JP2007116014A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 移載時及び処理室内で発生した基板の位置ズレを検出し、適時これを補正することにより、装置稼働率の低下を抑制し、基板品質の安定化を図り得る基板処理装置を提供する。
【解決手段】 移載装置で基板を前記気密室に対して搬入または搬出する際、搬送室内に設けられる基板待機位置にて基板の周縁部の検出を行い、正規の基板位置からの位置ずれ量を検出する少なくとも2つのラインセンサを設け、前記ラインセンサは、一方のラインセンサが前記基板待機位置における基板中心を原点とする極座標系において、基板中心から一方のラインセンサによる基板周縁部の検出点に向かう角度が前記気密室内への基板の搬入出方向と直交する方向に対して約20°〜50°の範囲で設けられ、他方のラインセンサが前記一方のラインセンサと前記搬入出方向に対して線対称に設けられている。
【選択図】 図4
【解決手段】 移載装置で基板を前記気密室に対して搬入または搬出する際、搬送室内に設けられる基板待機位置にて基板の周縁部の検出を行い、正規の基板位置からの位置ずれ量を検出する少なくとも2つのラインセンサを設け、前記ラインセンサは、一方のラインセンサが前記基板待機位置における基板中心を原点とする極座標系において、基板中心から一方のラインセンサによる基板周縁部の検出点に向かう角度が前記気密室内への基板の搬入出方向と直交する方向に対して約20°〜50°の範囲で設けられ、他方のラインセンサが前記一方のラインセンサと前記搬入出方向に対して線対称に設けられている。
【選択図】 図4
Description
本発明は、移載装置を収容する搬送室と、前記搬送室に連通する少なくとも1つの気密室とを備えた基板処理装置に関するものである。
基板処理装置として、従来から知られる半導体基板の枚葉処理装置では、中央に基板移載機を搭載した搬送室を配し、その周辺に熱処理炉、CVD炉、プラズマ処理炉、及びロードロック室を接続した、いわゆるクラスタータイプのものが存在する。
このような構成において、各処理炉を連結している基板搬送空間を真空ポンプで減圧下におくことで、異なるプロセス処理を大気暴露することなく連続して行うことが可能となり、その結果、高品質、高信頼性の半導体デバイスの作成が可能になる。
このような構成において、各処理炉を連結している基板搬送空間を真空ポンプで減圧下におくことで、異なるプロセス処理を大気暴露することなく連続して行うことが可能となり、その結果、高品質、高信頼性の半導体デバイスの作成が可能になる。
ところで前述した処理炉の多くは処理室内での基板の載置方法としてプレート型の支持台(サセプタ)を採用しており、このサセプタに基板を静電吸着させたり、あるいはサセプタごと基板を回転させたりしながら、所定のプロセスを実行する場合がある。
しかしながら、これらのケースにおいては、例えば前者のケースでは処理後の除電処理が不十分の場合、基板をサセプタから外す過程で吸盤のような状態になり、サセプタに対する基板の中心位置が処理前の状態と異なるいわゆる位置ズレの状態が発生する。
後者のケースにおいても基板の塑性変形(恒久的に継続する反り)の状態によってはサセプタ回転中に基板の中心位置がズレてしまうことが確認されている。
後者のケースにおいても基板の塑性変形(恒久的に継続する反り)の状態によってはサセプタ回転中に基板の中心位置がズレてしまうことが確認されている。
これらの基板中心の位置ズレはズレ量が過度の場合は、基板移載時に処理炉を形成する構造体と干渉することによる移載トラブルの原因となる。また、ズレ量が構造体との干渉を起こさない範囲のものであっても次処理炉での処理品質を著しく低下させる場合があり、これは通常、各処理炉における処理条件は基板中心とサセプタ中心が一致する状態で最適化されることに起因しているからである。
従って異なる一連の処理を連続的に行うクラスターツールにおいては処理室内、及び移載時に発生した基板の位置ズレを検知し、適時これを補正して可能な限り処理を継続して稼働率の向上と処理品質の安定化が実現可能な対応が強く望まれている。
本発明の目的は移載時及び処理室内で発生した基板の位置ズレを検出し、適時これを補正することにより、装置稼働率の低下を抑制し、基板品質の安定化を図り得る基板処理装置を提供することにある。
上述した課題を解決するため、本発明は、移載装置を収容する搬送室と、前記搬送室に連通する少なくとも1つの気密室とを備えた基板処理装置であって、前記移載装置で基板を前記気密室に対して搬入または搬出する際、前記搬送室内に設けられる基板待機位置にて基板の周縁部の検出を行い、正規の基板位置からの位置ずれ量を検出する少なくとも2つのラインセンサを設け、前記ラインセンサは、一方のラインセンサが前記基板待機位置における基板中心を原点とする極座標系において、基板中心から一方のラインセンサによる基板周縁部の検出点に向かう角度が前記気密室内への基板の搬入出方向と直交する方向に対して約20°〜50°の範囲で設けられ、他方のラインセンサが前記一方のラインセンサと前記搬入出方向に対して線対称に設けられているものである。
上述したように、本発明によれば、移載時及び処理室内で発生した基板の位置ズレを検出し、適時これを補正することにより、装置稼働率の低下を抑制し、基板品質の安定化に寄与することができるという効果を奏する。
以下、本発明の実施の形態を説明する。
ここでは、まず、基板の位置ズレ量を解析するための基本的な理論(演算手法)に関して、図解による説明を行ったあと実際の装置構成について説明する。
ここでは、まず、基板の位置ズレ量を解析するための基本的な理論(演算手法)に関して、図解による説明を行ったあと実際の装置構成について説明する。
図1(a)で示すように半径r、中心Qの円の内部に座標原点Oが存在する平面座標を考える。この円は処理基板をイメージしたものであり、座標原点Oより極座標形式でσ、θの角度方向に延びる線分α、βと円周軌道上の交点をそれぞれA、Bとし、線分AO、BOの距離をそれぞれa、bで与える。
続いて図1(b)においてベクトルOQの座標成分を(X,Y)で与え補助線により2つの三角形を作図すると、
(1)青の直角三角形について
(a・COSσ−X)2+(a・SINσ−Y)2=r2・・・(1)
(2)緑の直角三角形について
(b・COSθ−X)2+(b・SINθ−Y)2=r2・・・(2)
(1)青の直角三角形について
(a・COSσ−X)2+(a・SINσ−Y)2=r2・・・(1)
(2)緑の直角三角形について
(b・COSθ−X)2+(b・SINθ−Y)2=r2・・・(2)
上記(1)、(2)式をX,Yについて解くことにより、任意の座標原点Oからの円の中心QへのベクトルOQが解析可能になる。
次に図2において任意の位置に移動した円の中心をQ´、円周軌道と線分α、βとの交点をA´、B´としOA´、OB´をそれぞれa´、b´で与えれば図1で解説した時と同様に移動後の円の中心へのベクトルOQ´が解析可能になる。
次に図2において任意の位置に移動した円の中心をQ´、円周軌道と線分α、βとの交点をA´、B´としOA´、OB´をそれぞれa´、b´で与えれば図1で解説した時と同様に移動後の円の中心へのベクトルOQ´が解析可能になる。
任意の座標原点から移動前後の円の中心へのベクトルが与えられれば、2つのベクトルの合成により円の中心の移動量QQ´は以下で求めることができる。
本実施の形態では下記のQQ´を位置ズレ量と定義し、−QQ´(Q´Q)を(位置)補正量と定義する。 (円の中心の移動量QQ´)=(移動後の中心ベクトルOQ´)−(移動前の中心ベクトルOQ)
ところで、中心ベクトル(X、Y)は2元2次方程式により求められるので、実運用上で求める解以外に計算上の別解が存在する。図3は異なる中心ベクトルOQ1(X1,Y1)とOQ2(X2,Y2)の位置関係を示したものである。
位置補正量(円の中心の移動量)の演算を正確に行うには移動前後の実際の基板の中心がQ1とQ2のどちらにあるのかを見極めなければならない。しかしながら、センサの遮光量の情報のみでこれらを判断するのは不可能なため、センサ配置の構成で定義する必要がある。
具体的にはQ1とQ2は必ずセンサ配置位置A、Bを結ぶ線分ABについて対称な位置に存在するので、実運用でウェハの中心Qの移動範囲が常に線分OQと線分ABが交差する範囲かもしくは常に交差しない範囲になるように前述の設計基準を決定しなければならない。
前者の場合には2つの中心ベクトルの内、スカラー量の大きい方が実際の基板の中心位置を示すベクトルであり、後者の場合はスカラー量の小さい方に該当する。従って、補正量算出時にどちらの中心位置を判定するかは前記の基準を考慮して補正量演算のアルゴリズムを作成すればよい。
前項で解説したように、基板の中心の移動量を算出するためには任意の座標からの基板エッジまでの距離(図1のa、bに相当)を正確に把握する必要がある。
図4はこれらを計測するために検討したハードウェア構成と計測手段の概要である。基板エッジの位置を検出するために、任意方向の距離を光学的手法により計測可能なラインセンサを用いる。例えば、本センサは0.01mm単位で約28mmの距離が計測可能(投受光幅が28mm)である。
しかしながら、従来の半導体基板において、前述したa、b、a´、b´に相当する距離を直接計測することは不可能なため、ラインセンサを以下の定義に基づいて配置して、この設計基準とセンサ遮光量の2つのパラメータより算出する方法を用いる。
(ラインセンサ配置における設計値の定義)
(1)a´´、b´´:各センサ端部とその延長線上の交点(図1の原点:Oに相当)の距離
(2)θ、δ:基板移載方向に対するセンサS1,S2の配置角度(図1の記載相当部位)
(1)a´´、b´´:各センサ端部とその延長線上の交点(図1の原点:Oに相当)の距離
(2)θ、δ:基板移載方向に対するセンサS1,S2の配置角度(図1の記載相当部位)
(補正量算出のための線分a、b算出基準)
a=a´´+a´´´ b=a´´+b´´´ ただし、
a´´´、b´´´:ラインセンサの遮光量
a=a´´+a´´´ b=a´´+b´´´ ただし、
a´´´、b´´´:ラインセンサの遮光量
図5に搬送室に対してのラインセンサ配置の例を示す。
ラインセンサは搬送室から処理室に搬送直前の退避位置にある基板エッジを検出可能なように配置する。ここで退避位置とは正規位置すなわち待機位置であり、基板を処理室に正しく載置するための移載機に対する基板の保持状態を示すものであり、この状態は予め装置運用前の調整、メンテナンス時に登録しておく。
ラインセンサは搬送室から処理室に搬送直前の退避位置にある基板エッジを検出可能なように配置する。ここで退避位置とは正規位置すなわち待機位置であり、基板を処理室に正しく載置するための移載機に対する基板の保持状態を示すものであり、この状態は予め装置運用前の調整、メンテナンス時に登録しておく。
なお、実機においては1つのセンサに対して隣り合う処理室の基板エッジが検出可能なように設置するとセンサ配置数を削減出来、コスト低減の観点から望ましい形態となる。
本発明による装置運用フローを図6に示す。
処理室2より所定の処理を終えた基板の払出を実行する(図6(a))。この時に移載機上の基板の保持状態が退避位置にない(位置ズレの発生)と仮定する。
処理室2より所定の処理を終えた基板の払出を実行する(図6(a))。この時に移載機上の基板の保持状態が退避位置にない(位置ズレの発生)と仮定する。
処理室3に基板を載置するために移載機による旋回動作を実行する(図6(b))。この時点では位置ズレの状態を維持している。
基板を処理室3に載置する直前に基板エッジによるセンサの遮光距離を検知して処理室3の退避位置に対する基板のズレ量(補正量)を算出する(図6(c))。
基板を処理室3に載置する直前に基板エッジによるセンサの遮光距離を検知して処理室3の退避位置に対する基板のズレ量(補正量)を算出する(図6(c))。
従来運用における処理室3への移載機の移動量に算出したズレ量(補正量)を考慮して軌道修正しながら処理室3への載置動作を実行する(図6(d))。
なお、この時行う軌道修正量は基板の進行方向成分に関しては算出した補正量をそのまま移載機の移動量として増減すればよいが、進行方向に対する垂直成分に関しては、移載機の旋回動作で補正を行う必要があるため、退避位置での補正量を処理室に正しく載置するための旋回角度に変換しなければならない。ここで、その変換式を示す。
補正角度=ATAN(Δd/S)
ただし、Δd:退避位置での進行方向に対して垂直成分の補正量
S:退避位置から処理室までの移載ストローク
ただし、Δd:退避位置での進行方向に対して垂直成分の補正量
S:退避位置から処理室までの移載ストローク
なお、右記の算出はΔd≪Sの前提条件のもと、処理室での前記垂直成分の補
正量を近似的に扱っている。
正量を近似的に扱っている。
次に任意の基板待機位置に対するラインセンサの配置基準について、実機で保証する位置補正精度を念頭に具体的に述べる。現在、半導体製造装置で使用されている移載機の搬送精度は概ね載置位置に対して±0.1〜0,3mm程度のものが主流となっている。従って、位置補正機能に関する要求精度も同等の精度が求められる。また、基板半径は150mmで、この位置検出にはラインセンサの最小計測単位(ラインセンサの分解能)が0.01mm程度のものが使用される。
以上のようなことを前提にした時の配置例を図7に示す。
図7は待機位置における基板中心を原点とする座標系において、センサ配置基準を図示したものである。これによるとセンサS1の基板エッジ検出ポイントは進行方向軸に対して60°に配置され、この角度は搬送室における移載機中心に対する処理室の配置角度と同じで定義される。
図7は待機位置における基板中心を原点とする座標系において、センサ配置基準を図示したものである。これによるとセンサS1の基板エッジ検出ポイントは進行方向軸に対して60°に配置され、この角度は搬送室における移載機中心に対する処理室の配置角度と同じで定義される。
また、センサS1基板中心からの角度としては30°で定義され、進行方向軸に対してセンサS1、センサS2は対称に配置される。
また、図8は図7の配置を前提とした時、ラインセンサの変化値に対して算出される位置ズレのトレンドを示したものである。グラフの縦軸は進行方向の位置ズレ量、横軸は旋回成分のそれを示している。また、位置ズレ量の座標系とは別にセンサS1とS2の測定方向に対する座標系を破線軸で示している。
グラフ中のプロットは±0.05mmの範囲において、センサの最小計測単位である0.01mmで各センサの読み値が変化した時に算出される位置ズレパターンを示している。図8において、縦軸及び横軸上に存在するプロットにおいて、座標原点からの距離が最も短い地点の値をそれぞれ進行方向の演算分解能、旋回方向の演算分解能と定義する。
図9は位置ズレ演算分解能と基板中心からのセンサ角度の関係を示したものである。ここで、位置補正機能の保証精度を0.1〜0.3mm程度で行うには、先に定義した演算分解能が保証精度の1/10程度であることが望ましい。また、進行方向と旋回方向の演算分解能をそれぞれY、Xとした時、Y/Xが1より大きい場合は進行方向に、1より小さい場合は旋回方向に粗い補正精度になることから、Y/Xは限りなく1に近づくのが望ましいといえる。
更に図9において、基板中心からのセンサ角度が60°の地点で演算分解能は極小値を示すがこれは進行方向に対するセンサ配置角度が60°の場合、センサによる基板エッジ検出地点が基板の接線方向と重なるためである。この付近はエッジ検出そのものが物理的に厳しくなるためセンサ配置位置としては妥当ではない。
実機によるセンサの配置基準は上述の観点から最適化される必要があり、図7の実施例においては、図9のグラフより基板中心からの角度の範囲が約20〜50°の範囲が妥当であると考えられる。
次に、本発明に適用される基板処理装置の具体的な実施例について説明する。図10は本発明に適用される基板処理装置の構成図である。本発明の基板処理装置においては、ウェハなどの基板を搬送するキャリヤとしてはFOUP(Front Opening Unified Pod、以下、ポッドという。)が使用されている。また、以下の説明において、前後左右は図10の図面配置を基準とする。すなわち、図10に示されている紙面に対して、前は紙面の下方、後ろは紙面の上方、左右は紙面の左右とする。
図10に示すように、基板処理装置は真空状態などの大気圧未満の圧力(負圧)に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成された第一の搬送室103を備えており、第一の搬送室103の筐体101は平面視が六角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。第一の搬送室103には負圧下でウェハ200を移載する第一のウェハ移載機112が設置されている。第一のウェハ移載機112は、エレベータ115によって第一の搬送室103の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。
筐体101の六枚の側壁のうち前側に位置する二枚の側壁には、搬入用の予備室122と搬出用の予備室123とがそれぞれゲートバルブ244、127を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成されている。さらに、予備室122には搬入室用の基板置き台140が設置され、予備室123には搬出室用の基板置き台141が設置されている。
予備室122及び予備室123の前側には、略大気圧下で用いられる第二の搬送室121がゲートバルブ128、129を介して連結されている。第二の搬送室121にはウェハ200を移載する第二のウェハ移載機124が設置されている。第二のウェハ移載機124は、第二の搬送室121に設置されたエレベータ(図示しない)によって昇降されるように構成されていると共に、リニアアクチュエータ(図示しない)によって左右方向に往復移動されるように構成されている。
また、図10に示すように、第二の搬送室121の左側にはノッチまたはオリフラ合わせ装置106が設置されている。さらに、第二の搬送室121の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニットが設置されている。
また、図10に示すように、第二の搬送室121の筐体125の前側には、ウェハ200を第二の搬送室121に対して搬入搬出するためのウェハ搬入搬出口134と、ポッドオープナ108が設置されている。ウェハ搬入搬出口134を挟んでポッドオープナ108と反対側、すなわち筐体125の外側にはIOステージ105が設置されている。ポッドオープナ108は、ポッド100のキャップ100aを開閉すると共にウェハ搬入搬出口134を閉塞可能なクロージャと、クロージャを駆動する駆動機構とを備えており、IOステージ105に載置されたポッド100のキャップを開閉することにより、ポッド100に対するウェハ200の出し入れを可能にする。また、ポッド100は図示しない工程内搬送装置(RGV)によって、IOステージ105に対して、供給及び排出されるようになっている。
また、図10に示すように、筐体101の六枚の側壁のうち後ろ側(背面側)に位置する二枚の側壁には、ウェハに所望の処理を行う第一の処理炉202と、第二の処理炉137とがゲートバルブ130、131を介してそれぞれ隣接して連結されている。第一の処理炉202及び第二の処理炉137はいずれもコールドウォール式の処理炉によって構成されている。また、筐体101における六枚の側壁のうちの残りの互いに対向する二枚の側壁には、第一のクーリングユニット138と、第二のクーリングユニット139とがそれぞれ連結されており、第一のクーリングユニット138及び第二のクーリングユニット139はいずれも処理済みのウェハ200を冷却するように構成されている。
次に、上記のような構成をもつ基板処理装置を使用した処理工程について説明する。未処理のウェハ200は25枚がポッド100に収納された状態で、処理工程を実施する基板処理装置へ工程内搬送装置によって搬送されてくる。図10に示すように、搬送されてきたポッド100はIOステージ105の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッド100のキャップ100aがポッドオープナ108によって取り外され、ポッド100のウェハ出し入れ口が開放される。
ポッド100がポッドオープナ108により開放されると、第二の搬送室121に設置された第二のウェハ移載機124は、ポッド100からウェハ200をピックアップして予備室122に搬入し、ウェハ200を基板置き台140に移載する。この移載作業中には、予備室122の第一の搬送室103側のゲートバルブ244は閉じられており、第一の搬送室103内の負圧は維持されている。ポッド100に収納された所定枚数、例えば25枚のウェハ200の基板置き台140への移載が完了すると、ゲートバルブ128が閉じられ、予備室122内が排気装置(図示せず)によって負圧に排気される。
予備室122内があらかじめ設定された圧力値となると、ゲートバルブ244が開かれ、予備室122と第一の搬送室103とが連通される。続いて、第一の搬送室103の第一のウェハ移載機112は基板置き台140からウェハ200をピックアップして第一の搬送室103に搬入する。ゲートバルブ244が閉じられた後、ゲートバルブ130が開かれ、第一の搬送室103と第一の処理炉202とが連通される。続いて第一のウェハ移載機112は、ウェハ200を第一の搬送室103から第一の処理炉202に搬入して、第一の処理炉202内の支持具に移載する。ゲートバルブ130が閉じられた後、第一の処理炉202内に処理ガスが供給され、ウェハ200に所望の処理が施される。
第一の処理炉202でウェハ200に対する処理が完了すると、ゲートバルブ130が開かれ、処理済みのウェハ200は第一のウェハ移載機112によって第一の搬送室103に搬出される。搬出後、ゲートバルブ130は閉じられる。
第一のウェハ移載機112は第一の処理炉202から搬出したウェハ200を第一のクーリングユニット138へ搬送し、処理済みのウェハは冷却される。第一のクーリングユニット138に処理済みウェハ200を搬送すると、第一のウェハ移載機112は予備室122の基板置き台140にあらかじめ準備されたウェハ200を前述した作動と同様に、第一の処理炉202に搬送し、第一の処理炉202内でウェハ200に所望の処理が施される。
第一のクーリングユニット138においてあらかじめ設定された冷却時間が経過すると、冷却済みのウェハ200は第一のウェハ移載機112によって第一のクーリングユニット138から第一の搬送室103に搬出される。
冷却済みのウェハ200が第一のクーリングユニット138から第一の搬送室103に搬出された後にゲートバルブ127が開かれる。第1のウェハ移載機112は第一のクーリングユニット138から搬出したウェハ200を予備室123へ搬送し、基板置き台141に移載した後、予備室123はゲートバルブ127によって閉じられる。
以上の作動が繰り返されることにより、予備室122内に搬入された所定枚数、例えば25枚のウェハ200が順次処理されて行く。予備室122内に搬入された全てのウェハ200に対する処理が終了し、全ての処理済みウェハ200が予備室123に収納され、予備室123がゲートバルブ127によって閉じられると、予備室123内が不活性ガスにより略大気圧に戻される。予備室123内が略大気圧に戻されると、ゲートバルブ129が開かれ、IOステージ105に載置された空のポッド100のキャップ100aがポッドオープナ108によって開かれる。
続いて、第二の搬送室121の第二のウェハ移載機124は基板置き台141からウェハ200をピックアップして第二の搬送室121に搬出し、第二の搬送室121のウェハ搬入搬出口134を通してポッド100に収納して行く。25枚の処理済みウェハ200のポッド100への収納が完了すると、ポッド100のキャップ100aがポッドオープナ108によって閉じられる。閉じられたポッド100はIOステージ105の上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。
以上の作動は第一の処理炉202及び第一のクーリングユニット138が使用される場合を例にして説明したが、第二の処理炉137及び第二のクーリングユニット139が使用される場合についても同様の作動が実施される。また、上述の基板処理装置では、予備室122を搬入用、予備室123を搬出用としたが、予備室123を搬入用、予備室122を搬出用としてもよい。
また、第一の処理炉202と第二の処理炉137は、それぞれ同じ処理を行ってもよいし、別の処理を行ってもよい。第一の処理炉202と第二の処理炉137で別の処理を行う場合、例えば第一の処理炉202でウェハ200にある処理を行った後、続けて第二の処理炉137で別の処理を行わせてもよい。また、第一の処理炉202でウェハ200にある処理を行った後、第二の処理炉137で別の処理を行わせる場合、第一のクーリングユニット138又は第二のクーリングユニット139を経由するようにしてもよい。
図11、図12は、搬送の進行方向に対して、センサの配置角度が60°の場合と65°の場合において、補正分解能(a)とΔ(基板中心からセンサによる
エッジ検出点に向かう角度)の関係(b)を示したものである。補正分解能はセンサ配置角度によって異なるトレンドを示すが、分解能比はセンサ配置角度に依存せず常に−TAN(Δ−90°)(0°<Δ<90°)で示される。
エッジ検出点に向かう角度)の関係(b)を示したものである。補正分解能はセンサ配置角度によって異なるトレンドを示すが、分解能比はセンサ配置角度に依存せず常に−TAN(Δ−90°)(0°<Δ<90°)で示される。
ちなみにセンサ配置角度が60°の場合、補正分解能はΔ=60°の時に極小
点を示すが、これは図13で示すようにセンサによるエッジ検出地点と同地点におけるウェハの接線方向と重なるポイントを示している。
点を示すが、これは図13で示すようにセンサによるエッジ検出地点と同地点におけるウェハの接線方向と重なるポイントを示している。
1〜4 処理室、S1、S2 ラインセンサ、103 第一の搬送室、112 第一のウェハ移載機、121 第二の搬送室、124 第二のウェハ移載機、200 ウェハ。
Claims (1)
- 移載装置を収容する搬送室と、前記搬送室に連通する少なくとも1つの気密室とを備えた基板処理装置であって、
前記移載装置で基板を前記気密室に対して搬入または搬出する際、前記搬送室内に設けられる基板待機位置にて基板の周縁部の検出を行い、正規の基板位置からの位置ずれ量を検出する少なくとも2つのラインセンサを設け、
前記ラインセンサは、
一方のラインセンサが前記基板待機位置における基板中心を原点とする極座標系において、基板中心から一方のラインセンサによる基板周縁部の検出点に向かう角度が前記気密室内への基板の搬入出方向と直交する方向に対して約20°〜50°の範囲で設けられ、
他方のラインセンサが前記一方のラインセンサと前記搬入出方向に対して線対称に設けられている基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005308034A JP2007116014A (ja) | 2005-10-24 | 2005-10-24 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2005308034A JP2007116014A (ja) | 2005-10-24 | 2005-10-24 | 基板処理装置 |
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JP2007116014A true JP2007116014A (ja) | 2007-05-10 |
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ID=38097912
Family Applications (1)
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JP2005308034A Withdrawn JP2007116014A (ja) | 2005-10-24 | 2005-10-24 | 基板処理装置 |
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JP (1) | JP2007116014A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090105819A (ko) * | 2008-04-03 | 2009-10-07 | 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 | 웨이퍼 정렬 장치를 포함하는 웨이퍼 공정 장치 |
JP2014060373A (ja) * | 2012-09-19 | 2014-04-03 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | アライメント装置およびそのための回転条件調整方法および装置、並びに基板処理装置 |
-
2005
- 2005-10-24 JP JP2005308034A patent/JP2007116014A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20090105819A (ko) * | 2008-04-03 | 2009-10-07 | 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 | 웨이퍼 정렬 장치를 포함하는 웨이퍼 공정 장치 |
JP2009253286A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Asm Japan Kk | ウエハ位置合わせ装置を有する半導体処理装置及び方法 |
KR101666613B1 (ko) | 2008-04-03 | 2016-10-24 | 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 | 웨이퍼 정렬 장치를 포함하는 웨이퍼 공정 장치 |
JP2014060373A (ja) * | 2012-09-19 | 2014-04-03 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | アライメント装置およびそのための回転条件調整方法および装置、並びに基板処理装置 |
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