KR100541706B1 - Chemical mechanical polishing equipment for semiconductor device manufacture - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화학적기계연마(Chemical Mechanical Polishing) 장비를 개시한다. 개시된 본 발명의 화학적기계연마 장비는, 표면에 웨이퍼가 안착될 홈을 구비한 평판 형상의 웨이퍼 척과, 상기 웨이퍼 척 상에 배치되면서 상기 웨이퍼 척의 일측 가장자리로부터 타측 가장자리까지 회전 왕복 운동하는 롤러와, 상기 롤러를 감싸도록 그 외주면에 부착된 연마패드와, 상기 웨이퍼 척의 상부에 배치되어 연마될 웨이퍼 표면 상에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급 장치를 포함한다. 본 발명에 따르면, 슬러리를 웨이퍼 표면에 직접 공급하므로 그 공급량을 줄일 수 있으며, 또한, 웨이퍼 척 표면의 홈 크기를 조절함으로써 웨이퍼의 대구경화에 용이하게 대응할 수 있다. The present invention discloses a chemical mechanical polishing equipment. The disclosed chemical mechanical polishing equipment includes a flat wafer chuck having a groove on which a wafer is to be seated, a roller which is disposed on the wafer chuck and rotationally reciprocates from one edge to the other edge of the wafer chuck, And a polishing pad attached to an outer circumferential surface of the wafer to surround the roller, and a slurry supply device disposed on top of the wafer chuck to supply slurry on the wafer surface to be polished. According to the present invention, since the slurry is directly supplied to the wafer surface, the supply amount can be reduced, and the size of the groove on the wafer chuck surface can be adjusted to easily cope with the large diameter of the wafer.

Description

반도체 소자 제조용 화학적기계연마 장비{Chemical mechanical polishing equipment for semiconductor device manufacture}Chemical mechanical polishing equipment for semiconductor device manufacture

도 1 내지 도 3은 종래의 화학적기계연마 장비들을 설명하기 위한 도면. 1 to 3 are views for explaining conventional chemical mechanical polishing equipment.

도 4 및 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 화학적기계연마 장비의 평면도 및 단면도. 4 and 5 are a plan view and a cross-sectional view of the chemical mechanical polishing equipment according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

40 : 웨이퍼 척 41 : 홈40: wafer chuck 41: groove

42 : 완충제 43 : 다이아몬드 디스크42 buffer 43 diamond disc

44 : 롤러 45 : 연마패드44: roller 45: polishing pad

46 : 슬러리 공급 장치 50 : 웨이퍼46: slurry supply device 50: wafer

본 발명은 반도체 소자 제조용 화학적기계연마 장비에 관한 것으로, 특히, 슬러리 공급량을 줄이면서 웨이퍼의 대구경화에 대응이 용이하도록 한 새로운 구조의 화학적기계연마 장비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to chemical mechanical polishing equipment for semiconductor device manufacturing, and more particularly, to a chemical mechanical polishing equipment having a novel structure that can easily cope with large-sized wafer wafers while reducing slurry supply.

주지된 바와 같이, 화학적기계연마(Chemical Mechanical Polishing : 이하, CMP) 공정은 슬러리(slurry)에 의한 화학 반응과 연마패드(polishing pad)에 의한 기계적 가공이 동시에 이루어지는 평탄화 공정으로서, 표면 평탄화를 위해 기존에 이용되어져 왔던 리플로우(reflow) 또는 에치-백(etch-back) 공정 등과 비교해서 글로벌(global) 평탄화를 얻을 수 있고, 저온에서 수행 가능한 잇점을 갖는다.As is well known, the Chemical Mechanical Polishing (CMP) process is a planarization process in which chemical reaction by slurry and mechanical processing by polishing pad are simultaneously performed. Compared to the reflow or etch-back process that has been used in the present invention, it is possible to obtain global planarization and to perform at low temperatures.

또한, 상기 CMP 공정은 표면 평탄화를 위해 제안된 것이지만, 반도체 소자의 고집적화 경향에 따라 최근에 들어서는 STI(Shallown Trench Isolation) 공정에서의 산화막 식각, 자기정렬콘택(self-aligned contact) 공정에서의 폴리실리콘막 식각 및 금속배선 공정에서의 금속막 식각 공정에 이용되고 있으며, 점차 그 이용 분야가 확대되고 있는 추세이다.In addition, although the CMP process has been proposed for surface planarization, polysilicon in an oxide layer etching and a self-aligned contact process in the recent trench trench isolation (STI) process has been recently developed due to the high integration tendency of semiconductor devices. It is used in the metal film etching process in the film etching and metal wiring process, the field of application is gradually expanding.

도 1 내지 도 3은 종래의 CMP 장비를 설명하기 위한 도면으로서, 도시된 바와 같이, 종래에는 로터리(rotary) 방식, 오비탈(orbital) 방식 및 리니어(linear) 방식의 CMP 장비들이 이용되어 왔다. 1 to 3 are diagrams for explaining a conventional CMP equipment, as shown in the prior art, rotary (orbital) orbital (orbital) and linear (linear) CMP equipment has been used.

상기 로터리 방식의 CMP 장비는, 도 1에 도시된 바와 같이, 표면에 연마패드 (2)가 구비된 정반(platen : 1) 상에 웨이퍼(10)를 배치시킨 상태로 정반(1)에 슬러리를 뿌려주면서 정반(1) 및 웨이퍼(10)를 회전시켜 상기 웨이퍼(10)의 연마를 행한다. In the rotary CMP apparatus, as shown in FIG. 1, the slurry is placed on the surface plate 1 in a state in which the wafer 10 is disposed on a plate 1 having a polishing pad 2 on the surface thereof. The surface 10 and the wafer 10 are rotated while being sprayed to polish the wafer 10.

상기 오비탈 방식의 CMP 장비는, 도 2에 도시된 바와 같이, 표면에 연마패드 (12)를 구비한 정반(11)을 암(13)에 지지시키면서 정반 상에 웨이퍼를 배치시킨 상태로 정반(11)에 슬러리를 뿌려주면서 암(13)과 웨이퍼(20)를 회전시켜 상기 웨이퍼(20)의 연마를 행한다. In the orbital CMP apparatus, as shown in FIG. 2, the wafer 11 is placed on the surface while supporting the surface 11 having the polishing pad 12 on the surface of the arm 13. The wafer 20 is polished by rotating the arm 13 and the wafer 20 while spraying the slurry onto the wafer.

상기 리니어 방식의 CMP 장비는, 도 3에 도시된 바와 같이, 연마패드(22)를 이격된 한 쌍의 롤축(21)에 지지시키면서 웨이퍼(30)를 연마패드(12) 상에 배치시킨 상태로, 상기 연마패드(22)에 슬러리를 뿌려주면서 롤축(21)의 회전에 의한 연마패드(22)의 궤도 운동을 통해 상기 웨이퍼(30)의 연마를 행한다. In the linear CMP apparatus, as shown in FIG. 3, the wafer 30 is disposed on the polishing pad 12 while the polishing pad 22 is supported on a pair of spaced roll shafts 21. The wafer 30 is polished through the orbital motion of the polishing pad 22 by the rotation of the roll shaft 21 while spraying the slurry on the polishing pad 22.

그러나, 전술한 종래의 CMP 장비들은 공급되는 슬러리 양에 비해 실제 연마에 사용되는 슬러리 양이 대략 5% 이내이므로, 슬러리의 소비량이 너무 과도한 문제점이 있다. 또한, 전술한 종래의 CMP 장비들은 웨이퍼의 대구경화에 대응하여 장비 개조가 힘들기 때문에 장비 개발에 필요한 시간 및 비용이 많이 소요되는 문제점이 있다. However, the aforementioned conventional CMP equipment has a problem that the consumption of the slurry is too excessive because the amount of slurry used for actual polishing is within about 5% compared to the amount of slurry supplied. In addition, the above-described conventional CMP equipment has a problem that it takes a lot of time and cost required to develop the equipment because it is difficult to retrofit the equipment in response to the large diameter of the wafer.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 슬러리 공급량을 줄이면서 웨이퍼의 대구경화에 대응이 용이하도록 한 새로운 구조의 CMP 장치를 제공함에 그 목적이 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a CMP apparatus having a new structure that can easily cope with the large diameter of a wafer while reducing the amount of slurry supplied.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 표면에 웨이퍼가 안착될 홈을 구비한 평판 형상의 웨이퍼 척; 상기 웨이퍼 척 상에 배치되면서 상기 웨이퍼 척의 일측 가장자리로부터 타측 가장자리까지 회전 왕복 운동하는 롤러; 상기 롤러를 감싸도록 그 외주면에 부착된 연마패드; 및 상기 웨이퍼 척의 상부에 배치되어 연마될 웨이퍼 표면 상에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급 장치를 포함하는 반도체 소자 제조용 화학적기계연마 장비를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a wafer-shaped wafer chuck having a groove on the surface of the wafer; A roller disposed on the wafer chuck and rotating reciprocating from one edge of the wafer chuck to the other edge; A polishing pad attached to an outer circumferential surface of the roller to surround the roller; And a slurry supply device disposed on top of the wafer chuck and supplying a slurry on a wafer surface to be polished.

여기서, 상기 홈은 여러장의 웨이퍼가 동시에 연마되도록 웨이퍼 척의 표면에 수 개가 구비되며, 홈의 내주면에는 웨이퍼가 롤러에 의해 밀리는 힘이 억제되도록 폴리우레탄 계열의 물질로 이루어진 완충제가 설치되고, 홈의 저면에는 웨이퍼 표면이 편평한 상태를 유지하도록 케리어 필름(carrier film)이 설치된다. Here, the groove is provided with a plurality of grooves on the surface of the wafer chuck so that a plurality of wafers are polished at the same time, a buffer made of a polyurethane-based material is installed on the inner circumferential surface of the groove to suppress the force pushed by the roller, the bottom of the groove The carrier film is installed in the wafer surface so that the wafer surface remains flat.

상기 롤러의 길이는 웨이퍼 직경 보다 크다. The length of the roller is larger than the wafer diameter.

상기 롤러는 100ft/분 이상의 속도, 바람직하게 글로벌(global) 평탄화를 위해 400∼500ft/분의 왕복 속도를 갖는다. The roller has a speed of at least 100 ft / min, preferably a reciprocating speed of 400 to 500 ft / min for global flattening.

상기 슬러리 공급 장치는 50㎖/분 이하의 양으로 슬러리를 공급한다. The slurry feeder supplies the slurry in an amount of 50 ml / min or less.

또한, 본 발명의 반도체 소자 제조용 화학적기계연마 장비는 홈 내부에 설치된 회전 가능한 회전판을 더 포함한다. In addition, the chemical mechanical polishing equipment for manufacturing a semiconductor device of the present invention further includes a rotatable rotating plate installed in the groove.

게다가, 본 발명의 반도체 소자 제조용 화학적기계연마 장비는 상기 연마패드의 컨디셔닝(conditioning)을 위해 상기 웨이퍼 척 표면의 일측 또는 타측 가장자리에 구비된 디스크(diamond disc)를 더 포함하며, 상기 다이아몬드 디스크는 롤러와 동일한 길이와 3∼5㎝의 폭을 갖는다. In addition, the chemical mechanical polishing equipment for manufacturing a semiconductor device of the present invention further includes a diamond disc provided at one side or the other edge of the wafer chuck surface for conditioning the polishing pad, wherein the diamond disc is a roller. It has the same length and the width of 3-5cm.

본 발명에 따르면, 슬러리를 웨이퍼 표면에 직접 공급하므로 그 공급량을 줄일 수 있으며, 또한, 웨이퍼 척 표면의 홈 크기를 조절함으로써 웨이퍼의 대구경화에 용이하게 대응할 수 있다. According to the present invention, since the slurry is directly supplied to the wafer surface, the supply amount can be reduced, and the size of the groove on the wafer chuck surface can be adjusted to easily cope with the large diameter of the wafer.

(실시예)(Example)

이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3 및 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 CMP 장비를 도시한 평면도 및 단면도이다. 3 and 4 are a plan view and a cross-sectional view showing a CMP equipment according to an embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 본 발명의 CMP 장비는 로터리 방식, 오비탈 방식 및 리니어 방식을 채용하는 종래의 그것과는 달리 롤러(roller) 방식으로 이루어진다. As shown, the CMP equipment of the present invention is made of a roller method, unlike the conventional method employing the rotary method, the orbital method and the linear method.

즉, 본 발명의 CMP 장비는 웨이퍼(50)가 웨이퍼 척(40) 상에 배치된 상태로 외주면에 연마패드(45)가 부착된 롤러(44)가 상기 웨이퍼 척(40)의 일측 가장자리로부터 타측 가장자리까지 회전 왕복 운동하는 것에 의해 상기 웨이퍼(50)에 대한 CMP가 행해지는 구성을 갖는다. That is, in the CMP apparatus of the present invention, the roller 44 having the polishing pad 45 attached to the outer circumferential surface of the wafer 50 is disposed on the wafer chuck 40 and the other side of the wafer chuck 40 from one edge of the wafer chuck 40. By rotating reciprocating to the edge, CMP with respect to the wafer 50 is performed.

또한, 슬러리 공급 장치(46)는 웨이퍼 척(40)의 상부에 배치되며, 연마패드에 슬러리를 공급하는 종래의 그것과는 달리, 연마될 웨이퍼(50)의 표면 상에 직접 슬러리를 공급하며, 이에 따라, 본 발명의 슬러리 공급 장치(46)는 150∼200㎖/분 의 양으로 슬러리를 공급하는 종래의 그것 보다는 적은 50㎖/분 이하의 양으로 슬러리를 공급한다. Further, the slurry supply device 46 is disposed on top of the wafer chuck 40, and unlike the conventional one that supplies the slurry to the polishing pad, the slurry supply device 46 supplies the slurry directly on the surface of the wafer 50 to be polished, Accordingly, the slurry supply device 46 of the present invention supplies the slurry in an amount of 50 ml / min or less than that of the conventional one which supplies the slurry in an amount of 150 to 200 ml / min.

여기서, 상기 웨이퍼 척(40)은 그 표면에 웨이퍼(50)가 안착될 홈(41)을 구비하며, 이때, 상기 홈(41)은 생산성을 향상시킬 수 있도록, 즉, 한번에 여러 장의 웨이퍼(50)를 동시에 연마할 수 있도록 수 개가 구비된다. Here, the wafer chuck 40 has a groove 41 on the surface of which the wafer 50 is to be seated, wherein the groove 41 can improve productivity, that is, several wafers 50 at a time. ) Can be polished at the same time.

또한, 홈(41)의 내주면에는 웨이퍼(50)가 롤러(44)에 의해 밀리는 힘이 억제되도록, 예컨데, 폴리우레탄 계열의 물질로 이루어진 완충제(42)가 설치되며, 아울러, 홈(41)의 저면에는 웨이퍼(50)의 표면, 보다 정확하게는 연마대상층의 표면이 편평한 상태를 유지하도록 케리어 필름(carrier film : 도시안됨)이 설치된다. In addition, for example, a buffer 42 made of a polyurethane-based material is provided on the inner circumferential surface of the groove 41 so that the pushing force of the wafer 50 by the roller 44 is suppressed. On the bottom surface, a carrier film (not shown) is provided to keep the surface of the wafer 50, more precisely, the surface of the polishing target layer flat.

게다가, 상기 홈(41) 내부에는 회전 가능한 회전판(도시안됨)이 설치된다. 따라서, 웨이퍼(50)는 실질적으로 회전판에 놓여지게 되므로, 웨이퍼(50)에 대한 CMP 공정시, 상기 웨이퍼(50)는 회전판의 회전에 의해 회전, 즉, 자전 운동하게 된다.In addition, a rotatable rotating plate (not shown) is installed inside the groove 41. Therefore, since the wafer 50 is substantially placed on the rotating plate, during the CMP process with respect to the wafer 50, the wafer 50 rotates, that is, rotates by the rotation of the rotating plate.

상기 롤러(44)는 웨이퍼(50)의 직경 보다 큰 길이를 가지며, 또한, 상기 웨이퍼 척(40)의 표면에 수 개의 웨이퍼가 안착되는 경우, 바람직하게 길이 방향에 대해 웨이퍼들 모두의 직경을 더한 크기에 해당하는 길이를 갖는다. 또한, 상기 롤러(44)는 100ft/분 이상의 왕복 속도를 가지며, 특히, 글로벌(global) 평탄화를 위해 바람직하게 400∼500ft/분의 왕복 속도를 갖는다. The roller 44 has a length greater than the diameter of the wafer 50, and when several wafers are seated on the surface of the wafer chuck 40, preferably the diameter of all the wafers is added to the longitudinal direction. It has a length corresponding to the size. In addition, the roller 44 has a reciprocating speed of at least 100 ft / min, and in particular, a reciprocating speed of preferably 400 to 500 ft / min for global planarization.

부가해서, 본 발명의 CMP 장비는 웨이퍼 척(40) 표면의 소정 부위에 다이아몬드 디스크(diamond disc : 43)가 설치될 수 있다. 상기 다이아몬드 디스크(43)는 연마패드(45)의 컨디셔닝(conditioning)을 위해 설치되는 것으로, 롤러(44)가 위치할 수 있는 양측 가장자리 위치들의 내측에 해당하는 웨이퍼 척 부분의 표면에 설치되며, 그리고, 상기 롤러(44)와 동일한 길이와 3∼5㎝의 폭으로 설치된다. In addition, in the CMP apparatus of the present invention, a diamond disc 43 may be installed at a predetermined portion of the surface of the wafer chuck 40. The diamond disk 43 is installed for conditioning the polishing pad 45, and is installed on the surface of the wafer chuck portion corresponding to the inside of both edge positions where the roller 44 can be positioned, and And the same length as the roller 44 and a width of 3 to 5 cm.

전술한 바와 같은 본 발명의 CMP 장비는 연마패드가 부착되어 있는 롤러를 왕복 운동시켜 웨이퍼를 CMP하는 롤러 방식으로서 슬러리가 웨이퍼 표면에 직접 공급되므로, 종래의 그것과 비교해서 슬러리의 공급량을 현격하게 줄일 수 있다. The CMP apparatus of the present invention as described above is a roller method for CMP wafers by reciprocating a roller having a polishing pad attached thereto, so that the slurry is directly supplied to the wafer surface, thereby significantly reducing the amount of slurry supplied. Can be.

또한, 본 발명의 CMP 장비는 웨이퍼 척의 표면에 홈을 마련한 후, 상기 홈 내에 웨이퍼를 안착시키는 구성을 가지므로, 상기 홈의 크기를 조절하면 다양한 크기의 웨이퍼를 고정시킬 수 있는 바, 장비 개조가 용이하다. In addition, the CMP apparatus of the present invention has a configuration in which the wafer is seated in the groove after the groove is provided on the surface of the wafer chuck, so that the wafer can be fixed in various sizes by adjusting the size of the groove. It is easy.

이상에서와 같이, 본 발명은 새로운 구조의 CMP 장비를 제공함으로써, 슬러리의 공급량을 감소시킬 수 있어 감소된 슬러리 공급량에 해당하는만큼의 제조비용을 줄일 수 있으며, 또한, 웨이퍼가 고정될 홈의 크기를 변경시키는 것을 통해 웨이퍼의 대구경화에 매우 용이하게 대처할 수 있으므로 손쉽게 장비를 개조할 수 있음은 물론 장비 개발에 필요한 시간 및 비용을 절감할 수 있다. As described above, the present invention provides a new structure of the CMP equipment, thereby reducing the supply amount of the slurry can reduce the manufacturing cost corresponding to the reduced slurry supply amount, and also the size of the groove to which the wafer is fixed It is very easy to cope with the large diameter of the wafer by changing the size, so that the equipment can be easily modified and the time and cost required for the equipment development can be saved.

한편, 전술한 본 발명의 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이므로, 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경 및 부가 등이 가능할 것이며, 따라서, 이러한 수정 및 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.On the other hand, since the embodiments of the present invention described above are for the purpose of illustration, various modifications, changes, and additions will be possible to those skilled in the art within the spirit and scope of the present invention, and therefore, such modifications and changes are claimed It should be seen as belonging to a range.

Claims (12)

표면에 웨이퍼가 안착될 홈을 구비한 평판 형상의 웨이퍼 척; A wafer-shaped wafer chuck having a groove on which a wafer is to be seated; 상기 웨이퍼 척 상에 배치되면서 상기 웨이퍼 척의 일측 가장자리로부터 타측 가장자리까지 회전 왕복 운동하는 롤러; A roller disposed on the wafer chuck and rotating reciprocating from one edge of the wafer chuck to the other edge; 상기 롤러를 감싸도록 그 외주면에 부착된 연마패드; 및 A polishing pad attached to an outer circumferential surface of the roller to surround the roller; And 상기 웨이퍼 척의 상부에 배치되어 연마될 웨이퍼 표면 상에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학적기계연마 장비. And a slurry supply device disposed on top of the wafer chuck and supplying a slurry on a wafer surface to be polished. 제 1 항에 있어서, 상기 홈은 여러장의 웨이퍼가 동시에 연마되도록 상기 웨이퍼 척의 표면에 수 개가 구비된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학적기계연마 장비.The chemical mechanical polishing apparatus of claim 1, wherein a plurality of grooves are provided on a surface of the wafer chuck so that a plurality of wafers are simultaneously polished. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 홈의 내주면에 웨이퍼가 롤러에 의해 밀리는 힘이 억제되도록 완충제가 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학적기계연마 장비.The chemical mechanical polishing equipment for semiconductor device manufacturing according to claim 1 or 2, wherein a buffer is provided on the inner circumferential surface of the groove so that a force pushing the wafer by the roller is suppressed. 제 3 항에 있어서, 상기 완충제는 폴리우레탄 계열의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학적기계연마 장비.4. The chemical mechanical polishing equipment of claim 3, wherein the buffer is made of a polyurethane-based material. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 홈의 저면에 웨이퍼 표면이 편평한 상태를 유지하도록 케리어 필름(carrier film)이 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학적기계연마 장비.3. The chemical mechanical polishing apparatus of claim 1 or 2, wherein a carrier film is provided on the bottom surface of the groove to maintain a flat surface of the wafer. 제 1 항에 있어서, 상기 롤러의 길이는 웨이퍼 직경 보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학적기계연마 장비.2. The chemical mechanical polishing apparatus of claim 1, wherein the length of the roller is larger than a wafer diameter. 제 1 항에 있어서, 상기 롤러는 100ft/분 이상의 왕복 속도를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학적기계연마 장비.The chemical mechanical polishing equipment of claim 1, wherein the roller has a reciprocating speed of 100 ft / min or more. 제 1 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 롤러는 글로벌(global) 평탄화를 위해 400∼500ft/분의 왕복 속도를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학적기계연마 장비.8. The chemical mechanical polishing apparatus of claim 1 or 7, wherein the roller has a reciprocating speed of 400 to 500 ft / min for global planarization. 제 1 항에 있어서, 상기 슬러리 공급 장치는 50㎖/분 이하의 양으로 슬러리를 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학적기계연마 장비.2. The chemical mechanical polishing apparatus of claim 1, wherein the slurry supply device supplies the slurry in an amount of 50 ml / min or less. 제 1 항에 있어서, 상기 홈 내부에 설치된 회전 가능한 회전판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학적기계연마 장비.The chemical mechanical polishing equipment of claim 1, further comprising a rotatable rotating plate installed inside the groove. 제 1 항에 있어서, 상기 연마패드의 컨디셔닝(conditioning)을 위해 상기 웨이퍼 척 표면의 일측 또는 타측 가장자리에 구비된 다이아몬드 디스크(diamond disc)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조에서의 화학적기계연마 공정.2. The chemical mechanical polishing of claim 1, further comprising a diamond disc provided at one or the other edge of the wafer chuck surface for conditioning the polishing pad. fair. 제 11 항에 있어서, 상기 다이아몬드 디스크는 The method of claim 11, wherein the diamond disk is 상기 롤러와 동일한 길이와 3∼5㎝의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학적기계연마 장비.Chemical mechanical polishing equipment for manufacturing a semiconductor device, characterized in that the same length as the roller and has a width of 3-5cm.
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