JP2007123397A - Semiconductor manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体製造方法に関し、特に、半導体ウエハの位置ズレを検知するセンサを備える半導体製造装置を使用する半導体製造方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor manufacturing method, and more particularly to a semiconductor manufacturing method using a semiconductor manufacturing apparatus including a sensor for detecting a positional deviation of a semiconductor wafer.
半導体ウエハの位置ズレを検知するセンサを備える半導体製造装置としては、例えば、特開2002−270671号公報に記載されたものがある。 As a semiconductor manufacturing apparatus provided with a sensor for detecting a positional deviation of a semiconductor wafer, for example, there is one described in JP-A-2002-270671.
この種の半導体製造装置を使用する半導体製造方法では、センサが正常に働いていればウエハの位置ズレを検知し、それによってウエハの破損を防止しているが、センサ自体が正常に働いていない場合には、ウエハの位置ズレを検知できず、それによって、ウエハを破損してしまっていた。
従って、本発明の主な目的は、ウエハを検知するセンサが正常でない場合でも、ウエハの破損を防止できる半導体製造方法を提供することにある。 Accordingly, a main object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing method capable of preventing damage to a wafer even when a sensor for detecting the wafer is not normal.
本発明によれば、
搭載台にウエハを載置するステップと、
センサが正常状態か否かを判断するステップと、
前記搭載台を移動後、前記センサがウエハの位置ズレを判断するステップと、
前記センサがウエハの位置が正常であると判断したとき、隣接チャンバにウエハを挿入するステップと、
前記ウエハを処理するステップと、
からなる半導体製造方法が提供される。
According to the present invention,
Placing the wafer on the mounting table;
Determining whether the sensor is in a normal state;
After moving the mounting table, the sensor determines a positional deviation of the wafer;
When the sensor determines that the wafer position is normal, inserting the wafer into an adjacent chamber;
Processing the wafer;
A semiconductor manufacturing method is provided.
好ましくは、センサは投光部と受光部とを備える。 Preferably, the sensor includes a light projecting unit and a light receiving unit.
また、好ましくは、投光部から投光された光が投光部から受光部までの光路で遮光されていればセンサはONの状態である。 Preferably, the sensor is in an ON state if light projected from the light projecting unit is blocked by an optical path from the light projecting unit to the light receiving unit.
また、好ましくは、搭載台を移動後、センサがウエハの位置ズレを判断する場合には、センサがOFFになればウエハの位置が正常であり、センサがONであればウエハの位置ズレ、もしくはセンサの故障であると判断する。 Preferably, when the sensor determines the wafer position deviation after moving the mounting table, the wafer position is normal if the sensor is turned off, and if the sensor is on, the wafer position deviation or Judged as a sensor failure.
本発明によれば、ウエハを検知するセンサが正常でない場合でも、ウエハの破損を防止できる半導体製造方法が提供される。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, even when the sensor which detects a wafer is not normal, the semiconductor manufacturing method which can prevent damage to a wafer is provided.
次に、本発明の好ましい実施例を説明する。
本発明の好ましい実施例においては、ウエハを検知するセンサを使用する半導体製造装置を使用する。そして、ウェーハを検知するセンサが故障したかどうかの確認を実施し、ウエハを検知するセンサが故障した時に、ウエハを破損する前に搬送動作を停止し、ウェーハ破損を回避する。
Next, a preferred embodiment of the present invention will be described.
In a preferred embodiment of the present invention, a semiconductor manufacturing apparatus using a sensor for detecting a wafer is used. Then, it is confirmed whether or not the sensor for detecting the wafer has failed. When the sensor for detecting the wafer has failed, the transfer operation is stopped before the wafer is damaged, thereby avoiding wafer damage.
次に、本発明の好ましい実施例を、図面を参照してより詳細に説明する。
図1は、本発明の好ましい実施例のアッシャー装置を説明するための概略横断面図であり、図2、図3は、本発明の好ましい実施例のアッシャー装置を説明するための概略縦断面図である。図4は、本発明の好ましい実施例のアッシャー装置のロードロックチャンバー部を説明するための概略縦断面図であり、図5は、図5のロードロックチャンバー部の動作を説明するためのフローチャートである。図6は、比較のために、ウエハ検知センサ217(227)の故障を判断しない場合のアッシャー装置のロードロックチャンバー部を説明するための概略縦断面図であり、図7は、図6のロードロックチャンバー部の動作を説明するためのフローチャートである。
Next, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining an asher device according to a preferred embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are schematic longitudinal sectional views for explaining an asher device according to a preferred embodiment of the present invention. It is. FIG. 4 is a schematic longitudinal sectional view for explaining the load lock chamber portion of the asher device according to the preferred embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a flowchart for explaining the operation of the load lock chamber portion of FIG. is there. FIG. 6 is a schematic longitudinal sectional view for explaining a load lock chamber portion of the asher device when a failure of the wafer detection sensor 217 (227) is not judged for comparison, and FIG. It is a flowchart for demonstrating operation | movement of a lock chamber part.
本発明の好ましい実施例においては、半導体製造装置としてアッシャー装置を使用する。図1、図2を参照すると、アッシャー装置10は、カセットトランスファー部100と、ロードロックチャンバー部200と、トランスファーチャンバー部300と、プロセスチャンバー部400とを備えている。
In a preferred embodiment of the present invention, an asher device is used as a semiconductor manufacturing device. Referring to FIGS. 1 and 2, the
カセットトランスファー部100は、カセットトランスファーユニット110、120を備え、カセットトランスファーユニット110、120は、カセット500を載置するカセットテーブル111、121と、カセットテーブル111、121のY軸130、Z軸140をそれぞれ動作させるY軸アセンブリ112、122、Z軸アセンブリ113、123をそれぞれ備えている。
The
ロードロックチャンバー部200は、ロードロックチャンバー250、260と、カセットテーブル111、121に載置されたカセット500からウエハ600をそれぞれ受け取り、ウエハ600をロードロックチャンバー250、260内でそれぞれ保持するバッファユニット210、220を備えている。バッファユニット210、220は、バッファフィンガーアセンブリ211、221とその下部のインデックスアセンブリ212、222とを備えている。バッファフィンガーアセンブリ211(221)とその下部のインデックスアセンブリ212(222)はθ軸214(224)により同時に回転する。
バッファユニット210、220が、本発明の搭載台に相当する。
The load
The
図4を参照すると、ロードロックチャンバー部250、260には、半導体ウエハ600の位置ズレを検知するウエハ検知センサ217、227がそれぞれ設けられている。ウエハ検知センサ217、227は、投光部215、225、受光部216、226をそれぞれ有している。ウエハ検知センサ217、227は、制御部219、229にそれぞれ接続され、制御部219、229でそれぞれ制御される。ウエハ検知センサ217、227は、投光部215、225からそれぞれ投光された光が投光部215、225から受光部216、226までの光路で遮光されていればONの状態であり、ON表示を行い、遮光されていればOFFの状態であり、OFF表示を行う。
Referring to FIG. 4,
バッファユニット210、220のインデックスアセンブリ212、222には、光透過部218、228がそれぞれ設けられている。バッファユニット210(220)のバッファフィンガーアセンブリ211(221)が、カセットトランスファーユニット110(120)のカセットテーブル111(121)の方を向いている場合には、光透過部218(228)はカセットテーブル111(121)側にある。一方、ウエハ検知センサ217、227はゲートバルブ311(312)側にあるので、投光部215(225)から投光された光が投光部215(225)から受光部216(226)までの光路でインデックスアセンブリ212、222によって遮光される。
The index assemblies 212 and 222 of the
再び、図1、2を参照すると、トランスファーチャンバー部300は、トランスファーチャンバー310を備えており、ロードロックチャンバー250、260は、ゲートバルブ311、312をそれぞれ介してトランスファーチャンバー310に取り付けられている。トランスファーチャンバー
310には、真空アームロボットユニット320が設けられている。
1 and 2 again, the
プロセスチャンバー部400は、プロセスチャンバー410、420と、その上部に設けられたプラズマ発生室430、440とを備えている。プロセスチャンバー410、420は、ゲートバルブ313、314をそれぞれ介してトランスファーチャンバー310に取り付けられている。
The
プロセスチャンバー410、420は、ウエハ600を載置するサセプタテーブル411、421を備えている。サセプタテーブル411、421をそれぞれ貫通してリフターピン413、423が設けられている。サセプタテーブル411、421は、Z軸412、422により、それぞれ上下する。
The
ロードロックチャンバー250(260)内にバッファユニット210(220)によって、保持されているウエハ600を、真空アームロボットユニット320のフィンガー321に搭載し、θ軸325により真空アームロボットユニット320を回転し、Y軸326により、プロセスチャンバー410(420)内のサセプタテーブル411(421)上に移載する。真空アームロボットユニット320のフィンガー321とリフターピン413(423)との協働により、ウエハ600をサセプタテーブル411(421)上に移載する。また、逆の動作により、処理が終了したウエハ600をサセプタテーブル411(421)から、真空アームロボットユニット320によって、ロードロックチャンバー250(260)内のバッファユニット210(220)にウエハ600を移載する。
The
プラズマ発生室430、440は、チャンバー431、441をそれぞれ備え、チャンバー431、441の外部には、高周波コイル432、442がそれぞれ設けられている。高周波コイル432、442に高周波電力を印加して、ガス導入口433、443から導入されたアッシング処理用のガスをプラズマ化し、そのプラズマを利用してサセプタテーブル411、421上に載置されたウエハ600上のレジストをアッシングする。
The
次に、カセットテーブル111(121)からロードロックチャンバー250(260)までのウエハ600の搬送について説明する。
Next, transfer of the
図2、図3を参照すると、カセットテーブル111(121)にカセット500を搭載してZ軸140が下方向に動作する。Z軸140が下にある状態でバッファフィンガーアセンブリ211(221)のY軸130がカセット500の方向に動作する。I軸230の動作により25枚のウエハ600をバッファフィンガーアセンブリ211(221)のバッファフィンガー213(223)がカセット500から受け取る。受け取った状態でY軸130がもとの位置まで下がる。
2 and 3, the
再び、図4を参照すると、この状態では、バッファユニット210(220)のバッファフィンガーアセンブリ211(221)が、カセットトランスファーユニット110(120)のカセットテーブル111(121)の方を向いているので、図4の左図に示すように、光透過部218(228)はカセットテーブル111(121)側にある。一方、ウエハ検知センサ217(227)はゲートバルブ311(312)側にあるので、投光部215(225)から投光された光が投光部215(225)から受光部216(226)までの光路でインデックスアセンブリ212(222)によって遮光される。 Referring to FIG. 4 again, in this state, the buffer finger assembly 211 (221) of the buffer unit 210 (220) faces the cassette table 111 (121) of the cassette transfer unit 110 (120). As shown in the left diagram of FIG. 4, the light transmitting portion 218 (228) is on the cassette table 111 (121) side. On the other hand, since the wafer detection sensor 217 (227) is on the gate valve 311 (312) side, the light projected from the light projecting unit 215 (225) is transmitted from the light projecting unit 215 (225) to the light receiving unit 216 (226). Are blocked by the index assembly 212 (222).
図5を参照すれば、この状態で、ウエハ検知センサ217(227)がONになっているかを制御部219(229)で確認する(S11)。ONになっていれば、ウエハ検知センサ217(227)が正常であると判断して、θ軸214(224)を回転して、バッファフィンガーアセンブリ211(221)を、ゲートバルブ311(312)の方に向ける(S12)。OFFになっていれば、ウエハ検知センサ217(227)が故障であると判断して、搬送動作を停止する。 Referring to FIG. 5, in this state, the controller 219 (229) checks whether the wafer detection sensor 217 (227) is ON (S11). If it is ON, it is determined that the wafer detection sensor 217 (227) is normal, the θ axis 214 (224) is rotated, and the buffer finger assembly 211 (221) is moved to the gate valve 311 (312). (S12). If it is OFF, it is determined that the wafer detection sensor 217 (227) is out of order and the transfer operation is stopped.
バッファフィンガーアセンブリ211(221)とその下部のインデックスアセンブリ212(222)はθ軸214(224)により同時に回転するので、光透過部218(228)もゲートバルブ311(312)の方を向き、投光部215(225)から投光された光が投光部215(225)から受光部216(226)までの光路で光透過部218(228)を通過することになり、インデックスアセンブリ212(222)によって遮光されなくなる。 Since the buffer finger assembly 211 (221) and the index assembly 212 (222) below the buffer finger assembly 211 (221) are rotated simultaneously by the θ axis 214 (224), the light transmitting portion 218 (228) is also directed toward the gate valve 311 (312) and thrown. The light projected from the light section 215 (225) passes through the light transmission section 218 (228) along the optical path from the light projection section 215 (225) to the light receiving section 216 (226), and the index assembly 212 (222). ) Will not be shielded from light.
この状態で、ウエハ検知センサ217(227)がOFFになっているかを制御部219(229)で確認する(S13)。OFFになっていれば、バッファフィンガーアセンブリ211(221)から飛び出しているウエハ600はないと判断して(ウエハ600が飛び出していると、投光部215(225)から投光された光が投光部215(225)から受光部216(226)までの光路で遮光されONとなる)、Z軸240を上方向に動作させてバッファフィンガーアセンブリ211(221)をロードロックチャンバー250(260)に入れる(S14)。
In this state, the controller 219 (229) confirms whether the wafer detection sensor 217 (227) is OFF (S13). If it is OFF, it is determined that there is no
ONになっていれば、ウエハ検知センサ217(227)が故障しているか、ウエハ600がバッファフィンガーアセンブリ211(221)から飛び出している(ウエハ600が飛び出していると、投光部215(225)から投光された光が投光部215(225)から受光部216(226)までの光路で遮光されONとなる)と判断して、搬送動作を停止する。搬送動作を停止しないで、その後Z軸を上方向に動作させて、バッファフィンガーアセンブリ211(221)を上昇させると、バッファフィンガーアセンブリ211(221)から飛び出しているウエハ600が、上昇の途中でロードロックチャンバー250(260)の底部等に衝突し、破損してしまうからである。
If it is ON, the wafer detection sensor 217 (227) has failed or the
次に、図6、図7を参照して、比較のために、ウエハ600をバッファフィンガーアセンブリ211(221)のバッファフィンガー213(223)がカセット500から受け取り、受け取った状態でY軸130がもとの位置まで下がり、バッファユニット210(220)のバッファフィンガーアセンブリ211(221)が、カセットトランスファーユニット110(120)のカセットテーブル111(121)の方を向いている状態で、ウエハ検知センサ217(227)が故障しているかを判断しない場合について説明する。
Next, referring to FIGS. 6 and 7, for comparison, the
ウエハ600をバッファフィンガーアセンブリ211(221)のバッファフィンガー213(223)がカセット500から受け取り、受け取った状態でY軸130がもとの位置まで下がる。そして、この状態でウエハ検知センサ217(227)が故障しているかを判断せずに、θ軸214(224)を回転して、バッファフィンガーアセンブリ211(221)を、ゲートバルブ311(312)の方に向ける(S21)。
The
この状態で、ウエハ検知センサ217(227)がOFFになっているかを制御部219(229)で確認する(S22)。ウエハ検知センサ217(227)がOFFになっていれば、バッファフィンガーアセンブリ211(221)から飛び出しているウエハ600はないと判断して、Z軸240を上方向に動作させてバッファフィンガーアセンブリ211(221)をロードロックチャンバー250(260)に入れる(S23)。
In this state, the controller 219 (229) confirms whether the wafer detection sensor 217 (227) is OFF (S22). If the wafer detection sensor 217 (227) is OFF, it is determined that there is no
ウエハ検知センサ217(227)がONになっていれば、バッファフィンガーアセンブリ211(221)から飛び出しているウエハ600があると判断して、搬送を停止する(S24)。
If the wafer detection sensor 217 (227) is ON, it is determined that there is a
しかしながら、θ軸214(224)を回転して、バッファフィンガーアセンブリ211(221)を、ゲートバルブ311(312)の方に向けた状態で(S21)、ウエハ検知センサ217(227)が故障していると、バッファフィンガーアセンブリ211(221)からウエハ600が飛び出していても、上述したステップS22で、OFF表示となってしまい、その後Z軸を上方向に動作させて、バッファフィンガーアセンブリ211(221)を上昇させると、図6の右図に示すように、バッファフィンガーアセンブリ211(221)から飛び出しているウエハ600が、上昇の途中でロードロックチャンバー250(260)の底部等に衝突し、破損してしまう。
However, when the θ-axis 214 (224) is rotated and the buffer finger assembly 211 (221) is directed toward the gate valve 311 (312) (S21), the wafer detection sensor 217 (227) fails. Even if the
10…アッシャー装置
100…カセットトランスファー部
110、120…カセットトランスファーユニット
111、121…カセットテーブル
112、122…Y軸アセンブリ
113、123…Z軸アセンブリ
130…Y軸
140…Z軸
200…ロードロックチャンバー部
210、220…バッファユニット
211、221…バッファフィンガーアセンブリ
212、222…インデックスアセンブリ
213、223…バッファフィンガー
214、224…θ軸
215、225…投光部
216、226…受光部
217、227…ウエハ検知センサ
218、228…光透過部
219、229…制御部
230…I軸
240…Z軸
250、260…ロードロックチャンバー
300…トランスファーチャンバー部
310…トランスファーチャンバー
311、312、313、314…ゲートバルブ
320…真空アームロボットユニット
321…フィンガー
325…θ軸
326…Y軸
400…プロセスチャンバー部
410、420…プロセスチャンバー
411、421…サセプタテーブル
412、422…Z軸
413、423…リフターピン
430、440…プラズマ発生室
431、441…チャンバー
432、442…高周波コイル
433、443…ガス導入口
500…カセット
600…ウエハ
DESCRIPTION OF
Claims (1)
センサが正常状態か否かを判断するステップと、
前記搭載台を移動後、前記センサがウエハの位置ズレを判断するステップと、
前記センサがウエハの位置が正常であると判断したとき、隣接チャンバにウエハを挿入するステップと、
前記ウエハを処理するステップと、
からなる半導体製造方法。
Placing the wafer on the mounting table;
Determining whether the sensor is in a normal state;
After moving the mounting table, the sensor determines a positional deviation of the wafer;
When the sensor determines that the wafer position is normal, inserting the wafer into an adjacent chamber;
Processing the wafer;
A semiconductor manufacturing method comprising:
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2014197713A (en) * | 2014-07-16 | 2014-10-16 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate transfer device, substrate transfer method, and storage medium |
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A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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