JP2007100130A - Method of forming gold bump and gold wiring - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、所定の電解金めっき浴を用いてウエハ上に金バンプ又は金配線を形成する方法であって、パッシベーション膜の不均一な膜厚に起因して生じる金めっきの段差を抑制して平坦な金皮膜の金バンプ又は金配線を形成する金バンプ又は金配線の形成方法に関する。 The present invention is a method of forming gold bumps or gold wiring on a wafer using a predetermined electrolytic gold plating bath, and suppresses the gold plating step caused by the non-uniform thickness of the passivation film. The present invention relates to a method of forming a gold bump or gold wiring for forming a gold bump or gold wiring of a flat gold film.
非シアン系又はシアン系電解金めっき浴を用いて形成した金めっき皮膜は、電気伝導性、熱圧着性等の物理特性だけでなく耐酸化性、耐薬品性等の化学特性にも優れている。そのため、従来、シリコンウエハ上のバンプ形成やＧａ/Ａｓウエハなど化合物ウエハ上の配線形成等に好適に用いられている。 Gold plating film formed using non-cyan or cyan electrolytic gold plating bath is excellent not only in physical properties such as electrical conductivity and thermocompression bonding but also in chemical properties such as oxidation resistance and chemical resistance. . Therefore, conventionally, it is suitably used for bump formation on a silicon wafer and wiring formation on a compound wafer such as a Ga / As wafer.
シリコンウエハ上のバンプ形成やＧａ/Ａｓウエハなどの化合物ウエハ上の配線形成に用いられる非シアン系電解金めっき浴は、例えば、金源としての亜硫酸金アルカリ塩または亜硫酸金アンモニウムと、スタビライザとしての水溶性アミンと、結晶調整剤として微量のＴｌ化合物、Ｐｂ化合物もしくはＡｓ化合物と、伝導塩としての亜硫酸塩および硫酸塩と、緩衝剤とからなる基本浴のものがある。シアン系電解金めっき浴は、例えば、金源としてのシアン化金アルカリ塩またはシアン化金アンモニウムと、微量の結晶調整剤と、伝導塩としてのリン酸塩、ホウ酸塩等の無機酸塩、有機酸（カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸、シュウ酸等）塩等とからなる基本浴のものがある。 Non-cyanic electrolysis gold plating baths used for bump formation on silicon wafers and wiring formation on compound wafers such as Ga / As wafers include, for example, alkali gold sulfite or ammonium ammonium sulfite as a gold source and stabilizers. There is a basic bath composed of a water-soluble amine, a trace amount of Tl compound, Pb compound or As compound as a crystal modifier, sulfite and sulfate as conductive salts, and a buffer. The cyan electrolytic gold plating bath includes, for example, a gold cyanide alkali salt or gold cyanide ammonium as a gold source, a small amount of a crystal adjusting agent, an inorganic acid salt such as a phosphate and a borate as a conductive salt, Some basic baths are composed of organic acid (carboxylic acid, hydroxycarboxylic acid, oxalic acid, etc.) salts and the like.
金バンプを電解金めっきにより形成したウエハの一例を図１に示す。 An example of a wafer in which gold bumps are formed by electrolytic gold plating is shown in FIG.
図１中、１はシリコン又はＧａ／Ａｓ化合物ウエハで、その一面上には微小なＡｌ電極３が形成されている。ウエハ１のＡｌ電極３形成面上には、ウエハと、Ａｌ電極３の周縁とを一体になって被覆するパッシベーション膜５、パッシベーション膜５とＡｌ電極３とを被覆する金スパッタ膜７が順次積層されている。金スパッタ膜７上には、Ａｌ電極３の上方が開口して設けられたマスク材９によるマスクパターンが形成されている。マスク材９の開口部１０には、電解金めっきにより金バンプ１１が形成されている。図１中、１３は金ビーズ又は半田ビーズである。
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a silicon or Ga / As compound wafer, on which a
金バンプや金配線のめっき用に微細にパターンニングされたシリコンウエハないしＧａ/Ａｓウエハ上には、通常、金皮膜との絶縁及び周辺配線への保護を目的として、上述したパッシベーション膜５が形成される。しかしながら、パッシベーション膜５は、図１に示すように、Ａｌ電極３の周縁部で凹凸（パッシベーション段差ｘ）が生じている。
The above-described
従来の非シアン系又はシアン系電解金めっきは、通常、40〜65℃の温度条件で、電流密度を0.3〜1.2Ａ/ｄｍ2の範囲内で一定値を保持するように設定してめっきを行なう場合が殆どである。この条件でめっきを行った場合、マスク材９の開口部１０に電解金めっきにより形成された金バンプ１１は、金めっき後にパッシベーション膜５の凹凸形状に起因して中央部が陥没する。
Conventional non-cyan or cyan electrolytic gold plating is usually performed by setting the current density within a range of 0.3 to 1.2 A / dm 2 under a temperature condition of 40 to 65 ° C. Most of them are done. When plating is performed under this condition, the central portion of the
接合に使用する金ビーズまたは半田ビーズ１３を金バンプ表面に配置した場合には、金めっきにより生じた段差（凹部１５）に落ちてしまうことが多い。そのため、金配線を金バンプ１１に圧着接合する際に、ビーズを介した均一な圧着面が得られず、十分な密着強度が得られない接着不良が発生している。
When gold beads or
電解金めっきにより金バンプを形成する方法自体は公知であり、例えばシアン化金カリウムを用いる金めっきによる形成方法が特許文献１に記載されている。
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、バンプと配線との接合の際に、金ビーズまたは半田ビーズを介してバンプと配線との十分な密着強度を得るため、不均一な膜厚のパッシベーション膜に起因して生じる金めっきの段差を抑制して平坦な金皮膜の金バンプ又は金配線を形成できる金バンプ又は金配線の形成方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and in order to obtain sufficient adhesion strength between the bump and the wiring via the gold bead or the solder bead when the bump and the wiring are joined, the non-uniform thickness passivation is performed. It is an object of the present invention to provide a method for forming gold bumps or gold wirings which can form gold bumps or gold wirings with a flat gold film while suppressing the gold plating level difference caused by the film.
本発明者は、前記課題を解決するため検討を重ねた結果、所定の非シアン系又はシアン系電解金めっき浴を使用して、所定膜厚を得るまで0.1Ａ／ｄｍ2以下の電流密度でめっきを行い、それ以外は0.3〜1.2Ａ／ｄｍ2の電流密度で所望の厚さになるまでめっきすることにより、均一かつ緻密で良好な外観特性と皮膜硬度やシェア強度特性を保持しながら、パッシベーション膜に起因する金めっきの段差を抑制した平坦な金皮膜の金バンプ又は金配線を形成できることを知得し、本発明をなすに至った。 As a result of repeated studies to solve the above problems, the present inventor has used a predetermined non-cyanide or cyan electrolytic gold plating bath at a current density of 0.1 A / dm 2 or less until a predetermined film thickness is obtained. While plating, otherwise plating at a current density of 0.3 to 1.2 A / dm 2 until the desired thickness is achieved, while maintaining a uniform and dense and good appearance characteristics, film hardness and shear strength characteristics, It was learned that a gold bump or gold wiring of a flat gold film in which a step difference in gold plating caused by the passivation film was suppressed could be formed, and the present invention was made.
即ち、上記課題を解決する本発明は、以下に記載するものである。 That is, the present invention that solves the above problems is described below.
〔１〕 金源としての亜硫酸金アルカリ塩または亜硫酸金アンモニウムと、スタビライザとしての水溶性アミンと、結晶調整剤と、伝導塩としての亜硫酸塩および硫酸塩と、緩衝剤とを含有する非シアン系電解金めっき浴を用いてパターンニングされたウエハ上に電解金めっきを行う金バンプ又は金配線の形成方法であって、ウエハ上への電解金めっきが、０．１Ａ／ｄｍ2以下の電流密度で電解金めっきを少なくとも１回行う工程１と、０．３〜１．２Ａ／ｄｍ2の電流密度で電解金めっきを少なくとも１回行う工程２とからなり、工程１の合計めっき厚が０.１〜５μｍで、工程１と工程２の合計めっき厚が所望のめっき厚となるようにウエハ上に金めっきを行うことを特徴とする金バンプ又は金配線の形成方法。 [1] Non-cyanide containing an alkaline salt of gold sulfite or ammonium ammonium sulfite as a gold source, a water-soluble amine as a stabilizer, a crystal modifier, sulfite and sulfate as conductive salts, and a buffer. A method for forming a gold bump or a gold wiring by performing electrolytic gold plating on a wafer patterned using an electrolytic gold plating bath, wherein the electrolytic gold plating on the wafer has a current density of 0.1 A / dm 2 or less. Step 1 for performing electrolytic gold plating at least once and Step 2 for performing electrolytic gold plating at least once at a current density of 0.3 to 1.2 A / dm 2 . A method for forming gold bumps or gold wiring, wherein gold plating is performed on a wafer so that the total plating thickness of step 1 and step 2 is a desired plating thickness at 1 to 5 μm.
〔２〕 金源としてのシアン化金アルカリ塩またはシアン化金アンモニウムと、結晶調整剤と、伝導塩としての無機酸塩又は有機酸塩と、緩衝剤とを含有するシアン系電解金めっき浴を用いてパターンニングされたウエハ上に電解金めっきを行う金バンプ又は金配線の形成方法であって、ウエハ上への電解金めっきが、０．１Ａ／ｄｍ2以下の電流密度で電解金めっきを少なくとも１回行う工程１と、０．３〜１．２Ａ／ｄｍ2の電流密度で電解金めっきを少なくとも１回行う工程２とからなり、工程１の合計めっき厚が０.１〜５μｍで、工程１と工程２の合計めっき厚が所望のめっき厚となるようにウエハ上に金めっきを行うことを特徴とする金バンプ又は金配線の形成方法。 [2] A cyan electrolytic gold plating bath containing a gold cyanide alkali salt or gold cyanide ammonium as a gold source, a crystal modifier, an inorganic acid salt or organic acid salt as a conductive salt, and a buffer. A method for forming gold bumps or gold wiring on a patterned wafer using gold plating or gold wiring, wherein electrolytic gold plating on the wafer is performed at a current density of 0.1 A / dm 2 or less. Step 1 performed at least once and Step 2 performed electrolytic gold plating at a current density of 0.3 to 1.2 A / dm 2 at least once. The total plating thickness of Step 1 is 0.1 to 5 μm. A method of forming a gold bump or a gold wiring, wherein gold plating is performed on a wafer so that a total plating thickness of the step 1 and the step 2 becomes a desired plating thickness.
本発明によれば、非シアン系又はシアン系電解金めっき浴を用いて所定の膜厚が形成されるまで所定の電流密度で電解金めっきを行うので、ウエハに形成された下地（パッシベーション膜）の不均一な膜厚に起因する金バンプおよび金配線の段差を１μｍ以下に抑制することが可能である。 According to the present invention, since the electrolytic gold plating is performed at a predetermined current density until a predetermined film thickness is formed using a non-cyan or cyan electrolytic gold plating bath, the base (passivation film) formed on the wafer The step difference between the gold bump and the gold wiring due to the non-uniform film thickness can be suppressed to 1 μm or less.
本発明により形成された金バンプ、金配線自体は、均一かつ緻密で良好な外観特性と皮膜硬度やシェア強度特性をする金めっき皮膜である。 The gold bump and the gold wiring itself formed by the present invention are a gold plating film which is uniform and dense and has good appearance characteristics, film hardness and shear strength characteristics.
本発明で使用する非シアン系電解金めっき浴、シアン系電解金めっき浴の組成について以下説明する。 The composition of the non-cyan electrolytic gold plating bath and cyan electrolytic gold plating bath used in the present invention will be described below.
〔非シアン系電解金めっき浴〕
本発明に用いる非シアン系電解金めっき浴は、金源としての亜硫酸金アルカリ塩または亜硫酸金アンモニウムと、スタビライザとしての水溶性アミンと、微量の結晶調整剤と、伝導塩としての亜硫酸塩および硫酸塩と、緩衝剤とからなる非シアン系電解金めっき浴を基本組成とする。このめっき浴の組成は、周知のものである。
[Non-cyan electrolytic gold plating bath]
The non-cyanic electrolysis gold plating bath used in the present invention comprises a gold sulfite alkali salt or ammonium gold sulfite as a gold source, a water-soluble amine as a stabilizer, a trace amount of a crystal modifier, sulfite and sulfuric acid as conductive salts. A basic composition is a non-cyan electrolysis gold plating bath comprising a salt and a buffer. The composition of this plating bath is well known.
（１）亜硫酸金アルカリ塩、亜硫酸金アンモニウム（金源）
亜硫酸金アルカリ塩としては、公知の亜硫酸金アルカリ塩を制限することなく使用できる。亜硫酸金アルカリ塩としては、例えば亜硫酸金（Ｉ）ナトリウム、亜硫酸金（Ｉ）カリウム等を挙げることができる。これらは、１種を単独で、あるいは２種以上を併用しても良い。
(1) Gold sulfite alkali salt, gold ammonium sulfite (gold source)
As the gold sulfite alkali salt, a known gold sulfite alkali salt can be used without limitation. Examples of the gold sulfite alkali salt include gold (I) sodium sulfite and potassium gold (I) sulfite. These may be used alone or in combination of two or more.
本発明に用いる非シアン系電解金めっき浴には、金源として、上述した亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムを使用するが、その配合量は、金量として通常１〜５０ｇ/Ｌ、好ましくは８〜１５ｇ/Ｌである。亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムの配合量が１ｇ/Ｌ未満であると、めっき皮膜厚が不均一になる場合がある。５０ｇ/Ｌを超えると、めっき皮膜特性等は問題ないが、経済的負担となる。 In the non-cyan electrolytic gold plating bath used in the present invention, the gold sulfite alkali salt or the gold ammonium sulfite described above is used as a gold source, and the blending amount is usually 1 to 50 g / L as gold amount, preferably 8 to 15 g / L. If the blending amount of the gold sulfite alkali salt or the gold ammonium sulfite is less than 1 g / L, the plating film thickness may be uneven. If it exceeds 50 g / L, there is no problem in the properties of the plating film, but it becomes an economic burden.
（２）水溶性アミン（スタビライザ）
水溶性アミンとしては、例えば1,2-ジアミノエタン、1,2-ジアミノプロパン、1,6-ジアミノヘキサン等を使用することができる。これらは１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用しても良い。
(2) Water-soluble amine (stabilizer)
As the water-soluble amine, for example, 1,2-diaminoethane, 1,2-diaminopropane, 1,6-diaminohexane and the like can be used. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
水溶性アミンの配合量は通常１〜３０ｇ/Ｌ、好ましくは４〜２０ｇ/Ｌである。水溶性アミンの配合量が３０ｇ/Ｌを超えると金錯塩の安定性は増大するが一方でめっき皮膜が緻密化しすぎ接合性に関して不具合が生じる場合がある。１ｇ/Ｌ未満では、限界電流密度が低下してヤケめっきになる場合がある。 The compounding quantity of a water-soluble amine is 1-30 g / L normally, Preferably it is 4-20 g / L. If the blending amount of the water-soluble amine exceeds 30 g / L, the stability of the gold complex salt increases, but on the other hand, the plating film becomes too dense, and a problem may occur with respect to the bonding property. If it is less than 1 g / L, the limiting current density may be reduced, resulting in burnt plating.
（３）Ｔｌ化合物、Ｐｂ化合物、Ａｓ化合物（結晶調整剤）
結晶調整剤としては、例えば蟻酸タリウム、マロン酸タリウム、硫酸タリウム、硝酸タリウム等のＴｌ化合物；クエン酸鉛、硝酸鉛、アルカンスルホン酸鉛等のＰｂ化合物；三酸化二砒素等のＡｓ化合物を挙げることができる。これらのＴｌ化合物、Ｐｂ化合物、Ａｓ化合物は１種を単独で使用してもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
(3) Tl compound, Pb compound, As compound (crystal modifier)
Examples of the crystal modifier include Tl compounds such as thallium formate, thallium malonate, thallium sulfate, and thallium nitrate; Pb compounds such as lead citrate, lead nitrate, and lead alkanesulfonate; As compounds such as diarsenic trioxide. be able to. These Tl compound, Pb compound, and As compound may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.
結晶調整剤の配合量は、本発明の目的を損なわない範囲で適宜設定することができるが、金属濃度として通常0.1〜100mg/L、好ましくは0.5〜50mg/L、特に好ましくは3〜25mg/Lである。結晶調整剤の配合量が0.1mg/L未満であると、めっき付きまわり、めっき浴安定性および耐久性が悪化し、めっき浴の構成成分が分解する場合がある。100mg/Lを超えると、めっき付きまわりの悪化、およびめっき皮膜の外観ムラが生じる場合がある。 The blending amount of the crystal modifier can be appropriately set within the range not impairing the object of the present invention, but the metal concentration is usually 0.1-100 mg / L, preferably 0.5-50 mg / L, particularly preferably 3-25 mg / L. L. When the blending amount of the crystal modifier is less than 0.1 mg / L, there are cases where the components around the plating bath deteriorate due to deterioration of the plating around, plating bath stability and durability. If it exceeds 100 mg / L, deterioration around plating and uneven appearance of the plating film may occur.
（４）亜硫酸塩、硫酸塩（伝導塩）
伝導塩として用いる亜硫酸塩、硫酸塩としては、例えば亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウム、ピロ亜硫酸ナトリウム、亜硫酸水素ナトリウム等の亜硫酸塩；硫酸ナトリウム等の硫酸塩を挙げることができる。中でも、亜硫酸ナトリウムと硫酸ナトリウムの組み合わせが好適である。
(4) Sulfite, sulfate (conductive salt)
Examples of the sulfite and sulfate used as the conductive salt include sulfites such as sodium sulfite, potassium sulfite, sodium pyrosulfite and sodium hydrogensulfite; and sulfates such as sodium sulfate. Among these, a combination of sodium sulfite and sodium sulfate is preferable.
電解金めっき浴における上記亜硫酸塩および硫酸塩の配合量としては本発明の目的を損なわない範囲で適宜設定することができるが、以下の配合量とすることが好ましい。 The blending amount of the sulfite and sulfate in the electrolytic gold plating bath can be appropriately set within the range not impairing the object of the present invention, but is preferably the following blending amount.
亜硫酸塩は、SO3 2-量として通常5〜100g/Lとするが、好ましくは10〜80g/L、特に好ましくは20〜60g/Lである。亜硫酸塩の配合量が5g/L未満であると、付きまわりおよび液安定性が悪化しめっき浴の分解が生じる場合があり、100g/Lを超えると、限界電流密度が低下しヤケめっきになる場合がある。 The amount of SO 3 2- is usually 5 to 100 g / L, preferably 10 to 80 g / L, and particularly preferably 20 to 60 g / L. If the blending amount of sulfite is less than 5 g / L, the throwing power and liquid stability may deteriorate and the plating bath may decompose, and if it exceeds 100 g / L, the limit current density decreases and burnt plating occurs. There is a case.
硫酸塩はSO4 2-量として通常1〜120g/Lとするが、好ましくは1〜60g/L、特に好ましくは1〜40g/Lである。1g/L未満であると液安定性が悪化しめっき浴の分解が生じる場合があり、120g/Lを超えると限界電流密度が低下しヤケめっきになる場合がある。 The sulfate is usually 1 to 120 g / L as SO 4 2- amount, preferably 1 to 60 g / L, and particularly preferably 1 to 40 g / L. If it is less than 1 g / L, the liquid stability may be deteriorated and the plating bath may be decomposed. If it exceeds 120 g / L, the limit current density may be reduced, resulting in burnt plating.
（５）緩衝剤
緩衝剤としては、通常電解金めっき浴に使用されるものであれば特に限定されるものではないが、例えばリン酸塩、ホウ酸塩等無機酸塩、クエン酸塩、フタル酸塩、エチレンジアミン四酢酸塩等の有機酸（カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸）塩等を用いることができる。
(5) Buffering agent The buffering agent is not particularly limited as long as it is usually used in an electrolytic gold plating bath. For example, inorganic salts such as phosphates and borates, citrates, phthalates Organic acid (carboxylic acid, hydroxycarboxylic acid) salts such as acid salts and ethylenediaminetetraacetate can be used.
非シアン系電解金めっき浴における緩衝剤の配合量としては、通常1〜30g/Lとするが、好ましくは2〜15g/L、特に好ましくは2〜10g/Lである。緩衝剤は配合量が1g/L未満であるとpHが低下することにより液安定性が悪化し、めっき浴成分の分解が生じる場合があり、30g/Lを超えると限界電流密度が低下しヤケめっきになる場合がある。 The amount of the buffering agent in the non-cyan electrolytic gold plating bath is usually 1 to 30 g / L, preferably 2 to 15 g / L, particularly preferably 2 to 10 g / L. If the blending amount is less than 1 g / L, the solution stability may deteriorate due to a decrease in pH and decomposition of the plating bath components may occur. It may be plated.
非シアン系電解金めっき浴には、本発明の目的を損なわない範囲でｐＨ調整剤や安定剤等を適宜使用してもよい。 In the non-cyan electrolytic gold plating bath, a pH adjuster, a stabilizer and the like may be appropriately used as long as the object of the present invention is not impaired.
ｐＨ調整剤としては、例えば酸として硫酸、亜硫酸水、りん酸等、アルカリとして水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア水等が挙げられる。安定剤としては、重金属（Ｔｌ、Ｐｂ、Ａｓ等）イオン等が挙げられる。 Examples of the pH adjusting agent include sulfuric acid, aqueous sulfite, phosphoric acid and the like as acid, and sodium hydroxide, potassium hydroxide and aqueous ammonia as alkali. Examples of the stabilizer include heavy metal (Tl, Pb, As, etc.) ions and the like.
なお、非シアン系電解金めっき浴のｐＨは通常７.０以上とするが、好ましくは７.２〜１０.０である。めっき浴のｐＨが７.０未満では、著しくめっき浴が不安定となり分解が生じる場合がある。一方ｐＨが１０.０以上ではめっき素材のマスク剤であるノボラック系ポジ型フォトレジストを溶解せしめ意図するめっき皮膜が形成できない場合がある。 The pH of the non-cyan electrolytic gold plating bath is usually 7.0 or higher, but preferably 7.2 to 10.0. If the pH of the plating bath is less than 7.0, the plating bath may become extremely unstable and decomposition may occur. On the other hand, when the pH is 10.0 or more, there is a case where the intended plating film cannot be formed by dissolving the novolak positive photoresist which is a mask material of the plating material.
〔シアン系電解金めっき浴〕
シアン系電解金めっき浴としては、金源としてのシアン化金アルカリ塩またはシアン化金アンモニウムと、微量の結晶調整剤と、伝導塩と、緩衝剤とを基本組成とする。このめっき浴の組成は、周知のものである。
[Cyan electrolytic gold plating bath]
The cyan electrolytic gold plating bath has a basic composition of a gold cyanide alkali salt or ammonium cyanide as a gold source, a trace amount of a crystal adjusting agent, a conductive salt, and a buffer. The composition of this plating bath is well known.
（１）シアン化金アルカリ塩、シアン化金アンモニウム（金源）
シアン化金アルカリ塩としては、公知のシアン化金アルカリ塩を制限することなく使用でき、例えばシアン化金カリウム、シアン化金ナトリウム、シアン化金アンモニウム等を挙げることができる。これらは、１種を単独で、あるいは２種以上を併用しても良い。
(1) Gold cyanide alkali salt, gold gold cyanide (gold source)
As the gold cyanide alkali salt, known gold alkali cyanide salts can be used without limitation, and examples thereof include potassium gold cyanide, sodium gold cyanide, and ammonium ammonium cyanide. These may be used alone or in combination of two or more.
本発明で使用するシアン系電解金めっき浴には、金源として、上述したシアン化金アルカリ塩又はシアン化金アンモニウムを使用するが、その配合量は、金量として通常１〜５０ｇ/Ｌ、好ましくは８〜１５ｇ/Ｌである。配合量が１ｇ/Ｌ未満であると、めっき皮膜厚が不均一になる場合がある。５０ｇ／Ｌを超えると、めっき皮膜特性等は問題ないが、経済的に負担となる。 In the cyan electrolytic gold plating bath used in the present invention, the gold cyanide alkali salt or gold cyanide ammonium salt described above is used as a gold source, and its blending amount is usually 1 to 50 g / L as a gold amount, Preferably it is 8-15 g / L. If the blending amount is less than 1 g / L, the plating film thickness may be uneven. If it exceeds 50 g / L, there is no problem in the properties of the plating film, but it is an economical burden.
（２）Ｔｌ化合物、Ｐｂ化合物、Ａｓ化合物（結晶調整剤）
結晶調整剤としては、例えば蟻酸タリウム、マロン酸タリウム、硫酸タリウム、硝酸タリウム等のＴｌ化合物；クエン酸鉛、硝酸鉛、アルカンスルホン酸鉛等のＰｂ化合物；三酸化二砒素等のＡｓ化合物を挙げることができる。これらのＴｌ化合物、Ｐｂ化合物、Ａｓ化合物は１種を単独で使用してもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
(2) Tl compound, Pb compound, As compound (crystal modifier)
Examples of the crystal modifier include Tl compounds such as thallium formate, thallium malonate, thallium sulfate, and thallium nitrate; Pb compounds such as lead citrate, lead nitrate, and lead alkanesulfonate; As compounds such as diarsenic trioxide. be able to. These Tl compound, Pb compound, and As compound may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.
結晶調整剤の配合量は、本発明の目的を損なわない範囲で適宜設定することができるが、金属濃度として通常0.1〜100mg/L、好ましくは0.5〜50mg/L、特に好ましくは3〜25mg/Lである。結晶調整剤の配合量が0.1mg/L未満であると、めっき付きまわり、めっき浴安定性および耐久性が悪化し、めっき浴の構成成分が分解する場合がある。100mg/Lを超えると、めっき付きまわりの悪化、およびめっき皮膜の外観ムラが生じる場合がある。 The blending amount of the crystal modifier can be appropriately set within the range not impairing the object of the present invention, but the metal concentration is usually 0.1-100 mg / L, preferably 0.5-50 mg / L, particularly preferably 3-25 mg / L. L. When the blending amount of the crystal modifier is less than 0.1 mg / L, there are cases where the components around the plating bath deteriorate due to deterioration of the plating around, plating bath stability and durability. If it exceeds 100 mg / L, deterioration around plating and uneven appearance of the plating film may occur.
（３）無機酸塩、有機酸塩（伝導塩）
伝導塩として用いる無機酸塩としては、例えばリン酸塩、ホウ酸塩等を挙げることができる。有機酸塩としては、クエン酸塩、シュウ酸塩等を挙げることができる。
(3) Inorganic acid salt, organic acid salt (conductive salt)
Examples of inorganic acid salts used as conductive salts include phosphates and borates. Examples of the organic acid salt include citrate and oxalate.
電解金めっき浴における無機酸塩又は有機酸塩の配合量としては、本発明の目的を損なわない範囲で適宜設定することができるが、以下の配合量とすることが好ましい。 The blending amount of the inorganic acid salt or the organic acid salt in the electrolytic gold plating bath can be appropriately set within a range not impairing the object of the present invention, but the following blending amount is preferable.
無機酸塩の配合量は、通常５０〜２５０g/Lとするが、好ましくは１００〜２００g/Lである。配合量が５０g/L未満であると、付きまわりおよび液安定性が悪化しめっき浴の分解が生じる場合があり、２５０g/Lを超えると、限界電流密度が低下しヤケめっきになる場合がある。 The compounding amount of the inorganic acid salt is usually 50 to 250 g / L, preferably 100 to 200 g / L. If the blending amount is less than 50 g / L, the throwing power and liquid stability may be deteriorated and the plating bath may be decomposed. If it exceeds 250 g / L, the limit current density may be reduced and burnt plating may occur. .
有機酸塩の配合量は、通常５０〜２５０g/Lとするが、好ましくは１００〜２００g/Lである。５０g/L未満であると液安定性が悪化しめっき浴の分解が生じる場合があり、２５０g/Lを超えると限界電流密度が低下しヤケめっきになる場合がある。 The amount of the organic acid salt is usually 50 to 250 g / L, preferably 100 to 200 g / L. If it is less than 50 g / L, the liquid stability may be deteriorated and the plating bath may be decomposed. If it exceeds 250 g / L, the limit current density may be reduced, resulting in burnt plating.
（４）緩衝剤
緩衝剤としては、通常電解金めっき浴に使用されるものであれば特に限定されるものではないが、例えばリン酸塩、ホウ酸塩等無機酸塩、クエン酸塩、フタル酸塩、エチレンジアミン四酢酸塩等の有機酸（カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸）塩等を用いることができる。
(4) Buffering agent The buffering agent is not particularly limited as long as it is usually used in an electrolytic gold plating bath. For example, inorganic salts such as phosphates and borates, citrates, phthalates Organic acid (carboxylic acid, hydroxycarboxylic acid) salts such as acid salts and ethylenediaminetetraacetate can be used.
緩衝剤の配合量としては、通常1〜30g/Lとするが、好ましくは2〜15g/L、特に好ましくは2〜10g/Lである。緩衝剤は配合量が1g/L未満であるとpHが低下することにより液安定性が悪化し、めっき浴成分の分解が生じる場合があり、30g/Lを超えると限界電流密度が低下しヤケめっきになる場合がある。 The amount of the buffering agent is usually 1 to 30 g / L, preferably 2 to 15 g / L, and particularly preferably 2 to 10 g / L. If the blending amount is less than 1 g / L, the solution stability may deteriorate due to a decrease in pH and decomposition of the plating bath components may occur. It may be plated.
シアン系電解金めっき浴には、本発明の目的を損なわない範囲でｐＨ調整剤や安定剤等を適宜使用してもよい。 In the cyan electrolytic gold plating bath, a pH adjuster, a stabilizer and the like may be appropriately used as long as the object of the present invention is not impaired.
ｐＨ調整剤としては、例えば酸として硫酸、りん酸等の無機酸やクエン酸、シュウ酸等の有機酸、アルカリとして水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア水等が挙げられる。安定剤としては、重金属（Ｔｌ、Ｐｂ、Ａｓ等）イオン等が挙げられる。 Examples of the pH adjuster include inorganic acids such as sulfuric acid and phosphoric acid as acids, organic acids such as citric acid and oxalic acid, and sodium hydroxide, potassium hydroxide, aqueous ammonia and the like as alkalis. Examples of the stabilizer include heavy metal (Tl, Pb, As, etc.) ions and the like.
なお、シアン系電解金めっき浴のｐＨは、通常３.０以上とするが、好ましくは４.０〜７.０である。 The pH of the cyan electrolytic gold plating bath is usually 3.0 or higher, but preferably 4.0 to 7.0.
本発明の金バンプ又は金配線の形成方法は、上述した非シアン系電解金めっき浴、又はシアン系電解金めっき浴を使用し、以下に記載する工程１、工程２により電解金めっきを行う。 The gold bump or gold wiring forming method of the present invention uses the above-described non-cyan electrolytic gold plating bath or cyan electrolytic gold plating bath, and performs electrolytic gold plating according to steps 1 and 2 described below.
工程１は、０．１Ａ／ｃｍ2以下、好ましくは０．０１〜０．０５Ａ／ｃｍ2の低電流密度で金バンプまたは金配線を膜厚０.１〜５μｍに形成する工程である。 Step 1, 0.1 A / cm 2 or less, and preferably the step of forming the gold bumps or gold wiring thickness 0.1~5μm at a low current density of 0.01~0.05A / cm 2.
工程２は、0.3〜1.2Ａ／ｃｍ2の電流密度で目的とする所望の厚さまで金バンプ又は金配線を形成する工程である。 Step 2 is a step of forming gold bumps or gold wiring to a desired desired thickness at a current density of 0.3 to 1.2 A / cm 2 .
工程１は、金めっき皮膜の膜厚が０.１〜５μｍ、好ましくは０.５〜３μｍ、より好ましくは１〜２μｍになるまで行えばよい。工程１で形成するめっき膜厚に関しては、パッシベーション段差の大小や下地金属の状態、処理状態により上述した範囲内で適宜選択すればよい。 Step 1 may be performed until the film thickness of the gold plating film is 0.1 to 5 μm, preferably 0.5 to 3 μm, more preferably 1 to 2 μm. The plating film thickness formed in step 1 may be appropriately selected within the above-described range depending on the size of the passivation step, the state of the base metal, and the processing state.
めっき開始から終了までの間に電流密度を０．１Ａ／ｃｍ2以下とする工程１の回数は１回であってもよいし、複数回であってもよい。 The number of times of the step 1 for setting the current density to 0.1 A / cm 2 or less from the start to the end of the plating may be one or a plurality of times.
工程２は、工程１と同様に、１回であってもよいし、複数回に分けて行ってもよい。 Step 2 may be performed once as in step 1, or may be performed in multiple steps.
本発明における電解金めっきは、工程１と工程２を少なくとも１回ずつ交互に行うが、その順序は、どちらが先であってもよい。 In the electrolytic gold plating according to the present invention, Step 1 and Step 2 are alternately performed at least once, and the order may be either.
めっき開始からめっき終了まで複数回にわたり工程１により金めっきを施す場合には、各回の電流密度は、その各々の金めっきの際、量産時のスループットを損なわない限り上述した範囲内であれば特に制限されるものではない。例えば、１回目の工程１の電流密度が０.０２Ａ/dｍ2、２回目の工程１の電流密度が０.０５Ａ/dｍ2というように変えても構わない。 When performing gold plating by the process 1 over a plurality of times from the start of plating to the end of plating, the current density of each time is particularly within the above-mentioned range unless the throughput during mass production is impaired. It is not limited. For example, the current density of the first step 1 is a current density of 0.02 A / dm 2, 2 nd step 1 may be changed and so 0.05 A / dm 2.
パッシベーション段差が０.５μｍ以下で小さい場合、上述の金めっき浴を用いて工程１により金皮膜を形成すると、皮膜上表面が逆に凸状になり接合上問題になる場合が考えられる。一方パッシベーション段差が３μｍを超えるような大きい場合、工程１で形成された金皮膜膜厚が１μｍ以下であると金めっき皮膜上表面の段差が１μｍを下回らず金めっき後であっても段差が十分に解消されない場合がある。 When the passivation step is 0.5 μm or less and the gold film is formed by Step 1 using the above-described gold plating bath, the surface on the film may be convex on the contrary, which may cause a problem in bonding. On the other hand, if the passivation step is larger than 3 μm, if the film thickness of the gold film formed in Step 1 is 1 μm or less, the step on the surface of the gold plating film is not less than 1 μm and the step is sufficient even after gold plating. May not be resolved.
また、工程１の電流密度が極端に低くかつ工程１による金皮膜膜厚の合計が厚く、めっき浴温を高く設定した場合には、金皮膜表面のグレーンが粗大化しすぎる場合がある。 In addition, when the current density in step 1 is extremely low, the total gold film thickness in step 1 is large, and the plating bath temperature is set high, the grain on the gold film surface may become too coarse.
金バンプ、金配線を形成する際のめっき浴温度は、通常40〜65℃とするが、好ましくは45〜60℃である。 The plating bath temperature at the time of forming the gold bump and the gold wiring is usually 40 to 65 ° C., preferably 45 to 60 ° C.
めっき浴温度が40〜65℃の範囲を外れると、めっき皮膜が析出しにくい場合や、パッシベーション段差の解消が不十分となる場合、また、めっき皮膜外観が異常である場合やめっき浴が不安定となり分解し、めっき浴に沈殿が生じる場合がある。 If the plating bath temperature is out of the range of 40 to 65 ° C, it is difficult to deposit the plating film, the elimination of the passivation step is insufficient, the appearance of the plating film is abnormal, or the plating bath is unstable. May decompose and precipitate in the plating bath.
本発明により金バンプまたは金配線用めっき皮膜を形成する際、特に効率よくパッシベーション段差を解消し金バンプまたは金配線の段差を１μｍ以下にする場合には、めっき浴温を50〜60℃程度に設定し、工程１でベースとなる金皮膜を形成した後、工程２により金皮膜を形成することが好適である。 When forming a gold bump or gold wiring plating film according to the present invention, the plating bath temperature is set to about 50 to 60 ° C., particularly when the step of passivation is effectively eliminated and the step of the gold bump or gold wiring is 1 μm or less. After setting and forming a gold film as a base in step 1, it is preferable to form a gold film in step 2.
なお、工程１、工程２によるめっき厚の合計は、１〜３０μｍ、特に１〜２５μｍが好適である。 In addition, 1-30 micrometers, especially 1-25 micrometers is suitable for the sum total of the plating thickness by the process 1 and the process 2.
本発明は、素地がメタライズされ導通のとれるウエハであれば被めっき物を選ばないが、例えばノボラック系ポジ型フォトレジスト、アクリル系ネガ型ポジレジスト等を使用してパターンニングされたシリコンウエハ上のバンプ形成やＧａ/Ａｓウエハなど化合物ウエハ上の配線形成に特に好適に適用することができる。 In the present invention, the object to be plated is not limited as long as the substrate is metallized and conductive, but for example on a silicon wafer patterned using a novolac positive photoresist, an acrylic negative positive resist, or the like. The present invention can be particularly suitably applied to bump formation and wiring formation on a compound wafer such as Ga / As wafer.
実施例１〜１２、比較例１〜４
表１〜３に示す配合にて非シアン系電解金めっき浴又はシアン系電解金めっき浴を調整した。各原料の配合濃度の単位は特に断りのない限りｇ/Ｌである。各めっき浴を使用し、工程Ａ〜Ｅ又はＦ〜Ｋの順に、各工程に記載の電流密度で、表中に記載した膜厚になるまで電解金めっきを行った。
Examples 1-12, Comparative Examples 1-4
A non-cyan electrolytic gold plating bath or a cyan electrolytic gold plating bath was prepared according to the formulation shown in Tables 1 to 3. The unit of blending concentration of each raw material is g / L unless otherwise specified. Using each plating bath, electrolytic gold plating was performed in the order of steps A to E or F to K at the current density described in each step until the film thickness described in the table was reached.
被めっき物としてノボラック系ポジ型フォトレジストでパターンニングされたバンプ開口部を有するシリコンウエハ（素地断面組成は金スパッタ膜/TiW/SiO2）を用いた。その断面図を図２（Ａ）に示す。図２中、２１はフォトレジスト、２３は金スパッタ膜、２５はパッシベーション膜（TiW）、２７はシリコンウエハ、２９はＡｌ電極である。調整した非シアン系電解金めっき浴又はシアン系電解金めっき浴１Ｌ中に被めっき物を浸漬し、通電を施すことにより１５μｍの膜厚を有するめっき皮膜を形成した。 As the object to be plated, a silicon wafer having a bump opening patterned with a novolac positive photoresist (the substrate cross-sectional composition is a gold sputtered film / TiW / SiO 2 ) was used. A cross-sectional view thereof is shown in FIG. In FIG. 2, 21 is a photoresist, 23 is a sputtered gold film, 25 is a passivation film (TiW), 27 is a silicon wafer, and 29 is an Al electrode. A plating film having a film thickness of 15 μm was formed by immersing an object to be plated in 1 L of the adjusted non-cyan electrolysis gold plating bath or cyan electrolysis gold plating bath.
所定膜厚を有する金めっき皮膜を形成した後、得られた皮膜表面の段差の程度、めっき浴安定性、めっき皮膜外観、皮膜硬度（未熱処理および３００℃ ３０分熱処理後）、Ａｕスパッタ膜のヨウ素系エッチャントによるエッチング性につき下記方法および基準にて評価を行った。結果を表１〜３に併せて示す。 After forming a gold plating film having a predetermined film thickness, the degree of level difference on the obtained film surface, plating bath stability, plating film appearance, film hardness (after non-heat treatment and heat treatment at 300 ° C. for 30 minutes), Au sputter film The etching property with an iodine-based etchant was evaluated by the following method and criteria. A result is combined with Tables 1-3 and shown.
〔バンプ皮膜表面の段差の程度〕
図２（Ａ）に示すようにノボラック系ポジ型フォトレジスト２１を用いてパターンニングしたバンプパターンのパッシベーション段差ａを触針式プロファイラを用いて測定したところ、１.５μｍであった。
[Level of bump film surface steps]
As shown in FIG. 2A, the passivation step a of the bump pattern patterned using the novolac
非シアン系又はシアン系電解金めっき浴を用いて金バンプ形成した後、ノボラック系ポジ型フォトレジストを専用溶剤であるメチルエチルケトンで溶解した。めっき後のウエハの断面図を図２（Ｂ）に示す。バンプ３１のエッジ部の最大高さ値と中央の最小高さ値の差ｂをめっき後段差（μｍ）と見なし、触針式プロファイラを用いて段差を計測した。なお、通常バンプに求められる特性としての段差は１μｍ以下である。
After forming gold bumps using a non-cyan or cyan electrolytic gold plating bath, a novolac positive photoresist was dissolved with methyl ethyl ketone, which is a special solvent. A cross-sectional view of the wafer after plating is shown in FIG. The difference b between the maximum height value of the edge portion of the
〔金めっき浴の安定性〕
被めっき物へ表１〜３のめっき条件でめっきを施した後のめっき浴の様子を観察し、下記基準にて評価した。
分解：めっき液が分解した。
×：めっき浴中に金の沈殿が肉眼で判るレベルで観察された。
△：めっき浴中に金の沈殿が僅かに認められた。0.2μｍメンブランフィルタでろ過して観察できるレベル。
○：めっき浴中に金の沈殿は観察されなかった。
[Stability of gold plating bath]
The state of the plating bath after plating the object to be plated under the plating conditions shown in Tables 1 to 3 was observed and evaluated according to the following criteria.
Decomposition: The plating solution was decomposed.
X: Precipitation of gold was observed in the plating bath at a level that can be seen with the naked eye.
Δ: Slight gold precipitation was observed in the plating bath. Level that can be observed by filtering with 0.2μm membrane filter.
○: No gold precipitation was observed in the plating bath.
〔金めっき皮膜外観〕
被めっき物上にめっきされた金バンプの表面皮膜外観を観察し、下記基準にて評価した。
×：色調が赤い、デンドライト状析出が見られる、ムラが認められる、またはヤケが発生している。
△：異常析出はないが、光沢外観である。
○：色調がレモンイエローで無〜半光沢均一外観である。
[Gold plating appearance]
The appearance of the surface film of the gold bump plated on the object to be plated was observed and evaluated according to the following criteria.
X: The color tone is red, dendrite-like precipitation is observed, unevenness is observed, or burns are generated.
(Triangle | delta): Although there is no abnormal precipitation, it is a glossy appearance.
○: The color tone is lemon yellow, and it has a non-semi-glossy uniform appearance.
〔金めっき皮膜硬度（ビッカース硬度；Hv）〕
被めっき物上に形成された特定のコーナーバンプ部位を用い、その皮膜硬度（未熱処理および３００℃ ３０分熱処理後）を、ビッカース硬度計にて測定した。
[Gold plating hardness (Vickers hardness; Hv)]
Using a specific corner bump portion formed on the object to be plated, the film hardness (after non-heat treatment and heat treatment at 300 ° C. for 30 minutes) was measured with a Vickers hardness meter.
通常バンプめっき用途として求められる特性としては、アニール後の皮膜硬度が６０Hv以下である。なお測定条件は、測定圧子を２５ｇｆ荷重で１０秒保持する条件によった。 As a characteristic usually required for bump plating, the film hardness after annealing is 60 Hv or less. The measurement conditions were based on the condition that the measurement indenter was held at 25 gf load for 10 seconds.
〔Ａｕめっきバンプのヨウ素系エッチャントによるエッチング性〕
被めっき物を、常温で十分に撹拌されたヨウ素系エッチャントの中に９０秒浸漬した後、アルコール系リンス液でとも洗いし、エタノール噴霧してドライヤーで乾燥を行った。
[Etching property of Au plating bump by iodine-based etchant]
The object to be plated was immersed in an iodine-based etchant sufficiently stirred at room temperature for 90 seconds, then washed with an alcohol-based rinse, sprayed with ethanol, and dried with a dryer.
その後、金属顕微鏡にて５０〜１５０倍の倍率にて被めっき物上に形成された全バンプの表面状態を観察し、下記基準にて評価した。
×：５０％以上のバンプの表面にムラが観察される。
△：一部の限られたエリアのバンプの表面にムラが観察される。
○：被めっき物上の全バンプの表面にムラが観察されない。
Thereafter, the surface state of all the bumps formed on the object to be plated was observed with a metal microscope at a magnification of 50 to 150 times, and evaluated according to the following criteria.
X: Unevenness is observed on the surface of the bump of 50% or more.
Δ: Unevenness is observed on the surface of the bump in a limited area.
○: Unevenness is not observed on the surface of all bumps on the object to be plated.
〔総合評価〕
上記各評価結果から、下記評価基準にて評価した。
×：形成された金めっき皮膜（金パンプ）およびめっき処理後の金めっき浴に関する上記評価結果に、好ましくない結果が含まれた。
△：形成された金めっき皮膜（金パンプ）およびめっき処理後の金めっき浴に関する上記評価結果が、全て良好な結果であったがマージンを考えると良好であると判断できないと考えられる場合。
○：形成された金めっき皮膜（金パンプ）およびめっき処理後の金めっき浴に関する上記評価結果が、全て良好な結果であった。
〔Comprehensive evaluation〕
From the above evaluation results, the evaluation was made according to the following evaluation criteria.
X: Unfavorable results were included in the above evaluation results regarding the formed gold plating film (gold pump) and the gold plating bath after the plating treatment.
(Triangle | delta): When the said evaluation result regarding the gold-plating membrane | film | coat (gold pump) and gold-plating bath after plating processing which were formed was all favorable results, but it cannot be judged that it is good considering a margin.
○: The above-described evaluation results regarding the formed gold plating film (gold pump) and the gold plating bath after the plating treatment were all good results.
１、２７ ウエハ
３、２９ Ａｌ電極
５、２５ パッシベーション膜
７、２３ 金スパッタ膜
９、２１ マスク材
１０ 開口部
１１、３１ 金バンプ
１３ ビーズ
１５ 凹部
1, 27
Claims (2)
Patterned using a cyan electrolytic gold plating bath containing an alkali gold cyanide or ammonium cyanide as a gold source, a crystal modifier, an inorganic acid salt or organic acid salt as a conductive salt, and a buffer. A method for forming gold bumps or gold wiring for performing electrolytic gold plating on a processed wafer, wherein the electrolytic gold plating on the wafer is performed at least once with a current density of 0.1 A / dm 2 or less. Step 1 to be performed and Step 2 to perform electrolytic gold plating at a current density of 0.3 to 1.2 A / dm 2 at least once. The total plating thickness of Step 1 is 0.1 to 5 μm. A method of forming a gold bump or a gold wiring, wherein gold plating is performed on a wafer so that the total plating thickness in step 2 is a desired plating thickness.
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009057631A (en) * | 2007-08-07 | 2009-03-19 | Ne Chemcat Corp | Non-cyanogen gold electroplating bath for bump formation and bump forming method |
| WO2009081884A1 (en) | 2007-12-21 | 2009-07-02 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Etching agent, etching method and liquid for preparing etching agent |
| JP2010077527A (en) * | 2008-08-25 | 2010-04-08 | Electroplating Eng Of Japan Co | Liquid for hard gold plating |
| CN102184875A (en) * | 2011-04-05 | 2011-09-14 | 山东理工大学 | Manufacturing method of nail head gold bump |
| JP2014139348A (en) * | 2008-08-25 | 2014-07-31 | Electroplating Eng Of Japan Co | Hard gold-based plating solution |
| JP2016086044A (en) * | 2014-10-24 | 2016-05-19 | 新日本無線株式会社 | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US11145513B2 (en) | 2018-09-25 | 2021-10-12 | Nichia Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4758470B2 (en) * | 2008-12-18 | 2011-08-31 | シャープ株式会社 | Method for forming protruding electrode and displacement gold plating solution |
| CN102154669B (en) * | 2011-03-28 | 2013-03-13 | 冠锋电子科技(梅州)有限公司 | Method for plating thick soft gold by utilizing plating thin golden cylinder |
| CN103290440B (en) * | 2012-02-22 | 2016-12-14 | 美泰乐科技(日本)股份有限公司 | Au bump formation non-cyanogen type electrolytic gold plating bath and au bump forming method |
| WO2014054429A1 (en) * | 2012-10-04 | 2014-04-10 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | Non-cyanide electrolytic gold plating solution |
| JP6393526B2 (en) * | 2014-06-11 | 2018-09-19 | メタローテクノロジーズジャパン株式会社 | Cyan-based electrolytic gold plating bath and bump forming method using the same |
| US10570525B2 (en) | 2015-01-16 | 2020-02-25 | Hutchinson Technology Incorporated | Gold electroplating solution and method |
| CN105112953A (en) * | 2015-09-17 | 2015-12-02 | 深圳市瑞世兴科技有限公司 | Cyanide-free gold plating solution |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59136950A (en) * | 1983-01-27 | 1984-08-06 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Forming method for bump type electrode |
| JPS60219741A (en) * | 1984-04-17 | 1985-11-02 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPH05218047A (en) * | 1992-01-31 | 1993-08-27 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPH09106940A (en) * | 1995-10-13 | 1997-04-22 | Canon Inc | Mask structure, its manufacturing method, exposure method using the mask structure and exposure device, device manufactured by the mask structure and its manufacturing method, and gold product |
| JPH1136094A (en) * | 1997-05-20 | 1999-02-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Gold plating solution and gold plating method |
| JP2003007762A (en) * | 2001-06-18 | 2003-01-10 | Hitachi Ltd | Flip chip mounting method of semiconductor device |
| JP2003013278A (en) * | 2001-06-26 | 2003-01-15 | Japan Pure Chemical Co Ltd | Gold plating solution |
| JP2004300527A (en) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Ebara Corp | Direct gold plating method, and plating device therefor |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4220053B2 (en) * | 1999-01-14 | 2009-02-04 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | Gold plating solution and plating method using the gold plating solution |
| JP4147359B2 (en) | 1998-12-24 | 2008-09-10 | 石原薬品株式会社 | Displacement gold plating bath and gold plating method using the bath |
| JP4129363B2 (en) | 2002-03-15 | 2008-08-06 | エヌ・イーケムキャット株式会社 | Electrolytic gold plating solution and gold plating method |
| JP4186716B2 (en) | 2003-06-04 | 2008-11-26 | 三菱化学株式会社 | Gold plating solution and gold plating method |
| TWI222198B (en) * | 2003-09-04 | 2004-10-11 | Fupo Electronics Corp | Fine pitch gold bump fabrication process and its package article |
-
2005
- 2005-09-30 JP JP2005288424A patent/JP4713290B2/en active Active
-
2006
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Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59136950A (en) * | 1983-01-27 | 1984-08-06 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Forming method for bump type electrode |
| JPS60219741A (en) * | 1984-04-17 | 1985-11-02 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPH05218047A (en) * | 1992-01-31 | 1993-08-27 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPH09106940A (en) * | 1995-10-13 | 1997-04-22 | Canon Inc | Mask structure, its manufacturing method, exposure method using the mask structure and exposure device, device manufactured by the mask structure and its manufacturing method, and gold product |
| JPH1136094A (en) * | 1997-05-20 | 1999-02-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Gold plating solution and gold plating method |
| JP2003007762A (en) * | 2001-06-18 | 2003-01-10 | Hitachi Ltd | Flip chip mounting method of semiconductor device |
| JP2003013278A (en) * | 2001-06-26 | 2003-01-15 | Japan Pure Chemical Co Ltd | Gold plating solution |
| JP2004300527A (en) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Ebara Corp | Direct gold plating method, and plating device therefor |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009057631A (en) * | 2007-08-07 | 2009-03-19 | Ne Chemcat Corp | Non-cyanogen gold electroplating bath for bump formation and bump forming method |
| WO2009081884A1 (en) | 2007-12-21 | 2009-07-02 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Etching agent, etching method and liquid for preparing etching agent |
| EP2540870A1 (en) | 2007-12-21 | 2013-01-02 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Etching agent, etching method and liquid for preparing etching agent |
| US8513139B2 (en) | 2007-12-21 | 2013-08-20 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Etching agent, etching method and liquid for preparing etching agent |
| US8871653B2 (en) | 2007-12-21 | 2014-10-28 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Etching agent, etching method and liquid for preparing etching agent |
| JP2010077527A (en) * | 2008-08-25 | 2010-04-08 | Electroplating Eng Of Japan Co | Liquid for hard gold plating |
| CN102131962A (en) * | 2008-08-25 | 2011-07-20 | 日本电镀工程股份有限公司 | Hard gold plating solution |
| KR101275886B1 (en) | 2008-08-25 | 2013-06-17 | 니혼 엘렉트로플레이팅 엔지니어스 가부시키가이샤 | Hard gold-based plating solution |
| JP2014139348A (en) * | 2008-08-25 | 2014-07-31 | Electroplating Eng Of Japan Co | Hard gold-based plating solution |
| CN102184875A (en) * | 2011-04-05 | 2011-09-14 | 山东理工大学 | Manufacturing method of nail head gold bump |
| JP2016086044A (en) * | 2014-10-24 | 2016-05-19 | 新日本無線株式会社 | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US11145513B2 (en) | 2018-09-25 | 2021-10-12 | Nichia Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
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