JP2007110701A - ボディーバイアス調節型電圧制御発振器 - Google Patents

Abstract

【課題】電源の変化に影響を受けずに常に一定のレベルの発振信号を生成することができるボディーバイアス調節型電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】本発明のボディーバイアス調節型電圧制御発振器は、チューニング電圧ＶＴに応じて共振周波数を生成する共振回路部１００と、共振回路部１００に電力を供給して共振回路部１００の共振周波数を発振させて１８０度の位相差を有する第１、第２発振信号を生成し、ボディーバイアス電圧Ｖｂｂに応じて第１、第２発振信号のレベルが一定になるように調節する差動発振部２００と、差動発振部２００の第１、第２発振信号のレベルを検出し、この検出されたレベルに応じたボディーバイアス電圧Ｖｂｂを第１、第２トランジスタＭ１０、Ｍ２０の各ボディーに供給する出力レベル検出部３００とを含むことを特徴とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、低電力システムの周波数合成器に適用される電圧制御発振器（ＶＣＯ）に関し、特に電源の変化に影響を受けずに常に一定のレベルの発振信号を生成することができるボディーバイアス調節型電圧制御発振器に関する。

近年、ＩＥＥＥ８０２．１５．４（ＺｉｇＢｅｅ）標準が脚光を浴びている。その応用分野は近距離、低速送信が必要なホームネットワーク、保安、物流である。このような応用分野の特性上、一つの乾電池で長い間使用可能でなければならないので、低電力でシステムを実現しなければならない。

一方、ＲＦ送受信器（Ｔｒａｎｓｃｅｉｖｅｒ）において、多量の電力を消耗する部分としては、送受信時に全て動作して局部発振の周波数を生成する周波数合成器である。このような周波数合成器において、大部分の電力は電圧制御発振器（ＶＣＯ）と分周器（Ｄｉｖｉｄｅｒ）で消耗される。このため、現在まで電圧制御発振器と分周器の２つのブロックで消耗される電流を減らすための研究が行われてきた。

特に、近年では構造的な側面よりは電源電圧を下げて電力を減らす方法に関する様々な研究が行われている。

図１は従来の電圧制御発振器の構成を示す回路図である。図１に示す従来の電圧制御発振器は、略１．８Ｖ〜３．３Ｖの電源電圧Ｖｄｄで動作し、チューニング電圧ＶＴに応じて共振周波数を生成する共振回路部１１と、上記共振回路部１１に電力を供給して１８０度の位相差を有する第１、第２信号Ｓｏｕｔ１、Ｓｏｕｔ２を生成する差動クロスカップルド発振回路部１２とを含んでいる。

上記差動クロスカップルド発振回路部１２は、２つの第１、第２差動クロスカップルドトランジスタ対Ｍ１、Ｍ２を含んでいる。ここで、上記第１トランジスタＭ１は上記共振回路部１１の一端及び上記第２トランジスタＭ２のゲートに連結されたドレインと、上記共振回路部１１の他端及び上記第２トランジスタＭ２のドレインに連結されたゲートと、接地に連結されたソースとを含んでいる。
また、上記第２トランジスタＭ２は上記共振回路部１１の他端及び上記第１トランジスタＭ１のゲートに連結されたドレインと、上記共振回路部１１の一端及び上記第１トランジスタＭ１のドレインに連結されたゲートと、接地に連結されたソースとを含んでいる。

また、上記第１トランジスタＭ１及び第２トランジスタＭ２は、それぞれボディーバイアスが接地に連結されている。

このような電圧制御発振器のことを通常、差動クロスカップルドＬＣチューンド電圧制御発振器（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｃｒｏｓｓ−ｃｏｕｐｌｅｄ ＬＣ−ｔｕｎｅｄ ＶＣＯ）という。

ところが、このような従来の電圧制御発振器は、略０．５Ｖの低い電源電圧で利用する場合には、多くのトランジスタのスタック構造を使用することができず、このため上記電圧制御発振器は一つのネガティブｇｍ−セル（ｎｅｇａｔｉｖｅ ｇｍ ｃｅｌｌ）にインダクタをロードで連結した構造となっている。

この場合、電源電圧が低いために発振器の周波数範囲が非常に狭くなる。また、多くのキャパシタアレイ（ｃａｐａｃｉｔｏｒ ａｒｒａｙ）を利用して所望の周波数帯域を合わせるようになるが、このような構造の発振器では、多くのキャパシタを利用するので相当な寄生成分が生じる問題点がある。

さらに、安全な発振のためにネガティブｇｍ−セル（ｎｅｇａｔｉｖｅ ｇｍ ｃｅｌｌ）の大きさを大きく設計しなければならないが、こうした場合には発振周波数に相当な変化が生じ、電源電圧の変化に発振器の性能が敏感に作用する問題点がある。

そのため、電源電圧の変化に補正をすることができ、安全な発信をすることができる新たな構造の電圧制御発振器が必要である。

本発明は、上述した問題点を解決するために提案されたもので、その目的は低電力システムの周波数合成器に適用される電圧制御発振器（ＶＣＯ）において、電源の変化に影響を受けずに常に一定のレベルの発振信号を生成することができるボディーバイアス調節型電圧制御発振器を提供することにある。

上記した本発明の目的を達成するために、本発明のボディーバイアス調節型電圧制御発振器は、チューニング電圧に応じて共振周波数を生成する共振回路部と、前記共振回路部に差動クロスカップリングされて前記共振回路部に電力を供給し、前記共振回路部の共振周波数を発振させて１８０度の位相差を有する第１、第２発振信号を生成し、ボディーバイアス電圧に応じて前記第１、第２発振信号のレベルが一定になるように調節する第１、第２トランジスタを含んだ差動発振部と、前記差動発振部の第１、第２発振信号のレベルを検出し、この検出されたレベルに応じた前記ボディーバイアス電圧を前記第１、第２トランジスタの各ボディーに供給する出力レベル検出部とを具備することを特徴とする。

上記第１、第２トランジスタは、それぞれＮチャネルのＭＯＳトランジスタであることを特徴とする。

上記第１トランジスタは、前記共振回路部の一端と前記第２トランジスタのゲートとが接続された第１接続ノードに連結されたドレインと、前記共振回路部の他端と前記第２トランジスタのドレインとが接続された第２接続ノードに連結されたゲートと、接地に連結されたソースと、前記出力レベル検出部のボディーバイアス電圧に連結されたボディーとを含むことを特徴とする。

上記第２トランジスタは、前記共振回路部の他端と前記第１トランジスタのゲートとが接続された第２接続ノードに連結されたドレインと、前記共振回路部の一端と前記第１トランジスタのドレインとが接続された第１接続ノードに連結されたゲートと、接地に連結されたソースと、前記出力レベル検出部のボディーバイアス電圧に連結されたボディーとを含むことを特徴とする。

上記出力レベル検出部は、前記共振回路部の一端と前記第１トランジスタのドレインとが接続された第１接続ノードに連結されたドレインと、前記共振回路部の他端と前記第２トランジスタのドレインとが接続された第２接続ノードに連結されたゲートと、前記第１及び第２トランジスタのボディーに共通して連結されたソースとを有するＮチャネルのＭＯＳトランジスタを含むことを特徴とする。

上記第１、第２トランジスタは、それぞれＰチャネルのＭＯＳトランジスタであることを特徴とする。

上記第１トランジスタは、前記共振回路部の一端と前記第２トランジスタのゲートとが接続された第１接続ノードに連結されたドレインと、前記共振回路部の他端と前記第２トランジスタのドレインとが接続された第２接続ノードに連結されたゲートと、動作電圧に連結されたソースと、前記出力レベル検出部のボディーバイアス電圧に連結されたボディーとを含むことを特徴とする。

上記第２トランジスタは、前記共振回路部の他端と前記第１トランジスタのゲートとが接続された第２接続ノードに連結されたドレインと、前記共振回路部の一端と前記第１トランジスタのドレインとが接続された第１接続ノードに連結されたゲートと、動作電圧に連結されたソースと、前記出力レベル検出部のボディーバイアス電圧に連結されたボディーとを含むことを特徴とする。

上記出力レベル検出部は、前記共振回路部の一端と前記第１トランジスタのドレインとが接続された第１接続ノードに連結されたソースと、前記共振回路部の他端と前記第２トランジスタのドレインとが接続された第２接続ノードに連結されたゲートと、前記第１及び第２トランジスタのボディーに共通して連結されたドレインとを有するＰチャネルのＭＯＳトランジスタを含むことを特徴とする。

本発明によれば、低電力システムの周波数合成器に適用される電圧制御発振器（ＶＣＯ）において、電源の変化に影響を受けずに常に一定のレベルの発振信号を生成することができる効果を奏する。

さらに具体的には、発振動作を感知してフィードバックし、プロセスと温度変化による性能悪化を防止することができ、さらに低電力消耗でも利得を得ることができ、電圧制御発振器の核心トランジスタの大きさが小さいので、小型製作が可能であり、これによって寄生キャパシタンス（ｐａｒａｓｉｔｉｃ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）が減ってチューニングレンジ（ｔｕｎｉｎｇ ｒａｎｇｅ）も広げることができる。

以下、本発明の好ましい実施例を、添付した図面に基づいて詳しく説明する。添付した図面において実質的に同一な構成と機能を有する構成要素等は同一な符号を付す。

図２は本発明に係る電圧制御発振器の構成を示す回路図である。図２を参照すると、本発明に係る電圧制御発振器は共振回路部１００と、差動発振部２００と、出力レベル検出部３００とを備えている。このような本発明の電圧制御発振器は、略０．５Ｖの低電源電圧で利用することができる。

上記共振回路部１００は、チューニング電圧ＶＴに応じて共振周波数を生成するが、このような共振回路部１００は周知の回路が利用され得る。例えば、上記共振回路部１００がインダクタＬとキャパシタＣとを含み、またチューニング電圧ＶＴに応じてキャパシタンスが変化するバラクタダイオード（ｖａｒａｃｔｏｒ ｄｉｏｄｅ）などの可変容量素子によって構成することができる。

上記差動発振部２００は、上記共振回路部１００に差動クロスカップリングされ、上記共振回路部１００に電力を供給し、上記共振回路部１００の共振周波数を発振させて１８０度の位相差を有する第１、第２発振信号Ｓｏｕｔ１、Ｓｏｕｔ２を生成し、ボディーバイアス電圧Ｖｂｂに応じて上記第１、第２発振信号Ｓｏｕｔ１、Ｓｏｕｔ２のレベルが一定になるように調節する第１、第２トランジスタＭ１０、Ｍ２０を含んでいる。

上記出力レベル検出部３００は、上記差動発振部２００の第１、第２発振信号Ｓｏｕｔ１、Ｓｏｕｔ２のレベルを検出し、この検出されたレベルに応じたボディーバイアス電圧Ｖｂｂを上記第１、第２トランジスタＭ１０、Ｍ２０の各ボディーに供給する。

ここで、上記ボディーバイアス電圧Ｖｂｂは、上記電源電圧Ｖｄｄが０．５Ｖの場合、上記電源電圧Ｖｄｄの０．５Ｖに、検出した最大電圧０．５Ｖを加算して最大１．０Ｖ（電源電圧＋検出電圧）となるので、本発明の電圧制御発振器のように略０．５Ｖの低電源電圧であっても利用可能である。

図３は本発明の第１実施例に係る電圧制御発振器の構成を示す回路図である。図３を参照すると、本発明の第１実施例に係る電圧制御発振器において、上記第１、第２トランジスタＭ１０、Ｍ２０は、それぞれＮチャネルのＭＯＳトランジスタによって構成されている。

上記第１トランジスタＭ１０は、上記共振回路部１００の一端と上記第２トランジスタＭ２０のゲートとが接続された第１接続ノードＣＮ１に連結されたドレインと、上記共振回路部１００の他端と上記第２トランジスタＭ２０のドレインとが接続された第２接続ノードＣＮ２に連結されたゲートと、接地に連結されたソースと、上記出力レベル検出部３００のボディーバイアス電圧Ｖｂｂに連結されたボディーとを含んでいる。

上記第２トランジスタＭ２０は、上記共振回路部１００の他端と上記第１トランジスタＭ１０のゲートとが接続された第２接続ノードＣＮ２に連結されたドレインと、上記共振回路部１００の一端と上記第１トランジスタＭ１０のドレインとが接続された第１接続ノードＣＮ１に連結されたゲートと、接地に連結されたソースと、上記出力レベル検出部３００のボディーバイアス電圧Ｖｂｂに連結されたボディーとを含んでいる。

図４は図３の出力レベル検出部３００の構成を示す回路図である。図４を参照すると、上記出力レベル検出部３００は、上記共振回路部１００の一端と第１トランジスタのドレインとが接続された第１接続ノードＣＮ１に連結されたドレインと、上記共振回路部１００の他端と第２トランジスタのドレインとが接続された第２接続ノードＣＮ２に連結されたゲートと、上記第１及び第２トランジスタＭ１０、Ｍ２０のボディーに共通して連結されたソースとを備えたＮチャネルのＭＯＳトランジスタＭ３０と、ＭＯＳトランジスタＭ３０のソースに連結されたキャパシタＣとから構成されている。

前述したように、図２乃至図４を参照すると、上記差動発振部２００の第１、第２トランジスタＭ１０、Ｍ２０がＮチャネルのＭＯＳトランジスタで実現される場合、上記出力レベル検出部３００もＮチャネルのＭＯＳトランジスタで実現される。

図５は本発明の第２実施例に係る電圧制御発振器の構成を示す回路図である。図５を参照すると、本発明の第２実施例に係る電圧制御発振器において、上記第１、第２トランジスタＭ１０、Ｍ２０は、それぞれＰチャネルのＭＯＳトランジスタによって構成されている。

上記第１トランジスタＭ１０は、上記共振回路部１００の一端と上記第２トランジスタＭ２０のゲートとが接続された第１接続ノードＣＮ１に連結されたドレインと、上記共振回路部１００の他端と上記第２トランジスタＭ２０のドレインとが接続された第２接続ノードＣＮ２に連結されたゲートと、動作電圧Ｖｄｄに連結されたソースと、上記出力レベル検出部３００のボディーバイアス電圧Ｖｂｂに連結されたボディーとを含んでいる。

上記第２トランジスタＭ２０は、上記共振回路部１００の他端と上記第１トランジスタＭ１０のゲートとが接続された第２接続ノードＣＮ２に連結されたドレインと、上記共振回路部１００の一端と上記第１トランジスタＭ１０のドレインとが接続された第１接続ノードＣＮ１に連結されたゲートと、動作電圧Ｖｄｄに連結されたソースと、上記出力レベル検出部３００のボディーバイアス電圧Ｖｂｂに連結されたボディーとを含んでいる。

図６は、図５の出力レベル検出部３００の構成を示す回路図である。図５及び図６を参照すると、上記出力レベル検出部３００は、上記共振回路部１００の一端と上記第１トランジスタＭ１０のドレインとが接続された第１接続ノードＣＮ１に連結されたソースと、上記共振回路部１００の他端と上記第２トランジスタＭ２０のドレインとが接続された第２接続ノードＣＮ２に連結されたゲートと、上記第１及び第２トランジスタＭ１０、Ｍ２０のボディーに共通して連結されたドレインとを備えたＰチャネルのＭＯＳトランジスタＭ３０と、ＭＯＳトランジスタＭ３０のドレインに連結されたキャパシタＣとから構成されている。

前述したように図２、図５及び図６を参照すると、上記差動発振部２００の第１、第２トランジスタＭ１０、Ｍ２０がＰチャネルのＭＯＳトランジスタで実現される場合、上記出力レベル検出部３００もＰチャネルのＭＯＳトランジスタで実現される。

以下、本発明の作用及び効果を、添付した図面に基づいて詳しく説明する。

本発明の電圧制御発振器はチューニング電圧ＶＴに応じて定められる発振信号を生成する。このような本発明の電圧制御発振器に対して図２乃至図６を参照して説明する。

図２を参照すると、本発明の共振回路部１００は上記チューニング電圧ＶＴに応じて共振周波数を生成する。

この際、本発明の差動発振部２００は、上記共振回路部１００に差動クロスカップリングされた第１、第２トランジスタＭ１０、Ｍ２０を備え、上記共振回路部１００に電力を供給し、上記共振回路部１００の共振周波数を発振させて１８０度の位相差を有する第１、第２発振信号Ｓｏｕｔ１、Ｓｏｕｔ２を生成する。

そして、本発明の出力レベル検出部３００は上記差動発振部２００の第１、第２発振信号Ｓｏｕｔ１、Ｓｏｕｔ２のレベルを検出し、この検出されたレベルに応じた上記ボディーバイアス電圧Ｖｂｂ（０Ｖ〜１．０Ｖ）を上記第１、第２トランジスタＭ１０、Ｍ２０の各ボディーに供給する。

ここで、上記ボディーバイアス電圧Ｖｂｂは、前述したように最小０Ｖから最大１．０Ｖであるので、上記第１、第２トランジスタＭ１０、Ｍ２０を調節することができる。

これにより、上記差動発振部２００は、上記ボディーバイアス電圧Ｖｂｂに応じて上記第１、第２発振信号Ｓｏｕｔ１、Ｓｏｕｔ２のレベルが一定になるように調節する。

一方、本発明の差動発振部２００は、図３に示すように実現することができるが、図２及び図３を参照すると、上記第１、第２トランジスタＭ１０、Ｍ２０は、それぞれＮチャネルのＭＯＳトランジスタから成り、この際上記第１トランジスタＭ１０は上記共振回路部１００の一端と上記第２トランジスタＭ２０のゲートとが接続された第１接続ノードＣＮ１に連結されたドレインと、上記共振回路部１００の他端と上記第２トランジスタＭ２０のドレインとが接続された第２接続ノードＣＮ２に連結されたゲートと、接地に連結されたソースと、上記出力レベル検出部３００のボディーバイアス電圧Ｖｂｂに連結されたボディーとを含んでいる。

そして、上記第２トランジスタＭ２０は、上記共振回路部１００の他端と上記第１トランジスタＭ１０のゲートとが接続された第２接続ノードＣＮ２に連結されたドレインと、上記共振回路部１００の一端と上記第１トランジスタＭ１０のドレインとが接続された第１接続ノードＣＮ１に連結されたゲートと、接地に連結されたソースと、上記出力レベル検出部３００のボディーバイアス電圧Ｖｂｂに連結されたボディーとを含んでいる。

このような本発明の第１実施例に係る電圧制御発振器において、上記第１、第２トランジスタＭ１０、Ｍ２０がそれぞれＮチャネルのＭＯＳトランジスタによって構成される場合、本発明の出力レベル検出部３００は図４に示すように実現することができる。

図４を参照すると、上記出力レベル検出部３００は、上記共振回路部１００の一端に連結された第１接続ノードＣＮ１と、上記共振回路部１００の他端に連結された第２接続ノードＣＮ２との間で発振信号のレベルを検出し、この検出レベルが低い場合には小さなボディーバイアス電圧Ｖｂｂを上記第１、第２トランジスタＭ１０、Ｍ２０のボディーに供給する。これに対して、上記出力レベル検出部３００は、上記検出レベルが高い場合には大きなボディーバイアス電圧Ｖｂｂを上記第１、第２トランジスタＭ１０、Ｍ２０のボディーに供給する。

ここで、図４に示す出力レベル検出部３００によって供給されるボディーバイアス電圧Ｖｂｂの時間変化を図７（ａ）に示す。このボディーバイアス電圧Ｖｂｂにより、上記第１、第２トランジスタＭ１０、Ｍ２０は、上記出力レベル検出部３００からのボディーバイアス電圧Ｖｂｂが大きい場合にはその駆動能力が低下して発振信号のレベルが低くなる。これに対して、上記第１、第２トランジスタＭ１０、Ｍ２０は、上記出力レベル検出部３００からのボディーバイアス電圧Ｖｂｂが小さい場合にはその駆動能力が向上して発振信号のレベルが高くなる。

また、本発明の差動発振部２００は図５に示すように実現することができるが、図２及び図５を参照すると、上記第１、第２トランジスタＭ１０、Ｍ２０はそれぞれＰチャネルのＭＯＳトランジスタによって構成され、この際上記第１トランジスタＭ１０は、上記共振回路部１００の一端と上記第２トランジスタＭ２０のゲートとが接続された第１接続ノードＣＮ１に連結されたドレインと、上記共振回路部１００の他端と上記第２トランジスタＭ２０のドレインとが接続された第２接続ノードＣＮ２に連結されたゲートと、動作電圧Ｖｄｄに連結されたソースと、上記出力レベル検出部３００のボディーバイアス電圧Ｖｂｂに連結されたボディーとを含んでいる。

そして、上記第２トランジスタＭ２０は、上記共振回路部１００の他端と上記第１トランジスタＭ１０のゲートとが接続された第２接続ノードＣＮ２に連結されたドレインと、上記共振回路部１００の一端と上記第１トランジスタＭ１０のドレインとが接続された第１接続ノードＣＮ１に連結されたゲートと、動作電圧Ｖｄｄに連結されたソースと、上記出力レベル検出部３００のボディーバイアス電圧Ｖｂｂに連結されたボディーとを含んでいる。

このような本発明の第２実施例に係る電圧制御発振器において、上記第１、第２トランジスタＭ１０、Ｍ２０がそれぞれＰチャネルのＭＯＳトランジスタによって構成される場合、本発明の出力レベル検出部３００は図６に示すように実現することができる。

図６を参照すると、上記出力レベル検出部３００は、上記共振回路部１００の一端に連結された第１接続ノードＣＮ１と、上記共振回路部１００の他端に連結された第２接続ノードＣＮ２との間で発振信号のレベルを検出し、この検出レベルが高い場合には大きなボディーバイアス電圧Ｖｂｂを上記第１、第２トランジスタＭ１０、Ｍ２０のボディーに供給する。これに対して、上記出力レベル検出部３００は上記検出レベルが低い場合には小さなボディーバイアス電圧Ｖｂｂを上記第１、第２トランジスタＭ１０、Ｍ２０のボディーに供給する。

ここで、図６に示す出力レベル検出部３００によって供給されるボディーバイアス電圧Ｖｂｂの時間変化を図７（ｂ）に示す。このボディーバイアス電圧Ｖｂｂにより、上記第１、第２トランジスＭ１０、Ｍ２０は上記出力レベル検出部３００からのボディーバイアス電圧Ｖｂｂが大きい場合には、その駆動能力が低下して発振信号のレベルが低くなる。

これに対して、上記第１、第２トランジスタＭ１０、Ｍ２０は上記出力レベル検出部３００からのボディーバイアス電圧Ｖｂｂが小さい場合には、その駆動能力が向上して発振信号のレベルが高くなる。

上述したように、本発明は前述した実施例及び添付した図面によって限定されるものではなく特許請求の範囲によって限定され、本発明の装置は本発明の技術的思想を外れない範囲内において様々に置換、変形及び変更が可能であることが、本発明の属する技術分野において通常の知識を有する者にとって明らかである。

従来の電圧制御発振器の構成を示す回路図である。 本発明に係る電圧制御発振器の構成を示す回路図である。 本発明の第１実施例に係る電圧制御発振器の構成を示す回路図である。 図３の出力レベル検出部の構成を示す回路図である。 本発明の第２実施例に係る電圧制御発振器の構成を示す回路図である。 図５の出力レベル検出部の構成を示す回路図である。 本発明に係る電圧制御発振器によるボディーバイアス電圧を示すグラフである。

符号の説明

１００ 共振回路部
２００ 差動発振部
３００ 出力レベル検出部
ＶＴ チューニング電圧
Ｓｏｕｔ１ 第１発振信号
Ｓｏｕｔ２ 第２発振信号
Ｖｂｂ ボディーバイアス電圧
Ｍ１０ 第１トランジスタ
Ｍ２０ 第２トランジスタ
Ｍ３０ 第３トランジスタ

Claims (9)

1. チューニング電圧に応じて共振周波数を生成する共振回路部と、
   前記共振回路部に差動クロスカップリングされて前記共振回路部に電力を供給し、前記共振回路部の共振周波数を発振させて１８０度の位相差を有する第１、第２発振信号を生成し、ボディーバイアス電圧に応じて前記第１、第２発振信号のレベルが一定になるように調節する第１、第２トランジスタを含んだ差動発振部と、
   前記差動発振部の第１、第２発振信号のレベルを検出し、この検出されたレベルに応じた前記ボディーバイアス電圧を前記第１、第２トランジスタの各ボディーに供給する出力レベル検出部と
   を具備することを特徴とするボディーバイアス調節型電圧制御発振器。
2. 前記第１及び第２トランジスタは、それぞれＮチャネルのＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項１に記載のボディーバイアス調節型電圧制御発振器。
3. 前記第１トランジスタは、
   前記共振回路部の一端と前記第２トランジスタのゲートとが接続された第１接続ノードに連結されたドレインと、
   前記共振回路部の他端と前記第２トランジスタのドレインとが接続された第２接続ノードに連結されたゲートと、
   接地に連結されたソースと、
   前記出力レベル検出部のボディーバイアス電圧に連結されたボディーと
   を含むことを特徴とする請求項２に記載のボディーバイアス調節型電圧制御発振器。
4. 前記第２トランジスタは、
   前記共振回路部の他端と前記第１トランジスタのゲートとが接続された第２接続ノードに連結されたドレインと、
   前記共振回路部の一端と前記第１トランジスタのドレインとが接続された第１接続ノードに連結されたゲートと、
   接地に連結されたソースと、
   前記出力レベル検出部のボディーバイアス電圧に連結されたボディーと
   を含むことを特徴とする請求項２または請求項３のいずれか１項に記載のボディーバイアス調節型電圧制御発振器。
5. 前記出力レベル検出部は、
   前記共振回路部の一端と前記第１トランジスタのドレインとが接続された第１接続ノードに連結されたドレインと、
   前記共振回路部の他端と前記第２トランジスタのドレインとが接続された第２接続ノードに連結されたゲートと、
   前記第１及び第２トランジスタのボディーに共通して連結されたソースとを有するＮチャネルのＭＯＳトランジスタを含むことを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか１項に記載のボディーバイアス調節型電圧制御発振器。
6. 前記第１及び第２トランジスタは、それぞれＰチャネルのＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項１に記載のボディーバイアス調節型電圧制御発振器。
7. 前記第１トランジスタは、
   前記共振回路部の一端と前記第２トランジスタのゲートとが接続された第１接続ノードに連結されたドレインと、
   前記共振回路部の他端と前記第２トランジスタのドレインとが接続された第２接続ノードに連結されたゲートと、
   動作電圧に連結されたソースと、
   前記出力レベル検出部のボディーバイアス電圧に連結されたボディーと
   を含むことを特徴とする請求項６に記載のボディーバイアス調節型電圧制御発振器。
8. 前記第２トランジスタは、
   前記共振回路部の他端と前記第１トランジスタのゲートとが接続された第２接続ノードに連結されたドレインと、
   前記共振回路部の一端と前記第１トランジスタのドレインとが接続された第１接続ノードに連結されたゲートと、
   動作電圧に連結されたソースと、
   前記出力レベル検出部のボディーバイアス電圧に連結されたボディーと
   を含むことを特徴とする請求項６または７のいずれか１項に記載のボディーバイアス調節型電圧制御発振器。
9. 前記出力レベル検出部は、
   前記共振回路部の一端と前記第１トランジスタのドレインとが接続された第１接続ノードに連結されたソースと、
   前記共振回路部の他端と前記第２トランジスタのドレインとが接続された第２接続ノードに連結されたゲートと、
   前記第１及び第２トランジスタのボディーに共通して連結されたドレインとを有するＰチャネルのＭＯＳトランジスタを含むことを特徴とする請求項６から請求項８のいずれか１項に記載のボディーバイアス調節型電圧制御発振器。

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