JP2007156111A - Photosensitive composition, pattern forming material, photosensitive laminate, and pattern forming method - Google Patents

Photosensitive composition, pattern forming material, photosensitive laminate, and pattern forming method Download PDF

Info

Publication number
JP2007156111A
JP2007156111A JP2005351356A JP2005351356A JP2007156111A JP 2007156111 A JP2007156111 A JP 2007156111A JP 2005351356 A JP2005351356 A JP 2005351356A JP 2005351356 A JP2005351356 A JP 2005351356A JP 2007156111 A JP2007156111 A JP 2007156111A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
ring
exposure
compound
photosensitive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005351356A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masanobu Takashima
正伸 高島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Priority to JP2005351356A priority Critical patent/JP2007156111A/en
Publication of JP2007156111A publication Critical patent/JP2007156111A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Filters (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosensitive composition excellent in dimensional stability, a pattern forming material having a photosensitive layer formed of the photosensitive composition, a photosensitive laminate, and a pattern forming method. <P>SOLUTION: The photosensitive composition comprises at least a binder, a polymerizable compound, a photopolymerization initiator, and a carbon nano-material. The photosensitive composition is comprised in a photosensitive layer for use in formation of a two-dimensional pattern on a photosensitive layer surface to be exposed by relatively scanning an exposure head and the surface to be exposed while modulating light on the basis of pattern information, or the photosensitive composition is comprised in a photosensitive layer having a minimum energy amount of exposure of 0.1-100 mJ/cm<SP>2</SP>in which when the photosensitive layer is exposed and developed, the thickness of the photosensitive layer in a portion to be exposed does not vary after the exposure and development. There are also provided the pattern forming material having a photosensitive layer formed of the photosensitive composition, the photosensitive laminate and the pattern forming method. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、露光によりパターン形成可能なドライフィルムレジスト(DFR)、及び液状レジスト等に好適な感光性組成物に関する。特に、該感光性組成物を用いたパターン形成材料及び感光性積層体、並びに高精細な配線パターン、永久パターン(保護膜、層間絶縁膜、ソルダーレジストパターンなど)、カラーフィルタ、柱材、リブ材、スペーサー、隔壁等の液晶構造部材の製造、ホログラム、マイクロマシン、プルーフの製造等のパターン形成方法に関する。   The present invention relates to a photosensitive composition suitable for a dry film resist (DFR) that can be patterned by exposure, a liquid resist, and the like. In particular, pattern forming materials and photosensitive laminates using the photosensitive composition, high-definition wiring patterns, permanent patterns (protective films, interlayer insulating films, solder resist patterns, etc.), color filters, pillar materials, rib materials The present invention relates to a pattern forming method such as manufacturing of liquid crystal structural members such as spacers and partition walls, manufacturing of holograms, micromachines, and proofs.

プリント配線基板の分野では、通常は、まず銅張積層板に対してDFRを用いて銅の配線パターンを形成する。更に半導体やコンデンサ、抵抗等の部品が形成された配線パターンの上に半田付けされる。この場合、例えば、IRリフロー等のソルダリング工程において、半田が、半田付けの不必要な部分に付着するのを防ぐため、保護膜、絶縁膜として、前記半田付けの不要部分に相当する永久パターンを形成する方法が採用されている。また、保護膜の永久パターンとしては、ソルダーレジスト等のパターン形成材料が用いられている。他方、プリント配線板のパターンを形成した後、保護膜として残さないドライフィルムレジストなどのパターン形成材料も用いられている(例えば、特許文献1及び特許文献2参照)。
前記パターン形成材料への露光は、マスクを用いて露光を行うことが一般に行われてきたが、近年では、生産性、解像性等の観点からデジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)等を用いたレーザ光によるマスクレス露光装置も盛んに研究されている。
In the field of printed wiring boards, usually, a copper wiring pattern is first formed on a copper clad laminate using DFR. Further, it is soldered onto a wiring pattern on which components such as a semiconductor, a capacitor, and a resistor are formed. In this case, for example, in a soldering process such as IR reflow, in order to prevent the solder from adhering to an unnecessary part of soldering, a permanent pattern corresponding to the unnecessary part of soldering is used as a protective film and an insulating film. The method of forming is adopted. Further, a pattern forming material such as a solder resist is used as the permanent pattern of the protective film. On the other hand, a pattern forming material such as a dry film resist that does not remain as a protective film after forming a pattern of a printed wiring board is also used (for example, see Patent Document 1 and Patent Document 2).
In general, the pattern forming material is exposed to light using a mask. However, in recent years, a digital micromirror device (DMD) or the like is used from the viewpoint of productivity, resolution, and the like. Maskless exposure equipment using conventional laser light has been actively studied.

近年、益々微細化が進み、精細な配線パターンを形成できるパターン形成材料が望まれている。精細なパターンになる程、わずかな線幅寸法変動であっても、高密度なパターニングを行う際には、アライメント誤差としては大きくなるため、線幅寸法安定性に対しての要求は高まっている。
このような要求に対して、支持体であるポリエチレンテレフタレートフィルムのヘイズ値を下げることによる露光時の散乱防止などの技術によって、線幅寸法安定性の向上を図っている(例えば、特許文献3参照。)が、安定的に配線パターンを製造するにあたっては、更なる改善が望まれている。
In recent years, further miniaturization has progressed, and a pattern forming material capable of forming a fine wiring pattern is desired. The finer the pattern, the smaller the line width variation, the greater the alignment error when performing high-density patterning, so the demand for line width dimensional stability is increasing. .
In response to such demands, line width dimensional stability is improved by techniques such as scattering prevention during exposure by lowering the haze value of a polyethylene terephthalate film as a support (see, for example, Patent Document 3). However, further improvements are desired in the production of stable wiring patterns.

一方、プリント配線基板のパターン形成材料において、カーボンナノチューブを含有した感光性組成物が開示されている(例えば、特許文献4参照。)。この技術では、帯電防止性や機械強度の向上を目的として、カーボンナノチューブを添加している。
しかしながら、上記課題については言及されておらず、線幅寸法安定性の向上や線幅のぎざつき(エッジラフネス)の低下についての技術開発が切望されている。
国際公開第01/071428号パンフレット 特開2004−252421号公報 特開昭60−262156号公報 特開2005−24893号公報
On the other hand, a photosensitive composition containing carbon nanotubes as a pattern forming material for a printed wiring board is disclosed (for example, see Patent Document 4). In this technique, carbon nanotubes are added for the purpose of improving antistatic properties and mechanical strength.
However, the above-mentioned problem is not mentioned, and technical development for improving the line width dimensional stability and reducing the line width roughness (edge roughness) is eagerly desired.
International Publication No. 01/071428 Pamphlet JP 2004-252421 A JP 60-262156 A JP 2005-24893 A

本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、寸法安定性に優れた感光性組成物、該感光性組成物により形成された感光層を有するパターン形成材料、感光性積層体、及びパターン形成方法を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of this present condition, and makes it a subject to solve the said various problems in the past and to achieve the following objectives. That is, an object of the present invention is to provide a photosensitive composition having excellent dimensional stability, a pattern forming material having a photosensitive layer formed from the photosensitive composition, a photosensitive laminate, and a pattern forming method. To do.

前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
<1> パターン情報に基づいて、光を変調しながら、露光ヘッドと感光層の被露光面とを相対走査して露光することにより、前記被露光面上に二次元パターンを形成する前記感光層に含有される感光性組成物であって、
少なくともバインダー、重合性化合物、光重合開始剤、及び炭素系ナノ材料を含むことを特徴とする感光性組成物である。
Means for solving the problems are as follows. That is,
<1> The photosensitive layer which forms a two-dimensional pattern on the exposed surface by performing relative scanning between the exposure head and the exposed surface of the photosensitive layer while modulating light based on the pattern information. A photosensitive composition contained in
A photosensitive composition comprising at least a binder, a polymerizable compound, a photopolymerization initiator, and a carbon-based nanomaterial.

<2> 感光層を露光し現像した場合に、露光及び現像後において、前記感光層の被露光部の厚みが変化しない露光の最小エネルギー量が、0.1mJ/cm〜100mJ/cmである前記感光層に含有される感光性組成物であって、
少なくともバインダー、重合性化合物、光重合開始剤、及び炭素系ナノ材料を含むことを特徴とする感光性組成物である。
<2> When the photosensitive layer is exposed and developed, the minimum energy amount of exposure in which the thickness of the exposed portion of the photosensitive layer does not change after exposure and development is 0.1 mJ / cm 2 to 100 mJ / cm 2 . A photosensitive composition contained in the photosensitive layer,
A photosensitive composition comprising at least a binder, a polymerizable compound, a photopolymerization initiator, and a carbon-based nanomaterial.

<3> パターン情報に基づいて、光を変調しながら、露光ヘッドと感光層の被露光面とを相対走査して露光することにより、前記被露光面上に二次元パターンを形成する露光に用いられる前記感光層に含有される感光性組成物であって、
前記感光層を露光し現像した場合に、露光及び現像後において、前記感光層の被露光部の厚みが変化しない露光の最小エネルギー量が、0.1mJ/cm〜100mJ/cmであり、
少なくともバインダー、重合性化合物、光重合開始剤、及び炭素系ナノ材料を含むことを特徴とする感光性組成物である。
<3> Using for exposure to form a two-dimensional pattern on the exposed surface by exposing the exposed head and the exposed surface of the photosensitive layer by relative scanning while modulating light based on the pattern information. A photosensitive composition contained in the photosensitive layer,
When the photosensitive layer is exposed and developed, the minimum energy amount of exposure that does not change the thickness of the exposed portion of the photosensitive layer after exposure and development is 0.1 mJ / cm 2 to 100 mJ / cm 2 ,
A photosensitive composition comprising at least a binder, a polymerizable compound, a photopolymerization initiator, and a carbon-based nanomaterial.

<4> 前記炭素系ナノ材料が、カーボンナノチューブ、フラーレン、及びカーボンマイクロコイルからなる群より選択される少なくとも1種であることを特徴とする前記<1>〜<3>のいずれか1項に記載の感光性組成物である。 <4> The above-described <1> to <3>, wherein the carbon-based nanomaterial is at least one selected from the group consisting of carbon nanotubes, fullerenes, and carbon microcoils. It is the photosensitive composition of description.

<5> 増感剤を含有することを特徴とする前記<1>〜<4>のいずれか1項に記載の感光性組成物である。 <5> The photosensitive composition according to any one of <1> to <4>, which contains a sensitizer.

<6> 前記増感剤が、縮環系化合物、ジ置換アミノベンゼンを部分構造として有する化合物、塩基性核を有する化合物、酸性核を有する化合物、及び蛍光増白剤からなる群より選択される少なくとも1種を含むことを特徴とする前記<5>に記載の感光性組成物である。 <6> The sensitizer is selected from the group consisting of a condensed ring compound, a compound having a disubstituted aminobenzene as a partial structure, a compound having a basic nucleus, a compound having an acidic nucleus, and a fluorescent brightener. It is a photosensitive composition as described in said <5> characterized by including at least 1 sort (s).

<7> 前記縮環系化合物が、アクリドン系化合物、チオキサントン系化合物、クマリン系化合物、及びアクリジン系化合物からなる群より選択される少なくとも1種を含むことを特徴とする前記<6>に記載の感光性組成物である。 <7> The above-described <6>, wherein the condensed ring compound includes at least one selected from the group consisting of an acridone compound, a thioxanthone compound, a coumarin compound, and an acridine compound. It is a photosensitive composition.

<8> ジ置換アミノベンゼンを部分構造として有する化合物が、下記一般式(I)〜(VII)で表される少なくとも1種の化合物であることを特徴とする前記<6>又は<7>に記載の感光性組成物である。

〔一般式(I)中、R、R、R、及びRは、それぞれ独立して、脂肪族基及び芳香族基のいずれかを表し、R、R、R、R、及びR〜R12は、それぞれ独立して、水素原子又は一価の置換基を表す。RとR、RとR、RとR、RとR、RとR、及びRとRは、それぞれ独立して、互いに結合し、含窒素複素環を形成していてもよい。〕
<8> The above <6> or <7>, wherein the compound having a disubstituted aminobenzene as a partial structure is at least one compound represented by the following general formulas (I) to (VII): It is the photosensitive composition of description.

[In General Formula (I), R 1 , R 2 , R 5 , and R 6 each independently represent either an aliphatic group or an aromatic group, and R 3 , R 4 , R 7 , R 8 and R 9 to R 12 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent substituent. R 1 and R 2 , R 5 and R 6 , R 1 and R 3 , R 2 and R 4 , R 5 and R 7 , and R 6 and R 8 are independently bonded to each other to form a nitrogen-containing complex. A ring may be formed. ]


〔一般式(II)中、R21及びR22は、それぞれ独立して、脂肪族基及び芳香族基のいずれかを表し、R23〜R30は、それぞれ独立して、水素原子及び一価の置換基のいずれかを表し、Xは、酸素原子、硫黄原子、ジアルキルメチレン基、イミノ基、及び脂肪族基若しくは芳香族基が置換したイミノ基のいずれかを表す。R21とR22、R21とR23、及びR22とR24は、それぞれ独立して、互いに結合し、含窒素複素環を形成していてもよく、複素環に縮合するベンゼン環は置換基を有していてもよい。〕

[In General Formula (II), R 21 and R 22 each independently represent either an aliphatic group or an aromatic group, and R 23 to R 30 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent group. X represents one of an oxygen atom, a sulfur atom, a dialkylmethylene group, an imino group, and an imino group substituted with an aliphatic group or an aromatic group. R 21 and R 22 , R 21 and R 23 , and R 22 and R 24 may be independently bonded to each other to form a nitrogen-containing heterocyclic ring, and the benzene ring condensed to the heterocyclic ring is substituted. It may have a group. ]


〔一般式(III)中、R31及びR32は、それぞれ独立して、脂肪族基及び芳香族基のいずれかを表し、R33〜R37は、それぞれ独立して、水素原子及び一価の置換基のいずれかを表し、R38は、一価の置換基を表す。R31とR32、R31とR33、及びR32とR34は、それぞれ独立して、互いに結合し、含窒素複素環を形成していてもよい。〕

[In General Formula (III), R 31 and R 32 each independently represent either an aliphatic group or an aromatic group, and R 33 to R 37 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent group. And R 38 represents a monovalent substituent. R 31 and R 32 , R 31 and R 33 , and R 32 and R 34 may be independently bonded to each other to form a nitrogen-containing heterocycle. ]


〔一般式(IV)中、R41及びR42は、それぞれ独立して、脂肪族基及び芳香族基のいずれかを表し、R43〜R47は、それぞれ独立して、水素原子及び一価の置換基を表し、Yは、酸素原子及びNR48のいずれかを表し、R48は、水素原子及び一価の置換基のいずれかを表す。R41とR42、R41とR43、及びR42とR44は、それぞれ独立して、互いに結合し、含窒素複素環を形成していてもよい。〕

[In General Formula (IV), R 41 and R 42 each independently represent either an aliphatic group or an aromatic group, and R 43 to R 47 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent group. Y represents either an oxygen atom or NR 48 , and R 48 represents either a hydrogen atom or a monovalent substituent. R 41 and R 42 , R 41 and R 43 , and R 42 and R 44 may be independently bonded to each other to form a nitrogen-containing heterocycle. ]


〔一般式(V)〜(VII)中、環A〜Gは、それぞれ独立に芳香族炭化水素環及び芳香族複素環のいずれかを基本骨格とするものであり、環Aと環B、環Dと環E、環Fと環Gは、それぞれ独立に、互いに結合してNを含む結合環を形成していても良い。
前記一般式(VI)中、連結基Lは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環の少なくともいずれかを含む連結基を表し、連結基LとNとは、該芳香族炭化水素環及び芳香族複素環のいずれかで結合しており、nは2以上のいずれかの整数を表す。
前記一般式(VII)中、Rは、置換基を有していても良いアルキル基を表す。
なお、環A〜G及び連結基Lは、置換基を有していても良く、これらの置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。〕

[In General Formulas (V) to (VII), Rings A to G each independently have an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring as a basic skeleton, and Ring A, Ring B, and Ring D and Ring E, and Ring F and Ring G may be independently bonded to each other to form a bonded ring containing N.
In the general formula (VI), the linking group L represents a linking group containing at least one of an aromatic hydrocarbon ring and an aromatic heterocyclic ring, and the linking groups L and N are the aromatic hydrocarbon ring and aromatic group. And n represents any integer of 2 or more.
In the general formula (VII), R represents an alkyl group which may have a substituent.
Rings A to G and linking group L may have a substituent, and these substituents may be bonded to each other to form a ring. ]

<9> 前記塩基性核を有する化合物が、シアニン系色素、ヘミシアニン系色素、スチリル系色素、ストレプトシアニン系色素からなる群より選択される少なくとも1種であることを特徴とする前記<6>〜<8>のいずれか1項に記載の感光性組成物である。 <9> The above-mentioned <6>, wherein the compound having a basic nucleus is at least one selected from the group consisting of a cyanine dye, a hemicyanine dye, a styryl dye, and a streptocyanine dye. It is a photosensitive composition of any one of <8>.

<10> 前記酸性核を有する化合物が、メロシアニン化合物及びロダシアニン化合物空なる群より選択される少なくとも1種であることを特徴とする前記<6>〜<9>のいずれか1項に記載の感光性組成物である。 <10> The photosensitivity according to any one of <6> to <9>, wherein the compound having an acidic nucleus is at least one selected from the group consisting of a merocyanine compound and a rhodacyanine compound empty. Composition.

<11> 前記蛍光増白剤が、非イオン性核を有する化合物であることを特徴とする前記<6>〜<10>のいずれか1項に記載の感光性組成物である。 <11> The photosensitive composition according to any one of <6> to <10>, wherein the optical brightener is a compound having a nonionic nucleus.

<12> 前記光重合開始剤が、ハロゲン化炭化水素誘導体、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、芳香族オニウム塩、メタロセン類、及びアシルホスフィンオキシド化合物からなる群より選択される少なくとも1種のラジカル発生剤であることを特徴とする前記<1>〜<11>のいずれか1項に記載の感光性組成物である。 <12> The photopolymerization initiator includes a halogenated hydrocarbon derivative, hexaarylbiimidazole, oxime derivative, organic peroxide, thio compound, ketone compound, aromatic onium salt, metallocene, and acylphosphine oxide compound. The photosensitive composition according to any one of <1> to <11>, wherein the photosensitive composition is at least one radical generator selected from the group.

<13> 前記重合性化合物が、ウレタン基及びアリール基の少なくともいずれかを有するモノマーを含むことを特徴とする前記<1>〜<12>のいずれか1項に記載の感光性組成物である。 <13> The photosensitive composition according to any one of <1> to <12>, wherein the polymerizable compound includes a monomer having at least one of a urethane group and an aryl group. .

<14> 前記重合性化合物が、エチレンオキサイド基及びプロピレンオキサイド基の少なくともいずれかを有するモノマーであることを特徴とする前記<1>〜<12>のいずれか1項に記載の感光性組成物である。 <14> The photosensitive composition according to any one of <1> to <12>, wherein the polymerizable compound is a monomer having at least one of an ethylene oxide group and a propylene oxide group. It is.

<15> 前記バインダーが共重合体を含み、該共重合体がスチレン及びスチレン誘導体の少なくともいずれかに由来する構造単位を有することを特徴とする前記<1>〜<14>のいずれか1項に記載の感光性組成物である。 <15> The <1> to <14>, wherein the binder includes a copolymer, and the copolymer has a structural unit derived from at least one of styrene and a styrene derivative. It is a photosensitive composition as described in above.

<16> 前記バインダーのガラス転移温度(Tg)が、80℃以上であることを特徴とする前記<1>〜<15>のいずれか1項に記載の感光性組成物である。 <16> The photosensitive composition according to any one of <1> to <15>, wherein the binder has a glass transition temperature (Tg) of 80 ° C. or higher.

<17> バインダーの酸価が、70〜250(mgKOH/g)であることを特徴とする前記<1>から<16>のいずれか1項に記載の感光性組成物である。 <17> The photosensitive composition according to any one of <1> to <16>, wherein the binder has an acid value of 70 to 250 (mgKOH / g).

<18> 熱架橋剤を含み、
且つ、バインダーがエポキシアクリレート化合物の少なくとも1種、並びに、側鎖に(メタ)アクリロイル基及び酸性基を有するビニル共重合体の少なくとも1種の少なくともいずれかを含むことを特徴とする前記<1>〜<17>のいずれか1項に記載の感光性組成物である。
<18> including a thermal crosslinking agent,
<1>, wherein the binder contains at least one of an epoxy acrylate compound and at least one of a vinyl copolymer having a (meth) acryloyl group and an acidic group in a side chain. It is a photosensitive composition of any one of-<17>.

<19> 熱架橋剤を含み、
且つ、バインダーが無水マレイン酸共重合体の無水物基に対して0.1〜1.2当量の1級アミン化合物を反応させて得られる共重合体であることを特徴とする前記<1>〜<18>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<19> including a thermal crosslinking agent,
<1>, wherein the binder is a copolymer obtained by reacting 0.1 to 1.2 equivalents of a primary amine compound with respect to an anhydride group of a maleic anhydride copolymer. It is the photosensitive composition in any one of-<18>.

<20> 熱架橋剤を含み、
且つ、バインダーが(a)無水マレイン酸と、(b)芳香族ビニル単量体と、(c)ビニル単量体であって、該ビニル単量体のホモポリマーのガラス転移温度(Tg)が80℃未満であるビニル単量体と、からなる共重合体の無水物基に対して0.1〜1.0当量の1級アミン化合物を反応させて得られることを特徴とする前記<1>〜<19>のいずれか1項に記載の感光性組成物である。
<20> including a thermal crosslinking agent,
And the binder is (a) maleic anhydride, (b) an aromatic vinyl monomer, (c) a vinyl monomer, and the glass transition temperature (Tg) of the homopolymer of the vinyl monomer is <1 which is obtained by reacting 0.1 to 1.0 equivalent of a primary amine compound to an anhydride group of a copolymer comprising a vinyl monomer having a temperature of less than 80 ° C. The photosensitive composition according to any one of> to <19>.

<21> 前記熱架橋剤が、
エポキシ化合物、オキセタン化合物、ポリイソシアネート化合物、ポリイソシアネート化合物にブロック剤を反応させて得られる化合物、及びメラミン誘導体からなる群より選択される少なくとも1種であることを特徴とする前記<18>〜<20>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<21> The thermal crosslinking agent is
<18> to <<1>, wherein the compound is at least one selected from the group consisting of an epoxy compound, an oxetane compound, a polyisocyanate compound, a compound obtained by reacting a polyisocyanate compound with a blocking agent, and a melamine derivative. 20>. The photosensitive composition according to any one of 20>.

<22> 前記エポキシ化合物が、β位がアルキル基で置換されたエポキシ化合物であることを特徴とする前記<21>に記載の感光性組成物である。 <22> The photosensitive composition according to <21>, wherein the epoxy compound is an epoxy compound in which a β-position is substituted with an alkyl group.

<23> 前記メラミン誘導体が、アルキル化メチロールメラミンであることを特徴とする前記<21>又は<22>に記載の感光性組成物である。 <23> The photosensitive composition according to <21> or <22>, wherein the melamine derivative is an alkylated methylol melamine.

<24> バインダーを30〜90質量%含有し、重合性化合物を5〜60質量%含有し、光重合開始剤を0.1〜30質量%含有することを特徴とする前記<1>〜<23>のいずれか1項に記載の感光性組成物である。 <24> 30 to 90% by mass of a binder, 5 to 60% by mass of a polymerizable compound, and 0.1 to 30% by mass of a photopolymerization initiator. 23>. The photosensitive composition according to any one of 23>.

<25> 支持体と、該支持体上に前記<1>〜<24>のいずれか1項に記載の感光性組成物を含む感光層を設けてなることを特徴とするパターン形成材料である。 <25> A pattern forming material comprising a support and a photosensitive layer containing the photosensitive composition according to any one of <1> to <24> above provided on the support. .

<26> 支持体上に、該支持体に近い側から順に、クッション層と感光層とを設けてなることを特徴とする前記<25>に記載のパターン形成材料である。 <26> The pattern forming material according to <25>, wherein a cushion layer and a photosensitive layer are provided on a support in order from the side close to the support.

<27> 前記支持体が、合成樹脂を含み、かつ透明であることを特徴とする前記<25>又は<26>に記載のパターン形成材料である。 <27> The pattern forming material according to <25> or <26>, wherein the support includes a synthetic resin and is transparent.

<28> 前記支持体が、長尺状であることを特徴とする前記<25>〜<27>のいずれか1項に記載のパターン形成材料である。 <28> The pattern forming material according to any one of <25> to <27>, wherein the support has a long shape.

<29> 長尺状であり、ロール状に巻かれてなることを特徴とする前記<25>〜<28>のいずれか1項に記載のパターン形成材料である。 <29> The pattern forming material according to any one of <25> to <28>, which is long and wound in a roll shape.

<30> 前記感光層上に保護フィルムを有することを特徴とする前記<25>〜<29>のいずれか1項に記載のパターン形成材料である。 <30> The pattern forming material according to any one of <25> to <29>, wherein a protective film is provided on the photosensitive layer.

<31> 基体上に、前記<1>〜<24>のいずれか1項に記載の感光性組成物を含む感光層を設けてなることを特徴とする感光性積層体である。 <31> A photosensitive laminate comprising a substrate and a photosensitive layer containing the photosensitive composition according to any one of <1> to <24>.

<32> 前記感光層が、前記<25>〜<30>のいずれか1項に記載のパターン形成材料により形成されてなることを特徴とする前記<31>に記載の感光性積層体である。 <32> The photosensitive laminate according to <31>, wherein the photosensitive layer is formed of the pattern forming material according to any one of <25> to <30>. .

<33> 前記感光層の厚みが1〜100μmであることを特徴とする前記<31>又は<32>に記載の感光性積層体である。 <33> The photosensitive laminate according to <31> or <32>, wherein the photosensitive layer has a thickness of 1 to 100 μm.

<34> 前記<31>〜<33>のいずれか1項に記載の感光性積層体の感光層に対して、露光を行う露光工程を少なくとも含むことを特徴とするパターン形成方法である。 <34> A pattern forming method comprising at least an exposure step of exposing the photosensitive layer of the photosensitive laminate according to any one of <31> to <33>.

<35> 前記<25>〜<30>のいずれか1項に記載のパターン形成材料における感光層を、加熱及び加圧の少なくともいずれかの下において基材の表面に積層した後、該感光層に対して露光を行うことを特徴とする前記<34>に記載のパターン形成方法である。 <35> After the photosensitive layer in the pattern forming material according to any one of <25> to <30> is laminated on the surface of the substrate under at least one of heating and pressing, the photosensitive layer The pattern forming method according to <34>, wherein the pattern is exposed to light.

<36> 前記露光工程において、350〜415nmの波長のレーザ光で露光することを特徴とする前記<34>又は<35>に記載のパターン形成方法である。 <36> The pattern forming method according to <34> or <35>, wherein in the exposure step, exposure is performed with a laser beam having a wavelength of 350 to 415 nm.

<37> 前記露光工程において、形成するパターン情報に基づいて像様に露光することを特徴とする前記<34>〜<36>のいずれか1項に記載のパターン形成方法である。 <37> The pattern forming method according to any one of <34> to <36>, wherein in the exposure step, imagewise exposure is performed based on pattern information to be formed.

<38> 前記露光工程において、感光層に対し、光照射手段、及び前記光照射手段からの光を受光し出射するn個(ただし、nは2以上の自然数)の2次元状に配列された描素部を有し、パターン情報に応じて前記描素部を制御可能な光変調手段を備えた露光ヘッドであって、該露光ヘッドの走査方向に対し、前記描素部の列方向が所定の設定傾斜角度θをなすように配置された露光ヘッドを用い、
前記露光ヘッドについて、使用描素部指定手段により、使用可能な前記描素部のうち、N重露光(ただし、Nは2以上の自然数)に使用する前記描素部を指定し、
前記露光ヘッドについて、描素部制御手段により、前記使用描素部指定手段により指定された前記描素部のみが露光に関与するように、前記描素部の制御を行い、
前記感光層に対し、前記露光ヘッドを走査方向に相対的に移動させて行われることを特徴とする前記<34>〜<37>のいずれか1項に記載のパターン形成方法である。
<38> In the exposure step, the photosensitive layer is arranged in a two-dimensional array of n (where n is a natural number of 2 or more) that receives and emits light from the light irradiation means and the light irradiation means. An exposure head having a picture element portion and provided with a light modulation means capable of controlling the picture element portion according to pattern information, wherein the column direction of the picture element portion is predetermined with respect to the scanning direction of the exposure head Using an exposure head arranged to form a set inclination angle θ of
With respect to the exposure head, the usable pixel part designating means designates the pixel part to be used for N double exposure (where N is a natural number of 2 or more) among the usable graphic elements.
For the exposure head, the pixel part control means controls the pixel part so that only the pixel part specified by the used pixel part specifying means is involved in exposure,
The pattern forming method according to any one of <34> to <37>, wherein the exposure head is moved relative to the photosensitive layer in a scanning direction.

上記<38>に記載のパターン形成方法においては、前記露光ヘッドについて、使用描素部指定手段により、使用可能な前記描素部のうち、N重露光(ただし、Nは2以上の自然数)に使用する前記描素部が指定され、描素部制御手段により、前記使用描素部指定手段により指定された前記描素部のみが露光に関与するように、前記描素部が制御される。前記露光ヘッドを、前記感光層に対し走査方向に相対的に移動させて露光が行われることにより、前記露光ヘッドの取付位置や取付角度のずれによる前記感光層の被露光面上に形成される前記パターンの解像度のばらつきや濃度のむらが均される。この結果、前記感光層への露光が高精細に行われ、その後、前記感光層を現像することにより、高精細なパターンが形成される。   In the pattern forming method according to <38>, the exposure head is subjected to N multiple exposures (where N is a natural number of 2 or more) among the usable pixel parts by the used pixel part designating unit. The pixel part to be used is specified, and the pixel part is controlled by the pixel part control unit so that only the pixel part specified by the used pixel part specifying unit is involved in exposure. By performing exposure by moving the exposure head relative to the photosensitive layer in the scanning direction, the exposure head is formed on the exposed surface of the photosensitive layer due to a shift in the mounting position or mounting angle of the exposure head. Variations in the resolution of the pattern and unevenness in density are leveled. As a result, the photosensitive layer is exposed with high definition, and then the photosensitive layer is developed to form a high-definition pattern.

<39> 露光が複数の露光ヘッドにより行われ、使用描素部指定手段が、複数の前記露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部のうち、前記ヘッド間つなぎ領域におけるN重露光を実現するために使用する前記描素部を指定することを特徴とする前記<38>に記載のパターン形成方法である。 <39> The exposure is performed by a plurality of exposure heads, and the used drawing element specifying means is related to the exposure of the joint area between the heads which is the overlapping exposure area on the exposed surface formed by the plurality of exposure heads. <38> The pattern forming method according to <38>, wherein among the element parts, the image element part used for realizing N double exposure in the inter-head connection region is designated.

上記<39>に記載のパターン形成方法においては、露光が複数の露光ヘッドにより行われ、使用描素部指定手段が、複数の前記露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部のうち、前記ヘッド間つなぎ領域におけるN重露光を実現するために使用する前記描素部が指定されることにより、前記露光ヘッドの取付位置や取付角度のずれによる前記感光層の被露光面上のヘッド間つなぎ領域に形成される前記パターンの解像度のばらつきや濃度のむらが均される。この結果、前記感光層への露光が高精細に行われ、その後、前記感光層を現像することにより、高精細なパターンが形成される。   In the pattern forming method according to the above <39>, the exposure is performed by a plurality of exposure heads, and the used pixel portion designating unit is an overlapping exposure region on the exposed surface formed by the plurality of exposure heads. Of the picture element parts involved in the exposure of the head-to-head connection area, the picture element part used for realizing the N-fold exposure in the head-to-head connection area is designated, so that the mounting position and attachment of the exposure head are specified. Variations in resolution and density unevenness of the pattern formed in the connecting area between the heads on the exposed surface of the photosensitive layer due to the angle deviation are leveled. As a result, the photosensitive layer is exposed with high definition, and then the photosensitive layer is developed to form a high-definition pattern.

<40> 露光が複数の露光ヘッドにより行われ、使用描素部指定手段が、複数の前記露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の露光に関与する描素部のうち、前記ヘッド間つなぎ領域以外の領域におけるN重露光を実現するために使用する前記描素部を指定することを特徴とする前記<38>又は<39>に記載のパターン形成方法である。 <40> The exposure is performed by a plurality of exposure heads, and the used picture element specifying means is involved in exposure other than the inter-head connection region, which is an overlapping exposure region on the exposed surface formed by the plurality of exposure heads. The pattern formation according to <38> or <39>, wherein the pixel part used to realize N double exposure in an area other than the inter-head connection area among the picture element parts is designated. Is the method.

上記<40>に記載のパターン形成方法においては、露光が複数の露光ヘッドにより行われ、使用描素部指定手段が、複数の前記露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の露光に関与する描素部のうち、前記ヘッド間つなぎ領域以外におけるN重露光を実現するために使用する前記描素部が指定されることにより、前記露光ヘッドの取付位置や取付角度のずれによる前記感光層の被露光面上のヘッド間つなぎ領域以外に形成される前記パターンの解像度のばらつきや濃度のむらが均される。この結果、前記感光層への露光が高精細に行われ、その後、前記感光層を現像することにより、高精細なパターンが形成される。   In the pattern forming method according to the above <40>, the exposure is performed by a plurality of exposure heads, and the used pixel portion designating unit is an overlapping exposure region on the exposed surface formed by the plurality of exposure heads. Of the picture element parts involved in the exposure other than the inter-head connection area, the attachment position of the exposure head is specified by designating the picture element part used for realizing the N-fold exposure in the areas other than the inter-head connection area. Variations in the resolution and density unevenness of the pattern formed in areas other than the head-to-head connection area on the exposed surface of the photosensitive layer due to the mounting angle deviation are equalized. As a result, the photosensitive layer is exposed with high definition, and then the photosensitive layer is developed to form a high-definition pattern.

<41> 設定傾斜角度θが、N重露光数のN、描素部の列方向の個数s、前記描素部の列方向の間隔p、及び露光ヘッドを傾斜させた状態において該露光ヘッドの走査方向と直交する方向に沿った描素部の列方向のピッチδに対し、次式、spsinθideal≧Nδを満たすθidealに対し、θ≧θidealの関係を満たすように設定されることを特徴とする前記<38>〜<40>のいずれか1項に記載のパターン形成方法である。 <41> When the set inclination angle θ is N, the number N of the multiple exposures, the number s of the pixel portions in the column direction, the interval p in the column direction of the pixel portions, and the exposure head tilted. to the column direction of the pitch δ of pixel parts in the direction perpendicular to the scanning direction, the following equation with respect to theta ideal satisfying spsinθ ideal ≧ Nδ, to be set so as to satisfy the relation theta ≧ theta ideal The pattern forming method according to any one of <38> to <40>, which is characterized in that

<42> N重露光のNが、3以上の自然数であることを特徴とする前記<38>〜<41>のいずれか1項に記載のパターン形成方法である。 <42> The pattern forming method according to any one of <38> to <41>, wherein N in N-fold exposure is a natural number of 3 or more.

上記<42>に記載のパターン形成方法においては、N重露光のNが、3以上の自然数であることにより、多重描画が行われる。この結果、埋め合わせの効果により、前記露光ヘッドの取付位置や取付角度のずれによる前記感光層の被露光面上に形成される前記パターンの解像度のばらつきや濃度のむらが、より精密に均される。   In the pattern forming method according to the above <42>, multiple drawing is performed when N in N double exposure is a natural number of 3 or more. As a result, due to the effect of filling, variations in the resolution and density unevenness of the pattern formed on the exposed surface of the photosensitive layer due to a shift in the mounting position and mounting angle of the exposure head are more precisely leveled.

<43> 使用描素部指定手段が、
描素部により生成されて被露光面上の露光領域を構成する描素単位としての光点位置を、被露光面上において検出する光点位置検出手段と、
前記光点位置検出手段による検出結果に基づき、N重露光を実現するために使用する描素部を選択する描素部選択手段と
を備えることを特徴とする前記<38>〜<42>のいずれか1項に記載のパターン形成方法である。
<43> Use pixel part designation means
A light spot position detecting means for detecting a light spot position on a surface to be exposed as a pixel unit generated by a picture element unit and constituting an exposure area on the surface to be exposed;
<38> to <42>, further comprising: a pixel part selection unit that selects a pixel part to be used for realizing N double exposure based on a detection result by the light spot position detection unit. The pattern forming method according to any one of the above items.

<44> 使用描素部指定手段が、N重露光を実現するために使用する使用描素部を、行単位で指定することを特徴とする前記<38>〜<43>のいずれか1項に記載のパターン形成方法である。 <44> Any one of the above <38> to <43>, wherein the used picture element part specifying means designates the use picture element part used for realizing the N double exposure in line units. The pattern forming method described in 1.

<45>光点位置検出手段が、検出した少なくとも2つの光点位置に基づき、露光ヘッドを傾斜させた状態における被露光面上の光点の列方向と前記露光ヘッドの走査方向とがなす実傾斜角度θ’を特定し、描素部選択手段が、前記実傾斜角度θ’と設定傾斜角度θとの誤差を吸収するように使用描素部を選択することを特徴とする前記<43>又は<44>に記載のパターン形成方法である。 <45> The light spot position detecting means, based on the detected at least two light spot positions, the light spot column direction on the surface to be exposed and the scanning direction of the exposure head when the exposure head is tilted. <43> wherein the inclination angle θ ′ is specified, and the drawing element selection means selects the drawing element part so as to absorb an error between the actual inclination angle θ ′ and the set inclination angle θ. Or it is the pattern formation method as described in <44>.

<46> 実傾斜角度θ’が、露光ヘッドを傾斜させた状態における被露光面上の光点の列方向と前記露光ヘッドの走査方向とがなす複数の実傾斜角度の平均値、中央値、最大値、及び最小値のいずれかであることを特徴とする前記<45>に記載のパターン形成方法である。 <46> The actual inclination angle θ ′ is an average value, a median value, and a plurality of actual inclination angles formed by the row direction of the light spots on the surface to be exposed and the scanning direction of the exposure head when the exposure head is inclined. The pattern forming method according to <45>, wherein the pattern forming method is any one of a maximum value and a minimum value.

<47> 描素部選択手段が、実傾斜角度θ’に基づき、ttanθ’=N(ただし、NはN重露光数のNを表す)の関係を満たすtに近い自然数Tを導出し、m行(ただし、mは2以上の自然数を表す)配列された描素部における1行目から前記T行目の前記描素部を、使用描素部として選択することを特徴とする前記<45>又は<46>に記載のパターン形成方法である。 <47> The pixel part selection means derives a natural number T close to t that satisfies the relationship of t tan θ ′ = N (where N represents N of N double exposure numbers) based on the actual inclination angle θ ′, and m <45, wherein the pixel part from the first line to the T-th line is selected as a used pixel part in a line element (where m represents a natural number of 2 or more). > Or <46>.

<48> 描素部選択手段が、実傾斜角度θ’に基づき、ttanθ’=N(ただし、NはN重露光数のNを表す)の関係を満たすtに近い自然数Tを導出し、m行(ただし、mは2以上の自然数を表す)配列された描素部における、(T+1)行目からm行目の前記描素部を、不使用描素部として特定し、該不使用描素部を除いた前記描素部を、使用描素部として選択することを特徴とする前記<45>〜<47>のいずれか1項に記載のパターン形成方法である。 <48> The pixel part selection means derives a natural number T close to t that satisfies the relationship of t tan θ ′ = N (where N represents N of N double exposure numbers) based on the actual inclination angle θ ′, and m In the picture element part arranged in a row (where m represents a natural number of 2 or more), the picture element part from line (T + 1) to m-th line is specified as an unused picture element part, and the unused picture element part is specified. The pattern forming method according to any one of <45> to <47>, wherein the pixel part excluding the element part is selected as a use pixel part.

<49> 描素部選択手段が、複数の描素部列により形成される被露光面上の重複露光領域を少なくとも含む領域において、
(1)理想的なN重露光に対し、露光過多となる領域、及び露光不足となる領域の合計面積が最小となるように、使用描素部を選択する手段、
(2)理想的なN重露光に対し、露光過多となる領域の描素単位数と、露光不足となる領域の描素単位数とが等しくなるように、使用描素部を選択する手段、
(3)理想的なN重露光に対し、露光過多となる領域の面積が最小となり、かつ、露光不足となる領域が生じないように、使用描素部を選択する手段、及び
(4)理想的なN重露光に対し、露光不足となる領域の面積が最小となり、かつ、露光過多となる領域が生じないように、使用描素部を選択する手段
のいずれかであることを特徴とする前記<43>〜<48>のいずれか1項に記載のパターン形成方法である。
<49> In a region including at least an overlapped exposure region on an exposed surface formed by a plurality of pixel part rows, the pixel part selection unit,
(1) Means for selecting a used pixel portion so that a total area of an overexposed region and an underexposed region is minimized with respect to an ideal N-fold exposure;
(2) Means for selecting a pixel part to be used so that the number of pixel units in an overexposed area and the number of pixel units in an underexposed area are equal to each other with respect to an ideal N double exposure;
(3) Means for selecting a pixel part to be used so that the area of an overexposed area is minimized and an underexposed area does not occur with respect to an ideal N double exposure, and (4) Ideal It is one of means for selecting a pixel part to be used so that the area of an underexposed area is minimized and an overexposed area does not occur with respect to typical N double exposure. It is a pattern formation method of any one of said <43>-<48>.

<50> 描素部選択手段が、複数の露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域において、
(1)理想的なN重露光に対し、露光過多となる領域、及び露光不足となる領域の合計面積が最小となるように、前記ヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部から、不使用描素部を特定し、該不使用描素部を除いた前記描素部を、使用描素部として選択する手段、
(2)理想的なN重露光に対し、露光過多となる領域の描素単位数と、露光不足となる領域の描素単位数とが等しくなるように、前記ヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部から、不使用描素部を特定し、該不使用描素部を除いた前記描素部を、使用描素部として選択する手段、
(3)理想的なN重露光に対し、露光過多となる領域の面積が最小となり、かつ、露光不足となる領域が生じないように、前記ヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部から、不使用描素部を特定し、該不使用描素部を除いた前記描素部を、使用描素部として選択する手段、及び、
(4)理想的なN重露光に対し、露光不足となる領域の面積が最小となり、かつ、露光過多となる領域が生じないように、前記ヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部から、不使用描素部を特定し、該不使用描素部を除いた前記描素部を、使用描素部として選択する手段、
のいずれかであることを特徴とする前記<43>〜<49>のいずれか1項に記載のパターン形成方法である。
<50> In the connection region between the heads, which is an overlapping exposure region on the exposed surface formed by the plurality of exposure heads,
(1) With respect to the ideal N-multiple exposure, from the pixel part involved in the exposure of the inter-head connection region, the total area of the overexposed region and the underexposed region is minimized. Means for identifying a used pixel part and selecting the pixel part excluding the unused pixel part as a used pixel part;
(2) Involvement in the exposure of the head-to-head connecting region so that the number of pixel units in the overexposed region and the number of pixel units in the underexposed region are equal to the ideal N-double exposure. Means for identifying an unused pixel part from the pixel part to be selected, and selecting the pixel part excluding the unused pixel part as a used pixel part;
(3) For the ideal N-multiple exposure, from the pixel part involved in the exposure of the inter-head connecting region, the area of the overexposed region is minimized and the underexposed region is not generated. A means for identifying an unused pixel part and selecting the pixel part excluding the unused pixel part as a used pixel part; and
(4) For the ideal N-multiple exposure, from the pixel part involved in the exposure of the inter-head connecting region, the area of the underexposed region is minimized and the region that is overexposed is not generated. , Means for identifying an unused pixel part and selecting the pixel part excluding the unused pixel part as a used pixel part;
The pattern forming method according to any one of <43> to <49>, wherein the pattern forming method is any one of the above.

<51> 不使用描素部が、行単位で特定されることを特徴とする前記<50>に記載のパターン形成方法である。 <51> The pattern forming method according to <50>, wherein the unused pixel parts are specified in units of rows.

<52> 使用描素部指定手段において使用描素部を指定するために、使用可能な前記描素部のうち、N重露光のNに対し、(N−1)列毎の描素部列を構成する前記描素部のみを使用して参照露光を行うことを特徴とする前記<38>〜<51>のいずれか1項に記載のパターン形成方法である。 <52> In order to specify the used pixel part in the used pixel part specifying unit, among the usable pixel parts, N (n-1) pixel part columns for N multiple exposures The pattern forming method according to any one of <38> to <51>, wherein the reference exposure is performed using only the picture element portion that constitutes the element.

上記<52>に記載のパターン形成方法においては、使用描素部指定手段において使用描素部を指定するために、使用可能な前記描素部のうち、N重露光のNに対し、(N−1)列毎の描素部列を構成する前記描素部のみを使用して参照露光が行われ、略1重描画の単純なパターンが得られる。この結果、前記ヘッド間つなぎ領域における前記描素部が容易に指定される。   In the pattern forming method according to the above <52>, in order to specify the used pixel part in the used pixel part specifying unit, out of the usable pixel parts, -1) Reference exposure is performed using only the pixel part constituting the pixel part column for each column, and a simple pattern of substantially single drawing is obtained. As a result, the picture element portion in the head-to-head connection region is easily specified.

<53> 使用描素部指定手段において使用描素部を指定するために、使用可能な前記描素部のうち、N重露光のNに対し、1/N行毎の描素部行を構成する前記描素部のみを使用して参照露光を行うことを特徴とする前記<38>〜<52>のいずれか1項に記載のパターン形成方法である。 <53> In order to specify the used pixel part in the used pixel part specifying means, among the usable pixel parts, for each N-exposure N, a pixel part line is formed every 1 / N lines. The pattern forming method according to any one of <38> to <52>, wherein the reference exposure is performed using only the picture element portion.

上記<53>に記載のパターン形成方法においては、使用描素部指定手段において使用描素部を指定するために、使用可能な前記描素部のうち、N重露光のNに対し、1/N行毎の描素部列を構成する前記描素部のみを使用して参照露光が行われ、略1重描画の単純なパターンが得られる。この結果、前記ヘッド間つなぎ領域における前記描素部が容易に指定される。   In the pattern forming method according to the above <53>, in order to specify the used pixel part in the used pixel part specifying unit, among the usable pixel parts, 1 / N of N double exposure Reference exposure is performed using only the pixel part constituting the pixel part column for every N rows, and a simple pattern of substantially single drawing is obtained. As a result, the picture element portion in the head-to-head connection region is easily specified.

<54> 使用描素部指定手段が、光点位置検出手段としてスリット及び光検出器、並びに描素部選択手段として前記光検出器と接続された演算装置を有することを特徴とする前記<38>〜<53>のいずれか1項に記載のパターン形成方法である。 <54> The above-mentioned <38> used pixel portion specifying means includes a slit and a photodetector as light spot position detecting means, and an arithmetic unit connected to the photodetector as a pixel portion selecting means. It is a pattern formation method of any one of>-<53>.

<55> N重露光のNが、3以上7以下の自然数であることを特徴とする前記<38>〜<54>のいずれか1項に記載のパターン形成方法である。 <55> The pattern forming method according to any one of <38> to <54>, wherein N in N-exposure is a natural number of 3 or more and 7 or less.

<56> パターン情報が表すパターンの所定部分の寸法が、指定された使用描素部により実現できる対応部分の寸法と一致するように前記パターン情報を変換することを特徴とする前記<38>〜<55>のいずれか1項に記載のパターン形成方法である。 <56> The <38> to <38>, wherein the pattern information is converted so that a dimension of a predetermined part of the pattern represented by the pattern information matches a dimension of a corresponding part that can be realized by the designated used pixel part. <55> The pattern forming method according to any one of the above.

<57> 露光工程の後に、感光層を現像する現像工程を有することを特徴とする前記<34>〜<56>のいずれか1項に記載のパターン形成方法である。 <57> The pattern forming method according to any one of <34> to <56>, further including a development step of developing the photosensitive layer after the exposure step.

<58> 現像工程の後に、エッチング処理工程及びめっき処理工程の少なくとも一方の工程を有することを特徴とする前記<57>に記載のパターン形成方法である。 <58> The pattern forming method according to <57>, further comprising at least one of an etching treatment step and a plating treatment step after the development step.

<59> 配線パターンを形成することを特徴とする前記<58>に記載のパターン形成方法である。 <59> The pattern forming method according to <58>, wherein a wiring pattern is formed.

<60> 現像工程の後に、感光層に対して硬化処理を行う硬化処理工程を有することを特徴とする前記<57>に記載のパターン形成方法である。 <60> The pattern forming method according to <57>, further including a curing treatment step of performing a curing treatment on the photosensitive layer after the development step.

<61> 前記硬化処理工程が、全面露光、又は120〜200℃で行われる全面加熱の少なくともいずれかの処理であることを特徴とする前記<60>に記載のパターン形成方法である。 <61> The pattern forming method as described in <60>, wherein the curing treatment step is at least one of whole surface exposure or whole surface heating performed at 120 to 200 ° C.

上記<61>に記載のパターン形成方法においては、前記全面露光処理において、前記感光性組成物中の樹脂の硬化が促進される。また、前記温度条件で行われる全面加熱処理において、硬化膜の膜強度が高められる。   In the pattern forming method according to the above <61>, curing of the resin in the photosensitive composition is promoted in the overall exposure process. Moreover, the film | membrane intensity | strength of a cured film is raised in the whole surface heat processing performed on the said temperature conditions.

<62> 前記感光体積層体に、保護膜、層間絶縁膜、又はソルダーレジストパターンの少なくともいずれかを形成することを特徴とする前記<61>に記載のパターン形成方法である。 <62> The pattern forming method according to <61>, wherein at least one of a protective film, an interlayer insulating film, and a solder resist pattern is formed on the photoreceptor laminate.

本発明によると、従来における問題を解決することができ、寸法安定性に優れた感光性組成物、該感光性組成物により形成された感光層を有するパターン形成材料、感光性積層体、及びパターン形成方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the conventional problem can be solved, the photosensitive composition excellent in dimensional stability, the pattern formation material which has the photosensitive layer formed with this photosensitive composition, a photosensitive laminated body, and a pattern A forming method can be provided.

本発明は、感光性組成物、該感光性組成物からなる感光層を積層してなるパターン形成材料及び感光性積層体、及びパターン形成方法であり、以下順に説明する。   The present invention is a photosensitive composition, a pattern forming material obtained by laminating a photosensitive layer made of the photosensitive composition, a photosensitive laminate, and a pattern forming method, which will be described below in order.

(感光性組成物)
本発明の感光性組成物は、少なくともバインダー、重合性化合物、光重合開始剤、及び炭素系ナノ材料を含むことを特徴とする。
本発明の感光性組成物は、パターン情報に基づいて、光を変調しながら、露光ヘッドと感光層の被露光面とを相対走査して露光することにより、前記被露光面上の二次元パターンを形成する前記感光層に含有され、或いは、感光層を露光し現像した場合に、露光及び現像後において、前記感光層の被露光部の厚みが変化しない露光の最小エネルギー量が、0.1mJ/cm〜100mJ/cmである感光層に含有されるものである。
(Photosensitive composition)
The photosensitive composition of the present invention includes at least a binder, a polymerizable compound, a photopolymerization initiator, and a carbon-based nanomaterial.
The photosensitive composition of the present invention is a two-dimensional pattern on the surface to be exposed by exposing the exposure head and the surface to be exposed of the photosensitive layer to relative scanning while modulating light based on pattern information. When the photosensitive layer is exposed and developed, the minimum energy amount of exposure that does not change the thickness of the exposed portion of the photosensitive layer after exposure and development is 0.1 mJ. / Cm 2 to 100 mJ / cm 2 of the photosensitive layer.

好ましくは、前記最小エネルギー量は、0.1〜40mJ/cmであり、0.5〜30mJ/cmであることがより好ましい。
前記最小エネルギーが、0.1mJ/cm未満であると、処理工程にてカブリが発生することがあり、100mJ/cmを超えると、露光に必要な時間が長くなり、処理スピードが遅くなることがある。かかる最小エネルギー量を上記範囲内とするための方法は、感光性組成物の各々の成分の説明において述べる。
Preferably, the minimum energy amount is 0.1 to 40 mJ / cm 2 , and more preferably 0.5 to 30 mJ / cm 2 .
The minimum energy is less than 0.1 mJ / cm 2, may fogging in process step occurs, it exceeds 100 mJ / cm 2, increases the time necessary for exposure, processing speed is slow Sometimes. A method for setting the minimum energy amount within the above range will be described in the description of each component of the photosensitive composition.

ここで、「該感光層の露光する部分の厚みを該露光及び現像後において変化させない前記露光に用いる光の最小エネルギー」とは、いわゆる現像感度であり、例えば、前記感光層を露光したときの前記露光に用いた光のエネルギー量(露光量)と、前記露光に続く前記現像処理により生成した前記硬化層の厚みとの関係を示すグラフ(感度曲線)から求めることができる。
前記硬化層の厚みは、前記露光量が増えるに従い増加していき、その後、前記露光前の前記感光層の厚みと略同一かつ略一定となる。前記現像感度は、前記硬化層の厚みが略一定となったときの最小露光量を読み取ることにより求められる値である。
ここで、前記硬化層の厚みと前記露光前の前記感光層の厚みとが±1μm以内であるとき、前記硬化層の厚みが露光及び現像により変化していないとみなす。
前記硬化層及び前記露光前の前記感光層の厚みの測定方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、膜厚測定装置、表面粗さ測定機(例えば、サーフコム1400D(東京精密社製))などを用いて測定する方法が挙げられる。
Here, “the minimum energy of light used for the exposure that does not change the thickness of the exposed portion of the photosensitive layer after the exposure and development” is so-called development sensitivity, for example, when the photosensitive layer is exposed. It can be determined from a graph (sensitivity curve) showing the relationship between the amount of light energy (exposure amount) used for the exposure and the thickness of the cured layer generated by the development process following the exposure.
The thickness of the cured layer increases as the amount of exposure increases, and then becomes substantially the same and substantially constant as the thickness of the photosensitive layer before the exposure. The development sensitivity is a value obtained by reading the minimum exposure when the thickness of the cured layer becomes substantially constant.
Here, when the thickness of the cured layer and the thickness of the photosensitive layer before the exposure are within ± 1 μm, it is considered that the thickness of the cured layer is not changed by exposure and development.
A method for measuring the thickness of the cured layer and the photosensitive layer before exposure is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. However, a film thickness measuring device, a surface roughness measuring machine (for example, Surfcom) 1400D (manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.)) and the like.

本発明者らの研究によって、本発明の感光性組成物を用いると、環境温度を変化させて露光した場合であっても、感度変動が少ないことが明らかとなった。つまり、露光量を同一とした場合には、本発明の感光性組成物は、従来の感光性組成物に比べ、パターンの線幅寸法変動が小さい。
このメカニズムについては明らかとなっていないが、本発明の感光性組成物では、炭素系ナノ材料を含有するため、比熱が大きくなり、環境温度の変動という外的環境要因に左右されにくくなっているものと推測する。
The study by the present inventors has revealed that when the photosensitive composition of the present invention is used, the sensitivity fluctuation is small even when the exposure is performed while changing the environmental temperature. That is, when the exposure amount is the same, the photosensitive composition of the present invention has a smaller variation in the line width dimension of the pattern than the conventional photosensitive composition.
Although this mechanism has not been clarified, the photosensitive composition of the present invention contains a carbon-based nanomaterial, so that the specific heat increases and it is less susceptible to external environmental factors such as environmental temperature fluctuations. I guess it.

特に、パターン情報に基づいて、光を変調しながら、露光ヘッドと感光層の被露光面とを相対走査して露光することにより、前記被露光面上の二次元パターンを形成する場合、該露光装置が複数の露光用レーザスポットを備えているので、レンズの製造精度やレンズの取り付け誤差等により、感光性組成物上のレーザスポット径にはバラツキが生じる。このように、パターン情報に基づいて光を変調しながら、露光ヘッドと感光層の被露光面とを相対走査して露光することにより、前記被露光面上の二次元パターンを形成する感光層においては、露光されたパターン、例えば線の幅には、バラツキが生じてしまうことがあり、環境温度の影響などによりそのバラツキはさらに大きくなりやすい。しかし、感光層に本発明の感光性組成物を含有すると、特に環境温度の変動という外的環境要因の影響を受けにくくなるため線幅のバラツキが少なくなり、良好な結果を得ることができる。   In particular, when forming a two-dimensional pattern on the exposed surface by performing relative scanning between the exposure head and the exposed surface of the photosensitive layer while modulating light based on the pattern information, the exposure is performed. Since the apparatus includes a plurality of exposure laser spots, the laser spot diameter on the photosensitive composition varies due to lens manufacturing accuracy, lens attachment errors, and the like. As described above, in the photosensitive layer that forms a two-dimensional pattern on the exposed surface by performing relative scanning between the exposure head and the exposed surface of the photosensitive layer while performing light modulation based on the pattern information. However, the exposed pattern, for example, the line width may vary, and the variation is likely to become larger due to the influence of the environmental temperature. However, when the photosensitive composition of the present invention is contained in the photosensitive layer, it becomes difficult to be affected by external environmental factors such as fluctuations in environmental temperature, so that the variation in line width is reduced and good results can be obtained.

また、露光及び現像後において、前記感光層の被露光部の厚みが変化しない露光の最小エネルギー量が0.1mJ/cm〜100mJ/cmである感光層においては、露光エネルギーが小さいところで露光することになるので、露光機のパワー変動を受けやすくなり線幅のバラツキが出やすい。しかし、感光層に本発明の感光性組成物を含有すると、特に環境温度の変動という外的環境要因の影響を受けにくくなるため線幅のバラツキが少なくなり、良好な結果を得ることができる。 In addition, in a photosensitive layer having a minimum exposure energy amount of 0.1 mJ / cm 2 to 100 mJ / cm 2 in which the thickness of the exposed portion of the photosensitive layer does not change after exposure and development, exposure is performed at a low exposure energy. As a result, the power of the exposure machine is susceptible to fluctuations and line width variations are likely to occur. However, when the photosensitive composition of the present invention is contained in the photosensitive layer, it becomes difficult to be affected by external environmental factors such as fluctuations in environmental temperature, so that the variation in line width is reduced and good results can be obtained.

前記感光性組成物としては、配線パターン等を形成する際に用いられる回路形成用レジストとしての感光性組成物、及び保護膜、層間絶縁膜、ソルダーレジストパターン等の永久パターンを形成する際に用いられるソルダーレジストとしての感光性組成物が含まれる。
以下では、配線パターンとして回路形成用レジストを例にその組成について詳細に説明し、永久パターンとしてソルダーレジストを例にその組成について詳細に説明するが、本発明の感光性組成物は、回路形成用レジストやソルダーレジストに限定されない。
As the photosensitive composition, a photosensitive composition as a circuit forming resist used when forming a wiring pattern or the like, and a permanent pattern such as a protective film, an interlayer insulating film, or a solder resist pattern are used. And a photosensitive composition as a solder resist.
In the following, the composition will be described in detail by taking a circuit forming resist as an example of a wiring pattern, and the composition will be described in detail by taking a solder resist as an example of a permanent pattern, but the photosensitive composition of the present invention is used for forming a circuit. It is not limited to resist or solder resist.

〔回路形成用レジスト〕
前記回路形成用レジストとしての感光性組成物としては、少なくともバインダー、重合性化合物、光重合開始剤、及び炭素系ナノ材料を含み、必要に応じて、増感剤等、適宜選択したその他の成分を含む。
[Circuit forming resist]
The photosensitive composition as the circuit forming resist includes at least a binder, a polymerizable compound, a photopolymerization initiator, and a carbon-based nanomaterial, and other components appropriately selected such as a sensitizer as necessary. including.

<炭素系ナノ材料>
本発明において、炭素系ナノ材料とは、炭素原子からなるナノサイズの物質をいい、例えば、カーボンナノチューブ、フラーレン、カーボンマイクロコイル等を挙げることができる。炭素系ナノ材料の構造的特長、物理特性等に関しては「最新カーボンブラック技術大全」((株)技術情報教会発行)に詳しい。この中でも、熱的特性、物理特性変更の容易さの観点から、カーボンナノチューブが好適である。
炭素系ナノ材料は、単一種で用いても、複数種を併用してもよい。
<Carbon-based nanomaterials>
In the present invention, the carbon-based nanomaterial refers to a nano-sized substance composed of carbon atoms, and examples thereof include carbon nanotubes, fullerenes, and carbon microcoils. The structural features and physical properties of carbon-based nanomaterials are detailed in “Latest Carbon Black Technology Encyclopedia” (published by Technical Information Church). Among these, carbon nanotubes are preferable from the viewpoint of ease of changing thermal characteristics and physical characteristics.
A carbon type nanomaterial may be used by single type, or may use multiple types together.

カーボンナノチューブはチューブの部分は炭素原子からなる円筒状の中空繊維物質である。一般的には、外径が1〜100nm程度で、長さが直径の100倍以上であり、円筒面はグラファイトの六方格子で構成される。カーボンナノチューブは円筒の巻き方によって多彩な立体構造が存在し、かかる立体構造によって金属ナノチューブと半導体ナノチューブが存在する。   The carbon nanotube is a cylindrical hollow fiber material in which the tube portion is made of carbon atoms. In general, the outer diameter is about 1 to 100 nm, the length is more than 100 times the diameter, and the cylindrical surface is composed of a hexagonal lattice of graphite. Carbon nanotubes have various three-dimensional structures depending on how the cylinder is wound, and metal nanotubes and semiconductor nanotubes exist due to such three-dimensional structures.

本発明に適用し得るカーボンナノチューブの形状は特に限定されず、円筒形の層が1層の単層ナノチューブであっても、多層ナノチューブであってもよい。単層ナノチューブの端部が閉じていても、開いていてもよい。   The shape of the carbon nanotube that can be applied to the present invention is not particularly limited, and the cylindrical layer may be a single-wall nanotube or a multi-wall nanotube. The end of the single-walled nanotube may be closed or open.

カーボンナノチューブの製造方法は、公知の方法を適宜適用することができる。一般的に、カーボンナノチューブの製造方法は、黒鉛を高温でばらばらにしてつくる方法と、炭素を含む物質を熱分解し、炭素だけを集める方法とを挙げることができる。前者の代表的な方法として、アーク放電法、レーザーアブレーション法があり、後者の方法として化学気相合成法がある。生成した試料には不要なアモルファスカーボンやフラーレンが不純物として含まれる。これらは酸化しやすいので、試料を焼いたり酸化剤中で煮たりして精製することが好ましい。   A known method can be appropriately applied as a method for producing the carbon nanotube. In general, the method for producing carbon nanotubes can include a method in which graphite is made apart at a high temperature and a method in which only carbon is collected by pyrolyzing a substance containing carbon. Typical examples of the former method include an arc discharge method and a laser ablation method, and the latter method includes a chemical vapor synthesis method. The generated sample contains unnecessary amorphous carbon and fullerene as impurities. Since these are easily oxidized, it is preferable to purify the sample by baking or boiling in an oxidizing agent.

また、生成方法にもよるが、カーボンナノチューブは高アスペクト比の材料であり、生成されたものも複雑に絡み合った構造を有している場合が多い。これらは超音波分散等で分散させても良いが、所定の条件で粉砕処理を行い、カーボンナノチューブの長さを生成時より短く加工することも好ましい。粉砕処理の方法は限定されないが、せん断、すりつぶし等の乾式粉砕法、分散剤や界面活性剤を含む水、分散剤を含む有機溶剤中で分散する方法等が採用される。   Depending on the production method, carbon nanotubes are high aspect ratio materials, and the produced carbon nanotubes often have a complex intertwined structure. These may be dispersed by ultrasonic dispersion or the like, but it is also preferable to perform a pulverization process under predetermined conditions to process the carbon nanotubes shorter than when they are generated. The pulverization method is not limited, and dry pulverization methods such as shearing and grinding, water containing a dispersant and a surfactant, and a method of dispersing in an organic solvent containing a dispersant are employed.

カーボンナノチューブの長さを1μm程度にするためには、1000℃の温度を1ミリ秒程度保つことが好ましい。また、Fe,Ni,Co,Pdなどの炭素と合金をつくる金属触媒を適用することが好ましい。   In order to make the length of the carbon nanotube about 1 μm, it is preferable to maintain a temperature of 1000 ° C. for about 1 millisecond. Further, it is preferable to apply a metal catalyst that forms an alloy with carbon such as Fe, Ni, Co, and Pd.

その他カーボンナノチューブの詳細は、「カーボンナノチューブの基礎と応用」(斉藤理一郎、篠原久典)、培風館(2004)を参照することができる。   For details of other carbon nanotubes, refer to “Basics and Applications of Carbon Nanotubes” (Riichiro Saito, Hissunori Shinohara), Baifukan (2004).

また、入手容易なカーボンナノチューブの例としては、例えば、Graphite Fibrils・Grades BN(ハイペリオン・カタリシス・インターナショナル社製)、Carbolex−AP(製造元:Carbolex Inc.、販売元:和光純薬工業(株)、製造法:レーザー法)、SCI−SWNT(製造元:Strem Chemicals Inc.、販売元:和光純薬工業(株)、製造法:アーク法)、ROS−SWNT(製造元:Rosseter Holdings Ltd.、製造法:アーク法)、CNI−SWNT(製造元:Carbon Nanotech. Inc.、製造法:HiPco法)等を挙げることができる。
その他、バッキーUSA(USA)、カーボン・ソリューション(USA)、Guangzhou Yorkpoint Energy(中国)、 ハイペリオン・カタリシス (USA)、Iljin Nanotech(韓国)、マテリアル&エレクトロケミカル・リサーチコーポ (USA)、Mitsui Carbon Nanotech Research Institute(日本)、ナノカーボラボ(ロシア)、ナノス(USA)、ナノラボ(USA)、ナノレッジ(フランス)、ロゼッター・ホールディング(キプロス)、Showa Denko Inorganic Materials(日本)、サン・ナノテク(中国)などで製造されているカーボンナノチューブを挙げることができる。
Examples of easily available carbon nanotubes include, for example, Graphite Fibrils · Grades BN (manufactured by Hyperion Catalysis International), Carbolex-AP (manufacturer: Carbolex Inc., distributor: Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), Manufacturing method: laser method), SCI-SWNT (manufacturer: Strem Chemicals Inc., distributor: Wako Pure Chemical Industries, Ltd., manufacturing method: arc method), ROS-SWNT (manufacturer: Rossetter Holding Ltd., manufacturing method: Arc method), CNI-SWNT (manufacturer: Carbon Nanotech. Inc., manufacturing method: HiPco method), and the like.
Others, Bucky USA (USA), Carbon Solutions (USA), Guangzhou Yorkpoint Energy (China), Hyperion Catalysis (USA), Iljin Nanotech (Korea), Materials & Electrochemical Research Corp (USA), Mitsui Carbon Nano Corporation Manufactured by Institute (Japan), NanoCarbolab (Russia), Nanos (USA), Nanolab (USA), Nanoledge (France), Rosetta Holding (Cyprus), Showa Denko Inorganic Materials (Japan), Sun Nanotech (China), etc. Can be mentioned.

本発明に適用し得るフラーレンとしては、C60、C70、C76、C78、C82等を挙げることができ、これらは単独または2種以上併用して用いてもよい。フラーレンの製造方法は、公知の方法を適宜適用することができる。フラーレンの詳細に関しては、「フラーレンとカーボンナノチューブ」((株)ダイヤリサーチマーテック発行)に詳しい。 Examples of fullerene that can be applied to the present invention include C 60 , C 70 , C 76 , C 78 , C 82, and the like, and these may be used alone or in combination of two or more. A known method can be appropriately applied as a method for producing fullerene. For details on fullerenes, see “Fullerenes and Carbon Nanotubes” (published by Dia Research Martech Inc.).

カーボンマイクロコイルは、例えば、炭素からなる、繊維直径が0.01〜2μm、コイル外径が繊維直径の2〜10倍であり、巻数が10μm当たり、5/コイル外径(μm)〜50/コイル外径(μm)であるコイル状繊維のものである。
カーボンマイクロコイルは、炭素含有ガスの気相分解反応によって得られる。
The carbon microcoil is made of carbon, for example, having a fiber diameter of 0.01 to 2 μm, a coil outer diameter of 2 to 10 times the fiber diameter, and 5 / coil outer diameter (μm) to 50 / per 10 μm. It is a coiled fiber having a coil outer diameter (μm).
The carbon microcoil is obtained by a gas phase decomposition reaction of a carbon-containing gas.

回路形成用レジストとしての感光性組成物における炭素系ナノ材料の含有量としては、感光性組成物全体に対して、0.0001質量%〜10質量%であることが好ましく、0.0005質量%〜5質量%であることがより好ましく、0.001質量%〜1質量%であることが更に好ましい。
前記含有量が0.0001質量%未満であると、環境温度の変動という外的環境要因の影響を受けやすくなり線幅のバラツキが大きくなることがあり、10質量%を超えると、感光層の光の散乱が大きくなり逆に線幅のバラツキが大きくなることがある。
The content of the carbon-based nanomaterial in the photosensitive composition as the circuit forming resist is preferably 0.0001% by mass to 10% by mass, and 0.0005% by mass with respect to the entire photosensitive composition. More preferably, it is -5 mass%, and it is still more preferable that it is 0.001 mass%-1 mass%.
If the content is less than 0.0001% by mass, it tends to be affected by external environmental factors such as fluctuations in environmental temperature, and the variation in line width may increase. On the contrary, the scattering of light increases and the variation in line width may increase.

炭素系ナノ材料は、形成された感光層中に均一に分散されていることが好適であるため、炭素系ナノ材料の分散物を別途調整し、レジストとしての感光性組成物と混合することが好ましい。さらに炭素系ナノ材料を感光性組成物に添加し、その後分散してもよい。炭素ナノ材料の分散方法としては、炭素系ナノ材料または炭素系ナノ材料を含んだ溶液をあらかじめマイクロ波処理やプラズマ処理などをしておいても良く、ビーズミル分散、高圧湿式分散、超音波分散、ニーダーなどを使用して分散する。前記分散に関しては、「分散技術大全集」(情報協会(株)発行)に詳しい。   Since the carbon-based nanomaterial is preferably uniformly dispersed in the formed photosensitive layer, the dispersion of the carbon-based nanomaterial may be separately prepared and mixed with the photosensitive composition as a resist. preferable. Further, a carbon-based nanomaterial may be added to the photosensitive composition and then dispersed. As a carbon nanomaterial dispersion method, a carbon-based nanomaterial or a solution containing a carbon-based nanomaterial may be subjected to microwave treatment or plasma treatment in advance, bead mill dispersion, high-pressure wet dispersion, ultrasonic dispersion, Disperse using a kneader. The details of the dispersion are described in detail in “The Complete Collection of Distributed Technologies” (published by Information Association Co., Ltd.).

また、感光層中の炭素系ナノ材料は、電場、磁場などにより配向させてもよい。   Further, the carbon-based nanomaterial in the photosensitive layer may be oriented by an electric field, a magnetic field or the like.

<バインダー>
回路形成用レジストとしての感光性組成物におけるバインダーとしては、例えば、アルカリ性水溶液に対して膨潤性であることが好ましく、アルカリ性水溶液に対して可溶性であることがより好ましい。
アルカリ性水溶液に対して膨潤性又は溶解性を示すバインダーとしては、例えば、酸性基を有するものが好適に挙げられる。
<Binder>
As a binder in the photosensitive composition as a resist for circuit formation, for example, it is preferably swellable with an alkaline aqueous solution, and more preferably soluble in an alkaline aqueous solution.
As the binder exhibiting swellability or solubility with respect to the alkaline aqueous solution, for example, those having an acidic group are preferably exemplified.

前記酸性基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基などが挙げられ、これらの中でもカルボキシル基が好ましい。
カルボキシル基を有するバインダーとしては、例えば、カルボキシル基を有するビニル共重合体、ポリウレタン樹脂、ポリアミド酸樹脂、変性エポキシ樹脂などが挙げられ、これらの中でも、塗布溶媒への溶解性、アルカリ現像液への溶解性、合成適性、膜物性の調整の容易さ等の観点からカルボキシル基を有するビニル共重合体が好ましい。また、現像性の観点から、スチレン及びスチレン誘導体の少なくともいずれかの共重合体も好ましい。
There is no restriction | limiting in particular as said acidic group, According to the objective, it can select suitably, For example, a carboxyl group, a sulfonic acid group, a phosphoric acid group etc. are mentioned, Among these, a carboxyl group is preferable.
Examples of the binder having a carboxyl group include a vinyl copolymer having a carboxyl group, a polyurethane resin, a polyamic acid resin, and a modified epoxy resin. Among these, the solubility in a coating solvent, the solubility in an alkali developer, and the like. A vinyl copolymer having a carboxyl group is preferable from the viewpoint of solubility, suitability for synthesis, ease of adjustment of film properties, and the like. From the viewpoint of developability, a copolymer of at least one of styrene and a styrene derivative is also preferable.

前記カルボキシル基を有するビニル共重合体は、少なくとも(1)カルボキシル基を有するビニルモノマー、及び(2)これらと共重合可能なモノマーとの共重合により得ることができる。   The vinyl copolymer having a carboxyl group can be obtained by copolymerization of at least (1) a vinyl monomer having a carboxyl group, and (2) a monomer copolymerizable therewith.

前記カルボキシル基を有するビニルモノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸、ビニル安息香酸、マレイン酸、マレイン酸モノアルキルエステル、フマル酸、イタコン酸、クロトン酸、桂皮酸、アクリル酸ダイマー、水酸基を有する単量体(例えば、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート等)と環状無水物(例えば、無水マレイン酸や無水フタル酸、シクロヘキサンジカルボン酸無水物)との付加反応物、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレートなどが挙げられる。これらの中でも、共重合性やコスト、溶解性などの観点から(メタ)アクリル酸が特に好ましい。
また、カルボキシル基の前駆体として無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸等の無水物を有するモノマーを用いてもよい。
Examples of the vinyl monomer having a carboxyl group include (meth) acrylic acid, vinyl benzoic acid, maleic acid, maleic acid monoalkyl ester, fumaric acid, itaconic acid, crotonic acid, cinnamic acid, acrylic acid dimer, and hydroxyl group. An addition reaction product of a monomer (for example, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate) and a cyclic anhydride (for example, maleic anhydride, phthalic anhydride, cyclohexanedicarboxylic anhydride), ω-carboxy-polycaprolactone mono Examples include (meth) acrylate. Among these, (meth) acrylic acid is particularly preferable from the viewpoints of copolymerizability, cost, solubility, and the like.
Moreover, you may use the monomer which has anhydrides, such as maleic anhydride, itaconic anhydride, and citraconic anhydride, as a precursor of a carboxyl group.

前記その他の共重合可能なモノマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、(メタ)アクリル酸エステル類、クロトン酸エステル類、ビニルエステル類、マレイン酸ジエステル類、フマル酸ジエステル類、イタコン酸ジエステル類、(メタ)アクリルアミド類、ビニルエーテル類、ビニルアルコールのエステル類、スチレン類(例えば、スチレン、スチレン誘導体等)、(メタ)アクリロニトリル、ビニル基が置換した複素環式基(例えば、ビニルピリジン、ビニルピロリドン、ビニルカルバゾール等)、N−ビニルホルムアミド、N−ビニルアセトアミド、N−ビニルイミダゾール、ビニルカプロラクトン、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、リン酸モノ(2―アクリロイルオキシエチルエステル)、リン酸モノ(1−メチル−2―アクリロイルオキシエチルエステル)、官能基(例えば、ウレタン基、ウレア基、スルホンアミド基、フェノール基、イミド基)を有するビニルモノマーなどが挙げられ、これらの中でも配線パターンなどの永久パターンを高精細に形成することができる点、及び前記テント性を向上させることができる点で、前記スチレン類(スチレン及びスチレン誘導体)が好ましい。   The other copolymerizable monomer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include (meth) acrylic acid esters, crotonic acid esters, vinyl esters, and maleic acid diesters. , Fumaric acid diesters, itaconic acid diesters, (meth) acrylamides, vinyl ethers, esters of vinyl alcohol, styrenes (eg styrene, styrene derivatives, etc.), (meth) acrylonitrile, complex substituted with vinyl groups Cyclic groups (for example, vinylpyridine, vinylpyrrolidone, vinylcarbazole, etc.), N-vinylformamide, N-vinylacetamide, N-vinylimidazole, vinylcaprolactone, 2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid, monophosphate ( 2-Acryllo Ciethyl ester), phosphoric acid mono (1-methyl-2-acryloyloxyethyl ester), vinyl monomers having a functional group (for example, urethane group, urea group, sulfonamide group, phenol group, imide group) and the like. Among these, the styrenes (styrene and styrene derivatives) are preferable in that a permanent pattern such as a wiring pattern can be formed with high definition and the tent property can be improved.

前記(メタ)アクリル酸エステル類としては、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、n−プロピル(メタ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、t−ブチル(メタ)アクリレート、n−ヘキシル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、t−ブチルシクロヘキシル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、t−オクチル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、オクタデシル(メタ)アクリレート、アセトキシエチル(メタ)アクリレート、フェニル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、2−エトキシエチル(メタ)アクリレート、2−(2−メトキシエトキシ)エチル(メタ)アクリレート、3−フェノキシ−2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールモノメチルエーテル(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールモノエチルエーテル(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノエチルエーテル(メタ)アクリレート、β−フェノキシエトキシエチルアクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル(メタ)アクリレート、トリフロロエチル(メタ)アクリレート、オクタフロロペンチル(メタ)アクリレート、パーフロロオクチルエチル(メタ)アクリレート、トリブロモフェニル(メタ)アクリレート、トリブロモフェニルオキシエチル(メタ)アクリレートなどが挙げられる。   Examples of the (meth) acrylic acid esters include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, and isobutyl (meth) ) Acrylate, t-butyl (meth) acrylate, n-hexyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, t-butylcyclohexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, t-octyl (meth) acrylate, Dodecyl (meth) acrylate, octadecyl (meth) acrylate, acetoxyethyl (meth) acrylate, phenyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-methoxyethyl (meth) acrylate 2-ethoxyethyl (meth) acrylate, 2- (2-methoxyethoxy) ethyl (meth) acrylate, 3-phenoxy-2-hydroxypropyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, diethylene glycol monomethyl ether (meta ) Acrylate, diethylene glycol monoethyl ether (meth) acrylate, diethylene glycol monophenyl ether (meth) acrylate, triethylene glycol monomethyl ether (meth) acrylate, triethylene glycol monoethyl ether (meth) acrylate, polyethylene glycol monomethyl ether (meth) acrylate , Polyethylene glycol monoethyl ether (meth) acrylate, β-phenoxyethoxyethyl acrylate, Nylphenoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxyethyl (meth) acrylate, trifluoroethyl (meth) acrylate, octafluoropentyl (meth) Examples thereof include acrylate, perfluorooctylethyl (meth) acrylate, tribromophenyl (meth) acrylate, and tribromophenyloxyethyl (meth) acrylate.

前記クロトン酸エステル類としては、例えば、クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘキシルなどが挙げられる。   Examples of the crotonic acid esters include butyl crotonate and hexyl crotonate.

前記ビニルエステル類としては、例えば、ビニルアセテート、ビニルプロピオネート、ビニルブチレート、ビニルメトキシアセテート、安息香酸ビニルなどが挙げられる。   Examples of the vinyl esters include vinyl acetate, vinyl propionate, vinyl butyrate, vinyl methoxyacetate, vinyl benzoate, and the like.

前記マレイン酸ジエステル類としては、例えば、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジブチルなどが挙げられる。   Examples of the maleic acid diesters include dimethyl maleate, diethyl maleate, and dibutyl maleate.

前記フマル酸ジエステル類としては、例えば、フマル酸ジメチル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジブチルなどが挙げられる。   Examples of the fumaric acid diesters include dimethyl fumarate, diethyl fumarate, dibutyl fumarate and the like.

前記イタコン酸ジエステル類としては、例えば、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジブチルなどが挙げられる。   Examples of the itaconic acid diesters include dimethyl itaconate, diethyl itaconate, and dibutyl itaconate.

前記(メタ)アクリルアミド類としては、例えば、(メタ)アクリルアミド、N−メチル(メタ)アクリルアミド、N−エチル(メタ)アクリルアミド、N−プロピル(メタ)アクリルアミド、N−イソプロピル(メタ)アクリルアミド、N−n−ブチルアクリル(メタ)アミド、N−t−ブチル(メタ)アクリルアミド、N−シクロヘキシル(メタ)アクリルアミド、N−(2−メトキシエチル)(メタ)アクリルアミド、N,N−ジメチル(メタ)アクリルアミド、N,N−ジエチル(メタ)アクリルアミド、N−フェニル(メタ)アクリルアミド、N−ベンジル(メタ)アクリルアミド、(メタ)アクリロイルモルホリン、ジアセトンアクリルアミドなどが挙げられる。   Examples of the (meth) acrylamides include (meth) acrylamide, N-methyl (meth) acrylamide, N-ethyl (meth) acrylamide, N-propyl (meth) acrylamide, N-isopropyl (meth) acrylamide, N- n-butylacryl (meth) amide, Nt-butyl (meth) acrylamide, N-cyclohexyl (meth) acrylamide, N- (2-methoxyethyl) (meth) acrylamide, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, Examples thereof include N, N-diethyl (meth) acrylamide, N-phenyl (meth) acrylamide, N-benzyl (meth) acrylamide, (meth) acryloylmorpholine, diacetone acrylamide and the like.

前記スチレン類としては、例えば、スチレン、メチルスチレン、ジメチルスチレン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヒドロキシスチレン、メトキシスチレン、ブトキシスチレン、アセトキシスチレン、クロロスチレン、ジクロロスチレン、ブロモスチレン、クロロメチルスチレン、酸性物質により脱保護可能な基(例えば、t−Boc等)で保護されたヒドロキシスチレン、ビニル安息香酸メチル、α−メチルスチレンなどが挙げられる。   Examples of the styrenes include styrene, methyl styrene, dimethyl styrene, trimethyl styrene, ethyl styrene, isopropyl styrene, butyl styrene, hydroxy styrene, methoxy styrene, butoxy styrene, acetoxy styrene, chlorostyrene, dichlorostyrene, bromostyrene, chloro Examples include methylstyrene, hydroxystyrene protected with a group that can be deprotected by an acidic substance (for example, t-Boc and the like), methyl vinylbenzoate, α-methylstyrene, and the like.

前記ビニルエーテル類としては、例えば、メチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、ヘキシルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテルなどが挙げられる。   Examples of the vinyl ethers include methyl vinyl ether, butyl vinyl ether, hexyl vinyl ether, and methoxyethyl vinyl ether.

前記官能基を有するビニルモノマーの合成方法としては、例えば、イソシアナート基と水酸基又はアミノ基の付加反応が挙げられ、具体的には、イソシアナート基を有するモノマーと、水酸基を1個含有する化合物又は1級若しくは2級アミノ基を1個有する化合物との付加反応、水酸基を有するモノマー又は1級若しくは2級アミノ基を有するモノマーと、モノイソシアネートとの付加反応が挙げられる。   Examples of the method for synthesizing the vinyl monomer having a functional group include an addition reaction of an isocyanate group and a hydroxyl group or an amino group, specifically, a monomer having an isocyanate group and a compound containing one hydroxyl group. Alternatively, an addition reaction with a compound having one primary or secondary amino group, an addition reaction between a monomer having a hydroxyl group or a monomer having a primary or secondary amino group, and a monoisocyanate can be given.

前記イソシアナート基を有するモノマーとしては、例えば、下記構造式(1)〜(3)で表される化合物が挙げられる。   Examples of the monomer having an isocyanate group include compounds represented by the following structural formulas (1) to (3).

但し、前記構造式(1)〜(3)中、R1aは水素原子又はメチル基を表す。 However, in the structural formulas (1) to (3), R 1a represents a hydrogen atom or a methyl group.

前記モノイソシアネートとしては、例えば、シクロヘキシルイソシアネート、n−ブチルイソシアネート、トルイルイソシアネート、ベンジルイソシアネート、フェニルイソシアネート等が挙げられる。   Examples of the monoisocyanate include cyclohexyl isocyanate, n-butyl isocyanate, toluyl isocyanate, benzyl isocyanate, and phenyl isocyanate.

前記水酸基を有するモノマーとしては、例えば、下記構造式(4)〜(12)で表される化合物が挙げられる。   Examples of the monomer having a hydroxyl group include compounds represented by the following structural formulas (4) to (12).

但し、前記構造式(4)〜(12)中、R1bは水素原子又はメチル基を表し、n、n1及びn2は、各々独立に1以上のいずれかの整数を表す。 However, in the structural formulas (4) to (12), R 1b represents a hydrogen atom or a methyl group, and n, n1, and n2 each independently represents any integer of 1 or more.

前記水酸基を1個含有する化合物としては、例えば、アルコール類(例えば、メタノール、エタノール、n−プロパノール、i―プロパノール、n−ブタノール、sec−ブタノール、t−ブタノール、n−ヘキサノール、2−エチルヘキサノール、n−デカノール、n−ドデカノール、n−オクタデカノール、シクロペンタノール、シクロへキサノール、ベンジルアルコール、フェニルエチルアルコール等)、フェノール類(例えば、フェノール、クレゾール、ナフトール等)、更に置換基を含むものとして、フロロエタノール、トリフロロエタノール、メトキシエタノール、フェノキシエタノール、クロロフェノール、ジクロロフェノール、メトキシフェノール、アセトキシフェノール等が挙げられる。   Examples of the compound containing one hydroxyl group include alcohols (for example, methanol, ethanol, n-propanol, i-propanol, n-butanol, sec-butanol, t-butanol, n-hexanol, 2-ethylhexanol). , N-decanol, n-dodecanol, n-octadecanol, cyclopentanol, cyclohexanol, benzyl alcohol, phenylethyl alcohol, etc.), phenols (eg, phenol, cresol, naphthol, etc.), and further containing substituents Examples thereof include fluoroethanol, trifluoroethanol, methoxyethanol, phenoxyethanol, chlorophenol, dichlorophenol, methoxyphenol, acetoxyphenol, and the like.

前記1級又は2級アミノ基を有するモノマーとしては、例えば、ビニルベンジルアミンなどが挙げられる。   Examples of the monomer having a primary or secondary amino group include vinylbenzylamine.

前記1級又は2級アミノ基を1個含有する化合物としては、例えば、アルキルアミン(メチルアミン、エチルアミン、n−プロピルアミン、i―プロピルアミン、n−ブチルアミン、sec−ブチルアミン、t−ブチルアミン、ヘキシルアミン、2−エチルヘキシルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、オクタデシルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジブチルアミン、ジオクチルアミン)、環状アルキルアミン(シクロペンチルアミン、シクロへキシルアミン等)、アラルキルアミン(ベンジルアミン、フェネチルアミン等)、アリールアミン(アニリン、トルイルアミン、キシリルアミン、ナフチルアミン等)、更にこれらの組合せ(N−メチル−N−ベンジルアミン等)、更に置換基を含むアミン(トリフロロエチルアミン、ヘキサフロロイソプロピルアミン、メトキシアニリン、メトキシプロピルアミン等)などが挙げられる。   Examples of the compound containing one primary or secondary amino group include alkylamines (methylamine, ethylamine, n-propylamine, i-propylamine, n-butylamine, sec-butylamine, t-butylamine, hexyl). Amine, 2-ethylhexylamine, decylamine, dodecylamine, octadecylamine, dimethylamine, diethylamine, dibutylamine, dioctylamine), cyclic alkylamine (cyclopentylamine, cyclohexylamine, etc.), aralkylamine (benzylamine, phenethylamine, etc.), Arylamines (aniline, toluylamine, xylylamine, naphthylamine, etc.), combinations thereof (N-methyl-N-benzylamine, etc.), and amines containing further substituents (trifluoroethylamino) , Hexafluoro isopropyl amine, methoxyaniline, methoxypropylamine and the like) and the like.

また、上記以外の前記その他の共重合可能なモノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸ベンジル、(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシル、スチレン、クロルスチレン、ブロモスチレン、ヒドロキシスチレンなどが好適に挙げられる。   Examples of the other copolymerizable monomers other than those described above include, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, and (meth) acrylic. Preferable examples include 2-ethylhexyl acid, styrene, chlorostyrene, bromostyrene, and hydroxystyrene.

前記その他の共重合可能なモノマーは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   The said other copolymerizable monomer may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

前記ビニル共重合体は、それぞれ相当するモノマーを公知の方法により常法に従って共重合させることで調製することができる。例えば、前記モノマーを適当な溶媒中に溶解し、ここにラジカル重合開始剤を添加して溶液中で重合させる方法(溶液重合法)を利用することにより調製することができる。また、水性媒体中に前記モノマーを分散させた状態でいわゆる乳化重合等で重合を利用することにより調製することができる。   The vinyl copolymer can be prepared by copolymerizing the corresponding monomers by a known method according to a conventional method. For example, it can be prepared by using a method (solution polymerization method) in which the monomer is dissolved in a suitable solvent and a radical polymerization initiator is added thereto to polymerize in a solution. Moreover, it can prepare by utilizing superposition | polymerization by what is called emulsion polymerization etc. in the state which disperse | distributed the said monomer in the aqueous medium.

前記溶液重合法で用いられる適当な溶媒としては、特に制限はなく、使用するモノマー、及び生成する共重合体の溶解性等に応じて適宜選択することができ、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、1−メトキシ−2−プロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メトキシプロピルアセテート、乳酸エチル、酢酸エチル、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、クロロホルム、トルエンなどが挙げられる。これらの溶媒は、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   The suitable solvent used in the solution polymerization method is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the monomer used and the solubility of the copolymer to be produced. For example, methanol, ethanol, propanol, Examples include isopropanol, 1-methoxy-2-propanol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, methoxypropyl acetate, ethyl lactate, ethyl acetate, acetonitrile, tetrahydrofuran, dimethylformamide, chloroform, toluene and the like. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

前記ラジカル重合開始剤としては、特に制限はなく、例えば、2,2’−アゾビス(イソブチロニトリル)(AIBN)、2,2’−アゾビス−(2,4’−ジメチルバレロニトリル)等のアゾ化合物、ベンゾイルパーオキシド等の過酸化物、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩などが挙げられる。   The radical polymerization initiator is not particularly limited, and examples thereof include 2,2′-azobis (isobutyronitrile) (AIBN) and 2,2′-azobis- (2,4′-dimethylvaleronitrile). Examples thereof include peroxides such as azo compounds and benzoyl peroxide, and persulfates such as potassium persulfate and ammonium persulfate.

前記ビニル共重合体におけるカルボキシル基を有する重合性化合物の含有率としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、5〜50モル%が好ましく、10〜40モル%がより好ましく、15〜35モル%が特に好ましい。
前記含有率が、5モル%未満であると、アルカリ水への現像性が不足することがあり、50モル%を超えると、硬化部(画像部)の現像液耐性が不足することがある。
There is no restriction | limiting in particular as content rate of the polymeric compound which has a carboxyl group in the said vinyl copolymer, Although it can select suitably according to the objective, For example, 5-50 mol% is preferable, 10-40 mol % Is more preferable, and 15 to 35 mol% is particularly preferable.
If the content is less than 5 mol%, the developability to alkaline water may be insufficient, and if it exceeds 50 mol%, the developer resistance of the cured portion (image portion) may be insufficient.

前記カルボキシル基を有するバインダーの分子量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、質量平均分子量として、2,000〜300,000が好ましく、4,000〜150,000がより好ましい。
前記質量平均分子量が、2,000未満であると、膜の強度が不足しやすく、また安定な製造が困難になることがあり、300,000を超えると、現像性が低下することがある。
There is no restriction | limiting in particular as molecular weight of the binder which has the said carboxyl group, Although it can select suitably according to the objective, For example, 2,000-300,000 are preferable as a mass mean molecular weight, 4,000-150 1,000 is more preferable.
When the mass average molecular weight is less than 2,000, the strength of the film tends to be insufficient and stable production may be difficult, and when it exceeds 300,000, developability may be deteriorated.

前記カルボキシル基を有するバインダーは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。前記バインダーを2種以上併用する場合としては、例えば、異なる共重合成分からなる2種以上のバインダー、異なる質量平均分子量の2種以上のバインダー、異なる分散度の2種以上のバインダー、などの組合せが挙げられる。   The binder which has the said carboxyl group may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together. Examples of the case where two or more binders are used in combination include, for example, a combination of two or more binders composed of different copolymer components, two or more binders having different mass average molecular weights, and two or more binders having different dispersities. Is mentioned.

前記カルボキシル基を有するバインダーは、そのカルボキシル基の一部又は全部が塩基性物質で中和されていてもよい。また、前記バインダーは、さらにポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリビニルアルコール、ゼラチン等の構造の異なる樹脂を併用してもよい。   The binder having a carboxyl group may be partially or entirely neutralized with a basic substance. The binder may be used in combination with resins having different structures such as polyester resin, polyamide resin, polyurethane resin, epoxy resin, polyvinyl alcohol, and gelatin.

また、前記バインダーとしては、特許2873889号等に記載のアルカリ性液に可溶な樹脂などを用いることができる。   In addition, as the binder, a resin soluble in an alkaline liquid described in Japanese Patent No. 2873890 can be used.

前記感光性組成物における前記バインダーの含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、10〜90質量%が好ましく、20〜80質量%がより好ましく、40〜80質量%が特に好ましい。
前記含有量が10質量%未満であると、アルカリ現像性やプリント配線板形成用基板(例えば、銅張積層板)との密着性が低下することがあり、90質量%を超えると、現像時間に対する安定性や、硬化膜(テント膜)の強度が低下することがある。なお、前記含有量は、前記バインダーと必要に応じて併用される高分子結合剤との合計の含有量であってもよい。
There is no restriction | limiting in particular as content of the said binder in the said photosensitive composition, Although it can select suitably according to the objective, For example, 10-90 mass% is preferable, and 20-80 mass% is more preferable, 40-80 mass% is especially preferable.
When the content is less than 10% by mass, alkali developability and adhesion to a printed wiring board forming substrate (for example, a copper-clad laminate) may be deteriorated. Stability and strength of the cured film (tent film) may be reduced. The content may be the total content of the binder and the polymer binder used in combination as necessary.

<重合性化合物>
重合性化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ウレタン基(ウレタン結合)及びアリール基の少なくともいずれかを有するモノマー又はオリゴマーが好適に挙げられる。また、これらは、重合性基を2種以上有することが好ましい。
<Polymerizable compound>
There is no restriction | limiting in particular as a polymeric compound, Although it can select suitably according to the objective, For example, the monomer or oligomer which has at least any one of a urethane group (urethane bond) and an aryl group is mentioned suitably. Moreover, it is preferable that these have 2 or more types of polymeric groups.

前記重合性基としては、例えば、エチレン性不飽和結合(例えば、(メタ)アクリロイル基、(メタ)アクリルアミド基、スチリル基、ビニルエステルやビニルエーテル等のビニル基、アリルエーテルやアリルエステル等のアリル基など)、重合可能な環状エーテル基(例えば、エポキシ基、オキセタン基等)などが挙げられ、これらの中でもエチレン性不飽和結合が好ましい。   Examples of the polymerizable group include an ethylenically unsaturated bond (for example, (meth) acryloyl group, (meth) acrylamide group, styryl group, vinyl group such as vinyl ester and vinyl ether, allyl group such as allyl ether and allyl ester). Etc.) and a polymerizable cyclic ether group (for example, epoxy group, oxetane group, etc.) and the like. Among these, an ethylenically unsaturated bond is preferable.

(1)ウレタン基を有するモノマー
重合性化合物としての前記ウレタン基を有するモノマーとしては、ウレタン基を有する限り、特に制限は無く、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、特公昭48−41708、特開昭51−37193、特公平5−50737、特公平7−7208、特開2001−154346、特開2001−356476号公報等に記載されている化合物などが挙げられ、例えば、分子中に2個以上のイソシアネート基を有するポリイソシアネート化合物と分子中に水酸基を有するビニルモノマーとの付加物などが挙げられる。
(1) Monomer having a urethane group The monomer having a urethane group as a polymerizable compound is not particularly limited as long as it has a urethane group, and can be appropriately selected according to the purpose. -41708, JP-A-51-37193, JP-B-5-50737, JP-B-7-7208, JP-A-2001-154346, JP-A-2001-356476, and the like. Examples thereof include adducts of a polyisocyanate compound having two or more isocyanate groups and a vinyl monomer having a hydroxyl group in the molecule.

前記分子中に2個以上のイソシアネート基を有するポリイソシアネート化合物としては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、キシレンジイソシアネート、トルエンジイソシアネート、フェニレンジイソシアネート、ノルボルネンジイソシアネート、ジフェニルジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、3,3’ジメチル−4,4’−ジフェニルジイソシアネート等のジイソシアネート;該ジイソシアネートを更に2官能アルコールとの重付加物(この場合も両末端はイソシアネート基);該ジイソシアネートのビュレット体やイソシアヌレート等の3量体;該ジイソシアネート若しくはジイソシアネート類と、トリメチロールプロパン、ペンタエリトリトール、グリセリン等の多官能アルコール、又はこれらのエチレンオキシド付加物等の得られる他官能アルコールとの付加体などが挙げられる。   Examples of the polyisocyanate compound having two or more isocyanate groups in the molecule include hexamethylene diisocyanate, trimethylhexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, xylene diisocyanate, toluene diisocyanate, phenylene diisocyanate, norbornene diisocyanate, diphenyl diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, A diisocyanate such as 3,3′dimethyl-4,4′-diphenyl diisocyanate; a polyaddition product of the diisocyanate with a bifunctional alcohol (in this case, both ends are isocyanate groups); a burette or isocyanurate of the diisocyanate; Trimer; the diisocyanate or diisocyanates and trimethylolpropane, pe Taeritoritoru, polyfunctional alcohols such as glycerin, or the like adducts of other functional alcohol obtained of such these ethylene oxide adducts and the like.

前記分子中に水酸基を有するビニルモノマーとしては、例えば、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、オクタエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ジプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、テトラプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、オクタプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ジブチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、トリブチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、テトラブチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、オクタブチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリブチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールトリ(メタ)アクリレートなどが挙げられる。また、エチレンオキシドとプロピレンオキシドの共重合体(ランダム、ブロック等)などの異なるアルキレンオキシド部を有するジオール体の片末端(メタ)アクリレート体などが挙げられる。   Examples of the vinyl monomer having a hydroxyl group in the molecule include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, diethylene glycol mono (meth) acrylate, and triethylene. Glycol mono (meth) acrylate, tetraethylene glycol mono (meth) acrylate, octaethylene glycol mono (meth) acrylate, polyethylene glycol mono (meth) acrylate, dipropylene glycol mono (meth) acrylate, tripropylene glycol mono (meth) acrylate , Tetrapropylene glycol mono (meth) acrylate, octapropylene glycol mono (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) Chryrate, dibutylene glycol mono (meth) acrylate, tributylene glycol mono (meth) acrylate, tetrabutylene glycol mono (meth) acrylate, octabutylene glycol mono (meth) acrylate, polybutylene glycol mono (meth) acrylate, trimethylolpropane Examples include di (meth) acrylate and pentaerythritol tri (meth) acrylate. Moreover, the one terminal (meth) acrylate body of the diol body which has different alkylene oxide parts, such as a copolymer (random, a block, etc.) of ethylene oxide and propylene oxide, etc. are mentioned.

また、前記ウレタン基を有するモノマーとしては、トリ((メタ)アクリロイルオキシエチル)イソシアヌレート、ジ(メタ)アクリル化イソシアヌレート、エチレンオキシド変性イソシアヌル酸のトリ(メタ)アクリレート等のイソシアヌレート環を有する化合物が挙げられる。これらの中でも、下記構造式(13)、又は構造式(14)で表される化合物が好ましく、テント性の観点から、前記構造式(14)で示される化合物を少なくとも含むことが特に好ましい。また、これらの化合物は、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   In addition, examples of the monomer having a urethane group include compounds having an isocyanurate ring such as tri ((meth) acryloyloxyethyl) isocyanurate, di (meth) acrylated isocyanurate, and tri (meth) acrylate of ethylene oxide-modified isocyanuric acid. Is mentioned. Among these, the compound represented by the following structural formula (13) or the structural formula (14) is preferable, and it is particularly preferable that at least the compound represented by the structural formula (14) is included from the viewpoint of tent properties. Moreover, these compounds may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

前記構造式(13)及び(14)中、R1c〜R3cは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。X1c〜X3cは、アルキレンオキサイドを表し、1種単独でもよく、2種以上を併用してもよい。 In the structural formulas (13) and (14), R 1c to R 3c each independently represents a hydrogen atom or a methyl group. X 1c to X 3c represent an alkylene oxide, and may be used alone or in combination of two or more.

前記アルキレンオキサイド基としては、例えば、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基、ブチレンオキサイド基、ペンチレンオキサイド基、ヘキシレンオキサイド基、これらを組み合わせた基(ランダム、ブロックのいずれに組み合わされてもよい)などが好適に挙げられ、これらの中でも、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基、ブチレンオキサイド基、又はこれらの組み合わせた基が好ましく、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基がより好ましい。   Examples of the alkylene oxide group include an ethylene oxide group, a propylene oxide group, a butylene oxide group, a pentylene oxide group, a hexylene oxide group, and a group in which these are combined (may be combined in any of random or block). Among these, an ethylene oxide group, a propylene oxide group, a butylene oxide group, or a combination thereof is preferable, and an ethylene oxide group and a propylene oxide group are more preferable.

前記構造式(13)及び(14)中、m1〜m3は、各々独立に1〜60のいずれかの整数を表し、2〜30が好ましく、4〜15がより好ましい。   In the structural formulas (13) and (14), m1 to m3 each independently represents an integer of 1 to 60, preferably 2 to 30, and more preferably 4 to 15.

前記構造式(13)及び(14)中、Y1c及びY2cは、各々独立に炭素原子数2〜30の2価の有機基を表し、例えば、アルキレン基、アリーレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、カルボニル基(−CO−)、酸素原子(−O−)、硫黄原子(−S−)、イミノ基(−NH−)、イミノ基の水素原子が1価の炭化水素基で置換された置換イミノ基、スルホニル基(−SO−)又はこれらを組み合わせた基などが好適に挙げられ、これらの中でも、アルキレン基、アリーレン基、又はこれらを組み合わせた基が好ましい。 In the structural formulas (13) and (14), Y 1c and Y 2c each independently represent a divalent organic group having 2 to 30 carbon atoms, such as an alkylene group, an arylene group, an alkenylene group, or an alkynylene group. , A carbonyl group (—CO—), an oxygen atom (—O—), a sulfur atom (—S—), an imino group (—NH—), a hydrogen atom of the imino group substituted with a monovalent hydrocarbon group Preferred examples include imino group, sulfonyl group (—SO 2 —) or a combination thereof, and among these, an alkylene group, an arylene group, or a combination thereof is preferable.

前記アルキレン基は、分岐構造又は環状構造を有していてもよく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基、ペンチレン基、ネオペンチレン基、ヘキシレン基、トリメチルヘキシレン基、シクロへキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、2−エチルヘキシレン基、ノニレン基、デシレン基、ドデシレン基、オクタデシレン基、又は下記に示すいずれかの基などが好適に挙げられる。   The alkylene group may have a branched structure or a cyclic structure, for example, methylene group, ethylene group, propylene group, isopropylene group, butylene group, isobutylene group, pentylene group, neopentylene group, hexylene group, trimethyl hexene. Preferable examples include a xylene group, a cyclohexylene group, a heptylene group, an octylene group, a 2-ethylhexylene group, a nonylene group, a decylene group, a dodecylene group, an octadecylene group, or any of the groups shown below.

前記アリーレン基としては、炭化水素基で置換されていてもよく、例えば、フェニレン基、トリレン基、ジフェニレン基、ナフチレン基、又は下記に示す基などが好適に挙げられる。   The arylene group may be substituted with a hydrocarbon group, and examples thereof include a phenylene group, a tolylene group, a diphenylene group, a naphthylene group, and the groups shown below.

前記これらを組み合わせた基としては、例えば、キシリレン基などが挙げられる。   Examples of the group in which these are combined include a xylylene group.

前記アルキレン基、アリーレン基、又はこれらを組み合わせた基としては、更に置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、アリール基、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、2−エトキシエトキシ基)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基)、アシル基(例えば、アセチル基、プロピオニル基)、アシルオキシ基(例えば、アセトキシ基、ブチリルオキシ基)、アルコキシカルボニル基(例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェノキシカルボニル基)などが挙げられる。   The alkylene group, arylene group, or a combination thereof may further have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom (for example, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine). Atom), aryl group, alkoxy group (for example, methoxy group, ethoxy group, 2-ethoxyethoxy group), aryloxy group (for example, phenoxy group), acyl group (for example, acetyl group, propionyl group), acyloxy group (for example, , Acetoxy group, butyryloxy group), alkoxycarbonyl group (for example, methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group), aryloxycarbonyl group (for example, phenoxycarbonyl group) and the like.

前記構造式(14)中、nは3〜6のいずれかの整数を表し、重合性モノマーを合成するための原料供給性などの観点から、3、4又は6が好ましい。   In Structural Formula (14), n represents any integer of 3 to 6, and 3, 4 or 6 is preferable from the viewpoint of raw material supply capability for synthesizing a polymerizable monomer.

前記構造式(14)中、Zはn価(3価〜6価)の連結基を表し、例えば、下記に示すいずれかの基などが挙げられる。 In the structural formula (14), Z c represents a linking group of n-valent (trivalent to hexavalent), for example, such as any of the groups shown below.


但し、X4cはアルキレンオキサイドを表す。m4は、1〜20のいずれかの整数を表す。nは、3〜6のいずれかの整数を表す。Aは、n価(3価〜6価)の有機基を表す。

However, X4c represents an alkylene oxide. m4 represents any integer of 1-20. n represents an integer of 3 to 6. A represents an n-valent (trivalent to hexavalent) organic group.

前記Aとしては、例えば、n価の脂肪族基、n価の芳香族基、又はこれらとアルキレン基、アリーレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、イミノ基、イミノ基の水素原子が1価の炭化水素基で置換された置換イミノ基、又はスルホニル基とを組み合わせた基が好ましく、n価の脂肪族基、n価の芳香族基、又はこれらとアルキレン基、アリーレン基、酸素原子とを組み合わせた基がより好ましく、n価の脂肪族基又はn価の脂肪族基と、アルキレン基及び/又は酸素原子とを組み合わせた基が特に好ましい。   Examples of A include an n-valent aliphatic group, an n-valent aromatic group, and an alkylene group, an arylene group, an alkenylene group, an alkynylene group, a carbonyl group, an oxygen atom, a sulfur atom, an imino group, and an imino group. Are preferably a combination of a substituted imino group in which the hydrogen atom is substituted with a monovalent hydrocarbon group or a sulfonyl group, an n-valent aliphatic group, an n-valent aromatic group, or an alkylene group or arylene A group in which a group and an oxygen atom are combined is more preferable, and a group in which an n-valent aliphatic group or an n-valent aliphatic group is combined with an alkylene group and / or an oxygen atom is particularly preferable.

前記Aの炭素原子数としては、例えば、1〜100のいずれかの整数が好ましく、1〜50のいずれかの整数がより好ましく、3〜30のいずれかの整数が特に好ましい。   The number of carbon atoms of A is, for example, preferably an integer of 1 to 100, more preferably an integer of 1 to 50, and particularly preferably an integer of 3 to 30.

前記n価の脂肪族基としては、分岐構造又は環状構造を有していてもよい。
前記脂肪族基の炭素原子数としては、例えば、1〜30のいずれかの整数が好ましく、1〜20のいずれかの整数がより好ましく、3〜10のいずれかの整数が特に好ましい。
前記芳香族基の炭素原子数としては、6〜100のいずれかの整数が好ましく、6〜50のいずれかの整数がより好ましく、6〜30のいずれかの整数が特に好ましい。
The n-valent aliphatic group may have a branched structure or a cyclic structure.
As the number of carbon atoms of the aliphatic group, for example, an integer of 1 to 30 is preferable, an integer of 1 to 20 is more preferable, and an integer of 3 to 10 is particularly preferable.
The number of carbon atoms of the aromatic group is preferably an integer of 6 to 100, more preferably an integer of 6 to 50, and particularly preferably an integer of 6 to 30.

前記n価の脂肪族基、又は芳香族基は、更に置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、アリール基、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、2−エトキシエトキシ基)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基)、アシル基(例えば、アセチル基、プロピオニル基)、アシルオキシ基(例えば、アセトキシ基、ブチリルオキシ基)、アルコキシカルボニル基(例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェノキシカルボニル基)などが挙げられる。   The n-valent aliphatic group or aromatic group may further have a substituent. Examples of the substituent include a hydroxyl group, a halogen atom (for example, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, Iodine atom), aryl group, alkoxy group (for example, methoxy group, ethoxy group, 2-ethoxyethoxy group), aryloxy group (for example, phenoxy group), acyl group (for example, acetyl group, propionyl group), acyloxy group ( Examples thereof include an acetoxy group, a butyryloxy group), an alkoxycarbonyl group (for example, a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group), an aryloxycarbonyl group (for example, a phenoxycarbonyl group), and the like.

前記Aとしての前記アルキレン基は、分岐構造又は環状構造を有していてもよい。
前記アルキレン基の炭素原子数としては、例えば、1〜18のいずれかの整数が好ましく、1〜10のいずれかの整数がより好ましい。
The alkylene group as A may have a branched structure or a cyclic structure.
The number of carbon atoms of the alkylene group is, for example, preferably an integer of 1 to 18, and more preferably an integer of 1 to 10.

前記Aとしての前記アリーレン基は、炭化水素基で更に置換されていてもよい。
前記アリーレン基の炭素原子数としては、6〜18のいずれかの整数が好ましく、6〜10のいずれかの整数がより好ましい。
The arylene group as A may be further substituted with a hydrocarbon group.
As the number of carbon atoms of the arylene group, any integer of 6 to 18 is preferable, and any integer of 6 to 10 is more preferable.

前記Aとしての前記置換イミノ基の1価の炭化水素基の炭素原子数としては、1〜18のいずれかの整数が好ましく、1〜10のいずれかの整数がより好ましい。   The number of carbon atoms of the monovalent hydrocarbon group of the substituted imino group as A is preferably an integer of 1 to 18, and more preferably an integer of 1 to 10.

前記Aの好ましい例は以下の通りである。   Preferred examples of A are as follows.

前記(14)中、Zに連結する複数の下記官能基は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。
In the (14), a plurality of the following functional groups for coupling to the Z c may each be the same or different.

前記構造式(13)及び(14)で表される化合物としては、例えば下記構造式(15)〜(34)で表される化合物などが挙げられる。   Examples of the compounds represented by the structural formulas (13) and (14) include compounds represented by the following structural formulas (15) to (34).


但し、前記構造式(15)〜(34)中、n、n1、n2及びmは、各々独立に1〜60のいずれかの整数を表し、lは、各々独立に1〜20のいずれかの整数を表し、Rは、水素原子又はメチル基を表す。   However, in the structural formulas (15) to (34), n, n1, n2 and m each independently represent an integer of 1 to 60, and l is independently any of 1 to 20 Represents an integer, and R represents a hydrogen atom or a methyl group.

(2)アリール基を有するモノマー
重合性化合物としての前記アリール基を有するモノマーとしては、アリール基を有する限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、アリール基を有する多価アルコール化合物、多価アミン化合物及び多価アミノアルコール化合物の少なくともいずれかと不飽和カルボン酸とのエステル又はアミドなどが挙げられる。
(2) Monomer having an aryl group The monomer having an aryl group as a polymerizable compound is not particularly limited as long as it has an aryl group, and can be appropriately selected according to the purpose. And an ester or amide of an unsaturated carboxylic acid with at least one of a polyhydric alcohol compound, a polyhydric amine compound and a polyhydric amino alcohol compound.

前記アリール基を有する多価アルコール化合物、多価アミン化合物又は多価アミノアルコール化合物としては、例えば、ポリスチレンオキサイド、キシリレンジオール、ジ−(β−ヒドロキシエトキシ)ベンゼン、1,5−ジヒドロキシ−1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン、2、2−ジフェニル−1,3−プロパンジオール、ヒドロキシベンジルアルコール、ヒドロキシエチルレゾルシノール、1−フェニル−1,2−エタンジオール、2,3,5,6−テトラメチル−p−キシレン−α,α’−ジオール、1,1,4,4−テトラフェニル−1,4−ブタンジオール、1,1,4,4−テトラフェニル−2−ブチン−1,4−ジオール、1,1’−ビ−2−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン、1,1’−メチレン−ジ−2−ナフトール、1,2,4−ベンゼントリオール、ビフェノール、2,2’−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ブタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、ビス(ヒドロキシフェニル)メタン、カテコール、4−クロルレゾルシノール、ハイドロキノン、ヒドロキシベンジルアルコール、メチルハイドロキノン、メチレン−2,4,6−トリヒドロキシベンゾエート、フロログリシノール、ピロガロール、レゾルシノール、α−(1−アミノエチル)−p−ヒドロキシベンジルアルコール、α−(1−アミノエチル)−p−ヒドロキシベンジルアルコール、3−アミノ−4−ヒドロキシフェニルスルホンなどが挙げられる。また、この他、キシリレンビス(メタ)アクリルアミド、ノボラック型エポキシ樹脂やビスフェノールAジグリシジルエーテル等のグリシジル化合物にα、β−不飽和カルボン酸を付加して得られる化合物、フタル酸やトリメリット酸などと分子中に水酸基を含有するビニルモノマーから得られるエステル化物、フタル酸ジアリル、トリメリット酸トリアリル、ベンゼンジスルホン酸ジアリル、重合性モノマーとしてカチオン重合性のジビニルエーテル類(例えば、ビスフェノールAジビニルエーテル)、エポキシ化合物(例えば、ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAジグリシジルエーテル等)、ビニルエステル類(例えば、ジビニルフタレート、ジビニルテレフタレート、ジビニルベンゼン−1,3−ジスルホネート等)、スチレン化合物(例えば、ジビニルベンゼン、p−アリルスチレン、p−イソプロペンスチレン等)が挙げられる。これらの中でも下記構造式(35)で表される化合物が好ましい。   Examples of the polyhydric alcohol compound, polyamine compound or polyhydric amino alcohol compound having an aryl group include polystyrene oxide, xylylene diol, di- (β-hydroxyethoxy) benzene, 1,5-dihydroxy-1, 2,3,4-tetrahydronaphthalene, 2,2-diphenyl-1,3-propanediol, hydroxybenzyl alcohol, hydroxyethyl resorcinol, 1-phenyl-1,2-ethanediol, 2,3,5,6-tetra Methyl-p-xylene-α, α′-diol, 1,1,4,4-tetraphenyl-1,4-butanediol, 1,1,4,4-tetraphenyl-2-butyne-1,4- Diol, 1,1′-bi-2-naphthol, dihydroxynaphthalene, 1,1′-methylene-di-2-naphth 1,2,4-benzenetriol, biphenol, 2,2′-bis (4-hydroxyphenyl) butane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) cyclohexane, bis (hydroxyphenyl) methane, catechol, 4-chlororesorcinol, hydroquinone, hydroxybenzyl alcohol, methyl hydroquinone, methylene-2,4,6-trihydroxybenzoate, phloroglicinol, pyrogallol, resorcinol, α- (1-aminoethyl) -p-hydroxybenzyl alcohol, α -(1-aminoethyl) -p-hydroxybenzyl alcohol, 3-amino-4-hydroxyphenylsulfone and the like can be mentioned. In addition, compounds obtained by adding α, β-unsaturated carboxylic acid to glycidyl compounds such as xylylene bis (meth) acrylamide, novolac epoxy resin and bisphenol A diglycidyl ether, phthalic acid, trimellitic acid, etc. Esterified products obtained from vinyl monomers containing hydroxyl groups in the molecule, diallyl phthalate, triallyl trimellitic acid, diallyl benzenedisulfonate, cationically polymerizable divinyl ethers (for example, bisphenol A divinyl ether), epoxy as a polymerizable monomer Compound (for example, novolac type epoxy resin, bisphenol A diglycidyl ether, etc.), vinyl ester (for example, divinyl phthalate, divinyl terephthalate, divinylbenzene-1,3-disulfonate, etc.), styrene Compounds such as divinylbenzene, p-allylstyrene, p-isopropenestyrene, and the like. Among these, a compound represented by the following structural formula (35) is preferable.


前記構造式(35)中、R4c及びR5cは、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。

In the structural formula (35), R 4c and R 5c each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group.

前記構造式(35)中、X5c及びX6cは、アルキレンオキサイド基を表し、1種単独でもよく、2種以上を併用してもよい。該アルキレンオキサイド基としては、例えば、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基、ブチレンオキサイド基、ペンチレンオキサイド基、ヘキシレンオキサイド基、これらを組み合わせた基(ランダム、ブロックのいずれに組み合わされてもよい)、などが好適に挙げられ、これらの中でも、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基、ブチレンオキサイド基、又はこれらを組み合わせた基が好ましく、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基がより好ましい。 In the structural formula (35), X 5c and X 6c represent an alkylene oxide group, which may be used alone or in combination of two or more. Examples of the alkylene oxide group include an ethylene oxide group, a propylene oxide group, a butylene oxide group, a pentylene oxide group, a hexylene oxide group, a group in which these are combined (which may be combined in any of random and block), Among these, an ethylene oxide group, a propylene oxide group, a butylene oxide group, or a group combining these is preferable, and an ethylene oxide group and a propylene oxide group are more preferable.

前記構造式(35)中、m5及びm6は、各々独立に、1〜60のいずれかの整数が好ましく、2〜30のいずれかの整数がより好ましく、4〜15のいずれかの整数が特に好ましい。   In the structural formula (35), m5 and m6 are each independently preferably an integer of 1 to 60, more preferably an integer of 2 to 30, and particularly preferably an integer of 4 to 15. preferable.

前記構造式(35)中、Tは、2価の連結基を表し、例えば、メチレン、エチレン、CHCCCH、CFCCF、CO、SOなどが挙げられる。 In the structural formula (35), T c represents a divalent linking group, and examples thereof include methylene, ethylene, CH 3 CCCH 3 , CF 3 CCF 3 , CO, and SO 2 .

前記構造式(35)中、Ar及びArは、各々独立に、置換基を有していてもよいアリール基を表し、例えば、フェニレン、ナフチレンなどが挙げられる。前記置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基、又はこれらの組合せなどが挙げられる。 In the structural formula (35), Ar 1 and Ar 2 each independently represent an aryl group which may have a substituent, and examples thereof include phenylene and naphthylene. Examples of the substituent include an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, a halogen group, an alkoxy group, or a combination thereof.

前記アリール基を有するモノマーの具体例としては、2,2−ビス〔4−(3−(メタ)アクリルオキシ−2−ヒドロキシプロポキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔4−((メタ)アクリルオキシエトキシ)フェニル〕プロパン、フェノール性のOH基1個に置換しさせたエトキシ基の数が2から20である2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシポリエトキシ)フェニル)プロパン(例えば、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシジエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシテトラエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシペンタエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシペンタデカエトキシ)フェニル)プロパン等)、2,2−ビス〔4−((メタ)アクリルオキシプロポキシ)フェニル〕プロパン、フェノール性のOH基1個に置換させたエトキシ基の数が2から20である2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシポリプロポキシ)フェニル)プロパン(例えば、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシジプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシテトラプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシペンタプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシデカプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシペンタデカプロポキシ)フェニル)プロパン等)、又はこれらの化合物のポリエーテル部位として同一分子中にポリエチレンオキシド骨格とポリプロピレンオキシド骨格の両方を含む化合物(例えば、WO01/98832号公報に記載の化合物等、又は、市販品として、新中村化学工業社製、BPE−200、BPE−500、BPE−1000)、ビスフェノール骨格とウレタン基とを有する重合性化合物などが挙げられる。なお、これらは、ビスフェノールA骨格に由来する部分をビスフェノールF又はビスフェノールS等に変更した化合物であってもよい。   Specific examples of the monomer having an aryl group include 2,2-bis [4- (3- (meth) acryloxy-2-hydroxypropoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4-((meth)). (Acryloxyethoxy) phenyl] propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxypolyethoxy) phenyl) propane having 2 to 20 ethoxy groups substituted with one phenolic OH group (For example, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxydiethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxytetraethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((Meth) acryloyloxypentaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxydecae) Xyl) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxypentadecaethoxy) phenyl) propane), 2,2-bis [4-((meth) acryloxypropoxy) phenyl] propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxypolypropoxy) phenyl) propane (e.g. 2,2-bis (2) having 2 to 20 ethoxy groups substituted with one phenolic OH group 4-((meth) acryloyloxydipropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxytetrapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxy) Pentapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxydecapropoxy) pheny ) Propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxypentadecapropoxy) phenyl) propane, or the like, or both the polyethylene oxide skeleton and the polypropylene oxide skeleton in the same molecule as the polyether moiety Compounds (for example, compounds described in WO01 / 98832 etc., or commercially available products, Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., BPE-200, BPE-500, BPE-1000), bisphenol skeleton and urethane group Examples thereof include a polymerizable compound. These compounds may be compounds obtained by changing the part derived from the bisphenol A skeleton to bisphenol F or bisphenol S.

前記ビスフェノール骨格とウレタン基とを有する重合性化合物としては、例えば、ビスフェノールとエチレンオキシド又はプロピレンオキシド等の付加物、重付加物として得られる末端に水酸基を有する化合物にイソシアネート基と重合性基とを有する化合物(例えば、2−イソシアネートエチル(メタ)アクリレート、α、α−ジメチル−ビニルベンジルイソシアネート等)などが挙げられる。   Examples of the polymerizable compound having a bisphenol skeleton and a urethane group include an isocyanate group and a polymerizable group in a compound having a hydroxyl group at the terminal obtained as an adduct such as bisphenol and ethylene oxide or propylene oxide, or a polyaddition product. Examples thereof include compounds (for example, 2-isocyanatoethyl (meth) acrylate, α, α-dimethyl-vinylbenzyl isocyanate, etc.).

(3)その他の重合性モノマー
本発明の感光性組成物には、前記パターン形成材料としての特性を悪化させない範囲で、前記ウレタン基を含有するモノマー、アリール基を有するモノマー以外の重合性モノマーを併用してもよい。
(3) Other polymerizable monomer In the photosensitive composition of the present invention, a polymerizable monomer other than the monomer containing the urethane group and the monomer having an aryl group is added as long as the characteristics as the pattern forming material are not deteriorated. You may use together.

前記ウレタン基を含有するモノマー、芳香環を含有するモノマー以外の重合性モノマーとしては、例えば、不飽和カルボン酸(例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、イソクロトン酸、マレイン酸等)と脂肪族多価アルコール化合物とのエステル、不飽和カルボン酸と多価アミン化合物とのアミドなどが挙げられる。   Examples of the polymerizable monomer other than the monomer containing a urethane group and the monomer containing an aromatic ring include unsaturated carboxylic acids (for example, acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, isocrotonic acid, maleic acid, etc.) And an ester of an aliphatic polyhydric alcohol compound and an amide of an unsaturated carboxylic acid and a polyvalent amine compound.

前記不飽和カルボン酸と脂肪族多価アルコール化合物とのエステルのモノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸エステルとして、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、エチレン基の数が2〜18であるポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート(例えば、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ノナエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ドデカエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラデカエチレングリコールジ(メタ)アクリレート等)、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレン基の数が2から18であるポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート(例えば、ジプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ドデカプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート等)、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、エチレンオキシド変性ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレンオキシド変性ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ((メタ)アクリロイルオキシプロピル)エーテル、トリメチロールエタントリ(メタ)アクリレート、1,3−プロパンジオールジ(メタ)アクリレート、1,3−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、テトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−シクロヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,2,4−ブタントリオールトリ(メタ)アクリレート、1,5−ベンタンジオール(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリトリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ソルビトールトリ(メタ)アクリレート、ソルビトールテトラ(メタ)アクリレート、ソルビトールペンタ(メタ)アクリレート、ソルビトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジメチロールジシクロペンタンジ(メタ)アクリレート、トリシクロデカンジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコール変性トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、エチレングリコール鎖/プロピレングリコール鎖を少なくとも各々一つずつ有するアルキレングリコール鎖のジ(メタ)アクリレート(例えば、WO01/98832号公報に記載の化合物等)、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドの少なくともいずれかを付加したトリメチロールプロパンのトリ(メタ)アクリル酸エステル、ポリブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、グリセリンジ(メタ)アクリレート、グリセリントリ(メタ)アクリレート、キシレノールジ(メタ)アクリレートなどが挙げられる。   Examples of the monomer of the ester of the unsaturated carboxylic acid and the aliphatic polyhydric alcohol compound include (meth) acrylic acid ester, ethylene glycol di (meth) acrylate, and polyethylene glycol having 2 to 18 ethylene groups. Di (meth) acrylate (for example, diethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, nonaethylene glycol di (meth) acrylate, dodecaethylene glycol di (meth) acrylate , Tetradecaethylene glycol di (meth) acrylate, etc.), propylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate having 2 to 18 propylene groups (for example, , Dipropylene glycol di (meth) acrylate, tripropylene glycol di (meth) acrylate, tetrapropylene glycol di (meth) acrylate, dodecapropylene glycol di (meth) acrylate, etc.), neopentyl glycol di (meth) acrylate, ethylene oxide modified Neopentyl glycol di (meth) acrylate, propylene oxide modified neopentyl glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, trimethylolpropane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri ((meth) acryloyloxypropyl) ) Ether, trimethylolethane tri (meth) acrylate, 1,3-propanediol di (meth) acrylate, 1,3-butanediol (Meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, tetramethylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-cyclohexanediol di (meth) acrylate, 1,2,4-butanetriol tri (meth) acrylate, 1,5-bentanediol (meth) acrylate, pentaerythritol di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, di Pentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, sorbitol tri (meth) acrylate, sorbitol tetra (meth) acrylate, sorbitol penta (meth) acrylate Rate, sorbitol hexa (meth) acrylate, dimethylol dicyclopentane di (meth) acrylate, tricyclodecane di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol modified trimethylolpropane di (meth) acrylate A di (meth) acrylate of an alkylene glycol chain having at least one ethylene glycol chain / propylene glycol chain (for example, a compound described in WO01 / 98832), at least one of ethylene oxide and propylene oxide Trimethylolpropane tri (meth) acrylate, polybutylene glycol di (meth) acrylate, glycerin di (meth) acrylate, glycerin tri (meth) acrylate Relate and xylenol di (meth) acrylate.

前記(メタ)アクリル酸エステル類の中でも、その入手の容易さ等の観点から、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、エチレングリコール鎖/プロピレングリコール鎖を少なくとも各々一つずつ有するアルキレングリコール鎖のジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールトリアクリレート、ペンタエリトリトールジ(メタ)アクリレート、ジペンタエリトリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサ(メタ)アクリレート、グリセリントリ(メタ)アクリレート、ジグリセリンジ(メタ)アクリレート、1,3−プロパンジオールジ(メタ)アクリレート、1,2,4−ブタントリオールトリ(メタ)アクリレート、1,4−シクロヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,5−ペンタンジオール(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド付加したトリメチロールプロパンのトリ(メタ)アクリル酸エステルなどが好ましい。   Among the (meth) acrylic acid esters, ethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meta) from the viewpoint of easy availability. ) Acrylate, di (meth) acrylate of alkylene glycol chain each having at least one ethylene glycol chain / propylene glycol chain, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, pentaerythritol triacrylate, penta Erythritol di (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, glycerin tri (Meth) acrylate, diglycerin di (meth) acrylate, 1,3-propanediol di (meth) acrylate, 1,2,4-butanetriol tri (meth) acrylate, 1,4-cyclohexanediol di (meth) acrylate, 1, Preference is given to 5-pentanediol (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate added with ethylene oxide, and the like.

前記イタコン酸と前記脂肪族多価アルコール化合物とのエステル(イタコン酸エステル)としては、例えば、エチレングリコールジイタコネート、プロピレングリコールジイタコネート、1,3−ブタンジオールジイタコネート、1,4ーブタンジオールジイタコネート、テトラメチレングリコールジイタコネート、ペンタエリトリトールジイタコネート、及びソルビトールテトライタコネートなどが挙げられる。   Examples of the ester (itaconic acid ester) of the itaconic acid and the aliphatic polyhydric alcohol compound include ethylene glycol diitaconate, propylene glycol diitaconate, 1,3-butanediol diitaconate, 1,4- Examples include butanediol diitaconate, tetramethylene glycol diitaconate, pentaerythritol diitaconate, and sorbitol tetritaconate.

前記クロトン酸と前記脂肪族多価アルコール化合物とのエステル(クロトン酸エステル)としては、例えば、エチレングリコールジクロトネート、テトラメチレングリコールジクロトネート、ペンタエリトリトールジクロトネート、ソルビトールテトラジクロトネートなどが挙げられる。   Examples of the ester (crotonate ester) of the crotonic acid and the aliphatic polyhydric alcohol compound include ethylene glycol dicrotonate, tetramethylene glycol dicrotonate, pentaerythritol dicrotonate, and sorbitol tetradicrotonate. Can be mentioned.

前記イソクロトン酸と前記脂肪族多価アルコール化合物とのエステル(イソクロトン酸エステル)としては、例えば、エチレングリコールジイソクロトネート、ペンタエリトリトールジイソクロトネート、ソルビトールテトライソクロトネートなどが挙げられる。   Examples of the ester of the isocrotonic acid and the aliphatic polyhydric alcohol compound (isocrotonate ester) include ethylene glycol diisocrotonate, pentaerythritol diisocrotonate, sorbitol tetraisocrotonate, and the like.

前記マレイン酸と前記脂肪族多価アルコール化合物とのエステル(マレイン酸エステル)としては、例えば、エチレングリコールジマレート、トリエチレングリコールジマレート、ペンタエリトリトールジマレート、ソルビトールテトラマレートなどが挙げられる。   Examples of the ester of maleic acid and the aliphatic polyhydric alcohol compound (maleic acid ester) include ethylene glycol dimaleate, triethylene glycol dimaleate, pentaerythritol dimaleate, and sorbitol tetramaleate.

前記多価アミン化合物と前記不飽和カルボン酸類から誘導されるアミドとしては、例えば、メチレンビス(メタ)アクリルアミド、エチレンビス(メタ)アクリルアミド、1,6−ヘキサメチレンビス(メタ)アクリルアミド、オクタメチレンビス(メタ)アクリルアミド、ジエチレントリアミントリス(メタ)アクリルアミド、ジエチレントリアミンビス(メタ)アクリルアミド、などが挙げられる。   Examples of the amide derived from the polyvalent amine compound and the unsaturated carboxylic acid include methylene bis (meth) acrylamide, ethylene bis (meth) acrylamide, 1,6-hexamethylene bis (meth) acrylamide, and octamethylene bis ( And (meth) acrylamide, diethylenetriamine tris (meth) acrylamide, and diethylenetriamine bis (meth) acrylamide.

また、上記以外にも、前記重合性モノマーとして、例えば、ブタンジオール−1,4−ジグリシジルエーテル、シクロヘキサンジメタノールグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、ジプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ペンタエリトリトールテトラグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル等のグリシジル基含有化合物にα,β−不飽和カルボン酸を付加して得られる化合物、特開昭48−64183号、特公昭49−43191号、特公昭52−30490号各公報に記載されているようなポリエステルアクリレートやポリエステル(メタ)アクリレートオリゴマー類、エポキシ化合物(例えば、ブタンジオール−1,4−ジグリシジルエーテル、シクロヘキサンジメタノールグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、ジプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ペンタエリトリトールテトラグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテルなど)と(メタ)アクリル酸を反応させたエポキシアクリレート類等の多官能のアクリレートやメタクリレート、日本接着協会誌vol.20、No.7、300〜308ページ(1984年)に記載の光硬化性モノマー及びオリゴマー、アリルエステル(例えば、フタル酸ジアリル、アジピン酸ジアリル、マロン酸ジアリル、ジアリルアミド(例えば、ジアリルアセトアミド等)、カチオン重合性のジビニルエーテル類(例えば、ブタンジオール−1,4−ジビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、エチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、ジプロピレングリコールジビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ペンタエリトリトールテトラビニルエーテル、グリセリントリビニルエーテル等)、エポキシ化合物(例えば、ブタンジオール−1,4−ジグリシジルエーテル、シクロヘキサンジメタノールグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、ジプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ペンタエリトリトールテトラグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル等)、オキセタン類(例えば、1,4−ビス〔(3−エチルー3−オキセタニルメトキシ)メチル〕ベンゼン等)、エポキシ化合物、オキセタン類(例えば、WO01/22165号公報に記載の化合物)、N−β−ヒドロキシエチル−β−(メタクリルアミド)エチルアクリレート、N,N−ビス(β−メタクリロキシエチル)アクリルアミド、アリルメタクリレート等の異なったエチレン性不飽和二重結合を2個以上有する化合物などが挙げられる。   In addition to the above, as the polymerizable monomer, for example, butanediol-1,4-diglycidyl ether, cyclohexanedimethanol glycidyl ether, ethylene glycol diglycidyl ether, diethylene glycol diglycidyl ether, dipropylene glycol diglycidyl ether, Compound obtained by adding α, β-unsaturated carboxylic acid to glycidyl group-containing compound such as hexanediol diglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, pentaerythritol tetraglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, Polyester acrylate and polyester (meth) acrylate as described in JP-B-6183, JP-B-49-43191 and JP-B-52-30490. Rate oligomers, epoxy compounds (for example, butanediol-1,4-diglycidyl ether, cyclohexanedimethanol glycidyl ether, diethylene glycol diglycidyl ether, dipropylene glycol diglycidyl ether, hexanediol diglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether , Pentaerythritol tetraglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, etc.) and (meth) acrylic acid, polyfunctional acrylates and methacrylates such as epoxy acrylates, Vol. 20, no. 7, photocurable monomers and oligomers described in pages 300 to 308 (1984), allyl esters (for example, diallyl phthalate, diallyl adipate, diallyl malonate, diallylamide (eg diallylacetamide, etc.), cationic polymerizable Divinyl ethers such as butanediol-1,4-divinyl ether, cyclohexanedimethanol divinyl ether, ethylene glycol divinyl ether, diethylene glycol divinyl ether, dipropylene glycol divinyl ether, hexanediol divinyl ether, trimethylolpropane trivinyl ether, penta Erythritol tetravinyl ether, glycerin trivinyl ether, etc.), epoxy compounds (for example, butanediol-1,4-diglycidyl ester) Ter, cyclohexanedimethanol glycidyl ether, ethylene glycol diglycidyl ether, diethylene glycol diglycidyl ether, dipropylene glycol diglycidyl ether, hexanediol diglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, pentaerythritol tetraglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, etc. ), Oxetanes (for example, 1,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene), epoxy compounds, oxetanes (for example, compounds described in WO01 / 22165), N-β -Hydroxyethyl-β- (methacrylamide) ethyl acrylate, N, N-bis (β-methacryloxyethyl) acrylamide, allyl methacrylate Different ethylenically unsaturated double bond to a compound having two or more of over preparative like, and the like.

前記ビニルエステル類としては、例えば、ジビニルサクシネート、ジビニルアジペートなどが挙げられる。   Examples of the vinyl esters include divinyl succinate and divinyl adipate.

これらの多官能モノマー又はオリゴマーは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   These polyfunctional monomers or oligomers may be used alone or in combination of two or more.

前記重合性モノマーは、必要に応じて、分子内に重合性基を1個含有する重合性化合物(単官能モノマー)を併用してもよい。
前記単官能モノマーとしては、例えば、前記バインダーの原料として例示した化合物、特開平6−236031号公報に記載されている2塩基のモノ((メタ)アクリロイルオキシアルキルエステル)モノ(ハロヒドロキシアルキルエステル)等の単官能モノマー(例えば、γ−クロロ−β−ヒドロキシプロピル−β’−メタクリロイルオキシエチル−o−フタレート等)、特許2744643号公報、WO00/52529号パンフレット、特許2548016号公報等に記載の化合物が挙げられる。
If necessary, the polymerizable monomer may be used in combination with a polymerizable compound (monofunctional monomer) containing one polymerizable group in the molecule.
Examples of the monofunctional monomer include the compounds exemplified as the raw material of the binder, and the dibasic mono ((meth) acryloyloxyalkyl ester) mono (halohydroxyalkyl ester) described in JP-A-6-236031. Monofunctional monomers such as γ-chloro-β-hydroxypropyl-β′-methacryloyloxyethyl-o-phthalate, etc., compounds described in Japanese Patent No. 2744443, WO00 / 52529 pamphlet, Japanese Patent No. 2548016, etc. Is mentioned.

前記感光性組成物における重合性化合物の含有量としては、5〜90質量%が好ましく、15〜60質量%がより好ましく、20〜50質量%が特に好ましい。
前記含有量が、5質量%未満となると、テント膜の強度が低下することがあり、90質量%を超えると、前記パターン形成材料の保存時のエッジフュージョン(ロール端部からのしみだし故障)が悪化することがある。
また、前記重合性基を2個以上有する多官能モノマーの含有量としては、全重合性化合物に対して、5〜100質量%が好ましく、20〜100質量%がより好ましく、40〜100質量%が特に好ましい。
As content of the polymeric compound in the said photosensitive composition, 5-90 mass% is preferable, 15-60 mass% is more preferable, 20-50 mass% is especially preferable.
When the content is less than 5% by mass, the strength of the tent film may be reduced. When the content exceeds 90% by mass, edge fusion during storage of the pattern forming material (a bleed-out failure from the end of the roll) May get worse.
Moreover, as content of the polyfunctional monomer which has 2 or more of the said polymeric groups, 5-100 mass% is preferable with respect to all the polymeric compounds, 20-100 mass% is more preferable, 40-100 mass% Is particularly preferred.

<光重合開始剤>
光重合開始剤としては、前記重合性化合物の重合を開始する能力を有する限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、光励起された前記増感剤と何らかの作用を生じ、活性ラジカルを生成するラジカル発生剤、モノマーの種類に応じてカチオン重合を開始させるような開始剤等を含んでいてもよい。
<Photopolymerization initiator>
The photopolymerization initiator is not particularly limited as long as it has the ability to initiate polymerization of the polymerizable compound, and can be appropriately selected according to the purpose. For example, the photopolymerization initiator has some action with the photosensitized sensitizer. A radical generator that generates and generates active radicals, and an initiator that initiates cationic polymerization according to the type of monomer may be included.

前記光重合開始剤としては、例えば、ハロゲン化炭化水素誘導体(例えば、トリアジン骨格を有するもの、オキサジアゾール骨格を有するもの等)、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、芳香族オニウム塩、メタロセン類、及びアシルホスフィンオキシド化合物などが挙げられる。これらの中でも、感光層の感度、保存性、及び感光層とプリント配線板形成用基板との密着性等の観点から、トリアジン骨格を有するハロゲン化炭化水素、オキシム誘導体、ケトン化合物、ヘキサアリールビイミダゾール系化合物が好ましい。   Examples of the photopolymerization initiator include halogenated hydrocarbon derivatives (for example, those having a triazine skeleton, those having an oxadiazole skeleton), hexaarylbiimidazole, oxime derivatives, organic peroxides, thio compounds, Examples include ketone compounds, aromatic onium salts, metallocenes, and acylphosphine oxide compounds. Among these, halogenated hydrocarbons having a triazine skeleton, oxime derivatives, ketone compounds, hexaarylbiimidazoles from the viewpoints of the sensitivity and storage stability of the photosensitive layer and the adhesion between the photosensitive layer and the printed wiring board forming substrate. System compounds are preferred.

前記ヘキサアリールビイミダゾールとしては、例えば、2,2’−ビス(2−クロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニルビイミダゾール、2,2’−ビス(o−フロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニルビイミダゾール、2,2’−ビス(2−ブロモフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニルビイミダゾール、2,2’−ビス(2,4−ジクロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニルビイミダゾール、2,2’−ビス(2−クロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラ(3−メトキシフェニル)ビイミダゾール、2,2’−ビス(2−クロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラ(4−メトキシフェニル)ビイミダゾール、2,2’−ビス(4−メトキシフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニルビイミダゾール、2,2’−ビス(2,4−ジクロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニルビイミダゾール、2,2’−ビス(2−ニトロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニルビイミダゾール、2,2’−ビス(2−メチルフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニルビイミダゾール、2,2’−ビス(2−トリフルオロメチルフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニルビイミダゾール、WO00/52529号パンフレットに記載の化合物などが挙げられる。   Examples of the hexaarylbiimidazole include 2,2′-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ′, 5,5′-tetraphenylbiimidazole, 2,2′-bis (o-fluorophenyl)- 4,4 ′, 5,5′-tetraphenylbiimidazole, 2,2′-bis (2-bromophenyl) -4,4 ′, 5,5′-tetraphenylbiimidazole, 2,2′-bis ( 2,4-dichlorophenyl) -4,4 ′, 5,5′-tetraphenylbiimidazole, 2,2′-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ′, 5,5′-tetra (3-methoxyphenyl) ) Biimidazole, 2,2′-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ′, 5,5′-tetra (4-methoxyphenyl) biimidazole, 2,2′-bis (4-methoxyphenyl) -4 , 4 ', , 5′-tetraphenylbiimidazole, 2,2′-bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4 ′, 5,5′-tetraphenylbiimidazole, 2,2′-bis (2-nitrophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2-methylphenyl) -4,4', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2-Trifluoromethylphenyl) -4,4 ′, 5,5′-tetraphenylbiimidazole, compounds described in WO00 / 52529 pamphlet, and the like.

前記ビイミダゾール類は、例えば、Bull.Chem.Soc.Japan,33,565(1960)、及びJ.Org.Chem,36(16)2262(1971)に開示されている方法により容易に合成することができる。   The biimidazoles are described in, for example, Bull. Chem. Soc. Japan, 33, 565 (1960); Org. It can be easily synthesized by the method disclosed in Chem, 36 (16) 2262 (1971).

トリアジン骨格を有するハロゲン化炭化水素化合物としては、例えば、若林ら著、Bull.Chem.Soc.Japan,42、2924(1969)記載の化合物、英国特許1388492号明細書記載の化合物、特開昭53−133428号公報記載の化合物、独国特許3337024号明細書記載の化合物、F.C.Schaefer等によるJ.Org.Chem.;29、1527(1964)記載の化合物、特開昭62−58241号公報記載の化合物、特開平5−281728号公報記載の化合物、特開平5−34920号公報記載化合物、米国特許第4212976号明細書に記載されている化合物が挙げられる。   Examples of the halogenated hydrocarbon compound having a triazine skeleton include those described in Wakabayashi et al., Bull. Chem. Soc. Japan, 42, 2924 (1969), a compound described in British Patent 1388492, a compound described in JP-A-53-133428, a compound described in German Patent 3337024, F.I. C. J. Schaefer et al. Org. Chem. 29, 1527 (1964), compounds described in JP-A-62-258241, compounds described in JP-A-5-281728, compounds described in JP-A-5-34920, US Pat. No. 4,221,976 And compounds described in the book.

前記若林ら著、Bull.Chem.Soc.Japan,42、2924(1969)記載の化合物としては、例えば、2−フェニル−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−クロルフェニル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−トリル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(2,4−ジクロルフェニル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2,4,6−トリス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−メチル−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−n−ノニル−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、及び2−(α,α,β−トリクロルエチル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジンなどが挙げられる。   Wakabayashi et al., Bull. Chem. Soc. As a compound described in Japan, 42, 2924 (1969), for example, 2-phenyl-4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-chlorophenyl) -4,6 -Bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-tolyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-methoxyphenyl)- 4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (2,4-dichlorophenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2, 4,6-tris (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2-methyl-4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2-n-nonyl-4,6- Bis (trichloromethyl) 1,3,5-triazine, and 2-(alpha, alpha, beta-trichloroethyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine.

前記英国特許1388492号明細書記載の化合物としては、例えば、2−スチリル−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−メチルスチリル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−メトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−メトキシスチリル)−4−アミノ−6−トリクロルメチル−1,3,5−トリアジンなどが挙げられる。   Examples of the compound described in the British Patent 1388492 include 2-styryl-4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-methylstyryl) -4,6- Bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-methoxystyryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-methoxystyryl)- 4-amino-6-trichloromethyl-1,3,5-triazine and the like can be mentioned.

前記特開昭53−133428号公報記載の化合物としては、例えば、2−(4−メトキシ−ナフト−1−イル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−エトキシ−ナフト−1−イル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−〔4−(2−エトキシエチル)−ナフト−1−イル〕−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4,7−ジメトキシ−ナフト−1−イル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、及び2−(アセナフト−5−イル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジンなどが挙げられる。   Examples of the compounds described in JP-A-53-133428 include 2- (4-methoxy-naphth-1-yl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2 -(4-Ethoxy-naphth-1-yl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- [4- (2-ethoxyethyl) -naphth-1-yl]- 4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4,7-dimethoxy-naphth-1-yl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5- Examples include triazine and 2- (acenaphtho-5-yl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine.

前記独国特許3337024号明細書記載の化合物としては、例えば、2−(4−スチリルフェニル)−4、6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−(4−メトキシスチリル)フェニル)−4、6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(1−ナフチルビニレンフェニル)−4、6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−クロロスチリルフェニル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−チオフェン−2−ビニレンフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−チオフェン−3−ビニレンフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−フラン−2−ビニレンフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、及び2−(4−ベンゾフラン−2−ビニレンフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジンなどが挙げられる。   Examples of the compound described in the specification of German Patent 3333724 include 2- (4-styrylphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4- (4 -Methoxystyryl) phenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (1-naphthylvinylenephenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5 -Triazine, 2-chlorostyrylphenyl-4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-thiophen-2-vinylenephenyl) -4,6-bis (trichloromethyl)- 1,3,5-triazine, 2- (4-thiophene-3-vinylenephenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-furan-2 Vinylenephenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, and 2- (4-benzofuran-2-vinylenephenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3 5-triazine etc. are mentioned.

前記F.C.Schaefer等によるJ.Org.Chem.;29、1527(1964)記載の化合物としては、例えば、2−メチル−4,6−ビス(トリブロモメチル)−1,3,5−トリアジン、2,4,6−トリス(トリブロモメチル)−1,3,5−トリアジン、2,4,6−トリス(ジブロモメチル)−1,3,5−トリアジン、2−アミノ−4−メチル−6−トリ(ブロモメチル)−1,3,5−トリアジン、及び2−メトキシ−4−メチル−6−トリクロロメチル−1,3,5−トリアジンなどが挙げられる。   F. above. C. J. Schaefer et al. Org. Chem. 29, 1527 (1964) include, for example, 2-methyl-4,6-bis (tribromomethyl) -1,3,5-triazine, 2,4,6-tris (tribromomethyl); -1,3,5-triazine, 2,4,6-tris (dibromomethyl) -1,3,5-triazine, 2-amino-4-methyl-6-tri (bromomethyl) -1,3,5- Examples include triazine and 2-methoxy-4-methyl-6-trichloromethyl-1,3,5-triazine.

前記特開昭62−58241号公報記載の化合物としては、例えば、2−(4−フェニルエチニルフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−ナフチル−1−エチニルフェニル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−(4−トリルエチニル)フェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−(4−メトキシフェニル)エチニルフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−(4−イソプロピルフェニルエチニル)フェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−(4−エチルフェニルエチニル)フェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジンなどが挙げられる。   Examples of the compounds described in JP-A-62-258241 include 2- (4-phenylethynylphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4- Naphthyl-1-ethynylphenyl-4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4- (4-tolylethynyl) phenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1 , 3,5-triazine, 2- (4- (4-methoxyphenyl) ethynylphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4- (4-isopropylphenyl) Ethynyl) phenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4- (4-ethylphenylethynyl) phenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) Le) -1,3,5-triazine.

前記特開平5−281728号公報記載の化合物としては、例えば、2−(4−トリフルオロメチルフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(2,6−ジフルオロフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(2,6−ジクロロフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(2,6−ジブロモフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジンなどが挙げられる。   Examples of the compound described in JP-A-5-281728 include 2- (4-trifluoromethylphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (2, 6-difluorophenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (2,6-dichlorophenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5- Examples include triazine, 2- (2,6-dibromophenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine.

前記特開平5−34920号公報記載化合物としては、例えば、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−[4−(N,N−ジエトキシカルボニルメチルアミノ)−3−ブロモフェニル]−1,3,5−トリアジン、米国特許第4239850号明細書に記載されているトリハロメチル−s−トリアジン化合物、更に2,4,6−トリス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−クロロフェニル)−4,6−ビス(トリブロモメチル)−s−トリアジンなどが挙げられる。   Examples of the compound described in JP-A-5-34920 include 2,4-bis (trichloromethyl) -6- [4- (N, N-diethoxycarbonylmethylamino) -3-bromophenyl] -1, 3,5-triazine, trihalomethyl-s-triazine compounds described in US Pat. No. 4,239,850, 2,4,6-tris (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-chlorophenyl) Examples include -4,6-bis (tribromomethyl) -s-triazine.

前記米国特許第4212976号明細書に記載されている化合物としては、例えば、オキサジアゾール骨格を有する化合物(例えば、2−トリクロロメチル−5−フェニル−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(4−クロロフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(2−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリブロモメチル−5−フェニル−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリブロモメチル−5−(2−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール;2−トリクロロメチル−5−スチリル−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(4−クロルスチリル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(4−メトキシスチリル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(4−n−ブトキシスチリル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリブロモメチル−5−スチリル−1,3,4−オキサジアゾール等)などが挙げられる。   Examples of the compound described in US Pat. No. 4,221,976 include compounds having an oxadiazole skeleton (for example, 2-trichloromethyl-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole, 2- Trichloromethyl-5- (4-chlorophenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5- (1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5 -(2-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole, 2-tribromomethyl-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole, 2-tribromomethyl-5- (2-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole; 2-trichloromethyl-5-styryl-1,3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5- (4-chlorostyryl) -1,3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5- (4-methoxystyryl) -1,3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5- (1-naphthyl) -1, 3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5- (4-n-butoxystyryl) -1,3,4-oxadiazole, 2-tribromomethyl-5-styryl-1,3,4 Oxadiazole and the like).

本発明で好適に用いられるオキシム誘導体としては、例えば、下記具体例化合物(1)〜(34)で表される化合物が挙げられる。   As an oxime derivative used suitably by this invention, the compound represented by the following specific example compound (1)-(34) is mentioned, for example.

前記ケトン化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、2−メチルベンゾフェノン、3−メチルベンゾフェノン、4−メチルベンゾフェノン、4−メトキシベンゾフェノン、2−クロロベンゾフェノン、4−クロロベンゾフェノン、4−ブロモベンゾフェノン、2−カルボキシベンゾフェノン、2−エトキシカルボニルベンゾルフェノン、ベンゾフェノンテトラカルボン酸又はそのテトラメチルエステル、4,4’−ビス(ジアルキルアミノ)ベンゾフェノン類(例えば、4,4’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4’−ビスジシクロヘキシルアミノ)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(ジヒドロキシエチルアミノ)ベンゾフェノン、4−メトキシ−4’−ジメチルアミノベンゾフェノン、4,4’−ジメトキシベンゾフェノン、4−ジメチルアミノベンゾフェノン、4−ジメチルアミノアセトフェノン、ベンジル、アントラキノン、2−t−ブチルアントラキノン、2−メチルアントラキノン、フェナントラキノン、キサントン、チオキサントン、2−クロル−チオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、フルオレノン、2−ベンジル−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−1−ブタノン、2−メチル−1−〔4−(メチルチオ)フェニル〕−2−モルホリノ−1−プロパノン、2−ヒドロキシー2−メチル−〔4−(1−メチルビニル)フェニル〕プロパノールオリゴマー、ベンゾイン、ベンゾインエーテル類(例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル、ベンジルジメチルケタール)、アクリドン、クロロアクリドン、N−メチルアクリドン、N−ブチルアクリドン、N−ブチル−クロロアクリドンなどが挙げられる。   Examples of the ketone compound include benzophenone, 2-methylbenzophenone, 3-methylbenzophenone, 4-methylbenzophenone, 4-methoxybenzophenone, 2-chlorobenzophenone, 4-chlorobenzophenone, 4-bromobenzophenone, 2-carboxybenzophenone, 2-ethoxycarbonylbenzolphenone, benzophenonetetracarboxylic acid or tetramethyl ester thereof, 4,4′-bis (dialkylamino) benzophenone (for example, 4,4′-bis (dimethylamino) benzophenone, 4,4′- Bisdicyclohexylamino) benzophenone, 4,4′-bis (diethylamino) benzophenone, 4,4′-bis (dihydroxyethylamino) benzophenone, 4-methoxy-4′-dimethylamino Nzophenone, 4,4'-dimethoxybenzophenone, 4-dimethylaminobenzophenone, 4-dimethylaminoacetophenone, benzyl, anthraquinone, 2-t-butylanthraquinone, 2-methylanthraquinone, phenanthraquinone, xanthone, thioxanthone, 2-chloro -Thioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, fluorenone, 2-benzyl-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -1-butanone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino -1-propanone, 2-hydroxy-2-methyl- [4- (1-methylvinyl) phenyl] propanol oligomer, benzoin, benzoin ethers (for example, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, In propyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin phenyl ether, benzyl dimethyl ketal), acridone, chloro acridone, N- methyl acridone, N- butyl acridone, N- butyl - such as chloro acrylic pyrrolidone.

前記メタロセン類としては、例えば、ビス(η5−2,4−シクロペンタジエン−1−イル)−ビス(2,6−ジフロロ−3−(1H−ピロール−1−イル)−フェニル)チタニウム、η5−シクロペンタジエニル−η6−クメニル−アイアン(1+)−ヘキサフロロホスフェート(1−)、特開昭53−133428号公報、特公昭57−1819号公報、同57−6096号公報、及び米国特許第3615455号明細書に記載された化合物などが挙げられる。   Examples of the metallocenes include bis (η5-2,4-cyclopentadien-1-yl) -bis (2,6-difluoro-3- (1H-pyrrol-1-yl) -phenyl) titanium, η5- Cyclopentadienyl-η6-cumenyl-iron (1 +)-hexafluorophosphate (1-), JP-A-53-133428, JP-B-57-1819, JP-A-57-6096, and US Pat. Examples thereof include compounds described in the specification of 3615455.

前記アシルホスフィンオキシド化合物としては、例えば、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルホスフィンオキシド、ビス(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリメチル−ペンチルフェニルホスフィンオキシド、LucirinTPOなどが挙げられる。   Examples of the acylphosphine oxide compound include bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethyl-pentylphenylphosphine oxide, Lucirin TPO. Etc.

また、上記以外の光重合開始剤として、アクリジン誘導体(例えば、9−フェニルアクリジン、1,7−ビス(9、9’−アクリジニル)ヘプタン等)、N−フェニルグリシン等、ポリハロゲン化合物(例えば、四臭化炭素、フェニルトリブロモメチルスルホン、フェニルトリクロロメチルケトン等)、クマリン類(例えば、3−(2−ベンゾフロイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(2−ベンゾフロイル)−7−(1−ピロリジニル)クマリン、3−ベンゾイル−7−ジエチルアミノクマリン、3−(2−メトキシベンゾイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(4−ジメチルアミノベンゾイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3,3’−カルボニルビス(5,7−ジ−n−プロポキシクマリン)、3,3’−カルボニルビス(7−ジエチルアミノクマリン)、3−ベンゾイル−7−メトキシクマリン、3−(2−フロイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(4−ジエチルアミノシンナモイル)−7−ジエチルアミノクマリン、7−メトキシ−3−(3−ピリジルカルボニル)クマリン、3−ベンゾイル−5,7−ジプロポキシクマリン、7−ベンゾトリアゾール−2−イルクマリン、また、特開平5−19475号、特開平7−271028号、特開2002−363206号、特開2002−363207号、特開2002−363208号、特開2002−363209号公報等に記載のクマリン化合物など)、アミン類(例えば、4−ジメチルアミノ安息香酸エチル、4−ジメチルアミノ安息香酸n−ブチル、4−ジメチルアミノ安息香酸フェネチル、4−ジメチルアミノ安息香酸2−フタルイミドエチル、4−ジメチルアミノ安息香酸2−メタクリロイルオキシエチル、ペンタメチレンビス(4−ジメチルアミノベンゾエート)、3−ジメチルアミノ安息香酸のフェネチル、ペンタメチレンエステル、4−ジメチルアミノベンズアルデヒド、2−クロル−4−ジメチルアミノベンズアルデヒド、4−ジメチルアミノベンジルアルコール、エチル(4−ジメチルアミノベンゾイル)アセテート、4−ピペリジノアセトフェノン、4−ジメチルアミノベンゾイン、N,N−ジメチル−4−トルイジン、N,N−ジエチル−3−フェネチジン、トリベンジルアミン、ジベンジルフェニルアミン、N−メチル−N−フェニルベンジルアミン、4−ブロム−N,N−ジメチルアニリン、トリドデシルアミン、アミノフルオラン類(ODB,ODBII等)、クリスタルバイオレットラクトン、ロイコクリスタルバイオレット等)、アシルホスフィンオキシド類(例えば、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルホスフィンオキシド、ビス(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリメチル−ペンチルフェニルホスフィンオキシド、LucirinTPOなど)などが挙げられる。   Further, as photopolymerization initiators other than the above, acridine derivatives (for example, 9-phenylacridine, 1,7-bis (9,9′-acridinyl) heptane, etc.), N-phenylglycine, and the like, polyhalogen compounds (for example, Carbon tetrabromide, phenyltribromomethylsulfone, phenyltrichloromethylketone, etc.), coumarins (for example, 3- (2-benzofuroyl) -7-diethylaminocoumarin, 3- (2-benzofuroyl) -7- (1-pyrrolidinyl) ) Coumarin, 3-benzoyl-7-diethylaminocoumarin, 3- (2-methoxybenzoyl) -7-diethylaminocoumarin, 3- (4-dimethylaminobenzoyl) -7-diethylaminocoumarin, 3,3′-carbonylbis (5 , 7-di-n-propoxycoumarin), 3,3′-carbonylbi (7-diethylaminocoumarin), 3-benzoyl-7-methoxycoumarin, 3- (2-furoyl) -7-diethylaminocoumarin, 3- (4-diethylaminocinnamoyl) -7-diethylaminocoumarin, 7-methoxy-3- (3-pyridylcarbonyl) coumarin, 3-benzoyl-5,7-dipropoxycoumarin, 7-benzotriazol-2-ylcoumarin, JP-A-5-19475, JP-A-7-271028, JP-A-2002-363206 , Coumarin compounds described in JP-A No. 2002-363207, JP-A No. 2002-363208, JP-A No. 2002-363209, etc.), amines (for example, ethyl 4-dimethylaminobenzoate, 4-dimethylaminobenzoate) Acid n-butyl, 4-dimethylaminobenzoic acid phenetic acid 4-dimethylaminobenzoic acid 2-phthalimidoethyl, 4-dimethylaminobenzoic acid 2-methacryloyloxyethyl, pentamethylenebis (4-dimethylaminobenzoate), phenethyl of 3-dimethylaminobenzoic acid, pentamethylene ester, 4- Dimethylaminobenzaldehyde, 2-chloro-4-dimethylaminobenzaldehyde, 4-dimethylaminobenzyl alcohol, ethyl (4-dimethylaminobenzoyl) acetate, 4-piperidinoacetophenone, 4-dimethylaminobenzoin, N, N-dimethyl- 4-toluidine, N, N-diethyl-3-phenetidine, tribenzylamine, dibenzylphenylamine, N-methyl-N-phenylbenzylamine, 4-bromo-N, N-dimethylaniline, tridodecyl Amines, aminofluorans (ODB, ODBII, etc.), crystal violet lactone, leuco crystal violet, etc.), acylphosphine oxides (for example, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, bis (2, 6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethyl-pentylphenylphosphine oxide, Lucirin TPO, and the like.

更に、米国特許第2367660号明細書に記載されているビシナルポリケタルドニル化合物、米国特許第2448828号明細書に記載されているアシロインエーテル化合物、米国特許第2722512号明細書に記載されているα−炭化水素で置換された芳香族アシロイン化合物、米国特許第3046127号明細書及び同第2951758号明細書に記載の多核キノン化合物、特開2002−229194号公報に記載の有機ホウ素化合物、ラジカル発生剤、トリアリールスルホニウム塩(例えば、ヘキサフロロアンチモンやヘキサフロロホスフェートとの塩)、ホスホニウム塩化合物(例えば、(フェニルチオフェニル)ジフェニルスルホニウム塩等)(カチオン重合開始剤として有効)、WO01/71428号公報記載のオニウム塩化合物などが挙げられる。   Further, vicinal polyketaldonyl compounds described in US Pat. No. 2,367,660, acyloin ether compounds described in US Pat. No. 2,448,828, and US Pat. No. 2,722,512 are described. An aromatic acyloin compound substituted with α-hydrocarbon, a polynuclear quinone compound described in US Pat. Nos. 3,046,127 and 2,951,758, an organoboron compound described in JP-A-2002-229194, and a radical Generator, triarylsulfonium salt (for example, salt with hexafluoroantimony or hexafluorophosphate), phosphonium salt compound (for example, (phenylthiophenyl) diphenylsulfonium salt, etc.) (effective as a cationic polymerization initiator), WO01 / 71428 Onion A salt compounds.

前記光重合開始剤は、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。2種以上の組合せとしては、例えば、米国特許第3549367号明細書に記載のヘキサアリールビイミダゾールと4−アミノケトン類との組合せ、特公昭51−48516号公報に記載のベンゾチアゾール化合物とトリハロメチル−s−トリアジン化合物の組合せ、また、芳香族ケトン化合物(例えば、チオキサントン等)と水素供与体(例えば、ジアルキルアミノ含有化合物、フェノール化合物等)の組合せ、ヘキサアリールビイミダゾールとチタノセンとの組合せ、クマリン類とチタノセンとフェニルグリシン類との組合せなどが挙げられる。   The said photoinitiator may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together. Examples of the combination of two or more include, for example, a combination of hexaarylbiimidazole and 4-aminoketone described in US Pat. No. 3,549,367, a benzothiazole compound described in Japanese Patent Publication No. 51-48516, and trihalomethyl- Combinations of s-triazine compounds, combinations of aromatic ketone compounds (such as thioxanthone) and hydrogen donors (such as dialkylamino-containing compounds and phenol compounds), combinations of hexaarylbiimidazole and titanocene, and coumarins And combinations of titanocene and phenylglycines.

前記光重合開始剤の含有量としては、前記感光性組成物中0.1〜30質量%が好ましく、0.5〜20質量%がより好ましく、0.5〜15質量%が特に好ましい。   As content of the said photoinitiator, 0.1-30 mass% is preferable in the said photosensitive composition, 0.5-20 mass% is more preferable, 0.5-15 mass% is especially preferable.

<増感剤>
本発明の感光性組成物においては、パターン形成のための露光に用いる波長に合わせて、適宜増感剤を用いることができる。増感剤は、後述する感光層への露光における露光感度や感光波長を調整する目的で、或いは、前記感光層を露光し現像する場合において、該感光層の露光する部分の厚みを該現像の前後において変化させない前記光の最小エネルギー(感度)を向上させる観点から添加される。増感剤は、活性エネルギー線により励起状態となり、他の物質(例えば、ラジカル発生剤、酸発生剤等)と相互作用(例えば、エネルギー移動、電子移動等)することにより、ラジカルや酸等の有用基を発生することが可能である。
また、感光性組成物を含む感光層を露光し現像した後において、該感光層の被露光部の厚みが変化しない露光の最小エネルギー量が、0.1mJ/cm〜100mJ/cmとなるようにするには、増感剤の種類及び添加量を調整することが好ましい。
<Sensitizer>
In the photosensitive composition of this invention, a sensitizer can be used suitably according to the wavelength used for the exposure for pattern formation. The sensitizer is used for the purpose of adjusting the exposure sensitivity and the photosensitive wavelength in the exposure of the photosensitive layer described later, or when exposing and developing the photosensitive layer, the thickness of the exposed portion of the photosensitive layer is adjusted. It is added from the viewpoint of improving the minimum energy (sensitivity) of the light that is not changed before and after. A sensitizer is excited by active energy rays and interacts with other substances (for example, radical generators, acid generators, etc.) (for example, energy transfer, electron transfer, etc.), thereby causing radicals, acids, etc. It is possible to generate useful groups.
Moreover, after exposing and developing the photosensitive layer containing the photosensitive composition, the minimum energy amount of exposure that does not change the thickness of the exposed portion of the photosensitive layer is 0.1 mJ / cm 2 to 100 mJ / cm 2. In order to do so, it is preferable to adjust the kind and addition amount of a sensitizer.

前記光重合開始剤と前記増感剤との組合せとしては、例えば、特開2001−305734号公報に記載の電子移動型開始系[(1)電子供与型開始剤及び増感色素、(2)電子受容型開始剤及び増感色素、(3)電子供与型開始剤、増感色素及び電子受容型開始剤(三元開始系)]などの組合せが挙げられる。   Examples of the combination of the photopolymerization initiator and the sensitizer include, for example, an electron transfer start system described in JP-A-2001-305734 [(1) an electron donating initiator and a sensitizing dye, (2) A combination of an electron-accepting initiator and a sensitizing dye, (3) an electron-donating initiator, a sensitizing dye and an electron-accepting initiator (ternary initiation system)], and the like.

例えば、前記光照射手段として350〜415nmのレーザに合わせると、増感剤の極大吸収波長が500nm以下であることが好ましく、480nm以下であることがより好ましく、450nm以下であることが特に好ましい。   For example, when the light irradiation means is combined with a 350 to 415 nm laser, the maximum absorption wavelength of the sensitizer is preferably 500 nm or less, more preferably 480 nm or less, and particularly preferably 450 nm or less.

前記増感剤の含有量としては、パターン形成材料用感光性樹脂組成物の全成分に対し、0.01〜4質量%が好ましく、0.02〜2質量%がより好ましく、0.05〜1質量%が特に好ましい。
前記含有量が、0.01質量%未満となると、感度が低下することがあり、4質量%を超えると、パターンの形状が悪化することがある。
As content of the said sensitizer, 0.01-4 mass% is preferable with respect to all the components of the photosensitive resin composition for pattern formation materials, 0.02-2 mass% is more preferable, 0.05- 1% by mass is particularly preferred.
When the content is less than 0.01% by mass, the sensitivity may decrease, and when the content exceeds 4% by mass, the shape of the pattern may be deteriorated.

増感剤としては、特に制限はなく、用いる露光波長にあわせて、公知の増感剤の中から適宜選択することができるが、例えば、公知の多核芳香族類(例えば、ピレン、ペリレン、トリフェニレン)、キサンテン類(例えば、フルオレセイン、エオシン、エリスロシン、ローダミンB、ローズベンガル)、シアニン類(例えば、インドカルボシアニン、チアカルボシアニン、オキサカルボシアニン)、メロシアニン類(例えば、メロシアニン、カルボメロシアニン)、チアジン類(例えば、チオニン、メチレンブルー、トルイジンブルー)、アクリジン類(例えば、アクリジンオレンジ、クロロフラビン、アクリフラビン、9−フェニルアクリジン、1,7−ビス(9,9’−アクリジニル)ヘプタン)、アントラキノン類(例えば、アントラキノン)、スクアリウム類(例えば、スクアリウム)、アクリドン類(例えば、アクリドン、クロロアクリドン、N−メチルアクリドン、N−ブチルアクリドン、N−ブチル−クロロアクリドン、2−クロロ−10−ブチルアクリドン等)、クマリン類(例えば、3−(2−ベンゾフロイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(2−ベンゾフロイル)−7−(1−ピロリジニル)クマリン、3−ベンゾイル−7−ジエチルアミノクマリン、3−(2−メトキシベンゾイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(4−ジメチルアミノベンゾイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3,3’−カルボニルビス(5,7−ジ−n−プロポキシクマリン)、3,3’−カルボニルビス(7−ジエチルアミノクマリン)、3−ベンゾイル−7−メトキシクマリン、3−(2−フロイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(4−ジエチルアミノシンナモイル)−7−ジエチルアミノクマリン、7−メトキシ−3−(3−ピリジルカルボニル)クマリン、3−ベンゾイル−5,7−ジプロポキシクマリン等)、及びチオキサントン化合物(チオキサントン、イソプロピルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、1−クロロ−4−プロピルオキシチオキサントン、QuantacureQTX等)などがあげられ、他に特開平5−19475号、特開平7−271028号、特開2002−363206号、特開2002−363207号、特開2002−363208号、特開2002−363209号等の各公報に記載のクマリン化合物など)が挙げられ、これらの中でも、縮環系化合物、ジ置換アミノベンゼンを部分構造として有する化合物、塩基性核を有する化合物、酸性核を有する化合物、及び蛍光増白剤からなる群より選択される少なくとも1種を含むことが好ましい。   The sensitizer is not particularly limited and may be appropriately selected from known sensitizers according to the exposure wavelength to be used. For example, known polynuclear aromatics (for example, pyrene, perylene, triphenylene) ), Xanthenes (eg, fluorescein, eosin, erythrosine, rhodamine B, rose bengal), cyanines (eg, indocarbocyanine, thiacarbocyanine, oxacarbocyanine), merocyanines (eg, merocyanine, carbomerocyanine), thiazine (Eg, thionine, methylene blue, toluidine blue), acridines (eg, acridine orange, chloroflavin, acriflavine, 9-phenylacridine, 1,7-bis (9,9′-acridinyl) heptane), anthraquinones ( For example, an anthro Non), squalium (for example, squalium), acridone (for example, acridone, chloroacridone, N-methylacridone, N-butylacridone, N-butyl-chloroacridone, 2-chloro-10-butylacrylic) Don, etc.), coumarins (for example, 3- (2-benzofuroyl) -7-diethylaminocoumarin, 3- (2-benzofuroyl) -7- (1-pyrrolidinyl) coumarin, 3-benzoyl-7-diethylaminocoumarin, 3- (2-methoxybenzoyl) -7-diethylaminocoumarin, 3- (4-dimethylaminobenzoyl) -7-diethylaminocoumarin, 3,3′-carbonylbis (5,7-di-n-propoxycoumarin), 3,3 '-Carbonylbis (7-diethylaminocoumarin), 3-benzoyl-7-me Xycoumarin, 3- (2-furoyl) -7-diethylaminocoumarin, 3- (4-diethylaminocinnamoyl) -7-diethylaminocoumarin, 7-methoxy-3- (3-pyridylcarbonyl) coumarin, 3-benzoyl-5 7-dipropoxycoumarin, etc.), and thioxanthone compounds (thioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 1-chloro-4-propyloxythioxanthone, Quantacure QTX, etc.) and the like, and others such as JP-A-5-19475. And JP-A-7-271028, JP-A-2002-363206, JP-A-2002-363207, JP-A-2002-363208, JP-A-2002-363209, and the like. Among these , A condensed ring compound, a compound having a disubstituted aminobenzene as a partial structure, a compound having a basic nucleus, a compound having an acidic nucleus, and at least one selected from the group consisting of fluorescent brighteners. .

(1)ジ置換アミノベンゼンを部分構造として有する化合物
増感剤として、前記ジ置換アミノベンゼンを部分構造として有する化合物は、330〜450nmの波長域の光に対して吸収極大を有する増感剤であることが好ましく、例えば、ジ置換アミノベンゾフェノン系化合物、ベンゼン環上のアミノ基に対し、パラ位の炭素原子に複素環基を置換基として有するジ置換アミノベンゼン系化合物<1>、ベンゼン環上のアミノ基に対し、パラ位の炭素原子にスルホニルイミノ基を含む置換基を有するジ置換アミノベンゼン系化合物<2>、及びカルボスチリル骨格を形成したジ置換アミノベンゼン系化合物<3>、並びに、少なくとも2個の芳香族環が窒素原子に結合した構造を有する化合物等が挙げられる。
ジ置換アミノベンゼンを部分構造として有する化合物を用いることにより、例えば、前記感光層の感度を0.1〜100mJ/cmに極めて容易に調整することもできる。
(1) Compound having di-substituted aminobenzene as a partial structure As a sensitizer, the compound having di-substituted aminobenzene as a partial structure is a sensitizer having an absorption maximum with respect to light in the wavelength range of 330 to 450 nm. Preferably, for example, a disubstituted aminobenzophenone compound, a disubstituted aminobenzene compound <1> having a heterocyclic group as a substituent at a carbon atom at the para position relative to an amino group on the benzene ring, A di-substituted aminobenzene compound <2> having a substituent containing a sulfonylimino group at the carbon atom in the para position with respect to the amino group, and a di-substituted aminobenzene compound <3> having a carbostyryl skeleton, and Examples thereof include compounds having a structure in which at least two aromatic rings are bonded to a nitrogen atom.
By using a compound having a di-substituted aminobenzene as a partial structure, for example, the sensitivity of the photosensitive layer can be very easily adjusted to 0.1 to 100 mJ / cm 2 .

−ジ置換アミノベンゾフェノン系化合物−
前記ジ置換アミノベンゾフェノン系化合物としては、下記一般式(I)で表される化合物が好ましい。
-Disubstituted aminobenzophenone compounds-
As the di-substituted aminobenzophenone compound, a compound represented by the following general formula (I) is preferable.

ただし、前記一般式(I)中、R、R、R、及びRは、それぞれ独立して、脂肪族基及び芳香族基のいずれかを表し、R、R、R、R、及びR〜R12は、それぞれ独立して、水素原子及び一価の置換基のいずれかを表す。RとR、RとR、RとR、RとR、RとR、及びRとRは、それぞれ独立して、互いに結合し、含窒素複素環を形成していてもよい。 In the general formula (I), R 1, R 2, R 5, and R 6 each independently represent any one of an aliphatic group and an aromatic group, R 3, R 4, R 7 , R 8 , and R 9 to R 12 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent substituent. R 1 and R 2 , R 5 and R 6 , R 1 and R 3 , R 2 and R 4 , R 5 and R 7 , and R 6 and R 8 are independently bonded to each other to form a nitrogen-containing complex. A ring may be formed.

なお、前記一般式(I)中、前記脂肪族基は、それぞれ置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基を表し、前記芳香族基は、それぞれ置換基を有していてもよいアリール基、複素環(ヘテロ環)基を表し、前記1価の置換基としては、ハロゲン原子、置換基を有しても良いアミノ基、アルコキシカルボニル基、水酸基、エーテル基、チオール基、チオエーテル基、シリル基、ニトロ基、シアノ基、それぞれ置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基を表す。   In the general formula (I), the aliphatic group represents an alkyl group, an alkenyl group, or an alkynyl group that may have a substituent, and the aromatic group has a substituent. Represents an aryl group or a heterocyclic (heterocyclic) group, and the monovalent substituent may be a halogen atom, an amino group which may have a substituent, an alkoxycarbonyl group, a hydroxyl group, an ether group, or a thiol group. , A thioether group, a silyl group, a nitro group, a cyano group, and an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, and a heterocyclic group, each of which may have a substituent.

前記芳香族基としては、1個から3個のベンゼン環が縮合環を形成したもの、ベンゼン環と5員不飽和環が縮合環を形成したものを挙げることができ、具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、インデニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基を挙げることができ、中でも、フェニル基、ナフチル基が特に好ましい。
また、これらの芳香族基は置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、水素原子を除く一価の非金属原子団からなる基が挙げられる。例えば、後述のアルキル基、置換アルキル基、又は置換アルキル基における置換基として示したものなどを挙げることができる。
Examples of the aromatic group include those in which 1 to 3 benzene rings form a condensed ring, and those in which a benzene ring and a 5-membered unsaturated ring form a condensed ring. Specific examples include phenyl Groups, naphthyl groups, anthryl groups, phenanthryl groups, indenyl groups, acenaphthenyl groups, and fluorenyl groups. Among them, phenyl groups and naphthyl groups are particularly preferable.
In addition, these aromatic groups may have a substituent, and examples of such a substituent include a group composed of a monovalent nonmetallic atomic group excluding a hydrogen atom. For example, what was shown as a substituent in the below-mentioned alkyl group, a substituted alkyl group, or a substituted alkyl group can be mentioned.

また、前記複素環(ヘテロ環)基としては、ピロール環基、フラン環基、チオフェン環基、ベンゾピロール環基、ベンゾフラン環基、ベンゾチオフェン環基、ピラゾール環基、イソキサゾール環基、イソチアゾール環基、インダゾール環基、ベンゾイソキサゾール環基、ベンゾイソチアゾール環基、イミダゾール環基、オキサゾール環基、チアゾール環基、ベンズイミダゾール環基、ベンズオキサゾール環基、ベンゾチアゾール環基、ピリジン環基、キノリン環基、イソキノリン環基、ピリダジン環基、ピリミジン環基、ピラジン環基、フタラジン環基、キナゾリン環基、キノキサリン環基、アシリジン環基、フェナントリジン環基、カルバゾール環基、プリン環基、ピラン環基、ピペリジン環基、ピペラジン環基、モルホリン環基、インドール環基、インドリジン環基、クロメン環基、シンノリン環基、アクリジン環基、フェノチアジン環基、テトラゾール環基、トリアジン環基等が挙げられ、中でも、フラン環基、チオフェン環基、イミダゾール環基、チアゾール環基、ベンゾチアゾール環基、ピリジン環基、インドール環基、アクリジン環基が特に好ましい。
また、これらの複素環基は置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、水素原子を除く1価の非金属原子団からなる基が挙げられる。例えば、後述のアルキル基、置換アルキル基、又は置換アルキル基における置換基として示したものを挙げることができる。
The heterocyclic (heterocyclic) group includes a pyrrole ring group, a furan ring group, a thiophene ring group, a benzopyrrole ring group, a benzofuran ring group, a benzothiophene ring group, a pyrazole ring group, an isoxazole ring group, and an isothiazole ring. Group, indazole ring group, benzisoxazole ring group, benzoisothiazole ring group, imidazole ring group, oxazole ring group, thiazole ring group, benzimidazole ring group, benzoxazole ring group, benzothiazole ring group, pyridine ring group, Quinoline ring group, isoquinoline ring group, pyridazine ring group, pyrimidine ring group, pyrazine ring group, phthalazine ring group, quinazoline ring group, quinoxaline ring group, acylidine ring group, phenanthridine ring group, carbazole ring group, purine ring group, Pyran ring group, piperidine ring group, piperazine ring group, morpholine ring group, India Ring group, indolizine ring group, chromene ring group, cinnoline ring group, acridine ring group, phenothiazine ring group, tetrazole ring group, triazine ring group, etc., among which furan ring group, thiophene ring group, imidazole ring group , Thiazole ring group, benzothiazole ring group, pyridine ring group, indole ring group, and acridine ring group are particularly preferable.
Moreover, these heterocyclic groups may have a substituent, and examples of such a substituent include a group composed of a monovalent nonmetallic atomic group excluding a hydrogen atom. For example, what was shown as a substituent in the below-mentioned alkyl group, a substituted alkyl group, or a substituted alkyl group can be mentioned.

前記1価の置換基としては、ハロゲン原子、置換基を有しても良いアミノ基、アルコキシカルボニル基、水酸基、エーテル基、チオール基、チオエーテル基、シリル基、ニトロ基、シアノ基、それぞれ置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基が好ましい。   Examples of the monovalent substituent include a halogen atom, an amino group that may have a substituent, an alkoxycarbonyl group, a hydroxyl group, an ether group, a thiol group, a thioether group, a silyl group, a nitro group, and a cyano group. An alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group or a heterocyclic group which may have a hydrogen atom is preferred.

また、前記非金属原子からなる1価の置換基としては、それぞれ置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基が好ましい。   In addition, the monovalent substituent composed of the nonmetal atom is preferably an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, or a heterocyclic group, each of which may have a substituent.

前記置換基を有していてもよいアルキル基としては、炭素原子数が1から20までの直鎖状、分岐状、および環状のアルキル基を挙げることができ、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、エイコシル基、イソプロピル基、イソブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、1−メチルブチル基、イソヘキシル基、2−エチルヘキシル基、2−メチルヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、2−ノルボルニル基を挙げることができる。これらの中では、炭素原子数1から12までの直鎖状、炭素原子数3から12までの分岐状、並びに炭素原子数5から10までの環状のアルキル基がより好ましい。   Examples of the alkyl group that may have a substituent include linear, branched, and cyclic alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms. Specific examples thereof include a methyl group. , Ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, decyl, undecyl, dodecyl, tridecyl, hexadecyl, octadecyl, eicosyl, isopropyl, isobutyl A group, s-butyl group, t-butyl group, isopentyl group, neopentyl group, 1-methylbutyl group, isohexyl group, 2-ethylhexyl group, 2-methylhexyl group, cyclohexyl group, cyclopentyl group, 2-norbornyl group Can do. Of these, linear alkyl groups having 1 to 12 carbon atoms, branched alkyl groups having 3 to 12 carbon atoms, and cyclic alkyl groups having 5 to 10 carbon atoms are more preferable.

前記置換基を有していてもよいアルキル基の置換基としては、水素原子を除く一価の非金属原子からなる置換基が挙げられ、好ましい例としては、ハロゲン原子(−F、−Br、−Cl、−I)、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルジチオ基、アリールジチオ基、アミノ基、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、N−アリールアミノ基、N,N−ジアリールアミノ基、N−アルキル−N−アリールアミノ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、N−アルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、N,N−ジアルキルカルバモイルオキシ基、N,N−ジアリールカルバモイルオキシ基、N−アルキル−N−アリールカルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、N−アルキルアシルアミノ基、N−アリールアシルアミノ基、ウレイド基、N’−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキルウレイド基、N’−アリールウレイド基、N’,N’−ジアリールウレイド基、N’−アルキル−N’−アリールウレイド基、N−アルキルウレイド基、N−アリールウレイド基、N’−アルキル−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N−アリールウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−アリールウレイド基、N’−アリール−N−アルキルウレイド基、N’−アリール−N−アリールウレイド基、N’,N’−ジアリール−N−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアリール−N−アリールウレイド基、N’−アルキル−N’−アリール−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N’−アリール−N−アリールウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基、N,N−ジアリールカルバモイル基、N−アルキル−N−アリールカルバモイル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホ基(−SOH)及びその共役塩基基(スルホナト基と称す)、アルコキシスルホニル基、アリーロキシスルホニル基、スルフィナモイル基、N−アルキルスルフィナモイル基、N,N−ジアルキルスルフィイナモイル基、N−アリールスルフィナモイル基、N,N−ジアリールスルフィナモイル基、N−アルキル−N−アリールスルフィナモイル基、スルファモイル基、N−アルキルスルファモイル基、N,N−ジアルキルスルファモイル基、N−アリールスルファモイル基、N,N−ジアリールスルファモイル基、N−アルキル−N−アリールスルファモイル基、ホスホノ基(−PO)およびその共役塩基基(ホスホナト基と称す)、ジアルキルホスホノ基(−PO(alkyl))「alkyl=アルキル基、以下同」、ジアリールホスホノ基(−PO(aryl))「aryl=アリール基、以下同」、アルキルアリールホスホノ基(−PO(alkyl)(aryl))、モノアルキルホスホノ基(−PO(alkyl))及びその共役塩基基(アルキルホスホナト基と称す)、モノアリールホスホノ基(−POH(aryl))及びその共役塩基基(アリールホスホナト基と称す)、ホスホノオキシ基(−OPO)及びその共役塩基基(ホスホナトオキシ基と称す)、ジアルキルホスホノオキシ基(−OPOH(alkyl))、ジアリールホスホノオキシ基(−OPO(aryl))、アルキルアリールホスホノオキシ基(−OPO(alkyl)(aryl))、モノアルキルホスホノオキシ基(−OPOH(alkyl))及びその共役塩基基(アルキルホスホナトオキシ基と称す)、モノアリールホスホノオキシ基(−OPOH(aryl))及びその共役塩基基(アリールホスホナトオキシ基と称す)、シアノ基、ニトロ基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロ環基、シリル基等が挙げられる。 Examples of the substituent of the alkyl group which may have a substituent include a substituent composed of a monovalent non-metal atom excluding a hydrogen atom. Preferred examples include halogen atoms (—F, —Br, -Cl, -I), hydroxyl group, alkoxy group, aryloxy group, mercapto group, alkylthio group, arylthio group, alkyldithio group, aryldithio group, amino group, N-alkylamino group, N, N-dialkylamino group, N-arylamino group, N, N-diarylamino group, N-alkyl-N-arylamino group, acyloxy group, carbamoyloxy group, N-alkylcarbamoyloxy group, N-arylcarbamoyloxy group, N, N-dialkyl Carbamoyloxy group, N, N-diarylcarbamoyloxy group, N-alkyl-N-arylcal Moyloxy group, alkylsulfoxy group, arylsulfoxy group, acylthio group, acylamino group, N-alkylacylamino group, N-arylacylamino group, ureido group, N′-alkylureido group, N ′, N′-dialkyl Ureido group, N′-arylureido group, N ′, N′-diarylureido group, N′-alkyl-N′-arylureido group, N-alkylureido group, N-arylureido group, N′-alkyl-N -Alkylureido group, N'-alkyl-N-arylureido group, N ', N'-dialkyl-N-alkylureido group, N', N'-dialkyl-N-arylureido group, N'-aryl-N -Alkylureido group, N'-aryl-N-arylureido group, N ', N'-diaryl-N-alkylureido group, N', N'-diary Ru-N-arylureido group, N′-alkyl-N′-aryl-N-alkylureido group, N′-alkyl-N′-aryl-N-arylureido group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group N-alkyl-N-alkoxycarbonylamino group, N-alkyl-N-aryloxycarbonylamino group, N-aryl-N-alkoxycarbonylamino group, N-aryl-N-aryloxycarbonylamino group, formyl group, Acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N, N-dialkylcarbamoyl group, N-arylcarbamoyl group, N, N-diarylcarbamoyl group, N-alkyl- N-arylcarbamoyl group, al Killsulfinyl group, arylsulfinyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfonyl group, sulfo group (—SO 3 H) and its conjugate base group (referred to as sulfonate group), alkoxysulfonyl group, aryloxysulfonyl group, sulfinamoyl group, N— Alkylsulfinamoyl group, N, N-dialkylsulfinamoyl group, N-arylsulfinamoyl group, N, N-diarylsulfinamoyl group, N-alkyl-N-arylsulfinamoyl group, sulfamoyl group, N-alkylsulfamoyl group, N, N-dialkylsulfamoyl group, N-arylsulfamoyl group, N, N-diarylsulfamoyl group, N-alkyl-N-arylsulfamoyl group, phosphono group (-PO 3 H 2) and its conjugated base group (a phosphonato And referred), a dialkyl phosphono group (-PO 3 (alkyl) 2) "alkyl = alkyl group, hereinafter the" diarylphosphono group (-PO 3 (aryl) 2) "aryl = aryl group, hereinafter the same", An alkylarylphosphono group (—PO 3 (alkyl) (aryl)), a monoalkylphosphono group (—PO 3 (alkyl)) and a conjugate base group thereof (referred to as an alkylphosphonate group), a monoarylphosphono group ( -PO 3 H (aryl)) and its conjugate base group (referred to as arylphosphonate group), phosphonooxy group (—OPO 3 H 2 ) and its conjugate base group (referred to as phosphonatoxy group), dialkylphosphonooxy group (— OPO 3 H (alkyl) 2 ), diarylphosphonooxy group (—OPO 3 (aryl) 2 ), alkylary Ruphosphonooxy group (—OPO 3 (alkyl) (aryl)), monoalkylphosphonooxy group (—OPO 3 H (alkyl)) and its conjugate base group (referred to as alkylphosphonatooxy group), monoarylphosphonooxy group (—OPO 3 H (aryl)) and its conjugate base group (referred to as arylphosphonatoxy group), cyano group, nitro group, aryl group, alkenyl group, alkynyl group, heterocyclic group, silyl group and the like.

これらの置換基におけるアルキル基の具体例としては、前述のアルキル基が挙げられ、前記置換基におけるアリール基の具体例としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、クロロメチルフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、フェノキシフェニル基、アセトキシフェニル基、ベンゾイロキシフェニル基、メチルチオフェニル基、フェニルチオフェニル基、メチルアミノフェニル基、ジメチルアミノフェニル基、アセチルアミノフェニル基、カルボキシフェニル基、メトキシカルボニルフェニル基、エトキシフェニルカルボニル基、フェノキシカルボニルフェニル基、N−フェニルカルバモイルフェニル基、シアノフェニル基、スルホフェニル基、スルホナトフェニル基、ホスホノフェニル基、ホスホナトフェニル基等が挙げられる。   Specific examples of the alkyl group in these substituents include the above-described alkyl groups, and specific examples of the aryl group in the substituent include a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, a tolyl group, a xylyl group, and a mesityl group. , Cumenyl group, chlorophenyl group, bromophenyl group, chloromethylphenyl group, hydroxyphenyl group, methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, phenoxyphenyl group, acetoxyphenyl group, benzoyloxyphenyl group, methylthiophenyl group, phenylthiophenyl group , Methylaminophenyl group, dimethylaminophenyl group, acetylaminophenyl group, carboxyphenyl group, methoxycarbonylphenyl group, ethoxyphenylcarbonyl group, phenoxycarbonylphenyl group, N-phenylcarbamoylpheny Group, cyanophenyl group, sulfophenyl group, sulfonatophenyl group, phosphonophenyl group, phosphate Hona preparative phenyl group.

また、前記置換基におけるアルケニル基の例としては、ビニル基、1−プロペニル基、1−ブテニル基、シンナミル基、2−クロロ−1−エテニル基等が挙げられ、前記置換基におけるアルキニル基の例としては、エチニル基、1−プロピニル基、1−ブチニル基、トリメチルシリルエチニル基等が挙げられる。
前記置換基におけるヘテロ環基としては、例えば、ピリジル基、ピペリジニル基、などが挙げられる。
前記置換基におけるシリル基としてはトリメチルシリル基等が挙げられる。
前記置換基にはアシル基(R01CO−)を含んでいてもよく、該アシル基としては、該R01が、例えば、水素原子、上記のアルキル基、アリール基のものなどが挙げられる。
Examples of the alkenyl group in the substituent include a vinyl group, 1-propenyl group, 1-butenyl group, cinnamyl group, 2-chloro-1-ethenyl group, and the like. Examples of the alkynyl group in the substituent Examples thereof include an ethynyl group, a 1-propynyl group, a 1-butynyl group, and a trimethylsilylethynyl group.
Examples of the heterocyclic group in the substituent include a pyridyl group and a piperidinyl group.
Examples of the silyl group in the substituent include a trimethylsilyl group.
The substituent may contain an acyl group (R 01 CO—), and examples of the acyl group include those in which R 01 is a hydrogen atom, the above alkyl group, or an aryl group.

アシル基(R01CO−)のR01としては、水素原子、並びに前記アルキル基、アリール基を挙げることができる。これらの置換基の内、さらにより好ましいものとしてはハロゲン原子(−F、−Br、−Cl、−I)、アルコキシ基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、N−アルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、アシルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基、N−アルキル−N−アリールカルバモイル基、スルホ基、スルホナト基、スルファモイル基、N−アルキルスルファモイル基、N,N−ジアルキルスルファモイル基、N−アリールスルファモイル基、N−アルキル−N−アリールスルファモイル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ジアルキルホスホノ基、ジアリールホスホノ基、モノアルキルホスホノ基、アルキルホスホナト基、モノアリールホスホノ基、アリールホスホナト基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基、アリール基、アルケニル基が挙げられる。 The R 01 of the acyl group (R 01 CO-), a hydrogen atom, and the alkyl group, and an aryl group. Among these substituents, halogen atoms (—F, —Br, —Cl, —I), alkoxy groups, aryloxy groups, alkylthio groups, arylthio groups, N-alkylamino groups, N, N are more preferable. -Dialkylamino group, acyloxy group, N-alkylcarbamoyloxy group, N-arylcarbamoyloxy group, acylamino group, formyl group, acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group Group, N, N-dialkylcarbamoyl group, N-arylcarbamoyl group, N-alkyl-N-arylcarbamoyl group, sulfo group, sulfonate group, sulfamoyl group, N-alkylsulfamoyl group, N, N-dialkylsulfa group Moyl group, N-arylsulfur Amoyl group, N-alkyl-N-arylsulfamoyl group, phosphono group, phosphonato group, dialkylphosphono group, diarylphosphono group, monoalkylphosphono group, alkylphosphonato group, monoarylphosphono group, arylphospho Examples thereof include a nato group, a phosphonooxy group, a phosphonatooxy group, an aryl group, and an alkenyl group.

一方、置換アルキル基におけるアルキレン基としては前述の炭素数1から20までのアルキル基上の水素原子のいずれか1つを除し、2価の有機残基としたものを挙げることができ、好ましくは炭素原子数1から12までの直鎖状、炭素原子数3から12までの分岐状ならびに炭素原子数5から10までの環状のアルキレン基を挙げることができる。このような置換基とアルキレン基を組み合わせることで得られる置換アルキル基の、好ましい具体例としては、クロロメチル基、ブロモメチル基、2−クロロエチル基、トリフルオロメチル基、メトキシメチル基、イソプロポキシメチル基、ブトキシメチル基、s−ブトキシブチル基、メトキシエトキシエチル基、アリルオキシメチル基、フェノキシメチル基、メチルチオメチル基、トリルチオメチル基、ピリジルメチル基、テトラメチルピペリジニルメチル基、N−アセチルテトラメチルピペリジニルメチル基、トリメチルシリルメチル基、メトキシエチル基、エチルアミノエチル基、ジエチルアミノプロピル基、モルホリノプロピル基、アセチルオキシメチル基、ベンゾイルオキシメチル基、N−シクロヘキシルカルバモイルオキシエチル基、N−フェニルカルバモイルオキシエチル基、アセチルアミノエチル基、N−メチルベンゾイルアミノプロピル基、2−オキソエチル基、2−オキソプロピル基、カルボキシプロピル基、メトキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニルブチル基、クロロフェノキシカルボニルメチル基、カルバモイルメチル基、N−メチルカルバモイルエチル基、N,N−ジプロピルカルバモイルメチル基、N−(メトキシフェニル)カルバモイルエチル基、N−メチル−N−(スルホフェニル)カルバモイルメチル基、スルホブチル基、スルホナトブチル基、スルファモイルブチル基、N−エチルスルファモイルメチル基、N,N−ジプロピルスルファモイルプロピル基、N−トリルスルファモイルプロピル基、N−メチル−N−(ホスホノフェニル)スルファモイルオクチル基、ホスホノブチル基、ホスホナトヘキシル基、ジエチルホスホノブチル基、ジフェニルホスホノプロピル基、メチルホスホノブチル基、メチルホスホナトブチル基、トリルホスホノヘキシル基、トリルホスホナトヘキシル基、ホスホノオキシプロピル基、ホスホナトオキシブチル基、ベンジル基、フェネチル基、α−メチルベンジル基、1−メチル−1−フェニルエチル基、p−メチルベンジル基、シンナミル基、アリル基、1−プロペニルメチル基、2−ブテニル基、2−メチルアリル基、2−メチルプロペニルメチル基、2−プロピニル基、2−ブチニル基、3−ブチニル基等が挙げられる。   On the other hand, examples of the alkylene group in the substituted alkyl group include divalent organic residues obtained by removing any one of the hydrogen atoms on the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. Can include linear alkylene groups having 1 to 12 carbon atoms, branched chains having 3 to 12 carbon atoms, and cyclic alkylene groups having 5 to 10 carbon atoms. Preferable specific examples of the substituted alkyl group obtained by combining such a substituent and an alkylene group include a chloromethyl group, a bromomethyl group, a 2-chloroethyl group, a trifluoromethyl group, a methoxymethyl group, and an isopropoxymethyl group. , Butoxymethyl group, s-butoxybutyl group, methoxyethoxyethyl group, allyloxymethyl group, phenoxymethyl group, methylthiomethyl group, tolylthiomethyl group, pyridylmethyl group, tetramethylpiperidinylmethyl group, N-acetyltetra Methylpiperidinylmethyl group, trimethylsilylmethyl group, methoxyethyl group, ethylaminoethyl group, diethylaminopropyl group, morpholinopropyl group, acetyloxymethyl group, benzoyloxymethyl group, N-cyclohexylcarbamoyloxyethyl Group, N-phenylcarbamoyloxyethyl group, acetylaminoethyl group, N-methylbenzoylaminopropyl group, 2-oxoethyl group, 2-oxopropyl group, carboxypropyl group, methoxycarbonylethyl group, allyloxycarbonylbutyl group, chloro Phenoxycarbonylmethyl group, carbamoylmethyl group, N-methylcarbamoylethyl group, N, N-dipropylcarbamoylmethyl group, N- (methoxyphenyl) carbamoylethyl group, N-methyl-N- (sulfophenyl) carbamoylmethyl group, Sulfobutyl group, sulfonatobutyl group, sulfamoylbutyl group, N-ethylsulfamoylmethyl group, N, N-dipropylsulfamoylpropyl group, N-tolylsulfamoylpropyl group, N-methyl-N- (phosphonov Nyl) sulfamoyloctyl group, phosphonobutyl group, phosphonatohexyl group, diethylphosphonobutyl group, diphenylphosphonopropyl group, methylphosphonobutyl group, methylphosphonatobutyl group, tolylphosphonohexyl group, tolylphosphonatohexyl Group, phosphonooxypropyl group, phosphonatoxybutyl group, benzyl group, phenethyl group, α-methylbenzyl group, 1-methyl-1-phenylethyl group, p-methylbenzyl group, cinnamyl group, allyl group, 1- Examples include a propenylmethyl group, a 2-butenyl group, a 2-methylallyl group, a 2-methylpropenylmethyl group, a 2-propynyl group, a 2-butynyl group, and a 3-butynyl group.

前記アリール基としては、1個から3個のベンゼン環が縮合環を形成したもの、ベンゼン環と5員不飽和環が縮合環を形成したものを挙げることができ、具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、インデニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基を挙げることができ、これらのなかでは、フェニル基、ナフチル基がより好ましい。
前記置換アリール基としては、前述のアリール基の環形成炭素原子上に置換基として、水素原子を除く一価の非金属原子団からなる基を有するものが用いられる。好ましい置換基の例としては前述のアルキル基、置換アルキル基、ならびに、先に置換アルキル基における置換基として示したものを挙げることができる。
Examples of the aryl group include those in which 1 to 3 benzene rings form a condensed ring, and those in which a benzene ring and a 5-membered unsaturated ring form a condensed ring. Specific examples include a phenyl group , A naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group, an indenyl group, an acenaphthenyl group, and a fluorenyl group. Among these, a phenyl group and a naphthyl group are more preferable.
As the substituted aryl group, those having a group consisting of a monovalent non-metallic atomic group excluding a hydrogen atom as a substituent on the ring-forming carbon atom of the aforementioned aryl group are used. Examples of preferred substituents include the alkyl groups, substituted alkyl groups, and those previously shown as substituents in the substituted alkyl group.

前記置換アリール基の好ましい具体例としては、ビフェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基、クロロメチルフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メトキシフェニル基、メトキシエトキシフェニル基、アリルオキシフェニル基、フェノキシフェニル基、メチルチオフェニル基、トリルチオフェニル基、エチルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェニル基、モルホリノフェニル基、アセチルオキシフェニル基、ベンゾイルオキシフェニル基、N−シクロヘキシルカルバモイルオキシフェニル基、N−フェニルカルバモイルオキシフェニル基、アセチルアミノフェニル基、N−メチルベンゾイルアミノフェニル基、カルボキシフェニル基、メトキシカルボニルフェニル基、アリルオキシカルボニルフェニル基、クロロフェノキシカルボニルフェニル基、カルバモイルフェニル基、N−メチルカルバモイルフェニル基、N,N−ジプロピルカルバモイルフェニル基、N−(メトキシフェニル)カルバモイルフェニル基、N−メチル−N−(スルホフェニル)カルバモイルフェニル基、スルホフェニル基、スルホナトフェニル基、スルファモイルフェニル基、N−エチルスルファモイルフェニル基、N,N−ジプロピルスルファモイルフェニル基、N−トリルスルファモイルフェニル基、N−メチル−N−(ホスホノフェニル)スルファモイルフェニル基、ホスホノフェニル基、ホスホナトフェニル基、ジエチルホスホノフェニル基、ジフェニルホスホノフェニル基、メチルホスホノフェニル基、メチルホスホナトフェニル基、トリルホスホノフェニル基、トリルホスホナトフェニル基、アリルフェニル基、1−プロペニルメチルフェニル基、2−ブテニルフェニル基、2−メチルアリルフェニル基、2−メチルプロペニルフェニル基、2−プロピニルフェニル基、2−ブチニルフェニル基、3−ブチニルフェニル基等を挙げることができる。   Preferred examples of the substituted aryl group include biphenyl group, tolyl group, xylyl group, mesityl group, cumenyl group, chlorophenyl group, bromophenyl group, fluorophenyl group, chloromethylphenyl group, trifluoromethylphenyl group, hydroxyphenyl. Group, methoxyphenyl group, methoxyethoxyphenyl group, allyloxyphenyl group, phenoxyphenyl group, methylthiophenyl group, tolylthiophenyl group, ethylaminophenyl group, diethylaminophenyl group, morpholinophenyl group, acetyloxyphenyl group, benzoyloxyphenyl Group, N-cyclohexylcarbamoyloxyphenyl group, N-phenylcarbamoyloxyphenyl group, acetylaminophenyl group, N-methylbenzoylaminophenyl group, Nyl group, methoxycarbonylphenyl group, allyloxycarbonylphenyl group, chlorophenoxycarbonylphenyl group, carbamoylphenyl group, N-methylcarbamoylphenyl group, N, N-dipropylcarbamoylphenyl group, N- (methoxyphenyl) carbamoylphenyl group N-methyl-N- (sulfophenyl) carbamoylphenyl group, sulfophenyl group, sulfonatophenyl group, sulfamoylphenyl group, N-ethylsulfamoylphenyl group, N, N-dipropylsulfamoylphenyl group, N-tolylsulfamoylphenyl group, N-methyl-N- (phosphonophenyl) sulfamoylphenyl group, phosphonophenyl group, phosphonatophenyl group, diethylphosphonophenyl group, diphenylphosphonophenyl group, methyl Phosphonophenyl group, methylphosphonatophenyl group, tolylphosphonophenyl group, tolylphosphonatophenyl group, allylphenyl group, 1-propenylmethylphenyl group, 2-butenylphenyl group, 2-methylallylphenyl group, 2- Examples thereof include a methylpropenylphenyl group, a 2-propynylphenyl group, a 2-butynylphenyl group, and a 3-butynylphenyl group.

前記アルケニル基、前記置換アルケニル基、前記アルキニル基、及び前記置換アルキニル基(−C(R02)=C(R03)(R04)、及び−C≡C(R05))としては、R02、R03、R04、R05が一価の非金属原子からなる基のものが使用できる。
02、R03、R04、R05としては、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、及び置換アリール基が好ましく、これらの具体例としては、前述の例として示したものを挙げることができる。これらの中でも、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1から10までの直鎖状、分岐状、環状のアルキル基がより好ましい。
具体的には、ビニル基、1−プロペニル基、1−ブテニル基、1−ペンテニル基、1−ヘキセニル基、1−オクテニル基、1−メチル−1−プロペニル基、2−メチル−1−プロペニル基、2−メチル−1−ブテニル基、2−フェニル−1−エテニル基、2−クロロ−1−エテニル基、エチニル基、1−プロピニル基、1−ブチニル基、フェニルエチニル基等が挙げられる。
ヘテロ環基としては、置換アルキル基の置換基として例示したピリジル基等が挙げられる。
Examples of the alkenyl group, the substituted alkenyl group, the alkynyl group, and the substituted alkynyl group (-C (R 02 ) = C (R 03 ) (R 04 ) and -C≡C (R 05 )) include R A group in which 02 , R 03 , R 04 and R 05 are monovalent non-metallic atoms can be used.
R 02 , R 03 , R 04 , and R 05 are preferably a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group, and a substituted aryl group, and specific examples thereof are shown in the above examples. Things can be mentioned. Among these, a hydrogen atom, a halogen atom, and a linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms are more preferable.
Specifically, vinyl group, 1-propenyl group, 1-butenyl group, 1-pentenyl group, 1-hexenyl group, 1-octenyl group, 1-methyl-1-propenyl group, 2-methyl-1-propenyl group 2-methyl-1-butenyl group, 2-phenyl-1-ethenyl group, 2-chloro-1-ethenyl group, ethynyl group, 1-propynyl group, 1-butynyl group, phenylethynyl group and the like.
Examples of the heterocyclic group include the pyridyl group exemplified as the substituent of the substituted alkyl group.

上記置換オキシ基(R06O−)としては、R06が水素原子を除く一価の非金属原子からなる基であるものを用いることができる。好ましい置換オキシ基としては、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、N−アルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、N,N−ジアルキルカルバモイルオキシ基、N,N−ジアリールカルバモイルオキシ基、N−アルキル−N−アリールカルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基を挙げることができる。これらにおけるアルキル基、ならびにアリール基としては前述のアルキル基、置換アルキル基ならびに、アリール基、置換アリール基として示したものを挙げることができる。また、アシルオキシ基におけるアシル基(R07CO−)としては、R07が、先の例として挙げたアルキル基、置換アルキル基、アリール基ならびに置換アリール基のものを挙げることができる。これらの置換基の中では、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシルオキシ基、アリールスルホキシ基がより好ましい。好ましい置換オキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ドデシルオキシ基、ベンジルオキシ基、アリルオキシ基、フェネチルオキシ基、カルボキシエチルオキシ基、メトキシカルボニルエチルオキシ基、エトキシカルボニルエチルオキシ基、メトキシエトキシ基、フェノキシエトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、モルホリノエトキシ基、モルホリノプロピルオキシ基、アリロキシエトキシエトキシ基、フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、メシチルオキシ基、メシチルオキシ基、クメニルオキシ基、メトキシフェニルオキシ基、エトキシフェニルオキシ基、クロロフェニルオキシ基、ブロモフェニルオキシ基、アセチルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ナフチルオキシ基、フェニルスルホニルオキシ基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基等が挙げられる。 As the substituted oxy group (R 06 O—), a group in which R 06 is a group composed of a monovalent nonmetallic atom excluding a hydrogen atom can be used. Preferred substituted oxy groups include alkoxy groups, aryloxy groups, acyloxy groups, carbamoyloxy groups, N-alkylcarbamoyloxy groups, N-arylcarbamoyloxy groups, N, N-dialkylcarbamoyloxy groups, N, N-diarylcarbamoyloxy groups. Groups, N-alkyl-N-arylcarbamoyloxy groups, alkylsulfoxy groups, arylsulfoxy groups, phosphonooxy groups, and phosphonatoxy groups. Examples of the alkyl group and aryl group in these include the alkyl groups, substituted alkyl groups, aryl groups, and substituted aryl groups described above. Examples of the acyl group (R 07 CO—) in the acyloxy group include those in which R 07 is an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group, or a substituted aryl group mentioned above. Among these substituents, an alkoxy group, an aryloxy group, an acyloxy group, and an arylsulfoxy group are more preferable. Specific examples of preferred substituted oxy groups include methoxy, ethoxy, propyloxy, isopropyloxy, butyloxy, pentyloxy, hexyloxy, dodecyloxy, benzyloxy, allyloxy, phenethyloxy, Carboxyethyloxy group, methoxycarbonylethyloxy group, ethoxycarbonylethyloxy group, methoxyethoxy group, phenoxyethoxy group, methoxyethoxyethoxy group, ethoxyethoxyethoxy group, morpholinoethoxy group, morpholinopropyloxy group, allyloxyethoxyethoxy group, Phenoxy group, tolyloxy group, xylyloxy group, mesityloxy group, mesityloxy group, cumenyloxy group, methoxyphenyloxy group, ethoxyphenyloxy group, chlorophenyl Alkoxy group, bromophenyl group, acetyloxy group, benzoyloxy group, naphthyloxy group, a phenylsulfonyloxy group, a phosphonooxy group, phosphonatoxy group, and the like.

アミド基も含む置換アミノ基(R08NH−、(R09)(R010)N−)としては、R08、R09、R010が水素原子を除く一価の非金属原子団からなる基のものを使用できる。なおR09とR010とは結合して環を形成してもよい。置換アミノ基の好ましい例としては、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、N−アリールアミノ基、N,N−ジアリールアミノ基、N−アルキル−N−アリールアミノ基、アシルアミノ基、N−アルキルアシルアミノ基、N−アリールアシルアミノ基、ウレイド基、N’−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキルウレイド基、N’−アリールウレイド基、N’,N’−ジアリールウレイド基、N’−アルキル−N’−アリールウレイド基、N−アルキルウレイド基、N−アリールウレイド基、N’−アルキル−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N−アリールウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N’−アリールウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N’−アリールウレイド基、N’−アリール−N−アルキルウレイド基、N’−アリール−N−アリールウレイド基、N’,N’−ジアリール−N−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアリール−N−アリールウレイド基、N’−アルキル−N’−アリール−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N’−アリール−N−アリールウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アリーロキシカルボニルアミノ基が挙げられる。これらにおけるアルキル基、アリール基としては前述のアルキル基、置換アルキル基、ならびにアリール基、置換アリール基として示したものを挙げることができ、アシルアミノ基、N−アルキルアシルアミノ基、N−アリールアシルアミノ基おけるアシル基(R07CO−)のR07は前述のとおりである。これらの内、より好ましいものとしては、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、N−アリールアミノ基、アシルアミノ基が挙げられる。好ましい置換アミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、モルホリノ基、ピペリジノ基、ピロリジノ基、フェニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、アセチルアミノ基等が挙げられる。 As the substituted amino group (R 08 NH—, (R 09 ) (R 010 ) N—) including an amide group, R 08 , R 09 , and R 010 are a group composed of a monovalent nonmetallic atomic group excluding a hydrogen atom. Can be used. R 09 and R 010 may be bonded to form a ring. Preferred examples of the substituted amino group include an N-alkylamino group, an N, N-dialkylamino group, an N-arylamino group, an N, N-diarylamino group, an N-alkyl-N-arylamino group, an acylamino group, N-alkylacylamino group, N-arylacylamino group, ureido group, N′-alkylureido group, N ′, N′-dialkylureido group, N′-arylureido group, N ′, N′-diarylureido group N′-alkyl-N′-arylureido group, N-alkylureido group, N-arylureido group, N′-alkyl-N-alkylureido group, N′-alkyl-N-arylureido group, N ′, N′-dialkyl-N-alkylureido group, N′-alkyl-N′-arylureido group, N ′, N′-dialkyl-N-alkylureido group, N ′, '-Dialkyl-N'-arylureido group, N'-aryl-N-alkylureido group, N'-aryl-N-arylureido group, N', N'-diaryl-N-alkylureido group, N ', N′-diaryl-N-arylureido group, N′-alkyl-N′-aryl-N-alkylureido group, N′-alkyl-N′-aryl-N-arylureido group, alkoxycarbonylamino group, aryloxy A carbonylamino group, an N-alkyl-N-alkoxycarbonylamino group, an N-alkyl-N-aryloxycarbonylamino group, an N-aryl-N-alkoxycarbonylamino group, and an N-aryl-N-aryloxycarbonylamino group. Can be mentioned. Examples of the alkyl group and aryl group include those described above as the alkyl group, substituted alkyl group, aryl group, and substituted aryl group, such as acylamino group, N-alkylacylamino group, and N-arylacylamino. R 07 groups definitive acyl group (R 07 CO-) are as described above. Of these, more preferred are an N-alkylamino group, an N, N-dialkylamino group, an N-arylamino group, and an acylamino group. Specific examples of preferred substituted amino groups include methylamino group, ethylamino group, diethylamino group, morpholino group, piperidino group, pyrrolidino group, phenylamino group, benzoylamino group, acetylamino group and the like.

置換スルホニル基(R011−SO−)としては、R011が一価の非金属原子団からなる基のものを使用できる。より好ましい例としては、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基を挙げることができる。これらにおけるアルキル基、アリール基としては前述のアルキル基、置換アルキル基、ならびにアリール基、置換アリール基として示したものを挙げることができる。このような、置換スルホニル基の具体例としては、ブチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、クロロフェニルスルホニル基等が挙げられる。 As the substituted sulfonyl group (R 011 —SO 2 —), those in which R 011 is a group composed of a monovalent nonmetallic atomic group can be used. More preferable examples include an alkylsulfonyl group and an arylsulfonyl group. Examples of the alkyl group and aryl group in these include those described above as the alkyl group, substituted alkyl group, aryl group, and substituted aryl group. Specific examples of such a substituted sulfonyl group include a butylsulfonyl group, a phenylsulfonyl group, a chlorophenylsulfonyl group, and the like.

スルホナト基(−SO )は前述のとおり、スルホ基(−SOH)の共役塩基陰イオン基を意味し、通常は対陽イオンとともに使用されるのが好ましい。このような対陽イオンとしては、一般に知られるもの、すなわち、種々のオニウム類(アンモニウム類、スルホニウム類、ホスホニウム類、ヨードニウム類、アジニウム類等)、ならびに金属イオン類(Na、K、Ca2+、Zn2+等)が挙げられる。 As described above, the sulfonate group (—SO 3 ) means a conjugated base anion group of the sulfo group (—SO 3 H), and is usually preferably used together with a counter cation. Examples of such counter cations include those generally known, that is, various oniums (ammoniums, sulfoniums, phosphoniums, iodoniums, aziniums, etc.), and metal ions (Na + , K + , Ca). 2+ , Zn 2+ and the like).

置換カルボニル基(R013−CO−)としては、R013が一価の非金属原子からなる基のものを使用できる。置換カルボニル基の好ましい例としては、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基、N,N−ジアリールカルバモイル基、N−アルキル−N’−アリールカルバモイル基が挙げられる。これらにおけるアルキル基、アリール基としては前述のアルキル基、置換アルキル基、ならびにアリール基、置換アリール基として示したものを挙げることができる。これらの内、より好ましい置換カルボニル基としては、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基が挙げられ、さらにより好ましいものとしては、ホルミル基、アシル基、アルコキシカルボニル基ならびにアリーロキシカルボニル基が挙げられる。好ましい置換カルボニル基の具体例としては、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基、カルボキシル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ジメチルアミノフェニルエテニルカルボニル基、メトキシカルボニルメトキシカルボニル基、N−メチルカルバモイル基、N−フェニルカルバモイル基、N,N−ジエチルカルバモイル基、モルホリノカルボニル基等が挙げられる。 As the substituted carbonyl group (R 013 —CO—), a group in which R 013 is a monovalent nonmetallic atom can be used. Preferred examples of the substituted carbonyl group include formyl group, acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N, N-dialkylcarbamoyl group, N-arylcarbamoyl group, N, N-diarylcarbamoyl group, N-alkyl-N′-arylcarbamoyl group may be mentioned. Examples of the alkyl group and aryl group in these include those described above as the alkyl group, substituted alkyl group, aryl group, and substituted aryl group. Among these, more preferred substituted carbonyl groups include formyl group, acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N, N-dialkylcarbamoyl group, N-ary. A rucarbamoyl group can be mentioned, and even more preferred are a formyl group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group and an aryloxycarbonyl group. Specific examples of preferred substituted carbonyl groups include formyl group, acetyl group, benzoyl group, carboxyl group, methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, allyloxycarbonyl group, dimethylaminophenylethenylcarbonyl group, methoxycarbonylmethoxycarbonyl group, N -Methylcarbamoyl group, N-phenylcarbamoyl group, N, N-diethylcarbamoyl group, morpholinocarbonyl group and the like.

置換スルフィニル基(R014−SO−)としてはR014が一価の非金属原子団からなる基のものを使用できる。好ましい例としては、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、スルフィナモイル基、N−アルキルスルフィナモイル基、N,N−ジアルキルスルフィナモイル基、N−アリールスルフィナモイル基、N,N−ジアリールスルフィナモイル基、N−アルキル−N−アリールスルフィナモイル基が挙げられる。これらにおけるアルキル基、アリール基としては前述のアルキル基、置換アルキル基、ならびにアリール基、置換アリール基として示したものを挙げることができる。これらの内、より好ましい例としてはアルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基が挙げられる。このような置換スルフィニル基の具体例としては、ヘキシルスルフィニル基、ベンジルスルフィニル基、トリルスルフィニル基等が挙げられる。 As the substituted sulfinyl group (R 014 —SO—), a group in which R 014 is a monovalent nonmetallic atomic group can be used. Preferable examples include alkylsulfinyl group, arylsulfinyl group, sulfinamoyl group, N-alkylsulfinamoyl group, N, N-dialkylsulfinamoyl group, N-arylsulfinamoyl group, N, N-diarylsulfinamoyl. Group, N-alkyl-N-arylsulfinamoyl group. Examples of the alkyl group and aryl group in these include those described above as the alkyl group, substituted alkyl group, aryl group, and substituted aryl group. Of these, more preferred examples include an alkylsulfinyl group and an arylsulfinyl group. Specific examples of such a substituted sulfinyl group include a hexylsulfinyl group, a benzylsulfinyl group, and a tolylsulfinyl group.

置換ホスホノ基とはホスホノ基上の水酸基の一つもしくは二つが他の有機オキソ基によって置換されたものを意味し、好ましい例としては、前述のジアルキルホスホノ基、ジアリールホスホノ基、アルキルアリールホスホノ基、モノアルキルホスホノ基、モノアリールホスホノ基が挙げられる。これらの中ではジアルキルホスホノ基、ならびにジアリールホスホノ基がより好ましい。このような具体例としては、ジエチルホスホノ基、ジブチルホスホノ基、ジフェニルホスホノ基等が挙げられる。   The substituted phosphono group means a group in which one or two hydroxyl groups on the phosphono group are substituted with other organic oxo groups, and preferred examples thereof include the above-mentioned dialkylphosphono group, diarylphosphono group, alkylarylphospho group. Group, monoalkylphosphono group and monoarylphosphono group. Of these, dialkylphosphono groups and diarylphosphono groups are more preferred. Specific examples thereof include a diethyl phosphono group, a dibutyl phosphono group, a diphenyl phosphono group, and the like.

ホスホナト基(−PO 、−PO)とは前述のとおり、ホスホノ基(−PO)の、酸第一解離もしくは、酸第二解離に由来する共役塩基陰イオン基を意味する。通常は対陽イオンと共に使用されるのが好ましい。このような対陽イオンとしては、一般に知られるもの、すなわち、種々のオニウム類(アンモニウム類、スルホニウム類、ホスホニウム類、ヨードニウム類、アジニウム類等)、ならびに金属イオン類(Na、K、Ca2+、Zn2+等)が挙げられる。 As described above, the phosphonate group (—PO 3 H 2 , —PO 3 H ) is a conjugate base anion derived from the acid first dissociation or acid second dissociation of the phosphono group (—PO 3 H 2 ). Means group. Usually, it is preferable to use it with a counter cation. Examples of such counter cations include those generally known, that is, various oniums (ammoniums, sulfoniums, phosphoniums, iodoniums, aziniums, etc.), and metal ions (Na + , K + , Ca). 2+ , Zn 2+ and the like).

置換ホスホナト基とは前述の置換ホスホノ基の内、水酸基を一つ有機オキソ基に置換したもの共役塩基陰イオン基であり、具体例としては、前述のモノアルキルホスホノ基(−POH(alkyl))、モノアリールホスホノ基(−POH(aryl))の共役塩基が挙げられる。 The substituted phosphonato group is a conjugated base anion group obtained by substituting one organic oxo group in the above-mentioned substituted phosphono group. As a specific example, the above-described monoalkylphosphono group (—PO 3 H ( alkyl)), and a conjugate base of a monoarylphosphono group (—PO 3 H (aryl)).

一般式(I)で表される化合物のうち、下記一般式(I’)で表される化合物であることが特に好適である。   Of the compounds represented by the general formula (I), a compound represented by the following general formula (I ′) is particularly preferred.

一般式(I’)中、R1’、R2’、R3’及びR4’は、各々独立に、一般式(I)で説明したR、R、R、R、及びR〜R12と同義であり、好ましい範囲も同様である。より好ましくは、R1’及びR2’は、各々独立に、水酸基、アルキル基であり、更に好ましくは、水酸基、及び炭素数1〜18のアルキル基である。R3’及びR4’は、アルコキシ基が好ましく、炭素数1〜18のアルコキシ基がより好ましい。
一般式(I’)中、k、l、m及びnは、各々独立に、0〜8のいずれかの整数を表し、0〜6のいずれかの整数であることがより好ましい。
In general formula (I ′), R 1 ′ , R 2 ′ , R 3 ′ and R 4 ′ each independently represent R 3 , R 4 , R 7 , R 8 , and It has the same meaning as R 9 to R 12, and preferred ranges are also the same. More preferably, R 1 ′ and R 2 ′ are each independently a hydroxyl group or an alkyl group, and more preferably a hydroxyl group and an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms. R 3 ′ and R 4 ′ are preferably an alkoxy group, and more preferably an alkoxy group having 1 to 18 carbon atoms.
In general formula (I ′), k, l, m and n each independently represent an integer of 0 to 8, and more preferably an integer of 0 to 6.

前記一般式(I)で表される化合物の具体例としては、例えば、4,4’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、及び、下記に示す構造式で表される化合物等が挙げられる。   Specific examples of the compound represented by the general formula (I) include, for example, 4,4′-bis (dimethylamino) benzophenone, 4,4′-bis (diethylamino) benzophenone, and structural formulas shown below. And the like.

−ジ置換アミノベンゼン系化合物<1>−
前記ベンゼン環上のアミノ基に対し、パラ位の炭素原子に複素環基を置換基として有するジ置換アミノベンゼン系化合物としては、前記複素環基が、窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子を含む5員環又は6員環であるものが好ましく、縮合ベンゼン環を有する5員環がより好ましく、例えば、下記一般式(II)で表される化合物が挙げられる。
-Disubstituted aminobenzene compound <1>-
As the di-substituted aminobenzene compound having a heterocyclic group as a substituent at a para carbon atom relative to the amino group on the benzene ring, the heterocyclic group contains a nitrogen atom, an oxygen atom, or a sulfur atom. What is a 5-membered ring or a 6-membered ring is preferable, and the 5-membered ring which has a condensed benzene ring is more preferable, for example, the compound represented by the following general formula (II) is mentioned.

ただし、前記一般式(II)中、R21及びR22は、それぞれ独立して、脂肪族基及び芳香族基のいずれかを表し、R23〜R30は、それぞれ独立して、水素原子及び1価の置換基のいずれかを表し、Xは、酸素原子、硫黄原子、ジアルキルメチレン基、イミノ基、及び脂肪族基若しくは芳香族基が置換したイミノ基のいずれかを表す。R21とR22、R21とR23、及びR22とR24は、それぞれ独立して、互いに結合し、含窒素複素環を形成していてもよく、複素環に縮合するベンゼン環は置換基を有していてもよい。 However, in said general formula (II), R <21> and R < 22 > respectively independently represents either an aliphatic group and an aromatic group, and R < 23 > -R < 30 > respectively independently represents a hydrogen atom and X represents any of monovalent substituents, and X represents any of an oxygen atom, a sulfur atom, a dialkylmethylene group, an imino group, and an imino group substituted with an aliphatic group or an aromatic group. R 21 and R 22 , R 21 and R 23 , and R 22 and R 24 may be independently bonded to each other to form a nitrogen-containing heterocyclic ring, and the benzene ring condensed to the heterocyclic ring is substituted. It may have a group.

なお、前記一般式(II)中、前記脂肪族基、前記芳香族基、及び前記1価の置換基としては、上述の一般式(I)における例として示したものを挙げることができる。   In the general formula (II), examples of the aliphatic group, the aromatic group, and the monovalent substituent include those shown as examples in the general formula (I).

前記一般式(II)で表される化合物の具体例としては、例えば、2−(p−ジメチルアミノフェニル)ベンゾオキサゾール、2−(p−ジエチルアミノフェニル)ベンゾオキサゾール、2−(p−ジメチルアミノフェニル)ベンゾ〔4,5〕ベンゾオキサゾール、2−(p−ジメチルアミノフェニル)ベンゾ〔6,7〕ベンゾオキサゾール、2−(p−ジメチルアミノフェニル)ベンゾチアゾール、2−(p−ジエチルアミノフェニル)ベンゾチアゾール、2−(p−ジメチルアミノフェニル)ベンゾイミダゾール、2−(p−ジエチルアミノフェニル)ベンゾイミダゾール、2−(p−ジメチルアミノフェニル)−3,3−ジメチル−3H−インドール、2−(p−ジエチルアミノフェニル)−3,3−ジメチル−3H−インドール、及び、下記に示す構造式で表される化合物等が挙げられる。   Specific examples of the compound represented by the general formula (II) include, for example, 2- (p-dimethylaminophenyl) benzoxazole, 2- (p-diethylaminophenyl) benzoxazole, 2- (p-dimethylaminophenyl). ) Benzo [4,5] benzoxazole, 2- (p-dimethylaminophenyl) benzo [6,7] benzoxazole, 2- (p-dimethylaminophenyl) benzothiazole, 2- (p-diethylaminophenyl) benzothiazole 2- (p-dimethylaminophenyl) benzimidazole, 2- (p-diethylaminophenyl) benzimidazole, 2- (p-dimethylaminophenyl) -3,3-dimethyl-3H-indole, 2- (p-diethylamino) Phenyl) -3,3-dimethyl-3H-indole, and Include compounds represented by the structural formula shown below.

一方、ベンゼン環上のアミノ基に対してパラ位の炭素原子に複素環基を置換基として有するジ置換アミノベンゼン系化合物の中でも、前記一般式(II)で表される化合物以外の化合物としては、例えば、2−(p−ジメチルアミノフェニル)ピリジン、2−(p−ジエチルアミノフェニル)ピリジン、2−(p−ジメチルアミノフェニル)キノリン、2−(p−ジエチルアミノフェニル)キノリン、2−(p−ジメチルアミノフェニル)ピリミジン、2−(p−ジエチルアミノフェニル)ピリミジン、2,5−ビス(p−ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(p−ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−チアジアゾール等が挙げられる。   On the other hand, among disubstituted aminobenzene compounds having a heterocyclic group as a substituent at a carbon atom para to the amino group on the benzene ring, compounds other than the compound represented by the general formula (II) For example, 2- (p-dimethylaminophenyl) pyridine, 2- (p-diethylaminophenyl) pyridine, 2- (p-dimethylaminophenyl) quinoline, 2- (p-diethylaminophenyl) quinoline, 2- (p- Dimethylaminophenyl) pyrimidine, 2- (p-diethylaminophenyl) pyrimidine, 2,5-bis (p-diethylaminophenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2,5-bis (p-diethylaminophenyl)- 1,3,4-thiadiazole and the like can be mentioned.

−ジ置換アミノベンゼン系化合物<2>−
前記ベンゼン環上のアミノ基に対し、パラ位の炭素原子にスルホニルイミノ基を含む置換基を有するジ置換アミノベンゼン系化合物としては、例えば、下記一般式(III)で表される化合物が好ましい。
-Disubstituted aminobenzene compound <2>-
As the di-substituted aminobenzene compound having a substituent containing a sulfonylimino group at the para-position carbon atom with respect to the amino group on the benzene ring, for example, a compound represented by the following general formula (III) is preferable.

ただし、前記一般式(III)中、R31及びR32は、それぞれ独立して、脂肪族基及び芳香族基のいずれかを表し、R33〜R37は、それぞれ独立して、水素原子及び一価の置換基のいずれかを表し、R38は、一価の置換基を表す。R31とR32、R31とR33、及びR32とR34は、それぞれ独立して、互いに結合し、含窒素複素環を形成していてもよい。 However, in said general formula (III), R <31> and R <32 > respectively independently represents either an aliphatic group or an aromatic group, R < 33 > -R < 37 > respectively independently represents a hydrogen atom and represents any monovalent substituent, R 38 represents a monovalent substituent. R 31 and R 32 , R 31 and R 33 , and R 32 and R 34 may be independently bonded to each other to form a nitrogen-containing heterocycle.

なお、前記一般式(III)中、前記脂肪族基、前記芳香族基、及び前記1価の置換基としては、上述の一般式(I)における例として示したものを挙げることができる。
38としては、置換又は無置換のアリール基が好ましく、置換又は無置換のフェニル基がより好ましい。
In the general formula (III), examples of the aliphatic group, the aromatic group, and the monovalent substituent include those shown as examples in the general formula (I).
R 38 is preferably a substituted or unsubstituted aryl group, and more preferably a substituted or unsubstituted phenyl group.

前記一般式(III)で表される化合物の具体例としては、例えば、下記に示す構造式で表される化合物等が挙げられる。   Specific examples of the compound represented by the general formula (III) include compounds represented by the structural formulas shown below.

−ジ置換アミノベンゼン系化合物<3>−
前記カルボスチリル骨格を形成したジ置換アミノベンゼン系化合物としては、例えば、下記一般式(IV)で表される化合物が好ましい。
-Disubstituted aminobenzene compound <3>-
As the disubstituted aminobenzene compound having the carbostyryl skeleton, for example, a compound represented by the following general formula (IV) is preferable.

ただし、前記一般式(IV)中、R41及びR42は、それぞれ独立して、脂肪族基及び芳香族基のいずれかを表し、R43〜R47は、それぞれ独立して、水素原子及び一価の置換基を表し、Yは、酸素原子及びNR48のいずれかを表し、R48は、水素原子及び一価の置換基のいずれかを表す。R41とR42、R41とR43、及びR42とR44は、それぞれ独立して、含窒素複素環を形成していてもよい。 However, the general formula (IV), R 41 and R 42 each independently represent any one of an aliphatic group and an aromatic group, R 43 to R 47 are each independently a hydrogen atom, and A monovalent substituent is represented, Y represents an oxygen atom or NR 48 , and R 48 represents a hydrogen atom or a monovalent substituent. R 41 and R 42 , R 41 and R 43 , and R 42 and R 44 may each independently form a nitrogen-containing heterocycle.

なお、前記一般式(IV)中、前記脂肪族基、前記芳香族基、及び前記1価の置換基としては、上述の一般式(I)における例として示したものを挙げることができる。   In the general formula (IV), examples of the aliphatic group, the aromatic group, and the monovalent substituent include those shown as examples in the general formula (I).

前記一般式(IV)で表される化合物の具体例としては、例えば、特開2004−212958号公報に記載の化合物、クマリン化合物(例えば、クマリン−1、クマリン−152、クマリン−307、クマリン−106、クマリン−340等)などが挙げられる。   Specific examples of the compound represented by the general formula (IV) include, for example, compounds described in JP-A No. 2004-221958, coumarin compounds (for example, coumarin-1, coumarin-152, coumarin-307, coumarin- 106, Coumarin-340, etc.).

前記一般式(I)〜(IV)で表されるジ置換アミノベンゼンを部分構造として有する化合物の中でも、前記一般式(I)、(III)及び(IV)で表される化合物が好ましい。   Among the compounds having a di-substituted aminobenzene represented by the general formulas (I) to (IV) as a partial structure, the compounds represented by the general formulas (I), (III) and (IV) are preferable.

−少なくとも2個の芳香族環が窒素原子に結合した構造を有する化合物−
ジ置換アミノベンゼンを部分構造として有する化合物が、少なくとも2個の芳香族環が窒素原子に結合した構造を有する化合物であることも好適であり、このような化合物としては、下記一般式(V)〜(VII)で表される少なくとも2個の芳香族環が窒素原子に結合した構造を有する化合物等がより好ましい。
-A compound having a structure in which at least two aromatic rings are bonded to a nitrogen atom-
The compound having a disubstituted aminobenzene as a partial structure is also preferably a compound having a structure in which at least two aromatic rings are bonded to a nitrogen atom. Examples of such a compound include the following general formula (V): A compound having a structure in which at least two aromatic rings represented by (VII) are bonded to a nitrogen atom is more preferable.

ただし、前記一般式(V)〜(VII)中、環A〜Gは、それぞれ独立に芳香族炭化水素環及び芳香族複素環のいずれかを基本骨格とするものであり、環Aと環B、環Dと環E、環Fと環Gは互いに結合してNを含む結合環を形成していても良い。
前記一般式(VI)中、連結基Lは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環の少なくともいずれかを含む連結基を表し、連結基LとNとは、該芳香族炭化水素環及び芳香族複素環のいずれかで結合しており、nは2以上のいずれかの整数を表す。
前記一般式(VII)中、Rは、置換基を有していても良いアルキル基を表す。
なお、環A〜G及び連結基Lは、置換基を有していても良く、これらの置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。
However, in the general formulas (V) to (VII), rings A to G each independently have an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring as a basic skeleton, and ring A and ring B Ring D and Ring E, Ring F and Ring G may be bonded to each other to form a bond ring containing N.
In the general formula (VI), the linking group L represents a linking group containing at least one of an aromatic hydrocarbon ring and an aromatic heterocyclic ring, and the linking groups L and N are the aromatic hydrocarbon ring and aromatic group. And n represents any integer of 2 or more.
In the general formula (VII), R represents an alkyl group which may have a substituent.
Rings A to G and linking group L may have a substituent, and these substituents may be bonded to each other to form a ring.

前記一般式(V)〜(VII)において、環A〜Gで表される芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、アズレン環、フルオレン環、アセナフチレン環、及びインデン環などが挙げられ、これらの中でもベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が好ましく、ベンゼン環がより好ましい。
また、環A〜Gで表される芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、ピロール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、フラザン環、トリアゾール環、ピラン環、チアジゾール環、オキサジアゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環などが挙げられ、これらの中でもフラン環、チオフェン環、ピロール環、ピリジン環、オキサゾール環、チアゾール環が好ましく、フラン環、チオフェン環、ピロール環がより好ましい。
In the general formulas (V) to (VII), examples of the aromatic hydrocarbon ring represented by rings A to G include a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring, an azulene ring, a fluorene ring, an acenaphthylene ring, and Indene rings and the like can be mentioned. Among these, a benzene ring, a naphthalene ring and an anthracene ring are preferable, and a benzene ring is more preferable.
Examples of the aromatic heterocycle represented by rings A to G include furan ring, thiophene ring, pyrrole ring, oxazole ring, isoxazole ring, thiazole ring, isothiazole ring, imidazole ring, pyrazole ring, furazane ring, triazole. Ring, pyran ring, thiadizole ring, oxadiazole ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, etc., among which furan ring, thiophene ring, pyrrole ring, pyridine ring, oxazole ring, thiazole ring A furan ring, a thiophene ring, and a pyrrole ring are more preferable.

また、環A、環B、環D、環E、環F、環G、及び連結基Lに含まれる環は互いに結合してNを含む縮合環を結合していても良く、この場合、各環が結合するN原子を含むカルバゾール環を形成する例が挙げられる。カルバゾール環を形成する場合は、A〜Gの環のいずれかが例外的に環構造ではなく、任意の置換基であっても良いが、その場合の該置換基としては、置換基を有していても良いアルキル基が好ましい。   Rings included in ring A, ring B, ring D, ring E, ring F, ring G, and linking group L may be bonded to each other to form a condensed ring containing N. In this case, An example is given of forming a carbazole ring containing an N atom to which the ring is attached. When a carbazole ring is formed, any of the rings A to G is exceptionally not a ring structure and may be an arbitrary substituent. In this case, the substituent has a substituent. An alkyl group which may be present is preferred.

環A〜Gはいずれも任意の箇所に任意の置換基を有していても良く、これらの置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。
前記一般式(VI)において、連結基Lは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環の少なくともいずれかを1個乃至2個以上含む連結基であり、Nは、該連結基Lの芳香族炭化水素環又は芳香族複素環と直接結合している。
Rings A to G may have arbitrary substituents at arbitrary positions, and these substituents may be bonded to each other to form a ring.
In the general formula (VI), the linking group L is a linking group containing at least one of an aromatic hydrocarbon ring and an aromatic heterocyclic ring, and N is an aromatic group of the linking group L. It is directly bonded to a hydrocarbon ring or aromatic heterocycle.

連結基Lに含まれる芳香族炭化水素環、芳香族複素環としては、環A〜Gの芳香族炭化水素環、芳香族複素環として例示したものと同様のものが挙げられる。
連結基Lに含まれる芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が好ましく、ベンゼン環がより好ましい。
また、連結基Lに含まれる芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、ピロール環、ピリジン環、オキサゾール環、チアゾール環、チアジゾール環、オキサジアゾール環が好ましく、フラン環、チオフェン環、ピロール環がより好ましい。
Examples of the aromatic hydrocarbon ring and aromatic heterocyclic ring contained in the linking group L include the same as those exemplified as the aromatic hydrocarbon ring and aromatic heterocyclic ring of rings A to G.
As the aromatic hydrocarbon ring contained in the linking group L, a benzene ring, a naphthalene ring and an anthracene ring are preferable, and a benzene ring is more preferable.
The aromatic heterocyclic ring contained in the linking group L is preferably a furan ring, a thiophene ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, an oxazole ring, a thiazole ring, a thiadizole ring, or an oxadiazole ring, a furan ring, a thiophene ring, or a pyrrole. A ring is more preferred.

連結基Lが、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環の少なくともいずれかを2個以上含む場合、これらの環は直接連結していても良く、また、2価以上の連結基(なお、この連結基は、2価以上の基に限らず、2価以上の原子を含む)を介して結合しても良い。この場合、2価以上の連結基としては公知のものが挙げられ、例えば、下記式(a)で表されるアルキレン基、下記式(b)で表されるアセチレン基、アミン基、O原子、S原子、ケトン基、チオケトン基、−C(=O)O−、アミド基、Se、Te、P、As、Sb、Bi、Si、Bなどの金属原子、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基(不飽和複素環基)、非芳香族複素環基(飽和複素環基)、及びこれらの任意の組み合わせなどが挙げられる。   When the linking group L contains two or more of at least one of an aromatic hydrocarbon ring and an aromatic heterocyclic ring, these rings may be directly connected, or a divalent or higher valent linking group ( The linking group is not limited to a divalent or higher valent group but may include a divalent or higher valent atom). In this case, examples of the divalent or higher valent linking group include known alkylene groups such as an alkylene group represented by the following formula (a), an acetylene group represented by the following formula (b), an amine group, an O atom, S atom, ketone group, thioketone group, -C (= O) O-, amide group, Se, Te, P, As, Sb, Bi, Si, B and other metal atoms, aromatic hydrocarbon ring group, aromatic Examples include a heterocyclic group (unsaturated heterocyclic group), a non-aromatic heterocyclic group (saturated heterocyclic group), and any combination thereof.


ただし、前記式(a)及び(b)中、mは、1以上のいずれかの整数を表す。

However, in said formula (a) and (b), m represents one or more integers.

連結基Lに含まれる芳香族炭化水素環及び芳香族複素環の少なくともいずれかの間に挟まれ得る連結基としては、上記式(a)で表されるアルキレン基、上記式(b)で表されるアセチレン基、アミン基、O原子、S原子、ケトン基、−C(=O)O−、アミド基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基、−C=N−、−C=N−N=、飽和もしくは不飽和の複素環基が好ましく、炭素数が1〜3のアルキレン基、−OCHO−、−OCHCHO−、−O−、ケトン基、ベンゼン環基、フラン環基、チオフェン環基、ピロール環基がより好ましい。 Examples of the linking group that can be sandwiched between at least one of the aromatic hydrocarbon ring and the aromatic heterocyclic ring contained in the linking group L include an alkylene group represented by the above formula (a) and a formula represented by the above formula (b). Acetylene group, amine group, O atom, S atom, ketone group, -C (= O) O-, amide group, aromatic hydrocarbon ring group, aromatic heterocyclic group, -C = N-, -C = N-N =, a saturated or unsaturated heterocyclic group is preferred, an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms, —OCH 2 O—, —OCH 2 CH 2 O—, —O—, a ketone group, a benzene ring A group, a furan ring group, a thiophene ring group, and a pyrrole ring group are more preferable.

また、前記一般式(VI)において、nは、2〜5であることが好ましい。   Moreover, in the said general formula (VI), it is preferable that n is 2-5.

連結基Lにおいては、芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環と不飽和連結基の組み合せの調整により、350〜430nmの波長域に吸収極大および適度な吸収をもたせることが望ましい。
連結基Lに含まれる環、環同士を連結する連結基は任意の箇所に任意の置換基を有していても良く、これらの置換基が互いに連結して環を形成していても良い。
In the linking group L, it is desirable to provide an absorption maximum and appropriate absorption in the wavelength region of 350 to 430 nm by adjusting the combination of the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring and the unsaturated linking group.
The ring contained in the linking group L and the linking group that connects the rings may have an arbitrary substituent at an arbitrary position, and these substituents may be connected to each other to form a ring.

環A〜G及び連結基Lが有し得る任意の置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子;水酸基;ニトロ基;シアノ基;1価の有機基などが挙げられ、1価の有機基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル基、iso−ブチル基、tert−ブチル基、アミル基、tert−アミル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、tert−オクチル基等の炭素数1〜18の直鎖又は分岐のアルキル基; シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等の炭素数3〜18のシクロアルキル基;ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等の炭素数2〜18の直鎖又は分岐のアルケニル基;シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数3〜18のシクロアルケニル基 ;メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、アミルオキシ基、tert−アミルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、tert−オクチルオキシ基等の炭素数1〜18の直鎖又は分岐のアルコキシ基 ;メチルチオ基、エチルチオ基、n−プロピルチオ基、iso−プロピルチオ基、n−ブチルチオ基、sec−ブチルチオ基、tert−ブチルチオ基、アミルチオ基、tert−アミルチオ基、n−ヘキシルチオ基、n−ヘプチルチオ基、n−オクチルチオ基、tert−オクチルチオ基等の炭素数1〜18の直鎖又は分岐のアルキルチオ基;フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基等の炭素数6〜18のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等の炭素数7〜18のアラルキル基;ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、ヘキセニルオキシ基等の炭素数2〜18の直鎖又は分岐のアルケニルオキシ基;ビニルチオ基、プロペニルチオ基、ヘキセニルチオ基等の炭素数2〜18の直鎖又は分岐のアルケニルチオ基;−COR51で表されるアシル基;カルボキシル基;−OCOR52で表されるアシルオキシ基;−NR5354で表されるアミノ基;−NHCOR55で表されるアシルアミノ基;−NHCOOR56で表されるカーバメート基;−CONR5758で表されるカルバモイル基;−COOR59で表されるカルボン酸エステル基;−SONR6061で表されるスルファモイル基;−SO62で表されるスルホン酸エステル基;−C=NR63で表される基;−C=N−NR6465で表される基;2−チエニル基、2−ピリジル基、フリル基、オキサゾリル基、ベンゾキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、モルホリノ基、ピロリジニル基、テトラヒドロチオフェンジオキサイド基等の飽和もしくは不飽和の複素環基などが挙げられる。 Examples of the optional substituent that the rings A to G and the linking group L may have include a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom; a hydroxyl group; a nitro group; a cyano group; a monovalent organic group, and the like. Examples of the monovalent organic group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, iso-propyl group, n-butyl group, iso-butyl group, tert-butyl group, amyl group, tert-amyl group, a linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms such as n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, tert-octyl group; cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, adamantyl group A cycloalkyl group having 3 to 18 carbon atoms such as a straight chain or branched alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms such as a vinyl group, a propenyl group or a hexenyl group; a cyclopentenyl A cycloalkenyl group having 3 to 18 carbon atoms such as a cyclohexenyl group; a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, a sec-butoxy group, a tert-butoxy group, an amyloxy group , A tert-amyloxy group, an n-hexyloxy group, an n-heptyloxy group, an n-octyloxy group, a tert-octyloxy group, etc., a linear or branched alkoxy group having 1 to 18 carbon atoms; a methylthio group, an ethylthio group , N-propylthio group, iso-propylthio group, n-butylthio group, sec-butylthio group, tert-butylthio group, amylthio group, tert-amylthio group, n-hexylthio group, n-heptylthio group, n-octylthio group, tert -C1-C18 linear or branched alkyl such as octylthio group Thio group; aryl group having 6 to 18 carbon atoms such as phenyl group, tolyl group, xylyl group and mesityl group; aralkyl group having 7 to 18 carbon atoms such as benzyl group and phenethyl group; vinyloxy group, propenyloxy group, hexenyloxy Table with -COR 51; alkenylthio group linear or branched 2 to 18 carbon atoms such as vinylthio group, propenylthio group, hexenyl thio group; a straight-chain or branched alkenyloxy group having 2 to 18 carbon atoms group Carboxyl group; acyloxy group represented by —OCOR 52 ; amino group represented by —NR 53 R 54 ; acylamino group represented by —NHCOR 55 ; carbamate group represented by —NHCOOR 56 ; A carbamoyl group represented by —CONR 57 R 58 ; a carboxylic acid ester group represented by —COOR 59 ; A sulfamoyl group represented by 3 NR 60 R 61 ; a sulfonic acid ester group represented by —SO 3 R 62 ; a group represented by —C═NR 63 ; and a —C═N—NR 64 R 65 Groups: saturated or unsaturated heterocyclic groups such as 2-thienyl group, 2-pyridyl group, furyl group, oxazolyl group, benzoxazolyl group, thiazolyl group, benzothiazolyl group, morpholino group, pyrrolidinyl group, tetrahydrothiophene dioxide group, etc. Can be mentioned.

なお、R51〜R65は、それぞれ独立に水素原子、置換されていても良いアルキル基、置換されていても良いアルケニル基、置換されていても良いアリール基、又は置換されていても良いアラルキル基を表す。これらの置換基群において、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アラルキル基、アルケニルオキシ基、及びアルケニルチオ基は、更に置換基で置換されていても良い。 R 51 to R 65 are each independently a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted alkenyl group, an optionally substituted aryl group, or an optionally substituted aralkyl. Represents a group. In these substituent groups, the alkyl group, cycloalkyl group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aralkyl group, alkenyloxy group, and alkenylthio group are further substituted with a substituent. May be.

これらの置換基の、環A〜G、連結基Lにおける置換位置には特に制限はなく、また、複数の置換基を有する場合、これらは同種のものであっても良く、異なるものであっても良い。
環A〜G、連結基Lは、無置換であるか、或いは、置換基としてハロゲン原子、シアノ基、置換されていても良いアルキル基、置換されていても良いシクロアルキル基、置換されていても良いアルケニル基、置換されていても良いアルコキシ基、置換されていても良いアリール基、置換されていても良いアラルキル基、置換されていても良いアルケニルオキシ基、置換されていても良いアルケニルチオ基、置換されていても良いアミノ基、置換されていても良いアシル基、カルボキシル基、−C=NR63で表される基、−C=N−NR6465で表される基、飽和もしくは不飽和の複素環基で置換されていることが好ましい。置換基を有する場合の置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていても良いアルキル基、置換されていても良いシクロアルキル基、置換されていても良いアルケニル基、置換されていても良いアルコキシ基、置換されていても良いアリール基、置換されていても良いアラルキル基、置換されていても良いアミノ基、−C=NR63で表される基、−C=N−NR6465で表される基、飽和もしくは不飽和の複素環基が好ましい。
There are no particular restrictions on the substitution positions of these substituents in the rings A to G and the linking group L, and when there are a plurality of substituents, these may be the same or different. Also good.
Rings A to G and linking group L are unsubstituted or substituted as a halogen atom, a cyano group, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted cycloalkyl group, or a substituted group. An alkenyl group which may be substituted, an aryl group which may be substituted, an aryl group which may be substituted, an aralkyl group which may be substituted, an alkenyloxy group which may be substituted, an alkenylthio which may be substituted Group, optionally substituted amino group, optionally substituted acyl group, carboxyl group, group represented by —C═NR 63 , group represented by —C═N—NR 64 R 65 , saturated Alternatively, it is preferably substituted with an unsaturated heterocyclic group. In the case of having a substituent, examples of the substituent include a halogen atom, a cyano group, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted cycloalkyl group, an optionally substituted alkenyl group, and an optionally substituted group. A good alkoxy group, an optionally substituted aryl group, an optionally substituted aralkyl group, an optionally substituted amino group, a group represented by —C═NR 63 , —C═N—NR 64 R; A group represented by 65 , a saturated or unsaturated heterocyclic group is preferred.

環A〜G、及び連結基Lが有し得る上記の任意の置換基が、更に任意の置換基で置換されている場合、該置換基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基等の炭素数1〜10のアルコキシ基;メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、プロポキシメトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ基、メトキシブトキシ基等の炭素数2〜12のアルコキシアルコキシ基;メトキシメトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、メトキシエトキシメトキシ基、エトキシメトキシメトキシ基、エトキシエトキシメトキシ基等の炭素数3〜15のアルコキシアルコキシアルコキシ基;フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数6〜12のアリール基(これらは置換基で更に置換されていても良い。);フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基等の炭素数6〜12のアリールオキシ基;ビニルオキシ基、アリルオキシ基等の炭素数2〜12のアルケニルオキシ基;アセチル基、プロピオニル基などのアシル基;シアノ基;ニトロ基;ヒドロキシル基;テトラヒドロフリル基;アミノ基;N,N−ジメチルアミノ基、N,N−ジエチルアミノ基等の炭素数1〜10のアルキルアミノ基;メチルスルホニルアミノ基、エチルスルホニルアミノ基、n−プロピルスルホニルアミノ基等の炭素数1〜6のアルキルスルホニルアミノ基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、iso−プロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基等の炭素数2〜7のアルコキシカルボニル基;メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n−プロピルカルボニルオキシ基、iso−プロピルカルボニルオキシ基、n−ブチルカルボニルオキシ基等の炭素数2〜7のアルキルカルボニルオキシ基;メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n−プロポキシカルボニルオキシ基、iso−プロポキシカルボニルオキシ基、n−ブトキシカルボニルオキシ基、tert−ブトキシカルボニルオキシ基などの炭素数2〜7のアルコキシカルボニルオキシ基;ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等の炭素数2〜18の直鎖又は分岐のアルケニル基;等が好ましい。   When the above optional substituents that the rings A to G and the linking group L may have are further substituted with arbitrary substituents, the substituents include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, C1-C10 alkoxy groups such as iso-propoxy group, n-butoxy group, sec-butoxy group, tert-butoxy group; methoxymethoxy group, ethoxymethoxy group, propoxymethoxy group, ethoxyethoxy group, propoxyethoxy group, C2-C12 alkoxyalkoxy groups such as methoxybutoxy group; C3-C15 alkoxyalkoxyalkoxy such as methoxymethoxymethoxy group, methoxymethoxyethoxy group, methoxyethoxymethoxy group, ethoxymethoxymethoxy group, and ethoxyethoxymethoxy group Group: 6 carbon atoms such as phenyl group, tolyl group, xylyl group 12 aryl groups (these may be further substituted with a substituent); aryloxy groups having 6 to 12 carbon atoms such as phenoxy group, tolyloxy group, xylyloxy group, naphthyloxy group; vinyloxy group, allyloxy group, etc. C2-C12 alkenyloxy group; acyl group such as acetyl group, propionyl group; cyano group; nitro group; hydroxyl group; tetrahydrofuryl group; amino group; N, N-dimethylamino group, N, N-diethylamino An alkylamino group having 1 to 10 carbon atoms such as a group; an alkylsulfonylamino group having 1 to 6 carbon atoms such as a methylsulfonylamino group, an ethylsulfonylamino group and an n-propylsulfonylamino group; a fluorine atom, a chlorine atom and a bromine atom Halogen atoms such as methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, n-propo A C2-C7 alkoxycarbonyl group such as a sicarbonyl group, iso-propoxycarbonyl group, n-butoxycarbonyl group; methylcarbonyloxy group, ethylcarbonyloxy group, n-propylcarbonyloxy group, iso-propylcarbonyloxy group An alkylcarbonyloxy group having 2 to 7 carbon atoms such as n-butylcarbonyloxy group; methoxycarbonyloxy group, ethoxycarbonyloxy group, n-propoxycarbonyloxy group, iso-propoxycarbonyloxy group, n-butoxycarbonyloxy group And an alkoxycarbonyloxy group having 2 to 7 carbon atoms such as tert-butoxycarbonyloxy group; a linear or branched alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms such as vinyl group, propenyl group and hexenyl group;

前記一般式(V)〜(VII)で表される増感剤は、390〜430nmの波長域に適度な吸収を有し、330〜450nmの波長域に吸収極大をもつことが好ましく、350〜430nmの波長域に吸収極大をもつことがより好ましい。そのために、分子中に4個以上の芳香族炭化水素環及び芳香族複素環の少なくともいずれかを有することが好ましく、5個以上の芳香族炭化水素環及び芳香族複素環の少なくともいずれかを有することがより好ましい。   The sensitizers represented by the general formulas (V) to (VII) preferably have an appropriate absorption in the wavelength range of 390 to 430 nm, and preferably have an absorption maximum in the wavelength range of 330 to 450 nm. More preferably, it has an absorption maximum in the wavelength region of 430 nm. Therefore, the molecule preferably has at least one of four or more aromatic hydrocarbon rings and aromatic heterocycles, and has at least one of five or more aromatic hydrocarbon rings and aromatic heterocycles. It is more preferable.

前記一般式(V)〜(VII)で表される化合物の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。   Specific examples of the compounds represented by the general formulas (V) to (VII) are shown below, but are not limited thereto.

前記式(VI−g)において、結合位置は、末端の2つのフェニル基又は末端の2つのトリル基のうちのいずれか2つのベンゼン環上である。   In the formula (VI-g), the bonding position is on any two benzene rings of the two terminal phenyl groups or the two terminal tolyl groups.

(2)縮環系化合物
増感剤としては、縮環系化合物の中でも、ヘテロ縮環系ケトン化合物(アクリドン系化合物、チオキサントン系化合物等)、及びアクリジン系化合物がより好ましい。前記ヘテロ縮環系ケトン化合物の中でも、アクリドン化合物及びチオキサントン化合物が特に好ましい。
(2) Condensed compound As the sensitizer, hetero-condensed ketone compounds (acridone compounds, thioxanthone compounds, etc.) and acridine compounds are more preferable among the condensed compounds. Among the hetero-fused ketone compounds, an acridone compound and a thioxanthone compound are particularly preferable.

−−アクリドン化合物−−
前記アクリドン系化合物は、下記一般式(VIII)で表される化合物であることが好ましい。
--Acridone compound--
The acridone compound is preferably a compound represented by the following general formula (VIII).

前記一般式(VIII)中、R1d、R2d、R3d、R4d、R5d、R6d、R7d、及びR8dは、それぞれ独立して、水素原子、及び一価の置換基のいずれかを表し、R9dは、脂肪族基、及び芳香族基のいずれかを表す。
また、互いに隣り合う基は結合して環を形成していてもよい。
In the general formula (VIII), R 1d , R 2d , R 3d , R 4d , R 5d , R 6d , R 7d , and R 8d are each independently any of a hydrogen atom and a monovalent substituent. R 9d represents either an aliphatic group or an aromatic group.
Further, groups adjacent to each other may be bonded to form a ring.

前記一般式(VIII)中、前記一価の置換基としては、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヒドロキシエチル基、トリフルオロメチル基、ベンジル基、スルホプロピル基、ジエチルアミノエチル基、シアノプロピル基、アダマンチル基、p−クロロフェネチル基、エトキシエチル基、エチルチオエチル基、フェノキシエチル基、カルバモイルエチル基、カルボキシエチル基、エトキシカルボニルメチル基、アセチルアミノエチル基等)、アルケニル基(例えば、アリル基、スチリル基等)、アリール基(例えば、フェニル基、ナフチル基、p−カルボキシフェニル基、3,5−ジカルボキシフェニル基、m−スルホフェニル基、p−アセトアミドフェニル基、3−カプリルアミドフェニル基、p−スルファモイルフェニル基、m−ヒドロキシフェニル基、p−ニトロフェニル基、3,5−ジクロロフェニル基、p−アニシル基、o−アニシル基、p−シアノフェニル基、p−N−メチルウレイドフェニル基、m−フルオロフェニル基、p−トリル基、m−トリル基等)、ヘテロ環基(例えば、ピリジル基、5−メチル−2−ピリジル基、チエニル基等)、ハロゲン原子(例えば、塩素原子、臭素原子、フッ素原子等)、メルカプト基、シアノ基、カルボキシル基、スルホ基、ヒドロキシ基、カルバモイル基、スルファモイル基、ニトロ基、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、2−メトキシエトキシ基、2−フェニルエトキシ基等)、アリーロキシ基(例えば、フェノキシ基、p−メチルフェノキシ基、p−クロロフェノシキ基、α−ナフトキシ基等)、アシル基(例えば、アセチル基、ベンゾイル基等)、アシルアミノ基(例えば、アセチルアミノ基、カプロイルアミノ基等)、スルホニル基(例えば、メタンスルホニル基、ベンゼンスルホニル基等)、スルホニルアミノ基(例えば、メタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基等)、アミノ基(例えば、ジエチルアミノ基、ヒドロキシアミノ基等)、アルキルチオ基又はアリールチオ基(例えば、メチルチオ基、カルボキシエチル基、スルホブチルチオ基、フェニルチオ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メトキシカルボニル基)、アリーロキシカルボニル基(例えば、フェノキシカルボニル基等)などが挙げられる。これらは、更に置換基を有していてもよい。   In the general formula (VIII), as the monovalent substituent, an alkyl group (for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a hydroxyethyl group, a trifluoromethyl group, a benzyl group, a sulfopropyl group, Diethylaminoethyl group, cyanopropyl group, adamantyl group, p-chlorophenethyl group, ethoxyethyl group, ethylthioethyl group, phenoxyethyl group, carbamoylethyl group, carboxyethyl group, ethoxycarbonylmethyl group, acetylaminoethyl group, etc.) Alkenyl group (for example, allyl group, styryl group, etc.), aryl group (for example, phenyl group, naphthyl group, p-carboxyphenyl group, 3,5-dicarboxyphenyl group, m-sulfophenyl group, p-acetamidophenyl group) 3-caprylamidophenyl group, p-sulfa Ylphenyl group, m-hydroxyphenyl group, p-nitrophenyl group, 3,5-dichlorophenyl group, p-anisyl group, o-anisyl group, p-cyanophenyl group, pN-methylureidophenyl group, m- Fluorophenyl group, p-tolyl group, m-tolyl group, etc.), heterocyclic group (eg, pyridyl group, 5-methyl-2-pyridyl group, thienyl group, etc.), halogen atom (eg, chlorine atom, bromine atom, Fluorine atom, etc.), mercapto group, cyano group, carboxyl group, sulfo group, hydroxy group, carbamoyl group, sulfamoyl group, nitro group, alkoxy group (for example, methoxy group, ethoxy group, 2-methoxyethoxy group, 2-phenylethoxy) Group), aryloxy group (for example, phenoxy group, p-methylphenoxy group, p-chlorophenoxy group, α- Naphthoxy group etc.), acyl group (eg acetyl group, benzoyl group etc.), acylamino group (eg acetylamino group, caproylamino group etc.), sulfonyl group (eg methanesulfonyl group, benzenesulfonyl group etc.), sulfonyl Amino group (eg, methanesulfonylamino group, benzenesulfonylamino group, etc.), amino group (eg, diethylamino group, hydroxyamino group, etc.), alkylthio group or arylthio group (eg, methylthio group, carboxyethyl group, sulfobutylthio group) , Phenylthio group and the like), alkoxycarbonyl group (for example, methoxycarbonyl group), aryloxycarbonyl group (for example, phenoxycarbonyl group and the like), and the like. These may further have a substituent.

前記一般式(VIII)中、R9dとしては、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基が好ましく、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アシル基が特に好ましい。これらは、さらに置換基を有していてもよい。 In the general formula (VIII), R 9d is preferably an alkyl group, an aryl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an acyl group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkoxycarbonyl group, or an aryloxycarbonyl group. An aryl group, an alkenyl group, and an acyl group are particularly preferable. These may further have a substituent.

前記アクリドン系化合物としては、具体的には、N−メチルアクリドン、1−クロル−N−メチルアクリドン、1−ブロム−N−メチルアクリドン、2−クロル−N−メチルアクリドン、3−クロル−N−メチルアクリドン、4−クロル−N−メチルアクリドン、2−クロル−N−(2−フェノキシエチル)アクリドン、3−クロル−N−(n−ブチル)アクリドン、2,3−ジクロル−N−メチルアクリドン、2,6−ジクロル−N−メチルアクリドン、2−クロル−6−ブロム−N−メチルアクリドン、2−クロル−N−エチルアクリドン、2−クロル−N−(n−ブチル)アクリドン、2,6−ジクロル−N−(n−ブチル)アクリドン、2,7−ジクロル−N−(n−ブチル)アクリドン、2,7−ジブロム−N−(n−ブチル)アクリドン、2−ブロム−N−オクチルアクリドン、2−クロル−N−アリルアクリドン、3−クロル−N−ベンジルアクリドン、2,3−ジエトキシ−N−(n−ブチル)アクリドン、2−フェニル−N−(n−ブチル)アクリドン、2−エトキシカルボニル−N−(n−ブチル)アクリドン、N−フェニルアクリドン、2−フェノキシカルボニル−N−(n−ブチル)アクリドン、2−シアノ−N−(n−ブチル)アクリドン、2−メチルスルホニル−N−(n−ブチル)アクリドン、2,7−ビス(エトキシカルボニル)−N−(n−ブチル)アクリドン、N−(n−ブチル)−1,2−ベンズアクリドン、N−(n−ブチル)−2,3−ベンズアクリドン、アクリドン、2−(N,N−ジエチルアミノ)−N’−エチルアクリドン、3,6−ビス(N,N−ジエチルアミノ)−N’−エチルアクリドン、2−フェノキシカルボニル−N−(2−メトキシエチル)アクリドン、2,4,5,7−テトラクロロ−N−メチルアクリドン、N−エトキシカルボニルメチルアクリドン、3−トリフルオロメチル−N−(n−ヘキシル)アクリドン、4,5−ジクロロアクリドン、N−(n−ブチル)−3,4−ベンズアクリドン、2−ベンゾイル−N−(n−ヘキシル)アクリドン、2−フェノキシ−N−(2−ヒドロキシエチル)アクリドン、2−フェニルチオ−N−エチルアクリドン、2−クロロ−N−プロパルギルアクリドン、3−ヒドロキシカルボニル−N−(n−ブチル)アクリドン、2,3−ビス(フェノキシカルボニル)−N−(n−ブチル)アクリドン、2,4,5,7−テトラブロム−N−メチルアクリドン、N−メチルチオアクリドン、N−n−ブチルチオアクリドン、N−n−ブチル−2−メトキシチオアクリドン、N−n−ブチル−2−クロロチオアクリドン、N−n−ブチル−2,7−ジクロロチオアクリドン、N−エチル−3−ジエチルアミノチオアクリドン、N−n−ブチル−2−ベンゾイルチオアクリドン、N−(n−ブチル)−1,2−ベンゾチオアクリドン、N−(2−ジエチルアミノエチル)−2−ブロモチオアクリドン、N−メチル−2,3−ジエトキシチオアクリドン、10−n−ブチル−9,10−ジヒドロアクリジン−9−イリデン−エチルアミン、10−n−ヘキシル−9,10−ジヒドロアクリジン−9−イリデン−ベンジルアミン、10−(2−メトキシエチル)−9,10−ジヒドロアクリジン−9−イリデン−n−ブチルアミン、10−エチル−2−ベンゾイル−9,10−ジヒドロアクリジン−9−イリデン−エトキシアミン、10−n−ブチル−2−メチル−9,10−ジヒドロアクリジン−9−イリデン−アニリン、10−n−ヘキシル−3−クロロ−9,10−ジヒドロアクリジン−9−イリデン−プロパノイルアミド、10−エチル−9,10−ジヒドロアクリジン−9−イリデン−ベンゾイルオキシアミン、10−メチル−9,10−ジヒドロアクリジン−9−イリデン−p−トルエンスルホニルオキシアミン、10−エチル−2−フェノキシカルボニル−9,10−ジヒドロアクリジン−9−イリデン−フェニルカルバモイルオキシアミン、10−フェニル−9,10−ジヒドロアクリジン−9−イリデン−エトキシカルボニルオキシアミンなどが好適に挙げられ、これらの中でも、2−クロル−N−(n−ブチル)アクリドンやN−メチルアクリドンがより好適に挙げられる   Specific examples of the acridone compounds include N-methylacridone, 1-chloro-N-methylacridone, 1-bromo-N-methylacridone, 2-chloro-N-methylacridone, 3- Chlor-N-methylacridone, 4-chloro-N-methylacridone, 2-chloro-N- (2-phenoxyethyl) acridone, 3-chloro-N- (n-butyl) acridone, 2,3-dichloro -N-methylacridone, 2,6-dichloro-N-methylacridone, 2-chloro-6-bromo-N-methylacridone, 2-chloro-N-ethylacridone, 2-chloro-N- ( n-butyl) acridone, 2,6-dichloro-N- (n-butyl) acridone, 2,7-dichloro-N- (n-butyl) acridone, 2,7-dibromo-N- (n-butyl) a Lidon, 2-bromo-N-octylacridone, 2-chloro-N-allylacridone, 3-chloro-N-benzylacridone, 2,3-diethoxy-N- (n-butyl) acridone, 2-phenyl -N- (n-butyl) acridone, 2-ethoxycarbonyl-N- (n-butyl) acridone, N-phenylacridone, 2-phenoxycarbonyl-N- (n-butyl) acridone, 2-cyano-N- (N-butyl) acridone, 2-methylsulfonyl-N- (n-butyl) acridone, 2,7-bis (ethoxycarbonyl) -N- (n-butyl) acridone, N- (n-butyl) -1, 2-benzacridone, N- (n-butyl) -2,3-benzacridone, acridone, 2- (N, N-diethylamino) -N′-ethylacridone, 3, 6-bis (N, N-diethylamino) -N′-ethylacridone, 2-phenoxycarbonyl-N- (2-methoxyethyl) acridone, 2,4,5,7-tetrachloro-N-methylacridone, N-ethoxycarbonylmethylacridone, 3-trifluoromethyl-N- (n-hexyl) acridone, 4,5-dichloroacridone, N- (n-butyl) -3,4-benzacridone, 2-benzoyl -N- (n-hexyl) acridone, 2-phenoxy-N- (2-hydroxyethyl) acridone, 2-phenylthio-N-ethylacridone, 2-chloro-N-propargylacridone, 3-hydroxycarbonyl-N -(N-butyl) acridone, 2,3-bis (phenoxycarbonyl) -N- (n-butyl) acridone, 2,4,5, 7-tetrabromo-N-methylacridone, N-methylthioacridone, Nn-butylthioacridone, Nn-butyl-2-methoxythioacridone, Nn-butyl-2-chlorothioacridone N-butyl-2,7-dichlorothioacridone, N-ethyl-3-diethylaminothioacridone, Nn-butyl-2-benzoylthioacridone, N- (n-butyl) -1, 2-benzothioacridone, N- (2-diethylaminoethyl) -2-bromothioacridone, N-methyl-2,3-diethoxythioacridone, 10-n-butyl-9,10-dihydroacridine- 9-ylidene-ethylamine, 10-n-hexyl-9,10-dihydroacridine-9-ylidene-benzylamine, 10- (2-methoxyethyl) -9 10-dihydroacridine-9-ylidene-n-butylamine, 10-ethyl-2-benzoyl-9,10-dihydroacridine-9-ylidene-ethoxyamine, 10-n-butyl-2-methyl-9,10-dihydro Acridine-9-ylidene-aniline, 10-n-hexyl-3-chloro-9,10-dihydroacridine-9-ylidene-propanoylamide, 10-ethyl-9,10-dihydroacridine-9-ylidene-benzoyloxy Amine, 10-methyl-9,10-dihydroacridine-9-ylidene-p-toluenesulfonyloxyamine, 10-ethyl-2-phenoxycarbonyl-9,10-dihydroacridine-9-ylidene-phenylcarbamoyloxyamine, 10 -Phenyl-9,10-dihydroacridi 9-ylidene - it is like is suitably ethoxycarbonyloxy amines, among these, 2-chloro-N-(n-butyl) acridone and N- methyl acridone and the like more preferably

−−チオキサントン系化合物−−
前記チオキサントン系化合物としては、下記一般式(IX)で表される化合物であることが好ましい。

前記一般式(IX)中、R1e、R2e、R3e、R4e、R5e、R6e、R7e、及びR8eは、前記一般式(VIII)におけるR1d〜R8dと同義である。
前記チオキサントン化合物としては、具体的には、イソプロピルチオキサントン、1−クロロ−4−プロピルオキシチオキサントンなどが好適に挙げられる。
--Thioxanthone compound--
The thioxanthone compound is preferably a compound represented by the following general formula (IX).

In the general formula (IX), R 1e , R 2e , R 3e , R 4e , R 5e , R 6e , R 7e , and R 8e have the same meanings as R 1d to R 8d in the general formula (VIII). .
Specific examples of the thioxanthone compound include isopropylthioxanthone and 1-chloro-4-propyloxythioxanthone.

−−アクリジン化合物−−
前記アクリジン系化合物としては、例えば、例えば、アクリジンオレンジ、クロロフラビン、アクリフラビン、9−フェニルアクリジン、1,7−ビス(9,9’−アクリジニル)ヘプタンなどが挙げられる。
--Acridine compound--
Examples of the acridine compound include acridine orange, chloroflavin, acriflavine, 9-phenylacridine, 1,7-bis (9,9′-acridinyl) heptane, and the like.

(3)塩基性核を有する化合物
増感剤として、塩基性核を有する化合物は、塩基性核を有する化合物であれば特に制限はなく、前記光照射手段(例えば、可視光線や紫外光及び可視光レーザ等)に合わせて適宜選択することができる。塩基性核を有する化合物を用いることにより、例えば、前記感光層の感度を0.1〜100mJ/cmに極めて容易に調整することもできる。
(3) Compound having basic nucleus As a sensitizer, the compound having a basic nucleus is not particularly limited as long as it is a compound having a basic nucleus. It can be selected appropriately according to the optical laser or the like. By using a compound having a basic nucleus, for example, the sensitivity of the photosensitive layer can be very easily adjusted to 0.1 to 100 mJ / cm 2 .

前記塩基性核を有する化合物としては、例えば、シアニン系色素、ヘミシアニン系色素、スチリル色素系、ストレプトシアニン系色素、などが挙げられる。前記各色素には、ビス型、トリス型、ポリマー型の色素、なども含まれるものである。また、これらの中でも、シアニン系色素、ヘミシアニン系色素、スチリル系色素が好ましく、シアニン系色素、ヘミシアニン系色素がより好ましい。
前記塩基性核を有する化合物がシアニン系色素の場合は、メチン基の数は1個が好ましく、ヘミシアニン系色素の場合は、メチン基の数は5個以下が好ましい。また、スチリル系色素の場合で、アニリン母核を有している場合には、メチン鎖の数は4個以下が好ましい。
Examples of the compound having a basic nucleus include cyanine dyes, hemicyanine dyes, styryl dyes, streptocyanine dyes, and the like. Each of the dyes includes bis-type, tris-type, and polymer-type dyes. Among these, cyanine dyes, hemicyanine dyes, and styryl dyes are preferable, and cyanine dyes and hemicyanine dyes are more preferable.
When the compound having a basic nucleus is a cyanine dye, the number of methine groups is preferably 1, and in the case of a hemicyanine dye, the number of methine groups is preferably 5 or less. Further, in the case of a styryl dye and having an aniline mother nucleus, the number of methine chains is preferably 4 or less.

前記塩基性核とは、例えば、ジェイムス(James)編「ザ・セオリー・オブ・ザ・フォトグラフィック・プロセス(The Theory of the Photographic Process)」第4版、マクミラン出版社、1977年、第8章「増感色素と減感色素」により定義され、米国特許第3,567,719号、第3,575,869号、第3,804,634号、第3,837,862号、第4,002,480号、第4,925,777号、特開平3−167546号などに記載されているものが挙げられる。   The basic nucleus is, for example, James, “The Theory of the Photographic Process”, 4th edition, Macmillan Publishing Company, 1977, Chapter 8. US Pat. Nos. 3,567,719, 3,575,869, 3,804,634, 3,837,862, and 4, defined by “sensitizing dye and desensitizing dye”. No. 002,480, No. 4,925,777, JP-A-3-167546, and the like.

前記塩基性核としては、例えば、ベンゾオキサゾール核、ベンゾチアゾール核及びインドレニン核などが好ましい。
また、前記塩基性核は、芳香族基が置換した塩基性核、又は3環以上縮環した塩基性核である場合が好ましい。
ここで、塩基性核の縮環数は、例えば、ベンゾオキサゾール核は2であり、ナフトオキサゾール核は3である。また、ベンゾオキサゾール核がフェニル基で置換されても、縮環数は2である。3環以上縮環した塩基性核としては3環以上縮環した多環式縮環型複素環塩基性核であればいかなるものでも良いが、好ましくは3環式縮環型複素環、及び4環式縮環型複素環が挙げられる。
As the basic nucleus, for example, a benzoxazole nucleus, a benzothiazole nucleus and an indolenine nucleus are preferable.
The basic nucleus is preferably a basic nucleus substituted with an aromatic group or a basic nucleus condensed with three or more rings.
Here, the number of condensed rings of the basic nucleus is, for example, 2 for the benzoxazole nucleus and 3 for the naphthoxazole nucleus. Even if the benzoxazole nucleus is substituted with a phenyl group, the number of condensed rings is 2. The basic nucleus condensed with three or more rings may be any polycyclic condensed heterocyclic basic nucleus condensed with three or more rings, but preferably a tricyclic condensed heterocyclic ring and 4 Examples thereof include cyclic condensed heterocyclic rings.

3環式縮環型複素環としては、例えば、ナフト[2,3−d]オキサゾール、ナフト[1,2−d]オキサゾール、ナフト[2,1−d]オキサゾール、ナフト[2,3−d]チアゾール、ナフト[1,2−d]チアゾール、ナフト[2,1−d]チアゾール、ナフト[2,3−d]イミダゾール、ナフト[1,2−d]イミダゾール、ナフト[2,1−d]イミダゾール、ナフト[2,3−d]セレナゾール、ナフト[1,2−d]セレナゾール、ナフト[2,1−d]セレナゾール、インドロ[5,6−d]オキサゾール、インドロ[6,5−d]オキサゾール、インドロ[2,3−d]オキサゾール、インドロ[5,6−d]チアゾール、インドロ[6,5−d]チアゾール、インドロ[2,3−d]チアゾール、ベンゾフロ[5,6−d]オキサゾール、ベンゾフロ[6,5−d]オキサゾール、ベンゾフロ[2,3−d]オキサゾール、ベンゾフロ[5,6−d]チアゾール、ベンゾフロ[6,5−d]チアゾール、ベンゾフロ[2,3−d]チアゾール、ベンゾチエノ[5,6−d]オキサゾール、ベンゾチエノ[6,5−d]オキサゾール、ベンゾチエノ[2,3−d]オキサゾール等が挙げられる。   Examples of the tricyclic condensed heterocyclic ring include naphtho [2,3-d] oxazole, naphtho [1,2-d] oxazole, naphtho [2,1-d] oxazole, and naphtho [2,3-d. ] Thiazole, naphtho [1,2-d] thiazole, naphtho [2,1-d] thiazole, naphtho [2,3-d] imidazole, naphtho [1,2-d] imidazole, naphtho [2,1-d ] Imidazole, naphtho [2,3-d] selenazole, naphtho [1,2-d] selenazole, naphtho [2,1-d] selenazole, indolo [5,6-d] oxazole, indolo [6,5-d ] Oxazole, indolo [2,3-d] oxazole, indolo [5,6-d] thiazole, indolo [6,5-d] thiazole, indolo [2,3-d] thiazole, benzofuro [5,6 d] oxazole, benzofuro [6,5-d] oxazole, benzofuro [2,3-d] oxazole, benzofuro [5,6-d] thiazole, benzofuro [6,5-d] thiazole, benzofuro [2,3- d] thiazole, benzothieno [5,6-d] oxazole, benzothieno [6,5-d] oxazole, benzothieno [2,3-d] oxazole and the like.

また、4環式縮環型複素環としては、例えば、アントラ[2,3−d]オキサゾール、アントラ[1,2−d]オキサゾール、アントラ[2,1−d]オキサゾール、アントラ[2,3−d]チアゾール、アントラ[1,2−d]チアゾール、フェナントロ[2,1−d]チアゾール、フェナントロ[2,3−d]イミダゾール、アントラ[1,2−d]イミダゾール、アントラ[2,1−d]イミダゾール、アントラ[2,3−d]セレナゾール、フェナントロ[1,2−d]セレナゾール、フェナントロ[2,1−d]セレナゾール、カルバゾロ[2,3−d]オキサゾール、カルバゾロ[3,2−d]オキサゾール、ジベンゾフロ[2,3−d]オキサゾール、ジベンゾフロ[3,2−d]オキサゾール、カルバゾロ[2,3−d]チアゾール、カルバゾロ[3,2−d]チアゾール、ジベンゾフロ[2,3−d]チアゾール、ジベンゾフロ[3,2−d]チアゾール、ベンゾフロ[5,6−d]オキサゾール、ジベンゾチエノ[2,3−d]オキサゾール、ジベンゾチエノ[3,2−d]オキサゾール、テトラヒドロカルバゾロ[6,7−d]オキサゾール、テトラヒドロカルバゾロ[7,6−d]オキサゾール、ジベンゾチエノ[2,3−d]チアゾール、ジベンゾチエノ[3,2−d]チアゾール、テトラヒドロカルバゾロ[6,7−d]チアゾール等が挙げられる。   Examples of the tetracyclic condensed ring heterocycle include anthra [2,3-d] oxazole, anthra [1,2-d] oxazole, anthra [2,1-d] oxazole, and anthra [2,3. -D] thiazole, anthra [1,2-d] thiazole, phenanthro [2,1-d] thiazole, phenanthro [2,3-d] imidazole, anthra [1,2-d] imidazole, anthra [2,1 -D] imidazole, anthra [2,3-d] selenazole, phenanthro [1,2-d] selenazole, phenanthro [2,1-d] selenazole, carbazolo [2,3-d] oxazole, carbazolo [3,2 -D] oxazole, dibenzofuro [2,3-d] oxazole, dibenzofuro [3,2-d] oxazole, carbazolo [2,3-d] thio Sol, carbazolo [3,2-d] thiazole, dibenzofuro [2,3-d] thiazole, dibenzofuro [3,2-d] thiazole, benzofuro [5,6-d] oxazole, dibenzothieno [2,3-d] Oxazole, dibenzothieno [3,2-d] oxazole, tetrahydrocarbazolo [6,7-d] oxazole, tetrahydrocarbazolo [7,6-d] oxazole, dibenzothieno [2,3-d] thiazole, dibenzothieno [3 2-d] thiazole, tetrahydrocarbazolo [6,7-d] thiazole and the like.

3環以上縮環した塩基性核として更に好ましくは、ナフト[2,3−d]オキサゾール、ナフト[1,2−d]オキサゾール、ナフト[2,1−d]オキサゾール、ナフト[2,3−d]チアゾール、ナフト[1,2−d]チアゾール、ナフト[2,1−d]チアゾール、インドロ[5,6−d]オキサゾール、インドロ[6,5−d]オキサゾール、インドロ[2,3−d]オキサゾール、インドロ[5,6−d]チアゾール、インドロ[2,3−d]チアゾール、ベンゾフロ[5,6−d]オキサゾール、ベンゾフロ[6,5−d]オキサゾール、ベンゾフロ[2,3−d]オキサゾール、ベンゾフロ[5,6−d]チアゾール、ベンゾフロ[2,3−d]チアゾール、ベンゾチエノ[5,6−d]オキサゾール、アントラ[2,3−d]オキサゾール、アントラ[1,2−d]オキサゾール、アントラ[2,3−d]チアゾール、アントラ[1,2−d]チアゾール、カルバゾロ[2,3−d]オキサゾール、カルバゾロ[3,2−d]オキサゾール、ジベンゾフロ[2,3−d]オキサゾール、ジベンゾフロ[3,2−d]オキサゾール、カルバゾロ[2,3−d]チアゾール、カルバゾロ[3,2−d]チアゾール、ジベンゾフロ[2,3−d]チアゾール、ジベンゾフロ[3,2−d]チアゾール、ジベンゾチエノ[2,3−d]オキサゾール、ジベンゾチエノ[3,2−d]オキサゾール、が挙げられ、特に好ましくは、ナフト[2,3−d]オキサゾール、ナフト[1,2−d]オキサゾール、ナフト[2,3−d]チアゾール、インドロ[5,6−d]オキサゾール、インドロ[6,5−d]オキサゾール、インドロ[5,6−d]チアゾール、ベンゾフロ[5,6−d]オキサゾール、ベンゾフロ[5,6−d]チアゾール、ベンゾフロ[2,3−d]チアゾール、ベンゾチエノ[5,6−d]オキサゾール、カルバゾロ[2,3−d]オキサゾール、カルバゾロ[3,2−d]オキサゾール、ジベンゾフロ[2,3−d]オキサゾール、ジベンゾフロ[3,2−d]オキサゾール、カルバゾロ[2,3−d]チアゾール、カルバゾロ[3,2−d]チアゾール、ジベンゾフロ[2,3−d]チアゾール、ジベンゾフロ[3,2−d]チアゾール、ジベンゾチエノ[2,3−d]オキサゾール、ジベンゾチエノ[3,2−d]オキサゾールである。   More preferably, the basic nucleus condensed with three or more rings is naphtho [2,3-d] oxazole, naphtho [1,2-d] oxazole, naphtho [2,1-d] oxazole, naphtho [2,3- d] thiazole, naphtho [1,2-d] thiazole, naphtho [2,1-d] thiazole, indolo [5,6-d] oxazole, indolo [6,5-d] oxazole, indolo [2,3- d] oxazole, indolo [5,6-d] thiazole, indolo [2,3-d] thiazole, benzofuro [5,6-d] oxazole, benzofuro [6,5-d] oxazole, benzofuro [2,3- d] oxazole, benzofuro [5,6-d] thiazole, benzofuro [2,3-d] thiazole, benzothieno [5,6-d] oxazole, anthra [2,3-d Oxazole, anthra [1,2-d] oxazole, anthra [2,3-d] thiazole, anthra [1,2-d] thiazole, carbazolo [2,3-d] oxazole, carbazolo [3,2-d] Oxazole, dibenzofuro [2,3-d] oxazole, dibenzofuro [3,2-d] oxazole, carbazolo [2,3-d] thiazole, carbazolo [3,2-d] thiazole, dibenzofuro [2,3-d] Thiazole, dibenzofuro [3,2-d] thiazole, dibenzothieno [2,3-d] oxazole, dibenzothieno [3,2-d] oxazole, and particularly preferably naphtho [2,3-d] oxazole, Naphtho [1,2-d] oxazole, naphtho [2,3-d] thiazole, indolo [5,6-d] oxazo , Indolo [6,5-d] oxazole, indolo [5,6-d] thiazole, benzofuro [5,6-d] oxazole, benzofuro [5,6-d] thiazole, benzofuro [2,3-d] Thiazole, benzothieno [5,6-d] oxazole, carbazolo [2,3-d] oxazole, carbazolo [3,2-d] oxazole, dibenzofuro [2,3-d] oxazole, dibenzofuro [3,2-d] Oxazole, carbazolo [2,3-d] thiazole, carbazolo [3,2-d] thiazole, dibenzofuro [2,3-d] thiazole, dibenzofuro [3,2-d] thiazole, dibenzothieno [2,3-d] Oxazole and dibenzothieno [3,2-d] oxazole.

また、前記塩基性核としては、下記に示す塩基性複素環が挙げられる。   Examples of the basic nucleus include basic heterocyclic rings shown below.


ここで、塩基性複素環の具体例中、Rは、各々独立に、水素原子、脂肪族基、又は芳香族基を表す。

Here, in specific examples of the basic heterocyclic ring, each R independently represents a hydrogen atom, an aliphatic group, or an aromatic group.

前記塩基性核を有する化合物として、具体的には、下記構造式(36)で表される化合物が挙げられる。該塩基性核を有する化合物はヘミシアニン系色素化合物であり、ラジカル発生剤を分光増感する機能を有する。従って、該塩基性核を有する化合物の吸収に対応した紫外〜可視光を照射すると、この領域に吸収を有しないラジカル発生剤を含有する場合であっても、ラジカル発生剤からのラジカル発生を促進することができる。
尚、前記ヘミシニアン系色素化合物としては、下記構造式(36)中のY部分を介して、ビス型、トリス型、又はポリマー型の色素であってもよい。
Specific examples of the compound having a basic nucleus include a compound represented by the following structural formula (36). The compound having a basic nucleus is a hemicyanine dye compound and has a function of spectrally sensitizing a radical generator. Therefore, when ultraviolet to visible light corresponding to the absorption of the compound having the basic nucleus is irradiated, radical generation from the radical generator is promoted even when a radical generator having no absorption is contained in this region. can do.
As the said Hemishinian based dye compound, via a Y f moiety in the following structural formula (36), bis-type, it may be a tris-type, or polymer-type dyes.

前記構造式(36)中、R1fは、脂肪族基又は芳香族基を表す。前記R1fが脂肪族基を表す場合、該脂肪族基としては、例えば、アルキル基、置換アルキル基、アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基、置換アルキニル基、アラルキル基、又は置換アラルキル基等が挙げられ、中でも、アルキル基、置換アルキル基、アルケニル基、置換アルケニル基、アラルキル基、又は置換アラルキル基が好ましく、アルキル基、置換アルキル基が特に好ましい。 In the structural formula (36), R 1f represents an aliphatic group or an aromatic group. When R 1f represents an aliphatic group, examples of the aliphatic group include an alkyl group, a substituted alkyl group, an alkenyl group, a substituted alkenyl group, an alkynyl group, a substituted alkynyl group, an aralkyl group, and a substituted aralkyl group. Among them, an alkyl group, a substituted alkyl group, an alkenyl group, a substituted alkenyl group, an aralkyl group, or a substituted aralkyl group is preferable, and an alkyl group and a substituted alkyl group are particularly preferable.

また、前記脂肪族基は、環状脂肪族基でも鎖状脂肪族基でもよい。鎖状脂肪族基は分岐を有していてもよい。   The aliphatic group may be a cyclic aliphatic group or a chain aliphatic group. The chain aliphatic group may have a branch.

構造式(36)中、R1fで表される前記アルキル基としては、直鎖状、分岐状、環状のアルキル基が挙げられ、該アルキル基の炭素原子数としては、1〜30が好ましく、1〜20がより好ましい。置換アルキル基のアルキル部分の炭素原子数の好ましい範囲については、アルキル基の場合と同様である。また、前記アルキル基は、置換基を有するアルキル基、無置換のアルキル基のいずれであってもよい。 In the structural formula (36), examples of the alkyl group represented by R 1f include linear, branched, and cyclic alkyl groups, and the number of carbon atoms of the alkyl group is preferably 1 to 30, 1-20 are more preferable. The preferred range of the number of carbon atoms in the alkyl part of the substituted alkyl group is the same as in the case of the alkyl group. Further, the alkyl group may be an alkyl group having a substituent or an unsubstituted alkyl group.

構造式(36)中、R1fで表される前記アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、ネオペンチル基、イソプロピル基、イソブチル基等が挙げられる。 In the structural formula (36), the alkyl group represented by R 1f includes a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, an octyl group, a 2-ethylhexyl group, a decyl group, and a dodecyl group. , Octadecyl group, cyclohexyl group, cyclopentyl group, neopentyl group, isopropyl group, isobutyl group and the like.

構造式(36)中、R1fで表される前記置換アルキル基の置換基としては、カルボキシル基、スルホ基、シアノ基、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子)、ヒドロキシ基、炭素数30以下のアルコキシカルボニル基(例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基)、炭素数30以下のアルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、炭素数30以下のアシルアミノスルホニル基、炭素数30以下のアルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、ベンジルオキシ基、フェノキシエトキシ基、フェネチルオキシ基等)、炭素数30以下のアルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、メチルチオエチルチオエチル基等)、炭素数30以下のアリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、p−トリルオキシ基、1−ナフトキシ基、2−ナフトキシ基等)、ニトロ基、炭素数30以下のアルキル基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、炭素数30以下のアシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基等)、炭素数30以下のアシル基(例えば、アセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基等)、カルバモイル基(例えば、カルバモイル基、N,N−ジメチルカルバモイル基、モルホリノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、スルファモイル基、N,N−ジメチルスルファモイル基、モルホリノスルホニル基、ピペリジノスルホニル基等)、炭素数30以下のアリール基(例えば、フェニル基、4−クロロフェニル基、4−メチルフェニル基、α−ナフチル基等)、置換アミノ基(例えば、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アリールアミノ基、ジアリールアミノ基、アシルアミノ基等)、置換ウレイド基、置換ホスホノ基、複素環基等が挙げられる。ここで、カルボキシル基、スルホ基、ヒドロキシ基、ホスホノ基は、塩の状態であってもよい。その際、塩を形成するカチオンとしては、後述のG等が挙げられる。 In the structural formula (36), examples of the substituent of the substituted alkyl group represented by R 1f include a carboxyl group, a sulfo group, a cyano group, a halogen atom (for example, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom), a hydroxy group, An alkoxycarbonyl group having 30 or less carbon atoms (for example, methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, benzyloxycarbonyl group), an alkylsulfonylaminocarbonyl group, arylsulfonylaminocarbonyl group, arylsulfonylaminocarbonyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfonyl group having 30 or less carbon atoms, An acylaminosulfonyl group having 30 or less carbon atoms, an alkoxy group having 30 or less carbon atoms (for example, methoxy group, ethoxy group, benzyloxy group, phenoxyethoxy group, phenethyloxy group, etc.), an alkylthio group having 30 or less carbon atoms (for example, Methylthio group, ethylthio Group, methylthioethylthioethyl group, etc.), aryloxy group having 30 or less carbon atoms (for example, phenoxy group, p-tolyloxy group, 1-naphthoxy group, 2-naphthoxy group, etc.), nitro group, alkyl having 30 or less carbon atoms Group, alkoxycarbonyloxy group, aryloxycarbonyloxy group, acyloxy group having 30 or less carbon atoms (for example, acetyloxy group, propionyloxy group, etc.), acyl group having 30 or less carbon atoms (for example, acetyl group, propionyl group, benzoyl) Group), carbamoyl group (for example, carbamoyl group, N, N-dimethylcarbamoyl group, morpholinocarbonyl group, piperidinocarbonyl group, etc.), sulfamoyl group (for example, sulfamoyl group, N, N-dimethylsulfamoyl group, Morpholinosulfonyl group, piperidinosulfonyl Etc.), an aryl group having 30 or less carbon atoms (eg, phenyl group, 4-chlorophenyl group, 4-methylphenyl group, α-naphthyl group, etc.), substituted amino group (eg, amino group, alkylamino group, dialkylamino group) Arylamino group, diarylamino group, acylamino group, etc.), substituted ureido group, substituted phosphono group, heterocyclic group and the like. Here, the carboxyl group, the sulfo group, the hydroxy group, and the phosphono group may be in a salt state. At that time, examples of the cation forming the salt include G + described later.

構造式(36)中、前記R1fで表される前記アルケニル基としては、直鎖状、分岐状、環状のアルケニル基が挙げられ、該アルケニル基の炭素原子数としては、2〜30が好ましく、2〜20がより好ましい。また、該アルケニル基は、置換基を有する置換アルケニル基、無置換のアルケニル基のいずれであってもよく、置換アルケニル基のアルケニル部分の炭素原子数の好ましい範囲はアルケニル基の場合と同様である。前記置換アルケニル基の置換基としては、前記置換アルキル基の場合と同様の置換基が挙げられる。 In Structural Formula (36), examples of the alkenyl group represented by R 1f include linear, branched, and cyclic alkenyl groups, and the number of carbon atoms of the alkenyl group is preferably 2 to 30. 2 to 20 are more preferable. The alkenyl group may be a substituted alkenyl group having a substituent or an unsubstituted alkenyl group, and the preferred range of the number of carbon atoms in the alkenyl part of the substituted alkenyl group is the same as that of the alkenyl group. . Examples of the substituent of the substituted alkenyl group include the same substituents as those of the substituted alkyl group.

構造式(36)中、前記R1fで表される前記アルキニル基としては、直鎖状、分岐状、環状のアルキニル基が挙げられ、該アルキニル基の炭素原子数としては、2〜30が好ましく、2〜20がより好ましい。また、該アルキニル基は、置換基を有する置換アルキニル基、無置換のアルキニル基のいずれであってもよく、置換アルキニル基のアルキニル部分の炭素原子数の好ましい範囲はアルキニル基の場合と同様である。置換アルキニル基の置換基としては、前記置換アルキル基の場合と同様の置換基が挙げられる。 In Structural Formula (36), examples of the alkynyl group represented by R 1f include linear, branched, and cyclic alkynyl groups, and the number of carbon atoms of the alkynyl group is preferably 2 to 30. 2 to 20 are more preferable. The alkynyl group may be a substituted alkynyl group having a substituent or an unsubstituted alkynyl group, and the preferred range of the number of carbon atoms in the alkynyl part of the substituted alkynyl group is the same as in the case of the alkynyl group. . Examples of the substituent for the substituted alkynyl group include the same substituents as those for the substituted alkyl group.

構造式(36)中、前記R1fで表される前記前記アラルキル基としては、直鎖状、分岐状、環状のアラルキル基が挙げられ、該アラルキル基の炭素原子数としては、7〜35が好ましく、7〜25がより好ましい。また、該アラルキル基は、置換基を有する置換アラルキル基、無置換のアラルキル基のいずれであってもよく、置換アラルキル基のアラルキル部分の炭素原子数の好ましい範囲はアラルキル基の場合と同様である。置換アラルキル基の置換基としては、前記置換アルキル基の場合と同様の置換基が挙げられる。 In the structural formula (36), examples of the aralkyl group represented by R 1f include linear, branched, and cyclic aralkyl groups. The number of carbon atoms of the aralkyl group is 7 to 35. 7-25 are more preferable. The aralkyl group may be a substituted aralkyl group having a substituent or an unsubstituted aralkyl group, and the preferred range of the number of carbon atoms in the aralkyl part of the substituted aralkyl group is the same as in the case of the aralkyl group. . Examples of the substituent for the substituted aralkyl group include the same substituents as those for the substituted alkyl group.

構造式(36)中、R1fが芳香族基を表す場合、該芳香族基としては、例えば、アリール基、置換アリール基が挙げられる。アリール基の炭素原子数としては、6〜30が好ましく、6〜20がより好ましい。置換アリール基のアリール部分の好ましい炭素原子数の範囲としては、アリール基と同様である。前記R1fで表されるアリール基としては、例えば、フェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基等が挙げられる。置換アリール基の置換基としては、前記置換アルキル基の場合と同様の置換基が挙げられる。 In Structural Formula (36), when R 1f represents an aromatic group, examples of the aromatic group include an aryl group and a substituted aryl group. As a carbon atom number of an aryl group, 6-30 are preferable and 6-20 are more preferable. The preferred range of the number of carbon atoms in the aryl part of the substituted aryl group is the same as that of the aryl group. Examples of the aryl group represented by R 1f include a phenyl group, an α-naphthyl group, a β-naphthyl group, and the like. Examples of the substituent for the substituted aryl group include the same substituents as those for the substituted alkyl group.

前記構造式(36)中、前記L1fとL2fは、夫々独立に置換基を有していてもよいメチン基を表し、L1fとL2fが置換基を有するメチン基を表す場合、該置換基が結合して不飽和脂肪族環又は不飽和複素環を形成してもよい。 In the structural formula (36), L 1f and L 2f each independently represent a methine group which may have a substituent, and when L 1f and L 2f represent a methine group having a substituent, A substituent may be bonded to form an unsaturated aliphatic ring or an unsaturated heterocyclic ring.

前記メチン基の置換基の例としては、置換アミノ基(例えば、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アリールアミノ基、ジアリールアミノ基、アシルアミノ基等)、置換オキシ基(例えば、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基等)、置換メルカプト基(例えば、アルキルメルカプト基、アリールメルカプト基等)、ハロゲン原子、脂肪族基、芳香族基が挙げられる。   Examples of the substituent of the methine group include a substituted amino group (for example, an amino group, an alkylamino group, a dialkylamino group, an arylamino group, a diarylamino group, an acylamino group, etc.), a substituted oxy group (for example, a hydroxy group, Alkoxy groups, acyloxy groups, aryloxy groups, alkoxycarbonyloxy groups, aryloxycarbonyloxy groups, etc.), substituted mercapto groups (eg, alkyl mercapto groups, aryl mercapto groups, etc.), halogen atoms, aliphatic groups, aromatic groups Can be mentioned.

前記メチン基の置換基である前記ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、臭素原子、塩素原子等が挙げられ、前記脂肪族基、芳香族基としては、前記R1fで表される脂肪族基、芳香族基と同義である。また、置換アミノ基、置換オキシ基及び置換メルカプト基の置換基としては、前記R1fで表される置換アルキル基の置換基と同義である。 Examples of the halogen atom which is a substituent of the methine group include a fluorine atom, a bromine atom and a chlorine atom. The aliphatic group and the aromatic group include an aliphatic group represented by the R 1f. Is synonymous with an aromatic group. Moreover, as a substituent of a substituted amino group, a substituted oxy group, and a substituted mercapto group, it is synonymous with the substituent of the substituted alkyl group represented by said R 1f .

前記構造式(36)中、L1fとL2fで表わされるメチン基としては、無置換のメチン基、或いは、置換基を有する場合には、ハロゲン原子若しくは脂肪族基により置換されたもの、又は置換基が互いに結合してシクロペンテン環又はシクロヘキセン環が形成されたものが特に好ましい。 In the structural formula (36), the methine group represented by L 1f and L 2f is an unsubstituted methine group, or a substituent substituted with a halogen atom or an aliphatic group when having a substituent, or Particularly preferred are those in which substituents are bonded to each other to form a cyclopentene ring or a cyclohexene ring.

また、構造式(36)において、mは0、1、2、又は3を表す。   In Structural Formula (36), m represents 0, 1, 2, or 3.

前記構造式(36)中、Z1fは、5員又は6員の含窒素複素環を形成する原子団を表し、該含窒素複素環には芳香族環又は複素環が縮合していてもよく、含窒素複素環及び該含窒素複素環に縮合している芳香族環若しくは複素環は置換基を有していてもよい。含窒素複素環としては、例えば、オキサゾール環、チアゾール環、セレナゾール環、ピロール環、ピロリン環、イミダゾール環、及びピリジン環が挙げられる。6員環よりも5員環の方が好ましい。また、含窒素複素環には、芳香族環(ベンゼン環、ナフタレン環)が縮合していてもよく、含窒素複素環及びその縮合環はさらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前記R1fで表される置換アルキルの置換基と同様のものを挙げることができる。 In the structural formula (36), Z 1f represents an atomic group forming a 5-membered or 6-membered nitrogen-containing heterocyclic ring, and the nitrogen-containing heterocyclic ring may be condensed with an aromatic ring or a heterocyclic ring. The nitrogen-containing heterocyclic ring and the aromatic ring or heterocyclic ring condensed to the nitrogen-containing heterocyclic ring may have a substituent. Examples of the nitrogen-containing heterocycle include an oxazole ring, a thiazole ring, a selenazole ring, a pyrrole ring, a pyrroline ring, an imidazole ring, and a pyridine ring. A 5-membered ring is preferred over a 6-membered ring. The nitrogen-containing heterocycle may be condensed with an aromatic ring (benzene ring or naphthalene ring), and the nitrogen-containing heterocycle and the condensed ring may further have a substituent. As an example of a substituent, the thing similar to the substituent of the substituted alkyl represented by said R 1f can be mentioned.

前記構造式(36)中のYは、N(R31f)R32f、OR33f、又はS(O)34fを表し、ここで、R31f、R32f、R33f、R34fは、それぞれ独立に水素原子又は一価の置換基を表し、nは0、1又は2を表す。 Y f in the structural formula (36) represents N (R 31f ) R 32f , OR 33f , or S (O) n R 34f , where R 31f , R 32f , R 33f , and R 34f are Each independently represents a hydrogen atom or a monovalent substituent, and n represents 0, 1 or 2.

前記R31f、R32f、R33fで表される一価の置換基としては、脂肪族基、芳香族環基、複素環基、C(O)35f、S(O)36fが挙げられる。ここで、R35f、R36fは、それぞれ独立に水素原子、脂肪族基、芳香族環基、複素環基又はN(R37f)R38fを表し、R37f、R38fは、それぞれ独立に水素原子、脂肪族基、芳香族環基、複素環基、COR39f又はSO40fを表し、R39f、R40fは、水素原子、脂肪族基、芳香族環基、複素環基を表す。また、p及びqは、それぞれ独立に1又は2を表す。また、前記R34fで表される一価の置換基は、上記R36fと同義である。 Examples of the monovalent substituent represented by R 31f , R 32f , and R 33f include an aliphatic group, an aromatic ring group, a heterocyclic group, C (O) p R 35f , and S (O) q R 36f. Can be mentioned. Here, R 35f and R 36f each independently represent a hydrogen atom, an aliphatic group, an aromatic ring group, a heterocyclic group or N (R 37f ) R 38f , and R 37f and R 38f each independently represent hydrogen An atom, an aliphatic group, an aromatic ring group, a heterocyclic group, COR 39f or SO 2 R 40f is represented, and R 39f and R 40f represent a hydrogen atom, an aliphatic group, an aromatic ring group, and a heterocyclic group. P and q each independently represent 1 or 2. The monovalent substituent represented by R 34f has the same meaning as R 36f above.

前記R31f〜R40fで表される脂肪族基、芳香族環基は、前記構造式(36)中のR1fで表される脂肪族基、芳香族環基と同義である。 The aliphatic group and aromatic ring group represented by R 31f to R 40f have the same meanings as the aliphatic group and aromatic ring group represented by R 1f in the structural formula (36).

前記R31f〜R40fで表される複素環基としては、置換基を有する複素環基、無置換の複素環基が挙げられる。前記複素環基としては、含窒素原子、含酸素原子、含硫黄原子の複素環が挙げられ、例えば、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、アクリジン環、フラン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、ピロリン環、オキサゾール環、チアゾール環、オキサジアゾール環、チアゾリン環、チオフェン環、インドール環等が挙げられる。置換基を有する複素環基の置換基としては、前記置換アルキル基の場合と同様の置換基が挙げられる。中でも、前記構造式(36)中のYとしては、より高感度化できる点で、N(R31f)R32fが好ましい。 Examples of the heterocyclic group represented by R 31f to R 40f include a heterocyclic group having a substituent and an unsubstituted heterocyclic group. Examples of the heterocyclic group include nitrogen-containing, oxygen-containing, and sulfur-containing heterocycles, such as pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, quinoxaline ring, acridine ring. , Furan ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, pyrroline ring, oxazole ring, thiazole ring, oxadiazole ring, thiazoline ring, thiophene ring, indole ring and the like. Examples of the substituent of the heterocyclic group having a substituent include the same substituents as in the case of the substituted alkyl group. Among them, the Y f of the structural formula (36) in, in that it can more sensitivity, N (R 31f) R 32f is preferred.

前記構造式(36)中、Xは陰イオンを形成し得る基を表す。陰イオンとしては、例えば、ハロゲンイオン(Cl、Br、I)、p−トルエンスルホン酸イオン、エチル硫酸イオン、1、5−ジスルホナフタレンジア二オン、PF 、BF 、及びClO 等が挙げられる。また、Xは前記構造式(36)のカチオン部位のいずれか置換可能な位置を置換している置換基であってもよく、その場合は、前記構造式(36)で表される化合物は内部塩を形成する。 In the structural formula (36), X represents a group capable of forming an anion. Examples of the anions include halogen ions (Cl , Br , I ), p-toluenesulfonate ions, ethyl sulfate ions, 1,5-disulfonaphthalenedione, PF 6 , BF 4 , And ClO 4 — and the like. Further, X - it may be a substituents replacing a substitutable position either cation sites of the structural formula (36), in that case, the compound represented by the structural formula (36) Forms an internal salt.

前記構造式(36)で表される化合物の中でも、感度により優れる点で、下記構造式(37)又は構造式(38)で表される化合物が好ましい。   Among the compounds represented by the structural formula (36), a compound represented by the following structural formula (37) or the structural formula (38) is preferable in terms of superior sensitivity.

前記構造式(37)及び構造式(38)中、R11fとR21fは、各々独立に、脂肪族基又は芳香族基を表す。前記構造式(37)及び構造式(38)中、L11f、L12f、L21f、L22fは、夫々独立に置換基を有していてもよいメチン基を表し、L11f、L12f、L21f、L22fが置換基を有するメチン基を表す場合、該置換基が結合して不飽和脂肪族環又は不飽和複素環を形成してもよい。前記構造式(37)中のベンゼン環Z11fには、他のベンゼン環が縮合していてもよく、ベンゼン環Z11f及びそれらの縮合環は、置換基を有していてもよい。前記構造式(38)中のZ21fは、複素環を形成する原子団を表し、該複素環は置換基を有していてもよい。前記構造式(37)及び構造式(38)中、Y11f及びY21fは、それぞれ独立に−CR28f29f−、−NR30f−、−O−、−S−、又はSe−を表し、R28f、R29f、R30fは、それぞれ独立に水素原子、脂肪族基又は芳香族基を表し、R28f及びR29fは互いに結合して環を形成する原子団であってもよい。前記構造式(37)及び構造式(38)中、mは0、1、2、又は3を表す。Xは、陰イオンを形成し得る基を表す。
前記構造式(37)及び構造式(38)中、Yは前記構造式(36)のYと同義である。
In the structural formulas (37) and (38), R 11f and R 21f each independently represent an aliphatic group or an aromatic group. In the structural formula (37) and the structural formula (38), L 11f , L 12f , L 21f , and L 22f each independently represent a methine group optionally having a substituent, and L 11f , L 12f , When L 21f and L 22f represent a methine group having a substituent, the substituent may be bonded to form an unsaturated aliphatic ring or an unsaturated heterocyclic ring. The benzene ring Z 11f in the structural formula (37) may be condensed with another benzene ring, and the benzene ring Z 11f and those condensed rings may have a substituent. Z 21f in the structural formula (38) represents an atomic group forming a heterocyclic ring, and the heterocyclic ring may have a substituent. In the structural formula (37) and the structural formula (38), Y 11f and Y 21f each independently represent -CR 28f R 29f- , -NR 30f- , -O-, -S-, or Se-, R 28f , R 29f , and R 30f each independently represent a hydrogen atom, an aliphatic group, or an aromatic group, and R 28f and R 29f may be an atomic group that is bonded to each other to form a ring. In Structural Formula (37) and Structural Formula (38), m represents 0, 1, 2, or 3. X represents a group capable of forming an anion.
The structural formula (37) and structural formula (38), the Y f is synonymous with Y f of the structural formula (36).

前記構造式(37)及び構造式(38)中のR11fとR21fは、前記構造式(36)のR1fとそれぞれ同義であり、好ましい例も同様である。L11f、L12f及びL21f、L22fは、それぞれ前記構造式(36)におけるL1f、L2fと同義であり、好ましい例も同様である。 R 11f and R 21f in the structural formula (37) and the structural formula (38) have the same meanings as R 1f in the structural formula (36), respectively, and preferred examples thereof are also the same. L 11f , L 12f and L 21f , L 22f have the same meanings as L 1f and L 2f in the structural formula (36), respectively, and preferred examples are also the same.

前記構造式(37)中のベンゼン環Z11fは、他のベンゼン環が縮合していてもよく、ベンゼン環Z11f及びそれらの縮合環は、置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前記構造式(36)中の前記R1fで表される置換アルキルの置換基と同様の置換基を挙げることができる。これらの中でも、感度を向上できる点で、電子吸引性の置換基が好ましい。電子吸引性の置換基とは、Hammetのσ(シグマ)値が正のものを言う。これらの電子吸引性基の中でも、σm(シグマメタ)又はσp(シグマパラ)の値が0.2以上のものが好ましく、さらに0.4以上のものがより好ましい。 The benzene ring Z 11f in the structural formula (37) may be condensed with another benzene ring, and the benzene ring Z 11f and those condensed rings may have a substituent. Examples of the substituent include the same substituents as those of the substituted alkyl represented by R 1f in the structural formula (36). Among these, an electron-withdrawing substituent is preferable because sensitivity can be improved. An electron-withdrawing substituent is one having a positive Hammett σ (sigma) value. Among these electron-withdrawing groups, those having a value of σm (sigma meta) or σp (sigma para) are preferably 0.2 or more, and more preferably 0.4 or more.

前記電子吸引性の置換基としては、例えばハロゲン基、アシルオキシ基、アシル基、カルバモイル基、スルファモイル基、アリール基、アルコキシカルボニル基、アシルアミノ基、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、シアノ基、ニトロ基、ハロメチル基(例えばトリフルオロメチル基)、カルボキシル基、スルホ基、ホスホノ基等が挙げられる。   Examples of the electron-withdrawing substituent include a halogen group, acyloxy group, acyl group, carbamoyl group, sulfamoyl group, aryl group, alkoxycarbonyl group, acylamino group, alkylsulfonylamino group, arylsulfonylamino group, alkylsulfonyl group, Examples include arylsulfonyl group, cyano group, nitro group, halomethyl group (for example, trifluoromethyl group), carboxyl group, sulfo group, phosphono group and the like.

前記構造式(38)中のZ21fは、複素環を形成する原子団を表し、該複素環は置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前記構造式(36)中の前記R1fで表される置換アルキルの置換基と同様の置換基を挙げることができる。この様な複素環を形成する原子団Z21fの例としては、下記の原子団を挙げることができる。 Z 21f in the structural formula (38) represents an atomic group forming a heterocyclic ring, and the heterocyclic ring may have a substituent. Examples of the substituent include the same substituents as those of the substituted alkyl represented by R 1f in the structural formula (36). Examples of the atomic group Z 21f that forms such a heterocyclic ring include the following atomic groups.


ここで、Rは、脂肪族基、芳香族基を表す。

Here, R represents an aliphatic group or an aromatic group.

前記構造式(37)及び構造式(38)中のY11f及びY21fは、それぞれ独立に、硫黄原子、酸素原子、C(R33f)R34f、セレン原子、テルル原子を表し、R33fとR34fは、夫々独立に水素原子、脂肪族基又は芳香族基を表し、R33fとR34fは、互いに結合して環を形成する原子団であってもよい。該脂肪族基及び芳香族基は、前記構造式(36)中のR1fで表される脂肪族基及び芳香族基とそれぞれ同義であり、脂肪族基としては、特にアルキル基又は置換アルキル基が好ましい。上記Y11f及びY21fとしては、酸素原子、硫黄原子、C(R33f)R34fが好ましく、特に硫黄原子、C(R33f)R34fが好ましく、R33fとR34fはアルキル基が好ましい。 Y 11f and Y 21f in the structural formula (37) and the structural formula (38) each independently represent a sulfur atom, an oxygen atom, C (R 33f ) R 34f , a selenium atom, or a tellurium atom, and R 33f and R 34f independently represents a hydrogen atom, an aliphatic group, or an aromatic group, and R 33f and R 34f may be an atomic group that is bonded to each other to form a ring. The aliphatic group and the aromatic group are respectively synonymous with the aliphatic group and the aromatic group represented by R 1f in the structural formula (36), and the aliphatic group is particularly an alkyl group or a substituted alkyl group. Is preferred. Y 11f and Y 21f are preferably an oxygen atom, a sulfur atom, and C (R 33f ) R 34f , particularly preferably a sulfur atom and C (R 33f ) R 34f , and R 33f and R 34f are preferably alkyl groups.

前記構造式(37)及び構造式(38)中、前記mは、1又は2が好ましく、特に1が好ましい。Xは陰イオンを形成し得る基を表し、前記構造式(36)におけるXと同義であり、好ましい例も同様である。 In Structural Formula (37) and Structural Formula (38), m is preferably 1 or 2, and particularly preferably 1. X represents a group capable of forming an anion, and has the same meaning as X in the structural formula (36), and preferred examples thereof are also the same.

以下に、前記構造式(36)〜(38)で表される化合物の具体例(例示化合物)を示すが、本発明においてはこれらに限定されるものではない。   Specific examples (exemplary compounds) of the compounds represented by the structural formulas (36) to (38) are shown below, but the invention is not limited thereto.

前記構造式(36)〜(38)で表される化合物は、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。   The compounds represented by the structural formulas (36) to (38) may be used alone or in combination of two or more.

前記塩基性核を有する化合物として、更に、下記構造式(39)〜(44)で表される化合物が挙げられる。   Examples of the compound having a basic nucleus further include compounds represented by the following structural formulas (39) to (44).

前記構造式(39)中、L5A、L6A、L7A、L8A、L9A、L10A、及びL11Aはメチン基を表す。前記構造式(39)中、p、及びpは0または1を表す。前記構造式(39)中、nは0、1、2、3または4を表す。前記構造式(39)中、Z3A及びZ4Aは含窒素複素環を形成するために必要な原子群を表す。ただし、これらに環が縮環していても良い。前記構造式(39)中、R3A、R4Aは脂肪族基、芳香族基、又は複素環基を表す。前記構造式(39)中、Mは電荷均衡のための対イオンを表し、mは分子の電荷を中和するのに必要な0以上の数を表す。但し、R3A、R4A、Z3A、Z4A、L5A〜L11Aは、前記構造式(39)がカチオン色素の場合アニオン性の置換基を持たず、前記構造式(39)がベタイン色素の場合アニオン性の置換基を1つ持つ。 In the structural formula (39), L 5A , L 6A , L 7A , L 8A , L 9A , L 10A , and L 11A represent a methine group. In the structural formula (39), p 3 and p 4 represent 0 or 1. In the structural formula (39), n 1 represents 0, 1 , 2, 3 or 4. In the structural formula (39), Z 3A and Z 4A represent an atomic group necessary for forming a nitrogen-containing heterocycle. However, these rings may be condensed. In the structural formula (39), R 3A and R 4A each represents an aliphatic group, an aromatic group, or a heterocyclic group. In the structural formula (39), M 1 represents a counter ion for charge balance, and m 1 represents a number of 0 or more necessary for neutralizing the charge of the molecule. However, R 3A , R 4A , Z 3A , Z 4A , L 5A to L 11A have no anionic substituent when the structural formula (39) is a cationic dye, and the structural formula (39) is a betaine dye. In the case of having one anionic substituent.

前記構造式(40)中、L12A、L13A、L14A、及びL15Aはメチン基を表す。前記構造式(40)中、pは0又は1を表す。前記構造式(40)中、nは0、1、2、3又は4を表す。前記構造式(40)中、Z5A及びZ6Aは含窒素複素環を形成するために必要な原子群を表す。ただし、これらに環が縮環していても良い。前記構造式(40)中、R5A及びR6Aは脂肪族基、芳香族基、又は複素環基を表す。前記構造式(40)中、M、mは前記構造式(39)と同義である。但し、R5A、R6A、Z5A、Z6A、L12A〜L15Aは、前記構造式(40)がカチオン色素の場合カチオン性の置換基を持ち、前記構造式(40)がベタイン色素の場合カチオン性の置換基1つとアニオン性の置換基1つを持ち、前記構造式(40)がノニオン色素の場合カチオン性の置換基とアニオン性の置換基を持たない。 In the structural formula (40), L 12A , L 13A , L 14A and L 15A represent a methine group. In the structural formula (40), p 5 represents 0 or 1. In the structural formula (40), n 2 represents 0, 1, 2 , 3 or 4. In the structural formula (40), Z 5A and Z 6A represent an atomic group necessary for forming a nitrogen-containing heterocyclic ring. However, these rings may be condensed. In the structural formula (40), R 5A and R 6A represent an aliphatic group, an aromatic group, or a heterocyclic group. In the structural formula (40), M 1 and m 1 have the same meanings as the structural formula (39). However, R 5A , R 6A , Z 5A , Z 6A , L 12A to L 15A have a cationic substituent when the structural formula (40) is a cationic dye, and the structural formula (40) is a betaine dye. In this case, it has one cationic substituent and one anionic substituent, and when the structural formula (40) is a nonionic dye, it does not have a cationic substituent and an anionic substituent.

前記構造式(41)中、L16A、L17A、L18A、L19A、L20A、L21A、L22A、L23A、及びL24Aはメチン基を表す。p及びpは各々独立に0又は1を表す。前記構造式(41)中、n及びnは0、1、2、3又は4を表す。前記構造式(41)中、Z7A、Z8A及びZ9Aは含窒素複素環を形成するために必要な原子群を表す。ただし、Z7A,及びZ9Aには、環が縮環していても良い。前記構造式(41)中、R7A、R8A及びR9Aは、各々独立に、脂肪族基、芳香族基、又は複素環基を表す。前記構造式(41)中、M、mは前記構造式(39)と同義である。但し、R7A、R8A、R9A、Z7A、Z8A、Z9A、L16A〜L24Aは、前記構造式(41)がカチオン色素の場合アニオン性の置換基を持たず、前記構造式(41)がベタイン色素の場合アニオン性の置換基を1つ持つ。 In the structural formula (41), L 16A , L 17A , L 18A , L 19A , L 20A , L 21A , L 22A , L 23A , and L 24A represent a methine group. p 6 and p 7 each independently represents 0 or 1. In the structural formula (41), n 3 and n 4 represent 0, 1, 2, 3 or 4. In the structural formula (41), Z 7A , Z 8A and Z 9A represent an atomic group necessary for forming a nitrogen-containing heterocyclic ring. However, a ring may be condensed in Z 7A and Z 9A . In the structural formula (41), R 7A , R 8A and R 9A each independently represent an aliphatic group, an aromatic group, or a heterocyclic group. In the structural formula (41), M 1 and m 1 have the same meanings as the structural formula (39). However, R 7A , R 8A , R 9A , Z 7A , Z 8A , Z 9A , L 16A to L 24A have no anionic substituent when the structural formula (41) is a cationic dye, and the structural formula When (41) is a betaine dye, it has one anionic substituent.

前記構造式(42)中、L25A、L26A、L27A、L28A、L29A、L30A、及びL31Aはメチン基を表す。前記構造式(42)中、p、及びpは各々独立に0または1を表す。前記構造式(42)中、nは0、1、2、3または4を表す。前記構造式(42)中、Z10A及びZ11Aは含窒素複素環を形成するために必要な原子群を表す。ただし、これらに環が縮環していても良い。R10A、R11Aは脂肪族基、芳香族基、又は複素環基を表す。前記構造式(42)中、Mは電荷均衡のための対イオンを表し、mは分子の電荷を中和するのに必要な0以上の数を表す。但し、R10A及びR11Aはアニオン性の置換基を有する。 In the structural formula (42), L 25A , L 26A , L 27A , L 28A , L 29A , L 30A and L 31A represent a methine group. In the structural formula (42), p 8 and p 9 each independently represents 0 or 1. In the structural formula (42), n 5 represents 0, 1, 2, 3 or 4. In the structural formula (42), Z 10A and Z 11A represent an atomic group necessary for forming a nitrogen-containing heterocycle. However, these rings may be condensed. R 10A and R 11A each represents an aliphatic group, an aromatic group, or a heterocyclic group. In the structural formula (42), M 2 represents a counter ion for charge balance, and m 2 represents a number of 0 or more necessary for neutralizing the charge of the molecule. However, R 10A and R 11A have an anionic substituent.

前記構造式(43)中、L32A、L33A、L34A、及びL35Aはメチン基を表す。前記構造式(43)中、pは各々独立に0又は1を表す。前記構造式(43)中、nは0、1、2、3又は4を表す。前記構造式(43)中、Z12A及びZ13Aは含窒素複素環を形成するために必要な原子群を表す。ただし、これらに環が縮環していても良い。前記構造式(43)中、R12A及びR13Aは、各々独立に、脂肪族基、芳香族基、又は複素環基を表す。前記構造式(43)中、M、mは前記構造式(42)のM、mと同義である。但し、R12A、R13A、のうち少なくとも1つはアニオン性の置換基を有する。 In the structural formula (43), L 32A , L 33A , L 34A and L 35A represent a methine group. In the structural formula (43), p 9 each independently represents 0 or 1. In the structural formula (43), n 6 represents 0, 1, 2, 3 or 4. In the structural formula (43), Z 12A and Z 13A represent an atomic group necessary for forming a nitrogen-containing heterocycle. However, these rings may be condensed. In the structural formula (43), R 12A and R 13A each independently represent an aliphatic group, an aromatic group, or a heterocyclic group. In the structural formula (43), M 2, m 2 is the same meaning as M 2, m 2 of the structural formula (42). However, at least one of R 12A and R 13A has an anionic substituent.

前記構造式(44)中、L36A、L37A、L38A、L39A、L40A、L41A、L42A、L43A、及びL44Aはメチン基を表す。前記構造式(44)中、p10及びp11は、各々独立に0又は1を表す。前記構造式(44)中、n及びnは、各々独立に0、1、2、3又は4を表す。前記構造式(44)中、Z14A、Z15A及びZ16Aは含窒素複素環を形成するために必要な原子群を表す。ただし、Z14A、及びZ15Aには、環が縮環していても良い。前記構造式(44)中、R14A、R15A及びR16Aは脂肪族基、芳香族基、又は複素環基を表す。前記構造式(44)中、M、mは前記構造式(42)のM、mと同義である。但し、R14A、R15A、R16A、のうち少なくとも2つはアニオン性の置換基を有する。 In the structural formula (44), L 36A , L 37A , L 38A , L 39A , L 40A , L 41A , L 42A , L 43A , and L 44A represent a methine group. In the structural formula (44), p 10 and p 11 each independently represent 0 or 1. In the structural formula (44), n 7 and n 8 each independently represents 0, 1, 2, 3 or 4. In the structural formula (44), Z 14A , Z 15A and Z 16A represent an atomic group necessary for forming a nitrogen-containing heterocyclic ring. However, a ring may be condensed in Z 14A and Z 15A . In the structural formula (44), R 14A , R 15A and R 16A represent an aliphatic group, an aromatic group, or a heterocyclic group. In the structural formula (44), M 2, m 2 is the same meaning as M 2, m 2 of the structural formula (42). However, at least two of R 14A , R 15A and R 16A have an anionic substituent.

但し、前記構造式(39)、(40)及び(41)の化合物を単独で用いる場合、R3A及びR4Aのうち少なくとも一つ、好ましくは両方とも芳香族環を有する基、R5A及びR6Aのうち少なくとも一つ、好ましくは両方とも芳香族環を有する基、及びR7A、R8A、及びR9Aのうち少なくとも一つ、好ましくは2つ、さらに好ましくは3つとも芳香族環を有する基、である。 However, when the compounds of the structural formulas (39), (40) and (41) are used alone, at least one of R 3A and R 4A , preferably both have a group having an aromatic ring, R 5A and R A group having at least one of 6A , preferably both having an aromatic ring, and at least one, preferably two, more preferably three of R 7A , R 8A and R 9A having an aromatic ring Group.

前記構造式(39)、(40)及び(41)の化合物と構造式(42)、(43)及び(44)の化合物を併用する場合は、組み合わせた色素のR3A〜R9A、及びR10A〜R16Aのうち、少なくとも1つは芳香族環を有する基であり、好ましくは2つが芳香族環を有する基であり、さらに好ましくは3つが芳香族環を有する基であり、特に好ましくは4つ以上が芳香族環を有する基である。 When the compounds of the structural formulas (39), (40) and (41) and the compounds of the structural formulas (42), (43) and (44) are used in combination, R 3A to R 9A and R of the combined dyes of 10A to R 16A, at least one is a group having an aromatic ring, preferably two of the group having an aromatic ring, more preferably three of the group having an aromatic ring, particularly preferably Four or more are groups having an aromatic ring.

以下に、前記構造式(39)〜(41)で表される化合物の具体例(例示化合物)を示すが、本発明においてはこれらに限定されるものではない。
Specific examples (exemplary compounds) of the compounds represented by the structural formulas (39) to (41) are shown below, but the invention is not limited thereto.

以下に、前記構造式(42)〜(44)で表される化合物の具体例(例示化合物)を示すが、本発明においてはこれらに限定されるものではない。   Specific examples (exemplary compounds) of the compounds represented by the structural formulas (42) to (44) are shown below, but the invention is not limited thereto.

なお、前記塩基性核を有する化合物は、感光層の感度の向上を図るだけでなく、光励起により前記モノマーの重合を開始させるような光重合開始剤としての機能をも有している。   The compound having a basic nucleus not only improves the sensitivity of the photosensitive layer, but also has a function as a photopolymerization initiator that initiates polymerization of the monomer by photoexcitation.

(4)酸性核を有する化合物
増感剤としての酸性核を有する化合物は、酸性核を有する化合物であれば特に制限はなく、前記光照射手段(例えば、可視光線や紫外光及び可視光レーザ等)に合わせて適宜選択することができる。酸性核を有する化合物を用いることにより、例えば、前記感光層の感度を0.1〜100mJ/cmに極めて容易に調整することもできる。
前記酸性核を有する化合物としては、例えば、メロシアニン色素、3核メロシアニン色素、4核メロシアニン色素、ロダシアニン色素、オキソノール色素などが挙げられ、これらの中でも、メロシアニン色素、ロダシアニン色素が好ましく、メロシアニン色素がより好ましい。
(4) Compound having an acidic nucleus The compound having an acidic nucleus as a sensitizer is not particularly limited as long as it is a compound having an acidic nucleus. ) Can be selected as appropriate. By using a compound having an acidic nucleus, for example, the sensitivity of the photosensitive layer can be very easily adjusted to 0.1 to 100 mJ / cm 2 .
Examples of the compound having an acidic nucleus include a merocyanine dye, a trinuclear merocyanine dye, a tetranuclear merocyanine dye, a rhodacyanine dye, and an oxonol dye. Among these, a merocyanine dye and a rhodacyanine dye are preferable, and a merocyanine dye is more preferable. preferable.

前記酸性核とは、例えば、ジェイムス(James)編「ザ・セオリー・オブ・ザ・フォトグラフィック・プロセス(The Theory of the Photographic Process)」第4版、マクミラン出版社、1977年、第8章「増感色素と減感色素」により定義され、米国特許第3,567,719号、第3,575,869号、第3,804,634号、第3,837,862号、第4,002,480号、第4,925,777号、特開平3−167546号などに記載されているものが挙げられる。
前記酸性核が、非環式であるとき、メチン結合の末端は、マロノニトリル、アルカンスルフォニルアセトニトリル、シアノメチルベンゾフラニルケトン、シアノメチルフェニルケトン、マロン酸エステル、及びアシルアミノメチル置換したケトン類等の活性メチレン化合物などの基であることが好ましい。
前記酸性核を形成するために必要な原子群が環式であるとき、炭素、窒素、及びカルコゲン(典型的には酸素、硫黄、セレン、及びテルル)原子からなる5員又は6員の含窒素複素環が形成されることが好ましく、前記含窒素複素環としては、例えば、2−ピラゾリン−5−オン、ピラゾリジン−3、5−ジオン、イミダゾリン−5−オン、ヒダントイン、2−チオヒダントイン、4−チオヒダントイン、2−イミノオキサゾリジン−4−オン、2−オキサゾリン−5−オン、2−チオオキサゾリン−2、4−ジオン、イソオキサゾリン−5−オン、2−チアゾリン−4−オン、チアゾリジン−4−オン、チアゾリジン−2,4−ジオン、ローダニン、チアゾリジン−2,4−ジチオン、イソローダニン、インダン−1,3−ジオン、チオフェン−3−オン、チオフェン−3−オン−1,1−ジオキシド、インドリン−2−オン、インドリン−3−オン、2−オキソインダゾリニウム、3−オキソインダゾリニウム、5,7−ジオキソ−6,7−ジヒドロチアゾロ[3,2−a]ピリミジン、シクロヘキサン−1,3−ジオン、3,4−ジヒドロイソキノリン−4−オン、1,3−ジオキサン−4,6−ジオン、バルビツール酸、2−チオバルビツール酸、クロマン−2,4−ジオン、インダゾリン−2−オン、ピリド[1,2−a]ピリミジン−1,3−ジオン、ピラゾロ[1,5−b]キナゾロン、ピラゾロ[1,5−a]ベンゾイミダゾール、ピラゾロピリドン、1,2,3,4−テトラヒドロキノリン−2,4−ジオン、3−オキソ−2,3−ジヒドロベンゾ[d]チオフェン−1,1−ジオキサイド、3−ジシアノメチン−2,3−ジヒドロベンゾ[d]チオフェン−1,1−ジオキサイドの核などが挙げられる。
Examples of the acidic nucleus include, for example, “The Theory of the Photographic Process” edited by James, 4th edition, Macmillan Publishing Co., Ltd., 1977, Chapter 8, “The Theory of the Photographic Process”. Sensitizing dyes and desensitizing dyes ", U.S. Pat. Nos. 3,567,719, 3,575,869, 3,804,634, 3,837,862, 4,002. No. 4,480, No. 4,925,777, JP-A-3-167546, and the like.
When the acidic nucleus is acyclic, the end of the methine bond is malononitrile, alkanesulfonylacetonitrile, cyanomethylbenzofuranyl ketone, cyanomethylphenyl ketone, malonic acid ester, acylaminomethyl-substituted ketones, etc. A group such as an active methylene compound is preferred.
5- or 6-membered nitrogen containing carbon, nitrogen, and chalcogen (typically oxygen, sulfur, selenium, and tellurium) atoms when the atomic group necessary to form the acidic nucleus is cyclic A heterocyclic ring is preferably formed. Examples of the nitrogen-containing heterocyclic ring include 2-pyrazolin-5-one, pyrazolidine-3, 5-dione, imidazolin-5-one, hydantoin, 2-thiohydantoin, 4 -Thiohydantoin, 2-iminooxazolidine-4-one, 2-oxazolin-5-one, 2-thiooxazoline-2, 4-dione, isoxazolin-5-one, 2-thiazoline-4-one, thiazolidine-4 -One, thiazolidine-2,4-dione, rhodanine, thiazolidine-2,4-dithione, isorhodanine, indan-1,3-dione, thiof 3-one, thiophen-3-one-1,1-dioxide, indoline-2-one, indoline-3-one, 2-oxoindazolinium, 3-oxoindazolinium, 5,7-dioxo- 6,7-dihydrothiazolo [3,2-a] pyrimidine, cyclohexane-1,3-dione, 3,4-dihydroisoquinolin-4-one, 1,3-dioxane-4,6-dione, barbituric acid 2-thiobarbituric acid, chroman-2,4-dione, indazolin-2-one, pyrido [1,2-a] pyrimidine-1,3-dione, pyrazolo [1,5-b] quinazolone, pyrazolo [ 1,5-a] benzimidazole, pyrazolopyridone, 1,2,3,4-tetrahydroquinoline-2,4-dione, 3-oxo-2,3-dihydrobenzo [d] thiol Down-1,1-dioxide, and 3-Jishianomechin 2,3 nuclei dihydrobenzo [d] thiophene-1,1-dioxide and the like.

また、前記酸性核としては、下記に示す酸性複素環が挙げられる。   Examples of the acidic nucleus include the acidic heterocycles shown below.


ここで、Rは、各々独立に、水素原子、脂肪族基、又は芳香族基を表す。

Here, R represents a hydrogen atom, an aliphatic group, or an aromatic group each independently.

前記酸性核を有する化合物として、具体的には、下記構造式(45)〜(52)で表される化合物が挙げられる。   Specific examples of the compound having an acidic nucleus include compounds represented by the following structural formulas (45) to (52).

前記構造式(45)中、L1B〜L4Bはメチン基を表す。前記構造式(45)中、pは0又は1を表す。前記構造式(45)中、nは0、1、2、3又は4を表す。前記構造式(45)中、Z1B及びZ2Bは含窒素複素環を形成するために必要な原子群を表す。ただし、これらに環が縮環していてもよい。環としては、芳香族環、又は非芳香族環いずれでもよい。好ましくは芳香族環であり、例えばベンゼン環、ナフタレン環などの炭化水素芳香族環や、ピラジン環、チオフェン環などの複素芳香族環が挙げられる。
前記構造式(45)中、R1B及びR2Bは、各々独立にアルキル基、アリール基、又は複素環基を表す。前記構造式(45)中、Mは電荷均衡のための対イオンを表し、mは分子の電荷を中和するのに必要な0以上の数を表す。
但し、R1B、R2B、Z1B、Z2B、L1B〜L4Bは、前記構造式(45)がカチオン色素の場合カチオン性の置換基を持ち、前記構造式(45)がベタイン色素の場合カチオン性の置換基1つとアニオン性の置換基1つを持ち、前記構造式(45)がノニオン色素の場合カチオン性の置換基とアニオン性の置換基を持たない。
前記カチオン色素とは、対イオンを除いた色素の電荷がカチオン性である色素ならばいずれでもよいが、好ましくはアニオン性の置換基を持たない色素である。また、前記アニオン色素とは、対イオンを除いた色素の電荷がアニオン性である色素ならばいずれでもよいが、好ましくはアニオン性の置換基を1つ以上持つ色素である。前記ベタイン色素とは、分子内に電荷を持つが分子内塩を形成し、分子が全体として電荷を持たない色素である。前記ノニオン色素とは、分子内に電荷を全く持たない色素である。
前記アニオン性置換基とは、負電荷を有した置換基であり、例えばpH5〜8の間で90%以上解離したプロトン解離性酸性基が挙げられる。具体的には、例えばスルホ基、カルボキシル基、スルファト基、リン酸基、ほう酸基、アルキルスルホニルカルバモイルアルキル基(例えばメタンスルホニルカルバモイルメチル基)、アシルカルバモイルアルキル基(例えばアセチルカルバモイルメチル基)、アシルスルファモイルアルキル基(例えばアセチルスルファモイルメチル基)、アルキルスルフォニルスルファモイルアルキル基(例えばメタンスルフォニルスルファモイルメチル基)が挙げられる。さらに好ましくはスルホ基、カルボキシル基である。特に好ましくはスルホ基である。
前記カチオン性置換基としては、置換又は無置換のアンモニウム基、ピリジニウム基などが挙げられる。
前記構造式(45)の化合物を単独で用いる場合、前記構造式(45)中のR1Bは芳香族環を持つ基であることが好ましい。
In the structural formula (45), L 1B to L 4B represent a methine group. In the structural formula (45), p 1 represents 0 or 1. In the structural formula (45), n 1 represents 0, 1 , 2, 3 or 4. In the structural formula (45), Z 1B and Z 2B represent an atomic group necessary for forming a nitrogen-containing heterocyclic ring. However, these rings may be condensed. The ring may be either an aromatic ring or a non-aromatic ring. An aromatic ring is preferred, and examples thereof include hydrocarbon aromatic rings such as benzene ring and naphthalene ring, and heteroaromatic rings such as pyrazine ring and thiophene ring.
In the structural formula (45), R 1B and R 2B each independently represent an alkyl group, an aryl group, or a heterocyclic group. In the structural formula (45), M 1 represents a counter ion for charge balance, and m 1 represents a number of 0 or more necessary for neutralizing the charge of the molecule.
However, R 1B , R 2B , Z 1B , Z 2B , L 1B to L 4B have a cationic substituent when the structural formula (45) is a cationic dye, and the structural formula (45) is a betaine dye. In this case, it has one cationic substituent and one anionic substituent, and when the structural formula (45) is a nonionic dye, it does not have a cationic substituent and an anionic substituent.
The cationic dye may be any dye as long as the charge of the dye excluding the counter ion is cationic, but is preferably a dye having no anionic substituent. The anionic dye may be any dye as long as the charge of the dye excluding the counter ion is anionic, but is preferably a dye having one or more anionic substituents. The betaine dye is a dye that has a charge in the molecule but forms an inner salt, and the molecule does not have a charge as a whole. The nonionic dye is a dye having no charge in the molecule.
The anionic substituent is a substituent having a negative charge, for example, a proton dissociable acidic group dissociated by 90% or more between pH 5-8. Specifically, for example, sulfo group, carboxyl group, sulfato group, phosphoric acid group, boric acid group, alkylsulfonylcarbamoylalkyl group (for example, methanesulfonylcarbamoylmethyl group), acylcarbamoylalkyl group (for example, acetylcarbamoylmethyl group), acylsulfuric group. Examples include a famoylalkyl group (for example, acetylsulfamoylmethyl group) and an alkylsulfonylsulfamoylalkyl group (for example, methanesulfonylsulfamoylmethyl group). More preferred are a sulfo group and a carboxyl group. Particularly preferred is a sulfo group.
Examples of the cationic substituent include a substituted or unsubstituted ammonium group and a pyridinium group.
When the compound of the structural formula (45) is used alone, R 1B in the structural formula (45) is preferably a group having an aromatic ring.

前記構造式(46)中、L5B〜L8Bはメチン基を表す。前記構造式(46)中、pは0又は1を表す。前記構造式(46)中、nは0、1、2、3又は4を表す。前記構造式(46)中、Z3B及びZ4Bは含窒素複素環を形成するために必要な原子群を表す。ただし、これらに環が縮環していてもよい。環としては、芳香族環、又は非芳香族環いずれでもよい。好ましくは芳香族環であり、例えばベンゼン環、ナフタレン環などの炭化水素芳香族環や、ピラジン環、チオフェン環などの複素芳香族環が挙げられる。
前記構造式(46)中、R3B及びR4Bは、各々独立にアルキル基、アリール基、又は複素環基を表す。前記構造式(46)中、Mは電荷均衡のための対イオンを表し、mは分子の電荷を中和するのに必要な0以上の数を表す。
但し、前記構造式(46)中のR3B及びR4Bのうち少なくとも1つは、アニオン性の置換基を有する。
In the structural formula (46), L 5B to L 8B represent a methine group. In the structural formula (46), p 2 represents 0 or 1. In the structural formula (46), n 2 represents 0, 1, 2 , 3 or 4. In the structural formula (46), Z 3B and Z 4B represent an atomic group necessary for forming a nitrogen-containing heterocycle. However, these rings may be condensed. The ring may be either an aromatic ring or a non-aromatic ring. An aromatic ring is preferred, and examples thereof include hydrocarbon aromatic rings such as benzene ring and naphthalene ring, and heteroaromatic rings such as pyrazine ring and thiophene ring.
In the structural formula (46), R 3B and R 4B each independently represent an alkyl group, an aryl group, or a heterocyclic group. In the structural formula (46), M 2 represents a counter ion for charge balance, and m 2 represents a number of 0 or more necessary to neutralize the charge of the molecule.
However, at least one of R 3B and R 4B in the structural formula (46) has an anionic substituent.

前記構造式(45)及び(46)をさらに詳細に説明する。
前記含窒素複素環としては、チアゾリン核、チアゾール核、ベンゾチアゾール核、オキサゾリン核、オキサゾール核、ベンゾオキサゾール核、セレナゾリン核、セレナゾール核、ベンゾセレナゾール核、3,3−ジアルキルインドレニン核(例えば、3,3−ジメイルインドレニン)、イミダゾリン核、イミダゾ−ル核、ベンゾイミダゾール核、2−ピリジン核、4−ピリジン核、2−キノリン核、4−キノリン核、1−イソキノリン核、3−イソキノリン核、イミダゾ〔4,5−b〕キノキザリン核、オキサジアゾール核、チアジアゾール核、テトラゾール核、ピリミジン核などを挙げることができるが、好ましくはベンゾチアゾール核、ベンゾオキサゾール核、3,3−ジアルキルインドレニン核(例えば3,3−ジメチルインドレニン)、ベンゾイミダゾール核、2−ピリジン核、4−ピリジン核、2−キノリン核、4−キノリン核、1−イソキノリン核、及び3−イソキノリン核が挙げられ、ベンゾチアゾール核、ベンゾオキサゾール核、3,3−ジアルキルインドレニン核(例えば3,3−ジメチルインドレニン)、及びベンゾイミダゾール核が好ましく、ベンゾオキサゾール核、ベンゾチアゾール核、及びベンゾイミダゾール核がより好ましく、ベンゾオキサゾール核、及びベンゾチアゾール核が特に好ましい。
The structural formulas (45) and (46) will be described in more detail.
Examples of the nitrogen-containing heterocycle include a thiazoline nucleus, a thiazole nucleus, a benzothiazole nucleus, an oxazoline nucleus, an oxazole nucleus, a benzoxazole nucleus, a selenazoline nucleus, a selenazole nucleus, a benzoselenazole nucleus, and a 3,3-dialkylindolenine nucleus (for example, 3,3-dimethylindolenine), imidazoline nucleus, imidazole nucleus, benzimidazole nucleus, 2-pyridine nucleus, 4-pyridine nucleus, 2-quinoline nucleus, 4-quinoline nucleus, 1-isoquinoline nucleus, 3-isoquinoline Nuclei, imidazo [4,5-b] quinoxaline nuclei, oxadiazole nuclei, thiadiazole nuclei, tetrazole nuclei, pyrimidine nuclei, and the like. Preferred are benzothiazole nuclei, benzoxazole nuclei, and 3,3-dialkylindo. Renin nucleus (eg 3,3-dimethylindolenine) Benzimidazole nucleus, 2-pyridine nucleus, 4-pyridine nucleus, 2-quinoline nucleus, 4-quinoline nucleus, 1-isoquinoline nucleus, and 3-isoquinoline nucleus, benzothiazole nucleus, benzoxazole nucleus, 3, 3 -Dialkylindolenin nucleus (for example, 3,3-dimethylindolenine) and benzimidazole nucleus are preferred, benzoxazole nucleus, benzothiazole nucleus and benzimidazole nucleus are more preferred, benzoxazole nucleus and benzothiazole nucleus are particularly preferred .

前記含窒素複素環上の置換基をVとすると、Vで示される置換基としては特に制限は無いが、例えば、ハロゲン原子(例えば塩素、臭素、沃素、フッ素)、メルカプト基、シアノ基、カルボキシ基、リン酸基、スルホ基、ヒドロキシ基、カルバモイル基(例えばメチルカルバモイル、エチルカルバモイル、モルホリノカルボニル)、スルファモイル基(例えばメチルスルファモイル、エチルスルファモイル、ピペリジノスルフォニル)、ニトロ基、アルコキシ基(例えばメトキシ、エトキシ、2−メトキシエトキシ、2−フェニルエトキシ)、アリールオキシ基(例えばフェノキシ、p−メチルフェノキシ、p−クロロフェノキシ、ナフトキシ)、アシル基(例えばアセチル、ベンゾイル、トリクロロアセチル)、アシルオキシ基(例えばアセチルオキシ、ベンゾイルオキシ)、アシルアミノ基(例えばアセチルアミノ)、スルホニル基(例えばメタンスルホニル、エタンスルホニル、ベンゼンスルホニル)、スルフィニル基(例えばメタンスルフィニル、エタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニル)、スルホニルアミノ基(例えばメタンスルホニルアミノ、エタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノ)、アミノ基、置換アミノ基(例えばメチルアミノ、ジメチルアミノ、ベンジルアミノ、アニリノ、ジフェニルアミノ)、アンモニウム基(例えばトリメチルアンモニウム、トリエチルアンモニウム)、ヒドラジノ基(例えばトリメチルヒドラジノ基)、ウレイド基(例えばウレイド基、N,N−ジメチルウレイド基)、イミド基(例えばスクシンイミド基)、アルキルチオ基(例えばメチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ)、アリールチオ基(例えばフェニルチオ、p−メチルフェニルチオ、p−クロロフェニルチオ、2−ピリジルチオ、ナフチルチオ)、アルコキシカルボニル基(例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、2−ベンジルオキシカルボニル)、アリーロキシカルボニル基(例えばフェノキシカルボニル)、無置換アルキル基(例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル)、置換アルキル基{例えばヒドロキシメチル、トリフルオロメチル、ベンジル、カルボキシエチル、エトキシカルボニルメチル、アセチルアミノメチル、またここでは炭素数2から18、好ましくは炭素数3から10、更に好ましくは炭素数3から5の不飽和炭化水素基(例えばビニル基、エチニル基1−シクロヘキセニル基、ベンジリジン基、ベンジリデン基)も置換アルキル基に含まれることにする}、置換又は無置換のアリール基(例えばフェニル、ナフチル、p−カルボキシフェニル、p−ニトロフェニル、3,5−ジクロロフェニル、p−シアノフェニル、m−フルオロフェニル、p−トリル)、及び置換又は無置換のヘテロ環基(例えばピリジル、5−メチルピリジル、チエニル、フリル、モルホリノ、テトラヒドロフルフリル)などが挙げられ、これらの中でも、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ハロゲン原子、芳香環縮合、スルホ基、カルボキシ基、ヒドロキシ基が好ましい。
また、環(芳香族、又は非芳香族の炭化水素環、又は複素環、例えばベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、キノリン環)が縮合した構造をとることもできる。
これらのVで表わされる置換基上に、さらに該Vが置換していてもよい。
When the substituent on the nitrogen-containing heterocyclic ring is V, the substituent represented by V is not particularly limited. For example, a halogen atom (for example, chlorine, bromine, iodine, fluorine), a mercapto group, a cyano group, a carboxy group, and the like. Group, phosphate group, sulfo group, hydroxy group, carbamoyl group (for example, methylcarbamoyl, ethylcarbamoyl, morpholinocarbonyl), sulfamoyl group (for example, methylsulfamoyl, ethylsulfamoyl, piperidinosulfonyl), nitro group, alkoxy Groups (eg methoxy, ethoxy, 2-methoxyethoxy, 2-phenylethoxy), aryloxy groups (eg phenoxy, p-methylphenoxy, p-chlorophenoxy, naphthoxy), acyl groups (eg acetyl, benzoyl, trichloroacetyl), An acyloxy group (e.g. Tiloxy, benzoyloxy), acylamino groups (eg acetylamino), sulfonyl groups (eg methanesulfonyl, ethanesulfonyl, benzenesulfonyl), sulfinyl groups (eg methanesulfinyl, ethanesulfinyl, benzenesulfinyl), sulfonylamino groups (eg methanesulfonylamino) , Ethanesulfonylamino, benzenesulfonylamino), amino group, substituted amino group (eg, methylamino, dimethylamino, benzylamino, anilino, diphenylamino), ammonium group (eg, trimethylammonium, triethylammonium), hydrazino group (eg, trimethylhydra) Dino group), ureido group (eg ureido group, N, N-dimethylureido group), imide group (eg succinimide group), alkyl Thio group (for example, methylthio, ethylthio, propylthio), arylthio group (for example, phenylthio, p-methylphenylthio, p-chlorophenylthio, 2-pyridylthio, naphthylthio), alkoxycarbonyl group (for example, methoxycarbonyl, ethoxycarbonyl, 2-benzyloxy) Carbonyl), aryloxycarbonyl groups (eg phenoxycarbonyl), unsubstituted alkyl groups (eg methyl, ethyl, propyl, butyl), substituted alkyl groups (eg hydroxymethyl, trifluoromethyl, benzyl, carboxyethyl, ethoxycarbonylmethyl, acetyl) Aminomethyl, and also here an unsaturated hydrocarbon group having 2 to 18 carbon atoms, preferably 3 to 10 carbon atoms, more preferably 3 to 5 carbon atoms (eg vinyl group, ethynyl group 1-cyclyl). Lohexenyl group, benzylidine group, benzylidene group) are also included in the substituted alkyl group}, a substituted or unsubstituted aryl group (for example, phenyl, naphthyl, p-carboxyphenyl, p-nitrophenyl, 3,5-dichlorophenyl, p-cyanophenyl, m-fluorophenyl, p-tolyl), and substituted or unsubstituted heterocyclic groups (for example, pyridyl, 5-methylpyridyl, thienyl, furyl, morpholino, tetrahydrofurfuryl), etc. Among these, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, a halogen atom, aromatic ring condensation, a sulfo group, a carboxy group, and a hydroxy group are preferable.
In addition, a structure in which a ring (an aromatic or non-aromatic hydrocarbon ring or a heterocyclic ring such as a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, or a quinoline ring) is condensed can also be used.
On the substituent represented by V, the V may be further substituted.

前記構造式(45)のZ1B、及び前記構造式(46)のZ3B上の前記置換基Vとしては、芳香族基、芳香環縮合が好ましい。
芳香族基としては、炭化水素芳香族基、及び複素芳香族基がある。これらは、さらに炭化水素芳香族環、及び複素芳香族環同士が縮合した多環縮合環、又は芳香族炭化水素環と芳香族複素環が組み合わされた多環縮合環構造を持つ基であっても良く、前記置換基V等で置換されていてもよい。芳香族基に含まれる芳香族環としては、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、フルオレン、トリフェニレン、ナフタセン、ビフェニル、ピロール、フラン、チオフェン、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、インドリジン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、イソベンゾフラン、キノリジン、キノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キノキサゾリン、キノリン、カルバゾール、フェナントリジン、アクリジン、フェナントロリン、チアントレン、クロメン、キサンテン、フェノキサチイン、フェノチアジン、フェナジンなどが挙げられる。
The substituent V on Z 1B in the structural formula (45) and Z 3B in the structural formula (46) is preferably an aromatic group or aromatic ring condensation.
Examples of the aromatic group include a hydrocarbon aromatic group and a heteroaromatic group. These are groups having a polycyclic condensed ring structure in which a hydrocarbon aromatic ring and a polycyclic condensed ring obtained by condensing heteroaromatic rings, or a combination of an aromatic hydrocarbon ring and an aromatic heterocyclic ring. It may be substituted with the substituent V or the like. The aromatic ring contained in the aromatic group includes benzene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, fluorene, triphenylene, naphthacene, biphenyl, pyrrole, furan, thiophene, imidazole, oxazole, thiazole, pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, indolizine , Indole, benzofuran, benzothiophene, isobenzofuran, quinolidine, quinoline, phthalazine, naphthyridine, quinoxaline, quinoxazoline, quinoline, carbazole, phenanthridine, acridine, phenanthroline, thianthrene, chromene, xanthene, phenoxathiin, phenothiazine, phenazine, etc. Can be mentioned.

前記構造式(45)のZ2B、及び前記構造式(46)のZ4Bは、酸性核を形成するために必要な原子群を表し、例えば、ヒダントイン、2−チオヒダントイン、4−チオヒダントイン、2−オキサゾリン−5−オン、2−チオオキサゾリン−2,4−ジオン、チアゾリジン−2,4−ジオン、ローダニン、チアゾリジン−2,4−ジチオン、バルビツール酸、及び2−チオバルビツール酸などが挙げられ、ヒダントイン、2−チオヒダントイン、4−チオヒダントイン、2−オキサゾリン−5−オン、ローダニン、バルビツール酸、及び2−チオバルビツール酸であるのが好ましく、2−チオヒダントイン、4−チオヒダントイン、2−オキサゾリン−5−オン、ローダニン、及びバルビツール酸であるのがより好ましい。 Z 2B in the structural formula (45) and Z 4B in the structural formula (46) represent an atomic group necessary for forming an acidic nucleus, such as hydantoin, 2-thiohydantoin, 4-thiohydantoin, 2-oxazolin-5-one, 2-thiooxazoline-2,4-dione, thiazolidine-2,4-dione, rhodanine, thiazolidine-2,4-dithione, barbituric acid, 2-thiobarbituric acid, etc. Hydantoin, 2-thiohydantoin, 4-thiohydantoin, 2-oxazolin-5-one, rhodanine, barbituric acid, and 2-thiobarbituric acid are preferred, and 2-thiohydantoin, 4-thio More preferred are hydantoin, 2-oxazolin-5-one, rhodanine, and barbituric acid.

前記構造式(45)のR1B及びR2B、並びに前記構造式(46)のR3B及びR4Bは、各々独立に、アルキル基、アリール基、及び複素環基であるが、具体的には、例えば、炭素原子1〜18(好ましくは1〜7、特に好ましくは1〜4)の無置換アルキル基(例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ヘキシル、オクチル、ドデシル、オクタデシル)、炭素原子1〜18(好ましくは1〜7、特に好ましくは1〜4)の置換アルキル基{例えば置換基として前記Vが置換したアルキル基が挙げられる。好ましくはアラルキル基(例えばベンジル、2−フェニルエチル)、不飽和炭化水素基(例えばアリル基)、ヒドロキシアルキル基(例えば、2−ヒドロキシエチル、3−ヒドロキシプロピル)、カルボキシアルキル基(例えば、カルボキシメチル、2−カルボキシエチル、3−カルボキシプロピル、4−カルボキシブチル)、アルコキシアルキル基(例えば、2−メトキシエチル、2−(2−メトキシエトキシ)エチル)、アリーロキシアルキル基(例えば2−フェノキシエチル、2−(1−ナフトキシ)エチル)、アルコキシカルボニルアルキル基(例えばエトキシカルボニルメチル、2−ベンジルオキシカルボニルエチル)、アリーロキシカルボニルアルキル基(例えば3−フェノキシカルボニルプロピル)、アシルオキシアルキル基(例えば2−アセチルオキシエチル)、アシルアルキル基(例えば2−アセチルエチル)、カルバモイルアルキル基(例えば2−モルホリノカルボニルエチル)、スルファモイルアルキル基(例えばN,N−ジメチルスルファモイルメチル)、スルホアルキル基(例えば、2−スルホエチル、3−スルホプロピル、3−スルホブチル、4−スルホブチル、2−[3−スルホプロポキシ]エチル、2−ヒドロキシ−3−スルホプロピル、3−スルホプロポキシエトキシエチル)、スルホアルケニル基、スルファトアルキル基(例えば、2ースルファトエチル基、3−スルファトプロピル、4−スルファトブチル)、複素環置換アルキル基(例えば2−(ピロリジン−2−オン−1−イル)エチル、テトラヒドロフルフリル)、アルキルスルホニルカルバモイルアルキル基(例えばメタンスルホニルカルバモイルメチル基)、アシルカルバモイルアルキル基(例えばアセチルカルバモイルメチル基)、アシルスルファモイルアルキル基(例えばアセチルスルファモイルメチル基)、アルキルスルフォニルスルファモイルアルキル基(例えばメタンスルフォニルスルファモイルメチル基)}、炭素数6〜20(好ましくは6〜10、さらに好ましくは6〜8)の無置換アリール基(例えばフェニル基、1−ナフチル基)、炭素数6〜20(好ましくは6〜10、さらに好ましくは6〜8)の置換アリール基(例えば置換基の例として挙げた前記Vが置換したアリール基が挙げられる。具体的にはp−メトキシフェニル基、p−メチルフェニル基、p−クロロフェニル基などが挙げられる。)、炭素数1〜20(好ましくは3〜10、さらに好ましくは4〜8)の無置換複素環基(例えば2−フリル基、2−チエニル基、2−ピリジル基、3−ピラゾリル基、3−イソオキサゾリル基、3−イソチアゾリル基、2−イミダゾリル基、2−オキサゾリル基、2−チアゾリル基、2−ピリダジル基、2−ピリミジル基、3−ピラジル基、2−(1,3,5−トリアゾリル基)、3−(1,2,4−トリアゾリル)基、5−テトラゾリル基)、炭素数1〜20(好ましくは3〜10、さらに好ましくは4〜8)の置換複素環基(例えば前記置換基Vが置換した複素環基が挙げられ、具体的には5−メチル−2−チエニル基、4−メトキシ−2−ピリジル基など)などが挙げられる。 R 1B and R 2B in the structural formula (45) and R 3B and R 4B in the structural formula (46) are each independently an alkyl group, an aryl group, and a heterocyclic group. An unsubstituted alkyl group having 1 to 18 carbon atoms (preferably 1 to 7, particularly preferably 1 to 4 carbon atoms) (for example, methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, hexyl, octyl, dodecyl, octadecyl) A substituted alkyl group having 1 to 18 carbon atoms (preferably 1 to 7, particularly preferably 1 to 4 carbon atoms) {for example, an alkyl group substituted with V as a substituent. Preferably, an aralkyl group (for example, benzyl, 2-phenylethyl), an unsaturated hydrocarbon group (for example, allyl group), a hydroxyalkyl group (for example, 2-hydroxyethyl, 3-hydroxypropyl), a carboxyalkyl group (for example, carboxymethyl) , 2-carboxyethyl, 3-carboxypropyl, 4-carboxybutyl), an alkoxyalkyl group (for example, 2-methoxyethyl, 2- (2-methoxyethoxy) ethyl), an aryloxyalkyl group (for example, 2-phenoxyethyl, 2- (1-naphthoxy) ethyl), alkoxycarbonylalkyl group (eg ethoxycarbonylmethyl, 2-benzyloxycarbonylethyl), aryloxycarbonylalkyl group (eg 3-phenoxycarbonylpropyl), acyloxyalkyl group For example, 2-acetyloxyethyl), acylalkyl groups (for example, 2-acetylethyl), carbamoylalkyl groups (for example, 2-morpholinocarbonylethyl), sulfamoylalkyl groups (for example, N, N-dimethylsulfamoylmethyl), sulfo An alkyl group (for example, 2-sulfoethyl, 3-sulfopropyl, 3-sulfobutyl, 4-sulfobutyl, 2- [3-sulfopropoxy] ethyl, 2-hydroxy-3-sulfopropyl, 3-sulfopropoxyethoxyethyl), sulfo Alkenyl group, sulfatoalkyl group (for example, 2-sulfatoethyl group, 3-sulfatopropyl, 4-sulfatobutyl), heterocycle-substituted alkyl group (for example, 2- (pyrrolidin-2-one-1-yl) Ethyl, tetrahydrofurfuryl), alkylsulfoni A carbamoylalkyl group (eg methanesulfonylcarbamoylmethyl group), an acylcarbamoylalkyl group (eg acetylcarbamoylmethyl group), an acylsulfamoylalkyl group (eg acetylsulfamoylmethyl group), an alkylsulfonylsulfamoylalkyl group (eg methane) A sulfonylsulfamoylmethyl group)}, an unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms (preferably 6 to 10, more preferably 6 to 8) (for example, phenyl group, 1-naphthyl group), 6 to 20 carbon atoms ( Preferably 6 to 10 and more preferably 6 to 8) substituted aryl groups (for example, aryl groups substituted with the above-mentioned V as examples of substituents, specifically, p-methoxyphenyl group, p-methyl) (A phenyl group, p-chlorophenyl group, etc. are mentioned.) An unsubstituted heterocyclic group having 1 to 20 carbon atoms (preferably 3 to 10, more preferably 4 to 8) (for example, 2-furyl group, 2-thienyl group, 2-pyridyl group, 3-pyrazolyl group, 3- Isoxazolyl group, 3-isothiazolyl group, 2-imidazolyl group, 2-oxazolyl group, 2-thiazolyl group, 2-pyridazyl group, 2-pyrimidyl group, 3-pyrazyl group, 2- (1,3,5-triazolyl group) , 3- (1,2,4-triazolyl) group, 5-tetrazolyl group), a substituted heterocyclic group having 1 to 20 carbon atoms (preferably 3 to 10, more preferably 4 to 8) (for example, the substituent V And the like, and specific examples thereof include 5-methyl-2-thienyl group, 4-methoxy-2-pyridyl group and the like.

前記構造式(45)のR1B及びR2Bとしては、芳香族環を有する基が好ましい。前記芳香族環としては、炭化水素芳香族環、複素芳香族環が挙げられ、これらは、さらに炭化水素芳香族環、複素芳香族環同士が縮合した多環縮合環、芳香族炭化水素環と芳香族複素環とが組み合わされた多環縮合環であっても良く、前記置換基V等で置換されていてもよい。 R 1B and R 2B in the structural formula (45) are preferably groups having an aromatic ring. Examples of the aromatic ring include a hydrocarbon aromatic ring and a heteroaromatic ring, which further include a hydrocarbon aromatic ring, a polycyclic condensed ring obtained by condensing heteroaromatic rings, an aromatic hydrocarbon ring, and It may be a polycyclic fused ring combined with an aromatic heterocycle, and may be substituted with the substituent V or the like.

前記構造式(45)のR1B及びR2Bとしての前記芳香族環を有する基は、−Lb−Aで表すことができる。ここで、Lbは単結合を表すか、または連結基である。Aは、芳香族基を表す。前記Lbの連結基としては、炭素原子、窒素原子、硫黄原子、酸素原子のうち、少なくとも1種を含む原子又は原子団からなることが好ましい。
前記Lbで表される連結基は、具体的には、アルキレン基(例えばメチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンチレン)、アリーレン基(例えばフェニレン、ナフチレン)、アルケニレン基(例えば、エテニレン、プロペニレン)、アルキニレン基(例えば、エチニレン、プロピニレン)、アミド基、エステル基、スルホアミド基、スルホン酸エステル基、ウレイド基、スルホニル基、スルフィニル基、チオエーテル基、エーテル基、カルボニル基、−N(Va)−(Vaは水素原子、又は一価の置換基を表わす。一価の置換基としては前述のVが挙げられる。)、複素環2価基(例えば、6−クロロ−1,3,5−トリアジン−2,4−ジイル基、ピリミジン−2,4−ジイル基、キノキサリン−2,3−ジイル基)を1つまたはそれ以上組み合わせて構成される炭素数0以上100以下の連結基が挙げられ、該炭素数は1以上20以下であることが好ましい。
前記連結基は、さらに前記Vで表される置換基を有しても良く、環(芳香族、又は非芳香族の炭化水素環、又は複素環)を含有してもよい。
The group having the aromatic ring as R 1B and R 2B in the structural formula (45) can be represented by -Lb-A 1 . Here, Lb represents a single bond or a linking group. A 1 represents an aromatic group. The linking group for Lb is preferably composed of an atom or an atomic group containing at least one of a carbon atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, and an oxygen atom.
Specific examples of the linking group represented by Lb include alkylene groups (eg, methylene, ethylene, propylene, butylene, pentylene), arylene groups (eg, phenylene, naphthylene), alkenylene groups (eg, ethenylene, propenylene), and alkynylene. Group (for example, ethynylene, propynylene), amide group, ester group, sulfoamide group, sulfonic acid ester group, ureido group, sulfonyl group, sulfinyl group, thioether group, ether group, carbonyl group, -N (Va)-(Va is Represents a hydrogen atom or a monovalent substituent, which includes V described above, a heterocyclic divalent group (for example, 6-chloro-1,3,5-triazine-2, 4-diyl group, pyrimidine-2,4-diyl group, quinoxaline-2,3-diyl group) Include linking groups 100 following combinations carbons configured 0 or more, it is preferred carbon atom number is 1 to 20.
The linking group may further have a substituent represented by V and may contain a ring (aromatic or non-aromatic hydrocarbon ring or heterocyclic ring).

前記連結基としては、炭素数1以上10以下のアルキレン基(例えばメチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン)、炭素数6以上10以下のアリーレン基(例えばフェニレン、ナフチレン)、炭素数2以上10以下のアルケニレン基(例えば)例えば、エテニレン、プロペニレン)、炭素数2以上10以下のアルキニレン基(例えば、エチニレン、プロピニレン)、エーテル基、アミド基、エステル基、スルホアミド基、スルホン酸エステル基を1つ又はそれ以上組み合わせて構成される炭素数1以上10以下の2価の連結基であることが好ましい。これらは、前記Vで置換されていてもよい。   Examples of the linking group include alkylene groups having 1 to 10 carbon atoms (for example, methylene, ethylene, propylene, butylene), arylene groups having 6 to 10 carbon atoms (for example, phenylene and naphthylene), and alkenylene having 2 to 10 carbon atoms. One or more groups (eg, ethenylene, propenylene), alkynylene groups having 2 to 10 carbon atoms (eg, ethynylene, propynylene), ether groups, amide groups, ester groups, sulfoamide groups, sulfonate ester groups It is preferably a divalent linking group having 1 to 10 carbon atoms configured in combination. These may be substituted with V.

また、前記Lbはスルーボンド(through−bond)相互作用によりエネルギー移動または電子移動を行ってもよい連結基である。スルーボンド相互作用にはトンネル相互作用、超交換(super−exchange)相互作用などがあるが、中でも超交換相互作用に基づくスルーボンド相互作用が好ましい。スルーボンド相互作用及び超交換相互作用は、シャマイ・スペイサー(Shammai Speiser)著、ケミカル・レビュー(Chem. Rev.)第96巻、第1960−1963頁、1996年で定義されている相互作用である。このような相互作用によりエネルギー
移動または電子移動する連結基としては、シャマイ・スペイサー(Shammai Speiser)著、ケミカル・レビュー(Chem. Rev.)第96巻、第1967−1969頁、1996年に記載のものが
好ましい。
The Lb is a linking group that may perform energy transfer or electron transfer through a through-bond interaction. The through-bond interaction includes a tunnel interaction and a super-exchange interaction, and among them, a through-bond interaction based on the super-exchange interaction is preferable. Through-bond and super-exchange interactions are interactions defined by Shammai Speiser, Chem. Rev. 96, 1960-1963, 1996. . Examples of the linking group capable of energy transfer or electron transfer by such an interaction are described in Shamai Speiser, Chem. Rev. 96, 1967-1969, 1996. Those are preferred.

前記構造式(45)のR1B及びR2Bとしては、具体的には、炭化水素芳香族環を有するアルキル基として、例えば、アラルキル基(例えば、ベンジル、2−フェニルエチル、ナフチルメチル、2−(4−ビフェニル)エチル)、アリーロキシアルキル基(例えば、2−フェノキシエチル、2−(1−ナフトキシ)エチル、2−(4−ビフェニロキシ)エチル、2−(o,mあるいはp−ハロフェノキシ)エチル、2−(o,mあるいはp−メトキシフェノキシ)エチル)、アリーロキシカルボニルアルキル基(3−フェノキシカルボニルプロピル、2−(1−ナフトキシカルボニル)エチル)などが好ましい。また、複素芳香族環を有するアルキル基として、例えば、2−(2−ピリジル)エチル、2−(4−ピリジル)エチル、2−(2−フリル)エチル、2−(2−チエニル)エチル、2−(2−ピリジルメトキシ)エチルが好ましい。炭化水素芳香族基としては4−メトキシフェニル、フェニル、ナフチル、ビフェニルなどが好ましい。複素芳香族基としては、2ーチエニル基、4−クロロー2−チエニル、2ーピリジル、3ーピラゾリルなどが好ましい。
また、上述の置換もしくは無置換の炭化水素芳香族環、又は複素芳香族環を有するアルキル基がより好ましく、上述の置換もしくは無置換の炭化水素芳香族環を有するアルキル基が特に好ましい。
Specific examples of R 1B and R 2B in the structural formula (45) include alkyl groups having a hydrocarbon aromatic ring such as aralkyl groups (for example, benzyl, 2-phenylethyl, naphthylmethyl, 2- (4-biphenyl) ethyl), aryloxyalkyl groups (eg, 2-phenoxyethyl, 2- (1-naphthoxy) ethyl, 2- (4-biphenyloxy) ethyl, 2- (o, m or p-halophenoxy)) Ethyl, 2- (o, m or p-methoxyphenoxy) ethyl), an aryloxycarbonylalkyl group (3-phenoxycarbonylpropyl, 2- (1-naphthoxycarbonyl) ethyl) and the like are preferable. Examples of the alkyl group having a heteroaromatic ring include 2- (2-pyridyl) ethyl, 2- (4-pyridyl) ethyl, 2- (2-furyl) ethyl, 2- (2-thienyl) ethyl, 2- (2-Pyridylmethoxy) ethyl is preferred. As the hydrocarbon aromatic group, 4-methoxyphenyl, phenyl, naphthyl, biphenyl and the like are preferable. As the heteroaromatic group, a 2-thienyl group, 4-chloro-2-thienyl, 2-pyridyl, 3-pyrazolyl and the like are preferable.
Moreover, the alkyl group which has the above-mentioned substituted or unsubstituted hydrocarbon aromatic ring or a heteroaromatic ring is more preferable, and the alkyl group which has the above-mentioned substituted or unsubstituted hydrocarbon aromatic ring is especially preferable.

前記構造式(46)のR3B及びR4Bとしては、芳香族環を有する基が好ましく、少なくとも1つはアニオン性の置換基を持つことが好ましい。
芳香族環としては、炭化水素芳香族環、複素芳香族環が挙げられ、これらは、さらに炭化水素芳香族環、及び複素芳香族環同士が縮合した多環縮合環、又は芳香族炭化水素環と芳香族複素環が組み合わされた多環縮合環であっても良く、前記置換基V等で置換されていてもよい。前記芳香族環としては、上記の芳香族基の説明において芳香族環の例として示したものが好ましい。
As R 3B and R 4B in the structural formula (46), a group having an aromatic ring is preferable, and at least one of them preferably has an anionic substituent.
Examples of the aromatic ring include a hydrocarbon aromatic ring and a heteroaromatic ring. These include a hydrocarbon aromatic ring and a polycyclic condensed ring obtained by condensing heteroaromatic rings, or an aromatic hydrocarbon ring. And an aromatic heterocycle may be combined, and may be substituted with the substituent V or the like. As the aromatic ring, those shown as examples of the aromatic ring in the explanation of the aromatic group are preferable.

構造式(46)のR3B及びR4Bとしての前記芳香族環を有する基は、−Lc−Aで表わすことができる。ここで、Lcは単結合を表わすか、または連結基である。Aは、芳香族基を表わす。Lcの連結基として好ましくは、前記Lbなどで説明した連結基が挙げられる。Aの芳香族基として好ましくは、前述の芳香族基の例として挙げたものである。Lc、又はAには、少なくとも1つのアニオン性置換基が置換している場合が好ましい。
前記炭化水素芳香族環を有するアルキル基として、スルホ基、リン酸基、及びカルボキシル基のいずれかが置換したアラルキル基(例えば、2−スルホベンジル、4−スルホベンジル、4−スルホフェネチル、3−フェニル−3−スルホプロピル、3−フェニル−2−スルホプロピル、4,4−ジフェニル−3−スルホブチル、2−(4’−スルホ−4−ビフェニル)エチル、4−ホスホベンジル)、スルホ基、リン酸基、及びカルボキシル基のいずれかが置換したアリーロキシカルボニルアルキル基(3−スルホフェノキシカルボニルプロピル)、スルホ基、リン酸基、及びカルボキシル基のいずれかが置換したアリーロキシアルキル基(例えば、2−(4−スルホフェノキシ)エチル、2−(2−ホスホフェノキシ)エチル、4,4−ジフェノキシ−3−スルホブチル)、などが好ましい。
The group having an aromatic ring as R 3B and R 4B in the structural formula (46) can be represented by -Lc-A 2 . Here, Lc represents a single bond or a linking group. A 2 represents an aromatic group. Preferred examples of the linking group for Lc include the linking groups described above for Lb and the like. Preferred examples of the aromatic group for A 2 include those mentioned above as examples of the aromatic group. Lc or A 2 is preferably substituted with at least one anionic substituent.
As the alkyl group having a hydrocarbon aromatic ring, an aralkyl group substituted with any of a sulfo group, a phosphoric acid group, and a carboxyl group (for example, 2-sulfobenzyl, 4-sulfobenzyl, 4-sulfophenethyl, 3- Phenyl-3-sulfopropyl, 3-phenyl-2-sulfopropyl, 4,4-diphenyl-3-sulfobutyl, 2- (4′-sulfo-4-biphenyl) ethyl, 4-phosphobenzyl), sulfo group, phosphorus An aryloxycarbonylalkyl group (3-sulfophenoxycarbonylpropyl) substituted with either an acid group or a carboxyl group, an aryloxyalkyl group substituted with any of a sulfo group, a phosphate group, or a carboxyl group (for example, 2 -(4-sulfophenoxy) ethyl, 2- (2-phosphophenoxy) ethyl, 4,4-diph Enoxy-3-sulfobutyl) and the like are preferable.

また、複素芳香族環を有するアルキル基としては、3−(2−ピリジル)−3−スルホプロピル、3−(2−フリル)−3−スルホプロピル、2−(2−チエニル)−2−スルホプロピルなどが好ましい。炭化水素芳香族基としてはスルホ基、リン酸基、及びカルボキシル基のいずれかが置換したアリール基(例えば、4−スルホフェニル、4−スルホナフチル)、複素芳香族基としては、スルホ基、リン酸基、及びカルボキシル基のいずれかが置換した複素環基(例えば、4−スルホ−2−チエニル基、4−スルオ−2−ピリジル基)などが好ましい。
また、上記スルホ基、リン酸基、及びカルボキシル基のいずれかが置換した炭化水素芳香族環、又は複素芳香族環を有するアルキル基がより好ましく、スルホ基、リン酸基、及びカルボキシル基のいずれかが置換した炭化水素芳香族環を有するアルキル基が特に好ましく、2−スルホベンジル、4−スルホベンジル、4−スルホフェネチル、3−フェニル−3−スルホプロピル、及び4−フェニル−4−スルホブチルが最も好ましい。
Examples of the alkyl group having a heteroaromatic ring include 3- (2-pyridyl) -3-sulfopropyl, 3- (2-furyl) -3-sulfopropyl, 2- (2-thienyl) -2-sulfo. Propyl and the like are preferable. As the hydrocarbon aromatic group, an aryl group substituted with any of a sulfo group, a phosphate group and a carboxyl group (for example, 4-sulfophenyl, 4-sulfonaphthyl), and as the heteroaromatic group, a sulfo group, phosphorus A heterocyclic group substituted with either an acid group or a carboxyl group (for example, a 4-sulfo-2-thienyl group, a 4-sulfo-2-pyridyl group) and the like are preferable.
In addition, an alkyl group having a hydrocarbon aromatic ring or a heteroaromatic ring substituted by any of the sulfo group, phosphate group, and carboxyl group is more preferable, and any of the sulfo group, phosphate group, and carboxyl group is preferred. Are particularly preferred alkyl groups having a substituted hydrocarbon aromatic ring, such as 2-sulfobenzyl, 4-sulfobenzyl, 4-sulfophenethyl, 3-phenyl-3-sulfopropyl, and 4-phenyl-4-sulfobutyl. Most preferred.

前記構造式(45)のL1B〜L4B、及び前記構造式(46)のL5B〜L8Bは、それぞれ独立にメチン基を表し、無置換メチン基であるのが好ましい。
前記メチン基は置換基を有していても良く、置換基としては前記Vが挙げられる。置換又は無置換の炭素数1から15、好ましくは炭素数1から10、特に好ましくは炭素数1から5のアルキル基(例えば、メチル、エチル、2−カルボキシエチル)、置換または無置換の炭素数6から20、好ましくは炭素数6から15、更に好ましくは炭素数6から10のアリール基(例えばフェニル、o−カルボキシフェニル)、置換または無置換の炭素数3から20、好ましくは炭素数4から15、更に好ましくは炭素数6から10の複素環基(例えばN,N−ジメチルバルビツール酸基)、ハロゲン原子、(例えば塩素、臭素、沃素、フッ素)、炭素数1から15、好ましくは炭素数1から10、更に好ましくは炭素数1から5のアルコキシ基(例えばメトキシ、エトキシ)、炭素数0から15、好ましくは炭素数2から10、更に好ましくは炭素数4から10のアミノ基(例えばメチルアミノ、N,N−ジメチルアミノ、N−メチル−N−フェニルアミノ、N−メチルピペラジノ)、炭素数1から15、好ましくは炭素数1から10、更に好ましくは炭素数1から5のアルキルチオ基(例えばメチルチオ、エチルチオ)、炭素数6から20、好ましくは炭素数6から12、更に好ましくは炭素数6から10のアリールチオ基(例えばフェニルチオ、p−メチルフェニルチオ)などが挙げられる。また他のメチン基と環を形成してもよく、もしくは、それぞれZ1B〜Z4B、R1B〜R4Bと共に環を形成することもできる。
L 1B to L 4B in the structural formula (45) and L 5B to L 8B in the structural formula (46) each independently represent a methine group, and preferably an unsubstituted methine group.
The methine group may have a substituent, and examples of the substituent include V. A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, preferably 1 to 10 carbon atoms, particularly preferably 1 to 5 carbon atoms (eg, methyl, ethyl, 2-carboxyethyl), substituted or unsubstituted carbon number An aryl group having 6 to 20 carbon atoms, preferably 6 to 15 carbon atoms, more preferably 6 to 10 carbon atoms (eg phenyl, o-carboxyphenyl), substituted or unsubstituted 3 to 20 carbon atoms, preferably 4 to carbon atoms 15, more preferably a heterocyclic group having 6 to 10 carbon atoms (for example, N, N-dimethylbarbituric acid group), a halogen atom (for example, chlorine, bromine, iodine, fluorine), 1 to 15 carbon atoms, preferably carbon An alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms (for example, methoxy, ethoxy), 0 to 15 carbon atoms, preferably 2 to 10 carbon atoms, Preferably an amino group having 4 to 10 carbon atoms (for example, methylamino, N, N-dimethylamino, N-methyl-N-phenylamino, N-methylpiperazino), 1 to 15 carbon atoms, preferably 1 to 10 carbon atoms, More preferably, it is an alkylthio group having 1 to 5 carbon atoms (for example, methylthio, ethylthio), an arylthio group having 6 to 20, preferably 6 to 12, and more preferably 6 to 10 carbon atoms (for example, phenylthio, p-methyl). Phenylthio) and the like. The may form the other methine groups and rings, or, Z 1B to Z 4B respectively, can also form a ring with R 1B to R 4B.

前記構造式(45)のM、及び前記構造式(46)のMは、色素のイオン電荷を中性にするために必要であるとき、陽イオン又は陰イオンの存在を示すために式の中に含められている。典型的な陽イオンとしては水素イオン(H)、アルカリ金属イオン(例え
ばナトリウムイオン、カリウムイオン、リチウムイオン)、アルカリ土類金属イオン(例えばカルシウムイオン)などの無機陽イオン、アンモニウムイオン(例えば、アンモニウムイオン、テトラアルキルアンモニウムイオン、ピリジニウムイオン、エチルピリジニウムイオン)などの有機イオンが挙げられる。陰イオンは無機陰イオンあるいは有機陰イオンのいずれであってもよく、ハロゲン陰イオン(例えばフッ素イオン、塩素イオン、ヨウ素イオン)、置換アリ−ルスルホン酸イオン(例えばp−トルエンスルホン酸イオン、p−クロルベンゼンスルホン酸イオン)、アリ−ルジスルホン酸イオン(例えば1、3−ベンゼンスルホン酸イオン、1、5−ナフタレンジスルホン酸イオン、2、6−ナフタレンジスルホン酸イオン)、アルキル硫酸イオン(例えばメチル硫酸イオン)、硫酸イオン、チオシアン酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、ピクリン酸イオン、酢酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオンが挙げられる。さらに、イオン性ポリマー又は色素と逆電荷を有する他の色素を用いてもよい。また、CO 、SO は、対イオンとして水素イオンを持つときはCOH、SOHと表記することも可能であ
る。
M 1 in the structural formula (45) and M 2 in the structural formula (46) are formulas to indicate the presence of a cation or an anion when necessary to neutralize the ionic charge of the dye. Is included. Typical cations include inorganic cations such as hydrogen ions (H + ), alkali metal ions (eg, sodium ions, potassium ions, lithium ions), alkaline earth metal ions (eg, calcium ions), ammonium ions (eg, Organic ions such as ammonium ion, tetraalkylammonium ion, pyridinium ion, ethylpyridinium ion). The anion may be either an inorganic anion or an organic anion, such as a halogen anion (for example, fluorine ion, chlorine ion, iodine ion), a substituted aryl sulfonate ion (for example, p-toluenesulfonate ion, p- Chlorobenzenesulfonate ion), aryl disulfonate ion (for example, 1,3-benzenesulfonate ion, 1,5-naphthalene disulfonate ion, 2,6-naphthalenedisulfonate ion), alkyl sulfate ion (for example, methyl sulfate ion) ), Sulfate ion, thiocyanate ion, perchlorate ion, tetrafluoroborate ion, picrate ion, acetate ion, trifluoromethanesulfonate ion. Furthermore, you may use the ionic polymer or the other pigment | dye which has a charge opposite to a pigment | dye. CO 2 and SO 3 can also be expressed as CO 2 H and SO 3 H when they have hydrogen ions as counter ions.

構造式(47)〜(49)中、Z5B〜Z10Bは5員または6員の含窒素複素環を形成するのに必要な原子群を表わす。構造式(48)中、DおよびD’は非環式または環式の酸性核を形成するのに必要な原子群を表わす。構造式(47)〜(49)中、R5B〜R8BおよびR10Bは、各々独立に、アルキル基を表わす。構造式(49)中、R9Bはアルキル基、アリール基または複素環基を表わす。構造式(47)〜(49)中、L9B〜L28Bはメチン基を表わす。構造式(47)〜(49)中、M〜Mは電荷中和対イオンを表わし、m〜mは分子内の電荷を中和させるために必要な0以上の数である。構造式(47)〜(49)中、n、n、n、nおよびn11は0または1であり、n、n、n、及びn10はそれぞれ0以上のいずれかの整数である。 In Structural Formulas (47) to (49), Z 5B to Z 10B represent an atomic group necessary for forming a 5-membered or 6-membered nitrogen-containing heterocyclic ring. In the structural formula (48), D and D ′ represent an atomic group necessary for forming an acyclic or cyclic acidic nucleus. In the structural formulas (47) to (49), R 5B to R 8B and R 10B each independently represent an alkyl group. In Structural Formula (49), R 9B represents an alkyl group, an aryl group, or a heterocyclic group. In Structural Formulas (47) to (49), L 9B to L 28B represent a methine group. In the structural formulas (47) to (49), M 3 to M 5 represent charge neutralization counter ions, and m 3 to m 5 are numbers of 0 or more necessary for neutralizing charges in the molecule. In Structural Formulas (47) to (49), n 3 , n 5 , n 6 , n 8 and n 11 are 0 or 1, and n 4 , n 7 , n 9 and n 10 are each 0 or more Is an integer.

前記構造式(47)〜(49)をさらに詳細に説明する。
構造式(47)〜(49)中、R5B〜R8BおよびR10Bは、好ましくは、炭素数18以下の無置換アルキル基(例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、オクチル、デシル、ドデシル、オクタデシル)、または置換アルキル基{置換基として例えば、カルボキシ基、スルホ基、シアノ基、ハロゲン原子(例えばフッ素、塩素、臭素である。)、ヒドロキシ基、炭素数8以下のアルコキシカルボニル基(例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、フェノキシカルボニル、ベンジルオキシカルボニル)、炭素数8以下のアルコキシ基(例えばメトキシ、エトキシ、ベンジルオキシ、フェネチルオキシ)、炭素数10以下の単環式のアリールオキシ基(例えばフェノキシ、p−トリルオキシ)、炭素数3以下のアシルオキシ基(例えばアセチルオキシ、プロピオニルオキシ)、炭素数8以下のアシル基(例えばアセチル、プロピオニル、ベンゾイル、メシル)、カルバモイル基(例えばカルバモイル、N,N−ジメチルカルバモイル、モルホリノカルボニル、ピペリジノカルボニル)、スルファモイル基(例えばスルファモイル、N,N−ジメチルスルファモイル、モルホリノスルホニル、ピベリジノスルホニル)、炭素数10以下のアリール基(例えばフェニル、4−クロルフェニル、4−メチルフェニル、α−ナフチル)で置換された炭素数18以下のアルキル基}が挙げられる。好ましくは無置換アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基)、カルボキシアルキル基(例えば2−カルボキシエチル基、カルボキシメチル基)、スルホアルキル基(例えば、2−スルホエチル基、3−スルホプロピル基、4−スルホブチル基、3−スルホブチル基)、メタンスルホニルカルバモイルメチル基である。
The structural formulas (47) to (49) will be described in more detail.
In structural formulas (47) to (49), R 5B to R 8B and R 10B are preferably an unsubstituted alkyl group having 18 or less carbon atoms (for example, methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, octyl, decyl, dodecyl) , Octadecyl), or a substituted alkyl group {as the substituent, for example, a carboxy group, a sulfo group, a cyano group, a halogen atom (for example, fluorine, chlorine, bromine), a hydroxy group, or an alkoxycarbonyl group having 8 or less carbon atoms (for example, Methoxycarbonyl, ethoxycarbonyl, phenoxycarbonyl, benzyloxycarbonyl), an alkoxy group having 8 or less carbon atoms (for example, methoxy, ethoxy, benzyloxy, phenethyloxy), a monocyclic aryloxy group having 10 or less carbon atoms (for example, phenoxy, p-tolyloxy), acyl having 3 or less carbon atoms Oxy group (for example, acetyloxy, propionyloxy), acyl group having 8 or less carbon atoms (for example, acetyl, propionyl, benzoyl, mesyl), carbamoyl group (for example, carbamoyl, N, N-dimethylcarbamoyl, morpholinocarbonyl, piperidinocarbonyl) Sulfamoyl group (for example, sulfamoyl, N, N-dimethylsulfamoyl, morpholinosulfonyl, piperidinosulfonyl), aryl group having 10 or less carbon atoms (for example, phenyl, 4-chlorophenyl, 4-methylphenyl, α-naphthyl) And an alkyl group having a carbon number of 18 or less substituted with. Preferably an unsubstituted alkyl group (for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group), carboxyalkyl group (for example, 2-carboxyethyl group, carboxymethyl group) ), A sulfoalkyl group (for example, 2-sulfoethyl group, 3-sulfopropyl group, 4-sulfobutyl group, 3-sulfobutyl group), methanesulfonylcarbamoylmethyl group.

構造式(47)〜(49)中、M、MおよびMは、色素のイオン電荷を中性にするために必要であるとき、陽イオンまたは陰イオンの存在または不存在を示すために式の中に含められている。ある色素が陽イオン、陰イオンであるか、あるいは正味のイオン電荷をもつかどうかは、その助色団および置換基に依存する。典型的な陽イオンは無機または有機のアンモニウムイオンおよびアルカリ金属イオンであり、一方陰イオンは具体的に無機陰イオンあるいは有機陰イオンのいずれであってもよく、例えばハロゲン陰イオン(例えば弗素イオン、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン)、置換アリールスルホン酸イオン(例えばp−トルエンスルホン酸イオン、p−クロルベンゼンスルホン酸イオン)、アリールジスルホン酸イオン(例えば1,3−ベンゼンジスルホン酸イオン、1,5−ナフタレンジスルホン酸イオン、2,6−ナフタレンジスルホン酸イオン)、アルキル硫酸イオン(例えばメチル硫酸イオン)、硫酸イオン、チオシアン酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、ピクリン酸イオン、酢酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオンが挙げられる好ましくは、アンモニウムイオン、ヨウ素イオン、p−トルエンスルホン酸イオンである。 In structural formulas (47)-(49), M 3 m 3 , M 4 m 4 and M 5 m 5 are present in the presence of a cation or an anion when necessary to neutralize the ionic charge of the dye. Or included in an expression to indicate absence. Whether a certain dye is a cation, an anion, or has a net ionic charge depends on its auxiliary color groups and substituents. Typical cations are inorganic or organic ammonium ions and alkali metal ions, while the anions may be specifically inorganic or organic anions, such as halogen anions (eg fluorine ions, Chlorine ions, bromine ions, iodine ions), substituted aryl sulfonate ions (eg, p-toluene sulfonate ion, p-chlorobenzene sulfonate ion), aryl disulfonate ions (eg, 1,3-benzene disulfonate ion, 1, 5-naphthalenedisulfonate ion, 2,6-naphthalenedisulfonate ion), alkyl sulfate ion (for example, methyl sulfate ion), sulfate ion, thiocyanate ion, perchlorate ion, tetrafluoroborate ion, picrate ion, acetic acid Ion, trifluoromethane Preferably sulfonic acid ion and the like, ammonium ion, an iodine ion, a p- toluenesulfonic acid ion.

5B〜Z8BおよびZ10Bによって形成される核としては、チアゾール核{チアゾール核(例えばチアゾール、4−メチルチアゾール、4−フェニルチアゾール、4,5−ジメチルチアゾール、4,5−ジフェニルチアゾール)、ベンゾチアゾール核(例えば、ベンゾチアゾール、4−クロロベンゾチアゾール、5−クロロベンゾチアゾール、6−クロロベンゾチアゾール、5−ニトロベンゾチアゾール、4−メチルベンゾチアゾール、5−メチルチオベンゾチアゾール、5−メチルベンゾチアゾール、6−メチルベンゾチアゾール、5−ブロモベンゾチアゾール、6−ブロモベンゾチアゾール、5−ヨードベンゾチアゾール、5−フェニルベンゾチアゾール、5−メトキシベンゾチアゾール、6−メトキシベンゾチアゾール、6−メチルチオベンゾチアゾール、5−エトキシベンゾチアゾール、5−エトキシカルボニルベンゾチアゾール、5−カルボキシベンゾチアゾール、5−フェネチルベンゾチアゾール、5−フルオロベンゾチアゾール、5−クロロ−6−メチルベンゾチアゾール、5,6−ジメチルベンゾチアゾール、5,6−ジメチルチオベンゾチアゾール、5,6−ジメトキシベンゾチアゾール、5−ヒドロキシ−6−メチルベンゾチアゾール、テトラヒドロベンゾチアゾール、4−フェニルベンゾチアゾール)、ナフトチアゾール核(例えば、ナフト〔2,1−d〕チアゾール、ナフト〔1,2−d〕チアゾール、ナフト〔2,3−d〕チアゾール、5−メトキシナフト〔1,2−d〕チアゾール、7−エトキシナフト〔2,1−d〕チアゾール、8−メトキシナフト〔2,1−d〕チアゾール、5−メトキシナフト〔2,3−d〕チアゾール)}、チアゾリン核(例えば、チアゾリン、4−メチルチアゾリン、4−ニトロチアゾリン)、オキサゾール核{オキサゾール核(例えば、オキサゾール、4−メチルオキサゾール、4−ニトロオキサゾール、5−メチルオキサゾール、4−フェニルオキサゾール、4,5−ジフェニルオキサゾール、4−エチルオキサゾール)、ベンゾオキサゾール核(例えば、ベンゾオキサゾール、5−クロロベンゾオキサゾール、5−メチルベンゾオキサゾール、5−ブロモベンゾオキサゾール、5−フルオロベンゾオキサゾール、5−フェニルベンゾオキサゾール、5−メトキシベンゾオキサゾール、5−ニトロベンゾオキサゾール、5−トリフルオロメチルベンゾオキサゾール、5−ヒドロキシベンゾオキサゾール、5−カルボキシベンゾオキサゾール、6−メチルベンゾオキサゾール、6−クロロベンゾオキサゾール、6−ニトロベンゾオキサゾール、6−メトキシベンゾオキサゾール、6−ヒドロキシベンゾオキサゾール、5,6−ジメチルベンゾオキサゾール、4,6−ジメチルベンゾオキサゾール、5−エトキシベンゾオキサゾール)、ナフトオキサゾール核(例えば、ナフト〔2,1−d〕オキサゾール、ナフト〔1,2−d〕オキサゾール、ナフト〔2,3−d〕オキサゾール、5−ニトロナフト〔2,1−d〕オキサゾール)}、オキサゾリン核(例えば、4,4−ジメチルオキサゾリン)、セレナゾール核{セレナゾール核(例えば、4−メチルセレナゾール、4−ニトロセレナゾール、4−フェニルセレナゾール)、ベンゾセレナゾール核(例えば、ベンゾセレナゾール、5−クロロベンゾセレナゾール、5−ニトロベンゾセレナゾール、5−メトキシベンゾセレナゾール、5−ヒドロキシベンゾセレナゾール、6−ニトロベンゾセレナゾール、5−クロロ−6−ニトロベンゾセレナゾール、5,6−ジメチルベンゾセレナゾール)、ナフトセレナゾール核(例えば、ナフト〔2,1−d〕セレナゾール、ナフト〔1,2−d〕セレナゾール)}、セレナゾリン核(例えば、セレナゾリン、4−メチルセレナゾリン)、テルラゾール核{テルラゾール核(例えば、テルラゾール、4−メチルテルラゾール、4−フェニルテルラゾール)、ベンゾテルラゾール核(例えば、ベンゾテルラゾール、5−クロロベンゾテルラゾール、5−メチルベンゾテルラゾール、5,6−ジメチルベンゾテルラゾール、6−メトキシベンゾテルラゾール)、ナフトテルラゾール核(例えば、ナフト〔2,1−d〕テルラゾール、ナフト〔1,2−d〕テルラゾール)}、テルラゾリン核(例えば、テルラゾリン、4−メチルテルラゾリン)、3,3−ジアルキルインドレニン核(例えば、3,3−ジメチルインドレニン、3,3−ジエチルインドレニン、3,3−ジメチル−5−シアノインドレニン、3,3−ジメチル−6−ニトロインドレニン、3,3−ジメチル−5−ニトロインドレニン、3,3−ジメチル−5−メトキシインドレニン、3,3,5−トリメチルインドレニン、3,3−ジメチル−5−クロロインドレニン)、イミダゾール核{イミダゾール核(例えば、1−アルキルイミダゾール、1−アルキル−4−フェニルイミダゾール、1−アリールイミダゾール)、ベンゾイミダゾール核(例えば、1−アルキルベンゾイミダゾール、1−アルキル−5−クロロベンゾイミダゾール、1−アルキル−5,6−ジクロロベンゾイミダゾール、1−アルキル−5−メトキシベンゾイミダゾール、1−アルキル−5−シアノベンゾイミダゾール、1−アルキル−5−フルオロベンゾイミダゾール、1−アルキル−5−トリフルオロメチルベンゾイミダゾール、1−アルキル−6−クロロ−5−シアノべンゾイミダゾール、1−アルキル−6−クロロ−5−トリフルオロメチルベンゾイミダゾール、1−アリル−5,6−ジクロロベンゾイミダゾール、1−アリル−5−クロロベンゾイミダゾール、1−アリールベンゾイミダゾール、1−アリール−5−クロロベンゾイミダゾール、1−アリール−5,6−ジクロロベンゾイミダゾール、1−アリール−5−メトキシベンゾイミダゾール、1−アリール−5−シアノベンゾイミダゾール)、ナフトイミダゾール核(例えば、アルキルナフト〔1,2−d〕イミダゾール、1−アリールナフト〔1,2−d〕イミダゾール)、前述のアルキル基は炭素原子数1〜8個のもの、たとえば、メチル、エチル、プロピル、イソピル、ブチル等の無置換のアルキル基やヒドロキシアルキル基(例えば、2−ヒドロキシエチル、3−ヒドロキシプロピル)が好ましい。特に好ましくはメチル基、エチル基である。前述のアリール基は、フェニル、ハロゲン(例えばクロロ)置換フェニル、アルキル(例えばメチル)置換フェニル、アルコキシ(例えばメトキシ)置換フェニルを表わす。}、ピリジン核(例えば、2−ピリジン、4−ピリジン、5−メチル−2−ピリジン、3−メチル−4−ピリジン)、キノリン核{キノリン核(例えば、2−キノリン、3−メチル−2−キノリン、5−エチル−2−キノリン、6−メチル−2−キノリン、6−ニトロ−2−キノリン、8−フルオロ−2−キノリン、6−メトキシ−2−キノリン、6−ヒドロキシ−2−キノリン、8−クロロ−2−キノリン、4−キノリン、6−エトキシ−4−キノリン、6−ニトロ−4−キノリン、8−クロロ−4−キノリン、8−フルオロ−4−キノリン、8−メチル−4−キノリン、8−メトキシ−4−キノリン、6−メチル−4−キノリン、6−メトキシ−4−キノリン、6−クロロ−4−キノリン)、イソキノリン核(例えば、6−ニトロ−1−イソキノリン、3,4−ジヒドロ−1−イソキノリン、6−ニトロ−3−イソキノリン)}、イミダゾ〔4,5−b〕キノキザリン核(例えば、1,3−ジエチルイミダゾ〔4,5−b〕キノキザリン、6−クロロ−1,3−ジアリルイミダゾ〔4,5−b〕キノキザリン)、オキサジアゾール核、チアジアゾール核、テトラゾール核、ピリミジン核を挙げることができる。ただし、一般式において、前記nが1のときZ5BおよびZ6Bがともにオキサゾール核、イミダゾール核であることはない。前記Z5B〜Z8B及びZ10Bによって形成される核として好ましくは、ベンゾチアゾール核、ナフトチアゾール核、ベンゾオキサゾール核、ナフトオキサゾール核、ベンゾイミダゾール核、2−キノリン核、4−キノリン核である。 As the nucleus formed by Z 5B to Z 8B and Z 10B , a thiazole nucleus {thiazole nucleus (for example, thiazole, 4-methylthiazole, 4-phenylthiazole, 4,5-dimethylthiazole, 4,5-diphenylthiazole), Benzothiazole nucleus (eg, benzothiazole, 4-chlorobenzothiazole, 5-chlorobenzothiazole, 6-chlorobenzothiazole, 5-nitrobenzothiazole, 4-methylbenzothiazole, 5-methylthiobenzothiazole, 5-methylbenzothiazole 6-methylbenzothiazole, 5-bromobenzothiazole, 6-bromobenzothiazole, 5-iodobenzothiazole, 5-phenylbenzothiazole, 5-methoxybenzothiazole, 6-methoxybenzothiazole, Tylthiobenzothiazole, 5-ethoxybenzothiazole, 5-ethoxycarbonylbenzothiazole, 5-carboxybenzothiazole, 5-phenethylbenzothiazole, 5-fluorobenzothiazole, 5-chloro-6-methylbenzothiazole, 5,6- Dimethylbenzothiazole, 5,6-dimethylthiobenzothiazole, 5,6-dimethoxybenzothiazole, 5-hydroxy-6-methylbenzothiazole, tetrahydrobenzothiazole, 4-phenylbenzothiazole), naphthothiazole nucleus (for example, naphtho [ 2,1-d] thiazole, naphtho [1,2-d] thiazole, naphtho [2,3-d] thiazole, 5-methoxynaphtho [1,2-d] thiazole, 7-ethoxynaphtho [2,1- d] thiazole, 8-methoxy Naphtho [2,1-d] thiazole, 5-methoxynaphtho [2,3-d] thiazole)}, thiazoline nucleus (eg thiazoline, 4-methylthiazoline, 4-nitrothiazoline), oxazole nucleus {oxazole nucleus (eg , Oxazole, 4-methyloxazole, 4-nitrooxazole, 5-methyloxazole, 4-phenyloxazole, 4,5-diphenyloxazole, 4-ethyloxazole), benzoxazole nucleus (for example, benzoxazole, 5-chlorobenzoxazole) 5-methylbenzoxazole, 5-bromobenzoxazole, 5-fluorobenzoxazole, 5-phenylbenzoxazole, 5-methoxybenzoxazole, 5-nitrobenzoxazole, 5-trifluoromethylbenzo Xazole, 5-hydroxybenzoxazole, 5-carboxybenzoxazole, 6-methylbenzoxazole, 6-chlorobenzoxazole, 6-nitrobenzoxazole, 6-methoxybenzoxazole, 6-hydroxybenzoxazole, 5,6-dimethylbenzo Oxazole, 4,6-dimethylbenzoxazole, 5-ethoxybenzoxazole), naphthoxazole nucleus (for example, naphtho [2,1-d] oxazole, naphtho [1,2-d] oxazole, naphtho [2,3-d ] Oxazole, 5-nitronaphtho [2,1-d] oxazole)}, oxazoline nucleus (eg, 4,4-dimethyloxazoline), selenazole nucleus {selenazole nucleus (eg, 4-methylselenazole, 4-nitroselenazole, 4-phenylselenazole), benzoselenazole nucleus (eg, benzoselenazole, 5-chlorobenzoselenazole, 5-nitrobenzoselenazole, 5-methoxybenzoselenazole, 5-hydroxybenzoselenazole, 6-nitrobenzo Selenazole, 5-chloro-6-nitrobenzoselenazole, 5,6-dimethylbenzoselenazole), naphthoselenazole nucleus (eg, naphtho [2,1-d] selenazole, naphtho [1,2-d] selenazole) )}, Selenazoline nucleus (eg, selenazoline, 4-methylselenazoline), tellurazole nucleus {tellazole nucleus (eg, tellurazole, 4-methyltellazole, 4-phenyltellazole), benzotelrazole nucleus (eg, benzotelrazole) 5-chlorobenzotellazole, -Methylbenzotellazole, 5,6-dimethylbenzotellazole, 6-methoxybenzotellazole), naphthotelrazole nucleus (for example, naphtho [2,1-d] tellazole, naphtho [1,2-d] tellazole) }, Tellurazoline nucleus (for example, tellurazoline, 4-methyltellazoline), 3,3-dialkylindolenine nucleus (for example, 3,3-dimethylindolenine, 3,3-diethylindolenine, 3,3-dimethyl-5) -Cyanoindolenin, 3,3-dimethyl-6-nitroindolenin, 3,3-dimethyl-5-nitroindolenin, 3,3-dimethyl-5-methoxyindolenin, 3,3,5-trimethylindolenin 3,3-dimethyl-5-chloroindolenine), imidazole nucleus {imidazole nucleus (eg 1-al Ruimidazole, 1-alkyl-4-phenylimidazole, 1-arylimidazole), benzimidazole nucleus (eg 1-alkylbenzimidazole, 1-alkyl-5-chlorobenzimidazole, 1-alkyl-5,6-dichlorobenzo) Imidazole, 1-alkyl-5-methoxybenzimidazole, 1-alkyl-5-cyanobenzimidazole, 1-alkyl-5-fluorobenzimidazole, 1-alkyl-5-trifluoromethylbenzimidazole, 1-alkyl-6- Chloro-5-cyanobenzozoimidazole, 1-alkyl-6-chloro-5-trifluoromethylbenzimidazole, 1-allyl-5,6-dichlorobenzimidazole, 1-allyl-5-chlorobenzimidazole, 1- Arylbenzoy Midazole, 1-aryl-5-chlorobenzimidazole, 1-aryl-5,6-dichlorobenzimidazole, 1-aryl-5-methoxybenzimidazole, 1-aryl-5-cyanobenzimidazole), naphthimidazole nucleus (e.g. Alkylnaphtho [1,2-d] imidazole, 1-arylnaphtho [1,2-d] imidazole), and the aforementioned alkyl group has 1 to 8 carbon atoms, for example, methyl, ethyl, propyl, isopropyl An unsubstituted alkyl group such as butyl or hydroxyalkyl group (for example, 2-hydroxyethyl, 3-hydroxypropyl) is preferable. Particularly preferred are a methyl group and an ethyl group. The aforementioned aryl groups represent phenyl, halogen (eg chloro) substituted phenyl, alkyl (eg methyl) substituted phenyl, alkoxy (eg methoxy) substituted phenyl. }, Pyridine nucleus (eg 2-pyridine, 4-pyridine, 5-methyl-2-pyridine, 3-methyl-4-pyridine), quinoline nucleus {quinoline nucleus (eg 2-quinoline, 3-methyl-2-pyridine) Quinoline, 5-ethyl-2-quinoline, 6-methyl-2-quinoline, 6-nitro-2-quinoline, 8-fluoro-2-quinoline, 6-methoxy-2-quinoline, 6-hydroxy-2-quinoline, 8-chloro-2-quinoline, 4-quinoline, 6-ethoxy-4-quinoline, 6-nitro-4-quinoline, 8-chloro-4-quinoline, 8-fluoro-4-quinoline, 8-methyl-4- Quinoline, 8-methoxy-4-quinoline, 6-methyl-4-quinoline, 6-methoxy-4-quinoline, 6-chloro-4-quinoline), isoquinoline nucleus (eg 6-nitro-1- Soquinoline, 3,4-dihydro-1-isoquinoline, 6-nitro-3-isoquinoline)}, imidazo [4,5-b] quinoxaline nucleus (eg, 1,3-diethylimidazo [4,5-b] quinoxaline, 6-chloro-1,3-diallylimidazo [4,5-b] quinoxaline), oxadiazole nucleus, thiadiazole nucleus, tetrazole nucleus, pyrimidine nucleus. However, in the general formula, when n 4 is 1, neither Z 5B nor Z 6B is an oxazole nucleus or an imidazole nucleus. The nucleus formed by Z 5B to Z 8B and Z 10B is preferably a benzothiazole nucleus, a naphthothiazole nucleus, a benzoxazole nucleus, a naphthoxazole nucleus, a benzimidazole nucleus, a 2-quinoline nucleus, or a 4-quinoline nucleus.

構造式(48)中、前記D及び前記D’は酸性核を形成するために必要な原子群を表すが、いかなる一般のメロシアニン色素の酸性核の形をとることもできる。前記Dの共鳴に関与する好ましい置換基としては、例えばカルボニル基、シアノ基、スルホニル基、スルフェニル基である。前記D’は酸性核を形成するために必要な残りの原子群を表わす。前記D及び前記D’が環式であるとき、炭素、窒素、及びカルコゲン(典型的には酸素、イオウ、セレン、及びテルル)原子から成る5員または6員の複素環を形成する。具体的には2−ピラゾリン−5−オン、ピラゾリジン−3,5−ジオン、イミダゾリン−5−オン、ヒダントイン、2または4−チオヒダントイン、2−イミノオキサゾリジン−4−オン、2−オキサゾリン−5−オン、2−チオオキサゾリジン−2,4−ジオン、イソオキサゾリン−5−オン、2−チアゾリン−4−オン、チアゾリジン−4−オン、チアゾリジン−2,4−ジオン、ローダニン、チアゾリジン−2,4−ジチオン、イソローダニン、インダン−1,3−ジオン、チオフェン−3−オン、チオフェン−3−オン−1,1−ジオキシド、インドリン−2−オン、インドリン−3−オン、インダゾリン−3−オン、2−オキソインダゾリニウム、3−オキソインダゾリニウム、5,7−ジオキソ−6,7−ジヒドロチアゾロ〔3,2−a〕ピリミジン、シクロヘキサン−1,3−ジオン、3,4−ジヒドロイソキノリン−4−オン、1,3−ジオキサン−4,4−ジオン、バルビツール酸、2−チオバルビツール酸、クロマン−2,4−ジオン、インダゾリン−2−オン、またはピリド〔1,2−a〕ピリミジン−1,3−ジオンの核が挙げられる。これらの中で、3−アルキルロ−ダニン、3−アルキル−2−チオオキサゾリジン−2,4−ジオン、3−アルキル−2−チオヒダントインが好ましい。   In the structural formula (48), D and D ′ each represent an atomic group necessary for forming an acidic nucleus, but may take the form of an acidic nucleus of any general merocyanine dye. Preferred substituents involved in the resonance of D are, for example, a carbonyl group, a cyano group, a sulfonyl group, and a sulfenyl group. Said D 'represents the remaining atomic group required in order to form an acidic nucleus. When D and D 'are cyclic, they form a 5- or 6-membered heterocycle consisting of carbon, nitrogen, and chalcogen (typically oxygen, sulfur, selenium, and tellurium) atoms. Specifically, 2-pyrazolin-5-one, pyrazolidine-3,5-dione, imidazolin-5-one, hydantoin, 2 or 4-thiohydantoin, 2-iminooxazolidine-4-one, 2-oxazoline-5 ON, 2-thiooxazolidine-2,4-dione, isoxazoline-5-one, 2-thiazolin-4-one, thiazolidine-4-one, thiazolidine-2,4-dione, rhodamine, thiazolidine-2,4- Dithione, isorhodanine, indan-1,3-dione, thiophen-3-one, thiophen-3-one-1,1-dioxide, indoline-2-one, indoline-3-one, indazolin-3-one, 2- Oxoindazolinium, 3-oxoindazolinium, 5,7-dioxo-6,7-dihydrothiazolo [3 2-a] pyrimidine, cyclohexane-1,3-dione, 3,4-dihydroisoquinolin-4-one, 1,3-dioxane-4,4-dione, barbituric acid, 2-thiobarbituric acid, chroman- Examples include nuclei of 2,4-dione, indazolin-2-one, or pyrido [1,2-a] pyrimidine-1,3-dione. Among these, 3-alkyl rhodanine, 3-alkyl-2-thiooxazolidine-2,4-dione, and 3-alkyl-2-thiohydantoin are preferable.

以上の核に含まれる窒素原子に結合している置換基及び構造式(49)中のR9Bは水素原子、炭素数1〜18(好ましくは1〜7、特に好ましくは1〜4)のアルキル基{例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ヘキシル、オクチル、ドデシル、オクタデシル}、置換アルキル基(例えばアラルキル基(例えばベンジル、2−フェニルエチル)、ヒドロキシアルキル基(例えば、2−ヒドロキシエチル、3−ヒドロキシピル)、カルボキシアルキル基(例えば、2−カルボキシエチル、3−カルボキシプロピル、4−カルボキシブチル、カルボキシメチル)、アルコキシアルキル基(例えば、2−メトキシエチル、2−(2−メトキシエトキシ)エチル)、スルホアルキル基(例えば、2−スルホエチル、3−スルホプロピル、3−スルホブチル、4−スルホブチル、2−〔3−スルホプロポキシ〕エチル、2−ヒドロキシ−3−スルホプロピル、3−スルホプロポキシエトキシエチル)、スルファトアルキル基(例えば、3−スルファトプロピル、4−スルファトブチル)、複素環置換アルキル基(例えば2−(ピロリジン−2−オン−1−イル)エチル、テトラヒドロフルフリル、2−モルホリノエチル)、2−アセトキシエチル、カルボメトキシメチル、2−メタンスルホニルアミノエチル)、アリル基、アリール基(例えばフェニル、2−ナフチル)、置換アリール基(例えば、4−カルボキシフェニル、4−スルホフェニル、3−クロロフェニル、3−メチルフェニル)、複素環基(例えば2−ピリジル、2−チアゾリル)、好ましい。さらに好ましくは、無置換アルキル基(例えば、メチル、エチル、n−プロピル、n−ブチル、n−ペンチル、n−ヘキシル)、カルボキシアルキル基(例えば、カルボキシメチル、2−カルボキシエチル、スルホアルキル基(例えば2−スルホエチル)である。 The substituent bonded to the nitrogen atom contained in the nucleus and R 9B in the structural formula (49) are a hydrogen atom, an alkyl having 1 to 18 carbons (preferably 1 to 7 and particularly preferably 1 to 4). Groups {eg, methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, hexyl, octyl, dodecyl, octadecyl}, substituted alkyl groups (eg aralkyl groups (eg benzyl, 2-phenylethyl), hydroxyalkyl groups (eg 2- Hydroxyethyl, 3-hydroxypyr), a carboxyalkyl group (for example, 2-carboxyethyl, 3-carboxypropyl, 4-carboxybutyl, carboxymethyl), an alkoxyalkyl group (for example, 2-methoxyethyl, 2- (2- Methoxyethoxy) ethyl), sulfoalkyl group (eg 2-sulfoethyl) 3-sulfopropyl, 3-sulfobutyl, 4-sulfobutyl, 2- [3-sulfopropoxy] ethyl, 2-hydroxy-3-sulfopropyl, 3-sulfopropoxyethoxyethyl), sulfatoalkyl groups (for example, 3- Sulfatopropyl, 4-sulfatobutyl), heterocyclic-substituted alkyl groups (for example, 2- (pyrrolidin-2-one-1-yl) ethyl, tetrahydrofurfuryl, 2-morpholinoethyl), 2-acetoxyethyl, carbomethoxy Methyl, 2-methanesulfonylaminoethyl), allyl group, aryl group (eg, phenyl, 2-naphthyl), substituted aryl group (eg, 4-carboxyphenyl, 4-sulfophenyl, 3-chlorophenyl, 3-methylphenyl), Heterocyclic groups (eg 2-pyridyl, 2-thiazolyl), preferred . More preferably, an unsubstituted alkyl group (for example, methyl, ethyl, n-propyl, n-butyl, n-pentyl, n-hexyl), a carboxyalkyl group (for example, carboxymethyl, 2-carboxyethyl, sulfoalkyl group ( For example, 2-sulfoethyl).

構造式(49)中、Z9Bによって形成される5員または6員の含窒素複素環は、構造式(48)中のD及びD’によって表わされる環式の複素環から適切な位置にある、オキソ基、またはチオオキソ基を除いたものである。さらに好ましくはローダニン核のチオオキソ基を除いたものである。 In Structural Formula (49), the 5- or 6-membered nitrogen-containing heterocyclic ring formed by Z 9B is at an appropriate position from the cyclic heterocyclic ring represented by D and D ′ in Structural Formula (48). , An oxo group, or a thiooxo group. More preferably, the thiooxo group of the rhodanine nucleus is removed.

前記構造式(47)〜(49)中のL9B〜L28Bは、メチン基または置換メチン基{例えば置換もしくは無置換のアルキル基(例えばメチル、エチル、2−カルボキシエチル)、置換もしくは無置換のアリール基(例えば、フェニル、o−カルボキシフェニル)、複素環基(例えばバルビツール酸)、ハロゲン原子(例えば塩素原子、臭素原子)、アルコキシ基(例えば、メトキシ、エトキシ)、アミノ基(例えばN,N−ジフェニルアミノ、N−メチル−N−フェニルアミノ、N−メチルピペラジノ)、アルキルチオ基(例えばメチルチオ、エチルチオ)、などで置換されたものなど}を表し、また他のメチン基と環を形成してもよい。
前記構造式(47)中のL9B、L13B、L14B、L15B、前記構造式(48)中のL18B、L19B、前記構造式(49)中のL25B及びL26Bは、無置換メチン基であるのが好ましい。前記構造式(47)中のL9B、L10B及びL11Bによりトリメチン、ペンタメチンおよびヘプタメチン色素を形成する。前記構造式(47)中のL9B及びL10Bの単位nが2又は3の場合繰り返されるが、それぞれ同一である必要はない。
L 9B to L 28B in the structural formulas (47) to (49) are a methine group or a substituted methine group {eg, a substituted or unsubstituted alkyl group (eg, methyl, ethyl, 2-carboxyethyl), substituted or unsubstituted Aryl group (for example, phenyl, o-carboxyphenyl), heterocyclic group (for example, barbituric acid), halogen atom (for example, chlorine atom, bromine atom), alkoxy group (for example, methoxy, ethoxy), amino group (for example, N , N-diphenylamino, N-methyl-N-phenylamino, N-methylpiperazino), alkylthio groups (for example, methylthio, ethylthio), etc.}, and form rings with other methine groups May be.
L 9B , L 13B , L 14B and L 15B in the structural formula (47), L 18B and L 19B in the structural formula (48), and L 25B and L 26B in the structural formula (49) are not present. A substituted methine group is preferred. Trimethine, pentamethine and heptamethine dyes are formed by L 9B , L 10B and L 11B in the structural formula (47). Although it is repeated when the unit n 3 of L 9B and L 10B in the structural formula (47) is 2 or 3, it does not have to be the same.

構造式(50)中、L29B〜L31Bは、それぞれ独立に置換基を有していてもよいメチン基を表し、これらが置換基を有するメチン基を表す場合、該置換基が結合して不飽和脂肪族環又は不飽和複素環を形成してもよい。前記構造式(50)中、Z11Bは、5員又は6員の複素環を形成する原子団を表し、該複素環には芳香族環又は複素環が縮合していてもよく、前記5員又は6員の複素環、及び該複素環に縮合している芳香族環若しくは複素環は置換基を有していてもよい。前記構造式(50)中、Yは、N(R11B)R12B、OR13B、又はS(O)14Bを表し、R11B〜R14Bは、それぞれ独立に水素原子、一価の置換基を表し、nは0、1又は2を表す。前記構造式(50)中、qは0、1、2又は3を表す。
前記構造式(50)で表される化合物の具体例(例示化合物No.1〜62)を示す。
In Structural Formula (50), L 29B to L 31B each independently represent a methine group which may have a substituent. When these represent a methine group having a substituent, the substituents are bonded to each other. An unsaturated aliphatic ring or an unsaturated heterocyclic ring may be formed. In the structural formula (50), Z 11B represents an atomic group forming a 5-membered or 6-membered heterocycle, and the heterocycle may be condensed with an aromatic ring or a heterocycle, and the 5-membered Alternatively, the 6-membered heterocyclic ring and the aromatic ring or heterocyclic ring condensed to the heterocyclic ring may have a substituent. In the structural formula (50), Y B represents N (R 11B ) R 12B , OR 13B , or S (O) n R 14B , and R 11B to R 14B each independently represent a hydrogen atom or a monovalent group. Represents a substituent, and n represents 0, 1 or 2. In the structural formula (50), q represents 0, 1, 2, or 3.
The specific example (exemplary compound No. 1-62) of a compound represented by the said Structural formula (50) is shown.

前記構造式(51)中、R18B、R19Bは、それぞれ独立に水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基を表す。
前記構造式(51)中、Q〜Qは、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子を表す。ここで、Q及びQは酸素原子であるのが好ましく、Qは硫黄原子であるのが好ましい。
32B〜L34Bは、それぞれ独立に置換基を有していてもよいメチン基を表し、これらが置換基を有するメチン基を表す場合、該置換基が結合して不飽和脂肪族環又は不飽和複素環を形成してもよい。
2Bは、芳香族基又は複素環基を表し、n12は0、1、2、又は3を表す。
In the structural formula (51), R 18B and R 19B each independently represent a hydrogen atom, an aliphatic group, an aromatic group, or a heterocyclic group.
In the structural formula (51), Q 1 to Q 3 each independently represent an oxygen atom or a sulfur atom. Here, Q 1 and Q 2 are preferably oxygen atoms, and Q 3 is preferably a sulfur atom.
L 32B to L 34B each independently represents a methine group which may have a substituent. When these represent a methine group having a substituent, the substituents are bonded to each other to form an unsaturated aliphatic ring or an unsaturated ring. A saturated heterocyclic ring may be formed.
Y 2B represents an aromatic group or a heterocyclic group, and n 12 represents 0, 1, 2, or 3.

前記構造式(51)中、R18B及びR19Bは、それぞれ独立に水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基を表す。前記R18B及びR19Bが脂肪族基を表す場合、該脂肪族基としては、例えば、アルキル基、置換アルキル基、アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基、置換アルキニル基、アラルキル基、又は置換アラルキル基等が挙げられ、中でも、アルキル基、置換アルキル基、アルケニル基、置換アルケニル基、アラルキル基、又は置換アラルキル基が好ましく、アルキル基、置換アルキル基が特に好ましい。また、前記脂肪族基は、環状脂肪族基でも鎖状脂肪族基でもよい。鎖状脂肪族基は分岐を有していてもよい。 In the structural formula (51), R 18B and R 19B each independently represent a hydrogen atom, an aliphatic group, an aromatic group, or a heterocyclic group. When R 18B and R 19B represent an aliphatic group, examples of the aliphatic group include an alkyl group, a substituted alkyl group, an alkenyl group, a substituted alkenyl group, an alkynyl group, a substituted alkynyl group, an aralkyl group, and a substituted aralkyl group. Among them, an alkyl group, a substituted alkyl group, an alkenyl group, a substituted alkenyl group, an aralkyl group, or a substituted aralkyl group is preferable, and an alkyl group and a substituted alkyl group are particularly preferable. The aliphatic group may be a cyclic aliphatic group or a chain aliphatic group. The chain aliphatic group may have a branch.

前記アルキル基としては、直鎖状、分岐状、環状のアルキル基が挙げられ、該アルキル基の炭素原子数としては、1〜30が好ましく、1〜20がより好ましい。置換アルキル基のアルキル部分の炭素原子数の好ましい範囲については、アルキル基の場合と同様である。また、前記アルキル基は、置換基を有するアルキル基、無置換のアルキル基のいずれであってもよい。前記アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、ネオペンチル基、イソプロピル基、イソブチル基等が挙げられる。   Examples of the alkyl group include linear, branched and cyclic alkyl groups, and the number of carbon atoms of the alkyl group is preferably 1 to 30, and more preferably 1 to 20. The preferred range of the number of carbon atoms in the alkyl part of the substituted alkyl group is the same as in the case of the alkyl group. Further, the alkyl group may be either a substituted alkyl group or an unsubstituted alkyl group. Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, 2-ethylhexyl group, decyl group, dodecyl group, octadecyl group, cyclohexyl group, cyclopentyl group, neopentyl group, An isopropyl group, an isobutyl group, etc. are mentioned.

前記置換アルキル基の置換基としては、カルボキシル基、スルホ基、シアノ基、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子)、ヒドロキシ基、炭素数30以下のアルコキシカルボニル基(例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基)、炭素数30以下のアルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、炭素数30以下のアシルアミノスルホニル基、炭素数30以下のアルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、ベンジルオキシ基、フェノキシエトキシ基、フェネチルオキシ基等)、炭素数30以下のアルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、メチルチオエチルチオエチル基等)、炭素数30以下のアリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、p−トリルオキシ基、1−ナフトキシ基、2−ナフトキシ基等)、ニトロ基、炭素数30以下のアルキル基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、炭素数30以下のアシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基等)、炭素数30以下のアシル基(例えば、アセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基等)、カルバモイル基(例えば、カルバモイル基、N,N−ジメチルカルバモイル基、モルホリノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、スルファモイル基、N,N−ジメチルスルファモイル基、モルホリノスルホニル基、ピペリジノスルホニル基等)、炭素数30以下のアリール基(例えば、フェニル基、4−クロロフェニル基、4−メチルフェニル基、α−ナフチル基等)、置換アミノ基(例えば、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アリールアミノ基、ジアリールアミノ基、アシルアミノ基等)、置換ウレイド基、置換ホスホノ基、複素環基等が挙げられる。ここで、カルボキシル基、スルホ基、ヒドロキシ基、ホスホノ基は、塩の状態であってもよい。   Examples of the substituent of the substituted alkyl group include a carboxyl group, a sulfo group, a cyano group, a halogen atom (for example, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom), a hydroxy group, and an alkoxycarbonyl group having 30 or less carbon atoms (for example, methoxycarbonyl). Group, ethoxycarbonyl group, benzyloxycarbonyl group), alkylsulfonylaminocarbonyl group having 30 or less carbon atoms, arylsulfonylaminocarbonyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfonyl group, acylaminosulfonyl group having 30 or less carbon atoms, carbon number 30 The following alkoxy groups (for example, methoxy group, ethoxy group, benzyloxy group, phenoxyethoxy group, phenethyloxy group, etc.), alkylthio groups having 30 or less carbon atoms (for example, methylthio group, ethylthio group, methylthioethylthioethyl group, etc.) An aryloxy group having 30 or less carbon atoms (eg, phenoxy group, p-tolyloxy group, 1-naphthoxy group, 2-naphthoxy group, etc.), nitro group, alkyl group having 30 or less carbon atoms, alkoxycarbonyloxy group, aryloxy A carbonyloxy group, an acyloxy group having 30 or less carbon atoms (for example, acetyloxy group, propionyloxy group, etc.), an acyl group having 30 or less carbon atoms (for example, acetyl group, propionyl group, benzoyl group, etc.), carbamoyl group (for example, Carbamoyl group, N, N-dimethylcarbamoyl group, morpholinocarbonyl group, piperidinocarbonyl group, etc.), sulfamoyl group (for example, sulfamoyl group, N, N-dimethylsulfamoyl group, morpholinosulfonyl group, piperidinosulfonyl group) Etc.), an aryl group having 30 or less carbon atoms For example, phenyl group, 4-chlorophenyl group, 4-methylphenyl group, α-naphthyl group, etc.), substituted amino group (for example, amino group, alkylamino group, dialkylamino group, arylamino group, diarylamino group, acylamino group) Etc.), substituted ureido groups, substituted phosphono groups, heterocyclic groups and the like. Here, the carboxyl group, the sulfo group, the hydroxy group, and the phosphono group may be in a salt state.

前記アルケニル基としては、直鎖状、分岐状、環状のアルケニル基が挙げられ、該アルケニル基の炭素原子数としては、2〜30が好ましく、2〜20がより好ましい。置換アルケニル基のアルケニル部分の炭素原子数の好ましい範囲については、アルケニル基の場合と同様である。また、前記アルケニル基は、置換基を有するアルケニル基、無置換のアルケニル基のいずれであってもよい。前記置換アルケニル基の置換基としては、前記置換アルキル基の場合と同様の置換基が挙げられる。   Examples of the alkenyl group include linear, branched, and cyclic alkenyl groups. The number of carbon atoms of the alkenyl group is preferably 2 to 30, and more preferably 2 to 20. The preferred range of the number of carbon atoms in the alkenyl part of the substituted alkenyl group is the same as in the case of the alkenyl group. The alkenyl group may be a substituted alkenyl group or an unsubstituted alkenyl group. Examples of the substituent of the substituted alkenyl group include the same substituents as those of the substituted alkyl group.

前記アラルキル基としては、直鎖状、分岐状、環状のアラルキル基が挙げられ、該アラルキル基の炭素原子数としては、7〜35が好ましく、7〜25がより好ましい。置換アラルキル基のアラルキル部分の炭素原子数の好ましい範囲については、アラルキル基の場合と同様である。また、前記アラルキル基は、置換基を有するアラルキル基、無置換のアラルキル基のいずれであってもよい。置換アラルキル基の置換基としては、前記置換アルキル基の場合と同様の置換基が挙げられる。   Examples of the aralkyl group include linear, branched, and cyclic aralkyl groups. The number of carbon atoms in the aralkyl group is preferably 7 to 35, and more preferably 7 to 25. The preferred range of the number of carbon atoms in the aralkyl part of the substituted aralkyl group is the same as in the case of the aralkyl group. Further, the aralkyl group may be any of an aralkyl group having a substituent and an unsubstituted aralkyl group. Examples of the substituent for the substituted aralkyl group include the same substituents as those for the substituted alkyl group.

前記構造式(51)中のR18B及びR19Bが芳香族基を表す場合、該芳香族基としては、例えば、アリール基、置換アリール基が挙げられる。アリール基の炭素原子数としては、6〜30が好ましく、6〜20がより好ましい。置換アリール基のアリール部分の好ましい炭素原子数の範囲としては、アリール基と同様である。前記アリール基としては、例えば、フェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基等が挙げられる。置換アリール基の置換基としては、前記置換アルキル基の場合と同様の置換基が挙げられる。 When R 18B and R 19B in the structural formula (51) represent an aromatic group, examples of the aromatic group include an aryl group and a substituted aryl group. As a carbon atom number of an aryl group, 6-30 are preferable and 6-20 are more preferable. The preferred range of the number of carbon atoms in the aryl part of the substituted aryl group is the same as that of the aryl group. Examples of the aryl group include a phenyl group, an α-naphthyl group, a β-naphthyl group, and the like. Examples of the substituent for the substituted aryl group include the same substituents as those for the substituted alkyl group.

前記構造式(51)中のR18B及びR19Bが複素環基を表す場合、該複素環基としては、置換基を有する複素環基、無置換の複素環基が挙げられ、該複素環基の炭素原子数としては、4〜13が好ましい。前記複素環基としては、含窒素原子、含酸素原子、含硫黄原子の複素環が挙げられ、より具体的には、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、アクリジン環、フラン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、ピロリン環、オキサゾール環、チアゾール環、オキサジアゾール環、チアゾリン環、チオフェン環、インドール環等が挙げられる。置換基を有する複素環基の置換基としては、前記置換アルキル基の場合と同様の置換基が挙げられる。 When R 18B and R 19B in the structural formula (51) represent a heterocyclic group, examples of the heterocyclic group include a heterocyclic group having a substituent and an unsubstituted heterocyclic group, and the heterocyclic group The number of carbon atoms is preferably 4-13. Examples of the heterocyclic group include nitrogen-containing, oxygen-containing, and sulfur-containing heterocycles, and more specifically, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, quinoxaline. Ring, acridine ring, furan ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, pyrroline ring, oxazole ring, thiazole ring, oxadiazole ring, thiazoline ring, thiophene ring, indole ring and the like. Examples of the substituent of the heterocyclic group having a substituent include the same substituents as in the case of the substituted alkyl group.

上記のうち、前記構造式(51)中のR18B及びR19Bとしては、無置換のアルキル基(例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、オクチル基、オクタデシル基等)、又は置換アルキル基が好ましい。また、前記置換アルキル基の中でも、置換オキシアルキル基(例えば、メトキシエチル基、フェノキシエチル基等)、置換オキシカルボニルアルキル基(例えば、ブトキシカルボニルメチル基、フェノキシエトキシカルボニルメチル基等)が特に好ましい。また、前記R18B及びR19Bは、各々、隣接する他の置換基と互いに結合して環を形成していてもよく、該環としては、例えば、5員又は6員のヘテロ環が挙げられる。 Among the above, as R 18B and R 19B in the structural formula (51), an unsubstituted alkyl group (for example, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, an n-pentyl group, n -Hexyl group, octyl group, octadecyl group and the like) or a substituted alkyl group is preferable. Among the substituted alkyl groups, a substituted oxyalkyl group (for example, methoxyethyl group, phenoxyethyl group and the like) and a substituted oxycarbonylalkyl group (for example, butoxycarbonylmethyl group, phenoxyethoxycarbonylmethyl group and the like) are particularly preferable. R 18B and R 19B may be bonded to other adjacent substituents to form a ring, and examples of the ring include a 5-membered or 6-membered heterocycle. .

前記構造式(51)中のL32B〜L34Bは、それぞれ独立に置換基を有していてもよいメチン基を表し、構造内に奇数個のメチン基を有する。前記構造式(51)中のL32B〜L34Bが置換基を有するメチン基を表す場合、該置換基としては、例えば、置換アミノ基(例えば、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アリールアミノ基、ジアリールアミノ基、アシルアミノ基等)、置換オキシ基(例えば、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基等)、置換メルカプト基(例えば、アルキルメルカプト基、アリールメルカプト基等)、ハロゲン原子、脂肪族基、芳香族基が挙げられ、該置換基が結合して不飽和脂肪族環又は不飽和複素環を形成してもよく、不飽和複素環よりも不飽和脂肪族環の方が好ましい。形成する環は、5員環又は6員環であることが好ましく、中でも、シクロペンテン環又はシクロヘキセン環がより好ましい。前記ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、臭素原子、塩素原子等が挙げられ、前記脂肪族基、芳香族基としては、前記構造式(51)のR18B及びR19Bにおける脂肪族基、芳香族基の場合と同義である。また、置換アミノ基、置換オキシ基及び置換メルカプト基の置換基としては、前記構造式(51)中の前記R18B及びR19Bで表される置換アルキル基の置換基と同義である。 L 32B to L 34B in the structural formula (51) each independently represent a methine group which may have a substituent, and have an odd number of methine groups in the structure. When L 32B to L 34B in the structural formula (51) represent a methine group having a substituent, examples of the substituent include a substituted amino group (for example, an amino group, an alkylamino group, a dialkylamino group, an aryl group). Amino groups, diarylamino groups, acylamino groups, etc.), substituted oxy groups (eg, hydroxy groups, alkoxy groups, acyloxy groups, aryloxy groups, alkoxycarbonyloxy groups, aryloxycarbonyloxy groups, etc.), substituted mercapto groups (eg, Alkyl mercapto group, aryl mercapto group, etc.), halogen atom, aliphatic group, aromatic group, etc., and these substituents may be bonded to form an unsaturated aliphatic ring or unsaturated heterocyclic ring. Unsaturated aliphatic rings are preferred over heterocycles. The ring to be formed is preferably a 5-membered ring or a 6-membered ring, and more preferably a cyclopentene ring or a cyclohexene ring. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a bromine atom, and a chlorine atom. Examples of the aliphatic group and aromatic group include an aliphatic group and an aromatic group in R 18B and R 19B in the structural formula (51). It is synonymous with the case of group. Moreover, as a substituent of a substituted amino group, a substituted oxy group, and a substituted mercapto group, it is synonymous with the substituent of the substituted alkyl group represented by said R <18B> and R <19B> in the said Structural formula (51).

前記構造式(51)中、L32B〜L34Bで表わされるメチン基としては、無置換のメチン基、或いは、置換基を有する場合には、ハロゲン原子若しくは脂肪族基により置換されたもの、又は置換基が互いに結合してシクロペンテン環又はシクロヘキセン環が形成されたものが特に好ましい。前記構造式(51)中、n12は、0、1、2、又は3を表す。 In the structural formula (51), the methine group represented by L 32B to L 34B is an unsubstituted methine group, or a substituent substituted with a halogen atom or an aliphatic group when having a substituent, or Particularly preferred are those in which substituents are bonded to each other to form a cyclopentene ring or a cyclohexene ring. In the structural formula (51), n 12 represents 0, 1, 2, or 3.

前記構造式(51)中、Y2Bは、芳香族基又は複素環基を表す。ここで、芳香族基、複素環基は、前記構造式(51)中のR18B及びR19Bにおける芳香族基、複素環基の場合と同義であり、その好ましいものも同様である。前記構造式(51)中のY2Bとしては、光感度の点で、芳香族基が特に好ましい。 In the structural formula (51), Y 2B represents an aromatic group or a heterocyclic group. Here, the aromatic group and the heterocyclic group are synonymous with the aromatic group and the heterocyclic group in R 18B and R 19B in the structural formula (51), and preferred examples thereof are also the same. Y 2B in the structural formula (51) is particularly preferably an aromatic group from the viewpoint of photosensitivity.

前記構造式(52)中、R20B、R21Bは、それぞれ独立に水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基を表し、Q〜Qは、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子を表す。L35B〜L37Bは、それぞれ独立に置換基を有していてもよいメチン基を表し、これらが置換基を有するメチン基を表す場合、該置換基が結合して不飽和脂肪族環又は不飽和複素環を形成してもよい。Y3Bは、下記基(1)を表し、n13は0、1、2、又は3を表す。
前記構造式(52)中のR20B、R21Bは前記構造式(51)中のR18B、R19Bと、前記構造式(52)中のQ〜Qは前記構造式(51)中のQ〜Qと、前記構造式(52)中のL35B〜L37Bは前記構造式(51)中のL32B〜L34Bと、それぞれ同義である。
In the structural formula (52), R 20B and R 21B each independently represent a hydrogen atom, an aliphatic group, an aromatic group, or a heterocyclic group, and Q 4 to Q 6 each independently represent an oxygen atom or a sulfur atom. Represents. L 35B to L 37B each independently represent a methine group optionally having a substituent, and when these represent a methine group having a substituent, the substituents are bonded to each other to form an unsaturated aliphatic ring or A saturated heterocyclic ring may be formed. Y 3B represents the following group (1), and n 13 represents 0, 1, 2, or 3.
R 20B and R 21B in the structural formula (52) are R 18B and R 19B in the structural formula (51), and Q 4 to Q 6 in the structural formula (52) are in the structural formula (51). Q 1 to Q 3 and L 35B to L 37B in the structural formula (52) have the same meanings as L 32B to L 34B in the structural formula (51), respectively.

前記基(1)中、R22Cは、水素原子、脂肪族基、芳香族基を表す。Z12Cは、5員又は6員の含窒素複素環を形成する原子団を表し、該含窒素複素環には芳香族環、複素環が縮合していてもよく、含窒素複素環、及び該含窒素複素環に縮合している芳香族環、複素環は置換基を有していてもよい。
前記基(1)中、Xは、陰イオンを形成し得る基を表す。該Xが形成しうる陰イオンとしては、例えば、ハロゲンイオン(Cl、Br、I)、p−トルエンスルホン酸イオン、エチル硫酸イオン、1,5−ジスルホナフタレンジア二オン、PF 、BF 、及びClO 等が挙げられる。また、前記Xは、カチオン部位のいずれか置換可能な位置を置換している置換基であってもよい。
In the group (1), R 22C represents a hydrogen atom, an aliphatic group, or an aromatic group. Z 12C represents an atomic group forming a 5-membered or 6-membered nitrogen-containing heterocycle, and the nitrogen-containing heterocycle may be condensed with an aromatic ring or a heterocycle, the nitrogen-containing heterocycle, and the The aromatic ring and heterocyclic ring condensed to the nitrogen-containing heterocyclic ring may have a substituent.
In the group (1), X represents a group capable of forming an anion. Examples of the anion that can be formed by X include halogen ion (Cl , Br , I ), p-toluenesulfonic acid ion, ethyl sulfate ion, 1,5-disulfonaphthalenedione, PF 6 -, BF 4 -, and ClO 4 -, and the like. X may be a substituent substituting any substitutable position of the cation moiety.

前記含窒素複素環としては、例えば、オキサゾール環、チアゾール環、セレナゾール環、ピロール環、ピロリン環、イミダゾール環、及びピリジン環が挙げられる。6員環よりも5員環の方が好ましい。
また、前記含窒素複素環には、芳香族環(ベンゼン環、ナフタレン環)、又は複素環(ピリジン、ピラジン等)が縮合していてもよく、含窒素複素環及びその縮合環はさらに置換基を有していてもよい。
Examples of the nitrogen-containing heterocycle include an oxazole ring, a thiazole ring, a selenazole ring, a pyrrole ring, a pyrroline ring, an imidazole ring, and a pyridine ring. A 5-membered ring is preferred over a 6-membered ring.
The nitrogen-containing heterocycle may be condensed with an aromatic ring (benzene ring, naphthalene ring) or a heterocycle (pyridine, pyrazine, etc.), and the nitrogen-containing heterocycle and the condensed ring are further substituted. You may have.

前記酸性核を有する化合物としては、その他の化合物として、例えば、アミノ基やアルコキシ基が置換した芳香環(例えば、フェニル基、ナフチル基等)と酸性核とをメチン鎖で連結した化合物などが挙げられる。メチン鎖の数は1〜5個が好ましく、1〜3個がより好ましく、1個が特に好ましい。酸性核は、5員環から6員環のものが好ましい。
その他前記酸性核を有する化合物の例としては、下記(A)及び(B)で表される化合物などが挙げられる。
Examples of the compound having an acidic nucleus include, for example, compounds in which an aromatic ring (for example, phenyl group, naphthyl group, etc.) substituted with an amino group or an alkoxy group and an acidic nucleus are connected by a methine chain. It is done. The number of methine chains is preferably 1 to 5, more preferably 1 to 3, and particularly preferably 1. The acidic nucleus is preferably a 5-membered to 6-membered ring.
Other examples of the compound having an acidic nucleus include compounds represented by the following (A) and (B).

なお、前記酸性核を有する化合物は、感光層の感度の向上を図るだけでなく、光励起により前記モノマーの重合を開始させるような光重合開始剤としての機能をも有している。   The compound having an acidic nucleus not only improves the sensitivity of the photosensitive layer, but also has a function as a photopolymerization initiator that initiates polymerization of the monomer by photoexcitation.

(5)蛍光増白剤
増感剤としての蛍光増白剤は、後述する感光層への露光における露光感度や感光波長を調整する目的で、或いは、前記感光層を露光し現像する場合において、該感光層の露光する部分の厚みを該現像の前後において変化させない前記光の最小エネルギー(感度)を向上させる観点から添加される。前記蛍光増白剤を併用することにより、例えば、前記感光層の感度を0.1〜100mJ/cmに極めて容易に調整することもできる。
(5) Fluorescent whitening agent The fluorescent whitening agent as a sensitizer is used for the purpose of adjusting exposure sensitivity and photosensitive wavelength in exposure to a photosensitive layer, which will be described later, or when the photosensitive layer is exposed and developed. It is added from the viewpoint of improving the minimum energy (sensitivity) of the light that does not change the thickness of the exposed portion of the photosensitive layer before and after the development. By using the fluorescent brightening agent in combination, for example, the sensitivity of the photosensitive layer can be adjusted very easily to 0.1 to 100 mJ / cm 2 .

「蛍光性白化剤」(Fluorescent Whitening Agent)としても知られる前記蛍光増白剤は、紫外〜短波可視である300〜450nm付近の波長を有する光を吸収可能であり、かつ400〜500nm付近の波長を有する蛍光を発光可能な無色ないし弱く着色した化合物である。蛍光増白剤の物理的原理およびおよび化学性の記述は、Ullmann’s Encyclopedia of Industrial Chemistry,Sixth Edition,Electronic Release,Wiley − VCH 1998に示されている。基本的には、適する蛍光増白剤は炭素環式または複素環式核を含んでなるπ−電子系を含有する。   The fluorescent whitening agent, also known as a “fluorescent whitening agent”, can absorb light having a wavelength in the vicinity of 300 to 450 nm, which is ultraviolet to short wave visible, and has a wavelength in the vicinity of 400 to 500 nm. It is a colorless or weakly colored compound capable of emitting fluorescence having the following. A description of the physical principles and chemistry of optical brighteners is given in Ullmann's Encyclopedia of Industrial Chemistry, Sixth Edition, Electronic Release, Wiley-VCH 1998. Basically, suitable optical brighteners contain a π-electron system comprising a carbocyclic or heterocyclic nucleus.

前記増感剤としての蛍光増白剤は、特に制限はなく、前記光照射手段(例えば、可視光線や紫外光及び可視光レーザ等)に合わせて適宜選択することができる。
前記蛍光増白剤としては、非イオン性核を有する化合物が好ましい。前記非イオン性核としては、例えば、スチルベン核、ジスチリルベンゼン核、ジスチリルビフェニル核、及びジビニルスチルベン核から選択される少なくとも1種であることが好ましい。
The fluorescent whitening agent as the sensitizer is not particularly limited and can be appropriately selected according to the light irradiation means (for example, visible light, ultraviolet light, visible light laser, etc.).
As the fluorescent brightening agent, a compound having a nonionic nucleus is preferable. The nonionic nucleus is preferably at least one selected from, for example, a stilbene nucleus, a distyrylbenzene nucleus, a distyrylbiphenyl nucleus, and a divinylstilbene nucleus.

前記非イオン性核を有する化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選定することができるが、例えば、ピラゾリン類、トリアジン類、スチルベン類、ジスチリルベンゼン類、ジスチリルビフェニル類、ジビニルスチルベン類、トリアジニルアミノスチルベン類、スチルベニルトリアゾール類、スチルベニルナフトトリアゾール類、ビス−トリアゾールスチルベン類、ベンゾキサゾール類、ビスフェニルベンゾキサゾール類、スチルベニルベンゾキサゾール類、ビス−ベンゾキサゾール類、フラン類、ベンゾフラン類、ビス−ベンズイミダゾール類、ジフェニルピラゾリン類、ジフェニルオキサジアゾール類、ナフタルイミド類、キサンテン類、カルボスチリル類、ピレン類および1,3,5−トリアジニル−誘導体などが挙げられる。これらの中でも、スチリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基から選択される少なくとも1種を有するものが好ましく、更にジスチリルベンゼン類、ジスチリルビフェニル類、又はエテニル基、芳香環基、複素環基からなる2価の連結基で連結されたビスベンゾオキサゾール類、ビスベンゾチアゾール類、などが特に好ましい。   The compound having a nonionic nucleus is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, pyrazolines, triazines, stilbenes, distyrylbenzenes, distyrylbiphenyls, divinyl Stilbenes, triazinylaminostilbenes, stilbenyltriazoles, stilbenylnaphthotriazoles, bis-triazolestilbenes, benzoxazoles, bisphenylbenzoxazoles, stilbenylbenzoxazoles, bis -Benzoxazoles, furans, benzofurans, bis-benzimidazoles, diphenylpyrazolins, diphenyloxadiazoles, naphthalimides, xanthenes, carbostyrils, pyrenes and 1,3,5-triazinyl -Derivatives etc. That. Among these, those having at least one selected from a styryl group, a benzoxazolyl group, and a benzothiazolyl group are preferable, and further, a distyrylbenzene, a distyrylbiphenyl, or an ethenyl group, an aromatic ring group, and a heterocyclic group. Bisbenzoxazoles, bisbenzothiazoles, and the like linked by a divalent linking group consisting of are particularly preferable.

また、前記蛍光増白剤は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、脂肪族基、芳香族基、複素環基、カルボキシル基、スルホ基、シアノ基、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子)、ヒドロキシ基、炭素数30以下のアルコキシカルボニル基(例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基)、炭素数30以下のアルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、炭素数30以下のアシルアミノスルホニル基、炭素数30以下のアルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、ベンジルオキシ基、フェノキシエトキシ基、フェネチルオキシ基等)、炭素数30以下のアルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、メチルチオエチルチオエチル基等)、炭素数30以下のアリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、p−トリルオキシ基、1−ナフトキシ基、2−ナフトキシ基等)、ニトロ基、炭素数30以下のアルキル基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、炭素数30以下のアシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基等)、炭素数30以下のアシル基(例えば、アセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基等)、カルバモイル基(例えば、カルバモイル基、N,N−ジメチルカルバモイル基、モルホリノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、スルファモイル基、N,N−ジメチルスルファモイル基、モルホリノスルホニル基、ピペリジノスルホニル基等)、炭素数30以下のアリール基(例えば、フェニル基、4−クロロフェニル基、4−メチルフェニル基、α−ナフチル基等)、置換アミノ基(例えば、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アリールアミノ基、ジアリールアミノ基、アシルアミノ基等)、置換ウレイド基、置換ホスホノ基、などが挙げられる。   The fluorescent brightening agent may have a substituent. Examples of the substituent include an aliphatic group, an aromatic group, a heterocyclic group, a carboxyl group, a sulfo group, a cyano group, a halogen atom (for example, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom), a hydroxy group, and a carbon number of 30 or less. Alkoxycarbonyl group (for example, methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, benzyloxycarbonyl group), alkylsulfonylaminocarbonyl group having 30 or less carbon atoms, arylsulfonylaminocarbonyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfonyl group, having 30 or less carbon atoms Acylaminosulfonyl group, alkoxy group having 30 or less carbon atoms (for example, methoxy group, ethoxy group, benzyloxy group, phenoxyethoxy group, phenethyloxy group, etc.), alkylthio group having 30 or less carbon atoms (for example, methylthio group, ethylthio group) , Methylthioethyl Oethyl group, etc.), aryloxy groups having 30 or less carbon atoms (for example, phenoxy group, p-tolyloxy group, 1-naphthoxy group, 2-naphthoxy group, etc.), nitro groups, alkyl groups having 30 or less carbon atoms, alkoxycarbonyloxy Group, aryloxycarbonyloxy group, acyloxy group having 30 or less carbon atoms (for example, acetyloxy group, propionyloxy group, etc.), acyl group having 30 or less carbon atoms (for example, acetyl group, propionyl group, benzoyl group, etc.), carbamoyl Groups (for example, carbamoyl group, N, N-dimethylcarbamoyl group, morpholinocarbonyl group, piperidinocarbonyl group and the like), sulfamoyl groups (for example, sulfamoyl group, N, N-dimethylsulfamoyl group, morpholinosulfonyl group, Peridinosulfonyl group, etc.), 30 or more carbon atoms Aryl groups (for example, phenyl group, 4-chlorophenyl group, 4-methylphenyl group, α-naphthyl group, etc.), substituted amino groups (for example, amino group, alkylamino group, dialkylamino group, arylamino group, diarylamino) Group, acylamino group, etc.), substituted ureido group, substituted phosphono group, and the like.

前記のそれぞれの代表的な蛍光増白剤の例は、例えば大河原編「色素ハンドブック」、講談社、84〜145頁、432〜439頁に記載されているものを挙げることができる。
前記トリアジン類としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選定することができるが、例えば、エチレンビスメラミン、プロピレン−1,3−ビスメラミン、N,N’−ジシクロヘキシルエチレンビスメラミン、N,N’−ジメチルエチレンビスメラミン、N,N’−ビス[4,6−ジ−(ジメチルアミノ)−1,3,5−トリアジニル]エチレンジアミン、N,N’−ビス(4,6−ジピペリジノ−1,3,5−トリアジニル)エチレンジアミン、N,N’−ビス[4,6−ジ−(ジメチルアミノ)−1,3,5−トリアジニル]−N,N’−ジメチルエチレンジアミン、などが挙げられる。代表的な蛍光増白剤の例を下記構造式(53)〜(59)に挙げる。
Examples of each of the above representative optical brighteners include, for example, those described in Okawara “Dye Handbook”, Kodansha, pages 84 to 145, pages 432 to 439.
The triazines are not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, ethylene bismelamine, propylene-1,3-bismelamine, N, N′-dicyclohexylethylenebismelamine, N, N′-dimethylethylenebismelamine, N, N′-bis [4,6-di- (dimethylamino) -1,3,5-triazinyl] ethylenediamine, N, N′-bis (4,6-dipiperidino-1 , 3,5-triazinyl) ethylenediamine, N, N′-bis [4,6-di- (dimethylamino) -1,3,5-triazinyl] -N, N′-dimethylethylenediamine, and the like. Examples of typical optical brighteners are listed in the following structural formulas (53) to (59).

より具体的には、本発明では、下記のいずれかの部分構造を有する蛍光増白剤が使用に適する。   More specifically, in the present invention, a fluorescent whitening agent having any one of the following partial structures is suitable for use.

上記の部分構造の式中、Xは下記の基の1つであり、下記式中の*は上記の式中の結合の位置を示す。   In the above partial structure formula, X is one of the following groups, and * in the following formula represents the position of the bond in the above formula.

ここで、上記式の各々における1個もしくはそれ以上の核は下記基により置換されていてもよい。この置換基としては、脂肪族基、芳香族基、複素環基、カルボキシル基、スルホ基、シアノ基、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子)、ヒドロキシ基、炭素数30以下のアルコキシカルボニル基(例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基)、炭素数30以下のアルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、炭素数30以下のアシルアミノスルホニル基、炭素数30以下のアルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、ベンジルオキシ基、フェノキシエトキシ基、フェネチルオキシ基等)、炭素数30以下のアルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、メチルチオエチルチオエチル基等)、炭素数30以下のアリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、p−トリルオキシ基、1−ナフトキシ基、2−ナフトキシ基等)、ニトロ基、炭素数30以下のアルキル基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、炭素数30以下のアシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基等)、炭素数30以下のアシル基(例えば、アセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基等)、カルバモイル基(例えば、カルバモイル基、N,N−ジメチルカルバモイル基、モルホリノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、スルファモイル基、N,N−ジメチルスルファモイル基、モルホリノスルホニル基、ピペリジノスルホニル基等)、炭素数30以下のアリール基(例えば、フェニル基、4−クロロフェニル基、4−メチルフェニル基、α−ナフチル基等)、置換アミノ基(例えば、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アリールアミノ基、ジアリールアミノ基、アシルアミノ基等)、置換ウレイド基、置換ホスホノ基、などが挙げられる。   Here, one or more nuclei in each of the above formulas may be substituted by the following groups. Examples of the substituent include an aliphatic group, an aromatic group, a heterocyclic group, a carboxyl group, a sulfo group, a cyano group, a halogen atom (for example, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom), a hydroxy group, and a carbon number of 30 or less. Alkoxycarbonyl group (for example, methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, benzyloxycarbonyl group), alkylsulfonylaminocarbonyl group having 30 or less carbon atoms, arylsulfonylaminocarbonyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfonyl group, having 30 or less carbon atoms Acylaminosulfonyl group, alkoxy group having 30 or less carbon atoms (for example, methoxy group, ethoxy group, benzyloxy group, phenoxyethoxy group, phenethyloxy group, etc.), alkylthio group having 30 or less carbon atoms (for example, methylthio group, ethylthio group) , Methylthioethyl Oethyl group, etc.), aryloxy groups having 30 or less carbon atoms (for example, phenoxy group, p-tolyloxy group, 1-naphthoxy group, 2-naphthoxy group, etc.), nitro groups, alkyl groups having 30 or less carbon atoms, alkoxycarbonyloxy Group, aryloxycarbonyloxy group, acyloxy group having 30 or less carbon atoms (for example, acetyloxy group, propionyloxy group, etc.), acyl group having 30 or less carbon atoms (for example, acetyl group, propionyl group, benzoyl group, etc.), carbamoyl Groups (for example, carbamoyl group, N, N-dimethylcarbamoyl group, morpholinocarbonyl group, piperidinocarbonyl group and the like), sulfamoyl groups (for example, sulfamoyl group, N, N-dimethylsulfamoyl group, morpholinosulfonyl group, Peridinosulfonyl group, etc.), 30 or more carbon atoms Aryl groups (for example, phenyl group, 4-chlorophenyl group, 4-methylphenyl group, α-naphthyl group, etc.), substituted amino groups (for example, amino group, alkylamino group, dialkylamino group, arylamino group, diarylamino) Group, acylamino group, etc.), substituted ureido group, substituted phosphono group, and the like.

前記蛍光増白剤は、有機溶媒、水、アルカリ水溶液に溶解しうる化合物が好ましい。また、有機溶媒、水、アルカリ水溶液に分散、乳化しうる化合物であってもよい。前記蛍光増白剤は、単一化合物として、又は数種の物質の混合物として使用することができる。   The fluorescent brightening agent is preferably a compound that can be dissolved in an organic solvent, water, or an alkaline aqueous solution. Moreover, the compound which can be disperse | distributed and emulsified in an organic solvent, water, and aqueous alkali solution may be sufficient. The optical brightener can be used as a single compound or as a mixture of several substances.

前記蛍光増白剤の中でも、以下の部分構造を有するものが特に好ましいが、本発明においてはこれらに限定されるものではない。   Among the fluorescent brighteners, those having the following partial structures are particularly preferred, but the present invention is not limited to these.

上記式中、
a)R1Dはメチル基、R2D,R3D,R4D及びR5Dは水素原子、
b)R2D,R3D及びR4Dはメトキシ基、R1D及びR5Dは水素原子、
c)R1Dはシアノ基、R2D,R3D,R4D及びR5Dは水素原子、又は
d)R3Dはシアノ基,R1D,R2D,R4D及びR5Dは水素原子
を表す。
In the above formula,
a) R 1D is a methyl group, R 2D , R 3D , R 4D and R 5D are hydrogen atoms,
b) R 2D , R 3D and R 4D are methoxy groups, R 1D and R 5D are hydrogen atoms,
c) R 1D represents a cyano group, R 2D , R 3D , R 4D and R 5D represent a hydrogen atom, or d) R 3D represents a cyano group, and R 1D , R 2D , R 4D and R 5D represent a hydrogen atom.

上記式中、R1E,R2E,R3E及びR4Eは水素原子、R5Eはメトキシ基を表す。 In the above formula, R 1E , R 2E , R 3E and R 4E represent a hydrogen atom, and R 5E represents a methoxy group.

上記式中、
a)R1F,R2F,R3F,R4F,R5F,R6F,R7F,R8F,R9F及びR10Fは水素原子、
b)R1F,R2F,R4F,R5F,R6F,R7F,R8F,R9F及びR10Fは水素原子、R3Fはメトキシ基、又は
c)R1F,R2F,R4F,R5F,R6F,R7F,R9F,R10Fは水素原子,R3F及びR8Fはメトキシ基、
を表す。
In the above formula,
a) R 1F , R 2F , R 3F , R 4F , R 5F , R 6F , R 7F , R 8F , R 9F and R 10F are hydrogen atoms,
b) R 1F , R 2F , R 4F , R 5F , R 6F , R 7F , R 8F , R 9F and R 10F are hydrogen atoms, R 3F is a methoxy group, or c) R 1F , R 2F , R 4F , R 5F , R 6F , R 7F , R 9F , R 10F are hydrogen atoms, R 3F and R 8F are methoxy groups,
Represents.

上記式中、
a)R1G及びR3Gは水素原子、R2GはSOPh、又は
b)R1Gは水素原子、R2Gはシアノ基、R3Gは塩素原子
を表す。
In the above formula,
a) R 1G and R 3G represent a hydrogen atom, R 2G represents a SO 3 Ph, or b) R 1G represents a hydrogen atom, R 2G represents a cyano group, and R 3G represents a chlorine atom.

上記式中、
a)R1Hはt−ブチル基、R2Hは水素原子,R3Hはフェニル基、
b)R1Hはメチル基、R2Hは水素原子、R3Hはメトキシカルボニル基(COOMe)、又は
c)R1Hは水素原子、R2Hは水素原子、R3Hは2−(4−メチル−オキサ−3,3−ジアゾール)
を表す。
In the above formula,
a) R 1H is a t-butyl group, R 2H is a hydrogen atom, R 3H is a phenyl group,
b) R 1H is a methyl group, R 2H is a hydrogen atom, R 3H is a methoxycarbonyl group (COOMe), or c) R 1H is a hydrogen atom, R 2H is a hydrogen atom, and R 3H is 2- (4-methyl-oxa -3,3-diazole)
Represents.

上記式中、
a)Xは4,4’−スチルベンジイル,R1I及びR2Iは水素原子、
b)Xは2,5−チオフェンジイル,R1I及びR2Iはt−ブチル基、
c)Xは1,4−ナフタレンジイル,R1I及びR2Iは水素原子、又は
d)Xは1,1−エテンジイル,R1I及びR2Iはメチル基
を表す。
In the above formula,
a) X I is 4,4′-stilbendiyl, R 1I and R 2I are hydrogen atoms,
b) X I is 2,5-thiophenediyl, R 1I and R 2I are t-butyl groups,
c) X I represents 1,4-naphthalenediyl, R 1I and R 2I represent a hydrogen atom, or d) X I represents 1,1-ethenediyl, R 1I and R 2I represent a methyl group.

上記式中、R1J及びR2Jはジエチルアミノ基を表す。 In the above formula, R 1J and R 2J represent a diethylamino group.

上記式中、
a)R1K及びR2Kは水素原子、R3KはSONH
b)R1K及びR2Kは水素原子、R3KはSOCHCHOCHCHNMe
c)R1K及びR2Kは水素原子、R3KはSOCHCHOCH(CH)CHNMe
d)R1K及びR2Kは水素原子、R3KはSOCH、又は
e)R1K及びR2Kは水素原子、R3KはSOCHCHOH
を表す。
In the above formula,
a) R 1K and R 2K are hydrogen atoms, R 3K is SO 2 NH 2 ,
b) R 1K and R 2K are hydrogen atoms, R 3K is SO 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 NMe 2 ,
c) R 1K and R 2K are hydrogen atoms, R 3K is SO 2 CH 2 CH 2 OCH (CH 3 ) CH 2 NMe 2 ,
d) R 1K and R 2K are hydrogen atoms, R 3K is SO 2 CH 3 , or e) R 1K and R 2K are hydrogen atoms, R 3K is SO 2 CH 2 CH 2 OH
Represents.

上記式中、
a)R1L,R2L,R3L,R4L,R5L,R6L,R7L,R8L,R9L,R10Lは水素原子、R11Lは、

b)R1L,R2L,R3L,R4L,R5L,R6L,R7L,R8L,R9L,R10Lは水素原子、R11Lは、

c)R1L,R2L,R4L,R5L,R6L,R7L,R8L,R9L,R10Lは水素原子、R3Lはt−ブチル基、R11Lは、

d)R1L,R2L,R4L,R5L,R6L,R7L,R8L,R9L,R10Lは水素原子、R3Lはt−ブチル基、R11Lは、

e)R1L,R2L,R4L,R5L,R6L,R7L,R8L,R9L,R10Lは水素原子、R3Lはメトキシ基、R11Lは、

f)R1L,R5L,R6L,R7L,R8L,R9L,R10Lは水素原子、R2L及びR4Lはメトキシ基、R3Lはt−ブチル基、R11Lは、

g)R1L,R2L,R4L,R5L,R6L,R7L,R9L,R10Lは水素原子、R3Lはt−ブチル基、R8Lはメトキシ基、R11Lは、
In the above formula,
a) R 1L , R 2L , R 3L , R 4L , R 5L , R 6L , R 7L , R 8L , R 9L , R 10L are hydrogen atoms, R 11L is

b) R 1L , R 2L , R 3L , R 4L , R 5L , R 6L , R 7L , R 8L , R 9L , R 10L are hydrogen atoms, R 11L is

c) R 1L, R 2L, R 4L, R 5L, R 6L, R 7L, R 8L, R 9L, R 10L is hydrogen atom, R 3L is t- butyl, R 11L is

d) R 1L , R 2L , R 4L , R 5L , R 6L , R 7L , R 8L , R 9L , R 10L are hydrogen atoms, R 3L is a t-butyl group, R 11L is

e) R 1L, R 2L, R 4L, R 5L, R 6L, R 7L, R 8L, R 9L, R 10L is hydrogen atom, R 3L is a methoxy group, R 11L is

f) R 1L , R 5L , R 6L , R 7L , R 8L , R 9L , R 10L are hydrogen atoms, R 2L and R 4L are methoxy groups, R 3L is a t-butyl group, R 11L is

g) R 1L , R 2L , R 4L , R 5L , R 6L , R 7L , R 9L , R 10L are hydrogen atoms, R 3L is a t-butyl group, R 8L is a methoxy group, R 11L is


上記式中、
a)R1M,R2M,R3M,R4M,R5M,R6M,R7M,R8M,R9M,R10Mは水素原子、R11Mは、

b)R1M,R2M,R3M,R4M,R5M,R6M,R7M,R8M,R9M,R10Mは水素原子、R11Mは、

c)R1M,R2M,R4M,R5M,R6M,R7M,R8M,R9M,R10Mは水素原子、R3Mはt−ブチル基、R11Mは、

d)R1M,R2M,R4M,R5M,R6M,R7M,R8M,R9M,R10Mは水素原子、R3Mはt−ブチル基、R11Mは、

e)R1M,R2M,R4M,R5M,R6M,R7M,R8M,R9M,R10Mは水素原子、R3Mはメトキシ基、R11Mは、

f)R1M,R5M,R6M,R7M,R8M,R9M,R10Mは水素原子、R2M及びR4Mはメトキシ基、R3Mはt−ブチル基、R11Mは、

g)R1M,R2M,R4M,R5M,R6M,R7M,R9M,R10Mは水素原子、R3Mはt−ブチル基、R8Mはメトキシ基、R11Mは、
In the above formula,
a) R 1M , R 2M , R 3M , R 4M , R 5M , R 6M , R 7M , R 8M , R 9M , R 10M are hydrogen atoms, R 11M is

b) R 1M , R 2M , R 3M , R 4M , R 5M , R 6M , R 7M , R 8M , R 9M , R 10M are hydrogen atoms, R 11M is

c) R 1M , R 2M , R 4M , R 5M , R 6M , R 7M , R 8M , R 9M , R 10M are hydrogen atoms, R 3M is a t-butyl group, R 11M is

d) R 1M , R 2M , R 4M , R 5M , R 6M , R 7M , R 8M , R 9M , R 10M are hydrogen atoms, R 3M is a t-butyl group, R 11M is

e) R 1M , R 2M , R 4M , R 5M , R 6M , R 7M , R 8M , R 9M , R 10M are hydrogen atoms, R 3M is a methoxy group, R 11M is

f) R 1M , R 5M , R 6M , R 7M , R 8M , R 9M , R 10M are hydrogen atoms, R 2M and R 4M are methoxy groups, R 3M is a t-butyl group, R 11M is

g) R 1M , R 2M , R 4M , R 5M , R 6M , R 7M , R 9M , R 10M are hydrogen atoms, R 3M is a t-butyl group, R 8M is a methoxy group, R 11M is

上記式中、
a)R1Nは水素原子,R2Nはメトキシ基、R3Nはメチル基、又は
b)R1N及びR2Nはエトキシ基,R3Nはメチル基
を表す。
In the above formula,
a) R 1N represents a hydrogen atom, R 2N represents a methoxy group, R 3N represents a methyl group, or b) R 1N and R 2N represent an ethoxy group, and R 3N represents a methyl group.

上記式中、
a)R1P及びR2Pはメチル基、R3Pは水素原子、又は
b)R1P及びR2Pはメチル基、R3PはOCOMe
を表す。
In the above formula,
a) R 1P and R 2P are methyl groups, R 3P is a hydrogen atom, or b) R 1P and R 2P are methyl groups, and R 3P is OCOMe
Represents.

上記式中、
a)Xは1,2−エテンジイル,R1Qはメチル基、又は
b)Xは4,4’−スチルベンジイル,R1Qはメチル基
を表す。
In the above formula,
a) X Q represents 1,2-ethenediyl, R 1Q represents a methyl group, or b) X Q represents 4,4′-stilbenediyl, and R 1Q represents a methyl group.

上記式中、R1Rはフェニル基、R2Rはジエチルアミノ基(NEt)、R3Rはエチル基を表す。 In the above formula, R 1R represents a phenyl group, R 2R represents a diethylamino group (NEt 2 ), and R 3R represents an ethyl group.

上記式中、R1S及びR2Sはメトキシ基を表す。 In the above formula, R 1S and R 2S represent a methoxy group.

本発明に用いる前記蛍光増白剤としては、下記構造式(60)又は構造式(61)で表される化合物の少なくとも1種を含有したものを用いてもよい。該蛍光増白剤は、分光増感色素であり、ラジカル又はカチオンを発生し得る化合物(ラジカル又はカチオン発生剤)を分光増感する機能を有している。従って、該分光増感色素の吸収に対応した可視〜赤外光を照射すると、この領域に吸収を有しないラジカル又はカチオン発生剤を含有する場合であっても、該発生剤からのラジカルやカチオンの発生を促進することができる。   As the fluorescent brightening agent used in the present invention, one containing at least one compound represented by the following structural formula (60) or structural formula (61) may be used. The fluorescent whitening agent is a spectral sensitizing dye and has a function of spectrally sensitizing a compound capable of generating radicals or cations (radical or cation generator). Therefore, when irradiated with visible to infrared light corresponding to the absorption of the spectral sensitizing dye, even if it contains a radical or cation generator that has no absorption in this region, the radical or cation from the generator Can be promoted.

上記構造式(60)及び構造式(61)中、R1h〜R12hは夫々独立に水素原子、置換基を有してもよい飽和又は不飽和のアルキル基、アラルキル基、アリール基、飽和又は不飽和のアルキルオキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、飽和又は不飽和のアルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、ハロゲン原子を表す。R1h〜R12hは更に不飽和の含窒素複素環基を表し、環内窒素原子がベンゼン環と結合してもよい。またR1h〜R12hの基は、各々隣接する基と共に飽和乃至不飽和の環を形成してもよい。
上記構造式(60)及び構造式(61)中、X、Y、Zは夫々独立に酸素原子、硫黄原子又は一置換窒素原子を表す。
上記構造式(60)中のP及び構造式(61)中のL1h〜L3hは、各々独立に置換基を有してもよい芳香環又は複素芳香環からなる2価の連結基を表す。
Qは1,3,5−ベンゼントリイル基又は窒素原子を表す。nは1以上のいずれかの整数を表す。
上記構造式(61)中、a、b、cは、各々独立に0及び1以上のいずれかの整数を表すが、Qが窒素原子のときは、1以上のいずれかの整数を表す。
In the structural formula (60) and the structural formula (61), R 1h to R 12h are each independently a hydrogen atom, a saturated or unsaturated alkyl group which may have a substituent, an aralkyl group, an aryl group, saturated or An unsaturated alkyloxy group, an aralkyloxy group, an aryloxy group, a saturated or unsaturated alkylthio group, an aralkylthio group, an arylthio group, an amino group, a dialkylamino group, a diarylamino group, and a halogen atom are represented. R 1h to R 12h each further represents an unsaturated nitrogen-containing heterocyclic group, and a nitrogen atom in the ring may be bonded to a benzene ring. The groups R 1h to R 12h may form a saturated or unsaturated ring together with the adjacent groups.
In the structural formula (60) and the structural formula (61), X h , Y h , and Z h each independently represent an oxygen atom, a sulfur atom, or a monosubstituted nitrogen atom.
P in the structural formula (60) and L 1h to L 3h in the structural formula (61) each independently represent a divalent linking group composed of an aromatic ring or a heteroaromatic ring which may have a substituent. .
Q represents a 1,3,5-benzenetriyl group or a nitrogen atom. n represents any integer of 1 or more.
In the structural formula (61), a, b and c each independently represent an integer of 0 or 1 or more, but when Q is a nitrogen atom, it represents any integer of 1 or more.

上記構造式(60)及び構造式(61)中、R1h〜R12hが表す前記飽和アルキル基としては、直鎖状、分岐状、環状のアルキル基が挙げられ、炭素数としては1〜30が好ましく、1〜20がより好ましい。このようなアルキル基の例として、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、2−エチルへキシル基、シクロヘキシル基、オクタデシル基等が挙げられる。 In the structural formula (60) and the structural formula (61), examples of the saturated alkyl group represented by R 1h to R 12h include linear, branched, and cyclic alkyl groups, and the number of carbon atoms is 1 to 30. Is preferable, and 1 to 20 is more preferable. Examples of such an alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, a 2-ethylhexyl group, a cyclohexyl group, and an octadecyl group.

上記構造式(60)及び構造式(61)中のR1h〜R12hが表す前記アルキル基が置換基を有する場合、該置換基としては、カルボキシル基、スルホ基、シアノ基、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子)、ヒドロキシ基、炭素数30以下のアルコキシカルボニル基(例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基)、炭素数30以下のアルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、炭素数30以下のアシルアミノスルホニル基、炭素数30以下のアルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、ベンジルオキシ基、フェノキシエトキシ基、フェネチルオキシ基等)、炭素数30以下のアルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、メチルチオエチルチオエチル基等)、炭素数30以下のアリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、p−トリルオキシ基、1−ナフトキシ基、2−ナフトキシ基等)、ニトロ基、炭素数30以下のアルキル基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基などが挙げられる。 When the alkyl group represented by R 1h to R 12h in the structural formula (60) and the structural formula (61) has a substituent, examples of the substituent include a carboxyl group, a sulfo group, a cyano group, and a halogen atom (for example, Fluorine atom, chlorine atom, bromine atom), hydroxy group, alkoxycarbonyl group having 30 or less carbon atoms (for example, methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, benzyloxycarbonyl group), alkylsulfonylaminocarbonyl group having 30 or less carbon atoms, Arylsulfonylaminocarbonyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfonyl group, acylaminosulfonyl group having 30 or less carbon atoms, alkoxy group having 30 or less carbon atoms (for example, methoxy group, ethoxy group, benzyloxy group, phenoxyethoxy group, phenethyloxy) Group), carbon number of 30 or less Alkylthio group (for example, methylthio group, ethylthio group, methylthioethylthioethyl group, etc.), aryloxy group having 30 or less carbon atoms (for example, phenoxy group, p-tolyloxy group, 1-naphthoxy group, 2-naphthoxy group, etc.), Examples thereof include a nitro group, an alkyl group having 30 or less carbon atoms, an alkoxycarbonyloxy group, and an aryloxycarbonyloxy group.

炭素数30以下のアシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基等)、炭素数30以下のアシル基(例えば、アセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基等)、カルバモイル基(例えば、カルバモイル基、N,N−ジメチルカルバモイル基、モルホリノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、スルファモイル基、N,N−ジメチルスルファモイル基、モルホリノスルホニル基、ピペリジノスルホニル基等)、炭素数30以下のアリール基(例えば、フェニル基、4−クロロフェニル基、4−メチルフェニル基、α−ナフチル基等)、置換アミノ基(例えば、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アリールアミノ基、ジアリールアミノ基、アシルアミノ基等)、置換ウレイド基、置換ホスホノ基、複素環基等が挙げられる。ここで、カルボキシル基、スルホ基、ヒドロキシ基、ホスホノ基は、塩の状態であってもよい。   Acyloxy group having 30 or less carbon atoms (for example, acetyloxy group, propionyloxy group, etc.), Acyl group having 30 or less carbon atoms (for example, acetyl group, propionyl group, benzoyl group, etc.), carbamoyl group (for example, carbamoyl group, N , N-dimethylcarbamoyl group, morpholinocarbonyl group, piperidinocarbonyl group, etc.), sulfamoyl group (for example, sulfamoyl group, N, N-dimethylsulfamoyl group, morpholinosulfonyl group, piperidinosulfonyl group, etc.), carbon An aryl group having a number of 30 or less (for example, phenyl group, 4-chlorophenyl group, 4-methylphenyl group, α-naphthyl group, etc.), substituted amino group (for example, amino group, alkylamino group, dialkylamino group, arylamino group) , Diarylamino group, acylamino group, etc.), substituted urea De group, a substituted phosphono group, and a heterocyclic group. Here, the carboxyl group, the sulfo group, the hydroxy group, and the phosphono group may be in a salt state.

上記構造式(60)及び構造式(61)中、前記R1h〜R12hが表す不飽和のアルキル基としては、直鎖状、分岐状、環状のアルケニル基が挙げられ、該アルケニル基の炭素原子数は、2〜30が好ましく、2〜20がより好ましい。また、該アルケニル基は、置換基を有する置換アルケニル基、無置換のアルケニル基のいずれであってもよく、置換アルケニル基のアルケニル部分の炭素原子数の好ましい範囲は上記アルケニル基の場合と同様である。置換アルケニル基の置換基としては、前記置換アルキル基の場合と同様の置換基が挙げられる。 In the structural formula (60) and the structural formula (61), examples of the unsaturated alkyl group represented by R 1h to R 12h include linear, branched, and cyclic alkenyl groups. 2-30 are preferable and, as for the number of atoms, 2-20 are more preferable. The alkenyl group may be a substituted alkenyl group having a substituent or an unsubstituted alkenyl group. The preferred range of the number of carbon atoms in the alkenyl part of the substituted alkenyl group is the same as in the case of the alkenyl group. is there. Examples of the substituent for the substituted alkenyl group include the same substituents as those for the substituted alkyl group.

更に、上記構造式(60)及び構造式(61)のR1h〜R12hが表す不飽和のアルキル基としては、直鎖状、分岐状、環状のアルキニル基が挙げられ、該アルキニル基の炭素原子数は、2〜30が好ましく、2〜20がより好ましい。また、該アルキニル基は、置換基を有する置換アルキニル基、無置換のアルキニル基のいずれであってもよく、置換アルキニル基のアルキニル部分の炭素原子数の好ましい範囲は上記アルキニル基の場合と同様である。置換アルキニル基の置換基としては、前記置換アルキル基の場合と同様の置換基が挙げられる。 Furthermore, examples of the unsaturated alkyl group represented by R 1h to R 12h in the structural formula (60) and the structural formula (61) include linear, branched, and cyclic alkynyl groups, and the carbon of the alkynyl group. 2-30 are preferable and, as for the number of atoms, 2-20 are more preferable. The alkynyl group may be a substituted alkynyl group having a substituent or an unsubstituted alkynyl group, and the preferred range of the number of carbon atoms in the alkynyl part of the substituted alkynyl group is the same as in the case of the alkynyl group. is there. Examples of the substituent for the substituted alkynyl group include the same substituents as those for the substituted alkyl group.

上記構造式(60)及び構造式(61)中のR1h〜R12hが表す前記アラルキル基としては、直鎖状、分岐状、環状のアラルキル基が挙げられ、炭素数としては7〜30が好ましく、7〜20がより好ましい。具体例としては、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。また、該アラルキル基は、置換基を有する置換アラルキル基、無置換のアラルキル基のいずれであってもよい。 Examples of the aralkyl group represented by R 1h to R 12h in the structural formula (60) and the structural formula (61) include linear, branched, and cyclic aralkyl groups, and the number of carbon atoms is 7 to 30. 7-20 are more preferable. Specific examples include a benzyl group and a phenethyl group. The aralkyl group may be a substituted aralkyl group having a substituent or an unsubstituted aralkyl group.

上記構造式(60)及び構造式(61)中のR1h〜R12hが表す前記アリール基としては、炭素数6〜30が好ましく、6〜20がより好ましい。このようなアリール基の例として、フェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基等が挙げられる。 As said aryl group which R < 1h> -R <12h> in the said Structural formula (60) and Structural formula (61) represents, C6-C30 is preferable and 6-20 are more preferable. Examples of such an aryl group include a phenyl group, an α-naphthyl group, a β-naphthyl group, and the like.

上記構造式(60)及び構造式(61)中のR1h〜R12hが表す前記飽和アルキルオキシ基としては、炭素数1〜30が好ましく、1〜20がより好ましい。このようなアルキルオキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、2−エチルへキシルオキシ基、フェノキシエトキシ基等が挙げられる。また、不飽和アルキルオキシ基としては、アルケニルオキシ基及びアルキニルオキシ基が挙げられ、該アルケニル基及びアルキニル基は前述の不飽和アルキル基のものと同義である。 As said saturated alkyloxy group which R < 1h> -R <12h> in the said Structural formula (60) and Structural formula (61) represents, C1-C30 is preferable and 1-20 are more preferable. Examples of such an alkyloxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a 2-ethylhexyloxy group, a phenoxyethoxy group, and the like. Examples of the unsaturated alkyloxy group include an alkenyloxy group and an alkynyloxy group, and the alkenyl group and alkynyl group have the same meanings as those of the aforementioned unsaturated alkyl group.

上記構造式(60)及び構造式(61)中のR1h〜R12hが表す前記アラルキルオキシ基としては、炭素数7〜12が好ましく、7〜10がより好ましい。このようなアラルキルオキシ基としては、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基等が挙げられる。 As said aralkyloxy group which R < 1h> -R <12h> in the said Structural formula (60) and Structural formula (61) represents, C7-C12 is preferable and 7-10 are more preferable. Examples of such aralkyloxy groups include benzyloxy group and phenethyloxy group.

上記構造式(60)及び構造式(61)中のR1h〜R12hが表す前記アリールオキシ基としては、炭素数6〜30が好ましく、6〜20がより好ましい。このようなアリールオキシ基の例として、フェノキシ基、4−メチルフェノキシ基、α−ナフチルオキシ基等が挙げられる。 As said aryloxy group which R < 1h> -R <12h> in the said Structural formula (60) and Structural formula (61) represents, C6-C30 is preferable and 6-20 are more preferable. Examples of such aryloxy groups include phenoxy group, 4-methylphenoxy group, α-naphthyloxy group and the like.

上記構造式(60)及び構造式(61)中のR1h〜R12hが表す前記飽和アルキルチオ基としては、炭素数1〜30が好ましく、1〜20がより好ましい。このようなアルキルチオ基の例として、メチルチオ基、エチルチオ基、n−ブチルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基等が挙げられる。また、不飽和アルキルチオ基としては、アルケニルチオ基及びアルキニルチオ基が挙げられ、該アルケニル基及びアルキニル基は前述の不飽和アルキル基のものと同義である。 As said saturated alkylthio group which R < 1h> -R <12h> in the said Structural formula (60) and Structural formula (61) represents, C1-C30 is preferable and 1-20 are more preferable. Examples of such an alkylthio group include a methylthio group, an ethylthio group, an n-butylthio group, and a 2-ethylhexylthio group. Examples of the unsaturated alkylthio group include an alkenylthio group and an alkynylthio group, and the alkenyl group and alkynyl group have the same meanings as those of the aforementioned unsaturated alkyl group.

上記構造式(60)及び構造式(61)中のR1h〜R12hが表す前記アラルキルチオ基としては、炭素数7〜30が好ましく、7〜20がより好ましい。このようなアラルキルチオ基の例として、ベンジルチオ基、フェネチルチオ基等が挙げられる。 The aralkylthio group represented by R 1h to R 12h in the structural formula (60) and the structural formula (61) preferably has 7 to 30 carbon atoms, and more preferably 7 to 20 carbon atoms. Examples of such an aralkylthio group include a benzylthio group and a phenethylthio group.

上記構造式(60)及び構造式(61)中のR1h〜R12hが表す前記アリールチオ基としては、炭素数6〜30が好ましく、6〜20がより好ましい。このようなアリールチオ基の例として、フェニルチオ基、4−メチルフェニルチオ基、α−ナフチルチオ基等が挙げられる。 As said arylthio group which R < 1h> -R <12h> in the said Structural formula (60) and Structural formula (61) represents, C6-C30 is preferable and 6-20 are more preferable. Examples of such an arylthio group include a phenylthio group, a 4-methylphenylthio group, an α-naphthylthio group, and the like.

上記構造式(60)及び構造式(61)中のR1h〜R12hが表す前記ジアルキルアミノ基は、前述したアルキル基の任意の2つが置換したアミノ基であり、炭素数は1〜30が好ましい。このようなジアルキルアミノ基としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジオクチルアミノ基、ジデシルアミノ基等が挙げられる。 The dialkylamino group represented by R 1h to R 12h in the structural formula (60) and the structural formula (61) is an amino group substituted by any two of the alkyl groups described above, and has 1 to 30 carbon atoms. preferable. Examples of such a dialkylamino group include a dimethylamino group, a diethylamino group, a dibutylamino group, a dioctylamino group, and a didecylamino group.

上記構造式(60)及び構造式(61)中のR1h〜R12hが表す前記ジアリールアミノ基は、前述したアリール基の任意の2つが置換したアミノ基であり、炭素数は6〜30が好ましい。このようなジアリールアミノ基としては、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジキシリルアミノ基、ジ−α−ナフチルアミノ基、ジ−β−ナフチルアミノ基等が挙げられる。 The diarylamino group represented by R 1h to R 12h in the structural formula (60) and the structural formula (61) is an amino group substituted with any two of the aryl groups described above, and has 6 to 30 carbon atoms. preferable. Examples of such a diarylamino group include a diphenylamino group, a ditolylamino group, a dixylylamino group, a di-α-naphthylamino group, and a di-β-naphthylamino group.

上記構造式(60)及び構造式(61)中のR1h〜R12hが表す前記ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。 Examples of the halogen atom represented by R 1h to R 12h in the structural formula (60) and the structural formula (61) include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.

上記構造式(60)及び構造式(61)中のR1h〜R12hは更に不飽和の含窒素複素環基を表し、環内窒素原子がベンゼン環と結合してもよい。該含窒素複素環は、置換基を有していてもよい5〜7員の不飽和の含窒素複素環基であり、具体例を下記に示す。尚、含窒素複素環の置換位置は、前記構造式(60)及び構造式(61)中のR2h、R3h、R6h、R7h、R10h、R11hのいずれかの位置が好ましい。また、好ましい置換基としては、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基が挙げられる。 R 1h to R 12h in the structural formula (60) and the structural formula (61) further represent an unsaturated nitrogen-containing heterocyclic group, and a nitrogen atom in the ring may be bonded to a benzene ring. The nitrogen-containing heterocyclic ring is a 5- to 7-membered unsaturated nitrogen-containing heterocyclic group which may have a substituent, and specific examples are shown below. The substitution position of the nitrogen-containing heterocycle is preferably any one of R 2h , R 3h , R 6h , R 7h , R 10h and R 11h in the structural formula (60) and the structural formula (61). Moreover, as a preferable substituent, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, a dialkylamino group, and a diarylamino group are mentioned.

また、上記構造式(60)及び構造式(61)中のR1h〜R12hの基は、各々隣接する基と共に飽和乃至不飽和の環を形成してもよい。このような飽和乃至不飽和の環としては、例えばテトラヒドロキノリン環、ジュロリジン環等が挙げられる。 In addition, the groups of R 1h to R 12h in the structural formula (60) and the structural formula (61) may form a saturated or unsaturated ring together with adjacent groups. Examples of such saturated or unsaturated rings include a tetrahydroquinoline ring and a julolidine ring.

上記構造式(60)及び構造式(61)中、X、Y、Zが表す前記一置換窒素原子は、アルキル基又はアリール基が置換した窒素原子であり、該窒素原子上のアルキル基及びアリール基は、R1h〜R12hで表される前記アルキル基及びアリール基と同義である。 In the structural formula (60) and the structural formula (61), the monosubstituted nitrogen atom represented by X h , Y h , or Z h is a nitrogen atom substituted with an alkyl group or an aryl group, and an alkyl on the nitrogen atom A group and an aryl group are synonymous with the said alkyl group and aryl group represented by R < 1h> -R <12h> .

上記構造式(60)及び構造式(61)中、前記P及びL1h〜L3hが表す置換基を有してもよい2価の芳香環基としては、下記に示す2価芳香環基が挙げられる。 In the above structural formula (60) and structural formula (61), the divalent aromatic ring group which may have a substituent represented by P and L 1h to L 3h is a divalent aromatic ring group shown below. Can be mentioned.

上記構造式の中でも、特に下記に示す2価芳香環基が好ましい。   Among the above structural formulas, the divalent aromatic ring groups shown below are particularly preferable.

また、上記構造式(60)及び構造式(61)中、P及びL1h〜L3hが表す置換基を有してもよい2価の複素芳香環基としては、下記に示す2価複素芳香環基が挙げられる。 In the structural formula (60) and structural formula (61), the divalent heteroaromatic ring group which may have a substituent represented by P and L 1h to L 3h is a divalent heteroaromatic group shown below. A cyclic group is mentioned.

上記構造式の中でも、特に下記に示す2価複素芳香環基が好ましい。   Among the above structural formulas, the divalent heteroaromatic ring groups shown below are particularly preferable.

ここで、上記R13h、R15h及びR16hは低級アルキル基を表し、R14hは上記構造式(60)及び構造式(61)中のR1h〜R12hで表される基と同義である。 Here, R 13h , R 15h and R 16h represent a lower alkyl group, and R 14h has the same meaning as the group represented by R 1h to R 12h in the structural formula (60) and the structural formula (61). .

上記構造式(60)及び構造式(61)中、nは1以上のいずれかの整数を表し、特に1、2、3が好ましい。また、nが2以上の整数を表すときは、前記Pは芳香環と複素芳香環の組み合わせでもよい。上記構造式(60)及び構造式(61)中、a、b、cが1以上の整数を表すときは、L1h〜L3hが表す置換基は各々異なっていてもよい。 In Structural Formula (60) and Structural Formula (61), n represents any integer of 1 or more, and 1, 2, and 3 are particularly preferable. When n represents an integer of 2 or more, the P may be a combination of an aromatic ring and a heteroaromatic ring. In the structural formula (60) and the structural formula (61), when a, b and c represent an integer of 1 or more, the substituents represented by L 1h to L 3h may be different from each other.

以下に、前記構造式(60)又は構造式(61)で表される化合物の具体例(例示化合物No.1〜57)を示すが、本発明においてはこれらに限定されるものではない。   Specific examples (Exemplary Compound Nos. 1 to 57) of the compound represented by Structural Formula (60) or Structural Formula (61) are shown below, but the invention is not limited thereto.

なお、蛍光増白剤は、感光層の感度の向上を図るだけでなく、光励起により前記モノマーの重合を開始させるような光重合開始剤としての機能をも有している。   The fluorescent brightening agent not only improves the sensitivity of the photosensitive layer, but also has a function as a photopolymerization initiator that initiates polymerization of the monomer by photoexcitation.

<その他の成分>
回路形成用レジストとしての感光性組成物におけるその他の成分としては、例えば、公知の界面活性剤、可塑剤、発色剤、着色剤などが挙げられ、更に基体表面への密着促進剤及びその他の助剤類(例えば、顔料、導電性粒子、充填剤、消泡剤、難燃剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、熱架橋剤、表面張力調整剤、連鎖移動剤等)を併用してもよい。これらの成分を適宜含有させることにより、目的とする前記感光層(前記パターン形成材料)の安定性、写真性、焼きだし性、膜物性等の性質を調整することもできる。
<Other ingredients>
Examples of other components in the photosensitive composition as the resist for circuit formation include known surfactants, plasticizers, color formers, colorants and the like, and further adhesion promoters and other assistants to the substrate surface. Combined use of agents (for example, pigments, conductive particles, fillers, antifoaming agents, flame retardants, leveling agents, peeling accelerators, antioxidants, fragrances, thermal crosslinking agents, surface tension modifiers, chain transfer agents, etc.) May be. By appropriately containing these components, it is possible to adjust properties such as stability, photographic properties, print-out properties, and film physical properties of the intended photosensitive layer (the pattern forming material).

(1)可塑剤
前記可塑剤は、前記感光性組成物からなる感光層の膜物性(可撓性)をコントロールするために添加してもよい。
前記可塑剤としては、例えば、ジメチルフタレート、ジブチルフタレート、ジイソブチルフタレート、ジヘプチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジシクロヘキシルフタレート、ジトリデシルフタレート、ブチルベンジルフタレート、ジイソデシルフタレート、ジフェニルフタレート、ジアリルフタレート、オクチルカプリールフタレート等のフタル酸エステル類;トリエチレングリコールジアセテート、テトラエチレングリコールジアセテート、ジメチルグリコースフタレート、エチルフタリールエチルグリコレート、メチルフタリールエチルグリコレート、ブチルフタリールブチルグリコレート、トリエチレングリコールジカブリル酸エステル等のグリコールエステル類;トリクレジルホスフェート、トリフェニルホスフェート等のリン酸エステル類;4−トルエンスルホンアミド、ベンゼンスルホンアミド、N−n−ブチルベンゼンスルホンアミド、N−n−ブチルアセトアミド等のアミド類;ジイソブチルアジペート、ジオクチルアジペート、ジメチルセバケート、ジブチルセパケート、ジオクチルセパケート、ジオクチルアゼレート、ジブチルマレート等の脂肪族二塩基酸エステル類;クエン酸トリエチル、クエン酸トリブチル、グリセリントリアセチルエステル、ラウリン酸ブチル、4,5−ジエポキシシクロヘキサン−1,2−ジカルボン酸ジオクチル等、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等のグリコール類が挙げられる。
(1) Plasticizer The plasticizer may be added to control the film physical properties (flexibility) of the photosensitive layer comprising the photosensitive composition.
Examples of the plasticizer include dimethyl phthalate, dibutyl phthalate, diisobutyl phthalate, diheptyl phthalate, dioctyl phthalate, dicyclohexyl phthalate, ditridecyl phthalate, butyl benzyl phthalate, diisodecyl phthalate, diphenyl phthalate, diallyl phthalate, octyl capryl phthalate, and the like. Phthalic acid esters: Triethylene glycol diacetate, tetraethylene glycol diacetate, dimethylglycol phthalate, ethyl phthalyl ethyl glycolate, methyl phthalyl ethyl glycolate, butyl phthalyl butyl glycolate, triethylene glycol dicabrylate, etc. Glycol esters of tricresyl phosphate, triphenyl phosphate, etc. Acid esters; Amides such as 4-toluenesulfonamide, benzenesulfonamide, Nn-butylbenzenesulfonamide, Nn-butylacetamide; diisobutyl adipate, dioctyl adipate, dimethyl sebacate, dibutyl sepacate, dioctyl Aliphatic dibasic acid esters such as sepacate, dioctyl azelate, dibutyl malate; triethyl citrate, tributyl citrate, glycerin triacetyl ester, butyl laurate, 4,5-diepoxycyclohexane-1,2-dicarboxylic acid Examples include glycols such as dioctyl acid, polyethylene glycol, and polypropylene glycol.

前記可塑剤の含有量としては、前記感光性組成物の全成分に対して0.1〜50質量%が好ましく、0.5〜40質量%がより好ましく、1〜30質量%が特に好ましい。   As content of the said plasticizer, 0.1-50 mass% is preferable with respect to all the components of the said photosensitive composition, 0.5-40 mass% is more preferable, 1-30 mass% is especially preferable.

(2)発色剤
前記発色剤は、露光後の前記感光層に可視像を与える(焼きだし機能)ために添加してもよい。
前記発色剤としては、例えば、トリス(4−ジメチルアミノフェニル)メタン(ロイコクリスタルバイオレット)、トリス(4−ジエチルアミノフェニル)メタン、トリス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)メタン、トリス(4−ジエチルアミノ−2−メチルフェニル)メタン、ビス(4−ジブチルアミノフェニル)−〔4−(2−シアノエチル)メチルアミノフェニル〕メタン、ビス(4−ジメチルアミノフェニル)−2−キノリルメタン、トリス(4−ジプロピルアミノフェニル)メタン等のアミノトリアリールメタン類;3,6−ビス(ジメチルアミノ)−9−フェニルキサンチン、3−アミノ−6−ジメチルアミノ−2−メチル−9−(2−クロロフェニル)キサンチン等のアミノキサンチン類;3,6−ビス(ジエチルアミノ)−9−(2−エトキシカルボニルフェニル)チオキサンテン、3,6−ビス(ジメチルアミノ)チオキサンテン等のアミノチオキサンテン類;3,6−ビス(ジエチルアミノ)−9,10−ジヒドロ−9−フェニルアクリジン、3,6−ビス(ベンジルアミノ)−9,10−ジビドロ−9−メチルアクリジン等のアミノ−9,10−ジヒドロアクリジン類;3,7−ビス(ジエチルアミノ)フェノキサジン等のアミノフェノキサジン類;3,7−ビス(エチルアミノ)フェノチアゾン等のアミノフェノチアジン類;3,7−ビス(ジエチルアミノ)−5−ヘキシル−5,10−ジヒドロフェナジン等のアミノジヒドロフェナジン類;ビス(4−ジメチルアミノフェニル)アニリノメタン等のアミノフェニルメタン類;4−アミノ−4’−ジメチルアミノジフェニルアミン、4−アミノ−α、β−ジシアノヒドロケイ皮酸メチルエステル等のアミノヒドロケイ皮酸類;1−(2−ナフチル)−2−フェニルヒドラジン等のヒドラジン類;1,4−ビス(エチルアミノ)−2,3−ジヒドロアントラキノン類のアミノ−2,3−ジヒドロアントラキノン類;N,N−ジエチル−4−フェネチルアニリン等のフェネチルアニリン類;10−アセチル−3,7−ビス(ジメチルアミノ)フェノチアジン等の塩基性NHを含むロイコ色素のアシル誘導体;トリス(4−ジエチルアミノ−2−トリル)エトキシカルボニルメンタン等の酸化しうる水素をもっていないが、発色化合物に酸化しうるロイコ様化合物;ロイコインジゴイド色素;米国特許3,042,515号及び同第3,042,517号に記載されているような発色形に酸化しうるような有機アミン類(例、4,4’−エチレンジアミン、ジフェニルアミン、N,N−ジメチルアニリン、4,4’−メチレンジアミントリフェニルアミン、N−ビニルカルバゾール)が挙げられ、これらの中でも、ロイコクリスタルバイオレット等のトリアリールメタン系化合物が好ましい。
(2) Color former The color former may be added to give a visible image (printing function) to the photosensitive layer after exposure.
Examples of the color former include tris (4-dimethylaminophenyl) methane (leuco crystal violet), tris (4-diethylaminophenyl) methane, tris (4-dimethylamino-2-methylphenyl) methane, tris (4- Diethylamino-2-methylphenyl) methane, bis (4-dibutylaminophenyl)-[4- (2-cyanoethyl) methylaminophenyl] methane, bis (4-dimethylaminophenyl) -2-quinolylmethane, tris (4-di Aminotriarylmethanes such as propylaminophenyl) methane; 3,6-bis (dimethylamino) -9-phenylxanthine, 3-amino-6-dimethylamino-2-methyl-9- (2-chlorophenyl) xanthine, etc. Aminoxanthines; 3,6-bis (diethyl Aminothioxanthenes such as mino) -9- (2-ethoxycarbonylphenyl) thioxanthene and 3,6-bis (dimethylamino) thioxanthene; 3,6-bis (diethylamino) -9,10-dihydro-9- Amino-9,10-dihydroacridine such as phenylacridine, 3,6-bis (benzylamino) -9,10-dividro-9-methylacridine; aminophenoxazine such as 3,7-bis (diethylamino) phenoxazine Aminophenothiazines such as 3,7-bis (ethylamino) phenothiazone; aminodihydrophenazines such as 3,7-bis (diethylamino) -5-hexyl-5,10-dihydrophenazine; bis (4-dimethylamino) Aminophenylmethanes such as phenyl) anilinomethane; 4-amino-4 ′ Aminohydrocinnamic acids such as dimethylaminodiphenylamine, 4-amino-α, β-dicyanohydrocinnamic acid methyl ester; hydrazines such as 1- (2-naphthyl) -2-phenylhydrazine; 1,4-bis ( Ethylamino) -2,3-dihydroanthraquinones amino-2,3-dihydroanthraquinones; phenethylanilines such as N, N-diethyl-4-phenethylaniline; 10-acetyl-3,7-bis (dimethylamino) ) An acyl derivative of a leuco dye containing basic NH such as phenothiazine; a leuco-like compound which does not have oxidizable hydrogen such as tris (4-diethylamino-2-tolyl) ethoxycarbonylmentane, but can be oxidized to a coloring compound; Id dyes; U.S. Pat. Nos. 3,042,515 and 3,042 Organic amines that can be oxidized to a colored form as described in No. 517 (eg, 4,4′-ethylenediamine, diphenylamine, N, N-dimethylaniline, 4,4′-methylenediamine triphenylamine, N-vinylcarbazole), and among these, triarylmethane compounds such as leuco crystal violet are preferable.

更に、前記発色剤は、前記ロイコ体を発色させるためなどの目的で、ハロゲン化合物と組み合わせることが一般に知られている。
前記ハロゲン化合物としては、例えば、ハロゲン化炭化水素(例えば、四臭化炭素、ヨードホルム、臭化エチレン、臭化メチレン、臭化アミル、臭化イソアミル、ヨウ化アミル、臭化イソブチレン、ヨウ化ブチル、臭化ジフェニルメチル、ヘキサクロロエタン、1,2−ジブロモエタン、1,1,2,2−テトラブロモエタン、1,2−ジブロモ−1,1,2−トリクロロエタン、1,2,3トリブロモプロパン、1−ブロモ−4−クロロブタン、1,2,3,4−テトラブロモブタン、テトラクロロシクロプロペン、ヘキサクロロシクロペンタジエン、ジブロモシキロヘキサン、1,1,1−トリクロロ−2,2−ビス(4−クロロフェニル)エタンなど);ハロゲン化アルコール化合物(例えば、2,2,2−トリクロロエタノール、トリブロモエタノール、1,3−ジクロロ−2−プロパノール、1,1,1−トリクロロ−2−プロパノール、ジ(ヨードヘキサメチレン)アミノイソプロパノール、トリブロモ−t−ブチルアルコール、2,2,3−トリクロロブタン−1,4−ジオールなど);ハロゲン化カルボニル化合物(例えば1,1−ジクロロアセトン、1,3−ジクロロアセトン、ヘキサクロロアセトン、ヘキサブロモアセトン、1,1,3,3−テトラクロロアセトン、1,1,1−トリクロロアセトン、3,4−ジブロモ−2−ブタノン、1,4−ジクロロ−2−ブタノン−ジブロモシクロヘキサノン等);ハロゲン化エーテル化合物(例えば2−ブロモエチルメチルエーテル、2−ブロモエチルエチルエーテル、ジ(2−ブロモエチル)エーテル、1,2−ジクロロエチルエチルエーテル等);ハロゲン化エステル化合物(例えば、酢酸ブロモエチル、トリクロロ酢酸エチル、トリクロロ酢酸トリクロロエチル、2,3−ジブロモプロピルアクリレートのホモポリマー及び共重合体、ジブロモプロピオン酸トリクロロエチル、α,β−ジグロロアクリル酸エチル等);ハロゲン化アミド化合物(例えば、クロロアセトアミド、ブロモアセトアミド、ジクロロアセトアミド、トリクロロアセトアミド、トリブロモアセトアミド、トリクロロエチルトリクロロアセトアミド、2−ブロモイソプロピオンアミド、2,2,2−トリクロロプロピオンアミド、N−クロロスクシンイミド、N−ブロモスクシンイミドなど);硫黄やリンを有する化合物(例えば、トリブロモメチルフェニルスルホン、4−ニトロフェニルトリブロモメチルスルホン、4−クロルフェニルトリブロモメチルスルホン、トリス(2,3−ジブロモプロピル)ホスフェート等)、2,4−ビス(トリクロロメチル)6−フェニルトリアゾールなどが挙げられる。有機ハロゲン化合物では、同一炭素原子に結合した2個以上のハロゲン原子を持つハロゲン化合物が好ましく、1個の炭素原子に3個のハロゲン原子を持つハロゲン化合物がより好ましい。前記有機ハロゲン化合物は、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、トリブロモメチルフェニルスルホン、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−フェニルトリアゾールが好ましい。
Furthermore, it is generally known that the color former is combined with a halogen compound for the purpose of coloring the leuco body.
Examples of the halogen compound include halogenated hydrocarbons (for example, carbon tetrabromide, iodoform, ethylene bromide, methylene bromide, amyl bromide, isoamyl bromide, amyl iodide, isobutylene bromide, butyl iodide, Diphenylmethyl bromide, hexachloroethane, 1,2-dibromoethane, 1,1,2,2-tetrabromoethane, 1,2-dibromo-1,1,2-trichloroethane, 1,2,3 tribromopropane, 1-bromo-4-chlorobutane, 1,2,3,4-tetrabromobutane, tetrachlorocyclopropene, hexachlorocyclopentadiene, dibromocyclohexane, 1,1,1-trichloro-2,2-bis (4- Chlorophenyl) ethane); halogenated alcohol compounds (eg, 2,2,2-trichloroethanol, Bromoethanol, 1,3-dichloro-2-propanol, 1,1,1-trichloro-2-propanol, di (iodohexamethylene) aminoisopropanol, tribromo-t-butyl alcohol, 2,2,3-trichlorobutane 1,4-diol and the like; halogenated carbonyl compounds (for example, 1,1-dichloroacetone, 1,3-dichloroacetone, hexachloroacetone, hexabromoacetone, 1,1,3,3-tetrachloroacetone, 1,1 , 1-trichloroacetone, 3,4-dibromo-2-butanone, 1,4-dichloro-2-butanone-dibromocyclohexanone, etc.); halogenated ether compounds (eg 2-bromoethyl methyl ether, 2-bromoethyl ethyl ether) Di (2-bromoethyl) ether, 1,2- Chloroethyl ethyl ether, etc.); halogenated ester compounds (eg, bromoethyl acetate, ethyl trichloroacetate, trichloroethyl trichloroacetate, homopolymers and copolymers of 2,3-dibromopropyl acrylate, trichloroethyl dibromopropionate, α, β Halogenated amide compounds (for example, chloroacetamide, bromoacetamide, dichloroacetamide, trichloroacetamide, tribromoacetamide, trichloroethyltrichloroacetamide, 2-bromoisopropionamide, 2,2,2- Trichloropropionamide, N-chlorosuccinimide, N-bromosuccinimide, etc.); a compound having sulfur or phosphorus (for example, tribromomethylphenylsulfone, 4-nitro) Phenyl tribromomethyl sulfone, 4-chlorophenyl tribromomethyl sulfone, tris (2,3-dibromopropyl) phosphate, etc.), e.g., 2,4-bis (trichloromethyl) 6- phenyltriazole and the like. As the organic halogen compound, a halogen compound having two or more halogen atoms bonded to the same carbon atom is preferable, and a halogen compound having three halogen atoms per carbon atom is more preferable. The said organic halogen compound may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together. Among these, tribromomethylphenyl sulfone and 2,4-bis (trichloromethyl) -6-phenyltriazole are preferable.

前記発色剤の含有量としては、前記感光性組成物の全成分に対して0.01〜20質量%が好ましく、0.05〜10質量%がより好ましく、0.1〜5質量%が特に好ましい。また、前記ハロゲン化合物の含有量としては、前記感光性組成物の全成分に対し0.001〜5質量%が好ましく、0.005〜1質量%がより好ましい。   As content of the said color former, 0.01-20 mass% is preferable with respect to all the components of the said photosensitive composition, 0.05-10 mass% is more preferable, 0.1-5 mass% is especially preferable. preferable. Moreover, as content of the said halogen compound, 0.001-5 mass% is preferable with respect to all the components of the said photosensitive composition, and 0.005-1 mass% is more preferable.

(3)着色剤
前記着色剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、例えば、赤色、緑色、青色、黄色、紫色、マゼンタ色、シアン色、黒色等の公知の顔料又は染料が挙げられ、具体的には、ビクトリア・ピュアーブルーBO(C.I.42595)、オーラミン(C.I.41000)、ファット・ブラックHB(C.I.26150)、モノライト・エローGT(C.I.ピグメントエロー12)、パーマネント・エローGR(C.I.ピグメント・エロー17)、パーマネント・エローHR(C.I.ピグメント・エロー83)、パーマネント・カーミンFBB(C.I.ピグメント・レッド146)、ホスターバームレッドESB(C.I.ピグメント・バイオレット19)、パーマネント・ルビーFBH(C.I.ピグメント・レッド11)、ファステル・ピンクBスプラ(C.I.ピグメント・レッド81)、モナストラル・ファースト・ブルー(C.I.ピグメント・ブルー15)、モノライト・ファースト・ブラックB(C.I.ピグメント・ブラック1)、カーボンブラックが挙げられる。
(3) Colorant The colorant is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include red, green, blue, yellow, purple, magenta, cyan, and black. Examples of such pigments and dyes include Victoria Pure Blue BO (C.I. 42595), Auramin (C.I. 41000), Fat Black HB (C.I. 26150), Mono Light Yellow GT (CI Pigment Yellow 12), Permanent Yellow GR (CI Pigment Yellow 17), Permanent Yellow HR (CI Pigment Yellow 83), Permanent Carmine FBB (C Pigment Red 146), Hoster Balm Red ESB (CI Pigment Violet 19), Permanent Le Bee FBH (CI Pigment Red 11), Fastel Pink B Supra (CI Pigment Red 81), Monastral First Blue (CI Pigment Blue 15), Monolite First Black B (CI Pigment Black 1) and carbon black can be mentioned.

また、カラーフィルタの作製に好適な前記着色剤として、例えば、C.I.ピグメント・レッド97、C.I.ピグメント・レッド122、C.I.ピグメント・レッド149、C.I.ピグメント・レッド168、C.I.ピグメント・レッド177、C.I.ピグメント・レッド180、C.I.ピグメント・レッド192、C.I.ピグメント・レッド215、C.I.ピグメント・グリーン7、C.I.ピグメント・グリーン36、C.I.ピグメント・ブルー15:1、C.I.ピグメント・ブルー15:4、C.I.ピグメント・ブルー15:6、C.I.ピグメント・ブルー22、C.I.ピグメント・ブルー60、C.I.ピグメント・ブルー64、C.I.ピグメントイエロー139、C.I.ピグメントイエロー83、C.I.ピグメントバイオレット23、特開2002−162752号公報の(0138)〜(0141)に記載のもの等が挙げられる。
前記着色剤の平均粒径としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、5μm以下が好ましく、1μm以下がより好ましい。また、カラーフィルタを作製する場合は、前記平均粒子径として、0.5μm以下が好ましい。
Examples of the colorant suitable for producing a color filter include C.I. I. Pigment red 97, C.I. I. Pigment red 122, C.I. I. Pigment red 149, C.I. I. Pigment red 168, C.I. I. Pigment red 177, C.I. I. Pigment red 180, C.I. I. Pigment red 192, C.I. I. Pigment red 215, C.I. I. Pigment green 7, C.I. I. Pigment green 36, C.I. I. Pigment blue 15: 1, C.I. I. Pigment blue 15: 4, C.I. I. Pigment blue 15: 6, C.I. I. Pigment blue 22, C.I. I. Pigment blue 60, C.I. I. Pigment blue 64, C.I. I. Pigment yellow 139, C.I. I. Pigment yellow 83, C.I. I. Pigment violet 23, and those described in JP-A-2002-162752 (0138) to (0141).
There is no restriction | limiting in particular as an average particle diameter of the said coloring agent, Although it can select suitably according to the objective, For example, 5 micrometers or less are preferable and 1 micrometer or less is more preferable. Moreover, when producing a color filter, as said average particle diameter, 0.5 micrometer or less is preferable.

前記着色剤の含有量としては、前記感光性組成物の全成分に対して0.01〜5質量%が好ましく、0.05〜3質量%がより好ましく、0.1〜2質量%が特に好ましい。   As content of the said coloring agent, 0.01-5 mass% is preferable with respect to all the components of the said photosensitive composition, 0.05-3 mass% is more preferable, 0.1-2 mass% is especially preferable. preferable.

(4)染料
前記感光性組成物には、取り扱い性の向上のため、又は保存安定性を付与する目的として、染料を用いることができる。
前記染料としては、ブリリアントグリーン(例えば、その硫酸塩)、エオシン、エチルバイオレット、エリスロシンB、メチルグリーン、クリスタルバイオレット、ベイシックフクシン、フェノールフタレイン、1,3−ジフェニルトリアジン、アリザリンレッドS、チモールフタレイン、メチルバイオレット2B、キナルジンレッド、ローズベンガル、メタニル−イエロー、チモールスルホフタレイン、キシレノールブルー、メチルオレンジ、オレンジIV、ジフェニルチロカルバゾン、2,7−ジクロロフルオレセイン、パラメチルレッド、コンゴーレッド、ベンゾプルプリン4B、α−ナフチル−レッド、ナイルブルーA、フェナセタリン、メチルバイオレット、マラカイトグリーン、パラフクシン、オイルブルー#603(オリエント化学工業社製)、ローダミンB、ローダミン6G、ビクトリアピュアブルーBOHなどを挙げることができ、これらの中でもカチオン染料(例えば、マラカイトグリーンシュウ酸塩、マラカイトグリーン硫酸塩等)が好ましい。該カチオン染料の対アニオンとしては、有機酸又は無機酸の残基であればよく、例えば、臭素酸、ヨウ素酸、硫酸、リン酸、シュウ酸、メタンスルホン酸、トルエンスルホン酸等の残基(アニオン)などが挙げられる。
(4) Dye A dye can be used in the photosensitive composition for the purpose of improving handleability or imparting storage stability.
Examples of the dye include brilliant green (for example, sulfate thereof), eosin, ethyl violet, erythrosine B, methyl green, crystal violet, basic fuchsin, phenolphthalein, 1,3-diphenyltriazine, alizarin red S, thymolphthalein. , Methyl violet 2B, quinaldine red, rose bengal, metanil-yellow, thymol sulfophthalein, xylenol blue, methyl orange, orange IV, diphenyltylocarbazone, 2,7-dichlorofluorescein, paramethyl red, Congo red, benzo Purpurin 4B, α-naphthyl-red, Nile blue A, phenacetalin, methyl violet, malachite green, parafuxin, oil blue # 603 (Orien Chemical Co., Ltd.), Rhodamine B, Rhodamine 6G, etc. Victoria Pure Blue BOH can be cited, among these cationic dyes (e.g., Malachite Green oxalate, malachite green sulfates) are preferable. The counter anion of the cationic dye may be a residue of an organic acid or an inorganic acid, for example, a residue such as bromic acid, iodic acid, sulfuric acid, phosphoric acid, oxalic acid, methanesulfonic acid, toluenesulfonic acid ( Anion) and the like.

前記染料の含有量としては、前記感光性組成物の全成分に対して0.001〜10質量%が好ましく、0.01〜5質量%がより好ましく、0.1〜2質量%が特に好ましい。   As content of the said dye, 0.001-10 mass% is preferable with respect to all the components of the said photosensitive composition, 0.01-5 mass% is more preferable, 0.1-2 mass% is especially preferable. .

(5)密着促進剤
前記感光性組成物には、該感光性組成物を用いて形成する感光層の密着性(前記パターン形成材料としたときの他の層との密着性、又は基体との密着性)を向上させるために、各層に公知のいわゆる密着促進剤を用いることができる。
(5) Adhesion promoter In the photosensitive composition, the adhesion of the photosensitive layer formed using the photosensitive composition (adhesion with other layers when used as the pattern forming material, or with the substrate) In order to improve the (adhesion), a known so-called adhesion promoter can be used for each layer.

前記密着促進剤としては、例えば、特開平5−11439号公報、特開平5−341532号公報、及び特開平6−43638号公報等に記載の密着促進剤が好適挙げられる。具体的には、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、2−メルカプトベンズイミダゾール、2−メルカプトベンズオキサゾール、2−メルカプトベンズチアゾール、3−モルホリノメチル−1−フェニル−トリアゾール−2−チオン、3−モルホリノメチル−5−フェニル−オキサジアゾール−2−チオン、5−アミノ−3−モルホリノメチル−チアジアゾール−2−チオン、及び2−メルカプト−5−メチルチオ−チアジアゾール、トリアゾール、テトラゾール、ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、アミノ基含有ベンゾトリアゾール、シランカップリング剤などが挙げられる。   Preferable examples of the adhesion promoter include adhesion promoters described in JP-A Nos. 5-11439, 5-341532, and 6-43638. Specifically, benzimidazole, benzoxazole, benzthiazole, 2-mercaptobenzimidazole, 2-mercaptobenzoxazole, 2-mercaptobenzthiazole, 3-morpholinomethyl-1-phenyl-triazole-2-thione, 3-morpholino Methyl-5-phenyl-oxadiazole-2-thione, 5-amino-3-morpholinomethyl-thiadiazole-2-thione, and 2-mercapto-5-methylthio-thiadiazole, triazole, tetrazole, benzotriazole, carboxybenzotriazole Amino group-containing benzotriazole, silane coupling agents, and the like.

前記密着促進剤の含有量としては、前記感光性組成物の全成分に対して0.001質量%〜20質量%が好ましく、0.01〜10質量%がより好ましく、0.1質量%〜5質量%が特に好ましい。   As content of the said adhesion promoter, 0.001 mass%-20 mass% are preferable with respect to all the components of the said photosensitive composition, 0.01-10 mass% is more preferable, 0.1 mass%- 5% by mass is particularly preferred.

また、前記感光性組成物は、例えば、J.コーサー著「ライトセンシテイブシステムズ」第5章に記載されているような有機硫黄化合物、過酸化物、レドックス系化合物、アゾ又はジアゾ化合物、光還元性色素、有機ハロゲン化合物などを含んでいてもよい。   The photosensitive composition is, for example, J.P. It may contain organic sulfur compounds, peroxides, redox compounds, azo or diazo compounds, photoreducible dyes, organic halogen compounds, etc. as described in Chapter 5 of “Light Sensitive Systems” Good.

前記有機硫黄化合物としては、例えば、ジ−n−ブチルジサルファイド、ジベンジルジサルファイド、2−メルカプトベンズチアゾール、2−メルカプトベンズオキサゾール、チオフェノール、エチルトリクロロメタンスルフェネート、2−メルカプトベンズイミダゾールなどが挙げられる。   Examples of the organic sulfur compound include di-n-butyl disulfide, dibenzyl disulfide, 2-mercaptobenzthiazole, 2-mercaptobenzoxazole, thiophenol, ethyltrichloromethane sulfenate, and 2-mercaptobenzimidazole. Is mentioned.

前記過酸化物としては、例えば、ジ−t−ブチルパーオキサイド、過酸化ベンゾイル、メチルエチルケトンパーオキサイドを挙げることができる。   Examples of the peroxide include di-t-butyl peroxide, benzoyl peroxide, and methyl ethyl ketone peroxide.

前記レドックス化合物は、過酸化物と還元剤の組合せからなるものであり、第一鉄イオンと過硫酸イオン、第二鉄イオンと過酸化物などを挙げることができる。   The redox compound is a combination of a peroxide and a reducing agent, and examples thereof include ferrous ions and persulfate ions, ferric ions and peroxides.

前記アゾ及びジアゾ化合物としては、例えば、α,α’−アゾビスイリブチロニトリル、2−アゾビス−2−メチルブチロニトリル、4−アミノジフェニルアミンのジアゾニウム類が挙げられる。   Examples of the azo and diazo compounds include α, α'-azobisiributyronitrile, 2-azobis-2-methylbutyronitrile, and diazonium such as 4-aminodiphenylamine.

前記光還元性色素としては、例えば、ローズベンガル、エリスロシン、エオシン、アクリフラビン、リポフラビン、チオニンが挙げられる。   Examples of the photoreducible dye include rose bengal, erythrosine, eosin, acriflavine, lipoflavin, and thionine.

(6)界面活性剤
前記感光性組成物は、前記感光層を形成する際に発生する面状ムラを改善させるために、公知の界面活性剤を添加することができる。
前記界面活性剤としては、例えば、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、両性界面活性剤、フッ素含有界面活性剤などから適宜選択できる。
(6) Surfactant A known surfactant can be added to the photosensitive composition in order to improve surface unevenness that occurs when the photosensitive layer is formed.
The surfactant can be appropriately selected from, for example, an anionic surfactant, a cationic surfactant, a nonionic surfactant, an amphoteric surfactant, and a fluorine-containing surfactant.

前記界面活性剤の含有量としては、前記感光性組成物の固形分に対し、0.001〜10質量%が好ましい。
前記含有量が、0.001質量%未満になると、面状改良の効果が得られなくことがあり、10質量%を超えると、密着性が低下することがある。
As content of the said surfactant, 0.001-10 mass% is preferable with respect to solid content of the said photosensitive composition.
When the content is less than 0.001% by mass, the effect of improving the surface shape may not be obtained, and when it exceeds 10% by mass, the adhesion may be deteriorated.

前記界面活性剤としては、上述の界面活性剤の他、フッ素系の界面活性剤として、炭素鎖3〜20でフッ素原子を40質量%以上含み、かつ、非結合末端から数えて少なくとも3個の炭素原子に結合した水素原子がフッ素置換されているフルオロ脂肪族基を有するアクリレート又はメタクリレートを共重合成分として有する高分子界面活性剤も好適に挙げられる。   As the surfactant, in addition to the above-mentioned surfactant, as a fluorine-based surfactant, it contains 40% by mass or more of fluorine atoms in a carbon chain of 3 to 20, and at least 3 counted from the non-bonding terminal A polymer surfactant having, as a copolymerization component, an acrylate or methacrylate having a fluoroaliphatic group in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom is fluorine-substituted is also preferred.

(7)熱重合禁止剤
熱重合禁止剤は、前記感光性組成物からなる前記感光層における前記重合性化合物の熱的な重合又は経時的な重合を防止するために添加してもよい。
前記熱重合禁止剤としては、例えば、4−メトキシフェノール、ハイドロキノン、アルキルまたはアリール置換ハイドロキノン、t−ブチルカテコール、ピロガロール、2−ヒドロキシベンゾフェノン、4−メトキシ−2−ヒドロキシベンゾフェノン、塩化第一銅、フェノチアジン、クロラニル、ナフチルアミン、β−ナフトール、2,6−ジ−t−ブチル−4−クレゾール、2,2’−メチレンビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、ピリジン、ニトロベンゼン、ジニトロベンゼン、ピクリン酸、4−トルイジン、メチレンブルー、銅と有機キレート剤反応物、サリチル酸メチル、フェノチアジン、フェノキサジン、ニトロソ化合物、及びニトロソ化合物とAlとのキレートなどが挙げられる。
(7) Thermal polymerization inhibitor A thermal polymerization inhibitor may be added to prevent thermal polymerization or temporal polymerization of the polymerizable compound in the photosensitive layer made of the photosensitive composition.
Examples of the thermal polymerization inhibitor include 4-methoxyphenol, hydroquinone, alkyl or aryl-substituted hydroquinone, t-butylcatechol, pyrogallol, 2-hydroxybenzophenone, 4-methoxy-2-hydroxybenzophenone, cuprous chloride, phenothiazine. , Chloranil, naphthylamine, β-naphthol, 2,6-di-tert-butyl-4-cresol, 2,2′-methylenebis (4-methyl-6-tert-butylphenol), pyridine, nitrobenzene, dinitrobenzene, picric acid 4-toluidine, methylene blue, copper and organic chelating agent reactant, methyl salicylate, phenothiazine, phenoxazine, nitroso compound, chelate of nitroso compound and Al, and the like.

前記熱重合禁止剤の含有量としては、前記重合性化合物に対して0.001〜5質量%が好ましく、0.005〜2質量%がより好ましく、0.01〜1質量%が特に好ましい。
前記含有量が、0.001質量%未満であると、保存時の安定性が低下することがあり、5質量%を超えると、活性エネルギー線に対する感度が低下することがある。
As content of the said thermal-polymerization inhibitor, 0.001-5 mass% is preferable with respect to the said polymeric compound, 0.005-2 mass% is more preferable, 0.01-1 mass% is especially preferable.
When the content is less than 0.001% by mass, stability during storage may be reduced, and when it exceeds 5% by mass, sensitivity to active energy rays may be reduced.

〔ソルダーレジスト〕
ソルダーレジストとしての感光性組成物としては、少なくとも、バインダー、重合性化合物、光重合開始剤、炭素系ナノ材料、及び熱架橋剤をを含み、必要に応じて増感剤等、適宜選択したその他の成分を含む。
[Solder resist]
The photosensitive composition as the solder resist includes at least a binder, a polymerizable compound, a photopolymerization initiator, a carbon-based nanomaterial, and a thermal crosslinking agent, and other sensitizers and the like appropriately selected as necessary. Contains the ingredients.

<炭素系ナノ材料>
ソルダーレジストとしての感光性組成物に用いる炭素系ナノ材料は、前記回路形成用レジストとしての前記感光性組成物に含まれる炭素系ナノ材料として例示されたものと同様のものを用いることができる。
ソルダーレジストとしての感光性組成物に含有される炭素系ナノ材料の含有率は、感光性組成物全体に対して、0.0001質量%〜10質量%であることが好ましく、0.0005質量%〜5質量%であることがより好ましく、0.001質量%〜1質量%であることが更に好ましい。
前記含有量が0.0001質量%未満であると、環境温度の変動という外的環境要因の影響を受けやすくなり線幅のバラツキが大きくなることがあり、10質量%を超えると、感光層の光の散乱が大きくなり逆に線幅のバラツキが大きくなることがある。
<Carbon-based nanomaterials>
As the carbon-based nanomaterial used for the photosensitive composition as the solder resist, the same carbon-based nanomaterials as those exemplified as the carbon-based nanomaterial contained in the photosensitive composition as the circuit forming resist can be used.
The content of the carbon-based nanomaterial contained in the photosensitive composition as the solder resist is preferably 0.0001% by mass to 10% by mass, and 0.0005% by mass with respect to the entire photosensitive composition. More preferably, it is -5 mass%, and it is still more preferable that it is 0.001 mass%-1 mass%.
If the content is less than 0.0001% by mass, it tends to be affected by external environmental factors such as fluctuations in environmental temperature, and the variation in line width may increase. On the contrary, the scattering of light increases and the variation in line width may increase.

<バインダー>
ソルダーレジストとしての感光性組成物に用いるバインダーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、特開昭51−131706号、特開昭52−94388号、特開昭64−62375号、特開平2−97513号、特開平3−289656号、特開平61−243869号、特開2002−296776号などの各公報に記載の酸性基を有するエポキシアクリレート化合物、並びに、側鎖に(メタ)アクリロイル基及び酸性基を有するビニル共重合体、エポキシアクリレート化合物と側鎖に(メタ)アクリロイル基及び酸性基を有するビニル共重合体、無水マレイン酸共重合体などが挙げられる。
また、前記回路形成用レジストとしての前記感光性組成物に含まれるバインダーとして例示されたものと同様のものを用いることができる。
<Binder>
The binder used in the photosensitive composition as the solder resist is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, JP-A-51-131706, JP-A-52-94388, Epoxy acrylate compounds having an acidic group described in JP-A No. 64-62375, JP-A-2-97513, JP-A-3-289656, JP-A-61-2243869, JP-A-2002-296976, and the like, , Vinyl copolymers having (meth) acryloyl group and acidic group in the side chain, vinyl copolymers having epoxy acrylate compound and (meth) acryloyl group and acidic group in the side chain, maleic anhydride copolymer, etc. It is done.
Moreover, the thing similar to what was illustrated as a binder contained in the said photosensitive composition as said resist for circuit formation can be used.

前記エポキシアクリレート化合物とは、エポキシ化合物由来の骨格を有し、かつ分子中にエチレン性不飽和二重結合とカルボキシル基を含有する化合物である。このような化合物は、例えば、多官能エポキシ化合物とカルボキシル基含有モノマーとを反応させ、更に多塩基酸無水物を付加させる方法などで得られる。   The epoxy acrylate compound is a compound having a skeleton derived from an epoxy compound and containing an ethylenically unsaturated double bond and a carboxyl group in the molecule. Such a compound can be obtained by, for example, a method of reacting a polyfunctional epoxy compound with a carboxyl group-containing monomer and further adding a polybasic acid anhydride.

前記多官能エポキシ化合物としては、例えば、ビキシレノール型もしくはビスフェノール型エポキシ樹脂(「YX4000;ジャパンエポキシレジン社製」等)又はこれらの混合物、イソシアヌレート骨格等を有する複素環式エポキシ樹脂(「TEPIC;日産化学工業社製」、「アラルダイトPT810;チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製」等)、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂、ハロゲン化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂(例えばテトラグリシジルジアミノジフェニルメタン等)、ヒダントイン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、グリシジルフタレート樹脂、テトラグリシジルキシレノイルエタン樹脂、ナフタレン基含有エポキシ樹脂(「ESN−190,ESN−360;新日鉄化学社製」、「HP−4032,EXA−4750,EXA−4700;大日本インキ化学工業社製」等)、ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂(「HP−7200,HP−7200H;大日本インキ化学工業社製」等);フェノール、o−クレゾール、ナフトール等のフェノール化合物と、フェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合反応により得られるポリフェノール化合物とエピクロルヒドリンとの反応物;フェノール化合物とジビニルベンゼンやジシクロペンタジエン等のジオレフィン化合物との付加反応によって得られるポリフェノール化合物と、エピクロルヒドリンとの反応物;4−ビニルシクロヘキセン−1−オキサイドの開環重合物を過酢酸等でエポキシ化したもの;トリグリシジルイソシアヌレート等の複素環を有するエポキシ樹脂;グリシジルメタアクリレート共重合系エポキシ樹脂(「CP−50S,CP−50M;日本油脂社製」等)、シクロヘキシルマレイミドとグリシジルメタアクリレートとの共重合エポキシ樹脂;フェノール及びクレゾールから選択される1種とp−ヒドロキシベンズアルデヒド縮合体をグリシジルエーテル化したエポキシ樹脂;ビス(グリシジルオキシフェニル)フルオレン型エポキシ樹脂;、ビス(グリシジルオキシフェニル)アダマンタン型エポキシ樹脂、などが挙げられる。これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。   Examples of the polyfunctional epoxy compound include a bixylenol type or bisphenol type epoxy resin (“YX4000; manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.”) or a mixture thereof, a heterocyclic epoxy resin having an isocyanurate skeleton (“TEPIC; NISSAN CHEMICAL INDUSTRY CO., LTD. "ALALDITE PT810; Ciba Specialty Chemicals" etc.), bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, phenol novolac Type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, halogenated phenol novolak type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin (eg, tetraglycidyldiaminodiphenylmethane), hydantoin Epoxy resin, alicyclic epoxy resin, trihydroxyphenylmethane type epoxy resin, bisphenol A novolac type epoxy resin, tetraphenylolethane type epoxy resin, glycidyl phthalate resin, tetraglycidyl xylenoyl ethane resin, naphthalene group-containing epoxy resin ( “ESN-190, ESN-360; manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.”, “HP-4032, EXA-4750, EXA-4700; manufactured by Dainippon Ink and Chemicals”, etc.), epoxy resins having a dicyclopentadiene skeleton (“HP -7200, HP-7200H; manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc. "); polyphenol compounds obtained by condensation reaction of phenolic compounds such as phenol, o-cresol, naphthol and aromatic aldehydes having phenolic hydroxyl groups and epi Reaction product of lorhydrin; reaction product of polyphenol compound obtained by addition reaction of phenol compound and diolefin compound such as divinylbenzene or dicyclopentadiene and epichlorohydrin; ring-opening polymer of 4-vinylcyclohexene-1-oxide Epoxidized with peracetic acid, etc .; epoxy resin having a heterocyclic ring such as triglycidyl isocyanurate; glycidyl methacrylate copolymer epoxy resin (“CP-50S, CP-50M; manufactured by NOF Corporation”), cyclohexyl Copolymerized epoxy resin of maleimide and glycidyl methacrylate; epoxy resin obtained by glycidyl etherification of one kind selected from phenol and cresol and p-hydroxybenzaldehyde condensate; bis (glycidyloxyphenyl) fluorene Type epoxy resin; bis (glycidyloxyphenyl) adamantane type epoxy resin; and the like. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

またカルボキシル基含有モノマーの例としては、例えば(メタ)アクリル酸、ビニル安息香酸、マレイン酸、マレイン酸モノアルキルエステル、フマル酸、イタコン酸、クロトン酸、桂皮酸、ソルビン酸、α−シアノ桂皮酸、アクリル酸ダイマー;この他、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート等の水酸基を有する単量体と無水マレイン酸、無水フタル酸、シクロヘキサンジカルボン酸無水物等の環状酸無水物との付加反応物;ハロゲン含有カルボン酸化合物との反応生成物、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレート、などが挙げられる。さらに、市販品としては、東亜合成化学工業(株)製のアロニックスM−5300、M−5400、M−5500およびM−5600、新中村化学工業(株)製のNKエステルCB−1およびCBX−1、共栄社油脂化学工業(株)製のHOA−MPおよびHOA−MS、大阪有機化学工業(株)製のビスコート#2100などを用いることができる。これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。   Examples of the carboxyl group-containing monomer include (meth) acrylic acid, vinyl benzoic acid, maleic acid, maleic acid monoalkyl ester, fumaric acid, itaconic acid, crotonic acid, cinnamic acid, sorbic acid, α-cyanocinnamic acid. Acrylic acid dimer; In addition, addition reaction product of a monomer having a hydroxyl group such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and a cyclic acid anhydride such as maleic anhydride, phthalic anhydride, cyclohexanedicarboxylic anhydride; The reaction product with a halogen-containing carboxylic acid compound, ω-carboxy-polycaprolactone mono (meth) acrylate, and the like can be mentioned. Further, commercially available products include Aronix M-5300, M-5400, M-5500 and M-5600 manufactured by Toa Synthetic Chemical Industry Co., Ltd., NK Esters CB-1 and CBX- manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. 1. Kyoeisha Yushi Chemical Co., Ltd. HOA-MP and HOA-MS, Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd. biscoat # 2100, etc. can be used. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

また、多塩基酸無水物としては、例えば、無水コハク酸、無水メチルコハク酸、無水2,3−ジメチルコハク酸、無水2,2−ジメチルコハク酸、無水エチルコハク酸、無水ドデセニルコハク酸、無水ノネニルコハク酸、無水マレイン酸、無水メチルマレイン酸、無水2,3−ジメチルマレイン酸、無水2−クロロマレイン酸、無水2,3−ジクロロマレイン酸、無水ブロモマレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、無水シスアコット酸、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、テトラクロロ無水フタル酸、テトラブロモ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、エンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、無水クロレンド酸および5−(2,5−ジオキソテトラヒドロフリル)−3−メチル−3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物などの二塩基酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸等の多塩基酸無水物なども使用できる。これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
それぞれを順次反応させて、エポキシアクリレートを得るが、それらを反応させる比率は、多官能エポキシ化合物のエポキシ基1当量に対して、カルボキシル基含有モノマーのカルボキシル基0.8〜1.2当量、好ましくは、0.9〜1.1当量であり、多塩基酸無水物0.1〜1.0当量、好ましくは、0.3〜1.0当量である。
Examples of the polybasic acid anhydride include succinic anhydride, methyl succinic anhydride, 2,3-dimethyl succinic anhydride, 2,2-dimethyl succinic anhydride, ethyl succinic anhydride, dodecenyl succinic anhydride, nonenyl succinic anhydride, Maleic anhydride, methylmaleic anhydride, 2,3-dimethylmaleic anhydride, 2-chloromaleic anhydride, 2,3-dichloromaleic anhydride, bromomaleic anhydride, itaconic anhydride, citraconic anhydride, cisaccot anhydride , Phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, tetrachlorophthalic anhydride, tetrabromophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, endomethylenetetrahydrophthalic anhydride, methylendomethylenetetrahydro Anhydrous phthalate Dibasic acid anhydrides such as chlorendic anhydride and 5- (2,5-dioxotetrahydrofuryl) -3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride Acids, polybasic acid anhydrides such as 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic acid and the like can also be used. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
Each of them is reacted in order to obtain an epoxy acrylate, and the ratio of reacting them is preferably 0.8 to 1.2 equivalents of carboxyl groups of the carboxyl group-containing monomer with respect to 1 equivalent of epoxy groups of the polyfunctional epoxy compound. Is 0.9-1.1 equivalent, 0.1-1.0 equivalent of polybasic acid anhydride, preferably 0.3-1.0 equivalent.

また、特開平5−70528号公報記載のフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート(カルボキシル基を有してはいない化合物)に酸無水物を付加させて得られる化合物なども本発明のエポキシアクリレートとして利用できる。   Also, compounds obtained by adding an acid anhydride to an epoxy acrylate having a fluorene skeleton (a compound having no carboxyl group) described in JP-A-5-70528 can be used as the epoxy acrylate of the present invention.

前記エポキシアクリレート化合物の分子量は、1,000〜100,000が好ましく、2,000〜50,000がより好ましい。該分子量が1,000未満であると、感光層表面のタック性が強くなることがあり、後述する感光層の硬化後において、膜質が脆くなる、あるいは、表面硬度が劣化することがあり、100,000を超えると、現像性が劣化することがある。また樹脂の合成も困難となる。   The molecular weight of the epoxy acrylate compound is preferably 1,000 to 100,000, and more preferably 2,000 to 50,000. When the molecular weight is less than 1,000, the tackiness of the surface of the photosensitive layer may become strong, and the film quality may become brittle or the surface hardness may deteriorate after curing of the photosensitive layer described later. If it exceeds 1,000, developability may deteriorate. Also, synthesis of the resin becomes difficult.

また、特開平6−295060号公報記載の酸性基、二重結合等の重合可能な基を少なくとも1つ有するアクリル樹脂も用いることができる。具体的には、分子内に少なくとも1つの重合可能な二重結合、例えば、(メタ)アクリレート基又は(メタ)アクリルアミド基等のアクリル基、カルボン酸のビニルエステル、ビニルエーテル、アリルエーテル等の各種重合性二重結合を用いることができる。より具体的には、酸性基としてカルボキシル基を含有するアクリル樹脂に、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、桂皮酸等の不飽和脂肪酸のグリシジルエステルや、同一分子中にシクロヘキセンオキシド等のエポキシ基と(メタ)アクリロイル基を有する化合物等のエポキシ基含有の重合性化合物を付加させて得られる化合物などが挙げられる。また、酸性基及び水酸基を含有するアクリル樹脂に、イソシアナートエチル(メタ)アクリレート等のイソシアネート基含有の重合性化合物を付加させて得られる化合物、無水物基を含有するアクリル樹脂に、ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート等の水酸基を含有する重合性化合物を付加させて得られる化合物なども挙げられる。   An acrylic resin having at least one polymerizable group such as an acidic group or a double bond described in JP-A-6-295060 can also be used. Specifically, at least one polymerizable double bond in the molecule, for example, an acrylic group such as a (meth) acrylate group or (meth) acrylamide group, various polymerizations such as vinyl ester of carboxylic acid, vinyl ether, allyl ether Sex double bonds can be used. More specifically, acrylic resins containing carboxyl groups as acidic groups, glycidyl esters of unsaturated fatty acids such as glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, cinnamic acid, and epoxy groups such as cyclohexene oxide in the same molecule (meth) Examples thereof include compounds obtained by adding an epoxy group-containing polymerizable compound such as a compound having an acryloyl group. In addition, a compound obtained by adding an isocyanate group-containing polymerizable compound such as isocyanate ethyl (meth) acrylate to an acrylic resin containing an acidic group and a hydroxyl group, an acrylic resin containing an anhydride group, a hydroxyalkyl ( Examples thereof include compounds obtained by adding a polymerizable compound containing a hydroxyl group such as (meth) acrylate.

さらに、前記バインダーとしては、側鎖に(メタ)アクリロイル基、及び酸性基を有するビニル共重合体を用いることができ、具体的には、例えば(1)酸性基を有するビニルモノマー、(2)必要に応じて後述する高分子反応に利用可能な官能基を有するビニルモノマー、及び(3)必要に応じてその他の共重合可能なビニルモノマーのビニル(共)重合で得られた(共)重合体を合成し、更に(4)該(共)重合体中の酸性基、又は高分子反応に利用可能な官能基の少なくとも1種に対して反応性を有する官能基と(メタ)アクリロイル基を有する化合物とを高分子反応させることによって得られる。   Furthermore, as the binder, a vinyl copolymer having a (meth) acryloyl group and an acidic group in the side chain can be used. Specifically, for example, (1) a vinyl monomer having an acidic group, (2) (Co) heavy obtained by vinyl (co) polymerization of a vinyl monomer having a functional group that can be used in the polymer reaction described later, if necessary, and (3) other copolymerizable vinyl monomers as necessary And (4) a (meth) acryloyl group and a functional group having reactivity with at least one of an acidic group in the (co) polymer or a functional group available for polymer reaction. It is obtained by polymer-reacting with a compound having it.

前記(1)酸性基を有するビニルモノマーの酸性基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基などが挙げられ、これらの中でもカルボキシル基が好ましい。カルボキシル基を有するビニルモノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸、ビニル安息香酸、マレイン酸、マレイン酸モノアルキルエステル、フマル酸、イタコン酸、クロトン酸、桂皮酸、アクリル酸ダイマー、水酸基を有する単量体(例えば、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート等)と環状無水物(例えば、無水マレイン酸や無水フタル酸、シクロヘキサンジカルボン酸無水物)との付加反応物、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレートなどが挙げられる。これらの中でも、共重合性やコスト、溶解性などの観点から(メタ)アクリル酸が特に好ましい。またこれらのモノマーは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
また、カルボキシル基の前駆体として無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸等の無水物を有するモノマーを用いてもよい。
There is no restriction | limiting in particular as an acidic group of the vinyl monomer which has said (1) acidic group, According to the objective, it can select suitably, For example, a carboxyl group, a sulfonic acid group, a phosphoric acid group etc. are mentioned, These Among these, a carboxyl group is preferable. Examples of the vinyl monomer having a carboxyl group include (meth) acrylic acid, vinyl benzoic acid, maleic acid, maleic acid monoalkyl ester, fumaric acid, itaconic acid, crotonic acid, cinnamic acid, acrylic acid dimer, and a monomer having a hydroxyl group. An addition reaction product of a monomer (for example, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate) and a cyclic anhydride (for example, maleic anhydride, phthalic anhydride, cyclohexanedicarboxylic anhydride), ω-carboxy-polycaprolactone mono ( And (meth) acrylate. Among these, (meth) acrylic acid is particularly preferable from the viewpoints of copolymerizability, cost, solubility, and the like. Moreover, these monomers may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
Moreover, you may use the monomer which has anhydrides, such as maleic anhydride, itaconic anhydride, and citraconic anhydride, as a precursor of a carboxyl group.

前記(2)の高分子反応に利用可能な官能基を有するビニルモノマーにおける、高分子反応に利用可能な官能基としては水酸基、アミノ基、イソシアネート基、エポキシ基、酸ハライド基、活性ハライド基、などが挙げられる。また前述(1)のカルボシキル基や酸無水物基も利用可能な官能基として挙げられる。   In the vinyl monomer having a functional group usable for the polymer reaction of (2), the functional group usable for the polymer reaction is a hydroxyl group, an amino group, an isocyanate group, an epoxy group, an acid halide group, an active halide group, Etc. Moreover, the carboxyl group and acid anhydride group of the above-mentioned (1) are also mentioned as usable functional groups.

前記水酸基を有するビニルモノマーとしては、例えば、前記構造式(4)〜(12)で表される化合物が挙げられる。   Examples of the vinyl monomer having a hydroxyl group include compounds represented by the structural formulas (4) to (12).

前記アミノ基を有するビニルモノマーとしては、例えば、ビニルベンジルアミン、アミノエチルメタクリレート、などが挙げられる。   Examples of the vinyl monomer having an amino group include vinyl benzylamine and aminoethyl methacrylate.

前記イソシアネート基を有するモノマーとしては、例えば、前記構造式(1)〜(3)で表される化合物が挙げられる。   Examples of the monomer having an isocyanate group include compounds represented by the structural formulas (1) to (3).

前記エポキシ基を有するビニルモノマーとしては、例えば、グリシジル(メタ)アクリレート、下記構造式(62)で表される化合物などが挙げられる。   Examples of the vinyl monomer having an epoxy group include glycidyl (meth) acrylate and a compound represented by the following structural formula (62).


但し、前記構造式(62)中、Rは水素原子又はメチル基を表す。

However, in the structural formula (62), R j represents a hydrogen atom or a methyl group.

前記酸ハライド基を有するビニルモノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸クロリド、などが挙げられる。
前記活性ハライド基を有するビニルモノマーとしては、例えば、クロロメチルスチレン、などが挙げられる。
また、前記各モノマーは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
Examples of the vinyl monomer having an acid halide group include (meth) acrylic acid chloride.
Examples of the vinyl monomer having an active halide group include chloromethylstyrene.
Moreover, each said monomer may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

前記(3)の必要に応じて用いられるその他の共重合可能なモノマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、(メタ)アクリル酸エステル類、クロトン酸エステル類、ビニルエステル類、マレイン酸ジエステル類、フマル酸ジエステル類、イタコン酸ジエステル類、(メタ)アクリルアミド類、ビニルエーテル類、ビニルアルコールのエステル類、スチレン類(例えば、スチレン、スチレン誘導体等)、(メタ)アクリロニトリル、ビニル基が置換した複素環式基(例えば、ビニルピリジン、ビニルピロリドン、ビニルカルバゾール等)、N−ビニルホルムアミド、N−ビニルアセトアミド、N−ビニルイミダゾール、ビニルカプロラクトン、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、リン酸モノ(2―アクリロイルオキシエチルエステル)、リン酸モノ(1−メチル−2―アクリロイルオキシエチルエステル)、官能基(例えば、ウレタン基、ウレア基、スルホンアミド基、イミド基)を有するビニルモノマーなどが挙げられる。   The other copolymerizable monomer used as necessary in (3) is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include (meth) acrylic acid esters and crotonic acid. Esters, vinyl esters, maleic diesters, fumaric diesters, itaconic diesters, (meth) acrylamides, vinyl ethers, vinyl alcohol esters, styrenes (eg, styrene, styrene derivatives, etc.), (Meth) acrylonitrile, heterocyclic groups substituted with vinyl groups (for example, vinylpyridine, vinylpyrrolidone, vinylcarbazole, etc.), N-vinylformamide, N-vinylacetamide, N-vinylimidazole, vinylcaprolactone, 2-acrylamide-2 -Methylpropanesulfonic acid, Vinyl monomers having mono (2-acryloyloxyethyl ester) acid, mono (1-methyl-2-acryloyloxyethyl ester) phosphate, and functional groups (eg, urethane group, urea group, sulfonamide group, imide group) Etc.

前記(メタ)アクリル酸エステル類としては、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、n−プロピル(メタ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、t−ブチル(メタ)アクリレート、n−ヘキシル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、t−ブチルシクロヘキシル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、t−オクチル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、オクタデシル(メタ)アクリレート、アセトキシエチル(メタ)アクリレート、フェニル(メタ)アクリレート、2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、2−エトキシエチル(メタ)アクリレート、2−(2−メトキシエトキシ)エチル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールモノメチルエーテル(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールモノエチルエーテル(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノエチルエーテル(メタ)アクリレート、β−フェノキシエトキシエチルアクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル(メタ)アクリレート、トリフロロエチル(メタ)アクリレート、オクタフロロペンチル(メタ)アクリレート、パーフロロオクチルエチル(メタ)アクリレート、トリブロモフェニル(メタ)アクリレート、トリブロモフェニルオキシエチル(メタ)アクリレートなどが挙げられる。   Examples of the (meth) acrylic acid esters include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, and isobutyl (meth) ) Acrylate, t-butyl (meth) acrylate, n-hexyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, t-butylcyclohexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, t-octyl (meth) acrylate, Dodecyl (meth) acrylate, octadecyl (meth) acrylate, acetoxyethyl (meth) acrylate, phenyl (meth) acrylate, 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate 2- (2-methoxyethoxy) ethyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, diethylene glycol monomethyl ether (meth) acrylate, diethylene glycol monoethyl ether (meth) acrylate, diethylene glycol monophenyl ether (meth) acrylate, triethylene Glycol monomethyl ether (meth) acrylate, triethylene glycol monoethyl ether (meth) acrylate, polyethylene glycol monomethyl ether (meth) acrylate, polyethylene glycol monoethyl ether (meth) acrylate, β-phenoxyethoxyethyl acrylate, nonylphenoxy polyethylene glycol ( (Meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dis Clopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxyethyl (meth) acrylate, trifluoroethyl (meth) acrylate, octafluoropentyl (meth) acrylate, perfluorooctylethyl (meth) acrylate, tribromophenyl (meth) acrylate, And tribromophenyloxyethyl (meth) acrylate.

前記クロトン酸エステル類としては、例えば、クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘキシルなどが挙げられる。   Examples of the crotonic acid esters include butyl crotonate and hexyl crotonate.

前記ビニルエステル類としては、例えば、ビニルアセテート、ビニルプロピオネート、ビニルブチレート、ビニルメトキシアセテート、安息香酸ビニルなどが挙げられる。   Examples of the vinyl esters include vinyl acetate, vinyl propionate, vinyl butyrate, vinyl methoxyacetate, vinyl benzoate, and the like.

前記マレイン酸ジエステル類としては、例えば、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジブチルなどが挙げられる。   Examples of the maleic acid diesters include dimethyl maleate, diethyl maleate, and dibutyl maleate.

前記フマル酸ジエステル類としては、例えば、フマル酸ジメチル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジブチルなどが挙げられる。   Examples of the fumaric acid diesters include dimethyl fumarate, diethyl fumarate, dibutyl fumarate and the like.

前記イタコン酸ジエステル類としては、例えば、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジブチルなどが挙げられる。   Examples of the itaconic acid diesters include dimethyl itaconate, diethyl itaconate, and dibutyl itaconate.

前記(メタ)アクリルアミド類としては、例えば、(メタ)アクリルアミド、N−メチル(メタ)アクリルアミド、N−エチル(メタ)アクリルアミド、N−プロピル(メタ)アクリルアミド、N−イソプロピル(メタ)アクリルアミド、N−n−ブチルアクリル(メタ)アミド、N−t−ブチル(メタ)アクリルアミド、N−シクロヘキシル(メタ)アクリルアミド、N−(2−メトキシエチル)(メタ)アクリルアミド、N,N−ジメチル(メタ)アクリルアミド、N,N−ジエチル(メタ)アクリルアミド、N−フェニル(メタ)アクリルアミド、N−ベンジル(メタ)アクリルアミド、(メタ)アクリロイルモルホリン、ジアセトンアクリルアミドなどが挙げられる。   Examples of the (meth) acrylamides include (meth) acrylamide, N-methyl (meth) acrylamide, N-ethyl (meth) acrylamide, N-propyl (meth) acrylamide, N-isopropyl (meth) acrylamide, N- n-butylacryl (meth) amide, Nt-butyl (meth) acrylamide, N-cyclohexyl (meth) acrylamide, N- (2-methoxyethyl) (meth) acrylamide, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, Examples thereof include N, N-diethyl (meth) acrylamide, N-phenyl (meth) acrylamide, N-benzyl (meth) acrylamide, (meth) acryloylmorpholine, diacetone acrylamide and the like.

前記スチレン類としては、例えば、前記スチレン、前記スチレン誘導体(例えば、メチルスチレン、ジメチルスチレン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、メトキシスチレン、ブトキシスチレン、アセトキシスチレン、クロロスチレン、ジクロロスチレン、ブロモスチレン、酸性物質により脱保護可能な基(例えば、t−Boc等)で保護されたヒドロキシスチレン、ビニル安息香酸メチル、α−メチルスチレン等)、などが挙げられる。   Examples of the styrenes include the styrene, the styrene derivatives (for example, methylstyrene, dimethylstyrene, trimethylstyrene, ethylstyrene, isopropylstyrene, butylstyrene, methoxystyrene, butoxystyrene, acetoxystyrene, chlorostyrene, dichlorostyrene, Bromostyrene, hydroxystyrene protected with a group deprotectable by an acidic substance (for example, t-Boc and the like), methyl vinylbenzoate, α-methylstyrene, and the like).

前記ビニルエーテル類としては、例えば、メチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、ヘキシルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテルなどが挙げられる。   Examples of the vinyl ethers include methyl vinyl ether, butyl vinyl ether, hexyl vinyl ether, and methoxyethyl vinyl ether.

前記官能基としてウレタン基又はウレア基を有するビニルモノマーの合成方法としては、例えば、イソシアナート基と水酸基又はアミノ基の付加反応が挙げられ、具体的には、イソシアナート基を有するモノマーと、水酸基を1個含有する化合物又は1級若しくは2級アミノ基を1個有する化合物との付加反応、水酸基を有するモノマー又は1級若しくは2級アミノ基を有するモノマーと、モノイソシアネートとの付加反応が挙げられる。   Examples of the method for synthesizing a vinyl monomer having a urethane group or a urea group as the functional group include an addition reaction of an isocyanate group and a hydroxyl group or an amino group. Specifically, a monomer having an isocyanate group, and a hydroxyl group An addition reaction with a compound containing 1 or a compound having one primary or secondary amino group, an addition reaction between a monomer having a hydroxyl group or a monomer having a primary or secondary amino group, and a monoisocyanate. .

前記イソシアナート基を有するモノマーとしては、例えば、前述の(2)に示したものと同様に、前記構造式(1)〜(3)で表される化合物が挙げられる。
前記モノイソシアネートとしては、例えば、シクロヘキシルイソシアネート、n−ブチルイソシアネート、トルイルイソシアネート、ベンジルイソシアネート、フェニルイソシアネート等が挙げられる。
前記水酸基を有するモノマーとしては、例えば、前述の(2)に示したものと同様に、前記構造式(4)〜(12)で表される化合物が挙げられる。
Examples of the monomer having an isocyanate group include compounds represented by the structural formulas (1) to (3), as in the above-described (2).
Examples of the monoisocyanate include cyclohexyl isocyanate, n-butyl isocyanate, toluyl isocyanate, benzyl isocyanate, and phenyl isocyanate.
Examples of the monomer having a hydroxyl group include compounds represented by the structural formulas (4) to (12) as in the above-described (2).

前記水酸基を1個含有する化合物としては、例えば、アルコール類(例えば、メタノール、エタノール、n−プロパノール、i−プロパノール、n−ブタノール、sec−ブタノール、t−ブタノール、n−ヘキサノール、2−エチルヘキサノール、n−デカノール、n−ドデカノール、n−オクタデカノール、シクロペンタノール、シクロへキサノール、ベンジルアルコール、フェニルエチルアルコール等)、フェノール類(例えば、フェノール、クレゾール、ナフトール等)、更に置換基を含むものとして、フロロエタノール、トリフロロエタノール、メトキシエタノール、フェノキシエタノール、クロロフェノール、ジクロロフェノール、メトキシフェノール、アセトキシフェノール等が挙げられる。   Examples of the compound containing one hydroxyl group include alcohols (for example, methanol, ethanol, n-propanol, i-propanol, n-butanol, sec-butanol, t-butanol, n-hexanol, 2-ethylhexanol). , N-decanol, n-dodecanol, n-octadecanol, cyclopentanol, cyclohexanol, benzyl alcohol, phenylethyl alcohol, etc.), phenols (eg, phenol, cresol, naphthol, etc.), and further containing substituents Examples thereof include fluoroethanol, trifluoroethanol, methoxyethanol, phenoxyethanol, chlorophenol, dichlorophenol, methoxyphenol, acetoxyphenol, and the like.

前記1級又は2級アミノ基を有するモノマーとしては、例えば、ビニルベンジルアミンなどが挙げられる。   Examples of the monomer having a primary or secondary amino group include vinylbenzylamine.

前記1級又は2級アミノ基を1個含有する化合物としては、例えば、アルキルアミン(メチルアミン、エチルアミン、n−プロピルアミン、i−プロピルアミン、n−ブチルアミン、sec−ブチルアミン、t−ブチルアミン、ヘキシルアミン、2−エチルヘキシルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、オクタデシルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジブチルアミン、ジオクチルアミン)、環状アルキルアミン(シクロペンチルアミン、シクロへキシルアミン等)、アラルキルアミン(ベンジルアミン、フェネチルアミン等)、アリールアミン(アニリン、トルイルアミン、キシリルアミン、ナフチルアミン等)、更にこれらの組合せ(N−メチル−N−ベンジルアミン等)、更に置換基を含むアミン(トリフロロエチルアミン、ヘキサフロロイソプロピルアミン、メトキシアニリン、メトキシプロピルアミン等)などが挙げられる。   Examples of the compound containing one primary or secondary amino group include alkylamines (methylamine, ethylamine, n-propylamine, i-propylamine, n-butylamine, sec-butylamine, t-butylamine, hexyl). Amine, 2-ethylhexylamine, decylamine, dodecylamine, octadecylamine, dimethylamine, diethylamine, dibutylamine, dioctylamine), cyclic alkylamine (cyclopentylamine, cyclohexylamine, etc.), aralkylamine (benzylamine, phenethylamine, etc.), Arylamines (aniline, toluylamine, xylylamine, naphthylamine, etc.), combinations thereof (N-methyl-N-benzylamine, etc.), and amines containing further substituents (trifluoroethylamino) , Hexafluoro isopropyl amine, methoxyaniline, methoxypropylamine and the like) and the like.

また、これらのモノマーは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
これらをビニル(共)重合させることにより酸性基、酸無水物基および必要に応じて水酸基、アミノ基、イソシアネート基、エポキシ基、酸ハライド基、活性ハライド基などを含有する(共)重合体が得られる。前記ビニル(共)重合体は、それぞれ相当するモノマーを公知の方法により常法に従って共重合させることで調製することができる。例えば、前記モノマーを適当な溶媒中に溶解し、ここにラジカル重合開始剤を添加して溶液中で重合させる方法(溶液重合法)を利用することにより調製することができる。また、水性媒体中に前記モノマーを分散させた状態でいわゆる乳化重合等で重合を利用することにより調製することができる。
このようにして得られた(共)重合体に対して、前記(4)として、これらの共重合体中の酸性基、及び必要に応じて水酸基、アミノ基、イソシアネート基、グリシジル基、酸ハライド基の少なくとも1種に対して反応性を有する官能基と(メタ)アクリロイル基を有する化合物とを高分子反応させることによって得られる。
Moreover, these monomers may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
By vinyl (co) polymerizing these, an (co) polymer containing an acid group, an acid anhydride group and, if necessary, a hydroxyl group, an amino group, an isocyanate group, an epoxy group, an acid halide group, an active halide group, etc. can get. The vinyl (co) polymer can be prepared by copolymerizing corresponding monomers according to a conventional method according to a conventional method. For example, it can be prepared by using a method (solution polymerization method) in which the monomer is dissolved in a suitable solvent and a radical polymerization initiator is added thereto to polymerize in a solution. Moreover, it can prepare by utilizing superposition | polymerization by what is called emulsion polymerization etc. in the state which disperse | distributed the said monomer in the aqueous medium.
With respect to the (co) polymer thus obtained, as the above (4), an acidic group in these copolymers and, if necessary, a hydroxyl group, an amino group, an isocyanate group, a glycidyl group, an acid halide It is obtained by polymer-reacting a functional group having reactivity with at least one of the groups and a compound having a (meth) acryloyl group.

前記該(4)の(共)重合体中の酸性基、又は高分子反応に利用可能な官能基の少なくとも1種に対して反応性を有する官能基と(メタ)アクリロイル基を有する化合物としては、前述の(2)に示した化合物などが利用できる。
これらの高分子反応を行なう場合の官能基の組合せの例としては、例えば、酸性基(カルボキシル基など)を有する共重合体とエポキシ基を有するビニルモノマーの組合せ、アミノ基を有する共重合体とエポキシ基を有するビニルモノマーの組合せ、アミノ基を有する共重合体とイソシアネート基を有するビニルモノマーの組合せ、水酸基を有する共重合体とイソシアネート基を有するビニルモノマーの組合せ、水酸基を有する共重合体と酸ハライド基を有するビニルモノマーの組合せ、アミノ基を有する共重合体と活性ハライド基を有するビニルモノマーの組合わせ、酸無水物基を有する共重合体と水酸基を有するビニルモノマーの組合せ、イソシアネート基を有する共重合体とアミノ基を有するビニルモノマーの組合せ、イソシアネート基を有する共重合体と水酸基を有するビニルモノマーの組合せ、活性ハライド基を有する共重合体とアミノ基を有するビニルモノマーの組合わせ、などが挙げられる。またこれらの組合せは2種以上を併用しても構わない。
As the compound having a (meth) acryloyl group and a functional group reactive to at least one of the acidic group in the (co) polymer of the above (4) or a functional group available for polymer reaction The compounds shown in (2) above can be used.
Examples of combinations of functional groups for performing these polymer reactions include, for example, a copolymer having an acidic group (such as a carboxyl group) and a vinyl monomer having an epoxy group, and a copolymer having an amino group Combination of vinyl monomer having epoxy group, combination of copolymer having amino group and vinyl monomer having isocyanate group, combination of copolymer having hydroxyl group and vinyl monomer having isocyanate group, copolymer having hydroxyl group and acid Combination of vinyl monomer having halide group, combination of copolymer having amino group and vinyl monomer having active halide group, combination of copolymer having acid anhydride group and vinyl monomer having hydroxyl group, having isocyanate group Combination of copolymer and vinyl monomer having amino group, isocyanate Combinations of vinyl monomer having a copolymer and a hydroxyl group with the combination of the vinyl monomer having a copolymer and an amino group having an active halide groups, and the like. Two or more of these combinations may be used in combination.

前記バインダーの市販品としては、例えば、「カネカレジンAXE;鐘淵化学工業(株)製」、「サイクロマー(CYCLOMER) A−200;ダイセル化学工業(株)製」、「サイクロマー(CYCLOMER) M−200;ダイセル化学工業(株)製」、「SPCP1X、SPCP2X、SPCP3X;昭和高分子(株)製」などを用いることができる。
更に、特開昭50−59315号公報記載のヒドロキシアルキルアクリレート又はヒドロキシアルキルメタクリレートとポリカルボン酸無水物及びエピハロヒドリンのいずれかとの反応物などを用いることができる。
Examples of commercially available binders include “Kaneka Resin AX; manufactured by Kaneka Chemical Co., Ltd.”, “CYCLOMER A-200; manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.”, and “CYCLOMER M”. -200; manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd. "," SPCP1X, SPCP2X, SPCP3X; manufactured by Showa Polymer Co., Ltd. "can be used.
Furthermore, a reaction product of hydroxyalkyl acrylate or hydroxyalkyl methacrylate described in JP-A No. 50-59315 and any of polycarboxylic acid anhydride and epihalohydrin can be used.

また、特開平5−70528号公報記載のフルオレン骨格を有するエポキシアクリレートに酸無水物を付加させて得られる化合物、特開平11−288087号公報記載のポリアミド(イミド)樹脂、特開平2−097502号公報や特開平11−282155号公報記載のポリイミド前駆体などを用いることができる。これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。   Further, a compound obtained by adding an acid anhydride to an epoxy acrylate having a fluorene skeleton described in JP-A-5-70528, a polyamide (imide) resin described in JP-A-11-288087, and JP-A-2-097502 Polyimide precursors described in Japanese Patent Laid-Open No. 11-282155, and the like can be used. These may be used individually by 1 type, and 2 or more types may be mixed and used for them.

前記アクリル樹脂、フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート、ポリアミド(イミド)、アミド基含有スチレン/酸無水物共重合体、あるいは、ポリイミド前駆体などのバインダーの分子量は、3,000〜500,000が好ましく、5,000〜100,000がより好ましい。該分子量が3,000未満であると、感光層表面のタック性が強くなることがあり、後述する感光層の硬化後において、膜質が脆くなる、あるいは、表面硬度が劣化することがあり、500,000を超えると、現像性が劣化することがある。   The molecular weight of the acrylic resin, epoxy acrylate having a fluorene skeleton, polyamide (imide), amide group-containing styrene / acid anhydride copolymer, or polyimide precursor is preferably 3,000 to 500,000, 5,000-100,000 are more preferable. When the molecular weight is less than 3,000, the tackiness of the surface of the photosensitive layer may become strong, and after curing of the photosensitive layer described later, the film quality may become brittle or the surface hardness may be deteriorated. If it exceeds 1,000, developability may deteriorate.

前記バインダーとしては、無水マレイン酸共重合体の無水物基に対して1級アミン化合物を1種以上反応させて得られる共重合体も利用できる。該共重合体は下記構造式(63)で表される、マレイン酸ハーフアミド構造を有するマレアミド酸ユニットBと、前記マレイン酸ハーフアミド構造を有しないユニットAと、を少なくとも含むマレアミド酸系共重合体であるのが好ましい。
前記ユニットAは1種であってもよいし、2種以上であってもよい。例えば、前記ユニットBが1種であるとすると、前記ユニットAが1種である場合には、前記マレアミド酸系共重合体が2元共重合体を意味することになり、前記ユニットAが2種である場合には、前記マレアミド酸系共重合体が3元共重合体を意味することになる。
前記ユニットAとしては、置換基を有していてもよいアリール基と、後述するビニル単量体であって、該ビニル単量体のホモポリマーのガラス転移温度(Tg)が80℃未満であるビニル単量体(c)との組合せが好適に挙げられる。
As the binder, a copolymer obtained by reacting one or more primary amine compounds with an anhydride group of a maleic anhydride copolymer can also be used. The copolymer is a maleamic acid copolymer having at least a maleamic acid unit B having a maleic acid half amide structure and a unit A not having the maleic acid half amide structure, represented by the following structural formula (63). It is preferably a coalescence.
The unit A may be one type or two or more types. For example, assuming that the unit B is one type, when the unit A is one type, the maleamic acid-based copolymer means a binary copolymer, and the unit A is 2 When it is a seed, the maleamic acid-based copolymer means a terpolymer.
The unit A is an aryl group which may have a substituent and a vinyl monomer described later, and the glass transition temperature (Tg) of the homopolymer of the vinyl monomer is less than 80 ° C. A combination with the vinyl monomer (c) is preferred.


ただし、前記構造式(63)中、R3i及びR4iは水素原子及び低級アルキル基のいずれかを表す。x及びyは繰り返し単位のモル分率を表し、例えば、前記ユニットAが1種の場合、xは85〜50モル%であり、yは15〜50モル%である。

However, in said structural formula (63), R <3i> and R <4i> represent either a hydrogen atom or a lower alkyl group. x and y represent the mole fraction of the repeating unit. For example, when the unit A is one, x is 85 to 50 mol%, and y is 15 to 50 mol%.

前記構造式(63)中、R1iとしては、例えば、(−COOR10i)、(−CONR11i12i)、置換基を有していてもよいアリール基、(−OCOR13i)、(−OR14i)、(−COR15i)などの置換基が挙げられる。ここで、上記R10i〜R15iは、各々独立に、水素原子(−H)、置換基を有していてもよいアルキル基、アリール基及びアラルキル基のいずれかを表す。該アルキル基、アリール基及びアラルキル基は、環状構造又は分岐構造を有していてもよい。
前記R10i〜R15iとしては、例えば、メチル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、n−ブチル、i−ブチル、sec−ブチル、t−ブチル、ペンチル、アリル、n−ヘキシル、シクロへキシル、2−エチルヘキシル、ドデシル、メトキシエチル、フェニル、メチルフェニル、メトキシフェニル、ベンジル、フェネチル、ナフチル、クロロフェニルなどが挙げられる。
前記構造式(63)中の前記R1iの具体例としては、例えば、フェニル、α−メチルフェニル、2−メチルフェニル、3−メチルフェニル、4−メチルフェニル、2,4−ジメチルフェニル等のベンゼン誘導体;n−プロピルオキシカルボニル、n−ブチルオキシカルボニル、ペンチルオキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル、n−ブチルオキシカルボニル、n−ヘキシルオキシカルボニル、2−エチルヘキシルオキシカルボニル、メチルオキシカルボニルなどが挙げられる。
In the structural formula (63), as R 1i , for example, (—COOR 10i ), (—CONR 11i R 12i ), an aryl group which may have a substituent, (—OCOR 13i ), (—OR 14i ), a substituent such as ( -COR15i ). Here, each of R 10i to R 15i independently represents any of a hydrogen atom (—H), an optionally substituted alkyl group, an aryl group, and an aralkyl group. The alkyl group, aryl group and aralkyl group may have a cyclic structure or a branched structure.
Examples of R 10i to R 15i include methyl, ethyl, n-propyl, i-propyl, n-butyl, i-butyl, sec-butyl, t-butyl, pentyl, allyl, n-hexyl, and cyclohexyl. 2-ethylhexyl, dodecyl, methoxyethyl, phenyl, methylphenyl, methoxyphenyl, benzyl, phenethyl, naphthyl, chlorophenyl and the like.
Specific examples of R 1i in the structural formula (63) include benzene such as phenyl, α-methylphenyl, 2-methylphenyl, 3-methylphenyl, 4-methylphenyl, and 2,4-dimethylphenyl. Derivatives: n-propyloxycarbonyl, n-butyloxycarbonyl, pentyloxycarbonyl, hexyloxycarbonyl, n-butyloxycarbonyl, n-hexyloxycarbonyl, 2-ethylhexyloxycarbonyl, methyloxycarbonyl and the like.

前記構造式(63)中の前記R2iとしては、置換基を有していてもよいアルキル基、アリール基、アラルキル基などが挙げられる。これらは、環状構造又は分岐構造を有していてもよい。前記Rの具体例としては、例えば、ベンジル、フェネチル、3−フェニル−1−プロピル、4−フェニル−1−ブチル、5−フェニル−1−ペンチル、6−フェニル−1−ヘキシル、α−メチルベンジル、2−メチルベンジル、3−メチルベンジル、4−メチルベンジル、2−(p−トリル)エチル、β―メチルフェネチル、1−メチル−3−フェニルプロピル、2−クロロベンジル、3−クロロベンジル、4−クロロベンジル、2−フロロベンジル、3−フロロベンジル、4−フロロベンジル、4−ブロモフェネチル、2−(2−クロロフェニル)エチル、2−(3−クロロフェニル)エチル、2−(4−クロロフェニル)エチル、2−(2−フロロフェニル)エチル、2−(3−フロロフェニル)エチル、2−(4−フロロフェニル)エチル、4−フロロ−α,α−ジメチルフェネチル、2−メトキシベンジル、3−メトキシベンジル、4−メトキシベンジル、2−エトキシベンジル、2−メトキシフェネチル、3−メトキシフェネチル、4−メトキシフェネチル、メチル、エチル、プロピル、i−プロピル、ブチル、t−ブチル、sec−ブチル、ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、オクチル、ラウリル、フェニル、1−ナフチル、メトキシメチル、2−メトキシエチル、2−エトキシエチル、3−メトキシプロピル、2−ブトキシエチル、2−シクロへキシルオキシエチル、3−エトキシプロピル、3−プロポキシプロピル、3−イソプロポキシプロピルアミンなどが挙げられる。 Examples of R 2i in Structural Formula (63) include an alkyl group, an aryl group, and an aralkyl group that may have a substituent. These may have a cyclic structure or a branched structure. Specific examples of R 2 include, for example, benzyl, phenethyl, 3-phenyl-1-propyl, 4-phenyl-1-butyl, 5-phenyl-1-pentyl, 6-phenyl-1-hexyl, and α-methyl. Benzyl, 2-methylbenzyl, 3-methylbenzyl, 4-methylbenzyl, 2- (p-tolyl) ethyl, β-methylphenethyl, 1-methyl-3-phenylpropyl, 2-chlorobenzyl, 3-chlorobenzyl, 4-chlorobenzyl, 2-fluorobenzyl, 3-fluorobenzyl, 4-fluorobenzyl, 4-bromophenethyl, 2- (2-chlorophenyl) ethyl, 2- (3-chlorophenyl) ethyl, 2- (4-chlorophenyl) Ethyl, 2- (2-fluorophenyl) ethyl, 2- (3-fluorophenyl) ethyl, 2- (4-fluorophenyl) Til, 4-fluoro-α, α-dimethylphenethyl, 2-methoxybenzyl, 3-methoxybenzyl, 4-methoxybenzyl, 2-ethoxybenzyl, 2-methoxyphenethyl, 3-methoxyphenethyl, 4-methoxyphenethyl, methyl, Ethyl, propyl, i-propyl, butyl, t-butyl, sec-butyl, pentyl, hexyl, cyclohexyl, heptyl, octyl, lauryl, phenyl, 1-naphthyl, methoxymethyl, 2-methoxyethyl, 2-ethoxyethyl, 3 -Methoxypropyl, 2-butoxyethyl, 2-cyclohexyloxyethyl, 3-ethoxypropyl, 3-propoxypropyl, 3-isopropoxypropylamine and the like.

前記バインダーは、特に、(a)無水マレイン酸と、(b)芳香族ビニル単量体と、(c)ビニル単量体であって、該ビニル単量体のホモポリマーのガラス転移温度(Tg)が80℃未満であるビニル単量体と、からなる共重合体の無水物基に対して1級アミン化合物を反応させて得られる共重合体であるのが好ましい。該(a)成分と、該(b)成分と、からなる共重合体では、後述する感光層の高い表面硬度を得ることはできるものの、ラミネート性の確保が困難になることがある。また、該(a)成分と、該(c)成分と、からなる共重合体では、ラミネート性は確保することができるものの、前記表面硬度の確保が困難になることがある。   The binder is, in particular, (a) maleic anhydride, (b) an aromatic vinyl monomer, and (c) a vinyl monomer, the glass transition temperature (Tg) of the homopolymer of the vinyl monomer. ) Is preferably a copolymer obtained by reacting a primary amine compound with an anhydride group of a copolymer comprising a vinyl monomer having a temperature of less than 80 ° C. A copolymer comprising the component (a) and the component (b) can obtain a high surface hardness of the photosensitive layer described later, but it may be difficult to ensure laminating properties. Moreover, in the copolymer which consists of this (a) component and this (c) component, although lamination property can be ensured, it may become difficult to ensure the said surface hardness.

−−(b)芳香族ビニル単量体−−
前記芳香族ビニル単量体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、本発明のパターン形成材料を用いて形成される感光層の表面硬度を高くすることができる点で、ホモポリマーのガラス転移温度(Tg)が80℃以上である化合物が好ましく、100℃以上である化合物がより好ましい。
前記芳香族ビニル単量体の具体例としては、例えば、スチレン(ホモポリマーのTg=100℃)、α−メチルスチレン(ホモポリマーのTg=168℃)、2−メチルスチレン(ホモポリマーのTg=136℃)、3−メチルスチレン(ホモポリマーのTg=97℃)、4−メチルスチレン(ホモポリマーのTg=93℃)、2,4−ジメチルスチレン(ホモポリマーのTg=112℃)などのスチレン誘導体が好適に挙げられる。これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
-(B) Aromatic vinyl monomer-
The aromatic vinyl monomer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. However, the surface hardness of the photosensitive layer formed using the pattern forming material of the present invention can be increased. In this respect, a compound having a glass transition temperature (Tg) of the homopolymer of 80 ° C. or higher is preferable, and a compound of 100 ° C. or higher is more preferable.
Specific examples of the aromatic vinyl monomer include, for example, styrene (homopolymer Tg = 100 ° C.), α-methylstyrene (homopolymer Tg = 168 ° C.), 2-methylstyrene (homopolymer Tg = 136 ° C.), 3-methylstyrene (homopolymer Tg = 97 ° C.), 4-methylstyrene (homopolymer Tg = 93 ° C.), 2,4-dimethylstyrene (homopolymer Tg = 112 ° C.) Preferred examples include derivatives. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

−−(c)ビニル単量体−−
前記ビニル単量体は、該ビニル単量体のホモポリマーのガラス転移温度(Tg)が80℃未満であることが必要であり、40℃以下が好ましく、0℃以下がより好ましい。
前記ビニル単量体としては、例えば、n−プロピルアクリレート(ホモポリマーのTg=−37℃)、n−ブチルアクリレート(ホモポリマーのTg=−54℃)、ペンチルアクリレート、あるいはヘキシルアクリレート(ホモポリマーのTg=−57℃)、n−ブチルメタクリレート(ホモポリマーのTg=−24℃)、n−ヘキシルメタクリレート(ホモポリマーのTg=−5℃)などが挙げられる。これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
-(C) Vinyl monomer--
The vinyl monomer is required to have a glass transition temperature (Tg) of a homopolymer of the vinyl monomer of less than 80 ° C., preferably 40 ° C. or less, and more preferably 0 ° C. or less.
Examples of the vinyl monomer include n-propyl acrylate (homopolymer Tg = −37 ° C.), n-butyl acrylate (homopolymer Tg = −54 ° C.), pentyl acrylate, or hexyl acrylate (homopolymer acrylate). Tg = −57 ° C.), n-butyl methacrylate (Tg of homopolymer = −24 ° C.), n-hexyl methacrylate (Tg of homopolymer = −5 ° C.), and the like. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

−−1級アミン化合物−−
前記1級アミン化合物としては、例えば、ベンジルアミン、フェネチルアミン、3−フェニル−1−プロピルアミン、4−フェニル−1−ブチルアミン、5−フェニル−1−ペンチルアミン、6−フェニル−1−ヘキシルアミン、α−メチルベンジルアミン、2−メチルベンジルアミン、3−メチルベンジルアミン、4−メチルベンジルアミン、2−(p−トリル)エチルアミン、β−メチルフェネチルアミン、1−メチル−3−フェニルプロピルアミン、2−クロロベンジルアミン、3−クロロベンジルアミン、4−クロロベンジルアミン、2−フロロベンジルアミン、3−フロロベンジルアミン、4−フロロベンジルアミン、4−ブロモフェネチルアミン、2−(2−クロロフェニル)エチルアミン、2−(3−クロロフェニル)エチルアミン、2−(4−クロロフェニル)エチルアミン、2−(2−フロロフェニル)エチルアミン、2−(3−フロロフェニル)エチルアミン、2−(4−フロロフェニル)エチルアミン、4−フロロ−α,α−ジメチルフェネチルアミン、2−メトキシベンジルアミン、3−メトキシベンジルアミン、4−メトキシベンジルアミン、2−エトキシベンジルアミン、2−メトキシフェネチルアミン、3−メトキシフェネチルアミン、4−メトキシフェネチルアミン、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、1−プロピルアミン、ブチルアミン、t−ブチルアミン、sec−ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ラウリルアミン、アニリン、オクチルアニリン、アニシジン、4−クロルアニリン、1−ナフチルアミン、メトキシメチルアミン、2−メトキシエチルアミン、2−エトキシエチルアミン、3−メトキシプロピルアミン、2−ブトキシエチルアミン、2−シクロヘキシルオキシエチルアミン、3−エトキシプロピルアミン、3−プロポキシプロピルアミン、3−イソプロポキシプロピルアミンなどが挙げられる。これらの中でも、ベンジルアミン、フェネチルアミンが特に好ましい。
前記1級アミン化合物は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
-Primary amine compound-
Examples of the primary amine compound include benzylamine, phenethylamine, 3-phenyl-1-propylamine, 4-phenyl-1-butylamine, 5-phenyl-1-pentylamine, 6-phenyl-1-hexylamine, α-methylbenzylamine, 2-methylbenzylamine, 3-methylbenzylamine, 4-methylbenzylamine, 2- (p-tolyl) ethylamine, β-methylphenethylamine, 1-methyl-3-phenylpropylamine, 2-chloro Benzylamine, 3-chlorobenzylamine, 4-chlorobenzylamine, 2-fluorobenzylamine, 3-fluorobenzylamine, 4-fluorobenzylamine, 4-bromophenethylamine, 2- (2-chlorophenyl) ethylamine, 2- ( 3-Chlorophenyl) ethyla Min, 2- (4-chlorophenyl) ethylamine, 2- (2-fluorophenyl) ethylamine, 2- (3-fluorophenyl) ethylamine, 2- (4-fluorophenyl) ethylamine, 4-fluoro-α, α-dimethyl Phenethylamine, 2-methoxybenzylamine, 3-methoxybenzylamine, 4-methoxybenzylamine, 2-ethoxybenzylamine, 2-methoxyphenethylamine, 3-methoxyphenethylamine, 4-methoxyphenethylamine, methylamine, ethylamine, propylamine, 1 -Propylamine, butylamine, t-butylamine, sec-butylamine, pentylamine, hexylamine, cyclohexylamine, heptylamine, octylamine, laurylamine, aniline, octylaniline, anisi Gin, 4-chloroaniline, 1-naphthylamine, methoxymethylamine, 2-methoxyethylamine, 2-ethoxyethylamine, 3-methoxypropylamine, 2-butoxyethylamine, 2-cyclohexyloxyethylamine, 3-ethoxypropylamine, 3- Examples thereof include propoxypropylamine and 3-isopropoxypropylamine. Among these, benzylamine and phenethylamine are particularly preferable.
The said primary amine compound may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

前記1級アミン化合物の反応量としては、前記無水物基に対して0.1〜1.2当量であることが必要であり、0.1〜1.0当量が好ましい。該反応量が1.2当量を超えると、前記1級アミン化合物を1種以上反応させた場合に、溶解性が著しく悪化することがある。   The reaction amount of the primary amine compound needs to be 0.1 to 1.2 equivalents relative to the anhydride group, and preferably 0.1 to 1.0 equivalents. When the reaction amount exceeds 1.2 equivalents, the solubility may be significantly deteriorated when one or more primary amine compounds are reacted.

前記(a)無水マレイン酸の前記バインダーにおける含有量は、15〜50mol%が好ましく、20〜45mol%がより好ましく、20〜40mol%が特に好ましい。該含有量が15mol%未満であると、アルカリ現像性の付与ができず、50mol%を超えると、耐アルカリ性が劣化し、また、前記共重合体の合成が困難になり、正常な永久パターンの形成を行うことができないことがある。また、この場合における、前記(b)芳香族ビニル単量体、及び(c)ホモポリマーのガラス転移温度(Tg)が80℃未満であるビニル単量体の前記バインダーにおける含有量は、それぞれ20〜60mol%、15〜40mol%が好ましい。該含有量が該数値範囲を満たす場合には、表面硬度及びラミネート性の両立を図ることができる。   The content of the (a) maleic anhydride in the binder is preferably 15 to 50 mol%, more preferably 20 to 45 mol%, particularly preferably 20 to 40 mol%. When the content is less than 15 mol%, alkali developability cannot be imparted, and when it exceeds 50 mol%, alkali resistance deteriorates and synthesis of the copolymer becomes difficult, resulting in a normal permanent pattern. Formation may not be possible. In this case, the content of (b) the aromatic vinyl monomer and (c) the vinyl monomer having a glass transition temperature (Tg) of the homopolymer of less than 80 ° C. in the binder is 20 respectively. -60 mol% and 15-40 mol% are preferable. When the content satisfies the numerical range, both surface hardness and laminating properties can be achieved.

前記アクリル樹脂、フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート、ポリアミド(イミド)、前記無水マレイン酸共重合体の無水物基に1級アミン化合物を反応させた化合物、あるいは、ポリイミド前駆体などのバインダーの分子量は、3,000〜500,000が好ましく、5,000〜100,000がより好ましい。該分子量が3,000未満であると、感光層表面のタック性が強くなることがあり、後述する感光層の硬化後において、膜質が脆くなる、あるいは、表面硬度が劣化することがあり、500,000を超えると、現像性が劣化することがある。   The molecular weight of the acrylic resin, epoxy acrylate having a fluorene skeleton, polyamide (imide), a compound obtained by reacting an anhydride group of the maleic anhydride copolymer with a primary amine compound, or a binder such as a polyimide precursor, 3,000 to 500,000 are preferable, and 5,000 to 100,000 are more preferable. When the molecular weight is less than 3,000, the tackiness of the surface of the photosensitive layer may become strong, and after curing of the photosensitive layer described later, the film quality may become brittle or the surface hardness may be deteriorated. If it exceeds 1,000, developability may deteriorate.

前記バインダーの前記感光性組成物中の固形分含有量は、5〜80質量%が好ましく、10〜70質量%がより好ましい。該固形分含有量が、5質量%未満であると、感光層の膜強度が弱くなりやすく、該感光層の表面のタック性が悪化することがあり、50質量%を超えると、露光感度が低下することがある。   5-80 mass% is preferable and, as for solid content content in the said photosensitive composition of the said binder, 10-70 mass% is more preferable. When the solid content is less than 5% by mass, the film strength of the photosensitive layer tends to be weak, and the tackiness of the surface of the photosensitive layer may be deteriorated. When it exceeds 50% by mass, the exposure sensitivity is increased. May decrease.

<重合性化合物>
前記重合性化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、分子中に少なくとも1個の付加重合可能な基を有し、沸点が常圧で100℃以上である化合物が好ましく、前記回路形成用レジストとしての前記感光性組成物に含まれる重合性化合物として例示されたものと同様のものを用いることができ、例えば、(メタ)アクリル基を有するモノマーから選択される少なくとも1種が好適に挙げられる。
<Polymerizable compound>
The polymerizable compound is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. However, the polymerizable compound has at least one addition-polymerizable group in the molecule and has a boiling point of 100 ° C. or higher at normal pressure. The compound is preferable, and the same compounds as those exemplified as the polymerizable compound contained in the photosensitive composition as the circuit forming resist can be used. For example, the compound is selected from monomers having a (meth) acryl group. Suitable examples include at least one of the above.

前記(メタ)アクリル基を有するモノマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート等の単官能アクリレートや単官能メタクリレート;ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールエタントリアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(アクリロイルオキシプロピル)エーテル、トリ(アクリロイルオキシエチル)イソシアヌレート、トリ(アクリロイルオキシエチル)シアヌレート、グリセリントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンやグリセリン、ビスフェノール等の多官能アルコールに、エチレンオキサイドやプロピレンオキサイドを付加反応した後で(メタ)アクリレート化したもの、特公昭48−41708号、特公昭50−6034号、特開昭51−37193号等の各公報に記載されているウレタンアクリレート類;特開昭48−64183号、特公昭49−43191号、特公昭52−30490号等の各公報に記載されているポリエステルアクリレート類;エポキシ樹脂と(メタ)アクリル酸の反応生成物であるエポキシアクリレート類等の多官能アクリレートやメタクリレートなどが挙げられる。これらの中でも、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレートが特に好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as a monomer which has the said (meth) acryl group, According to the objective, it can select suitably, For example, polyethyleneglycol mono (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) ) Monofunctional acrylates and monofunctional methacrylates such as acrylates; polyethylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, trimethylolethane triacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane diacrylate, neopentylglycol di (Meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (Meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, hexanediol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (acryloyloxypropyl) ether, tri (acryloyloxyethyl) isocyanurate, tri (acryloyloxyethyl) cyanurate, glycerin Poly (functional) alcohols such as tri (meth) acrylate, trimethylolpropane, glycerin, bisphenol, etc., which are subjected to addition reaction with ethylene oxide and propylene oxide, and converted to (meth) acrylate, Japanese Patent Publication No. 48-41708, Japanese Patent Publication No. 50- Urethane acrylates described in JP-A-6034, JP-A-51-37193, etc .; JP-A-48-64183, JP-B-49-43191, JP-B-52-30 Polyester acrylates described in each publication of such 90 No.; and epoxy resin and (meth) polyfunctional acrylates or methacrylates such as epoxy acrylates which are reaction products of acrylic acid. Among these, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and dipentaerythritol penta (meth) acrylate are particularly preferable.

前記重合性化合物の前記感光性組成物固形分中の固形分含有量は、5〜50質量%が好ましく、10〜40質量%がより好ましい。該固形分含有量が5質量%未満であると、現像性の悪化、露光感度の低下などの問題を生ずることがあり、50質量%を超えると、感光層の粘着性が強くなりすぎることがあり、好ましくない。   5-50 mass% is preferable and, as for solid content in the said photosensitive composition solid content of the said polymeric compound, 10-40 mass% is more preferable. If the solid content is less than 5% by mass, problems such as deterioration of developability and reduction in exposure sensitivity may occur, and if it exceeds 50% by mass, the adhesiveness of the photosensitive layer may become too strong. Yes, not preferred.

<光重合開始剤>
光重合開始剤としては、前記重合性化合物の重合を開始する能力を有する限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記回路形成用レジストとしての前記感光性組成物に含まれる光重合開始剤として例示されたものと同様のものを用いることができる。
<Photopolymerization initiator>
The photopolymerization initiator is not particularly limited as long as it has the ability to initiate polymerization of the polymerizable compound, and can be appropriately selected depending on the purpose. For example, the photosensitive composition as the circuit forming resist The thing similar to what was illustrated as a photoinitiator contained in a thing can be used.

前記光重合開始剤は、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
前記光重合開始剤の特に好ましい例としては、後述する露光において、波長が405nmのレーザ光に対応可能である、前記ホスフィンオキサイド類、前記α−アミノアルキルケトン類、前記トリアジン骨格を有するハロゲン化炭化水素化合物と後述する増感剤としてのアミン化合物とを組合せた複合光開始剤、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、あるいは、チタノセンなどが挙げられる。
The said photoinitiator may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
Particularly preferred examples of the photopolymerization initiator include halogenated carbonization having the phosphine oxides, the α-aminoalkyl ketones, and the triazine skeleton, which can handle laser light having a wavelength of 405 nm in the later-described exposure. Examples include a composite photoinitiator, a hexaarylbiimidazole compound, or titanocene, which is a combination of a hydrogen compound and an amine compound as a sensitizer described later.

前記光重合開始剤の前記パターン形成材料における固形分含有量としては、0.1〜30質量%が好ましく、0.5〜20質量%がより好ましく、0.5〜15質量%が特に好ましい。   As solid content in the said pattern formation material of the said photoinitiator, 0.1-30 mass% is preferable, 0.5-20 mass% is more preferable, 0.5-15 mass% is especially preferable.

<熱架橋剤>
前記熱架橋剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記感光層の硬化後の膜強度を改良するために、現像性等に悪影響を与えない範囲で、例えば、1分子内に少なくとも2つのオキシラン基を有するエポキシ化合物、1分子内に少なくとも2つのオキセタニル基を有するオキセタン化合物を用いることができる。
前記1分子中に少なくとも2つのオキシラン環を有するエポキシ化合物としては、例えば、ビキシレノール型もしくはビフェノール型エポキシ樹脂(「YX4000ジャパンエポキシレジン社製」等)又はこれらの混合物、イソシアヌレート骨格等を有する複素環式エポキシ樹脂(「TEPIC;日産化学工業社製」、「アラルダイトPT810;チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製」等)、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂(例えば低臭素化エポキシ樹脂、高ハロゲン化エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂など)、アリル基含有ビスフェノールA型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂、ジフェニルジメタノール型エポキシ樹脂、フェノールビフェニレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂(「HP−7200,HP−7200H;大日本インキ化学工業社製」等)、グリシジルアミン型エポキシ樹脂(ジアミノジフェニルメタン型エポキシ樹脂、ジグリシジルアニリン、トリグリシジルアミノフェノール等)、グリジジルエステル型エポキシ樹脂(フタル酸ジグリシジルエステル、アジピン酸ジグリシジルエステル、ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル、ダイマー酸ジグリシジルエステル等)ヒダントイン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂(3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3’、4’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ビス(3,4−エポキシシクロヘキシルメチル)アジペート、ジシクロペンタジエンジエポキシド、「GT−300、GT−400、ZEHPE3150;ダイセル化学工業製」等、)、イミド型脂環式エポキシ樹脂、トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、グリシジルフタレート樹脂、テトラグリシジルキシレノイルエタン樹脂、ナフタレン基含有エポキシ樹脂(ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、4官能ナフタレン型エポキシ樹脂、市販品としては「ESN−190,ESN−360;新日鉄化学社製」、「HP−4032,EXA−4750,EXA−4700;大日本インキ化学工業社製」等)、フェノール化合物とジビニルベンゼンやジシクロペンタジエン等のジオレフィン化合物との付加反応によって得られるポリフェノール化合物と、エピクロルヒドリンとの反応物、4−ビニルシクロヘキセン−1−オキサイドの開環重合物を過酢酸等でエポキシ化したもの、線状含リン構造を有するエポキシ樹脂、環状含リン構造を有するエポキシ樹脂、α―メチルスチルベン型液晶エポキシ樹脂、ジベンゾイルオキシベンゼン型液晶エポキシ樹脂、アゾフェニル型液晶エポキシ樹脂、アゾメチンフェニル型液晶エポキシ樹脂、ビナフチル型液晶エポキシ樹脂、アジン型エポキシ樹脂、グリシジルメタアクリレート共重合系エポキシ樹脂(「CP−50S,CP−50M;日本油脂社製」等)、シクロヘキシルマレイミドとグリシジルメタアクリレートとの共重合エポキシ樹脂、ビス(グリシジルオキシフェニル)フルオレン型エポキシ樹脂、ビス(グリシジルオキシフェニル)アダマンタン型エポキシ樹脂などが挙げられるが、これらに限られるものではない。これらのエポキシ樹脂は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
<Thermal crosslinking agent>
The thermal crosslinking agent is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose.For example, in order to improve the film strength after curing of the photosensitive layer, it does not adversely affect developability, for example, An epoxy compound having at least two oxirane groups in one molecule and an oxetane compound having at least two oxetanyl groups in one molecule can be used.
Examples of the epoxy compound having at least two oxirane rings in one molecule include, for example, a bixylenol type or biphenol type epoxy resin (“YX4000 Japan Epoxy Resin” etc.) or a mixture thereof, a complex having an isocyanurate skeleton, etc. Cyclic epoxy resins ("TEPIC; manufactured by Nissan Chemical Industries", "Araldite PT810; manufactured by Ciba Specialty Chemicals"), bisphenol A type epoxy resin, novolac type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, halogenated epoxy resin (for example, low brominated epoxy resin, high halogenated epoxy resin, odor Phenol novolac type epoxy resin), allyl group-containing bisphenol A type epoxy resin, trisphenol methane type epoxy resin, diphenyldimethanol type epoxy resin, phenol biphenylene type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin ("HP-7200, HP-7200H; manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), glycidylamine type epoxy resin (diaminodiphenylmethane type epoxy resin, diglycidylaniline, triglycidylaminophenol, etc.), glycidyl ester type epoxy resin (phthalic acid diglycidyl ester) Adipic acid diglycidyl ester, hexahydrophthalic acid diglycidyl ester, dimer acid diglycidyl ester, etc.) hydantoin type epoxy resin, alicyclic epoxy resin (3,4 Poxycyclohexylmethyl-3 ′, 4′-epoxycyclohexanecarboxylate, bis (3,4-epoxycyclohexylmethyl) adipate, dicyclopentadiene diepoxide, “GT-300, GT-400, ZEHPE3150; manufactured by Daicel Chemical Industries”, etc. )), Imide type alicyclic epoxy resin, trihydroxyphenylmethane type epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, tetraphenylolethane type epoxy resin, glycidyl phthalate resin, tetraglycidyl xylenoyl ethane resin, naphthalene group-containing epoxy Resin (naphthol aralkyl type epoxy resin, naphthol novolac type epoxy resin, tetrafunctional naphthalene type epoxy resin, commercially available products such as “ESN-190, ESN-360; manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.” HP-4032, EXA-4750, EXA-4700; manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), polyphenol compounds obtained by addition reaction of phenol compounds with diolefin compounds such as divinylbenzene and dicyclopentadiene, and epichlorohydrin A reaction product of 4-vinylcyclohexene-1-oxide obtained by epoxidation with peracetic acid, an epoxy resin having a linear phosphorus-containing structure, an epoxy resin having a cyclic phosphorus-containing structure, α-methylstilbene Type liquid crystal epoxy resin, dibenzoyloxybenzene type liquid crystal epoxy resin, azophenyl type liquid crystal epoxy resin, azomethine phenyl type liquid crystal epoxy resin, binaphthyl type liquid crystal epoxy resin, azine type epoxy resin, glycidyl methacrylate copolymer epoxy resin ("CP- 5 0S, CP-50M; manufactured by NOF Corporation, etc.), copolymerized epoxy resin of cyclohexylmaleimide and glycidyl methacrylate, bis (glycidyloxyphenyl) fluorene type epoxy resin, bis (glycidyloxyphenyl) adamantane type epoxy resin, etc. Although it is mentioned, it is not restricted to these. These epoxy resins may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

また、1分子中に少なくとも2つのオキシラン環を有する前記エポキシ化合物以外に、β位にアルキル基を有するエポキシ基を少なくとも1分子中に2つ含むエポキシ化合物を用いることが出来、β位がアルキル基で置換されたエポキシ基(より具体的には、β−アルキル置換グリシジル基など)を含む化合物が特に好ましい。
前記β位にアルキル基を有するエポキシ基を少なくとも含むエポキシ化合物は、1分子中に含まれる2個以上のエポキシ基のすべてがβ−アルキル置換グリシジル基であってもよく、少なくとも1個のエポキシ基がβ−アルキル置換グリシジル基であってもよい。
In addition to the epoxy compound having at least two oxirane rings in one molecule, an epoxy compound containing at least two epoxy groups having an alkyl group at the β-position can be used, and the β-position is an alkyl group. Particularly preferred is a compound containing an epoxy group substituted with a (specifically, a β-alkyl-substituted glycidyl group or the like).
In the epoxy compound containing at least an epoxy group having an alkyl group at the β-position, all of two or more epoxy groups contained in one molecule may be a β-alkyl-substituted glycidyl group, and at least one epoxy group May be a β-alkyl-substituted glycidyl group.

前記β位にアルキル基を有するエポキシ基を含むエポキシ化合物は、室温における保存安定性の観点から、前記感光性組成物中に含まれる前記エポキシ化合物全量中における、全エポキシ基中のβ−アルキル置換グリシジル基の割合が、30%以上であるのが好ましく、40%以上であるのがより好ましく、50%以上であるのが特に好ましい。
前記β−アルキル置換グリシジル基としては、特に制限は無く、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、β−メチルグリシジル基、β−エチルグリシジル基、β−プロピルグリシジル基、β−ブチルグリシジル基、などが挙げられ、これらの中でも、前記感光性樹脂組成物の保存安定性を向上させる観点、及び合成の容易性の観点から、β−メチルグリシジル基が好ましい。
From the viewpoint of storage stability at room temperature, the epoxy compound containing an epoxy group having an alkyl group at the β-position is substituted with β-alkyl in all epoxy groups in the total amount of the epoxy compound contained in the photosensitive composition. The proportion of glycidyl groups is preferably 30% or more, more preferably 40% or more, and particularly preferably 50% or more.
The β-alkyl-substituted glycidyl group is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include β-methylglycidyl group, β-ethylglycidyl group, β-propylglycidyl group, β-butylglycidyl group. Among these, a β-methylglycidyl group is preferred from the viewpoint of improving the storage stability of the photosensitive resin composition and the ease of synthesis.

前記β位にアルキル基を有するエポキシ基を含むエポキシ化合物としては、例えば、多価フェノール化合物とβ−アルキルエピハロヒドリンとから誘導されたエポキシ化合物が好ましい。   As the epoxy compound containing an epoxy group having an alkyl group at the β-position, for example, an epoxy compound derived from a polyhydric phenol compound and a β-alkylepihalohydrin is preferable.

前記β−アルキルエピハロヒドリンとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、β−メチルエピクロロヒドリン、β−メチルエピブロモヒドリン、β−メチルエピフロロヒドリン等のβ−メチルエピハロヒドリン;β−エチルエピクロロヒドリン、β−エチルエピブロモヒドリン、β−エチルエピフロロヒドリン等のβ−エチルエピハロヒドリン;β−プロピルエピクロロヒドリン、β−プロピルエピブロモヒドリン、β−プロピルエピフロロヒドリン等のβ−プロピルエピハロヒドリン;β−ブチルエピクロロヒドリン、β−ブチルエピブロモヒドリン、β−ブチルエピフロロヒドリン等のβ−ブチルエピハロヒドリン;などが挙げられる。これらの中でも、前記多価フェノールとの反応性及び流動性の観点から、β−メチルエピハロヒドリンが好ましい。   The β-alkylepihalohydrin is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, β-methylepichlorohydrin, β-methylepibromohydrin, β-methylepifluorohydrin, etc. Β-methyl epihalohydrin, β-ethyl epichlorohydrin, β-ethyl epibromohydrin, β-ethyl epihalohydrin, such as β-ethyl epihalohydrin, β-propyl epichlorohydrin, β-propyl epibromohydrin Β-propyl epihalohydrin such as phosphorus and β-propyl epifluorohydrin; β-butyl epihalohydrin such as β-butyl epichlorohydrin, β-butyl epibromohydrin, β-butyl epifluorohydrin; . Among these, β-methylepihalohydrin is preferable from the viewpoint of reactivity with the polyhydric phenol and fluidity.

前記多価フェノール化合物としては、1分子中に2以上の芳香族性水酸基を含有する化合物であれば、特に制限は無く、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS等のビスフェノール化合物、ビフェノール、テトラメチルビフェノール等のビフェノール化合物、ジヒドロキシナフタレン、ビナフトール等のナフトール化合物、フェノール−ホルムアルデヒド重縮合物等のフェノールノボラック樹脂、クレゾール−ホルムアルデヒド重縮合物等の炭素数1〜10のモノアルキル置換フェノール−ホルムアルデヒド重縮合物、キシレノール−ホルムアルデヒド重縮合物等の炭素数1〜10のジアルキル置換フェノール−ホルムアルデヒド重縮合物、ビスフェノールA−ホルムアルデヒド重縮合物等のビスフェノール化合物−ホルムアルデヒド重縮合物、フェノールと炭素数1〜10のモノアルキル置換フェノールとホルムアルデヒドとの共重縮合物、フェノール化合物とジビニルベンゼンの重付加物などが挙げられる。これらの中でも、例えば、流動性及び保存安定性を向上させる目的で選択する場合には、前記ビスフェノール化合物が好ましい。   The polyhydric phenol compound is not particularly limited as long as it is a compound containing two or more aromatic hydroxyl groups in one molecule, and can be appropriately selected according to the purpose. For example, bisphenol A, bisphenol F Bisphenol compounds such as bisphenol S, biphenol compounds such as biphenol and tetramethylbiphenol, naphthol compounds such as dihydroxynaphthalene and binaphthol, phenol novolac resins such as phenol-formaldehyde polycondensates, cresol-formaldehyde polycondensates 1 1-10 monoalkyl-substituted phenol-formaldehyde polycondensate, xylenol-formaldehyde polycondensate and the like, and C1-C10 dialkyl-substituted phenol-formaldehyde polycondensate, bisphenol A-formalde De polycondensates such bisphenol compounds of - formaldehyde polycondensates, phenol and copolycondensates of monoalkyl-substituted phenol and formaldehyde having 1 to 10 carbon atoms, and phenolic compounds and polyaddition products of divinylbenzene. Among these, when selecting for the purpose of improving fluidity | liquidity and storage stability, the said bisphenol compound is preferable, for example.

前記β位にアルキル基を有するエポキシ基を含むエポキシ化合物としては、例えば、ビスフェノールAのジ−β−アルキルグリシジルエーテル、ビスフェノールFのジ−β−アルキルグリシジルエーテル、ビスフェノールSのジ−β−アルキルグリシジルエーテル等のビスフェノール化合物のジ−β−アルキルグリシジルエーテル;ビフェノールのジ−β−アルキルグリシジルエーテル、テトラメチルビフェノールのジ−β−アルキルグリシジルエーテル等のビフェノール化合物のジ−β−アルキルグリシジルエーテル;ジヒドロキシナフタレンのジ−β−アルキルグリシジルエーテル、ビナフトールのジ−β−アルキルグリシジルエーテル等のナフトール化合物のβ−アルキルグリシジルエーテル;フェノール−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル;クレゾール−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル等の炭素数1〜10のモノアルキル置換フェノール−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル;キシレノール−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル等の炭素数1〜10のジアルキル置換フェノール−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル;ビスフェノールA−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル等のビスフェノール化合物−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル;フェノール化合物とジビニルベンゼンの重付加物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル;などが挙げられる。
これらの中でも、下記構造式(i)で表されるビスフェノール化合物、及びこれとエピクロロフドリンなどから得られる重合体から誘導されるβ−アルキルグリシジルエーテル、及び下記構造式(ii)で表されるフェノール化合物−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテルが好ましい。
Examples of the epoxy compound containing an epoxy group having an alkyl group at the β-position include di-β-alkyl glycidyl ether of bisphenol A, di-β-alkyl glycidyl ether of bisphenol F, and di-β-alkyl glycidyl of bisphenol S. Di-β-alkyl glycidyl ethers of bisphenol compounds such as ethers; di-β-alkyl glycidyl ethers of biphenols such as di-β-alkyl glycidyl ethers of biphenols and di-β-alkyl glycidyl ethers of tetramethylbiphenol; Β-alkyl glycidyl ethers of naphthol compounds such as di-β-alkyl glycidyl ethers of binaphthol, di-β-alkyl glycidyl ethers of binaphthol; poly- of phenol-formaldehyde polycondensates β-alkyl glycidyl ether; poly-β-alkyl glycidyl ether of monoalkyl-substituted phenol-formaldehyde polycondensate having 1 to 10 carbon atoms such as poly-β-alkyl glycidyl ether of cresol-formaldehyde polycondensate; xylenol-formaldehyde C1-C10 dialkyl-substituted phenol-formaldehyde polycondensate poly-β-alkyl glycidyl ether such as poly-β-alkyl glycidyl ether of condensate; poly-β-alkyl glycidyl ether of bisphenol A-formaldehyde polycondensate Bisphenol compound-formaldehyde polycondensate poly-β-alkyl glycidyl ether; phenol compound-divinylbenzene polyaddition product poly-β-alkyl glycidyl ether; The
Among these, a bisphenol compound represented by the following structural formula (i), a β-alkyl glycidyl ether derived from a polymer obtained from the bisphenol compound and epichlorohydrin, and the following structural formula (ii) Poly-β-alkyl glycidyl ethers of phenol compound-formaldehyde polycondensates are preferred.

上記構造式(i)中、Rは水素原子及び炭素数1〜6のアルキル基のいずれかを表し、nは0〜20のいずれかの整数を表す。
上記構造式(ii)中、Rは水素原子及び炭素数1〜6のアルキル基のいずれかを表し、Rは水素原子、及びCHのいずれかを表し、nは0〜20のいずれかの整数を表す。
これらβ位にアルキル基を有するエポキシ基を含むエポキシ化合物は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。また1分子中に少なくとも2つのオキシラン環を有するエポキシ化合物、及びβ位にアルキル基を有するエポキシ基を含むエポキシ化合物を併用することも可能である。
In the structural formula (i), R k represents one of a hydrogen atom and an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and n represents an integer of 0 to 20.
In the structural formula (ii), R k represents either a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, R m represents any one of a hydrogen atom and CH 3 , and n represents any of 0 to 20 Represents an integer.
These epoxy compounds containing an epoxy group having an alkyl group at the β-position may be used alone or in combination of two or more. It is also possible to use together an epoxy compound having at least two oxirane rings in one molecule and an epoxy compound containing an epoxy group having an alkyl group at the β-position.

前記オキセタン化合物としては、例えば、ビス[(3−メチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]エーテル、ビス[(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]エーテル、1,4−ビス[(3−メチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]ベンゼン、1,4−ビス[(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]ベンゼン、(3−メチル−3−オキセタニル)メチルアクリレート、(3−エチル−3−オキセタニル)メチルアクリレート、(3−メチル−3−オキセタニル)メチルメタクリレート、(3−エチル−3−オキセタニル)メチルメタクリレート又はこれらのオリゴマーあるいは共重合体等の多官能オキセタン類の他、オキセタン基を有する化合物と、ノボラック樹脂、ポリ(p−ヒドロキシスチレン)、カルド型ビスフェノール類、カリックスアレーン類、カリックスレゾルシンアレーン類、シルセスキオキサン等の水酸基を有する樹脂など、とのエーテル化合物が挙げられ、この他、オキセタン環を有する不飽和モノマーとアルキル(メタ)アクリレートとの共重合体なども挙げられる。   Examples of the oxetane compound include bis [(3-methyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] ether, bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] ether, 1,4-bis [(3-methyl -3-Oxetanylmethoxy) methyl] benzene, 1,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, (3-methyl-3-oxetanyl) methyl acrylate, (3-ethyl-3-oxetanyl) In addition to polyfunctional oxetanes such as methyl acrylate, (3-methyl-3-oxetanyl) methyl methacrylate, (3-ethyl-3-oxetanyl) methyl methacrylate, oligomers or copolymers thereof, and compounds having an oxetane group , Novolac resin, poly (p-hydroxystyrene), potassium Bisphenols, calixarenes, calixresorcinarenes, ether compounds with hydroxyl group resins such as silsesquioxane, etc. In addition, unsaturated monomers having an oxetane ring and alkyl (meth) acrylates And a copolymer thereof.

また、前記エポキシ化合物や前記オキセタン化合物の熱硬化を促進するため、例えば、アミン化合物(例えば、ジシアンジアミド、ベンジルジメチルアミン、4−(ジメチルアミノ)−N,N−ジメチルベンジルアミン、4−メトキシ−N,N−ジメチルベンジルアミン、4−メチル−N,N−ジメチルベンジルアミン等)、4級アンモニウム塩化合物(例えば、トリエチルベンジルアンモニウムクロリド等)、ブロックイソシアネート化合物(例えば、ジメチルアミン等)、イミダゾール誘導体二環式アミジン化合物及びその塩(例えば、イミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、4−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−(2−シアノエチル)−2−エチル−4−メチルイミダゾール等)、リン化合物(例えば、トリフェニルホスフィン等)、グアナミン化合物(例えば、メラミン、グアナミン、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン等)、S−トリアジン誘導体(例えば、2,4−ジアミノ−6−メタクリロイルオキシエチル−S−トリアジン、2−ビニル−2,4−ジアミノ−S−トリアジン、2−ビニル−4,6−ジアミノ−S−トリアジン・イソシアヌル酸付加物、2,4−ジアミノ−6−メタクリロイルオキシエチル−S−トリアジン・イソシアヌル酸付加物等)などを用いることができる。これらは1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。なお、前記エポキシ樹脂化合物や前記オキセタン化合物の硬化触媒、あるいは、これらとカルボキシル基の反応を促進することができるものであれば、特に制限はなく、上記以外の熱硬化を促進可能な化合物を用いてもよい。   Further, in order to promote the thermal curing of the epoxy compound or the oxetane compound, for example, an amine compound (for example, dicyandiamide, benzyldimethylamine, 4- (dimethylamino) -N, N-dimethylbenzylamine, 4-methoxy-N , N-dimethylbenzylamine, 4-methyl-N, N-dimethylbenzylamine, etc.), quaternary ammonium salt compounds (eg, triethylbenzylammonium chloride, etc.), blocked isocyanate compounds (eg, dimethylamine, etc.), imidazole derivatives Cyclic amidine compounds and salts thereof (for example, imidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 4-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenyl) Midazole, 1- (2-cyanoethyl) -2-ethyl-4-methylimidazole, etc.), phosphorus compounds (eg triphenylphosphine etc.), guanamine compounds (eg melamine, guanamine, acetoguanamine, benzoguanamine etc.), S- Triazine derivatives (for example, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-S-triazine, 2-vinyl-2,4-diamino-S-triazine, 2-vinyl-4,6-diamino-S-triazine isocyanuric An acid adduct, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-S-triazine / isocyanuric acid adduct, etc.) can be used. These may be used alone or in combination of two or more. The epoxy resin compound or the oxetane compound is a curing catalyst, or any compound that can accelerate the reaction between the epoxy resin compound and the oxetane compound and a carboxyl group. May be.

前記エポキシ化合物、前記オキセタン化合物、及びこれらとカルボン酸との熱硬化を促進可能な化合物の前記感光性組成物中の固形分含有量は、通常0.01〜15質量%である。   Solid content in the said photosensitive composition of the said epoxy compound, the said oxetane compound, and the compound which can accelerate | stimulate thermosetting with these and carboxylic acid is 0.01-15 mass% normally.

また、前記熱架橋剤としては、特開平5−9407号公報記載のポリイソシアネート化合物を用いることができ、該ポリイソシアネート化合物は、少なくとも2つのイソシアネート基を含む脂肪族、環式脂肪族又は芳香族基置換脂肪族化合物から誘導されていてもよい。具体的には、2官能イソシアネート(例えば、1,3−フェニレンジイソシアネートと1,4−フェニレンジイソシアネートとの混合物、2,4−及び2,6−トルエンジイソシアネート、1,3−及び1,4−キシリレンジイソシアネート、ビス(4−イソシアネート−フェニル)メタン、ビス(4−イソシアネートシクロヘキシル)メタン、イソフォロンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート等)、該2官能イソシアネートと、トリメチロールプロパン、ペンタリスルトール、グリセリン等との多官能アルコール;該多官能アルコールのアルキレンオキサイド付加体と、前記2官能イソシアネートとの付加体;ヘキサメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレン−1,6−ジイソシアネート及びその誘導体等の環式三量体;などが挙げられる。   Further, as the thermal crosslinking agent, a polyisocyanate compound described in JP-A-5-9407 can be used, and the polyisocyanate compound is aliphatic, cycloaliphatic or aromatic containing at least two isocyanate groups. It may be derived from a group-substituted aliphatic compound. Specifically, bifunctional isocyanate (for example, a mixture of 1,3-phenylene diisocyanate and 1,4-phenylene diisocyanate, 2,4- and 2,6-toluene diisocyanate, 1,3- and 1,4-xylylene). Diisocyanate, bis (4-isocyanate-phenyl) methane, bis (4-isocyanatocyclohexyl) methane, isophorone diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, trimethylhexamethylene diisocyanate, etc.), the bifunctional isocyanate, trimethylolpropane, pentalithol tol Polyfunctional alcohols such as glycerin; alkylene oxide adducts of the polyfunctional alcohols and adducts of the bifunctional isocyanates; hexamethylene diisocyanate, hexamethylene-1,6-di Isocyanate and cyclic trimers thereof derivatives; and the like.

更に、本発明の感光性組成物を用いて形成してなる感光層を有する前記パターン形成材料の保存性を向上させることを目的として、前記ポリイソシアネート及びその誘導体のイソシアネート基にブロック剤を反応させて得られる化合物を用いてもよい。
前記イソシアネート基ブロック剤としては、アルコール類(例えば、イソプロパノール、tert.−ブタノール等)、ラクタム類(例えば、ε−カプロラクタム等)、フェノール類(例えば、フェノール、クレゾール、p−tert.−ブチルフェノール、p−sec.−ブチルフェノール、p−sec.−アミルフェノール、p−オクチルフェノール、p−ノニルフェノール等)、複素環式ヒドロキシル化合物(例えば、3−ヒドロキシピリジン、8−ヒドロキシキノリン等)、活性メチレン化合物(例えば、ジアルキルマロネート、メチルエチルケトキシム、アセチルアセトン、アルキルアセトアセテートオキシム、アセトオキシム、シクロヘキサノンオキシム等)などが挙げられる。これらの他、特開平6−295060号公報記載の分子内に少なくとも1つの重合可能な二重結合及び少なくとも1つのブロックイソシアネート基のいずれかを有する化合物などを用いることができる。
Further, for the purpose of improving the storage stability of the pattern forming material having a photosensitive layer formed using the photosensitive composition of the present invention, a blocking agent is reacted with the isocyanate group of the polyisocyanate and its derivative. You may use the compound obtained by this.
Examples of the isocyanate group blocking agent include alcohols (eg, isopropanol, tert.-butanol, etc.), lactams (eg, ε-caprolactam, etc.), phenols (eg, phenol, cresol, p-tert.-butylphenol, p -Sec.-butylphenol, p-sec.-amylphenol, p-octylphenol, p-nonylphenol, etc.), heterocyclic hydroxyl compounds (eg, 3-hydroxypyridine, 8-hydroxyquinoline, etc.), active methylene compounds (eg, Dialkyl malonate, methyl ethyl ketoxime, acetylacetone, alkyl acetoacetate oxime, acetooxime, cyclohexanone oxime, etc.). In addition to these, compounds having at least one polymerizable double bond and at least one blocked isocyanate group in the molecule described in JP-A-6-295060 can be used.

また、前記熱架橋剤として、メラミン誘導体を用いることができる。該メラミン誘導体としては、例えば、メチロールメラミン、アルキル化メチロールメラミン(メチロール基を、メチル、エチル、ブチルなどでエーテル化した化合物)などが挙げられる。これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、保存安定性が良好で、感光層の表面硬度あるいは硬化膜の膜強度自体の向上に有効である点で、アルキル化メチロールメラミンが好ましく、ヘキサメチル化メチロールメラミンが特に好ましい。   Moreover, a melamine derivative can be used as the thermal crosslinking agent. Examples of the melamine derivative include methylol melamine, alkylated methylol melamine (a compound obtained by etherifying a methylol group with methyl, ethyl, butyl, or the like). These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together. Among these, alkylated methylol melamine is preferable and hexamethylated methylol melamine is particularly preferable in that it has good storage stability and is effective in improving the surface hardness of the photosensitive layer or the film strength itself of the cured film.

前記感光性組成物中の前記熱架橋剤の固形分含有量は、1〜50質量%が好ましく、3〜30質量%がより好ましい。該固形分含有量が1質量%未満であると、硬化膜の膜強度の向上が認められず、50質量%を超えると、現像性の低下や露光感度の低下を生ずることがある。   1-50 mass% is preferable and, as for solid content content of the said thermal crosslinking agent in the said photosensitive composition, 3-30 mass% is more preferable. When the solid content is less than 1% by mass, improvement in the film strength of the cured film is not recognized, and when it exceeds 50% by mass, developability and exposure sensitivity may be deteriorated.

<その他の成分>
前記ソルダーレジストとしての感光性組成物におけるその他の成分としては、例えば、体質顔料、着色剤(着色顔料あるいは染料)などが挙げられ、更に基材表面への密着促進剤及びその他の助剤類(例えば、導電性粒子、充填剤、消泡剤、難燃剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、表面張力調整剤、連鎖移動剤など)を併用してもよい。
これらの成分は、前記回路形成用レジストとしての前記感光性組成物に含まれるものと同じものとしてもよく、これらを適宜含有させることにより、目的とする感光層の安定性、写真性、膜物性などの性質を調整することができる。
<Other ingredients>
Examples of other components in the photosensitive composition as the solder resist include extender pigments, colorants (color pigments or dyes), and further adhesion promoters to the substrate surface and other auxiliary agents ( For example, conductive particles, fillers, antifoaming agents, flame retardants, leveling agents, peeling accelerators, antioxidants, fragrances, surface tension modifiers, chain transfer agents, etc.) may be used in combination.
These components may be the same as those contained in the photosensitive composition as the circuit forming resist. By appropriately containing these components, the stability, photographic properties, and film physical properties of the intended photosensitive layer are included. Etc. can be adjusted.

−体質顔料−
前記体質顔料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、無機顔料や有機微粒子などが挙げられる。
前記ソルダーレジストとしての感光性組成物には、必要に応じて、永久パターンの表面硬度の向上、あるいは線膨張係数を低く抑えること、あるいは、硬化膜自体の誘電率や誘電正接を低く抑えることを目的として、前記無機顔料や有機微粒子を添加することができる。
前記無機顔料としては、特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができ、例えば、カオリン、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、酸化ケイ素粉、微粉状酸化ケイ素、気相法シリカ、無定形シリカ、結晶性シリカ、溶融シリカ、球状シリカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、マイカなどが挙げられる。
-Extender pigment-
The extender pigment is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include inorganic pigments and organic fine particles.
In the photosensitive composition as the solder resist, if necessary, it is possible to improve the surface hardness of the permanent pattern or keep the coefficient of linear expansion low, or keep the dielectric constant or dielectric loss tangent of the cured film itself low. For the purpose, the inorganic pigment and organic fine particles can be added.
The inorganic pigment is not particularly limited and may be appropriately selected from known ones. For example, kaolin, barium sulfate, barium titanate, silicon oxide powder, finely divided silicon oxide, vapor phase method silica, amorphous Examples thereof include silica, crystalline silica, fused silica, spherical silica, talc, clay, magnesium carbonate, calcium carbonate, aluminum oxide, aluminum hydroxide, and mica.

前記無機顔料の平均粒径は、10μm未満が好ましく、3μm以下がより好ましい。該平均粒径が10μm以上であると、光錯乱により解像度が劣化することがある。
前記有機微粒子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、架橋ポリスチレン樹脂などが挙げられる。また、平均粒径1〜5μm、吸油量100〜200m/g程度のシリカ、架橋樹脂からなる球状多孔質微粒子などを用いることができる。
The average particle diameter of the inorganic pigment is preferably less than 10 μm, and more preferably 3 μm or less. When the average particle size is 10 μm or more, resolution may be deteriorated due to light scattering.
There is no restriction | limiting in particular as said organic fine particle, According to the objective, it can select suitably, For example, a melamine resin, a benzoguanamine resin, a crosslinked polystyrene resin etc. are mentioned. Further, silica having an average particle diameter of 1 to 5 μm and an oil absorption of about 100 to 200 m 2 / g, spherical porous fine particles made of a crosslinked resin, and the like can be used.

前記体質顔料の添加量は、固形分含有量として、5〜60質量%が好ましい。該添加量が5質量%未満であると、十分に線膨張係数を低下させることができないことがあり、60質量%を超えると、感光層表面に硬化膜を形成した場合に、該硬化膜の膜質が脆くなり、保護膜としての機能が損なわれることがある。   The amount of the extender added is preferably 5 to 60% by mass as the solid content. When the addition amount is less than 5% by mass, the linear expansion coefficient may not be sufficiently reduced. When the addition amount exceeds 60% by mass, when the cured film is formed on the photosensitive layer surface, The film quality becomes brittle, and the function as a protective film may be impaired.

(パターン形成材料)
前記パターン形成材料は、支持体と、該支持体上に本発明の前記感光性組成物からなる感光層を少なくとも有し、目的に応じて、クッション層等の適宜選択されるその他の層を積層してなる。
前記感光性組成物としては、前記回路形成用レジスト、及びソルダーレジストのいずれかの感光性組成物が含まれる。
(Pattern forming material)
The pattern forming material has at least a support and a photosensitive layer made of the photosensitive composition of the present invention on the support, and is laminated with other appropriately selected layers such as a cushion layer according to the purpose. Do it.
The photosensitive composition includes a photosensitive composition of any one of the circuit forming resist and the solder resist.

<支持体>
前記支持体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記感光層を剥離可能であり、かつ光の透過性が良好であるのが好ましく、更に表面の平滑性が良好であるのがより好ましい。
<Support>
The support is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. It is preferable that the photosensitive layer can be peeled off and has good light transmittance, and further has a smooth surface. It is more preferable that it is good.

前記支持体の材料としては、合成樹脂製で、かつ透明であるものが好ましく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、三酢酸セルロース、二酢酸セルロース、ポリ(メタ)アクリル酸アルキルエステル、ポリ(メタ)アクリル酸エステル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリスチレン、セロファン、ポリ塩化ビニリデン共重合体、ポリアミド、ポリイミド、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、ポリテトラフロロエチレン、ポリトリフロロエチレン、セルロース系フィルム、ナイロンフィルム等の各種のプラスチックフィルムが挙げられ、これらの中でも、ポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
なお、前記支持体としては、例えば、特開平4−208940号公報、特開平5−80503号公報、特開平5−173320号公報、特開平5−72724号公報などに記載の支持体を用いることもできる。
The material of the support is preferably made of a synthetic resin and transparent. For example, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polypropylene, polyethylene, cellulose triacetate, cellulose diacetate, poly (meth) acrylic acid alkyl ester , Poly (meth) acrylic acid ester copolymer, polyvinyl chloride, polyvinyl alcohol, polycarbonate, polystyrene, cellophane, polyvinylidene chloride copolymer, polyamide, polyimide, vinyl chloride / vinyl acetate copolymer, polytetrafluoroethylene, Various plastic films such as polytrifluoroethylene, cellulose-based film, nylon film and the like can be mentioned, and among these, polyethylene terephthalate is particularly preferable. These may be used alone or in combination of two or more.
As the support, for example, the support described in JP-A-4-208940, JP-A-5-80503, JP-A-5-173320, JP-A-5-72724, or the like is used. You can also.

前記支持体の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、4〜300μmが好ましく、5〜175μmがより好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as thickness of the said support body, According to the objective, it can select suitably, For example, 4-300 micrometers is preferable and 5-175 micrometers is more preferable.

前記支持体の形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる、例えば、円筒状の巻芯に巻き取って、長尺状でロール状に巻かれて保管されるのが好ましい。前記長尺状のパターン形成材料の長さとしては、特に制限はなく、例えば、10m〜20,000mの範囲から適宜選択することができる。また、ユーザーが使いやすいようにスリット加工し、100m〜1,000mの範囲の長尺体をロール状にしてもよい。なお、この場合には、前記支持体が一番外側になるように巻き取られるのが好ましい。また、前記ロール状のパターン形成材料をシート状にスリットしてもよい。保管の際、端面の保護、エッジフュージョンを防止する観点から、端面にはセパレーター(特に防湿性のもの、乾燥剤入りのもの)を設置するのが好ましく、また梱包も透湿性の低い素材を用いるのが好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as a shape of the said support body, It can select suitably according to the objective, For example, it winds up on a cylindrical winding core, and is wound by long shape and roll-shaped and stored. Is preferred. There is no restriction | limiting in particular as length of the said elongate pattern formation material, For example, it can select suitably from the range of 10m-20,000m. Further, slitting may be performed so that the user can easily use, and a long body in the range of 100 m to 1,000 m may be formed into a roll. In this case, it is preferable that the support is wound up so as to be the outermost side. The roll-shaped pattern forming material may be slit into a sheet shape. When storing, from the viewpoint of protecting the end face and preventing edge fusion, it is preferable to install a separator (particularly moisture-proof and containing a desiccant) on the end face, and use a low moisture-permeable material for packaging. Is preferred.

<感光層>
前記感光層は、前記感光性組成物により形成される。前記感光層の前記パターン形成材料において設けられる箇所としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、通常、前記支持体上に積層される。
前記感光層としては、単層であってもよく、複数層であってもよい。
<Photosensitive layer>
The photosensitive layer is formed from the photosensitive composition. There is no restriction | limiting in particular as a location provided in the said pattern formation material of the said photosensitive layer, According to the objective, it can select suitably, Usually, it laminates | stacks on the said support body.
The photosensitive layer may be a single layer or a plurality of layers.

<その他の層>
前記パターン形成材料におけるその他の層としては、例えば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、クッション層、酸素遮断層(PC層)、剥離層、接着層、光吸収層、表面保護層などの層を有してもよい。これらの層を1種単独で有していてもよく、2種以上を有していてもよい。また、前記感光層上に保護フィルムを有していてもよい。
<Other layers>
The other layers in the pattern forming material are not particularly limited, and can be appropriately selected depending on the purpose. Examples thereof include a cushion layer, an oxygen barrier layer (PC layer), a release layer, an adhesive layer, and a light absorption layer. You may have layers, such as a layer and a surface protective layer. These layers may be used alone or in combination of two or more. Moreover, you may have a protective film on the said photosensitive layer.

−クッション層−
前記クッション層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、アルカリ性液に対して膨潤性乃至可溶性であってもよく、不溶性であってもよい。一般的に、クッション層は、支持体と感光層との間に設ける。
−Cushion layer−
There is no restriction | limiting in particular as said cushion layer, According to the objective, it can select suitably, Swelling thru | or soluble with respect to alkaline liquid may be sufficient, and it may be insoluble. In general, the cushion layer is provided between the support and the photosensitive layer.

前記クッション層がアルカリ性液に対して膨潤性乃至可溶性である場合には、前記熱可塑性樹脂としては、例えば、エチレンとアクリル酸エステル共重合体のケン化物、スチレンと(メタ)アクリル酸エステル共重合体のケン化物、ビニルトルエンと(メタ)アクリル酸エステル共重合体のケン化物、ポリ(メタ)アクリル酸エステル、(メタ)アクリル酸ブチルと酢酸ビニル等の(メタ)アクリル酸エステル共重合体等のケン化物、(メタ)アクリル酸エステルと(メタ)アクリル酸との共重合体、スチレンと(メタ)アクリル酸エステルと(メタ)アクリル酸との共重合体などが挙げられる。   When the cushion layer is swellable or soluble in an alkaline liquid, examples of the thermoplastic resin include a saponified product of ethylene and an acrylate ester copolymer, a copolymer of styrene and a (meth) acrylate ester Saponification of coalescence, saponification of vinyltoluene and (meth) acrylic acid ester copolymer, poly (meth) acrylic acid ester, (meth) acrylic acid ester copolymer such as (meth) acrylic acid butyl and vinyl acetate And a copolymer of (meth) acrylic acid ester and (meth) acrylic acid, a copolymer of styrene, (meth) acrylic acid ester and (meth) acrylic acid, and the like.

この場合の熱可塑性樹脂の軟化点(Vicat)としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、80℃以下が好ましい。
前記軟化点が80℃以下の熱可塑性樹脂としては、上述した熱可塑性樹脂の他、「プラスチック性能便覧」(日本プラスチック工業連盟、全日本プラスチック成形工業連合会編著、工業調査会発行、1968年10月25日発行)による軟化点が約80℃以下の有機高分子の内、アルカリ性液に可溶なものが挙げられる。また、軟化点が80℃以上の有機高分子物質においても、該有機高分子物質中に該有機高分子物質と相溶性のある各種の可塑剤を添加して実質的な軟化点を80℃以下に下げることも可能である。
The softening point (Vicat) of the thermoplastic resin in this case is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, it is preferably 80 ° C. or lower.
As the thermoplastic resin having a softening point of 80 ° C. or lower, in addition to the above-mentioned thermoplastic resin, “Plastic Performance Handbook” (edited by the Japan Plastics Industry Federation, All Japan Plastics Molding Industry Federation, published by the Industrial Research Council, October 1968) Among those organic polymers having a softening point of about 80 ° C. or less, which are soluble in an alkaline solution. In addition, even in an organic polymer substance having a softening point of 80 ° C. or higher, various plasticizers compatible with the organic polymer substance are added to the organic polymer substance so that a substantial softening point is 80 ° C. or lower. It is also possible to lower it.

また、前記クッション層がアルカリ性液に対して膨潤性乃至可溶性である場合には、前記パターン形成材料の層間接着力としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、各層の層間接着力の中で、前記支持体と前記クッション層との間の層間接着力が、最も小さいことが好ましい。このような層間接着力とすることにより、前記積層体から前記支持体のみを剥離し、前記クッション層を介して前記感光層を露光した後、アルカリ性の現像液を用いて該感光層を現像することができる。また、前記支持体を残したまま、前記感光層を露光した後、前記積層体から前記支持体のみを剥離し、アルカリ性の現像液を用いて該感光層を現像することもできる。   In addition, when the cushion layer is swellable or soluble in an alkaline liquid, the interlayer adhesive force of the pattern forming material is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose. Of the interlayer adhesive strength of each layer, it is preferable that the interlayer adhesive strength between the support and the cushion layer is the smallest. With such an interlayer adhesive strength, only the support is peeled off from the laminate, the photosensitive layer is exposed through the cushion layer, and then the photosensitive layer is developed using an alkaline developer. be able to. Further, after exposing the photosensitive layer while leaving the support, only the support is peeled off from the laminate, and the photosensitive layer can be developed using an alkaline developer.

前記層間接着力の調整方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記熱可塑性樹脂中に公知のポリマー、過冷却物質、密着改良剤、界面活性剤、離型剤などを添加する方法が挙げられる。   The method for adjusting the interlayer adhesion is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose. For example, a known polymer, supercooling substance, adhesion improver, surfactant in the thermoplastic resin, The method of adding a mold release agent etc. is mentioned.

前記可塑剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ジオクチルフタレート、ジヘプチルフタレート、ジブチルフタレート、トリクレジルフォスフェート、クレジルジフェニルフォスフェート、ビフェニルジフェニルフォスフェート等のアルコール類やエステル類;トルエンスルホンアミド等のアミド類、などが挙げられる。   The plasticizer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose.For example, polypropylene glycol, polyethylene glycol, dioctyl phthalate, diheptyl phthalate, dibutyl phthalate, tricresyl phosphate, cresyl diphenyl Examples thereof include alcohols and esters such as phosphate and biphenyldiphenyl phosphate; amides such as toluenesulfonamide.

前記クッション層がアルカリ性液に対して不溶性である場合には、前記熱可塑性樹脂としては、例えば、主成分がエチレンを必須の共重合成分とする共重合体が挙げられる。
前記エチレンを必須の共重合成分とする共重合体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)、エチレン−エチルアクリレート共重合体(EEA)などが挙げられる。
When the cushion layer is insoluble in an alkaline liquid, examples of the thermoplastic resin include a copolymer whose main component is ethylene as an essential copolymer component.
The copolymer having ethylene as an essential copolymer component is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) and ethylene-ethyl acrylate. A copolymer (EEA) etc. are mentioned.

前記クッション層がアルカリ性液に対して不溶性である場合には、前記パターン形成材料の層間接着力としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、各層の層間接着力の中で、前記感光層と前記クッション層との接着力が、最も小さいことが好ましい。このような層間接着力とすることにより、前記積層体から前記支持体及びクッション層を剥離し、前記感光層を露光した後、アルカリ性の現像液を用いて該感光層を現像することができる。また、前記支持体を残したまま、前記感光層を露光した後、前記積層体から前記支持体と前記クッション層を剥離し、アルカリ性の現像液を用いて該感光層を現像することもできる。   When the cushion layer is insoluble in the alkaline liquid, the interlayer adhesion of the pattern forming material is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose. Of the adhesive strength, it is preferable that the adhesive force between the photosensitive layer and the cushion layer is the smallest. By setting such an interlayer adhesive strength, the support and the cushion layer are peeled from the laminate, and the photosensitive layer is exposed, and then the photosensitive layer can be developed using an alkaline developer. Further, after exposing the photosensitive layer while leaving the support, the support and the cushion layer can be peeled from the laminate, and the photosensitive layer can be developed using an alkaline developer.

前記層間接着力の調整方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記熱可塑性樹脂中に各種のポリマー、過冷却物質、密着改良剤、界面活性剤、離型剤などを添加する方法、以下に説明するエチレン共重合比を調整する方法などが挙げられる。   The method for adjusting the interlayer adhesion is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose. For example, various polymers, supercooling substances, adhesion improvers, surfactants in the thermoplastic resin, Examples thereof include a method of adding a release agent and the like, and a method of adjusting an ethylene copolymerization ratio described below.

前記エチレンを必須の共重合成分とする共重合体におけるエチレン共重合比としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、60〜90質量%が好ましく、60〜80質量%がより好ましく、65〜80質量%が特に好ましい。
前記エチレンの共重合比が、60質量%未満になると、前記クッション層と前記感光層との層間接着力が高くなり、該クッション層と該感光層との界面で剥離することが困難となることがあり、90質量%を超えると、前記クッション層と前記感光層との層間接着力が小さくなりすぎるため、該クッション層と該感光層との間で非常に剥離しやすく、前記クッション層を含むパターン形成材料の製造が困難となることがある。
There is no restriction | limiting in particular as an ethylene copolymerization ratio in the copolymer which uses the said ethylene as an essential copolymerization component, Although it can select suitably according to the objective, For example, 60-90 mass% is preferable, 60- 80 mass% is more preferable, and 65-80 mass% is especially preferable.
When the ethylene copolymerization ratio is less than 60% by mass, the interlayer adhesive force between the cushion layer and the photosensitive layer increases, and it becomes difficult to peel off at the interface between the cushion layer and the photosensitive layer. When the amount exceeds 90% by mass, the interlayer adhesive force between the cushion layer and the photosensitive layer becomes too small, so that the cushion layer and the photosensitive layer are very easily peeled off, including the cushion layer. It may be difficult to manufacture the pattern forming material.

前記クッション層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、5〜50μmが好ましく、10〜50μmがより好ましく、15〜40μmが特に好ましい。
前記厚みが、5μm未満になると、基体の表面における凹凸や、気泡等への凹凸追従性が低下し、高精細な永久パターンを形成できないことがあり、50μmを超えると、製造上の乾燥負荷増大等の不具合が生じることがある。
There is no restriction | limiting in particular in the thickness of the said cushion layer, Although it can select suitably according to the objective, For example, 5-50 micrometers is preferable, 10-50 micrometers is more preferable, and 15-40 micrometers is especially preferable.
If the thickness is less than 5 μm, unevenness on the surface of the substrate and unevenness followability to bubbles and the like may be reduced, and a high-definition permanent pattern may not be formed. Such a problem may occur.

−酸素遮断層(PC層)−
前記酸素遮断層は、通常ポリビニルアルコールを主成分として形成されることが好ましく、厚みが0.5〜5μm程度の被膜であることが好ましい。
-Oxygen barrier layer (PC layer)-
The oxygen barrier layer is preferably formed usually with polyvinyl alcohol as a main component, and is preferably a film having a thickness of about 0.5 to 5 μm.

−保護フィルム−
前記保護フィルムは、前記感光層の汚れや損傷を防止し、保護する機能を有する。
前記保護フィルムの前記パターン形成材料において設けられる箇所としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、通常、前記感光層上に設けられる。
前記保護フィルムとしては、例えば、前記支持体に使用されるもの、シリコーン紙、ポリエチレン、ポリプロピレンがラミネートされた紙、ポリオレフィン又はポリテトラフルオルエチレンシート、などが挙げられ、これらの中でも、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルムが好ましい。
前記保護フィルムの厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、5〜100μmが好ましく、8〜30μmがより好ましい。
前記保護フィルムを用いる場合、前記感光層及び前記支持体の接着力Aと、前記感光層及び保護フィルムの接着力Bとが、接着力A>接着力Bの関係であることが好ましい。
前記支持体と保護フィルムとの組合せ(支持体/保護フィルム)としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート/ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート/ポリエチレン、ポリ塩化ビニル/セロフアン、ポリイミド/ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート/ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられる。また、支持体及び保護フィルムの少なくともいずれかを表面処理することにより、上述のような接着力の関係を満たすことができる。前記支持体の表面処理は、前記感光層との接着力を高めるために施されてもよく、例えば、下塗層の塗設、コロナ放電処理、火炎処理、紫外線照射処理、高周波照射処理、グロー放電照射処理、活性プラズマ照射処理、レーザ光線照射処理などを挙げることができる。
-Protective film-
The protective film has a function of preventing and protecting the photosensitive layer from being stained and damaged.
There is no restriction | limiting in particular as a location provided in the said pattern formation material of the said protective film, According to the objective, it can select suitably, Usually, it provides on the said photosensitive layer.
Examples of the protective film include those used for the support, silicone paper, polyethylene, paper laminated with polypropylene, polyolefin or polytetrafluoroethylene sheet, etc. Among these, polyethylene film, Polypropylene film is preferred.
There is no restriction | limiting in particular as thickness of the said protective film, According to the objective, it can select suitably, For example, 5-100 micrometers is preferable and 8-30 micrometers is more preferable.
When the protective film is used, it is preferable that the adhesive force A between the photosensitive layer and the support and the adhesive force B between the photosensitive layer and the protective film satisfy the relationship of adhesive force A> adhesive force B.
Examples of the combination of the support and the protective film (support / protective film) include polyethylene terephthalate / polypropylene, polyethylene terephthalate / polyethylene, polyvinyl chloride / cellophane, polyimide / polypropylene, polyethylene terephthalate / polyethylene terephthalate, and the like. . Moreover, the relationship of the above adhesive forces can be satisfy | filled by surface-treating at least any one of a support body and a protective film. The surface treatment of the support may be performed in order to increase the adhesive force with the photosensitive layer. For example, coating of a primer layer, corona discharge treatment, flame treatment, ultraviolet irradiation treatment, high frequency irradiation treatment, glow treatment Examples thereof include a discharge irradiation process, an active plasma irradiation process, and a laser beam irradiation process.

また、前記支持体と前記保護フィルムとの静摩擦係数としては、0.3〜1.4が好ましく、0.5〜1.2がより好ましい。
前記静摩擦係数が、0.3未満であると、滑り過ぎるため、ロール状にした場合に巻ズレが発生することがあり、1.4を超えると、良好なロール状に巻くことが困難となることがある。
Moreover, as a static friction coefficient of the said support body and the said protective film, 0.3-1.4 are preferable and 0.5-1.2 are more preferable.
When the coefficient of static friction is less than 0.3, slipping is excessive, so that winding deviation may occur when the roll is formed. Sometimes.

前記保護フィルムは、前記保護フィルムと前記感光層との接着性を調整するために表面処理してもよい。前記表面処理は、例えば、前記保護フィルムの表面に、ポリオルガノシロキサン、弗素化ポリオレフィン、ポリフルオロエチレン、ポリビニルアルコール等のポリマーからなる下塗層を形成させる。該下塗層の形成は、前記ポリマーの塗布液を前記保護フィルムの表面に塗布した後、30〜150℃(特に50〜120℃)で1〜30分間乾燥させることにより形成させることができる。   The protective film may be surface-treated in order to adjust the adhesion between the protective film and the photosensitive layer. In the surface treatment, for example, an undercoat layer made of a polymer such as polyorganosiloxane, fluorinated polyolefin, polyfluoroethylene, or polyvinyl alcohol is formed on the surface of the protective film. The undercoat layer can be formed by applying the polymer coating solution to the surface of the protective film and then drying at 30 to 150 ° C. (especially 50 to 120 ° C.) for 1 to 30 minutes.

〔パターン形成材料の製造方法〕
前記パターン形成材料は、例えば、次のようにして製造することができる。
まず、前記感光性組成物に含まれる材料を、水又は溶剤に溶解、乳化又は分散させて、パターン形成材料用の感光性樹脂組成物溶液を調製する。
[Method for producing pattern forming material]
The pattern forming material can be manufactured, for example, as follows.
First, a material contained in the photosensitive composition is dissolved, emulsified or dispersed in water or a solvent to prepare a photosensitive resin composition solution for a pattern forming material.

前記溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール、sec−ブタノール、n−ヘキサノール等のアルコール類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジイソブチルケトンなどのケトン類;酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸−n−アミル、硫酸メチル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息香酸エチル、及びメトキシプロピルアセテートなどのエステル類;トルエン、キシレン、ベンゼン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素類;四塩化炭素、トリクロロエチレン、クロロホルム、1,1,1−トリクロロエタン、塩化メチレン、モノクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素類;テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、1−メトキシ−2−プロパノールなどのエーテル類;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキサイド、スルホランなどが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。また、公知の界面活性剤を添加してもよい。   There is no restriction | limiting in particular as said solvent, According to the objective, it can select suitably, For example, alcohols, such as methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, sec-butanol, n-hexanol; acetone , Ketones such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, diisobutyl ketone; esters such as ethyl acetate, butyl acetate, n-amyl acetate, methyl sulfate, ethyl propionate, dimethyl phthalate, ethyl benzoate, and methoxypropyl acetate Aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, benzene, and ethylbenzene; halogenated carbonization such as carbon tetrachloride, trichloroethylene, chloroform, 1,1,1-trichloroethane, methylene chloride, and monochlorobenzene Motorui; tetrahydrofuran, diethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethers such as 1-methoxy-2-propanol; dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, and sulfolane. These may be used alone or in combination of two or more. Moreover, you may add a well-known surfactant.

次に、前記基体上又は前記支持体上に前記感光性樹脂組成物溶液を塗布し、乾燥させて感光層を形成し、パターン形成材料を製造することができる。   Next, the photosensitive resin composition solution is applied onto the substrate or the support and dried to form a photosensitive layer, whereby a pattern forming material can be produced.

前記感光性樹脂組成物溶液の塗布方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、スプレー法、ロールコート法、回転塗布法、スリットコート法、エクストルージョンコート法、カーテンコート法、ダイコート法、グラビアコート法、ワイヤーバーコート法、ナイフコート法等の各種の塗布方法が挙げられる。
前記乾燥の条件としては、各成分、溶媒の種類、使用割合等によっても異なるが、通常60〜110℃の温度で30秒間〜15分間程度である。
The method for applying the photosensitive resin composition solution is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include a spray method, a roll coating method, a spin coating method, a slit coating method, and an extrusion coating. Various coating methods such as a coating method, a curtain coating method, a die coating method, a gravure coating method, a wire bar coating method, and a knife coating method may be mentioned.
The drying conditions vary depending on each component, the type of solvent, the use ratio, and the like, but are usually about 60 to 110 ° C. for about 30 seconds to 15 minutes.

(感光性積層体)
前記感光性積層体は、前記基体上に、本発明の感光性組成物からなる感光層を少なくとも有し、目的に応じて適宜選択されるその他の層を積層してなる。
前記感光性積層体における前記感光層としては、前記回路形成用レジストとしての前記感光性組成物からなる回路形成用レジスト層、及び前記ソルダーレジストとしての前記感光性組成物からなるソルダーレジスト層のいずれかであり、これらは、前記パターン形成材料により形成された感光層であることが好ましい。
(Photosensitive laminate)
The photosensitive laminate is formed by laminating at least a photosensitive layer made of the photosensitive composition of the present invention on the substrate and other layers appropriately selected according to the purpose.
As the photosensitive layer in the photosensitive laminate, any of a resist layer for circuit formation made of the photosensitive composition as the resist for circuit formation and a solder resist layer made of the photosensitive composition as the solder resist. These are preferably photosensitive layers formed of the pattern forming material.

<基体>
前記基体は、感光層が形成される被処理基体、又は本発明のパターン形成材料の少なくとも感光層が転写される被転写体となるもので、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、表面平滑性の高いものから凸凹のある表面を持つものまで任意に選択できる。板状の基体が好ましく、いわゆる基板が使用される。具体的には、公知のプリント配線板製造用の基板、ガラス板(ソーダガラス板など)、合成樹脂性のフィルム、紙、金属板などが挙げられる。
<Substrate>
The substrate is a substrate to be processed on which a photosensitive layer is formed or a transfer target to which at least the photosensitive layer of the pattern forming material of the present invention is transferred, and is not particularly limited, and is appropriately selected according to the purpose. For example, it can be arbitrarily selected from those having high surface smoothness to those having a rough surface. A plate-like substrate is preferable, and a so-called substrate is used. Specific examples include a substrate for producing a known printed wiring board, a glass plate (such as a soda glass plate), a synthetic resin film, paper, and a metal plate.

〔感光性積層体の製造方法〕
前記感光性積層体の製造方法として、第1の態様として、前記感光性組成物を前記基体の表面に塗布し乾燥する方法が挙げられ、第2の態様として、本発明のパターン形成材料における少なくとも感光層を加熱及び加圧の少なくともいずれかを行いながら転写して積層する方法が挙げられる。
[Method for producing photosensitive laminate]
Examples of the method for producing the photosensitive laminate include, as a first aspect, a method of applying the photosensitive composition to the surface of the substrate and drying, and as a second aspect, at least the pattern forming material of the present invention. Examples of the method include transferring and laminating the photosensitive layer while performing at least one of heating and pressing.

前記第1の態様の感光性積層体の製造方法は、前記基体上に、前記感光性組成物を塗布及び乾燥して感光層を形成する。
前記塗布及び乾燥の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記基体の表面に、前記感光性組成物を、水又は溶剤に溶解、乳化又は分散させて感光性組成物溶液を調製し、該溶液を直接塗布し、乾燥させることにより積層する方法が挙げられる。
In the method for producing a photosensitive laminate of the first aspect, a photosensitive layer is formed by applying and drying the photosensitive composition on the substrate.
The method for applying and drying is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose. For example, the photosensitive composition is dissolved, emulsified or dispersed in water or a solvent on the surface of the substrate. And a method of laminating by preparing a photosensitive composition solution, applying the solution directly, and drying the solution.

前記感光性組成物溶液の溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記パターン形成材料に用いたものと同じ溶剤が挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。また、公知の界面活性剤を添加してもよい。   There is no restriction | limiting in particular as a solvent of the said photosensitive composition solution, According to the objective, it can select suitably, The same solvent as what was used for the said pattern formation material is mentioned. These may be used alone or in combination of two or more. Moreover, you may add a well-known surfactant.

前記塗布方法及び乾燥条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記パターン形成材料に用いたものと同じ方法及び条件で行う。   There is no restriction | limiting in particular as said application | coating method and drying conditions, According to the objective, it can select suitably, It carries out by the same method and conditions as what was used for the said pattern formation material.

前記第2の態様の感光性積層体の製造方法は、前記基体の表面に本発明のパターン形成材料を加熱及び加圧の少なくともいずれかを行いながら積層する。なお、前記パターン形成材料が前記保護フィルムを有する場合には、該保護フィルムを剥離し、前記基体に前記感光層が重なるようにして積層するのが好ましい。
前記加熱温度及び加圧としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、15〜180℃が好ましく、60〜140℃がより好ましい。
前記加圧の圧力としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、0.1〜1.0MPaが好ましく、0.2〜0.8MPaがより好ましい。
In the method for producing a photosensitive laminate according to the second aspect, the pattern forming material of the present invention is laminated on the surface of the substrate while at least one of heating and pressing. In addition, when the said pattern formation material has the said protective film, it is preferable to peel this protective film and to laminate | stack so that the said photosensitive layer may overlap with the said base | substrate.
There is no restriction | limiting in particular as said heating temperature and pressurization, According to the objective, it can select suitably, For example, 15-180 degreeC is preferable and 60-140 degreeC is more preferable.
There is no restriction | limiting in particular as said pressurization pressure, According to the objective, it can select suitably, For example, 0.1-1.0 MPa is preferable and 0.2-0.8 MPa is more preferable.

前記加熱の少なくともいずれかを行う装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ラミネーター(例えば、大成ラミネータ社製、VP−II)などが好適に挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as an apparatus which performs at least any one of the said heating, According to the objective, it can select suitably, For example, a laminator (For example, Taisei Laminator company make, VP-II) etc. are mentioned suitably.

(パターン形成装置及びパターン形成方法)
本発明のパターン形成装置は、本発明の前記感光性積層体を備えており、光照射手段と光変調手段とを少なくとも有する。
(Pattern forming apparatus and pattern forming method)
The pattern forming apparatus of the present invention includes the photosensitive laminate of the present invention, and has at least light irradiation means and light modulation means.

本発明のパターン形成方法は、露光工程を少なくとも含み、適宜選択した現像工程等のその他の工程を含む。
なお、本発明の前記パターン形成装置は、本発明の前記パターン形成方法の説明を通じて明らかにする。
The pattern forming method of the present invention includes at least an exposure step, and includes other steps such as an appropriately selected development step.
In addition, the said pattern formation apparatus of this invention is clarified through description of the said pattern formation method of this invention.

[露光工程]
前記露光工程は、本発明の感光性積層体における前記感光層に対し、露光を行う工程である。本発明の感光性積層体における前記感光層としては、本発明の前記感光性組成物により形成されてなる感光層、及び前記パターン形成材料から転写されてなる感光層が挙げられる。
前記露光工程としては、パターン情報に応じて光を変調しながら露光ヘッドと感光層の被露光面とを相対走査して露光することにより、前記被露光面上の二次元パターンを形成する工程であり、該露光はマスクレス露光である。前記露光ヘッドは、光照射手段及び光変調手段を少なくとも備える。また、前記相対走査は、露光ヘッド及び前記感光層の少なくともいずれかを移動させることにより行う。
なお、光照射は、基材転写前後のどちらでもよいが、転写した後の露光の方が、位置ずれ防止の観点から好ましい。
[Exposure process]
The said exposure process is a process of exposing with respect to the said photosensitive layer in the photosensitive laminated body of this invention. Examples of the photosensitive layer in the photosensitive laminate of the present invention include a photosensitive layer formed from the photosensitive composition of the present invention and a photosensitive layer transferred from the pattern forming material.
The exposure step is a step of forming a two-dimensional pattern on the exposed surface by exposing the exposure head and the exposed surface of the photosensitive layer by relative scanning while modulating light according to pattern information. Yes, the exposure is maskless exposure. The exposure head includes at least light irradiation means and light modulation means. The relative scanning is performed by moving at least one of the exposure head and the photosensitive layer.
Light irradiation may be performed before or after the substrate transfer, but exposure after the transfer is preferable from the viewpoint of preventing misalignment.

前記マスクレス露光(「マスクレスパターン露光」ともいう)とは、パターン情報(「画像データ」ともいう)に基づいて、光照射手段からの光を変調しながら、露光ヘッドと前記感光層の被露光面とを相対走査することにより、前記感光層の被露光面上に二次元パターン(「画像」ともいう)を形成する露光方法である。これに対し、マスクを用いた従来の露光方法は、露光光を透過させない材質、又は露光光を弱めて透過させる材質でパターンを形成してなるマスクを、前記感光層の被露光面上の光路に配置して露光を行う方法である。   The maskless exposure (also referred to as “maskless pattern exposure”) refers to the exposure head and the photosensitive layer covered while modulating the light from the light irradiation means based on pattern information (also referred to as “image data”). In this exposure method, a two-dimensional pattern (also referred to as “image”) is formed on the exposed surface of the photosensitive layer by performing relative scanning with the exposed surface. On the other hand, in the conventional exposure method using a mask, a mask formed with a pattern using a material that does not transmit exposure light or a material that transmits exposure light by weakening the exposure light is used as an optical path on the exposed surface of the photosensitive layer. It is the method of arrange | positioning and performing exposure.

前記光照射手段から照射される光の光源としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、超高圧水銀灯、キセノン灯、カーボンアーク灯、ハロゲンランプ、複写機用などの蛍光管、LED、及びレーザ光(半導体レーザ、固体レーザ、液体レーザ、気体レーザ)等が挙げられ、これらの中でも、超高圧水銀灯及びレーザ光が好ましく、光のオンオフ制御が短時間で行え、光の干渉制御が容易ある観点から、レーザ光がより好ましい。   The light source of light emitted from the light irradiation means is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose. For example, an ultra-high pressure mercury lamp, a xenon lamp, a carbon arc lamp, a halogen lamp, a copying machine, etc. Fluorescent tubes, LEDs, and laser beams (semiconductor lasers, solid state lasers, liquid lasers, gas lasers), etc., among these, ultra-high pressure mercury lamps and laser beams are preferable, and light on / off control can be performed in a short time, From the viewpoint of easy light interference control, laser light is more preferable.

前記光源の波長としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記超高圧水銀灯としては、i線(365nm)が好ましく、固体レーザとしては、YAG−SHG固体レーザ(532nm)、半導体励起固体レーザ(532nm、355nm、266nm)が好ましく、気体レーザとしては、KrFレーザ(249nm)、ArFレーザ(193nm)が好ましい。半導体レーザとしては、感光性組成物の露光時間の短縮を図る目的、及び入手のしやすさの観点から、300〜500nmが好ましく、340〜450nmがより好ましく、405nm又は410nmであることが特に好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as a wavelength of the said light source, Although it can select suitably according to the objective, For example, as an ultra-high pressure mercury lamp, i line | wire (365 nm) is preferable, As a solid laser, YAG-SHG solid is preferable. A laser (532 nm) and a semiconductor excitation solid-state laser (532 nm, 355 nm, 266 nm) are preferable. As a gas laser, a KrF laser (249 nm) and an ArF laser (193 nm) are preferable. The semiconductor laser is preferably 300 to 500 nm, more preferably 340 to 450 nm, and particularly preferably 405 nm or 410 nm from the viewpoints of shortening the exposure time of the photosensitive composition and easy availability. .

前記レーザ光のビーム径としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記感光層における解像度の観点から、ガウシアンビームの1/e値で5〜30μnが好ましく、7〜20μmがより好ましい。
また、前記レーザ光の光エネルギー量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、露光時間の短縮と解像度の観点から、1〜100mJ/cmが好ましく、5〜20mJ/cmがより好ましい。
The beam diameter of the laser beam is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. From the viewpoint of resolution in the photosensitive layer, a 1 / e 2 value of a Gaussian beam is preferably 5 to 30 μn, 7-20 micrometers is more preferable.
The amount of light energy of the laser light is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose, but is preferably 1 to 100 mJ / cm 2 from the viewpoint of shortening the exposure time and resolution. 20 mJ / cm 2 is more preferable.

前記光源としては、光を一端から入射し、入射した前記光を他端から出射する光ファイバを複数本束ねてなるバンドル状のファイバ光源が好ましく、前記光ファイバが、光源からの光を2以上合成した合波レーザ光を出射可能であることがより好ましい。
前記合波レーザ光の照射方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、複数のレーザ光源と、マルチモード光ファイバと、該複数のレーザ光源から照射されるレーザ光を集光して前記マルチモード光ファイバに結合させるレンズ系とにより合波レーザ光を合成し、照射する方法が挙げられる。
The light source is preferably a bundle-shaped fiber light source in which a plurality of optical fibers that enter light from one end and emit the incident light from the other end are bundled, and the optical fiber receives two or more light from the light source. More preferably, the combined laser beam can be emitted.
There is no restriction | limiting in particular as the irradiation method of the said combined laser beam, Although it can select suitably according to the objective, A laser irradiated from a several laser light source, a multimode optical fiber, and this several laser light source A method of combining and irradiating a combined laser beam with a lens system that collects light and couples it to the multi-mode optical fiber is exemplified.

前記露光工程において、前記光照射手段からの光を変調する光変調手段としては、前記光照射手段からの光を受光し出射するn個(ただし、nは2以上の自然数)の2次元状に配列された描素部を有し、前記描素部をパターン情報に基づいて制御可能であるものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、空間変調素子、及び光多面鏡(ポリゴンミラー)等が挙げられる。   In the exposure step, the light modulating means for modulating the light from the light irradiating means is a two-dimensional shape of n (where n is a natural number of 2 or more) that receives and emits the light from the light irradiating means. There is no particular limitation as long as it has arranged picture element parts and the picture element parts can be controlled based on pattern information, and can be appropriately selected according to the purpose. For example, a spatial modulation element And an optical polygon mirror (polygon mirror).

前記空間光変調素子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、デジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)タイプの空間光変調素子(SLM;Special Light Modulator)、ミラー階調型空間変調素子、電気光学効果により透過光を変調する光学素子(PLZT素子)、液晶光シャッタ(FLC)などが好適に挙げられる。
なお、MEMSとは、IC製造プロセスを基板としたマイクロマシニング技術によるマイクロサイズのセンサ、アクチュエータ、及び制御回路を集積化した微細システムの総称であり、MEMSタイプの空間光変調素子とは、静電気力を利用した電気機械動作により駆動される空間光変調素子を意味している。更に、Grating Light Valve(GLV)を複数並べて二次元状に構成したものを用いることもできる。これらの反射型空間光変調素子(GLV)や、透過型空間光変調素子(LCD)を使用する構成においては、前記光源として、レーザのほかにランプ等を使用することができる。
これらの空間光変調素子の中でもDMD、及びミラー階調型空間変調素子がより好適に挙げられ、DMDが特に好適に挙げられる。
The spatial light modulation element is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. However, a digital micromirror device (DMD) or a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) type spatial light modulation element (SLM) may be used. Preferred examples include a special light modulator, a mirror gradation type spatial modulation element, an optical element that modulates transmitted light by an electro-optic effect (PLZT element), and a liquid crystal light shutter (FLC).
Note that MEMS is a general term for a micro system that integrates micro-sized sensors, actuators, and control circuits based on a micro-machining technology using an IC manufacturing process as a substrate. It means a spatial light modulator driven by electromechanical operation using Further, a plurality of Grading Light Valves (GLVs) arranged in two dimensions can be used. In the configuration using these reflective spatial light modulators (GLV) and transmissive spatial light modulators (LCD), a lamp or the like can be used as the light source in addition to the laser.
Among these spatial light modulation elements, DMD and mirror gradation type spatial modulation elements are more preferable, and DMD is particularly preferable.

前記光多面鏡(ポリゴンミラー)としては、複数面(例えば6面)の平面反射面を有する回転部材であって、回転によって光を走査させることが可能な限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。なお、前記光多面体(ポリゴンミラー)を用いる露光においては、前記感光層の被露光面を、前記光多面体(ポリゴンミラー)の走査方向に対して直角に移動させることにより、前記被露光面前面を露光することができる。   The optical polygon mirror (polygon mirror) is a rotating member having a plurality of (for example, six) plane reflecting surfaces, and is not particularly limited as long as light can be scanned by rotation. Can be selected as appropriate. In the exposure using the optical polyhedron (polygon mirror), the exposed surface of the photosensitive layer is moved at a right angle to the scanning direction of the optical polyhedron (polygon mirror), so that the front surface of the exposed surface is moved. Can be exposed.

前記露光工程において、感光層を、露光する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、デジタル露光、アナログ露光などが挙げられるが、デジタル露光が好適である。
前記デジタル露光の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、所定のパターン情報に基づいて生成される制御信号に応じて変調されたレーザ光を用いて行われることが好適である。
更に、前記露光工程において、感光層を、露光する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、短時間、かつ高速露光を可能とする観点から、露光光と感光層とを相対的に移動させながら行うことが好ましく、前記デジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)と併用されることが特に好ましい。
In the exposure step, the method for exposing the photosensitive layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include digital exposure and analog exposure, but digital exposure is preferred. .
The digital exposure method is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. For example, the digital exposure method is performed using laser light modulated according to a control signal generated based on predetermined pattern information. Is preferred.
Furthermore, in the exposure step, the method for exposing the photosensitive layer is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose. From the viewpoint of enabling high-speed exposure in a short time, It is preferably carried out while relatively moving the photosensitive layer, and particularly preferably used in combination with the digital micromirror device (DMD).

前記露光工程において、不活性ガス雰囲気下行うことが好ましい。前記感光層形成工程により形成された感光層を、露光する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、不活性ガスを前記感光層表面に直接吹きかける方法、枠状フレームの一辺が開放され、不活性ガスの導入孔が少なくとも残りの1辺に形成された試料台中の露光空間に、露光対象である感光層が形成された試料を載置し、前記不活性ガスの導入孔から不活性ガスを導入して、感光層表面を不活性ガスで覆いつつ、露光を行う方法などが挙げられる。
また、前記露光空間を密封空間として、減圧下で該密封空間内に不活性ガスを導入することも可能である。
前記不活性ガスとしては、酸素の影響により前記感光層の重合反応が阻害されることを防止できれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、窒素、ヘリウム、アルゴンなどが挙げられる。
The exposure step is preferably performed in an inert gas atmosphere. The method for exposing the photosensitive layer formed in the photosensitive layer forming step is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose. For example, a method of directly spraying an inert gas on the surface of the photosensitive layer, A sample on which a photosensitive layer to be exposed is placed in an exposure space in a sample table in which one side of the frame-shaped frame is opened and an inert gas introduction hole is formed on at least one remaining side. Examples thereof include a method of performing exposure while introducing an inert gas from an active gas introduction hole and covering the surface of the photosensitive layer with an inert gas.
In addition, it is possible to introduce an inert gas into the sealed space under reduced pressure using the exposure space as a sealed space.
The inert gas is not particularly limited as long as it can prevent the polymerization reaction of the photosensitive layer from being inhibited by the influence of oxygen, and can be appropriately selected according to the purpose. For example, nitrogen, helium, argon, etc. Is mentioned.

以下、本発明のカラーフィルタの製造方法の態様、及び該カラーフィルタの製造方法に好適に用いられる露光装置を、図面を参照しながら説明する。
前記露光装置としては、いわゆるフラットベッドタイプの露光装置の他、感光材料がドラムの外周面に巻きつけられるアウタードラムタイプの露光装置、及び感光材料がシリンダの内周面に装着されるインナードラムタイプの露光装置であってもよい。以下、一例として、フラットベットタイプの露光装置について説明する。
Hereinafter, an embodiment of a method for producing a color filter of the present invention and an exposure apparatus suitably used for the method for producing the color filter will be described with reference to the drawings.
As the exposure apparatus, in addition to a so-called flat bed type exposure apparatus, an outer drum type exposure apparatus in which a photosensitive material is wound around the outer peripheral surface of the drum, and an inner drum type in which the photosensitive material is mounted on the inner peripheral surface of the cylinder The exposure apparatus may be used. Hereinafter, a flat bed type exposure apparatus will be described as an example.

<露光装置>
前記露光装置は、図1に示すように、前記感光層を前記基体上に積層してなる積層体12(以下、「感光層12」、又は「感光材料12」と表す)を表面に吸着して保持する平板状の移動ステージ14を備えている。4本の脚部16に支持された厚い板状の設置台18の上面には、ステージ移動方向に沿って延びた2本のガイド20が設置されている。ステージ14は、その長手方向がステージ移動方向を向くように配置されると共に、ガイド20によって往復移動可能に支持されている。なお、この露光装置10には、ステージ14をガイド20に沿って駆動するステージ駆動装置(図示せず)が設けられている。
<Exposure device>
As shown in FIG. 1, the exposure apparatus adsorbs to the surface a laminate 12 (hereinafter referred to as “photosensitive layer 12” or “photosensitive material 12”) formed by laminating the photosensitive layer on the substrate. A flat moving stage 14 is provided. Two guides 20 extending along the stage moving direction are installed on the upper surface of the thick plate-shaped installation table 18 supported by the four legs 16. The stage 14 is arranged so that the longitudinal direction thereof faces the stage moving direction, and is supported by the guide 20 so as to be reciprocally movable. The exposure apparatus 10 is provided with a stage driving device (not shown) that drives the stage 14 along the guide 20.

設置台18の中央部には、ステージ14の移動経路を跨ぐようにコの字状のゲート22が設けられている。コの字状のゲート22の端部の各々は、設置台18の両側面に固定されている。このゲート22を挟んで一方の側にはスキャナ24が設けられ、他方の側には感光層12の先端及び後端を検知する複数(例えば2個)のセンサ26(又はカメラ26)が設けられている。スキャナ24及びセンサ26(又はカメラ26)は、ゲート22に各々取り付けられて、ステージ14の移動経路の上方に固定配置されている。なお、スキャナ24及びセンサ26(又はカメラ26)は、これらを制御する図示しないコントローラに接続されている。   A U-shaped gate 22 is provided at the center of the installation base 18 so as to straddle the movement path of the stage 14. Each end of the U-shaped gate 22 is fixed to both side surfaces of the installation base 18. A scanner 24 is provided on one side of the gate 22, and a plurality of (for example, two) sensors 26 (or cameras 26) for detecting the front and rear ends of the photosensitive layer 12 are provided on the other side. ing. The scanner 24 and the sensor 26 (or the camera 26) are respectively attached to the gate 22 and fixedly arranged above the moving path of the stage 14. The scanner 24 and the sensor 26 (or the camera 26) are connected to a controller (not shown) that controls them.

スキャナ24には、図2及び図3Bに示すように、m行n列(例えば、2行5列)の略マトリックス状に配列された10個の露光ヘッドが備えられている。
図2に示すように、各露光ヘッド30が、後述する内部のデジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)36の各描素部(マイクロミラー)列方向が、走査方向と所定の設定傾斜角度θをなすように、スキャナ24に取り付けられている場合には、各露光ヘッド30による露光エリア32は、走査方向に対して傾斜した矩形状のエリアとなる。
ステージ14の移動に伴い、感光層12には露光ヘッド30ごとに帯状の露光済み領域34が形成される。
なお、以下において、m行目のn列目に配列された個々の露光ヘッドを示す場合は、露光ヘッド30mnと表記し、m行目のn列目に配列された個々の露光ヘッドによる露光エリアを示す場合は、露光エリア32mnと表記する。
As shown in FIGS. 2 and 3B, the scanner 24 includes ten exposure heads arranged in an approximately matrix of m rows and n columns (for example, 2 rows and 5 columns).
As shown in FIG. 2, each exposure head 30 is arranged so that each pixel portion (micromirror) row direction of an internal digital micromirror device (DMD) 36 described later has a scanning direction and a predetermined set inclination angle θ. As is apparent, when attached to the scanner 24, the exposure area 32 by each exposure head 30 is a rectangular area inclined with respect to the scanning direction.
As the stage 14 moves, a strip-shaped exposed region 34 is formed in the photosensitive layer 12 for each exposure head 30.
In the following description, when the individual exposure heads arranged in the mth row and the nth column are indicated, the exposure head 30 mn is indicated, and exposure by the individual exposure heads arranged in the mth row and the nth column is performed. When an area is indicated, it is expressed as an exposure area 32 mn .

また、図3A及び図3Bに示すように、帯状の露光済み領域34のそれぞれが、隣接する露光済み領域34と部分的に重なるように、ライン状に配列された各行の露光ヘッド30の各々は、その配列方向に所定間隔(露光エリアの長辺の自然数倍、本実施形態では2倍)ずらして配置されている。このため、1行目の露光エリア3211と露光エリア3212との間の露光できない部分は、2行目の露光エリア3221により露光することができる。 Further, as shown in FIGS. 3A and 3B, each of the exposure heads 30 in each row arranged in a line so that each of the strip-shaped exposed regions 34 partially overlaps the adjacent exposed region 34 is In the arrangement direction, they are shifted by a predetermined interval (a natural number times the long side of the exposure area, twice in this embodiment). Therefore, can not be exposed portion between the exposure area 32 11 in the first row and the exposure area 32 12, it can be exposed by the second row of the exposure area 32 21.

スキャナ24による感光層12の副走査が終了し、センサ26(又はカメラ26)で感光層12の後端が検出されると、ステージ14は、ステージ駆動装置304により、ガイド20に沿ってゲート22の最上流側にある原点に復帰し、再度、ガイド20に沿ってゲート22の上流側から下流側に一定速度で移動される。   When the sub scanning of the photosensitive layer 12 by the scanner 24 is completed and the rear end of the photosensitive layer 12 is detected by the sensor 26 (or the camera 26), the stage 14 is moved along the guide 20 by the stage driving device 304. It returns to the origin on the most upstream side of the gate and is moved again along the guide 20 from the upstream side to the downstream side of the gate 22 at a constant speed.

ここで、説明のため、ステージ14の表面と平行平面内に、図1に示すように、互いに直交するX軸及びY軸を規定する。   Here, for explanation, an X axis and a Y axis perpendicular to each other are defined in a plane parallel to the surface of the stage 14 as shown in FIG.

ステージ14の走査方向に沿って上流側(以下、単に「上流側」ということがある。)の端縁部には、X軸の方向に向かって開く「く」の字型に形成されたスリット28が、等間隔で10本形成されていてもよい。
各スリット28は、上流側に位置するスリット28aと下流側に位置するスリット28bとからなっている。スリット28aとスリット28bとは互いに直交するとともに、X軸に対してスリット28aは−45度、スリット28bは+45度の角度を有している。
A slit formed in a “<” shape that opens in the direction of the X-axis at the upstream edge (hereinafter sometimes simply referred to as “upstream”) along the scanning direction of the stage 14. 10 may be formed at equal intervals.
Each slit 28 includes a slit 28 a located on the upstream side and a slit 28 b located on the downstream side. The slit 28a and the slit 28b are orthogonal to each other, and the slit 28a has an angle of −45 degrees and the slit 28b has an angle of +45 degrees with respect to the X axis.

スリット28の位置は、前記露光ヘッド30の中心と略一致させられている。また、各スリット28の大きさは、対応する露光ヘッド30による露光エリア32の幅を十分覆う大きさとされている。また、スリット28の位置としては、隣接する露光済み領域34間の重複部分の中心位置と略一致させてもよい。この場合、各スリット28の大きさは、露光済み領域34間の重複部分の幅を十分覆う大きさとする。   The position of the slit 28 is substantially coincident with the center of the exposure head 30. Further, the size of each slit 28 is set to sufficiently cover the width of the exposure area 32 by the corresponding exposure head 30. Further, the position of the slit 28 may be substantially coincident with the center position of the overlapping portion between the adjacent exposed regions 34. In this case, the size of each slit 28 is set so as to sufficiently cover the width of the overlapping portion between the exposed regions 34.

ステージ14内部の各スリット28の下方の位置には、N重露光を行う場合、理想のN重露光を実現するために描素部を選択する後述の使用描素部指定処理において、描素単位としての光点を検出する光点位置検出手段としての単一セル型の光検出器(図示せず)が組み込まれていてもよい。また、前記光検出器は、後述する使用描素部指定処理において、前記描素部の選択を行う描素部選択手段としての演算装置(図示せず)に接続されている。   In the position below each slit 28 in the stage 14, when performing N double exposure, a pixel unit is used in a later-described used pixel part specifying process for selecting a pixel part in order to realize an ideal N double exposure. A single cell type photodetector (not shown) as a light spot position detecting means for detecting a light spot may be incorporated. Further, the photodetector is connected to an arithmetic unit (not shown) as a pixel part selection means for selecting the pixel part in a used pixel part specifying process described later.

露光時における前記露光装置の動作形態はとしては、露光ヘッドを常に移動させながら連続的に露光を行う形態であってもよいし、露光ヘッドを段階的に移動させながら、各移動先の位置で露光ヘッドを静止させて露光動作を行う形態であってもよい。   The operation mode of the exposure apparatus at the time of exposure may be a mode in which exposure is continuously performed while the exposure head is constantly moved, or at each movement destination position while the exposure head is moved stepwise. The exposure head may be stationary and the exposure operation may be performed.

また、前記露光の方法として、露光光と前記感光層とを相対的に移動しながら行うことが好ましく、この場合、前記高速変調と併用することが好ましい。これにより、短時間で高速の露光を行うことができる。   The exposure method is preferably performed while relatively moving the exposure light and the photosensitive layer, and in this case, it is preferable to use the high-speed modulation together. Thereby, high-speed exposure can be performed in a short time.

<<露光ヘッド>>
露光ヘッド30の概略構成の一例を、図4、図5A、及び図5Bに示す。図4、図5A、及び図5Bでは、前記露光ヘッド30中を伝播する光の光路に沿って、各構成要素を示している。
本例では、入射された光を画像データに応じて描素部ごとに変調する光変調手段(描素部ごとに変調する空間光変調素子)として、DMD36(米国テキサス・インスツルメンツ社製)を備え、光照射手段として、ファイバアレイ光源38を備えている。
<< Exposure head >>
An example of a schematic configuration of the exposure head 30 is shown in FIGS. 4, 5A, and 5B. 4, 5 </ b> A, and 5 </ b> B, each component is shown along an optical path of light propagating through the exposure head 30.
In this example, a DMD 36 (manufactured by Texas Instruments Inc., USA) is provided as light modulation means (spatial light modulation element that modulates each pixel part) according to image data in accordance with image data. As a light irradiation means, a fiber array light source 38 is provided.

図4に示すように、DMD36の光入射側には、光ファイバの出射端部(発光点)が露光エリア32の長辺方向と一致する方向に沿って一列に配列されたレーザ出射部を備えたファイバアレイ光源38、ファイバアレイ光源38から出射されたレーザ光を補正してDMD上に集光させる集光レンズ系40、この集光レンズ系40を透過したレーザ光をDMD36に向けて反射するミラー42がこの順に配置されている。なお図4では、集光レンズ系40を概略的に示してある。
また、DMD36の光反射側には、DMD36で反射されたレーザ光を感光層12の露光面上に結像する結像レンズ系50が配置されている。なお図4では、結像レンズ系50を概略的に示してある。
As shown in FIG. 4, on the light incident side of the DMD 36, there is provided a laser emitting portion in which the emission end portion (light emitting point) of the optical fiber is arranged in a line along the direction that coincides with the long side direction of the exposure area 32. The fiber array light source 38, the condensing lens system 40 that corrects the laser light emitted from the fiber array light source 38 and condenses the light on the DMD, and reflects the laser light transmitted through the condensing lens system 40 toward the DMD 36. The mirrors 42 are arranged in this order. In FIG. 4, the condensing lens system 40 is schematically shown.
Further, an imaging lens system 50 that images the laser light reflected by the DMD 36 on the exposure surface of the photosensitive layer 12 is disposed on the light reflection side of the DMD 36. In FIG. 4, the imaging lens system 50 is schematically shown.

前記集光レンズ系40は、例えば、図5A及び図5Bに示すように、ファイバアレイ光源38から出射されたレーザ光を平行光化する1対の組合せレンズ44、平行光化されたレーザ光の光量分布が均一になるように補正する1対の組合せレンズ46、及び光量分布が補正されたレーザ光をDMD36上に集光する集光レンズ48で構成され、更に後述する他の部材等からなる。
前記結像レンズ系50は、例えば、DMD36と感光層12の露光面とが共役な関係となるように配置された2枚のレンズ52及び54で構成され、更に、マイクロレンズアレイ、及びアパーチャアレイ等の後述する他のレンズ群からなる。
For example, as shown in FIGS. 5A and 5B, the condensing lens system 40 includes a pair of combination lenses 44 for collimating the laser light emitted from the fiber array light source 38, and the collimated laser light. It is composed of a pair of combination lenses 46 for correcting the light quantity distribution to be uniform, and a condensing lens 48 for condensing the laser light whose light quantity distribution is corrected on the DMD 36, and further includes other members and the like which will be described later. .
The imaging lens system 50 includes, for example, two lenses 52 and 54 arranged so that the DMD 36 and the exposure surface of the photosensitive layer 12 have a conjugate relationship, and further includes a microlens array and an aperture array. And other lens groups described later.

−光変調手段−
前記光変調手段としてのDMD36は、図6に示すように、SRAMセル(メモリセル)56上に、各々描素(ピクセル)を構成する描素部として、多数のマイクロミラー58が格子状に配列されてなるミラーデバイスである。各マイクロミラー58は支柱に支えられており、その表面にはアルミニウム等の反射率の高い材料が蒸着されている。なお、本実施形態では、各マイクロミラー58の反射率は90%以上であり、その配列ピッチは縦方向、横方向ともに13.7μmである。SRAMセル56は、ヒンジ及びヨークを含む支柱を介して通常の半導体メモリの製造ラインで製造されるシリコンゲートのCMOSのものであり、全体はモノリシック(一体型)に構成されている。
-Light modulation means-
As shown in FIG. 6, the DMD 36 as the light modulating means has a large number of micromirrors 58 arranged in a lattice form on the SRAM cell (memory cell) 56 as a pixel portion constituting each pixel (pixel). This is a mirror device. Each micromirror 58 is supported by a support column, and a material having high reflectivity such as aluminum is deposited on the surface thereof. In the present embodiment, the reflectance of each micromirror 58 is 90% or more, and the arrangement pitch thereof is 13.7 μm in both the vertical direction and the horizontal direction. The SRAM cell 56 is of a silicon gate CMOS manufactured in a normal semiconductor memory manufacturing line via a support including a hinge and a yoke, and the whole is configured monolithically (integrated).

DMD36のSRAMセル(メモリセル)56に、所望の2次元パターンを構成する各点の濃度を2値で表した画像信号が書き込まれると、支柱に支えられた各マイクロミラー58が、対角線を中心としてDMD36が配置された基板側に対して±α度(例えば±10度)のいずれかに傾く。図7Aは、マイクロミラー58がオン状態である+α度に傾いた状態を示し、図7Bは、マイクロミラー58がオフ状態である−α度に傾いた状態を示す。このように、画像信号に応じて、DMD36の各ピクセルにおけるマイクロミラー58の傾きを制御することによって、DMD36に入射したレーザ光Bはそれぞれのマイクロミラー58の傾き方向へ反射される。
それぞれのマイクロミラー58のオンオフ制御は、DMD36に接続された図8のコントローラ302によって行われる。また、オフ状態のマイクロミラー58で反射したレーザ光Bが進行する方向には、光吸収体(図示せず)が配置されている。
When an image signal representing the density of each point constituting a desired two-dimensional pattern in binary is written in the SRAM cell (memory cell) 56 of the DMD 36, each micromirror 58 supported by the column is centered on the diagonal line. As shown in FIG. 2, the angle is inclined to ± α degrees (for example, ± 10 degrees) with respect to the substrate side on which the DMD 36 is disposed. FIG. 7A shows a state in which the micromirror 58 is tilted to + α degrees in the on state, and FIG. 7B shows a state in which the micromirror 58 is tilted to −α degrees in the off state. Thus, by controlling the tilt of the micromirror 58 in each pixel of the DMD 36 according to the image signal, the laser light B incident on the DMD 36 is reflected in the tilt direction of each micromirror 58.
The on / off control of each micromirror 58 is performed by the controller 302 of FIG. 8 connected to the DMD 36. Further, a light absorber (not shown) is arranged in the direction in which the laser beam B reflected by the off-state micromirror 58 travels.

また、DMD36は、その短辺が副走査方向と所定角度θ(例えば、0.1°〜5°)を成すように僅かに傾斜させて配置するのが好ましい。図9AはDMD36を傾斜させない場合の各マイクロミラーによる反射光像(露光ビーム)53の走査軌跡を示し、図9BはDMD36を傾斜させた場合の露光ビーム53の走査軌跡を示している。   Further, it is preferable that the DMD 36 is disposed with a slight inclination so that the short side forms a predetermined angle θ (for example, 0.1 ° to 5 °) with the sub-scanning direction. 9A shows the scanning trajectory of the reflected light image (exposure beam) 53 by each micromirror when the DMD 36 is not tilted, and FIG. 9B shows the scanning trajectory of the exposure beam 53 when the DMD 36 is tilted.

DMD36には、長手方向にマイクロミラーが多数個(例えば、1024個)配列されたマイクロミラー列が、短手方向に多数組(例えば、756組)配列されているが、図9Bに示すように、DMD36を傾斜させることにより、各マイクロミラーによる露光ビーム53の走査軌跡(走査線)のピッチPが、DMD36を傾斜させない場合の走査線のピッチPより狭くなり、解像度を大幅に向上させることができる。一方、DMD36の傾斜角は微小であるので、DMD36を傾斜させた場合の走査幅Wと、DMD36を傾斜させない場合の走査幅Wとは略同一である。 In the DMD 36, a number of micromirror arrays in which a number of micromirrors are arranged in the longitudinal direction (for example, 1024) are arranged in a short direction (for example, 756 pairs). , by inclining the DMD 36, the pitch P 2 of the scanning locus of the exposure beams 53 from each micromirror (scan line), becomes narrower than the pitch P 1 of the scanning line in the case of not tilting the DMD 36, greatly improve the resolution be able to. On the other hand, since the inclination angle of the DMD 36 is minute, the scanning width W 2 in the case of tilting the DMD 36, is substantially equal to the scanning width W 1 when not inclined DMD 36.

異なるマイクロミラー列により同じ走査線上が重ねて露光されることにより、アライメントマークに対する露光位置の微少量を制御することができ、高精細な露光を実現することができる、また、主走査方向に配列された複数の露光ヘッドの間のつなぎ目(ヘッド間つなぎ領域)を微少量の制御により段差なくつなぐことができる。
DMDを傾斜させるかわりに、各マイクロミラー列を副走査方向と直交する方向に所定間隔ずらし、図10に示すように千鳥情に配置しても、同様の効果を得ることができる。
By exposing the same scanning line on different micromirror rows in an overlapping manner, it is possible to control a minute amount of the exposure position with respect to the alignment mark, realizing high-definition exposure, and arranging in the main scanning direction It is possible to connect the joints between the plurality of exposure heads (joint areas between the heads) without any step by a very small amount of control.
The same effect can be obtained even if each micromirror array is shifted by a predetermined interval in the direction orthogonal to the sub-scanning direction and arranged in a zigzag pattern as shown in FIG. 10 instead of inclining the DMD.

なお、図10に示すように、スキャナ24によるX方向への1回の走査で感光層12の全面を露光してもよく、図11A及び図11Bに示すように、スキャナ24により感光層12をX方向へ走査した後、スキャナ24をY方向に1ステップ移動し、X方向へ走査を行うというように、走査と移動を繰り返して、複数回の走査で感光層12の全面を露光するようにしてもよい。   As shown in FIG. 10, the entire surface of the photosensitive layer 12 may be exposed by one scanning in the X direction by the scanner 24. As shown in FIGS. 11A and 11B, the photosensitive layer 12 is removed by the scanner 24. After scanning in the X direction, the scanner 24 is moved one step in the Y direction, and scanning in the X direction is repeated, so that the entire surface of the photosensitive layer 12 is exposed by a plurality of scans. May be.

−光照射手段−
前記光照射手段の好適な例として、合波レーザを照射可能な手段、例えば、複数のレーザと、マルチモード光ファイバと、該複数のレーザからそれぞれ照射したレーザビームを集光して前記マルチモード光ファイバに結合させるレンズ系とを有する手段(ファイバアレイ光源)について説明する。
-Light irradiation means-
As a suitable example of the light irradiating means, a means capable of irradiating a combined laser, for example, a plurality of lasers, a multimode optical fiber, and a laser beam irradiated from each of the plurality of lasers to collect the multimode. A means (fiber array light source) having a lens system coupled to an optical fiber will be described.

ファイバアレイ光源38は、図12に示すように、複数(例えば14個)のレーザモジュール60を備えており、各レーザモジュール60には、マルチモード光ファイバ62の一端が結合されている。マルチモード光ファイバ62の他端には、マルチモード光ファイバ62より小さいクラッド径を有する光ファイバ64が結合されている。図13に詳しく示すように、光ファイバ64のマルチモード光ファイバ62と反対側の端部は走査方向と直交する方向に沿って7個並べられ、それが2列に配列されてレーザ出射部66が構成されている。   As shown in FIG. 12, the fiber array light source 38 includes a plurality of (for example, 14) laser modules 60, and one end of a multimode optical fiber 62 is coupled to each laser module 60. An optical fiber 64 having a cladding diameter smaller than that of the multimode optical fiber 62 is coupled to the other end of the multimode optical fiber 62. As shown in detail in FIG. 13, seven ends of the optical fiber 64 opposite to the multimode optical fiber 62 are arranged along the direction orthogonal to the scanning direction, and these are arranged in two rows to form the laser emitting unit 66. Is configured.

光ファイバ64の端部で構成されるレーザ出射部66は、図13に示すように、表面が平坦な2枚の支持板68に挟み込まれて固定されている。また、光ファイバ64の光出射端面には、その保護のために、ガラス等の透明な保護板が配置されるのが望ましい。光ファイバ64の光出射端面は、光密度が高いため集塵しやすく劣化しやすいが、上述のような保護板を配置することにより、端面への塵埃の付着を防止し、また劣化を遅らせることができる。   As shown in FIG. 13, the laser emitting portion 66 constituted by the end portion of the optical fiber 64 is sandwiched and fixed between two support plates 68 having a flat surface. Moreover, it is desirable that a transparent protective plate such as glass is disposed on the light emitting end face of the optical fiber 64 for protection. The light exit end face of the optical fiber 64 has a high light density and is likely to collect dust and easily deteriorate. However, by arranging the protective plate as described above, it is possible to prevent the dust from adhering to the end face and to delay the deterioration. Can do.

このような光ファイバは、例えば、図14に示すように、クラッド径が大きいマルチモード光ファイバ62のレーザ光出射側の先端部分に、長さ1〜30cmのクラッド径が小さい光ファイバ64を同軸的に結合することにより得ることができる。2本の光ファイバは、光ファイバ64の入射端面が、マルチモード光ファイバ62の出射端面に、両光ファイバの中心軸が一致するように融着されて結合されている。上述した通り、光ファイバ64のコア64aの径は、マルチモード光ファイバ62のコア62aの径と同じ大きさである。   For example, as shown in FIG. 14, an optical fiber 64 having a length of 1 to 30 cm and having a small cladding diameter is coaxially connected to the tip of the multimode optical fiber 62 having a large cladding diameter on the laser light emission side. Can be obtained by linking them together. In the two optical fibers, the incident end face of the optical fiber 64 is fused and joined to the outgoing end face of the multimode optical fiber 62 so that the central axes of both optical fibers coincide. As described above, the diameter of the core 64 a of the optical fiber 64 is the same as the diameter of the core 62 a of the multimode optical fiber 62.

また、長さが短くクラッド径が大きい光ファイバにクラッド径が小さい光ファイバを融着させた短尺光ファイバを、フェルールや光コネクタ等を介してマルチモード光ファイバ62の出射端に結合してもよい。コネクタ等を用いて着脱可能に結合することで、クラッド径が小さい光ファイバが破損した場合等に先端部分の交換が容易になり、露光ヘッドのメンテナンスに要するコストを低減できる。なお、以下では、光ファイバ64を、マルチモード光ファイバ62の出射端部と称する場合がある。   In addition, a short optical fiber in which an optical fiber having a short cladding diameter and a large cladding diameter is fused with an optical fiber having a small cladding diameter may be coupled to the output end of the multimode optical fiber 62 via a ferrule or an optical connector. Good. By detachably coupling using a connector or the like, the tip portion can be easily replaced when an optical fiber having a small cladding diameter is broken, and the cost required for exposure head maintenance can be reduced. Hereinafter, the optical fiber 64 may be referred to as an emission end portion of the multimode optical fiber 62.

マルチモード光ファイバ62及び光ファイバ64としては、ステップインデックス型光ファイバ、グレーテッドインデックス型光ファイバ、及び複合型光ファイバの何れでもよい。例えば、三菱電線工業株式会社製のステップインデックス型光ファイバを用いることができる。本実施の形態では、マルチモード光ファイバ62及び光ファイバ64は、ステップインデックス型光ファイバであり、マルチモード光ファイバ62は、クラッド径=125μm、コア径=50μm、NA=0.2、入射端面コートの透過率=99.5%以上であり、光ファイバ64は、クラッド径=60μm、コア径=50μm、NA=0.2である。   The multimode optical fiber 62 and the optical fiber 64 may be any of a step index type optical fiber, a graded index type optical fiber, and a composite type optical fiber. For example, a step index type optical fiber manufactured by Mitsubishi Cable Industries, Ltd. can be used. In the present embodiment, the multimode optical fiber 62 and the optical fiber 64 are step index type optical fibers, and the multimode optical fiber 62 has a cladding diameter = 125 μm, a core diameter = 50 μm, NA = 0.2, an incident end face. The transmittance of the coat is 99.5% or more, and the optical fiber 64 has a clad diameter = 60 μm, a core diameter = 50 μm, and NA = 0.2.

一般に、赤外領域のレーザ光では、光ファイバのクラッド径を小さくすると伝搬損失が増加する。このため、レーザ光の波長帯域に応じて好適なクラッド径が決定されている。しかしながら、波長が短いほど伝搬損失は少なくなり、GaN系半導体レーザから出射された波長405nmのレーザ光では、クラッドの厚み{(クラッド径−コア径)/2}を800nmの波長帯域の赤外光を伝搬させる場合の1/2程度、通信用の1.5μmの波長帯域の赤外光を伝搬させる場合の約1/4にしても、伝搬損失は殆ど増加しない。従って、クラッド径を60μmと小さくすることができる。   In general, in the laser light in the infrared region, the propagation loss increases as the cladding diameter of the optical fiber is reduced. For this reason, a suitable cladding diameter is determined according to the wavelength band of the laser beam. However, the shorter the wavelength, the smaller the propagation loss. In the case of laser light having a wavelength of 405 nm emitted from a GaN-based semiconductor laser, the cladding thickness {(cladding diameter−core diameter) / 2} is set to an infrared light having a wavelength band of 800 nm. The propagation loss hardly increases even if it is about ½ of the case of propagating infrared light and about ¼ of the case of propagating infrared light in the 1.5 μm wavelength band for communication. Therefore, the cladding diameter can be reduced to 60 μm.

但し、光ファイバのクラッド径は60μmには限定されない。従来のファイバアレイ光源に使用されている光ファイバのクラッド径は125μmであるが、クラッド径が小さくなるほど焦点深度がより深くなるので、光ファイバのクラッド径は80μm以下が好ましく、60μm以下がより好ましく、40μm以下が更に好ましい。一方、コア径は少なくとも3〜4μm必要であることから、光ファイバ64のクラッド径は10μm以上が好ましい。   However, the cladding diameter of the optical fiber is not limited to 60 μm. The clad diameter of the optical fiber used in the conventional fiber array light source is 125 μm. However, the smaller the clad diameter, the deeper the focal depth, so the clad diameter of the optical fiber is preferably 80 μm or less, more preferably 60 μm or less. 40 μm or less is more preferable. On the other hand, since the core diameter needs to be at least 3 to 4 μm, the cladding diameter of the optical fiber 64 is preferably 10 μm or more.

レーザモジュール60は、図15に示す合波レーザ光源(ファイバアレイ光源)によって構成されている。この合波レーザ光源は、ヒートブロック110上に配列固定された複数(例えば、7個)のチップ状の横マルチモード又はシングルモードのGaN系半導体レーザLD1、LD2、LD3、LD4、LD5、LD6、及びLD7と、GaN系半導体レーザLD1〜LD7の各々に対応して設けられたコリメータレンズL1、L2、L3、L4、L5、L6及びL7と、1つの集光レンズ200と、1本のマルチモード光ファイバ62と、から構成されている。なお、半導体レーザの個数は7個には限定されない。例えば、クラッド径=60μm、コア径=50μm、NA=0.2のマルチモード光ファイバには、20個もの半導体レーザ光を入射することが可能であり、露光ヘッドの必要光量を実現して、且つ光ファイバ本数をより減らすことができる。   The laser module 60 is composed of a combined laser light source (fiber array light source) shown in FIG. This combined laser light source includes a plurality of (for example, seven) chip-like lateral multimode or single mode GaN-based semiconductor lasers LD1, LD2, LD3, LD4, LD5, LD6 arranged on the heat block 110, And LD7, collimator lenses L1, L2, L3, L4, L5, L6, and L7 provided corresponding to each of the GaN-based semiconductor lasers LD1 to LD7, one condenser lens 200, and one multimode. And an optical fiber 62. The number of semiconductor lasers is not limited to seven. For example, as many as 20 semiconductor laser beams can be incident on a multimode optical fiber having a cladding diameter = 60 μm, a core diameter = 50 μm, and NA = 0.2. In addition, the number of optical fibers can be further reduced.

GaN系半導体レーザLD1〜LD7は、発振波長が総て共通(例えば、405nm)であり、最大出力も総て共通(例えば、マルチモードレーザでは100mW、シングルモードレーザでは30mW)である。なお、GaN系半導体レーザLD1〜LD7としては、350nm〜450nmの波長範囲で、上記の405nm以外の発振波長を備えるレーザを用いてもよい。   The GaN-based semiconductor lasers LD1 to LD7 all have the same oscillation wavelength (for example, 405 nm), and the maximum output is also all the same (for example, 100 mW for the multimode laser and 30 mW for the single mode laser). As the GaN-based semiconductor lasers LD1 to LD7, lasers having an oscillation wavelength other than the above 405 nm in a wavelength range of 350 nm to 450 nm may be used.

前記合波レーザ光源は、図16及び図17に示すように、他の光学要素と共に、上方が開口した箱状のパッケージ400内に収納されている。パッケージ400は、その開口を閉じるように作製されたパッケージ蓋410を備えており、脱気処理後に封止ガスを導入し、パッケージ400の開口をパッケージ蓋410で閉じることにより、パッケージ400とパッケージ蓋410とにより形成される閉空間(封止空間)内に上記合波レーザ光源が気密封止されている。   As shown in FIGS. 16 and 17, the combined laser light source is housed in a box-shaped package 400 having an upper opening together with other optical elements. The package 400 includes a package lid 410 manufactured so as to close the opening. After the degassing process, a sealing gas is introduced, and the package 400 and the package lid are closed by closing the opening of the package 400 with the package lid 410. The combined laser light source is hermetically sealed in a closed space (sealed space) formed by the reference numeral 410.

パッケージ400の底面にはベース板420が固定されており、このベース板420の上面には、前記ヒートブロック110と、集光レンズ200を保持する集光レンズホルダー450と、マルチモード光ファイバ62の入射端部を保持するファイバホルダー460とが取り付けられている。マルチモード光ファイバ62の出射端部は、パッケージ400の壁面に形成された開口からパッケージ外に引き出されている。   A base plate 420 is fixed to the bottom surface of the package 400, and the heat block 110, a condensing lens holder 450 that holds the condensing lens 200, and the multimode optical fiber 62 are disposed on the top surface of the base plate 420. A fiber holder 460 that holds the incident end is attached. The exit end of the multimode optical fiber 62 is drawn out of the package from an opening formed in the wall surface of the package 400.

また、ヒートブロック110の側面にはコリメータレンズホルダー440が取り付けられており、コリメータレンズL1〜L7が保持されている。パッケージ400の横壁面には開口が形成され、この開口を通してGaN系半導体レーザLD1〜LD7に駆動電流を供給する配線470がパッケージ外に引き出されている。   A collimator lens holder 440 is attached to the side surface of the heat block 110, and the collimator lenses L1 to L7 are held. An opening is formed in the lateral wall surface of the package 400, and a wiring 470 for supplying a driving current to the GaN semiconductor lasers LD1 to LD7 is drawn out of the package through the opening.

なお、図16及び図17においては、図の煩雑化を避けるために、複数のGaN系半導体レーザのうちGaN系半導体レーザLD7にのみ番号を付し、複数のコリメータレンズのうちコリメータレンズL7にのみ番号を付している。   16 and 17, in order to avoid complication of the drawings, only the GaN semiconductor laser LD7 among the plurality of GaN semiconductor lasers is numbered, and only the collimator lens L7 among the plurality of collimator lenses. It is numbered.

図18は、前記コリメータレンズL1〜L7の取り付け部分の正面形状を示すものである。コリメータレンズL1〜L7の各々は、非球面を備えた円形レンズの光軸を含む領域を平行平面で細長く切り取った形状に形成されている。この細長形状のコリメータレンズは、例えば、樹脂又は光学ガラスをモールド成形することによって形成することができる。コリメータレンズL1〜L7は、長さ方向がGaN系半導体レーザLD1〜LD7の発光点の配列方向(図18の左右方向)と直交するように、上記発光点の配列方向に密接配置されている。   FIG. 18 shows a front shape of a mounting portion of the collimator lenses L1 to L7. Each of the collimator lenses L <b> 1 to L <b> 7 is formed in a shape in which a region including the optical axis of a circular lens having an aspherical surface is cut out in a parallel plane. This elongated collimator lens can be formed, for example, by molding resin or optical glass. The collimator lenses L1 to L7 are closely arranged in the arrangement direction of the light emitting points so that the length direction is orthogonal to the arrangement direction of the light emitting points of the GaN-based semiconductor lasers LD1 to LD7 (left and right direction in FIG. 18).

一方、GaN系半導体レーザLD1〜LD7としては、発光幅が2μmの活性層を備え、活性層と平行方向、直角な方向の拡がり角が各々例えば10°、30°の状態で各々レーザビームB1〜B7を発するレーザが用いられている。これらGaN系半導体レーザLD1〜LD7は、活性層と平行方向に発光点が1列に並ぶように配設されている。   On the other hand, each of the GaN-based semiconductor lasers LD1 to LD7 includes an active layer having a light emission width of 2 μm, and each of the laser beams B1 to B1 has a divergence angle of, for example, 10 ° and 30 ° in a direction parallel to and perpendicular to the active layer. A laser emitting B7 is used. These GaN-based semiconductor lasers LD1 to LD7 are arranged so that the light emitting points are arranged in a line in a direction parallel to the active layer.

したがって、各発光点から発せられたレーザビームB1〜B7は、上述のように細長形状の各コリメータレンズL1〜L7に対して、拡がり角度が大きい方向が長さ方向と一致し、拡がり角度が小さい方向が幅方向(長さ方向と直交する方向)と一致する状態で入射することになる。つまり、各コリメータレンズL1〜L7の幅が1.1mm、長さが4.6mmであり、それらに入射するレーザビームB1〜B7の水平方向、垂直方向のビーム径は各々0.9mm、2.6mmである。また、コリメータレンズL1〜L7の各々は、焦点距離f=3mm、NA=0.6、レンズ配置ピッチ=1.25mmである。 Therefore, in the laser beams B1 to B7 emitted from the respective light emitting points, the direction in which the divergence angle is large coincides with the length direction and the divergence angle is small with respect to the elongated collimator lenses L1 to L7 as described above. Incident light is incident in a state where the direction coincides with the width direction (direction perpendicular to the length direction). That is, the collimator lenses L1 to L7 have a width of 1.1 mm and a length of 4.6 mm, and the horizontal and vertical beam diameters of the laser beams B1 to B7 incident thereon are 0.9 mm and 2. 6 mm. In addition, each of the collimator lenses L1 to L7 has a focal length f 1 = 3 mm, NA = 0.6, and a lens arrangement pitch = 1.25 mm.

集光レンズ200は、非球面を備えた円形レンズの光軸を含む領域を平行平面で細長く切り取って、コリメータレンズL1〜L7の配列方向、つまり水平方向に長く、それと直角な方向に短い形状に形成されている。この集光レンズ200は、焦点距離f=23mm、NA=0.2である。この集光レンズ200も、例えば、樹脂又は光学ガラスをモールド成形することにより形成される。 The condensing lens 200 is obtained by cutting a region including the optical axis of a circular lens having an aspherical surface into an elongated shape in a parallel plane so as to be long in the arrangement direction of the collimator lenses L1 to L7, that is, in the horizontal direction and short in a direction perpendicular thereto. Is formed. The condenser lens 200 has a focal length f 2 = 23 mm and NA = 0.2. This condensing lens 200 is also formed by molding resin or optical glass, for example.

また、DMDを照明する光照射手段に、合波レーザ光源の光ファイバの出射端部をアレイ状に配列した高輝度のファイバアレイ光源を用いているので、高出力で且つ深い焦点深度を備えた露光装置を実現することができる。更に、各ファイバアレイ光源の出力が大きくなることで、所望の出力を得るために必要なファイバアレイ光源数が少なくなり、露光装置の低コスト化が図られる。   In addition, since the light emitting means for illuminating the DMD uses a high-intensity fiber array light source in which the output ends of the optical fibers of the combined laser light source are arranged in an array, it has high output and a deep focal depth An exposure apparatus can be realized. Furthermore, since the output of each fiber array light source is increased, the number of fiber array light sources required to obtain a desired output is reduced, and the cost of the exposure apparatus can be reduced.

また、光ファイバの出射端のクラッド径を入射端のクラッド径よりも小さくしているので、発光部径がより小さくなり、ファイバアレイ光源の高輝度化が図られる。これにより、より深い焦点深度を備えた露光装置を実現することができる。例えば、ビーム径1μm以下、解像度0.1μm以下の超高解像度露光の場合にも、深い焦点深度を得ることができ、高速且つ高精細な露光が可能となる。したがって、高解像度が必要とされる薄膜トランジスタ(TFT)の露光工程に好適である。   In addition, since the cladding diameter at the exit end of the optical fiber is smaller than the cladding diameter at the entrance end, the diameter of the light emitting portion is further reduced, and the brightness of the fiber array light source can be increased. Thereby, an exposure apparatus having a deeper depth of focus can be realized. For example, even in the case of ultra-high resolution exposure with a beam diameter of 1 μm or less and a resolution of 0.1 μm or less, a deep depth of focus can be obtained, and high-speed and high-definition exposure is possible. Therefore, it is suitable for a thin film transistor (TFT) exposure process that requires high resolution.

また、前記光照射手段としては、前記合波レーザ光源を複数備えたファイバアレイ光源に限定されず、例えば、1個の発光点を有する単一の半導体レーザから入射されたレーザ光を出射する1本の光ファイバを備えたファイバ光源をアレイ化したファイバアレイ光源を用いることができる。   The light irradiating means is not limited to a fiber array light source including a plurality of the combined laser light sources, and for example, emits laser light incident from a single semiconductor laser having one light emitting point. A fiber array light source in which fiber light sources including optical fibers are arrayed can be used.

また、複数の発光点を備えた光照射手段としては、例えば、図19に示すように、ヒートブロック110上に、複数(例えば、7個)のチップ状の半導体レーザLD1〜LD7を配列したレーザアレイを用いることができる。また、図20Aに示す、複数(例えば、5個)の発光点111aが所定方向に配列されたチップ状のマルチキャビティレーザ111が知られている。マルチキャビティレーザ111は、チップ状の半導体レーザを配列する場合と比べ、発光点を位置精度よく配列できるので、各発光点から出射されるレーザビームを合波し易い。但し、発光点が多くなるとレーザ製造時にマルチキャビティレーザ111に撓みが発生し易くなるため、発光点111aの個数は5個以下とするのが好ましい。   Further, as the light irradiation means having a plurality of light emitting points, for example, as shown in FIG. 19, a laser in which a plurality of (for example, seven) chip-shaped semiconductor lasers LD1 to LD7 are arranged on the heat block 110. An array can be used. Further, a chip-shaped multicavity laser 111 in which a plurality of (for example, five) light emitting points 111a shown in FIG. 20A are arranged in a predetermined direction is known. Since the multicavity laser 111 can arrange the light emitting points with higher positional accuracy than the case where the chip-shaped semiconductor lasers are arranged, it is easy to multiplex the laser beams emitted from the respective light emitting points. However, as the number of light emitting points increases, the multi-cavity laser 111 is likely to be bent at the time of laser manufacture. Therefore, the number of light emitting points 111a is preferably 5 or less.

前記光照射手段としては、このマルチキャビティレーザ111や、図20Bに示すように、ヒートブロック110上に、複数のマルチキャビティレーザ111が各チップの発光点111aの配列方向と同じ方向に配列されたマルチキャビティレーザアレイを、レーザ光源として用いることができる。   As the light irradiation means, as shown in FIG. 20B, a plurality of multi-cavity lasers 111 are arranged on the heat block 110 in the same direction as the arrangement direction of the light emitting points 111a of each chip. A multi-cavity laser array can be used as a laser light source.

また、合波レーザ光源は、複数のチップ状の半導体レーザから出射されたレーザ光を合波するものには限定されない。例えば、図21に示すように、複数(例えば、3個)の発光点111aを有するチップ状のマルチキャビティレーザ111を備えた合波レーザ光源を用いることができる。この合波レーザ光源は、マルチキャビティレーザ111と、1本のマルチモード光ファイバ62と、集光レンズ200と、を備えて構成されている。マルチキャビティレーザ111は、例えば、発振波長が405nmのGaN系レーザダイオードで構成することができる。   The combined laser light source is not limited to one that combines laser beams emitted from a plurality of chip-shaped semiconductor lasers. For example, as shown in FIG. 21, a combined laser light source including a chip-shaped multicavity laser 111 having a plurality of (for example, three) light emitting points 111a can be used. The combined laser light source includes a multi-cavity laser 111, a single multi-mode optical fiber 62, and a condenser lens 200. The multicavity laser 111 can be composed of, for example, a GaN laser diode having an oscillation wavelength of 405 nm.

前記構成では、マルチキャビティレーザ111の複数の発光点111aの各々から出射したレーザビームBの各々は、集光レンズ200によって集光され、マルチモード光ファイバ62のコア62aに入射する。コア62aに入射したレーザ光は、光ファイバ内を伝搬し、1本に合波されて出射する。   In the above-described configuration, each of the laser beams B emitted from each of the plurality of light emitting points 111 a of the multicavity laser 111 is collected by the condenser lens 200 and enters the core 62 a of the multimode optical fiber 62. The laser light incident on the core 62a propagates in the optical fiber, is combined into one, and is emitted.

マルチキャビティレーザ111の複数の発光点111aを、上記マルチモード光ファイバ62のコア径と略等しい幅内に並設すると共に、集光レンズ200として、マルチモード光ファイバ62のコア径と略等しい焦点距離の凸レンズや、マルチキャビティレーザ111からの出射ビームをその活性層に垂直な面内のみでコリメートするロッドレンズを用いることにより、レーザビームBのマルチモード光ファイバ62への結合効率を上げることができる。   A plurality of light emitting points 111 a of the multicavity laser 111 are arranged in parallel within a width substantially equal to the core diameter of the multimode optical fiber 62, and a focal point substantially equal to the core diameter of the multimode optical fiber 62 is formed as the condenser lens 200. By using a convex lens of a distance or a rod lens that collimates the outgoing beam from the multicavity laser 111 only in a plane perpendicular to the active layer, the coupling efficiency of the laser beam B to the multimode optical fiber 62 can be increased. it can.

また、図22に示すように、複数(例えば、3個)の発光点を備えたマルチキャビティレーザ111を用い、ヒートブロック110上に複数(例えば、9個)のマルチキャビティレーザ111が互いに等間隔で配列されたレーザアレイ140を備えた合波レーザ光源を用いることができる。複数のマルチキャビティレーザ111は、各チップの発光点111aの配列方向と同じ方向に配列されて固定されている。   Further, as shown in FIG. 22, a multi-cavity laser 111 having a plurality of (for example, three) emission points is used, and a plurality of (for example, nine) multi-cavity lasers 111 are equally spaced on the heat block 110. A combined laser light source including the laser array 140 arranged in (1) can be used. The plurality of multi-cavity lasers 111 are arranged and fixed in the same direction as the arrangement direction of the light emitting points 111a of each chip.

この合波レーザ光源は、レーザアレイ140と、各マルチキャビティレーザ111に対応させて配置した複数のレンズアレイ114と、レーザアレイ140と複数のレンズアレイ114との間に配置された1本のロッドレンズ113と、1本のマルチモード光ファイバ62と、集光レンズ200と、を備えて構成されている。レンズアレイ114は、マルチキャビティレーザ110の発光点に対応した複数のマイクロレンズを備えている。   This combined laser light source includes a laser array 140, a plurality of lens arrays 114 arranged corresponding to each multi-cavity laser 111, and a single rod arranged between the laser array 140 and the plurality of lens arrays 114. The lens 113, one multimode optical fiber 62, and a condenser lens 200 are provided. The lens array 114 includes a plurality of microlenses corresponding to the emission points of the multicavity laser 110.

上記の構成では、複数のマルチキャビティレーザ111の複数の発光点111aの各々から出射したレーザビームBの各々は、ロッドレンズ113により所定方向に集光された後、レンズアレイ114の各マイクロレンズにより平行光化される。平行光化されたレーザビームLは、集光レンズ200によって集光され、マルチモード光フアイバ62のコア62aに入射する。コア62aに入射したレーザ光は、光フアイバ内を伝搬し、1本に合波されて出射する。   In the above configuration, each of the laser beams B emitted from each of the plurality of light emitting points 111 a of the plurality of multi-cavity lasers 111 is condensed in a predetermined direction by the rod lens 113 and then each microlens of the lens array 114. It becomes parallel light. The collimated laser beam L is condensed by the condenser lens 200 and enters the core 62 a of the multimode optical fiber 62. The laser light incident on the core 62a propagates in the optical fiber, is combined into one, and is emitted.

更に他の合波レーザ光源の例を示す。この合波レーザ光源は、図23A及び図23Bに示すように、略矩形状のヒートブロック180上に光軸方向の断面がL字状のヒートブロック182が搭載され、2つのヒートブロック間に収納空間が形成されている。L字状のヒートブロック182の上面には、複数の発光点(例えば、5個)がアレイ状に配列された複数(例えば、2個)のマルチキャビティレーザ111が、各チップの発光点111aの配列方向と同じ方向に等間隔で配列されて固定されている。   Still another example of the combined laser light source will be described. As shown in FIGS. 23A and 23B, this combined laser light source has a heat block 182 having an L-shaped cross section in the optical axis direction mounted on a substantially rectangular heat block 180, and is stored between two heat blocks. A space is formed. On the upper surface of the L-shaped heat block 182, a plurality of (for example, two) multi-cavity lasers 111 in which a plurality of light emitting points (for example, five) are arranged in an array form the light emitting points 111a of each chip. It is arranged and fixed at equal intervals in the same direction as the arrangement direction.

略矩形状のヒートブロック180には凹部が形成されており、ヒートブロック180の空間側上面には、複数の発光点(例えば、5個)がアレイ状に配列された複数(例えば、2個)のマルチキャビティレーザ110が、その発光点がヒートブロック182の上面に配置されたレーザチップの発光点と同じ鉛直面上に位置するように配置されている。   A concave portion is formed in the substantially rectangular heat block 180, and a plurality of (for example, two) light emitting points (for example, five) are arranged in an array on the upper surface of the space side of the heat block 180. The multi-cavity laser 110 is arranged such that its emission point is located on the same vertical plane as the emission point of the laser chip arranged on the upper surface of the heat block 182.

マルチキャビティレーザ111のレーザ光出射側には、各チップの発光点111aに対応してコリメートレンズが配列されたコリメートレンズアレイ184が配置されている。コリメートレンズアレイ184は、各コリメートレンズの長さ方向とレーザビームの拡がり角が大きい方向(速軸方向)とが一致し、各コリメートレンズの幅方向が拡がり角が小さい方向(遅軸方向)と一致するように配置されている。このように、コリメートレンズをアレイ化して一体化することで、レーザ光の空間利用効率が向上し合波レーザ光源の高出力化が図られると共に、部品点数が減少し低コスト化することができる。   On the laser beam emission side of the multi-cavity laser 111, a collimator lens array 184 in which collimator lenses are arranged corresponding to the light emission points 111a of the respective chips is arranged. In the collimating lens array 184, the length direction of each collimating lens coincides with the direction in which the divergence angle of the laser beam is large (the fast axis direction), and the width direction of each collimating lens is the direction in which the divergence angle is small (slow axis direction). They are arranged to match. Thus, by collimating and integrating the collimating lenses, the space utilization efficiency of the laser light can be improved, the output of the combined laser light source can be increased, and the number of parts can be reduced and the cost can be reduced. .

また、コリメートレンズアレイ184のレーザ光出射側には、1本のマルチモード光ファイバ62と、このマルチモード光ファイバ62の入射端にレーザビームを集光して結合する集光レンズ200と、が配置されている。   Further, on the laser beam emitting side of the collimating lens array 184, there is one multimode optical fiber 62 and a condensing lens 200 that condenses and couples the laser beam to the incident end of the multimode optical fiber 62. Is arranged.

前記構成では、レーザブロック180、182上に配置された複数のマルチキヤビティレーザ111の複数の発光点111aの各々から出射したレーザビームBの各々は、コリメートレンズアレイ184により平行光化され、集光レンズ200によって集光されて、マルチモード光フアイバ62のコア62aに入射する。コア62aに入射したレーザ光は、光フアイバ内を伝搬し、1本に合波されて出射する。   In the above configuration, each of the laser beams B emitted from each of the plurality of light emitting points 111a of the plurality of multi-cavity lasers 111 arranged on the laser blocks 180 and 182 is collimated by the collimating lens array 184 and collected. The light is collected by the optical lens 200 and is incident on the core 62 a of the multimode optical fiber 62. The laser light incident on the core 62a propagates in the optical fiber, is combined into one, and is emitted.

前記合波レーザ光源は、上記の通り、マルチキャビティレーザの多段配置とコリメートレンズのアレイ化とにより、特に高出力化を図ることができる。この合波レーザ光源を用いることにより、より高輝度なファイバアレイ光源やバンドルファイバ光源を構成することができるので、本発明の露光装置のレーザ光源を構成するファイバ光源として特に好適である。   As described above, the combined laser light source can achieve particularly high output by the multistage arrangement of multicavity lasers and the array of collimating lenses. By using this combined laser light source, a higher-intensity fiber array light source or bundle fiber light source can be formed, which is particularly suitable as a fiber light source constituting the laser light source of the exposure apparatus of the present invention.

なお、前記各合波レーザ光源をケーシング内に収納し、マルチモード光ファイバ62の出射端部をそのケーシングから引き出したレーザモジュールを構成することができる。   A laser module in which each of the combined laser light sources is housed in a casing and the emission end portion of the multimode optical fiber 62 is pulled out from the casing can be configured.

また、合波レーザ光源のマルチモード光ファイバの出射端に、コア径がマルチモード光ファイバと同一で且つクラッド径がマルチモード光ファイバより小さい他の光ファイバを結合してファイバアレイ光源の高輝度化を図る例について説明したが、例えば、クラッド径が125μm、80μm、60μm等のマルチモード光ファイバを、出射端に他の光ファイバを結合せずに使用してもよい。   In addition, the other end of the multimode optical fiber of the combined laser light source is coupled with another optical fiber having the same core diameter as the multimode optical fiber and a cladding diameter smaller than the multimode optical fiber. However, for example, a multimode optical fiber having a cladding diameter of 125 μm, 80 μm, 60 μm or the like may be used without coupling another optical fiber to the emission end.

−−輝度−−
各レーザモジュールにおいて、レーザビームB1〜B7のマルチモード光ファイバ30への結合効率が0.85で、GaN系半導体レーザLD1〜LD7の各出力が30mWの場合には、アレイ状に配列された光ファイバ64の各々について、出力180mW(=30mW×0.85×7)の合波レーザビームBを得ることができる。従って、6本の光ファイバ64がアレイ状に配列されたレーザ出射部での出力は約1W(=180mW×6)である。
-Brightness-
In each laser module, when the coupling efficiency of the laser beams B1 to B7 to the multimode optical fiber 30 is 0.85 and each output of the GaN-based semiconductor lasers LD1 to LD7 is 30 mW, the light arranged in an array A combined laser beam B with an output of 180 mW (= 30 mW × 0.85 × 7) can be obtained for each of the fibers 64. Therefore, the output at the laser emitting section in which the six optical fibers 64 are arranged in an array is about 1 W (= 180 mW × 6).

ファイバアレイ光源のレーザ出射部には、この通り高輝度の発光点が主走査方向に沿って一列に配列されている。単一の半導体レーザからのレーザ光を1本の光ファイバに結合させる従来のファイバ光源は低出力であるため、多数列配列しなければ所望の出力を得ることができなかったが、前記合波レーザ光源は高出力であるため、少数列、例えば1列でも所望の出力を得ることができる。   In the laser emission part of the fiber array light source, high-luminance light emitting points are arranged in a line along the main scanning direction as described above. A conventional fiber light source that couples laser light from a single semiconductor laser to a single optical fiber has a low output, so that a desired output cannot be obtained unless multiple rows are arranged. Since the laser light source has a high output, a desired output can be obtained even with a small number of columns, for example, one column.

例えば、半導体レーザと光ファイバを1対1で結合させた従来のファイバ光源では、通常、半導体レーザとしては出力30mW(ミリワット)程度のレーザが使用され、光ファイバとしてはコア径50μm、クラッド径125μm、NA(開口数)0.2のマルチモード光ファイバが使用されているので、約1W(ワット)の出力を得ようとすれば、マルチモード光ファイバを48本(8×6)束ねなければならず、発光領域の面積は0.62mm(0.675mm×0.925mm)であるから、レーザ出射部での輝度は1.6×10(W/m)、光ファイバ1本当りの輝度は3.2×10(W/m)である。 For example, in a conventional fiber light source in which a semiconductor laser and an optical fiber are coupled on a one-to-one basis, a laser having an output of about 30 mW (milliwatt) is usually used as the semiconductor laser, and the core diameter is 50 μm and the cladding diameter is 125 μm. Since a multimode optical fiber having a numerical aperture (NA) of 0.2 is used, if an output of about 1 W (watt) is to be obtained, 48 multimode optical fibers (8 × 6) must be bundled. In addition, since the area of the light emitting region is 0.62 mm 2 (0.675 mm × 0.925 mm), the luminance at the laser emitting portion is 1.6 × 10 6 (W / m 2 ), which is per optical fiber. The luminance of is 3.2 × 10 6 (W / m 2 ).

これに対し、前記光照射手段が合波レーザを照射可能な手段である場合には、マルチモード光ファイバ6本で約1Wの出力を得ることができ、レーザ出射部での発光領域の面積は0.0081mm(0.325mm×0.025mm)であるから、レーザ出射部68での輝度は123×10(W/m)となり、従来に比べ約80倍の高輝度化を図ることができる。また、光ファイバ1本当りの輝度は90×10(W/m)であり、従来に比べ約28倍の高輝度化を図ることができる。 On the other hand, when the light irradiating means is a means capable of irradiating a combined laser, an output of about 1 W can be obtained with six multimode optical fibers, and the area of the light emitting region at the laser emitting portion is Since it is 0.0081 mm 2 (0.325 mm × 0.025 mm), the luminance at the laser emitting portion 68 is 123 × 10 6 (W / m 2 ), and the luminance is increased by about 80 times compared to the conventional case. Can do. Further, the luminance per optical fiber is 90 × 10 6 (W / m 2 ), and the luminance can be increased by about 28 times compared to the conventional one.

−−焦点深度−−
ここで、図24A及び図24Bを参照して、従来の露光ヘッドと本実施の形態の露光ヘッドとの焦点深度の違いについて説明する。従来の露光ヘッドのバンドル状ファイバ光源の発光領域の副走査方向の径は0.675mmであり、露光ヘッドのファイバアレイ光源の発光領域の副走査方向の径は0.025mmである。図24Aに示すように、従来の露光ヘッドでは、光照射手段(バンドル状ファイバ光源)38aの発光領域が大きいので、DMD36へ入射する光束の角度が大きくなり、結果として走査面(感光層12)へ入射する光束の角度が大きくなる。このため、集光方向(ピント方向のずれ)に対してビーム径が太りやすい。
-Depth of focus-
Here, with reference to FIG. 24A and FIG. 24B, the difference in the depth of focus between the conventional exposure head and the exposure head of the present embodiment will be described. The diameter of the light emission region of the bundled fiber light source of the conventional exposure head in the sub-scanning direction is 0.675 mm, and the diameter of the light emission region of the fiber array light source of the exposure head in the sub-scanning direction is 0.025 mm. As shown in FIG. 24A, in the conventional exposure head, since the light emitting area of the light irradiation means (bundle-shaped fiber light source) 38a is large, the angle of the light beam incident on the DMD 36 becomes large, and as a result, the scanning surface (photosensitive layer 12). The angle of the light beam incident on becomes larger. For this reason, the beam diameter tends to increase with respect to the light condensing direction (shift in the focus direction).

一方、図24Bに示すように、本発明の露光装置における露光ヘッドでは、ファイバアレイ光源38bの発光領域の副走査方向の径が小さいので、集光レンズ系40を通過してDMD36へ入射する光束の角度が小さくなり、結果として走査面(感光層12)へ入射する光束の角度が小さくなる。即ち、焦点深度が深くなる。この例では、発光領域の副走査方向の径は従来の約30倍になっており、略回折限界に相当する焦点深度を得ることができる。従って、微小スポットの露光に好適である。この焦点深度への効果は、露光ヘッドの必要光量が大きいほど顕著であり、有効である。この例では、露光面に投影された1描素サイズは10μm×10μmである。なお、DMDは反射型の空間光変調素子であるが、図24A及び図24Bは、光学的な関係を説明するために展開図とした。   On the other hand, as shown in FIG. 24B, in the exposure head of the exposure apparatus of the present invention, the diameter of the light emitting area of the fiber array light source 38b is small in the sub-scanning direction. As a result, the angle of the light beam incident on the scanning surface (photosensitive layer 12) is reduced. That is, the depth of focus becomes deep. In this example, the diameter of the light emitting region in the sub-scanning direction is about 30 times that of the conventional one, and a depth of focus substantially corresponding to the diffraction limit can be obtained. Therefore, it is suitable for exposure of a minute spot. This effect on the depth of focus is more prominent and effective as the required light quantity of the exposure head is larger. In this example, the size of one pixel projected on the exposure surface is 10 μm × 10 μm. The DMD is a reflective spatial light modulator, but FIGS. 24A and 24B are developed views for explaining the optical relationship.

〔光量分布の補正方法〕
前記光変調手段を備えるデジタル露光装置では、各描画単位で微細なパターンを高精度に形成するために、露光ヘッド内の各描画単位の光量が均一であることが重要である。ただし実際には、露光ヘッドから照射される光ビームは、レンズ系の要因で光軸の中心部に比べて周辺部の光強度が低下してしまうという問題がある。
そこで、前記光照射手段から前記光変調手段に照射される光の光量分布を補正し、被露光面上での露光光の光量分布を均一に補正する方法を以下に説明する。
[Light intensity distribution correction method]
In a digital exposure apparatus provided with the light modulation means, it is important that the light quantity of each drawing unit in the exposure head is uniform in order to form a fine pattern with high accuracy in each drawing unit. However, in practice, the light beam emitted from the exposure head has a problem that the light intensity in the peripheral portion is lower than the central portion of the optical axis due to the lens system.
Therefore, a method for correcting the light amount distribution of the light emitted from the light irradiation unit to the light modulation unit and correcting the light amount distribution of the exposure light on the exposed surface will be described below.

前記光量分布補正方法は、集光レンズ系により光照射手段から光変調手段に照射される光の照射領域内における光量に分布を持たせ、前記光変調手段により変調された光の感光層の被露光面における光量分布が均一になるように補正する方法であり、以下に説明する第1の形態、及び第2の形態が好適に挙げられる。   The light amount distribution correcting method is to provide a distribution of light amount in an irradiation region of light irradiated from the light irradiation unit to the light modulation unit by a condensing lens system, and to cover the photosensitive layer of the light modulated by the light modulation unit. This is a method for correcting the light amount distribution on the exposure surface to be uniform, and the first and second embodiments described below are preferable.

−第1の実施形態−
DMDの光反射側には投影光学系が設けられ、この投影光学系は、DMDの光反射側の露光面にある感光層上に光源像を投影するため、DMD側から感光層へ向って順に、レンズ系、マイクロレンズアレイ、対物レンズ系の各露光用の光学部材が配置されて構成されている。
前記レンズ系及び前記対物レンズ系は、複数枚のレンズ(凸レンズや凹レンズ等)を組み合せた拡大光学系として構成されており、DMDにより反射されるレーザビーム(光線束)の断面積を拡大することで、DMDにより反射されたレーザビームによる感光層上の露光エリアの面積を所定の大きさに拡大している。なお、感光層は、対物レンズ系の後方焦点位置に配置される。
-First embodiment-
A projection optical system is provided on the light reflection side of the DMD, and this projection optical system projects a light source image on the photosensitive layer on the exposure surface on the light reflection side of the DMD, so that in order from the DMD side to the photosensitive layer. , An optical member for each exposure of a lens system, a microlens array, and an objective lens system is arranged.
The lens system and the objective lens system are configured as a magnifying optical system in which a plurality of lenses (such as a convex lens and a concave lens) are combined, and magnify the cross-sectional area of the laser beam (light beam) reflected by the DMD. Thus, the area of the exposure area on the photosensitive layer by the laser beam reflected by the DMD is enlarged to a predetermined size. The photosensitive layer is disposed at the back focal position of the objective lens system.

通常は、この光ビームの光量(光強度)分布は、レンズ系の要因により光軸の中心部に比べて周辺部が低下してしまうが、本実施形態の露光ヘッドには、ファイバアレイ光源から出射されたレーザ光の光量分布を均一化してDMDに照射するために、DMDの光入射側の光路上に配置した集光レンズ系にロッドインテグレータを設けている。ただし、このロッドインテグレータによっても、本実施形態のように各描画単位をマイクロレンズアレイによって集光する系では、光軸中心部に対する周辺部の光強度低下が顕著となり、より高い精度で画像露光を行う場合に光量分布を要求精度まで補正することが難しい。また、この光量分布の補正精度を高めるために、ロッドインテグレータを長尺化することも考えられるが、その場合、ロッドインテグレータは非常に高価な光学部品であるため、装置コストが上昇し、また、露光ヘッドが大型化してしまう弊害がある。   Normally, the light amount (light intensity) distribution of this light beam is lower in the peripheral portion than in the central portion of the optical axis due to factors of the lens system. However, the exposure head of this embodiment includes a fiber array light source. In order to make the light quantity distribution of the emitted laser light uniform and irradiate the DMD, a rod integrator is provided in a condensing lens system arranged on the optical path on the light incident side of the DMD. However, even with this rod integrator, in the system in which each drawing unit is condensed by the microlens array as in this embodiment, the light intensity in the peripheral portion with respect to the central portion of the optical axis is significantly reduced, and image exposure can be performed with higher accuracy. In this case, it is difficult to correct the light quantity distribution to the required accuracy. In order to improve the correction accuracy of this light quantity distribution, it is conceivable to lengthen the rod integrator, but in that case, the rod integrator is a very expensive optical component, so the device cost increases, There is an adverse effect that the exposure head becomes larger.

これに対し、本実施形態の露光ヘッドでは、前述したように、ファイバアレイ光源38から集光レンズ系へ入射されたレーザ光が、主光線の角度に分布を持ち光軸中心に比べて周辺部の光輝度が高められたレーザ光とされて集光レンズ系から出射され、DMDに照射されるため、DMDのレーザ光照射領域における光量分布は、光軸中心に比べて周辺部の光量が高められる。そのため、DMDにより画素毎に変調された光ビームが、光軸中心から周辺部に行くに従って光の透過量を低下させる特性を持つマイクロレンズアレイを透過して感光層の露光面に照射されると、露光面での光ビームの光量分布は均一になるよう補正される。   On the other hand, in the exposure head of the present embodiment, as described above, the laser light incident from the fiber array light source 38 to the condensing lens system has a distribution in the angle of the principal ray and is a peripheral portion compared to the optical axis center. Therefore, the light intensity distribution in the laser light irradiation area of the DMD is higher than that at the center of the optical axis because the light is emitted from the condenser lens system and emitted to the DMD. It is done. Therefore, when the light beam modulated for each pixel by the DMD passes through the microlens array having the characteristic of reducing the amount of transmitted light from the center of the optical axis to the periphery, and is irradiated onto the exposure surface of the photosensitive layer. The light amount distribution of the light beam on the exposure surface is corrected to be uniform.

−第2の実施形態−
第2の実施形態は、上述した第1の実施形態に係る露光装置の露光ヘッドにおいて、集光レンズ系に、非球面レンズを有するテレセントリック光学系を設けることで、第1の実施形態と同様に露光面での光ビームの光量分布を均一化する技術である。
-Second Embodiment-
The second embodiment is similar to the first embodiment by providing a telecentric optical system having an aspheric lens in the condenser lens system in the exposure head of the exposure apparatus according to the first embodiment described above. This is a technique for uniformizing the light quantity distribution of the light beam on the exposure surface.

第2の実施形態に係る露光ヘッドでは、例えば集光レンズ系に、2枚で一組の平凸レンズにより構成されたテレセントリック光学系が設けられており、このテレセントリック光学系は、例えばロッドインテグレータと集光レンズの間に配置されている。   In the exposure head according to the second embodiment, for example, a concentrating lens system is provided with a telecentric optical system constituted by a pair of plano-convex lenses in a condensing lens system. It is arranged between the optical lenses.

平凸レンズは、凸面側が非球面状に形成された非球面レンズとされている。レーザ光の入射側(ファイバアレイ光源側)に配置された平凸レンズは、入射面の面形状が、曲率半径が光軸(光軸中心)から離れるに従い大きくなる非球面、換言すれば、曲率が光軸Xから離れるに従い小さくなる非球面とされ、出射面が平面状とされている。また、レーザ光の出射側(DMD側)に配置された平凸レンズは、入射面が平面状とされ、出射面の面形状が、曲率半径が光軸Xから離れるに従い小さくなる非球面、換言すれば、曲率が光軸Xから離れるに従い大きくなる非球面とされている。   The plano-convex lens is an aspheric lens having a convex surface formed in an aspheric shape. The plano-convex lens arranged on the laser beam incident side (fiber array light source side) has an aspherical surface in which the surface shape of the incident surface increases as the radius of curvature increases from the optical axis (center of the optical axis). The aspheric surface becomes smaller as the distance from the optical axis X increases, and the exit surface is planar. In addition, the plano-convex lens disposed on the laser beam emission side (DMD side) has an aspherical surface in which the incident surface is flat and the surface shape of the emission surface decreases as the radius of curvature increases from the optical axis X. For example, the aspherical surface has a curvature that increases as the distance from the optical axis X increases.

〔焦点位置精度の補正方法〕
前記結像レンズ系を構成する投影レンズの像面湾曲、非点隔差、歪曲等は、テレセントリック性を低下させ、露光光の焦点位置精度を悪化させるという問題がある。この影響を排除するために多重露光を行うと、露光スピードの低下、画質の低下等が生じるという問題がある。
そこで、結像レンズ系において、被露光面上での露光光の焦点位置精度を補正する方法を以下に説明する。
[Focus position accuracy correction method]
The curvature of field, astigmatism, distortion and the like of the projection lens constituting the imaging lens system have a problem that the telecentricity is lowered and the focus position accuracy of the exposure light is deteriorated. If multiple exposure is performed in order to eliminate this influence, there is a problem that the exposure speed is lowered, the image quality is lowered, and the like.
Therefore, a method for correcting the focus position accuracy of the exposure light on the exposed surface in the imaging lens system will be described below.

前記焦点位置精度の補正方法としては、例えば、光変調手段により変調された光の光路長を変更し、感光層の被露光面に結像する露光光の焦点を調節する焦点調節手段を用いる方法、及び、前記結像レンズ系の中央部を含む略矩形状の領域のみにおいて、光変調手段により変調された光を結像する方法が好適に挙げられる。また、前記感光層(感光材料)の相対移動の方向を、該感光材料のうねり方向に向けて移動させる方法も好適に挙げられる。   As the method of correcting the focal position accuracy, for example, a method using a focus adjusting unit that adjusts the focus of the exposure light imaged on the exposed surface of the photosensitive layer by changing the optical path length of the light modulated by the light modulating unit. And a method of forming an image of light modulated by the light modulation means only in a substantially rectangular region including the central portion of the imaging lens system. Further, a method of moving the relative movement direction of the photosensitive layer (photosensitive material) toward the waviness direction of the photosensitive material is also preferable.

〔露光パターン像歪みの補正方法〕
前記空間光変調素子の各描素部の面の歪みは、集光位置における光ビームに歪みをもたらすという問題があり、特に、前記DMDを空間光変調素子として用いた場合には顕著であり、高精細な露光パターンが形成されないという問題がある。
そこで、前記DMDからの光を収束するマイクロレンズアレイにおいて該DMDの出射面の歪みを補正することにより、前記感光層の被露光面上に結像される像の歪みを補正する方法を以下に説明する。
[Exposure pattern image distortion correction method]
The distortion of the surface of each picture element portion of the spatial light modulator has the problem of causing distortion to the light beam at the condensing position, particularly when the DMD is used as a spatial light modulator, There is a problem that a high-definition exposure pattern is not formed.
Accordingly, a method of correcting distortion of an image formed on the exposed surface of the photosensitive layer by correcting distortion of the exit surface of the DMD in a microlens array that converges light from the DMD will be described below. explain.

前記露光パターン像歪みの補正方法としては、例えば、前記マイクロレンズアレイの各マイクロレンズを、前記描素部の面の歪みによる収差を補正する特性を有するものとすることが挙げられ、そのようなマイクロレンズとしては、具体的には、非球面を有するマイクロレンズ、屈折率分布を有するマイクロレンズ、及び周辺部からの光を入射させないレンズ開口形状を有するマイクロレンズ等が挙げられる。   The exposure pattern image distortion correction method includes, for example, that each microlens of the microlens array has a characteristic of correcting aberration due to distortion of the surface of the image element portion, such as Specific examples of the microlens include a microlens having an aspherical surface, a microlens having a refractive index distribution, and a microlens having a lens opening shape that does not allow light from a peripheral portion to enter.

また、以上説明した実施形態では、マイクロレンズの光出射側の端面が非球面(トーリック面)とされているが、2つの光通過端面の一方を球面とし、他方をシリンドリカル面としたマイクロレンズからマイクロレンズアレイを構成して、上記実施形態と同様の効果を得ることもできる。   In the embodiment described above, the end surface on the light exit side of the microlens is an aspheric surface (toric surface). However, the microlens has one of two light passage end surfaces as a spherical surface and the other as a cylindrical surface. A microlens array can be configured to obtain the same effect as in the above embodiment.

更に、以上説明した実施形態においては、マイクロレンズアレイのマイクロレンズが、マイクロミラーの反射面の歪みによる収差を補正する非球面形状とされているが、このような非球面形状を採用する代わりに、マイクロレンズアレイを構成する各マイクロレンズに、マイクロミラーの反射面の歪みによる収差を補正する屈折率分布を持たせても、同様の効果を得ることができる。   Furthermore, in the embodiment described above, the microlens of the microlens array has an aspheric shape that corrects aberration due to distortion of the reflection surface of the micromirror, but instead of adopting such an aspheric shape. The same effect can be obtained even if each microlens constituting the microlens array has a refractive index distribution for correcting aberration due to distortion of the reflection surface of the micromirror.

なお、先に述べたマイクロレンズのように、面形状を非球面としたマイクロレンズにおいて、併せて上述のような屈折率分布を与え、面形状と屈折率分布の双方によって、マイクロミラーの反射面の歪みによる収差を補正するようにしてもよい。   In addition, in the microlens whose surface shape is aspherical like the microlens described above, the above-described refractive index distribution is also given, and the reflection surface of the micromirror is determined by both the surface shape and the refractive index distribution. You may make it correct | amend the aberration by distortion of this.

次に、前記描素部の周辺部からの光を入射させないレンズ開口形状を有するマイクロレンズからなるマイクロレンズアレイについて説明する。
先に説明した通り、DMDのマイクロミラーの反射面には歪みが存在するが、その歪み変化量はマイクロミラーの中心から周辺部に行くにつれて次第に大きくなる傾向を有している。そしてマイクロミラーの1つの対角線方向(y方向)の周辺部歪み変化量は、別の対角線方向(x方向)の周辺部歪み変化量と比べて大きく、上記の傾向もより顕著となっている。この問題に対処するために、アレイ状に配設されたマイクロレンズが、円形のレンズ開口を有することが好ましい。
そこで、上述のように歪みが大きいマイクロミラーの反射面の周辺部、特に、四隅部で反射したレーザ光はマイクロレンズによって集光されなくなり、集光されたレーザ光の集光位置における形状が歪んでしまうことを防止できる。したがって、歪みの無い、より高精細な画像を感光層に露光可能となる。
Next, a microlens array composed of microlenses having a lens aperture shape that does not allow light from the peripheral portion of the picture element portion to enter will be described.
As described above, there is distortion on the reflection surface of the DMD micromirror, but the amount of change in the distortion tends to increase gradually from the center of the micromirror to the periphery. The amount of change in the peripheral portion distortion in one diagonal direction (y direction) of the micromirror is larger than the amount of change in the peripheral portion distortion in another diagonal direction (x direction), and the above-described tendency is more remarkable. In order to cope with this problem, it is preferable that the microlenses arranged in an array have a circular lens opening.
Therefore, as described above, the laser light reflected at the periphery of the reflective surface of the micromirror having a large distortion, particularly at the four corners, is not condensed by the microlens, and the shape of the condensed laser light at the condensing position is distorted. Can be prevented. Therefore, a higher-definition image without distortion can be exposed on the photosensitive layer.

〔多重露光による補正〕
上述のとおり、前記露光ヘッドを構成する各種レンズ系に起因する露光光の歪みの影響は、使用するマイクロミラーを選択し、N重露光による埋め合わせの効果で均すこともできる。更に、前記露光ヘッドの取付け位置や取付け角度のズレに起因する解像度のばらつきや濃度ムラも、使用するマイクロミラーを選択し、N重露光による埋め合わせの効果で均すこともできる。
[Correction by multiple exposure]
As described above, the influence of the distortion of the exposure light caused by the various lens systems constituting the exposure head can be equalized by the effect of offset by selecting the micromirror to be used. Further, resolution variations and density unevenness due to deviations in the mounting position and mounting angle of the exposure head can be equalized by the effect of offset by selecting a micromirror to be used.

具体的には、走査方向に対し描素部の列方向が所定の設定傾斜角度θをなすように配置されてなる露光ヘッドを用い、前記露光ヘッドについて、使用描素部指定手段により、使用可能な前記描素部のうち、N重露光(ただし、Nは2以上の自然数)に使用する前記描素部を指定し、前記露光ヘッドについて、使用描素部制御手段により、前記使用描素部指定手段により指定された前記描素部のみが露光に関与するように、前記描素部の制御し、前記感光層に対し、前記露光ヘッドを走査方向に相対的に移動させて露光を行う方法が好適に挙げられる。   Specifically, an exposure head in which the column direction of the picture element portions forms a predetermined set inclination angle θ with respect to the scanning direction can be used by the use picture element specifying means for the exposure head. Among the picture element parts, the picture element part to be used for N double exposure (where N is a natural number of 2 or more) is designated, and the used picture element part is controlled by the use pixel part control means for the exposure head. A method in which exposure is performed by moving the exposure head relative to the photosensitive layer in the scanning direction by controlling the drawing unit so that only the drawing unit designated by the designation unit is involved in exposure. Are preferable.

前記N重露光とは、前記感光層上の被露光面の略すべての領域において、前記露光ヘッドの走査方向に平行直線が、該被露光面上に照射されたN本の光線列と交わる露光をいう。
前記N重露光のNとしては、2以上の自然数であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、3以上の自然数が好ましく、3以上7以下の自然数がより好ましい。
The N double exposure is an exposure in which a straight line parallel to the scanning direction of the exposure head intersects N light lines irradiated on the exposed surface in almost all regions of the exposed surface on the photosensitive layer. Say.
N in the N-fold exposure is not particularly limited as long as it is a natural number of 2 or more, and can be appropriately selected according to the purpose. However, a natural number of 3 or more is preferable, and a natural number of 3 or more and 7 or less is more preferable. .

<<使用描素部指定手段>>
前記使用描素部指定手段としては、描素単位としての光点の位置を被露光面上において検出する光点位置検出手段と、前記光点位置検出手段による検出結果に基づき、N重露光を実現するために使用する描素部を選択する描素部選択手段とを少なくとも備えることが好ましい。
以下、前記使用描素部指定手段による、N重露光に使用する描素部の指定方法の例について説明する。
<< Used pixel part designation means >>
The used pixel part specifying means includes a light spot position detecting means for detecting the position of a light spot on a surface to be exposed as a pixel unit, and N-fold exposure based on a detection result by the light spot position detecting means. It is preferable to include at least a pixel part selection unit that selects a pixel part to be used for the realization.
Hereinafter, an example of a method for designating a pixel part used for N-exposure by the used pixel part designation unit will be described.

(1)単一露光ヘッド内における使用描素部の指定方法
本実施形態(1)では、露光装置10により、感光層12に対して2重露光を行う場合であって、各露光ヘッド30の取付角度誤差に起因する解像度のばらつきと濃度むらとを軽減し、理想的な2重露光を実現するための使用描素部の指定方法を説明する。
(1) Method for designating used pixel portion in single exposure head In the present embodiment (1), the exposure apparatus 10 performs double exposure on the photosensitive layer 12, and each exposure head 30 A description will be given of a method for designating a used pixel part for reducing resolution variation and density unevenness caused by an attachment angle error and realizing ideal double exposure.

露光ヘッド30の走査方向に対する描素部(マイクロミラー58)の列方向の設定傾斜角度θとしては、露光ヘッド30の取付角度誤差等がない理想的な状態であれば、使用可能な1024列×256行の描素部を使用してちょうど2重露光となる角度θidealよりも、若干大きい角度を採用するものとする。
この角度θidealは、N重露光の数N、使用可能なマイクロミラー58の列方向の個数s、使用可能なマイクロミラー58の列方向の間隔p、及び露光ヘッド30を傾斜させた状態においてマイクロミラーによって形成される走査線のピッチδに対し、下記式1、
spsinθideal≧Nδ(式1)
により与えられる。本実施形態におけるDMD36は、上記のとおり、縦横の配置間隔が等しい多数のマイクロミラー58が矩形格子状に配されたものであるので、
pcosθideal=δ(式2)
であり、上記式1は、
stanθideal=N(式3)
となる。本実施形態(1)では、上記のとおりs=256、N=2であるので、前記式3より、角度θidealは約0.45度である。したがって、設定傾斜角度θとしては、例えば0.50度程度の角度を採用するとよい。露光装置10は、調整可能な範囲内で、各露光ヘッド30即ち各DMD36の取付角度がこの設定傾斜角度θに近い角度となるように、初期調整されているものとする。
As the set inclination angle θ in the column direction of the pixel portion (micromirror 58) with respect to the scanning direction of the exposure head 30, as long as there is no mounting angle error or the like of the exposure head 30, usable 1024 columns × It is assumed that an angle slightly larger than the angle θ ideal which is exactly double exposure using 256 lines of pixel parts is adopted.
This angle θ ideal corresponds to the number N of N double exposures, the number s of usable micromirrors 58 in the column direction, the interval p in the column direction of the usable micromirrors 58, and the microscopic state when the exposure head 30 is tilted. For the pitch δ of the scanning line formed by the mirror,
spsin θ ideal ≧ Nδ (Formula 1)
Given by. As described above, the DMD 36 according to the present embodiment includes a large number of micromirrors 58 having equal vertical and horizontal arrangement intervals arranged in a rectangular lattice shape.
pcos θ ideal = δ (Formula 2)
And the above equation 1 is
stanθ ideal = N (Formula 3)
It becomes. In the present embodiment (1), since s = 256 and N = 2 as described above, the angle θ ideal is about 0.45 degrees according to the equation 3. Therefore, as the set inclination angle θ, for example, an angle of about 0.50 degrees may be employed. It is assumed that the exposure apparatus 10 is initially adjusted so that the mounting angle of each exposure head 30, that is, each DMD 36 is close to the set inclination angle θ within an adjustable range.

図25は、上記のように初期調整された露光装置10において、1つの露光ヘッド30の取付角度誤差、及びパターン歪みの影響により、露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図である。以下の図面及び説明においては、各描素部(マイクロミラー)により生成され、被露光面上の露光領域を構成する描素単位としての光点について、第m行目の光点をr(m)、第n列目の光点をc(n)、第m行第n列の光点をP(m、n)とそれぞれ表記するものとする。   FIG. 25 is an explanatory diagram showing an example of unevenness in the pattern on the exposure surface due to the influence of the mounting angle error of one exposure head 30 and pattern distortion in the exposure apparatus 10 initially adjusted as described above. is there. In the following drawings and description, the light spot in the m-th row is represented by r (m) with respect to the light spot generated by each pixel part (micromirror) and constituting the exposure area on the exposed surface. ), The light spot in the nth column is denoted as c (n), and the light spot in the mth row and the nth column is denoted as P (m, n).

図25の上段部分は、ステージ14を静止させた状態で感光層12の被露光面上に投影される、使用可能なマイクロミラー58からの光点群のパターンを示し、下段部分は、上段部分に示したような光点群のパターンが現れている状態でステージ14を移動させて連続露光を行った際に、被露光面上に形成される露光パターンの状態を示したものである。
なお、図25では、説明の便宜のため、使用可能なマイクロミラー58の奇数列による露光パターンと偶数列による露光パターンを分けて示してあるが、実際の被露光面上における露光パターンは、これら2つの露光パターンを重ね合わせたものである。
The upper part of FIG. 25 shows a pattern of light spots from the usable micromirror 58 projected onto the exposed surface of the photosensitive layer 12 with the stage 14 being stationary, and the lower part is the upper part. 2 shows the state of the exposure pattern formed on the surface to be exposed when the stage 14 is moved and continuous exposure is performed in a state where the light spot group pattern as shown in FIG.
In FIG. 25, for convenience of explanation, the exposure pattern by the odd-numbered columns and the exposure pattern by the even-numbered columns of the micromirrors 58 that can be used are separately shown. Two exposure patterns are superimposed.

図25の例では、設定傾斜角度θを上記の角度シータidealよりも若干大きい角度を採用した結果として、また露光ヘッド30の取付角度の微調整が困難であるために、実際の取付角度と上記の設定傾斜角度θとが誤差を有する結果として、被露光面上のいずれの領域においても濃度むらが生じている。具体的には、奇数列のマイクロミラーによる露光パターン及び偶数列のマイクロミラーによる露光パターンの双方で、複数の描素部列により形成された、被露光面上の重複露光領域において、理想的な2重露光に対して露光過多となり、描画が冗長となる領域が生じ、濃度むらが生じている。 In the example of FIG. 25, as a result of adopting the set inclination angle θ slightly larger than the angle theta ideal and fine adjustment of the mounting angle of the exposure head 30 is difficult, the actual mounting angle and the above As a result of the error in the set inclination angle θ, density unevenness occurs in any region on the exposed surface. Specifically, in both the exposure pattern by the odd-numbered micromirrors and the exposure pattern by the even-numbered micromirrors, it is ideal in the overlapped exposure region on the exposed surface formed by a plurality of pixel part rows. Overexposure occurs with respect to double exposure, resulting in a redundant drawing area and uneven density.

更に、図25の例では、露光面上に現れるパターン歪みの一例であって、露光面上に投影された各画素列の傾斜角度が均一ではなくなる「角度歪み」が生じている。このような角度歪みが生じる原因としては、DMD36と露光面間の光学系の各種収差やアラインメントずれ、及びDMD36自体の歪みやマイクロミラーの配置誤差等が挙げられる。
図25の例に現れている角度歪みは、走査方向に対する傾斜角度が、図の左方の列ほど小さく、図の右方の列ほど大きくなっている形態の歪みである。この角度歪みの結果として、露光過多となっている領域は、図の左方に示した被露光面上ほど小さく、図の右方に示した被露光面上ほど大きくなっている。
Furthermore, the example of FIG. 25 is an example of pattern distortion appearing on the exposure surface, and “angular distortion” occurs in which the inclination angle of each pixel column projected on the exposure surface is not uniform. The causes of such angular distortion include various aberrations and alignment deviations of the optical system between the DMD 36 and the exposure surface, distortion of the DMD 36 itself, micromirror placement errors, and the like.
The angle distortion appearing in the example of FIG. 25 is a distortion in which the tilt angle with respect to the scanning direction is smaller in the left column of the figure and larger in the right column of the figure. As a result of this angular distortion, the overexposed area is smaller on the exposed surface shown on the left side of the figure and larger on the exposed surface shown on the right side of the figure.

上記したような、複数の描素部列により形成された、被露光面上の重複露光領域における濃度むらを軽減するために、前記光点位置検出手段としてスリット28及び光検出器の組を用い、露光ヘッド30ごとに実傾斜角度θ’を特定し、該実傾斜角度θ’に基づき、前記描素部選択手段として前記光検出器に接続された前記演算装置を用いて、実際の露光に使用するマイクロミラーを選択する処理を行うものとする。
実傾斜角度θ’は、光点位置検出手段が検出した少なくとも2つの光点位置に基づき、露光ヘッドを傾斜させた状態における被露光面上の光点の列方向と前記露光ヘッドの走査方向とがなす角度により特定される。
以下、図26及び図27を用いて、前記実傾斜角度θ’の特定、及び使用画素選択処理について説明する。
In order to reduce the density unevenness in the overlapped exposure area on the exposed surface formed by a plurality of pixel part rows as described above, a set of the slit 28 and the photodetector is used as the light spot position detecting means. Then, an actual inclination angle θ ′ is specified for each exposure head 30 and, based on the actual inclination angle θ ′, an actual exposure is performed using the arithmetic unit connected to the photodetector as the pixel portion selection unit. It is assumed that processing for selecting a micromirror to be used is performed.
The actual tilt angle θ ′ is based on at least two light spot positions detected by the light spot position detecting means, and the column direction of the light spots on the surface to be exposed and the scanning direction of the exposure head when the exposure head is tilted. It is specified by the angle formed by.
Hereinafter, the specification of the actual inclination angle θ ′ and the used pixel selection process will be described with reference to FIGS.

−実傾斜角度θ’の特定−
図26は、1つのDMD36による露光エリア32と、対応するスリット28との位置関係を示した上面図である。スリット28の大きさは、露光エリア32の幅を十分覆う大きさとされている。
本実施形態(1)の例では、露光エリア32の略中心に位置する第512列目の光点列と露光ヘッド30の走査方向とがなす角度を、上記の実傾斜角度θ’として測定する。具体的には、DMD36上の第1行目第512列目のマイクロミラー58、及び第256行目第512列目のマイクロミラー58をオン状態とし、それぞれに対応する被露光面上の光点P(1、512)及びP(256、512)の位置を検出し、それらを結ぶ直線と露光ヘッドの走査方向とがなす角度を実傾斜角度θ’として特定する。
−Specification of actual inclination angle θ′−
FIG. 26 is a top view showing the positional relationship between the exposure area 32 by one DMD 36 and the corresponding slit 28. The size of the slit 28 is set to sufficiently cover the width of the exposure area 32.
In the example of the present embodiment (1), the angle formed by the 512th light spot row positioned substantially at the center of the exposure area 32 and the scanning direction of the exposure head 30 is measured as the actual inclination angle θ ′. . Specifically, the micromirror 58 in the first row and the 512th column and the micromirror 58 in the 256th row and the 512th column on the DMD 36 are turned on, and the light spots on the exposure surface corresponding to each of the micromirrors 58 are turned on. The positions of P (1, 512) and P (256, 512) are detected, and the angle formed by the straight line connecting them and the scanning direction of the exposure head is specified as the actual inclination angle θ ′.

図27は、光点P(256、512)の位置の検出手法を説明した上面図である。
まず、第256行目第512列目のマイクロミラー58を点灯させた状態で、ステージ14をゆっくり移動させてスリット28をY軸方向に沿って相対移動させ、光点P(256、512)が上流側のスリット28aと下流側のスリット28bの間に来るような任意の位置に、スリット28を位置させる。このときのスリット28aとスリット28bとの交点の座標を(X0、Y0)とする。この座標(X0、Y0)の値は、ステージ14に与えられた駆動信号が示す上記の位置までのステージ14の移動距離、及び、既知であるスリット28のX方向位置から決定され、記録される。
FIG. 27 is a top view illustrating a method for detecting the position of the light spot P (256, 512).
First, in a state where the micromirror 58 in the 256th row and the 512th column is turned on, the stage 14 is slowly moved to relatively move the slit 28 along the Y-axis direction, and the light spot P (256, 512) is changed. The slit 28 is positioned at an arbitrary position so as to be between the upstream slit 28a and the downstream slit 28b. The coordinates of the intersection of the slit 28a and the slit 28b at this time are (X0, Y0). The values of the coordinates (X0, Y0) are determined and recorded from the movement distance of the stage 14 to the above position indicated by the drive signal given to the stage 14 and the known X-direction position of the slit 28. .

次に、ステージ14を移動させ、スリット28をY軸に沿って図27における右方に相対移動させる。そして、図27において二点鎖線で示すように、光点P(256、512)の光が左側のスリット28bを通過して光検出器で検出されたところでステージ14を停止させる。このときのスリット28aとスリット28bとの交点の座標(X0、Y1)を、光点P(256、512)の位置として記録する。   Next, the stage 14 is moved, and the slit 28 is relatively moved to the right in FIG. 27 along the Y axis. Then, as indicated by a two-dot chain line in FIG. 27, the stage 14 is stopped when the light at the light spot P (256, 512) passes through the left slit 28b and is detected by the photodetector. The coordinates (X0, Y1) of the intersection of the slit 28a and the slit 28b at this time are recorded as the position of the light spot P (256, 512).

次いで、ステージ14を反対方向に移動させ、スリット28をY軸に沿って図27における左方に相対移動させる。そして、図27において二点鎖線で示すように、光点P(256、512)の光が右側のスリット28aを通過して光検出器で検出されたところでステージ14を停止させる。このときのスリット28aとスリット28bとの交点の座標(X0、Y2)を光点P(256、512)の位置として記録する。   Next, the stage 14 is moved in the opposite direction, and the slit 28 is relatively moved to the left in FIG. 27 along the Y axis. Then, as indicated by a two-dot chain line in FIG. 27, the stage 14 is stopped when the light at the light spot P (256, 512) passes through the right slit 28a and is detected by the photodetector. The coordinates (X0, Y2) of the intersection of the slit 28a and the slit 28b at this time are recorded as the position of the light spot P (256, 512).

以上の測定結果から、光点P(256、512)の被露光面上における位置を示す座標(X、Y)を、X=X0+(Y1−Y2)/2、Y=(Y1+Y2)/2の計算により決定する。同様の測定により、P(1、512)の位置を示す座標も決定し、それぞれの座標を結ぶ直線と、露光ヘッド30の走査方向とがなす傾斜角度を導出し、これを実傾斜角度θ’として特定する。   From the above measurement results, the coordinates (X, Y) indicating the position of the light spot P (256, 512) on the exposed surface are X = X0 + (Y1-Y2) / 2 and Y = (Y1 + Y2) / 2. Determine by calculation. By the same measurement, coordinates indicating the position of P (1, 512) are also determined, an inclination angle formed by a straight line connecting the respective coordinates and the scanning direction of the exposure head 30 is derived, and this is obtained as an actual inclination angle θ ′. As specified.

−使用描素部の選択−
このようにして特定された実傾斜角度θ’を用い、前記光検出器に接続された前記演算装置は、下記式4
ttanθ’=N・・・(式4)
の関係を満たす値tに最も近い自然数Tを導出し、DMD36上の1行目からT行目のマイクロミラーを、本露光時に実際に使用するマイクロミラーとして選択する処理を行う。これにより、第512列目付近の露光領域において、理想的な2重露光に対して、露光過多となる領域と、露光不足となる領域との面積合計が最小となるようなマイクロミラーを、実際に使用するマイクロミラーとして選択することができる。
−Selection of used pixel part−
Using the actual inclination angle θ ′ thus specified, the arithmetic unit connected to the photodetector is expressed by the following equation 4
t tan θ ′ = N (Expression 4)
The natural number T closest to the value t satisfying the above relationship is derived, and the first to T-th row micromirrors on the DMD 36 are selected as micromirrors that are actually used during the main exposure. In this way, in the exposure region near the 512th column, a micromirror that minimizes the total area of the overexposed region and the underexposed region with respect to the ideal double exposure is actually obtained. It can be selected as a micromirror to be used for.

ここで、上記の値tに最も近い自然数を導出することに代えて、値t以上の最小の自然数を導出することとしてもよい。その場合、第512列目付近の露光領域において、理想的な2重露光に対して、露光過多となる領域の面積が最小になり、かつ露光不足となる領域が生じないようなマイクロミラーを、実際に使用するマイクロミラーとして選択することができる。
また、値t以下の最大の自然数を導出することとしてもよい。その場合、第512列目付近の露光領域において、理想的な2重露光に対して、露光不足となる領域の面積が最小になり、かつ露光過多となる領域が生じないようなマイクロミラーを、実際に使用するマイクロミラーとして選択することができる。
Here, instead of deriving the natural number closest to the above value t, the minimum natural number greater than or equal to the value t may be derived. In that case, in the exposure region near the 512th column, a micromirror that minimizes the area of the overexposed region and does not produce an underexposed region with respect to ideal double exposure. It can be selected as a micromirror to be actually used.
It is also possible to derive the maximum natural number equal to or less than the value t. In that case, in the exposure region near the 512th column, a micromirror that minimizes the area of the underexposed region and does not produce an overexposed region with respect to ideal double exposure. It can be selected as a micromirror to be actually used.

図28は、上記のようにして実際に使用するマイクロミラーとして選択されたマイクロミラーが生成した光点のみを用いて行った露光において、図25に示した露光面上のむらがどのように改善されるかを示した説明図である。
この例では、上記の自然数TとしてT=253が導出され、第1行目から第253行目のマイクロミラーが選択されたものとする。選択されなかった第254行目から第256行目のマイクロミラーに対しては、前記使用描素部制御手段により、常時オフ状態の角度に設定する信号が送られ、それらのマイクロミラーは、実質的に露光に関与しない。図28に示すとおり、第512列目付近の露光領域では、露光過多及び露光不足は、ほぼ完全に解消され、理想的な2重露光に極めて近い均一な露光が実現される。
FIG. 28 shows how the unevenness on the exposure surface shown in FIG. 25 is improved in the exposure performed using only the light spot generated by the micromirror selected as the micromirror actually used as described above. It is explanatory drawing which showed.
In this example, it is assumed that T = 253 is derived as the natural number T and the micromirrors in the first row to the 253rd row are selected. For the micromirrors in the 254th to 256th lines that have not been selected, a signal for setting the angle of the always-off state is sent by the used pixel part control means, and these micromirrors are substantially Is not involved in exposure. As shown in FIG. 28, in the exposure region near the 512th column, overexposure and underexposure are almost completely eliminated, and uniform exposure very close to ideal double exposure is realized.

一方、図28の左方の領域(図中のc(1)付近)では、前記角度歪みにより、被露光面上における光点列の傾斜角度が中央付近(図中のc(512)付近)の領域における光線列の傾斜角度よりも小さくなっている。したがって、c(512)を基準として測定された実傾斜角度θ´に基づいて選択されたマイクロミラーのみによる露光では、偶数列による露光パターン及び奇数列による露光パターンのそれぞれにおいて、理想的な2重露光に対して露光不足となる領域がわずかに生じてしまう。
しかしながら、図示の奇数列による露光パターンと偶数列による露光パターンとを重ね合わせてなる実際の露光パターンにおいては、露光量不足となる領域が互いに補完され、前記角度歪みによる露光むらを、2重露光による埋め合わせの効果で最小とすることができる。
On the other hand, in the left region of FIG. 28 (near c (1) in the figure), the inclination angle of the light spot sequence on the exposed surface is near the center (near c (512) in the figure) due to the angular distortion. It is smaller than the inclination angle of the light beam row in the region. Therefore, in the exposure using only the micromirror selected based on the actual inclination angle θ ′ measured with c (512) as a reference, the ideal double pattern is used for each of the even-numbered exposure pattern and the odd-numbered exposure pattern. An area that is underexposed with respect to the exposure is slightly generated.
However, in the actual exposure pattern formed by overlaying the exposure pattern of the odd-numbered columns and the exposure pattern of the even-numbered columns shown in the figure, the regions where the exposure amount is insufficient are complemented with each other, and the exposure unevenness due to the angular distortion is double-exposed. The effect of offsetting can be minimized.

また、図28の右方の領域(図中のc(1024)付近)では、前記角度歪みにより、被露光面上における光線列の傾斜角度が、中央付近(図中のc(512)付近)の領域における光線列の傾斜角度よりも大きくなっている。したがって、c(512)を基準として測定された実傾斜角度θ’に基づいて選択されたマイクロミラーによる露光では、図に示すように、理想的な2重露光に対して露光過多となる領域がわずかに生じてしまう。
しかしながら、図示の奇数列による露光パターンと偶数列による露光パターンとを重ね合わせてなる実際の露光パターンにおいては、露光過多となる領域が互いに補完され、前記角度歪による濃度むらを、2重露光による埋め合わせの効果で最小とすることができる。
In the right region of FIG. 28 (near c (1024) in the figure), the inclination angle of the light beam on the exposed surface is near the center (near c (512) in the figure) due to the angular distortion. It is larger than the inclination angle of the light beam row in the region. Therefore, in the exposure by the micromirror selected based on the actual inclination angle θ ′ measured with c (512) as a reference, as shown in the figure, there is an overexposed region with respect to the ideal double exposure. It will occur slightly.
However, in the actual exposure pattern formed by superimposing the exposure pattern of the odd-numbered columns and the exposure pattern of the even-numbered columns shown in the figure, the overexposed regions are complemented with each other, and the density unevenness due to the angular distortion is caused by the double exposure. The effect of offsetting can be minimized.

本実施形態(1)では、上述のとおり、第512列目の光線列の実傾斜角度θ’が測定され、該実傾斜角度θ’を用い、前記式(4)により導出されたTに基づいて使用するマイクロミラー58を選択したが、前記実傾斜角度θ’の特定方法としては、複数の描素部の列方向(光点列)と、前記露光ヘッドの走査方向とがなす複数の実傾斜角度をそれぞれ測定し、それらの平均値、中央値、最大値、及び最小値のいずれかを実傾斜角度θ’として特定し、前記式4等によって実際の露光時に実際に使用するマイクロミラーを選択する形態としてもよい。
前記平均値又は前記中央値を実傾斜角度θ’とすれば、理想的なN重露光に対して露光過多となる領域と露光不足となる領域とのバランスがよい露光を実現することができる。例えば、露光過多となる領域と、露光量不足となる領域との合計面積が最小に抑えられ、かつ、露光過多となる領域の描素単位数(光点数)と、露光不足となる領域の描素単位数(光点数)とが等しくなるような露光を実現することが可能である。
また、前記最大値を実傾斜角度θ’とすれば、理想的なN重露光に対して露光過多となる領域の排除をより重要視した露光を実現することができ、例えば、露光不足となる領域の面積を最小に抑え、かつ、露光過多となる領域が生じないような露光を実現することが可能である。
更に、前記最小値を実傾斜角度θ’とすれば、理想的なN重露光に対して露光不足となる領域の排除をより重要視した露光を実現することができ、例えば、露光過多となる領域の面積を最小に抑え、かつ、露光不足となる領域が生じないような露光を実現することが可能である。
In the present embodiment (1), as described above, the actual inclination angle θ ′ of the 512th ray array is measured, and based on the T derived from the equation (4) using the actual inclination angle θ ′. The micro-mirror 58 to be used is selected. However, as a method for specifying the actual inclination angle θ ′, a plurality of actual directions formed by the column direction (light spot column) of the plurality of image elements and the scanning direction of the exposure head are used. Each of the tilt angles is measured, and any one of the average value, the median value, the maximum value, and the minimum value is specified as the actual tilt angle θ ′. It is good also as a form to select.
When the average value or the median value is set to the actual inclination angle θ ′, it is possible to realize exposure with a good balance between an overexposed area and an underexposed area with respect to an ideal N-fold exposure. For example, the total area of the overexposed region and the underexposed region is minimized, and the number of pixel units (number of light spots) in the overexposed region and the underexposed region are drawn. It is possible to realize exposure such that the number of prime units (number of light spots) is equal.
Further, when the maximum value is set to the actual inclination angle θ ′, it is possible to realize an exposure that places more importance on eliminating an overexposed region with respect to an ideal N double exposure, for example, an underexposure. It is possible to realize exposure that minimizes the area of the region and does not generate an overexposed region.
Further, if the minimum value is the actual inclination angle θ ′, it is possible to realize exposure that places more importance on eliminating underexposed areas with respect to ideal N double exposure, for example, excessive exposure. It is possible to realize exposure that minimizes the area of the region and does not cause a region that is underexposed.

一方、前記実傾斜角度θ’の特定は、同一の描素部の列(光点列)中の少なくとも2つの光点の位置に基づく方法に限定されない。例えば、同一描素部列c(n)中の1つ又は複数の光点の位置と、該c(n)近傍の列中の1つ又は複数の光点の位置とから求めた角度を、実傾斜角度θ’として特定してもよい。
具体的には、c(n)中の1つの光点位置と、露光ヘッドの走査方向に沿って直線上かつ近傍の光点列に含まれる1つ又は複数の光点位置とを検出し、これらの位置情報から、実傾斜角度θ´を求めることができる。更に、c(n)列近傍の光点列中の少なくとも2つの光点(例えば、c(n)を跨ぐように配置された2つの光点)の位置に基づいて求めた角度を、実傾斜角度θ’として特定してもよい。
On the other hand, the specification of the actual inclination angle θ ′ is not limited to the method based on the positions of at least two light spots in the same pixel part row (light spot row). For example, the angle obtained from the position of one or more light spots in the same pixel part sequence c (n) and the position of one or more light spots in the row near the c (n), The actual inclination angle θ ′ may be specified.
Specifically, one light spot position in c (n) and one or a plurality of light spot positions included in a light spot row on a straight line and in the vicinity along the scanning direction of the exposure head are detected. The actual inclination angle θ ′ can be obtained from the position information. Further, the angle obtained based on the position of at least two light spots (for example, two light spots arranged so as to straddle c (n)) in the light spot array in the vicinity of the c (n) line is an actual inclination. You may specify as angle (theta) '.

以上のように、露光装置10を用いた本実施形態(1)の使用描素部の指定方法によれば、各露光ヘッドの取付角度誤差やパターン歪みの影響による解像度のばらつきや濃度のむらを軽減し、理想的なN重露光を実現することができる。   As described above, according to the specification method of the used pixel portion of the present embodiment (1) using the exposure apparatus 10, resolution variation and density unevenness due to the influence of the mounting angle error of each exposure head and pattern distortion are reduced. In addition, ideal N double exposure can be realized.

(2)複数露光ヘッド間における使用描素部の指定方法<1>
本実施形態(2)では、露光装置10により、感光層12に対して2重露光を行う場合であって、複数の露光ヘッド30により形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域において、2つの露光ヘッド(一例として露光ヘッド3012と3021)のX軸方向に関する相対位置の、理想的な状態からのずれに起因する解像度のばらつきと濃度むらとを軽減し、理想的な2重露光を実現するための使用描素部の指定方法を説明する。
(2) Method for designating used pixel parts between a plurality of exposure heads <1>
In this embodiment (2), the exposure apparatus 10 performs double exposure on the photosensitive layer 12, and is a head-to-head overlapping area on the exposed surface formed by a plurality of exposure heads 30. In the connection region, the variation in resolution and density unevenness due to the deviation of the relative positions of the two exposure heads (for example, exposure heads 30 12 and 30 21 ) in the X-axis direction from the ideal state are reduced, and the ideal A description will be given of a method for designating a used pixel portion for realizing a typical double exposure.

各露光ヘッド30即ち各DMD36の設定傾斜角度θとしては、露光ヘッド30の取付角度誤差等がない理想的な状態であれば、使用可能な1024列×256行の描素部マイクロミラー58を使用してちょうど2重露光となる角度θidealを採用するものとする。
この角度θidealは、上記の実施形態(1)と同様にして前記式1〜3から求められる
。本実施形態(2)において、露光装置10は、各露光ヘッド30即ち各DMD36の取付角度がこの角度θidealとなるように、初期調整されているものとする。
As the set tilt angle θ of each exposure head 30, that is, each DMD 36, the usable 1024 column × 256 row pixel part micromirror 58 is used if there is no ideal mounting angle error of the exposure head 30. Then, an angle θ ideal that is exactly double exposure is adopted.
This angle θ ideal is obtained from the above equations 1 to 3 in the same manner as in the above embodiment (1). In this embodiment (2), it is assumed that the exposure apparatus 10 is initially adjusted so that the mounting angle of each exposure head 30, that is, each DMD 36 becomes this angle θ ideal .

図29は、上記のように初期調整された露光装置10において、2つの露光ヘッド(一例として露光ヘッド3012と3021)のX軸方向に関する相対位置の、理想的な状態からのずれの影響により、被露光面上のパターンに生じる濃度むらの例を示した説明図である。各露光ヘッドのX軸方向に関する相対位置のずれは、露光ヘッド間の相対位置の微調整が困難であるために生じ得るものである。 FIG. 29 shows the influence of the deviation of the relative positions of the two exposure heads (for example, exposure heads 30 12 and 30 21 ) in the X-axis direction from the ideal state in the exposure apparatus 10 initially adjusted as described above. FIG. 6 is an explanatory diagram showing an example of density unevenness generated in a pattern on the exposed surface. The displacement of the relative position of each exposure head in the X-axis direction can occur because it is difficult to finely adjust the relative position between the exposure heads.

図29の上段部分は、ステージ14を静止させた状態で感光層12の被露光面上に投影される、露光ヘッド3012と3021が有するDMD36の使用可能なマイクロミラー58からの光点群のパターンを示した図である。図29の下段部分は、上段部分に示したような光点群のパターンが現れている状態でステージ14を移動させて連続露光を行った際に、被露光面上に形成される露光パターンの状態を、露光エリア3212と3221について示したものである。
なお、図29では、説明の便宜のため、使用可能なマイクロミラー58の1列おきの露光パターンを、画素列群Aによる露光パターンと画素列群Bによる露光パターンとに分けて示してあるが、実際の被露光面上における露光パターンは、これら2つの露光パターンを重ね合わせたものである。
The upper portion of FIG. 29 is a light spot group from the usable micromirror 58 of the DMD 36 of the exposure heads 30 12 and 30 21 projected onto the exposed surface of the photosensitive layer 12 with the stage 14 being stationary. It is the figure which showed these patterns. The lower part of FIG. 29 shows an exposure pattern formed on the exposed surface when the stage 14 is moved and continuous exposure is performed in a state where the light spot group pattern as shown in the upper part appears. The state is shown for exposure areas 32 12 and 32 21 .
In FIG. 29, for convenience of explanation, every other exposure pattern of the micromirror 58 that can be used is divided into an exposure pattern based on the pixel column group A and an exposure pattern based on the pixel column group B. The actual exposure pattern on the exposed surface is a superposition of these two exposure patterns.

図29の例では、上記したX軸方向に関する露光ヘッド3012と3021との間の相対位置の、理想的な状態からのずれの結果として、画素列群Aによる露光パターンと画素列群Bによる露光パターンとの双方で、露光エリア3212と3221の前記ヘッド間つなぎ領域において、理想的な2重露光の状態よりも露光量過多な部分が生じてしまっている。 In the example of FIG. 29, as a result of the deviation of the relative position between the exposure heads 30 12 and 30 21 in the X-axis direction from the ideal state, the exposure pattern by the pixel column group A and the pixel column group B In both of the above exposure patterns, a portion where the exposure amount is larger than the ideal double exposure state occurs in the connection area between the heads in the exposure areas 32 12 and 32 21 .

上記したような、複数の前記露光ヘッドにより被露光面上に形成される前記ヘッド間つなぎ領域に現れる濃度むらを軽減するために、本実施形態(2)では、前記光点位置検出手段としてスリット28及び光検出器の組を用い、露光ヘッド3012と3021からの光点群のうち、被露光面上に形成される前記ヘッド間つなぎ領域を構成する光点のいくつかについて、その位置(座標)を検出する。該位置(座標)に基づいて、前記描素部選択手段として前記光検出器に接続された演算装置を用いて、実際の露光に使用するマイクロミラーを選択する処理を行うものとする。 In order to reduce density unevenness appearing in the inter-head connecting region formed on the exposed surface by the plurality of exposure heads as described above, in this embodiment (2), a slit is used as the light spot position detecting means. 28 and a set of photodetectors, the positions of some of the light spots constituting the connecting area between the heads formed on the exposed surface among the light spot groups from the exposure heads 30 12 and 30 21. Detect (coordinates). Based on the position (coordinates), processing for selecting a micromirror to be used for actual exposure is performed using an arithmetic unit connected to the photodetector as the pixel portion selection means.

−位置(座標)の検出−
図30は、図29と同様の露光エリア3212及び3221と、対応するスリット28との位置関係を示した上面図である。スリット28の大きさは、露光ヘッド3012と3021による露光済み領域34間の重複部分の幅を十分覆う大きさ、即ち、露光ヘッド3012と3021により被露光面上に形成される前記ヘッド間つなぎ領域を十分覆う大きさとされている。
-Detection of position (coordinates)-
FIG. 30 is a top view showing the positional relationship between the exposure areas 32 12 and 32 21 similar to FIG. 29 and the corresponding slits 28. The size of the slit 28 is large enough to cover the width of the overlapping portion between the exposed areas 34 by the exposure heads 30 12 and 30 21 , that is, the slit 28 is formed on the exposed surface by the exposure heads 30 12 and 30 21. The size is sufficient to cover the connection area between the heads.

図31は、一例として露光エリア3221の光点P(256、1024)の位置を検出する際の検出手法を説明した上面図である。
まず、第256行目第1024列目のマイクロミラーを点灯させた状態で、ステージ14をゆっくり移動させてスリット28をY軸方向に沿って相対移動させ、光点P(256、1024)が上流側のスリット28aと下流側のスリット28bの間に来るような任意の位置に、スリット28を位置させる。このときのスリット28aとスリット28bとの交点の座標を(X0、Y0)とする。この座標(X0、Y0)の値は、ステージ14に与えられた駆動信号が示す上記の位置までのステージ14の移動距離、及び、既知であるスリット28のX方向位置から決定され、記録される。
Figure 31 is a top view for explaining a detection method of detecting the position of a point P of the exposure area 32 21 as an example (256, 1024).
First, in a state where the micromirror in the 256th row and the 1024th column is turned on, the stage 14 is slowly moved to relatively move the slit 28 along the Y-axis direction, and the light spot P (256, 1024) is upstream. The slit 28 is positioned at an arbitrary position so as to be between the slit 28a on the side and the slit 28b on the downstream side. The coordinates of the intersection of the slit 28a and the slit 28b at this time are (X0, Y0). The values of the coordinates (X0, Y0) are determined and recorded from the movement distance of the stage 14 to the above position indicated by the drive signal given to the stage 14 and the known X-direction position of the slit 28. .

次に、ステージ14を移動させ、スリット28をY軸に沿って図31における右方に相対移動させる。そして、図31において二点鎖線で示すように、光点P(256、1024)の光が左側のスリット28bを通過して光検出器で検出されたところでステージ14を停止させる。このときのスリット28aとスリット28bとの交点の座標(X0、Y1)を、光点P(256、1024)の位置として記録する。   Next, the stage 14 is moved, and the slit 28 is relatively moved along the Y axis to the right in FIG. Then, as indicated by a two-dot chain line in FIG. 31, the stage 14 is stopped when the light at the light spot P (256, 1024) passes through the left slit 28b and is detected by the photodetector. The coordinates (X0, Y1) of the intersection of the slit 28a and the slit 28b at this time are recorded as the position of the light spot P (256, 1024).

次いで、ステージ14を反対方向に移動させ、スリット28をY軸に沿って図31における左方に相対移動させる。そして、図31において二点鎖線で示すように、光点P(256、1024)の光が右側のスリット28aを通過して光検出器で検出されたところでステージ14を停止させる。このときのスリット28aとスリット28bとの交点の座標(X0、Y2)を、光点P(256、1024)として記録する。   Next, the stage 14 is moved in the opposite direction, and the slit 28 is relatively moved to the left in FIG. 31 along the Y axis. Then, as indicated by a two-dot chain line in FIG. 31, the stage 14 is stopped when the light at the light spot P (256, 1024) passes through the right slit 28a and is detected by the photodetector. The coordinates (X0, Y2) of the intersection of the slit 28a and the slit 28b at this time are recorded as the light spot P (256, 1024).

以上の測定結果から、光点P(256、1024)の被露光面における位置を示す座標(X、Y)を、X=X0+(Y1−Y2)/2、Y=(Y1+Y2)/2の計算により決定する。   From the above measurement results, the coordinates (X, Y) indicating the position of the light spot P (256, 1024) on the exposed surface are calculated as X = X0 + (Y1−Y2) / 2, Y = (Y1 + Y2) / 2. Determined by

−不使用描素部の特定−
図29の例では、まず、露光エリア3212の光点P(256、1)の位置を、上記の光点位置検出手段としてスリット28と光検出器の組により検出する。続いて、露光エリア3221の第256行目の光点行r(256)上の各光点の位置を、P(256、1024)、P(256、1023)・・・と順番に検出していき、露光エリア3212の光点P(256、1)よりも大きいX座標を示す露光エリア3221の光点P(256、n)が検出されたところで、検出動作を終了する。そして、露光エリア3221の光点列c(n+1)からc(1024)を構成する光点に対応するマイクロミラーを、本露光時に使用しないマイクロミラー(不使用描素部)として特定する。
例えば、図29において、露光エリア3221の光点P(256、1020)が、露光エリア3212の光点P(256、1)よりも大きいX座標を示し、その露光エリア3221の光点P(256、1020)が検出されたところで検出動作が終了したとすると、図32において斜線で覆われた部分70に相当する露光エリア3221の第1021行から第1024行を構成する光点に対応するマイクロミラーが、本露光時に使用しないマイクロミラーとして特定される。
-Identification of unused pixel parts-
In the example of FIG. 29, first, the position of the point P of the exposure area 32 12 (256,1) is detected by a set of slits 28 and a photodetector as the light spot position detecting unit. Subsequently, the position of each light spot on the 256 line of light spots row r of the exposure area 32 21 (256), P ( 256,1024), to detect the P (256,1023) ··· and order periodically, where the exposure area 32 21 of point P indicating the exposure area 32 12 point P (256,1) larger X coordinate than the (256, n) is detected, and terminates the detecting operation. Then, the micro mirrors corresponding to light spots constituting the c (1024) from the light spot column c of the exposure area 32 21 (n + 1), specifies as a micro-mirror is not used during the exposure (unused pixel parts).
For example, in FIG. 29, the exposure area 32 21 point P (256,1020) is shows a larger X coordinate than the point P of the exposure area 32 12 (256,1) of the exposure area 32 21 spot If P (256,1020) is that the detection operation at the detected ended, the light spots constituting the first 1024 lines from the 1021 line of exposure area 32 21, corresponding to the portion 70 covered with hatched in FIG. 32 The corresponding micromirror is identified as a micromirror that is not used during the main exposure.

次に、N重露光の数Nに対して、露光エリア3212の光点P(256、N)の位置が検出される。本実施形態(2)では、N=2であるので、光点P(256、2)の位置が検出される。
続いて、露光エリア3221の光点列のうち、上記で本露光時に使用しないマイクロミラーに対応する光点列として特定されたものを除き、最も右側の第1020列を構成する光点の位置を、P(1、1020)から順番にP(1、1020)、P(2、1020)・・・と検出していき、露光エリア3212の光点P(256、2)よりも大きいX座標を示す光点P(m、1020)が検出されたところで、検出動作を終了する。
その後、前記光検出器に接続された演算装置において、露光エリア3212の光点P(256、2)のX座標と、露光エリア3221の光点P(m、1020)及びP(m−1、1020)のX座標とが比較され、露光エリア3221の光点P(m、1020)のX座標の方が露光エリア3212の光点P(256、2)のX座標に近い場合は、露光エリア3221の光点P(1、1020)からP(m−1、1020)に対応するマイクロミラーが本露光時に使用しないマイクロミラーとして特定される。
また、露光エリア3221の光点P(m−1、1020)のX座標の方が露光エリア3212の光点P(256、2)のX座標に近い場合は、露光エリア3221の光点P(1、1020)からP(m−2、1020)に対応するマイクロミラーが、本露光に使用しないマイクロミラーとして特定される。
更に、露光エリア3212の光点P(256、N−1)即ち光点P(256、1)の位置と、露光エリア3221の次列である第1019列を構成する各光点の位置についても、同様の検出処理及び使用しないマイクロミラーの特定が行われる。
Next, the number N of the N multiple exposure, the position of the point P of the exposure area 32 12 (256, N) is detected. In the present embodiment (2), since N = 2, the position of the light spot P (256, 2) is detected.
Then, among the light spot columns of the exposure area 32 21, except those identified as light spots string corresponding to the micromirrors is not used during the exposure in the above, the position of the light spot constituting the rightmost 1020 column a, P (1,1020) in order from P (1,1020), P (2,1020 ) ··· and continue to detection, greater than the point P of the exposure area 32 12 (256,2) X When the light spot P (m, 1020) indicating the coordinates is detected, the detection operation is terminated.
Thereafter, the connected operational devices to said light detector, and X-coordinate of the exposure area 32 12 of the light spot P (256, two), point P of the exposure area 32 21 (m, 1020) and P (m- and X-coordinate of 1,1020) are compared, if the direction of the X coordinate of the point P of the exposure area 32 21 (m, 1020) is closer to the X coordinate of the point P in the exposure area 32 12 (256, 2) a micro mirror corresponding to P (m-1,1020) from point P of the exposure area 322i (1,1020) is identified as a micro-mirror is not used during the exposure.
Also, if the direction of the X coordinate of the point P in the exposure area 32 21 (m-1,1020) it is near to the X coordinates of the point P in the exposure regions 32 12 (256, 2), the light exposure area 32 21 Micromirrors corresponding to points P (1, 1020) to P (m-2, 1020) are identified as micromirrors that are not used for the main exposure.
Furthermore, the position of the point P of the exposure area 32 12 (256, N-1 ) That point P (256,1), the position of each point constituting the first 1019 column is the next row of the exposure area 32 21 The same detection process and identification of micromirrors that are not used are also performed.

その結果、例えば、図32において網掛けで覆われた領域72を構成する光点に対応するマイクロミラーが、実際の露光時に使用しないマイクロミラーとして追加される。これらのマイクロミラーには、常時、そのマイクロミラーの角度をオフ状態の角度に設定する信号が送られ、それらのマイクロミラーは、実質的に露光に使用されない。   As a result, for example, micromirrors corresponding to the light spots constituting the shaded area 72 in FIG. 32 are added as micromirrors that are not used during actual exposure. These micromirrors are always signaled to set the micromirror angle to the off-state angle, and these micromirrors are substantially not used for exposure.

このように、実際の露光時に使用しないマイクロミラーを特定し、該使用しないマイクロミラーを除いたものを、実際の露光時に使用するマイクロミラーとして選択することにより、露光エリア3212と3221の前記ヘッド間つなぎ領域において、理想的な2重露光に対して露光過多となる領域、及び露光不足となる領域の合計面積を最小とすることができ、図32の下段に示すように、理想的な2重露光に極めて近い均一な露光を実現することができる。 As described above, the micromirrors that are not used at the time of actual exposure are identified, and the micromirrors that are not used at the time of actual exposure are selected as the micromirrors that are used at the time of actual exposure, whereby the exposure areas 32 12 and 32 21 In the joint area between the heads, the total area of the overexposed area and the underexposed area with respect to the ideal double exposure can be minimized. As shown in the lower part of FIG. Uniform exposure extremely close to double exposure can be realized.

なお、上記の例においては、図32において網掛けで覆われた領域72を構成する光点の特定に際し、露光エリア3212の光点P(256、2)のX座標と、露光エリア3221の光点P(m、1020)及びP(m−1、1020)のX座標との比較を行わずに、ただちに、露光エリア3221の光点P(1、1020)からP(m−2、1020)に対応するマイクロミラーを、本露光時に使用しないマイクロミラーとして特定してもよい。その場合、前記ヘッド間つなぎ領域において、理想的な2重露光に対して露光過多となる領域の面積が最小になり、かつ露光不足となる領域が生じないようなマイクロミラーを、実際に使用するマイクロミラーとして選択することができる。
また、露光エリア3221の光点P(1、1020)からP(m−1、1020)に対応するマイクロミラーを、本露光に使用しないマイクロミラーとして特定してもよい。その場合、前記ヘッド間つなぎ領域において、理想的な2重露光に対して露光不足となる領域の面積が最小になり、かつ露光過多となる領域が生じないようなマイクロミラーを、実際に使用するマイクロミラーとして選択することができる。
更に、前記ヘッド間つなぎ領域において、理想的な2重描画に対して露光過多となる領域の描素単位数(光点数)と、露光不足となる領域の描素単位数(光点数)とが等しくなるように、実際に使用するマイクロミラーを選択することとしてもよい。
In the above example, upon the particular light spots constituting the regions 72 covered with hatched in FIG. 32, the X coordinate of the point P in the exposure area 32 12 (256, 2), the exposure area 32 21 of the light spot P (m, 1020) and P (m-1,1020) without comparison of the X-coordinate of the immediately, P from point P of the exposure area 32 21 (1,1020) (m- 2 1020) may be specified as a micromirror that is not used during the main exposure. In that case, in the connecting area between the heads, a micromirror is actually used that minimizes the area of an overexposed area with respect to an ideal double exposure and does not cause an underexposed area. It can be selected as a micromirror.
Further, the micro-mirrors corresponding to P (m-1,1020) from point P of the exposure area 32 21 (1,1020), it may be specified as micro mirrors not used in this exposure. In that case, in the connecting region between the heads, a micromirror is actually used in which the area of the region that is underexposed with respect to the ideal double exposure is minimized and the region that is not overexposed does not occur. It can be selected as a micromirror.
Further, in the connecting area between the heads, the number of pixel units (the number of light points) in an area that is overexposed with respect to an ideal double drawing, and the number of pixel units (the number of light points) in an area that is underexposed. It is good also as selecting the micromirror actually used so that it may become equal.

以上のように、露光装置10を用いた本実施形態(2)の使用描素部の指定方法によれば、複数の露光ヘッドのX軸方向に関する相対位置のずれに起因する解像度のばらつきと濃度むらとを軽減し、理想的なN重露光を実現することができる。   As described above, according to the method for designating the used pixel portion of the present embodiment (2) using the exposure apparatus 10, the resolution variation and the density due to the relative position shift in the X-axis direction of the plurality of exposure heads. Unevenness can be reduced and ideal N-fold exposure can be realized.

(3)複数露光ヘッド間における使用描素部の指定方法<2>
本実施形態(3)では、露光装置10により、感光層12に対して2重露光を行う場合であって、複数の露光ヘッド30により形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域において、2つの露光ヘッド(一例として露光ヘッド3012と3021)のX軸方向に関する相対位置の理想的な状態からのずれ、並びに各露光ヘッドの取付角度誤差、及び2つの露光ヘッド間の相対取付角度誤差に起因する解像度のばらつきと濃度むらとを軽減し、理想的な2重露光を実現するための使用描素部の指定方法を説明する。
(3) Specification method of used pixel parts between a plurality of exposure heads <2>
In this embodiment (3), the exposure apparatus 10 performs double exposure on the photosensitive layer 12, and is a head-to-head overlapping area on the exposed surface formed by a plurality of exposure heads 30. In the joint region, the relative position of the two exposure heads (for example, exposure heads 30 12 and 30 21 ) from the ideal state in the X-axis direction, the mounting angle error of each exposure head, and the distance between the two exposure heads A description will be given of a method for designating a used pixel part for reducing the variation in resolution and density unevenness due to the relative mounting angle error of the lens and realizing ideal double exposure.

各露光ヘッド30即ち各DMD36の設定傾斜角度としては、露光ヘッド30の取付角度誤差等がない理想的な状態であれば、使用可能な1024列×256行の描素部(マイクロミラー58)を使用してちょうど2重露光となる角度θidealよりも若干大きい角度を採用するものとする。
この角度θidealは、前記式1〜3を用いて上記(1)の実施形態と同様にして求められる値であり、本実施形態では、上記のとおりs=256、N=2であるので、角度θidealは約0.45度である。したがって、設定傾斜角度θとしては、例えば0.50度程度の角度を採用するとよい。露光装置10は、調整可能な範囲内で、各露光ヘッド30即ち各DMD36の取付角度がこの設定傾斜角度θに近い角度となるように、初期調整されているものとする。
As the set tilt angle of each exposure head 30, that is, each DMD 36, in an ideal state where there is no mounting angle error of the exposure head 30, a usable 1024 column × 256 row pixel portion (micromirror 58) is provided. It is assumed that an angle slightly larger than the angle θ ideal that is used for exactly double exposure is adopted.
This angle θ ideal is a value obtained in the same manner as in the above embodiment (1) using the above formulas 1 to 3. In this embodiment, s = 256 and N = 2 as described above. The angle θ ideal is about 0.45 degrees. Therefore, as the set inclination angle θ, for example, an angle of about 0.50 degrees may be employed. It is assumed that the exposure apparatus 10 is initially adjusted so that the mounting angle of each exposure head 30, that is, each DMD 36 is close to the set inclination angle θ within an adjustable range.

図33は、上記のように各露光ヘッド30即ち各DMD36の取付角度が初期調整された露光装置10において、2つの露光ヘッド(一例として露光ヘッド3012と3021)の取付角度誤差、並びに各露光ヘッド3012と3021間の相対取付角度誤差及び相対位置のずれの影響により、露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図である。 FIG. 33 shows the mounting angle errors of two exposure heads (for example, exposure heads 30 12 and 30 21 ) in the exposure apparatus 10 in which the mounting angles of the exposure heads 30, that is, the DMDs 36 are initially adjusted as described above. FIG. 10 is an explanatory view showing an example of unevenness that occurs in a pattern on an exposure surface due to the influence of the relative mounting angle error between the exposure heads 30 12 and 30 21 and the relative position shift.

図33の例では、図29の例と同様の、X軸方向に関する露光ヘッド3012と3021の相対位置のずれの結果として、一列おきの光点群(画素列群A及びB)による露光パターンの双方で、露光エリア3212と3221の被露光面上の前記露光ヘッドの走査方向と直交する座標軸上で重複する露光領域において、理想的な2重露光の状態よりも露光量過多な領域74が生じ、これが濃度むらを引き起こしている。
更に、図33の例では、各露光ヘッドの設定傾斜角度θを前記式(1)を満たす角度θidealよりも若干大きくしたことによる結果、及び各露光ヘッドの取付角度の微調整が困難であるために、実際の取付角度が上記の設定傾斜角度θからずれてしまったことの結果として、被露光面上の前記露光ヘッドの走査方向と直交する座標軸上で重複する露光領域以外の領域でも、一列おきの光点群(画素列群A及びB)による露光パターンの双方で、複数の描素部列により形成された、被露光面上の重複露光領域である描素部列間つなぎ領域において、理想的な2重露光の状態よりも露光過多となる領域76が生じ、これがさらなる濃度むらを引き起こしている。
In the example of Figure 33, similar to the example of FIG. 29, as a result of the displacement of the relative position of the exposure head 30 12 X-axis direction 30 21, exposure with every other row of light spots (pixel column groups A and B) In both exposure patterns 32 12 and 32 21 , the exposure amount overlaps on the coordinate axis perpendicular to the scanning direction of the exposure head on the exposed surface of the exposure areas 32 12 and 32 21 , which is more than the ideal double exposure state. A region 74 is generated, which causes uneven density.
Further, in the example of FIG. 33, it is difficult to finely adjust the result of setting the tilt angle θ of each exposure head to be slightly larger than the angle θ ideal satisfying the formula (1) and the mounting angle of each exposure head. Therefore, as a result of the actual mounting angle deviating from the set inclination angle θ, even in regions other than the exposure region overlapping on the coordinate axis perpendicular to the scanning direction of the exposure head on the exposed surface, In the connection region between the pixel part columns, which is an overlapped exposure region on the exposed surface, formed by a plurality of pixel part columns, both in the exposure pattern by every other light spot group (pixel column group A and B). A region 76 that is overexposed than the ideal double exposure state is generated, and this causes further density unevenness.

本実施形態(3)では、まず、各露光ヘッド3012と3021の取付角度誤差及び相対取付角度のずれの影響による濃度むらを軽減するための使用画素選択処理を行う。
具体的には、前記光点位置検出手段としてスリット28及び光検出器の組を用い、露光ヘッド3012と3021のそれぞれについて、実傾斜角度θ’を特定し、該実傾斜角度θ’に基づき、前記描素部選択手段として光検出器に接続された演算装置を用いて、実際の露光に使用するマイクロミラーを選択する処理を行うものとする。
In this embodiment (3), first, the use pixel selection process for reducing the uneven density due to the influence of the deviation of the mounting angle error and relative mounting angle of the exposure heads 30 12 and 30 21.
Specifically, a set of a slit 28 and a photodetector is used as the light spot position detecting means, and an actual tilt angle θ ′ is specified for each of the exposure heads 30 12 and 30 21 , and the actual tilt angle θ ′ is set. Based on this, it is assumed that processing for selecting a micromirror to be used for actual exposure is performed using an arithmetic unit connected to a photodetector as the pixel part selection means.

−実傾斜角度θ’の特定−
実傾斜角度θ’の特定は、露光ヘッド3012ついては露光エリア3212内の光点P(1、1)とP(256、1)の位置を、露光ヘッド3021については露光エリア3221内の光点P(1、1024)とP(256、1024)の位置を、それぞれ上述した実施形態(2)で用いたスリット28と光検出器の組により検出し、それらを結ぶ直線の傾斜角度と、露光ヘッドの走査方向とがなす角度を測定することにより行われる。
−Specification of actual inclination angle θ′−
The actual inclination angle θ ′ is specified by setting the positions of the light spots P (1, 1) and P (256, 1) in the exposure area 32 12 for the exposure head 30 12 and in the exposure area 32 21 for the exposure head 30 21 . The positions of the light spots P (1, 1024) and P (256, 1024) are detected by the combination of the slit 28 and the photodetector used in the above-described embodiment (2), and the inclination angle of the straight line connecting them. And the angle formed by the scanning direction of the exposure head.

−不使用描素部の特定−
そのようにして特定された実傾斜角度θ’を用いて、光検出器に接続された演算装置は、上述した実施形態(1)における演算装置と同様、下記式4
ttanθ’=N(式4)
の関係を満たす値tに最も近い自然数Tを、露光ヘッド3012と3021のそれぞれについて導出し、DMD36上の第(T+1)行目から第256行目のマイクロミラーを、本露光に使用しないマイクロミラーとして特定する処理を行う。
例えば、露光ヘッド3012についてはT=254、露光ヘッド3021についてはT=255が導出されたとすると、図34において斜線で覆われた部分78及び80を構成する光点に対応するマイクロミラーが、本露光に使用しないマイクロミラーとして特定される。これにより、露光エリア3212と3221のうちヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な2重露光に対して露光過多となる領域、及び露光不足となる領域の合計面積を最小とすることができる。
-Identification of unused pixel parts-
The arithmetic device connected to the photodetector using the actual inclination angle θ ′ thus specified is similar to the following equation 4 similar to the arithmetic device in the embodiment (1) described above.
t tan θ ′ = N (Formula 4)
The natural number T closest to the value t satisfying the above relationship is derived for each of the exposure heads 30 12 and 30 21 , and the micromirrors in the (T + 1) th to 256th rows on the DMD 36 are not used for the main exposure. Processing to identify as a micromirror is performed.
For example, T = 254 for the exposure head 30 12, when T = 255 was derived for the exposure head 3O21, micro mirrors corresponding to light spots constituting the parts 78 and 80 covered with hatched in FIG. 34 These are specified as micromirrors that are not used for the main exposure. As a result, in each of the exposure areas 32 12 and 32 21 other than the head-to-head connection area, the total area of the overexposed area and the underexposed area with respect to the ideal double exposure is minimized. be able to.

ここで、上記の値tに最も近い自然数を導出することに代えて、値t以上の最小の自然数を導出することとしてもよい。その場合、露光エリア3212と3221の、複数の露光ヘッドにより形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な2重露光に対して露光量過多となる面積が最小になり、かつ露光量不足となる面積が生じないようになすことができる。
あるいは、値t以下の最大の自然数を導出することとしてもよい。その場合、露光エリア3212と3221の、複数の露光ヘッドにより形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な2重露光に対して露光不足となる領域の面積が最小になり、かつ露光過多となる領域が生じないようになすことができる。
複数の露光ヘッドにより形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な2重露光に対して、露光過多となる領域の描素単位数(光点数)と、露光不足となる領域の描素単位数(光点数)とが等しくなるように、本露光時に使用しないマイクロミラーを特定することとしてもよい。
Here, instead of deriving the natural number closest to the above value t, the minimum natural number greater than or equal to the value t may be derived. In this case, exposure is performed for ideal double exposure in each of the exposure areas 32 12 and 32 21 other than the head-to-head connection area, which is an overlapping exposure area on the exposed surface formed by a plurality of exposure heads. It is possible to minimize the area where the amount is excessive and to prevent an area where the exposure amount is insufficient.
Or it is good also as deriving the maximum natural number below value t. In this case, exposure is performed for ideal double exposure in each of the exposure areas 32 12 and 32 21 other than the head-to-head connection area, which is an overlapping exposure area on the exposed surface formed by a plurality of exposure heads. It is possible to minimize the area of the insufficient region and prevent the region from being overexposed.
In each area other than the head-to-head connection area, which is an overlapping exposure area on the exposed surface formed by a plurality of exposure heads, the number of pixel units (light It is also possible to identify micromirrors that are not used during the main exposure so that the number of pixel units (the number of light points) in the underexposed region is equal to the number of points.

その後、図34において斜線で覆われた領域78及び80を構成する光点以外の光点に対応するマイクロミラーに関して、図29から17を用いて説明した本実施形態(3)と同様の処理がなされ、図34において斜線で覆われた領域82及び網掛けで覆われた領域84を構成する光点に対応するマイクロミラーが特定され、本露光時に使用しないマイクロミラーとして追加される。
これらの露光時に使用しないものとして特定されたマイクロミラーに対して、前記描素部素制御手段により、常時オフ状態の角度に設定する信号が送られ、それらのマイクロミラーは、実質的に露光に関与しない。
Thereafter, with respect to the micromirrors corresponding to the light spots other than the light spots constituting the regions 78 and 80 covered by the oblique lines in FIG. 34, the same processing as that of the present embodiment (3) described with reference to FIGS. 29 to 17 is performed. In FIG. 34, the micromirrors corresponding to the light spots constituting the shaded area 82 and the shaded area 84 are identified and added as micromirrors that are not used during the main exposure.
With respect to the micromirrors that are specified not to be used at the time of exposure, a signal for setting the angle of the always-off state is sent by the pixel element control means, and these micromirrors are substantially exposed. Not involved.

以上のように、露光装置10を用いた本実施形態(3)の使用描素部の指定方法によれば、複数の露光ヘッドのX軸方向に関する相対位置のずれ、並びに各露光ヘッドの取付角度誤差、及び露光ヘッド間の相対取付角度誤差に起因する解像度のばらつきと濃度むらとを軽減し、理想的なN重露光を実現することができる。   As described above, according to the method for designating the used picture element portion of the present embodiment (3) using the exposure apparatus 10, the relative position shifts in the X-axis direction of the plurality of exposure heads and the mounting angles of the exposure heads Variations in resolution and density unevenness due to errors and relative mounting angle errors between exposure heads can be reduced, and ideal N-fold exposure can be realized.

以上、露光装置10による使用描素部指定方法ついて詳細に説明したが、上記実施形態(1)〜(3)は一例に過ぎず、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変更が可能である。   Although the above-described method for specifying the used pixel portion by the exposure apparatus 10 has been described in detail, the above embodiments (1) to (3) are merely examples, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. is there.

また、上記の実施形態(1)〜(3)では、被露光面上の光点の位置を検出するための手段として、スリット28と単一セル型の光検出器の組を用いたが、これに限られずいかなる形態のものを用いてもよく、例えば2次元検出器等を用いてもよい。   In the above embodiments (1) to (3), as a means for detecting the position of the light spot on the exposed surface, a set of the slit 28 and the single cell type photodetector is used. The present invention is not limited to this, and any form may be used. For example, a two-dimensional detector may be used.

更に、上記の実施形態(1)〜(3)では、スリット28と光検出器の組による被露光面上の光点の位置検出結果から実傾斜角度θ’を求め、その実傾斜角度θ’に基づいて使用するマイクロミラーを選択したが、実傾斜角度θ’の導出を介さずに使用可能なマイクロミラーを選択する形態としてもよい。更には、例えばすべての使用可能なマイクロミラーを用いた参照露光を行い、参照露光結果の目視による解像度や濃度のむらの確認等により、操作者が使用するマイクロミラーを手動で指定する形態も、本発明の範囲に含まれるものである。   Furthermore, in the above embodiments (1) to (3), the actual inclination angle θ ′ is obtained from the position detection result of the light spot on the exposed surface by the combination of the slit 28 and the photodetector, and the actual inclination angle θ ′ is obtained. Although the micromirror to be used is selected based on the above, it is also possible to select a micromirror that can be used without deriving the actual inclination angle θ ′. Furthermore, for example, the reference exposure using all available micromirrors is performed, and the micromirror used by the operator is manually specified by visually confirming the resolution and density unevenness of the reference exposure result. It is included in the scope of the invention.

なお、被露光面上に生じ得るパターン歪みには、上記の例で説明した角度歪みの他にも、種々の形態が存在する。
一例としては、図35Aに示すように、DMD36上の各マイクロミラー58からの光線が、異なる倍率で露光面上の露光エリア32に到達してしまう倍率歪みの形態がある。
また、別の例として、図35Bに示すように、DMD36上の各マイクロミラー58からの光線が、異なるビーム径で露光面上の露光エリア32に到達してしまうビーム径歪みの形態もある。これらの倍率歪み及びビーム径歪みは、主として、DMD36と露光面間の光学系の各種収差やアラインメントずれに起因して生じる。
更に別の例として、DMD36上の各マイクロミラー58からの光線が、異なる光量で露光面上の露光エリア32に到達してしまう光量歪みの形態もある。この光量歪みは、各種収差やアラインメントずれのほか、DMD36と露光面間の光学要素(例えば1枚レンズである図5A及び図5Bのレンズ52及び54)の透過率の位置依存性や、DMD36自体による光量むらに起因して生じる。これらの形態のパターン歪みも、露光面上に形成されるパターンに解像度や濃度のむらを生じさせる。
In addition to the angular distortion described in the above example, there are various forms of pattern distortion that can occur on the exposed surface.
As an example, as shown in FIG. 35A, there is a form of magnification distortion in which light rays from each micromirror 58 on the DMD 36 reach the exposure area 32 on the exposure surface at different magnifications.
As another example, as shown in FIG. 35B, there is a form of beam diameter distortion in which the light from each micromirror 58 on the DMD 36 reaches the exposure area 32 on the exposure surface with a different beam diameter. These magnification distortion and beam diameter distortion are mainly caused by various aberrations and alignment deviation of the optical system between the DMD 36 and the exposure surface.
As yet another example, there is a form of light amount distortion in which light beams from the micromirrors 58 on the DMD 36 reach the exposure area 32 on the exposure surface with different light amounts. This light amount distortion is not only various aberrations and misalignment, but also the position dependency of the transmittance of the optical elements between the DMD 36 and the exposure surface (for example, the lenses 52 and 54 in FIGS. 5A and 5B, which are single lenses), and the DMD 36 itself. This is caused by unevenness in the amount of light. These forms of pattern distortion also cause unevenness in resolution and density in the pattern formed on the exposure surface.

上記の実施形態(1)〜(3)によれば、本露光に実際に使用するマイクロミラーを選択した後の、これらの形態のパターン歪みの残留要素も、上記の角度歪みの残留要素と同様、2重露光による埋め合わせの効果で均すことができる。   According to the above embodiments (1) to (3), the residual elements of pattern distortion in these forms after selecting the micromirrors actually used for the main exposure are the same as the residual elements of angular distortion described above. It can be leveled by the effect of offset by double exposure.

<<参照露光>>
上記の実施形態(1)〜(3)の変更例として、使用可能なマイクロミラーのうち、(N−1)列おきのマイクロミラー列、又は全光点行のうち1/N行に相当する隣接する行を構成するマイクロミラー群のみを使用して参照露光を行い、均一な露光を実現できるように、前記参照露光に使用されたマイクロミラー中、実際の露光時に使用しないマイクロミラーを特定することとしてもよい。
前記参照露光手段による参照露光の結果をサンプル出力し、該出力された参照露光結果に対し、解像度のばらつきや濃度のむらを確認し、実傾斜角度を推定するなどの分析を行う。前記参照露光の結果の分析は、操作者の目視による分析であってもよい。
<< Reference exposure >>
As a modified example of the above embodiments (1) to (3), among available micromirrors, it corresponds to (N-1) every micromirror column or 1 / N rows of all light spot rows. A reference exposure is performed using only a group of micromirrors constituting an adjacent row, and among the micromirrors used for the reference exposure, micromirrors that are not used at the time of actual exposure are specified so that uniform exposure can be realized. It is good as well.
The result of the reference exposure by the reference exposure means is output as a sample, and the output reference exposure result is analyzed to confirm resolution variation and density unevenness and to estimate the actual inclination angle. The analysis of the result of the reference exposure may be a visual analysis by an operator.

図36A及び図36Bは、単一露光ヘッドを用い、(N−1)列おきのマイクロミラーのみを使用して参照露光を行う形態の一例を示した説明図である。
この例では、本露光時は2重露光とするものとし、したがってN=2である。まず、図36Aに実線で示した奇数列の光点列に対応するマイクロミラーのみを使用して参照露光を行い、参照露光結果をサンプル出力する。前記サンプル出力された参照露光結果に基づき、解像度のばらつきや濃度のむらを確認したり、実傾斜角度を推定したりすることで、本露光時において使用するマイクロミラーを指定することができる。
例えば、図36Bに斜線で覆って示す光点列に対応するマイクロミラー以外のマイクロミラーが、奇数列の光点列を構成するマイクロミラー中、本露光において実際に使用されるものとして指定される。偶数列の光点列については、別途同様に参照露光を行って、本露光時に使用するマイクロミラーを指定してもよいし、奇数列の光点列に対するパターンと同一のパターンを適用してもよい。
このようにして本露光時に使用するマイクロミラーを指定することにより、奇数列及び偶数列双方のマイクロミラーを使用した本露光においては、理想的な2重露光に近い状態が実現できる。
FIG. 36A and FIG. 36B are explanatory views showing an example of a form in which reference exposure is performed using only (N-1) rows of micromirrors using a single exposure head.
In this example, it is assumed that double exposure is performed during the main exposure, and therefore N = 2. First, reference exposure is performed using only micromirrors corresponding to the odd-numbered light spot rows indicated by the solid lines in FIG. 36A, and the reference exposure results are output as samples. Based on the reference exposure result outputted from the sample, it is possible to specify a micromirror to be used in the main exposure by confirming variations in resolution and density unevenness, or estimating an actual inclination angle.
For example, micromirrors other than the micromirror corresponding to the light spot array shown by hatching in FIG. 36B are designated as actually used in the main exposure among the micromirrors constituting the odd light spot array. . For even-numbered light spot arrays, reference exposure may be performed separately in the same manner, and the micromirror used during the main exposure may be designated, or the same pattern as that for the odd-numbered light spot arrays may be applied. Good.
By specifying the micromirrors used in the main exposure as described above, in the main exposure using both the odd-numbered and even-numbered micromirrors, a state close to ideal double exposure can be realized.

図37は、複数の露光ヘッドを用い、(N−1)列おきのマイクロミラーのみを使用して参照露光を行う形態の一例を示した説明図である。
この例では、本露光時は2重露光とするものとし、したがってN=2である。まず、図37に実線で示した、X軸方向に関して隣接する2つの露光ヘッド(一例として露光ヘッド3012と3021)の奇数列の光点列に対応するマイクロミラーのみを使用して、参照露光を行い、参照露光結果をサンプル出力する。前記出力された参照露光結果に基づき、2つの露光ヘッドにより被露光面上に形成されるヘッド間つなぎ領域以外の領域における解像度のばらつきや濃度のむらを確認したり、実傾斜角度を推定したりすることで、本露光時において使用するマイクロミラーを指定することができる。
例えば、図37に斜線で覆って示す領域86及び網掛けで示す領域88内の光点列に対応するマイクロミラー以外のマイクロミラーが、奇数列の光点を構成するマイクロミラー中、本露光時において実際に使用されるものとして指定される。偶数列の光点列については、別途同様に参照露光を行って、本露光時に使用するマイクロミラーを指定してもよいし、奇数列目の画素列に対するパターンと同一のパターンを適用してもよい。
このようにして本露光時に実際に使用するマイクロミラーを指定することにより、奇数列及び偶数列双方のマイクロミラーを使用した本露光においては、2つの露光ヘッドにより被露光面上に形成される前記ヘッド間つなぎ領域以外の領域において、理想的な2重露光に近い状態が実現できる。
FIG. 37 is an explanatory diagram showing an example of a form in which reference exposure is performed using only a plurality of (N-1) rows of micromirrors using a plurality of exposure heads.
In this example, it is assumed that double exposure is performed during the main exposure, and therefore N = 2. First, reference is made using only the micromirrors corresponding to the odd-numbered light spot rows of two exposure heads (for example, exposure heads 30 12 and 30 21 ) adjacent to each other in the X-axis direction, which are indicated by solid lines in FIG. Exposure is performed, and a reference exposure result is output as a sample. Based on the output reference exposure result, the variation in resolution and density unevenness in the area other than the joint area between the heads formed on the exposed surface by the two exposure heads are confirmed, or the actual inclination angle is estimated. Thus, the micromirror to be used at the time of the main exposure can be designated.
For example, the micromirrors other than the micromirrors corresponding to the light spot rows in the area 86 shown by hatching in FIG. Specified as actually used. For even-numbered light spot arrays, reference exposure may be performed separately in the same manner, and a micromirror used in the main exposure may be designated, or the same pattern as that for the odd-numbered pixel columns may be applied. Good.
In this way, in the main exposure using both the odd-numbered and even-numbered micromirrors by designating the micromirrors that are actually used during the main exposure, the two exposure heads form the surface to be exposed. A state close to ideal double exposure can be realized in a region other than the head-to-head connection region.

図38A及び図38Bは、単一露光ヘッドを用い、全光点行数の1/N行に相当する隣接する行を構成するマイクロミラー群のみを使用して参照露光を行う形態の一例を示した説明図である。
この例では、本露光時は2重露光とするものとし、したがってN=2である。まず、図38Aに実線で示した1行目から128(=256/2)行目の光点に対応するマイクロミラーのみを使用して参照露光を行い、参照露光結果をサンプル出力する。前記サンプル出力された参照露光結果に基づき、本露光時において使用するマイクロミラーを指定することができる。
例えば、図38Bに斜線で覆って示す光点群に対応するマイクロミラー以外のマイクロミラーが、第1行目から第128行目のマイクロミラー中、本露光時において実際に使用されるものとして指定され得る。第129行目から第256行目のマイクロミラーについては、別途同様に参照露光を行って、本露光時に使用するマイクロミラーを指定してもよいし、第1行目から第128行目のマイクロミラーに対するパターンと同一のパターンを適用してもよい。
このようにして本露光時に使用するマイクロミラーを指定することにより、全体のマイクロミラーを使用した本露光においては、理想的な2重露光に近い状態が実現できる。
FIG. 38A and FIG. 38B show an example of a form in which reference exposure is performed using a single exposure head and using only micromirror groups constituting adjacent rows corresponding to 1 / N rows of the total number of light spot rows. FIG.
In this example, it is assumed that double exposure is performed during main exposure, and therefore N = 2. First, reference exposure is performed using only micromirrors corresponding to the light spots in the first to 128 (= 256/2) rows shown by the solid line in FIG. 38A, and the reference exposure results are output as samples. Based on the reference exposure result outputted from the sample, a micromirror to be used in the main exposure can be designated.
For example, a micromirror other than the micromirror corresponding to the light spot group indicated by hatching in FIG. 38B is designated as actually used in the main exposure among the micromirrors in the first to 128th rows. Can be done. For the micromirrors in the 129th to 256th rows, reference exposure may be separately performed in the same manner, and the micromirrors used in the main exposure may be designated, or the micromirrors in the first to 128th rows may be designated. The same pattern as that for the mirror may be applied.
By designating the micromirror to be used at the time of the main exposure in this way, a state close to an ideal double exposure can be realized in the main exposure using the entire micromirror.

図39は、複数の露光ヘッドを用い、X軸方向に関して隣接する2つの露光ヘッド(一例として露光ヘッド3012と3021)について、それぞれ全光点行数の1/N行に相当する隣接する行を構成するマイクロミラー群のみを使用して参照露光を行う形態の一例を示した説明図である。
この例では、本露光時は2重露光とするものとし、したがってN=2である。まず、図39に実線で示した第1行目から第128(=256/2)行目の光点に対応するマイクロミラーのみを使用して、参照露光を行い、参照露光結果をサンプル出力する。前記サンプル出力された参照露光結果に基づき、2つの露光ヘッドにより被露光面上に形成されるヘッド間つなぎ領域以外の領域における解像度のばらつきや濃度のむらを最小限に抑えた本露光が実現できるように、本露光時において使用するマイクロミラーを指定することができる。
例えば、図39に斜線で覆って示す領域90及び網掛けで示す領域92内の光点列に対応するマイクロミラー以外のマイクロミラーが、第1行目から第128行目のマイクロミラー中、本露光時において実際に使用されるものとして指定される。第129行目から第256行目のマイクロミラーについては、別途同様に参照露光を行って、本露光に使用するマイクロミラーを指定してもよいし、第1行目から第128行目のマイクロミラーに対するパターンと同一のパターンを適用してもよい。
このようにして本露光時に使用するマイクロミラーを指定することにより、2つの露光ヘッドにより被露光面上に形成される前記ヘッド間つなぎ領域以外の領域において理想的な2重露光に近い状態が実現できる。
In FIG. 39, a plurality of exposure heads are used, and two adjacent exposure heads (for example, exposure heads 30 12 and 30 21 ) adjacent to each other in the X-axis direction are adjacent to each other corresponding to 1 / N rows of the total number of light spots. It is explanatory drawing which showed an example of the form which performs reference exposure using only the micromirror group which comprises a line.
In this example, it is assumed that double exposure is performed during main exposure, and therefore N = 2. First, reference exposure is performed using only micromirrors corresponding to the light spots in the first to 128th (= 256/2) rows indicated by the solid line in FIG. 39, and the reference exposure results are output as samples. . Based on the reference exposure result outputted from the sample, it is possible to realize the main exposure in which the variation in resolution and the density unevenness in the region other than the joint region between the heads formed on the exposed surface by the two exposure heads are minimized. In addition, it is possible to designate a micromirror to be used during the main exposure.
For example, micromirrors other than the micromirrors corresponding to the light spot arrays in the region 90 shown shaded in FIG. 39 and the shaded region 92 are included in the micromirrors in the first row to the 128th row. Designated as actually used at the time of exposure. For the micromirrors in the 129th to 256th rows, reference exposure may be separately performed in the same manner, and the micromirrors used for the main exposure may be designated, or the micromirrors in the first to 128th rows may be designated. The same pattern as that for the mirror may be applied.
In this way, by specifying the micromirror to be used during the main exposure, a state close to ideal double exposure is realized in an area other than the inter-head connecting area formed on the exposed surface by two exposure heads. it can.

以上の実施形態(1)〜(3)及び変更例においては、いずれも本露光を2重露光とする場合について説明したが、これに限定されず、2重露光以上のいかなる多重露光としてもよい。特に3重露光から7重露光程度とすることにより、高解像度を確保し、解像度のばらつき及び濃度むらが軽減された露光を実現することができる。   In the above embodiments (1) to (3) and the modified examples, the case where the main exposure is the double exposure has been described. However, the present invention is not limited to this, and any multiple exposure more than the double exposure may be used. . In particular, by setting the exposure to about 3 to 7 exposures, high resolution can be secured, and exposure with reduced variations in resolution and density unevenness can be realized.

また、上記の実施形態及び変更例に係る露光装置には、更に、画像データが表す2次元パターンの所定部分の寸法が、選択された使用画素により実現できる対応部分の寸法と一致するように、画像データを変換する機構が設けられていることが好ましい。そのように画像データを変換することによって、所望の2次元パターンどおりの高精細なパターンを露光面上に形成することができる。   Further, in the exposure apparatus according to the embodiment and the modified example, the dimension of the predetermined part of the two-dimensional pattern represented by the image data is matched with the dimension of the corresponding part that can be realized by the selected use pixel. A mechanism for converting image data is preferably provided. By converting the image data in such a manner, a high-definition pattern according to a desired two-dimensional pattern can be formed on the exposure surface.

[その他の工程]
前記その他の工程としては、特に制限はなく、公知のパターン形成における工程の中から適宜選択することが挙げられるが、例えば、現像工程、エッチング工程、メッキ工程、及び硬化処理工程などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
前記現像工程は、前記露光工程により前記感光層を露光し、該感光層の露光した領域を硬化させた後、未硬化領域を除去することにより現像し、パターンを形成する工程である。
[Other processes]
There is no restriction | limiting in particular as said other process, Although selecting suitably from the process in well-known pattern formation is mentioned, For example, a image development process, an etching process, a plating process, a hardening process process, etc. are mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.
The developing step is a step of forming a pattern by exposing the photosensitive layer by the exposing step, curing the exposed region of the photosensitive layer, and then developing the uncured region by removing the uncured region.

−現像工程−
前記現像工程は、例えば、現像手段により好適に実施することができる。
前記現像手段としては、現像液を用いて現像することができる限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記現像液を噴霧する手段、前記現像液を塗布する手段、前記現像液に浸漬させる手段などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
また、前記現像手段は、前記現像液を交換する現像液交換手段、前記現像液を供給する現像液供給手段などを有していてもよい。
-Development process-
The developing step can be preferably performed by, for example, developing means.
The developing means is not particularly limited as long as it can be developed using a developer, and can be appropriately selected according to the purpose. For example, means for spraying the developer, means for applying the developer And means for immersing in the developer. These may be used alone or in combination of two or more.
In addition, the developing unit may include a developer replacing unit that replaces the developer, a developer supplying unit that supplies the developer, and the like.

前記現像液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルカリ性液、水系現像液、有機溶剤などが挙げられ、これらの中でも、弱アルカリ性の水溶液が好ましい。該弱アルカリ性液の塩基成分としては、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム、ピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸カリウム、硼砂などが挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as said developing solution, According to the objective, it can select suitably, For example, an alkaline solution, an aqueous developing solution, an organic solvent etc. are mentioned, Among these, weakly alkaline aqueous solution is preferable. Examples of the basic component of the weak alkaline liquid include lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, lithium hydrogen carbonate, sodium hydrogen carbonate, potassium hydrogen carbonate, sodium phosphate, phosphorus Examples include potassium acid, sodium pyrophosphate, potassium pyrophosphate, and borax.

前記弱アルカリ性の水溶液のpHとしては、例えば、約8〜12が好ましく、約9〜11がより好ましい。前記弱アルカリ性の水溶液としては、例えば、0.1〜5質量%の炭酸ナトリウム水溶液又は炭酸カリウム水溶液などが挙げられる。
前記現像液の温度としては、前記感光層の現像性に合わせて適宜選択することができ、例えば、約25℃〜40℃が好ましい。
The pH of the weak alkaline aqueous solution is, for example, preferably about 8 to 12, and more preferably about 9 to 11. Examples of the weak alkaline aqueous solution include a 0.1 to 5% by mass aqueous sodium carbonate solution or an aqueous potassium carbonate solution.
The temperature of the developer can be appropriately selected according to the developability of the photosensitive layer, and is preferably about 25 ° C. to 40 ° C., for example.

前記現像液は、界面活性剤、消泡剤、有機塩基(例えば、エチレンジアミン、エタノールアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、ジエチレントリアミン、トリエチレンペンタミン、モルホリン、トリエタノールアミン等)や、現像を促進させるため有機溶剤(例えば、アルコール類、ケトン類、エステル類、エーテル類、アミド類、ラクトン類等)などと併用してもよい。また、前記現像液は、水又はアルカリ水溶液と有機溶剤を混合した水系現像液であってもよく、有機溶剤単独であってもよい。   The developer includes a surfactant, an antifoaming agent, an organic base (for example, ethylenediamine, ethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, diethylenetriamine, triethylenepentamine, morpholine, triethanolamine, etc.) and development. Therefore, it may be used in combination with an organic solvent (for example, alcohols, ketones, esters, ethers, amides, lactones, etc.). The developer may be an aqueous developer obtained by mixing water or an aqueous alkali solution and an organic solvent, or may be an organic solvent alone.

−エッチング工程−
前記エッチング工程としては、公知のエッチング処理方法の中から適宜選択した方法により行うことができる。
前記エッチング処理に用いられるエッチング液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記金属層が銅で形成されている場合には、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液、アルカリエッチング溶液、過酸化水素系エッチング液などが挙げられ、これらの中でも、エッチングファクターの点から塩化第二鉄溶液が好ましい。また、公知のサンドブラスト法を用いることができる。
前記エッチング工程によりエッチング処理した後に前記パターンを除去することにより、前記基体の表面に配線パターン(回路)を形成することができる。
-Etching process-
The etching step can be performed by a method appropriately selected from known etching methods.
There is no restriction | limiting in particular as an etching liquid used for the said etching process, Although it can select suitably according to the objective, For example, when the said metal layer is formed with copper, a cupric chloride solution, Examples thereof include a ferric chloride solution, an alkali etching solution, and a hydrogen peroxide-based etching solution. Among these, a ferric chloride solution is preferable from the viewpoint of an etching factor. Moreover, a well-known sandblasting method can be used.
A wiring pattern (circuit) can be formed on the surface of the substrate by removing the pattern after performing the etching process in the etching step.

−メッキ工程−
前記メッキ工程としては、公知のメッキ処理の中から適宜選択した適宜選択した方法により行うことができる。
前記メッキ処理としては、例えば、硫酸銅メッキ、ピロリン酸銅メッキ等の銅メッキ、ハイスローはんだメッキ等のはんだメッキ、ワット浴(硫酸ニッケル−塩化ニッケル)メッキ、スルファミン酸ニッケル等のニッケルメッキ、ハード金メッキ、ソフト金メッキ等の金メッキなど処理が挙げられる。
前記メッキ工程によりメッキ処理した後に前記パターンを除去することにより、また更に必要に応じて不要部をレジスト剥離処理等で除去することにより、前記基体の表面に金属配線パターン(回路)を形成することができる。
-Plating process-
The plating step can be performed by an appropriately selected method selected from known plating processes.
Examples of the plating treatment include copper plating such as copper sulfate plating and copper pyrophosphate plating, solder plating such as high throw solder plating, watt bath (nickel sulfate-nickel chloride) plating, nickel plating such as nickel sulfamate, and hard gold plating. And gold plating such as soft gold plating.
A metal wiring pattern (circuit) is formed on the surface of the substrate by removing the pattern after plating by the plating process and further removing unnecessary portions by a resist stripping process or the like as necessary. Can do.

−硬化処理工程−
前記硬化処理工程は、前記ソルダーレジストとしての感光性組成物からなる前記感光層に対し、前記現像工程が行われた後、形成された永久パターンに対して硬化処理を行う工程である。
-Curing process-
The curing treatment step is a step of performing a curing treatment on the formed permanent pattern after the developing step is performed on the photosensitive layer made of the photosensitive composition as the solder resist.

前記硬化処理としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、全面露光処理、全面加熱処理などが好適に挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as said hardening process, According to the objective, it can select suitably, For example, a whole surface exposure process, a whole surface heat processing, etc. are mentioned suitably.

前記全面露光処理の方法としては、例えば、前記現像工程の後に、前記永久パターンが形成された前記感光性積層体上の全面を露光する方法が挙げられる。該全面露光により、前記感光層を形成する感光性組成物中の樹脂の硬化が促進され、前記永久パターンの表面が硬化される。
前記全面露光を行う装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、超高圧水銀灯などのUV露光機が好適に挙げられる。
Examples of the entire surface exposure processing method include a method of exposing the entire surface of the photosensitive laminate on which the permanent pattern is formed after the developing step. The entire surface exposure accelerates the curing of the resin in the photosensitive composition forming the photosensitive layer, and the surface of the permanent pattern is cured.
There is no restriction | limiting in particular as an apparatus which performs the said whole surface exposure, According to the objective, it can select suitably, For example, UV exposure machines, such as an ultrahigh pressure mercury lamp, are mentioned suitably.

前記全面加熱処理の方法としては、前記現像工程の後に、前記永久パターンが形成された前記感光性積層体上の全面を加熱する方法が挙げられる。該全面加熱により、前記永久パターンの表面の膜強度が高められる。
前記全面加熱における加熱温度としては、120〜250℃が好ましく、120〜200℃がより好ましい。該加熱温度が120℃未満であると、加熱処理による膜強度の向上が得られないことがあり、250℃を超えると、前記感光性組成物中の樹脂の分解が生じ、膜質が弱く脆くなることがある。
前記全面加熱における加熱時間としては、10〜120分が好ましく、15〜60分がより好ましい。
前記全面加熱を行う装置としては、特に制限はなく、公知の装置の中から、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ドライオーブン、ホットプレート、IRヒーターなどが挙げられる。
Examples of the entire surface heat treatment method include a method of heating the entire surface of the photosensitive laminate on which the permanent pattern is formed after the developing step. By heating the entire surface, the film strength of the surface of the permanent pattern is increased.
As heating temperature in the said whole surface heating, 120-250 degreeC is preferable and 120-200 degreeC is more preferable. When the heating temperature is less than 120 ° C., the film strength may not be improved by heat treatment. When the heating temperature exceeds 250 ° C., the resin in the photosensitive composition is decomposed, and the film quality is weak and brittle. Sometimes.
As heating time in the said whole surface heating, 10 to 120 minutes are preferable and 15 to 60 minutes are more preferable.
There is no restriction | limiting in particular as an apparatus which performs the said whole surface heating, According to the objective, it can select suitably from well-known apparatuses, For example, a dry oven, a hot plate, IR heater etc. are mentioned.

〔プリント配線板の製造方法〕
本発明の前記パターン形成方法は、プリント配線板の製造、特にスルーホール又はビアホールなどのホール部を有するプリント配線板の製造に好適に使用することができる。以下、本発明のパターン形成方法を利用したプリント配線板の製造方法の一例について説明する。
[Method of manufacturing printed wiring board]
The said pattern formation method of this invention can be used suitably for manufacture of a printed wiring board, especially the manufacture of a printed wiring board which has hole parts, such as a through hole or a via hole. Hereinafter, an example of the manufacturing method of the printed wiring board using the pattern formation method of this invention is demonstrated.

スルーホール又はビアホールなどのホール部を有するプリント配線板の製造方法としては、(1)前記基体としてホール部を有するプリント配線板形成用基板上に、前記パターン形成材料を、その感光層が前記基体側となる位置関係にて積層して感光性積層体を形成し、(2)前記感光性積層体の前記基体とは反対の側から、所望の領域に光照射行い感光層を硬化させ、(3)前記感光性積層体から前記パターン形成材料における支持体を除去し、(4)前記感光性積層体における感光層を現像して、該感光性積層体中の未硬化部分を除去することによりパターンを形成することができる。   As a method for producing a printed wiring board having a hole portion such as a through hole or a via hole, (1) the pattern forming material is formed on a printed wiring board forming substrate having a hole portion as the substrate, and the photosensitive layer is the substrate. (2) The photosensitive layer is irradiated with light from a side opposite to the base of the photosensitive laminate to cure the photosensitive layer, 3) removing the support in the pattern forming material from the photosensitive laminate, and (4) developing the photosensitive layer in the photosensitive laminate to remove the uncured portion in the photosensitive laminate. A pattern can be formed.

なお、前記(3)における前記支持体の除去は、前記(2)と前記(4)との間で行う代わりに、前記(1)と前記(2)との間で行ってもよい。   The removal of the support in (3) may be performed between (1) and (2) instead of between (2) and (4).

その後、プリント配線板を得るには、前記形成したパターンを用いて、前記プリント配線板形成用基板をエッチング処理又はメッキ処理する方法(例えば、公知のサブトラクティブ法又はアディティブ法(例えば、セミアディティブ法、フルアディティブ法))により処理すればよい。これらの中でも、工業的に有利なテンティングでプリント配線板を形成するためには、前記サブトラクティブ法が好ましい。前記処理後プリント配線板形成用基板に残存する硬化樹脂は剥離させ、また、前記セミアディティブ法の場合は、剥離後さらに銅薄膜部をエッチングすることにより、所望のプリント配線板を製造することができる。また、多層プリント配線板も、前記プリント配線板の製造法と同様に製造が可能である。   Thereafter, in order to obtain a printed wiring board, a method of etching or plating the printed wiring board forming substrate using the formed pattern (for example, a known subtractive method or additive method (for example, a semi-additive method) And the full additive method)). Among these, in order to form a printed wiring board by industrially advantageous tenting, the subtractive method is preferable. After the treatment, the cured resin remaining on the printed wiring board forming substrate is peeled off. In the case of the semi-additive method, a desired printed wiring board can be manufactured by further etching the copper thin film portion after peeling. it can. A multilayer printed wiring board can also be manufactured in the same manner as the printed wiring board manufacturing method.

次に、前記パターン形成材料を用いたスルーホールを有するプリント配線板の製造方法について、更に説明する。   Next, the manufacturing method of the printed wiring board which has a through hole using the said pattern formation material is further demonstrated.

まずスルーホールを有し、表面が金属メッキ層で覆われたプリント配線板形成用基板を用意する。前記プリント配線板形成用基板としては、例えば、銅張積層基板及びガラス−エポキシなどの絶縁基体に銅メッキ層を形成した基板又はこれらの基板に層間絶縁膜を積層し、銅メッキ層を形成した基板(積層基板)を用いることができる。   First, a printed wiring board forming substrate having through holes and having a surface covered with a metal plating layer is prepared. As the printed wiring board forming substrate, for example, a copper-clad laminate substrate and a substrate in which a copper plating layer is formed on an insulating substrate such as glass-epoxy, or an interlayer insulating film is laminated on these substrates to form a copper plating layer A substrate (laminated substrate) can be used.

次に、前記パターン形成材料上に保護フィルムを有する場合には、該保護フィルムを剥離して、前記パターン形成材料における感光層が前記プリント配線板形成用基板の表面に接するようにして加圧ローラを用いて圧着する(積層工程)。これにより、前記プリント配線板形成用基板と前記感光性積層体とをこの順に有する感光性積層体が得られる。
前記パターン形成材料の積層温度としては、特に制限はなく、例えば、室温(15〜30℃)又は加熱下(30〜180℃)が挙げられ、これらの中でも、加温下(60〜140℃)が好ましい。
前記圧着ロールのロール圧としては、特に制限はなく、例えば、0.1〜1MPaが好ましい。
前記圧着の速度としては、特に制限はなく、1〜3m/分が好ましい。また、前記プリント配線板形成用基板を予備加熱しておいてもよく、また、減圧下で積層してもよい。
Next, when a protective film is provided on the pattern forming material, the protective film is peeled off so that the photosensitive layer in the pattern forming material is in contact with the surface of the printed wiring board forming substrate. Is used for pressure bonding (lamination process). Thereby, the photosensitive laminated body which has the said board | substrate for printed wiring board formation and the said photosensitive laminated body in this order is obtained.
There is no restriction | limiting in particular as lamination | stacking temperature of the said pattern formation material, For example, room temperature (15-30 degreeC) or under heating (30-180 degreeC) is mentioned, Among these, under heating (60-140 degreeC) Is preferred.
There is no restriction | limiting in particular as roll pressure of the said crimping | compression-bonding roll, For example, 0.1-1 Mpa is preferable.
There is no restriction | limiting in particular as the speed | rate of the said crimping | compression-bonding, and 1-3 m / min is preferable. The printed wiring board forming substrate may be preheated or laminated under reduced pressure.

前記感光性積層体の形成は、前記プリント配線板形成用基板上に前記パターン形成材料を積層してもよく、また、前記パターン形成材料製造用の感光性組成物溶液などを前記プリント配線板形成用基板の表面に直接塗布し、乾燥させることにより前記プリント配線板形成用基板上に感光層及び支持体を積層してもよい。   The photosensitive laminate may be formed by laminating the pattern forming material on the printed wiring board forming substrate, and forming the printed wiring board with a photosensitive composition solution for manufacturing the pattern forming material. The photosensitive layer and the support may be laminated on the printed wiring board forming substrate by applying directly to the surface of the printing substrate and drying.

次に、前記感光性積層体の基体とは反対側の面から、光を照射して感光層を硬化させる。なお、この際、必要に応じて(例えば、支持体の光透過性が不十分な場合など)前記支持体を剥離してから露光を行ってもよい。   Next, light is irradiated from the surface of the photosensitive laminate opposite to the substrate to cure the photosensitive layer. At this time, exposure may be performed after peeling off the support as necessary (for example, when the light transmittance of the support is insufficient).

この時点で、前記支持体を未だ剥離していない場合には、前記感光性積層体から前記支持体を剥離する(剥離工程)。   At this time, if the support is not yet peeled, the support is peeled from the photosensitive laminate (peeling step).

次に、前記プリント配線板形成用基板上の感光層の未硬化領域を、適当な現像液にて溶解除去して、配線パターン形成用の硬化層とスルーホールの金属層保護用硬化層のパターンを形成し、前記プリント配線板形成用基板の表面に金属層を露出させる(現像工程)。   Next, the uncured region of the photosensitive layer on the printed wiring board forming substrate is dissolved and removed with an appropriate developer to form a pattern of the cured layer for forming the wiring pattern and the cured layer for protecting the metal layer of the through hole. And a metal layer is exposed on the surface of the printed wiring board forming substrate (developing step).

また、現像後に必要に応じて後加熱処理や後露光処理によって、硬化部の硬化反応を更に促進させる処理をおこなってもよい。現像は上記のようなウエット現像法であってもよく、ドライ現像法であってもよい。   Moreover, you may perform the process which further accelerates | stimulates the hardening reaction of a hardening part by post-heat processing or post-exposure processing as needed after image development. The development may be a wet development method as described above or a dry development method.

次いで、前記プリント配線板形成用基板の表面に露出した金属層をエッチング液で溶解除去する(エッチング工程)。スルーホールの開口部は、硬化樹脂組成物(テント膜)で覆われているので、エッチング液がスルーホール内に入り込んでスルーホール内の金属メッキを腐食することなく、スルーホールの金属メッキは所定の形状で残ることになる。これより、前記プリント配線板形成用基板に配線パターンが形成される。   Next, the metal layer exposed on the surface of the printed wiring board forming substrate is dissolved and removed with an etching solution (etching step). Since the opening of the through hole is covered with a cured resin composition (tent film), the metal plating of the through hole is predetermined without etching liquid entering the through hole and corroding the metal plating in the through hole. It will remain in the shape. Thus, a wiring pattern is formed on the printed wiring board forming substrate.

前記エッチング液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記金属層が銅で形成されている場合には、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液、アルカリエッチング溶液、過酸化水素系エッチング液などが挙げられ、これらの中でも、エッチングファクターの点から塩化第二鉄溶液が好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as said etching liquid, According to the objective, it can select suitably, For example, when the said metal layer is formed with copper, a cupric chloride solution, a ferric chloride solution, Examples include alkaline etching solutions and hydrogen peroxide-based etching solutions. Among these, ferric chloride solutions are preferable from the viewpoint of etching factors.

次に、強アルカリ水溶液などにて前記硬化層を剥離片として、前記プリント配線板形成用基板から除去する(硬化物除去工程)。
前記強アルカリ水溶液における塩基成分としては、特に制限はなく、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどが挙げられる。
前記強アルカリ水溶液のpHとしては、例えば、約12〜14が好ましく、約13〜14がより好ましい。
前記強アルカリ水溶液としては、特に制限はなく、例えば、1〜10質量%の水酸化ナトリウム水溶液又は水酸化カリウム水溶液などが挙げられる。
Next, it removes from the said board | substrate for printed wiring board formation by making the said hardened layer into a peeling piece with strong alkaline aqueous solution etc. (hardened | cured material removal process).
There is no restriction | limiting in particular as a base component in the said strong alkali aqueous solution, For example, sodium hydroxide, potassium hydroxide, etc. are mentioned.
As pH of the said strong alkali aqueous solution, about 12-14 are preferable, for example, and about 13-14 are more preferable.
There is no restriction | limiting in particular as said strong alkali aqueous solution, For example, 1-10 mass% sodium hydroxide aqueous solution or potassium hydroxide aqueous solution etc. are mentioned.

また、プリント配線板は、多層構成のプリント配線板であってもよい。なお、前記パターン形成材料は上記のエッチングプロセスのみでなく、メッキプロセスに使用してもよい。前記メッキ法としては、例えば、硫酸銅メッキ、ピロリン酸銅メッキ等の銅メッキ、ハイフローはんだメッキ等のはんだメッキ、ワット浴(硫酸ニッケル−塩化ニッケル)メッキ、スルファミン酸ニッケル等のニッケルメッキ、ハード金メッキ、ソフト金メッキ等の金メッキなどが挙げられる。   The printed wiring board may be a multilayer printed wiring board. The pattern forming material may be used not only for the above etching process but also for a plating process. Examples of the plating method include copper plating such as copper sulfate plating and copper pyrophosphate plating, solder plating such as high flow solder plating, watt bath (nickel sulfate-nickel chloride) plating, nickel plating such as nickel sulfamate, and hard gold plating. And gold plating such as soft gold plating.

なお、前記基体が多層配線基板などのプリント配線板である場合は、該プリント配線板上に前記ソルダーレジストとしての感光性組成物からなる感光層を形成し、更に、以下のように半田付けを行うことができる。
即ち、前記現像工程により、前記永久パターンである硬化層が形成され、前記プリント配線板の表面に金属層が露出される。該プリント配線板の表面に露出した金属層の部位に対して金メッキを行った後、半田付けを行う。そして、半田付けを行った部位に、半導体や部品などを実装する。このとき、前記硬化層による永久パターンが、保護膜あるいは絶縁膜(層間絶縁膜)としての機能を発揮し、外部からの衝撃や隣同士の電極の導通が防止される。
When the substrate is a printed wiring board such as a multilayer wiring board, a photosensitive layer made of a photosensitive composition as the solder resist is formed on the printed wiring board, and soldering is performed as follows. It can be carried out.
That is, the development step forms a hardened layer that is the permanent pattern, and the metal layer is exposed on the surface of the printed wiring board. Gold plating is performed on the portion of the metal layer exposed on the surface of the printed wiring board, and then soldering is performed. Then, a semiconductor or a component is mounted on the soldered portion. At this time, the permanent pattern by the hardened layer exhibits a function as a protective film or an insulating film (interlayer insulating film), and prevents external impact and conduction between adjacent electrodes.

〔用途〕
本発明の感光性組成物、該感光性組成物により形成された感光層を有する前記パターン形成材料及び前記感光性積層体は、温度に対する感度変動が少なく、高精細なパターンを形成可能であるため、各種パターンの形成、カラーフィルタ、柱材、リブ材、スペーサー、隔壁等の液晶構造部材の製造、ホログラム、マイクロマシン、プルーフの製造などに好適に用いることができる。
本発明のパターン形成装置及びパターン形成方法は、本発明の前記感光性積層体を備えているため、各種パターンの形成、カラーフィルタ、柱材、リブ材、スペーサー、隔壁等の液晶構造部材の製造、ホログラム、マイクロマシン、プルーフの製造などに好適に用いることができる。
[Use]
Since the photosensitive composition of the present invention, the pattern forming material having the photosensitive layer formed by the photosensitive composition, and the photosensitive laminate have a small sensitivity variation with respect to temperature and can form a high-definition pattern. It can be suitably used for formation of various patterns, production of liquid crystal structural members such as color filters, pillar materials, rib materials, spacers, partition walls, holograms, micromachines, and proofs.
Since the pattern forming apparatus and the pattern forming method according to the present invention include the photosensitive laminate according to the present invention, various patterns are formed, and liquid crystal structural members such as color filters, pillar materials, rib materials, spacers, and partition walls are manufactured. It can be suitably used for the production of holograms, micromachines, and proofs.

以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

(実施例1)
−パターン形成材料の製造−
前記支持体として16μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルム(16FB50、東レ(株)製)に、下記の組成からなる感光性組成物溶液を調製し、超音波分散機((株)エスエムテー、UH−600)で、分散後、塗布し乾燥させて、15μm厚の感光層(回路形成用レジスト層)を形成し、次いで、該感光層の上に、前記保護フィルムとして20μm厚のポリプロピレンフィルム(E200、王子製紙(株)製)をラミネートで積層し、前記パターン形成材料を製造した。
Example 1
-Production of pattern forming material-
A photosensitive composition solution having the following composition was prepared on a polyethylene terephthalate film (16FB50, manufactured by Toray Industries, Inc.) having a thickness of 16 μm as the support, and an ultrasonic disperser (SMT Co., Ltd., UH-600). After dispersion, it is applied and dried to form a photosensitive layer (resist layer for circuit formation) having a thickness of 15 μm, and then a polypropylene film (E200, Oji Paper (E200) as a protective film is formed on the photosensitive layer. The pattern forming material was manufactured by laminating with a laminate.

[感光性組成物溶液の組成]
・カーボンナノチューブ(ワコーケミカル社製、商品名:カーボンナノチューブ(多層)、販売元:和光純薬工業(株)) 0.01質量部
・t−ブチルカテコール 0.0049質量部
・メタクリル酸/メチルメタクリレート/スチレン共重合体
(共重合体組成(質量比):29/19/52、質量平均分子量:60,000、
酸価189、30質量%濃度品、メチルエチルケトン/プロピレングリコールモノメ
チルエーテル溶媒) 84.4質量部
・下記構造式(64)で表される重合性モノマー 8.2質量部
・デカメチレンジイソシアネートとテトラエチレンオキシドモノメタクリレートの
1/2モル比付加物 8.2質量部
・ドデカプロピレングリコールジアクリレート 4.3重量部
・2,2−ビス(o−クロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニルビイ
ミダゾール 3.4質量部
・下記構造式(65)で表される増感剤 0.20質量部
・マラカイトグリーンシュウ酸 0.03質量部
・ロイコクリスタルバイオレット 0.2質量部
・メチルエチルケトン 30質量部
・プロピレングリコールモノメチルエーテル 40質量部
・フッ素系界面活性剤(大日本インキ社製、F780F、30質量%濃度品、メチルエ
チルケトン/プロピレングリコールモノメチルエーテル溶媒) 0.14質量部
なお、前記バインダー(メタクリル酸/メチルメタクリレート/スチレン共重合体)のガラス転移温度(Tg)は、131℃であった。
[Composition of photosensitive composition solution]
Carbon nanotube (Wako Chemical Co., Ltd., trade name: carbon nanotube (multi-layer), distributor: Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 0.01 part by mass t-butylcatechol 0.0049 part by mass Methacrylic acid / methyl methacrylate / Styrene copolymer (copolymer composition (mass ratio): 29/19/52, mass average molecular weight: 60,000,
Acid value 189, 30% by mass product, methyl ethyl ketone / propylene glycol monomethyl ether solvent) 84.4 parts by mass / polymerizable monomer represented by the following structural formula (64) 8.2 parts by mass / decamethylene diisocyanate and tetraethylene oxide Monomethacrylate 1/2 molar ratio adduct 8.2 parts by weight Dodecapropylene glycol diacrylate 4.3 parts by weight 2,2-bis (o-chlorophenyl) -4,4 ′, 5,5′-tetraphenyl Biimidazole 3.4 parts by mass-Sensitizer represented by the following structural formula (65) 0.20 parts by mass-Malachite green oxalic acid 0.03 parts by mass-Leuco Crystal Violet 0.2 parts by mass-Methyl ethyl ketone 30 parts by mass・ Propylene glycol monomethyl ether 40 parts by mass ・ Fluorosurfactant (Dainippon Ink, F780F, 30% by mass, methyl ethyl ketone / propylene glycol monomethyl ether solvent) 0.14 parts by mass
The binder (methacrylic acid / methyl methacrylate / styrene copolymer) had a glass transition temperature (Tg) of 131 ° C.

但し、構造式(64)中、EOは、エチレンオキサイド基を表し、POは、プロピレンオキサイド基を表し、POは下記構造式(iii)及び(iv)のいずれであってもよく、m+nの平均値は10であり、p+qの平均値は4である。   However, in Structural Formula (64), EO represents an ethylene oxide group, PO represents a propylene oxide group, PO may be any of the following structural formulas (iii) and (iv), and an average of m + n The value is 10 and the average value of p + q is 4.

前記基体として、表面を研磨、水洗、乾燥した銅張積層板(スルーホールなし、銅厚み12μm)の表面に、前記パターン形成材料の前記保護フィルムを剥がしながら、該パターン形成材料の感光層が前記銅張積層板に接するようにしてラミネーター(MODEL8B−720−PH、大成ラミネーター(株)製)を用いて圧着させ、前記銅張積層板と、前記感光層と、前記ポリエチレンテレフタレートフィルム(支持体)とがこの順に積層された感光性積層体を調製した。
圧着条件は、圧着ロール温度105℃、圧着ロール圧力0.3MPa、ラミネート速度1m/分とした。
前記感光性積層体を用い、前記感光性組成物からなる感光層を露光し、該感光層の感度、解像度、温度に対する感度変動、エッジラフネスを下記の方法により測定した。用いた露光装置は、405nmのレーザ光源を有するパターン形成装置を用いてマスクレス露光するタイプのものである。なお、前記パターン形成装置は、前記DMDからなる光変調手段を有している。
結果を表1に示す。
As the substrate, the photosensitive layer of the pattern forming material is peeled off from the surface of a copper-clad laminate (no through-hole, copper thickness 12 μm) polished, washed with water and dried. Crimping is performed using a laminator (MODEL8B-720-PH, manufactured by Taisei Laminator Co., Ltd.) so as to contact the copper-clad laminate, and the copper-clad laminate, the photosensitive layer, and the polyethylene terephthalate film (support). A photosensitive laminate was prepared in which and were laminated in this order.
The pressure bonding conditions were a pressure roll temperature of 105 ° C., a pressure roll pressure of 0.3 MPa, and a laminating speed of 1 m / min.
Using the photosensitive laminate, a photosensitive layer made of the photosensitive composition was exposed, and the sensitivity, resolution, sensitivity variation with respect to temperature, and edge roughness of the photosensitive layer were measured by the following methods. The exposure apparatus used is of the type that performs maskless exposure using a pattern forming apparatus having a 405 nm laser light source. The pattern forming apparatus has a light modulation unit made of the DMD.
The results are shown in Table 1.

<感度の測定>
前記感光性積層体における前記パターン形成材料の感光層に対し、前記ポリエチレンテレフタレートフィルム(支持体)側から、前記光照射手段としての405nmのレーザ光源を有するパターン形成装置を用いて、1mJ/cmから21/6倍間隔で100mJ/cmまでの光エネルギー量の異なる光を照射して露光し、前記感光層の一部の領域を硬化させた。
室温にて15分間静置した後、前記積層体からポリエチレンテレフタレートフィルム(支持体)を剥がし取り、銅張積層板上の前記感光層の全面に、炭酸ナトリウム水溶液(30℃、1質量%)をスプレー圧0.15MPaにて、下記の方法により求めた最短現像時間の2倍の時間スプレーし、未硬化の領域を溶解除去し、残った硬化領域の厚みを測定した。
次いで、光の照射量と、硬化層の厚さとの関係をプロットして感度曲線を得た。こうして得た感度曲線から、硬化領域の厚さが未露光時の厚みと同じ15μmとなった時の光エネルギー量を、感光層を硬化させるために必要な光エネルギー量とした。
この結果、前記感光層を硬化させるために必要な光エネルギー量は、3mJ/cmであった。なお、前記パターン形成装置は、前記DMDからなる光変調手段を有し、前記パターン形成材料を備えている。
<Measurement of sensitivity>
With respect to the photosensitive layer of the pattern forming material in the photosensitive laminate, from the polyethylene terephthalate film (support) side, using a pattern forming apparatus having a 405 nm laser light source as the light irradiation means, 1 mJ / cm 2 And exposed to light having different light energy amounts up to 100 mJ / cm 2 at intervals of 2 1/6, thereby curing a part of the photosensitive layer.
After standing at room temperature for 15 minutes, the polyethylene terephthalate film (support) is peeled off from the laminate, and an aqueous sodium carbonate solution (30 ° C., 1% by mass) is applied to the entire surface of the photosensitive layer on the copper clad laminate. Spraying was performed at a spray pressure of 0.15 MPa for twice the shortest development time determined by the following method, the uncured area was dissolved and removed, and the thickness of the remaining cured area was measured.
Subsequently, the relationship between the light irradiation amount and the thickness of the cured layer was plotted to obtain a sensitivity curve. From the sensitivity curve thus obtained, the amount of light energy when the thickness of the cured region was 15 μm, which was the same as the unexposed thickness, was determined as the amount of light energy necessary for curing the photosensitive layer.
As a result, the amount of light energy necessary for curing the photosensitive layer was 3 mJ / cm 2 . The pattern forming apparatus includes a light modulating unit made of the DMD and includes the pattern forming material.

<最短現像時間の測定>
前記感光性積層体からポリエチレンテレフタレートフィルム(支持体)を剥がし取り、銅張積層板上の前記感光層の全面に30℃の1質量%炭酸ナトリウム水溶液を0.15MPaの圧力にてスプレーし、炭酸ナトリウム水溶液のスプレー開始から銅張積層板上の感光層が溶解除去されるまでに要した時間を測定し、これを最短現像時間とした。この最短現像時間が短い程、現像性に優れる。
この結果、前記最短現像時間は、10秒であった。
<Measurement of the shortest development time>
The polyethylene terephthalate film (support) is peeled off from the photosensitive laminate, and a 1 mass% sodium carbonate aqueous solution at 30 ° C. is sprayed at a pressure of 0.15 MPa over the entire surface of the photosensitive layer on the copper clad laminate. The time required from the start of spraying of the aqueous sodium solution until the photosensitive layer on the copper clad laminate was dissolved and removed was measured, and this was taken as the shortest development time. The shorter the shortest development time, the better the developability.
As a result, the shortest development time was 10 seconds.

<解像度の測定>
上記と同様の方法により前記感光性積層体を作製し、室温(23℃、55%RH)にて10分間静置した。得られた前記感光性積層体のポリエチレンテレフタレートフィルム(支持体)上から、前記パターン形成装置を用いて、ライン/スペース=1/1でライン幅5μm〜20μmまで1μm刻みで各線幅の露光を行い、ライン幅20μm〜50μmまで5μm刻みで各線幅の露光を行った。この際の露光量は、感度測定で得られた前記パターン形成材料の感光層を硬化させるために必要な光エネルギー量である。
室温にて10分間静置した後、前記感光性積層体からポリエチレンテレフタレートフィルム(支持体)を剥がし取った。銅張積層板上の感光層の全面に、前記現像液として炭酸ナトリウム水溶液(30℃、1質量%)をスプレー圧0.15MPaにて前記の方法により求めた最短現像時間の2倍の時間スプレーし、未硬化領域を溶解除去した。この様にして得られた硬化樹脂パターン付き銅張積層板の表面を光学顕微鏡で観察し、硬化樹脂パターンのラインにツマリ、ヨレ等の異常のない最小のライン幅を測定し、これを解像度とした。該解像度は数値が小さいほど良好である。
<Measurement of resolution>
The said photosensitive laminated body was produced by the method similar to the above, and it left still for 10 minutes at room temperature (23 degreeC, 55% RH). From the obtained polyethylene terephthalate film (support) of the photosensitive laminate, exposure of each line width is performed in increments of 1 μm from 5 μm to 20 μm with a line / space = 1/1 by using the pattern forming apparatus. Each line width was exposed in increments of 5 μm from a line width of 20 μm to 50 μm. The exposure amount at this time is the amount of light energy necessary for curing the photosensitive layer of the pattern forming material obtained by sensitivity measurement.
After standing at room temperature for 10 minutes, the polyethylene terephthalate film (support) was peeled off from the photosensitive laminate. Spray the entire surface of the photosensitive layer on the copper-clad laminate with a sodium carbonate aqueous solution (30 ° C., 1% by mass) as the developer at a spray pressure of 0.15 MPa for twice the shortest development time determined by the above method. Then, the uncured region was dissolved and removed. The surface of the copper-clad laminate with the cured resin pattern thus obtained was observed with an optical microscope, and the minimum line width without any abnormalities such as tsumari and twisting was measured on the cured resin pattern line. did. The smaller the numerical value, the better the resolution.

<温度に対する感度変動の測定>
上記解像度の測定と同様の方法で、但し、感光性積層体を室温(22℃、55%RH)で放置したところを、27℃、55%RHに変更し、ライン/スペース=1/1でライン幅20μmの線幅の露光を行った。この際の露光量は、5mJ/cmとした。
得られたパターンを光学顕微鏡で観察し、硬化樹脂パターンのライン幅を測定し、ライン幅20μmとなるときの露光量を求めた。室温(22℃、55%RH)で放置したときの露光量をDとし、27℃、55%RHで放置したときの露光量をDとして、|(D−D)|の値を算出した。温度変化に対する露光量の変動が小さいほど良好である。
<Measurement of sensitivity variation with temperature>
In the same manner as the above resolution measurement, except that the photosensitive laminate was left at room temperature (22 ° C., 55% RH), changed to 27 ° C., 55% RH, and line / space = 1/1. An exposure with a line width of 20 μm was performed. The exposure amount at this time was 5 mJ / cm 2 .
The obtained pattern was observed with an optical microscope, the line width of the cured resin pattern was measured, and the exposure amount when the line width was 20 μm was determined. Room temperature (22 ℃, RH 55%) the exposure amount when left in the D 0, 27 ℃, as D 1 the exposure amount when left in 55% RH, | (D 1 -D 0) | values Was calculated. The smaller the fluctuation of the exposure amount with respect to the temperature change, the better.

<エッジラフネスの測定>
前記パターン形成装置を用いて、前記露光ヘッドの走査方向と直交する方向の横線パターンが形成されるように露光を行った以外は、前記解像度の測定と同様にしてパターンを形成した。得られたパターンのうち、ライン幅30μmのラインの任意の5箇所について、レーザ顕微鏡(VK−9500、キーエンス(株)製;対物レンズ50倍)を用いて観察し、視野内のエッジ位置のうち、最も膨らんだ箇所(山頂部)と、最もくびれた箇所(谷底部)との差を絶対値として求め、観察した5箇所の平均値を算出し、これをエッジラフネスとした。該エッジラフネスは、値が小さい程、良好な性能を示すため好ましい。
<Measurement of edge roughness>
A pattern was formed in the same manner as the resolution measurement except that the pattern forming apparatus was used to perform exposure so that a horizontal line pattern perpendicular to the scanning direction of the exposure head was formed. Among the obtained patterns, any five points of a line having a line width of 30 μm were observed using a laser microscope (VK-9500, manufactured by Keyence Corporation; objective lens 50 ×), and among the edge positions in the field of view Then, the difference between the most swollen portion (mountain peak portion) and the most constricted portion (valley bottom portion) was obtained as an absolute value, and an average value of five observed positions was calculated, and this was defined as edge roughness. The edge roughness is preferably as the value is small because it exhibits good performance.

(実施例2)
実施例1のカーボンナノチューブの量を0.01質量部(感光層全固形分あたり0.02質量%に相当)から0.001質量部(感光層全固形分あたり0.002質量%に相当)に変更した以外は実施例1と同様にして、感光性積層体を作製し、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1に示す。
(Example 2)
The amount of the carbon nanotube of Example 1 is 0.01 parts by weight (corresponding to 0.02% by mass per total solid content of the photosensitive layer) to 0.001 parts by mass (corresponding to 0.002% by mass per total solid content of the photosensitive layer). A photosensitive laminate was prepared in the same manner as in Example 1 except that it was changed to, and the same evaluation as in Example 1 was performed. The results are shown in Table 1.

(実施例3)
実施例1のカーボンナノチューブの量を0.01質量部(感光層全固形分あたり0.02質量%に相当)から0.0001質量部(感光層全固形分あたり0.0002質量%に相当)に変更した以外は実施例1と同様にして、感光性積層体を作製し、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1に示す。
(Example 3)
The amount of the carbon nanotube of Example 1 is 0.01 part by weight (corresponding to 0.02% by mass per total solid content of the photosensitive layer) to 0.0001 part by mass (corresponding to 0.0002% by mass per total solid content of the photosensitive layer). A photosensitive laminate was prepared in the same manner as in Example 1 except that it was changed to, and the same evaluation as in Example 1 was performed. The results are shown in Table 1.

(実施例4)
実施例1のカーボンナノチューブの量を0.01質量部(感光層全固形分あたり0.02質量%に相当)から0.1質量部(感光層全固形分あたり0.2質量%に相当)に変更した以外は実施例1と同様にして、感光性積層体を作製し、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1に示す。
Example 4
The amount of the carbon nanotube of Example 1 is 0.01 part by weight (corresponding to 0.02% by mass per total solid content of the photosensitive layer) to 0.1 part by mass (corresponding to 0.2% by mass per total solid content of the photosensitive layer). A photosensitive laminate was prepared in the same manner as in Example 1 except that it was changed to, and the same evaluation as in Example 1 was performed. The results are shown in Table 1.

(実施例5)
実施例1において、前記感光性組成物中のカーボンナノチューブ(ワコーケミカル社製、商品名:カーボンナノチューブ(多層)、販売元:和光純薬工業(株))を、Strem Chemicals, Inc.社製のカーボンナノチューブ(単層)(販売元:和光純薬工業(株))に代え、添加量を0.01質量部(感光層全固形分あたり0.02質量%に相当)から1質量部(感光層全固形分あたり2質量%に相当)に変更した以外は実施例1と同様にして、感光性積層体を作製し、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1に示す。
(Example 5)
In Example 1, carbon nanotubes (manufactured by Wako Chemical Co., Ltd., trade name: carbon nanotubes (multi-layer), distributor: Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) in the photosensitive composition were obtained from Strem Chemicals, Inc. Instead of carbon nanotubes (single wall) manufactured by the company (distributor: Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), the addition amount is 0.01 mass parts (corresponding to 0.02 mass% per total solid content of the photosensitive layer) to 1 mass A photosensitive laminate was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amount was changed to 1 part (corresponding to 2% by mass per total solid content of the photosensitive layer), and the same evaluation as in Example 1 was performed. The results are shown in Table 1.

(実施例6)
実施例1において、前記感光性組成物中のカーボンナノチューブ(ワコーケミカル社製、商品名:カーボンナノチューブ(多層)(販売元:和光純薬工業(株)))を、Ulvick Inc.社製、商品名フラーレンC60/C70(販売元:和光純薬工業(株)))に代えた以外は、実施例1と同様にしてパターン形成材料、及び感光性積層体を製造した。
得られた前記感光性積層体を用い、実施例1と同様にして評価を行った。結果を表1に示す。
(Example 6)
In Example 1, carbon nanotubes (manufactured by Wako Chemical Co., Ltd., trade name: carbon nanotubes (multi-layer) (distributor: Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)) in the photosensitive composition were obtained from Ulvic Inc. A pattern forming material and a photosensitive laminate were produced in the same manner as in Example 1 except that the product name was changed to a product name, Fullerene C60 / C70 (distributor: Wako Pure Chemical Industries, Ltd.).
The obtained photosensitive laminate was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

(実施例7)
実施例1において、前記感光性組成物中の前記構造式(65)で表される増感剤を、下記構造式(66)で表される増感剤に代えた以外は、実施例1と同様にしてパターン形成材料、及び感光性積層体を製造した。
得られた前記感光性積層体を用い、実施例1と同様にして評価を行った。結果を表1に示す。
(Example 7)
Example 1 and Example 1 except that the sensitizer represented by the structural formula (65) in the photosensitive composition was replaced with the sensitizer represented by the following structural formula (66). Similarly, a pattern forming material and a photosensitive laminate were produced.
The obtained photosensitive laminate was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

(実施例8)
実施例1において、前記感光性組成物中の前記構造式(65)で表される増感剤を、下記構造式(67)で表される増感剤に代えた以外は、実施例1と同様にしてパターン形成材料、及び感光性積層体を製造した。
得られた前記感光性積層体を用い、実施例1と同様にして評価を行った。結果を表1に示す。
(Example 8)
Example 1 and Example 1 except that the sensitizer represented by the structural formula (65) in the photosensitive composition was replaced with the sensitizer represented by the following structural formula (67). Similarly, a pattern forming material and a photosensitive laminate were produced.
The obtained photosensitive laminate was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

(実施例9)
実施例1において、前記感光性組成物中の前記構造式(65)で表される増感剤を、2−クロロ−10−ブチルアクリドン(増感剤)に代えた以外は、実施例1と同様にしてパターン形成材料、及び感光性積層体を製造した。
得られた前記感光性積層体を用い、前記感光層の感度、解像度、エッジラフネスを実施例1と同様にして測定した。結果を表1に示す。
Example 9
Example 1 except that the sensitizer represented by the structural formula (65) in the photosensitive composition was replaced with 2-chloro-10-butylacridone (sensitizer) in Example 1. In the same manner, a pattern forming material and a photosensitive laminate were produced.
Using the obtained photosensitive laminate, the sensitivity, resolution, and edge roughness of the photosensitive layer were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

(実施例10)
実施例1において、前記感光性組成物中の前記構造式(65)で表される増感剤を、チオキサントン化合物(商品名SpeedcureCPTX、Lambson Group Ltd.製)(増感剤)に代えた以外は、実施例1と同様にしてパターン形成材料、及び感光性積層体を製造した。
得られた前記感光性積層体を用い、前記感光層の感度、解像度、エッジラフネスを実施例1と同様にして測定した。結果を表1に示す。
(Example 10)
In Example 1, except that the sensitizer represented by the structural formula (65) in the photosensitive composition was replaced with a thioxanthone compound (trade name Speedcure CPTX, manufactured by Lambson Group Ltd.) (sensitizer). In the same manner as in Example 1, a pattern forming material and a photosensitive laminate were produced.
Using the obtained photosensitive laminate, the sensitivity, resolution, and edge roughness of the photosensitive layer were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

(実施例11)
実施例1において、前記感光性組成物中の前記構造式(65)で表される増感剤を、9−フェニルアクリジン(増感剤)に代えた以外は、実施例1と同様にしてパターン形成材料、及び感光性積層体を製造した。
得られた前記感光性積層体を用い、前記感光層の感度、解像度、エッジラフネスを実施例1と同様にして測定した。結果を表1に示す。
(Example 11)
A pattern was obtained in the same manner as in Example 1 except that the sensitizer represented by the structural formula (65) in the photosensitive composition was replaced with 9-phenylacridine (sensitizer). A forming material and a photosensitive laminate were produced.
Using the obtained photosensitive laminate, the sensitivity, resolution, and edge roughness of the photosensitive layer were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

(実施例12)
実施例1において、前記感光性組成物中の前記構造式(65)で表される増感剤を、下記構造式(68)で表される塩基性核を有する化合物(増感剤)に代えた以外は、実施例1と同様にしてパターン形成材料、及び感光性積層体を製造した。
(Example 12)
In Example 1, the sensitizer represented by the structural formula (65) in the photosensitive composition was replaced with a compound having a basic nucleus represented by the following structural formula (68) (sensitizer). Except for the above, a pattern forming material and a photosensitive laminate were produced in the same manner as in Example 1.

得られた前記感光性積層体を用い、前記感光層の感度、解像度、エッジラフネスを実施例1と同様にして測定した。結果を表1に示す。   Using the obtained photosensitive laminate, the sensitivity, resolution, and edge roughness of the photosensitive layer were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

(実施例13)
実施例1において、前記感光性組成物中の前記構造式(65)で表される増感剤を、下記構造式(69)で表される酸性核を有する化合物(増感剤)に代えた以外は、実施例1と同様にしてパターン形成材料、及び感光性積層体を製造した。
(Example 13)
In Example 1, the sensitizer represented by the structural formula (65) in the photosensitive composition was replaced with a compound (sensitizer) having an acidic nucleus represented by the following structural formula (69). Except for the above, a pattern forming material and a photosensitive laminate were produced in the same manner as in Example 1.

得られた前記感光性積層体を用い、前記感光層の感度、解像度、エッジラフネスを実施例1と同様にして測定した。結果を表1に示す。   Using the obtained photosensitive laminate, the sensitivity, resolution, and edge roughness of the photosensitive layer were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

(実施例14)
実施例1において、前記感光性組成物中の前記構造式(65)で表される増感剤を、下記構造式(70)で表される蛍光増白剤(増感剤)に代えた以外は、実施例1と同様にしてパターン形成材料、及び感光性積層体を製造した。
(Example 14)
In Example 1, except that the sensitizer represented by the structural formula (65) in the photosensitive composition was replaced with a fluorescent brightener (sensitizer) represented by the following structural formula (70). Produced a pattern forming material and a photosensitive laminate in the same manner as in Example 1.

得られた前記感光性積層体を用い、前記感光層の感度、解像度、エッジラフネス、を実施例1と同様にして測定した。結果を表1に示す。   Using the obtained photosensitive laminate, the sensitivity, resolution, and edge roughness of the photosensitive layer were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

(実施例15)
実施例1において、パターン形成装置を、下記に説明するものに代えて2重露光を行った以外は、実施例1と同様にして評価を行った。結果を表1に示す。
(Example 15)
In Example 1, evaluation was performed in the same manner as in Example 1 except that the pattern forming apparatus was subjected to double exposure instead of the one described below. The results are shown in Table 1.

<<パターン形成装置>>
前記光照射手段として図12〜18に示した合波レーザ光源と、前記光変調手段として図6に概略図を示した主走査方向にマイクロミラー58が1024個配列されたマイクロミラー列が、副走査方向に768組配列された内、1024個×256列のみを駆動するように制御したDMD36と、図5に示した光を前記パターン形成材料に結像する光学系とを有する露光ヘッド30を備えたパターン形成装置10を用いた。
<< Pattern Forming Apparatus >>
The combined laser light source shown in FIGS. 12 to 18 as the light irradiating means, and a micromirror array in which 1024 micromirrors 58 are arranged in the main scanning direction schematically shown in FIG. An exposure head 30 having a DMD 36 controlled to drive only 1024 × 256 rows out of 768 sets arranged in the scanning direction, and an optical system for imaging the light shown in FIG. 5 on the pattern forming material. The provided pattern forming apparatus 10 was used.

各露光ヘッド30すなわち各DMD36の設定傾斜角度としては、使用可能な1024列×256行のマイクロミラー58を使用してちょうど2重露光となる角度θidealよりも若干大きい角度を採用した。この角度θidealは、N重露光の数N、使用可能なマイクロミラー58の列方向の個数s、使用可能なマイクロミラー58の列方向の間隔p、及び露光ヘッド30を傾斜させた状態においてマイクロミラーによって形成される走査線のピッチδに対し、下記式1、
spsinθideal≧Nδ(式1)
により与えられる。本実施形態におけるDMD36は、上記のとおり、縦横の配置間隔が等しい多数のマイクロミラー58が矩形格子状に配されたものであるので、
pcosθideal=δ(式2)
であり、上記式1は、
stanθideal=N(式3)
であり、s=256、N=2であるので、角度θidealは約0.45度である。したがって、設定傾斜角度θとしては、たとえば0.50度を採用した。
As the set inclination angle of each exposure head 30, that is, each DMD 36, an angle slightly larger than the angle θ ideal at which double exposure is performed using a usable 1024 columns × 256 rows micromirror 58 is adopted. This angle θ ideal corresponds to the number N of N double exposures, the number s of usable micromirrors 58 in the column direction, the interval p in the column direction of the usable micromirrors 58, and the microscopic state when the exposure head 30 is tilted. For the pitch δ of the scanning line formed by the mirror,
spsin θ ideal ≧ Nδ (Formula 1)
Given by. As described above, the DMD 36 according to the present embodiment includes a large number of micromirrors 58 having equal vertical and horizontal arrangement intervals arranged in a rectangular lattice shape.
pcos θ ideal = δ (Formula 2)
And the above equation 1 is
stanθ ideal = N (Formula 3)
Since s = 256 and N = 2, the angle θ ideal is about 0.45 degrees. Therefore, for example, 0.50 degrees is adopted as the set inclination angle θ.

まず、2重露光における解像度のばらつきと露光むらを補正するため、被露光面の露光パターンの状態を調べた。結果を図33に示した。図33においては、ステージ14を静止させた状態でパターン形成材料12の被露光面上に投影される、露光ヘッド3012と3021が有するDMD36の使用可能なマイクロミラー58からの光点群のパターンを示した。また、下段部分に、上段部分に示したような光点群のパターンが現れている状態でステージ14を移動させて連続露光を行った際に、被露光面上に形成される露光パターンの状態を、露光エリア3212と3221について示した。なお、図33では、説明の便宜のため、使用可能なマイクロミラー58の1列おきの露光パターンを、画素列群Aによる露光パターンと画素列群Bによる露光パターンとに分けて示したが、実際の被露光面上における露光パターンは、これら2つの露光パターンを重ね合わせたものである。 First, the state of the exposure pattern on the exposed surface was examined in order to correct the variation in resolution and uneven exposure in double exposure. The results are shown in FIG. In FIG. 33, the light spot group from the micromirror 58 that can be used by the DMD 36 of the exposure heads 30 12 and 30 21 projected onto the exposed surface of the pattern forming material 12 with the stage 14 being stationary. Showed the pattern. The state of the exposure pattern formed on the exposed surface when the stage 14 is moved and the continuous exposure is performed with the light spot group pattern as shown in the upper part appearing in the lower part. Are shown for exposure areas 32 12 and 32 21 . In FIG. 33, for convenience of explanation, every other exposure pattern of the micromirrors 58 that can be used is divided into an exposure pattern based on the pixel column group A and an exposure pattern based on the pixel column group B. The actual exposure pattern on the exposed surface is a superposition of these two exposure patterns.

図33に示したとおり、露光ヘッド3012と3021の間の相対位置の、理想的な状態からのずれの結果として、画素列群Aによる露光パターンと画素列群Bによる露光パターンとの双方で、露光エリア3212と3221の前記露光ヘッドの走査方向と直交する座標軸上で重複する露光領域において、理想的な2重露光の状態よりも露光過多な領域が生じていることが判る。 As shown in FIG. 33, both the exposure pattern by the pixel column group A and the exposure pattern by the pixel column group B as a result of the deviation of the relative position between the exposure heads 30 12 and 30 21 from the ideal state. Thus, it can be seen that, in the exposure areas overlapping on the coordinate axes orthogonal to the scanning direction of the exposure head in the exposure areas 32 12 and 32 21 , an overexposed area is generated as compared with the ideal double exposure state.

前記光点位置検出手段としてスリット28及び光検出器の組を用い、露光ヘッド3012ついては露光エリア3212内の光点P(1,1)とP(256,1)の位置を、露光ヘッド3021については露光エリア3221内の光点P(1,1024)とP(256,1024)の位置を検出し、それらを結ぶ直線の傾斜角度と、露光ヘッドの走査方向とがなす角度を測定した。 The use of a set of slits 28 and a photodetector as a light spot position detection means, the position of the point P of the exposure head 30 12 For the exposure area 32 12 (1,1) and P (256,1), the exposure head For 30 21 , the positions of the light spots P (1,1024) and P (256, 1024) in the exposure area 32 21 are detected, and the angle formed by the inclination angle of the straight line connecting them and the scanning direction of the exposure head is determined. It was measured.

実傾斜角度θ’を用いて、下記式4
ttanθ’=N(式4)
の関係を満たす値tに最も近い自然数Tを、露光ヘッド3012と3021のそれぞれについて導出した。露光ヘッド3012についてはT=254、露光ヘッド3021についてはT=255がそれぞれ導出された。その結果、図34において斜線で覆われた部分78及び80を構成するマイクロミラーが、本露光時に使用しないマイクロミラーとして特定された。
Using the actual inclination angle θ ′, the following equation 4
t tan θ ′ = N (Formula 4)
The natural number T closest to the value t satisfying the relationship is derived for each of the exposure heads 30 12 and 30 21 . T = 254 for the exposure head 30 12, the exposure head 30 21 T = 255 was derived respectively. As a result, the micromirrors constituting the portions 78 and 80 covered with diagonal lines in FIG. 34 were identified as micromirrors that are not used during the main exposure.

その後、図34において斜線で覆われた領域78及び80を構成する光点以外の光点に対応するマイクロミラーに関して、同様にして図34において斜線で覆われた領域82及び網掛けで覆われた領域84を構成する光点に対応するマイクロミラーが特定され、本露光時に使用しないマイクロミラーとして追加された。
これらの露光時に使用しないものとして特定されたマイクロミラーに対して、前記描素部素制御手段により、常時オフ状態の角度に設定する信号が送られ、それらのマイクロミラーは、実質的に露光に関与しないように制御した。
これにより、露光エリア3212と3221のうち、複数の前記露光ヘッドで形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な2重露光に対して露光過多となる領域、及び露光不足となる領域の合計面積を最小とすることができる。
Thereafter, the micromirrors corresponding to the light spots other than the light spots constituting the regions 78 and 80 covered with the oblique lines in FIG. 34 were similarly covered with the region 82 and the shaded areas in FIG. Micromirrors corresponding to the light spots constituting the region 84 were identified and added as micromirrors that are not used during the main exposure.
With respect to the micromirrors that are specified not to be used at the time of exposure, a signal for setting the angle of the always-off state is sent by the pixel element control means, and these micromirrors are substantially exposed. It was controlled not to be involved.
As a result, in each of the exposure areas 32 12 and 32 21 , an ideal double exposure is performed in each area other than the inter-head connection area, which is an overlapping exposure area on the exposed surface formed by the plurality of exposure heads. Thus, the total area of the overexposed region and the underexposed region can be minimized.

(比較例1)
実施例1において、カーボンナノチューブを添加したところを、添加せずに感光性組成物を調製した以外は同様にして、パターン形成材料、及び感光性積層体を製造した。
得られた前記感光性積層体を用い、前記感光層の感度、解像度、エッジラフネスを実施例1と同様にして測定した。結果を表1に示す。
(Comparative Example 1)
A pattern forming material and a photosensitive laminate were produced in the same manner as in Example 1 except that the photosensitive composition was prepared without adding the carbon nanotube.
Using the obtained photosensitive laminate, the sensitivity, resolution, and edge roughness of the photosensitive layer were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

(実施例16)
−パターン形成材料の製造−
前記支持体として16μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに、下記の組成からなる感光性組成物溶液を塗布し乾燥させて、35μm厚の感光層(ソルダーレジスト層)を形成し、次いで、該感光層の上に、前記保護フィルムとして20μm厚のポリプロピレンフィルムをラミネートで積層し、前記パターン形成材料を製造した。
(Example 16)
-Production of pattern forming material-
A photosensitive composition solution having the following composition is applied to a 16 μm thick polyethylene terephthalate film as the support and dried to form a 35 μm thick photosensitive layer (solder resist layer). In addition, a 20 μm thick polypropylene film was laminated as a protective film to produce the pattern forming material.

〔感光性組成物溶液の組成〕
・カーボンナノチューブ(ワコーケミカル社製、商品名:カーボンナノチューブ(多層)、販売元:和光純薬工業(株)) 0.01質量部
・N−フェニルグリシン 0.2質量部
・硫酸バリウム(堺化学工業社製、B30)分散液 63質量部
・エポキシアクリレート化合物:バインダー
(PR−300、濃度67%、昭和高分子(株)製) 24.5質量部
・側鎖に(メタ)アクリロイル基及びカルボキシル基を有するビニル共重合体:バイン
ダー(SPC−2X、濃度60%、昭和高分子(株)製) 13.8質量部
・下記構造式(71)で表されるエポキシ化合物:熱架橋剤 16.7質量部
・ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート:重合性化合物 5.5質量部
・下記構造式(72)で表される増感剤 0.23質量部
・イルガキュア369(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ(株)社製) 5質量部
・フェノキサジン 0.055質量部
・ジシアンジアミド 0.4質量部
・2MA−OK(四国化成工業(株)製) 0.3質量部
・フタロシアニングリーン 0.42質量部
・F780F(大日本インキ(株)製の30質量%濃度品 メチルエチルケトン溶液)
0.066質量部
・メチルエチルケトン 60.0質量部
[Composition of photosensitive composition solution]
・ Carbon nanotube (Wako Chemical Co., Ltd., trade name: carbon nanotube (multi-layer), distributor: Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 0.01 part by mass ・ N-phenylglycine 0.2 part by mass Industrial Co., Ltd., B30) Dispersion 63 parts by mass / epoxy acrylate compound: Binder (PR-300, concentration 67%, Showa Polymer Co., Ltd.) 24.5 parts by mass / (meth) acryloyl group and carboxyl in side chain Vinyl copolymer having a group: binder (SPC-2X, concentration 60%, manufactured by Showa Polymer Co., Ltd.) 13.8 parts by mass: epoxy compound represented by the following structural formula (71): thermal crosslinking agent 16. 7 parts by mass, dipentaerythritol hexaacrylate: polymerizable compound 5.5 parts by mass, sensitizer represented by the following structural formula (72) 0.23 parts by mass, Irgacure 69 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.) 5 parts by mass, phenoxazine 0.055 parts by mass, dicyandiamide 0.4 parts by mass, 2MA-OK (manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.) 0.3 parts by mass Phthalocyanine green 0.42 parts by mass F780F (Dainippon Ink Co., Ltd. 30% concentration methyl ethyl ketone solution)
0.066 parts by mass ・ Methyl ethyl ketone 60.0 parts by mass

なお、上記硫酸バリウム分散液は、硫酸バリウム(堺化学社製、B30)22質量部と、上記PR−300のジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート67質量%溶液12質量部と、メチルエチルケトン29質量部と、を予め混合した後、モーターミルM−200(アイガー社製)で、直径1.0mmのジルコニアビーズを用い、周速9m/sにて3.5時間分散して調製した。   The barium sulfate dispersion was prepared in advance by adding 22 parts by mass of barium sulfate (manufactured by Sakai Chemical Co., Ltd., B30), 12 parts by mass of a 67% by mass solution of PR-300 diethylene glycol monomethyl ether acetate, and 29 parts by mass of methyl ethyl ketone. After mixing, a motor mill M-200 (manufactured by Eiger) was used by dispersing for 3.5 hours at a peripheral speed of 9 m / s using zirconia beads having a diameter of 1.0 mm.

−永久パターンの形成−
−−積層体の調製−−
次に、前記基材として、配線形成済みの銅張積層板(スルーホールなし、銅厚み12μm)の表面に化学研磨処理を施して調製した。該銅張積層板上に、前記感光性フィルムの感光層が前記銅張積層板に接するようにして、前記感光性フィルムにおける保護フィルムを剥がしながら、真空ラミネーター(ニチゴーモートン(株)製、VP130)を用いて積層させ、前記銅張積層板と、前記感光層と、前記ポリエチレンテレフタレートフィルム(支持体)とがこの順に積層された感光性積層体を調製した。
圧着条件は、真空引き時間40秒、圧着温度70℃、圧着圧力0.2MPa、加圧時間10秒とした。
前記感光性積層体を用い、前記感光性組成物からなる感光層を露光し、該感光層の感度、解像度、エッジラフネスを実施例1と同様にして測定した。結果を表1に示す。
なお、最短現像時間は、20秒であった。
-Formation of permanent pattern-
-Preparation of laminate-
Next, as the base material, a surface of a copper-clad laminate (no through hole, copper thickness 12 μm) on which wiring was formed was prepared by chemical polishing treatment. A vacuum laminator (VP130, manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd.) was peeled off the protective film on the photosensitive film so that the photosensitive layer of the photosensitive film was in contact with the copper-clad laminate. The photosensitive laminate was prepared by laminating the copper-clad laminate, the photosensitive layer, and the polyethylene terephthalate film (support) in this order.
The pressure bonding conditions were a vacuum drawing time of 40 seconds, a pressure bonding temperature of 70 ° C., a pressure bonding pressure of 0.2 MPa, and a pressure application time of 10 seconds.
Using the photosensitive laminate, a photosensitive layer made of the photosensitive composition was exposed, and the sensitivity, resolution, and edge roughness of the photosensitive layer were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
The shortest development time was 20 seconds.

(比較例2)
実施例16において、前記感光性組成物中のカーボンナノチューブを添加したところを、添加せずに調製した以外は、実施例16と同様にしてパターン形成材料、及び感光性積層体を製造した。
得られた前記感光性積層体を用い、前記感光層の感度、解像度、エッジラフネスを実施例1と同様にして測定した。結果を表1に示す。
(Comparative Example 2)
In Example 16, a pattern forming material and a photosensitive laminate were produced in the same manner as in Example 16 except that the carbon nanotubes in the photosensitive composition were added without preparation.
Using the obtained photosensitive laminate, the sensitivity, resolution, and edge roughness of the photosensitive layer were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

図1は、露光装置の一例の外観を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an appearance of an example of an exposure apparatus. 図2は、露光装置のスキャナの構成の一例を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing an example of the configuration of the scanner of the exposure apparatus. 図3Aは、感光層の被露光面上に形成される露光済み領域を示す平面図である。FIG. 3A is a plan view showing an exposed region formed on the exposed surface of the photosensitive layer. 図3Bは、各露光ヘッドによる露光エリアの配列を示す平面図である。FIG. 3B is a plan view showing an arrangement of exposure areas by each exposure head. 図4は、露光ヘッドの概略構成の一例を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing an example of a schematic configuration of the exposure head. 図5Aは、露光ヘッドの詳細な構成の一例を示す上面図である。FIG. 5A is a top view showing an example of a detailed configuration of the exposure head. 図5Bは、露光ヘッドの詳細な構成の一例を示す側面図である。FIG. 5B is a side view showing an example of a detailed configuration of the exposure head. 図6は、図1の露光装置のDMDの一例を示す部分拡大図である。FIG. 6 is a partially enlarged view showing an example of the DMD of the exposure apparatus of FIG. 図7Aは、マイクロミラーがオン状態である+α度に傾いた状態を示す図である。FIG. 7A is a diagram illustrating a state in which the micromirror is tilted to + α degrees in the on state. 図7Bは、マイクロミラーがオフ状態である−α度に傾いた状態を示す図である。FIG. 7B is a diagram illustrating a state in which the micromirror is in an off state and tilted to −α degrees. 図8は、パターン情報に基づいて、DMDの制御をするコントローラの一例である。FIG. 8 is an example of a controller that controls DMD based on pattern information. 図9Aは、DMDを傾斜させない場合の各マイクロミラーによる反射光像(露光ビーム)の走査軌跡を示す図である。FIG. 9A is a diagram showing a scanning trajectory of a reflected light image (exposure beam) by each micromirror when the DMD is not tilted. 図9Bは、DMDを傾斜させた場合の露光ビームの走査軌跡を示す図である。FIG. 9B is a diagram showing the scanning trajectory of the exposure beam when the DMD is tilted. 図10は、スキャナによる1回の走査で感光層を露光する露光方式を説明するための平面図の一例である。FIG. 10 is an example of a plan view for explaining an exposure method in which the photosensitive layer is exposed by one scanning by the scanner. 図11Aは、スキャナによる複数回の走査で感光層を露光する露光方式を説明するための図であって、スキャナにより感光層をX方向へ走査した後、スキャナをY方向に1ステップ移動した状態を示す図である。FIG. 11A is a diagram for explaining an exposure method in which a photosensitive layer is exposed by scanning a plurality of times by the scanner, and after the photosensitive layer is scanned in the X direction by the scanner, the scanner is moved by one step in the Y direction. FIG. 図11Bは、スキャナによる複数回の走査で感光層を露光する露光方式を説明するための図であって、図11Aの後、X方向へ走査を行う状態を示す図である。FIG. 11B is a diagram for explaining an exposure method for exposing the photosensitive layer by a plurality of scans by the scanner, and shows a state in which scanning is performed in the X direction after FIG. 11A. 図12は、ファイバアレイ光源の構成の一例を示す斜視図である。FIG. 12 is a perspective view showing an example of the configuration of the fiber array light source. 図13は、ファイバアレイ光源のレーザ出射部における発光点の配列の一例を示す正面図である。FIG. 13 is a front view showing an example of the arrangement of light emitting points in the laser emitting section of the fiber array light source. 図14は、マルチモード光ファイバの構成を示す図の一例である。FIG. 14 is an example of a diagram illustrating a configuration of a multimode optical fiber. 図15は、合波レーザ光源の構成を示す平面図の一例である。FIG. 15 is an example of a plan view showing the configuration of the combined laser light source. 図16は、レーザモジュールの構成を示す平面図の一例である。FIG. 16 is an example of a plan view showing the configuration of the laser module. 図17は、図16に示すレーザモジュールの構成を示す側面図の一例である。FIG. 17 is an example of a side view showing the configuration of the laser module shown in FIG. 図18は、図16に示すレーザモジュールの構成を示す部分側面図である。18 is a partial side view showing the configuration of the laser module shown in FIG. 図19は、レーザアレイの構成を示す斜視図の一例である。FIG. 19 is an example of a perspective view illustrating a configuration of a laser array. 図20Aは、マルチキャビティレーザの構成の一例を示す斜視図である。FIG. 20A is a perspective view showing an example of the configuration of a multi-cavity laser. 図20Bは、図20Aに示すマルチキャビティレーザをアレイ状に配列したマルチキャビティレーザアレイの一例を示す斜視図である。20B is a perspective view showing an example of a multi-cavity laser array in which the multi-cavity lasers shown in FIG. 20A are arranged in an array. 図21は、合波レーザ光源の他の構成を示す平面図の一例である。FIG. 21 is an example of a plan view showing another configuration of the combined laser light source. 図22は、合波レーザ光源の他の構成を示す平面図の一例である。FIG. 22 is an example of a plan view showing another configuration of the combined laser light source. 図23Aは、合波レーザ光源の他の構成の一例を示す平面図である。FIG. 23A is a plan view showing an example of another configuration of the combined laser light source. 図23Bは、図23Aの光軸に沿った構成の一例を示す断面図である。FIG. 23B is a cross-sectional view showing an example of a configuration along the optical axis of FIG. 23A. 図24Aは、従来の露光装置における光軸に沿った断面図の一例である。FIG. 24A is an example of a cross-sectional view along the optical axis in a conventional exposure apparatus. 図24Bは、本発明のパターン形成方法(露光装置)おける光軸に沿った断面図の一例である。FIG. 24B is an example of a cross-sectional view along the optical axis in the pattern forming method (exposure apparatus) of the present invention. 図25は、露光ヘッドの取付角度誤差及びパターン歪みがある際に、露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図である。FIG. 25 is an explanatory diagram showing an example of unevenness that occurs in the pattern on the exposure surface when there is a mounting angle error and pattern distortion of the exposure head. 図26は、1つのDMDによる露光エリアと、対応するスリットとの位置関係を示した上面図である。FIG. 26 is a top view showing a positional relationship between an exposure area by one DMD and a corresponding slit. 図27は、被露光面上の光点の位置を、スリットを用いて測定する手法を説明するための上面図である。FIG. 27 is a top view for explaining a method of measuring the position of the light spot on the exposed surface using a slit. 図28は、選択されたマイクロミラーのみが露光に使用された結果、露光面上のパターンに生じるむらが改善された状態を示す説明図である。FIG. 28 is an explanatory diagram showing a state in which unevenness occurring in the pattern on the exposure surface is improved as a result of using only the selected micromirrors for exposure. 図29は、隣接する露光ヘッド間に相対位置のずれがある際に、露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図である。FIG. 29 is an explanatory diagram showing an example of unevenness that occurs in a pattern on an exposure surface when there is a relative position shift between adjacent exposure heads. 図30は、隣接する2つの露光ヘッドによる露光エリアと、対応するスリットとの位置関係を示した上面図である。FIG. 30 is a top view showing the positional relationship between the exposure areas by two adjacent exposure heads and the corresponding slits. 図31は、露光面上の光点の位置を、スリットを用いて測定する手法を説明するための上面図である。FIG. 31 is a top view for explaining a method of measuring the position of the light spot on the exposure surface using a slit. 図32は、図29の例において選択された使用画素のみが実動され、露光面上のパターンに生じるむらが改善された状態を示す説明図である。FIG. 32 is an explanatory diagram showing a state in which only the used pixels selected in the example of FIG. 29 are actually moved and the unevenness in the pattern on the exposure surface is improved. 図33は、隣接する露光ヘッド間に相対位置のずれ及び取付角度誤差がある際に、露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図である。FIG. 33 is an explanatory diagram showing an example of unevenness in the pattern on the exposure surface when there is a relative position shift and an attachment angle error between adjacent exposure heads. 図34は、図33の例において選択された使用描素部のみを用いた露光を示す説明図である。FIG. 34 is an explanatory diagram showing exposure using only the used pixel portion selected in the example of FIG. 図35Aは、倍率歪みの一例を示す説明図である。FIG. 35A is an explanatory diagram illustrating an example of magnification distortion. 図35Bは、ビーム径歪みの一例を示す説明図である。FIG. 35B is an explanatory diagram showing an example of beam diameter distortion. 図36Aは、単一露光ヘッドを用いた参照露光の第一の例を示し、実線で示した奇数列の光点列に対応するマイクロミラーのみを使用して参照露光を行い、参照露光結果をサンプル出力する状態を説明する図である。FIG. 36A shows a first example of reference exposure using a single exposure head, in which reference exposure is performed using only micromirrors corresponding to odd-numbered light spot rows indicated by solid lines, and the reference exposure result is obtained. It is a figure explaining the state which outputs a sample. 図36Bは、単一露光ヘッドを用いた参照露光の第一の例を示し、斜線で覆って示す光点列に対応するマイクロミラー以外のマイクロミラーが、奇数列の光点列を構成するマイクロミラー中、本露光において実際に使用されるものとして指定される状態を示す図である。FIG. 36B shows a first example of reference exposure using a single exposure head, in which micromirrors other than the micromirrors corresponding to the light spot rows covered with diagonal lines constitute odd-numbered light spot rows. It is a figure which shows the state designated as what is actually used in this exposure in a mirror. 図37は、複数露光ヘッドを用いた参照露光の第一の例を示した説明図である。FIG. 37 is an explanatory diagram showing a first example of reference exposure using a plurality of exposure heads. 図38Aは、単一露光ヘッドを用いた参照露光の第二の例を示し、実線で示した1行目から128(=256/2)行目の光点に対応するマイクロミラーのみを使用して参照露光を行い、参照露光結果をサンプル出力する状態を示す説明図である。FIG. 38A shows a second example of reference exposure using a single exposure head, and uses only micromirrors corresponding to the light spots in the first to 128 (= 256/2) rows indicated by solid lines. It is explanatory drawing which shows the state which performs reference exposure and outputs the sample of the reference exposure result. 図38Bは、単一露光ヘッドを用いた参照露光の第二の例を示し、斜線で覆って示す光点群に対応するマイクロミラー以外のマイクロミラーが、第1行目から第128行目のマイクロミラー中、本露光時において実際に使用されるものとして指定され得る状態を示す図である。FIG. 38B shows a second example of reference exposure using a single exposure head, in which micromirrors other than the micromirror corresponding to the light spot group indicated by hatching are in the first to 128th rows. It is a figure which shows the state which can be designated as what is actually used in the time of this exposure in a micromirror. 図39は、複数露光ヘッドを用いた参照露光の第二の例を示した説明図である。FIG. 39 is an explanatory view showing a second example of reference exposure using a plurality of exposure heads.

符号の説明Explanation of symbols

B1〜B7 レーザビーム
L1〜L7 コリメータレンズ
LD1〜LD7 GaN系半導体レーザ
10 露光装置
12 感光層
14 移動ステージ
18 設置台
20 ガイド
22 ゲート
24 スキャナ
26 センサ(カメラ)
28 スリット
30 露光ヘッド
36 デジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)
38 ファイバアレイ光源
40 集光レンズ系
50 結像レンズ系
58 マイクロミラー(描素部)
60 レーザモジュール
62 マルチモード光ファイバ
64 光ファイバ
66 レーザ出射部
110 ヒートブロック
111 マルチキャビティレーザ
113 ロッドレンズ
114 レンズアレイ
140 レーザアレイ
200 集光レンズ
B1 to B7 Laser beam L1 to L7 Collimator lens LD1 to LD7 GaN-based semiconductor laser 10 Exposure device 12 Photosensitive layer 14 Moving stage 18 Installation table 20 Guide 22 Gate 24 Scanner 26 Sensor (Camera)
28 Slit 30 Exposure Head 36 Digital Micromirror Device (DMD)
38 Fiber array light source 40 Condensing lens system 50 Imaging lens system 58 Micromirror (image element)
Reference Signs List 60 laser module 62 multimode optical fiber 64 optical fiber 66 laser emitting unit 110 heat block 111 multicavity laser 113 rod lens 114 lens array 140 laser array 200 condenser lens

Claims (34)

パターン情報に基づいて、光を変調しながら、露光ヘッドと感光層の被露光面とを相対走査して露光することにより、前記被露光面上に二次元パターンを形成する前記感光層に含有される感光性組成物であって、
少なくともバインダー、重合性化合物、光重合開始剤、及び炭素系ナノ材料を含むことを特徴とする感光性組成物。
It is contained in the photosensitive layer that forms a two-dimensional pattern on the exposed surface by exposing the exposure head and the exposed surface of the photosensitive layer by relative scanning while modulating light based on the pattern information. A photosensitive composition comprising:
A photosensitive composition comprising at least a binder, a polymerizable compound, a photopolymerization initiator, and a carbon-based nanomaterial.
感光層を露光し現像した場合に、露光及び現像後において、前記感光層の被露光部の厚みが変化しない露光の最小エネルギー量が、0.1mJ/cm〜100mJ/cmである前記感光層に含有される感光性組成物であって、
少なくともバインダー、重合性化合物、光重合開始剤、及び炭素系ナノ材料を含むことを特徴とする感光性組成物。
When the photosensitive layer is exposed and developed, the minimum energy amount of exposure that does not change the thickness of the exposed portion of the photosensitive layer after exposure and development is 0.1 mJ / cm 2 to 100 mJ / cm 2. A photosensitive composition contained in the layer,
A photosensitive composition comprising at least a binder, a polymerizable compound, a photopolymerization initiator, and a carbon-based nanomaterial.
パターン情報に基づいて、光を変調しながら、露光ヘッドと感光層の被露光面とを相対走査して露光することにより、前記被露光面上に二次元パターンを形成する露光に用いられる前記感光層に含有される感光性組成物であって、
前記感光層を露光し現像した場合に、露光及び現像後において、前記感光層の被露光部の厚みが変化しない露光の最小エネルギー量が、0.1mJ/cm〜100mJ/cmであり、
少なくともバインダー、重合性化合物、光重合開始剤、及び炭素系ナノ材料を含むことを特徴とする感光性組成物。
Based on the pattern information, the photosensitive head is used for exposure to form a two-dimensional pattern on the exposed surface by exposing the exposure head and the exposed surface of the photosensitive layer by relative scanning while modulating light. A photosensitive composition contained in the layer,
When the photosensitive layer is exposed and developed, the minimum energy amount of exposure that does not change the thickness of the exposed portion of the photosensitive layer after exposure and development is 0.1 mJ / cm 2 to 100 mJ / cm 2 ,
A photosensitive composition comprising at least a binder, a polymerizable compound, a photopolymerization initiator, and a carbon-based nanomaterial.
前記炭素系ナノ材料が、カーボンナノチューブ、フラーレン、及びカーボンマイクロコイルからなる群より選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の感光性組成物。   The photosensitivity according to any one of claims 1 to 3, wherein the carbon-based nanomaterial is at least one selected from the group consisting of carbon nanotubes, fullerenes, and carbon microcoils. Composition. 増感剤を含有することを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の感光性組成物。   The photosensitive composition according to any one of claims 1 to 4, further comprising a sensitizer. 前記増感剤が、縮環系化合物、ジ置換アミノベンゼンを部分構造として有する化合物、塩基性核を有する化合物、酸性核を有する化合物、及び蛍光増白剤からなる群より選択される少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項5のいずれか1項に記載の感光性組成物。   The sensitizer is at least one selected from the group consisting of a condensed ring compound, a compound having a disubstituted aminobenzene as a partial structure, a compound having a basic nucleus, a compound having an acidic nucleus, and a fluorescent brightener. The photosensitive composition according to claim 5, comprising: 前記縮環系化合物が、アクリドン系化合物、チオキサントン系化合物、クマリン系化合物、及びアクリジン系化合物からなる群より選択される少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項6に記載の感光性組成物。   The photosensitive composition according to claim 6, wherein the condensed ring compound includes at least one selected from the group consisting of an acridone compound, a thioxanthone compound, a coumarin compound, and an acridine compound. . 前記ジ置換アミノベンゼンを部分構造として有する化合物が、下記一般式(I)〜(VII)で表される少なくとも1種の化合物であることを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の感光性組成物。

〔一般式(I)中、R、R、R、及びRは、それぞれ独立して、脂肪族基及び芳香族基のいずれかを表し、R、R、R、R、及びR〜R12は、それぞれ独立して、水素原子又は一価の置換基を表す。RとR、RとR、RとR、RとR、RとR、及びRとRは、それぞれ独立して、互いに結合し、含窒素複素環を形成していてもよい。〕

〔一般式(II)中、R21及びR22は、それぞれ独立して、脂肪族基及び芳香族基のいずれかを表し、R23〜R30は、それぞれ独立して、水素原子及び一価の置換基のいずれかを表し、Xは、酸素原子、硫黄原子、ジアルキルメチレン基、イミノ基、及び脂肪族基若しくは芳香族基が置換したイミノ基のいずれかを表す。R21とR22、R21とR23、及びR22とR24は、それぞれ独立して、互いに結合し、含窒素複素環を形成していてもよく、複素環に縮合するベンゼン環は置換基を有していてもよい。〕

〔一般式(III)中、R31及びR32は、それぞれ独立して、脂肪族基及び芳香族基のいずれかを表し、R33〜R37は、それぞれ独立して、水素原子及び一価の置換基のいずれかを表し、R38は、一価の置換基を表す。R31とR32、R31とR33、及びR32とR34は、それぞれ独立して、互いに結合し、含窒素複素環を形成していてもよい。〕

〔一般式(IV)中、R41及びR42は、それぞれ独立して、脂肪族基及び芳香族基のいずれかを表し、R43〜R47は、それぞれ独立して、水素原子及び一価の置換基を表し、Yは、酸素原子及びNR48のいずれかを表し、R48は、水素原子及び一価の置換基のいずれかを表す。R41とR42、R41とR43、及びR42とR44は、それぞれ独立して、互いに結合し、含窒素複素環を形成していてもよい。〕

〔一般式(V)〜(VII)中、環A〜Gは、それぞれ独立に芳香族炭化水素環及び芳香族複素環のいずれかを基本骨格とするものであり、環Aと環B、環Dと環E、環Fと環Gは、それぞれ独立に、互いに結合してNを含む結合環を形成していても良い。
前記一般式(VI)中、連結基Lは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環の少なくともいずれかを含む連結基を表し、連結基LとNとは、該芳香族炭化水素環及び芳香族複素環のいずれかで結合しており、nは2以上のいずれかの整数を表す。
前記一般式(VII)中、Rは、置換基を有していても良いアルキル基を表す。
なお、環A〜G及び連結基Lは、置換基を有していても良く、これらの置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。〕
The photosensitive compound according to claim 6 or 7, wherein the compound having the disubstituted aminobenzene as a partial structure is at least one compound represented by the following general formulas (I) to (VII). Sex composition.

[In General Formula (I), R 1 , R 2 , R 5 , and R 6 each independently represent either an aliphatic group or an aromatic group, and R 3 , R 4 , R 7 , R 8 and R 9 to R 12 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent substituent. R 1 and R 2 , R 5 and R 6 , R 1 and R 3 , R 2 and R 4 , R 5 and R 7 , and R 6 and R 8 are independently bonded to each other to form a nitrogen-containing complex. A ring may be formed. ]

[In General Formula (II), R 21 and R 22 each independently represent either an aliphatic group or an aromatic group, and R 23 to R 30 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent group. X represents one of an oxygen atom, a sulfur atom, a dialkylmethylene group, an imino group, and an imino group substituted with an aliphatic group or an aromatic group. R 21 and R 22 , R 21 and R 23 , and R 22 and R 24 may be independently bonded to each other to form a nitrogen-containing heterocyclic ring, and the benzene ring condensed to the heterocyclic ring is substituted. It may have a group. ]

[In General Formula (III), R 31 and R 32 each independently represent either an aliphatic group or an aromatic group, and R 33 to R 37 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent group. And R 38 represents a monovalent substituent. R 31 and R 32 , R 31 and R 33 , and R 32 and R 34 may be independently bonded to each other to form a nitrogen-containing heterocycle. ]

[In General Formula (IV), R 41 and R 42 each independently represent either an aliphatic group or an aromatic group, and R 43 to R 47 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent group. Y represents either an oxygen atom or NR 48 , and R 48 represents either a hydrogen atom or a monovalent substituent. R 41 and R 42 , R 41 and R 43 , and R 42 and R 44 may be independently bonded to each other to form a nitrogen-containing heterocycle. ]

[In General Formulas (V) to (VII), Rings A to G each independently have an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring as a basic skeleton, and Ring A, Ring B, and Ring D and Ring E, and Ring F and Ring G may be independently bonded to each other to form a bonded ring containing N.
In the general formula (VI), the linking group L represents a linking group containing at least one of an aromatic hydrocarbon ring and an aromatic heterocyclic ring, and the linking groups L and N are the aromatic hydrocarbon ring and aromatic group. And n represents any integer of 2 or more.
In the general formula (VII), R represents an alkyl group which may have a substituent.
Rings A to G and linking group L may have a substituent, and these substituents may be bonded to each other to form a ring. ]
前記塩基性核を有する化合物が、シアニン系色素、ヘミシアニン系色素、スチリル系色素、ストレプトシアニン系色素からなる群より選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項6〜請求項8のいずれか1項に記載の感光性組成物。   The compound having a basic nucleus is at least one selected from the group consisting of a cyanine dye, a hemicyanine dye, a styryl dye, and a streptocyanine dye. The photosensitive composition of any one of Claims. 前記酸性核を有する化合物が、メロシアニン化合物及びロダシアニン化合物からなる群より選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項6〜請求項9のいずれか1項に記載の感光性組成物。   The photosensitive composition according to any one of claims 6 to 9, wherein the compound having an acidic nucleus is at least one selected from the group consisting of a merocyanine compound and a rhodacyanine compound. 前記蛍光増白剤が、非イオン性核を有する化合物であることを特徴とする請求項6〜請求項10のいずれか1項に記載の感光性組成物。   The photosensitive composition according to any one of claims 6 to 10, wherein the optical brightener is a compound having a nonionic nucleus. 前記光重合開始剤が、ハロゲン化炭化水素誘導体、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、芳香族オニウム塩、メタロセン類、及びアシルホスフィンオキシド化合物からなる群より選択される少なくとも1種のラジカル発生剤であることを特徴とする請求項1〜請求項11のいずれか1項に記載の感光性組成物。   The photopolymerization initiator is selected from the group consisting of halogenated hydrocarbon derivatives, hexaarylbiimidazoles, oxime derivatives, organic peroxides, thio compounds, ketone compounds, aromatic onium salts, metallocenes, and acylphosphine oxide compounds. The photosensitive composition according to claim 1, wherein the photosensitive composition is at least one radical generator. 前記重合性化合物が、ウレタン基及びアリール基の少なくともいずれかを有するモノマーを含むことを特徴とする請求項1〜請求項12のいずれか1項に記載の感光性組成物。   The photosensitive composition according to any one of claims 1 to 12, wherein the polymerizable compound contains a monomer having at least one of a urethane group and an aryl group. 前記重合性化合物が、エチレンオキサイド基及びプロピレンオキサイド基の少なくともいずれかを有するモノマーであることを特徴とする請求項1〜請求項13のいずれか1項に記載の感光性組成物。   The photosensitive composition according to claim 1, wherein the polymerizable compound is a monomer having at least one of an ethylene oxide group and a propylene oxide group. 前記バインダーが共重合体を含み、該共重合体がスチレン又はスチレン誘導体の少なくともいずれかに由来する構造単位を有することを特徴とする請求項1〜請求項14のいずれか1項に記載の感光性組成物。   The photosensitive material according to claim 1, wherein the binder includes a copolymer, and the copolymer has a structural unit derived from at least one of styrene and a styrene derivative. Sex composition. 前記バインダーのガラス転移温度(Tg)が、80℃以上であることを特徴とする請求項1〜請求項15のいずれか1項に記載の感光性組成物。   The photosensitive composition according to any one of claims 1 to 15, wherein the binder has a glass transition temperature (Tg) of 80 ° C or higher. 更に熱架橋剤を含み、
且つ、前記バインダーがエポキシアクリレート化合物の少なくとも1種、並びに、側鎖に(メタ)アクリロイル基及び酸性基を有するビニル共重合体の少なくとも1種の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項1〜請求項16のいずれか1項に記載の感光性組成物。
In addition, it contains a thermal crosslinking agent
The binder includes at least one of an epoxy acrylate compound and at least one of a vinyl copolymer having a (meth) acryloyl group and an acidic group in a side chain. The photosensitive composition according to any one of claims 16 to 16.
前記熱架橋剤が、エポキシ化合物、オキセタン化合物、ポリイソシアネート化合物、ポリイソシアネート化合物にブロック剤を反応させて得られる化合物、及びメラミン誘導体からなる群より選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項17に記載の感光性組成物。   The thermal crosslinking agent is at least one selected from the group consisting of an epoxy compound, an oxetane compound, a polyisocyanate compound, a compound obtained by reacting a polyisocyanate compound with a blocking agent, and a melamine derivative. The photosensitive composition according to claim 17. 支持体と、該支持体上に請求項1〜請求項18のいずれか1項に記載の感光性組成物を含む感光層と、を少なくとも有することを特徴とするパターン形成材料。   A pattern forming material comprising at least a support and a photosensitive layer containing the photosensitive composition according to any one of claims 1 to 18 on the support. 支持体上に、該支持体に近い側から順にクッション層と前記感光層とを設けてなることを特徴とする請求項19に記載のパターン形成材料。   The pattern forming material according to claim 19, wherein a cushion layer and the photosensitive layer are provided on a support in order from the side close to the support. 基体上に、請求項1〜請求項18のいずれか1項に記載の感光性組成物を含む感光層を設けてなることを特徴とする感光性積層体。   A photosensitive layered product comprising a photosensitive layer containing the photosensitive composition according to any one of claims 1 to 18 on a substrate. 前記感光層が、請求項19又は請求項20に記載のパターン形成材料により形成されてなることを特徴とする請求項21に記載の感光性積層体。   The photosensitive laminate according to claim 21, wherein the photosensitive layer is formed of the pattern forming material according to claim 19 or 20. 請求項21又は請求項22に記載の感光性積層体の感光層に対して、露光する露光工程を少なくとも含むことを特徴とするパターン形成方法。   The pattern formation method characterized by including at least the exposure process which exposes with respect to the photosensitive layer of the photosensitive laminated body of Claim 21 or Claim 22. 前記露光工程において、350〜415nmの波長のレーザ光で露光することを特徴とする請求項23に記載のパターン形成方法。   24. The pattern forming method according to claim 23, wherein in the exposure step, exposure is performed with a laser beam having a wavelength of 350 to 415 nm. 前記露光工程において、感光層に対し、光照射手段、及び前記光照射手段からの光を受光し出射するn個(ただし、nは2以上の自然数)の2次元状に配列された描素部を有し、パターン情報に応じて前記描素部を制御可能な光変調手段を備えた露光ヘッドであって、該露光ヘッドの走査方向に対し、前記描素部の列方向が所定の設定傾斜角度θをなすように配置された露光ヘッドを用い、
前記露光ヘッドについて、使用描素部指定手段により、使用可能な前記描素部のうち、N重露光(ただし、Nは2以上の自然数)に使用する前記描素部を指定し、
前記露光ヘッドについて、描素部制御手段により、前記使用描素部指定手段により指定された前記描素部のみが露光に関与するように、前記描素部の制御を行い、
前記感光層に対し、前記露光ヘッドを走査方向に相対的に移動させて行われることを特徴とする請求項23又は請求項24に記載のパターン形成方法。
In the exposure step, a light irradiating unit and n (where n is a natural number of 2 or more) two-dimensionally arranged pixel parts that receive and emit light from the light irradiating unit and light from the light irradiating unit. An exposure head provided with a light modulation means capable of controlling the picture element portion according to pattern information, wherein the column direction of the picture element portion has a predetermined set inclination with respect to the scanning direction of the exposure head. Using an exposure head arranged to form an angle θ,
With respect to the exposure head, the usable pixel part designating means designates the pixel part to be used for N double exposure (where N is a natural number of 2 or more) among the usable graphic elements.
For the exposure head, the pixel part control means controls the pixel part so that only the pixel part specified by the used pixel part specifying means is involved in exposure,
25. The pattern forming method according to claim 23, wherein the exposure head is moved relative to the photosensitive layer in a scanning direction.
露光が複数の露光ヘッドにより行われ、使用描素部指定手段が、複数の前記露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部のうち、前記ヘッド間つなぎ領域におけるN重露光を実現するために使用する前記描素部を指定することを特徴とする請求項25に記載のパターン形成方法。   Exposure is performed by a plurality of exposure heads, and a used pixel part specifying unit is configured to detect a pixel part related to exposure of a joint area between heads that is an overlapped exposure area on an exposed surface formed by the plurality of exposure heads. 26. The pattern forming method according to claim 25, wherein the pixel portion to be used for realizing N double exposure in the inter-head connecting region is designated. 露光が複数の露光ヘッドにより行われ、使用描素部指定手段が、複数の前記露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の露光に関与する描素部のうち、前記ヘッド間つなぎ領域以外の領域におけるN重露光を実現するために使用する前記描素部を指定することを特徴とする請求項25又は請求項26に記載のパターン形成方法。   Picture element part in which exposure is performed by a plurality of exposure heads and the used picture element part specifying means is involved in exposure other than the inter-head joint area which is an overlapping exposure area on the exposed surface formed by the plurality of exposure heads 27. The pattern forming method according to claim 25 or 26, wherein the picture element portion to be used for realizing N double exposure in an area other than the inter-head connecting area is designated. 設定傾斜角度θが、N重露光数のN、描素部の列方向の個数s、前記描素部の列方向の間隔p、及び露光ヘッドを傾斜させた状態において該露光ヘッドの走査方向と直交する方向に沿った描素部の列方向のピッチδに対し、次式、spsinθideal≧Nδを満たすθidealに対し、θ≧θidealの関係を満たすように設定されることを特徴とする請求項25〜請求項27のいずれか1項に記載のパターン形成方法。 The set inclination angle θ is N of N multiple exposure numbers, the number s of pixel portions in the column direction, the interval p in the column direction of the pixel portions, and the scanning direction of the exposure head when the exposure head is inclined. to the column direction of the pitch δ of pixel parts along a direction orthogonal, the following equation with respect to theta ideal satisfying spsinθ ideal ≧ Nδ, characterized in that it is set so as to satisfy the relation theta ≧ theta ideal The pattern formation method of any one of Claims 25-27. 使用描素部指定手段が、
描素部により生成されて被露光面上の露光領域を構成する描素単位としての光点位置を、被露光面上において検出する光点位置検出手段と、
前記光点位置検出手段による検出結果に基づき、N重露光を実現するために使用する描素部を選択する描素部選択手段と
を備えることを特徴とする請求項25〜請求項28のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
Use pixel part designation means,
A light spot position detecting means for detecting a light spot position on a surface to be exposed as a pixel unit generated by a picture element unit and constituting an exposure area on the surface to be exposed;
29. A pixel part selection unit that selects a pixel part to be used for realizing N double exposure based on a detection result by the light spot position detection unit. 2. The pattern forming method according to claim 1.
パターン情報が表すパターンの所定部分の寸法が、指定された使用描素部により実現できる対応部分の寸法と一致するように前記パターン情報を変換することを特徴とする請求項25〜請求項29のいずれか1項に記載のパターン形成方法。   30. The pattern information according to claim 25, wherein the pattern information is converted so that a dimension of a predetermined part of the pattern represented by the pattern information matches a dimension of a corresponding part that can be realized by the designated used pixel part. The pattern formation method of any one of Claims 1. 前記露光工程の後に、感光層を現像する現像工程を有することを特徴とする請求項23〜請求項30のいずれか1項に記載のパターン形成方法。   The pattern forming method according to any one of claims 23 to 30, further comprising a developing step of developing the photosensitive layer after the exposing step. 前記現像工程の後に、エッチング処理工程及びめっき処理工程の少なくとも一方の工程を有することを特徴とする請求項31に記載のパターン形成方法。   32. The pattern forming method according to claim 31, further comprising at least one of an etching process and a plating process after the developing process. 前記現像工程の後に、感光層に対して硬化処理を行う硬化処理工程を有することを特徴とする請求項31に記載のパターン形成方法。   32. The pattern forming method according to claim 31, further comprising a curing process step of performing a curing process on the photosensitive layer after the developing step. 前記感光性積層体に、保護膜、層間絶縁膜、又はソルダーレジストパターンの少なくともいずれかを形成することを特徴とする請求項33に記載のパターン形成方法。   34. The pattern forming method according to claim 33, wherein at least one of a protective film, an interlayer insulating film, and a solder resist pattern is formed on the photosensitive laminate.
JP2005351356A 2005-12-05 2005-12-05 Photosensitive composition, pattern forming material, photosensitive laminate, and pattern forming method Pending JP2007156111A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005351356A JP2007156111A (en) 2005-12-05 2005-12-05 Photosensitive composition, pattern forming material, photosensitive laminate, and pattern forming method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005351356A JP2007156111A (en) 2005-12-05 2005-12-05 Photosensitive composition, pattern forming material, photosensitive laminate, and pattern forming method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007156111A true JP2007156111A (en) 2007-06-21

Family

ID=38240560

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005351356A Pending JP2007156111A (en) 2005-12-05 2005-12-05 Photosensitive composition, pattern forming material, photosensitive laminate, and pattern forming method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007156111A (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010132812A (en) * 2008-12-05 2010-06-17 Nec Corp Carbon nanotube ink composition and method of spraying the same
JP2010164907A (en) * 2009-01-19 2010-07-29 Mitsubishi Paper Mills Ltd Photosensitive composition and lithographic printing plate
ITTO20100193A1 (en) * 2010-03-15 2011-09-16 St Microelectronics Srl HIGH-RESOLUTION PHOTOLYTOGRAPHY METHOD FOR THE CONSTRUCTION OF NANOSTRUCTURES, IN PARTICULAR IN THE MANUFACTURE OF INTEGRATED ELECTRONIC DEVICES
WO2011129186A1 (en) * 2010-04-15 2011-10-20 ニチゴー・モートン株式会社 Photosensitive resin composition, photoresist film using same, method for forming resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board
JP2012189888A (en) * 2011-03-11 2012-10-04 Fujifilm Corp Blue photosensitive composition, color filter, method for manufacturing color filter, liquid crystal display device, and organic el display device
JP2015513224A (en) * 2012-03-30 2015-04-30 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and attenuator manufacturing method
CN112882144A (en) * 2021-01-21 2021-06-01 北京理工大学 Ultraviolet filtering structure based on nanoring patterned interface and design method thereof
CN114623762A (en) * 2020-12-11 2022-06-14 中国科学院上海光学精密机械研究所 Method for three-dimensional registration alignment of double beams and multiple beams

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010132812A (en) * 2008-12-05 2010-06-17 Nec Corp Carbon nanotube ink composition and method of spraying the same
JP2010164907A (en) * 2009-01-19 2010-07-29 Mitsubishi Paper Mills Ltd Photosensitive composition and lithographic printing plate
ITTO20100193A1 (en) * 2010-03-15 2011-09-16 St Microelectronics Srl HIGH-RESOLUTION PHOTOLYTOGRAPHY METHOD FOR THE CONSTRUCTION OF NANOSTRUCTURES, IN PARTICULAR IN THE MANUFACTURE OF INTEGRATED ELECTRONIC DEVICES
US8715915B2 (en) 2010-03-15 2014-05-06 Stmicroelectronics S.R.L. High-resolution photolithographic method for forming nanostructures, in particular in the manufacture of integrated electronic devices
WO2011129186A1 (en) * 2010-04-15 2011-10-20 ニチゴー・モートン株式会社 Photosensitive resin composition, photoresist film using same, method for forming resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board
CN102844709A (en) * 2010-04-15 2012-12-26 日合墨东株式会社 Photosensitive resin composition, photoresist film using same, method for forming resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board
TWI416257B (en) * 2011-03-11 2013-11-21 Fujifilm Corp Photosensitive blue composition, color filter and production method thereof, liquid crystal display apparatus, and organic el display apparatus
JP2012189888A (en) * 2011-03-11 2012-10-04 Fujifilm Corp Blue photosensitive composition, color filter, method for manufacturing color filter, liquid crystal display device, and organic el display device
JP2015513224A (en) * 2012-03-30 2015-04-30 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and attenuator manufacturing method
US9594304B2 (en) 2012-03-30 2017-03-14 Asml Netherlands B.V. Lithography apparatus, a device manufacturing method, a method of manufacturing an attenuator
CN114623762A (en) * 2020-12-11 2022-06-14 中国科学院上海光学精密机械研究所 Method for three-dimensional registration alignment of double beams and multiple beams
CN114623762B (en) * 2020-12-11 2023-02-10 中国科学院上海光学精密机械研究所 Method for three-dimensional registration alignment of double beams and multiple beams
CN112882144A (en) * 2021-01-21 2021-06-01 北京理工大学 Ultraviolet filtering structure based on nanoring patterned interface and design method thereof
CN112882144B (en) * 2021-01-21 2021-11-30 北京理工大学 Ultraviolet filtering structure based on nanoring patterned interface and design method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101124516B (en) Pattern formation material, pattern formation device, and pattern formation method
JP2007079120A (en) Photosensitive composition, pattern forming material, photosensitive laminate, pattern forming apparatus, and pattern forming method
JP2007156111A (en) Photosensitive composition, pattern forming material, photosensitive laminate, and pattern forming method
JP2007197390A (en) Oxime derivative, photosensitive composition, pattern-forming material, photosensitive laminate, pattern-forming device and method for forming pattern
JP2007017814A (en) Pattern forming material, pattern forming apparatus, and permanent pattern forming method
JP2007086224A (en) Pattern forming material, pattern forming apparatus and pattern forming method
JP2007078890A (en) Photosensitive composition, pattern forming material, photosensitive laminate, pattern forming apparatus and pattern forming method
JP2006220863A (en) Pattern formation material, pattern formation apparatus and pattern formation method
JP2007178459A (en) Pattern-forming material, pattern-forming device, and pattern forming method
JP4996870B2 (en) Photopolymerization initiator, photosensitive composition, photosensitive film, photosensitive laminate, permanent pattern forming method, and printed circuit board
JP4651524B2 (en) Pattern forming material, pattern forming apparatus and pattern forming method
JP2006227223A (en) Composition for pattern formation, pattern forming material, and pattern forming method
JP2007108629A (en) Photosensitive composition, pattern forming material, photosensitive laminate, pattern forming apparatus and pattern forming method
JP5063764B2 (en) Pattern forming material, pattern forming apparatus and pattern forming method
JP4208145B2 (en) Pattern forming composition, pattern forming material, pattern forming apparatus, and pattern forming method
JP2006251390A (en) Pattern forming material, pattern forming apparatus and pattern forming method
JP2006251562A (en) Pattern forming material, pattern forming apparatus and pattern forming method
JP2007078889A (en) Photosensitive composition, pattern forming material, photosensitive laminate, pattern forming apparatus and pattern forming method
JP2005249970A (en) Pattern forming material, pattern forming apparatus and pattern forming method
JP2007108628A (en) Photosensitive composition, pattern forming material, photosensitive laminate, pattern forming apparatus and pattern forming method
JP4468201B2 (en) Pattern forming composition, pattern forming material, pattern forming apparatus, and pattern forming method
JP2007079114A (en) Photosensitive composition, pattern forming material, photosensitive laminate, pattern forming apparatus, and pattern forming method
JP2007079315A (en) Pattern forming method
JP2007187924A (en) Pattern forming material, pattern forming apparatus and pattern forming method
JP4520879B2 (en) Pattern forming material, pattern forming apparatus, and pattern forming method