KR20050079096A

KR20050079096A - Pad for chemical mechanical polishing

Info

Publication number: KR20050079096A
Application number: KR1020040007215A
Authority: KR
Inventors: 조찬우
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2004-02-04
Filing date: 2004-02-04
Publication date: 2005-08-09

Abstract

화학 기계적 연마 패드를 개시한다. 본 발명에 의한 화학 기계적 연마 패드는 그루브가 형성되어 있는 상부 패드 및 기판 패드를 구비하고, 상기 그루브는 동심원 형태의 그루브와 방사형의 그루브를 포함한다.A chemical mechanical polishing pad is disclosed. The chemical mechanical polishing pad according to the present invention includes an upper pad and a substrate pad on which grooves are formed, and the groove includes concentric grooves and radial grooves.

Description

Chemical mechanical polishing pad

본 발명은 반도체 장치를 제조하기 위한 장비에 관한 것으로서, 특히 화학 기계적 연마(CMP; Chemical Mechanical Polishing) 장비로 반도체 웨이퍼 상의 물질을 화학 기계적 연마에 의해 평탄화할 때 사용되는 연마 패드(polishing pas)에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to equipment for manufacturing semiconductor devices, and more particularly to polishing pads used when planarizing a material on a semiconductor wafer by chemical mechanical polishing with chemical mechanical polishing (CMP) equipment. will be.

반도체 장치가 고집적화됨에 따라 반도체 웨이퍼 상의 물질을 평탄화하는 공정이 매우 중요시 되고 있다. 특히, 반도체 웨이퍼의 글로벌(global) 평탄화는 다층 배선 구조의 고집적 반도체 장치를 형성하기 위한 필수 조건이다. 이러한 평탄화 공정을 구현하기 위한 설비 중에 CMP 장비가 있다. CMP 장비는 웨이퍼 상의 글로벌 평탄화 공정을 수행하는 데 이용되고 있다. CMP는 연마 패드를 웨이퍼와 접촉시킨 상태에서 연마 패드와 웨이퍼 사이에 슬러리(slurry)를 제공함으로써, 연마 패드에 의한 기계적 요소와 슬러리에 의한 화학적 요소로 웨이퍼의 표면을 연마하여 평탄화하는 공정이다. 즉, 슬러리에 의해 웨이퍼 상의 물질에 화학적 작용을 일으킴과 동시에, 연마 패드와 웨이퍼(연마 헤드에 장착된 웨이퍼) 사이에 개재된 슬러리 내의 연마 입자(abrasive particles)로 기계적 마찰력을 일으킴으로써 CMP에 의한 웨이퍼 표면의 평탄화 공정이 수행된다.As semiconductor devices are highly integrated, the process of planarizing materials on semiconductor wafers becomes very important. In particular, global planarization of semiconductor wafers is an essential condition for forming a highly integrated semiconductor device having a multilayer wiring structure. CMP equipment is one of the facilities for implementing this planarization process. CMP equipment is being used to perform global planarization processes on wafers. CMP is a process of polishing and planarizing the surface of a wafer with a mechanical element by the polishing pad and a chemical element by the slurry by providing a slurry between the polishing pad and the wafer while the polishing pad is in contact with the wafer. That is, the wafer is caused by CMP by chemically acting on the material on the wafer by the slurry, and simultaneously by mechanical friction force with abrasive particles in the slurry interposed between the polishing pad and the wafer (wafer mounted on the polishing head). The surface planarization process is performed.

CMP 공정에 소요되는 소모성 부재의 대표적인 예로서 슬러리와 연마 패드를 들 수 있다. 이 중 연마 패드는 통상 폴리 우레탄으로 되어 있으며 원형, 롤형(role type), 벨트형(belt type) 등 다양한 형태를 가지로 있다. 또한, 현재 생산되고 있는 연마 패드에는 패드 자체에 슬러리를 포함하고 있는 연마 패드도 있다. 그 중에서도, 반도체 장치의 제조와 관련하여 원형의 2 중 구조를 갖는 연마 패드가 많이 사용되고 있다. 2 중 구조의 연마 패드는 그루브가 형성되어 있는 면을 갖는 상부 패드(top pad)와, 그 아래의 기판 패드(substrate pad)를 구비한다. 웨이퍼의 공정면은 턴 테이브 상에 장착된 연마 패드의 상부 패드와 접촉되어 연마됨으로써 평탄화 공정이 이루어진다.Representative examples of the consumable member required for the CMP process include a slurry and a polishing pad. Among these, the polishing pad is usually made of polyurethane, and has a variety of forms, such as a round, roll type, and belt type. In addition, polishing pads currently produced include polishing pads containing slurry in the pads themselves. Especially, the polishing pad which has a circular double structure is used with respect to manufacture of a semiconductor device. The double polishing pad includes a top pad having a surface on which grooves are formed, and a substrate pad below it. The process surface of the wafer is brought into contact with the upper pad of the polishing pad mounted on the turn tape to be polished to achieve a planarization process.

이와 같은 2 중 구조의 연마 패드를 사용하는 경우, 연마 패드의 수명을 증가시키기 위해서는 통상의 상부 패드의 두께보다 더 두꺼운 상부 패드를 사용할 필요가 있다. 장기간의 사용으로 인해 연매 패드의 과도한 소모나 변형이 발생된 경우 이를 교체해주어야 한다. 이러한 연마 패드의 수명을 증가시키기 위해 웨이퍼와 직접 접촉하는 상부 패드의 두께를 통상의 상부 패드보다 더 크게 한다. When using such a double-layer polishing pad, it is necessary to use a top pad thicker than the thickness of a normal top pad in order to increase the life of the polishing pad. Excessive use or deformation of soft pads due to prolonged use should be replaced. In order to increase the life of such a polishing pad, the thickness of the upper pad in direct contact with the wafer is made larger than that of the conventional upper pad.

그런데, 상부 패드의 두께가 증가함에 따라, CMP 공정 후 얻어지는 CMP 프로파일의 균일성(uniformity)이 더 악화되는 경향을 나타낸다. 즉, CMP 프로파일에 있어서, 웨이퍼의 엣지(edge) 부위의 CMP 프로파일이 웨이퍼 중심부에 비하여 상대적으로 연마가 덜 되는 결과로 나타난다. 웨이퍼 중심부 대비 엣지 부위의 CMP 연마 정도가 상대적으로 낮게 나오는 경향은 CMP 프로파일에 일반적으로 나타나는 현상이지만, 상부 패드의 두께가 두꺼워 질수록 이러한 CMP 프로파일의 불균일성은 더욱 심화된다.However, as the thickness of the upper pad increases, the uniformity of the CMP profile obtained after the CMP process tends to be worsened. That is, in the CMP profile, the CMP profile of the edge portion of the wafer is less polished than the center of the wafer. The relatively low tendency of CMP polishing at the edges relative to the center of the wafer is a common phenomenon in CMP profiles, but the thicker the upper pad, the more uneven the CMP profile becomes.

이와 같이 두꺼운 상부 패드의 사용 시 나타나는 CMP 프로파일 균일성 악화는, 상부 패드의 두께 증가에 의하여 연마 패드의 유연성(flexibility)이 저감되어 패드의 변형 정도가 낮아지게 되기 때문이다. 통상 CMP 공정 시 연마 헤드에 장착된 웨이퍼는 중심부에 비하여 엣지 부위에서 더 낮은 가압력(연마 패드에 대향해 웨이퍼를 누르는 힘)을 받게 된다. 이러한 가압력의 불균일성으로 인해 CMP 프로파일의 불균일성이 발생될 수 있기 때문에, 이를 보완하기 위해서 리테이닝 링(retaining ring)이 웨이퍼 엣지 바깥 부근의 연막 패드 부위를 눌러주게 된다. 이와 같이 리테이닝 링에 의해 웨이퍼 엣지 바깥 부근의 연마 패드 부위를 눌러주게 되면, 웨이퍼 엣지 부위의 상부 패드는 탄성에 의해 리바운딩(rebounding)되어 웨이퍼 엣지 부위의 가압력을 종전보다 더 크게 할 수 있다. 그러나, 연마 패드의 수명 증가를 위해 두꺼운 상부 패드를 사용하게 되면, 연마 패드의 유연성이 낮아져 웨이퍼 엣지 부위에서 리바운딩되는 정도가 감소하게 된다. 이에 따라, 상부 패드의 두께를 증가시킬수록 CMP 프로파일의 불균일성은 심화되어진다.The deterioration of the CMP profile uniformity caused by the use of the thick upper pad is because the flexibility of the polishing pad is reduced by increasing the thickness of the upper pad, and the degree of deformation of the pad is lowered. In a CMP process, a wafer mounted on a polishing head is generally subjected to a lower pressing force (force pushing the wafer against the polishing pad) at the edge portion compared to the center portion. Since the nonuniformity of the CMP profile may occur due to the nonuniformity of the pressing force, a retaining ring presses the smoke pad area near the outside of the wafer edge to compensate for this. When the polishing pad portion near the outside of the wafer edge is pressed by the retaining ring as described above, the upper pad of the wafer edge portion may be rebound by elasticity to increase the pressing force of the wafer edge portion than before. However, the use of a thick top pad to increase the life of the polishing pad reduces the flexibility of the polishing pad, thus reducing the extent of rebound at the wafer edge. Accordingly, as the thickness of the upper pad increases, the non-uniformity of the CMP profile deepens.

도 1a는 종래의 화학 기계적 연마 패드를 나타내는 평면도이다. 도 1a를 참조하면, 연마 패드(100)를 이루는 상부 패드의 상부면에 연마 작용을 위한 그루브(groove; 3)가 형성되어 있다. 평면도 상에서 볼 때, 이 그루브(3)는 등간격을 이루는 여러 개의 동심원 형태로 형성되어 있다. 도 1b는 도 1a의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면도이다. 도 1b에 도시된 바와 같이, 연마 패드(100)는 기판 패드(50)와 상부 패드(70)로 이루어져 있고, 상부 패드(70)의 상부 면 상에는 그루브(3)가 형성되어 있다. 이 그루브(3)가 형성된 상부면이 웨이퍼와 접촉하여 웨이퍼를 연마하게 된다.1A is a plan view showing a conventional chemical mechanical polishing pad. Referring to FIG. 1A, a groove 3 for polishing is formed on an upper surface of the upper pad of the polishing pad 100. In the plan view, the grooves 3 are formed in the form of several concentric circles forming equal intervals. FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 1A. As shown in FIG. 1B, the polishing pad 100 includes a substrate pad 50 and an upper pad 70, and a groove 3 is formed on an upper surface of the upper pad 70. The upper surface on which the groove 3 is formed is in contact with the wafer to polish the wafer.

도 2는 종래의 화학 기계적 연마 패드를 사용하여 웨이퍼의 평탄화 공정을 실시한 경우 나타나는 CMP 프로파일을 나타내는 그래프이다. 도 2를 참조하면, 가로축은 웨이퍼의 직경 상의 위치를 나타내고 세로축은 CMP에 의한 연마율(removal rate)을 나타낸다. 가로축에서 한 칸의 길이는 2 mm 이고 세로축의 단위는 Å/min 이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 통상적인 두께를 갖는 상부 패드를 사용하는 경우에 비하여 두꺼운 상부 패드를 사용하는 경우에, 웨이퍼 엣지 부위의 CMP 프로파일이 매우 악화되어 있음을 알 수 있다. 즉, 통상 두께의 상부 패드를 사용하는 경우에 비하여 두꺼운 상부 패드를 사용하는 경우에, 웨이퍼 엣지 부위의 연마율이 더 낮게 떨어짐을 알 수 있다. FIG. 2 is a graph showing a CMP profile that appears when a wafer planarization process is performed using a conventional chemical mechanical polishing pad. FIG. 2, the horizontal axis represents the position on the diameter of the wafer and the vertical axis represents the removal rate by CMP. The length of one cell on the horizontal axis is 2 mm and the unit on the vertical axis is Å / min. As shown in FIG. 2, it can be seen that the CMP profile of the wafer edge region is very deteriorated when the thick upper pad is used as compared with the upper pad having a conventional thickness. That is, it can be seen that the polishing rate of the wafer edge portion is lowered when the thick upper pad is used as compared with the case where the thick upper pad is used.

도 3은 종래의 화학 기계적 연마 패드를 사용하는 화학 기계적 연마 장치를 설명하기 위하여 개략적으로 도시한 부분 단면도이다. 도 3을 참조하면, 연마 헤드(300)에 장착된 웨이퍼(10)가 연마 패드(100)에 대향하여 가압된 상태에서 슬러리의 존재 하에 마찰됨으로써 CMP 공정이 수행된다. 이 때, 웨이퍼 엣지 부위의 가압력을 증가시킬 수 있도록 연마 헤드(300)의 리테이닝 링(350)이 웨이퍼 엣지 바깥 부근의 연마 패드(100)를 눌러준다. 이에 따라, 웨이퍼 엣지 부위의 연마 패드(100)가 탄성으로 인해 상향으로 리바운딩되어 리바운딩 영역(105)을 형성한다. 상향으로 리바운딩된 연마 패드(100) 부위에 의해 웨이퍼 엣지 부위의 가압력을 증가시킬 수 있다. 3 is a partial cross-sectional view schematically illustrating a chemical mechanical polishing apparatus using a conventional chemical mechanical polishing pad. Referring to FIG. 3, the CMP process is performed by rubbing in the presence of a slurry in a state where the wafer 10 mounted on the polishing head 300 is pressed against the polishing pad 100. At this time, the retaining ring 350 of the polishing head 300 presses the polishing pad 100 near the outside of the wafer edge so as to increase the pressing force of the wafer edge portion. Accordingly, the polishing pad 100 at the wafer edge portion is rebound upward due to elasticity to form the rebound region 105. The pressing force of the wafer edge portion can be increased by the portion of the polishing pad 100 rebound upward.

그러나, 전술한 바와 같이, 연마 패드(100)를 이루는 상부 패드의 두께가 두꺼워질수록 리바운딩되는 정도는 낮아지게 된다. 이에 따라 도 2에 도시된 바와 같이, 상부 패드의 두께가 두꺼워질수록 CMP 프로파일의 균일성은 더욱 악화되고 웨이퍼 내의 평탄화 정도가 저감된다. However, as described above, the thicker the upper pad of the polishing pad 100 becomes, the lower the extent of rebounding. Accordingly, as the thickness of the upper pad becomes thicker as shown in FIG. 2, the uniformity of the CMP profile becomes worse and the degree of planarization in the wafer is reduced.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 연마 패드의 수명을 향상하기 위해 상부 패드의 두께를 증가시키더라도, CMP 프로파일의 균일성 악화를 방지할 수 있는 화학 기계적 연마 패드를 제공하는 데에 있다. Therefore, the technical problem to be achieved by the present invention is to solve the above problems, even if the thickness of the upper pad to increase the life of the polishing pad, chemical mechanical polishing that can prevent the deterioration of the uniformity of the CMP profile To provide a pad.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 따른 화학 기계적 연마 패드는, 그루브가 형성되어 있는 상부 패드 및 기판 패드를 구비하고, 상기 그루브는 동심원 형태의 그루브와 방사형의 그루브를 포함한다. 이 경우, 상기 동심원 형태의 그루브와 상기 방사형의 그루브는 직각으로 교차할 수 있다. 또한, 상기 동심원 형태의 그루브는 등간격으로 형성될 수 있다. 상기 상부 패드는 폴리 우레탄 재질의 패드로 형성될 수 있다.In order to achieve the above technical problem, the chemical mechanical polishing pad includes an upper pad and a substrate pad on which grooves are formed, and the grooves include concentric grooves and radial grooves. In this case, the concentric grooves and the radial grooves may cross at right angles. In addition, the concentric grooves may be formed at equal intervals. The upper pad may be formed of a pad made of polyurethane.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 다음에 예시되는 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 보호 범위가 다음에 설명되는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments illustrated below may be modified in many different forms, and the scope of protection of the present invention is not limited to the embodiments described below. The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for clarity, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings are the same elements.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 패드를 나타내는 평면도이다.4 is a plan view illustrating a chemical mechanical polishing pad according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 연마 패드(200)는 통상적으로 사용되는 연마 패드와 같이, 원형으로 되어 있다. 또한, 이 연마 패드(200)는 그루브가 형성되어 있는 상부 패드와 그 아래의 기판 패드를 구비함으로써 2 중 구조를 이룬다. 연마 패드의 상부면은 CMP 공정 시 웨이퍼와 직접 접촉하는 면으로서 웨이퍼의 연마를 위해 그루브(3, 5)가 형성되어 있다. 실제 CMP 공정을 수행할 때에는, 연마 패드(200)는 턴 테이블에 고정 장착되고 이 연마 패드에 대향하여 웨이퍼(도시 안함)가 가압된다. 웨이퍼와 연마 패드(200) 사이에 슬러리를 개재시킨 상태에서 슬러리의 화학적 작용과 슬러리 내의 연마 입자에 의한 마찰력에 의해 웨이퍼 표면을 연마시킴으로써 웨이퍼 상의 물질을 평탄화시키게 된다.Referring to Figure 4, the polishing pad 200 is circular, like a conventionally used polishing pad. In addition, the polishing pad 200 has a double structure by providing an upper pad on which grooves are formed and a substrate pad below it. The upper surface of the polishing pad is a surface in direct contact with the wafer during the CMP process, and grooves 3 and 5 are formed to polish the wafer. When performing the actual CMP process, the polishing pad 200 is fixedly mounted to the turn table and the wafer (not shown) is pressed against the polishing pad. In the state in which the slurry is interposed between the wafer and the polishing pad 200, the surface of the wafer is planarized by polishing the surface of the wafer by the chemical action of the slurry and the frictional force of the abrasive particles in the slurry.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 연마 패드(200)의 상부면 상에는 동심원 형태의 다수의 그루브(3)가 형성되어 있을 뿐만 아니라, 연마 패드(200)의 반경을 따라 방사형의 그루브(5)가 다수 형성되어 있다. 이 방사형의 그루브(5)는 동심원 형태의 그루브(3)와 직각으로 교차한다.As shown in FIG. 4, not only a plurality of concentric grooves 3 are formed on the upper surface of the polishing pad 200 according to the present embodiment, but also radial grooves along the radius of the polishing pad 200. Many (5) are formed. This radial groove 5 intersects at right angles with the concentric groove 3.

이와 같이, 동심원 형태의 그루브(3)외에 방사형의 그루브(5)를 더 형성시킴으로써 연마 패드(200)의 유연성은 더욱 커지게 된다. 따라서, 연마 패드(200)의 탄성에 의한 리바운딩 정도도 향상될 수 있는 바, 특히 상부 패드의 두께가 클 때 발생하는 리바운딩 정도의 악화를 개선시킬 수 있게 된다. 두꺼운 상부 패드를 구비한 연마 패드(200)의 리바운딩 정도가 개선되면, 종래 문제점으로 지적된 웨이퍼 엣지 부위에서의 CMP 프로파일의 균일성 악화를 개선할 수 있게 된다.In this way, by forming the radial grooves 5 in addition to the concentric grooves 3, the flexibility of the polishing pad 200 is further increased. Therefore, the rebounding degree due to the elasticity of the polishing pad 200 may also be improved. In particular, it is possible to improve the deterioration of the rebounding degree that occurs when the thickness of the upper pad is large. When the rebounding degree of the polishing pad 200 having the thick upper pad is improved, it is possible to improve the deterioration of the uniformity of the CMP profile at the wafer edge point which is pointed out as a conventional problem.

CMP 공정시 리테이닝 링(도 3의 참조부호 350을 참조)에 의해 웨이퍼 엣지 바깥 부근의 연마 패드(200)를 눌러주어 웨이퍼 엣지 부근의 연마 패드(200)를 상향으로 리바운딩시키게 되다. 이 때 두꺼운 상부 패드를 사용하더라도, 전술한 바와 같이 연마 패드(200)의 상부면에는 동심원 형태의 그루브(3)이외에 방사형의 그루브(5)가 더 형성되어 있으므로, 연마 패드(200)의 유연성이 향상되어 웨이퍼 엣지 부근의 연마 패드(200)의 리바운딩 정도를 더 높게 할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼 엣지 부위의 가압력을 더 증가시키게 되고 웨이퍼 엣지 부위의 연마율을 향상시키게 된다. 따라서, 웨이퍼 엣지 부위의 CMP 프로파일의 악화를 방지하게 된다.During the CMP process, the retaining ring (refer to reference numeral 350 of FIG. 3) presses the polishing pad 200 near the outside of the wafer edge to rebound the polishing pad 200 near the wafer edge upward. At this time, even if a thick upper pad is used, since the grooves 3 of the radial shape in addition to the concentric groove 3 is formed on the upper surface of the polishing pad 200 as described above, the flexibility of the polishing pad 200 It is possible to improve the rebounding degree of the polishing pad 200 near the wafer edge. Accordingly, the pressing force of the wafer edge portion is further increased and the polishing rate of the wafer edge portion is improved. Therefore, deterioration of the CMP profile of the wafer edge portion is prevented.

상기 실시예에서는 연마 패드(200)의 상부면에 형성된 방사형의 그루브(5)가 연마 패드(200)의 반경을 따라 형성됨으로써, 방사형의 그루브(5)는 동심원 형태의 그루브(3)와 서로 직교하고 있다. 그러나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 방사형의 그루브(5)를 반경에 대해 비스듬히 형성할 수도 있다. 즉, 동심원 형태의 그루브(3)와 방사형의 그루브(5)가 반드시 직교하여야 하는 것은 아니다.In this embodiment, the radial grooves 5 formed on the upper surface of the polishing pad 200 are formed along the radius of the polishing pad 200, so that the radial grooves 5 are perpendicular to each other with the concentric grooves 3. Doing. However, the present invention is not necessarily limited thereto, and for example, the radial grooves 5 may be formed at an angle with respect to the radius. In other words, the concentric grooves 3 and the radial grooves 5 are not necessarily orthogonal.

이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통해서 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.Although the present invention has been described in detail through specific examples, the present invention is not limited thereto, and it is apparent that modifications and improvements can be made by those skilled in the art within the technical spirit of the present invention.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 연마 패드를 이루는 상부 패드의 상부면 상에 방사형의 그루브를 추가로 형성시킴으로써, 연마 패드의 유연성을 증가시키고 연마 헤드의 리테이닝 링에 의한 연마 패드의 리바운딩을 더 용이하게 할 수 있다. 따라서, 상부 패드의 두께 증가로 인해 발생하는 웨이퍼 엣지 부위에서의 CMP 프로파일의 악화를 방지하여, CMP 프로파일의 균일성을 더욱 개선시킬 수 있게 되고, 웨이퍼의 평탄도를 더욱 향상시킬 수 있게 된다.As described above, according to the present invention, by additionally forming radial grooves on the upper surface of the upper pad constituting the polishing pad, it increases the flexibility of the polishing pad and rebounds the polishing pad by the retaining ring of the polishing head. It can be easier. Therefore, it is possible to prevent the deterioration of the CMP profile at the wafer edge portion caused by the increase in the thickness of the upper pad, to further improve the uniformity of the CMP profile, and to further improve the flatness of the wafer.

도 1a은 종래의 화학 기계적 연마 패드를 나타내는 평면도이다.1A is a plan view showing a conventional chemical mechanical polishing pad.

도 1b는 도 1a의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면도이다.FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 1A.

도 2는 종래의 화학 기계적 연마 패드를 사용하여 웨이퍼의 평탄화 공정을 실시한 경우 나타나는 CMP 프로파일을 나타내는 그래프이다.FIG. 2 is a graph showing a CMP profile that appears when a wafer planarization process is performed using a conventional chemical mechanical polishing pad. FIG.

도 3은 종래의 화학 기계적 연마 패드를 사용하는 화학 기계적 연마 장치를 설명하기 위하여 개략적으로 도시한 부분 단면도이다.3 is a partial cross-sectional view schematically illustrating a chemical mechanical polishing apparatus using a conventional chemical mechanical polishing pad.

도 4는 본 발명에 의한 화학 기계적 연마 패드를 나타내는 평면도이다.4 is a plan view showing a chemical mechanical polishing pad according to the present invention.

Claims

An upper pad having grooves formed therein; And

Having a substrate pad,

Wherein said groove comprises a concentric groove and a radial groove.

2. The chemical mechanical polishing pad according to claim 1, wherein the concentric grooves and the radial grooves cross at right angles.

The chemical mechanical polishing pad according to claim 1, wherein the concentric grooves are formed at equal intervals.

The chemical mechanical polishing pad according to claim 1, wherein the upper pad is a pad made of polyurethane.