JP2007128993A - Adhesive tape for semiconductor substrate and adhesive tape feeder - Google Patents

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健一 小日向
Hiroshi Asami
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent electrostatic breakdown of an element due to electrification of an adhesive tape. <P>SOLUTION: The adhesive tape 25 has a first conductor layer 31 formed on a tape base 27, and a second conductor layer 32 formed on a release sheet 28; and also has an adhesive layer exposed part 37 formed at one of ends 25A of the tape base 27, where the release sheet 28 is partially peeled off. An adhesive layer 26 and the second conductor layer 32 of the release sheet 28 are simultaneously brought into contact with an outer peripheral surface of a core 29 for taking up and supporting the adhesive tape 25. By keeping the core 29 electrically connected with ground potential, the electrification of the adhesive layer 26 in peeling the release sheet 28 is effectively prevented to avoid the electrostatic breakdown of the element. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、ウェーハダイシング工程やウェーハ裏面研削工程等に使用される半導体基板用粘着テープおよび粘着テープ供給装置に関する。   The present invention relates to an adhesive tape for a semiconductor substrate and an adhesive tape supply device used in a wafer dicing process, a wafer back grinding process, and the like.

近年における電子機器の小型化・薄型化の要請から、その構成部品である半導体チップの薄厚化は今後の製品開発に必須の条件となっている。半導体チップの薄厚化は、従来より、素子を形成した半導体ウェーハの裏面研削(バックグラインド)工程によって行われている。   In recent years, due to the demand for downsizing and thinning of electronic devices, the thinning of the semiconductor chip, which is a component, has become an indispensable condition for future product development. Conventionally, a semiconductor chip is thinned by a back grinding process of a semiconductor wafer on which elements are formed.

図5および図6を参照して、薄型の半導体チップの製作からマウントまでの各種工程を説明する。素子を形成した半導体ウェーハ10の表面(素子形成面)に粘着性の保護テープ8を貼り付け(図5A)、その後、研削装置1を用いて半導体ウェーハ10の裏面を研削する(図5B)。そして、剥離用の補助テープ2等を用いて保護テープ8を半導体ウェーハ10の表面から剥がした後(図5C)、粘着性のダイシングテープ9を介して半導体ウェーハ10をリングフレーム3にマウントし(図5D)、ダイシングソー4によって半導体ウェーハ10を個片化する(図6E)。ダイシング工程後、半導体チップ11はニードル5に突き上げられると同時にコレット6で吸着され(図6F)、マウンタ12を用いて例えばリードフレーム7上へマウントされる(図6G)。   With reference to FIG. 5 and FIG. 6, various processes from the production of a thin semiconductor chip to the mounting will be described. Adhesive protective tape 8 is affixed to the surface (element formation surface) of semiconductor wafer 10 on which elements are formed (FIG. 5A), and then the back surface of semiconductor wafer 10 is ground using grinding device 1 (FIG. 5B). Then, after peeling off the protective tape 8 from the surface of the semiconductor wafer 10 using the auxiliary tape 2 for peeling (FIG. 5C), the semiconductor wafer 10 is mounted on the ring frame 3 via the adhesive dicing tape 9 ( 5D), the semiconductor wafer 10 is separated into pieces by the dicing saw 4 (FIG. 6E). After the dicing process, the semiconductor chip 11 is pushed up by the needle 5 and simultaneously adsorbed by the collet 6 (FIG. 6F), and mounted on the lead frame 7 using the mounter 12 (FIG. 6G).

上述したように、半導体ウェーハ10の裏面研削工程とダイシング工程においては、半導体ウェーハ10を支持するために保護テープ8およびダイシングテープ9が用いられている。これら保護テープ8やダイシングテープ9は、通常、図7に示すような構成の粘着テープ15が用いられている。   As described above, the protective tape 8 and the dicing tape 9 are used to support the semiconductor wafer 10 in the back surface grinding process and the dicing process of the semiconductor wafer 10. As the protective tape 8 and the dicing tape 9, an adhesive tape 15 having a configuration as shown in FIG. 7 is usually used.

図7に示すように、従来の粘着テープ15は、粘着層16と、この粘着層16を支持するテープ基材17と、粘着層16に対して剥離可能に被覆された剥離シート18とを備えている。粘着層16は例えばアクリル系の粘着材料で構成され、テープ基材17はポリオレフィンや塩化ビニル等で構成されている。剥離シート18はポリエステルやポリプロピレン等の樹脂シートが用いられ、貼り付け面に離型処理を施した構成が一般的である。   As shown in FIG. 7, the conventional adhesive tape 15 includes an adhesive layer 16, a tape base material 17 that supports the adhesive layer 16, and a release sheet 18 that is releasably coated on the adhesive layer 16. ing. The adhesive layer 16 is made of, for example, an acrylic adhesive material, and the tape base material 17 is made of polyolefin, vinyl chloride, or the like. As the release sheet 18, a resin sheet such as polyester or polypropylene is used, and a configuration in which a release process is performed on the attachment surface is common.

上記構成の粘着テープ15は、図8に示すようにロール巻の状態で使用され、生産ラインにおいては粘着テープ供給装置を用いて半導体ウェーハの表面または裏面に自動的に貼り付けられる。図9に示すように、粘着テープ15の巻取側端部15Aは紙または樹脂製の絶縁性巻芯(コア)19に接着テープ20を介して接合されている。また、粘着テープ15は、図10に示すように、適用される半導体ウェーハのウェーハ径に対応する大きさにテープ基材17(および粘着層16)が前もって切込み21により外形加工されており、図示しない粘着テープ供給装置によって半導体ウェーハに自動的に貼り付けられる場合もある。   The adhesive tape 15 having the above configuration is used in a rolled state as shown in FIG. 8, and is automatically attached to the front or back surface of the semiconductor wafer using an adhesive tape supply device in the production line. As shown in FIG. 9, the winding side end 15 </ b> A of the adhesive tape 15 is joined to an insulating core (core) 19 made of paper or resin via an adhesive tape 20. Further, as shown in FIG. 10, the tape base material 17 (and the adhesive layer 16) is preliminarily processed by a notch 21 so that the adhesive tape 15 has a size corresponding to the wafer diameter of the applied semiconductor wafer. In some cases, it may be automatically attached to a semiconductor wafer by a non-adhesive tape supply device.

粘着テープ15は、粘着層16、テープ基材17および剥離シート18がいずれも絶縁材であるため、本来的に静電気を発生し易い。特に、剥離シート18を剥がして粘着層16を露出させる際の発生静電気量が非常に大きい(最大約6000V)。このため、帯電したテープ基材17が半導体ウェーハの表面あるいは裏面に貼り付けられ、回路の静電破壊やMEMS(Micro-Electro-Mechanical System)構造部の機械的変形など、デバイスに悪影響を与えるという問題がある。また、空気中のゴミや塵埃を吸い寄せてデバイスの歩留まりを低下させる要因となる。   Since the adhesive layer 16, the tape base material 17, and the release sheet 18 are all insulating materials, the adhesive tape 15 inherently tends to generate static electricity. In particular, the amount of static electricity generated when the release sheet 18 is peeled to expose the adhesive layer 16 is very large (maximum of about 6000 V). For this reason, the charged tape base material 17 is affixed on the front surface or the back surface of the semiconductor wafer, and adversely affects the device such as electrostatic breakdown of the circuit and mechanical deformation of the MEMS (Micro-Electro-Mechanical System) structure. There's a problem. In addition, dust and dust in the air are sucked in and become a factor of reducing the device yield.

一方、帯電防止対策が施された粘着テープは種々のものが提案されており、例えば下記特許文献1には、図11Aに示すようにテープ基材17の表面に帯電防止処理層22を設けた構成が開示されている。また、その他の従来技術として、粘着層16とテープ基材17との界面に帯電防止処理層22を形成したり(図11B)、帯電防止処理層が練り込まれた粘着層23を備えたもの(図11C)がある。   On the other hand, various types of pressure-sensitive adhesive tapes with antistatic measures have been proposed. For example, in Patent Document 1 below, an antistatic treatment layer 22 is provided on the surface of a tape substrate 17 as shown in FIG. 11A. A configuration is disclosed. As another conventional technique, an antistatic treatment layer 22 is formed at the interface between the adhesive layer 16 and the tape substrate 17 (FIG. 11B), or an adhesive layer 23 in which the antistatic treatment layer is kneaded is provided. (FIG. 11C).

実開平6−20442号公報Japanese Utility Model Publication No. 6-20442

しかしながら、図11A,Bに示した構成のものでは、テープ基材17の帯電は抑制できるものの、剥離シート18に帯電した電荷を消失させることができない。従って、剥離シート18の剥離時に粘着層16へ電荷が蓄積され、その帯電した粘着層が半導体ウェーハに貼り付けられることになり、素子の静電破壊を引き起こすことになる。   However, in the structure shown in FIGS. 11A and 11B, the charging of the tape base material 17 can be suppressed, but the charge charged on the release sheet 18 cannot be lost. Therefore, charges are accumulated in the adhesive layer 16 when the release sheet 18 is peeled off, and the charged adhesive layer is attached to the semiconductor wafer, causing electrostatic breakdown of the element.

また、図11Cに示したように、粘着層に帯電防止剤を練り込んだ構成のものにおいては、粘着層に練り込まれた帯電防止剤がブリードして半導体ウェーハを汚染し素子の性能を低下させるおそれがある。特に、バックグラインド工程用の保護テープとして当該粘着テープが用いられる場合は、粘着層を半導体ウェーハの素子形成面に貼り付けて使用されるため、素子の汚染問題が顕著となる。   In addition, as shown in FIG. 11C, in the structure in which the antistatic agent is kneaded into the adhesive layer, the antistatic agent kneaded into the adhesive layer bleeds, contaminates the semiconductor wafer and deteriorates the device performance. There is a risk of causing. In particular, when the pressure-sensitive adhesive tape is used as a protective tape for the back grinding process, since the pressure-sensitive adhesive layer is attached to the element forming surface of the semiconductor wafer, the problem of element contamination becomes significant.

本発明は上述の問題に鑑みてなされ、半導体ウェーハを汚染することなく、粘着テープの帯電による素子の静電破壊を防止できる半導体基板用粘着テープおよび粘着テープ供給装置を提供することを課題とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide an adhesive tape for a semiconductor substrate and an adhesive tape supply device that can prevent electrostatic breakdown of an element due to charging of the adhesive tape without contaminating the semiconductor wafer. .

以上の課題を解決するに当たり、本発明の半導体基板用粘着テープは、テープ基材に形成された第1導体層と、前記剥離シートに形成された第2導体層とを有するとともに、テープ基材の一端側は剥離シートが部分的に剥離除去されている。   In solving the above problems, the adhesive tape for a semiconductor substrate of the present invention has a first conductor layer formed on a tape base material and a second conductor layer formed on the release sheet, and a tape base material. The release sheet is partially peeled and removed from one end side.

本発明において上記第1導体層は、テープ基材と粘着層との界面に形成されているが、テープ基材の表面に形成されていてもよい。また、上記第2導体層は、剥離シートの粘着層と対向しない側の面に形成されている。   In the present invention, the first conductor layer is formed at the interface between the tape base material and the adhesive layer, but may be formed on the surface of the tape base material. Moreover, the said 2nd conductor layer is formed in the surface of the side which does not oppose the adhesion layer of a peeling sheet.

さらに、本発明では、テープ基材の一端側に粘着層を介して接着され、テープ基材をロール状に巻回支持する金属製の巻芯を備え、この巻芯の外周面には粘着テープの粘着層と剥離シートとが同時に接触している。   Further, in the present invention, a metal core that is bonded to one end side of the tape base material through an adhesive layer and supports the tape base material in a roll shape is provided, and an adhesive tape is provided on the outer peripheral surface of the core. The adhesive layer and the release sheet are in contact with each other at the same time.

以上の構成により、テープ一端側において、テープ基材および剥離シートは、第1導体層および第2導体層を介して、金属製の巻芯にそれぞれ接触することになる。この巻芯を接地電位に接続することで、剥離シートの剥離時においてテープ基材および剥離シートに帯電した電荷が上記巻芯を介して除去される。これにより、粘着層の帯電による半導体素子の静電破壊を防止できる。また、帯電防止剤による素子の汚染も発生しない。   With the above configuration, at one end of the tape, the tape base material and the release sheet come into contact with the metal core via the first conductor layer and the second conductor layer, respectively. By connecting this core to the ground potential, the charge charged on the tape base material and the release sheet at the time of peeling of the release sheet is removed via the above-described core. Thereby, electrostatic breakdown of the semiconductor element due to charging of the adhesive layer can be prevented. Further, the element is not contaminated by the antistatic agent.

以上のように、本発明によれば、粘着テープの帯電による素子の静電破壊を防止して、生産性および歩留まりの向上を図ることができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to prevent electrostatic breakdown of the element due to charging of the adhesive tape, and to improve productivity and yield.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本発明の実施の形態による半導体基板用粘着テープ(以下単に「粘着テープ」という)25の構成を示す概略断面図である。本実施の形態の粘着テープ25は、粘着層26と、この粘着層26を支持するテープ基材27と、粘着層26に対して剥離可能に被覆された剥離シート28とを備えている。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of an adhesive tape for a semiconductor substrate (hereinafter simply referred to as “adhesive tape”) 25 according to an embodiment of the present invention. The pressure-sensitive adhesive tape 25 of this embodiment includes a pressure-sensitive adhesive layer 26, a tape base material 27 that supports the pressure-sensitive adhesive layer 26, and a release sheet 28 that is detachably coated on the pressure-sensitive adhesive layer 26.

粘着層26は、例えばアクリル系の粘着材料で構成され、バックグラインド時あるいはダイシング時に半導体ウェーハ(半導体基板)をしっかり保持しながら、テープ剥離時に糊成分が半導体ウェーハに残存しないという特性を有している。テープ基材27は、ポリオレフィンや塩化ビニル等の樹脂材料で構成されている。   The adhesive layer 26 is made of, for example, an acrylic adhesive material, and has a characteristic that the adhesive component does not remain on the semiconductor wafer when the tape is peeled off while firmly holding the semiconductor wafer (semiconductor substrate) during back grinding or dicing. Yes. The tape base material 27 is made of a resin material such as polyolefin or vinyl chloride.

剥離シート28は、粘着層26の保護シートとして機能し、粘着テープ25の使用時に粘着層26から剥離される。剥離シート28にはポリエステルやポリプロピレン等の樹脂シートが用いられ、貼り付け面に離型処理が施されている。   The release sheet 28 functions as a protective sheet for the adhesive layer 26 and is peeled from the adhesive layer 26 when the adhesive tape 25 is used. As the release sheet 28, a resin sheet such as polyester or polypropylene is used, and a release treatment is applied to the attachment surface.

そして、本実施の形態の粘着テープ25は、テープ基材27に第1導体層31が形成され、剥離シート28に第2導体層32が形成されている。これら第1導体層31および第2導体層32は、後述するように、粘着テープ供給装置36を介して接地電位(アース電位)に電気的に接続されることで、粘着層26からの剥離シート28の剥離時における粘着層26、テープ基材27および剥離シート28の帯電を防止する。   In the adhesive tape 25 of the present embodiment, the first conductor layer 31 is formed on the tape base material 27, and the second conductor layer 32 is formed on the release sheet 28. As will be described later, the first conductor layer 31 and the second conductor layer 32 are electrically connected to the ground potential (ground potential) via the adhesive tape supply device 36, thereby releasing the release sheet from the adhesive layer 26. This prevents charging of the adhesive layer 26, the tape base material 27, and the release sheet 28 when peeling 28.

第1導体層31および第2導体層32は、導電材を樹脂バインダーに練り込んだ導電性複合材料塗料の塗膜、あるいは蒸着等の成膜法で形成された金属膜からなる。第1,第2導体層31,32は、例えば表面抵抗が例えば1010Ω/sq以下のものが用いられる。第1導体層31はテープ基材27の粘着層26側の面に形成され、第2導体層32は、剥離シート28の粘着層26と対向しない側の面に形成されている。 The first conductor layer 31 and the second conductor layer 32 are made of a coating film of a conductive composite material obtained by kneading a conductive material in a resin binder, or a metal film formed by a film forming method such as vapor deposition. As the first and second conductor layers 31 and 32, for example, those having a surface resistance of, for example, 10 10 Ω / sq or less are used. The first conductor layer 31 is formed on the surface of the tape base material 27 on the adhesive layer 26 side, and the second conductor layer 32 is formed on the surface of the release sheet 28 that does not face the adhesive layer 26.

図2は、本発明に係る粘着テープ供給装置36の概略構成を示している。この粘着テープ供給装置36は、ウェーハ裏面研削工程やダイシング工程など、粘着テープ25を半導体ウェーハWの表面または裏面に貼り付ける工程に用いられる。   FIG. 2 shows a schematic configuration of the adhesive tape supply device 36 according to the present invention. The adhesive tape supply device 36 is used in a process of attaching the adhesive tape 25 to the front or back surface of the semiconductor wafer W, such as a wafer back surface grinding process or a dicing process.

粘着テープ供給装置36の供給ローラ(供給部)38は、粘着テープ25をロール状に巻回支持する巻芯(コア)29を備えており、この巻芯29を回転させることで粘着テープ25が繰り出される。供給ローラ38から繰り出された粘着テープ25は、剥離シート28が剥離された後、半導体ウェーハWが載置された作業台33上へ供給される。剥離シート28は、巻取りローラ(剥離シート回収部)39の巻芯30に巻き取られて回収される。作業台33の近傍には、供給された粘着テープを半導体ウェーハWの表面(または裏面)に押し当てる押圧ローラ34と、余分なテープを切除するためのカッターユニット35等が設けられている。なお、テープ基材27を予めウェーハ径に対応させた外形形状に加工しておき、必要部位のみウェーハ上に貼り付ける構成でも構わない。   The supply roller (supply unit) 38 of the adhesive tape supply device 36 includes a core 29 that winds and supports the adhesive tape 25 in a roll shape, and the adhesive tape 25 is rotated by rotating the core 29. It is paid out. The adhesive tape 25 fed out from the supply roller 38 is supplied onto the work table 33 on which the semiconductor wafer W is placed after the release sheet 28 is peeled off. The release sheet 28 is wound around the winding core 30 of the take-up roller (release sheet collecting unit) 39 and collected. In the vicinity of the work table 33, there are provided a pressing roller 34 for pressing the supplied adhesive tape against the front surface (or the back surface) of the semiconductor wafer W, a cutter unit 35 for cutting off excess tape, and the like. In addition, the tape base material 27 may be processed into an external shape corresponding to the wafer diameter in advance, and only a necessary part may be attached on the wafer.

上述した構成の粘着テープ供給装置36において、供給ローラ38から供給された粘着テープ25は、そのテープ基材27(粘着層26)と剥離シート28との剥離時に帯電が発生しやすい。テープ基材27が帯電した状態で半導体ウェーハWに貼り付けられると、半導体ウェーハWに形成された素子の静電破壊が懸念される。   In the adhesive tape supply device 36 having the above-described configuration, the adhesive tape 25 supplied from the supply roller 38 is likely to be charged when the tape base material 27 (adhesive layer 26) and the release sheet 28 are peeled off. If the tape substrate 27 is attached to the semiconductor wafer W in a charged state, there is a concern about electrostatic breakdown of elements formed on the semiconductor wafer W.

そこで本発明では、粘着テープ25の帯電を防止するために、粘着テープ25の第1導体層31と第2導体層32とを当該粘着テープ供給装置36を介して電気的に接地させている。具体的には、粘着テープ25を支持する供給ローラ38と、剥離シート28を回収する巻取りローラ39と、半導体ウェーハWを支持する作業台33等を電気的に接地させている。   Therefore, in the present invention, in order to prevent the adhesive tape 25 from being charged, the first conductor layer 31 and the second conductor layer 32 of the adhesive tape 25 are electrically grounded via the adhesive tape supply device 36. Specifically, the supply roller 38 that supports the adhesive tape 25, the winding roller 39 that collects the release sheet 28, the work table 33 that supports the semiconductor wafer W, and the like are electrically grounded.

図3および図4は、供給ローラ38における粘着テープ25の接地構造を示している。   3 and 4 show the grounding structure of the adhesive tape 25 in the supply roller 38. FIG.

図3Aに、粘着テープ25の供給ローラ38側の端部の構成を示す。図示するように粘着テープ25の一端25A側は、剥離シート28が部分的に剥離除去された粘着層露出部37を備えている。この粘着層露出部37を供給ローラ38の巻芯29の外周面に直接貼り付けることで、第1導体層31が粘着層26を介して、電気的に接地されている巻芯29へ接続される。これにより、粘着層26あるいはテープ基材27の除電が促される。また、粘着テープ25をコア29に接合するための接着テープ20(図9)が不要となる。   FIG. 3A shows the configuration of the end of the adhesive tape 25 on the supply roller 38 side. As shown in the drawing, the one end 25A side of the adhesive tape 25 includes an adhesive layer exposed portion 37 from which the release sheet 28 is partially peeled and removed. By directly attaching the adhesive layer exposed portion 37 to the outer peripheral surface of the core 29 of the supply roller 38, the first conductor layer 31 is connected to the electrically grounded core 29 via the adhesive layer 26. The Thereby, the charge removal of the adhesive layer 26 or the tape base material 27 is promoted. Moreover, the adhesive tape 20 (FIG. 9) for joining the adhesive tape 25 to the core 29 becomes unnecessary.

一方、粘着層露出部37を介して巻芯29に固着される粘着テープ28は、図3Bに示すように、その巻始めにおいて剥離シート28に形成された第2導体層32が巻芯29の外周面に接触する。これにより、剥離シート28に帯電した電荷が第2導体層32を介して巻芯29に導かれ、剥離シート28が除電される。   On the other hand, as shown in FIG. 3B, the adhesive tape 28 fixed to the core 29 via the adhesive layer exposed portion 37 has the second conductor layer 32 formed on the release sheet 28 at the beginning of the winding. Contact the outer peripheral surface. As a result, the charge charged on the release sheet 28 is guided to the core 29 via the second conductor layer 32, and the release sheet 28 is neutralized.

粘着層露出部37の形成長は特に制限されないが、粘着テープ25を巻芯29に適度な接着力で接着でき、かつ、当該巻芯29の外周面に、剥離シート28の第2導体層32が粘着層26と同時に接触できる大きさであればよい。具体的には、コア29の径によっても異なるが、粘着層露出部37の形成長は、例えば3cm〜5cm程度とされる。   The formation length of the adhesive layer exposed portion 37 is not particularly limited, but the adhesive tape 25 can be adhered to the core 29 with an appropriate adhesive force, and the second conductor layer 32 of the release sheet 28 is attached to the outer peripheral surface of the core 29. May be of a size that allows contact with the adhesive layer 26 simultaneously. Specifically, although depending on the diameter of the core 29, the formation length of the adhesive layer exposed portion 37 is, for example, about 3 cm to 5 cm.

図4A,Bは、供給ローラ38の一構成例を示す断面図である。巻芯39は、ギヤ41により回転駆動されるシャフト40に対してコア固定バー41を介して取り付けられている。本例では、コア固定バー41はシャフト40に対して例えばネジ止めにより固定されている。これら巻芯39、シャフト40およびコア固定バー41はそれぞれアルミニウム等の金属やカーボン等の導電性材料で構成されており、これらのうちシャフト40が電気的に接地電位に接続されている。   4A and 4B are cross-sectional views illustrating an example of the configuration of the supply roller 38. FIG. The winding core 39 is attached via a core fixing bar 41 to a shaft 40 that is rotationally driven by a gear 41. In this example, the core fixing bar 41 is fixed to the shaft 40 by, for example, screwing. Each of the core 39, the shaft 40, and the core fixing bar 41 is made of a metal such as aluminum or a conductive material such as carbon, and the shaft 40 is electrically connected to the ground potential.

以上のように構成される本実施の形態の粘着テープ供給装置36において、粘着テープ25(粘着層26、テープ基材27および剥離シート28)は、巻芯29、コア固定バー41およびシャフト40を介して接地電位に電気的に接続されているので、剥離シート28の剥離時等における粘着テープ25の帯電が防止される。また、剥離シート28は巻取りローラ39の巻芯30に対しても第2導体層32を介して接触しているので、この巻芯30に電気的に接続された接地電位に対して剥離シート28に帯電した電荷を逃がすことがでできる。   In the pressure-sensitive adhesive tape supply device 36 of the present embodiment configured as described above, the pressure-sensitive adhesive tape 25 (the pressure-sensitive adhesive layer 26, the tape base material 27, and the release sheet 28) includes the winding core 29, the core fixing bar 41, and the shaft 40. Therefore, the adhesive tape 25 can be prevented from being charged when the release sheet 28 is peeled off. Further, since the release sheet 28 is also in contact with the core 30 of the winding roller 39 via the second conductor layer 32, the release sheet 28 is against the ground potential electrically connected to the core 30. It is possible to release the electric charge charged in 28.

従って、本実施の形態によれば、供給ローラ38から繰り出された粘着テープ25から剥離シート28を剥がしたときの粘着層26の帯電を効果的に防止することができる。これにより、半導体ウェーハWに形成された素子の静電破壊を回避することができる。   Therefore, according to the present embodiment, it is possible to effectively prevent the adhesive layer 26 from being charged when the release sheet 28 is peeled from the adhesive tape 25 fed from the supply roller 38. Thereby, the electrostatic breakdown of the element formed in the semiconductor wafer W can be avoided.

また、粘着テープ25の帯電を防止できるので、作業雰囲気中の塵埃等がテープに吸い付かれることがなくなり、歩留まりや生産性の向上を図ることができる。さらに、帯電防止剤を用いる構成ではないので、帯電防止剤のブリードによる素子の汚染が発生することもない。   In addition, since the adhesive tape 25 can be prevented from being charged, dust or the like in the working atmosphere is not attracted to the tape, and the yield and productivity can be improved. Furthermore, since the antistatic agent is not used, the device is not contaminated by bleeding of the antistatic agent.

以上、本発明の実施の形態について説明したが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。   The embodiment of the present invention has been described above. Of course, the present invention is not limited to this, and various modifications can be made based on the technical idea of the present invention.

例えば以上の実施の形態では、粘着テープ25の一端部25Aに形成した粘着層露出部37を供給ローラ38の巻芯29に直に接着させて粘着層26の帯電を防止するようにしたが、これに代えて、例えば巻芯29の周面にスリットを形成し当該スリットに上記粘着層露出部37を挟み込む構成でもよい。   For example, in the above embodiment, the adhesive layer exposed portion 37 formed on the one end portion 25A of the adhesive tape 25 is directly adhered to the core 29 of the supply roller 38 to prevent the adhesive layer 26 from being charged. Instead of this, for example, a configuration may be employed in which a slit is formed on the peripheral surface of the core 29 and the adhesive layer exposed portion 37 is sandwiched in the slit.

また、以上の実施の形態では、本発明に係る粘着テープ25として、ウェーハ裏面研削用の保護テープあるいはダイシングテープに本発明を適用した例について説明したが、これに限らず、粘着層の帯電を抑止すべき半導体製造工程全般において本発明は適用可能である。   Moreover, although the above embodiment demonstrated the example which applied this invention to the protective tape for wafer back surface grinding, or the dicing tape as the adhesive tape 25 which concerns on this invention, not only this but charging of the adhesion layer is carried out. The present invention is applicable to all semiconductor manufacturing processes to be suppressed.

本発明の実施の形態による半導体基板用の粘着テープ25の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the adhesive tape 25 for semiconductor substrates by embodiment of this invention. 本発明の実施の形態による粘着テープ供給装置36の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the adhesive tape supply apparatus 36 by embodiment of this invention. 粘着テープ25の一端部25Aを示す断面図であり、Aはテープ単体状態を示し、Bは巻芯29への接合形態を示している。It is sectional drawing which shows one end part 25A of the adhesive tape 25, A has shown the tape single-piece | unit state, B has shown the joining form to the core 29. FIG. 粘着テープ供給装置における供給ローラ38の概略構成を示す図であり、Aは縦断面図、Bは横断面図である。It is a figure which shows schematic structure of the supply roller 38 in an adhesive tape supply apparatus, A is a longitudinal cross-sectional view, B is a cross-sectional view. 半導体チップの一製造工程を説明する工程フロー図である。It is a process flow figure explaining one manufacturing process of a semiconductor chip. 半導体チップの一製造工程を説明する工程フロー図である。It is a process flow figure explaining one manufacturing process of a semiconductor chip. 従来の半導体基板用の粘着テープの構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the conventional adhesive tape for semiconductor substrates. 従来の粘着テープの使用形態を説明するロール側面図である。It is a roll side view explaining the usage pattern of the conventional adhesive tape. 従来の粘着テープのロール巻始め端を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the roll winding start end of the conventional adhesive tape. ウェーハ径に対応させて外形加工されたテープ基材の平面図である。It is a top view of the tape base material externally processed corresponding to the wafer diameter. 従来の帯電防止対策が施された粘着テープの構成を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the structure of the adhesive tape in which the conventional antistatic measures were taken.

符号の説明Explanation of symbols

25…半導体基板用粘着テープ、26…粘着層、27…テープ基材、28…剥離シート、29…供給部の巻芯、30…剥離シート回収部の巻芯、31…第1導体層、32…第2導体層、33…作業台、34…押圧ローラ、35…カッターユニット、36…粘着テープ供給装置、37…粘着層露出部、38…供給ローラ(供給部)、39…巻取りローラ(剥離シート回収部)、40…シャフト、41…コア固定バー、W…半導体ウェーハ(半導体基板)   DESCRIPTION OF SYMBOLS 25 ... Adhesive tape for semiconductor substrates, 26 ... Adhesive layer, 27 ... Tape base material, 28 ... Release sheet, 29 ... Core of supply part, 30 ... Core of release sheet collection | recovery part, 31 ... 1st conductor layer, 32 ... second conductor layer, 33 ... work table, 34 ... pressing roller, 35 ... cutter unit, 36 ... adhesive tape supply device, 37 ... adhesive layer exposed part, 38 ... supply roller (supply part), 39 ... winding roller ( Release sheet collecting part), 40 ... shaft, 41 ... core fixing bar, W ... semiconductor wafer (semiconductor substrate)

Claims (6)

半導体基板の表面または裏面に貼り付けられ、
粘着層と、この粘着層を支持するテープ基材と、前記粘着層に対して剥離可能に被覆された剥離シートとを備えた半導体基板用粘着テープにおいて、
前記テープ基材に形成された第1導体層と、前記剥離シートに形成された第2導体層とを有するとともに、
前記テープ基材の一端側は前記剥離シートが部分的に剥離除去されている
ことを特徴とする半導体基板用粘着テープ。
Affixed to the front or back of the semiconductor substrate,
In an adhesive tape for a semiconductor substrate comprising an adhesive layer, a tape base material that supports the adhesive layer, and a release sheet that is releasably coated on the adhesive layer,
While having a first conductor layer formed on the tape substrate and a second conductor layer formed on the release sheet,
The adhesive tape for a semiconductor substrate, wherein the release sheet is partially peeled and removed from one end side of the tape base material.
前記第1導体層は、前記テープ基材と前記粘着層との界面に形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体基板用粘着テープ。
The adhesive tape for a semiconductor substrate according to claim 1, wherein the first conductor layer is formed at an interface between the tape base material and the adhesive layer.
前記第2導体層は、前記剥離シートの前記粘着層と対向しない側の面に形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体基板用粘着テープ。
The adhesive tape for a semiconductor substrate according to claim 1, wherein the second conductor layer is formed on a surface of the release sheet that does not face the adhesive layer.
前記テープ基材の一端側に前記粘着層を介して接着され、前記テープ基材をロール状に巻回支持する金属製の巻芯を備え、前記巻芯の外周面には前記粘着層と前記剥離シートとが同時に接触している
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体基板用粘着テープ。
It is bonded to one end side of the tape base material via the adhesive layer, and includes a metal core that supports the tape base material in a roll shape. The adhesive tape for a semiconductor substrate according to claim 1, wherein the release sheet is in contact with the release sheet simultaneously.
ロール状に巻回された長尺の半導体基板用の粘着テープを供給する粘着テープ供給装置であって、
前記粘着テープは、粘着層と、この粘着層を支持するテープ基材と、前記粘着層に対して剥離可能に被覆された剥離シートと、前記テープ基材に形成された第1導体層と、前記剥離シートに形成された第2導体層とを有するとともに、前記テープ基材の一端側は前記剥離シートが部分的に剥離除去されており、
前記粘着テープを供給する供給部は、前記テープ基材の一端側に前記粘着層を介して接着され、前記テープ基材をロール状に巻回支持する金属製の巻芯を備えており、当該巻芯は接地電位に電気的に接続されている
ことを特徴とする粘着テープ供給装置。
An adhesive tape supply device for supplying an adhesive tape for a long semiconductor substrate wound in a roll,
The pressure-sensitive adhesive tape includes a pressure-sensitive adhesive layer, a tape base material that supports the pressure-sensitive adhesive layer, a release sheet that is releasably coated on the pressure-sensitive adhesive layer, a first conductor layer formed on the tape base material, And having a second conductor layer formed on the release sheet, the release sheet is partially peeled off at one end of the tape base material,
The supply unit for supplying the adhesive tape includes a metal core that is bonded to the one end side of the tape base material via the adhesive layer and supports the tape base material in a roll shape. An adhesive tape supply device, wherein the core is electrically connected to a ground potential.
前記粘着テープから剥離された剥離シートを巻取り回収する剥離シート回収部を備え、前記剥離シート回収部の巻取り軸が接地電位に電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項5に記載の粘着テープ供給装置。


6. A release sheet collecting unit that winds and collects a release sheet peeled from the adhesive tape, and a winding shaft of the release sheet collecting unit is electrically connected to a ground potential. The adhesive tape supply apparatus of description.


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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101456673B1 (en) * 2007-09-11 2014-11-03 삼성전자주식회사 Tape structure, and method and apparatus for separating a wafer using the same
JP2015009910A (en) * 2013-06-26 2015-01-19 日立化成株式会社 Adhesive reel
CN111133069A (en) * 2017-09-29 2020-05-08 日立化成株式会社 Adhesive tape, adhesive tape winding reel, and method for producing adhesive tape

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