JP2007141505A - フレキシブルフラットケーブル端子部 - Google Patents

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Abstract

【課題】耐食性に優れると共に挿抜特性が良好であり、さらに挿抜後にクラックの発生がないフレキシブルフラットケーブルの端子部を提供すること。さらには前述の効果に加えて、大気中に暴露しても接触抵抗の著しい増加がないフレキシブルフラットケーブルの端子部を提供することにある。
【解決手段】少なくともコネクタと嵌合されるフレキシブルフラットケーブル端子部の銅或いは銅合金配線上に、厚さ0.3〜5.0μmのニッケルめっき層、厚さ0.03〜1.0μmのパラジウム基合金めっき層が順次形成されたフレキシブルフラットケーブル端子部とすることによって、解決される。
【選択図】なし

Description

本発明は、耐食性や挿抜耐久性に優れたフレキシブルフラットケーブルの端子部に関するものである。
電子機器等に用いられる部品や配線基板等には、銅や銅合金が配線として多く使用されている。そして、これ等を他の配線基板等と電気的に接続する場合、半田付や超音波接合などの金属結合によって接合する他にコネクタ接続も多く行われている。そしてコネクタ接続する場合には、配線とコネクタの接触抵抗を低くして導通不良をなくすために銅配線端子に表面処理が通常行われている。例えば、金、錫−パラジウム合金等による電解めっき処理である。しかしながら、金めっきはコスト的に高くなる問題があり、また鉛を含む合金によるめっき処理では、鉛が溶出して環境を汚染する問題が指摘されており、鉛フリー化も望まれている。このために、純錫めっきや鉛を含まない錫合金系のめっきが検討されている。しかし純錫めっきや鉛を含まない錫合金めっきの場合には、銅配線端子部をコネクタと嵌合して使用すると、コネクタのピンによって押付けられた箇所の周辺のめっき皮膜から、ウイスカーと称する髭状の結晶が急速に発生してくることが確認されている。このようなウイスカーの発生は、配線どうしの短絡につながる問題がある。また前記の現象は、純錫めっきや鉛を含まない錫系合金めっきに於いて顕著であることも判ってきた。このため、銅配線端子の表面処理として純錫に変えて金/ニッケル(以下Au/Ni)も考えられているが、Auめっき層が薄いとピンホール等が生じてNiめっき層を腐食させることがある。このことは接触抵抗を増加させて好ましくない。しかしながらAuめっきは高価なために、厚くすると製品コストを高くすることになり好ましくない。
一方、ワイヤボンディングの接合性を向上させる目的で、銅の表面に無電解ニッケルめっき皮膜、置換パラジウムめっき皮膜または無電解パラジウムめっき皮膜、置換金めっき皮膜、無電解金めっき皮膜を、この順に形成するのが良いことが特許文献1に見られる。しかしながら、この技術は接触抵抗を確保する点からは良いが、コネクタ嵌合を行うために挿抜を複数回繰り返すと、耐摩耗性が十分でないために接触不良を生じる問題があった。
特開平9−8438号公報
よって本発明が解決しようとする課題は、耐食性に優れると共にコネクタとの挿抜特性が良好であり、さらに挿抜後にクラックの発生がないフレキシブルフラットケーブルの端子部を提供すること。さらには前述の効果に加えて、大気中に暴露しても接触抵抗が著しく増加することがないフレキシブルフラットケーブルの端子部を提供することにある。
前記解決しようとする課題は、請求項1に記載されるように、少なくともコネクタと嵌合されるフレキシブルフラットケーブル端子部の銅或いは銅合金配線上に、厚さ0.3〜5.0μmのニッケルめっき層、厚さ0.03〜1.0μmのパラジウム基合金めっき層が順次形成されたフレキシブルフラットケーブル端子部とすることによって、解決される。
また請求項2に記載されるように、前記パラジウム基合金めっき層上に、厚さ0.005〜0.20μmの金めっき層が形成された請求項1に記載のフレキシブルフラットケーブル端子部とすることによって、解決される。
さらに請求項3に記載されるように、前記パラジウム基合金めっき層は、ニッケル或いはコバルトを0.1〜20.0質量%含有するパラジウム基合金を用いたことを特徴とする請求項1または2に記載のフレキシブルフラットケーブル端子部とすることによって、解決される。
以上のような本発明によれば、少なくともコネクタと嵌合されるフレキシブルフラットケーブル端子部(以下FFC端子部)の銅或いは銅合金配線上に、厚さ0.3〜5.0μmのニッケルめっき層(以下Niめっき層)、厚さ0.03〜1.0μmのパラジウム基合金めっき層(以下Pd基合金めっき層)が順次形成されたFFC端子部としたので、銅或いは銅合金配線上のNiめっき層の厚さを好ましい厚さにしたことによって、耐食性が優れ腐食環境での接触抵抗の著しい増加がなく、また、その上に特定厚さのPd基合金めっき層が形成されたことによってコネクタとの挿抜特性が良好となり、多数回の挿抜を繰り返しても接触抵抗の著しい増加を防止できる。さらに、挿抜後にもクラックの発生もない。
また、前記Pd基合金めっき層上に、厚さ0.005〜0.20μmの金めっき層(以下Auめっき層)が形成されたFFC端子部としたので、前述した特性に加えて、大気中に暴露後の接触抵抗の著しい増加をなくすことができる。
さらに、前記Pd基合金めっき層として、ニッケル(以下Ni)或いはコバルト(以下Co)を0.1〜20.0質量%含有するパラジウム基合金(以下Pd基合金)を用いたFFC端子部としたことによって、より耐食性が優れると共にコネクタとの挿抜特性がより良好となる。また、挿抜後のクラックの発生がないFFC端子部を確実に得ることができる。さらに、Auめっき層を有するFFC端子部は、大気中に暴露後の接触抵抗の著しい増加をなくすことができる。
以下に本発明を詳細に説明する。請求項1に記載する発明は、少なくともコネクタと嵌合されるFFC端子部の銅或いは銅合金配線上に、厚さ0.3〜5.0μmのNiめっき層、厚さ0.03〜1.0μmのPd基合金めっき層が順次形成されたFFC端子部である。このような発明に至ったのは、耐食性に優れかつコネクタとの挿抜特性を向上させるために、従来ワイヤボンディングの接合性を向上させる目的で行われる技術をFFC端末部に応用し、この技術に於けるコネクタとの挿抜を多数回繰り返すと、耐摩耗性が十分でないために接触不良を生じる問題点について検討した結果得られたものである。
すなわち、前述の問題点を解決すべく種々検討を行なった結果、少なくともコネクタと嵌合されるFFC端子部の銅或いは銅合金配線上に、厚さ0.3〜5.0μmのNiめっき層を形成することによって、耐食性が優れ腐食環境での接触抵抗の著しい増加がないこと、さらにその上に、厚さ0.03〜1.0μmのPd基合金めっき層を設けることによって、耐摩耗性が向上し多数回のコネクタとの挿抜を繰り返しても接触抵抗の著しい増加を防止できると共に、挿抜後にクラックの発生がないことを見いだしたものである。前記Niめっき層の厚さを0.3μm以上とすることによって、Cuが下地から拡散しめっき層表面に達してPd基合金めっき層やAuめっき層の耐食性を損なうことを防止できる。またその厚さを5.0μm以下とすることによって、コネクタと嵌合した時に負荷される可能性のある曲げによっても、クラックを生じないことを確認したためである。さらに、前記Pd基合金めっき層の厚さを0.03μm以上としたのは、コネクタの挿抜による耐磨耗性を保持できる厚さであり、またその厚さを1.0μm以下としたのは、これを超えるとコスト的に問題が生じるためである。以上のような構成のFFC端子部とすることによって、耐食性に優れ腐食環境での接触抵抗の著しい増加の問題がなくなり、またコネクタとの挿抜特性が良好となり、多数回の挿抜を繰り返しても接触抵抗の著しい増加を防止でき、さらには多数回の挿抜後にもクラックの発生がない。
また請求項2に記載するように、Pd基合金めっき層上に、厚さ0.005〜0.20μmのAuめっき層が形成されたFFC端子部とすると、前述した効果に加えて、大気中に暴露後の接触抵抗の著しい増加がないFFC端子部とすることができる。すなわち、コネクタと嵌合されるFFC端子部の銅或いは銅合金配線上に、厚さ0.3〜5.0μmのNiめっき層、厚さ0.03〜1.0μmのPd基合金めき層を設けた上に、厚さ0.005〜0.20μmの金めっき層を設けることによって、180日間の大気暴露試験を行なっても接触抵抗の増加率を極めて小さな値とすることができる。これはPd基合金めっき層の表面には有機物が吸着し易い性質があり、この有機物の吸着は接触抵抗に影響するものであるが、Auめっき層を形成することによりこの問題をなくすことができる。また、Auめっき層は、従来のようにNiめっき層上に設けるものではないので、比較的薄くしてもピンホールによる腐食問題が発生することもない。なおその厚さは、0.005μm未満では大気暴露試験による効果が十分に得られず、また0.20μm以上のAuめっき層を形成すると、製品コストが上昇するので好ましくない。
そして前記Pd基合金めっき層を、請求項3に記載するようなNi或いはCoを0.1〜20.0質量%含有するPd基合金を用いたFFC端子部とすることによって、耐食性が優れ腐食環境での接触抵抗の著しい増加がなく、またコネクタとの挿抜特性が良好となり、多数回の挿抜を繰り返しても接触抵抗の著しい増加を防止できる。さらに、多数回の挿抜後にもクラックの発生がないFFC端子部を確実に得ることができる。すなわち、Pd基合金めっき層を形成するPd基合金として、Ni或いはCoを0.1〜20.0質量%含有させることによって、合金化による耐磨耗性の向上を計るためである。なお、Ni或いはCoの含有量が0.1質量%未満ではその効果が十分ではなく、また20.0質量%を超えると、めっき層の耐食性が劣化するので好ましくない。
FFC端末部について簡単に説明すると、FFC用の平角導体は、通常Φ0.5〜1mm程度の丸銅線にNiめっきを施した後に、Φ0.1〜0.2mm程度に伸線加工を行ない、これをさらに圧延加工によって平角導体とするものである。そしてこの平角導体を通常10〜50本程度並列に配置し、プラスチックの絶縁テープでラミネート加工を行うことによってFFCとし、この端末部の絶縁テープを除去することによって、NiめっきされたCu導体を露出してFFC端末部として使用される。
表1に記載した実施例並びに比較例によって、本発明の効果を確認した。すなわち、Niめっきを施し圧延加工したCu線を幅0.3mm、厚さ0.05mmの平角状に加工して平角導体とした。これを20本並列に配置し、ポリエステルの絶縁テープでラミネート加工を行ないFFCを作製し、この端末部の絶縁テープを除去しNiめっきされたCu導体を露出してFFC端末部とした。このFFC端末部に、表1に記載したPd基合金のめっき層を各種厚さに形成して試料とした。ついでこの試料を、Au/Niめっき(Auめっき厚さが0.3μm、Niめっき厚さが3μm)したノンZIFタイプのコネクタに嵌合し、硫化水素10ppm、湿度85%の雰囲気中に48時間放置して、腐食ガス試験を行なった。ついで、テスターによって接触抵抗を測定しその増加率を計算した。腐食ガス試験前の接触抵抗値に対して、20%未満の増加率のものを合格として〇印で、20%以上の増加率のものを不合格として×印で記載した。また、コネクタの挿抜特性を調べるために、前記FFC端末部と前記コネクタの挿抜を30回繰り返した後の接触抵抗をテスターによって測定し、挿抜前の接触抵抗値に対する増加率を計算した。挿抜前の接触抵抗値に対して20%未満の増加率のものを合格として〇印で、20%以上の増加率のものを不合格として×印で記載した。さらに、コネクタとの挿抜を30回繰り返した後、めっき層のクラックの発生状態を顕微鏡によって観察しクラックの発生が全く見られない場合を合格として〇印で、クラックの発生が見られる場合を不合格として、×印で記載した。結果を表1に示した。
Figure 2007141505
表1の実施例1〜11に示されるように、少なくともコネクタと嵌合されるFFC端子部の銅或いは銅合金配線上に、厚さ0.3〜5.0μmのNiめっき層、厚さ0.03〜1.0μmのPd基合金めっき層が順次形成されたFFC端子部とした本発明は、ガス腐食環境後も接触抵抗値の増加率が20%以下であり、また30回の挿抜回数を繰り返してもその接触抵抗値の増加が20%以下であり、さらにめっき層にはクラックの発生が見られないFFC端子部であった。また、Pd基合金めっき層は、Ni或いはCoを0.1〜20.0質量%含有したPd基合金を用いるのが好ましいことも判る。
これに対して、比較例1〜8に示すように本発明の範囲を外れた場合は、ガス腐食環境下に置いた後の接触抵抗値、コネクタとの30回の挿抜後の接触抵抗値、或いは前記挿抜後にクラックの発生等、いずれかの項目に問題があった。すなわち、比較例1のようにNiめっき層の厚さが薄い場合は、ガス腐食後の接触抵抗値が20%以上増加し、また比較例2のようにNiめっき層が厚すぎる場合は、コネクタとの30回の挿抜後にクラックが生じていた。さらに、比較例3に示すようにPd合金めっき層の厚さが薄くなると、ガス腐食環境後の接触抵抗値が高くなり、また比較例4のようにPd基合金めっき層の厚さが厚くなると、特性的には十分であるがコストが高くなり過ぎ実用上問題がある。さらに比較例5および6のように、Pd基合金めっき層のNiまたはCoの含有量が1質量%未満であると、30回の挿抜回数後の接触抵抗値が高くなり問題がある。また比較例7および8のように、Pd基合金めっき層のNiまたはCoの含有量が20質量%を超えると、ガス腐食環境後の接触抵抗値が高くなって問題がある。
つぎに、前記Pd基合金めっき層上にAuめっき層を形成した場合について、その効果を示す。すなわち、Pd基合金のめっき層上に、表2に記載した各種厚さのAuめっき層を形成したものを試料とした。ついでこの試料を、Au/Niめっき(Auめっき厚さが0.3μm、Niめっき厚さが3μm)したノンZIFタイプのコネクタと嵌合し、硫化水素10ppm、湿度85%の雰囲気中に48時間放置して、腐食ガス試験を行なった。ついで、テスターによって接触抵抗を測定しその増加率を計算した。腐食ガス試験前の接触抵抗値に対して、20%未満の増加率のものを合格として〇印で、20%以上の増加率のものを不合格として×印で記載した。また、コネクタの挿抜特性を調べるために、前記FFC端末部と前記コネクタの挿抜を30回繰り返した後の接触抵抗をテスターによって測定し、挿抜前の接触抵抗値に対する増加率を計算した。挿抜前の接触抵抗値に対して20%未満の増加率のものを合格として〇印で、20%以上の増加率のものを不合格として×印で記載した。さらに、コネクタとの挿抜を30回繰り返した後のめっき層のクラックの発生状態を顕微鏡によって観察し、クラックの発生が全く見られない場合を合格として〇印で、クラックの発生が見られる場合を不合格として、×印で記載した。また、前記FFC端末部について180日間の大気暴露試験を行ない、ついで、テスターによって接触抵抗を測定しその増加率を計算した。大気暴露試験前の接触抵抗値に対して、20%未満の増加率のものを合格として〇印で、20%以上の増加率のものを不合格として×印で記載した。結果を表2に記載した。
Figure 2007141505
表2の実施例12〜14に示されるように、少なくともコネクタと嵌合されるフレキシブルフラットケーブル端子部の銅或いは銅合金配線上に、厚さ0.3〜5.0μmのニッケルめっき層、厚さ0.03〜1.0μmのPd基合金めっき層上に、厚さ0.005〜0.20μmの金めっき層を形成したFFC端子部とすることによって、ガス腐食環境下に置いた後もその接触抵抗値が、増加率として20%以下であり、前記コネクタとの30回の挿抜を繰り返しても、その接触抵抗値の増加が20%以下であり、また前記挿抜後にはめっき層にクラックの発生がないFFC端子部であった。さらに、180日間大気暴露試験後の接触抵抗値の増加率も20%以下であった。なお、この構成のFFC端子部もPd基合金めっき層は、Ni或いはCoを0.1〜20.0質量%含有したPd基合金を用いるのが好ましい。
これに対して、比較例9〜11に示すように本発明の範囲を外れた場合は、ガス腐食環境後に置ける接触抵抗値、30回の挿抜後の接触抵抗値、或いは前記挿抜後にクラックの発生等、いずれかの項目に問題があった。すなわち、比較例9のようにPd基合金めっき層上にAuめっき層を設けない場合は、180日間の大気暴露試験によって接触抵抗値が20%以上増加した。また比較例10および11のようにAuめっき層の厚さが薄いと、やはり180日間の大気暴露試験によって、接触抵抗値が20%以上増加した。
本発明のように、銅或いは銅合金配線上にNiめっき層を施し、この上にPd基合金めっき層を設けたFFC端子部は、コネクタと嵌合して長期間使用しても耐食性に優れ、またコネクタとの挿抜特性に優れているので、種々の電子機器類に対して有用なものである。さらに、Pd合金めっき層上にAuめっき層を設けたFFC端子部は、大気暴露に対しても問題がないのでより優れたFFC端子部として、種々の電子機器類に使用することが可能である。

Claims (3)

  1. 少なくともコネクタと嵌合されるフレキシブルフラットケーブル端子部の銅或いは銅合金配線上に、厚さ0.3〜5.0μmのニッケルめっき層、厚さ0.03〜1.0μmのパラジウム基合金めっき層が順次形成されたことを特徴とするフレキシブルフラットケーブル端子部。
  2. 前記パラジウム基合金めっき層上に、厚さ0.005〜0.20μmの金めっき層が形成されたことを特徴とする請求項1に記載のフレキシブルフラットケーブル端子部。
  3. 前記パラジウム基合金めっき層は、ニッケル或いはコバルトを0.1〜20.0質量%含有するパラジウム基合金を用いたことを特徴とする請求項1または2に記載のフレキシブルフラットケーブル端子部。
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