JP2007151196A - Temperature compensation type oscillator - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、周囲温度の変化に係わらず出力信号の周波数を略一定に保つようにした温度補償型発振器に関し、特にその温度補償機能を無効状態にすることも可能にした温度補償型発振器に関する。 The present invention relates to a temperature compensated oscillator that keeps the frequency of an output signal substantially constant regardless of changes in ambient temperature, and more particularly to a temperature compensated oscillator that can disable its temperature compensation function.
温度補償型発振器(TCXO)は種々の分野で使用されているが、近年携帯電話機等の携帯用移動通信機器に多用されている。この種の温度補償型発振器は一般に、10MHz帯のATカット水晶片(振動子)を振動源として発振回路を構成し、これに何らかの周波数可変手段を用いた温度補償回路を設け、ATカット水晶片の3次曲線の温度特性を打ち消すことにより発振周波数を安定化させるようにした水晶発振器が多用されている。
そして、その温度補償回路の構成により、アナログ温度補償型発振器とデジタル温度補償型発振器とに大別される。
Temperature compensated oscillators (TCXO) are used in various fields, but in recent years, they are widely used in portable mobile communication devices such as mobile phones. This type of temperature-compensated oscillator generally includes an oscillation circuit using a 10 MHz band AT-cut crystal piece (vibrator) as a vibration source, and is provided with a temperature-compensation circuit using some frequency variable means. Quartz oscillators that stabilize the oscillation frequency by canceling the temperature characteristics of the cubic curve are frequently used.
The temperature compensation circuit is roughly divided into an analog temperature compensation oscillator and a digital temperature compensation oscillator.
この種の温度補償型発振器に対しては、発振出力信号の安定性とともに、小型軽量化と低価格化が求められている。
超小型の表面実装用温度補償型発振器のパッケージ構成例を図8に示す。
この温度補償型発振器は、パッケージ本体11と溶接リング12とカバー13とによってパッケージ(容器)10を構成しており、その内部に水晶片15と、後述する発振回路および温度補償回路を構成するMOS型のIC(集積回路)チップ16と、チップ容量等の回路素子17を取り付けて密封している。
For this type of temperature-compensated oscillator, there is a demand for reduction in size, weight and cost as well as stability of the oscillation output signal.
FIG. 8 shows a package configuration example of an ultra-compact surface mounting temperature compensated oscillator.
In this temperature-compensated oscillator, a package (container) 10 is constituted by a package
この温度補償型発振器の回路構成は図9に示すようになっている。発振回路20は、水晶片15とインバータ21と帰還抵抗22とを並列に接続し、その両接続点をそれぞれ直流カット容量Cc,Cdと発振容量である電圧制御型可変容量(コンデンサ:capacitor)23,24を介して接地して、インバータ発振回路を構成している。そして、インバータ21の出力側の接続点から発振出力に基く信号を出力する出力線25を引き出し、出力端子26に接続している。なお、振動子として水晶片15に代えて他の圧電素子を用いることも可能である。
さらに、この発振回路20における水晶片15の近傍の温度状態をサーミスタ等によって検出する温度検出回路18と、その温度検出回路18からの出力信号に基いて発振回路20の出力線25に出力される信号の周波数を一定に保つための温度補償回路30とを設けている。
The circuit configuration of this temperature compensated oscillator is as shown in FIG. In the
Further, a
その温度補償回路30は、温度補償を行うための補償データを記憶する補償データ記憶回路(不揮発性メモリ)31と、その補償データと温度検出回路18からの検出温度を示す出力信号とに基いて制御電圧を発生するD/A変換回路32とからなる。そして、そのD/A変換回路32から出力する制御電圧を、発振回路20に設けた抵抗R1,R2を介してそれぞれ各電圧制御型可変容量23,24の正極側(直流カット容量Cc,Cdとの各接続点)に印加し、その電圧に応じて各電圧制御型可変容量23,24の発振容量を変化させる。それによって、発振回路20の発振周波数を制御して出力信号の周波数を略一定に保つようにする。
The
このような温度補償型発振器において、水晶片15およびICチップ16内に形成される発振回路20は製造上のバラツキ等によって、全てを完全に同一に作ることはできないため、それぞれ異なる温度−周波数特性を有してしまう。したがって、全ての発振回路20を同一の基準によって温度補償することはできない。そのため、個々の発振回路毎に異なる補償データを作成して補償データ記憶回路31に記憶させることが必要になる。しかし、水晶片15の特性のバラツキが大きいと補償しきれなくなるので、予め水晶片15の特性をできるだけ揃えるように調整する必要がある。
In such a temperature compensated oscillator, the
そこで、従来は次のようなステップで調整作業を行なっていた。
ステップ1:パッケージ(図8のパッケージ本体11)内に水晶片15等の圧電素子だけを実装する。
ステップ2:パッケージを基準温度(一般に室温:25℃)に保ち、ネットワークアナライザなどでその圧電素子の共振周波数をモニタしながら、イオンビーム等で圧電素子表面の電極膜を除去して所望の周波数になるように調整する。
ステップ3:パッケージに発振回路および温度補償回路を構成するICチップを実装する。
ステップ4:パッケージを複数の温度状態にさらし、その各温度状態で発振周波数を測定して、所望の発振周波数f0との差を測定する。
ステップ5:その測定値に基いて温度補償データを作成し、それをICチップの補償データ記憶回路(不揮発性メモリ)に書き込む。
Conventionally, adjustment work has been performed in the following steps.
Step 1: Mount only a piezoelectric element such as the
Step 2: Keep the package at a reference temperature (generally room temperature: 25 ° C.), monitor the resonance frequency of the piezoelectric element with a network analyzer or the like, and remove the electrode film on the surface of the piezoelectric element with an ion beam or the like to obtain the desired frequency Adjust so that
Step 3: Mount an IC chip constituting an oscillation circuit and a temperature compensation circuit on the package.
Step 4: subjecting the package to a plurality of temperature conditions, by measuring the oscillation frequency at the respective temperature conditions, to measure the difference between the desired oscillation frequency f 0.
Step 5: Create temperature compensation data based on the measured value, and write it into the compensation data storage circuit (nonvolatile memory) of the IC chip.
このように、従来の温度補償型発振器の調整方法では、水晶片等の圧電素子の特性を調整する際には、発振回路を構成するICチップは実装せず、ネットワークアナライザなどで外部から圧電素子を共振させてその共振周波数をモニタし、その周波数が所望の値になるように圧電素子表面の電極膜を除去していた。
そのため、パッケージにICチップも実装して圧電素子とともに発振回路を構成して発振動作をさせた時の発振周波数と、予め調整した共振周波数との間にずれが生じてしまうという問題があった。しかも、調整ステップも多くなり、調整コストが余分にかかっていた。
As described above, in the adjustment method of the conventional temperature compensated oscillator, when adjusting the characteristics of the piezoelectric element such as the crystal piece, the IC chip constituting the oscillation circuit is not mounted, but the piezoelectric element is externally connected with a network analyzer or the like. The resonance frequency is monitored and the resonance frequency is monitored, and the electrode film on the surface of the piezoelectric element is removed so that the frequency becomes a desired value.
Therefore, there is a problem that a deviation occurs between the oscillation frequency when the IC chip is also mounted on the package and the oscillation circuit is configured with the piezoelectric element to perform the oscillation operation and the resonance frequency adjusted in advance. In addition, the number of adjustment steps is increased, resulting in an extra adjustment cost.
そこで、パッケージ内に圧電素子とICチップを実装して発振回路を動作させ、その発振周波数をモニタして、室温での圧電素子の共振周波数の調整とその後の補償データの作成とを、実際の使用状態に近い状態で続けて行なえるようにすることが考えられるが、その場合、温度補償回路も動作してしまう。しかも、温度補償データ記憶回路には初期状態では補償データは記憶されていないが、それを記憶するためのレジスタの各ビットが全て“0”になっている場合と、全て“1”になっている場合とがあり、初期値が判らない。そのため、水晶片等の圧電素子の共振周波数を適切に調整することができず、その後の補償データの作成も適切にできないという問題がある。 Therefore, the piezoelectric element and IC chip are mounted in the package, the oscillation circuit is operated, the oscillation frequency is monitored, and the adjustment of the resonance frequency of the piezoelectric element at room temperature and the subsequent creation of compensation data are performed. Although it is conceivable to continue the operation in a state close to the use state, in that case, the temperature compensation circuit also operates. In addition, although the compensation data is not stored in the temperature compensation data storage circuit in the initial state, all the bits of the register for storing it are “0” and all are “1”. The initial value is unknown. Therefore, there is a problem that the resonance frequency of a piezoelectric element such as a crystal piece cannot be adjusted appropriately, and the subsequent creation of compensation data cannot be made properly.
この発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、パッケージ内に水晶片等の圧電素子とICチップなどを実装して温度補償型発振器を構成した状態で、その発振回路を動作させて圧電素子自体の温度特性を正確に調整できるようにし、且つその後の補償データの作成とそれを補償データ記憶回路に記憶させる作業も、続けて適切に行なえるようにし、温度補償型発振器の調整工程の簡素化と高精度化を図ることを目的とする。 The present invention has been made to solve such a problem. In a state where a temperature-compensated oscillator is configured by mounting a piezoelectric element such as a crystal piece and an IC chip in a package, the oscillation circuit is formed. The temperature compensated oscillator is made to be able to accurately adjust the temperature characteristics of the piezoelectric element itself by operating it, and to make subsequent compensation data creation and storing it in the compensation data storage circuit appropriately. The purpose is to simplify and improve the accuracy of the adjustment process.
この発明は、温度変化に伴って発振周波数が変化する発振回路と、その発振出力に基いて信号を出力する出力線と、発振回路近傍の温度状態を検出する温度検出回路と、その温度検出信号に基づいて上記出力線に出力される信号の周波数を略一定値に保つための温度補償回路とを有する温度補償型発振器において、上記の目的を達成するため、温度補償回路の温度補償機能を有効状態にするか無効状態にするかを選択する選択手段を設けたものである。
さらに、上記発振回路と上記出力線との間に可変分周回路を設け、上記選択手段は、上記温度補償回路の温度補償機能を有効状態にする場合には、その温度補償回路に上記可変分周回路の分周比を温度変化に依存して変化させるようにし、その温度補償機能を無効状態にする場合には、上記可変分周回路の分周比を所定の値に固定する手段を有するようにしてもよい。
The present invention includes an oscillation circuit whose oscillation frequency changes with a temperature change, an output line for outputting a signal based on the oscillation output, a temperature detection circuit for detecting a temperature state in the vicinity of the oscillation circuit, and a temperature detection signal thereof In order to achieve the above object, the temperature compensation function of the temperature compensation circuit is effective in a temperature compensation oscillator having a temperature compensation circuit for keeping the frequency of the signal output to the output line at a substantially constant value based on Selection means for selecting whether the state is set or the invalid state is provided.
Further, a variable frequency dividing circuit is provided between the oscillation circuit and the output line, and the selecting means has the variable compensator added to the temperature compensation circuit when the temperature compensation function of the temperature compensation circuit is to be enabled. When the frequency division ratio of the frequency divider circuit is changed depending on the temperature change, and the temperature compensation function is disabled, the frequency division ratio of the variable frequency divider circuit is fixed to a predetermined value. You may do it.
これらの温度補償型発振器において、上記発振回路は発振容量を有し、上記選択手段は、上記温度補償回路の温度補償機能を有効状態にする場合には、その温度補償回路に発振容量の値を温度変化に依存して変化させるようにし、その温度補償機能を無効状態にする場合には、上記発振容量を所定の容量値に固定する手段を有するようにしてもよい。
その発振容量は印加電圧に応じて容量値が変化する可変容量を有し、上記温度補償回路は、その可変容量への印加電圧を変化させて発振容量の値を変化させる手段を有するとよい。
その場合、上記選択手段は、上記発振容量を所定の容量値に固定するときには、上記可変容量への印加電圧を所定の値に固定する手段を有するとよい。
In these temperature-compensated oscillators, the oscillation circuit has an oscillation capacitance, and the selection means sets an oscillation capacitance value in the temperature compensation circuit when the temperature compensation function of the temperature compensation circuit is enabled. If the temperature compensation function is changed depending on the temperature change, and the temperature compensation function is disabled, a means for fixing the oscillation capacitance to a predetermined capacitance value may be provided.
The oscillation capacitor has a variable capacitor whose capacitance value changes in accordance with the applied voltage, and the temperature compensation circuit preferably has means for changing the value of the oscillation capacitor by changing the voltage applied to the variable capacitor.
In this case, the selection means may include means for fixing the voltage applied to the variable capacitor to a predetermined value when the oscillation capacitor is fixed to a predetermined capacitance value.
あるいは、上記発振容量は複数の固定容量を有し、上記温度補償回路は、その複数の固定容量の接続状態を変化させて発振容量を変化させる手段を有するようにしてもよい。
その場合、上記選択手段は、発振容量を所定の容量値に固定するときには、上記可変容量を発振容量に含まれないように切り離す手段を有するとよい。
これらの温度補償型発振器において、上記選択手段の選択状態を制御するための制御情報を記憶する選択情報記憶回路を設けるとよい。
また、上記温度補償回路の温度補償データを記憶する補償データ記憶回路を設けるのが望ましい。
その補償データ記憶回路と上記選択情報記憶回路とを一体の記憶回路(例えば、1個の不揮発性メモリ)で構成することができる。
上記選択手段の選択状態を制御する制御情報を外部から入力するための制御情報入力端子を設けてもよい。その制御情報入力端子は、この温度補償型発振器を構成するパッケージに設けた外部端子であってもよい。
上記選択情報記憶回路が所定の導電パターンからなり、その導電パターンが切断されることにより選択手段の選択状態を制御するための情報を記憶するものであってもよい。
Alternatively, the oscillation capacitor may have a plurality of fixed capacitors, and the temperature compensation circuit may have means for changing the oscillation capacitance by changing the connection state of the plurality of fixed capacitors.
In this case, the selection means may include means for separating the variable capacitor so as not to be included in the oscillation capacitor when the oscillation capacitor is fixed to a predetermined capacitance value.
In these temperature compensation oscillators, a selection information storage circuit for storing control information for controlling the selection state of the selection means may be provided.
It is desirable to provide a compensation data storage circuit for storing temperature compensation data of the temperature compensation circuit.
The compensation data storage circuit and the selection information storage circuit can be configured as an integrated storage circuit (for example, one nonvolatile memory).
You may provide the control information input terminal for inputting the control information which controls the selection state of the said selection means from the outside. The control information input terminal may be an external terminal provided in a package constituting the temperature compensated oscillator.
The selection information storage circuit may be formed of a predetermined conductive pattern, and may store information for controlling the selection state of the selection means by cutting the conductive pattern.
このように構成したこの発明による温度補償型発振器は、パッケージ内に水晶片等の圧電素子とICチップなどを実装して温度補償型発振器を構成した状態で、その発振回路を動作させて圧電素子自体の温度特性を正確に調整することができる。また、その後の補償データの作成とそれを補償データ記憶回路に記憶させる作業も、続けて適切に行うことができ、調整工程の簡素化と高精度化を図ることができる。 The temperature compensated oscillator according to the present invention configured as described above is a piezoelectric element in which a piezoelectric element such as a crystal piece and an IC chip are mounted in a package and the temperature compensated oscillator is configured to operate the oscillation circuit. The temperature characteristic of itself can be adjusted accurately. Further, the subsequent creation of compensation data and the operation of storing the compensation data in the compensation data storage circuit can be appropriately performed continuously, and the adjustment process can be simplified and highly accurate.
以下、この発明の好ましい実施の形態を図面を参照して説明する。
図1はこの発明による温度補償型発振器の第1の実施形態の構成を示すブロック回路図であり、図8及び図9と同様な部分には同じ符合を付してあり、それらの説明は省略する。
この図1に示す温度補償型発振器は、図9に示した従来例と同様な出力線25および出力端子26を有する発振回路20と、温度検出回路18及び温度補償回路30を備えている。さらに、この実施形態に特有のものとして、選択手段である選択回路40と、その選択状態を制御するための制御情報を記憶する選択情報記憶回路(不揮発性メモリ)50と、一定電圧Vkを出力する定電圧発生回路51とを備えている。
Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a block circuit diagram showing the configuration of the first embodiment of the temperature compensated oscillator according to the present invention. The same parts as those in FIG. 8 and FIG. To do.
The temperature-compensated oscillator shown in FIG. 1 includes an
また、選択情報記憶回路50とは別に、選択回路40の選択状態を制御するための制御情報を入力する制御情報入力端子を、図8に示したパッケージ10の外部に外部端子52として設けている。この制御情報入力端子は、パッケージ本体11の内部に設けてもよい。
選択回路40は、一対のトランスミッションゲート41,42と、3入力のNAND回路43と、2個のインバータ(NOT回路)44,45によって構成されている。そして、温度補償回路30の出力である制御電圧Vcは、一方のトランスミッションゲート41を介して発振回路20の図9に示した抵抗R1,R2の共通接続点に印可される。定電圧発生回路51の出力である一定電圧Vkは、他方のトランスミッションゲート42を介して、同じく発振回路20の抵抗R1,R2の共通接続点に印加される。
In addition to the selection
The
選択情報記憶回路50は3ビットの選択情報を出力し、そのビット1とビット3の出力はそのまま3入力のNAND回路43の2つの入力となり、ビット2の出力はインバータ44によって反転されてNAND回路43の残る一つの入力となる。したがって、選択情報記憶回路50から出力される選択情報が“101”のときにのみ、NAND回路43の3つの入力が全て“1”になるのでその出力が“0”になる。
このNAND回路43の出力は、トランスミッションゲート41の負論理側のゲートとトランスミッションゲート42の正論理側のゲートに直接印加され、また、トランスミッションゲート41の正論理側のゲートと、トランスミッションゲート42の負論理側のゲートにインバータ45で反転されて印加される。
The selection
The output of the
そのため、選択情報記憶回路50から出力される選択情報が“101”のときにのみ、トランスミッションゲート41がオンになり、トランスミッションゲート42はオフになるので、温度補償回路30から出力する制御電圧Vcがトランスミッションゲート41を通過して発振回路20へ印加され、図9に示した抵抗R1,R2を介して電圧制御型可変容量23,24に印加されるため、その発振容量の値が温度に依存して変化し、発振回路20の発振周波数を一定に保つように温度補償される。
選択情報記憶回路50から出力される選択情報が“101”以外のときには、トランスミッションゲート42がオンになり、トランスミッションゲート41はオフになるので、定電圧発生回路51から出力する一定電圧Vkがトランスミッションゲート42を通過して発振回路20へ印加され、図9に示した抵抗R1,R2を介して電圧制御型可変容量23,24に印加されるため、その発振容量の値はその一定電圧に応じた所定の容量値に固定され、発振回路20の発振周波数の温度補償はなされない。
Therefore, only when the selection information output from the selection
When the selection information output from the selection
したがって、選択回路40は、選択情報記憶回路50から出力される3ビットの選択情報に基いて、発振回路20に対して温度補償回路30からの制御電圧Vcを供給して温度補償機能を有効にするか、または定電圧発生回路からの一定(固定)電圧Vkを供給して温度補償機能を無効にするかを選択する。
この選択回路40の切り換えは、外部端子52に制御情報としてハイレベル“1”の信号(電圧)を印可するか、ローレベル“0”の信号(電圧)を印可することによっても行なうことができる。
この外部端子52のような制御情報入力端子を設けた場合には、図1における選択情報記憶回路50とNAND回路43とインバータ44を省略してもよい。
Accordingly, the
The
When a control information input terminal such as the
この温度補償型発振器よれば、発振回路20の水晶片の初期調整および温度補償データを作成して記憶させる調整作業は、パッケージ内に水晶片と発振回路及び温度補償回路等を構成するICチップなどを実装して温度補償型発振器を完成した状態で、その発振回路20を動作させて行なうことができる。その調整時には、選択情報記憶回路50の選択情報を“101”以外にしておくことにより、温度補償機能を無効にし、発振回路20を所定の発振容量で発振動作させる。
According to this temperature-compensated oscillator, initial adjustment of the crystal piece of the
その調整作業のステップは次のようになる。
ステップ1:パッケージ(例えば図8に示したパッケージ本体11)内に、発振回路20及び図1に示した各回路を構成するICチップを実装し、次いで水晶片を実装する。
ステップ2:パッケージを基準温度(一般に室温:25℃)に保ち、その温度補償型発振器の温度補償機能を無効にして単純な発振器として動作させ、その発振周波数をネットワークアナライザなどでモニタしながら、イオンビーム等で水晶片表面の電極膜を除去して所望の発振周波数f0になるように調整する。
ステップ3:パッケージにカバーを取付け、水晶片を気密封止する。
ステップ4:パッケージを複数の温度にさらし、その各温度状態で発振周波数を測定して、所望の発振周波数f0との差を測定する。
ステップ5:その測定値に基いて温度補償データを作成し、それをICチップの補償データ記憶回路(不揮発性メモリ)に書き込む。
The steps of the adjustment work are as follows.
Step 1: In the package (for example, the
Step 2: Keep the package at a reference temperature (generally room temperature: 25 ° C), disable the temperature compensation function of the temperature-compensated oscillator, operate as a simple oscillator, and monitor the oscillation frequency with a network analyzer etc. by removing the electrode film of the crystal piece surface with a beam or the like is adjusted to a desired oscillation frequency f 0.
Step 3: A cover is attached to the package, and the crystal piece is hermetically sealed.
Step 4: subjecting the package to a plurality of temperature, by measuring the oscillation frequency at the respective temperature conditions, to measure the difference between the desired oscillation frequency f 0.
Step 5: Create temperature compensation data based on the measured value, and write it into the compensation data storage circuit (nonvolatile memory) of the IC chip.
この調整後に、選択情報記憶回路50の選択情報を“101”にすれば、温度補償機能が有効になり、温度補償型発振器として正常に動作可能になり、超小型の温度補償型発振器が完成する。
したがって、発振回路を実際の使用状態と同様に発振させながら、水晶片の温度特性を温度補償回路の影響を受けずに正確に調整でき、且つその後の補償データの作成とそれを補償データ記憶回路に記憶させる作業も、続けて適切に行なうことができる。そのため、温度補償型発振器の調整工程の簡素化と高精度化を図ることができる。
After this adjustment, if the selection information in the selection
Therefore, while the oscillation circuit oscillates in the same manner as the actual use state, the temperature characteristics of the crystal piece can be accurately adjusted without being affected by the temperature compensation circuit, and the subsequent creation of compensation data and the compensation data storage circuit The work to be stored in can also be performed appropriately. Therefore, the adjustment process of the temperature compensated oscillator can be simplified and highly accurate.
ステップ2で、パッケージを基準温度(一般に室温:25℃)に保つのは、パッケージを恒温槽に入れて調整作業を行なうとよい。
ステップ4で、パッケージを複数の温度状態にさらすのも、恒温槽の設定温度を順次変化させるか、異なる温度に設定した複数の恒温槽に順次パッケージを収納すればよい。その測定温度範囲は、この発振器の動作保証温度範囲であり、例えばマイナス40℃〜プラス100℃の間の適宜のポイント(例えば11ポイント程度)とする。
水晶片の基準周波数の調整は、予め水晶片の表面に銀等の金属膜を蒸着して、共振周波数を基準周波数より低めにする膜厚(厚め)に形成しておき、その水晶片表面の電極膜にイオンガンを用いてイオンビームを照射したり、スパッタエッチングを行ったりして、電極膜の質量を僅かずつ減少させることによって行う。
なお、発振回路の振動子として、水晶片に代えて他の圧電素子を使用する場合も同様である。
In step 2, the package is maintained at a reference temperature (generally room temperature: 25 ° C.) by adjusting the package in a thermostatic bath.
In step 4, the package is exposed to a plurality of temperature states by changing the set temperature of the thermostat in order or by sequentially storing the packages in a plurality of thermostats set at different temperatures. The measurement temperature range is an operation guarantee temperature range of the oscillator, and is set to an appropriate point (for example, about 11 points) between −40 ° C. and + 100 ° C.
To adjust the reference frequency of the crystal piece, a metal film such as silver is vapor-deposited on the surface of the crystal piece in advance to form a film thickness (thick) that makes the resonance frequency lower than the reference frequency. This is performed by irradiating the electrode film with an ion beam using an ion gun or performing sputter etching to reduce the mass of the electrode film little by little.
The same applies to the case where another piezoelectric element is used in place of the crystal piece as the oscillator of the oscillation circuit.
ATカット水晶片を振動子とする発振回路の発振周波数の温度特性はほぼ3次曲線になるため、基準温度で発振周波数が所望の周波数f0になるように調整しても、環境温度が変化すると発振周波数がずれてまう。そのため、使用保証温度範囲の下限から上限までの間で実際に温度を変化させて、その各温度状態(測定ポイント)で発振回路の実際の発振周波数すなわち出力端子26に出力される信号の周波数を測定し、所望の発振周波数f0との差を測定する。
そして、その差を0にするための制御電圧Vcを温度補償回路30で発生させるのに必要な温度補償データを算出して、図9に示した補償データ記憶回路(不揮発性メモリ)31に温度データに対応させて書き込む。
なお、測定ポイントは多い方が精度の高い温度補償データを作成できるが、測定時間が長くなってしまうので、適当数(例えば11ポイント程度)の温度状態での測定結果からその発振回路の温度特性の3次曲線を推定して、各測定ポイント間の温度に対する温度補償データも補間して作成し、それを補償データ記憶回路に書き込むようにするとよい。
Since the temperature characteristics of the oscillation frequency of an oscillation circuit using an AT-cut quartz crystal as a vibrator is almost a cubic curve, the ambient temperature changes even if the oscillation frequency is adjusted to the desired frequency f 0 at the reference temperature. Then the oscillation frequency will shift. Therefore, by actually changing the temperature between the lower limit and the upper limit of the guaranteed temperature range, the actual oscillation frequency of the oscillation circuit, that is, the frequency of the signal output to the
Then, the temperature compensation data necessary to generate the control voltage Vc for making the difference 0 is generated in the
Although more accurate temperature compensation data can be created with a larger number of measurement points, the measurement time becomes longer, so the temperature characteristics of the oscillation circuit are determined from the measurement results in an appropriate number (for example, about 11 points) of temperature conditions. It is advisable to estimate the cubic curve and to create temperature compensation data with respect to the temperature between the measurement points by interpolating it and write it to the compensation data storage circuit.
次に、発振回路の異なる例、特にその発振容量とその容量可変手段の異なる例を図2及び図3に示す。
図2に示す発振回路は、図9に示した発振回路20と同様に、水晶片15とインバータ21と帰還抵抗22とを並列に接続し、その両接続点をそれぞれ発振容量を介して接地して、インバータ発振回路を構成している。しかし、その発振容量として、電圧制御型可変容量に代えて、複数の固定容量の並列回路を用いている。
すなわち、コンデンサC1〜C5をそれぞれスイッチS1〜S5を介して並列に接続した第1の容量アレイ27をインバータ21の入力側とアースとの間に設け、コンデンサC6〜C10をそれぞれスイッチS7〜S10を介して並列に接続した第2の容量アレイ28とし、インバータ21の出力側とアースとの間に設けている。各スイッチS1〜S10には、MOS−FET等のスイッチング素子を使用するとよい。
Next, different examples of the oscillation circuit, in particular, different examples of the oscillation capacitance and the capacitance variable means are shown in FIGS.
In the oscillation circuit shown in FIG. 2, similarly to the
That is, a
この場合、温度補償回路には図9に示したD/A変換回路に代えて、補償データ記憶回路31から温度検出回路18による温度検出データに対応する補償データを読み出して、発振回路のスイッチS1〜S10のON/OFF状態を制御する可変のスイッチ制御信号を出力する回路を設ける。
また、図1に示した定電圧発生回路51に変えて、発振回路のスイッチS1〜S10のうちの所定のスイッチ(例えば、スイッチS1〜S3とS6〜S8)をONにし、他のスイッチはOFFにする固定のスイッチ制御信号を発生する回路を設け、その固定のスイッチ制御信号と上述した温度補償回路が発生する可変のスイッチ制御信号のいずれかを選択手段によって選択して、発振回路のスイッチS1〜S10の各制御電極に印加して、そのON/OFFを制御するようにする。
In this case, instead of the D / A conversion circuit shown in FIG. 9, the temperature compensation circuit reads compensation data corresponding to the temperature detection data from the
Further, in place of the constant
そして、初期調整時に温度補償機能を無効にする際には、選択手段によって上記固定のスイッチ制御信号を選択して発振回路に入力させ、例えばスイッチS1〜S3とS6〜S8をONにして他のスイッチはOFFにする。それによって、第1の容量アレイ27の容量値はコンデンサC1〜C3の並列回路の容量値に固定され、第2の容量アレイ28の容量値はコンデンサC6〜C8の並列回路の容量値に固定される。したがって、発振容量は温度変化に関係なく一定となる。
初期調整後、温度補償機能を有効にするときには、選択手段によって温度補償回路からの可変のスイッチ制御信号を選択して発振回路に入力させ、第1の容量アレイ27のスイッチS1〜S5及び第2の容量アレイ28のスイッチS6〜S10のそれぞれ1個以上を選択的にONにする。それによって、第1の容量アレイ27及び第2の容量アレイ28の有効なコンデンサの組み合わせ(接続状態)を変え、各容量アレイ27,28の容量値(発振容量)を温度変化に依存して変化させる。
When the temperature compensation function is invalidated at the time of initial adjustment, the fixed switch control signal is selected by the selection means and is input to the oscillation circuit. For example, the switches S1 to S3 and S6 to S8 are turned on and the other switches are selected. Switch off. Thereby, the capacitance value of the
When the temperature compensation function is enabled after the initial adjustment, the variable switch control signal from the temperature compensation circuit is selected by the selection means and input to the oscillation circuit, and the switches S1 to S5 and the
例えば、前述のように第1の容量アレイ27のスイッチS1〜S3と第2の容量アレイ28のS6〜S8をONにして、コンデンサC1〜C3、コンデンサC6〜C8がそれぞれ並列接続された状態を基準状態とすると、その状態からスイッチS1又はS2あるいはその両方をOFFにし、スイッチS6又はS7あるいはその両方をOFFにすると、第1の容量アレイ27及び第2の容量アレイ28による各容量値は減少する。また、標準状態から、スイッチS4又はS5あるいはその両方をONにし、スイッチS9又はS10あるいはその両方をONにすると、第1の容量アレイ27及び第2の容量アレイ28による各容量値は増加する。
さらに、第1の容量アレイ27及び第2の容量アレイ28を構成するコンデンサの数及びその各コンデンサの容量値を適宜選定し、その接続状態を変化させることによって、発振容量をかなり細かく制御して発振周波数の温度補償を行うことができる。
For example, as described above, the switches S1 to S3 of the
Furthermore, by appropriately selecting the number of capacitors constituting the
図3に示す発振回路は、図9に示した発振回路20における電圧制御型可変容量23,24にそれぞれ直列にスイッチS11,S12を介挿し、それらと並列にそれぞれコンデンサCaとスイッチS13の直列回路、およびコンデンサCbとスイッチS14の直列回路を接続している。コンデンサCa,Cbは固定容量である。Cc,Cdは直流分カット容量である。
そして、初期調整時に温度補償機能を無効にする際には、選択回路によってスイッチS11,S12をOFFにして、スイッチS13,S14をONにすることにより発振容量はコンデンサCa,Cbの容量値に固定される。このとき電圧制御型可変容量23,24は、発振容量に含まれないように切り離された状態になる。
The oscillation circuit shown in FIG. 3 has switches S11 and S12 inserted in series with the voltage controlled
When disabling the temperature compensation function during initial adjustment, the switches S11 and S12 are turned off and the switches S13 and S14 are turned on by the selection circuit, so that the oscillation capacitance is fixed to the capacitance values of the capacitors Ca and Cb. Is done. At this time, the voltage-controlled
初期調整後、温度補償機能を有効にするときには、選択回路によってスイッチS11,S12をONにし、スイッチS13,S14をOFFにすることにより、電圧制御可変型容量23,24が発振容量となり、温度補償回路からの制御電圧が抵抗R1,R2を介して印加され、その各容量値が温度変化に依存して変化するため、発振周波数の温度補償を行うことができる。
なお、これらの発振回路においても、振動子として水晶片に代えて他の圧電素子を使用することもできる。
When the temperature compensation function is enabled after the initial adjustment, the voltage control
In these oscillation circuits as well, other piezoelectric elements can be used as the vibrator instead of the crystal piece.
次に、この発明による温度補償型発振器の第2の実施形態を図4によって説明する。図4において、図1及び図9と同等な部分には同一の符号を付してあり、それらの説明は省略する。但し、この実施形態における温度補償回路の補償データ記憶回路31と選択情報記憶回路50は一体の記憶回路であり、1個の不揮発性メモリ19を兼用し、その記憶領域の殆どを補償データ記憶回路31として使用し、一部を選択情報記憶回路50として使用している。
この図4に示す温度補償型発振器は、発振回路20と出力線25との間に可変分周回路60を設け、選択手段として、第1の選択回路40Aと第2の選択回路40Bとを設けている。この第1,第2の選択回路40A,40Bは同じ回路構成であり、第2の選択回路40Bに示すように、デジタルゲート回路47,48
と、3入力のAND回路46と、2個のインバータ(NOT回路)44,49によって構成されている。
Next, a second embodiment of the temperature compensated oscillator according to the present invention will be described with reference to FIG. 4, parts that are the same as those in FIGS. 1 and 9 are given the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted. However, the compensation
In the temperature compensated oscillator shown in FIG. 4, a variable
And a three-input AND
選択情報記憶回路50が出力する3ビットの選択情報のうちビット1とビット3の出力はそのまま3入力のAND回路46の2つの入力となり、ビット2の出力はインバータ44によって反転されてAND回路46の残る一つの入力となる。したがって、選択情報記憶回路50から出力される選択情報が“101”のときにのみ、AND回路46の3つの入力が全て“1”になるのでその出力が“1”になる。選択情報記憶回路50から出力される選択情報が“101”以外のときには、AND回路46の出力は“0”になる。
このAND回路46の出力は、デジタルゲート回路47の制御端子Cに直接印加され、また、デジタルゲート回路48の制御端子Cへはインバータ49で反転されて印加される。
Of the 3-bit selection information output from the selection
The output of the AND
そのため、この第2の選択回路40Bは、選択情報記憶回路50から出力される選択情報が“101”のときにのみ、デジタルゲート回路47がオンになりデジタルゲート回路48はオフになるので、温度補償回路30′の補償データ出力回路33から入力する可変の分周数データDcを選択して可変分周回路60へ出力し、選択情報記憶回路50から出力される選択情報が“101”以外のときには、デジタルゲート回路48がオンになりデジタルゲート回路47はオフになるので、ROM52から入力する固定の分周数データDkを選択して可変分周回路60へ出力する。
第1の選択回路40Aもこれと全く同じ構成であり、選択するのがスイッチ制御データSc,Skで、選択したスイッチ制御データの出力先が発振回路20である点が異なるだけである。
Therefore, in the
The
温度補償回路30′の補償データ出力回路33は、温度検出回路18によって検出される温度のデータに応じて、補償データ記憶回路31の補償データを参照して、温度補償を行うための可変のスイッチ制御信号(デジタルデータ)Scと分周数データDcとを出力し、それぞれれ第1,第2の選択回路40A,40Bのデジタルゲート回路47へ入力させる。
一方、読み出し専用メモリであるROM52には、固定のスイッチ制御信号(デジタルデータ)Skと分周数データDkとが予め記憶されており、図示を省略している読み出し回路によってその各データを読み出して、それぞれ、第1,第2の選択回路40A,40Bのデジタルゲート回路48へ入力させる。
The compensation
On the other hand, the
そこで、第1の選択回路40Aは、選択情報記憶回路50から出力される選択情報が“101”のときにのみ、温度補償回路30′の補償データ出力回路33から入力する可変のスイッチ制御信号Scを選択して発振回路20へ出力し、選択情報記憶回路50から出力される選択情報が“101”以外のときには、ROM52から入力する固定のスイッチ制御信号Skを選択して発振回路20へ出力する。
発振回路20は、例えば図2に示したように、発振容量として多数のコンデンサをスイッチを介して並列に設けた第1,第2の容量アレイ27,28を用いた回路であり、その各スイッチS1〜S10のON/OFFを第1の選択回路40Aから出力されるスイッチ制御信号(デジタルデータ)Sc又はSkによって制御することにより、その発振容量を制御して発振周波数を可変することができる。図2に示したスイッチS1〜S10としてはMOS型アナログスイッチ等の1ビットのデジタル信号でON/OFFを制御できる電子スイッチを用いる。
Therefore, the
For example, as shown in FIG. 2, the
可変分周回路60としては公知の回路を使用するが、その一例を図5によって説明する。この可変分周回路60は、リファレンスデバイダ61、位相比較器62、ローパスフィルタ(以下「LPF」と略称する)63、電圧制御型発振回路(以下「VCO」と略称する)64、フィードバックデバイダ65、および出力バッファ66によって構成されている。
そして、発振回路20からの発振出力信号をリファレンスデバイダ61によって分周して、位相比較器62に基準信号として入力する。一方、VCO64の発振信号がフィードバックデバイダ65によって分周されて、位相比較器62に比較信号して入力する。位相比較器62はその二つの入力信号の位相差に応じた電圧を出力し、それがLPF63を介してVCO64に供給され、VCO64の発振周波数を制御する。そのVCOの発振信号が出力バッファ66を介して出力線25に出力される。
リファレンスデバイダ61とフィードバックデバイダ65は、いずれも可変の整数値で分周できるプログラマブルデバイダである。
A known circuit is used as the variable
The oscillation output signal from the
The
この可変分周回路60の出力信号の周波数foは、発振回路20からの発振出力信号の周波数をfcとすると、リファレンスデバイダ61の分周数Mとフィードバックデバイダ65の分周数Nとによって決り、その関係は次式で示される。
fo=fc×N/M
リファレンスデバイダ61は入力信号の周波数を1/Mに分周して出力し、フィードバックデバイダ65は入力信号の周波数を1/Nに分周して出力する。
N/Mが分周比(この場合は逓倍数)であり、分周数MとNの値によって任意に設定できる。例えば、M=N=100を基準値として、分周数MとNの値を図6に示すように変化させることにより、分周比(逓倍数)を1.000から0.005刻みで増加させたり減少させたりすることができる。
したがって、発振回路20からの発振出力信号の周波数fcが20MHzであった場合、出力信号の周波数foを、20MHzを基準にして0.1MHz刻みで増減させることができる。
The frequency fo of the output signal of the variable
fo = fc × N / M
The
N / M is a frequency division ratio (in this case, a multiplication number), and can be arbitrarily set according to the values of the frequency division numbers M and N. For example, by using M = N = 100 as a reference value and changing the values of frequency division numbers M and N as shown in FIG. 6, the frequency division ratio (multiplication number) is increased from 1.000 to 0.005. Can be reduced or decreased.
Therefore, when the frequency fc of the oscillation output signal from the
そこで、図4に示したROM52に記憶させる固定の分周数データDkを分周数MとNによって構成してM=N=100とし、補償データ出力回路33から出力する可変の分周数データDcも分周数MとNによって構成して図6に示したようにすれば、図4における第2の選択回路40BがROM52からの固定の分周数データDkを選択して可変分周回路60に入力させたときには、M=N=100であるから、分周比は1.000となり、出力信号の周波数foは、発振回路20からの発振出力信号の周波数fcと同じ(図6の例では20MHz)になる。
図4における第2の選択回路40Bが補償データ出力回路33から出力する可変の分周数データDcを選択して可変分周回路60に入力させたときには、分周数データDcを構成する分周数MとNの値によって、分周比を種々に変化させることができ、図6に示した例では、分周比(逓倍数)を1.000から0.005刻みで増加させたり減少させたりして、出力信号の周波数foを20MHzを基準にして0.1MHz刻みで増減させることができる。
Accordingly, the fixed frequency division number data Dk stored in the
When the
この分周比(逓倍数)の最小可変幅(刻み幅)及び最大可変範囲は、分周数MとNの選択によって任意に設定することができる。
この実施形態によっても、発振回路20の水晶片の共振周波数を調整し、補償データを作成して補償データ記憶回路31に記憶させるまでの初期調整時には、選択情報記憶回路50の3ビットの選択情報が“101”以外の状態になっている。
したがって、第1の選択回路40AはROM52から入力する固定のスイッチ制御信号Skを選択して発振回路20へ出力する。また、第2の選択回路40BもROM52から入力する固定の分周数データDkを選択して可変分周回路60へ出力する。
The minimum variable width (step size) and the maximum variable range of the frequency division ratio (multiplication number) can be arbitrarily set by selecting the frequency division numbers M and N.
Also in this embodiment, the 3-bit selection information of the selection
Therefore, the
それによって、発振回路20はその固定のスイッチ制御信号Skによって、例えば図2に示したスイッチS1〜S3とS6〜S8だけがONになって他のスイッチはOFFになる。そのため、第1の容量アレイ27の容量値はコンデンサC1〜C3の並列回路の容量値に固定され、第2の容量アレイ28の容量値はコンデンサC6〜C8の並列回路の容量値に固定される。これが標準状態で、発振容量は温度変化に関係なく一定となり、発振出力信号の周波数fcは水晶片15の温度特性によって多少変動するが温度補償はなされない。
一方、可変分周回路60は、固定の分周数データDkのM=N=100によって、分周比が1.000に固定され、出力線に出力する信号の周波数foは発振回路20の発振出力信号の周波数fcと同じになり、ここでも温度補償はなされない。すなわち、この時は温度補償機能は無効になり、図4に示した温度補償型発振器は単なる発振器として動作する。
Accordingly, the
On the other hand, in the variable
調整作業が完了すると、補償データ記憶回路31への最後の補償データの書き込み時あるいはその直後に、同じ不揮発性メモリ19内の選択情報記憶回路50に選択情報として“101”を書き込む。
それによって、選択情報記憶回路50が出力する選択情報が“101”になり、第1の選択回路40Aは温度補償回路30′の補償データ出力回路33からの可変のスイッチ制御信号Scを選択して発振回路20へ出力する。また、第2の選択回路40Bも補償データ出力回路33からの可変の分周数データDcを選択して可変分周回路60へ出力する。
When the adjustment work is completed, “101” is written as selection information in the selection
As a result, the selection information output from the selection
発振回路20は、その可変のスイッチ制御信号Scによって、例えば図2に示した第1の容量アレイ27のスイッチS1〜S5及び第2の容量アレイ28のスイッチS6〜S10のそれぞれ1個以上を選択的にONにする。したがって、第1の容量アレイ27及び第2の容量アレイ28の有効なコンデンサの組み合わせ(接続状態)を変え、各容量アレイ27,28の容量値(発振容量)を温度変化に依存して変化させ、発振回路20の発振信号の周波数fcが温度によって変動するのを補償するように調整する。
The
また、可変分周回路60は、入力される分周数データDcを構成する分周数MとNの値によって分周比を変化させ、出力信号の周波数foを、fc×N/Mにして出力する。図6に示した例では出力信号の周波数を20MHzを基準にして0.1MHz刻みで増減させることができる。
このように、温度補償機能を有効にしたときには、発振回路20における発振容量の値の調整と、可変分周回路60における分周比(逓倍数)の調整の組み合わせによって、水晶片の温度特性に基く発振周波数の変動を補償して、常に一定周波数の出力信号を出力端子26に出力させることができる。
この実施形態においても、発振回路20の振動子として、水晶片に代えて他の圧電素子を使用することもできる。
Further, the variable
As described above, when the temperature compensation function is enabled, the temperature characteristic of the crystal piece is adjusted by the combination of the adjustment of the oscillation capacitance value in the
Also in this embodiment, as the vibrator of the
次に、この発明による温度補償型発振器の第3の実施形態を図7によって説明する。図7において、図1と同等な部分には同一の符号を付してあり、それらの説明は省略する。
この図7に示す温度補償型発振器は、その選択回路40′が図1に示した選択回路40からNAND回路43とインバータ44を除いた回路であり、図1に示した温度補償型発振器における不揮発性メモリによる選択情報記憶回路50に代えて、所定の導電パターン56を用いた選択情報記憶回路55を設けている。なお、図1における外部端子52は設けていない。
Next, a third embodiment of the temperature compensated oscillator according to the present invention will be described with reference to FIG. 7, parts that are the same as in FIG. 1 are given the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.
In the temperature compensated oscillator shown in FIG. 7, the selection circuit 40 'is a circuit obtained by removing the
その導電パターン56は、例えば図8に示したパッケージ本体11内あるいは外部の初期調整完了時に外部から操作できる部位に設けた絶縁基板上に形成される。そして、その一端を正の電源ライン57に接続し、他端は抵抗58を介して接地される。その導電パターン56と抵抗58との接続点であるP点の電圧レベルを2値の選択情報として選択回路40′に出力し、それを図示のようにトランスミッションゲート41,42の各ゲートに直接あるいはインバータ45によって反転して印加する。
The
初期状態では選択情報記憶回路55の導電パターン56が導通しており、P点の電圧レベルはハイ“1”であるから、選択回路40′のトランスミッションゲート42がONになり、トランスミッションゲート41はOFFになっている。したがって、定電圧発生回路51が出力する一定電圧Vkがトランスミッションゲート42を通して発振回路20に供給され、発振回路20の発振容量の値を所定容量値に固定するので、温度補償機能は無効になる。
In the initial state, the
初期調整が完了した後、選択情報記憶回路55の導電パターン56を切断すると、P点の電圧レベルが接地レベルすなわちロー“0”になるので、選択回路40′のトランスミッションゲート41がONになり、トランスミッションゲート42はOFFになる。したがって、温度補償回路30が温度検出回路18による温度検出信号に応じて出力する制御電圧Vcが、トランスミッションゲート41を通して発振回路20に供給され、発振回路20の発振容量値を温度変化に依存して変化させる。それによって、環境温度が変動しても発振周波数すなわち出力線25を通して出力端子26に出力される信号の周波数を一定に保持するように、温度補償機能が有効に作用する。
When the
前述した第1,第2の実施形態では、選択情報記憶回路50の選択情報を“101”にすることによって温度補償機能を有効にしているが、これに限定するものではなく、どのようなデータをその選択情報として用いてもよいし、そのデータの桁数の任意である。但し、一般に選択情報記憶回路50を構成する不揮発性メモリ等は、初期状態でのデータがすべて“1”またはすべて“0”になる確率が高いので、上述の選択情報としては“111”や“000”を避けて設定した方が好ましい。
In the first and second embodiments described above, the temperature compensation function is enabled by setting the selection information in the selection
この発明は、周囲温度の変化に係わらず出力信号の周波数を略一定に保つようにした各種の温度補償型発振器(TCXO)に利用でき、特に携帯電話機等の携帯用移動通信機器に多用されている温度補償型発振器に適用することができる。 The present invention can be used for various temperature-compensated oscillators (TCXO) in which the frequency of an output signal is kept substantially constant regardless of a change in ambient temperature, and is particularly frequently used for portable mobile communication devices such as cellular phones. It can be applied to a temperature compensated oscillator.
10:パッケージ(容器) 11:パッケージ本体
12:溶接リング 13:カバー 15:水晶片(振動子)
16:IC(集積回路) 17:チップ容量等の回路素子
18:温度検出回路 19:不揮発性メモリ 20:発振回路
21:インバータ 22:帰還抵抗 23,24:電圧制御型可変容量
25:出力線 26:出力端子 27:第1の容量アレイ
28:第2の容量アレイ 30,30′:温度補償回路
31:補償データ記憶回路 32:D/A変換回路
33:補償データ出力回路 40,40′:選択回路(選択手段)
40A:第1の選択回路 40B:第2の選択回路
41,42:トランスミッションゲート 47,48:デジタルゲート回路
50:選択情報記憶回路 51:定電圧発生回路
52:外部端子(制御情報入力端子) 55:選択情報記憶回路
56:導電パターン 57:正の電源ライン 58:抵抗
60:可変分周回路
10: Package (container) 11: Package body 12: Welding ring 13: Cover 15: Crystal piece (vibrator)
16: IC (integrated circuit) 17: Circuit element such as a chip capacitor 18: Temperature detection circuit 19: Non-volatile memory 20: Oscillator circuit 21: Inverter 22:
40A:
Claims (13)
前記温度補償回路の温度補償機能を有効状態にするか無効状態にするかを選択する選択手段を設けたことを特徴とする温度補償型発振器。 An oscillation circuit whose oscillation frequency changes with temperature change, an output line for outputting a signal based on the oscillation output of the oscillation circuit, a temperature detection circuit for detecting a temperature state in the vicinity of the oscillation circuit, and the temperature detection circuit In a temperature compensated oscillator having a temperature compensation circuit for keeping the frequency of a signal output to the output line based on an output from a substantially constant value,
A temperature-compensated oscillator comprising selection means for selecting whether to enable or disable the temperature compensation function of the temperature compensation circuit.
前記発振回路と前記出力線との間に可変分周回路を設け、
前記選択手段は、前記温度補償回路の温度補償機能を有効状態にする場合には、該温度補償回路に前記可変分周回路の分周比を温度変化に依存して変化させるようにし、該温度補償機能を無効状態にする場合には、前記可変分周回路の分周比を所定の値に固定する手段を有することを特徴とする温度補償型発振器。 The temperature compensated oscillator according to claim 1, wherein
A variable frequency divider is provided between the oscillation circuit and the output line,
When the temperature compensation function of the temperature compensation circuit is enabled, the selection unit causes the temperature compensation circuit to change a frequency division ratio of the variable frequency divider circuit depending on a temperature change, and A temperature-compensated oscillator having means for fixing a frequency division ratio of the variable frequency dividing circuit to a predetermined value when the compensation function is disabled.
前記発振回路は発振容量を有し、
前記選択手段は、前記温度補償回路の温度補償機能を有効状態にする場合には、該温度補償回路に前記発振容量の値を温度変化に依存して変化させるようにし、該温度補償機能を無効状態にする場合には、前記発振容量を所定の容量値に固定する手段を有することを特徴とする温度補償型発振器。 The temperature compensated oscillator according to claim 1 or 2,
The oscillation circuit has an oscillation capacitor,
The selection means, when enabling the temperature compensation function of the temperature compensation circuit, causes the temperature compensation circuit to change the value of the oscillation capacitance depending on a temperature change, and invalidates the temperature compensation function. A temperature compensated oscillator having means for fixing the oscillation capacitance to a predetermined capacitance value when the state is set.
前記選択手段の選択状態を制御するための制御情報を記憶する選択情報記憶回路を設けたことを特徴とする温度補償型発振器。 The temperature compensated oscillator according to any one of claims 1 to 7,
A temperature compensated oscillator comprising a selection information storage circuit for storing control information for controlling a selection state of the selection means.
前記温度補償回路の温度補償データを記憶する補償データ記憶回路を設けたことを特徴とする温度補償型発振器。 The temperature compensated oscillator according to any one of claims 1 to 8,
A temperature compensation oscillator comprising a compensation data storage circuit for storing temperature compensation data of the temperature compensation circuit.
前記選択手段の選択状態を制御するための制御情報を記憶する選択情報記憶回路と、前記温度補償回路の温度補償データを記憶する補償データ記憶回路を設け、前記選択情報記憶回路と前記補償データ記憶回路とが一体の記憶回路であることを特徴とする温度補償型発振器。 The temperature compensated oscillator according to any one of claims 1 to 7,
A selection information storage circuit for storing control information for controlling a selection state of the selection means; a compensation data storage circuit for storing temperature compensation data of the temperature compensation circuit; and the selection information storage circuit and the compensation data storage. A temperature-compensated oscillator, wherein the circuit is an integrated memory circuit.
前記選択手段の選択状態を制御する制御情報を外部から入力するための制御情報入力端子を設けたことを特徴とする温度補償型発振器。 The temperature compensated oscillator according to any one of claims 1 to 10,
A temperature-compensated oscillator comprising a control information input terminal for inputting control information for controlling the selection state of the selection means from the outside.
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