JP2007109734A - Optical module and substrate therefor - Google Patents

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Fumihiro Ebisawa
文博 海老澤
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate for optical module in which discontinuity of impedance is reduced and manufacturing yield is improved, and to provide an optical module. <P>SOLUTION: The optical module 11 is provided with metallic tubular bodies 23 which are lower than an auxiliary metal substrate 21, and are arranged adjacently to the side of the auxiliary metal substrate and has a coaxial structure; metal leads 24 which are disposed in center axes of the metal tubular bodies and project from the metal tubular bodies; and an end face light emission-type semiconductor laser 28 which is mounted on a circuit board loaded on the side of the auxiliary metal substrate. The optical module can be manufactured by a method which is the same as a conventional case. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、端面発光型半導体レーザを備えることができる光モジュール用基板及び端面発光型半導体レーザを備える光モジュールに関する。   The present invention relates to an optical module substrate that can include an edge-emitting semiconductor laser and an optical module that includes an edge-emitting semiconductor laser.

光通信網の伝送速度は、2.5Gbps(Giga bit per second)程から10Gbps程と高速になりつつある。光モジュールは、平面発光型半導体レーザ及び端面発光型半導体レーザとともに高速伝送への対応が不可欠になってきている。   The transmission rate of the optical communication network is increasing from about 2.5 Gbps (Giga bit per second) to about 10 Gbps. Optical modules have become indispensable for high-speed transmission along with flat-emitting semiconductor lasers and edge-emitting semiconductor lasers.

図6を用いて、特許文献1で開示される光モジュール90を例に、従来の光モジュールについて説明する。図6は、光モジュール90の全体図である。光モジュール90は、
光半導体素子80、接続配線81、金属リード82、孔部83、誘電体84及び金属基板85を備える。
A conventional optical module will be described with reference to FIG. 6 using the optical module 90 disclosed in Patent Document 1 as an example. FIG. 6 is an overall view of the optical module 90. The optical module 90
An optical semiconductor element 80, a connection wiring 81, a metal lead 82, a hole 83, a dielectric 84, and a metal substrate 85 are provided.

金属基板85は、一方の面の側の径が他方の面の側の径より小さい孔部83を形成する。誘電体84は、孔部83の径が大きい側に充填する。金属リード82は、誘電体84を貫通し、金属基板85の一方の面及び他方の面から突出する。光半導体素子80は、金属基板85の一方の面に搭載する。接続配線81は、光半導体素子80と金属リード82の端面を接続する。光モジュール90は、不活性ガスを充填し又は真空の状態にして、筐体(図6には図示していない。)で気密封止する。孔部83は、径の大きい側が誘電体84を充填することで同軸構造となっており、また、小さい側が不活性ガスなどを誘電体として充填することで同軸構造となっている。   The metal substrate 85 has a hole 83 having a diameter on one side smaller than the diameter on the other side. The dielectric 84 is filled on the side where the diameter of the hole 83 is large. The metal lead 82 penetrates the dielectric 84 and protrudes from one surface and the other surface of the metal substrate 85. The optical semiconductor element 80 is mounted on one surface of the metal substrate 85. The connection wiring 81 connects the optical semiconductor element 80 and the end face of the metal lead 82. The optical module 90 is hermetically sealed with a housing (not shown in FIG. 6) after being filled with an inert gas or in a vacuum state. The hole 83 has a coaxial structure by filling the dielectric 84 on the larger diameter side, and has a coaxial structure by filling an inert gas or the like as the dielectric on the smaller side.

孔部83の径の大きい側と孔部83の径の小さい側のインピーダンスを、一致させる。すると、光モジュール90は、インピーダンスの不連続性を低減させ、光半導体素子80と金属リード82の端面を接続する接続配線81を短くすることができる。よって、光モジュール90は、金属基板85の他方の面から光半導体素子80までのインピーダンスの不連続性を低減することができる。   The impedances on the side having the larger diameter of the hole 83 and the side having the smaller diameter of the hole 83 are matched. Then, the optical module 90 can reduce the impedance discontinuity and shorten the connection wiring 81 that connects the optical semiconductor element 80 and the end face of the metal lead 82. Therefore, the optical module 90 can reduce impedance discontinuity from the other surface of the metal substrate 85 to the optical semiconductor element 80.

図7及び図8を用いて、引用文献2で開示される光モジュール91を例に、従来の別の光モジュールについて説明する。図7は、光モジュール91の拡大図である。図7には、光半導体素子80、金属リード82、金属基板85、回路基板86、配線パターン87及び絶縁封止体88が図示されている。   With reference to FIGS. 7 and 8, another conventional optical module will be described using the optical module 91 disclosed in the cited document 2 as an example. FIG. 7 is an enlarged view of the optical module 91. FIG. 7 shows an optical semiconductor element 80, a metal lead 82, a metal substrate 85, a circuit substrate 86, a wiring pattern 87, and an insulating sealing body 88.

図8は、光モジュール91の上面図である。図8には、光半導体素子80、金属リード82、金属基板85、回路基板86、絶縁封止体88及び補助金属基板89が図示されている。   FIG. 8 is a top view of the optical module 91. FIG. 8 shows an optical semiconductor element 80, a metal lead 82, a metal substrate 85, a circuit substrate 86, an insulating sealing body 88, and an auxiliary metal substrate 89.

補助金属基板89(図7には図示されていない。)は、金属基板85の一方の面に形成する。金属基板85は、孔部(図7及び図8には図示されていない。)を形成する。絶縁封止体88は、前述した孔部に充填する。金属リード82は、絶縁封止体88を貫通し、金属基板85の一方の面及び他方の面から突出する。一定の厚みを有する回路基板86は、補助金属基板89と金属リード82の間に挿入する。回路基板86は、光半導体素子80を搭載する反対側の面を補助金属基板89にろう付けする。配線パターン87の金属基板85に近い側と金属基板85の一方の面から突出した側の金属リード82の端は、ろう材で接続する。光半導体素子80は、半田等を用いて、配線パターン87の金属基板85から離れた側に搭載する。   The auxiliary metal substrate 89 (not shown in FIG. 7) is formed on one surface of the metal substrate 85. The metal substrate 85 forms a hole (not shown in FIGS. 7 and 8). The insulating sealing body 88 fills the aforementioned hole. The metal lead 82 penetrates the insulating sealing body 88 and protrudes from one surface and the other surface of the metal substrate 85. The circuit board 86 having a certain thickness is inserted between the auxiliary metal board 89 and the metal lead 82. The circuit board 86 is brazed to the auxiliary metal substrate 89 on the opposite surface on which the optical semiconductor element 80 is mounted. The end of the metal lead 82 on the side close to the metal substrate 85 of the wiring pattern 87 and the side protruding from one surface of the metal substrate 85 is connected by a brazing material. The optical semiconductor element 80 is mounted on the side away from the metal substrate 85 of the wiring pattern 87 using solder or the like.

回路基板86の配線パターン87で形成される伝送路のインピーダンスと、絶縁封止体88を充填することで同軸構造となっている金属基板85の孔部のインピーダンスを、一致させる。すると、光モジュール91は、光半導体素子80として端面発光型半導体レーザを備えても、金属基板85の他方の面から突出する金属リード82から光半導体素子80までのインピーダンスの不連続性を低減することができる。   The impedance of the transmission line formed by the wiring pattern 87 of the circuit board 86 is matched with the impedance of the hole of the metal substrate 85 having a coaxial structure by filling the insulating sealing body 88. Then, even if the optical module 91 includes an edge-emitting semiconductor laser as the optical semiconductor element 80, impedance discontinuity from the metal lead 82 protruding from the other surface of the metal substrate 85 to the optical semiconductor element 80 is reduced. be able to.

特開2004−253419号公報JP 2004-253419 A 特開2004−259971号公報JP 2004-259971 A

図6の光モジュール90は、光半導体素子80として端面発光型半導体レーザを備えると、インピーダンスの不連続性が発生する課題がある。   When the optical module 90 of FIG. 6 includes an edge-emitting semiconductor laser as the optical semiconductor element 80, there is a problem in that impedance discontinuity occurs.

一般に、端面発光型半導体レーザ(図6には図示していない。)は、端面から信号光を出力し、信号光を出力する端面と対向する端面から出力光の強度を測定するモニタ光を出力する。
端面発光型半導体レーザのモニタ光を受光素子で受光する為に、端面発光型半導体レーザは、金属基板85からある程度の高さを有する補助金属基板(図6には図示していない。)の側面に搭載する必要がある。すると、接続配線81の距離が長くなり、光半導体素子80は、インピーダンスの不連続性が発生する課題がある。
In general, an edge-emitting semiconductor laser (not shown in FIG. 6) outputs signal light from the end face, and outputs monitor light for measuring the intensity of the output light from the end face opposite to the end face that outputs the signal light. To do.
In order to receive the monitor light of the edge-emitting semiconductor laser by the light receiving element, the edge-emitting semiconductor laser has a side surface of an auxiliary metal substrate (not shown in FIG. 6) having a certain height from the metal substrate 85. It is necessary to mount on. Then, the distance of the connection wiring 81 becomes long, and the optical semiconductor element 80 has a problem that impedance discontinuity occurs.

図7の光モジュール91は、端面発光型半導体レーザを備えても、インピーダンスの不連続性を低減させることができる。しかし、光モジュール91は、部材公差や取り付け公差が原因となるインピーダンスの不連続性を発生する課題がある。   The optical module 91 of FIG. 7 can reduce impedance discontinuity even if it includes an edge-emitting semiconductor laser. However, the optical module 91 has a problem of generating impedance discontinuity caused by member tolerance and mounting tolerance.

前述した取付け方法では、回路基板86の厚み、補助金属基板89と金属リード82との隙間が均一とならず、光モジュール91は、部材公差や取り付け公差が発生することがある。すると、光モジュール91は、インピーダンスの不連続性を発生する課題がある。また、補助金属基板89と金属リード82の距離を回路基板86の厚さに合わせる為に、従来の製造方法より加工精度を高くする必要があり、光モジュール91は、製造歩留まりが悪くなる課題がある。   In the mounting method described above, the thickness of the circuit board 86 and the gap between the auxiliary metal substrate 89 and the metal lead 82 are not uniform, and the optical module 91 may have a member tolerance and a mounting tolerance. Then, the optical module 91 has a problem of generating impedance discontinuity. Further, in order to adjust the distance between the auxiliary metal substrate 89 and the metal lead 82 to the thickness of the circuit board 86, it is necessary to increase the processing accuracy as compared with the conventional manufacturing method, and the optical module 91 has a problem that the manufacturing yield deteriorates. is there.

本発明は、前記課題を解決する為になされたもので、インピーダンスの不連続性を低減し、製造歩留まりを高める光モジュール用基板及び光モジュールを提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide an optical module substrate and an optical module that reduce impedance discontinuity and increase the manufacturing yield.

上記目的を達成するために、本願第1の発明は、補助金属基板の側面に隣接し、補助金属基板より低く、同軸構造となっている金属筒状体と、金属筒状体の中心軸に配置され、金属筒状体から突出する金属リードと、を備える光モジュール用基板である。   In order to achieve the above object, the first invention of the present application is a metal cylindrical body that is adjacent to the side surface of the auxiliary metal substrate, is lower than the auxiliary metal substrate, has a coaxial structure, and a central axis of the metal cylindrical body. An optical module substrate comprising a metal lead disposed and protruding from a metal cylindrical body.

具体的に、本願第1の発明は、金属基板と、前記金属基板の一方の面に突出して配置され、前記一方の面に略垂直で平坦な側面を有する補助金属基板と、前記補助金属基板の前記側面に隣接して配置され、中心軸が前記金属基板の前記一方の面に略垂直で、一方の端面の高さが前記補助金属基板より低い金属筒状体と、前記金属筒状体の中心に配置され、一方の端が前記金属筒状体の前記一方の端面から突出し、他方の端が前記金属基板の他方の面の側に突出する金属リードと、前記金属筒状体と前記金属リードとの間に充填された絶縁封止体と、を備える光モジュール用基板である。   Specifically, the first invention of the present application includes a metal substrate, an auxiliary metal substrate that is disposed so as to protrude from one surface of the metal substrate, and has a flat side surface that is substantially perpendicular to the one surface, and the auxiliary metal substrate. A metal cylindrical body disposed adjacent to the side surface of the metal substrate, having a central axis substantially perpendicular to the one surface of the metal substrate and a height of one end surface lower than that of the auxiliary metal substrate, and the metal tube body A metal lead having one end protruding from the one end face of the metal cylindrical body and the other end protruding to the other face side of the metal substrate, the metal cylindrical body and the An optical module substrate comprising an insulating sealing body filled between metal leads.

前記光モジュール用基板は、前記金属筒状体と前記金属リードとの間に前記絶縁封止体が充填されている同軸構造を有する。また、前記金属筒状体が前記補助金属基板より低く、前記金属リードの一方の端が前記金属筒状体の前記一方の端面から突出しているので、前記光モジュール用基板は、前記補助金属基板の前記側面と前記金属リードの前記一方の端とを短い配線で接続することができる。よって、前記光モジュール用基板は、前記金属筒状体及び配線で発生するインピーダンスの不連続性を低減することができる。さらに、従来と同様の方法で製造することができるので、前記光モジュール用基板は、製造歩留まりを高めることができる。従って、インピーダンスの不連続性を低減し、製造歩留まりを高める光モジュール用基板を提供することができる。   The optical module substrate has a coaxial structure in which the insulating sealing body is filled between the metal cylindrical body and the metal lead. In addition, since the metal cylindrical body is lower than the auxiliary metal substrate and one end of the metal lead protrudes from the one end surface of the metal cylindrical body, the optical module substrate is the auxiliary metal substrate. The side surface and the one end of the metal lead can be connected by a short wiring. Therefore, the substrate for an optical module can reduce impedance discontinuity generated in the metal cylindrical body and wiring. Furthermore, since the optical module substrate can be manufactured by the same method as the conventional one, the manufacturing yield can be increased. Therefore, it is possible to provide an optical module substrate that reduces impedance discontinuity and increases manufacturing yield.

上記目的を達成するために、本願第2の発明は、補助金属基板より低く、補助金属基板の側面に隣接して配置され、同軸構造となっている金属筒状体と、金属筒状体の中心軸に配置され、金属筒状体から突出する金属リードと、補助金属基板の側面に装着された回路基板に搭載された端面発光型半導体レーザと、を備える光モジュールである。   In order to achieve the above object, the second invention of the present application is a metal cylindrical body that is lower than the auxiliary metal substrate and is arranged adjacent to the side surface of the auxiliary metal substrate and has a coaxial structure, and a metal cylindrical body. An optical module including a metal lead disposed on a central axis and projecting from a metal cylindrical body, and an edge-emitting semiconductor laser mounted on a circuit board mounted on a side surface of an auxiliary metal substrate.

具体的に、本願第2の発明は、金属基板と、前記金属基板の一方の面に突出して配置され、前記一方の面に略垂直で平坦な側面を有する補助金属基板と、前記補助金属基板の前記側面に隣接して配置され、中心軸が前記金属基板の前記一方の面に略垂直で、一方の端面の高さが前記補助金属基板より低い金属筒状体と、前記金属筒状体の中心に配置され、一方の端が前記金属筒状体の前記一方の端面から突出し、他方の端が前記金属基板の他方の面の側に突出する金属リードと、前記金属筒状体と前記金属リードとの間に充填された絶縁封止体と、前記補助金属基板の前記側面に装着され、配線パターンの形成された回路基板と、前記回路基板に搭載され、配線電極が前記配線パターンに形成された端面発光型半導体レーザと、前記回路基板の前記配線パターンと前記金属リードの前記金属筒状体から突出した一方の端とをそれぞれ接続する配線導体と、を備える光モジュールである。   Specifically, the second invention of the present application includes a metal substrate, an auxiliary metal substrate that protrudes from one surface of the metal substrate, and has a side surface substantially perpendicular to the one surface and the auxiliary metal substrate. A metal cylindrical body disposed adjacent to the side surface of the metal substrate, having a central axis substantially perpendicular to the one surface of the metal substrate and a height of one end surface lower than that of the auxiliary metal substrate, and the metal tube body A metal lead having one end protruding from the one end face of the metal cylindrical body and the other end protruding to the other face side of the metal substrate, the metal cylindrical body and the An insulating sealing body filled between metal leads, a circuit board mounted on the side surface of the auxiliary metal substrate and having a wiring pattern formed thereon, mounted on the circuit board, and a wiring electrode serving as the wiring pattern The formed edge-emitting semiconductor laser and the circuit board An optical module comprising a wiring conductor connecting the one end projecting from the metal tubular body of the metal lead and the wiring pattern, respectively.

前記光モジュールは、前記金属筒状体と前記金属リードとの間に前記絶縁封止体が充填されている同軸構造を有する。また、前記金属筒状体が前記補助金属基板より低く、前記配線パターンと前記金属リードの前記一方の端とを前記配線導体で接続しているので、前記光モジュールは、前記配線導体を短くすることができる。よって、前記光モジュールは、前記金属筒状体及び前記配線導体で発生するインピーダンスの不連続性を低減することができる。さらに、従来と同様の方法で製造できるので、前記光モジュールは、製造歩留まりを高めることができる。従って、インピーダンスの不連続性を低減し、製造歩留まりを高める光モジュールを提供することができる。   The optical module has a coaxial structure in which the insulating sealing body is filled between the metal cylindrical body and the metal lead. Further, since the metal cylindrical body is lower than the auxiliary metal substrate and the wiring pattern and the one end of the metal lead are connected by the wiring conductor, the optical module shortens the wiring conductor. be able to. Therefore, the optical module can reduce impedance discontinuity generated in the metal cylindrical body and the wiring conductor. Furthermore, since the optical module can be manufactured by a method similar to the conventional method, the manufacturing yield of the optical module can be increased. Therefore, it is possible to provide an optical module that can reduce impedance discontinuity and increase manufacturing yield.

本願第2の発明において、前記配線パターンの途中に直列に電気抵抗器をさらに備えることが好ましい。   2nd invention of this application WHEREIN: It is preferable to further provide an electrical resistor in series in the middle of the said wiring pattern.

伝送路のインピーダンスと前記端面発光型半導体レーザ及び前記配線パターンの途中に備えられた前記電気抵抗器で形成される終端抵抗とのインピーダンスを一致させるように、前記電気抵抗器は、抵抗値を設定することができる。すると、前記光モジュールは、終端負荷による電気的反射を低減させることができ、インピーダンスの整合性を高めることができる。従って、インピーダンスの不連続性をより低減する光モジュールを提供することができる。   The electrical resistor sets a resistance value so that the impedance of the transmission line matches the impedance of the terminal resistor formed by the edge-emitting semiconductor laser and the electrical resistor provided in the middle of the wiring pattern. can do. Then, the optical module can reduce electrical reflection due to the termination load, and can improve impedance matching. Therefore, an optical module that further reduces impedance discontinuity can be provided.

本願第2の発明において、前記金属リードは、長軸方向の側面が前記回路基板の前記配線パターンの形成された面の延長上に接するように配置されていることが好ましい。   In the second invention of the present application, the metal lead is preferably arranged so that a side surface in a major axis direction is in contact with an extension of a surface of the circuit board on which the wiring pattern is formed.

長軸方向の側面が前記回路基板の前記配線パターンの形成された面の延長上に接するように前記金属リードを配置することで、前記光モジュールは、前記配線導体を短くすることができる。よって、前記光モジュールは、前記配線導体で発生するインピーダンスの不連続性を低減することができる。従って、インピーダンスの不連続性をより低減する光モジュールを提供することができる。   The optical module can shorten the wiring conductor by arranging the metal leads so that the side surface in the long axis direction is in contact with the extension of the surface of the circuit board on which the wiring pattern is formed. Therefore, the optical module can reduce the impedance discontinuity generated in the wiring conductor. Therefore, an optical module that further reduces impedance discontinuity can be provided.

本発明は、インピーダンスの不連続性を低減し、製造歩留まりを高める光モジュール用基板及び光モジュールを提供することができる。   The present invention can provide an optical module substrate and an optical module that reduce impedance discontinuity and increase manufacturing yield.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す実施形態に限定されるものでない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, this invention is not limited to embodiment shown below.

(実施の形態1)
本願第1の実施形態は、金属基板と、前記金属基板の一方の面に突出して配置され、前記一方の面に略垂直で平坦な側面を有する補助金属基板と、前記補助金属基板の前記側面に隣接して配置され、中心軸が前記金属基板の前記一方の面に略垂直で、一方の端面の高さが前記補助金属基板より低い金属筒状体と、前記金属筒状体の中心に配置され、一方の端が前記金属筒状体の前記一方の端面から突出し、他方の端が前記金属基板の前記他方の面の側に突出する金属リードと、前記金属筒状体と前記金属リードとの間に充填された絶縁封止体と、を備える光モジュール用基板である。
(Embodiment 1)
The first embodiment of the present application includes a metal substrate, an auxiliary metal substrate that protrudes from one surface of the metal substrate, has a flat side surface that is substantially perpendicular to the one surface, and the side surface of the auxiliary metal substrate. A metal cylinder having a central axis substantially perpendicular to the one surface of the metal substrate and a height of one end surface lower than that of the auxiliary metal substrate, and a center of the metal tube A metal lead having one end projecting from the one end surface of the metal cylindrical body and the other end projecting to the other surface side of the metal substrate; the metal cylindrical body and the metal lead; And an insulating sealing body filled in between.

図1を用いて第1の実施形態に係る光モジュール用基板10について説明する。図1は、光モジュール用基板10の斜視図である。光モジュール用基板10は、金属基板20、補助金属基板21、側面22、金属筒状体23、金属リード24及び絶縁封止体25を備える。   An optical module substrate 10 according to the first embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a perspective view of an optical module substrate 10. The optical module substrate 10 includes a metal substrate 20, an auxiliary metal substrate 21, a side surface 22, a metal cylindrical body 23, a metal lead 24, and an insulating sealing body 25.

光モジュール用基板10の製造について説明する。補助金属基板21は、金属基板20の一方の面に突出して配置する。補助金属基板21は、金属基板20の一方の面に略垂直で平坦な側面22を有する。金属筒状体23は、補助金属基板21の側面22に隣接して配置する。金属筒状体23の中心軸は、金属基板20の一方の面に略垂直になる。また、金属筒状体23の一方の端面の高さは、補助金属基板21より低くなる。   The production of the optical module substrate 10 will be described. The auxiliary metal substrate 21 is disposed so as to protrude from one surface of the metal substrate 20. The auxiliary metal substrate 21 has a flat side surface 22 that is substantially perpendicular to one surface of the metal substrate 20. The metal cylindrical body 23 is disposed adjacent to the side surface 22 of the auxiliary metal substrate 21. The central axis of the metal cylindrical body 23 is substantially perpendicular to one surface of the metal substrate 20. In addition, the height of one end face of the metal cylindrical body 23 is lower than that of the auxiliary metal substrate 21.

例えば、金属基板20は、冷間圧延鋼板(SPC)、コバール(鉄−ニッケル−コバルト合金)板、銅タングステン板又は鉄−ニッケル合金板を円形、板状その他の形状に加工したものであってもよい。   For example, the metal substrate 20 is obtained by processing a cold rolled steel plate (SPC), a Kovar (iron-nickel-cobalt alloy) plate, a copper tungsten plate, or an iron-nickel alloy plate into a circular shape, a plate shape, or other shapes. Also good.

補助金属基板21は、金属基板20と一体成形してもよい。また、補助金属基板21は、補助金属基板21を加工した後に金属基板20に溶接又は接着してもよい。例えば、補助金属基板21の素材としては、SPC、コバール、銅タングステン又は鉄−ニッケル合金をあげることができる。補助金属基板21をSPC等の熱伝導率の良い金属とすると、光モジュール用基板10は、搭載する端面発光型半導体レーザの放熱を効率よく行うことができ、レーザ出力の効率、発振波長及び素子寿命を改善することができる。   The auxiliary metal substrate 21 may be integrally formed with the metal substrate 20. The auxiliary metal substrate 21 may be welded or bonded to the metal substrate 20 after the auxiliary metal substrate 21 is processed. For example, examples of the material of the auxiliary metal substrate 21 include SPC, Kovar, copper tungsten, and iron-nickel alloy. When the auxiliary metal substrate 21 is made of a metal having good thermal conductivity such as SPC, the optical module substrate 10 can efficiently dissipate the mounted edge-emitting semiconductor laser, and the laser output efficiency, oscillation wavelength, and element Lifespan can be improved.

金属筒状体23は、金属基板20と一体成形してもよい。また、金属筒状体23は、金属筒状体23を加工した後に金属基板20に溶接又は接着してもよい。例えば、金属筒状体23は、SPC、コバール、銅タングステン又は鉄−ニッケル合金を円筒、角筒その他の形状に加工したものであってもよい。光モジュール用基板10に搭載する端面発光型半導体レーザを差動駆動で用いるのであれば、金属筒状体23は、図1に示すように2本であってもよい。また、光モジュール用基板10に搭載する端面発光型半導体レーザをシングル駆動で用いるのであれば、金属筒状体23は、1本であってもよい(図1には図示していない。)。なお、金属筒状体23は、上記本数に制限されることはない。   The metal cylindrical body 23 may be integrally formed with the metal substrate 20. Further, the metal cylindrical body 23 may be welded or bonded to the metal substrate 20 after the metal cylindrical body 23 is processed. For example, the metal cylinder 23 may be formed by processing SPC, Kovar, copper tungsten, or iron-nickel alloy into a cylinder, a square cylinder, or other shapes. If the edge-emitting semiconductor laser mounted on the optical module substrate 10 is used by differential driving, the number of the metal cylindrical bodies 23 may be two as shown in FIG. Further, if the edge-emitting semiconductor laser mounted on the optical module substrate 10 is used in a single drive, the number of the metal cylindrical bodies 23 may be one (not shown in FIG. 1). The number of the metal cylindrical bodies 23 is not limited to the above number.

金属リード24は、金属筒状体23の中心に配置する。また、金属リード24は、金属リード24の一方の端が金属筒状体23の一方の端面から突出し、金属リード24の他方の端が金属基板20の他方の面の側に突出する。例えば、金属リード24は、コバール又は鉄−ニッケル合金を円柱又は角柱の形状に加工したものであってもよい。金属リード24の一方の端面は、ボンディングできるように平坦にしてもよい(図1には図示していない。)。なお、金属リード24は、金属筒状体23の本数に応じて配置されてもよい。   The metal lead 24 is disposed at the center of the metal cylindrical body 23. The metal lead 24 has one end of the metal lead 24 protruding from one end face of the metal cylindrical body 23, and the other end of the metal lead 24 protruding to the other face side of the metal substrate 20. For example, the metal lead 24 may be made by processing Kovar or an iron-nickel alloy into a cylindrical or prismatic shape. One end face of the metal lead 24 may be flat so as to be bonded (not shown in FIG. 1). The metal leads 24 may be arranged according to the number of the metal cylindrical bodies 23.

絶縁封止体25は、金属筒状体23と金属リード24の間に充填する。例えば、絶縁封止体25としては、金属筒状体23の材料がコバール又は銅タングステンであればホウ珪酸ガラスであってもよい。また、絶縁封止体25は、炭酸ガラス、鉛ガラス又はリン酸ガラスを素材としてもよい。   The insulating sealing body 25 is filled between the metal cylindrical body 23 and the metal lead 24. For example, the insulating sealing body 25 may be borosilicate glass if the material of the metal cylindrical body 23 is Kovar or copper tungsten. The insulating sealing body 25 may be made of carbonate glass, lead glass, or phosphate glass.

光モジュール用基板10が、インピーダンスの不連続性を低減し、製造歩留まりを高める点について説明する。金属筒状体23と金属リード24との間に絶縁封止体25が充填されている同軸構造を有する。また、金属筒状体23が補助金属基板21より低く、金属リード24の一方の端が金属筒状体23の一方の端面から突出しているので、光モジュール用基板10は、補助金属基板21の側面22と金属リード24の一方の端とを短い配線で接続することができる。よって、光モジュール用基板10は、金属筒状体23及び前述した配線で発生するインピーダンスの不連続性を低減することができる。   The point that the optical module substrate 10 reduces the impedance discontinuity and increases the manufacturing yield will be described. It has a coaxial structure in which an insulating sealing body 25 is filled between the metal cylindrical body 23 and the metal lead 24. In addition, since the metal cylindrical body 23 is lower than the auxiliary metal substrate 21 and one end of the metal lead 24 protrudes from one end surface of the metal cylindrical body 23, the optical module substrate 10 is formed of the auxiliary metal substrate 21. The side surface 22 and one end of the metal lead 24 can be connected with a short wiring. Accordingly, the optical module substrate 10 can reduce impedance discontinuity generated in the metal cylindrical body 23 and the wiring described above.

さらに、光モジュール用基板10は、従来と同様の方法で製造することができるので、製造歩留まりを高めることができる。従って、インピーダンスの不連続性を低減し、製造歩留まりを高める光モジュール用基板を提供することができる。   Furthermore, since the optical module substrate 10 can be manufactured by a method similar to the conventional method, the manufacturing yield can be increased. Therefore, it is possible to provide an optical module substrate that reduces impedance discontinuity and increases manufacturing yield.

(実施の形態2)
本願第2の実施形態は、金属基板と、前記金属基板の一方の面に突出して配置され、前記一方の面に略垂直で平坦な側面を有する補助金属基板と、前記補助金属基板の前記側面に隣接して配置され、中心軸が前記金属基板の前記一方の面に略垂直で、一方の端面の高さが前記補助金属基板より低い金属筒状体と、前記金属筒状体の中心に配置され、一方の端が前記金属筒状体の前記一方の端面から突出し、他方の端が前記金属基板の他方の面の側に突出する金属リードと、前記金属筒状体と前記金属リードとの間に充填された絶縁封止体と、前記補助金属基板の前記側面に装着され、配線パターンの形成された回路基板と、前記回路基板に搭載され、配線電極が前記配線パターンに形成された端面発光型半導体レーザと、前記回路基板の前記配線パターンと前記金属リードの前記金属筒状体から突出した一方の端とをそれぞれ接続する配線導体と、を備える光モジュールである。
(Embodiment 2)
The second embodiment of the present application includes a metal substrate, an auxiliary metal substrate that protrudes from one surface of the metal substrate, has a flat side surface that is substantially perpendicular to the one surface, and the side surface of the auxiliary metal substrate. A metal cylinder having a central axis substantially perpendicular to the one surface of the metal substrate and a height of one end surface lower than that of the auxiliary metal substrate, and a center of the metal tube A metal lead having one end projecting from the one end surface of the metal cylindrical body and the other end projecting to the other surface side of the metal substrate; the metal cylindrical body and the metal lead; An insulating sealing body filled in between, a circuit board mounted on the side surface of the auxiliary metal substrate and having a wiring pattern formed thereon, mounted on the circuit board, and a wiring electrode formed in the wiring pattern An edge-emitting semiconductor laser and the circuit board; And one end protruding from the metal tubular body of the line pattern and the metal lead is an optical module comprising a wiring conductor, the connecting respectively.

図2及び図3を用いて第2の実施形態に係る光モジュール11について説明する。図2は、光モジュール11の斜視図である。図3は、図2における回路基板26の周辺を含む拡大図である。光モジュール11は、金属基板20、補助金属基板21、金属筒状体23、金属リード24、絶縁封止体25、回路基板26、端面発光型半導体レーザ28、絶縁基板30及びモニタ用受光素子31、ボンディングワイヤ32、金属導体34及び絶縁体35を備える。   The optical module 11 according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a perspective view of the optical module 11. FIG. 3 is an enlarged view including the periphery of the circuit board 26 in FIG. The optical module 11 includes a metal substrate 20, an auxiliary metal substrate 21, a metal cylindrical body 23, a metal lead 24, an insulating sealing body 25, a circuit board 26, an edge-emitting semiconductor laser 28, an insulating substrate 30, and a monitor light receiving element 31. , A bonding wire 32, a metal conductor 34, and an insulator 35.

図3には、補助金属基板21、金属筒状体23、金属リード24、絶縁封止体25、回路基板26、配線パターン27、端面発光型半導体レーザ28、配線導体29及びボンディングワイヤ32が図示されている。   3 shows an auxiliary metal substrate 21, a metal cylindrical body 23, a metal lead 24, an insulating sealing body 25, a circuit board 26, a wiring pattern 27, an edge emitting semiconductor laser 28, a wiring conductor 29, and a bonding wire 32. Has been.

光モジュール11は、図1の光モジュール用基板10に、端面発光型半導体レーザ28等を形成すれば製造することができる。以下、光モジュール11の製造について説明する。   The optical module 11 can be manufactured by forming the edge emitting semiconductor laser 28 and the like on the optical module substrate 10 of FIG. Hereinafter, the manufacture of the optical module 11 will be described.

回路基板26は、補助金属基板21の側面22に装着する。また、配線パターン27は、回路基板26に形成される。例えば、回路基板26の材料としては、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム又は窒化珪素をあげることができる。回路基板26の材料を窒化アルミニウムとすると、熱伝導率が良い為に、端面発光型半導体レーザ28が効率よく放熱する。また、配線パターン27は、ニッケル金メッキ又は銅メッキであってもよい。   The circuit board 26 is attached to the side surface 22 of the auxiliary metal substrate 21. The wiring pattern 27 is formed on the circuit board 26. For example, the material of the circuit board 26 can be aluminum nitride, aluminum oxide, or silicon nitride. If the material of the circuit board 26 is aluminum nitride, the edge-emitting semiconductor laser 28 radiates heat efficiently because of good thermal conductivity. The wiring pattern 27 may be nickel gold plating or copper plating.

端面発光型半導体レーザ28は、回路基板26に搭載する。また、端面発光型半導体レーザ28は、配線パターン27に配線電極を形成する。例えば、端面発光型半導体レーザ28としては、ファブリーペロ型半導体レーザ(FP−LD)、ブラッグ帰還型半導体レーザ(DBR−LD)又は分布帰還型半導体レーザ(DFB−LD)をあげることができる。   The edge-emitting semiconductor laser 28 is mounted on the circuit board 26. Further, the edge emitting semiconductor laser 28 forms a wiring electrode on the wiring pattern 27. For example, the edge emitting semiconductor laser 28 may be a Fabry-Perot semiconductor laser (FP-LD), a Bragg feedback semiconductor laser (DBR-LD), or a distributed feedback semiconductor laser (DFB-LD).

配線導体29は、回路基板26の配線パターン27と金属リード24の金属筒状体23から突出した一方の端をそれぞれ接続する。例えば、配線導体29は、ボンディングで接続してもよい。ウェッジボンディングで配線導体29を接続するのであれば、配線導体29は、リボンワイヤであってもよい。また、ボールボンディングで配線導体29を接続するのであれば、配線導体29は、ラウンドワイヤであってもよい。   The wiring conductor 29 connects the wiring pattern 27 of the circuit board 26 and one end protruding from the metal cylindrical body 23 of the metal lead 24. For example, the wiring conductor 29 may be connected by bonding. If the wiring conductor 29 is connected by wedge bonding, the wiring conductor 29 may be a ribbon wire. If the wiring conductor 29 is connected by ball bonding, the wiring conductor 29 may be a round wire.

端面発光型半導体レーザ28と回路基板26の配線パターン27を、ボンディングワイヤ32で接続してもよい。例えば、ウェッジボンディングやボールボンディングで端面発光型半導体レーザ28と回路基板26の配線パターン27を接続してもよい。   The edge emitting semiconductor laser 28 and the wiring pattern 27 of the circuit board 26 may be connected by a bonding wire 32. For example, the edge emitting semiconductor laser 28 and the wiring pattern 27 of the circuit board 26 may be connected by wedge bonding or ball bonding.

絶縁基板30は、一方の面に金属メッキをおこない、金属基板20の一方の面に装着してもよい。モニタ用受光素子31は、絶縁基板30の端面発光型半導体レーザ28のモニタ光を受光できる位置に搭載してもよい。モニタ用受光素子31は、表面に電極用パッドを備えてもよい。金属導体34は、金属基板20の一方の面から突出するように配置してもよい。絶縁体35は、金属導体34と金属基板20が接触しないように、金属導体34と金属基板20の間に充填してもよい。一方の金属導体34とモニタ用受光素子31の電極パッドは、ボンディングワイヤ32で接続してもよい。また、他方の金属導体34と絶縁基板30の一方の面は、ボンディングワイヤ32で接続してもよい。   The insulating substrate 30 may be mounted on one surface of the metal substrate 20 by performing metal plating on one surface. The monitor light receiving element 31 may be mounted at a position where the monitor light of the edge emitting semiconductor laser 28 of the insulating substrate 30 can be received. The monitor light receiving element 31 may include an electrode pad on the surface. The metal conductor 34 may be disposed so as to protrude from one surface of the metal substrate 20. The insulator 35 may be filled between the metal conductor 34 and the metal substrate 20 so that the metal conductor 34 and the metal substrate 20 do not contact each other. One metal conductor 34 and the electrode pad of the monitor light receiving element 31 may be connected by a bonding wire 32. Further, the other metal conductor 34 and one surface of the insulating substrate 30 may be connected by a bonding wire 32.

筐体(図2及び図3には図示していない。)は、金属基板20の一方の面を覆い、光モジュール11を気密封止してもよい。前述した筐体は、端面発光型半導体レーザ28の信号光を外部に出力できるように透明板又はレンズを備えてもよい。例えば、筐体は、素材を金属、プラスチック又はセラミックとして、光モジュール11に溶接してもよい。また、筐体の内部は、窒素その他の不活性ガスを充填し又は真空の状態にしてもよい。   A housing (not shown in FIGS. 2 and 3) may cover one surface of the metal substrate 20 and hermetically seal the optical module 11. The housing described above may include a transparent plate or a lens so that the signal light of the edge-emitting semiconductor laser 28 can be output to the outside. For example, the housing may be welded to the optical module 11 using a metal, plastic, or ceramic material. Further, the inside of the housing may be filled with nitrogen or other inert gas or be in a vacuum state.

光モジュール11が、インピーダンスの不連続性を低減し、製造歩留まりを高める点について説明する。光モジュール11は、図1の光モジュール用基板10と同様の同軸構造を有する。金属筒状体23が補助金属基板21より低く、金属リード24の一方の端が金属筒状体23の一方の端面から突出しているので、光モジュール11は、配線導体29を短くして、配線パターン27と金属リード24の一方の端を接続することができる。よって、光モジュール10は、金属筒状体23及び配線導体29で発生するインピーダンスの不連続性を低減することができる。さらに、光モジュール11は、従来の製造方法を用いることができる。従って、インピーダンスの不連続性を低減し、製造歩留まりを高める光モジュールを提供することができる。   The point that the optical module 11 reduces the impedance discontinuity and increases the manufacturing yield will be described. The optical module 11 has the same coaxial structure as the optical module substrate 10 of FIG. Since the metal cylindrical body 23 is lower than the auxiliary metal substrate 21 and one end of the metal lead 24 protrudes from one end surface of the metal cylindrical body 23, the optical module 11 shortens the wiring conductor 29 and One end of the pattern 27 and the metal lead 24 can be connected. Therefore, the optical module 10 can reduce impedance discontinuity generated in the metal cylindrical body 23 and the wiring conductor 29. Furthermore, the optical module 11 can use a conventional manufacturing method. Therefore, it is possible to provide an optical module that can reduce impedance discontinuity and increase manufacturing yield.

本願第2の実施形態において、前記配線パターンの途中に直列に電気抵抗器をさらに備えることが好ましい。   In 2nd Embodiment of this application, it is preferable to further provide an electrical resistor in series in the middle of the said wiring pattern.

図4は、電気抵抗器33が形成された後の回路基板26の周辺を含む拡大図である。図4には、補助金属基板21、金属筒状体23、金属リード24、絶縁封止体25、回路基板26、配線パターン27、端面発光型半導体レーザ28、配線導体29、ボンディングワイヤ32及び電気抵抗器33が図示されている。   FIG. 4 is an enlarged view including the periphery of the circuit board 26 after the electrical resistor 33 is formed. 4, the auxiliary metal substrate 21, the metal cylindrical body 23, the metal lead 24, the insulating sealing body 25, the circuit board 26, the wiring pattern 27, the edge emitting semiconductor laser 28, the wiring conductor 29, the bonding wire 32, and the electric Resistor 33 is shown.

電気抵抗器33は、配線パターン27の途中に直列となるように形成してもよい。例えば、配線パターンに窒化タンタル又はタングステンをスパッタ法又は蒸着法で電気抵抗器33として形成し、レーザトリミングで電気抵抗器33の抵抗値を調整してもよい。なお、図4に示すように、端面発光型半導体レーザ28を差動駆動するのであれば、電気抵抗器33は、2個であってもよい。また、端面発光型半導体レーザ28をシングル駆動するのであれば、電気抵抗器33は、1個であってもよい(図4には図示していない。)   The electrical resistor 33 may be formed in series in the middle of the wiring pattern 27. For example, tantalum nitride or tungsten may be formed on the wiring pattern as the electric resistor 33 by sputtering or vapor deposition, and the resistance value of the electric resistor 33 may be adjusted by laser trimming. As shown in FIG. 4, if the edge-emitting semiconductor laser 28 is differentially driven, the number of electrical resistors 33 may be two. If the edge-emitting semiconductor laser 28 is single-driven, the number of electrical resistors 33 may be one (not shown in FIG. 4).

電気抵抗器33のインピーダンスと、端面発光型半導体レーザ28との合成インピーダンスが、同軸構造である金属筒状体23のインピーダンスと略同じになるように、電気抵抗器33のインピーダンスを調整する。すると、光モジュール11は、終端負荷による電気的反射を低減させ、インピーダンスの整合性を高めることができる。従って、インピーダンスの不連続性をより低減する光モジュールを提供することができる。   The impedance of the electrical resistor 33 is adjusted so that the impedance of the electrical resistor 33 and the combined impedance of the edge-emitting semiconductor laser 28 are substantially the same as the impedance of the metal cylindrical body 23 having a coaxial structure. Then, the optical module 11 can reduce electrical reflection due to the termination load and improve impedance matching. Therefore, an optical module that further reduces impedance discontinuity can be provided.

本願第2の実施形態において、前記金属リードは、長軸方向の側面が前記回路基板の前記配線パターンの形成された面の延長上に接するように配置されていることが好ましい。   In the second embodiment of the present application, it is preferable that the metal lead is disposed such that a side surface in a major axis direction is in contact with an extension of a surface of the circuit board on which the wiring pattern is formed.

図5は、光モジュール11の補助金属基板21の上面図である。図5には、補助金属基板21、金属筒状体23、金属リード24、絶縁封止体25、配線パターン27、端面発光型半導体レーザ28、配線導体29及びボンディングワイヤ32が図示されている。なお、図5において、配線パターン27の形成された面の延長は、破線で示している。   FIG. 5 is a top view of the auxiliary metal substrate 21 of the optical module 11. FIG. 5 illustrates the auxiliary metal substrate 21, the metal cylindrical body 23, the metal lead 24, the insulating sealing body 25, the wiring pattern 27, the edge emitting semiconductor laser 28, the wiring conductor 29, and the bonding wire 32. In FIG. 5, the extension of the surface on which the wiring pattern 27 is formed is indicated by a broken line.

金属リード24は、長軸方向の側面が配線パターン27の形成された面の延長上に接するように配置してもよい。すると、配線導体29を短くすることができるので、光モジュール11は、配線導体29で発生するインピーダンスの不連続性を低減することができる。従って、インピーダンスの不連続性を低減する光モジュールを提供することができる。   The metal lead 24 may be disposed such that the side surface in the major axis direction is in contact with the extension of the surface on which the wiring pattern 27 is formed. Then, since the wiring conductor 29 can be shortened, the optical module 11 can reduce the impedance discontinuity generated in the wiring conductor 29. Therefore, an optical module that reduces impedance discontinuity can be provided.

本発明の光モジュール用基板は、端面発光型半導体レーザの基板として利用することができる。また、本発明の光モジュールは、光通信の送信用光モジュールとして利用することができる。   The substrate for an optical module of the present invention can be used as a substrate for an edge-emitting semiconductor laser. The optical module of the present invention can be used as an optical module for transmission in optical communication.

本願第1の発明の一の実施形態に係る光モジュール用基板の斜視図である。It is a perspective view of the substrate for optical modules concerning one embodiment of the 1st invention of this application. 本願第2の発明の一の実施形態に係る光モジュールの斜視図である。It is a perspective view of the optical module which concerns on one Embodiment of this-application 2nd invention. 図2における回路基板の周辺を含む拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view including the periphery of the circuit board in FIG. 2. 電気抵抗器が形成された後の回路基板の周辺を含む拡大図である。It is an enlarged view including the periphery of a circuit board after an electrical resistor is formed. 図2の光モジュールの補助金属基板の上面図である。FIG. 3 is a top view of an auxiliary metal substrate of the optical module in FIG. 2. 従来の光モジュールの全体図である。It is a general view of the conventional optical module. 従来の別の光モジュールの拡大図である。It is an enlarged view of another conventional optical module. 従来の別の光モジュールの上面図である。It is a top view of another conventional optical module.

符号の説明Explanation of symbols

10 光モジュール用基板
11、90、91 光モジュール
20、85 金属基板
21、89 補助金属基板
22 側面
23 金属筒状体
26、86 回路基板
24、82 金属リード
27、87 配線パターン
25、88 絶縁封止体
28 端面発光型半導体レーザ
29 配線導体
30 絶縁基板
31 モニタ用受光素子
32 ボンディングワイヤ
33 電気抵抗器
34 金属導体
35 絶縁体
80 光半導体素子
81 接続配線
83 孔部
84 誘電体
10 Optical Module Substrate 11, 90, 91 Optical Module 20, 85 Metal Substrate 21, 89 Auxiliary Metal Substrate 22 Side 23 Metal Cylindrical Body 26, 86 Circuit Substrate 24, 82 Metal Lead 27, 87 Wiring Pattern 25, 88 Insulation Sealing Stopping body 28 End-emitting semiconductor laser 29 Wiring conductor 30 Insulating substrate 31 Light-receiving element for monitoring 32 Bonding wire 33 Electric resistor 34 Metal conductor 35 Insulator 80 Optical semiconductor element 81 Connection wiring 83 Hole 84 Dielectric

Claims (4)

金属基板と、
前記金属基板の一方の面に突出して配置され、前記一方の面に略垂直で平坦な側面を有する補助金属基板と、
前記補助金属基板の前記側面に隣接して配置され、中心軸が前記金属基板の前記一方の面に略垂直で、一方の端面の高さが前記補助金属基板より低い金属筒状体と、
前記金属筒状体の中心に配置され、一方の端が前記金属筒状体の前記一方の端面から突出し、他方の端が前記金属基板の他方の面の側に突出する金属リードと、
前記金属筒状体と前記金属リードとの間に充填された絶縁封止体と、を備える光モジュール用基板。
A metal substrate;
An auxiliary metal substrate disposed so as to protrude from one surface of the metal substrate and having a flat side surface substantially perpendicular to the one surface;
A metal cylindrical body disposed adjacent to the side surface of the auxiliary metal substrate, the central axis being substantially perpendicular to the one surface of the metal substrate, and the height of one end surface being lower than the auxiliary metal substrate;
A metal lead disposed at the center of the metal cylinder, one end protruding from the one end face of the metal cylinder, and the other end protruding to the other face side of the metal substrate;
An optical module substrate comprising: an insulating sealing body filled between the metal cylindrical body and the metal lead.
金属基板と、
前記金属基板の一方の面に突出して配置され、前記一方の面に略垂直で平坦な側面を有する補助金属基板と、
前記補助金属基板の前記側面に隣接して配置され、中心軸が前記金属基板の前記一方の面に略垂直で、一方の端面の高さが前記補助金属基板より低い金属筒状体と、
前記金属筒状体の中心に配置され、一方の端が前記金属筒状体の前記一方の端面から突出し、他方の端が前記金属基板の他方の面の側に突出する金属リードと、
前記金属筒状体と前記金属リードとの間に充填された絶縁封止体と、
前記補助金属基板の前記側面に装着され、配線パターンの形成された回路基板と、
前記回路基板に搭載され、配線電極が前記配線パターンに形成された端面発光型半導体レーザと、
前記回路基板の前記配線パターンと前記金属リードの前記金属筒状体から突出した一方の端とをそれぞれ接続する配線導体と、を備える光モジュール。
A metal substrate;
An auxiliary metal substrate disposed so as to protrude from one surface of the metal substrate and having a flat side surface substantially perpendicular to the one surface;
A metal cylindrical body disposed adjacent to the side surface of the auxiliary metal substrate, the central axis being substantially perpendicular to the one surface of the metal substrate, and the height of one end surface being lower than the auxiliary metal substrate;
A metal lead disposed at the center of the metal cylinder, one end protruding from the one end face of the metal cylinder, and the other end protruding to the other face side of the metal substrate;
An insulating sealing body filled between the metal cylindrical body and the metal lead;
A circuit board mounted on the side surface of the auxiliary metal substrate and having a wiring pattern formed thereon;
An edge-emitting semiconductor laser mounted on the circuit board and having a wiring electrode formed on the wiring pattern;
An optical module comprising: a wiring conductor that connects the wiring pattern of the circuit board and one end of the metal lead protruding from the metal cylindrical body.
前記配線パターンの途中に直列に電気抵抗器をさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の光モジュール。   The optical module according to claim 2, further comprising an electric resistor in series in the middle of the wiring pattern. 前記金属リードは、長軸方向の側面が前記回路基板の前記配線パターンの形成された面の延長上に接するように配置されていることを特徴とする請求項2又は3に記載の光モジュール。
4. The optical module according to claim 2, wherein the metal lead is disposed such that a side surface in a major axis direction is in contact with an extension of a surface of the circuit board on which the wiring pattern is formed. 5.
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