JP2007165906A - 希土類ドープ大モードエリア・マルチモード光ファイバおよびそれを使ったデバイス - Google Patents

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Abstract

【課題】LMA REDFの光結合効率を改善する方法を提供する。
【解決手段】大モードエリア、希土類ドープ光ファイバが、そのコア領域内の信号放射の多重横断モードに対応するように構成される。ファイバは、異なる特性を有する少なくとも2つの軸方向部分を含む設計である。第1の軸方向部分において、横断屈折率プロファイルは半径方向に一定ではなく、屈折率の半径方向のくぼみによって特徴付けられている。第1の部分は2つ以上の横断モードに対応する。第2の軸方向部分においては、横断屈折率プロファイルは第1の部分のプロファイルよりもより一定である。2つの部分は互いに断熱的に結合される。具体的には、第2の部分は他の構成要素への結合を容易にするファイバの終端部分である。1つの実施例において、第1の部分ではM >1.0、第2の部分ではM <<M である。好ましい実施例においてはM >>1.0、M 〜1.0である。
【選択図】図2

Description

本発明は光ファイバ、特に高出力光増幅器、あるいはレーザ応用および結合効率改善用の希土類ドープ大モードエリア・マルチモード光ファイバに関する。
高い性能とコスト効率の故に、希土類ドープファイバ増幅器(REDFA)、特にエルビウムドープファイバ増幅器(EDFA)は、例えば長距離伝送およびCATV用途などの石英ファイバ光通信システムに広く使われている。希土類ドープファイバ(REDF)、特にエルビウムドープファイバ(EDF)の革新的な設計および最適化が共にこれらの用途に決定的な役割を果たした。特に、光学的モードフィールドを限定し、エルビウム分布をコントロールする設計は光学的パワーの低、および中レベルにおける光の高効率、低ノイズ増幅を可能にしている。一方、高出力用途においては小さい開口数(Numeric Aperture)の大モードエリア(LMA)ファイバが信号強度を下げ、それによって有害な非線形効果を低減し、またポンプ吸収効率を増加させる。高出力のREDFAおよび希土類ドープファイバレーザ(REDFL)、特にイットリビウムドープファイバ(YDF)を利用するものは、従来の遠距離通信工業以外でも多くの用途がある。例えば、高出力のLMA、YDFは溶接、切断、距離測定および標的指示用のレーザ、医学用途および汚染検出、および(例えば衛星間の)自由空間通信に使われる。
LMAファイバの光学的特性は、その横断屈折率プロファイルに敏感に依存している。従来の通念によれば、好ましいLMAファイバは1.0に極めて近いMの基本モードを持ち、それは屈折率プロファイルがコアの軸方向断面全体にわたって基本的に一定であるので、基底横断モードの光の場がガウス分布に極めて近いことを意味する。Mはモードフィールドと真のガウス分布関数とで相似である。特にガウス分布形のモードでM=1.0、そして他のすべてのモードフィールド形に対してM>1.0である。1.0に極めて近いMは低損失光結合を容易にし、さらにはファイバから射出されるビームが効果的にコリメートされる、あるいは回折限界点に厳密に集光される。しかしながら、理想的な基底モード(M=1.0)と一定のコア屈折率プロファイルを持つLMAファイバを作ることは、プロファイルが縦軸近傍でくぼみ(中央部くぼみ、あるいはバーンオフとしても知られている)を示す傾向があるために困難である。さらに、1.0に極めて近い基底横断モードMを持つLMAファイバは、より小さな有効断面積、つまり類似のコア径を持つがはっきりしたくぼみを持たない基底横断モードのファイバよりも、好ましくない光学的非線形性に対して低いしきい値を示す。最終的にLMA EDFのコアの横断屈折率プロファイルが本質的に一定でかつ基底モードのMが極めて1.0に近いとき、基底モードとドープされたコアの外側領域との間の重なりは比較的少ない。結果として基底モードは増幅効率が低く、高次モードは好ましくない増幅をすることになる。
P. A. Belanger、「Optical Engineering」(Vol. 32、 No. 9、 第2107頁乃至第2109頁(1993))
したがって光結合効率を改善するLMA REDFの技術には課題が残っている。また、高出力増幅およびレーザ用途に適するLMA REDFにも課題がある
本発明の一面によれば、LMA REDFはコア領域内で信号放射の多重横断モードをもつように構成される。本願発明のファイバは極めて異なる特性を持つ少なくとも2つの軸方向部分を含む複合設計である。第1の軸方向部分において横断屈折率プロファイルは半径方向に一定ではなく、屈折率の半径方向くぼみによって特徴付けられる。第1の部分は2つ以上の横断モードに対応する。第2の軸方向部分においては、横断屈折率プロファイルは第1の部分のそれよりもより一定である。2つの部分は互いに断熱的に結合される。実際には、第2の部分は他の構成部品への結合を容易にするファイバの終端部である。
本発明の一実施例において、第1の部分においてM >1.0であり、第2の部分においてはM <<M である。好ましい実施例においてはM >>1.0であり、M 〜1.0である。
本発明のよりよい理解のために、添付の図、および添付の請求の範囲を参酌して以下に説明する。なお、これらの図面中の構成要素は必ずしも寸法通りではない。
一般的なREDFAの構造
図1に示すように、一般的なREDFA10はREDF12を含み、結合機器14と利用機器20とを光学的に結合する。遠距離通信用途においては、機器14は波長分割多重装置として知られ、高出力の非遠距離通信用途ではポンプ結合器として知られている。以後、簡単化のために、われわれは本発明を高出力の非遠距離通信用途との関連について述べることにする。この場合、ポンプ結合器14は光入力信号源16と光ポンプ源18とをREDF12に結合させる。入力信号源16が第1の波長の光入力信号を発生し、それが従来型のファイバ22を経由してポンプ結合器14の入力に結合されるのに対して、ポンプ源18が第2の波長の光ポンプ信号を発生し、それが従来型のファイバ24によってポンプ結合器14の別の入力に結合される。
よく知られているように、ポンプ信号はREDF中で反転分布を生じ、入力源16からの入力信号を増幅する。増幅された入力信号はREDF12に沿って利用機器20に伝播する。高出力用途において、後者は数多くの機器、装置、例えば別のREDFA、ビームコリメータ、レンズシステム、作業要素(例えば切断、あるいは溶接用)を含んでもよく、それに対して遠距離通信用途においては利用機器20は光受信器、光変調器、光結合器あるいは分岐器、あるいは一部の端末装置を含んでもよい。これらのいくつかは標準のピッグテールコネクタ(図示しない)を経てREDF12に結合されてもよい。
具体的には、入力源16はREDF12の希土類の増幅範囲の波長で比較的低いパワーの光入力信号を発生するレーザであり、それに対してポンプ源18は所望のレベルに増幅した入力信号を生起するより短い中心波長の比較的高い光パワー(例えば約150mW以上)のポンプ信号を発生する光放射ダイオード(LED)あるいはLEDアレイである。好ましくは、REDF12はイットリビウムドープファイバであり、信号源16は約1080nmの中心波長を持つ入力信号を発生し、ポンプ源18は約915nm、あるいは約975nmの中心波長を持つポンプ信号を発生する。また半導体レーザもポンプ源として使われてもよいが、より多くの光がLEDによってファイバ中に結合されるので、LED、特にLEDアレイが好ましいことをここに特記する。
図1のREDFAは一般的な共通に伝播するポンプ構成を表しているが(つまりポンプおよび入力信号がREDFを経て同じ方向に伝播する)、反対方向に伝播する構成(つまりポンプと入力信号がREDFを経て反対の方向に伝播する)を用いることも可能である。さらに、数多くのREDFAがタンデム(tandem)に配置されてもよく、それは高出力多段システムの全体の利得を増加させる技術でよく知られている方式である。ポンプエネルギーはREDFAの中で横断方向に結合されてもよい。
さらに、適当なよく知られた光共振器(例えば相隔たるファイバグレーティング)が与えられると、REDFはレーザとして機能してもよい。
複合REDF設計
図4Aに示すように、本発明の一態様によれば、LMA REDF12’は直径dのクラッド領域12.2に囲まれる直径dのコア領域12.1を含む。われわれは用語「大モードエリア(LMA)」を次のように定義する。LMAファイバのコアおよびクラッド領域は、従来のシングルモードファイバの有効モードエリアよりも本質的に大きい有効モードエリアを形成するように構成される。例えば、波長約1080nmで従来のシングルモードファイバは約50μmのモードエリアを持つが、同じ波長でLMAファイバは約100μmのモードエリアを持つ。同様に波長約1550nmで従来のシングルモードファイバは約80μmのモードエリアを持つが、同じ波長でLMAファイバは約160μmのモードエリアを持つ。これらの実例は、LMAファイバが同じ波長でシングルモードファイバの2倍の大きさのモードエリアを持つことを示唆しているが、他の比率もLMA REDFの特定用途および所望の能力に対して適している。
コア領域12.1の屈折率はΔnで表される屈折率差だけクラッド領域のそれよりも高い。図示しないが、外側クラッド領域の屈折率がコアと内側クラッド領域の屈折率の間であるように、クラッドが内側(「落ち込んだ」)クラッド領域と外側クラッド領域を含んでもよいことがよく知られている。
どちらの場合でも、コアとクラッド領域は信号源16(図1)からその内部に伝播する入力信号放射の多重横断モードの伝播に対応するように構成される。本発明の一態様によれば、REDF12’は、図2に示すように、複合ファイバであって、それには異なる特性を持つ少なくとも2つの軸方向部分、すなわち、例えばLMA軸方向断熱部分12aによって互いに断熱的に結合されたLMA軸方向入力部分12iとLMA軸方向終端部分12tとを含むる。さらに、複合ファイバ12’はその入力端(図示しない)、あるいは出力終端(図2に示すように)、あるいはそれら両方にLMA終端部分を含んでもよい。
特に、ある意味で、終端部分および入力部分はそれぞれ図4Bおよび4Cに示すように異なる横断屈折率プロファイル(transverse refractive index profile)という異なる特性を持つ。一般に、終端部分12tのコア領域の横断屈折率プロファイルは、入力部分12iのそれよりもより一定である。一定の程度は、例えば、プロファイル形状のフーリエ変換の高周波成分によって測定される。こうして、フーリエ変換が高周波成分をほとんど含まないプロファイルはフーリエ変換がより多くの高周波成分を含むプロファイルよりもより一定であると考えられる。単純なプロファイルの相対的な一定性の視覚的観察は、しばしばこの形式の定量的解析と一致する。例えば、図4Bは終端部分12tのコア領域のプロファイルが基本的に一定の横断屈折率を示すので、そのフーリエ変換には高周波成分が少ないが、それに対して図4Cは入力部分12iのコア領域のプロファイルが横断屈折率に顕著な中央部くぼみを示すので、そのフーリエ変換にはより多くの高周波成分を含んでいる。このように、図4Cに示すように、入力部分12iにおいてコア領域12.1の横断屈折率プロファイルは半径方向には一定ではなく、つまり、図4Dに示すようにコア領域12.1の中心あるいはその近傍で屈折率プロファイルがΔnの量だけ減少する顕著なくぼみ12.1dを屈折率プロファイルが示すということである。反対に、図4Bに示すように、終端部分12tではコア領域の屈折率プロファイルはより一定(あるいは半径方向に一定)に近い。
さらに、入力部分12iは複数の横断モードに対応するように構成される。
顕著な横断屈折率のくぼみ12.1dの特性を設計する場合、われわれはくぼみのΔnの大きさがΔn(コア対クラッドの屈折率差)の約100%よりも大きくないようにする。コアおよび/あるいはクラッド領域に加えられるGe、P、Al、あるいはFのような屈折率を変化させる何らかのドーパントと同様に、ΔnのサイズはREDFの希土類ドーパントに依存する。例えば、YbドープしたファイバではΔn〜0.005、それに対してEr:YbドープしたファイバではΔn〜0.01である。逆に、くぼみの大きさはΔnの約5%よりも小さくすべきではない。以下に議論されるように、範囲の下限は主として純ガウス分布から横断モード形状を十分に揺らがせるための必要性によって決定される。反対に、幅あるいはくぼみの直径dは、おおよそシステムで使われる光の最小波長よりも大きくあるべきである(例えば、一般に信号波長よりも短いポンプ波長より長い)。逆に、くぼみの最大幅dはコア領域12.1の直径dに等しくてもよいが、一般に約d/3である。これらの条件の目的は、くぼみによって生成される屈折率の中で光に揺らぎを「生じさせる」ということである。さらに、くぼみは円錐状として描かれるが、より複雑な形状と同様に、他の幾何学的形状(例えば円筒形)であってもよい。
別の意味で、終端および入力部分はそれらのMパラメータが互いに異なるという異なった特性を持つ。ここでMは、参考文献として取り上げるP.A.Belangerの「Optical Engineering」(Vol.32、No.9、第2107頁乃至第2109頁(1993))に記されるように、ファイバの基底横断モードが理想的なガウス関数に対して持つ同一性を定義する(この文献はステップインデックス型光ファイバの基底モードLP01に対するMを定義しているが、この定義は、ここに述べるタイプの横断屈折率プロファイルに中心部くぼみを持つファイバを含むすべての光ファイバに対して有効である)。特に、入力部分12iはパラメータM によって特徴付けられ、終端部分12tはパラメータM によって特徴付けられ、以下の不等号性が満足される。
>1.0および M <<M
好ましい実施例においては、M >>1.0およびM 〜1.0である。理論的には、Mは任意の大きさでよいが、実際にはREDFのMは通常およそ1<M<10である。さらに、M〜1.06は、例えば、M 〜1.0からすると一般に小さいと考えられ、それに対してM〜1.3は、例えば、M >>1.0からすると大きいと考えられる。
さらに、入力部分12iおよび終端部分12tは、例えば図2に示されるように、LMA断熱部分12aの方法によって互いに断熱的に結合される。一般に、そして反対に、そのような結合器は、入力部分の中を特定の横断モード(transverse mode)で伝播するエネルギーが終端部分の他の横断モードとそれほど顕著には結合しないことを保証している。技術的にはよく知られている断熱的な結合技術と設計は、直径が結合領域に沿って軸方向に滑らかに増加(あるいは減少)するように物理的にコア領域を先細にする、あるいはドーパントの密度が結合領域に沿って軸方向に徐々に増加(あるいは減少)するようにドーパントの濃度を化学的に少しずつ変化させることを含む。後者の場合、好ましい技術は所望のドーパント分布が得られるように(i)ドーパントをファイバ中に拡散させるために(例えば従来型のトーチにより)REDFを加熱する、(ii)ファイバに沿うトーチの長手方向の位置でファイバに加えられる熱量を制御して変化させることを含む。
各部分のMパラメータ設計の組合せ、およびそれらの間の断熱的遷移を用いることは、入力部分から終端部分まで、基底横断モードの結合を改善し、より高次の横断モードへの結合を顕著に減少させる。
本発明の他の利点は、これまで述べた理論が融着接続(異なるシングルモードファイバを結合するための典型的な従来技術の方法)をしない場合でも適用できる。例えばREDFの終端部分とバルク(ファイバでない)の光学要素(例えば望遠鏡)を結合するときに適当なレンズあるいはレンズシステムを使って自由空間でそれを達成できることである。
上に議論された波長範囲で使われる技術的によく知られた代表的なシリカベースのREDFで、コア領域12.1は少なくとも1つの希土類元素(例えば、Er、 Yb、 Tb、 Tm、 Nd、および/あるいは Pr)と、Ge、PあるいはAl(屈折率を増加させる)あるいはF(屈折率を減少させる)のような1つ以上の屈折率を変化させる物質がドープされる。クラッド領域12.2は純シリカでもよく、あるいはドープされてもよい。具体的には、ドーピングレベルはコアとクラッドの間の屈折率の段差Δnが、先に議論したように、使われるドーパントにより0.005から0.01の範囲にわたり、入力部分の屈折率のくぼみΔnがおよそΔnと同じ大きさになるように選ばれる。
さらに、多重横断モードに対応するファイバについて、コア直径dは具体的には約20μmである。そのようなファイバの外径dは、一般におよそ125μmから600μmの範囲にある。さらに、入力部分12iはファイバ12’の全長の大部分であり、それに対して終端部分12tはかなり小さな部分である。具体的には終端部分は長さが約500μm未満であり、それに対して入力部分は具体的には長さが1mあるいは1kmのオーダである。
ファイバの終端処理
上に述べたように、Mが高くなったファイバは局部的にファイバのMを減少させるドーパントの拡散を促すために局部的に加熱することが出来る。ファイバを十分な温度(例えば、融着接続温度である約2000度C付近)に加熱すると、屈折率を変化させるドーパントの十分な拡散が促進され、それによってファイバの横断屈折率プロファイルに十分な変化を生じさせる。そのようなドーパントの拡散は、中央部のくぼみ、うね、あるいはその他の基底LP01モードのMを増加させる屈折率プロファイルの特性を抑制するために用いられる。本発明の多くの(すべてではない)実施例において、基底横断LP01モードのMFD(モードフィールド径)は、実際に次の加熱による拡散によって減少する。
本発明においては、線引きされたファイバは中央部のくぼみ、あるいはファイバのLP01基底モードのMを上昇させる他の屈折率プロファイル特性を抑制するドーパントの拡散を促進させるために、部分的に高温(>>1200度C)に加熱される。図5の曲線5.1は、Er:Ybをドープし初期MFD(従来型の「Petermann II」定義による)が13.4μmであり、初期M〜1.32である線引された状態のファイバの屈折率プロファイルの理論値を示す。著しい中央部のくぼみが、この模擬屈折率プロファイルに見られる。そのような設計のファイバを約25秒間、約2100度Cに加熱すると、最終的なMFDが13.3μmで初期のMが約1.0に減少(改善)されるように屈折率プロファイル(曲線5.2)を修正することが期待される。この修正をファイバ12’(図2)の終端部分12tに適用すると、使われている(従来形式の融着接続、コネクタ接続、自由空間接続、GRINファイバレンズなど)結合技術に関係なくこのファイバへの、あるいはファイバからの結合効率を顕著に改善できることが期待できる。それに対応する横断LP01モードフィールド形状が図6に示される。
この特別な例で、LP01基底モードで導かれたパワーの投入量に対して線引された状態のファイバのピーク光強度は熱処理したファイバに生じるピーク光強度の約37%に過ぎないことに注目することが重要である。したがって、図5(曲線5.1)に示される横断屈折率プロファイルを持つように設計された光ファイバが図5(曲線5.2)に示される拡散した屈折率プロファイルを生じるように部分的に熱処理された部分12tで各端部を終端処理されると、大半のファイバで認められるピーク光強度はかなり低く、好ましくない非線形光効果(例えば、誘導ブリリュアン散乱、あるいは誘導ラマン散乱)が始まる閾値はかなり高いと予想される。一方、終端部分12tのMは1.0に近づくので、結合効率はファイバの終端点でたいへんよくなる。光強度はファイバの熱処理した終端部分の短い(<約500μm)領域内でのみ高くなると予想される。有害な非線形光効果はファイバ部分の長さと同様ピーク強度に対応するので、高い光強度はファイバの短い終端部分全体にわたって許容される。
ファイバの終端部は従来の融着接続器を用いて加熱することが出来る。ファイバが熱処理された領域内の被覆を除去されたり、あるいは研磨されるならば、線引された状態のファイバのLP01モードフィールド形状がまさに非ガウス分布であるファイバのLP01基底横断モードへの効率のよい光結合を得るために自由空間結合(例えば、従来から行われているバルクのレンズによって)が使われる。あるいは、熱処理は融着接続工程の一部として採用されうる。図6(曲線6.1)の線引された状態の(熱処理されていない)ファイバのMFDに適合するガウス場の間の予測される結合損失は約0.7dBであり、それに対して熱処理されたファイバ(曲線6.2)について予測される結合損失は約0.01dBよりも小さい。さらに、ガウス分布エネルギーの10%以上が線引された状態のファイバの好ましくないLP02モードに結合されるのに対して、熱処理されたファイバのLP02モードに結合されるエネルギーの量は測定可能な範囲外である。
ファイバの熱処理した領域、および線引された状態の領域の間の遷移領域のLP01基底モードからエネルギーが失われないことを確実にするために、先に議論されたように遷移は徐々に、かつ断熱的に行われるべきである。遷移領域における屈折率プロファイルの変化はファイバの長手方向に沿って極めて緩やかでなければならない。加熱によるドーパントの拡散により遷移領域を作る場合、緩やかな遷移はファイバの長さ方向に沿う遷移領域に加えられる熱量を変化させる、例えば広幅の(例えば扇形に広げた)熱源を選択する、あるいはより集中的な熱源を遷移領域に沿って走査させることにより達成される。
当該技術のよく知られた理論によれば、この変化がどのくらい緩やかに生じなければならないかは詳細な屈折率プロファイルと動作波長に依存する。実験に基づく処理の最適化と同様に、遷移損失が最小になるための適切な加熱条件を探すために屈折率プロファイルに基づく数値シミュレーションも容易に行うことが出来る。
動作理論
LMAの基底横断モードがM>1.0であるとき、その結合損失(自由空間あるいは融着接続)が高くなり、ファイバから出射される基底横断モード入力信号は小さなスポットサイズに集中させたり、容易に平行化させたりすることが出来ない。しかし、高いM(>1.0)を持つことはある種の利点がある。特に、基底横断モードがより大きなMの値を持つファイバは、より大きな有効モード断面積、したがって同じコア径でより低いMのファイバよりも低いピーク光強度を示す。その結果として、高いMのファイバはSBS(誘導ブリリュアン散乱)およびSRS(誘導ラマン散乱)のような好ましくない光学的非線形性の開始に対してより高い閾値を示す。この利点に加えて(例えば、図4Cに示す入力ファイバ部分12iのコア領域屈折率プロファイルの顕著な中央部くぼみによる)高いMを持つファイバは、コア領域の希土類ドーパントと、コア領域を伝播する入力信号の基底横断モードフィールドとの間に極めて良い一致を示す。したがって、高いMのファイバを設計することにより基底横断モードの増幅効率を増加させ、好ましくない高次横断モードの増幅を低減させることが出来る。
これらの利点は図5−6により明らかであって、それは3つのLMAファイバ:高いMを持つ理論的な線引された状態のファイバ(曲線5.1、6.1)、同じく高いMを持つ理論的な一定のステップインデックスファイバ(曲線5.3、6.3)、およびMを低減するために熱処理されたファイバ(曲線5.2、6.2)を比較している。図5でそれらの屈折率プロファイルが比較され、図6でそれらの1550nmにおける対応する基底LP01横断モード光強度プロファイルが比較されている。線引された状態のファイバ、およびステップインデックスファイバの光強度は、その両方が同じ量の光パワーを表すようにファイバの熱処理部分のピーク強度に正規化されている
さらに具体的にいうと、例えば図2の入力ファイバ部分12iに対応する線引された状態のファイバは、(先に数値化されたように)コア領域の横断屈折率に顕著な中央部くぼみを、その結果として約1.32の高い基底モードMと約259μmのかなり大きな有効モード断面積を示す。線引された状態のファイバと一定なステップインデックスファイバの両方ともに、Δn〜0.01およびdc〜20μmであった。しかしながら、一定のステップインデックスファイバは基底モードMが約1.05であり、有効断面積が減少して約200μmであった。図6は高いMを持つファイバのコア領域屈折率プロファイルと強度プロファイルの間の極めて良い一致を例示するために、正規化された強度分布をこれらのファイバの屈折率プロファイルと比較している。
一方、例えば図2の終端ファイバ部分12tに対応する熱処理したファイバでは、熱処理は1.32から約1.0に改善された(低減された)Mをもたらし、有効モード断面積を259μmから139μmに低減し、ピーク光強度を約0.37から1.0に増加させ、かつよく知られた「ピーターマンII」MFD(線引された状態のファイバおよび熱処理ファイバのいずれに対しても約13.3μm)を実質的には変化させなかった。理想的な一定のステップインデックスプロファイルの屈折率プロファイルと対応する正規化された強度分布が、同じく比較のために示されている(曲線5.3、6.3)。
最後に、図7は図5−6と併せて上記の線引きされた状態のファイバ(曲線5.1、7.1)および理想的な一定のステップインデックスファイバ(曲線5.3、7.3)の基底横断モードおよび屈折率プロファイルの間の重なりを比較している。屈折率プロファイルと光強度はそれぞれ個々に正規化されている。図7は、ステップインデックスファイバの外側コア領域の大部分は相対的に光強度が低いのに対して線引された状態のファイバの大部分は光強度がより高いことを示している。したがって、線引された状態のファイバは横断モードフィールドと希土類ドーパントとの間によりよい一致を持っていて、それは線引された状態のファイバもまたよりよい増幅効率を示すことを意味している。
他の実施例
上記の処理は本発明の理論の応用を説明するために考えられる多くの具体的な実施例の単なる例示であることを理解するべきである。当業者には、多くのかつ異なる他の処理が本発明の精神と範囲から逸脱することなくこれらの理論に従って考えられ得る。
特に、図3に示すように、LMA光ファイバ12’’はLMA断熱結合器12aにより入力部分12iに断熱的に結合されているLMA終端部分12tに加えて、ファイバの端部の間に位置するLMA中間部12mを含んでもよい。中間部分12mもまた例えばLMA断熱結合器12aおよび12aによって入力部分12iに断熱的に結合される。端末部分12iと同様に、中間部分12mは入力部分12iのそれよりも小さく好ましくは1.0に近い基底横断モードMを持つ。そのような中間部分12mの1つの用途は、好ましくない高次の横断モードを除去することである。
さらに、われわれは本発明をEDFA用途との関連で述べてきたが、その用途はEDF(例えばファイバレーザ)との結合が必要な、いかなる装置へも拡張できることを当業者は容易に認識するであろう。
従来技術によるREDFAのブロック図である。 本発明の一実施例による入力部12i、断熱結合部分12a、および低M終端部分12tを示す光ファイバ12’の概念図である。 本発明の他の実施例による1組の断熱結合部分12a、および12aの間に配された別の低M部分12mを示す光ファイバ12’’の概念図である。 伝播軸に沿ったREDFの断面概念図である。 本発明のさらに別の実施例による図4Aに示されるREDF終端部分の横断屈折率プロファイルの概念図である。 本発明のさらに別の実施例による図4Aに示されるREDF入力部分の横断屈折率プロファイルの概念図である。コア領域の中心部あるいはその近傍の顕著なくぼみを示している。 図4Cのコア領域の屈折率プロファイル概念図の顕著なくぼみの拡大図である。 線引された状態のファイバ(曲線5.1)、熱処理したファイバ(曲線5.2)、および一定なステップインデックス型ファイバ(曲線5.3)の半径方向の位置に対するコア−クラッド横断屈折率段差(Δn)のグラフを表す図である。 線引された状態のファイバ(曲線6.1)、熱処理したファイバ(曲線6.2)、および一定なステップインデックス型ファイバ(曲線6.3)の基底横断モード(LP01)の正規化された光強度のグラフを表す図である。 顕著な中央部くぼみを持つファイバ、および一定なステップインデックスファイバの半径方向の位置に対する正規化された光強度のグラフを表す図である。基底横断モードと図5のファイバ設計の線引された状態のファイバ(曲線7.1)、および一定なステップインデックス型ファイバ(曲線7.3)の屈折率プロファイルの一致を比較している。
符号の説明
10 REDFA
12 REDF
12.1 コア領域
12.2 クラッド領域
12.1d くぼみ
14 ポンプ結合器
16 光入力信号源
18 ポンプ源
20 利用機器
12’、12’’ LMA REDF
12a LMA軸方向断熱部
12i LMA軸方向入力部分
12t LMA軸方向終端部分
12m LMA中間部

Claims (14)

  1. 少なくとも1つの希土類元素がドープされ横断的屈折率プロファイルを有する断面を有するコア領域と、
    前記コア領域に接するクラッド領域とを有する希土類をドープした多重横断モード光ファイバであって、
    前記コア領域およびクラッド領域が、前記コア領域で多重横断モード光信号放射に対応するように構成され、
    前記ファイバは、前記プロファイルが半径方向に一定でなく屈折率の半径方向のくぼみによって特徴付けられ、そして2以上の前記横断モードに対応する第1の軸方向部分を含み、
    前記ファイバは、前記第1の部分と光学的に結合された第2の軸方向部分を有し、前記第2の部分のプロファイルは、前記第1の部分のプロファイルよりも一定であり、そして、
    前記第1及び第2の部分は互いに断熱的に結合されていることを特徴とするファイバ。
  2. が前記ファイバの基底横断モードが理想的なガウス分布関数である類似性を定義するとき、前記第1の部分がパラメータM によって特徴付けられ、前記第2の部分がパラメータM によって特徴付けられ、M >1.0かつM <<M であることを特徴とする請求項1に記載のファイバ。
  3. >>1.0かつM 〜1.0であることを特徴とする請求項2に記載のファイバ。
  4. 前記第1の部分が前記ファイバの長さの主要部分を構成し、前記第2の部分が前記ファイバの終端部分を構成することを特徴とする請求項1に記載のファイバ。
  5. 前記ファイバが前記第1の部分に光学的に結合される第3の軸方向部分を含み、前記第3の部分のプロファイルが前記第1の部分のプロファイルよりもより一定で、且つ前記第1の部分に断熱的に結合され、前記第2の部分が前記第1の部分の一端部に配され、前記第3の部分が前記第1の部分の反対側の端部に配されることを特徴とする請求項4に記載のファイバ。
  6. 前記コア領域の前記プロファイルがΔnの屈折率くぼみを示し、それが前記コア領域と前記クラッド領域の間の横断屈折率差Δnのおよそ5−100%であることを特徴とする請求項1に記載のファイバ。
  7. 前記ファイバが基底横断モードで前記信号放射を伝播するように構成されることを特徴とする請求項1に記載のファイバ。
  8. 前記第1の部分が前記ファイバの長さの主要部分を構成し、前記第2の部分が前記ファイバの中間部分を構成することを特徴とする請求項1のファイバ。
  9. 前記コアおよびクラッド領域が大モードエリアファイバを形成するように構成されることを特徴とする請求項1に記載のファイバ。
  10. 加えられる光ポンプエネルギーに応じて前記信号放射を増幅する請求項1による光ファイバと、前記ポンプエネルギーの発生源と、前記ポンプエネルギーと前記光信号を前記光ファイバに結合する結合器とを含むことを特徴とする光増幅器。
  11. 前記光信号が第1の中心波長を有し、前記ポンプエネルギーの発生源が第2の中心波長を有する光ポンプ信号を発生するLEDを含むことを特徴とする請求項10に記載の増幅器。
  12. 少なくとも1つの希土類元素がドープされ、断面が横断屈折率プロファイルであり、加えられる光ポンプエネルギーに応じてその中を伝播する光入力信号を増幅するように構成されたコア領域と、前記コア領域に接するクラッド領域と、前記コアとクラッド領域が前記コア領域内の光放射の多重横断モードに対応するように構成されており、前記プロファイルが半径方向に一定でなく屈折率の半径方向のくぼみによって特徴付けられた2つ以上の横断モードに対応する第1の軸方向部分と、前記第1の部分に光学的に結合され、前記第1の部分よりもより一定なプロファイルと、前記第1の部分の特定の横断モード中を伝播するエネルギーが他の横断モードに顕著には結合されないように互いに断熱的に結合された第2の軸方向部分と、を含む多重横断モードで大モードエリアである光ファイバであって、Mが前記ファイバの基底横断モードが理想的なガウス分布関数である類似性を定義するとき、前記第1の部分がパラメータM により特徴付けられ、前記第2の部分がパラメータM によって特徴付けられ、M >1.0、およびM <<M であって、前記第2の部分が前記第1の部分の入力端、前記第1の部分の出力端のいずれか、あるいはその両方に配されており、前記光信号の波長とは異なる中心波長において前記光ポンプエネルギーを発生するLED、および前記ポンプエネルギーを前記ファイバに結合するためのポンプコンバイナ(結合器)とを含むことを特徴とする、高出力光増幅器。
  13. >>1.0かつM 〜1.0であることを特徴とする請求項12に記載の増幅器。
  14. 前記コア領域の前記プロファイルがΔnの屈折率くぼみを示し、それは前記コア領域と前記クラッド領域の間の横断屈折率差Δnのおよそ5−100%であることを特徴とする請求項12に記載の増幅器。
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