JP2007103409A - 微細パターン形成体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、基板上に感光性レジストを塗布しレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、上記レジスト層を露光する露光工程と、上記露光工程後のレジスト層を現像液で現像する現像工程と、上記現像工程後のレジスト層をリンス液でリンスするリンス工程と、を有する微細パターン形成体の製造方法であって、上記リンス工程の際に、上記基板を鉛直軸周りに水平に回転させ、上記現像工程後のレジスト層に対して、上記リンス液をスリットノズルにより帯状に吐出し、かつ、上記スリットノズルの吐出口から吐出される上記リンス液の流速が、0.65×104〜3×104cm/minの範囲内であることを特徴とする微細パターン形成体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。
【選択図】図1
Description
まず、本発明におけるレジスト層形成工程について説明する。本発明におけるレジスト層形成工程は、基板上に感光性レジストを塗布しレジスト層を形成する工程である。また、本発明における感光性レジストは、電子線レジスト等の電離放射線感応レジストをも含むものである。
また、上記感光性レジストを塗布することにより形成されるレジスト層の厚みとしては、本発明により得られるレチクル等の用途等によって異なるものであるが、通常50〜1000nmの範囲内である。
次に、本発明における露光工程について説明する。本発明における露光工程は、上記レジスト層にエネルギー線を照射する工程である。
次に、本発明における現像工程について説明する。本発明における現像工程は、上記露光工程後のレジスト層を現像液で現像する工程である。
なお、このようなスリットノズルについては、例えば、特許第3471547号、特許第3335875号、特開2001−196288公報、特開2001−347211公報等に記載されたもの等を用いることができる。
次に、本発明におけるリンス工程について説明する。本発明におけるリンス工程は、上記現像工程後のレジスト層をリンス液でリンスする工程である。
さらに、本発明においては、リンス工程の際に、上記基板を鉛直軸周りに水平に回転させ、上記現像工程後のレジスト層に対して、上記リンス液をスリットノズルにより帯状に吐出し、かつ、上記スリットノズルの吐出口から吐出される上記リンス液の流速が、0.65×104〜 3×104cm/minの範囲内であることを特徴とする。
本発明によりレチクルを製造する場合は、通常、上記リンス工程の後にエッチング工程およびレジスト剥離工程を行う。
本発明におけるエッチング工程は、上記リンス工程によりレジストが除去され露出した、遮光層の一部をエッチングする工程である。このエッチング工程は、遮光層を溶解する溶液を用いる湿式法、およびドライエッチングを用いる乾式法を用いることが可能である。
本発明におけるレジスト剥離工程は、上記エッチング工程を行った後、遮光層上に残存するレジスト層をレジスト剥離液で剥離する工程である。上記レジスト剥離液としては、上記遮光層を溶解せず、レジスト層を溶解することが必要であり、レジスト層を形成する際に用いられる溶媒をそのまま使用することもできる。さらに、強アルカリ水溶液、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチル−2−ピロリドン等の溶媒、およびそれらの混合物、市販のレジスト剥離液を用いても良い。レジスト剥離後は、2−プロパノール等でリンスし、さらに水でリンスしてもよい。
実施例1においては、未露光のレジスト層に対して、スリットノズルを用いた現像工程、およびスリットノズルを用いたリンス工程を行った。
まず、基板として用意した石英基板上に100nmのクロム遮光層を設けた6インチ基板を基板保持回転手段上に設置し、この基板の表面上に、ポジ型の化学増幅型レジストを、スピンコート法により塗布し、その後、レジスト中の溶媒を除くために、プリベークし、レジスト層を得た。
実施例2においては、未露光のレジスト層に対して、スプレーノズルを用いた現像工程、およびスリットノズルを用いたリンス工程を行った。まず、実施例1と同様にして、基板上にレジスト層を形成した。
比較例1においては、未露光のレジスト層に対して、スプレーノズルを用いた現像工程、およびストレートチューブを用いたリンス工程を行った。まず、実施例1と同様にして、基板上にレジスト層を形成した。さらに、実施例2と同様にスプレーノズルを用いて現像工程を行った。
比較例2においては、未露光のレジスト層に対して、スプレーノズルを用いた現像工程、およびストレートチューブを用いたリンス工程を行った。リンス液の流速を0.354×104cm/min(流量1.0L/min)としたこと以外は、比較例1と同様にしてレジスト残渣の個数を測定した。得られたレジスト残渣の分布を図6(d)に示す。
比較例3においては、未露光のレジスト層に対して、スプレーノズルを用いた現像工程、およびストレートチューブを用いたリンス工程を行った。リンス液の流速を0.17×104cm/min(流量0.5L/min)としたこと以外は、比較例1と同様にしてレジスト残渣の個数を測定した。得られたレジスト残渣の分布を図6(e)に示す。
実施例1〜2、比較例1〜3により得られたレジスト残渣の個数を相対比較したグラフを図7に示す。図7から明らかなように、実施例1において、現像工程およびリンス工程にスリットノズルを用いると、レジスト残渣の発生個数が最も少なかった。また、実施例2において、リンス工程にスリットノズルを用いるだけであっても、充分にレジスト残渣の発生個数を抑制することができた。また、比較例1〜3においては、レジスト残渣の発生個数は全体的に多かった。しかしながら、リンス液の流量を上げるに従って、レジスト残渣の発生個数が減少していくことから、大量のリンス液を用いることによって、レジスト残渣の発生個数を低減できることが示唆された。
2 … 遮光層
3 … 基板回転保持手段
4 … レジスト層
5 … エネルギー線
6 … 潜像
7 … スリットノズル
8 … 現像液
9 … リンス液
10 … 微細パターン
Claims (6)
- 基板上に感光性レジストを塗布しレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、前記レジスト層を露光する露光工程と、前記露光工程後のレジスト層を現像液で現像する現像工程と、前記現像工程後のレジスト層をリンス液でリンスするリンス工程と、を有する微細パターン形成体の製造方法であって、
前記リンス工程の際に、前記基板を鉛直軸周りに水平に回転させ、前記現像工程後のレジスト層に対して、前記リンス液をスリットノズルにより帯状に吐出し、かつ、前記スリットノズルの吐出口から吐出される前記リンス液の流速が、0.65×104〜3×104cm/minの範囲内であることを特徴とする微細パターン形成体の製造方法。 - 前記スリットノズルの吐出口から吐出される前記リンス液の流量が、1.95×103〜9×103cc/minの範囲内であることを特徴とする請求項1に記載の微細パターン形成体の製造方法。
- 前記リンス工程の際に、前記基板を鉛直軸周りに水平に回転させる回転数が、20〜500rpmの範囲内であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の微細パターン形成体の製造方法。
- 前記現像工程の際に、前記基板を鉛直軸周りに水平に回転させ、前記露光工程後のレジスト層に対して、前記現像液をスリットノズルにより帯状に吐出し、かつ、前記スリットノズルの吐出口から吐出される前記現像液の流速が、0.3×104〜2×104cm/minの範囲内であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の微細パターン形成体の製造方法。
- 前記スリットノズルの吐出口から吐出される前記現像液の流量が、1×103〜6×103cc/minの範囲内であることを特徴とする請求項4に記載の微細パターン形成体の製造方法。
- 前記現像工程の際に、前記基板を鉛直軸周りに水平に回転させる回転数が、7〜500rpmの範囲内であることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の微細パターン形成体の製造方法。
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