JP2007158255A - Retainer ring and wafer polishing apparatus - Google Patents
Retainer ring and wafer polishing apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007158255A JP2007158255A JP2005355208A JP2005355208A JP2007158255A JP 2007158255 A JP2007158255 A JP 2007158255A JP 2005355208 A JP2005355208 A JP 2005355208A JP 2005355208 A JP2005355208 A JP 2005355208A JP 2007158255 A JP2007158255 A JP 2007158255A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- retainer ring
- polishing
- polishing pad
- polishing cloth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
本発明は、リテーナリング及びウエーハ研磨装置に関し、特に、研磨屑の発生を低減できるようにした技術に関する。 The present invention relates to a retainer ring and a wafer polishing apparatus, and more particularly to a technique capable of reducing generation of polishing scraps.
図8は、従来例に係るウエーハ研磨装置400の構成例を示す断面図である。図8に示すウエーハ研磨装置400は、ウエーハWの表面をCMP(chemical mechanical polish)処理する装置であり、図示しない回転軸を軸に回転可能な研磨テーブル91と、研磨テーブル91上に貼り付けられた研磨布92と、研磨テーブル91上でウエーハWの周囲をガイドするリテーナリング93と、ウエーハWとリテーナリング93とを研磨布92上に押さえ付け、この状態でウエーハWとリテーナリング93とをウエーハWの中心を通る垂線aを軸に回転させる回転ヘッド94及びスピンドル95と、研磨布92上に研磨剤スラリを供給するノズル(図示せず)と、を含んだ構成となっている。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a configuration example of a
このウエーハ研磨装置400を用いて、ウエーハWの表面を研磨する場合には、図示しないノズルから研磨布92上に、水と一緒に研磨剤スラリを吐出させる。次に、回転ヘッド94により、リテーナリング93およびウエーハWを研磨布92上に押しつける。そして、ウエーハWの周囲をリテーナリング93でガイドしながら、研磨テーブル91を図示しない回転軸を中心に回転させる(即ち、公転させる)と共に、回転ヘッド94をウエーハの表面を通る垂線aを軸に回転させる(即ち、自転させる)。このような研磨テーブル91の公転と回転ヘッド94の自転とによってウエーハWの表面は研磨布92によって削られ、研磨される。
When the
また、このウエーハ研磨装置400では、ウエーハWおよびリテーナリング93を研磨布92上に押し付ける際に、ウエーハWを押圧する力よりもリテーナリング93を押圧する力の方が大きくなるように設定されている。これは、ウエーハW表面の研磨量の均一性を向上させるためである。研磨布92のリテーナリング93と接する部分を大きく沈み込ませることによって、研磨布92のウエーハWと接する部分は伸張され、それゆえ、ウエーハWの表面に研磨布92を均一に当てるようにすることができる。
ところで、図8に示したウエーハ研磨装置400では、リテーナリング93を研磨布92上に強く押さえつけ、この状態でリテーナリング93をウエーハWと共に回転させていた。このため、リテーナリング93の底面はその押さえ付けられる力と回転数とに比例して強く研磨され、その研磨屑が研磨テーブル91上に大量に放出されてしまうという問題があった。リテーナリング93から大量の研磨屑が出されると、その一部がウエーハWと研磨布92との間に入り込んでウエーハWの表面に小さな傷(即ち、マイクロスクラッチ)を生じさせてしまうおそれがある。
By the way, in the
そこで、この発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、研磨屑の発生を低減できるようにしたリテーナリング及びウエーハ研磨装置の提供を目的とする。 Therefore, the present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a retainer ring and a wafer polishing apparatus that can reduce generation of polishing debris.
〔発明1〕 上記目的を達成するために、発明1のリテーナリングは、ウエーハを研磨パッドに押し当てて研磨する際に当該ウエーハの周囲の該研磨パッド上に配置されるリテーナリングであって、当該リテーナリングの前記研磨パッドと接触する部分は、前記ウエーハの中心を通る垂線を軸に前記研磨パッド上を回転移動することが可能な複数個の転動体からなることを特徴とするものである。このような構成であれば、リテーナリングと研磨パッドとの間に働く摩擦力は転動体の回転動作によって軽減されるので、リテーナリングからの研磨屑の発生を低減することができる。これにより、ウエーハ表面でのマイクロスクラッチの発生を抑えることができる。
[Invention 1] In order to achieve the above object, the retainer ring of
〔発明2〕 発明2のリテーナリングは、発明1のリテーナリングにおいて、前記複数個の転動体を回転可能に、且つ当該転動体同士を互いに接触させないように個々に保持する保持器、を備えることを特徴とするものである。このような構成であれば、転動体同士の間隔を常に一定に維持することができ、転動体の位置に偏りが生じないようにすることができるので、研磨パッドのウエーハと接する部分をムラ少なく伸張させることができる。
[Invention 2] The retainer ring according to
〔発明3〕 発明3のリテーナリングは、発明2のリテーナリングにおいて、前記転動体は「円すいころ」であることを特徴とするものである。このような構成であれば、発明4と比べて、転動体と研磨パッドとの接触面積をより広く確保することが容易である。
[Invention 3] The retainer ring of Invention 3 is characterized in that, in the retainer ring of
〔発明4〕 発明4のリテーナリングは、発明2のリテーナリングにおいて、前記転動体は「玉」であることを特徴とするものである。このような構成であれば、転動体は水平面内の任意の方向に回転移動することが可能であるため、発明3と比べて、リテーナリングと研磨パッドとの間に働く摩擦力をさらに軽減することが可能である。
[Invention 4] The retainer ring of Invention 4 is characterized in that, in the retainer ring of
〔発明5〕 発明5のウエーハ研磨装置は、発明1から発明4の何れか一のリテーナリングにおいて、研磨パッドと、前記リテーナリングとウエーハとを前記研磨パッドに押し当てながら当該ウエーハの中心を通る垂線を軸に回転する回転ヘッドと、を備えることを特徴とするものである。このような構成であれば、発明1から発明4の何れか一のリテーナリングが応用されるので、リテーナリングからの研磨屑の発生を低減することができ、ウエーハ表面でのマイクロスクラッチの発生を抑えることができる。
[Invention 5] The wafer polishing apparatus according to
〔発明6〕 発明6のウエーハ研磨装置は、ウエーハを研磨パッドに押し当てて研磨する際に当該ウエーハの周囲の該研磨パッド上に配置されるリテーナリングと、前記リテーナリングと前記ウエーハとを前記研磨パッドに押し当てながら当該ウエーハの中心を通る垂線を軸に回転する回転ヘッドと、前記回転ヘッドと前記リテーナリングとの間に設けられたベアリング機構と、を備え、前記ベアリング機構は、前記ウエーハの中心を通る垂線を軸に前記リテーナリング上を回転移動することが可能な複数個の転動体、を備えることを特徴とするものである。ここで、リテーナリングは、回転ヘッドによって押し当てられる力と、その回転数(即ち、回転速度)とに比例して強く研磨される傾向がある。 [Invention 6] The wafer polishing apparatus according to Invention 6 includes a retainer ring disposed on the polishing pad around the wafer when the wafer is pressed against the polishing pad to polish the retainer ring and the wafer. A rotating head that rotates around a vertical line passing through the center of the wafer while pressing against the polishing pad, and a bearing mechanism provided between the rotating head and the retainer ring, the bearing mechanism including the wafer A plurality of rolling elements capable of rotating on the retainer ring about a perpendicular line passing through the center of the retainer ring. Here, the retainer ring tends to be strongly polished in proportion to the force pressed by the rotary head and the number of rotations (that is, the rotation speed).
発明6のウエーハ研磨装置によれば、回転ヘッドが回転している間は、ベアリング機構の転動体がリテーナリング上を回転移動する。従って、回転ヘッドの回転数よりもリテーナリングの回転数を少なくすることができ、リテーナリングからの研磨屑の発生を低減することができる。これにより、ウエーハ表面でのマイクロスクラッチの発生を抑えることができる。 According to the wafer polishing apparatus of the sixth aspect, the rolling element of the bearing mechanism rotates on the retainer ring while the rotary head is rotating. Therefore, the number of rotations of the retainer ring can be made smaller than the number of rotations of the rotary head, and the generation of polishing dust from the retainer ring can be reduced. Thereby, generation | occurrence | production of the micro scratch on a wafer surface can be suppressed.
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
(1)第1実施形態
図1は、本発明の第1実施形態に係るウエーハ研磨装置100の構成例を示す断面図である。
このウエーハ研磨装置100は、例えばウエーハの表面をCMP(chemical mechanical polish)処理する装置である。図1に示すように、このウエーハ研磨装置100は、研磨テーブル1と、研磨布2と、回転ヘッド4と、スピンドル5と、メンブレン9と、リテーナリング10と、研磨布2上に研磨剤スラリを供給するノズル(図示せず)と、を含んだ構成となっている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
(1) 1st Embodiment FIG. 1: is sectional drawing which shows the structural example of the
The
研磨テーブル1は、図示しない回転軸に結合され、この回転軸を中心に回転(即ち、公転)できるようになっている。また、研磨布2は、研磨テーブル1上に貼り付けられている。そして、研磨布2が貼り付けられた研磨テーブル1の上方には、ウエーハWおよびリテーナリング10を研磨布2上に押さえ付ける回転ヘッド4が設けられている。
図1に示すように、回転ヘッド4とウエーハWとの間には、ウエーハWの押圧を調整するメンブレン9が挿入されている。メンブレン9は、例えば、ゴムなどで構成されている。また、研磨の対象となるウエーハWとしては、例えば、Al、Cu、多結晶シリコンなどの配線層、シリコン酸化膜やシリコン窒素膜などの絶縁層などが形成された半導体ウエーハWやガラスウエーハWなどを挙げることができる。回転ヘッド4は、スピンドル5に結合され、ウエーハWおよびリテーナリング10を研磨布2上に押さえ付けながら、ウエーハWの中心を通る垂線aを軸に回転(即ち、自転)できるように構成されている。
The polishing table 1 is coupled to a rotation shaft (not shown) and can rotate (i.e., revolve) around the rotation shaft. The
As shown in FIG. 1, a
リテーナリング10は、ウエーハWの周囲をガイド(即ち、水平方向への移動を抑制)するものであり、ウエーハWを研磨布2に押し当てて研磨する際に、このウエーハWの周囲の研磨布2上に配置される。図1に示すように、このリテーナリング10の研磨布2と接触する部分は、ウエーハWの中心を通る垂線aを軸に研磨布2上を回転移動することが可能な複数個の円すいころ12で構成されている。
The
図2は、リテーナリング10の底面の構成例を示す平面図である。図2に示すように、リテーナリング10は、複数個の円すいころ12と、これらの円すいころ12を回転可能に、且つ円すいころ12同士を互いに接触させないように個々に保持する保持器14と、これらの保持器14を支持する枠体16と、を含んだ構成となっている。
円すいころ12は、全て同一形状且つ同一寸法であり、径の小さい内輪12aをウエーハWの中心に向け、径の大きな外輪12bをウエーハWの中心から遠ざけるようにして配置されているので、回転時の外内輪差をほぼゼロにすることができ、外輪12bのスリップ等を防止することができる。円すいころ12は、例えばPEEK(ポリエーテルエーテルケトン)、PPS(ポリフェニレンサルファイド)又はセラミック等で構成されている。また、円すいころ12を保持する保持器14は、円すいころ12と同一の数だけ用意されており、1個の円すいころ12を1個の保持器14が保持するようになっている。これらの保持器14は、枠体16の底面(即ち、研磨布2と向かい合う面)側に一定の間隔で取り付けられている。図1に示すように、枠体16は回転ヘッド4に着脱可能に取り付けられている。
FIG. 2 is a plan view showing a configuration example of the bottom surface of the
The
次に、図1に示したウエーハ研磨装置100を用いてウエーハWの表面を研磨する場合について説明する。ウエーハWの表面を研磨する場合、研磨テーブル1上に研磨布2を貼り付け、研磨布2上に研磨剤スラリを吐出させる。そして、スピンドル5及び回転ヘッド4により、リテーナリング10およびウエーハWを研磨布2上に押さえ付け、ウエーハWの周囲をリテーナリング10でガイドしながら、研磨テーブル1および回転ヘッド4を回転させる。
Next, the case where the surface of the wafer W is polished using the
ここで、ウエーハWおよびリテーナリング10を研磨布2上に押し付けると、ウエーハWおよびリテーナリング10の押圧で研磨布2が圧縮されて沈み込みが発生する。このため、ウエーハWおよびリテーナリング10を研磨布2上に押し付ける場合、ウエーハWの押圧よりもリテーナリング10の押圧の方が大きくなるように、メンブレン9の厚みや材質などを調整する。これにより、研磨布2のリテーナリング10と接する部分が大きく沈み込み、研磨布2のウエーハWと接する部分は伸張されるので、ウエーハWの表面に研磨布2を均一に当てるようにすることができ、ウエーハW表面での研磨量の均一性を向上させることができる。
Here, when the wafer W and the
また、この第1実施形態では、リテーナリング10の研磨布2と接触する部分は複数個の円すいころ12で構成されており、あたかも「スラストベアリング状」となっている。回転ヘッド4が回転している間は、図示しないノズルから研磨剤スラリと共に大量の水が供給され、円すいころ12と保持器14との間には水が入りこんで潤滑状態(即ち、しめっていてなめらかな状態)となるので、円すいころ12は抵抗少なく回転することができる。
In the first embodiment, the portion of the
従って、リテーナリング10と研磨布2との間に働く摩擦力は円すいころ12の回転動作によって軽減される。これにより、図8に示したような従来の技術と比べて、リテーナリングからの研磨屑の発生を低減することができ、ウエーハW表面でのマイクロスクラッチの発生を抑えることができる。
この第1実施形態では、研磨布2が本発明の「研磨パッド」に対応し、円すいころ12が本発明の「転動体」に対応している。
Therefore, the frictional force acting between the
In the first embodiment, the polishing
(2)第2実施形態
第1実施形態では、本発明の「転動体」として円すいころ12を使用する場合について説明したが、本発明の「転動体」は円すいころに限定されるものではく、例えば、水平面内の任意の方向に回転移動することが可能な玉であっても良い。この第2実施形態では、「転動体」に玉を使用する場合について説明する。
(2) Second Embodiment In the first embodiment, the case where the tapered
図3は、本発明の第2実施形態に係るウエーハ研磨装置200の構成例を示す断面図である。図3において、図1と同一の構成及び機能を有する部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。図1に示すように、このウエーハ研磨装置200は、研磨テーブル1と、研磨布2と、回転ヘッド4と、スピンドル5と、メンブレン9と、リテーナリング20と、研磨布2上に研磨剤スラリを供給するノズル(図示せず)と、を含んだ構成となっている。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a configuration example of a
これらの中で、リテーナリング20は、ウエーハWの周囲をガイドするものであり、ウエーハWを研磨布2に押し当てて研磨する際に、ウエーハWの周囲の研磨布2上に配置されるものである。そして、リテーナリング20が備える転動体は、円すいころではなく、玉22となっている。
図4は、リテーナリング20の底面の構成例を示す平面図である。図4に示すように、リテーナリング20は、複数個の玉22と、これらの玉22を回転可能に、且つ玉22同士を互いに接触させないように個々に保持する保持器24と、これらの保持器24を支持する枠体26と、を含んだ構成となっている。玉22は、全て同一形状且つ同一寸法であり、例えばPEEK、PPS又はセラミック等で構成されている。また、玉22を保持する保持器24は、玉22と同一の数だけ用意されており、1個の玉22を1個の保持器24が保持するようになっている。これらの保持器24は、枠体26の底面(即ち、研磨布2と向かい合う面)側に一定の間隔で取り付けられている。図3に示すように、枠体26は回転ヘッド4に着脱可能に取り付けられている。
Among these, the
FIG. 4 is a plan view showing a configuration example of the bottom surface of the
このように、本発明の第2実施形態によれば、玉22は水平面内の任意の方向に回転移動することができ、回転ヘッド4から伝わる回転力と研磨テーブル1から伝わる回転力の両方の力を受けて研磨布2上を転がるようになっている。また、回転ヘッド4が回転している間は、図示しないノズルから研磨剤スラリと共に大量の水が供給され、玉22と保持器24との間には水が入りこんで潤滑状態となるので、玉22は抵抗少なく回転することができる。
As described above, according to the second embodiment of the present invention, the
従って、第1実施形態と比べて、リテーナリング20と研磨布2との間に働く摩擦力をさらに軽減することができ、リテーナリング20からの研磨屑の発生をよりいっそう低減することが可能である。この第2実施形態では、玉22が本発明の「転動体」に対応している。
なお、この第2実施形態では、図3に示したように、リテーナリング20の内側から外側にかけて玉22を一列だけ配置する場合について説明したが、玉22の配置は一列に限られることはない。例えば、図5に示すように、リテーナリング20の内側から外側にかけて玉22を三列配置しても良い。このような構成であれば、玉22と研磨布2との接触箇所を増やすことができ、玉22と研磨布2との接触面積の総和を増やすことができるので、研磨布2の伸張に有利である。
Therefore, compared with the first embodiment, the frictional force acting between the
In the second embodiment, as shown in FIG. 3, the case where only one row of
(3)第3実施形態
図6は、本発明の第3実施形態に係るウエーハ研磨装置300の構成例を示す断面図である。図6において、図1と同一の構成及び機能を有する部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。図6に示すように、このウエーハ研磨装置300は、研磨テーブル1と、研磨布2と、回転ヘッド4と、スピンドル5と、メンブレン9と、ベアリング機構30と、リテーナリング40と、研磨布2上に研磨剤スラリを供給するノズル(図示せず)と、を含んだ構成となっている。
(3) Third Embodiment FIG. 6 is a cross-sectional view showing a configuration example of a
ベアリング機構30は、複数個の円すいころ12と、これらの円すいころ12を回転可能に、且つ円すいころ12同士を互いに接触させないように個々に保持する保持器14と、これらの保持器14を支持する枠体16と、を含んだ構成となっている。枠体16は回転ヘッド4に着脱可能に取り付けられている。
図7は、リテーナリング40の上面の構成例を示す平面図である。図7に示すように、リテーナリング40の上面(即ち、円すいころ12と接触する面)には、円すいころ12をリテーナリング40上で転がすための軌道面41と、この軌道面41の両側端に設けられた内つば42と外つば43とが設けられている。そして、図6に示した回転ヘッド4が回転している間は、ベアリング機構30の円すいころ12は、内つば42と外つば43とにガイドされながら軌道面41上を転がるようになっている。
The
FIG. 7 is a plan view showing a configuration example of the upper surface of the
このように、本発明の第3実施形態によれば、回転ヘッド4が回転している間は、ベアリング機構30の円すいころ12がリテーナリング40上を回転移動するので、回転ヘッド4の回転数よりもリテーナリング40の回転数を少なくすることができ、リテーナリング40からの研磨屑の発生を低減することができる。これにより、ウエーハW表面でのマイクロスクラッチの発生を抑えることができる。この第3実施形態では、円すいころ12が本発明の「転動体」に対応している。
As described above, according to the third embodiment of the present invention, the tapered
1 研磨テーブル、2 研磨布、4 回転ヘッド、5 スピンドル、9 メンブレン、10,20,40 リテーナリング、22 玉、30 ベアリング機構、12 円すいころ、14,24 保持器、16,26 枠体、41 軌道面、42 内つば、43 外つば、100,200,300 ウエーハ研磨装置、W ウエーハ
DESCRIPTION OF
Claims (6)
当該リテーナリングの前記研磨パッドと接触する部分は、前記ウエーハの中心を通る垂線を軸に前記研磨パッド上を回転移動することが可能な複数個の転動体からなることを特徴とするリテーナリング。 A retainer ring disposed on the polishing pad around the wafer when polishing the wafer against the polishing pad;
A portion of the retainer ring that comes into contact with the polishing pad comprises a plurality of rolling elements capable of rotating on the polishing pad around a vertical line passing through the center of the wafer.
研磨パッドと、
前記リテーナリングとウエーハとを前記研磨パッドに押し当てながら当該ウエーハの中心を通る垂線を軸に回転する回転ヘッドと、を備えることを特徴とするウエーハ研磨装置。 The retainer ring according to any one of claims 1 to 4,
A polishing pad;
A wafer polishing apparatus comprising: a rotating head that rotates about a perpendicular passing through the center of the wafer while pressing the retainer ring and the wafer against the polishing pad.
前記リテーナリングと前記ウエーハとを前記研磨パッドに押し当てながら当該ウエーハの中心を通る垂線を軸に回転する回転ヘッドと、
前記回転ヘッドと前記リテーナリングとの間に設けられたベアリング機構と、を備え、
前記ベアリング機構は、前記ウエーハの中心を通る垂線を軸に前記リテーナリング上を回転移動することが可能な複数個の転動体、を備えることを特徴とするウエーハ研磨装置。 A retainer ring disposed on the polishing pad around the wafer when polishing the wafer against the polishing pad;
A rotating head that rotates about a normal passing through the center of the wafer while pressing the retainer ring and the wafer against the polishing pad;
A bearing mechanism provided between the rotary head and the retainer ring,
2. The wafer polishing apparatus according to claim 1, wherein the bearing mechanism includes a plurality of rolling elements capable of rotating on the retainer ring about a vertical line passing through the center of the wafer.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005355208A JP2007158255A (en) | 2005-12-08 | 2005-12-08 | Retainer ring and wafer polishing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005355208A JP2007158255A (en) | 2005-12-08 | 2005-12-08 | Retainer ring and wafer polishing apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007158255A true JP2007158255A (en) | 2007-06-21 |
Family
ID=38242157
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005355208A Pending JP2007158255A (en) | 2005-12-08 | 2005-12-08 | Retainer ring and wafer polishing apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007158255A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8100743B2 (en) | 2007-10-29 | 2012-01-24 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
-
2005
- 2005-12-08 JP JP2005355208A patent/JP2007158255A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8100743B2 (en) | 2007-10-29 | 2012-01-24 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9808836B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
US11059144B2 (en) | Polishing apparatus | |
US9815171B2 (en) | Substrate holder, polishing apparatus, polishing method, and retaining ring | |
CN107078046B (en) | Substrate cleaning roller, substrate cleaning device and substrate cleaning method | |
JPH0950975A (en) | Wafer grinding device | |
JP2008044100A (en) | Polishing pad and chemical mechanical polishing device including the same | |
JP7087166B2 (en) | Polishing equipment and polishing method | |
US20120312323A1 (en) | Substrate cleaning method and roll cleaning member | |
JP6445924B2 (en) | Polishing equipment | |
KR20150005672A (en) | Methods and apparatus for active substrate precession during chemical mechanical polishing | |
JP7148349B2 (en) | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD | |
JP2007158255A (en) | Retainer ring and wafer polishing apparatus | |
TW200838623A (en) | System for cleaning a wafer | |
JP2006324417A (en) | Wafer-polishing apparatus and wafer-polishing method | |
US7527546B2 (en) | Viscoelastic polisher and polishing method using the same | |
US20070049184A1 (en) | Retaining ring structure for enhanced removal rate during fixed abrasive chemical mechanical polishing | |
JP2008254082A (en) | Grinding device for spherical element | |
JPH10156712A (en) | Wafer polishing device | |
JP6963075B2 (en) | Wafer surface treatment equipment | |
JPH11285963A (en) | Polishing body composed of wafer polishing cloth or polishing surface plate and wafer polishing method using same | |
KR100680880B1 (en) | Retainer ring and chemical mechanical polishing apparatus having the same | |
JP2009111092A (en) | Method of manufacturing semiconductor device and chemical mechanical polishing apparatus | |
JP2002283226A (en) | Polishing device | |
KR20050079096A (en) | Pad for chemical mechanical polishing | |
KR100541706B1 (en) | Chemical mechanical polishing equipment for semiconductor device manufacture |