JP2007173528A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007173528A5 JP2007173528A5 JP2005369241A JP2005369241A JP2007173528A5 JP 2007173528 A5 JP2007173528 A5 JP 2007173528A5 JP 2005369241 A JP2005369241 A JP 2005369241A JP 2005369241 A JP2005369241 A JP 2005369241A JP 2007173528 A5 JP2007173528 A5 JP 2007173528A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor particles
- crystalline semiconductor
- melted
- base plate
- temperature gradient
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
Claims (3)
- 上面に複数個の半導体粒子を載置した台板を加熱炉内に導入し、前記半導体粒子を加熱して溶融させた後に降温して、溶融した前記半導体粒子を結晶化させる結晶半導体粒子の製造方法であって、
前記半導体粒子を固化させる際に、前記台板側から上方に向けて固化させて結晶化させた後に前記結晶半導体粒子の表層に応力歪が発生する温度勾配で降温させ、その後前記結晶半導体粒子にアニール処理を施し、前記表層を除去することを特徴とする結晶半導体粒子の製造方法。 - 上面に複数個の半導体粒子を載置した台板を加熱炉内に導入し、前記半導体粒子を加熱して溶融させた後に降温して、溶融した前記半導体粒子を前記台板側から上方に向けて固化させて結晶化させた後に温度の異なる複数回のアニール処理を施す結晶半導体粒子の製造方法であって、前記各アニール処理の間に前記結晶半導体粒子の表層に応力歪が発生する温度勾配の降温工程があることを特徴とする結晶半導体粒子の製造方法。
- 前記降温工程の温度勾配が前記アニール処理の温度勾配よりも大きいことを特徴とする請求項2記載の結晶半導体粒子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005369241A JP2007173528A (ja) | 2005-12-22 | 2005-12-22 | 結晶半導体粒子の製造方法および光電変換装置ならびに光発電装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005369241A JP2007173528A (ja) | 2005-12-22 | 2005-12-22 | 結晶半導体粒子の製造方法および光電変換装置ならびに光発電装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007173528A JP2007173528A (ja) | 2007-07-05 |
JP2007173528A5 true JP2007173528A5 (ja) | 2008-05-01 |
Family
ID=38299672
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005369241A Withdrawn JP2007173528A (ja) | 2005-12-22 | 2005-12-22 | 結晶半導体粒子の製造方法および光電変換装置ならびに光発電装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007173528A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018066016A1 (ja) * | 2016-10-05 | 2018-04-12 | 信越化学工業株式会社 | 高光電変換効率太陽電池の製造方法及び高光電変換効率太陽電池 |
-
2005
- 2005-12-22 JP JP2005369241A patent/JP2007173528A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI363109B (ja) | ||
CA2979312C (en) | A method of forming parts from sheet metal alloy | |
US20160108483A1 (en) | Method of Additive Manufacturing and Heat Treatment | |
JP2005522051A5 (ja) | ||
JP2012045386A5 (ja) | ||
JP2007505968A5 (ja) | ||
WO2009066739A1 (ja) | 半導体デバイスの製造方法、半導体デバイス、通信機器、および半導体レーザ | |
ATE528266T1 (de) | Glaskeramikprodukt mit muster und dessen herstellungsverfahren | |
WO2015019989A1 (ja) | 感光性ガラス成形体およびその製造方法 | |
EP2524901A3 (en) | Method for making crystallized glass by rolling and heat treating and apparatus | |
AU2009200196A1 (en) | Methods and apparatus for manufacturing semiconductor wafers | |
JP2014521577A5 (ja) | ||
JP2009012041A (ja) | 温間成形加工方法と該温間成形加工方法により製造される成形加工品 | |
EP2450318A3 (en) | Method and apparatus of continuously forming crystallized glass | |
JP2007173528A5 (ja) | ||
EP2033753A3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Polyestergranulats nach dem Latentwärmekristallisationsverfahren | |
NO20083111L (no) | Fremgangsmate og prosess for produksjon av en blokk krystallinsk materiale | |
KR101080757B1 (ko) | 연속주조법을 이용한 태양전지용 실리콘 기판 직접 제조 장치, 이를 이용하여 제조된 태양전지용 실리콘 기판 및 그 제조 방법 | |
JP6286514B2 (ja) | 多結晶シリコンインゴットの製造方法 | |
JP6046780B2 (ja) | 多結晶シリコンインゴッドの製造方法 | |
JP2004196577A (ja) | 多結晶シリコンの製造方法 | |
JP4675550B2 (ja) | 一方向凝固シリコンインゴット及びこの製造方法並びにシリコン板及び太陽電池用基板 | |
JP2014217891A5 (ja) | ||
JP6338881B2 (ja) | ダイカスト金型およびその熱処理方法 | |
US6957685B1 (en) | Method of cleaning and of heat treating lost foam castings |