JP2007147362A - Probe pin, and manufacturing method of probe pin - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To secure high dimension accuracy and productivity of a tall probe pin. <P>SOLUTION: A groove 20 is formed on the side face of the probe pin 10, and the tip part side having a contact part 21 is bent from the groove 20 part. The tip of the probe pin 10 is formed in a sharpened shape and used as the contact part 21. The rear end side from the groove 20 of the probe pin 10 is bonded to a connection terminal 11a of a contactor 11, and the tip part side of the probe pin 10 is bent to the lower side having a wafer W from the groove 20 part. The contact part 21 of the probe pin 10 is brought into contact with the wafer W, and electric characteristics of the wafer W are inspected. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は,被検査体に接触して被検査体の電気的特性を検査するためのプローブピンと,その製造方法に関する。   The present invention relates to a probe pin for contacting an object to be inspected and inspecting electrical characteristics of the object to be inspected, and a method of manufacturing the same.

例えば半導体ウェハ上に形成されたIC,LSIなどの電子回路の電気的特性の検査は,プローブ装置に装着されたプローブカードを用いて行われている。プローブカードは,通常,回路基板やコンタクタを有している。ウェハに対向するコンタクタの下面には,多数のプローブピンが支持されており,この多数のプローブピンを,電子回路の各電極に接触させることにより,ウェハの電気的特性の検査を行っている。   For example, the inspection of the electrical characteristics of an electronic circuit such as an IC or LSI formed on a semiconductor wafer is performed using a probe card attached to the probe device. The probe card usually has a circuit board and a contactor. A large number of probe pins are supported on the lower surface of the contactor facing the wafer, and the electrical characteristics of the wafer are inspected by bringing the numerous probe pins into contact with the electrodes of the electronic circuit.

従来のプローブピンは,通常図19に示すように直線状の梁部100と,梁部100の先端部に直角方向に突出した接触部101から構成され,略L型形状を有している。このようなプローブピンは,一般的に電鋳などのメッキ技術により一体成型されて製造されている(例えば,特許文献1参照)。   As shown in FIG. 19, the conventional probe pin is generally composed of a linear beam portion 100 and a contact portion 101 protruding perpendicularly to the distal end portion of the beam portion 100, and has a substantially L shape. Such probe pins are generally manufactured by being integrally formed by a plating technique such as electroforming (see, for example, Patent Document 1).

特開2001−52779号公報JP 2001-52779 A

しかしながら,プローブピンは,接触部101の幅を細くし,接触部101の高さを確保する必要があるため,比較的アスペクト比(接触部101の幅と高さの比)が大きい。このため,一体成型時に,例えば接触部101と梁部100が接触する角付近に空洞ができたりして,プローブピンの生産効率や寸法精度が低下する場合があった。プローブピンの寸法精度が低下すると,プローブピンとウェハとの接触が不安定となり,信頼性の高い検査を行うことができない。   However, the probe pin has a relatively large aspect ratio (ratio of the width and height of the contact portion 101) because it is necessary to reduce the width of the contact portion 101 and ensure the height of the contact portion 101. For this reason, at the time of integral molding, for example, a cavity may be formed near the corner where the contact portion 101 and the beam portion 100 are in contact with each other, and the production efficiency and dimensional accuracy of the probe pin may be reduced. If the dimensional accuracy of the probe pin is reduced, the contact between the probe pin and the wafer becomes unstable, and a highly reliable inspection cannot be performed.

また,ウェハに,ウェハの欠片などの異物が付着していて,その異物が梁部100の下方の位置している場合には,検査時に異物が梁部100に接触しプローブピンを破損する可能性がある。この可能性を低くするため,プローブピンの接触部101に,より高さのあるものが要求されている。しかしながら,実際,従来のプローブピンのアスペクト比は2程度が限界であり,これ以上アスペクト比が大きくなると,生産効率や寸法精度が著しく低下する。このため,従来のプローブピンでは,接触部101を十分に高くすることができず,ウェハなどの被検査体のある方向に十分に長いプローブピンを実現することができなかった。   In addition, when a foreign object such as a wafer fragment is attached to the wafer and the foreign object is located below the beam part 100, the foreign object may contact the beam part 100 during the inspection and damage the probe pin. There is sex. In order to reduce this possibility, a higher probe pin contact portion 101 is required. However, in practice, the aspect ratio of the conventional probe pin is limited to about 2, and if the aspect ratio becomes larger than this, the production efficiency and the dimensional accuracy are remarkably lowered. For this reason, with the conventional probe pin, the contact portion 101 cannot be made sufficiently high, and a probe pin that is sufficiently long in a direction in which an object to be inspected such as a wafer cannot be realized.

本発明は,かかる点に鑑みてなされたものであり,高い寸法精度と高い生産効率を維持しながら,被検査体の方向に十分に高さのあるプローブピンと,その製造方法を提供することをその目的とする。   The present invention has been made in view of the above points, and provides a probe pin sufficiently high in the direction of an object to be inspected while maintaining high dimensional accuracy and high production efficiency, and a method for manufacturing the probe pin. For that purpose.

上記目的を達成するための本発明は,被検査体に接触して被検査体の電気的特性を検査するためのプローブピンであって,側面に溝を有し,被検査体と接触する接触部のある先端部側が前記溝の部分から屈折していることを特徴とする。   To achieve the above object, the present invention provides a probe pin for contacting an object to be inspected to inspect the electrical characteristics of the object to be inspected, having a groove on a side surface and contacting the object to be inspected The tip portion side having the portion is refracted from the groove portion.

本発明によれば,プローブピンの側面に溝が形成され,プローブピンの先端部側がその溝の部分から屈折しているので,従来のようにアスペクト比の高い加工を行わなくても,プローブピンに十分な高さを確保される。また,アスペクト比の高い加工が必要ないので,生産性を上げることができる。プローブピンが溝の部分から折り曲げて形成されているので,接触部のある先端部側の長さや高さを一定にすることができ,プローブピンの高い寸法精度を確保できる。   According to the present invention, since the groove is formed on the side surface of the probe pin and the tip end side of the probe pin is refracted from the groove portion, the probe pin can be obtained without performing processing with a high aspect ratio as in the prior art. Enough height is secured. In addition, productivity is increased because high aspect ratio processing is not required. Since the probe pin is formed by bending from the groove portion, the length and height on the tip side with the contact portion can be made constant, and high dimensional accuracy of the probe pin can be secured.

前記先端部側の先端が尖状に形成されて前記接触部になっていてもよい。また,前記先端部側の先端は,幅が一定の突起状に形成されて前記接触部になっていてもよい。   The tip on the tip side may be formed in a pointed shape to form the contact portion. Further, the tip on the tip portion side may be formed in a protruding shape having a constant width to be the contact portion.

前記先端部側の屈折角は,45°〜60°に設定されていてもよい。   The refraction angle on the tip end side may be set to 45 ° to 60 °.

屈折した前記先端部側の側面には,前記接触部となる錐状の頂部が形成され,前記溝よりも後端部側が水平に維持されたときに鉛直線により前記頂部の内角が等分されるように,前記頂部が形成されていてもよい。   A conical apex serving as the contact portion is formed on the side surface of the refracted front end portion, and the inner angle of the apex portion is equally divided by a vertical line when the rear end portion side is maintained horizontal than the groove. As described above, the top portion may be formed.

別の観点による本発明は,被検査体に接触して被検査体の電気的特性を検査するためのプローブピンを製造する方法であって,基材の直線状の端面から並列的に突出する直線状の複数のピンを形成する工程と,前記複数のピンの先端部側の側面に溝を形成する工程と,前記複数のピンの先端部側を溝の部分から折り曲げる工程と,前記複数のピンを前記基材の端面から切断する工程と,を有することを特徴とする。   Another aspect of the present invention is a method of manufacturing a probe pin for contacting an object to be inspected to inspect the electrical characteristics of the object to be inspected, and protruding in parallel from a linear end surface of a substrate. A step of forming a plurality of straight pins, a step of forming a groove on a side surface of the plurality of pins on the tip end side, a step of bending the tip end side of the plurality of pins from a groove portion, and the plurality of pins Cutting the pin from the end face of the substrate.

前記複数のピンを形成する工程では,フォトリソグラフィー技術を用いて,母型に前記基材と前記複数のピンの型を形成し,当該母型にメッキ技術により前記基材と前記複数のピンを一体的に形成してもよい。   In the step of forming the plurality of pins, a photolithography technique is used to form the base material and the plurality of pin molds on a mother mold, and the matrix and the plurality of pins are formed on the mother mold by a plating technique. You may form integrally.

前記プローブピンの製造方法は,前記母型の前記各ピンの先端部に対応する部分に,錐状の穴を形成する工程を有し,前記メッキ技術により前記母型に前記基材と前記複数のピンを一体的に形成する際に,前記各ピンの先端部側の側面に錐状の頂部が形成され,前記複数のピンの溝よりも後端部側が水平に維持され,前記複数のピンの先端部側が折り曲げられた状態のときに,鉛直線により前記頂部の内角が等分されるように,前記頂部が形成されるようにしてもよい。   The method of manufacturing the probe pin includes a step of forming a conical hole in a portion corresponding to the tip of each pin of the master die, and the base and the plurality of the base die are formed on the master die by the plating technique. When the pins are integrally formed, a conical apex is formed on the side surface on the front end side of each pin, and the rear end side is maintained horizontally with respect to the grooves of the plurality of pins. The top portion may be formed so that the inner angle of the top portion is equally divided by a vertical line when the tip end portion side of the head is bent.

別の観点による本発明は,被検査体に接触して被検査体の電気的特性を検査するためのプローブピンを製造する方法であって,フォトリソグラフィー技術を用いて,母型に,プローブピンの溝の型を直線状の突条に形成する工程と,その後,フォトリソグラフィー技術を用いて,前記母型に,前記溝の型に対し直角方向に交差しなおかつ前記溝の型の直線方向に沿って並列的に並べられた複数のピンの型を形成する工程と,その後,メッキ技術を用いて,前記母型に,溝を有する複数のピンを成型する工程と,前記複数のピンを前記母型から取り外す工程と,前記複数のピンの先端部側を溝の部分から折り曲げる工程と,を有することを特徴とする。なお,ここで言う「フォトリソグラフィー技術を用いて」の内容には,他の技術と併用する場合も含まれる。   According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a probe pin for contacting an object to be inspected and inspecting the electrical characteristics of the object to be inspected. Forming a groove mold of the groove into a straight ridge, and then, using a photolithographic technique, intersecting the mother mold in a direction perpendicular to the groove mold and in a linear direction of the groove mold Forming a plurality of pin molds arranged in parallel along with each other, and subsequently forming a plurality of pins having grooves in the master mold using a plating technique, The method includes a step of removing from the mother die and a step of bending the tip end side of the plurality of pins from the groove portion. In addition, the content of “using photolithography technology” mentioned here includes the case where it is used in combination with other technologies.

本発明によれば,プローブピンの側面に溝が形成され,プローブピンの先端部側がその溝の部分から折り曲げられるので,従来のようにアスペクト比の高い加工を行わなくても,十分に高さのあるプローブピンを製造できる。また,プローブピンに位置精度と寸法精度の高い溝を形成できるので,この溝から屈折したプローブピンも高い精度で形成できる。また,共通の型から複数のプローブピンが形成されるので,同じ溝の位置のプローブピンが一度に多量に形成でき,プローブピンの製造効率を上げることができる。   According to the present invention, since the groove is formed on the side surface of the probe pin and the tip end side of the probe pin is bent from the groove portion, the height is sufficiently high even without processing with a high aspect ratio as in the prior art. Probing pins can be manufactured. Further, since a groove with high positional accuracy and dimensional accuracy can be formed in the probe pin, a probe pin refracted from this groove can also be formed with high accuracy. In addition, since a plurality of probe pins are formed from a common mold, a large number of probe pins at the same groove position can be formed at a time, and the manufacturing efficiency of the probe pins can be increased.

前記複数のピンの型を形成する工程では,前記複数のピンが並列的に接続された基材の型も形成し,前記複数のピンを成型する工程では,前記メッキ技術により,前記複数のピンと前記基材を一体的に成型し,前記複数のピンを前記母型から取り外す工程では,前記基材を前記複数のピンと共に前記母型から取り外し,複数のピンの先端部側を溝の部分から折り曲げた後に,前記複数のピンを前記基材から切断してもよい。   In the step of forming the plurality of pin molds, a substrate mold in which the plurality of pins are connected in parallel is also formed, and in the step of molding the plurality of pins, the plating technique is used to form the plurality of pins. In the step of integrally molding the base material and removing the plurality of pins from the mother die, the base material is removed from the mother die together with the plurality of pins, and the tip end side of the plurality of pins is removed from the groove portion. After the bending, the plurality of pins may be cut from the base material.

前記基材は,直線状の端面を有し,前記複数のピンは,前記基材の端面から並列的に突出するように形成されてもよい。   The base material may have a linear end surface, and the plurality of pins may be formed to protrude in parallel from the end surface of the base material.

前記溝の型を形成する工程と前記複数のピンの型を形成する工程との間において,前記母型の表面に薄膜を被覆してもよい。   A thin film may be coated on the surface of the mother mold between the step of forming the groove mold and the step of forming the plurality of pin molds.

前記プローブピンの溝の型を形成する工程は,前記母型上にレジスト膜を形成し,その母型上のレジスト膜に直線状の溝を形成する工程と,そのレジスト膜の溝にメッキにより型材料を埋設する工程と,前記母型から前記レジスト膜を除去して,前記型材料からなる前記プローブピンの溝の型を形成する工程と,を有するようにしてもよい。   The step of forming the probe pin groove mold includes a step of forming a resist film on the mother mold, forming a linear groove on the resist film on the mother mold, and plating the groove of the resist film by plating. A step of embedding a mold material and a step of removing the resist film from the mother die to form a groove of the probe pin made of the mold material may be included.

本発明によれば,十分に高さのあるプローブピンを高い寸法精度で効率よく製造することができる。   According to the present invention, a sufficiently high probe pin can be efficiently manufactured with high dimensional accuracy.

以下,本発明の好ましい実施の形態について説明する。図1は,プローブ装置1の構成の概略を示す説明図である。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described. FIG. 1 is an explanatory diagram showing an outline of the configuration of the probe device 1.

プローブ装置1には,例えばプローブカード2と,被検査体としてのウェハWを載置する載置台3が設けられている。   The probe device 1 is provided with, for example, a probe card 2 and a mounting table 3 on which a wafer W as an object to be inspected is mounted.

プローブカード2は,例えばウェハWの電極に接触する複数のプローブピン10を下面に支持したコンタクタ11と,プローブピン10に対しコンタクタ11の本体を通じて電気信号を授受するプリント配線基板12を備えている。コンタクタ11とプリント配線基板12は,例えば略円盤状に形成され,プリント配線基板12は,コンタクタ11の上面側にコンタクタ11と通電可能に配置されている。   The probe card 2 includes, for example, a contactor 11 that supports a plurality of probe pins 10 that contact the electrodes of the wafer W on the lower surface, and a printed wiring board 12 that transmits and receives electrical signals to the probe pins 10 through the main body of the contactor 11. . The contactor 11 and the printed wiring board 12 are formed, for example, in a substantially disk shape, and the printed wiring board 12 is arranged on the upper surface side of the contactor 11 so as to be able to energize the contactor 11.

プローブピン10は,例えばコンタクタ11の本体の下面に形成された接続端子11aに接合されている。   The probe pin 10 is joined to a connection terminal 11a formed on the lower surface of the main body of the contactor 11, for example.

プローブピン10は,例えばニッケル合金などの金属の導電性材料により形成されている。プローブピン10は,例えば図2に示すように細長の略直方体形状に形成されている。プローブピン10の下側の側面には,溝20が形成されている。溝20は,例えばプローブピン10の中央よりも先端寄りの所定の位置に,例えば幅50μm,深さ20μm程度に形成されている。プローブピン10の溝20よりも後端部側は,水平に形成され,接続端子11aに接合されている。プローブピン10の溝20よりも先端部側は,溝20の部分から下方側に屈折されている。プローブピン10の先端部側の屈折角θは,例えば45°〜60°の範囲,より好ましくは55°に設定されている。プローブピン10の先端は,例えば図3に示すように平面から見て尖状に形成され,その先端がウェハWとの接触部21になっている。   The probe pin 10 is formed of a metal conductive material such as a nickel alloy. The probe pin 10 is formed in an elongated, substantially rectangular parallelepiped shape, for example, as shown in FIG. A groove 20 is formed on the lower side surface of the probe pin 10. The groove 20 is formed, for example, at a predetermined position closer to the tip than the center of the probe pin 10, for example, with a width of 50 μm and a depth of about 20 μm. The rear end side of the groove 20 of the probe pin 10 is formed horizontally and is joined to the connection terminal 11a. The tip end side of the probe pin 10 with respect to the groove 20 is refracted downward from the groove 20 portion. The refraction angle θ on the distal end side of the probe pin 10 is set, for example, in the range of 45 ° to 60 °, more preferably 55 °. For example, as shown in FIG. 3, the tip of the probe pin 10 is formed in a pointed shape when viewed from above, and the tip is a contact portion 21 with the wafer W.

載置台3は,図1に示すように例えば左右及び上下に移動自在に構成されており,載置したウェハWを三次元移動させ,ウェハW上の所望の位置にプローブカード2のプローブピン10を接触させることができる。   As shown in FIG. 1, the mounting table 3 is configured to be movable left and right and up and down, for example, and three-dimensionally moves the mounted wafer W so that the probe pin 10 of the probe card 2 is moved to a desired position on the wafer W. Can be contacted.

次に,上述したプローブピン10の製造方法について説明する。先ず,図4に示すように方形の平板状の基材30と,その基材30の一端面から並列的に櫛刃状に突出する複数のピン31からなる櫛状体33が形成される。この複数のピン31は,後にプローブピン10となる部分であり,所望のプローブピン10の寸法に合わせて形成される。基材30には,後述する加工時に櫛状体33を所定の位置に固定するための位置決め穴34が形成されている。   Next, a method for manufacturing the probe pin 10 described above will be described. First, as shown in FIG. 4, a comb-like body 33 is formed that includes a rectangular flat plate-like substrate 30 and a plurality of pins 31 protruding in parallel from one end surface of the substrate 30 in a comb-blade shape. The plurality of pins 31 are portions that will later become the probe pins 10, and are formed according to the dimensions of the desired probe pins 10. The base material 30 is formed with a positioning hole 34 for fixing the comb-like body 33 at a predetermined position during processing to be described later.

櫛状体33の形成は,例えばフォトリソグラフィ技術と電鋳技術を用いて行われる。例えば先ず,図5に示すように母型40となるステンレス製の平板上に,フィルム状のレジスト膜Rが成膜される(図5(a))。そのレジスト膜Rが所定のパターンに露光され現像されて,母型40に櫛状体33の型40aが形成される(図5の(b))。その母型40の型40aにニッケル合金がメッキされて櫛状体33が成型される(図5(c))。   The comb-like body 33 is formed using, for example, a photolithography technique and an electroforming technique. For example, first, as shown in FIG. 5, a film-like resist film R is formed on a stainless steel flat plate serving as a mother die 40 (FIG. 5A). The resist film R is exposed to a predetermined pattern and developed to form the mold 40a of the comb-like body 33 on the mother mold 40 ((b) of FIG. 5). The die 40a of the mother die 40 is plated with a nickel alloy to form a comb-like body 33 (FIG. 5 (c)).

次に,母型40が図示しない加工機に固定され,図6に示すように櫛状体33の各ピン31の先端部側に溝20が形成される。各ピン31の溝20は,例えばダイサー切削により一括して形成され,例えば図4に示すように並列的に配置された複数のピン31に対し直交する直線Lに沿って形成される。これにより,各ピン31の溝20は,先端部からの等距離の位置に形成される。なお,この溝20は,エッチング加工により形成されてもよい。溝20の形成後,櫛状体33は,母型40から取り外される。   Next, the mother die 40 is fixed to a processing machine (not shown), and the groove 20 is formed on the tip end side of each pin 31 of the comb 33 as shown in FIG. The groove 20 of each pin 31 is formed in a lump by, for example, dicer cutting, and is formed along a straight line L orthogonal to the plurality of pins 31 arranged in parallel as shown in FIG. Thereby, the groove | channel 20 of each pin 31 is formed in the position of equal distance from a front-end | tip part. The groove 20 may be formed by etching. After forming the groove 20, the comb-like body 33 is removed from the mother die 40.

その後,図7に示すように各ピン31の溝20よりも先端部側が,溝20のある側に角度θだけ屈折される。このピン31の屈折は,例えばプレス加工により行われる。その後,各ピン31が,例えばダイサーにより基材30の端面から切断され,同じ形状の複数のプローブピン10が形成される。形成されたプローブピン10は,上述したように溝20が下側を向いて先端部側が下方に折り曲がるようにコンタクタ11の下面に接合される。   Thereafter, as shown in FIG. 7, the tip end side of each pin 31 with respect to the groove 20 is refracted by an angle θ toward the side where the groove 20 is present. The refraction of the pin 31 is performed, for example, by pressing. Then, each pin 31 is cut | disconnected from the end surface of the base material 30 with a dicer, for example, and the several probe pin 10 of the same shape is formed. As described above, the formed probe pin 10 is joined to the lower surface of the contactor 11 so that the groove 20 faces downward and the tip end side is bent downward.

ウェハW上の電子素子の電気的特性が検査される際には,ウェハWが載置台3上に載置され,ウェハWが載置台3によってコンタクタ11側に上昇される。そして,ウェハWの各電極が対応するプローブピン10の接触部21に接触される。プリント配線基板12とコンタクタ11を介し,プローブピン10を通じてウェハWとの間で電気信号が授受されて,ウェハW上の電子素子の電気的特性が検査される。   When the electrical characteristics of the electronic elements on the wafer W are inspected, the wafer W is placed on the mounting table 3, and the wafer W is raised to the contactor 11 side by the mounting table 3. Then, each electrode of the wafer W is brought into contact with the contact portion 21 of the corresponding probe pin 10. An electrical signal is exchanged with the wafer W through the probe pin 10 via the printed wiring board 12 and the contactor 11, and the electrical characteristics of the electronic elements on the wafer W are inspected.

以上の実施の形態によれば,プローブピン10に溝20が形成され,プローブピン10の先端部側が溝20の部分から屈折しているので,従来のようにアスペクト比の高い一体成型を行わなくても,十分に高さのある接触部21を形成できる。また,アスペクト比の高い一体成型をする必要がないので,生産性を上げることができる。溝20の位置から屈折しているので,接触部21の位置や高さが安定し,寸法精度の高いプローブピン10を形成できる。さらに,溝20の位置や屈折角度を調整することにより,接触部21の高さを容易に設定できる。   According to the above embodiment, since the groove 20 is formed in the probe pin 10 and the tip end side of the probe pin 10 is refracted from the groove 20, the integral molding with a high aspect ratio is not performed as in the prior art. However, the contact portion 21 having a sufficiently high height can be formed. In addition, since it is not necessary to perform integral molding with a high aspect ratio, productivity can be increased. Since the light is refracted from the position of the groove 20, the position and height of the contact portion 21 are stabilized, and the probe pin 10 with high dimensional accuracy can be formed. Furthermore, the height of the contact portion 21 can be easily set by adjusting the position of the groove 20 and the refraction angle.

また,プローブピン10の先端を尖状にして接触部21にしたので,接触部21とウェハWとの間で高い接触圧を確保することができ,プローブピン10による検査を安定させることができる。   Moreover, since the tip of the probe pin 10 is pointed to form the contact portion 21, a high contact pressure can be secured between the contact portion 21 and the wafer W, and the inspection by the probe pin 10 can be stabilized. .

プローブピン10の屈折角度θを45°〜60°の範囲に設定したので,さらにプローブピン10とウェハWとの接触を安定させることができる。   Since the refraction angle θ of the probe pin 10 is set in the range of 45 ° to 60 °, the contact between the probe pin 10 and the wafer W can be further stabilized.

以上の実施の形態によれば,プローブピン10を製造するにあたって,基材30と複数のピン31からなる櫛状体33を形成し,その状態で一括して複数のピン31に溝20を形成し,さらに各ピン31の先端部側を溝20の部分から折り曲げるようにしたので,同じ寸法のプローブピン10を一度に多数個製造でき,高い寸法精度を有するプローブピン10を高い生産性で製造できる。   According to the above embodiment, when manufacturing the probe pin 10, the comb-like body 33 including the base material 30 and the plurality of pins 31 is formed, and the grooves 20 are formed in the plurality of pins 31 in this state. In addition, since the tip end side of each pin 31 is bent from the groove 20, a large number of probe pins 10 having the same dimensions can be manufactured at a time, and probe pins 10 having high dimensional accuracy can be manufactured with high productivity. it can.

また,フォトリソグラフィ技術により母型40に,櫛状体33の型40aを形成し,その型40aに電鋳技術により櫛状体33を一体成型したので,高い寸法精度の櫛状体33を比較的簡単に形成できる。   In addition, since the comb 40a of the comb-like body 33 is formed on the mother die 40 by the photolithography technique, and the comb-like body 33 is integrally formed on the mold 40a by the electroforming technique, the comb-like body 33 having high dimensional accuracy is compared. Can be formed easily.

櫛状体33の基材30には,位置決め穴34が形成されているので,ピン31に対する高い精度の加工を実現できる。   Since the positioning hole 34 is formed in the base material 30 of the comb-like body 33, high-precision processing for the pin 31 can be realized.

以上の実施の形態では,プローブピン10の先端が尖状に形成されていたが,図8に示すようにプローブピン10の先端は,幅が一定の突起状に形成されて接触部21になっていてもよい。このときの突起の幅は,例えば10μm〜15μm程度に設定される。かかる場合,プローブピン10とウェハWとの多数回の接触によりプローブピン10の接触部21が磨耗しても,接触部21の幅が一定に維持されるので,プローブピン10とウェハWとの接触を安定させることができる。これにより,安定した検査を持続させることができる。   In the above embodiment, the tip of the probe pin 10 is formed in a pointed shape. However, as shown in FIG. 8, the tip of the probe pin 10 is formed in a protrusion shape having a constant width and becomes a contact portion 21. It may be. The width of the protrusion at this time is set to about 10 μm to 15 μm, for example. In such a case, even if the contact portion 21 of the probe pin 10 is worn due to multiple contact between the probe pin 10 and the wafer W, the width of the contact portion 21 is maintained constant. Contact can be stabilized. As a result, stable inspection can be maintained.

以上の実施の形態では,プローブピン10の先端が接触部21になっていたが,図9に示すようにプローブピン10の先端部側の側面に,四角錐状の頂部50を形成して,その頂部50を接触部21にしてもよい。この場合,頂部50は,プローブピン10の溝20と同じ側面に形成される。図10に示すように,プローブピン10の溝20より後端部側が水平の状態でコンタクタ11の接触端子11aに接合されたときに,鉛直線Zが頂部50の内角θ1を2等分するように,頂部50が形成される。   In the above embodiment, the tip of the probe pin 10 is the contact portion 21, but as shown in FIG. 9, a square pyramid top 50 is formed on the side surface of the probe pin 10 on the tip side. The top portion 50 may be the contact portion 21. In this case, the top 50 is formed on the same side as the groove 20 of the probe pin 10. As shown in FIG. 10, when the rear end side of the groove 20 of the probe pin 10 is horizontal and joined to the contact terminal 11a of the contactor 11, the vertical line Z bisects the inner angle θ1 of the top 50. Then, the top 50 is formed.

ここで,頂部50を有するプローブピン10の形成方法を説明する。図11に示すように所定角度傾けられた例えばダイアモンド製の錐60により,上述のステンレス製の母型40に,頂部50の型となる穴61が空けられる(図11の(a))。この穴61は,後にピン31の先端部側の型40aになる位置に空けられる。このときの錐60の傾き角度により,頂部50の向きが設定される。この錐60の傾き角度は,最終的なプローブピン10の屈折角度θ2(図10に示す)になり,この錐60の傾き角度θ2がθ1/2よりも大きくなると,鉛直線Zにより2等分するような頂部50の内角θ1が形成できなくなる。このため,θ2<θ1/2の条件を満たすように,錐60の傾き角度θ2が設定される。なお,頂部50の内角θ1が70°の場合,θ2は,例えば30°程度が望ましい。その後,母型40には,櫛状体33の型40aとなるレジストパターンが形成される(図11の(b))。その後電鋳により,母型40に櫛状体33が成型される(図11の(c))。櫛状体33が母型40から取り出され,頂部50のあるピン31を有する櫛状体33が形成される(図11の(d))。その後,上述したようにピン31に溝20が形成され,ピン31の先端部側が折り曲げられ,ピン31が基材30から切断されて,プローブピン10が形成される。   Here, a method of forming the probe pin 10 having the top 50 will be described. As shown in FIG. 11, a hole 61 serving as a mold for the top 50 is formed in the above-described stainless steel mother die 40 by, for example, a diamond cone 60 inclined at a predetermined angle ((a) of FIG. 11). The hole 61 is opened at a position to be the die 40a on the tip end side of the pin 31 later. The direction of the top 50 is set according to the inclination angle of the cone 60 at this time. The inclination angle of the cone 60 becomes the final refraction angle θ2 (shown in FIG. 10) of the probe pin 10, and when the inclination angle θ2 of the cone 60 becomes larger than θ1 / 2, the vertical line Z bisects the angle. Thus, the inner angle θ1 of the top 50 cannot be formed. Therefore, the inclination angle θ2 of the cone 60 is set so as to satisfy the condition of θ2 <θ1 / 2. When the internal angle θ1 of the top 50 is 70 °, θ2 is preferably about 30 °, for example. Thereafter, a resist pattern to be the mold 40a of the comb-shaped body 33 is formed on the mother mold 40 ((b) of FIG. 11). Thereafter, the comb-like body 33 is formed on the mother die 40 by electroforming ((c) of FIG. 11). The comb-like body 33 is taken out from the mother die 40, and the comb-like body 33 having the pin 31 with the top 50 is formed ((d) of FIG. 11). Thereafter, as described above, the groove 20 is formed in the pin 31, the tip end side of the pin 31 is bent, the pin 31 is cut from the base material 30, and the probe pin 10 is formed.

かかる例によれば,プローブピン10の屈折した先端部に頂部50が形成され,その頂部50は,内角θ1が鉛直線Zにより2等分されるように形成されるので,プローブピン10とウェハWとの接触時に,プローブピン10からウェハWに作用する力の鉛直方向の成分が大きくなり,プローブピン10とウェハWとの接触を安定させることができる。また,母型40に錐60により穴61を空けて,電鋳により頂部50を櫛状体33と一体成型したので,頂部50を有するプローブピン10を比較的少ない工程で簡単に形成できる。   According to such an example, the apex 50 is formed at the refracted tip of the probe pin 10, and the apex 50 is formed so that the inner angle θ1 is divided into two equal parts by the vertical line Z. At the time of contact with W, the vertical component of the force acting on the wafer W from the probe pin 10 is increased, and the contact between the probe pin 10 and the wafer W can be stabilized. Further, since the hole 61 is formed by the cone 60 in the mother die 40 and the top portion 50 is integrally formed with the comb-like body 33 by electroforming, the probe pin 10 having the top portion 50 can be easily formed with relatively few steps.

なお,上記例において頂部50の形状は,四角錐に限られず,他の角錐形状であってもよく,また円錐形状であってもよい。また,図12に示すように頂部50の先端部に微小な平坦面50aを形成してもよい。こうすることにより,プローブピン10とウェハWとの接触をさらに安定させ,また接触による頂部50の先端部の磨耗を抑制できる。   In addition, in the said example, the shape of the top part 50 is not restricted to a quadrangular pyramid, Another pyramid shape may be sufficient, and a cone shape may be sufficient. Further, as shown in FIG. 12, a minute flat surface 50a may be formed at the tip of the top 50. By doing so, the contact between the probe pin 10 and the wafer W can be further stabilized, and the wear of the tip portion of the top 50 due to the contact can be suppressed.

次に,第2の実施の形態にかかるプローブピン10の製造方法について説明する。先ず,図4に示した櫛状体33は,例えばフォトリソグラフィ技術と電鋳技術を用いて形成される。例えば図13(a)に示すように先ず母型40となるステンレス製の平板上に,フィルム状のレジスト膜Rが成膜される。次に,レジスト膜Rが図13(b)に示すように所定のパターンに露光され現像されて,レジスト膜Rに,直線状で一定幅の溝R1が形成される。その後,図13(c)に示すようにレジスト膜Rの溝R1に,例えば型材料であるニッケルが電鋳によりメッキされ,溝R1がニッケルにより埋められる。その後レジスト膜Rが除去されて,図13(d)に示すように母型40に,プローブピン10の溝の型40b(バンプ)が形成される。溝の型40bは,図14に示すように所定方向(X方向)に向けた直線状の突条に形成される。その後,母型40の表面全体には,メッキ処理或いはスパッタ処理により,溝の型40bを覆うように薄膜が被覆される。これにより,溝の型40bと母型40本体との接着性が向上され,また,母型40と櫛状体33との剥離性が向上する。   Next, a method for manufacturing the probe pin 10 according to the second embodiment will be described. First, the comb-like body 33 shown in FIG. 4 is formed using, for example, a photolithography technique and an electroforming technique. For example, as shown in FIG. 13A, first, a film-like resist film R is formed on a stainless steel flat plate serving as a mother die 40. Next, the resist film R is exposed to a predetermined pattern and developed as shown in FIG. 13B, and a linear, constant width groove R1 is formed in the resist film R. Thereafter, as shown in FIG. 13C, the groove R1 of the resist film R is plated with, for example, nickel, which is a mold material, and the groove R1 is filled with nickel. Thereafter, the resist film R is removed, and a groove mold 40b (bump) of the probe pin 10 is formed on the mother mold 40 as shown in FIG. As shown in FIG. 14, the groove mold 40b is formed in a linear protrusion extending in a predetermined direction (X direction). Thereafter, the entire surface of the mother die 40 is coated with a thin film so as to cover the groove die 40b by plating or sputtering. As a result, the adhesion between the groove mold 40b and the mother body 40 is improved, and the peelability between the mother mold 40 and the comb 33 is improved.

続いて,図15(a)に示すように母型40に,再びフィルム状のレジスト膜Rが成膜される。次に図15(b)に示すようにレジスト膜Rが所定のパターンに露光され現像されて,母型40に,基材30の型とピン31の型からなる櫛状体33の型40cが形成される。この際,図16に示すようにピン31の型40dは,溝の型40bと直交し,溝の型40bの形成方向(X方向)に並列的に並ぶように形成される。   Subsequently, as shown in FIG. 15A, a film-like resist film R is formed again on the mother die 40. Next, as shown in FIG. 15 (b), the resist film R is exposed to a predetermined pattern and developed, and a die 40 c of a comb-like body 33 made up of a die of the substrate 30 and a die of the pin 31 is formed on the mother die 40. It is formed. At this time, as shown in FIG. 16, the die 40d of the pin 31 is formed so as to be orthogonal to the groove die 40b and arranged in parallel in the forming direction (X direction) of the groove die 40b.

図15(c)に示すように母型40の型40cに例えばニッケル合金が電鋳によりメッキされて櫛状体33が成型される。その後,例えば洗浄処理により図17に示すように母型40からレジスト膜Rが取り除かれる。次に図18に示すように櫛状体33が母型40から取り外されて,櫛状体33が出来上がる。このとき,櫛状体33の各ピン31の溝20は,例えば図6に示したようにピン31に対し直交するX方向の直線L上に形成されている。このように各ピン31の溝20は,先端部から等距離の所定位置に形成されている。   As shown in FIG. 15C, for example, a nickel alloy is plated on the mold 40 c of the mother mold 40 by electroforming to mold the comb-like body 33. Thereafter, the resist film R is removed from the mother die 40 as shown in FIG. Next, as shown in FIG. 18, the comb-shaped body 33 is removed from the mother die 40, and the comb-shaped body 33 is completed. At this time, the groove 20 of each pin 31 of the comb 33 is formed on a straight line L in the X direction orthogonal to the pin 31 as shown in FIG. Thus, the groove 20 of each pin 31 is formed at a predetermined position equidistant from the tip.

次に,上記第1の実施の形態と同様に,プレス加工により,図7に示すように各ピン31の溝20よりも先端部側が,溝20のある側に角度θだけ屈折される。その後,各ピン31が,例えばダイサーにより基材30の端面から切断され,同じ形状の複数のプローブピン10が形成される。   Next, as in the first embodiment, the tip side of each pin 31 is refracted by an angle θ to the side where the groove 20 is located, as shown in FIG. Then, each pin 31 is cut | disconnected from the end surface of the base material 30 with a dicer, for example, and the several probe pin 10 of the same shape is formed.

以上の実施の形態によれば,フォトリソグラフィー技術を用いて,溝の型40bを母型40に形成し,その母型40に,フォトリソグラフィー技術により櫛状体33の型40cを形成し,さらに電鋳技術により,その母型40に櫛状体33を成型している。このように,微細加工が可能なフォトリソグラフィー技術を用いて溝の型40bを形成し,その型40bによってプローブピン10に溝20を形成しているので,位置精度と寸法精度が高い溝20をピン31に形成できる。そして,その溝20の部分から曲げてプローブピン10を形成しているので,精度の高いプローブピン10を形成できる。   According to the embodiment described above, the groove mold 40b is formed in the mother mold 40 by using the photolithography technique, and the mold 40c of the comb-like body 33 is formed in the mother mold 40 by the photolithography technique. A comb-like body 33 is formed on the mother die 40 by electroforming technology. As described above, the groove mold 40b is formed by using a photolithography technique capable of fine processing, and the groove 20 is formed in the probe pin 10 by the mold 40b. Therefore, the groove 20 having high positional accuracy and dimensional accuracy is formed. The pin 31 can be formed. Since the probe pin 10 is formed by bending from the groove 20, the probe pin 10 with high accuracy can be formed.

また,溝の型40bが直線の突条に形成され,各ピン31の型40dが溝の型40bに直交しなおかつその型40bの形成方向に沿って並列的に形成されるので,同じ溝20を有するプローブピン10を一度の大量に形成できる。これによって,プローブピン10の製造効率を向上できる。   In addition, the groove mold 40b is formed in a straight protrusion, and the mold 40d of each pin 31 is formed orthogonally to the groove mold 40b and in parallel along the forming direction of the mold 40b. A large number of probe pins 10 having the following can be formed. Thereby, the manufacturing efficiency of the probe pin 10 can be improved.

以上の実施の形態では,母型40に,複数のピン31と基材30が一体となった櫛状体33の型40cを形成し,複数のピン31と基材30を一体成型したので,複数のピン31を基材30に取り付けた状態で一括して曲げることができる。これにより,各プローブピン10の曲げ位置や曲げ角度を一致させることができる。   In the above embodiment, the mold 40c of the comb-like body 33 in which the plurality of pins 31 and the base material 30 are integrated is formed on the mother die 40, and the plurality of pins 31 and the base material 30 are integrally molded. A plurality of pins 31 can be bent together in a state of being attached to the substrate 30. Thereby, the bending position and bending angle of each probe pin 10 can be matched.

溝の型40bが形成された後に,母型40の表面全面に薄膜のメッキ処理を施したので,溝の型40bと母型40との接着性を高めることができる。この結果,櫛状体33を母型40から取り外す際に,溝の型40bがプローブピン10と共に母型40から剥離することを防止できる。   After the groove mold 40b is formed, the entire surface of the mother mold 40 is plated with a thin film, so that the adhesion between the groove mold 40b and the mother mold 40 can be improved. As a result, when the comb-like body 33 is removed from the mother die 40, the groove die 40b can be prevented from peeling off from the mother die 40 together with the probe pins 10.

以上,添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが,本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば,特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において,各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり,それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。例えば以上の実施の形態において,ピン31と共に一体成型された基材30は,方形の平板形状であったが,他の形状であってもよい。また基材30がなく,ピン31だけを成型してもよい。また,フォトリソグラフィ技術を用いて加工する際のレジストは,フィルム以外の液体のものであってもよい。母型40の材質は,ステンレス鋼に限られず,導電性のあるもの,或いは非導電性の基材の表面に導電性の素材を被覆したものであってもよい。溝の型40bやプローブピン10の材質も,ニッケルに限られず,他の電着金属であってもよい。本発明は,被検査体がウェハW以外のFPD(フラットパネルディスプレイ),フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。   The preferred embodiment of the present invention has been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such an example. It will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made within the scope of the spirit described in the claims, and these are naturally within the technical scope of the present invention. It is understood that it belongs. For example, in the above embodiment, the base material 30 integrally formed with the pins 31 has a rectangular flat plate shape, but may have other shapes. Further, only the pin 31 may be molded without the base material 30. In addition, the resist used for processing using a photolithography technique may be a liquid other than a film. The material of the mother die 40 is not limited to stainless steel, and may be a conductive material or a non-conductive base material coated with a conductive material. The material of the groove mold 40b and the probe pin 10 is not limited to nickel, and may be another electrodeposited metal. The present invention can also be applied to the case where the object to be inspected is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than the wafer W, a mask reticle for a photomask, or the like.

本発明は,高い寸法精度で高さのあるプローブピンを実現する際に有用である。   The present invention is useful in realizing a high probe pin with high dimensional accuracy.

プローブ装置の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of a probe apparatus. プローブピンの取付け部の構成を示す縦断面の説明図である。It is explanatory drawing of the longitudinal cross-section which shows the structure of the attachment part of a probe pin. プローブピンの平面図である。It is a top view of a probe pin. 櫛状体の平面図である。It is a top view of a comb-shaped body. (a)は,母型にレジスト膜を成膜した状態を示す縦断面の説明図である。(b)は,母型に櫛状体の型を形成した状態を示す縦断面の説明図である。(c)は,母型に櫛状体を形成した状態を示す縦断面の説明図である。(A) is explanatory drawing of the longitudinal cross-section which shows the state which formed the resist film into the mother mold. (b) is explanatory drawing of the longitudinal cross-section which shows the state which formed the type | mold of the comb-like body in the mother die. (C) is explanatory drawing of the longitudinal cross-section which shows the state which formed the comb-shaped body in the mother die. 櫛状体の複数のピンの拡大図である。It is an enlarged view of a plurality of pins of a comb-like object. ピンが曲げられた状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state in which the pin was bent. 先端に突起が形成されたプローブピンの平面図である。It is a top view of the probe pin in which the protrusion was formed at the tip. 頂部を有するプローブピンの斜視図である。It is a perspective view of the probe pin which has a top part. 頂部を有するプローブピンをコンタクタに取り付けた状態の説明図である。It is explanatory drawing of the state which attached the probe pin which has a top part to the contactor. (a)は,母型に錐により穴を空けた状態を示す縦断面の説明図である。(b)は,母型に頂部のある櫛状体の型を形成した状態を示す縦断面の説明図である。(c)は,母型に頂部のある櫛状体を形成した状態を示す縦断面の説明図である。(d)は,櫛状体を母型から取り外した状態を示す縦断面の説明図である。(A) is explanatory drawing of the longitudinal cross-section which shows the state which opened the hole by the cone in the mother die. (B) is explanatory drawing of the longitudinal cross-section which shows the state in which the type | mold of the comb-like body which has a top part in the mother die was formed. (C) is explanatory drawing of the longitudinal cross-section which shows the state which formed the comb-like body which has a top part in a mother die. (D) is explanatory drawing of the longitudinal cross-section which shows the state which removed the comb-shaped body from the mother mold. 頂部に平坦面を有するプローブピンの平面図である。It is a top view of the probe pin which has a flat surface at the top. (a)は,母型にレジスト膜を成膜した状態を示す縦断面の説明図である。(b)は,母型のレジスト膜に溝を形成した状態を示す縦断面の説明図である。(c)は,レジスト膜の溝にニッケルを埋設した状態を示す縦断面の説明図である。(d)は,母型に溝の型を形成した状態を示す縦断面の説明図である。(A) is explanatory drawing of the longitudinal cross-section which shows the state which formed the resist film into the mother mold. (B) is an explanatory view of a longitudinal section showing a state in which a groove is formed in a mother resist film. (C) is explanatory drawing of the longitudinal cross-section which shows the state which embed | buried nickel in the groove | channel of the resist film. (D) is explanatory drawing of the longitudinal cross-section which shows the state which formed the type | mold of the groove | channel in the mother die. 溝の型が形成された母型の斜視図である。It is a perspective view of a mother mold in which a mold of a groove is formed. (a)は,溝の型が形成された母型にレジスト膜を成膜した状態を示す縦断面の説明図である。(b)は,母型に櫛状体の型を形成した状態を示す縦断面の説明図である。(c)は,母型に櫛状体を形成した状態を示す縦断面の説明図である。(A) is explanatory drawing of the longitudinal cross-section which shows the state which formed the resist film into the mother die in which the type | mold of the groove | channel was formed. (b) is explanatory drawing of the longitudinal cross-section which shows the state which formed the type | mold of the comb-like body in the mother die. (C) is explanatory drawing of the longitudinal cross-section which shows the state which formed the comb-shaped body in the mother die. 櫛状体の型が形成された状態の母型の一部の斜視図である。It is a perspective view of a part of a mother die in a state where a comb-like die is formed. レジスト膜が除去された状態の母型の一部の斜視図である。It is a perspective view of a part of a mother die in a state where a resist film is removed. 櫛状体を母型から取り外した様子を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a mode that the comb-shaped body was removed from the mother die. 従来のプローブピンを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the conventional probe pin.

符号の説明Explanation of symbols

1 プローブ装置
2 プローブカード
10 プローブピン
11 コンタクタ
11a 接続端子
20 溝
21 接触部
W ウェハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Probe apparatus 2 Probe card 10 Probe pin 11 Contactor 11a Connection terminal 20 Groove 21 Contact part W Wafer

Claims (13)

被検査体に接触して被検査体の電気的特性を検査するためのプローブピンであって,
側面に溝を有し,
被検査体と接触する接触部のある先端部側が前記溝の部分から屈折していることを特徴とする,プローブピン。
A probe pin for contacting an object to be inspected to inspect the electrical characteristics of the object to be inspected,
Has a groove on the side,
A probe pin, characterized in that a tip end side having a contact portion that comes into contact with an object to be inspected is refracted from the groove portion.
前記先端部側の先端が尖状に形成されて前記接触部になっていることを特徴とする,請求項1に記載のプローブピン。 2. The probe pin according to claim 1, wherein a tip on the tip end side is formed in a pointed shape to form the contact portion. 前記先端部側の先端は,幅が一定の突起状に形成されて前記接触部になっていることを特徴とする,請求項1に記載のプローブピン。 2. The probe pin according to claim 1, wherein the tip on the tip portion side is formed in a protrusion shape having a constant width and serves as the contact portion. 前記先端部側の屈折角は,45°〜60°に設定されていることを特徴とする,請求項1〜3のいずれかに記載のプローブピン。 The probe pin according to any one of claims 1 to 3, wherein a refraction angle on the tip end side is set to 45 ° to 60 °. 屈折した前記先端部側の側面には,前記接触部となる錐状の頂部が形成され,
前記溝よりも後端部側が水平に維持されたときに鉛直線により前記頂部の内角が等分されるように,前記頂部が形成されていることを特徴とする,請求項1に記載のプローブピン。
On the side surface of the refracted tip portion side, a cone-shaped top portion serving as the contact portion is formed,
2. The probe according to claim 1, wherein the top portion is formed so that an inner angle of the top portion is equally divided by a vertical line when a rear end side of the groove is maintained horizontally. 3. pin.
被検査体に接触して被検査体の電気的特性を検査するためのプローブピンを製造する方法であって,
基材の直線状の端面から並列的に突出する直線状の複数のピンを形成する工程と,
前記複数のピンの先端部側の側面に溝を形成する工程と,
前記複数のピンの先端部側を溝の部分から折り曲げる工程と,
前記複数のピンを前記基材の端面から切断する工程と,を有することを特徴とする,プローブピンの製造方法。
A method of manufacturing a probe pin for contacting an object to be inspected to inspect the electrical characteristics of the object to be inspected,
Forming a plurality of linear pins protruding in parallel from the linear end surface of the substrate;
Forming a groove on a side surface on a tip side of the plurality of pins;
Bending the tip end side of the plurality of pins from the groove portion;
And a step of cutting the plurality of pins from an end surface of the base material.
前記複数のピンを形成する工程では,フォトリソグラフィー技術を用いて,母型に前記基材と前記複数のピンの型を形成し,当該母型にメッキ技術により前記基材と前記複数のピンを一体的に形成することを特徴とする,請求項6に記載のプローブピンの製造方法。 In the step of forming the plurality of pins, a photolithography technique is used to form the base material and the plurality of pin molds on a mother mold, and the matrix and the plurality of pins are formed on the mother mold by a plating technique. The method of manufacturing a probe pin according to claim 6, wherein the probe pin is formed integrally. 前記母型の前記各ピンの先端部に対応する部分に,錐状の穴を形成する工程を有し,
前記メッキ技術により前記母型に前記基材と前記複数のピンを一体的に形成する際に,前記各ピンの先端部側の側面に錐状の頂部が形成され,
前記複数のピンの溝よりも後端部側が水平に維持され,前記複数のピンの先端部側が折り曲げられた状態のときに,鉛直線により前記頂部の内角が等分されるように,前記頂部が形成されることを特徴とする,請求項7に記載のプローブピンの製造方法。
A step of forming a conical hole in a portion corresponding to the tip of each pin of the matrix;
When the base material and the plurality of pins are integrally formed on the matrix by the plating technique, a conical top is formed on the side surface on the tip end side of each pin,
When the rear end side of the plurality of pins is kept horizontal and the front end side of the plurality of pins is bent, the top angle is equally divided by the vertical line. The method for manufacturing a probe pin according to claim 7, wherein:
被検査体に接触して被検査体の電気的特性を検査するためのプローブピンを製造する方法であって,
フォトリソグラフィー技術を用いて,母型に,プローブピンの溝の型を直線状の突条に形成する工程と,
その後,フォトリソグラフィー技術を用いて,前記母型に,前記溝の型に対し直角方向に交差しなおかつ前記溝の型の直線方向に沿って並列的に並べられた複数のピンの型を形成する工程と,
その後,メッキ技術を用いて,前記母型に,溝を有する複数のピンを成型する工程と,
前記複数のピンを前記母型から取り外す工程と,
前記複数のピンの先端部側を溝の部分から折り曲げる工程と,を有することを特徴とする,プローブピンの製造方法。
A method of manufacturing a probe pin for contacting an object to be inspected to inspect the electrical characteristics of the object to be inspected,
Using a photolithographic technique, forming a probe pin groove mold into a linear protrusion on the master mold;
Thereafter, using a photolithography technique, a plurality of pin dies that intersects with the groove die in a direction perpendicular to the groove die and is arranged in parallel along the linear direction of the groove die is formed on the master die. Process,
Then, using a plating technique, forming a plurality of pins having grooves in the matrix,
Removing the plurality of pins from the matrix;
And a step of bending the tip end side of the plurality of pins from the groove portion.
前記複数のピンの型を形成する工程では,前記複数のピンが並列的に取り付けられる基材の型も形成し,
前記複数のピンを成型する工程では,前記メッキ技術により,前記複数のピンと前記基材を一体的に成型し,
前記複数のピンを前記母型から取り外す工程では,前記基材を前記複数のピンと共に前記母型から取り外し,
複数のピンの先端部側を溝の部分から折り曲げた後に,前記複数のピンを前記基材から切断することを特徴とする,請求項9に記載のプローブピンの製造方法。
In the step of forming the plurality of pin molds, a base mold to which the plurality of pins are attached in parallel is also formed,
In the step of molding the plurality of pins, the plurality of pins and the base material are integrally molded by the plating technique,
In the step of removing the plurality of pins from the matrix, the substrate is removed from the matrix together with the plurality of pins,
The probe pin manufacturing method according to claim 9, wherein the plurality of pins are cut from the base material after the front end side of the plurality of pins is bent from the groove portion.
前記基材は,直線状の端面を有し,前記複数のピンは,前記基材の端面から並列的に突出するように形成されることを特徴とする,請求項10に記載のプローブピンの製造方法。 The probe pin according to claim 10, wherein the base member has a linear end surface, and the plurality of pins are formed to protrude in parallel from the end surface of the base member. Production method. 前記溝の型を形成する工程と前記複数のピンの型を形成する工程との間において,前記母型の表面に薄膜を被覆することを特徴とする,請求項9〜11のいずれかに記載のプローブピンの製造方法。 The thin film is coated on the surface of the mother die between the step of forming the groove die and the step of forming the plurality of pin die. Manufacturing method of the probe pin. 前記プローブピンの溝の型を形成する工程は,
前記母型上にレジスト膜を形成し,その母型上のレジスト膜に直線状の溝を形成する工程と,
そのレジスト膜の溝にメッキにより型材料を埋設する工程と,
前記母型から前記レジスト膜を除去して,前記型材料からなる前記プローブピンの溝の型を形成する工程と,を有することを特徴とする,請求項9〜12のいずれかに記載のプローブピンの製造方法。
Forming the probe pin groove mold,
Forming a resist film on the matrix and forming a linear groove in the resist film on the matrix;
Embedding a mold material in the resist film groove by plating;
The probe according to claim 9, further comprising a step of removing the resist film from the matrix and forming a groove mold of the probe pin made of the mold material. Pin manufacturing method.
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