.

ダイパッド部７０の周囲には、複数のインナーリードが配置されており、吊りリード５０ａ，５０ｂ，５０ｄ，５０ｆ，５０ｈ，５０ｉにより保持されている。吊りリードから伸びた各インナーリードの端部８０ａ〜８０ｆは自由端となっており、それぞれ対応するＧａＡｓチップの電極パッドＶｉｎ，Ｖｃｏｎ，Ｖｄｄ，Ｖｅｎ，ＳＷ，Ｖｆｂに、金線等からなるボンディングワイヤでワイヤボンディングされている。そして、各吊りリードは切断され、ＧａＡｓチップの各種信号の入出力端である電極パッドと接続する実装端子Ｖｃｏｎ，Ｖｅｎ，Ｖｏｕｔ，Ｖｄｄ，Ｖｉｎ，ＮＣとなる。なお実装端子ＮＣは電気的な機能は具備しないが、実装強度を確保するように回路基板に形成された電気的に独立したランド（他のパターンとは接続しない）と接続する。   A plurality of inner leads are disposed around the die pad portion 70 and are held by the suspension leads 50a, 50b, 50d, 50f, 50h, and 50i. End portions 80a to 80f of the inner leads extending from the suspension leads are free ends, and bonding wires made of gold wires or the like are applied to the corresponding electrode pads Vin, Vcon, Vdd, Ven, SW, and Vfb of the corresponding GaAs chip. With wire bonding. Each suspension lead is cut to become mounting terminals Vcon, Ven, Vout, Vdd, Vin, NC connected to electrode pads that are input / output ends of various signals of the GaAs chip. The mounting terminal NC does not have an electrical function, but is connected to an electrically independent land (not connected to another pattern) formed on the circuit board so as to ensure mounting strength.

吊りリード５０ｄ、５０ｆに連なるインナーリードには、インダクタが実装される。ここで、本発明に用いたインダクタの一例を図８に示す。このインダクタは矩形板状で、内部にインダクタを形成するライン電極を備え、側面側には、このライン電極と接続する一対の端子電極を備える。また裏面側には、インダクタＬ実装部１００と接続する裏面電極を備えるものである。そして、各インナーリードと端子電極、裏面電極とが導電性樹脂や、はんだなどの導電性金属ペーストなどの接続部材によって、電気的、機械的に接続される。
また、吊りリード５０ｃ、５０ｄに連なるインナーリードの間には、コンデンサＣｏｕｔが、吊りリード５０ｇ、５０ｈに連なるインナーリードの間には、コンデンサＣｉｎが実装接続される。そして吊りリード５０ｃ、５０ｈは切断され、回路基板のグランドパターンと接続する実装端子ＧＮＤとなる。 An inductor is mounted on the inner lead connected to the suspension leads 50d and 50f. An example of the inductor used in the present invention is shown in FIG. The inductor has a rectangular plate shape, and includes a line electrode that forms the inductor therein, and a pair of terminal electrodes connected to the line electrode on the side surface side. Further, a back electrode connected to the inductor L mounting portion 100 is provided on the back surface side. Each inner lead, terminal electrode, and back electrode are electrically and mechanically connected by a connection member such as conductive resin or conductive metal paste such as solder.
A capacitor Cout is mounted and connected between the inner leads connected to the suspension leads 50c and 50d, and a capacitor Cin is connected between the inner leads connected to the suspension leads 50g and 50h. Then, the suspension leads 50c and 50h are cut to become mounting terminals GND connected to the ground pattern of the circuit board.

実装端子においてＶｃｏｎ，Ｖｅｎ，Ｖｄｄ，Ｖｉｎ，Ｖｏｕｔ，ＧＮＤの表示は、接続される半導体集積回路部品ＩＣの端子の機能を示すものである。端子導体パターンＶｃｏｎは、半導体集積回路部品ＩＣの、出力電圧を可変制御するための端子Ｖｃｏｎと接続する。端子導体パターンＶｅｎは、半導体集積回路部品ＩＣの出力のＯＮ／ＯＦＦ制御用の端子Ｖｅｎと接続する。端子導体パターンＶｄｄは、半導体集積回路部品ＩＣのスイッチング素子をＯＮ／ＯＦＦ制御するための端子Ｖｄｄと接続する。端子導体パターンＶｉｎは、半導体集積回路部品ＩＣの入力端子Ｖｉｎと接続する。端子導体パターンＶｏｕｔは、半導体集積回路部品ＩＣの出力端子Ｖｏｕｔと接続する。端子導体パターンＧＮＤは、回路上接地され、半導体集積回路部品ＩＣの出力端子ＧＮＤと接続する。   The indications Vcon, Ven, Vdd, Vin, Vout, and GND at the mounting terminals indicate the functions of the terminals of the semiconductor integrated circuit component IC to be connected. The terminal conductor pattern Vcon is connected to the terminal Vcon for variably controlling the output voltage of the semiconductor integrated circuit component IC. The terminal conductor pattern Ven is connected to the terminal Ven for ON / OFF control of the output of the semiconductor integrated circuit component IC. The terminal conductor pattern Vdd is connected to a terminal Vdd for ON / OFF control of the switching element of the semiconductor integrated circuit component IC. The terminal conductor pattern Vin is connected to the input terminal Vin of the semiconductor integrated circuit component IC. The terminal conductor pattern Vout is connected to the output terminal Vout of the semiconductor integrated circuit component IC. The terminal conductor pattern GND is grounded on the circuit and connected to the output terminal GND of the semiconductor integrated circuit component IC.

このようなリードフレームには、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などのモールド樹脂によって封止される。端子電極の下面へのモールド樹脂の洩れを防ぐために、樹脂シートが予め張り付けられている。この樹脂シートは樹脂封止工程まで用いられ、最終的に分離されるインナーリードを保持する。
リードフレームの半導体集積回路部品を搭載する面の反対側面に、例えば厚さ１２μｍ〜５０μｍの耐熱性のポリイミド基材に、厚さ３μｍ〜３０μｍ熱可塑性または熱硬化性の高分子系接着剤を塗工したテープ（樹脂シート）を、熱圧着により貼り付ける。そして、モールド樹脂に接着剤が残ることが無いように、貼り付けたテープの不要部分の接着効力を無効にする処理を施す。この場合、リードフレームに貼り付けられたテープのうち、リードフレームと接触していない部分に、モールド樹脂とテープの接着剤とが直接接触しないように、厚さ数μｍ以下で離型剤を塗布する。なお、リードフレームと接触していない部分の接着剤層を、溶剤などを用いて除去してもよい。
この後、ダイパッドに半導体集積回路部品やインダクタ等を搭載し、半導体集積回路部品の電極とインナーリードとを金属細線により電気的に接続し、半導体集積回路部品、金属細線およびインナーリードの少なくとも金属細線との接続部分をモールド樹脂により封止して、テープをリードフレームから剥がす。 Such a lead frame is sealed with a mold resin such as an epoxy resin or an acrylic resin. In order to prevent leakage of the mold resin to the lower surface of the terminal electrode, a resin sheet is pasted in advance. This resin sheet is used until the resin sealing step, and holds the inner leads that are finally separated.
Apply a thermoplastic or thermosetting polymer adhesive with a thickness of 3 to 30 μm to a heat-resistant polyimide substrate with a thickness of 12 to 50 μm, for example, on the side opposite to the surface on which the semiconductor integrated circuit component of the lead frame is mounted. The processed tape (resin sheet) is pasted by thermocompression bonding. And the process which invalidates the adhesive effect of the unnecessary part of the affixed tape is given so that an adhesive agent may not remain in mold resin. In this case, a release agent is applied with a thickness of several μm or less so that the mold resin and the adhesive of the tape do not directly contact the portion of the tape attached to the lead frame that is not in contact with the lead frame. To do. Note that a portion of the adhesive layer that is not in contact with the lead frame may be removed using a solvent or the like.
Thereafter, a semiconductor integrated circuit component, an inductor, or the like is mounted on the die pad, and the electrode of the semiconductor integrated circuit component and the inner lead are electrically connected by a fine metal wire, and at least the fine metal wire of the semiconductor integrated circuit component, the fine metal wire, and the inner lead The connecting portion is sealed with mold resin, and the tape is peeled off from the lead frame.

ＤＣ−ＤＣコンバータのモールド樹脂に、図２に示すようなマーカを設けるのが好ましい。ここでマーカは実装端子Ｖｉｎの位置を示しているが、特に限定されるものではない。また、マーカの形成方法は、樹脂封止金型による転写や、レーザ加工による３次元的な凹部の形成や、塗料を転写、塗布する等の方法が適宜採用される。このようにして、外形寸法が５．５ｍｍ×５．５ｍｍ×１．４ｍｍの小型低背型ＤＣ−ＤＣコンバータとした。   It is preferable to provide a marker as shown in FIG. 2 on the mold resin of the DC-DC converter. Here, the marker indicates the position of the mounting terminal Vin, but is not particularly limited. In addition, as a method for forming the marker, a method such as transfer using a resin-sealed mold, formation of a three-dimensional recess by laser processing, or transfer or application of a paint is appropriately employed. In this way, a small low profile DC-DC converter having an outer dimension of 5.5 mm × 5.5 mm × 1.4 mm was obtained.

（実施例２）
本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータの他の態様について説明する。基本的な構成は実施例１と同様なので、主に相違点を以下に説明する。
図９はインナーリードの部分拡大図であり、図１０はＤＣ−ＤＣコンバータの主面平面図であり、図１１は裏面平面図である。また図１２はＤＣ−ＤＣコンバータの内部透視平面図である。なお、本実施例のＤＣ−ＤＣコンバータも、図１７に示した降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータと同じ等価回路で構成されている。 (Example 2)
Another aspect of the DC-DC converter according to the present invention will be described. Since the basic configuration is the same as that of the first embodiment, the differences will be mainly described below.
9 is a partially enlarged view of the inner lead, FIG. 10 is a main surface plan view of the DC-DC converter, and FIG. 11 is a back surface plan view. FIG. 12 is an internal perspective plan view of the DC-DC converter. Note that the DC-DC converter of this embodiment is also composed of the same equivalent circuit as the step-down DC-DC converter shown in FIG.

前記インナーリードは、後に実装端子となる吊りリードとは同じ高さとなる様に形成され、ＤＣ−ＤＣコンバータの裏面側に露出する。またインナーリードには、厚み方向に貫通する複数の透孔２０が形成されている。前記透孔は半導体集積回路部品ＩＣ、インダクタＬ、コンデンサＣｉｎ，Ｃｏｕｔの実装部位を挟むように形成されるとともに、ＤＣ−ＤＣコンバータの外周縁側に形成され、導電性樹脂や、Ａｇペーストや、Ａｕ−Ｓｉ共晶体からなる接合材、はんだなどの導電性金属ペーストが広がるのを防ぐとともに、前記透孔にモールド樹脂が充填されることで、インナーリードの脱落を防いでいる。本実施例おいても小型低背型ＤＣ−ＤＣコンバータを得ることが出来た。   The inner lead is formed to have the same height as a suspension lead that will be a mounting terminal later, and is exposed to the back side of the DC-DC converter. The inner lead is formed with a plurality of through holes 20 penetrating in the thickness direction. The through hole is formed so as to sandwich the mounting portion of the semiconductor integrated circuit component IC, the inductor L, and the capacitors Cin and Cout, and is formed on the outer peripheral side of the DC-DC converter, and is made of conductive resin, Ag paste, Au The bonding material made of -Si eutectic and the conductive metal paste such as solder are prevented from spreading, and the inner resin is prevented from falling off by filling the through hole with mold resin. Also in this embodiment, a small and low profile DC-DC converter could be obtained.

（実施例３）
本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータの他の態様について説明する。基本的な構成は実施例１、２と同様なので、主に相違点を以下に説明する。
図１３はインナーリードの部分拡大図であり、図１４はＤＣ−ＤＣコンバータの主面平面図である。また図１５はＤＣ−ＤＣコンバータの内部透視平面図である。なお、本実施例のＤＣ−ＤＣコンバータも、図１７に示した降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータと同じ等価回路で構成されている。 (Example 3)
Another aspect of the DC-DC converter according to the present invention will be described. Since the basic configuration is the same as in the first and second embodiments, the differences will be mainly described below.
FIG. 13 is a partially enlarged view of the inner lead, and FIG. 14 is a plan view of the main surface of the DC-DC converter. FIG. 15 is an internal perspective plan view of the DC-DC converter. Note that the DC-DC converter of this embodiment is also composed of the same equivalent circuit as the step-down DC-DC converter shown in FIG.

本実施例では半導体集積回路部品ＩＣとインナーリードとの電気的かつ機械的な内部接続を、半導体集積回路部品ＩＣに設けられた半田ボール等の導電性接合部材によって行う。このため、リードフレームにダイパッド部を設けず、インナーリードの端部８０ａ〜８０ｅが半導体集積回路部品ＩＣの内側領域まで及ぶ様にしている。本実施例おいても小型低背型ＤＣ−ＤＣコンバータを得ることが出来た。   In this embodiment, the electrical and mechanical internal connection between the semiconductor integrated circuit component IC and the inner lead is performed by a conductive bonding member such as a solder ball provided on the semiconductor integrated circuit component IC. For this reason, the lead frame is not provided with a die pad portion, and the end portions 80a to 80e of the inner leads extend to the inner region of the semiconductor integrated circuit component IC. Also in this embodiment, a small and low profile DC-DC converter could be obtained.

本発明によれば、半導体集積回路（ＩＣ）やインダクタを複合一体化した半導体集積回路（ＩＣ）やインダクタを複合一体化したＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、積層インダクタの積層数や実装面積を増加させる事無く、小型低背のＤＣ−ＤＣコンバータを提供することが出来るにおいて、積層インダクタの積層数や実装面積を増加させる事無く、小型低背のＤＣ−ＤＣコンバータを提供することが出来る。また、ＤＣ−ＤＣコンバータを構成するリードフレーム、半導体集積回路部品、インダクタ、コンデンサをそれぞれ個別に取り扱うことが可能なので、インダクタ、コンデンサの定数変更等、各部品の変更が容易であり、様々な要求仕様に対して自由度高く対応することが可能となる。   According to the present invention, in a semiconductor integrated circuit (IC) in which a semiconductor integrated circuit (IC) and an inductor are combined and integrated, and a DC-DC converter in which an inductor is combined and integrated, the number of stacked inductors and the mounting area can be increased. Therefore, a small and low-profile DC-DC converter can be provided, and a small and low-profile DC-DC converter can be provided without increasing the number of laminated inductors and the mounting area. In addition, since the lead frame, semiconductor integrated circuit components, inductor, and capacitor that make up the DC-DC converter can be handled individually, it is easy to change each component, such as changing the constants of the inductor and capacitor. It becomes possible to deal with the specifications with a high degree of freedom.

本発明の一実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータの外観斜視図である。1 is an external perspective view of a DC-DC converter according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータの外観平面図である。1 is an external plan view of a DC-DC converter according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータの外観平面図である。1 is an external plan view of a DC-DC converter according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータの内部透視平面図である。It is an internal perspective top view of the DC-DC converter which concerns on one Example of this invention. 本発明の一実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータのＡ−Ａ’断面図である。It is A-A 'sectional drawing of the DC-DC converter which concerns on one Example of this invention. 本発明の一実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータのリードフレーム部分拡大図である。It is a lead frame partial enlarged view of the DC-DC converter concerning one example of the present invention. 本発明の一実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータの樹脂封止部を含むリードフレームのインナーリード部分拡大図である。It is an inner lead partial enlarged view of a lead frame including a resin sealing part of a DC-DC converter concerning one example of the present invention. 本発明の一実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータに用いるインダクタの斜視図である。It is a perspective view of the inductor used for the DC-DC converter which concerns on one Example of this invention. 本発明の他の実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータのリードフレームのインナーリード部分拡大図である。It is an inner lead partial enlarged view of a lead frame of a DC-DC converter concerning other examples of the present invention. 本発明の他の実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータの主面平面図である。It is a principal surface top view of the DC-DC converter which concerns on the other Example of this invention. 本発明の他の実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータの裏面平面図である。It is a back surface top view of the DC-DC converter which concerns on the other Example of this invention. 本発明の他の実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータの内部透視平面図である。It is an internal perspective top view of the DC-DC converter which concerns on the other Example of this invention. 本発明の他の実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータのリードフレームの部分拡大図である。It is the elements on larger scale of the lead frame of the DC-DC converter which concerns on the other Example of this invention. 本発明の他の実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータの主面平面図である。It is a principal surface top view of the DC-DC converter which concerns on the other Example of this invention. 本発明の他の実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータ内部透視平面図である。It is a see-through | perspective top view inside the DC-DC converter which concerns on the other Example of this invention. 従来のＤＣ−ＤＣコンバータの斜視図である。It is a perspective view of the conventional DC-DC converter. ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成の一例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows an example of the circuit structure of a DC-DC converter.

符号の説明Explanation of symbols

１ ＤＣ−ＤＣコンバータ
５０ａ〜５０ｊ 吊りリード
７０ ダイパッド部 1 DC-DC converter 50a-50j Hanging lead 70 Die pad part

Claims (6)

少なくとも、インダクタと、半導体集積回路を備えたＤＣ−ＤＣコンバータであって、
ＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路とスイッチング素子を含む半導体集積回路（ＩＣ）を配置する領域と、前記半導体集積回路（ＩＣ）の電極パッドとワイヤボンディングして接続される領域と、前記インダクタを配置する領域とを備えたリードフレームに、前記半導体集積回路および前記インダクタを搭載し、ワイヤボンディングして、それらを一体的に樹脂封止した後、封止領域外のリードフレームを切断して、外部回路との接続のための実装端子としたことを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバータ。 A DC-DC converter including at least an inductor and a semiconductor integrated circuit,
A region where a semiconductor integrated circuit (IC) including a DC-DC converter control circuit and a switching element is disposed, a region connected by wire bonding to an electrode pad of the semiconductor integrated circuit (IC), and a region where the inductor is disposed And mounting the semiconductor integrated circuit and the inductor on a lead frame, wire bonding, integrally sealing them with resin, cutting the lead frame outside the sealing region, A DC-DC converter, characterized in that it is a mounting terminal for connection. 少なくとも、インダクタと、半導体集積回路を備えたＤＣ−ＤＣコンバータであって、
ＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路とスイッチング素子を含む半導体集積回路（ＩＣ）を配置する領域と、前記半導体集積回路（ＩＣ）の電極パッドとフリップチップ実装される領域と、前記インダクタを配置する領域とを備えたリードフレームに、前記半導体集積回路および前記インダクタを搭載し、それらを一体的に樹脂封止した後、封止領域外のリードフレームを切断して、外部回路との接続のための実装端子としたことを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバータ。 A DC-DC converter including at least an inductor and a semiconductor integrated circuit,
A region where a semiconductor integrated circuit (IC) including a DC-DC converter control circuit and a switching element is disposed, a region where the electrode pad of the semiconductor integrated circuit (IC) is flip-chip mounted, and a region where the inductor is disposed The semiconductor integrated circuit and the inductor are mounted on the provided lead frame, and after integrally sealing them with a resin, the lead frame outside the sealing region is cut, and a mounting terminal for connection with an external circuit A DC-DC converter characterized by the above. 前記リードフレームは、フレーム枠と、前記フレーム枠から内側に延出したインナーリードと、吊りリードによって前記フレーム枠から内側に延出したダイパッドを備え、前記半導体集積回路（ＩＣ）を前記ダイパッドに実装するとともに、前記半導体集積回路（ＩＣ）の電極パッドと前記インナーリードとをワイヤボンディングする、あるいはフリップチップ実装することを特徴とする請求項１又は２に記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。   The lead frame includes a frame frame, an inner lead extending inward from the frame frame, and a die pad extending inward from the frame frame by a suspension lead, and the semiconductor integrated circuit (IC) is mounted on the die pad. 3. The DC-DC converter according to claim 1, wherein the electrode pad of the semiconductor integrated circuit (IC) and the inner lead are wire-bonded or flip-chip mounted. 封止樹脂で覆われた第１の主面と、前記第１の主面と対向し、前記実装端子が、少なくとも一主面側に露出する第２の主面と、前記第１の主面と前記第２の主面とを接続する側面を備え、前記実装端子が実質的に一面上に形成されたノンリードパッケージであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。   A first main surface covered with a sealing resin; a second main surface facing the first main surface; and the mounting terminals exposed at least on one main surface side; and the first main surface 4. The DC according to claim 1, wherein the DC terminal is a non-lead package including a side surface connecting the first main surface and the second main surface, wherein the mounting terminal is substantially formed on one surface. 5. DC converter. 前記第１の主面側の封止樹脂には、実装端子の機能を示すマーキングが形成されていることを特徴とする請求項４に記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。   5. The DC-DC converter according to claim 4, wherein a marking indicating a function of a mounting terminal is formed on the sealing resin on the first main surface side. 前記実装端子の表面はＡｕ層、もしくはＡｕ−Ｐｄ合金層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。   6. The DC-DC converter according to claim 1, wherein a surface of the mounting terminal is formed with an Au layer or an Au—Pd alloy layer.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010087407A1 (en) * 2009-01-28 2010-08-05 日立金属株式会社 Semiconductor device and power supply circuit
JP2014072350A (en) * 2012-09-28 2014-04-21 Sanken Electric Co Ltd Semiconductor device
JP2016001744A (en) * 2009-12-25 2016-01-07 ローム株式会社 Function element module
CN110391199A (en) * 2018-04-20 2019-10-29 原相科技股份有限公司 Chip packing-body
JP2020113656A (en) * 2019-01-11 2020-07-27 株式会社デンソー Electronic device and manufacturing method thereof
JP2021121032A (en) * 2016-02-15 2021-08-19 ローム株式会社 Semiconductor device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01260843A (en) * 1988-04-12 1989-10-18 Mitsubishi Electric Corp Ic package
JPH05343593A (en) * 1992-06-11 1993-12-24 Nec Corp Connecting terminal
JP2005229766A (en) * 2004-02-16 2005-08-25 Nec Tokin Corp Power supply module and method for manufacturing same
JP2005347369A (en) * 2004-06-01 2005-12-15 Renesas Technology Corp Semiconductor device and manufacturing method therefor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01260843A (en) * 1988-04-12 1989-10-18 Mitsubishi Electric Corp Ic package
JPH05343593A (en) * 1992-06-11 1993-12-24 Nec Corp Connecting terminal
JP2005229766A (en) * 2004-02-16 2005-08-25 Nec Tokin Corp Power supply module and method for manufacturing same
JP2005347369A (en) * 2004-06-01 2005-12-15 Renesas Technology Corp Semiconductor device and manufacturing method therefor

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010087407A1 (en) * 2009-01-28 2010-08-05 日立金属株式会社 Semiconductor device and power supply circuit
JPWO2010087407A1 (en) * 2009-01-28 2012-08-02 日立金属株式会社 Semiconductor device and power supply circuit
US8592967B2 (en) 2009-01-28 2013-11-26 Hitachi Metals, Ltd. Semiconductor apparatus and power supply circuit
JP5614286B2 (en) * 2009-01-28 2014-10-29 日立金属株式会社 Semiconductor device and power supply circuit
JP2016001744A (en) * 2009-12-25 2016-01-07 ローム株式会社 Function element module
JP2014072350A (en) * 2012-09-28 2014-04-21 Sanken Electric Co Ltd Semiconductor device
JP2021121032A (en) * 2016-02-15 2021-08-19 ローム株式会社 Semiconductor device
US11908777B2 (en) 2016-02-15 2024-02-20 Rohm Co., Ltd. Semiconductor package with plurality of leads and sealing resin
CN110391199A (en) * 2018-04-20 2019-10-29 原相科技股份有限公司 Chip packing-body
JP2020113656A (en) * 2019-01-11 2020-07-27 株式会社デンソー Electronic device and manufacturing method thereof
JP7172617B2 (en) 2019-01-11 2022-11-16 株式会社デンソー Electronic device and manufacturing method thereof

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