JP2007129121A - Device for assembling and determining semiconductor chip - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To properly conduct an assembly and a check in response to the heights of bonding wires when a package and a chip are connected by the bonding wires having the different heights. <P>SOLUTION: A semiconductor design supporter is constituted with a storage 7 for storing a chip data 21 and a package data 22, and an arithmetic processor 4 for determining whether the semiconductor chip 40 and the package are connected properly on the basis of the chip data 21 and the package data 22. The arithmetic processor 4 computes the lengths L1 to L3 of a plurality of the bonding wires B1 to B3, estimates the heights of a plurality of the bonding wires on the basis of the lengths L1 to L3, and sorts the bonding wires B1 and B3 having estimated heights in the same extent to the same group. The arithmetic processor 4 further determines whether the interval D1 of the bonding wires sorted in the same group are kept within the range of a predetermined value. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体チップと半導体パッケージとで構成される半導体装置が、設計条件を満たすか否かを判定する組立判定装置に関する。   The present invention relates to an assembly determination apparatus that determines whether a semiconductor device including a semiconductor chip and a semiconductor package satisfies a design condition.

IC(Integrated Circuit:集積回路)を構成する半導体チップとパッケージ基板とを電気的に接続する方法としてワイヤボンディング法が多く用いられるようになってきている。ワイヤボンディングによって製造される半導体装置は様々な工程を経て製造されている。特に半導体チップを搭載したパッケージ基板を設計する場合には、その半導体チップが設計条件を満たしてパッケージ基板に搭載できるかどうかを確認する確認工程が必須である。その確認工程において、設計条件に適合しているかどうかを自動的に判定する技術が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
上記特許文献1に記載のLSI設計支援システムは、LSIチップ組立判定装置101と、キーボード102と、ディスプレイ103と、外部記憶装置107とを備えている。LSIチップ組立判定装置101は、インターフェース部106を介してキーボード102、外部記憶装置107、およびディスプレイ103に接続されている。また、LSIチップ組立判定装置101は、インターフェース部106を介し記憶部105に記憶されているLSIチップ、LSIパッケージ、ワイヤ、エラー等のデータをディスプレイ103に出力している。
As a method for electrically connecting a semiconductor chip constituting an IC (Integrated Circuit) and a package substrate, a wire bonding method has been widely used. A semiconductor device manufactured by wire bonding is manufactured through various processes. In particular, when designing a package substrate on which a semiconductor chip is mounted, a confirmation process for confirming whether the semiconductor chip satisfies the design conditions and can be mounted on the package substrate is essential. In the confirmation process, a technique for automatically determining whether or not the design condition is satisfied is known (for example, see Patent Document 1).
The LSI design support system described in Patent Document 1 includes an LSI chip assembly determination device 101, a keyboard 102, a display 103, and an external storage device 107. The LSI chip assembly determination apparatus 101 is connected to the keyboard 102, the external storage device 107, and the display 103 via the interface unit 106. Further, the LSI chip assembly determination apparatus 101 outputs data such as an LSI chip, an LSI package, a wire, and an error stored in the storage unit 105 to the display 103 via the interface unit 106.

チップデータ入力部132は、インターフェース部106を介し、チップ外形、チップパッド座標を含む、LSIチップレイアウトデータを記憶部105に登録している。LSIパッケージ入力部133は、インターフェース部106を介し、LSIパッケージデータの内部リード形状や、その内部リードに接続されている外部ピン番号、ノンコネクトにしたい外部ピン番号、実際の組立で使用するワイヤボンダの機種および組立条件、組立で使用するワイヤの材質、太さ、およびLSIパッケージの材質を記憶部105に登録している。組立チェック部136は、記憶部105に登録されているワイヤの位置およびLSIチップのレイアウトデータと、LSIパッケージ入力部133によって登録されているLSIパッケージに関するデータとから、チップパッドとLSIパッケージの内部リードを実際にワイヤボンディングで組み立てる際、ワイヤ同士がショートしないかなど項目をチェックしている。   The chip data input unit 132 registers LSI chip layout data including the chip outline and chip pad coordinates in the storage unit 105 via the interface unit 106. The LSI package input unit 133 is connected via the interface unit 106 to the internal lead shape of the LSI package data, the external pin number connected to the internal lead, the external pin number to be disconnected, and the wire bonder used in the actual assembly. The model and assembly conditions, the material and thickness of the wire used in assembly, and the material of the LSI package are registered in the storage unit 105. The assembly check unit 136 uses the wire position and LSI chip layout data registered in the storage unit 105 and the LSI package data registered by the LSI package input unit 133 to read the internal leads of the chip pad and the LSI package. When actually assembling with wire bonding, items such as whether the wires are short-circuited are checked.

初期ワイヤ発生部134は、記憶部105に登録されているLSIパッケージの内部リードの方向を算出し、その方向ある一番近い記憶部105に登録されているチップパッドと接続するワイヤを記憶部105に登録している。ワイヤ調整部114は、記憶部105に登録されているワイヤを組立チェック部136を用いて、ワイヤボンディングでの組立チェックを行い、もし組立エラーが合った場合、ワイヤを接続させるチップパッドをエラーが解消される方向にあるチップパッドに変更することを、順次繰り返し、記憶部105に登録されている全部のチップパッドと接続させるLSIパッケージ内部リードに対して組立可能なチップパッドと接続するワイヤに直していき、結果を記憶部105に登録している。   The initial wire generation unit 134 calculates the direction of the internal lead of the LSI package registered in the storage unit 105, and the wire connected to the chip pad registered in the closest storage unit 105 in that direction is stored in the storage unit 105. Is registered with. The wire adjustment unit 114 checks the wire registered in the storage unit 105 using the assembly check unit 136 by wire bonding. If an assembly error is found, an error is detected in the chip pad to which the wire is connected. The change to the chip pad in the direction to be eliminated is sequentially repeated to change the wire connected to the chip pad that can be assembled to the LSI package internal lead to be connected to all the chip pads registered in the storage unit 105. The result is registered in the storage unit 105.

データ編集部115は、記憶部105に登録されているLSIチップ、LSIパッケージ、実際に組み立てるワイヤボンダ機種から、そのワイヤボンダ機種に合ったデータフォーマットで記憶部105に登録されている全ワイヤのデータおよび組立用の図面を自動的に編集してインターフェース部106を介しデータを出力している。   The data editing unit 115 selects the data and assembly data of all wires registered in the storage unit 105 in a data format suitable for the wire bonder model from the LSI chip, LSI package, and wire bonder model actually assembled in the storage unit 105. The drawing is automatically edited and data is output via the interface unit 106.

このLSI設計支援システムは、初期ワイヤ発生部134で組合せたチップパッドと内部リードの組立条件チェックを前記組立チェック部136を用いて行い、組立条件に合っていない場合、チップパッドと内部リードの組合せを自動的に替え、LSIパッケージデータ入力部133で入力したLSIパッケージのチップパッドに接続させるべき全ての内部リードに対して、組立可能なチップパッドとの組合せにしている。   In this LSI design support system, the assembly condition check of the chip pad and the internal lead combined by the initial wire generation unit 134 is performed using the assembly check unit 136, and if the assembly condition is not met, the combination of the chip pad and the internal lead is performed. Are automatically combined, and all the internal leads to be connected to the chip pads of the LSI package input by the LSI package data input unit 133 are combined with the chip pads that can be assembled.

以下に図面を参照してLSI設計支援システムの動作について説明する。図2は、上記構成を有するLSI設計支援システムで実施される組立チェック処理の手順を示したフローチャートである。図2に示されているように、従来のLSI設計支援システムでは、キーボードより入力されたチップ名とパッケージ名についてのデータファイルを読み込む。そして、読み込んだファイルに基づいて得られたチップサイズやチップパッド座標から、チップ外形とチップパッドを生成する。また同様に、読み込んだファイルに基づいて得られたボンディングリード座標から、ボンディングリードを生成する。同時にキーボードより入力された組立チェックルール値(例えば、ワイヤ間隔100um)を記憶する(ステップS101)。   The operation of the LSI design support system will be described below with reference to the drawings. FIG. 2 is a flowchart showing the procedure of assembly check processing performed in the LSI design support system having the above-described configuration. As shown in FIG. 2, the conventional LSI design support system reads a data file for a chip name and a package name input from the keyboard. Then, a chip outline and a chip pad are generated from the chip size and chip pad coordinates obtained based on the read file. Similarly, a bonding lead is generated from bonding lead coordinates obtained based on the read file. At the same time, an assembly check rule value (for example, a wire interval of 100 μm) input from the keyboard is stored (step S101).

次に生成されたチップパッドとボンディングリードをチップコーナー部より順番に線分で結び、その線分をボンディングワイヤとして登録する(ステップS102)。次に、登録されたボンディングワイヤの最短距離であるワイヤ間隔を算出し、その距離が組立チェックルール値より大きいか否かを比較する(ステップS103)。次に、組立チェックルールより小さい場合はその結果をエラー内容として登録する(ステッチS104)。最後に、エラーがあった場合はエラー内容をディスプレイ上に表示する(ステップS105)。特許文献1に記載の技術では、この動作によって、半導体装置が設計条件に適合しているかどうかを自動的に判定している。   Next, the generated chip pad and bonding lead are connected by a line segment in order from the chip corner portion, and the line segment is registered as a bonding wire (step S102). Next, a wire interval that is the shortest distance of the registered bonding wires is calculated, and it is compared whether or not the distance is larger than an assembly check rule value (step S103). Next, if the result is smaller than the assembly check rule, the result is registered as an error content (stitch S104). Finally, if there is an error, the error content is displayed on the display (step S105). In the technique described in Patent Document 1, it is automatically determined by this operation whether the semiconductor device conforms to the design conditions.

また、半導体技術の進歩に伴うICの高密度化によって、より多くの電極パッドを備える半導体チップが製造され、その電極パッドも高密度で配置されることが多くなってきている。それらをボンディングワイヤで接続した場合に、そのボンディングワイヤの短絡を抑制する方法として、それらを千鳥状に配置する技術が知られている。(例えば、特許文献2参照)。特許文献2(特開平10−50750号公報)の技術において、半導体装置に搭載される半導体チップは、その半導体チップの中央から見て外側に配置されている外側電極パッドと内側に配置されている内側電極パッドとを備えている。また、ICパッケージは、アイランド中央部分から見て外側に配置されている外側リード電極と内側に配置されている内側リード電極とを備えている。   Further, with the increase in the density of ICs accompanying the advancement of semiconductor technology, semiconductor chips having more electrode pads are manufactured, and the electrode pads are often arranged at a high density. As a method for suppressing short-circuiting of bonding wires when they are connected by bonding wires, a technique of arranging them in a staggered manner is known. (For example, refer to Patent Document 2). In the technique of Patent Document 2 (Japanese Patent Laid-Open No. 10-50750), a semiconductor chip mounted on a semiconductor device is arranged inside and outside electrode pads arranged outside as viewed from the center of the semiconductor chip. And an inner electrode pad. In addition, the IC package includes an outer lead electrode disposed on the outer side as viewed from the center of the island and an inner lead electrode disposed on the inner side.

特許文献2に記載の技術において、半導体チップとICパッケージは、ワイヤボンディングによって接続されている。ワイヤボンディングに使用されるワイヤ(以下、ボンディングワイヤと称する)は、半導体チップを水平に配置したときに、鉛直方向に高さを有するアーチ形状に形成される。特許文献2に示されているように、従来の半導体装置において、内側電極パッドと外側リード電極とが接続され、外側電極パッドと内側リード電極とが接続されている。   In the technique described in Patent Document 2, the semiconductor chip and the IC package are connected by wire bonding. A wire used for wire bonding (hereinafter referred to as a bonding wire) is formed in an arch shape having a height in the vertical direction when a semiconductor chip is horizontally arranged. As shown in Patent Document 2, in a conventional semiconductor device, an inner electrode pad and an outer lead electrode are connected, and an outer electrode pad and an inner lead electrode are connected.

上述したように、ボンディングワイヤは鉛直方向に高さを有するアーチ形状に形成されている。特許文献2に記載の技術において、内側電極パッドと外側リード電極とが接続されるときのボンディングワイヤの高さを、外側電極パッドと内側リード電極とが接続されるときに比較して、その高さを高くすることで、隣接ボンディングワイヤ間の短絡を抑制している。   As described above, the bonding wire is formed in an arch shape having a height in the vertical direction. In the technique described in Patent Document 2, the height of the bonding wire when the inner electrode pad and the outer lead electrode are connected is higher than that when the outer electrode pad and the inner lead electrode are connected. By increasing the height, a short circuit between adjacent bonding wires is suppressed.

特許第2707989号公報Japanese Patent No. 2707789 特開平10−50750号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-50750

上記特許文献1に開示されている技術は、ボンディングワイヤ間隔を検査していく場合に、隣接するボンディングワイヤ同士の最短間隔を検査している。しかし、上記特許文献2のように隣接するボンディングワイヤとワイヤの高さを変えることで隣接するボンディングワイヤとの短絡を防ぐことができる。このような場合には、単純に隣接する隣接するボンディングワイヤとの短絡よりは、ボンディングワイヤ高さが同じ高さで隣接するワイヤ同士の短絡が生じる可能性があるか否かをチェックする必要がある。   The technique disclosed in Patent Document 1 inspects the shortest interval between adjacent bonding wires when the bonding wire interval is inspected. However, it is possible to prevent a short circuit between the adjacent bonding wires and the adjacent bonding wires by changing the heights of the adjacent bonding wires and the wires as in Patent Document 2. In such a case, it is necessary to check whether or not there is a possibility that a short circuit between adjacent wires having the same height as the bonding wire may occur rather than a short circuit between adjacent adjacent bonding wires. is there.

本発明が解決しようとする課題は、ワイヤボンディングによって半導体チップとICパッケージとが接続される半導体装置において、その接続に用いられるボンディングワイヤが、高さの異なる複数のボンディングワイヤで構成されるときに、ワイヤの高さに応じて適切に組立検査を行うことができる組立検査装置を提供することにある。   The problem to be solved by the present invention is that in a semiconductor device in which a semiconductor chip and an IC package are connected by wire bonding, the bonding wires used for the connection are composed of a plurality of bonding wires having different heights. Another object of the present invention is to provide an assembly inspection apparatus that can appropriately perform assembly inspection according to the height of the wire.

以下に、[発明を実施するための最良の形態]で使用される番号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号は、[特許請求の範囲]の記載と[発明を実施するための最良の形態]との対応関係を明らかにするために付加されたものである。ただし、それらの番号を、[特許請求の範囲]に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。   The means for solving the problem will be described below using the numbers used in [Best Mode for Carrying Out the Invention]. These numbers are added to clarify the correspondence between the description of [Claims] and [Best Mode for Carrying Out the Invention]. However, these numbers should not be used to interpret the technical scope of the invention described in [Claims].

上記課題を解決するために、半導体チップ(40)に関する情報であるチップデータ(21)と前記半導体チップ(40)を搭載するパッケージに関する情報であるパッケージデータ(22)とを格納する記憶部(7)と、前記チップデータ(21)と前記パッケージデータ(22)とに基づいて前記半導体チップ(40)と前記パッケージとの接続が適切に行われるか否かを判定する演算処理部(4)とを具備する半導体設計支援装置を構成する。   In order to solve the above problem, a storage unit (7) that stores chip data (21) that is information about the semiconductor chip (40) and package data (22) that is information about a package on which the semiconductor chip (40) is mounted. And an arithmetic processing unit (4) for determining whether the semiconductor chip (40) and the package are properly connected based on the chip data (21) and the package data (22) A semiconductor design support apparatus is provided.

ここで、前記演算処理部(4)は、前記半導体チップ(40)に配置される複数の電極パッド(41〜43)の配置位置に関する情報を有するパッドデータを生成するパッドデータ生成部(32)と、前記パッケージに配置される複数のリード電極(51〜53)の配置位置に関する情報を有するリード電極データを生成するリード電極データ生成部(33)と、前記パッドデータと前記リード電極データとに基づいて、前記複数の電極パッド(41〜43)と前記複数のリード電極(51〜53)とを、一対一に接続する複数のボンディングワイヤ(B1〜B3)に関する情報を有するボンディングワイヤデータを生成するボンディングワイヤデータ生成部(34)と、前記複数のボンディングワイヤ(B1〜B3)が実際に形成されるときの高さを推定し、前記複数のボンディングワイヤ(B1〜B3)を前記高さに対応するグループに分類するワイヤ識別部(35)と、前記判定を実行する判定実行部(36)とを含んでいる。   Here, the arithmetic processing unit (4) generates a pad data generation unit (32) that generates pad data having information on the arrangement positions of the plurality of electrode pads (41 to 43) arranged on the semiconductor chip (40). A lead electrode data generation unit (33) for generating lead electrode data having information on the arrangement positions of the plurality of lead electrodes (51 to 53) arranged in the package, and the pad data and the lead electrode data. Based on this, generation of bonding wire data having information on a plurality of bonding wires (B1 to B3) for connecting the plurality of electrode pads (41 to 43) and the plurality of lead electrodes (51 to 53) in a one-to-one relationship. When the bonding wire data generation unit (34) and the plurality of bonding wires (B1 to B3) are actually formed A wire identification unit (35) that classifies the plurality of bonding wires (B1 to B3) into a group corresponding to the height, and a determination execution unit (36) that performs the determination. It is out.

そして、前記ワイヤ識別部(35)は、前記ボンディングワイヤデータに基づいて、前記複数のボンディングワイヤ(B1〜B3)の長さ(L1〜L3)を算出し、前記長さ(L1〜L3)に基づいて前記高さを推定し、推定された前記高さが所定の範囲に含まれるボンディングワイヤ(B1,B3)を同じグループに分類する。そのうえで、前記判定実行部(36)は、前記同じグループに分類されている前記ボンディングワイヤの間隔(D1)が、予め定められた値の範囲内に収まっているか否かを判定することで、前記ボンディングワイヤが適切に形成されるか否かを判定する。   And the said wire identification part (35) calculates the length (L1-L3) of these bonding wires (B1-B3) based on the said bonding wire data, and makes it into the said length (L1-L3) Based on this, the height is estimated, and the bonding wires (B1, B3) whose estimated height falls within a predetermined range are classified into the same group. In addition, the determination execution unit (36) determines whether the interval (D1) of the bonding wires classified into the same group is within a predetermined value range, It is determined whether or not the bonding wire is properly formed.

ワイヤボンディングによって形成される半導体装置では、パッケージを封入するときに注入される樹脂の影響でボンディングワイヤが変形することが有る。組立検査の段階では、そのワイヤの変形によって、近接するワイヤ同士が短絡しない程度の間隔を持っているか否かを検査している。半導体チップとパッケージとが異なる高さのボンディングワイヤで接続されるとき、異なる高さのワイヤ同士よりも、高さが同じワイヤ同士が短絡する可能性のほうが大きい場合がある。上述のように、検査段階において、同じ高さのボンディングワイヤを同じグループに分類し、同じグループ内での組立検査を実行することで、より精度の高い検査結果を行うこととなる。   In a semiconductor device formed by wire bonding, a bonding wire may be deformed due to the influence of resin injected when a package is sealed. At the stage of assembly inspection, it is inspected whether or not the adjacent wires have an interval that does not short-circuit due to deformation of the wires. When the semiconductor chip and the package are connected by bonding wires having different heights, there is a possibility that wires having the same height are short-circuited rather than wires having different heights. As described above, in the inspection stage, bonding wires having the same height are classified into the same group, and assembly inspection within the same group is performed, so that a more accurate inspection result is performed.

上述したように、従来のLSI設計支援システムでは、ワイヤ間隔をチェックしてゆく際にボンディングワイヤのループ高を考慮することなく、隣接するボンディングワイヤ同士の最短間隔を算出していた。そのため、従来のLSI設計支援システムではループ高の同じボンディングワイヤ同士の間隔のチェックが実行されず、適正な組立チェック結果を得ることが困難な場合があった。   As described above, the conventional LSI design support system calculates the shortest interval between adjacent bonding wires without considering the loop height of the bonding wires when checking the wire interval. For this reason, in the conventional LSI design support system, the interval between bonding wires having the same loop height is not checked, and it may be difficult to obtain an appropriate assembly check result.

本発明によると、ワイヤボンディングによって半導体チップとICパッケージとが接続される半導体装置のボンディングワイヤが、高さの異なる複数のボンディングワイヤで構成されるときに、ワイヤの高さに応じて適切に組立検査を行うことができる。   According to the present invention, when a bonding wire of a semiconductor device in which a semiconductor chip and an IC package are connected by wire bonding is composed of a plurality of bonding wires having different heights, the assembly is appropriately performed according to the height of the wire. Inspection can be performed.

以下に、図面を参照して本発明を実施するための形態について説明を行う。図3は、本実施形態の半導体設計支援装置10の構成を例示するブロック図である。本実施形態の半導体設計支援システム10は、情報処理装置1と、入力装置2と、出力装置3とを含んで構成されている。また、図3を参照すると、情報処理装置1は、CPU(Central Processing Unit:中央演算処理装置)4と、メモリ5と、入出力インターフェース6と、大容量記憶装置7とを備え、それらはバス8を介して接続されている。また、大容量記憶装置7はデータ記憶部11とプログラム記憶部12とを含んで構成されている。   Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a block diagram illustrating the configuration of the semiconductor design support apparatus 10 of this embodiment. The semiconductor design support system 10 of this embodiment includes an information processing device 1, an input device 2, and an output device 3. Referring to FIG. 3, the information processing apparatus 1 includes a CPU (Central Processing Unit) 4, a memory 5, an input / output interface 6, and a mass storage device 7, which are buses. 8 is connected. The mass storage device 7 includes a data storage unit 11 and a program storage unit 12.

情報処理装置1は、パーソナルコンピュータやワークステーションなどに代表される高速演算処理装置である。入力装置2は、情報処理装置1に対して、データを入力する機能を備えたマンマシンインターフェースであり、例えば、キーボードやマウスなどがその代表である。以下の実施形態においては、入力装置2が、キーボードである場合を例示して説明を行う。出力装置3は、情報処理装置1の処理結果を外部に出力する機能を有するマンマシンインターフェースであり、例えば、CRTや液晶ディスプレイがその代表である。以下の実施形態においては、出力装置3が、ディスプレイ装置である場合を例示し、チップ形状、パッケージ形状、組立判定結果などを視覚的に表示するものとして説明を行う。   The information processing apparatus 1 is a high-speed arithmetic processing apparatus typified by a personal computer or a workstation. The input device 2 is a man-machine interface having a function of inputting data to the information processing device 1, and representative examples thereof include a keyboard and a mouse. In the following embodiment, the case where the input device 2 is a keyboard will be described as an example. The output device 3 is a man-machine interface having a function of outputting the processing result of the information processing device 1 to the outside. For example, a CRT or a liquid crystal display is representative. In the following embodiment, the case where the output device 3 is a display device will be exemplified, and description will be made assuming that the chip shape, package shape, assembly determination result, and the like are visually displayed.

CPU4は、半導体設計支援システム10に備えられた各種装置の制御や情報処理装置1に入出力されるデータの処理を行う演算処理装置であり、入力装置2などから受け取ったデータを解釈して演算し、その演算結果を出力装置3などで出力する。メモリ5は、データの書き込みと読み出しができる記憶媒体であり、例えば、SDRAMやDDR−SDRAMなどがその代表として例示される。入出力インターフェース6は、上述の入力装置2や出力装置3と情報処理装置1との間で実行されるデータ通信を制御する装置である。大容量記憶装置7は、記憶媒体に大量のデータを記録させるために使用する装置であり、例えば、HDD(Hard Disk Drive)などがその代表として例示される。図3に示されているように、大容量記憶装置7はデータ記憶部11とプログラム記憶部12とを含んで構成されている。   The CPU 4 is an arithmetic processing device that controls various devices provided in the semiconductor design support system 10 and processes data input to and output from the information processing device 1. The CPU 4 interprets data received from the input device 2 and performs arithmetic operations. Then, the calculation result is output by the output device 3 or the like. The memory 5 is a storage medium on which data can be written and read, and examples thereof include SDRAM and DDR-SDRAM. The input / output interface 6 is a device that controls data communication executed between the information processing device 1 and the input device 2 or the output device 3 described above. The large-capacity storage device 7 is a device used for recording a large amount of data on a storage medium. For example, an HDD (Hard Disk Drive) is exemplified as a representative example. As shown in FIG. 3, the mass storage device 7 includes a data storage unit 11 and a program storage unit 12.

データ記憶部11は、大容量記憶装置7が保持する各種データの中で本実施形態に関連するデータを格納する記憶領域を示している。また同様に、プログラム記憶部12は、大容量記憶装置7が保持する各種データの中で本実施形態の動作に関連するコンピュータプログラムを格納する記憶領域を示している。以下に、図面を参照してデータ記憶部11とプログラム記憶部12の詳細な構成に関して説明を行う。   The data storage unit 11 indicates a storage area for storing data related to the present embodiment among various data held by the mass storage device 7. Similarly, the program storage unit 12 indicates a storage area for storing a computer program related to the operation of the present embodiment among various data held by the mass storage device 7. Hereinafter, detailed configurations of the data storage unit 11 and the program storage unit 12 will be described with reference to the drawings.

図4は、データ記憶部11の構成を例示するブロック図である。図4を参照すると、データ記憶部11は、LSIチップデータ21とLSIパッケージデータ22とを保持している。   FIG. 4 is a block diagram illustrating the configuration of the data storage unit 11. Referring to FIG. 4, the data storage unit 11 holds LSI chip data 21 and LSI package data 22.

LSIチップデータ21は、チップサイズやチップパッド座標など、半導体チップに関連する情報がVHDLなどのHDL(ハードウェア記述言語)で記述された記述ファイルである。LSIパッケージデータ22は、ボンディングリードのボンディング位置やボンディングリードの形状に関する情報がVHDLなどのHDL(ハードウェア記述言語)で記述された記述ファイルである。LSIチップデータ21、およびLSIパッケージデータ22は、組立検査が実行されるときに、組立検査用のプログラムによって読み出される。   The LSI chip data 21 is a description file in which information related to a semiconductor chip, such as chip size and chip pad coordinates, is described in HDL (hardware description language) such as VHDL. The LSI package data 22 is a description file in which information on the bonding position of the bonding lead and the shape of the bonding lead is described in HDL (hardware description language) such as VHDL. The LSI chip data 21 and the LSI package data 22 are read out by an assembly inspection program when the assembly inspection is executed.

図5は、プログラム記憶部12の構成を例示するブロック図である。図5を参照すると、プログラム記憶部12は、検査制御プログラム30と、設計条件入力機能部31と、チップ入力機能部32と、パッケージ入力機能部33と、ワイヤ生成機能部34と、ワイヤ識別機能部35と、組立チェック機能部36と、画面表示機能部37とを備えて構成されている。   FIG. 5 is a block diagram illustrating the configuration of the program storage unit 12. Referring to FIG. 5, the program storage unit 12 includes an inspection control program 30, a design condition input function unit 31, a chip input function unit 32, a package input function unit 33, a wire generation function unit 34, and a wire identification function. A unit 35, an assembly check function unit 36, and a screen display function unit 37 are provided.

設計条件入力機能部31は、入力装置2を介して入力されたチップ名、パッケージ名、組立チェックルール値などをメモリ5に登録する機能を提供している。   The design condition input function unit 31 provides a function of registering the chip name, package name, assembly check rule value, and the like input via the input device 2 in the memory 5.

チップ入力機能部32は、設計条件入力機能部31の機能により登録されたチップ名を参照し、そのチップ名に対応する半導体チップのLSIチップデータ21を大容量記憶装置7から読み込む機能を提供している。またチップ入力機能部32は、チップ形状、電極パッド形状、および電極パッド座標のデータをメモリ5に記憶させる機能を提供している。   The chip input function unit 32 provides a function of referring to the chip name registered by the function of the design condition input function unit 31 and reading the LSI chip data 21 of the semiconductor chip corresponding to the chip name from the mass storage device 7. ing. The chip input function unit 32 provides a function of storing data on the chip shape, electrode pad shape, and electrode pad coordinates in the memory 5.

パッケージ入力機能部33は、設計条件入力機能部31の機能により登録されたパッケージ名を参照し、そのパッケージ名ICパッケージのLSIパッケージデータ22を大容量記憶装置7から読み込む機能を提供している。またパッケージ入力機能部33は、ボンディングリード形状、ボンディングワイヤが接続される点の座標(以下、ボンディングリード座標と称する)のデータをメモリ5に記憶させる機能を提供している。   The package input function unit 33 provides a function of referring to the package name registered by the function of the design condition input function unit 31 and reading the LSI package data 22 of the package name IC package from the mass storage device 7. The package input function unit 33 also provides a function of storing in the memory 5 data on the bonding lead shape and the coordinates of the point to which the bonding wire is connected (hereinafter referred to as bonding lead coordinates).

ワイヤ生成機能部34は、電極パッドとボンディングリードとを接続するボンディングワイヤのデータ(以下、ボンディングワイヤ形状データと称する)を生成する機能を提供している。ボンディングワイヤ形状データは、メモリ5に格納されている電極パッド座標データと、メモリ5格納されているボンディングリード座標データとに基づいて生成されている。ここにおいて、ワイヤ生成機能部34が提供する機能は、チップコーナー部より順番に接続することによりボンディングワイヤ形状データを生成するものであることが好ましく、また、ワイヤ生成機能部34は生成されたボンディングワイヤ形状データをメモリ5に記憶させる機能を提供している。   The wire generation function unit 34 provides a function of generating data on bonding wires (hereinafter referred to as bonding wire shape data) for connecting electrode pads and bonding leads. The bonding wire shape data is generated based on the electrode pad coordinate data stored in the memory 5 and the bonding lead coordinate data stored in the memory 5. Here, it is preferable that the function provided by the wire generation function unit 34 is to generate bonding wire shape data by connecting in order from the chip corner, and the wire generation function unit 34 generates the generated bonding. A function of storing wire shape data in the memory 5 is provided.

ワイヤ識別機能部35は、メモリ5に記憶されたボンディングワイヤ形状データに基づいて隣り合うワイヤの長さの差を算出し、差分データを生成する機能を提供している。またワイヤ識別機能部35は、その差分データに基づいて各差分の平均値を算出する機能と、差分データおよび平均値に基づいて各ワイヤが実際のデバイスに配線されるときの高さ(以下、ループ高と称する)を判断し、また、各ワイヤのループ高に対応して、それぞれのボンディングワイヤをグループに分類し、分類されたボンディングワイヤがどのグループに属するかを示すデータ(以下、ワイヤ属性データと称する)を大容量記憶装置7に記憶させる機能を提供している。   The wire identification function unit 35 provides a function of calculating difference between adjacent wire lengths based on bonding wire shape data stored in the memory 5 and generating difference data. Further, the wire identification function unit 35 has a function of calculating an average value of each difference based on the difference data, and a height when each wire is wired to an actual device based on the difference data and the average value (hereinafter, Data indicating the group to which the classified bonding wire belongs (hereinafter referred to as a wire attribute), and the bonding wires are classified into groups corresponding to the loop height of each wire. (Referred to as data) is stored in the mass storage device 7.

以下に述べる実施形態では、ボンディングワイヤを、ループ高が高い高ループグループとループ高が低い低ループグループとの2つのグループに分類する場合を例示して説明を行う。また、高ループグループに分類されるボンディングワイヤのワイヤ属性データを高ループ属性データとし、低ループグループに分類されるボンディングワイヤのワイヤ属性データを、低ループ属性データと称する。   In the embodiment described below, a case where bonding wires are classified into two groups, a high loop group with a high loop height and a low loop group with a low loop height, will be described as an example. Also, wire attribute data of bonding wires classified into the high loop group is referred to as high loop attribute data, and wire attribute data of bonding wires classified into the low loop group is referred to as low loop attribute data.

ワイヤ識別機能部35が提供する機能によって、隣り合うボンディングワイヤのワイヤ長の差分および差分の平均値が算出される。また、最大ワイヤ長のボンディングワイヤを高ループグループに分類する。そのボンディングワイヤの隣に配置されるワイヤ(以下、隣接ワイヤと称する)のワイヤ長と最大ワイヤ長との差分が、平均値に基づいて得られた閾値より小さい場合は、隣接ワイヤを前のワイヤ(最大ワイヤ長のボンディングワイヤ)と同じ属性のグループ(高ループグループ)に分類する。   By the function provided by the wire identification function unit 35, the difference between the wire lengths of adjacent bonding wires and the average value of the differences are calculated. Further, the bonding wires having the maximum wire length are classified into a high loop group. If the difference between the wire length of the wire arranged next to the bonding wire (hereinafter referred to as the adjacent wire) and the maximum wire length is smaller than the threshold value obtained based on the average value, the adjacent wire is changed to the previous wire. Classify into a group (high loop group) with the same attributes as (bonding wire with maximum wire length).

上記の差分が、上記の閾値より大きい場合は、隣接ワイヤを前のワイヤ(最大ワイヤ長のボンディングワイヤ)と異なる属性のグループ(低ループグループ)に分類する。本実施形態の半導体設計支援システム10は、この動作を繰り返し、それぞれのボンディングワイヤを高ループグループと低ループグループの2種類に分類してメモリ5に記憶させる。   When the difference is larger than the threshold value, the adjacent wires are classified into a group (low loop group) having an attribute different from that of the previous wire (the bonding wire having the maximum wire length). The semiconductor design support system 10 of the present embodiment repeats this operation, classifies each bonding wire into two types, a high loop group and a low loop group, and stores them in the memory 5.

組立チェック機能部36は、メモリ5に記憶されたワイヤ属性データに基づいて、同じグループに分類されているボンディングワイヤで隣接するワイヤ同士を抽出し、それらの間隔が設計条件入力機能部31によって登録された組立チェックルール値に適合しているかを評価する機能を提供している。組立チェック機能部36は、隣接するワイヤ同士が組立チェックルール値に適合していない場合には、そのエラー内容を含むメッセージを生成し、メモリ5に記憶させる機能を提供している。   The assembly check function unit 36 extracts adjacent wires by bonding wires classified into the same group based on the wire attribute data stored in the memory 5, and the interval between them is registered by the design condition input function unit 31. Provides a function to evaluate whether the assembly check rule value is met. The assembly check function unit 36 provides a function of generating a message including the error content and storing it in the memory 5 when adjacent wires do not conform to the assembly check rule value.

画面表示機能部37は、メモリ5に記憶されているチップ形状データ、パッケージ形状データ、ボンディングワイヤ形状データ、及びエラー内容を含むメッセージなどをディスプレイ上に表示させる機能を提供している。   The screen display function unit 37 provides a function of displaying on the display the chip shape data, package shape data, bonding wire shape data, and a message including error contents stored in the memory 5.

以下に、本実施形態の半導体設計支援システム10の動作に関して、図面を参照して説明する。図6は、本実施形態の半導体設計支援システム10の動作を例示するフローチャートである。図6を参照すると、本実施形態の組立チェック処理の動作は、組立検査用の制御プログラムの起動命令に応答して検査制御プログラム30が起動すると開始する。ステップS01において、情報処理装置1は、入力された起動命令に応答して検査制御プログラム30を起動する。検査制御プログラム30は、半導体チップの名称とICパッケージの名称の入力を要求する。このときユーザは、組立検査の検査対象となる半導体装置を特定させるために、その要求に応答して検査対象の半導体装置を構成する半導体チップの名称とICパッケージの名称とを入力装置2を介して入力する。   The operation of the semiconductor design support system 10 of this embodiment will be described below with reference to the drawings. FIG. 6 is a flowchart illustrating the operation of the semiconductor design support system 10 of this embodiment. Referring to FIG. 6, the operation of the assembly check process according to the present embodiment starts when the inspection control program 30 is activated in response to an activation instruction for the assembly inspection control program. In step S01, the information processing apparatus 1 starts the inspection control program 30 in response to the input start command. The inspection control program 30 requests input of the name of the semiconductor chip and the name of the IC package. At this time, in order to specify the semiconductor device to be inspected in the assembly inspection, the user transmits the name of the semiconductor chip constituting the inspection target semiconductor device and the name of the IC package via the input device 2 in response to the request. Enter.

またこのとき、設計条件入力機能部31が提供する動作手順に基づいて、検査基準として用いられる組立チェックルール値の入力を要求する。ユーザは、その要求に対応して組立チェックルール値(例えば、ワイヤ間隔100um)を入力する。また、検査制御プログラム30は、ボンディングワイヤをグループに分類するための境界値の入力を要求する。ユーザは、その要求に応答して境界値(例えば、200um)を入力する。この組立チェックルール値や境界値は、設計条件に基づいて決定される。したがって、これらのデータを、設計条件を示す設計条件データから自動的に生成する構成であっても良い。検査制御プログラム30は、入力された各データをメモリ5に格納する。   At this time, an input of an assembly check rule value used as an inspection standard is requested based on an operation procedure provided by the design condition input function unit 31. In response to the request, the user inputs an assembly check rule value (for example, a wire interval of 100 μm). Further, the inspection control program 30 requests input of boundary values for classifying bonding wires into groups. In response to the request, the user enters a boundary value (eg, 200 um). The assembly check rule value and the boundary value are determined based on design conditions. Accordingly, a configuration may be adopted in which these data are automatically generated from design condition data indicating design conditions. The inspection control program 30 stores each input data in the memory 5.

ステップS02において、組立検査用のプログラムは、ステップS01で入力された半導体チップの名称とチップ入力機能部32が提供する動作手順に基づいて、LSIチップデータ21の読み出しを行う。情報処理装置1は、そのLSIチップデータ21から得られるチップサイズデータやチップパッド座標データに基づいて、チップ形状、電極パッドの形状および位置を決定し、計算機上における半導体チップを生成する。また、ステップS02において、検査制御プログラム30は、ステップS01で入力されたICパッケージの名称とパッケージ入力機能部33が提供する動作手順に基づいて、LSIパッケージデータ22の読み出しを行う。情報処理装置1は、読み出されたLSIパッケージデータ22から得られるボンディングリード座標データに基づいて、計算機上におけるボンディングリードを生成する。   In step S02, the assembly inspection program reads the LSI chip data 21 based on the name of the semiconductor chip input in step S01 and the operation procedure provided by the chip input function unit 32. The information processing apparatus 1 determines the chip shape and the electrode pad shape and position based on the chip size data and chip pad coordinate data obtained from the LSI chip data 21, and generates a semiconductor chip on the computer. In step S02, the inspection control program 30 reads the LSI package data 22 based on the name of the IC package input in step S01 and the operation procedure provided by the package input function unit 33. The information processing apparatus 1 generates a bonding lead on the computer based on the bonding lead coordinate data obtained from the read LSI package data 22.

ステップS03において、検査制御プログラム30は、ワイヤ生成機能部34が提供する動作手順に基づいて、生成された半導体チップの電極パッドとボンディングリードとを線分で結び、その線分を示すデータ(以下、ボンディングワイヤデータと称する)を、計算機上におけるボンディングワイヤとしてメモリ5に格納する。このとき、線分で結んでいく動作は、半導体チップコーナー部より反時計回り順に線分で結んでいくことが好ましい。   In step S03, the inspection control program 30 connects the electrode pads and bonding leads of the generated semiconductor chip with line segments based on the operation procedure provided by the wire generation function unit 34, and data indicating the line segments (hereinafter referred to as the line segments). , Referred to as bonding wire data) is stored in the memory 5 as a bonding wire on the computer. At this time, it is preferable that the operation of connecting with the line segments is performed with the line segments in the counterclockwise order from the semiconductor chip corner portion.

ステップS04において、検査制御プログラム30は、ワイヤ識別機能部35が提供する手順に基づいて、隣り合うボンディングワイヤ同士の長さの差を算出し、差分データを生成する。検査制御プログラム30は、計算機上のボンディングワイヤとしてメモリ5に格納されている線分データから、その線分の長さを示すデータを抽出し、抽出したデータに基づいて隣り合うボンディングワイヤ同士の長さの差を算出する。具体的には、任意のボンディングワイヤを第1ワイヤとして特定し、その長さを第1長さL1とする。次に、第1ワイヤの隣に配置されているボンディングワイヤを第2ワイヤとして特定し、その長さを第2長さL2とする。   In step S04, the inspection control program 30 calculates the difference in length between adjacent bonding wires based on the procedure provided by the wire identification function unit 35, and generates difference data. The inspection control program 30 extracts data indicating the length of the line segment from the line segment data stored in the memory 5 as a bonding wire on the computer, and the length of adjacent bonding wires based on the extracted data. The difference in height is calculated. Specifically, an arbitrary bonding wire is specified as the first wire, and the length thereof is set as the first length L1. Next, the bonding wire arranged next to the first wire is specified as the second wire, and the length thereof is set as the second length L2.

第1長さL1と第2長さL2の差分を、第1差分R1とすると、第1差分R1は下記(1)式
第1差分R1=|第1長さL1−第2長さL2| … (1)
より求められる。
Assuming that the difference between the first length L1 and the second length L2 is the first difference R1, the first difference R1 is expressed by the following equation (1): first difference R1 = | first length L1−second length L2 | (1)
More demanded.

同様に、第2ワイヤの隣に配置され、まだ第2ワイヤとの差分が得られていないボンディングワイヤを第3ワイヤとして特定し、その長さを第3長さL3とする。このとき、第2長さL2と第3長さL3の差分を、第2差分R2とすると、第2差分R2は下記(2)式
第2差分R2=|第2長さL2−第3長さL3| … (2)
より求められる。
Similarly, a bonding wire that is arranged next to the second wire and has not yet obtained a difference from the second wire is specified as a third wire, and the length thereof is defined as a third length L3. At this time, if the difference between the second length L2 and the third length L3 is the second difference R2, the second difference R2 is expressed by the following equation (2). Second difference R2 = | second length L2−third length Length L3 | (2)
More demanded.

以降、同様の動作を第1ワイヤから第nワイヤまで繰り返す。 Thereafter, the same operation is repeated from the first wire to the n-th wire.

第n−1長さLn−1と第n長さLnの差分を、第n−1差分R−1とし、第n長さLnと第1長さL1の差分を、第n差分Rnとすると、それぞれの差分は、
第n−1差分Rn−1=|第n−1長さLn−1−第n長さLn|
第n差分Rn =|第n長さLn−第1長さL1|
より求められる。
The difference between the (n-1) th length Ln-1 and the nth length Ln is the n-1th difference R-1, and the difference between the nth length Ln and the first length L1 is the nth difference Rn. , Each difference is
N−1th difference Rn−1 = | n−1 length Ln−1−nth length Ln |
Nth difference Rn = | nth length Ln−first length L1 |
More demanded.

隣り合うボンディングワイヤの組の全てに対して差分の算出が完了したら、処理はステップS05に進む。   When the calculation of the difference is completed for all of the adjacent bonding wire groups, the process proceeds to step S05.

ステップS05において、検査制御プログラム30は、算出されたワイヤ長の差分(第1差分R1〜第n差分Rn)の合計を求め、その合計に基づいて各差分の平均値を算出する。情報処理装置1、算出された平均値のデータをメモリ5に格納し、処理はステップS06に進む。   In step S05, the inspection control program 30 calculates the sum of the calculated wire length differences (first difference R1 to nth difference Rn), and calculates the average value of the differences based on the total. The information processing apparatus 1 stores the calculated average value data in the memory 5, and the process proceeds to step S06.

ステップS06において、ワイヤ識別機能部35が示す手順に基づいて、メモリ5に格納されたボンディングワイヤ形状データから、その長さが最長のボンディングワイヤ形状データを抽出する。ここで、ボンディングワイヤ形状データに対応するワイヤが実際に張られるとき(電極パッドとリード電極と接続するとき)、その長さが最長のボンディングワイヤは、ループ高が高くなるように形成される。したがって、検査制御プログラム30は、抽出したボンディングワイヤ形状データに基づいて、対応するボンディングワイヤを高ループグループに分類する。   In step S06, the bonding wire shape data having the longest length is extracted from the bonding wire shape data stored in the memory 5 based on the procedure indicated by the wire identification function unit 35. Here, when the wire corresponding to the bonding wire shape data is actually stretched (when connecting the electrode pad and the lead electrode), the bonding wire having the longest length is formed so as to have a high loop height. Therefore, the inspection control program 30 classifies the corresponding bonding wires into the high loop group based on the extracted bonding wire shape data.

ステップS07において、分類が完了したボンディングワイヤ(以下、前ワイヤと称する)の隣に配置され、まだ分類が完了していないボンディングワイヤ(以下、隣接ワイヤと称する。)に対応するボンディングワイヤ形状データを抽出し、前ステップにおいて特定されたボンディングワイヤとの長さの差を算出する。   In step S07, bonding wire shape data corresponding to a bonding wire (hereinafter referred to as an adjacent wire) that is arranged next to a bonding wire (hereinafter referred to as a previous wire) that has been classified and that has not yet been classified is obtained. Extracting and calculating the difference in length from the bonding wire specified in the previous step.

ステップS08において、ステップS05で算出されメモリ5に格納されたワイヤ長の差の平均値とステップS01で記憶された境界値を読み出し、それらに基づいて各ボンディングワイヤが属するグループを特定するための閾値を決定する。検査制御プログラム30は、ステップS07で得られた隣り合うワイヤの長さの差がその閾値を超えているか否かを比較する。その比較の結果、閾値を超えていなかった場合、処理はステップS09に進み、閾値を超えていた場合、処理はステップS10に進む。   In step S08, the average value of the differences in wire length calculated in step S05 and stored in the memory 5 and the boundary value stored in step S01 are read, and based on these values, a threshold value for specifying the group to which each bonding wire belongs To decide. The inspection control program 30 compares whether or not the difference between the lengths of adjacent wires obtained in step S07 exceeds the threshold value. As a result of the comparison, if the threshold value is not exceeded, the process proceeds to step S09. If the threshold value is exceeded, the process proceeds to step S10.

隣り合うワイヤの組は、ループ高が高いワイヤとループ高が低いワイヤの組、ループ高が高いワイヤ同士の組、およびループ高が低いワイヤ同士の組が存在する。そのため、ステップS08における判断に用いられる閾値は、ループ高が高いワイヤとループ高が低いワイヤの組が複数ある中で、最も小さいワイヤ長差より小さい値であり、かつ、ループ高が高いワイヤ同士の組、およびループ高が低いワイヤ同士の組が複数ある中で、最も大きいワイヤ長差より大きい値であることが好ましい。   Adjacent wire sets include a wire set with a high loop height and a wire set with a low loop height, a set of wires with a high loop height, and a set of wires with a low loop height. Therefore, the threshold value used for the determination in step S08 is a value smaller than the smallest wire length difference among a plurality of pairs of wires having a high loop height and wires having a low loop height, and wires having a high loop height. Of these, and a plurality of pairs of wires having a low loop height, a value larger than the largest wire length difference is preferable.

したがって、例えば、ステップS01で境界値を200umと設定した場合は、ステップS07で算出されたワイヤ長の差(um)が、平均値(um)−200umよりも小さいときには前ワイヤと同じループ高と判別する。また、ステップS07で算出されたワイヤ長の差が、平均値+200umを超えている場合は前ワイヤとループ高が異なると判別する。上述したステップS01において、境界値として設定する値を調整することで、設計対象の半導体装置に適した閾値設定を実行することが可能になる。   Therefore, for example, when the boundary value is set to 200 um in step S01, when the difference (um) in the wire length calculated in step S07 is smaller than the average value (um) −200 um, the same loop height as that of the previous wire is set. Determine. If the difference in wire length calculated in step S07 exceeds the average value +200 μm, it is determined that the loop height is different from the previous wire. In step S01 described above, by adjusting the value set as the boundary value, it is possible to execute threshold setting suitable for the semiconductor device to be designed.

ステップS09において、閾値を超えていなかったことで、隣接ワイヤを前ワイヤと同じグループに分類し、対応するワイヤ属性データを更新する。例えば、高ループグループに分類された前ワイヤとその隣接ワイヤと差と、上記の閾値との比較を行なった結果、ステップS09に処理が進んだ場合、隣接ワイヤは高ループグループに分類され、高ループ属性データが更新される。   In step S09, because the threshold value has not been exceeded, the adjacent wires are classified into the same group as the previous wire, and the corresponding wire attribute data is updated. For example, if the process proceeds to step S09 as a result of comparing the difference between the previous wire classified into the high loop group, its adjacent wire, and the above threshold value, the adjacent wire is classified into the high loop group, Loop attribute data is updated.

ステップS10において、閾値を超えていなかったことで、隣接ワイヤを前ワイヤと異なるグループに分類し、対応するワイヤ属性データを更新する。例えば、高ループグループに分類された前ワイヤとその隣接ワイヤと差と、上記の閾値との比較を行なった結果、ステップS10に処理が進んだ場合、隣接ワイヤは低ループグループに分類され、低ループ属性データが更新される。   In step S10, because the threshold value has not been exceeded, the adjacent wires are classified into a group different from the previous wire, and the corresponding wire attribute data is updated. For example, when the process proceeds to step S10 as a result of comparing the difference between the previous wire classified into the high loop group and its adjacent wires and the above-described threshold value, the adjacent wire is classified into the low loop group and low. Loop attribute data is updated.

ステップS11において、隣接ワイヤの分類が完了したことに応答して、全てのワイヤの分類が完了したかどうかの判断が実行される。上述したように、ボンディングワイヤの分類は、最大ワイヤ長のボンディングワイヤから順番に実行される。全てのワイヤの分類が完了していないと判断された場合、処理は戻り、隣接ワイヤを新たな前ワイヤとしてステップS07の処理が実行される。全てのワイヤの分類が完了した場合、処理はステップS12に進む。   In step S11, in response to completion of adjacent wire classification, a determination is made as to whether or not all wires have been classified. As described above, the bonding wires are classified in order from the bonding wire having the maximum wire length. If it is determined that the classification of all the wires has not been completed, the process returns, and the process of step S07 is executed with the adjacent wire as a new previous wire. When the classification of all the wires is completed, the process proceeds to step S12.

ステップS12において、検査制御プログラム30は、組立チェック機能部36が提供する手順に示される手順に基づいて、組立検査を実行する。検査制御プログラム30は、高ループ属性データ(または、低ループ属性データ)に基づいて、同じグループに属するボンディングワイヤを同属ワイヤとして特定する。その同属ワイヤの中で隣り合うワイヤ同士を抽出し、組立検査を実行する。例えば、組立チェックルール値として、ワイヤ間隔が設定されている場合、高ループ属性データ(または、低ループ属性データ)とボンディングワイヤ形状データとに基づいて、同じループ高のワイヤ同士の最短距離を算出し、その距離が組立チェックルール値より大きいか否かを比較する。その比較の結果、その距離が組立チェックルール値より大きい場合、処理はステップS14に進み、その距離が組立チェックルール値より小さい場合には、処理はステップS13に進む。   In step S12, the inspection control program 30 executes assembly inspection based on the procedure shown in the procedure provided by the assembly check function unit 36. The inspection control program 30 identifies bonding wires belonging to the same group as belonging wires based on the high loop attribute data (or low loop attribute data). Neighboring wires are extracted from the same wire and assembly inspection is executed. For example, when the wire interval is set as the assembly check rule value, the shortest distance between wires of the same loop height is calculated based on the high loop attribute data (or low loop attribute data) and the bonding wire shape data Then, it is compared whether or not the distance is larger than the assembly check rule value. As a result of the comparison, if the distance is larger than the assembly check rule value, the process proceeds to step S14. If the distance is smaller than the assembly check rule value, the process proceeds to step S13.

ステップS13において、組立チェックルールより小さい場合は、その結果をエラーとする。検査制御プログラム30は、そのエラー内容を含むメッセージを生成してメモリ5に格納し、処理はステップS14に進む。   If it is smaller than the assembly check rule in step S13, the result is regarded as an error. The inspection control program 30 generates a message including the error content and stores it in the memory 5, and the process proceeds to step S14.

ステップS14において、検査制御プログラム30は、画面表示機能部37が提供する機能に基づいて、組み立て検査を実行した結果を出力装置3に表示する。このとき、ステップS13におけるエラー内容を含むメッセージがメモリ5に格納されていた場合、そのメッセージに含まれるエラー内容を組立検査結果として出力装置3に表示する。また、そのエラー内容に基づいて設計変更が行われ、その設計変更後の半導体装置の組立検査が実行された後、半導体装置の製造が行われる。   In step S <b> 14, the inspection control program 30 displays the result of the assembly inspection on the output device 3 based on the function provided by the screen display function unit 37. At this time, if a message including the error content in step S13 is stored in the memory 5, the error content included in the message is displayed on the output device 3 as an assembly inspection result. Further, a design change is performed based on the error contents, and after the assembly inspection of the semiconductor device after the design change is executed, the semiconductor device is manufactured.

同じループ高のボンディングワイヤが隣接する場合には、ワイヤ長がほぼ等しい。本実施形態では、上記の構成および動作によって、隣接するワイヤ長の差が、ある一定値を超える場合はループ高が異なると判断している。また、ワイヤ長が最大のボンディングワイヤは必ず高ループとなる。そのため、そのボンディングワイヤを基点に反時計回りに繰りループ高を繰り返し判断し、その後にループ高を意識した組立チェックを行っている。   When bonding wires having the same loop height are adjacent to each other, the wire lengths are almost equal. In the present embodiment, it is determined that the loop height is different when the difference between adjacent wire lengths exceeds a certain value due to the configuration and operation described above. Also, the bonding wire with the maximum wire length always has a high loop. Therefore, the loop height is repeatedly determined counterclockwise from the bonding wire as a base point, and then an assembly check is performed in consideration of the loop height.

これによって、本発明では千鳥配置のボンディングリードを有するLSIパッケージに対し、ボンディングワイヤのループ高で区別した組立チェックを実行することが可能となる。この組立検査に対応して半導体装置を設計することにより、ボンディングワイヤ同士がショートする故障が防止され設計時間を短縮させることができる。   As a result, in the present invention, it is possible to execute an assembly check on the LSI package having the staggered bonding leads by distinguishing the bonding wire loop height. By designing a semiconductor device corresponding to this assembly inspection, a failure in which bonding wires are short-circuited can be prevented, and the design time can be shortened.

以下に、上述してきた本実施形態の動作について、平面図を参照して視覚的に説明を行う。図7は、本実施形態の組立検査装置による動作によって生成される計算機上の半導体装置の構成を例示する平面図である。ここで、図7の(a)は、本実施形態における半導体装置の構成を例示している。また、図7の(b)は、本願発明に関する理解を容易にするために、従来のLSI設計支援システムによって実行される組立検査の動作を示している。図7の(a)を参照すると、半導体チップ40は、LSIチップデータ21に基づいて生成されるチップ形状データから、検査対象の半導体チップの形状を出力装置3に表示させた場合の半導体チップの一部である。同様に、第1電極パッド41〜第3電極パッド43および第1ボンディングリード51〜第3ボンディングリード53は、計算機上の電極パッド、ボンディングリードを出力装置3に表示させた場合のそれぞれの外形を例示している。図7に示されているように、各電極パッド(41〜43)は、ボンディングワイヤが接続される接続点(P41〜P43)を有している。同様に各ボンディングリードは、ボンディングワイヤが接続される接続点(P51〜P53)を有している。   Hereinafter, the operation of the present embodiment described above will be described visually with reference to plan views. FIG. 7 is a plan view illustrating the configuration of the semiconductor device on the computer generated by the operation of the assembly inspection apparatus of this embodiment. Here, FIG. 7A illustrates the configuration of the semiconductor device according to the present embodiment. FIG. 7B shows an assembly inspection operation executed by a conventional LSI design support system in order to facilitate understanding of the present invention. Referring to (a) of FIG. 7, the semiconductor chip 40 is a semiconductor chip when the output device 3 displays the shape of the semiconductor chip to be inspected from the chip shape data generated based on the LSI chip data 21. It is a part. Similarly, the first electrode pad 41 to the third electrode pad 43 and the first bonding lead 51 to the third bonding lead 53 have respective external shapes when the electrode pad and the bonding lead on the computer are displayed on the output device 3. Illustrated. As shown in FIG. 7, each electrode pad (41-43) has connection points (P41-P43) to which bonding wires are connected. Similarly, each bonding lead has connection points (P51 to P53) to which bonding wires are connected.

LSIチップデータ21に基づいて、ボンディングワイヤの接続点(例えば、第1パッド側接続点P41)の座標が求められる。また、LSIパッケージデータ22に基づいて、ボンディングリードの接続点(例えば、第1リード側接続点P51)の座標が求められる。上述のフローチャートに示すステップS03の動作の説明で述べたように、第1パッド側接続点P41と第1リード側接続点P51とを線分で結んだボンディングワイヤデータを、計算機上におけるボンディングワイヤとしてメモリ5に格納する。同様に、第2パッド側接続点P42と第2リード側接続点P52、第3パッド側接続点P43と第3リード側接続点P53という順に、ボンディングワイヤを生成し、メモリ5に格納していく・
ステップS04において、隣り合うボンディングワイヤ同士の長さの差を算出する。図7の(a)に示されているように、第1ボンディングワイヤB1は長さL1であり、第2ボンディングワイヤB2は長さL2である。したがって、第1ボンディングワイヤB1と第2ボンディングワイヤB2との長さの差(第1差分R1)が、上記(1)式から求められる。同様に、第2差分R2〜第n差分Rnが求められる。
Based on the LSI chip data 21, the coordinates of the bonding wire connection point (for example, the first pad-side connection point P41) are obtained. Also, based on the LSI package data 22, the coordinates of the bonding lead connection point (for example, the first lead-side connection point P51) are obtained. As described in the description of the operation in step S03 shown in the above flowchart, the bonding wire data obtained by connecting the first pad side connection point P41 and the first lead side connection point P51 with a line segment is used as a bonding wire on the computer. Store in the memory 5. Similarly, bonding wires are generated and stored in the memory 5 in the order of the second pad side connection point P42 and the second lead side connection point P52, the third pad side connection point P43 and the third lead side connection point P53.・
In step S04, the length difference between adjacent bonding wires is calculated. As shown in FIG. 7A, the first bonding wire B1 has a length L1, and the second bonding wire B2 has a length L2. Therefore, the length difference (first difference R1) between the first bonding wire B1 and the second bonding wire B2 is obtained from the above equation (1). Similarly, the second difference R2 to the nth difference Rn are obtained.

その後、平均値の算出、長さが最長のボンディングワイヤの抽出、およびそのボンディングワイヤを高ループグループに分類する動作が実行される(ステップ05、ステップ06)。ここで、ステップS06において抽出された最長のボンディングワイヤが、図7の(a)に示されている第2ボンディングワイヤB2である場合を例示して以下の説明を行う。   Thereafter, calculation of an average value, extraction of the bonding wire with the longest length, and operations for classifying the bonding wire into a high loop group are executed (step 05 and step 06). Here, the case where the longest bonding wire extracted in step S06 is the second bonding wire B2 shown in FIG. 7A will be described as an example.

ステップ07において、第2ボンディングワイヤB2の隣接ワイヤとして第3ボンディングワイヤB3を抽出し、その第2ボンディングワイヤB2と第3ボンディングワイヤB3との差を算出する。ステップS08において、算出された差と閾値との比較を行い、第3ボンディングワイヤB3の分類を実行する。ここで、全ボンディングワイヤの分類が完了し、その場合において、第3ボンディングワイヤB3が低ループグループに分類され、さらに、第1ボンディングワイヤB1も低ループグループに分類されたものとする。以降、ステップ09に続く処理が実行され、ステップS12において、組立検査が行われる。このとき、第1ボンディングワイヤB1と第3ボンディングワイヤB3とが同じグループに分類され、第2ボンディングワイヤB2は、それらとは異なるグループに分類されている。したがって、検査制御プログラム30は、組立チェック機能部36が提供する手順に示される手順に基づいて、第1ボンディングワイヤB1と第3ボンディングワイヤB3と間隔D1を対象に組立検査を実行する。   In step 07, the third bonding wire B3 is extracted as an adjacent wire of the second bonding wire B2, and the difference between the second bonding wire B2 and the third bonding wire B3 is calculated. In step S08, the calculated difference is compared with a threshold value, and the third bonding wire B3 is classified. Here, it is assumed that the classification of all the bonding wires is completed, and in this case, the third bonding wire B3 is classified into the low loop group, and further, the first bonding wire B1 is also classified into the low loop group. Thereafter, processing following step 09 is executed, and assembly inspection is performed in step S12. At this time, the first bonding wire B1 and the third bonding wire B3 are classified into the same group, and the second bonding wire B2 is classified into a different group. Therefore, the inspection control program 30 performs assembly inspection on the first bonding wire B1, the third bonding wire B3, and the interval D1 based on the procedure shown in the procedure provided by the assembly check function unit 36.

図7の(b)に示されているように、従来は異なるループ高で配置されるボンディングワイヤの間隔(d1、d2)が、組立チェックルール値に適合しているか否かに基づいて組立検査を実行していた。本実施形態の組立検査装置では、上述の構成・動作によって同じ高さ程度のループ高で配置されるボンディングワイヤをグループ化し、そのグループごとに組立検査を実行している。これによって、ボンディングワイヤ同士がショートする故障が防止され設計時間を短縮させることが可能となる。   As shown in FIG. 7 (b), the assembly inspection is based on whether or not the distance (d1, d2) between the bonding wires conventionally arranged at different loop heights conforms to the assembly check rule value. Was running. In the assembly inspection apparatus of this embodiment, bonding wires arranged at the same loop height are grouped by the above-described configuration and operation, and assembly inspection is performed for each group. As a result, a failure in which the bonding wires are short-circuited is prevented, and the design time can be shortened.

なお、上述の実施形態において、ボンディングワイヤの高さが2種類である場合を例示して説明を行ってきたが、これは、本発明における分類の数を制限するものではない。また、上述してきた実施形態では、組立チェック項目としてボンディングワイヤ間隔を挙げたが、ループ高によりルール値が異なるのであればワイヤ長やワイヤ入射角度でも良い。また、上述してきた実施形態では、半導体設計支援システム10を構成する情報処理装置1が、プログラム記憶部12に保持されているコンピュータプログラムに示されている手順に沿って動作することで組立検査を実行している。ここにおいて、そのコンピュータプログラムで示される手順と同様の手順で動作する回路を構成し、本実施形態の中で述べてきた組立検査を実行することも可能である。   In the above-described embodiment, the case where there are two types of bonding wire heights has been described as an example, but this does not limit the number of classifications in the present invention. In the above-described embodiment, the bonding wire interval is cited as an assembly check item. However, the wire length or the wire incident angle may be used as long as the rule value varies depending on the loop height. In the above-described embodiment, the information processing apparatus 1 constituting the semiconductor design support system 10 operates in accordance with the procedure shown in the computer program held in the program storage unit 12 to perform assembly inspection. Running. Here, it is also possible to configure a circuit that operates in the same procedure as that shown in the computer program and execute the assembly inspection described in the present embodiment.

図1は、従来技術におけるLSI設計支援システムの構成を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a conventional LSI design support system. 図2は、従来技術におけるLSI設計支援システムの動作を示すフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart showing the operation of the conventional LSI design support system. 図3は、本発明の半導体設計支援システム10の構成を例示するブロック図である。FIG. 3 is a block diagram illustrating the configuration of the semiconductor design support system 10 of the present invention. 図4は、データ記憶部の構成を例示するブロック図である。FIG. 4 is a block diagram illustrating the configuration of the data storage unit. 図5は、プログラム記憶部の構成を例示するブロック図である。FIG. 5 is a block diagram illustrating the configuration of the program storage unit. 図6は、本発明の半導体設計支援システム10の動作を例示するフローチャートである。FIG. 6 is a flowchart illustrating the operation of the semiconductor design support system 10 of the present invention. 図7は、本発明の半導体設計支援システム10の動作を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing the operation of the semiconductor design support system 10 of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

10…半導体設計支援システム
1…情報処理装置
2…入力装置
3…表示装置
4…CPU
5…メモリ
6…入出力インターフェース
7…大容量記憶装置
8…バス
11…データ記憶部
12…プログラム記憶部
21…LSIチップデータ
22…LSIパッケージデータ
30…検査制御プログラム
31…設計条件入力機能部
32…チップ入力機能部
33…パッケージ入力機能部
34…ワイヤ発生機能部
35…ワイヤ識別機能部
36…組立チェック機能部
37…画面表示機能部
40…半導体チップ
41〜43…電極パッド
51〜53…ボンディングリード
P41〜P43…ワイヤ接続点
P51〜P53…ワイヤ接続点
B1〜B3…ボンディングワイヤ
101…LSIチップ組立判定装置
102…キーボード
103…ディスプレイ
105…記憶部
106…インターフェース部
107…外部記憶装置
132…チップデータ入力部
133…LSIパッケージ入力部
134…初期ワイヤ発生部
114…ワイヤ調節部
115…データ編集部
136…組立チェック部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Semiconductor design support system 1 ... Information processing apparatus 2 ... Input device 3 ... Display apparatus 4 ... CPU
5 ... Memory 6 ... I / O interface 7 ... Mass storage device 8 ... Bus 11 ... Data storage unit 12 ... Program storage unit 21 ... LSI chip data 22 ... LSI package data 30 ... Inspection control program 31 ... Design condition input function unit 32 ... chip input function part 33 ... package input function part 34 ... wire generation function part 35 ... wire identification function part 36 ... assembly check function part 37 ... screen display function part 40 ... semiconductor chips 41 to 43 ... electrode pads 51 to 53 ... bonding Leads P41 to P43 ... Wire connection points P51 to P53 ... Wire connection points B1 to B3 ... Bonding wire 101 ... LSI chip assembly determination device 102 ... Keyboard 103 ... Display 105 ... Storage unit 106 ... Interface unit 107 ... External storage device 132 ... Chip Data input unit 133... LSI chip Cage input unit 134 ... initial wire generator 114 ... wire adjusting unit 115 ... data editing unit 136 ... assembly check section

Claims (16)

半導体チップに関する情報であるチップデータと前記半導体チップを搭載するパッケージに関する情報であるパッケージデータとを格納する記憶部と、
前記チップデータと前記パッケージデータとに基づいて前記半導体チップと前記パッケージとの接続が適切に行われるか否かを判定する演算処理部と
を具備し、
前記演算処理部は、
前記半導体チップに配置される複数の電極パッドの配置位置に関する情報を有するパッドデータを生成するパッドデータ生成部と、
前記パッケージに配置される複数のリード電極の配置位置に関する情報を有するリード電極データを生成するリード電極データ生成部と、
前記パッドデータと前記リード電極データとに基づいて、前記複数の電極パッドと前記複数のリード電極とを接続する複数のボンディングワイヤに関する情報を有するボンディングワイヤデータを生成するボンディングワイヤデータ生成部と、
前記複数のボンディングワイヤが実際に形成されるときの高さを推定し、前記複数のボンディングワイヤを前記高さに対応するグループに分類するワイヤ識別部と、
前記判定を実行する判定実行部と
を含み、
前記ワイヤ識別部は、
前記ボンディングワイヤデータに基づいて、前記複数のボンディングワイヤの長さを算出し、前記長さに基づいて前記高さを推定し、
推定された前記高さが所定の範囲に含まれるボンディングワイヤを同じグループに分類し、
前記判定実行部は、
前記同じグループに分類されている前記ボンディングワイヤの間隔が、予め定められた値の範囲内に収まっているか否かを判定することで、前記ボンディングワイヤが適切に形成されるか否かを判定する
半導体設計支援装置。
A storage unit that stores chip data that is information about a semiconductor chip and package data that is information about a package on which the semiconductor chip is mounted;
An arithmetic processing unit that determines whether or not the connection between the semiconductor chip and the package is appropriately performed based on the chip data and the package data;
The arithmetic processing unit includes:
A pad data generation unit that generates pad data having information related to an arrangement position of a plurality of electrode pads arranged on the semiconductor chip;
A lead electrode data generation unit for generating lead electrode data having information on the arrangement positions of a plurality of lead electrodes arranged in the package;
Based on the pad data and the lead electrode data, a bonding wire data generating unit that generates bonding wire data having information on a plurality of bonding wires connecting the plurality of electrode pads and the plurality of lead electrodes;
A wire identifying unit that estimates a height at which the plurality of bonding wires are actually formed, and classifies the plurality of bonding wires into a group corresponding to the height;
A determination execution unit that executes the determination,
The wire identification unit is
Based on the bonding wire data, calculate the length of the plurality of bonding wires, estimate the height based on the length,
Classifying bonding wires whose estimated height is within a predetermined range into the same group;
The determination execution unit
It is determined whether or not the bonding wires are properly formed by determining whether or not the interval between the bonding wires classified into the same group is within a predetermined value range. Semiconductor design support equipment.
請求項1に記載の半導体設計支援装置において、
前記ワイヤ識別部は、
隣り合うボンディングワイヤの長さの差を算出し、前記差が予め定められた閾値よりも小さいとき、前記隣り合うボンディングワイヤが同じ高さで形成されると推定し、前記隣り合うボンディングワイヤを同じグループに分類する
半導体設計支援装置。
The semiconductor design support apparatus according to claim 1,
The wire identification unit is
The difference between the lengths of adjacent bonding wires is calculated, and when the difference is smaller than a predetermined threshold, it is estimated that the adjacent bonding wires are formed at the same height, and the adjacent bonding wires are the same. Semiconductor design support equipment classified into groups.
請求項2に記載の半導体設計支援装置において、
前記ワイヤ識別部は、
前記複数のボンディングワイヤの一つを第1ワイヤとして特定して前記第1ワイヤを一つのグループに分類し、
前記第1ワイヤと前記第1ワイヤに隣り合う第2ワイヤとの前記差が、前記閾値よりも小さいとき、前記第2ワイヤを前記第1ワイヤと同じグループに分類して前記第2ワイヤを新たな第1ワイヤとして特定し、
前記第1ワイヤと前記第2ワイヤとの前記差が、前記閾値よりも大きいとき、前記第2ワイヤを前記第1ワイヤと異なる他のグループに分類して前記第2ワイヤを新たな第1ワイヤとして特定する
半導体設計支援装置。
The semiconductor design support apparatus according to claim 2,
The wire identification unit is
Identifying one of the plurality of bonding wires as a first wire and classifying the first wire into one group;
When the difference between the first wire and the second wire adjacent to the first wire is smaller than the threshold value, the second wire is classified into the same group as the first wire, and the second wire is newly set. Identified as the first wire
When the difference between the first wire and the second wire is greater than the threshold value, the second wire is classified into another group different from the first wire, and the second wire is replaced with a new first wire. Identify semiconductor design support equipment.
請求項3に記載の半導体設計支援装置において、
前記ワイヤ識別部は、
前記ボンディングワイヤデータに基づいて、
前記複数のボンディングワイヤの中から、前記長さの最も長い前記ボンディングワイヤを前記第1ワイヤとして特定する
半導体設計支援装置。
In the semiconductor design support device according to claim 3,
The wire identification unit is
Based on the bonding wire data,
The semiconductor design support device that identifies the bonding wire having the longest length as the first wire from among the plurality of bonding wires.
請求項4に記載の半導体設計支援装置において、
前記複数のボンディングワイヤのそれぞれは高さを有し、
前記グループは、
前記高さが高いボンディングワイヤの集合を示す高ループグループと、
前記高さが低いボンディングワイヤの集合を示す低ループグループと
を含み、
前記ワイヤ識別部は、
前記複数のボンディングワイヤの一つを第1ワイヤとして特定して前記第1ワイヤを前記高ループグループに分類し、
前記第1ワイヤと前記第1ワイヤに隣り合う第2ワイヤとの前記差が、前記閾値よりも小さいとき、前記第2ワイヤを前記高ループグループに分類して前記第2ワイヤを新たな第1ワイヤとして特定し、
前記第1ワイヤと前記第2ワイヤとの前記差が、前記閾値よりも大きいとき、前記第2ワイヤを前記低ループグループに分類して前記第2ワイヤを新たな第1ワイヤとして特定し、
前記第2ワイヤが前記低ループグループに分類されたとき、
前記新たな第1ワイヤと前記新たな第1ワイヤに隣り合う新たな第2ワイヤとの前記差が、前記閾値よりも大きいとき、前記新たな第2ワイヤを前記高ループグループに分類して前記新たな第2ワイヤを新たな第1ワイヤとして特定する
半導体設計支援装置。
The semiconductor design support apparatus according to claim 4,
Each of the plurality of bonding wires has a height,
The group is
A high loop group showing a set of bonding wires having a high height;
A low loop group indicating a set of bonding wires having a low height,
The wire identification unit is
Identifying one of the plurality of bonding wires as a first wire and classifying the first wire into the high loop group;
When the difference between the first wire and the second wire adjacent to the first wire is smaller than the threshold value, the second wire is classified into the high loop group and the second wire is replaced with a new first wire. Identified as a wire,
When the difference between the first wire and the second wire is greater than the threshold, classify the second wire into the low loop group and identify the second wire as a new first wire;
When the second wire is classified into the low loop group,
When the difference between the new first wire and the new second wire adjacent to the new first wire is greater than the threshold, classifying the new second wire into the high loop group and A semiconductor design support apparatus that identifies a new second wire as a new first wire.
請求項5に記載の半導体設計支援装置において、
前記ワイヤ識別部は、
前記パッド位置データに基づいて得られる前記電極パッドの位置座標と、前記リード電極データに基づいて得られる前記接続点の位置座標との距離を前記長さとし、前記長さの差を差分データとして算出する
半導体設計支援装置。
The semiconductor design support apparatus according to claim 5,
The wire identification unit is
The distance between the position coordinates of the electrode pad obtained based on the pad position data and the position coordinates of the connection point obtained based on the lead electrode data is the length, and the difference in length is calculated as difference data. Semiconductor design support device.
請求項6に記載の半導体設計支援装置において、
前記ワイヤ識別部は、
前記差分データに基づいて、前記差の平均値である差分平均値データを生成し、
前記差が前記平均値より小さい前記隣り合うボンディングワイヤを、異なる高さで形成されるワイヤであると推定するための値、または、前記差が前記平均値より大きい前記隣り合うボンディングワイヤを、同じ高さで形成されるとワイヤであると推定するための値を用いて前記差分平均値データを補正して前記閾値を定める
半導体設計支援装置。
The semiconductor design support apparatus according to claim 6,
The wire identification unit is
Based on the difference data, generate difference average value data that is an average value of the differences,
A value for estimating the adjacent bonding wires whose difference is smaller than the average value as wires formed at different heights, or the adjacent bonding wires whose difference is larger than the average value are the same. A semiconductor design support apparatus that determines the threshold value by correcting the difference average value data using a value for estimating a wire when formed at a height.
半導体チップに関する情報であるチップデータと前記半導体チップを搭載するパッケージに関する情報であるパッケージデータとを格納する記憶部と、
前記半導体チップと前記パッケージとの接続が適切に行われるか否かを判定する演算処理部と
を具備するコンピュータで実行可能なプログラムであって、
前記プログラムは、
(a)前記チップデータに基づいて、前記半導体チップに配置される複数の電極パッドの配置位置の情報を有するパッド位置データを生成するステップと、
(b)前記パッケージデータに基づいて、前記パッケージに配置される複数のリード電極が複数のボンディングワイヤに接続されるときの接続点に関する情報を有するリード電極データを生成するステップと、
(c)前記パッド位置データと前記リード電極データとに基づいて、ボンディングワイヤデータを生成するステップと、
(d)前記複数のボンディングワイヤをグループに分類するステップと、
(e)前記チップデータと前記パッケージデータとに基づいて前記判定を実行するステップと
を含み、
前記(d)ステップは、
前記複数のボンディングワイヤの隣り合うボンディングワイヤの長さの差を算出するステップと、
前記差が予め定められた閾値よりも小さいとき、前記隣り合うボンディングワイヤを同じグループに分類するステップを含み、
前記(e)ステップは、
前記同じグループに分類されている前記ボンディングワイヤの間隔が、予め定められた値の範囲内に収まっているか否かを判定することで、前記ボンディングワイヤが適切に形成されるか否かを判定するステップ
を具備する方法をコンピュータによって実行可能なプログラム。
A storage unit that stores chip data that is information about a semiconductor chip and package data that is information about a package on which the semiconductor chip is mounted;
A computer-executable program comprising: an arithmetic processing unit that determines whether or not the connection between the semiconductor chip and the package is appropriately performed;
The program is
(A) generating pad position data having information on arrangement positions of a plurality of electrode pads arranged on the semiconductor chip based on the chip data;
(B) generating lead electrode data having information on connection points when a plurality of lead electrodes arranged in the package are connected to a plurality of bonding wires based on the package data;
(C) generating bonding wire data based on the pad position data and the lead electrode data;
(D) classifying the plurality of bonding wires into groups;
(E) performing the determination based on the chip data and the package data;
The step (d) includes:
Calculating a difference in length between adjacent bonding wires of the plurality of bonding wires;
Classifying the adjacent bonding wires into the same group when the difference is less than a predetermined threshold;
The step (e) includes:
It is determined whether or not the bonding wires are properly formed by determining whether or not the interval between the bonding wires classified into the same group is within a predetermined value range. A program capable of executing a method comprising steps by a computer.
請求項8に記載のプログラムにおいて、
前記(d)ステップは、
前記複数のボンディングワイヤの一つを第1ワイヤとして特定して前記第1ワイヤを一つのグループに分類するステップと、
前記第1ワイヤと前記第1ワイヤに隣り合う第2ワイヤとの前記差が、前記閾値よりも小さいとき、前記第2ワイヤを前記第1ワイヤと同じグループに分類して前記第2ワイヤを新たな第1ワイヤとして特定するステップと、
前記第1ワイヤと前記第2ワイヤとの前記差が、前記閾値よりも大きいとき、前記第2ワイヤを前記第1ワイヤと異なる他のグループに分類して前記第2ワイヤを新たな第1ワイヤとして特定するステップ
を含む
方法をコンピュータによって実行可能なプログラム。
The program according to claim 8, wherein
The step (d) includes:
Identifying one of the plurality of bonding wires as a first wire and classifying the first wire into one group;
When the difference between the first wire and the second wire adjacent to the first wire is smaller than the threshold value, the second wire is classified into the same group as the first wire, and the second wire is newly set. Identifying the first wire as
When the difference between the first wire and the second wire is greater than the threshold value, the second wire is classified into another group different from the first wire, and the second wire is replaced with a new first wire. A program executable by a computer comprising a step of identifying as
請求項9に記載のプログラムにおいて、
前記(d)ステップは、
前記ボンディングワイヤデータに基づいて、
前記複数のボンディングワイヤの中から、前記長さの最も長い前記ボンディングワイヤを前記第1ワイヤとして特定するステップ
を含む
方法をコンピュータによって実行可能なプログラム。
The program according to claim 9,
The step (d) includes:
Based on the bonding wire data,
A computer-executable program that includes the step of: specifying the longest bonding wire as the first wire from among the plurality of bonding wires.
請求項10に記載のプログラムにおいて、
前記(d)ステップは、
前記複数のボンディングワイヤの一つを第1ワイヤとして特定するステップと、
前記第1ワイヤを高さが高いボンディングワイヤの集合を示す高ループグループに分類するステップと、
前記第1ワイヤと前記第1ワイヤに隣り合う第2ワイヤとの前記差が、前記閾値よりも小さいとき、前記第2ワイヤを前記高ループグループに分類して前記第2ワイヤを新たな第1ワイヤとして特定するステップと、
前記第1ワイヤと前記第2ワイヤとの前記差が、前記閾値よりも大きいとき、前記第2ワイヤを、高さが低いボンディングワイヤの集合を示す低ループグループに分類して前記第2ワイヤを新たな第1ワイヤとして特定するステップと、
前記第2ワイヤが前記低ループグループに分類され、前記新たな第1ワイヤと前記新たな第1ワイヤに隣り合う新たな第2ワイヤとの前記差が、前記閾値よりも大きいとき、前記新たな第2ワイヤを前記高ループグループに分類して前記新たな第2ワイヤを新たな第1ワイヤとして特定するステップ
を含む
方法をコンピュータによって実行可能なプログラム。
The program according to claim 10, wherein
The step (d) includes:
Identifying one of the plurality of bonding wires as a first wire;
Classifying the first wire into a high loop group representing a set of high bonding wires;
When the difference between the first wire and the second wire adjacent to the first wire is smaller than the threshold value, the second wire is classified into the high loop group and the second wire is replaced with a new first wire. Identifying as a wire;
When the difference between the first wire and the second wire is greater than the threshold value, the second wire is classified into a low loop group indicating a set of bonding wires having a low height, and the second wire is Identifying as a new first wire;
When the second wire is classified into the low loop group and the difference between the new first wire and the new second wire adjacent to the new first wire is greater than the threshold, the new wire A computer-executable program comprising: classifying a second wire into the high loop group and identifying the new second wire as a new first wire.
請求項11に記載のプログラムにおいて、
前記(d)ステップは、
前記パッド位置データに基づいて得られる前記電極パッドの位置座標と、前記リード電極データに基づいて得られる前記接続点の位置座標との距離を前記長さとし、前記長さの差を差分データとして算出するステップ
を含む
方法をコンピュータによって実行可能なプログラム。
The program according to claim 11,
The step (d) includes:
The distance between the position coordinates of the electrode pad obtained based on the pad position data and the position coordinates of the connection point obtained based on the lead electrode data is the length, and the difference in length is calculated as difference data. A program that can be executed by a computer.
請求項12に記載のプログラムにおいて、
前記(d)ステップは、
前記差分データに基づいて、前記差の平均値である差分平均値データを生成するステップと、
前記差が前記平均値より小さい前記隣り合うボンディングワイヤを、異なる高さで形成されるワイヤであると推定するための値、または、前記差が前記平均値より大きい前記隣り合うボンディングワイヤを、同じ高さで形成されるとワイヤであると推定するための値を用いて前記差分平均値データを補正して前記閾値を定めるステップ
を含む
方法をコンピュータによって実行可能なプログラム。
The program according to claim 12,
The step (d) includes:
Generating difference average value data that is an average value of the differences based on the difference data; and
A value for estimating the adjacent bonding wires whose difference is smaller than the average value as wires formed at different heights, or the adjacent bonding wires whose difference is larger than the average value are the same. A program capable of executing a method including a step of correcting the difference average value data using a value for estimating a wire when formed at a height to determine the threshold.
(a)半導体チップに関する情報であるチップデータを記憶部から読み出し、前記チップデータに基づいて、前記半導体チップに配置される複数の電極パッドの配置位置の情報を有するパッド位置データを生成するステップと、
(b)前記半導体チップを搭載するパッケージに関する情報であるパッケージデータを前記記憶部から読み出し、前記パッケージデータに基づいて、前記パッケージに配置される複数のリード電極が複数のボンディングワイヤに接続されるときの接続点に関する情報を有するリード電極データを生成するステップと、
(c)前記パッド位置データと前記リード電極データとに基づいて、ボンディングワイヤデータを生成するステップと、
(d)前記複数のボンディングワイヤをグループに分類するステップと、
(e)前記チップデータと前記パッケージデータとに基づいて前記判定を実行するステップとを具備し、
前記(d)ステップは、
前記複数のボンディングワイヤの隣り合うボンディングワイヤの長さの差を算出するステップと、
前記差が予め定められた閾値よりも小さいとき、前記隣り合うボンディングワイヤを同じグループに分類するステップを含み、
前記(e)ステップは、
前記同じグループに分類されている前記ボンディングワイヤの間隔が、予め定められた値の範囲内に収まっているか否かを判定することで、前記ボンディングワイヤが適切に形成されるか否かを判定するステップ
を具備する
半導体設計支援方法。
(A) reading out chip data that is information relating to the semiconductor chip from the storage unit, and generating pad position data having information on arrangement positions of a plurality of electrode pads arranged on the semiconductor chip based on the chip data; ,
(B) When package data, which is information relating to a package on which the semiconductor chip is mounted, is read from the storage unit, and a plurality of lead electrodes arranged in the package are connected to a plurality of bonding wires based on the package data Generating lead electrode data having information on the connection points of
(C) generating bonding wire data based on the pad position data and the lead electrode data;
(D) classifying the plurality of bonding wires into groups;
(E) performing the determination based on the chip data and the package data,
The step (d) includes:
Calculating a difference in length between adjacent bonding wires of the plurality of bonding wires;
Classifying the adjacent bonding wires into the same group when the difference is less than a predetermined threshold;
The step (e) includes:
It is determined whether or not the bonding wires are properly formed by determining whether or not the interval between the bonding wires classified into the same group is within a predetermined value range. A semiconductor design support method comprising steps.
半導体装置を設計するステップと、
前記半導体装置を製造するステップ
を具備し、
前記設計するステップは、
(a)半導体チップに関する情報であるチップデータを記憶部から読み出し、前記チップデータに基づいて、前記半導体チップに配置される複数の電極パッドの配置位置の情報を有するパッド位置データを生成するステップと、
(b)前記半導体チップを搭載するパッケージに関する情報であるパッケージデータを前記記憶部から読み出し、前記パッケージデータに基づいて、前記パッケージに配置される複数のリード電極が複数のボンディングワイヤに接続されるときの接続点に関する情報を有するリード電極データを生成するステップと、
(c)前記パッド位置データと前記リード電極データとに基づいて、ボンディングワイヤデータを生成するステップと、
(d)前記複数のボンディングワイヤをグループに分類するステップと、
(e)前記チップデータと前記パッケージデータとに基づいて前記判定を実行するステップとを具備し、
前記(d)ステップは、
前記複数のボンディングワイヤの隣り合うボンディングワイヤの長さの差を算出するステップと、
前記差が予め定められた閾値よりも小さいとき、前記隣り合うボンディングワイヤを同じグループに分類するステップを含み、
前記(e)ステップは、
前記同じグループに分類されている前記ボンディングワイヤの間隔が、予め定められた値の範囲内に収まっているか否かを判定することで、前記ボンディングワイヤが適切に形成されるか否かを判定するステップ
をふくみ、
前記製造するステップは、
前記(e)ステップによって得られた判定結果に基づいて前記半導体装置を製造するステップを含む
半導体装置の製造方法。
Designing a semiconductor device;
Comprising the step of manufacturing the semiconductor device,
The designing step includes
(A) reading out chip data that is information relating to the semiconductor chip from the storage unit, and generating pad position data having information on arrangement positions of a plurality of electrode pads arranged on the semiconductor chip based on the chip data; ,
(B) When package data, which is information relating to a package on which the semiconductor chip is mounted, is read from the storage unit, and a plurality of lead electrodes arranged in the package are connected to a plurality of bonding wires based on the package data Generating lead electrode data having information on the connection points of
(C) generating bonding wire data based on the pad position data and the lead electrode data;
(D) classifying the plurality of bonding wires into groups;
(E) performing the determination based on the chip data and the package data,
The step (d) includes:
Calculating a difference in length between adjacent bonding wires of the plurality of bonding wires;
Classifying the adjacent bonding wires into the same group when the difference is less than a predetermined threshold;
The step (e) includes:
It is determined whether or not the bonding wires are appropriately formed by determining whether or not an interval between the bonding wires classified into the same group is within a predetermined value range. Including steps,
The manufacturing step includes:
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: manufacturing the semiconductor device based on a determination result obtained in the step (e).
半導体装置を設計するステップと、
前記半導体装置を製造するステップ
を具備し、
前記設計するステップは、
半導体装置を設計するステップと、
前記半導体装置を製造するステップ
を具備し、
前記設計するステップは、
(a)半導体チップに関する情報であるチップデータを記憶部から読み出し、前記チップデータに基づいて、前記半導体チップに配置される複数の電極パッドの配置位置の情報を有するパッド位置データを生成するステップと、
(b)前記半導体チップを搭載するパッケージに関する情報であるパッケージデータを前記記憶部から読み出し、前記パッケージデータに基づいて、前記パッケージに配置される複数のリード電極が複数のボンディングワイヤに接続されるときの接続点に関する情報を有するリード電極データを生成するステップと、
(c)前記パッド位置データと前記リード電極データとに基づいて、ボンディングワイヤデータを生成するステップと、
(d)前記複数のボンディングワイヤをグループに分類するステップと、
(e)前記チップデータと前記パッケージデータとに基づいて前記判定を実行するステップとを具備し、
前記(d)ステップは、
前記複数のボンディングワイヤの隣り合うボンディングワイヤの長さの差を算出するステップと、
前記差が予め定められた閾値よりも小さいとき、前記隣り合うボンディングワイヤを同じグループに分類するステップを含み、
前記(e)ステップは、
前記同じグループに分類されている前記ボンディングワイヤの間隔が、予め定められた値の範囲内に収まっているか否かを判定することで、前記ボンディングワイヤが適切に形成されるか否かを判定するステップ
をふくみ、
前記製造するステップは、
前記(e)ステップによって得られた判定結果に基づいて前記半導体装置を製造するステップを含む半導体装置の製造方法で製造される
半導体装置。
Designing a semiconductor device;
Comprising the step of manufacturing the semiconductor device,
The designing step includes
Designing a semiconductor device;
Comprising the step of manufacturing the semiconductor device,
The designing step includes
(A) reading out chip data that is information relating to the semiconductor chip from the storage unit, and generating pad position data having information on arrangement positions of a plurality of electrode pads arranged on the semiconductor chip based on the chip data; ,
(B) When package data, which is information relating to a package on which the semiconductor chip is mounted, is read from the storage unit, and a plurality of lead electrodes arranged in the package are connected to a plurality of bonding wires based on the package data Generating lead electrode data having information on the connection points of
(C) generating bonding wire data based on the pad position data and the lead electrode data;
(D) classifying the plurality of bonding wires into groups;
(E) performing the determination based on the chip data and the package data,
The step (d) includes:
Calculating a difference in length between adjacent bonding wires of the plurality of bonding wires;
Classifying the adjacent bonding wires into the same group when the difference is less than a predetermined threshold;
The step (e) includes:
It is determined whether or not the bonding wires are appropriately formed by determining whether or not an interval between the bonding wires classified into the same group is within a predetermined value range. Including steps,
The manufacturing step includes:
A semiconductor device manufactured by a manufacturing method of a semiconductor device including a step of manufacturing the semiconductor device based on a determination result obtained in the step (e).
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