JP2007152546A5 - - Google Patents
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前記第１の層上にフォトマスクを用いて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて前記第１の層を加工することにより第１の犠牲層を形成し、
前記第１の犠牲層上に第２の層を形成し、
前記第２の層上に前記フォトマスクを用いて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクの外形寸法を変化させる処理を行った後、該第２のレジストマスクを用いて前記第２の層を加工することにより第２の犠牲層を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。 Forming a first layer on an insulating substrate;
Forming a first resist mask on the first layer using a photomask;
Forming a first sacrificial layer by processing the first layer using the first resist mask;
Forming a second layer on the first sacrificial layer;
Forming a second resist mask on the second layer using the photomask;
A second sacrificial layer is formed by processing the second layer using the second resist mask after performing a process of changing an external dimension of the second resist mask. A method for manufacturing a microstructure.
前記第１の層上にフォトマスクを用いて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクの外形寸法を変化させる処理を行った後、該第１のレジストマスクを用いて前記第１の層を加工することにより第１の犠牲層を形成し、
前記第１の犠牲層上に第２の層を形成し、
前記第２の層上に前記フォトマスクを用いて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記第２の層を加工することにより第２の犠牲層を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。 Forming a first layer on an insulating substrate;
Forming a first resist mask on the first layer using a photomask;
A first sacrificial layer is formed by processing the first layer using the first resist mask after performing a process of changing an outer dimension of the first resist mask;
Forming a second layer on the first sacrificial layer;
Forming a second resist mask on the second layer using the photomask;
A method for manufacturing a microstructure, wherein the second sacrificial layer is formed by processing the second layer using the second resist mask.
前記第１の層上にフォトマスクを用いて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて前記第１の層を加工することにより第１の犠牲層を形成し、
前記第１の犠牲層上に第２の層を形成し、
前記第２の層上に前記フォトマスクを用いて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクの外形寸法を縮小させる処理を行った後、該第２のレジストマスクを用いて前記第２の層を加工することにより第２の犠牲層を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。 Forming a first layer on an insulating substrate;
Forming a first resist mask on the first layer using a photomask;
Forming a first sacrificial layer by processing the first layer using the first resist mask;
Forming a second layer on the first sacrificial layer;
Forming a second resist mask on the second layer using the photomask;
A second sacrificial layer is formed by processing the second layer using the second resist mask after performing a process of reducing the outer dimension of the second resist mask. A method for manufacturing a microstructure.
前記第１の層上にフォトマスクを用いて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクの外形寸法を縮小させる処理を行った後、該第１のレジストマスクを用いて前記第１の層を加工することにより第１の犠牲層を形成し、
前記第１の犠牲層上に第２の層を形成し、
前記第２の層上に前記フォトマスクを用いて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記第２の層を加工することにより第２の犠牲層を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。 Forming a first layer on an insulating substrate;
Forming a first resist mask on the first layer using a photomask;
Forming a first sacrificial layer by processing the first layer using the first resist mask after performing a process of reducing the outer dimensions of the first resist mask;
Forming a second layer on the first sacrificial layer;
Forming a second resist mask on the second layer using the photomask;
A method for manufacturing a microstructure, wherein the second sacrificial layer is formed by processing the second layer using the second resist mask.
前記第１の層上にフォトマスクを用いて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて前記第１の層を加工することにより第１の犠牲層を形成し、
前記第１の犠牲層上に第２の層を形成し、
前記第２の層上に前記フォトマスクを用いて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクの外形寸法を拡大させる処理を行った後、該第２のレジストマスクを用いて前記第２の層を加工することにより第２の犠牲層を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。 Forming a first layer on an insulating substrate;
Forming a first resist mask on the first layer using a photomask;
Forming a first sacrificial layer by processing the first layer using the first resist mask;
Forming a second layer on the first sacrificial layer;
Forming a second resist mask on the second layer using the photomask;
A second sacrificial layer is formed by processing the second layer using the second resist mask after performing a process of enlarging the outer dimension of the second resist mask. A method for manufacturing a microstructure.
前記第１の層上にフォトマスクを用いて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクの外形寸法を拡大させる処理を行った後、該第１のレジストマスクを用いて前記第１の層を加工することにより第１の犠牲層を形成し、
前記第１の犠牲層上に第２の層を形成し、
前記第２の層上に前記フォトマスクを用いて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記第２の層を加工することにより第２の犠牲層を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。 Forming a first layer on an insulating substrate;
Forming a first resist mask on the first layer using a photomask;
Forming a first sacrificial layer by processing the first layer using the first resist mask after performing a process of enlarging the outer dimensions of the first resist mask;
Forming a second layer on the first sacrificial layer;
Forming a second resist mask on the second layer using the photomask;
A method for manufacturing a microstructure, wherein the second sacrificial layer is formed by processing the second layer using the second resist mask.
前記第２の犠牲層を覆って絶縁層を形成し、
前記絶縁層に開口部を形成し、
前記開口部からエッチング剤を導入することにより、前記第１の犠牲層及び前記第２の犠牲層を同時に除去することを特徴とする微小構造体の作製方法。 In any one of Claims 1 thru | or 6,
Forming an insulating layer over the second sacrificial layer;
Forming an opening in the insulating layer;
A method for manufacturing a microstructure, wherein the first sacrificial layer and the second sacrificial layer are simultaneously removed by introducing an etching agent from the opening.
前記第１の層上にフォトマスクを用いて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて前記第１の層を加工することにより第１の犠牲層を形成し、
前記第１の犠牲層上に構造層を形成し、
前記構造層上に第２の層を形成し、
前記第２の層上に前記フォトマスクを用いて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクの外形寸法を変化させる処理を行った後、該第２のレジストマスクを用いて前記第２の層を加工することにより第２の犠牲層を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。 Forming a first layer on an insulating substrate;
Forming a first resist mask on the first layer using a photomask;
Forming a first sacrificial layer by processing the first layer using the first resist mask;
Forming a structural layer on the first sacrificial layer;
Forming a second layer on the structural layer;
Forming a second resist mask on the second layer using the photomask;
The second sacrificial layer is formed by processing the second layer using the second resist mask after performing the process of changing the outer dimension of the second resist mask. A method for manufacturing a microstructure.
前記第１の層上にフォトマスクを用いて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクの外形寸法を変化させる処理を行った後、該第１のレジストマスクを用いて前記第１の層を加工することにより第１の犠牲層を形成し、
前記第１の犠牲層上に構造層を形成し、
前記構造層上に第２の層を形成し、
前記第２の層上に前記フォトマスクを用いて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記第２の層を加工することにより第２の犠牲層を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。 Forming a first layer on an insulating substrate;
Forming a first resist mask on the first layer using a photomask;
A first sacrificial layer is formed by processing the first layer using the first resist mask after performing a process of changing an outer dimension of the first resist mask;
Forming a structural layer on the first sacrificial layer;
Forming a second layer on the structural layer;
Forming a second resist mask on the second layer using the photomask;
A method for manufacturing a microstructure, wherein the second sacrificial layer is formed by processing the second layer using the second resist mask.
前記第１の層上にフォトマスクを用いて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて前記第１の層を加工することにより第１の犠牲層を形成し、
前記第１の犠牲層上に構造層を形成し、
前記構造層上に第２の層を形成し、
前記第２の層上に前記フォトマスクを用いて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクの外形寸法を縮小させる処理を行った後、該第２のレジストマスクを用いて前記第２の層を加工することにより第２の犠牲層を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。 Forming a first layer on an insulating substrate;
Forming a first resist mask on the first layer using a photomask;
Forming a first sacrificial layer by processing the first layer using the first resist mask;
Forming a structural layer on the first sacrificial layer;
Forming a second layer on the structural layer;
Forming a second resist mask on the second layer using the photomask;
A second sacrificial layer is formed by processing the second layer using the second resist mask after performing a process of reducing the outer dimension of the second resist mask. A method for manufacturing a microstructure.
前記第１の層上にフォトマスクを用いて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクの外形寸法を縮小させる処理を行った後、該第１のレジストマスクを用いて前記第１の層を加工することにより第１の犠牲層を形成し、
前記第１の犠牲層上に構造層を形成し、
前記構造層上に第２の層を形成し、
前記第２の層上に前記フォトマスクを用いて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記第２の層を加工することにより第２の犠牲層を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。 Forming a first layer on an insulating substrate;
Forming a first resist mask on the first layer using a photomask;
Forming a first sacrificial layer by processing the first layer using the first resist mask after performing a process of reducing the outer dimensions of the first resist mask;
Forming a structural layer on the first sacrificial layer;
Forming a second layer on the structural layer;
Forming a second resist mask on the second layer using the photomask;
A method for manufacturing a microstructure, wherein the second sacrificial layer is formed by processing the second layer using the second resist mask.
前記第１の層上にフォトマスクを用いて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて前記第１の層を加工することにより第１の犠牲層を形成し、
前記第１の犠牲層上に構造層を形成し、
前記構造層上に第２の層を形成し、
前記第２の層上に前記フォトマスクを用いて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクの外形寸法を拡大させる処理を行った後、該第２のレジストマスクを用いて前記第２の層を加工することにより第２の犠牲層を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。 Forming a first layer on an insulating substrate;
Forming a first resist mask on the first layer using a photomask;
Forming a first sacrificial layer by processing the first layer using the first resist mask;
Forming a structural layer on the first sacrificial layer;
Forming a second layer on the structural layer;
Forming a second resist mask on the second layer using the photomask;
A second sacrificial layer is formed by processing the second layer using the second resist mask after performing a process of enlarging the outer dimension of the second resist mask. A method for manufacturing a microstructure.
前記第１の層上にフォトマスクを用いて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクの外形寸法を拡大させる処理を行った後、該第１のレジストマスクを用いて前記第１の層を加工することにより第１の犠牲層を形成し、
前記第１の犠牲層上に構造層を形成し、
前記構造層上に第２の層を形成し、
前記第２の層上に前記フォトマスクを用いて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記第２の層を加工することにより第２の犠牲層を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。 Forming a first layer on an insulating substrate;
Forming a first resist mask on the first layer using a photomask;
Forming a first sacrificial layer by processing the first layer using the first resist mask after performing a process of enlarging the outer dimensions of the first resist mask;
Forming a structural layer on the first sacrificial layer;
Forming a second layer on the structural layer;
Forming a second resist mask on the second layer using the photomask;
A method for manufacturing a microstructure, wherein the second sacrificial layer is formed by processing the second layer using the second resist mask.
前記第２の犠牲層を覆って絶縁層を形成し、
前記絶縁層に開口部を形成し、
前記開口部からエッチング剤を導入することにより、前記第１の犠牲層及び前記第２の犠牲層を同時に除去することを特徴とする微小構造体の作製方法。 In any one of Claims 8 thru | or 13,
Forming an insulating layer over the second sacrificial layer;
Forming an opening in the insulating layer;
A method for manufacturing a microstructure, wherein the first sacrificial layer and the second sacrificial layer are simultaneously removed by introducing an etching agent from the opening.
前記第２の犠牲層を覆って絶縁層を形成し、
前記構造層及び前記絶縁層に開口部を形成し、
前記開口部からエッチング剤を導入することにより、前記第１の犠牲層及び前記第２の犠牲層を同時に除去することを特徴とする微小構造体の作製方法。 In any one of Claims 8 thru | or 13,
Forming an insulating layer over the second sacrificial layer;
Forming an opening in the structural layer and the insulating layer;
A method for manufacturing a microstructure, wherein the first sacrificial layer and the second sacrificial layer are simultaneously removed by introducing an etching agent from the opening.
前記絶縁層の開口部と同時に、前記構造層と電気的に接続される配線を形成するための開口部を前記絶縁層に形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。 In claim 14 or claim 15,
A method for manufacturing a microstructure, wherein an opening for forming a wiring electrically connected to the structural layer is formed in the insulating layer simultaneously with the opening of the insulating layer.
前記構造層は、エッチングに際して前記第１の犠牲層及び前記第２の犠牲層と選択比が取れるチタン、アルミニウム、モリブデン、タングステン、タンタル、又は珪素のいずれか一又は複数を有するように形成される
ことを特徴とする微小構造体の作製方法。 In any one of Claims 8 thru | or 16,
The structural layer is formed so as to have any one or more of titanium, aluminum, molybdenum, tungsten, tantalum, and silicon that can have a selection ratio with the first sacrificial layer and the second sacrificial layer during etching. And a method for manufacturing a microstructure.
前記第１又は第２のレジストマスクの外形寸法を縮小させる処理に酸素プラズマを用いることを特徴とする微小構造体の作製方法。 According to claim 3, 4, 10 or any one of 11,
A method for manufacturing a microstructure, characterized in that oxygen plasma is used for a process for reducing the outer dimension of the first or second resist mask.
前記第１又は第２のレジストマスクのフォトリソグラフィー工程における露光量を調整することにより、前記第１又は第２のレジストマスクの外形寸法を拡大することを特徴とする微小構造体の作製方法。 According to claim 5, 6, 12 or any one of 13,
Wherein by adjusting the exposure amount in the first or second resist mask photolithographic process, a method for manufacturing a microstructure, characterized by expanding said first or outer dimensions of the second resist mask.
前記第１又は第２のレジストマスクとしてポジ型のレジストマスクを使用し、前記フォトリソグラフィー工程における露光量を少なくする、又は露光時間を短くすることにより、前記第１又は第２のレジストマスクの外形寸法を拡大することを特徴とする微小構造体の作製方法。 According to claim 5, 6, 12 or any one of 13,
The positive or negative resist mask is used as the first or second resist mask, and the outer shape of the first or second resist mask is reduced by reducing the exposure amount or the exposure time in the photolithography process. A method for manufacturing a microstructure, which is characterized by enlarging dimensions.
前記第１又は第２のレジストマスクとして
ネガ型のレジストマスクを使用し、前記フォトリソグラフィー工程における露光量を多くする、又は露光時間を長くすることにより、前記第１又は第２のレジストマスクの外形寸法を拡大することを特徴とする微小構造体の作製方法。 According to claim 5, 6, 12 or any one of 13,
Using a negative resist mask as the first or second resist mask, increasing the exposure amount in the photolithography process or increasing the exposure time, the outer shape of the first or second resist mask A method for manufacturing a microstructure, which is characterized by enlarging dimensions.
前記第１の犠牲層又は前記第２の犠牲層は、チタン、アルミニウム、モリブデン、タングステン、タンタル、又は珪素のいずれか一又は複数を有するように形成されることを特徴とする微小構造体の作製方法。 In any one of Claims 1 thru | or 21,
The first sacrificial layer or the second sacrificial layer is formed so as to include any one or more of titanium, aluminum, molybdenum, tungsten, tantalum, and silicon. Method.
絶縁基板上のトランジスタを電気的に接続するように貼り合わせることを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。 A microstructure manufactured by the method according to any one of claims 1 to 22,
A method for manufacturing a microelectromechanical device, in which transistors on an insulating substrate are attached so as to be electrically connected.
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