JP2007090762A - Method for splitting substrate and method for producing electro-optical device - Google Patents

Method for splitting substrate and method for producing electro-optical device Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique which can accurately perform splitting, for example, in the vicinity of the end part of a substrate made of a brittle material along a splitting schedule line. <P>SOLUTION: A method for splitting the substrate by using laser beams includes: a first process for setting an optical path to make the first laser beam (A) irradiate a splitting schedule line (K) formed on the substrate (102); a second process for setting the optical path so that the second laser beam (B) whose intensity is set to be relatively lower than that of the first laser beam irradiates a side nearer than the splitting schedule line to a seal member (103) set in the end part of the substrate or to be contacted with the substrate while being separated from the first laser beam; and a third process in which the irradiation with the first and second laser beams is carried out while the laser beams are advanced along the splitting schedule line. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、脆性材料からなる基板(例えばガラス基板など)の所望位置を割断する技術に関し、特に基板端部などにおける割断位置の精度を向上させるための技術改良に関する。   The present invention relates to a technique for cleaving a desired position of a substrate made of a brittle material (for example, a glass substrate), and more particularly, to a technical improvement for improving the accuracy of the cleaving position at a substrate edge or the like.

一般に、レーザービームを用いて脆性材料からなる基板(例えばガラス基板など)の割断を行う場合には、熱源となるレーザービームと当該レーザービームによる加熱点の後に続く冷却機構により基板に亀裂を発生させ、レーザービーム又は基板を移動させることにより基板を割断している(例えば、特許文献1参照)。このとき、基板には、レーザービームによって加熱されているポイントの中心付近においては圧縮応力が発生し、中心から少し離れた周囲では左右均等に引っ張り応力が発生する。   In general, when a substrate made of a brittle material (for example, a glass substrate) is cleaved using a laser beam, a crack is generated in the substrate by a laser beam serving as a heat source and a cooling mechanism following a heating point by the laser beam. The substrate is cleaved by moving the laser beam or the substrate (for example, see Patent Document 1). At this time, a compressive stress is generated in the vicinity of the center of the point heated by the laser beam, and a tensile stress is generated evenly on the left and right in the periphery slightly away from the center.

ところで、上記技術を用いる場合に、割断予定線が基板の端部から十分に離間している場合には予定通りに割断を行うことができるが、割断予定線が基板の端部に近接している場合には、実際の割断線(カットライン)が割断予定線からずれてしまうという不都合がある。この原因は、基板の端部近傍では外側部分の剛性が小さく、レーザービームの照射により基板が局所的に膨張した場合に、外側に向かう引っ張り応力が大きくなるからと考えられる。また、同様な不都合は、シール部材を挟んで貼り合わされた基板を切断する際にも生じ得る。すなわち、上記シール部材の接する位置に近接して割断予定線が設定された場合には、シール部材の硬化収縮現象に起因して基板表面に生じる引っ張り応力により、元々は左右均等であったレーザービームの引っ張り応力が不均一となる。このため、割断予定線よりもシール部材に近い側にカットラインが引き寄せられてしまう。かかる不都合を回避するために、現状では、シール部材の位置から十分に離間した位置に割断予定線を設定する必要がある。このため、例えば液晶表示装置や有機EL表示装置などの電気光学装置の製造時に、シール部材が配置されるパネル額縁部の割断に上記技術を用いた場合には、パネルの狭額縁化を図りにくいという不都合がある。したがって、基板の端部近傍等における割断を割断予定線に沿って精度よく行うことを可能とする技術が望まれていた。   By the way, in the case of using the above technique, if the planned cutting line is sufficiently separated from the end of the substrate, the cutting can be performed as planned, but the planned cutting line is close to the end of the substrate. In such a case, there is an inconvenience that the actual cutting line (cut line) deviates from the planned cutting line. This is considered to be because the rigidity of the outer portion is small in the vicinity of the end of the substrate, and when the substrate is locally expanded by laser beam irradiation, the tensile stress toward the outside increases. Similar inconveniences may also occur when cutting a substrate bonded with a seal member interposed therebetween. That is, when the planned cutting line is set close to the position where the seal member is in contact, the laser beam that was originally uniform left and right due to the tensile stress generated on the substrate surface due to the hardening shrinkage phenomenon of the seal member. The tensile stress is non-uniform. For this reason, the cut line is drawn closer to the side closer to the seal member than the planned cutting line. In order to avoid such inconvenience, at present, it is necessary to set the planned cutting line at a position sufficiently separated from the position of the seal member. For this reason, for example, when manufacturing the electro-optical device such as a liquid crystal display device or an organic EL display device, if the above technique is used for cleaving the panel frame portion on which the seal member is disposed, it is difficult to narrow the panel frame. There is an inconvenience. Therefore, there has been a demand for a technique that can accurately perform cleaving in the vicinity of the end portion of the substrate along the planned cutting line.

米国特許第5609284号明細書US Pat. No. 5,609,284

そこで、本発明は、脆性材料からなる基板の端部近傍等における割断を割断予定線に沿って精度よく行うことを可能とする技術を提供することを目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide a technique that can perform cleaving in the vicinity of an end portion of a substrate made of a brittle material with high accuracy along a planned cutting line.

第1の本発明は、レーザービームを用いて脆性材料からなる基板を割断する方法であって、第1のレーザービームが上記基板の割断予定線上に照射されるように光路設定を行う第1過程と、上記第1のレーザービームの強度よりも相対的に強度が低く設定された第2のレーザービームが、上記割断予定線よりも上記基板の端部又は上記基板に接して設けられるシール部材に近い側に上記第1のレーザービームと離間して照射されるように光路設定を行う第2過程と、上記第1及び第2のレーザービームを上記割断予定線に沿って進行させながら照射する第3過程と、を含む基板の割断方法である。   The first aspect of the present invention is a method of cleaving a substrate made of a brittle material using a laser beam, and a first process of setting an optical path so that the first laser beam is irradiated onto a planned fracture line of the substrate. And a second laser beam whose intensity is set to be relatively lower than the intensity of the first laser beam is applied to a seal member provided in contact with the end of the substrate or the substrate from the planned cutting line. A second process of setting an optical path so that the first laser beam is irradiated at a distance closer to the first laser beam, and a first process of irradiating the first and second laser beams while proceeding along the planned cutting line. And cleaving the substrate including three processes.

かかる方法によれば、基板の端部等に近い側に強度の低い補助的な第2のレーザービームを照射することにより、割断予定線の付近における各応力のバランスをとることができる。これにより、ガラス基板等の脆性材料からなる基板の端部近傍等における割断を割断予定線に沿って精度よく行うことが可能となる。   According to such a method, it is possible to balance each stress in the vicinity of the planned cutting line by irradiating the auxiliary second laser beam having a low intensity on the side close to the edge of the substrate. Thereby, it becomes possible to perform the cleaving in the vicinity of the end portion of the substrate made of a brittle material such as a glass substrate with high accuracy along the planned cutting line.

好ましくは、上記第2過程は、上記基板内において上記第1のレーザービームによる引っ張り応力が生じる領域と上記第2のレーザービームによる引っ張り応力が生じる領域とが接するように上記第2のレーザービームの照射位置を決定する。   Preferably, in the second process, the region of the second laser beam is brought into contact with the region where the tensile stress due to the first laser beam is generated in the substrate and the region where the tensile stress due to the second laser beam is generated. Determine the irradiation position.

これにより、第2のレーザービームの照射位置をより的確に決定することができる。   Thereby, the irradiation position of the second laser beam can be determined more accurately.

第2の本発明は、レーザービームを用いて脆性材料からなる基板を割断する方法であって、第1のレーザービームが上記基板の割断予定線上に照射されるように光路設定を行う第1過程と、第2のレーザービームが上記割断予定線よりも上記基板の端部又は上記基板に接して設けられるシール部材に近い側に上記第1のレーザービームと離間して照射されるように光路設定を行う第2過程と、上記基板の端部又は上記基板に接して設けられるシール部材の位置と上記割断予定線の位置とが近接している場合に、上記第2のレーザービームの強度を上記第2のレーザービームの強度よりも相対的に低く設定し、上記第1及び第2のレーザービームを上記割断予定線と平行な方向に進行させながら照射する第3過程と、上記基板の端部又は上記基板に接して設けられるシール部材の位置と上記割断予定線の位置とが離間している場合に、上記第1のレーザービームのみを上記割断予定線に沿って進行させながら照射する第4過程と、を含む基板の割断方法である。   A second aspect of the present invention is a method of cleaving a substrate made of a brittle material using a laser beam, and a first process of setting an optical path so that the first laser beam is irradiated on a planned fracture line of the substrate. And setting the optical path so that the second laser beam is irradiated away from the first laser beam closer to the end of the substrate or closer to the seal member provided in contact with the substrate than the planned cutting line. And the position of the sealing member provided in contact with the end of the substrate or the substrate and the position of the planned cutting line are close to each other, the intensity of the second laser beam is A third step of irradiating the first and second laser beams while traveling in a direction parallel to the planned cutting line, and an edge of the substrate; Or the above group A fourth process of irradiating only the first laser beam along the planned cutting line when the position of the sealing member provided in contact with the position of the planned cutting line is separated; A method for cleaving a substrate including

かかる方法によっても、上記と同様の理由により、ガラス基板等の脆性材料からなる基板の端部近傍等における割断を割断予定線に沿って精度よく行うことが可能となる。また、割断予定線が基板の端部等に近接しているか離間しているかの状況に応じて第2のレーザービームを照射するか否かを切り替えるだけで、いずれの状況においても精度のよい割断を行うことが可能となる。   Also by such a method, for the same reason as described above, it is possible to accurately perform cleaving in the vicinity of an end portion of a substrate made of a brittle material such as a glass substrate along the planned cutting line. In addition, it is possible to cut accurately in any situation by simply switching whether to irradiate the second laser beam depending on whether the planned cutting line is close to or away from the edge of the substrate. Can be performed.

好ましくは、上記第3過程は、上記基板内において上記第1のレーザービームによる引っ張り応力が生じる領域と上記第2のレーザービームによる引っ張り応力が生じる領域とが接するように上記第2のレーザービームの照射位置を決定する。   Preferably, in the third process, the region of the second laser beam is brought into contact with the region where the tensile stress due to the first laser beam is brought into contact with the region where the tensile stress due to the second laser beam is in contact with the substrate. Determine the irradiation position.

これにより、第2のレーザービームの照射位置をより的確に決定することができる。   Thereby, the irradiation position of the second laser beam can be determined more accurately.

第3の本発明は、電気光学パネルを形成する工程と、上記の基板の割断方法を用いて上記電気光学パネルの割断を行う工程と、を含む、電気光学装置の製造方法である。ここで「電気光学装置」としては、例えば電気光学パネルとしての液晶パネルを含んで構成される液晶表示装置、電気光学パネルとしてのエレクトロルミネッセンス(EL)パネルを含んで構成される無機EL表示装置又は有機EL表示装置、電気光学パネルとしての電気泳動パネルを含んで構成される電気泳動表示装置などが該当し得る。   A third aspect of the present invention is a method for manufacturing an electro-optical device, which includes a step of forming an electro-optical panel and a step of cleaving the electro-optical panel using the substrate cleaving method. Here, as the “electro-optical device”, for example, a liquid crystal display device including a liquid crystal panel as an electro-optical panel, an inorganic EL display device including an electroluminescence (EL) panel as an electro-optical panel, or An organic EL display device, an electrophoretic display device including an electrophoretic panel as an electro-optical panel, and the like may be applicable.

本発明によれば、上記した電気光学装置の製造時におけるパネルの割断を高精度に行うことが可能となる。   According to the present invention, the panel can be cleaved with high accuracy when the electro-optical device is manufactured.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、一実施形態の基板の割断方法を実施するための装置構成例を説明する図である。図1に示す割断装置は、レーザービームを用いて脆性材料からなる基板を割断するためのものであり、レーザー光源10、ビームスプリッタ12、反射ミラー14、アッテネータ16、ステージ18、を含んで構成されている。   FIG. 1 is a diagram for explaining an example of the configuration of an apparatus for carrying out a substrate cleaving method according to an embodiment. The cleaving apparatus shown in FIG. 1 is for cleaving a substrate made of a brittle material using a laser beam, and includes a laser light source 10, a beam splitter 12, a reflecting mirror 14, an attenuator 16, and a stage 18. ing.

レーザー光源10は、レーザービームを発生する。このレーザー光源10は、割断対象となる被加工体100の条件等によって適宜選択すればよく、例えば本実施形態では最大出力50W程度のCO2レーザーが用いられる。 The laser light source 10 generates a laser beam. The laser light source 10 may be appropriately selected depending on the conditions of the workpiece 100 to be cleaved. For example, a CO 2 laser having a maximum output of about 50 W is used in this embodiment.

ビームスプリッタ12は、レーザー光源10から出射されるレーザービームの一部の成分を反射し、他の成分を通過させる。   The beam splitter 12 reflects some components of the laser beam emitted from the laser light source 10 and passes other components.

反射ミラー14は、ビームスプリッタ12を通過したレーザービームを反射する。この反射ミラー14は図示のX方向に可動式に構成されている。これにより、反射ミラー14によって反射されたレーザービームの被加工体100上における照射位置を調整することができる。   The reflection mirror 14 reflects the laser beam that has passed through the beam splitter 12. The reflection mirror 14 is configured to be movable in the X direction shown in the figure. Thereby, the irradiation position on the workpiece 100 of the laser beam reflected by the reflection mirror 14 can be adjusted.

アッテネータ16は、ビームスプリッタ12によって分離されたレーザービームが入射すると、当該レーザービームの強度を低下させる。   When the laser beam separated by the beam splitter 12 is incident, the attenuator 16 reduces the intensity of the laser beam.

ステージ18は、被加工体100が載置され、当該被加工体100をX、Y、Zの各方向に自在に移動させる。このステージ18により、被加工体100と各レーザービームとを相対的に移動させることができる。なお、ステージ18を固定にし、レーザービームの照射位置を移動させるように構成してもよい。   The stage 18 has the workpiece 100 placed thereon, and freely moves the workpiece 100 in the X, Y, and Z directions. The stage 18 can relatively move the workpiece 100 and each laser beam. The stage 18 may be fixed and the irradiation position of the laser beam may be moved.

図2は、レーザービームの照射位置について説明する図である。被加工体100に照射されるレーザービームは、反射ミラー14によって反射されたレーザービームA(第1のレーザービーム)と、アッテネータ16を通過して強度が低下したレーザービームB(第2のレーザービーム)と、からなる。このとき、図示にように、被加工体100を構成する基板(後述する)の内部において、レーザービームAによる引っ張り応力が生じる領域とレーザービームBによる引っ張り応力が生じる領域とが接するようにして、レーザービームBの照射位置が決定される。   FIG. 2 is a diagram for explaining the irradiation position of the laser beam. The laser beam irradiated to the workpiece 100 includes a laser beam A (first laser beam) reflected by the reflecting mirror 14 and a laser beam B (second laser beam) having passed through the attenuator 16 and having a reduced intensity. ). At this time, as shown in the figure, the region where the tensile stress caused by the laser beam A is brought into contact with the region where the tensile stress caused by the laser beam B is in contact with the inside of the substrate (described later) constituting the workpiece 100. The irradiation position of the laser beam B is determined.

図3は、割断方法を説明するために、被加工体100の断面を模式的に示した図である。ここで本実施形態では、被加工体100として、シール部材103を挟んで2枚のガラス基板101、102を貼り合わせたパネルを想定する。このような構造のパネルは、例えば液晶表示装置や有機EL表示装置などの電気光学装置において表示部を構成するために用いられる。これらの電気光学装置の製造工程において、図3に示すようなパネルを形成した後に、以下に示す方法によりパネルの所望位置を割断することができる。   FIG. 3 is a diagram schematically showing a cross section of the workpiece 100 in order to explain the cleaving method. Here, in the present embodiment, it is assumed that the workpiece 100 is a panel in which two glass substrates 101 and 102 are bonded with a seal member 103 interposed therebetween. The panel having such a structure is used for forming a display unit in an electro-optical device such as a liquid crystal display device or an organic EL display device. In the manufacturing process of these electro-optical devices, after forming the panel as shown in FIG. 3, the desired position of the panel can be cleaved by the following method.

図3は、被加工体100の基板102に接して設けられるシール部材の位置と割断予定線の位置とが近接している場合の様子を概略的に示している。図示のように、レーザービームAは、基板102の割断予定線K上に照射されるように光路設定がなされ、レーザービームBは、割断予定線Kよりも基板102に接して設けられるシール部材103に近い側にレーザービームAと離間して照射されるように光路設定がなされる(図1参照)。ここで、割断予定線Kは図3の紙面と直交する方向に延在している。レーザービームBは、レーザービームAの強度よりも相対的に強度が低く設定される。かかる強度調整はアッテネータ16によってなされる。そして、これらのレーザービームA、Bを割断予定線Kと平行な方向に進行させながら照射することにより、基板102の割断がなされる。各レーザービームA、Bの進行速度は、例えば7mm/秒程度に設定される。また、レーザービームA、Bのそれぞれのエネルギー密度は、例えば32〜90kJ/mm2程度の範囲内において適宜設定される。ここで、図中、応力S1、S2はレーザービームAによって生じる圧縮応力を示し、応力S3、S4はレーザービームAによって生じる引っ張り応力を示し、応力S5、S6はレーザービームBによって生じる圧縮応力を示し、応力S7、S8はレーザービームBによって生じる引っ張り応力を示している。このとき、レーザービームBは、当該レーザービームによって生じる引っ張り応力S8がシール部材103による引っ張り応力S0と同等になるように強度が設定される。ここで、シール部材103による引っ張り応力S0は、例えばシール部材103がエポキシ系シール材であった場合には0.035MPa程度である。このとき、レーザービームBの強度は、メインの割断用レーザーであるレーザービームAの強度の1/25程度とされる。また、レーザービームAとレーザービームBとの間隔は、諸条件により変動するが概ね4mm以下とするとよい。 FIG. 3 schematically shows a state where the position of the seal member provided in contact with the substrate 102 of the workpiece 100 and the position of the planned cutting line are close to each other. As shown in the drawing, the optical path is set so that the laser beam A is irradiated on the planned cutting line K of the substrate 102, and the laser beam B is provided in contact with the substrate 102 rather than the planned cutting line K. The optical path is set so that the laser beam A is irradiated away from the laser beam A (see FIG. 1). Here, the cleaving line K extends in a direction perpendicular to the paper surface of FIG. The intensity of the laser beam B is set to be relatively lower than the intensity of the laser beam A. Such intensity adjustment is made by the attenuator 16. Then, the substrate 102 is cleaved by irradiating the laser beams A and B while proceeding in a direction parallel to the cleaving line K. The traveling speeds of the laser beams A and B are set to about 7 mm / second, for example. The energy densities of the laser beams A and B are appropriately set within a range of, for example, about 32 to 90 kJ / mm 2 . Here, in the figure, stresses S1 and S2 indicate compressive stresses generated by the laser beam A, stresses S3 and S4 indicate tensile stresses generated by the laser beam A, and stresses S5 and S6 indicate compressive stresses generated by the laser beam B. , Stresses S7 and S8 indicate tensile stresses generated by the laser beam B. At this time, the intensity of the laser beam B is set so that the tensile stress S8 generated by the laser beam is equal to the tensile stress S0 by the seal member 103. Here, the tensile stress S0 due to the seal member 103 is, for example, about 0.035 MPa when the seal member 103 is an epoxy sealant. At this time, the intensity of the laser beam B is about 1/25 of the intensity of the laser beam A, which is the main cleaving laser. Further, the distance between the laser beam A and the laser beam B varies depending on various conditions, but is preferably about 4 mm or less.

また、基板102に接して設けられるシール部材103の位置と割断予定線Kの位置とが十分に離間している場合には、レーザービームAのみを割断予定線Kに平行な方向に進行させながら照射して割断が行われる。この場合には、例えばアッテネータ16によってレーザービームBの強度をほぼゼロとするか、あるいはビームスプリッター12を光路上から外すとよい。   When the position of the seal member 103 provided in contact with the substrate 102 and the position of the planned cutting line K are sufficiently separated, only the laser beam A is advanced in a direction parallel to the planned cutting line K. Cleavage is performed by irradiation. In this case, for example, the intensity of the laser beam B may be made substantially zero by the attenuator 16, or the beam splitter 12 may be removed from the optical path.

なお、図3における右側のシール部材103が存在せず、当該位置が基板102の端部であった場合においても、上記と同様にして割断を行うことができる。   Even when the right seal member 103 in FIG. 3 does not exist and the position is the end of the substrate 102, the cleaving can be performed in the same manner as described above.

図4は、上述した割断方法を適用して製造される電気光学装置を表示部として備える電子機器の具体例を示す斜視図である。図4(A)は携帯電話への適用例であり、当該携帯電話1000は上述した電気光学装置を用いて構成される表示部1001を備えている。図4(B)はビデオカメラへの適用例であり、当該携帯電話1100は上述した電気光学装置を用いて構成される表示部1101を備えている。図4(C)はテレビジョンへの適用例であり、当該テレビジョン1200は上述した電気光学装置を用いて構成される表示部1201備えている。なお、パーソナルコンピュータ等に用いられるモニタ装置に対しても同様に本発明に係る電気光学装置を適用し得る。   FIG. 4 is a perspective view illustrating a specific example of an electronic apparatus including an electro-optical device manufactured by applying the above-described cleaving method as a display unit. FIG. 4A illustrates an application example to a mobile phone, and the mobile phone 1000 includes a display portion 1001 configured using the above-described electro-optical device. FIG. 4B illustrates an application example to a video camera, and the mobile phone 1100 includes a display portion 1101 configured using the above-described electro-optical device. FIG. 4C illustrates an application example to a television, and the television 1200 includes a display portion 1201 configured using the above-described electro-optical device. The electro-optical device according to the present invention can be similarly applied to a monitor device used for a personal computer or the like.

以上のように本実施形態によれば、基板の端部等に近い側に強度の低い補助的な第2のレーザービームを照射することにより、割断予定線の付近における各応力のバランスをとることができる。これにより、ガラス基板等の脆性材料からなる基板の端部近傍等における割断を割断予定線に沿って精度よく行うことが可能となる。また、割断予定線が基板の端部等に近接しているか離間しているかの状況に応じて第2のレーザービームを照射するか否かを切り替えるだけで、いずれの状況においても精度のよい割断を行うことが可能となる。   As described above, according to the present embodiment, the stress near the cutting line is balanced by irradiating the auxiliary second laser beam having low intensity on the side close to the edge of the substrate. Can do. Thereby, it becomes possible to perform the cleaving in the vicinity of the end portion of the substrate made of a brittle material such as a glass substrate with high accuracy along the planned cutting line. In addition, it is possible to cut accurately in any situation by simply switching whether to irradiate the second laser beam depending on whether the planned cutting line is close to or away from the edge of the substrate. Can be performed.

なお、本発明は上述した実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々の変形実施が可能である。例えば、上述した実施形態ではガラス基板を割断する場合を例示していたが、本発明の適用対象となる基板(脆性材料からなる基板)はこれに限定されず、セラミックス、半導体基板、アモルファス炭素基板など種々の基板が該当し得る。   In addition, this invention is not limited to the content of embodiment mentioned above, A various deformation | transformation implementation is possible within the range of the summary of this invention. For example, in the above-described embodiment, the case of cleaving the glass substrate has been exemplified, but the substrate (substrate made of a brittle material) to which the present invention is applied is not limited to this, and is a ceramic, semiconductor substrate, amorphous carbon substrate. Various substrates may be applicable.

一実施形態の基板の割断方法を実施するための装置構成を説明する図である。It is a figure explaining the apparatus structure for enforcing the cleaving method of the board | substrate of one Embodiment. 被加工体に照射されるレーザービームの状態について説明する図である。It is a figure explaining the state of the laser beam irradiated to a to-be-processed body. 割断方法を説明するために、被加工体の断面を模式的に示した図である。It is the figure which showed typically the cross section of the to-be-processed body in order to demonstrate the cleaving method. 電子機器の具体例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the specific example of an electronic device.

符号の説明Explanation of symbols

10…レーザー光源、12…ビームスプリッタ、14…反射ミラー、16…アッテネータ、18…ステージ、100…被加工体、101、102…ガラス基板、103…シール部材

DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Laser light source, 12 ... Beam splitter, 14 ... Reflection mirror, 16 ... Attenuator, 18 ... Stage, 100 ... Workpiece, 101, 102 ... Glass substrate, 103 ... Sealing member

Claims (5)

レーザービームを用いて脆性材料からなる基板を割断する方法であって、
第1のレーザービームが前記基板の割断予定線上に照射されるように光路設定を行う第1過程と、
前記第1のレーザービームの強度よりも相対的に強度が低く設定された第2のレーザービームが、前記割断予定線よりも前記基板の端部又は前記基板に接して設けられるシール部材に近い側に前記第1のレーザービームと離間して照射されるように光路設定を行う第2過程と、
前記第1及び第2のレーザービームを前記割断予定線に沿って進行させながら照射する第3過程と、
を含む、基板の割断方法。
A method of cleaving a substrate made of a brittle material using a laser beam,
A first step of setting an optical path so that the first laser beam is irradiated on the planned cutting line of the substrate;
The side closer to the seal member provided in contact with the end of the substrate or the substrate than the planned cutting line is the second laser beam set to be relatively lower in intensity than the first laser beam A second step of setting an optical path so that the light beam is irradiated separately from the first laser beam;
A third step of irradiating the first and second laser beams while proceeding along the planned cutting line;
A method for cleaving a substrate.
前記第2過程は、前記基板内において前記第1のレーザービームによる引っ張り応力が生じる領域と前記第2のレーザービームによる引っ張り応力が生じる領域とが接するように前記第2のレーザービームの照射位置を決定する、請求項1に記載の基板の割断方法。   In the second step, the irradiation position of the second laser beam is set so that the region where the tensile stress due to the first laser beam is generated and the region where the tensile stress due to the second laser beam are in contact with each other in the substrate. The method for cleaving a substrate according to claim 1, which is determined. レーザービームを用いて脆性材料からなる基板を割断する方法であって、
第1のレーザービームが前記基板の割断予定線上に照射されるように光路設定を行う第1過程と、
第2のレーザービームが前記割断予定線よりも前記基板の端部又は前記基板に接して設けられるシール部材に近い側に前記第1のレーザービームと離間して照射されるように光路設定を行う第2過程と、
前記基板の端部又は前記基板に接して設けられるシール部材の位置と前記割断予定線の位置とが近接している場合に、前記第2のレーザービームの強度を前記第2のレーザービームの強度よりも相対的に低く設定し、前記第1及び第2のレーザービームを前記割断予定線と平行な方向に進行させながら照射する第3過程と、
前記基板の端部又は前記基板に接して設けられるシール部材の位置と前記割断予定線の位置とが離間している場合に、前記第1のレーザービームのみを前記割断予定線に沿って進行させながら照射する第4過程と、
を含む、基板の割断方法。
A method of cleaving a substrate made of a brittle material using a laser beam,
A first step of setting an optical path so that the first laser beam is irradiated on the planned cutting line of the substrate;
The optical path is set so that the second laser beam is irradiated away from the first laser beam toward the end of the substrate or closer to the seal member provided in contact with the substrate than the planned cutting line. The second process,
When the position of the sealing member provided in contact with the end of the substrate or the substrate and the position of the planned cutting line are close to each other, the intensity of the second laser beam is determined as the intensity of the second laser beam. And a third process of irradiating the first and second laser beams while traveling in a direction parallel to the planned cutting line,
When the position of the sealing member provided in contact with the end portion of the substrate or the substrate is separated from the position of the planned cutting line, only the first laser beam is allowed to travel along the planned cutting line. While irradiating the fourth process,
A method for cleaving a substrate.
前記第3過程は、前記基板内において前記第1のレーザービームによる引っ張り応力が生じる領域と前記第2のレーザービームによる引っ張り応力が生じる領域とが接するように前記第2のレーザービームの照射位置を決定する、請求項3に記載の基板の割断方法。   In the third step, the irradiation position of the second laser beam is set so that the region where the tensile stress due to the first laser beam is generated and the region where the tensile stress due to the second laser beam are in contact with each other in the substrate. The method for cleaving a substrate according to claim 3, which is determined. 電気光学パネルを形成する工程と、
請求項1乃至4のいずれかに記載の基板の割断方法を用いて前記電気光学パネルの割断を行う工程と、
を含む、電気光学装置の製造方法。

Forming an electro-optic panel;
A step of cleaving the electro-optical panel using the substrate cleaving method according to claim 1;
A method for manufacturing an electro-optical device.

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