JP2007164909A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メモリチップ103は、BIST回路132によりメモリセルの欠陥の有無をテストするためのテスト用データを生成してシステムチップ104へ出力する一方、システムチップ104は、メモリセルをデータの記憶用として利用する場合に当該データを出力し、メモリセルの欠陥の有無をテストする場合に入力されたテスト用データをメモリセルに記憶させるデータとしてメモリチップ103へ出力し、一致不一致回路136又は一致不一致回路142により、メモリアレイ130から読み出したテスト用データに基づいてメモリセルの欠陥の有無を判定する。
【選択図】図3
Description
一方の入力端子のレベルに関わらずローレベルの信号Sを出力する。出力された信号Sは、展開回路134、及び選択回路139にそれぞれ入力される。
103 メモリチップ
102 配線チップ
104 ASIC
110 接続パッド
116 接続パッド
120 金属配線
132 BIST回路
136、142 一致不一致回路
Claims (5)
- データを記憶するメモリセルを有する記憶手段、前記メモリセルに記憶させるデータが入力される記憶データ入力端子、前記メモリセルの欠陥の有無をテストするためのテスト用データを生成するテストデータ生成手段、及び前記テストデータ生成手段により生成された前記テスト用データが出力されるテストデータ出力端子を有するメモリチップと、
前記テストデータ出力端子と第1配線により電気的に接続されて前記テスト用データが入力されるテストデータ入力端子、及び前記記憶データ入力端子と第2配線により電気的に接続されて前記メモリセルをデータの記憶用として利用する場合に当該データが出力され、前記メモリセルの欠陥の有無をテストする場合に前記テストデータ入力端子より入力された前記テスト用データが前記メモリセルに記憶させるデータとして出力される記憶データ出力端子を有するシステムチップと、
前記テストデータ生成手段により生成されて前記1配線及び前記第2配線を介して前記メモリセルに記憶された前記テスト用データに基づいて前記メモリセルの欠陥の有無を判定する判定手段と、
を備えた半導体装置。 - 前記判定手段が前記メモリチップに設けられた請求項1記載の半導体装置。
- 前記判定手段が前記システムチップに設けられ、
前記メモリチップは、前記メモリセルから読み出されたデータが出力される読出データ出力端子をさらに有し、
前記システムチップは、前記読出データ出力端子と第3配線により電気的に接続されて前記読出データが入力される読出データ入力端子をさらに有し、
前記判定手段は、前記メモリセルから読み出されて前記3配線を介して前記読出データ入力端子に入力された前記テスト用データに基づいて前記メモリセルの欠陥の有無を判定する
請求項1記載の半導体装置。 - 前記メモリチップは、前記テストデータ生成手段により生成された前記テスト用データを前記メモリセルに記憶させる制御を行う記憶制御手段をさらに備えた請求項1乃至請求項3の何れか1項記載の半導体装置。
- 前記メモリチップは、データを前記メモリセルに記憶させるために前記記憶手段の記憶動作を制御する制御信号が入力される制御信号入力端子、前記テスト用データを前記メモリセルに記憶させるためのテスト用の制御信号を生成するテスト用制御信号生成手段、及び前記テスト用制御信号生成手段により生成されたテスト用の制御信号が出力されるテスト用制御信号出力端子をさらに有し、
前記システムチップは、前記テスト用制御信号出力端子と第4配線により電気的に接続されて前記テスト用の制御信号が入力されるテスト用制御信号入力端子、及び前記制御信号入力端子と第5配線により電気的に接続されて前記メモリセルをデータの記憶用として利用する場合に当該データを前記メモリセルに記憶させるための前記制御信号が出力され、前記メモリセルの欠陥の有無をテストする場合に前記テスト用制御信号入力端子より入力された前記テスト用の制御信号が出力される制御信号出力端子をさらに有する
請求項1乃至請求項4の何れか1項記載の半導体装置。
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