JP2007086763A - Photosensitive resin composition and circuit board using same - Google Patents

Photosensitive resin composition and circuit board using same Download PDF

Info

Publication number
JP2007086763A
JP2007086763A JP2006226864A JP2006226864A JP2007086763A JP 2007086763 A JP2007086763 A JP 2007086763A JP 2006226864 A JP2006226864 A JP 2006226864A JP 2006226864 A JP2006226864 A JP 2006226864A JP 2007086763 A JP2007086763 A JP 2007086763A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin composition
group
photosensitive resin
formula
organic group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006226864A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4757741B2 (en
Inventor
Toshiaki Nagasawa
俊明 長澤
Hideaki Takahashi
秀明 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Kasei Corp
Original Assignee
Asahi Kasei Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Kasei Corp filed Critical Asahi Kasei Corp
Priority to JP2006226864A priority Critical patent/JP4757741B2/en
Publication of JP2007086763A publication Critical patent/JP2007086763A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4757741B2 publication Critical patent/JP4757741B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a photosensitive polyimide resin composition containing no acid generator and capable of performing heat treatment at a lowered temperature, which is difficult in the case of a conventional polyimide resin; an alkali developable photosensitive cover lay; and a circuit board using the same. <P>SOLUTION: The photosensitive resin composition developable with an alkaline aqueous solution contains a soluble polyimide having a carboxyl group in a molecule and a photobase generator capable of generating an amino group upon photoirradiation. The circuit board has the photosensitive cover lay using the photosensitive resin composition. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、光塩基発生剤を用いた新規な感光性樹脂組成物及びそれを用いた回路基板に関する。   The present invention relates to a novel photosensitive resin composition using a photobase generator and a circuit board using the same.

ポリイミド樹脂は、高い絶縁性、耐熱耐寒性、高強度などの優れた特性に基づいて様々な分野で応用されている。近年、伸長著しいフレキシブルプリント配線板(以下、FPCと省略する)においては、ポリイミドが基材、カバーレイとして用いられている。近年のIC実装技術の高度化や高密度化とあいまってFPCも配線の微細化が求められており、ポリイミドを用いたカバーレイにも高度な加工性が求められている。   Polyimide resins are applied in various fields based on excellent properties such as high insulation, heat and cold resistance, and high strength. In recent years, polyimides have been used as base materials and coverlays in flexible printed wiring boards (hereinafter abbreviated as FPCs) that are remarkably elongated. FPCs are required to be finer in line with the recent advancement and density of IC mounting technology, and high workability is also required for coverlays using polyimide.

FPCの製造においては、ポリイミド基材を機械的に打ち抜き、位置合わせを行って貼り合わせを行うので、位置合わせ精度を高くできないという問題があった。これを解決すべく、アクリレート樹脂やエポキシ樹脂を用いたソルダレジストフィルムをベースにした感光性フィルムの検討がなされてきたが、可撓性などの物性面でポリイミドには及ばなかった(例えば、特許文献1〜3)。   In manufacturing the FPC, the polyimide base material is mechanically punched, and the alignment is performed for bonding. Therefore, there is a problem that the alignment accuracy cannot be increased. In order to solve this problem, a photosensitive film based on a solder resist film using an acrylate resin or an epoxy resin has been studied. However, in terms of physical properties such as flexibility, it was not as good as polyimide (for example, patents). Literatures 1-3).

さらなる配線の微細化を実現するために、近年アルカリ現像可能な感光性組成物が開発されている。例えば、感光性ポリイミド前駆体とニトロベンジルカーバーメート型の光塩基発生剤とを利用した感光性樹脂の提案(例えば、特許文献4)がある。これらの提案では、未照射部における高分子内のカルボキシル基と、光照射部における光照射により発生した塩基及び高分子内のカルボキシル基により形成された塩とによる溶解度差を利用しているため、アルカリ現像時に光照射部と未照射部の溶解度差あるいは溶解速度差をとり難かった。また、ポリイミド前駆体を使用しているため、加熱時に未照射部のポリイミド前駆体がポリイミドへ反応する場合もあり、それもまたアルカリ現像時に光照射部と未照射部の溶解度差あるいは溶解速度差をとり難くしていた。また、現像後に、ポリイミド前駆体をポリイミドへ反応させる必要があるため、200℃から350℃以上の高温の熱処理を行う必要があった。   In order to realize further miniaturization of wiring, a photosensitive composition capable of alkali development has been developed in recent years. For example, there is a proposal of a photosensitive resin using a photosensitive polyimide precursor and a nitrobenzyl carbamate type photobase generator (for example, Patent Document 4). These proposals utilize the solubility difference between the carboxyl group in the polymer in the unirradiated part and the salt formed by the base generated by light irradiation in the light irradiated part and the carboxyl group in the polymer, It was difficult to take a difference in solubility or a difference in dissolution rate between the light-irradiated part and the non-irradiated part during alkali development. Also, since a polyimide precursor is used, the polyimide precursor in the unirradiated part may react with the polyimide during heating, which is also the difference in solubility or dissolution rate between the light irradiated part and the unirradiated part during alkali development. It was difficult to take. Moreover, since it is necessary to make a polyimide precursor react with a polyimide after image development, it was necessary to perform the heat processing of 200 to 350 degreeC or more high temperature.

また、感光性ポリイミドとしては、例えば光ラジカル発生剤を用いたネガ型の感光性ポリイミドの提案があるが、これらはポリイミドと共存するアクリレート化合物を重合させる必要がある。この場合、180 ℃以上の高温の熱処理が行われる(例えば、特許文献5)。また、光酸発生剤を用いたポジ型の感光性ポリイミドの提案(例えば、特許文献6)があるが、これらは残膜中に酸発生剤が残ることになり、形成したポリイミド膜の安定性が懸念される。このため、必要に応じて、現像後に300℃程度の高温で熱処理し、残膜中の酸発生剤を熱分解する場合もある(例えば、特許文献7)。
特開昭56−6498号公報 特開昭61−243896号公報 特開平6−332171号公報 特許第3363580号 国際公開公報WO2002/023276 国際公開公報WO2000/073853 特開2005−134742号公報
Moreover, as a photosensitive polyimide, for example, there is a proposal of a negative type photosensitive polyimide using a photo radical generator, but it is necessary to polymerize an acrylate compound coexisting with the polyimide. In this case, heat treatment at a high temperature of 180 ° C. or higher is performed (for example, Patent Document 5). In addition, there are proposals of positive type photosensitive polyimide using a photoacid generator (for example, Patent Document 6). However, in these, the acid generator remains in the remaining film, and the stability of the formed polyimide film Is concerned. For this reason, if necessary, heat treatment may be performed at a high temperature of about 300 ° C. after development to thermally decompose the acid generator in the remaining film (for example, Patent Document 7).
JP-A-56-6498 JP-A 61-243896 JP-A-6-332171 Japanese Patent No. 3363580 International Publication WO2002 / 023276 International Publication No. WO2000 / 073853 JP 2005-134742 A

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、従来のポリイミド樹脂では困難であった、酸発生剤を含まず、熱処理の低温化が可能な感光性ポリイミド樹脂組成物及びアルカリ現像可能なカバーレイを提供し、それを用いた回路基板を実現することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and includes a photosensitive polyimide resin composition that does not contain an acid generator and that can be heat-treated at low temperatures and a cover that can be developed with an alkali, which has been difficult with conventional polyimide resins. An object is to provide a ray and realize a circuit board using the same.

本発明の感光性樹脂組成物は、式(1)で示される可溶性ポリイミド(A)と、光照射によりアミノ基を発生し得る光塩基発生剤(B)と、を含有することを特徴とする。

Figure 2007086763
(式中αは4価の有機基であり、βは少なくとも1以上のカルボキシル基を有する2価の有機基であり、aは4価の有機基であり、bは2価の有機基である。xは1以上の整数を表し、yは0以上の整数を表す) The photosensitive resin composition of the present invention contains a soluble polyimide (A) represented by the formula (1) and a photobase generator (B) capable of generating an amino group by light irradiation. .
Figure 2007086763
(Wherein α is a tetravalent organic group, β is a divalent organic group having at least one carboxyl group, a is a tetravalent organic group, and b is a divalent organic group. X represents an integer of 1 or more, and y represents an integer of 0 or more)

本発明の感光性樹脂組成物においては、光照射及び/又は加熱により照射部と未照射部とで溶解度差及び/又は溶解速度差を生じ、アルカリ水溶液で現像が可能であるネガ型感光性樹脂組成物であることが好ましい。   In the photosensitive resin composition of the present invention, a negative photosensitive resin that can be developed with an aqueous alkali solution by causing a difference in solubility and / or a difference in dissolution rate between an irradiated part and an unirradiated part by light irradiation and / or heating. A composition is preferred.

本発明の感光性樹脂組成物においては、前記光塩基発生剤(B)は、光照射により一分子から1以上4以下のアミノ基を発生し得る光塩基発生剤であることが好ましい。   In the photosensitive resin composition of the present invention, the photobase generator (B) is preferably a photobase generator capable of generating 1 to 4 amino groups from one molecule by light irradiation.

本発明の感光性樹脂組成物においては、前記光塩基発生剤(B)が式(2)で表されることが好ましい。

Figure 2007086763
(式中有機基Dは1価以上4価以下の有機基であり、R1は2価の有機基、R2、R3はそれぞれ1価の有機基を示し、R2、R3の少なくとも一つは芳香族基を示す。mは0又は1であり、mが0のとき、前記Dの有機基は芳香族基でない。nは1以上4以下の整数であり、複数個のR1、R2、R3はそれぞれ同一でも異なっていても良い。) In the photosensitive resin composition of this invention, it is preferable that the said photobase generator (B) is represented by Formula (2).
Figure 2007086763
(In the formula, the organic group D is a monovalent to tetravalent organic group, R 1 is a divalent organic group, R 2 and R 3 are each a monovalent organic group, and at least R 2 and R 3 One represents an aromatic group, m is 0 or 1, and when m is 0, the organic group of D is not an aromatic group, n is an integer of 1 to 4, and a plurality of R 1 , R 2 and R 3 may be the same or different.

本発明の感光性樹脂組成物においては、前記式(1)におけるbで示される2価の有機基がシロキサン骨格を有する2価の有機基であることが好ましい。   In the photosensitive resin composition of the present invention, the divalent organic group represented by b in the formula (1) is preferably a divalent organic group having a siloxane skeleton.

本発明の感光性樹脂組成物においては、前記可溶性ポリイミド(A)は、光照射のみにより、もしくは光照射及び加熱により架橋し得る官能基、又は光塩基発生剤(B)に由来するアミンの存在下で光照射のみにより、もしくは光照射及び加熱により架橋し得る官能基をもつ末端構造Wを有し得て、式(3)で示されることが好ましい。

Figure 2007086763
(式中のα、β、a、b、x、yは式(1)と同じである。) In the photosensitive resin composition of the present invention, the soluble polyimide (A) is a functional group that can be crosslinked only by light irradiation or by light irradiation and heating, or the presence of an amine derived from the photobase generator (B). It may have a terminal structure W having a functional group that can be crosslinked only by light irradiation or by light irradiation and heating, and is preferably represented by the formula (3).
Figure 2007086763
(Α, β, a, b, x, and y in the formula are the same as those in the formula (1).)

本発明の感光性樹脂組成物においては、前記感光性樹脂組成物は、さらに光増感剤(C)を含有することが好ましい。   In the photosensitive resin composition of this invention, it is preferable that the said photosensitive resin composition contains a photosensitizer (C) further.

本発明の感光性樹脂組成物においては、前記感光性樹脂組成物は、さらにアミド化触媒(D)を含有することが好ましい。   In the photosensitive resin composition of the present invention, the photosensitive resin composition preferably further contains an amidation catalyst (D).

本発明の回路基板の製造方法は、上記感光性樹脂組成物を用いて、少なくとも配線を有する基材上に樹脂組成物層を形成する工程と、前記樹脂組成物層にパターン露光を行う工程と、前記パターン露光後の樹脂組成物層に対してアルカリ水溶液を用いて現像処理を行う工程と、を具備することを特徴とする。   The method for producing a circuit board of the present invention includes a step of forming a resin composition layer on a substrate having at least wiring using the photosensitive resin composition, and a step of performing pattern exposure on the resin composition layer. And a step of developing the resin composition layer after the pattern exposure using an alkaline aqueous solution.

本発明の回路基板は、前記方法により得られたことを特徴とする。また、本発明の回路基板は、配線を有する基材と、前記配線を覆うように前記基材上に形成され、上記感光性樹脂組成物を露光・現像することにより得られた物質で構成されたカバーレイと、を具備することを特徴とする。   The circuit board of the present invention is obtained by the above method. The circuit board of the present invention is composed of a base material having wiring and a substance formed on the base material so as to cover the wiring, and obtained by exposing and developing the photosensitive resin composition. And a coverlay.

本発明のフィルムは、上記感光性樹脂組成物で構成されたことを特徴とする。また、本発明の積層フィルムは、キャリアフィルムと、前記キャリアフィルム上に設けられた前記フィルムと、を具備することを特徴とする。この場合において、前記フィルム上に形成されたカバーフィルムを具備することが好ましい。   The film of this invention was comprised with the said photosensitive resin composition, It is characterized by the above-mentioned. The laminated film of the present invention comprises a carrier film and the film provided on the carrier film. In this case, it is preferable to provide a cover film formed on the film.

本発明の感光性樹脂組成物は、上記式(1)で示される可溶性ポリイミド(A)と、光照射によりアミノ基を発生し得る光塩基発生剤(B)と、を含有するので、従来のポリイミド樹脂では困難であった、酸発生剤を含まず、熱処理の低温化が可能な感光性ポリイミド樹脂組成物を提供することができる。本発明の感光性樹脂組成物を用いると、アルカリ現像可能なカバーレイを提供することができ、それを用いて回路基板を作製することができる。   Since the photosensitive resin composition of the present invention contains the soluble polyimide (A) represented by the above formula (1) and the photobase generator (B) capable of generating an amino group by light irradiation, It is possible to provide a photosensitive polyimide resin composition that does not contain an acid generator and is capable of lowering the temperature of heat treatment, which has been difficult with a polyimide resin. When the photosensitive resin composition of the present invention is used, a cover lay capable of alkali development can be provided, and a circuit board can be produced using the cover lay.

本発明者らは、ポリイミドにカルボキシル基を導入すること、該ポリイミドを光塩基発生剤と組み合わせることによってアルカリ可溶な感光性ポリイミド樹脂組成物を実現し、アルカリ現像によるフォトリソグラフィーを達成した。   The inventors of the present invention realized an alkali-soluble photosensitive polyimide resin composition by introducing a carboxyl group into polyimide and combining the polyimide with a photobase generator, and achieved photolithography by alkali development.

すなわち、本発明の骨子は、アルカリ可溶なポリイミド樹脂と光塩基発生剤を組み合わせて、感光性樹脂の光照射部に架橋構造を形成できる機能を導入することにより、溶解度差又は溶解速度差を効率的にとって低温の熱処理で良好にアルカリ現像することができる新規な感光性樹脂組成物及びアルカリ現像可能な感光性カバーレイを提供し、それを用いて回路基板を提供することである。   That is, the gist of the present invention is to reduce the solubility difference or dissolution rate difference by combining the alkali-soluble polyimide resin and the photobase generator and introducing a function capable of forming a crosslinked structure in the light irradiation part of the photosensitive resin. It is to provide a novel photosensitive resin composition that can be alkali-developed satisfactorily by low-temperature heat treatment and a photosensitive coverlay that can be alkali-developed, and to provide a circuit board using the same.

以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
可溶性ポリイミドとは、有機溶剤に可溶なポリイミドである。有機溶剤としては、例えばN−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチスルフホキシド、γ−ブチロラクトンなどが挙げられる。本発明における可溶性とは、具体的にはN−メチル−2−ピロリドン、若しくはγ−ブチロラクトンに少なくとも5重量%以上、好ましくは10重量%以上溶解することを意味する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
A soluble polyimide is a polyimide soluble in an organic solvent. Examples of the organic solvent include N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, and γ-butyrolactone. The term “soluble” in the present invention specifically means that it dissolves in N-methyl-2-pyrrolidone or γ-butyrolactone at least 5% by weight, preferably 10% by weight or more.

本発明の式(1)で示される可溶性ポリイミド(A)とは、具体的にはカルボキシル基を有するポリイミドである。

Figure 2007086763
(式中αは4価の有機基であり、βは少なくとも1以上のカルボキシル基を有する2価の有機基であり、aは4価の有機基であり、bは2価の有機基である。xは1以上の整数を表し、yは0以上の整数を表す) The soluble polyimide (A) represented by the formula (1) of the present invention is specifically a polyimide having a carboxyl group.
Figure 2007086763
(Wherein α is a tetravalent organic group, β is a divalent organic group having at least one carboxyl group, a is a tetravalent organic group, and b is a divalent organic group. X represents an integer of 1 or more, and y represents an integer of 0 or more)

まず、αについて説明する。式(1)中αは、4価の有機基である。ポリイミドはテトラカルボン酸二無水物とジアミンを原料としてポリアミド酸を経由して合成することが可能である。αは、例えば式(4)で表されるテトラカルボン酸二無水物によりポリイミド中に導入することができる。

Figure 2007086763
First, α will be described. In formula (1), α is a tetravalent organic group. Polyimide can be synthesized via polyamic acid using tetracarboxylic dianhydride and diamine as raw materials. α can be introduced into the polyimide by, for example, tetracarboxylic dianhydride represented by the formula (4).
Figure 2007086763

このようなテトラカルボン酸二無水物としては、芳香族テトラカルボン酸二無水物、脂肪族テトラカルボン酸二無水物などを用いることができる。例えば、芳香族テトラカルボン酸二無水物とは、式(5)に挙げたものなどである。例えば、脂肪族テトラカルボン酸二無水物とは、式(6)に挙げたものなどである。式(5),(6)に示す化合物のαの導入箇所は式(1)中のαの位置に対応する。これらテトラカルボン酸二無水物は単独又は組み合わせて用いることができる。

Figure 2007086763
Figure 2007086763
As such a tetracarboxylic dianhydride, an aromatic tetracarboxylic dianhydride, an aliphatic tetracarboxylic dianhydride, or the like can be used. For example, aromatic tetracarboxylic dianhydride includes those listed in Formula (5). For example, aliphatic tetracarboxylic dianhydrides include those listed in Formula (6). The introduction site of α in the compounds represented by formulas (5) and (6) corresponds to the position of α in formula (1). These tetracarboxylic dianhydrides can be used alone or in combination.
Figure 2007086763
Figure 2007086763

このようなテトラカルボン酸二無水物は、特に制限はないが、ポリイミドに溶剤可溶性を付与する観点から、ヘキサフルオロイソプロピリデン基を有するテトラカルボン酸二無水物もしくは脂肪族テトラカルボン酸二無水物もしくは対称性を有さないテトラカルボン酸二無水物が好ましい。具体的には、例えば、4,4’−(2,2−ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフタル酸二無水物(6FDA)、1,5−シクロオクタジエン−1,2,5,6−テトラカルボン酸二無水物(COEDA)、5−(2,5−ジオキソテトラヒドロ−3−フラニル)−3−メチル3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物(MCTC、EpiclonB−4400)、5−カルボキシメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2,3,6−トリカルボン酸−2,3:5,6−二無水物(NDA)、1−カルボキシメチル−2,3,5−シクロペンタントリカルボン酸−2,6:3,5−二無水物、ビシクロ[2.2.2]オクト−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、4−(2,5−ジオキソテトラヒドロフラン−3−イル)−1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−1,2−ジカルボン酸無水物(リカシッドTDA−100)などである。これらテトラカルボン酸二無水物は単独又は組み合わせて用いることができる。   Such a tetracarboxylic dianhydride is not particularly limited, but from the viewpoint of imparting solvent solubility to the polyimide, a tetracarboxylic dianhydride or an aliphatic tetracarboxylic dianhydride having a hexafluoroisopropylidene group or Tetracarboxylic dianhydrides having no symmetry are preferred. Specifically, for example, 4,4 ′-(2,2-hexafluoroisopropylidene) diphthalic dianhydride (6FDA), 1,5-cyclooctadiene-1,2,5,6-tetracarboxylic acid Dianhydride (COEDA), 5- (2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl) -3-methyl 3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride (MCTC, Epiclon B-4400), 5-carboxymethyl Bicyclo [2.2.1] heptane-2,3,6-tricarboxylic acid-2,3: 5,6-dianhydride (NDA), 1-carboxymethyl-2,3,5-cyclopentanetricarboxylic acid- 2,6: 3,5-dianhydride, bicyclo [2.2.2] oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 4- (2,5-dioxo Tetrahydrofuran 3-yl) -1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-1,2-dicarboxylic anhydride (RIKACID TDA-100), and the like. These tetracarboxylic dianhydrides can be used alone or in combination.

次にβについて説明する。βは少なくとも一つのカルボキシル基を有する2価の有機基であり、ポリイミドを合成する際に、式(7)で表されるジアミンにより導入することができる。

Figure 2007086763
このようなジアミンとしては、カルボキシル基を有するジアミンを用いることができる。例えば式(8)に示すものなどである。式(8)に示す化合物のβの導入箇所は式(1)中のβの位置に対応する。これらカルボキシル基を有するジアミンは単独又は組み合わせて用いることができる。
Figure 2007086763
Next, β will be described. β is a divalent organic group having at least one carboxyl group, and can be introduced by a diamine represented by the formula (7) when a polyimide is synthesized.
Figure 2007086763
As such a diamine, a diamine having a carboxyl group can be used. For example, it is shown in Formula (8). The introduction site of β in the compound represented by the formula (8) corresponds to the position of β in the formula (1). These diamines having a carboxyl group can be used alone or in combination.
Figure 2007086763

次にaについて説明する。式中aは4価の有機基である。aは、例えば式(9)で表されるテトラカルボン酸二無水物より導入することができる。

Figure 2007086763
Next, a will be described. In the formula, a is a tetravalent organic group. a can be introduced from, for example, a tetracarboxylic dianhydride represented by the formula (9).
Figure 2007086763

式(9)に示す化合物のaは式(1)中のaと対応する。式(9)で表されるテトラカルボン酸二無水物としては、式(5)、式(6)に示すテトラカルボン酸二無水物を用いることができる。このようなテトラカルボン酸二無水物は、特に制限はないが、ポリイミドに溶剤可溶性を付与する観点から、ヘキサフルオロイソプロピリデン基を有するテトラカルボン酸二無水物もしくは脂肪族テトラカルボン酸二無水物もしくは対称性を有さないテトラカルボン酸二無水物が好ましい。具体的には、例えば、4,4’−(2,2−ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフタル酸二無水物、1,5−シクロオクタジエン−1,2,5,6−テトラカルボン酸二無水物(COEDA)、5−(2,5−ジオキソテトラヒドロ−3−フラニル)−3−メチル3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物(MCTC、EpiclonB−4400)、5−カルボキシメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2,3,6−トリカルボン酸−2,3:5,6−二無水物(NDA)、1−カルボキシメチル−2,3,5−シクロペンタントリカルボン酸−2,6:3,5−二無水物、ビシクロ[2.2.1]オクタ−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、4−(2,5−ジオキソテトラヒドロフラン−3−イル)−1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−1,2−ジカルボン酸無水物(リカシッドTDA−100)などである。これらテトラカルボン酸二無水物は単独又は組み合わせて用いることができる。   A of the compound represented by the formula (9) corresponds to a in the formula (1). As the tetracarboxylic dianhydride represented by the formula (9), tetracarboxylic dianhydrides represented by the formulas (5) and (6) can be used. Such a tetracarboxylic dianhydride is not particularly limited, but from the viewpoint of imparting solvent solubility to the polyimide, a tetracarboxylic dianhydride or an aliphatic tetracarboxylic dianhydride having a hexafluoroisopropylidene group or Tetracarboxylic dianhydrides having no symmetry are preferred. Specifically, for example, 4,4 ′-(2,2-hexafluoroisopropylidene) diphthalic dianhydride, 1,5-cyclooctadiene-1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride (COEDA), 5- (2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl) -3-methyl 3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride (MCTC, Epiclon B-4400), 5-carboxymethylbicyclo [2 2.1] Heptane-2,3,6-tricarboxylic acid-2,3: 5,6-dianhydride (NDA), 1-carboxymethyl-2,3,5-cyclopentanetricarboxylic acid-2,6 : 3,5-dianhydride, bicyclo [2.2.1] oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 4- (2,5-dioxotetrahydrofuran-3 -Ile) 1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-1,2-dicarboxylic acid anhydride (RIKACID TDA-100), and the like. These tetracarboxylic dianhydrides can be used alone or in combination.

次にbについて説明する。bは、2価の有機基であり、ポリイミドを合成する際に、式(10)で表されるジアミンにより導入することができる。bで示される2価の有機基は、フィルムにした際の柔軟性、伸度、屈曲耐性などの物性を考慮すると、シロキサン骨格を有する2価の有機基であることが好ましい。

Figure 2007086763
Next, b will be described. b is a divalent organic group and can be introduced by a diamine represented by the formula (10) when a polyimide is synthesized. The divalent organic group represented by b is preferably a divalent organic group having a siloxane skeleton in consideration of physical properties such as flexibility, elongation, and bending resistance when formed into a film.
Figure 2007086763

式(10)中のbは式(1)中のbと対応する。式(10)で表されるジアミンとしては、芳香族ジアミン、脂肪族ジアミン、脂環式アミン、ジアミノシラン化合物などが挙げられる。芳香族ジアミンとしては、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、ビス(4−アミノフェノキシ)1,4−ベンゼン、ビス(3−アミノフェノキシ)1,4−ベンゼン、ビス(3−アミノフェノキシ)1,3−ベンゼン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、ビス(4−アミノフェノキシ)4,4’−ジフェニル、2,2−ビス{(4−アミノフェノキシ)フェニル}プロパン、2,2−ビス{(4−アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオルプロパン、1,3−ジアミノベンゼン、1,4−ジアミノベンゼン、2,4−ジアミノトルエン、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン、ビス(4−アミノフェノキシ)−1,3−(2,2−ジメチル)プロパン、1,2−ビス[2−(4−アミノフェノキシ)エトキシ]エタン、1,n−ビス(4−アミノフェノキシ)アルカン、を挙げることができる。   B in the formula (10) corresponds to b in the formula (1). Examples of the diamine represented by the formula (10) include aromatic diamines, aliphatic diamines, alicyclic amines, diaminosilane compounds, and the like. Aromatic diamines include 4,4′-diaminodiphenyl ether, 3,4′-diaminodiphenyl ether, bis (4-aminophenoxy) 1,4-benzene, bis (3-aminophenoxy) 1,4-benzene, bis ( 3-aminophenoxy) 1,3-benzene, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-bis (4-aminophenyl) propane, 4,4′-diaminodiphenylmethane, bis (4-aminophenoxy) 4,4′-diphenyl, 2,2-bis {(4-aminophenoxy) phenyl} propane, 2,2-bis {(4-aminophenoxy) Phenyl} hexafluoropropane, 1,3-diaminobenzene, 1,4-diaminobenzene, 2,4-diaminotoluene, 3,3′- Methyl-4,4′-diaminobiphenyl, 2,2′-bis (trifluoromethyl) benzidine, bis (4-aminophenoxy) -1,3- (2,2-dimethyl) propane, 1,2-bis [ 2- (4-aminophenoxy) ethoxy] ethane and 1, n-bis (4-aminophenoxy) alkane.

また、芳香族ジアミンとしては、カルボニル基、ニトロ基、メトキシ基、スルホン基、スルフィド基、アントラセン基又はフルオレン基が導入されたものも用いることができる。これらは吸光度の調整、光増感効果の調整として用いることができる。例えば、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノ−ビフェニルスルホン、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ジアミノ−ビフェニルスルホン、4,4’−ビス(4−アミノフェニル)スルフィド、9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン、1,4−ジアミノ−2−ニトロベンゼン、1,5−ジアミノ−2−ニトロベンゼン、3−ニトロ−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジニトロ−4,4’−ジアミノビフェニル、2,4−ジアミノアセトフェノン、2,4−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノベンズアニリド、2−アミノ−4’−アミノベンゾフェノン、2−アミノ−5−アミノフルオレノン、9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、ビス−{4−(3−アミノフェノキシ)ビフェニル}スルホン、ビス−{4−(4−アミノフェノキシ)ビフェニル}スルホン、ビス{4−(4−アミノフェノキシ)フェニル}スルホン、ビス{4−(3−アミノフェノキシ)フェニル}スルホン、o−トリジンスルホン、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ジアミノベンゾフェノン、2−ニトロ−1,4−ジアミノベンゼン、3,3’−ジニトロ−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、1,5−ジアミノナフタリンなどを挙げることができる。   As the aromatic diamine, those introduced with a carbonyl group, a nitro group, a methoxy group, a sulfone group, a sulfide group, an anthracene group or a fluorene group can also be used. These can be used for adjusting the absorbance and adjusting the photosensitization effect. For example, 3,3′-dimethyl-4,4′-diamino-biphenylsulfone, 3,3′-dimethoxy-4,4′-diamino-biphenylsulfone, 4,4′-bis (4-aminophenyl) sulfide, 9,9-bis (4-aminophenyl) fluorene, 1,4-diamino-2-nitrobenzene, 1,5-diamino-2-nitrobenzene, 3-nitro-4,4′-diaminobiphenyl, 3,3′- Dinitro-4,4′-diaminobiphenyl, 2,4-diaminoacetophenone, 2,4-diaminobenzophenone, 4,4′-diaminobenzophenone, 4,4′-diaminobenzanilide, 2-amino-4′-aminobenzophenone 2-amino-5-aminofluorenone, 9,9-bis (4-aminophenyl) fluorene, 3,3′-diaminodi Phenylsulfone, 4,4′-diaminodiphenylsulfone, bis- {4- (3-aminophenoxy) biphenyl} sulfone, bis- {4- (4-aminophenoxy) biphenyl} sulfone, bis {4- (4-amino) Phenoxy) phenyl} sulfone, bis {4- (3-aminophenoxy) phenyl} sulfone, o-tolidine sulfone, 4,4′-diaminobenzophenone, 3,3′-diaminobenzophenone, 2-nitro-1,4-diamino Examples thereof include benzene, 3,3′-dinitro-4,4′-diaminobiphenyl, 3,3′-dimethoxy-4,4′-diaminobiphenyl, 1,5-diaminonaphthalene and the like.

芳香族ジアミンとしては、ヒドロキシル基、ピリジン基、オキシカルボニル基又は第3級アミン基が導入されたものも用いることができる。これらはアルカリ現像液への溶解性の増大させることが可能である。例えば、2,6−ジアミノピリジン、3,5−ジアミノピリジン、3,5−ジアミノ−2,4−ジメチルピリジン、1,4−ジアミノ−2−ヒドロキシベンゼン、3,3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2−ヒドロキシ−1,4−ジアミノベンゼンなどを挙げることができる。   As the aromatic diamine, those introduced with a hydroxyl group, a pyridine group, an oxycarbonyl group or a tertiary amine group can also be used. These can increase the solubility in an alkali developer. For example, 2,6-diaminopyridine, 3,5-diaminopyridine, 3,5-diamino-2,4-dimethylpyridine, 1,4-diamino-2-hydroxybenzene, 3,3′-dihydroxy-4,4 Examples include '-diaminobiphenyl, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, and 2-hydroxy-1,4-diaminobenzene.

ジアミノシラン化合物としては、ジアミノシロキサンを挙げることができる。具体的には1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、式(11)に示すジアミノシロキサンなどである。

Figure 2007086763
(式(11)において、R7は2価の炭化水素残基であり、kは1〜10の整数である。) Examples of the diaminosilane compound include diaminosiloxane. Specifically, 1,3-bis (3-aminopropyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, diaminosiloxane represented by the formula (11), and the like.
Figure 2007086763
(In the formula (11), R 7 is a divalent hydrocarbon residue, and k is an integer of 1 to 10.)

また、前記以外に芳香族ジアミン、脂肪族ジアミン、脂環式ジアミンとして、式(12)に示すジアミンを挙げることができる。

Figure 2007086763
これらのジアミン成分は、単独又は組み合わせて用いることができる。 Moreover, the diamine shown to Formula (12) can be mentioned as an aromatic diamine, an aliphatic diamine, and an alicyclic diamine other than the above.
Figure 2007086763
These diamine components can be used alone or in combination.

また、本発明の式(1)で示される可溶性ポリイミド(A)には、ポリイミド単位中にエポキシ基を導入してもよい。例えば、ジアミン成分の修飾可能な官能基をエピクロロヒドリンなどで修飾することによりエポキシ基を導入することができる。修飾可能な官能基とは、例えばヒドロキシル基、カルボキシル基などである。エポキシ基は、アミンとの反応性が高く、光塩基発生剤より発生したアミンと架橋することも可能であり、アルカリ現像時の照射部と未照射部に溶解度差及び/又は溶解速度差を生じさせ易くする。このような修飾可能な官能基を有するジアミン成分とは、例えば、1,4−ジアミノ−2−ヒドロキシベンゼン、3,3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、式(8)に記載のジアミンなどである。   Moreover, you may introduce | transduce an epoxy group in a polyimide unit in the soluble polyimide (A) shown by Formula (1) of this invention. For example, an epoxy group can be introduced by modifying a modifiable functional group of the diamine component with epichlorohydrin or the like. Examples of the functional group that can be modified include a hydroxyl group and a carboxyl group. Epoxy groups are highly reactive with amines and can crosslink with amines generated from photobase generators, resulting in a difference in solubility and / or dissolution rate between irradiated and unirradiated areas during alkali development. Make it easy to do. Examples of the diamine component having such a functional group that can be modified include 1,4-diamino-2-hydroxybenzene, 3,3′-dihydroxy-4,4′-diaminobiphenyl, and the formula (8). Such as diamine.

可溶性ポリイミド(A)は、カルボキシル基を有するユニットとカルボキシル基を有さないユニットとを含み、組成はx及びyによって示される。具体的には、xは1以上の整数であり、yは0以上の整数である。カルボキシル基を有するユニットは、可溶性ポリイミド(A)が溶剤可溶性を発現でき、かつ感光性樹脂組成物がアルカリ現像性を発現できる範囲で導入することができる。(カルボキシル基を含むユニットの数x)/(全ユニットx+y)の比率は0.01以上1以下の範囲内であることが好ましく、より好ましくは0.2以上0.9以下、さらに好ましくは0.3以上0.8以下である。可溶性ポリイミド(A)は、この範囲の組成おいて、本発明の感光性樹脂組成物が硬化した際の硬化物の物性にも優れ、好適に使用することができるため好ましい。   The soluble polyimide (A) includes a unit having a carboxyl group and a unit having no carboxyl group, and the composition is indicated by x and y. Specifically, x is an integer of 1 or more, and y is an integer of 0 or more. The unit having a carboxyl group can be introduced in such a range that the soluble polyimide (A) can express solvent solubility and the photosensitive resin composition can express alkali developability. The ratio of (number of units containing carboxyl groups) / (total units x + y) is preferably within the range of 0.01 to 1, more preferably 0.2 to 0.9, and even more preferably 0. .3 or more and 0.8 or less. Soluble polyimide (A) is preferred because it has excellent physical properties of the cured product when the photosensitive resin composition of the present invention is cured, and can be suitably used in this range of composition.

本発明の感光性樹脂組成物は、前記可溶性ポリイミド(A)が、光照射のみにより、もしくは光照射及び加熱により架橋し得る官能基、又は光塩基発生剤(B)に由来するアミンの存在下で光照射のみにより、もしくは光照射及び加熱により架橋し得る官能基をもつ末端構造Wを有し得て、式(3)で示されることが好ましい。

Figure 2007086763
(式中のα、β、a、b、x、yは前記と同じ意味を持つ。Wは光照射のみにより、もしくは光照射及び加熱により架橋し得る官能基、又は光塩基発生剤(B)に由来するアミンの存在下で光照射のみにより、もしくは光照射及び加熱により架橋し得る官能基を有する末端構造を表す。) In the photosensitive resin composition of the present invention, the soluble polyimide (A) is present in the presence of an amine derived from a functional group that can be crosslinked only by light irradiation or by light irradiation and heating, or a photobase generator (B). It may have a terminal structure W having a functional group that can be crosslinked only by light irradiation or by light irradiation and heating, and is preferably represented by the formula (3).
Figure 2007086763
(In the formula, α, β, a, b, x, and y have the same meaning as described above. W is a functional group that can be crosslinked only by light irradiation or by light irradiation and heating, or a photobase generator (B). Represents a terminal structure having a functional group that can be crosslinked only by light irradiation in the presence of an amine derived from or by light irradiation and heating.)

光照射のみにより、もしくは光照射及び加熱により架橋し得る官能基とは、例えば、ビニル基、ケイ皮酸を有する官能基類、マレイミド基類、ジアゾ基類、アジド基類、などである。ケイ皮酸を有する官能基類とは、例えばシンナモイル基、シンナミリデンアセチル基、カルコン基、スチリルピリジン基などである。マレイミド基類とは、マレイミド基、α−フェニルマレイミド基などである。ジアゾ基類とは、ジアゾ基、o−キノンジアド基などである。アジド基類とは、フェニルアジド基、スルホニルアジド基、カルボニルアジド基などである。またそれら以外にフリルアクリロイル基、クマリン、ピロニル基、アントラセニル基、ベンゾフェノニル基、ベンゾイン基、スチルベン基、ジチオカルバマート基、ザンタート基、1,2,3−チアジアゾーリニル基、シクロプロペニル基、アザ−ジオキサビシクロ基などが挙げられる。   Examples of functional groups that can be crosslinked only by light irradiation or by light irradiation and heating include vinyl groups, functional groups having cinnamic acid, maleimide groups, diazo groups, azide groups, and the like. Examples of functional groups having cinnamic acid include a cinnamoyl group, a cinnamylideneacetyl group, a chalcone group, and a styrylpyridine group. Maleimide groups include a maleimide group, an α-phenylmaleimide group, and the like. Diazo groups include diazo groups and o-quinone diad groups. Examples of the azide group include a phenyl azide group, a sulfonyl azide group, and a carbonyl azide group. In addition, furylacryloyl group, coumarin, pyronyl group, anthracenyl group, benzophenonyl group, benzoin group, stilbene group, dithiocarbamate group, xanthate group, 1,2,3-thiadiazolinyl group, cyclopropenyl group And aza-dioxabicyclo group.

末端構造Wは、具体的には、例えば以下のような方法で導入することができる。例えば、ケイ皮酸の末端構造Wへの導入は、ケイ皮酸クロリドをポリイミドのアミン末端を反応させることにより可能である。   Specifically, the terminal structure W can be introduced, for example, by the following method. For example, cinnamic acid can be introduced into the terminal structure W by reacting cinnamic acid chloride with the amine terminal of polyimide.

光塩基発生剤に由来するアミンの存在下で光照射のみにより、もしくは光照射及び加熱により架橋し得る官能基とは、アミンと該官能基で架橋構造を形成し得るもの、又はアミンが触媒となり該官能基同士で架橋を形成し得るものである。具体的には、例えば、カルボキシル基、エチレン性不飽和二重結合、アセチレン性不飽和結合、エポキシ基、オキセラン基などである。末端構造Wとしては、具体的には例えば、式(13)又は式(14)又は式(15)で表す構造などが挙げられる。

Figure 2007086763
(式(13)におけるR8は前記β又はbである。)
Figure 2007086763
Figure 2007086763
(式(15)におけるR8は前記と同じ意味である。) A functional group that can be crosslinked only by light irradiation in the presence of an amine derived from a photobase generator, or by light irradiation and heating, can form a crosslinked structure with an amine and the functional group, or an amine serves as a catalyst. The functional groups can form a crosslink. Specifically, for example, a carboxyl group, an ethylenically unsaturated double bond, an acetylenic unsaturated bond, an epoxy group, an oxelan group, and the like. Specific examples of the terminal structure W include structures represented by formula (13), formula (14), or formula (15).
Figure 2007086763
(R 8 in formula (13) is β or b.)
Figure 2007086763
Figure 2007086763
(R 8 in formula (15) has the same meaning as described above.)

式(13)中のXは3価の芳香族又は脂肪族からなる有機基であり、アミン末端をトリカルボン酸無水物により末端封止することで導入することができる。トリカルボン酸無水物とは、例えば、無水トリメリト酸、ヘキサヒドロ無水トリメリト酸などである。   X in Formula (13) is a trivalent aromatic or aliphatic organic group, and can be introduced by end-capping the amine terminal with a tricarboxylic acid anhydride. Examples of the tricarboxylic acid anhydride include trimellitic anhydride and hexahydro trimellitic anhydride.

式(14)中のYは2価の芳香族又は脂肪族からなる有機基であり、酸無水物末端をカルボキシル基と水酸基を同一分子内に持つ化合物により末端封止することで導入することができる。このような化合物とは、例えば、アミノ酸やアミノ安息香酸類などである。アミノ酸とは、例えばアルファ炭素上の置換基が水素、又はアルキル基であるグリシン、アラニン、パリン、ロイシン、イソロイシン、フェニルアラニン、プロリン;アルファ炭素上の置換基が水酸基を含むセリン、トレオニン、チロシン;アルファ炭素上の置換基がS原子を含むシステイン、メチオニン;さらにカルボキシル基を2つ有するアスパラギン酸、グルタミン酸などである。アミノ安息香酸類とは、o−アミノ安息香酸、m−アミノ安息香酸、p−アミノ安息香酸などである。   Y in the formula (14) is a divalent aromatic or aliphatic organic group, which can be introduced by end-capping the acid anhydride terminal with a compound having a carboxyl group and a hydroxyl group in the same molecule. it can. Examples of such compounds include amino acids and aminobenzoic acids. An amino acid is, for example, glycine, alanine, parin, leucine, isoleucine, phenylalanine, proline whose substituent on the alpha carbon is hydrogen or an alkyl group; serine, threonine, tyrosine containing a hydroxyl group on the alpha carbon; alpha Substituents on carbon include cysteine and methionine containing an S atom; and aspartic acid and glutamic acid having two carboxyl groups. Aminobenzoic acids include o-aminobenzoic acid, m-aminobenzoic acid, p-aminobenzoic acid, and the like.

式(15)中のZはエチレン性不飽和二重結合又はアセチレン性不飽和結合を含有する2価の有機基である。Zはエチレン性不飽和二重結合又はアセチレン性不飽和結合を含有する酸無水物でポリイミドを末端封止することにより導入することができる。エチレン性不飽和二重結合又はアセチレン性不飽和結合を含有する酸無水物とは、例えば、無水マレイン酸、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物、シクロヘキセンジカルボン酸無水物、ビシクロ[2.2.2]オクト−7−エン−2,3−ジカルボン酸無水物、4−フェニルエチルフタル酸無水物などである。   Z in Formula (15) is a divalent organic group containing an ethylenically unsaturated double bond or an acetylenic unsaturated bond. Z can be introduced by end-capping the polyimide with an acid anhydride containing an ethylenically unsaturated double bond or an acetylenic unsaturated bond. Examples of the acid anhydride containing an ethylenically unsaturated double bond or an acetylenically unsaturated bond include maleic anhydride, 5-norbornene-2,3-dicarboxylic acid anhydride, cyclohexene dicarboxylic acid anhydride, bicyclo [2 2.2] Oct-7-ene-2,3-dicarboxylic anhydride, 4-phenylethylphthalic anhydride, and the like.

また、上記以外にも、エポキシ基又はオキセタン基をポリイミドの末端構造Wに導入することもできる。例えばポリイミドのアミン末端とエポキシ基もしくはオキセタン基を有する化合物を反応させ導入することができる。また式(13)又は式(14)のカルボン酸末端とエポキシ基もしくはオキセタン基を有する化合物を反応させ導入することができる。エポキシ基もしくはオキセタン基を有する化合物とは、例えばエピクロロヒドリンなどである。   In addition to the above, an epoxy group or an oxetane group can also be introduced into the terminal structure W of polyimide. For example, a compound having an amine terminal of polyimide and an epoxy group or oxetane group can be reacted and introduced. Moreover, the compound which has a carboxylic acid terminal of Formula (13) or Formula (14), and an epoxy group or an oxetane group can be made to react and introduce | transduce. Examples of the compound having an epoxy group or an oxetane group include epichlorohydrin.

可溶性ポリイミド(A)の末端が架橋し得る官能基をもつ末端構造Wでない場合はジカルボン酸無水物でポリイミド末端を封止してもよい。この際用いられるジカルボン酸無水物とは、例えば、無水フタル酸、フェニルエチルフタル酸無水物、無水コハク酸、シクロヘキサンジカルボン酸無水物、メチルノルボルナンジカルボン酸無水物、などである。   When the terminal of the soluble polyimide (A) is not a terminal structure W having a functional group capable of crosslinking, the terminal of the polyimide may be sealed with a dicarboxylic acid anhydride. Examples of the dicarboxylic anhydride used in this case include phthalic anhydride, phenylethylphthalic anhydride, succinic anhydride, cyclohexanedicarboxylic anhydride, methylnorbornane dicarboxylic anhydride, and the like.

可溶性ポリイミド(A)は、テトラカルボン酸二無水物とジアミンの反応により合成することができる。合成に用いる溶媒は、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチスルフホキシド、テトラメチル尿素、ヘキサンメチルリン酸トリアミド、γ−ブチロラクトンなどの極性溶媒が挙げられる。これらの溶媒の他、ケトン類、エステル類、ラクトン類、エーテル類、ハロゲン化炭化水素類、炭化水素類が挙げられる。例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、蓚酸ジエチル、炭酸ジメチル、マロン酸ジエチル、ジエチルエーテル、イソプロピルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、1,2−ジクロルエタン、クロロホルム、1,4−ジクロルブタン、トリクロルエタン、クロルベンゼン、o−ジクロロベンゼン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどである。これらは単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。   Soluble polyimide (A) can be synthesized by reaction of tetracarboxylic dianhydride and diamine. Solvents used in the synthesis are polar solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, tetramethylurea, hexanemethylphosphoric triamide, γ-butyrolactone, etc. Is mentioned. In addition to these solvents, ketones, esters, lactones, ethers, halogenated hydrocarbons, and hydrocarbons can be mentioned. For example, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, diethyl oxalate, dimethyl carbonate, diethyl malonate, diethyl ether, isopropyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, dichloromethane, 1, 2-dichloroethane, chloroform, 1,4-dichlorobutane, trichloroethane, chlorobenzene, o-dichlorobenzene, hexane, heptane, octane, benzene, toluene, xylene and the like. These can be used alone or in combination of two or more.

可溶性ポリイミド(A)は、前記溶媒中でテトラカルボン酸二無水物とジアミンを混合し、0℃から200℃で反応させることにより得ることができる。可溶性ポリイミド(A)の合成は、加熱のみによって行っても良く、触媒を添加して加熱して行っても良い。触媒としては、例えば、酸無水物やラクトン、及び塩基を使用することができる。酸無水物としては、例えば無水酢酸などが挙げられる。ラクトンとしては、γ−バレロラクトンが好ましく、塩基としてはピリジン及び/又はメチルモルフォリンが好ましい。   The soluble polyimide (A) can be obtained by mixing tetracarboxylic dianhydride and diamine in the solvent and reacting at 0 ° C to 200 ° C. The synthesis of the soluble polyimide (A) may be performed only by heating, or may be performed by adding a catalyst and heating. As the catalyst, for example, acid anhydrides, lactones, and bases can be used. Examples of acid anhydrides include acetic anhydride. The lactone is preferably γ-valerolactone, and the base is preferably pyridine and / or methylmorpholine.

前記溶媒中にテトラカルボン酸二無水物とジアミンとを添加し、触媒の存在下で150から200℃、好ましくは160から180℃に加熱してポリイミド溶液を得ることができる。イミド化反応に伴い生成する水は、水と共沸する溶剤、例えばトルエンやキシレンと共に反応系外に取り除くことができる。   A tetracarboxylic dianhydride and a diamine are added to the solvent and heated to 150 to 200 ° C., preferably 160 to 180 ° C. in the presence of a catalyst to obtain a polyimide solution. The water produced by the imidation reaction can be removed from the reaction system together with a solvent azeotropic with water, such as toluene and xylene.

本発明に用いる光照射によりアミノ基を発生し得る光塩基発生剤(B)は従来公知の光塩基発生剤を用いることができる。例えば、アシルオキシイミノ化合物、カルバモイルオキシム化合物、カルバモイルヒドロキシルアミン化合物、カルバミン酸化合物、ホルムアミド化合物、アセトアミド化合物、カルバメート化合物、ベンジルカルバメート化合物、ニトロベンジルカルバメート化合物、スルホンアミド化合物、イミダゾール誘導体化合物、アミンイミド化合物、ピリジン誘導体化合物、α−アミノアセトフェノン誘導体化合物、4級アンモニウム塩誘導体化合物、α−ラクトン環誘導体化合物、アミンイミド化合物、フタルイミド誘導体化合物などである。なかでも光照射により一分子から1以上4以下のアミノ基を発生することができる光塩基発生剤が好ましい。   As the photobase generator (B) capable of generating an amino group by light irradiation used in the present invention, a conventionally known photobase generator can be used. For example, acyloxyimino compounds, carbamoyl oxime compounds, carbamoyl hydroxylamine compounds, carbamic acid compounds, formamide compounds, acetamide compounds, carbamate compounds, benzyl carbamate compounds, nitrobenzyl carbamate compounds, sulfonamide compounds, imidazole derivative compounds, amine imide compounds, pyridine derivatives Compounds, α-aminoacetophenone derivative compounds, quaternary ammonium salt derivative compounds, α-lactone ring derivative compounds, amine imide compounds, phthalimide derivative compounds, and the like. Among these, a photobase generator that can generate 1 or more and 4 or less amino groups from one molecule by light irradiation is preferable.

光照射により一分子から1以上4以下のアミノ基を発生することができる光塩基発生剤のなかでもアシルオキシイミノ化合物が好ましく、特に式(2)に示す光照射により一分子から1以上4以下のアミノ基を発生することができる光塩基発生剤が好ましい。

Figure 2007086763
(式中有機基Dは1価以上4価以下の有機基、R1は2価の有機基、R2、R3はそれぞれ1価の有機基を示し、R2、R3の少なくとも一つは芳香族基を示す。mは0又は1であり、mが0のとき、前記Dの有機基が芳香族基でない。nは1以上4以下の整数であり、複数個のR1、R2、R3はそれぞれ同一でも異なっていても良い。) Among photobase generators that can generate 1 to 4 amino groups from one molecule by light irradiation, acyloxyimino compounds are preferred, and in particular, from 1 molecule to 1 to 4 by light irradiation shown in formula (2). A photobase generator capable of generating an amino group is preferred.
Figure 2007086763
(In the formula, the organic group D is a monovalent to tetravalent organic group, R 1 is a divalent organic group, R 2 and R 3 are each a monovalent organic group, and at least one of R 2 and R 3 ) Represents an aromatic group, m is 0 or 1, and when m is 0, the organic group of D is not an aromatic group, n is an integer of 1 to 4, and a plurality of R 1 , R 2 and R 3 may be the same or different.

まず有機基Dについて説明する。有機基Dは、1価以上4価以下の置換可能な部位を持つ芳香環を有する有機基又はヘテロ環を有する有機基又は脂肪族有機基又は脂環式有機基である。このような芳香環を有する有機基としては、例えば、ベンゼン、ナフタレン、ビフェニル、ビフェニレンなどが挙げられる。また、ヘテロ環を有する有機基としては、例えば、トリアジン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピラン、フラン、チオフェン、ピロール、チアゾール、イミダゾール、インドール、キノリン、プリン、プテリジン、イソシアヌル酸、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどが挙げられる。また、このような脂肪族有機基としては、例えば、直鎖状のn−ブタン、n−ペンタン、n−ヘキサン、n−ヘプタン、n−オクタン、分岐鎖のある2−メチルプロパン、2−メチルブタン、2,2−ジメチルプロパン、2−メチルヘプタン、3−メチルヘプタン、2−メチルヘキサン、3−メチルヘキサン、2,3−ジメチルペンタン、3−エチルペンタン、2−メチルヘプタン、3−メチルヘプタン、4−メチルヘプタン、2,3−ジメチルヘキサン、2,4−ジメチルヘキサン、2,5−ジメチルヘキサン、3−エチルヘキサンなどが挙げられる。またこれらは不飽和結合を有していてもよい。また脂環式有機基としては、例えば、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、不飽和結合を有するシクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘキサジエン、シクロへプテン、シクロヘプタジエン、シクロヘプタトリエン、シクロオクテン、シクロオクタジエン、シクロオクタトリエン、シクロオクタテトラエン、ノルボルナン、ノルボルネン、ノルボルナジエン、ビシクロ[2.2.2]オクト−7−エンなどが挙げられる。   First, the organic group D will be described. The organic group D is an organic group having an aromatic ring having a substitutable site of 1 to 4 valences, an organic group having a heterocyclic ring, an aliphatic organic group, or an alicyclic organic group. Examples of such an organic group having an aromatic ring include benzene, naphthalene, biphenyl, biphenylene, and the like. Examples of the organic group having a heterocycle include triazine, pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyran, furan, thiophene, pyrrole, thiazole, imidazole, indole, quinoline, purine, pteridine, isocyanuric acid, tetrahydrofuran, and dioxane. It is done. Examples of such aliphatic organic groups include linear n-butane, n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, branched 2-methylpropane, 2-methylbutane. 2,2-dimethylpropane, 2-methylheptane, 3-methylheptane, 2-methylhexane, 3-methylhexane, 2,3-dimethylpentane, 3-ethylpentane, 2-methylheptane, 3-methylheptane, Examples include 4-methylheptane, 2,3-dimethylhexane, 2,4-dimethylhexane, 2,5-dimethylhexane, and 3-ethylhexane. Moreover, these may have an unsaturated bond. Examples of the alicyclic organic group include cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, cyclobutene having an unsaturated bond, cyclopentene, cyclohexene, cyclohexadiene, cycloheptene, cycloheptadiene, cycloheptatriene, Examples include cyclooctene, cyclooctadiene, cyclooctatriene, cyclooctatetraene, norbornane, norbornene, norbornadiene, bicyclo [2.2.2] oct-7-ene.

本発明の化合物(2)は例えば、相当するカルボン酸、又はカルボン酸無水物に適当な縮合剤、例えば塩化チオニル、五塩化リン、ジシクロヘキシルカルボジイミドなどの存在下でオキシム化合物を反応させて得ることができる。また相当する酸クロリドに適当な塩基触媒、例えばトリエチルアミン、ピリジン、ナトリウムハライドなどの存在下でオキシム化合物を反応させて合成することもできる。   The compound (2) of the present invention can be obtained, for example, by reacting an oxime compound with the corresponding carboxylic acid or carboxylic anhydride in the presence of a suitable condensing agent such as thionyl chloride, phosphorus pentachloride, dicyclohexylcarbodiimide and the like. it can. It can also be synthesized by reacting the corresponding acid chloride with an oxime compound in the presence of a suitable base catalyst such as triethylamine, pyridine, sodium halide and the like.

式(2)中の有機基Dは原料として相当するカルボン酸、又はカルボン酸無水物、又は酸クロリドより導入することが可能である。以下に原料の一例を記載するが、これらはそれぞれ相当するカルボン酸、又はカルボン酸無水物、又は酸クロリドであってもよい。またこれらの化合物における有機基Dの導入箇所は式(2)中の有機基Dと対応する。有機基Dは例えば、式(16)で表される、カルボン酸により導入することができる。

Figure 2007086763
(式中の有機基D及びnは前記と同じ意味を持つ。) The organic group D in the formula (2) can be introduced from the corresponding carboxylic acid, carboxylic acid anhydride, or acid chloride as a raw material. Although an example of a raw material is described below, these may be a corresponding carboxylic acid, carboxylic acid anhydride, or acid chloride, respectively. Moreover, the introduction site | part of the organic group D in these compounds respond | corresponds with the organic group D in Formula (2). The organic group D can be introduce | transduced by carboxylic acid represented by Formula (16), for example.
Figure 2007086763
(The organic groups D and n in the formula have the same meaning as described above.)

このようなカルボン酸、又はカルボン酸無水物、又は酸クロリドとしては、例えば、モノカルボン酸としてフェニルアセチルクロリド、ジカルボン酸としてフェニレン二酢酸、コハク酸、シクロヘキシルジカルボン酸、シクロヘキセンジカルボン酸、メチルノルボルナンジカルボン酸、テレフタル酸、フェニルエチルフタル酸、トリカルボン酸としてはヘキサヒドロトリメリト酸、式(17)に示すような化合物などが挙げられる。

Figure 2007086763
有機基Dは例えば、式(18)で表される、カルボン酸無水物より導入することもできる。
Figure 2007086763
Examples of such carboxylic acid or carboxylic anhydride or acid chloride include phenylacetyl chloride as monocarboxylic acid, phenylenediacetic acid, succinic acid, cyclohexyldicarboxylic acid, cyclohexenedicarboxylic acid, methylnorbornanedicarboxylic acid as dicarboxylic acid. Examples of terephthalic acid, phenylethylphthalic acid, and tricarboxylic acid include hexahydrotrimellitic acid and compounds represented by the formula (17).
Figure 2007086763
The organic group D can also be introduce | transduced from a carboxylic anhydride represented by Formula (18), for example.
Figure 2007086763

このような化合物として例えば、式(6)に記載した脂肪族テトラカルボン酸無水物が挙げられる。

Figure 2007086763
なお、nが1以上4以下の条件が満たされれば、有機基Dは置換基を有していても良い。 Examples of such a compound include the aliphatic tetracarboxylic acid anhydride described in the formula (6).
Figure 2007086763
Note that the organic group D may have a substituent as long as the condition that n is 1 or more and 4 or less is satisfied.

次にR1について説明する。R1は2価の有機基であり、例えば、アルキル基、式(19)で示されるエステル基を有する基、式(20)で示されるアミド基を有する基などである。アルキル基としては、炭素数1以上4以下が好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基などが挙げられる。

Figure 2007086763
(式中R4は炭素数1以上4以下の有機基を示す)
Figure 2007086763
(式中R5は水素又はメチル基又はエチル基を示し、R6は炭素数1以上4以下の有機基を示す。) Next, R 1 will be described. R 1 is a divalent organic group, such as an alkyl group, a group having an ester group represented by formula (19), a group having an amide group represented by formula (20), or the like. The alkyl group preferably has 1 to 4 carbon atoms, and examples thereof include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, and a butylene group.
Figure 2007086763
(Wherein R 4 represents an organic group having 1 to 4 carbon atoms)
Figure 2007086763
(Wherein R 5 represents hydrogen, a methyl group, or an ethyl group, and R 6 represents an organic group having 1 to 4 carbon atoms.)

1にアミド基若しくはエステル基が含まれる場合は、例えばアミド基は種々のアミノ酸、例えばグリシンやアラニンなどを用いて誘導し、エステル基は例えば一分子中に1個の水酸基と少なくとも1個のカルボキシル基を有する化合物、例えばグリコール酸や3−ヒドロキシプロピオン酸などを用いて誘導することができる。 When R 1 contains an amide group or an ester group, for example, the amide group is derived using various amino acids such as glycine and alanine, and the ester group is, for example, one hydroxyl group and at least one hydroxyl group in one molecule. It can be derived using a compound having a carboxyl group, such as glycolic acid or 3-hydroxypropionic acid.

次にR2及びR3について説明する。R2及びR3は1価の有機基であり、それぞれ互いに同じでも異なっていても良いが、少なくとも一方は芳香族基でなくてはならない。このような芳香族基としては、例えば、芳香環を1つ有するものとしてフェニル基などが挙げられ、芳香環を2つ有するものとしてナフチル基、カルバゾール基などが挙げられ、芳香環を3つ有するものとしてアントラセニル基、フェナントレニル基などが挙げられ、芳香環を4つ有するものとしてナフタセニル基、ピレニル基、ペリレニル基などが挙げられる。またこれらの芳香環は置換基を有していても良い。 Next, R 2 and R 3 will be described. R 2 and R 3 are monovalent organic groups, which may be the same or different from each other, but at least one of them must be an aromatic group. Examples of such an aromatic group include a phenyl group and the like having one aromatic ring, and a naphthyl group and a carbazole group and the like having two aromatic rings and having three aromatic rings. Examples include anthracenyl group and phenanthrenyl group, and examples having four aromatic rings include naphthacenyl group, pyrenyl group and perylenyl group. Moreover, these aromatic rings may have a substituent.

1価の有機基である非芳香族基としては特に制限はないが、例えば、水素、アルキル基やアルコキシル基が挙げられる。アルキル基として炭素数1以上4以下が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基などが挙げられる。アルコキシル基としてはフェノキシ基又は炭素数が1以上4以下のアルコキシル基が好ましい。このようなアルコキシル基として例えば、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基などが挙げられる。   Although there is no restriction | limiting in particular as a non-aromatic group which is a monovalent organic group, For example, hydrogen, an alkyl group, and an alkoxyl group are mentioned. The alkyl group preferably has 1 to 4 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, and a sec-butyl group. The alkoxyl group is preferably a phenoxy group or an alkoxyl group having 1 to 4 carbon atoms. Examples of such an alkoxyl group include a methoxy group, an ethoxy group, a butoxy group, an isobutoxy group, and a sec-butoxy group.

式(2)で示すことができる光照射により一分子から1以上4以下のアミノ基を発生することができる光塩基発生剤としては、例えば式(21)のような構造のものが挙げられる。

Figure 2007086763
Examples of the photobase generator capable of generating 1 to 4 amino groups from one molecule by light irradiation that can be represented by the formula (2) include those having a structure as represented by the formula (21).
Figure 2007086763

用いる光塩基発生剤(B)の量には特に制限はないが、感光性や硬化後の樹脂の機械的特性を考慮して、可溶性ポリイミド(A)に100重量部に対して1重量部から100重量部配合することが好ましい。さらに好ましくは5重量部から50重量部である。   Although there is no restriction | limiting in particular in the quantity of the photobase generator (B) to be used, from 1 weight part with respect to 100 weight part to soluble polyimide (A) in consideration of the photosensitivity and the mechanical characteristic of resin after hardening. It is preferable to blend 100 parts by weight. More preferably, it is 5 to 50 parts by weight.

本発明の感光性樹脂組成物は、さらに光増感剤(C)を含んでいてもよい。光増感剤(C)としては特に制限はなく、従来公知の光増感剤を用いることができる。例えば、芳香族物アジド類の、アジドアントラキノン、アジドベンザルアセトフェノンなど、またクマリン化合物のクマリン、ケトクマリン、3,3’−カルボニルビス(ジエチルアミノクマリン)、3−ケトクマリンなど;芳香族ケトン類のベンズアントロン、フェノントレンキノン、ベンジル、ベンゾフェノン、p,p’−テトラメチルジアミノベンゾフェノンなど;芳香族アミン類のN−フェニルジエタノールアミン、N−フェニルグリシン、p−ニトロアニリン、2,4−ジニトロアニリン、2−クロロ−4−ニトロアニリン、2,6−ジニトロ−4−ニトロアニリン、ミヒラーケトンなど;チオキサントン化合物のチオキサントン、ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン;芳香族炭化水素類のアントラセン、ナフタレン、ジフェニル、p−ニトロジフェニル;キノン類のアントラキノン、ナフトキノン、ベンゾキノンなどである。この他、例えば特開平3−239703号公報、特開平5−289335号公報に記載の複素環を有するクマリン化合物;特開昭63−221110号公報に記載の3−ケトクマリン化合物;特開平4−221958号公報、特開平4−219756号公報に記載のキサンテン色素;特開平6−19240号公報に記載のピロメテン色素;特開昭47−2528号公報、特開昭54−155292号公報、特開昭56−166154号公報、特開昭59−56403号公報に記載の(p−ジアルキルアミノベンジリデン)ケトン、スチリル系色素;特開平6−295061号公報に記載のジュロリジル基を有する増感色素;特開平11−326624号公報に記載のジアミノベンゼン化合物などを挙げることができる。なかでも300〜450nm付近に吸収を持つ化合物が好ましく、具体的にはクマリン化合物、チオキサントン化合物、芳香族ケトン類が好ましい。   The photosensitive resin composition of the present invention may further contain a photosensitizer (C). There is no restriction | limiting in particular as a photosensitizer (C), A conventionally well-known photosensitizer can be used. For example, aromatic azides such as azidoanthraquinone and azidobenzalacetophenone, coumarin compounds such as coumarin, ketocoumarin, 3,3′-carbonylbis (diethylaminocoumarin), and 3-ketocoumarin; benzanthrone of aromatic ketones , Phenontolenquinone, benzyl, benzophenone, p, p'-tetramethyldiaminobenzophenone, etc .; aromatic amines N-phenyldiethanolamine, N-phenylglycine, p-nitroaniline, 2,4-dinitroaniline, 2-chloro -4-nitroaniline, 2,6-dinitro-4-nitroaniline, Michler's ketone, etc .; thioxanthone, thioxanthone, diethylthioxanthone, isopropylthioxanthone; aromatic hydrocarbons anthracene, naphtha Quinones anthraquinone, naphthoquinone, benzoquinone, etc .; emissions, diphenyl, p- nitro diphenyl. In addition, for example, coumarin compounds having a heterocyclic ring described in JP-A-3-239703 and JP-A-5-289335; 3-ketocoumarin compounds described in JP-A-63-221110; JP-A-4-221958 Xanthene dyes described in JP-A-4-219756; pyromethene dyes described in JP-A-6-19240; JP-A-47-2528; JP-A-54-155292; (P-dialkylaminobenzylidene) ketone and styryl dye described in JP-A-56-166154 and JP-A-59-56403; sensitizing dye having a julolidyl group described in JP-A-6-295061; And diaminobenzene compounds described in JP-A-11-326624. Of these, compounds having absorption in the vicinity of 300 to 450 nm are preferable, and specifically, coumarin compounds, thioxanthone compounds, and aromatic ketones are preferable.

用いる光増感剤(C)の量には特に制限はないが、感光性や硬化後の樹脂の機械的特性を考慮して、可溶性ポリイミド(A)100重量部に対して1重量部から50重量部配合することが好ましい。さらに好ましくは3重量部から30重量部である。   Although there is no restriction | limiting in particular in the quantity of the photosensitizer (C) to be used, in consideration of photosensitivity and the mechanical characteristic of resin after hardening, 1 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the soluble polyimide (A). It is preferable to blend by weight. More preferably, it is 3 to 30 parts by weight.

本発明の感光性樹脂組成物は、さらにアミド化触媒(D)を含んでいてもよい。アミド化触媒が含まれると、発生したアミンと可溶性ポリイミド中のカルボキシル基との反応が促進されるため、露光・現像後の加熱温度を低下させることが可能となる。アミド化触媒(D)としては、例えば、可溶性ポリイミド中のカルボキシル基と活性エステルを形成する化合物、又はカルボキシル基の求電子性を高めることができる化合物を用いることができる。このような化合物として、例えば、ボロキシン化合物、N−ヒドロキシ化合物、3級アミン、リン酸エステル、アミン塩、ウレア化合物、有機酸、ルイス酸、などが挙げられる。   The photosensitive resin composition of the present invention may further contain an amidation catalyst (D). When the amidation catalyst is contained, the reaction between the generated amine and the carboxyl group in the soluble polyimide is promoted, so that the heating temperature after exposure / development can be lowered. As the amidation catalyst (D), for example, a compound that forms an active ester with a carboxyl group in soluble polyimide, or a compound that can increase the electrophilicity of the carboxyl group can be used. Examples of such compounds include boroxine compounds, N-hydroxy compounds, tertiary amines, phosphate esters, amine salts, urea compounds, organic acids, Lewis acids, and the like.

ボロキシン化合物としては、2,4,6−トリス−(3,4,5−トリフルオロフェニル)ボロキシン、2,4,6−トリス−(3−ニトロフェニル)ボロキシン、2,4,6−トリス−(3,5−ジトリフルオロメチルフェニル)ボロキシン、2,4,6−トリス−(4−トリフルオロメチルフェニル)ボロキシンなどが挙げられる。N−ヒドロキシ化合物としては、例えば、N−ヒドロキシベンゾトリアゾール、N−ヒドロキシスクシイミド、N−ヒドロキシフタルイミド、N−ヒドロキシピペリジンなどが挙げられる。3級アミンとしては、例えば、トリエチルアミン、ピリジン、4,4−ジメチルアミノピリジン、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネンなどが挙げられる。リン酸エステルとしては、例えば、(2,3−ジヒドロ−2−チオキソ−3−ベンゾオキサゾリル)−フォスフォニックジフェニルエステルなどが挙げられる。アミン塩としては、例えば、4−(4,6−ジメトキシ−1,3,5−トリアジン−2−イル)−4−メチルモルフォリウムクロリド、ジアザビシクロウンデセンのp−トルエンスルホン酸塩、フェノール塩、オクチル酸塩、ギ酸塩、フタル酸塩などが挙げられる。ウレア化合物としては、例えば、N,N−ジメチルウレア誘導体、同一分子中にウレタン基を含有するウレア化合物などが挙げられる。有機酸としては、例えば、ベンゼンスルホン酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、フェノールなどが挙げられる。ルイス酸としては、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体などが挙げられる。なかでもボロキシン化合物が好ましい。   Examples of boroxine compounds include 2,4,6-tris- (3,4,5-trifluorophenyl) boroxine, 2,4,6-tris- (3-nitrophenyl) boroxine, 2,4,6-tris- (3,5-ditrifluoromethylphenyl) boroxine, 2,4,6-tris- (4-trifluoromethylphenyl) boroxine and the like. Examples of the N-hydroxy compound include N-hydroxybenzotriazole, N-hydroxysuccinimide, N-hydroxyphthalimide, N-hydroxypiperidine and the like. Examples of the tertiary amine include triethylamine, pyridine, 4,4-dimethylaminopyridine, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene. Examples of the phosphate ester include (2,3-dihydro-2-thioxo-3-benzoxazolyl) -phosphonic diphenyl ester. Examples of amine salts include 4- (4,6-dimethoxy-1,3,5-triazin-2-yl) -4-methylmorpholium chloride, p-toluenesulfonate of diazabicycloundecene, phenol Salts, octylates, formates, phthalates and the like. Examples of the urea compound include an N, N-dimethylurea derivative and a urea compound containing a urethane group in the same molecule. Examples of the organic acid include benzenesulfonic acid, acetic acid, trifluoroacetic acid, phenol, and the like. Examples of the Lewis acid include boron trifluoride diethyl ether complex. Of these, boroxine compounds are preferred.

用いるアミド化触媒の量は特に制限はないが、感光性や硬化後の樹脂の機械的特性を考慮して、可溶性ポリイミド100重量部に対して1重量部から20重量部配合することが好ましい。より好ましくは2重量部から10重量部である。   The amount of the amidation catalyst to be used is not particularly limited, but it is preferable to mix 1 part by weight to 20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the soluble polyimide in consideration of photosensitivity and mechanical properties of the cured resin. More preferably, it is 2 to 10 parts by weight.

本発明の感光性樹脂組成物には適宜、既に公知である添加剤を必要に応じて添加することができる。具体的に添加剤としては、密着性向上剤、界面活性剤、酸化防止剤、紫外線防止剤、光安定剤、可塑剤、ワックス類、充填剤、顔料、染料、発泡剤、消泡剤、脱水剤、帯電防止剤、抗菌剤、防カビ剤、難燃剤、レベリング剤、分散剤、ラジカル重合開始剤、エチレン性不飽和化合物などが挙げられる。   If necessary, an additive that is already known can be appropriately added to the photosensitive resin composition of the present invention. Specific additives include adhesion improvers, surfactants, antioxidants, UV inhibitors, light stabilizers, plasticizers, waxes, fillers, pigments, dyes, foaming agents, antifoaming agents, dehydration Agents, antistatic agents, antibacterial agents, antifungal agents, flame retardants, leveling agents, dispersants, radical polymerization initiators, ethylenically unsaturated compounds, and the like.

本発明の感光性樹脂組成物は、可溶性ポリイミド(A)と光照射によりアミノ基を発生することができる光塩基発生剤(B)、及び必要に応じて光増感剤(C)、アミド化触媒(D)を任意の溶剤中にて混合する、又は溶剤中にて混合後任意の方法で溶剤を乾燥することにより得ることができる。   The photosensitive resin composition of the present invention comprises a soluble polyimide (A), a photobase generator (B) capable of generating an amino group by light irradiation, and a photosensitizer (C), if necessary, an amidation. It can be obtained by mixing the catalyst (D) in an arbitrary solvent, or drying the solvent by an arbitrary method after mixing in the solvent.

本発明の感光性樹脂組成物を用いて、回路基板を製造することが可能である。回路基板を製造する場合においては、少なくとも配線を有する基材上に樹脂組成物層を積層し、前記樹脂組成物層にパターン露光を行い、前記パターン露光後の樹脂組成物層に対してアルカリ水溶液を用いて現像処理を行う。配線を有する基材とは、例えば、ガラスエポキシ基板、ガラスマレイミド基板などの硬質な基材、あるいはポリイミドフィルムなどのフレキシブルな基材などの任意の基材上に配線を有するものをいう。   A circuit board can be produced using the photosensitive resin composition of the present invention. When manufacturing a circuit board, a resin composition layer is laminated on at least a substrate having wiring, pattern exposure is performed on the resin composition layer, and an aqueous alkaline solution is applied to the resin composition layer after the pattern exposure. Is used for development processing. The base material having wiring means, for example, a material having wiring on an arbitrary base material such as a hard base material such as a glass epoxy substrate or a glass maleimide substrate, or a flexible base material such as a polyimide film.

なかでも特に、本発明の感光性樹脂組成物は、ポリイミドフィルムなどのフレキシブルな基材上に配線を有するフレキシブルプリント配線板のカバーレイとして好適に用いることができる。本発明の感光性樹脂組成物をフレキシブルプリント配線板のカバーレイとする場合は、例えば本発明の感光性樹脂組成物を溶剤で溶解させてなる塗工液を、配線を有する基材上に塗布したり、この塗工液の溶剤を乾燥してなる、いわゆるドライフィルムの状態にして、配線を有する基材上に貼付する。   Especially, the photosensitive resin composition of this invention can be used suitably as a coverlay of the flexible printed wiring board which has wiring on flexible base materials, such as a polyimide film. When the photosensitive resin composition of the present invention is used as a coverlay for a flexible printed wiring board, for example, a coating solution obtained by dissolving the photosensitive resin composition of the present invention with a solvent is applied onto a substrate having wiring. Alternatively, the solvent of this coating solution is dried to form a so-called dry film, which is pasted on a substrate having wiring.

塗工液を調整する場合は、例えば、溶剤を使用して調整することができる。溶剤としては、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチスルフホキシド、γ−ブチロラクトンなどの一般的な有機溶剤を用いることが可能である。塗工液に使用する溶剤は、可溶性ポリイミドを合成する際に用いた溶剤をそのまま用いることができる。塗工液は、例えば、可溶性ポリイミドを合成した際の反応液を前記溶剤で任意の濃度に調整し、光塩基発生剤を含有させ、必要に応じて光増感剤やアミド化触媒や添加剤を含有させ調整することができる。   When adjusting a coating liquid, it can adjust using a solvent, for example. As the solvent, for example, general organic solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, and γ-butyrolactone can be used. . As the solvent used for the coating liquid, the solvent used when the soluble polyimide is synthesized can be used as it is. For example, the coating liquid is prepared by adjusting the reaction liquid at the time of synthesizing the soluble polyimide to an arbitrary concentration with the solvent, containing a photobase generator, and if necessary, a photosensitizer, an amidation catalyst, or an additive. Can be included and adjusted.

本発明の感光性樹脂組成物を含む塗工液を、配線を有する基材上に塗布する方法としては、例えば浸漬法、キャスティング法、スプレー法、スクリーン印刷法、回転塗布法などの方法が挙げられる。このような方法で、配線を有する基材上に塗工液を塗布し、溶剤の大部分を加熱乾燥することにより、配線を有する基材上にカバーレイを形成する。このようにして、配線を有する基材と、この配線を覆うように前記基材上に形成され、本発明の感光性樹脂組成物を露光・現像してなる物質で構成されたカバーレイと、を具備するフレキシブルプリント配線板を作製することができる。   Examples of the method for applying the coating liquid containing the photosensitive resin composition of the present invention onto the substrate having wiring include methods such as dipping, casting, spraying, screen printing, and spin coating. It is done. By such a method, a coating liquid is applied on the base material having wiring, and most of the solvent is heated and dried to form a coverlay on the base material having wiring. In this way, a base material having wiring, a cover lay formed on the base material so as to cover the wiring, and composed of a substance formed by exposing and developing the photosensitive resin composition of the present invention, The flexible printed wiring board which comprises can be produced.

本発明の感光性樹脂組成物で構成されたドライフィルムを用いる場合は、上記塗工液を任意の方法でポリエチレンテレフタレートフィルムや金属フィルムなどの任意のキャリアフィルム上に塗布後乾燥し、ドライフィルム化しキャリアフィルムとドライフィルムとを有する積層フィルムとする。また、ドライフィルム上に、低密度ポリエチレンフィルムなど任意の防汚用のフィルムや保護用のフィルムを少なくとも一層設けて積層フィルムとしても良い。このドライフィルムは、熱ラミネート法、熱プレス法、熱真空ラミネート法など任意の方法で配線を有する基材上にラミネートする。このようにして、配線を有する基材と、この配線を覆うように前記基材上に形成され、本発明の感光性樹脂組成物を露光・現像してなる物質で構成されたカバーレイと、を具備するフレキシブルプリント配線板を作製することができる。   When using a dry film composed of the photosensitive resin composition of the present invention, the coating liquid is applied on an arbitrary carrier film such as a polyethylene terephthalate film or a metal film by an arbitrary method and then dried to form a dry film. A laminated film having a carrier film and a dry film is provided. Further, at least one arbitrary antifouling film such as a low-density polyethylene film or a protective film may be provided on the dry film to form a laminated film. This dry film is laminated on a substrate having wiring by an arbitrary method such as a heat laminating method, a hot pressing method, or a heat vacuum laminating method. In this way, a base material having wiring, a cover lay formed on the base material so as to cover the wiring, and composed of a substance formed by exposing and developing the photosensitive resin composition of the present invention, The flexible printed wiring board which comprises can be produced.

これらの方法によって形成されたカバーレイの膜厚には特に制限はないが、回路特性などの点から、4〜50μmであることが好ましく、6〜40μmであることがより好ましく、10〜30μmであることが特に好ましい。   Although there is no restriction | limiting in particular in the film thickness of the coverlay formed by these methods, From points, such as a circuit characteristic, it is preferable that it is 4-50 micrometers, It is more preferable that it is 6-40 micrometers, 10-30 micrometers It is particularly preferred.

本発明の感光性樹脂組成物は、光照射のみにより、又は光照射及び加熱により、照射部と未照射部との間で溶解度差又は/及び溶解速度差を生ぜしめてアルカリ水溶液で現像が可能であるネガ型感光性樹脂組成物であるので、この感光性樹脂組成物で構成されたカバーレイに、所望のパターンが描かれたネガ型のマスクを介して光照射してパターン露光した後、必要に応じて加熱する。次いで、未露光部を適当なアルカリ現像液で溶解除去した後、必要に応じてポストキュアをする。これにより、所望のレリーフパターンを作製する。ポストキュアの温度は、100℃以上250℃以下が好ましい。より好ましくは120℃以上180℃以下である。これにより、従来機械的に打ち抜いていたフレキシブルプリント配線板のカバーレイを光により加工することができる。その結果、機械加工では不可能な微細なフレキシブルプリント基板を作製することができる。   The photosensitive resin composition of the present invention can be developed with an aqueous alkali solution by causing a difference in solubility or / and a dissolution rate difference between an irradiated part and an unirradiated part only by light irradiation or by light irradiation and heating. Since it is a negative photosensitive resin composition, it is necessary after pattern exposure by irradiating light to the coverlay composed of this photosensitive resin composition through a negative mask on which a desired pattern is drawn. Depending on the heating. Next, after the unexposed portion is removed by dissolution with a suitable alkali developer, post-cure is performed as necessary. Thereby, a desired relief pattern is produced. The post cure temperature is preferably 100 ° C. or higher and 250 ° C. or lower. More preferably, it is 120 degreeC or more and 180 degrees C or less. Thereby, the coverlay of the flexible printed wiring board conventionally punched mechanically can be processed with light. As a result, a fine flexible printed circuit board that cannot be machined can be produced.

光照射に用いる光源は特に制限はないが、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、低圧水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、蛍光灯、タングステンランプ、アルゴンレーザー、ヘリウムカドミウムレーザーなどが挙げられる。現像に用いるアルカリ水溶液としては特に制限はないが、例えば炭酸ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液などが挙げられる。現像方法としては特に制限はないが、例えば浸漬現像、パドル現像、スプレー現像などが挙げられる。   The light source used for light irradiation is not particularly limited, and examples thereof include a high pressure mercury lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a low pressure mercury lamp, a metal halide lamp, a xenon lamp, a fluorescent lamp, a tungsten lamp, an argon laser, and a helium cadmium laser. The aqueous alkali solution used for development is not particularly limited, and examples thereof include an aqueous sodium carbonate solution, an aqueous potassium hydroxide solution, an aqueous sodium hydroxide solution, and an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution. The development method is not particularly limited, and examples include immersion development, paddle development, and spray development.

ポリイミド前駆体であるポリアミド酸と光塩基発生剤とを用いた従来公知の技術では、露光(光照射)部で光塩基発生剤より発生する塩基をポリアミド酸内のカルボキシル基の塩形成に用いる、若しくはイミド化の触媒として用い、加熱によりポリアミド酸を部分的にイミド化してポリイミドとすることで、アルカリ現像液に対する溶解度/又は溶解速度を変化させている。   In a conventionally known technique using a polyamic acid which is a polyimide precursor and a photobase generator, a base generated from the photobase generator in an exposure (light irradiation) part is used for salt formation of a carboxyl group in the polyamic acid. Alternatively, it is used as a catalyst for imidization, and the polyamic acid is partially imidized by heating to form a polyimide, thereby changing the solubility / or dissolution rate in an alkali developer.

該塩基をポリアミド酸内のカルボキシル基の塩形成に用いる場合、ポリアミド酸中は繰り返し単位毎にカルボキシル基が存在するためカルボキシル基の量が多すぎ、該塩基により部分的に塩を形成しても十分なアルカリ現像液に対する溶解度差/又は溶解速度差をとり難い。また、該塩基をイミド化の触媒として用いる場合、未露光部では光塩基発生剤より塩基が発生しないので、イミド化触媒のない状態ではあるが、ポリアミド酸のイミド化は加熱のみによっても進行するため、未露光部のポリアミド酸もまた部分的にポリイミドとなっている。このため従来公知のこの技術ではアルカリ現像液に対する溶解度差/又は溶解速度差を生じにくい。   When the base is used to form a salt of a carboxyl group in the polyamic acid, the amount of the carboxyl group is too large because there is a carboxyl group for each repeating unit in the polyamic acid, and even if a salt is partially formed by the base. It is difficult to obtain a difference in solubility in a sufficient alkali developer / or a difference in dissolution rate. When the base is used as a catalyst for imidization, no base is generated from the photobase generator in the unexposed area, so that the imidization of the polyamic acid proceeds only by heating although there is no imidization catalyst. For this reason, the polyamic acid in the unexposed part is also partially polyimide. For this reason, this conventionally known technique is unlikely to cause a difference in solubility and / or a difference in dissolution rate with respect to an alkaline developer.

本発明は熱的に安定なポリイミドを用いること及び、該ポリイミド中のカルボキシル基の量をコントロールすることで光塩基発生剤との組み合わせにより、未露光部と露光部でアルカリ現像液に対する溶解度差を巧みにとることが可能である。   The present invention uses a thermally stable polyimide and controls the amount of carboxyl groups in the polyimide to combine the photobase generator with a difference in solubility in an alkaline developer between the unexposed and exposed areas. It is possible to take skillfully.

本発明における可溶性ポリイミド中のカルボキシル基は、前述したように例えば式(8)から選ばれる1つ以上のジアミンをモノマーとして用いることで導入することができる。その際、該可溶性ポリイミド中のカルボキシル基の量は、該可溶性ポリイミドを合成する際に、式(8)から選ばれる1つ以上のジアミンの仕込みの量によってコントロールすることが可能である。   The carboxyl group in the soluble polyimide in the present invention can be introduced by using, as a monomer, one or more diamines selected from, for example, formula (8) as described above. At that time, the amount of the carboxyl group in the soluble polyimide can be controlled by the amount of one or more diamines selected from the formula (8) when the soluble polyimide is synthesized.

該可溶性ポリイミドは、本明細書に記載の1つ以上のテトラカルボン酸二無水物と本明細書に記載の2つ以上のジアミンをモノマーとして用い合成することができ、ジアミンには式(7)から選ばれる1つ以上のジアミンを含むことが必須である。このとき、仕込みの量として、(全テトラカルボン酸二無水物)/(全ジアミン)のモル比は0.95以上1.05以下が好ましい。また、全ジアミンのうち式(7)から選ばれる1以上のジアミンの量として、(式(7)から選ばれる1以上のジアミン)/(全ジアミン)のモル比が0.01以上1以下であることが好ましく、より好ましくは0.2以上0.9以下、さらに好ましくは0.3以上0.8以下である。   The soluble polyimide can be synthesized using one or more tetracarboxylic dianhydrides described herein and two or more diamines described herein as monomers, wherein the diamine has the formula (7) It is essential to include one or more diamines selected from: At this time, as the amount of preparation, the molar ratio of (total tetracarboxylic dianhydride) / (total diamine) is preferably 0.95 or more and 1.05 or less. As the amount of one or more diamines selected from formula (7) among all diamines, the molar ratio of (one or more diamines selected from formula (7)) / (total diamines) is 0.01 or more and 1 or less. Preferably, it is 0.2 to 0.9, more preferably 0.3 to 0.8.

合成した可溶性ポリイミドの溶液濃度0.5g/dlの1−メチル−2−ピロリドン(NMPと省略する)溶液を30℃で測定した際の数式(1)で表される還元粘度は0.2以上1.5以下が好ましく、さらに好ましくは0.3以上1以下であると、フィルムにした際に感光性樹脂組成物フィルムのアルカリ現像性が良く、かつ物性も良いので好ましい。還元粘度測定に用いる粘度計は、例えばウベローデ粘度計(柴田科学株式会社製、粘度計番号No.1)を用いることが可能である。

Figure 2007086763
数式(1)において、ηは還元粘度であり、t0はNMP溶媒の流下時間であり、tは可溶性ポリイミドのNMP溶液の流下時間であり、cは溶液濃度(g/dl)である。 The reduced viscosity represented by the formula (1) when a 1-methyl-2-pyrrolidone (abbreviated as NMP) solution of the synthesized soluble polyimide having a solution concentration of 0.5 g / dl is measured at 30 ° C. is 0.2 or more. It is preferably 1.5 or less, more preferably 0.3 or more and 1 or less, because when the film is formed, the photosensitive resin composition film has good alkali developability and good physical properties. As the viscometer used for the measurement of the reduced viscosity, for example, an Ubbelohde viscometer (manufactured by Shibata Kagaku Co., Ltd., viscometer number No. 1) can be used.
Figure 2007086763
In Equation (1), η is the reduced viscosity, t 0 is the flow time of the NMP solvent, t is the flow time of the NMP solution of soluble polyimide, and c is the solution concentration (g / dl).

本発明における、露光(光照射)部におけるアルカリ現像液に対する溶解度の低下及び/又は溶解速度の低下の機構は下記に示す作用によるものと推定される。架橋し得る官能基をもつ末端構造がない場合、露光部は光塩基発生剤より発生するアミンと可溶性ポリイミド(A)中のカルボキシル基とが塩を形成し、アルカリ現像液に対する溶解度差をとることが可能である。あるいは露光後に100℃から180℃で加熱をすることにより、光塩基発生剤より発生するアミンと可溶性ポリイミド(A)中のカルボキシル基とが化学反応を起こしアミド結合を生成する。発生するアミンが2官能以上である場合はアミド結合を介して架橋構造が形成される。塩を形成すること又はアミド結合でカルボキシル基をブロックすること又は2官能以上のアミンでアミド結合により架橋構造を形成することによりアルカリ現像液に対する溶解度差をとることが可能である。   In the present invention, the mechanism of the decrease in the solubility and / or the decrease in the dissolution rate with respect to the alkaline developer in the exposed (light-irradiated) part is presumed to be due to the following action. When there is no terminal structure having a functional group capable of crosslinking, the exposed portion forms a salt between the amine generated from the photobase generator and the carboxyl group in the soluble polyimide (A), and takes a difference in solubility in an alkaline developer. Is possible. Alternatively, by heating at 100 ° C. to 180 ° C. after exposure, the amine generated from the photobase generator and the carboxyl group in the soluble polyimide (A) cause a chemical reaction to generate an amide bond. When the generated amine is bifunctional or more, a crosslinked structure is formed through an amide bond. It is possible to take a difference in solubility in an alkaline developer by forming a salt, blocking a carboxyl group with an amide bond, or forming a crosslinked structure with an amide bond with a bifunctional or higher amine.

末端構造Wが光により架橋構造を形成し得る場合、露光部は光塩基発生剤より発生するアミンと可溶性ポリイミド(A)中のカルボキシル基とが塩を形成し、さらに光により架橋構造を形成し得る末端構造中の官能基が架橋構造を形成することによりアルカリ現像液に対する溶解度差をとることが可能である。   When the terminal structure W can form a crosslinked structure by light, the exposed portion forms a salt with the amine generated from the photobase generator and the carboxyl group in the soluble polyimide (A), and further forms a crosslinked structure with light. The functional group in the terminal structure to be obtained forms a crosslinked structure, so that it is possible to take a difference in solubility in an alkaline developer.

末端構造Wが光及び熱により架橋構造を形成し得る場合、露光部は光塩基発生剤より発生するアミンと可溶性ポリイミド(A)中のカルボキシル基とが塩を形成し、さらに光により架橋構造を形成し得る末端構造中の官能基が架橋構造を形成する。さらに100℃から180℃で加熱をすることにより光塩基発生剤より発生するアミンと可溶性ポリイミド(A)中のカルボキシル基又は末端構造中の官能基とが反応することにより架橋構造を形成してアルカリ現像液に対する溶解度差をとることが可能である。   In the case where the terminal structure W can form a crosslinked structure by light and heat, in the exposed portion, the amine generated from the photobase generator and the carboxyl group in the soluble polyimide (A) form a salt, and further, the crosslinked structure is formed by light. Functional groups in the terminal structure that can be formed form a crosslinked structure. Further, when heated at 100 ° C. to 180 ° C., an amine generated from the photobase generator reacts with a carboxyl group in the soluble polyimide (A) or a functional group in the terminal structure to form a crosslinked structure to form an alkali. It is possible to take a difference in solubility in the developer.

次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。
(可溶性ポリイミド合成例1)
窒素雰囲気下で500mlのセパラブルフラスコにて3,3’−ジカルボキシ−4,4’−ジアミノジフェニルメタン(和歌山精化社製)28.629g(0.1mol)、N−メチルピロリドン82.35g、γ−ブチロラクトン152.94gを撹拌した後、無水フタル酸(和光純薬社製)0.5925g(0.004mol)を添加し、室温で30分間撹拌した。リカシッドTDA−100(新日本理化社製)29.425g(0.098mol)を添加し、室温で2時間撹拌した。セパラブルフラスコに水分定量計と冷却管を設置し、トルエン40g、ピリジン3.64g、γ−バレロラクトン3.00gを添加し、反応温度を180℃に上昇し、還流させながら水分を除去し、3.5時間撹拌した。蒸留成分を除去しながらさらに2時間撹拌した後、室温まで冷却し、得られたポリイミド溶液を回収して可溶性ポリイミドワニス1とした。仕込み重量と回収重量より計算したポリイミド濃度は20重量%(ポリイミドに換算して100重量部)であった。なお、0.5g/dlのNMP溶液中での還元粘度は0.57であった。
Next, examples performed for clarifying the effects of the present invention will be described.
(Soluble polyimide synthesis example 1)
In a 500 ml separable flask under nitrogen atmosphere, 28.629 g (0.1 mol) of 3,3′-dicarboxy-4,4′-diaminodiphenylmethane (manufactured by Wakayama Seika Co., Ltd.), 82.35 g of N-methylpyrrolidone, After stirring γ-butyrolactone 152.94 g, 0.5925 g (0.004 mol) of phthalic anhydride (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added and stirred at room temperature for 30 minutes. 29.425 g (0.098 mol) of Ricacid TDA-100 (manufactured by Shin Nippon Chemical Co., Ltd.) was added and stirred at room temperature for 2 hours. A separable flask is equipped with a moisture meter and a condenser, 40 g of toluene, 3.64 g of pyridine, and 3.00 g of γ-valerolactone are added, the reaction temperature is increased to 180 ° C., and water is removed while refluxing. Stir for 3.5 hours. The mixture was further stirred for 2 hours while removing the distilled components, then cooled to room temperature, and the obtained polyimide solution was recovered to obtain a soluble polyimide varnish 1. The polyimide concentration calculated from the charged weight and the recovered weight was 20% by weight (100 parts by weight in terms of polyimide). The reduced viscosity in a 0.5 g / dl NMP solution was 0.57.

(可溶性ポリイミド合成例2)
合成例1の無水フタル酸の代わりに無水トリメリト酸(和光純薬社製)0.769g(0.004mol)を用いた以外は合成例1と同様に合成を行った。これを可溶性ポリイミドワニス2とした。仕込み重量と回収重量より計算したポリイミド濃度は20重量%(ポリイミドに換算して100重量部)であった。なお、0.5g/dlのNMP溶液中での還元粘度は0.54であった。
(Soluble polyimide synthesis example 2)
Synthesis was carried out in the same manner as in Synthesis Example 1 except that 0.769 g (0.004 mol) of trimellitic anhydride (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was used instead of phthalic anhydride of Synthesis Example 1. This was designated as soluble polyimide varnish 2. The polyimide concentration calculated from the charged weight and the recovered weight was 20% by weight (100 parts by weight in terms of polyimide). The reduced viscosity in a 0.5 g / dl NMP solution was 0.54.

(光塩基発生剤合成例1)
1,3−フェニレン二酢酸(和光純薬社製)19.47g(0.10mol)とアセトフェノンオキシム28.18g(0.21mol)をDMAc(ジメチルアセトアミド)に溶解し、縮合剤としてジシクロヘキシルカルボジイミドと1−ヒドロキシベンゾトリアゾールをアセトフェノンオキシムの1.05倍モル添加した。室温で撹拌した後、析出物をろ過により除去し、得られた反応液を水に滴下した。析出した油状物を回収し、シクロヘキサン−酢酸エチルで精製し析出物を回収した。回収した化合物を光塩基発生剤1とした。
(Photobase generator synthesis example 1)
19.47 g (0.10 mol) of 1,3-phenylenediacetic acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) and 28.18 g (0.21 mol) of acetophenone oxime are dissolved in DMAc (dimethylacetamide), and dicyclohexylcarbodiimide and 1 are used as a condensing agent. -Hydroxybenzotriazole was added in an amount of 1.05 mol of acetophenone oxime. After stirring at room temperature, the precipitate was removed by filtration, and the resulting reaction solution was added dropwise to water. The precipitated oil was collected and purified with cyclohexane-ethyl acetate to collect the precipitate. The recovered compound was designated as photobase generator 1.

(評価例)
下記表1に示す配合割合で配合を行い、スピンコーターでシリコン基板上にそれぞれ塗工し、100℃にて5分間脱溶剤を行い、基板上に約15μmのポリイミドフィルムを形成した。フィルムの膜厚は、表面形状測定装置DekTak6M(アルバック社製)を用い測定した。

Figure 2007086763
(Evaluation example)
Compounding was performed at the compounding ratio shown in Table 1 below, and each was coated on a silicon substrate with a spin coater, and the solvent was removed at 100 ° C. for 5 minutes to form a polyimide film of about 15 μm on the substrate. The film thickness of the film was measured using a surface shape measuring device DekTak6M (manufactured by ULVAC).
Figure 2007086763

(残膜率評価例)
シリコン基板の半分をマスクで遮光し、400Wの高圧水銀灯露光機HC−98(セン特殊光源杜製)を用いて露光を行った。露光後、ポストキュアをホットプレートにて180℃/3分で行い、室温に放置して冷却した後、アルカリ現像を行った。アルカリ現像は、2%NaOH水溶液に基板を浸漬し、マスクで遮光した未露光部が溶解するまで行った。現像した後水洗を行い、露光部の現像前の膜厚と現像後の膜厚より残膜率を算出した。その結果を下記表2に示す。表2において、残膜率が90%以上を◎とし、残膜率が80%以上を○とし、残膜率が50%以上を△とし、残膜率が50%未満を×とした。表2から分かるように、配合1、配合2のいずれの場合においても、残膜率が良好であった。

Figure 2007086763
(Example of remaining film rate evaluation)
Half of the silicon substrate was shielded with a mask and exposed using a 400 W high pressure mercury lamp exposure machine HC-98 (manufactured by Sen Special Light Source). After the exposure, post-cure was performed on a hot plate at 180 ° C./3 minutes, allowed to cool to room temperature, and then developed with alkali. Alkali development was performed until the substrate was immersed in a 2% NaOH aqueous solution and the unexposed portion shielded from light with a mask was dissolved. After the development, the film was washed with water, and the remaining film ratio was calculated from the film thickness before development and the film thickness after development in the exposed area. The results are shown in Table 2 below. In Table 2, the remaining film rate is 90% or more, ◎, the remaining film rate is 80% or more, ◯, the remaining film rate is 50% or more, and the remaining film rate is less than 50%. As can be seen from Table 2, the remaining film ratio was good in both cases of Formulation 1 and Formulation 2.
Figure 2007086763

また、露光量を3,000mJ/cm2とし、ポストキュアの温度を150℃〜180℃に低下した場合の残膜率を上記と同様にして調べた。その結果を下記表3に示す。表3において、残膜率が90%以上を◎とし、残膜率が80%以上を○とし、残膜率が50%以上を△とし、残膜率が50%未満を×とした。表3から分かるように、低温下での処理であっても、配合1、配合2のいずれの場合において残膜率が良好であった。

Figure 2007086763
Further, the residual film ratio when the exposure amount was 3,000 mJ / cm 2 and the post-cure temperature was lowered to 150 ° C. to 180 ° C. was examined in the same manner as described above. The results are shown in Table 3 below. In Table 3, the remaining film ratio is 90% or more, ◎, the remaining film ratio is 80% or more, ◯, the remaining film ratio is 50% or more, and the remaining film ratio is less than 50%. As can be seen from Table 3, the remaining film rate was good in both cases of Formulation 1 and Formulation 2 even when the treatment was performed at a low temperature.
Figure 2007086763

(パターンニング評価例)
これらの基板に対して、マスクアライナーMA−10(ミカサ株式会杜製)を用いて、高圧水銀灯でパターン露光を行った。露光は3,000mJ/cm2で行い、ポストキュアはホットプレートにて180℃/3分で行った。現像は室温に放置して冷却し、2%NaOH水溶液で浸漬法にて40℃で30秒間行った。
(Example of patterning evaluation)
These substrates were subjected to pattern exposure with a high-pressure mercury lamp using a mask aligner MA-10 (manufactured by Mikasa Co., Ltd.). Exposure was performed at 3,000 mJ / cm 2 , and post-cure was performed at 180 ° C./3 minutes on a hot plate. Development was allowed to cool at room temperature, and was performed at 40 ° C. for 30 seconds by immersion in a 2% aqueous NaOH solution.

配合1、配合2のいずれの場合においても、L/S(ライン/スペース)=50μm/50μmでネガ型のパターンが確認できた。これらの実施例が示すように、本発明によれば、150℃から180℃程度の低温の熱処理にてポリイミドを用いたネガ型のフォトリソグラフィーが可能である。   In both cases of Formulation 1 and Formulation 2, a negative pattern was confirmed with L / S (line / space) = 50 μm / 50 μm. As shown in these examples, according to the present invention, negative photolithography using polyimide is possible by heat treatment at a low temperature of about 150 ° C. to 180 ° C.

本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態における数値、物質、量、測定装置などについては、本発明の範囲を逸脱しない範囲で種々変更して実施することができる。   The present invention is not limited to the embodiment described above, and can be implemented with various modifications. For example, the numerical values, substances, amounts, measuring devices, and the like in the above embodiments can be variously changed and implemented without departing from the scope of the present invention.

本発明は、アルカリ現像可能な感光性カバーレイに適用することができる。   The present invention can be applied to a photosensitive coverlay capable of alkali development.

Claims (14)

式(1)で示される可溶性ポリイミド(A)と、光照射によりアミノ基を発生し得る光塩基発生剤(B)と、を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。
Figure 2007086763
(式中αは4価の有機基であり、βは少なくとも1以上のカルボキシル基を有する2価の有機基であり、aは4価の有機基であり、bは2価の有機基である。xは1以上の整数を表し、yは0以上の整数を表す)
A photosensitive resin composition comprising a soluble polyimide (A) represented by the formula (1) and a photobase generator (B) capable of generating an amino group by light irradiation.
Figure 2007086763
(Wherein α is a tetravalent organic group, β is a divalent organic group having at least one carboxyl group, a is a tetravalent organic group, and b is a divalent organic group. X represents an integer of 1 or more, and y represents an integer of 0 or more)
前記感光性樹脂組成物は、光照射及び/又は加熱により照射部と未照射部とで溶解度差及び/又は溶解速度差を生じ、アルカリ水溶液で現像が可能であるネガ型感光性樹脂組成物であることを特徴とする請求項1記載の感光性樹脂組成物。   The photosensitive resin composition is a negative photosensitive resin composition that can be developed with an alkaline aqueous solution by causing a difference in solubility and / or a difference in dissolution rate between an irradiated part and an unirradiated part by light irradiation and / or heating. The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the composition is a photosensitive resin composition. 前記光塩基発生剤(B)は、光照射により一分子から1以上4以下のアミノ基を発生し得る光塩基発生剤であることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の感光性樹脂組成物。   3. The photosensitive resin according to claim 1, wherein the photobase generator (B) is a photobase generator capable of generating 1 to 4 amino groups from one molecule by light irradiation. Composition. 前記光塩基発生剤(B)が式(2)で表されることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
Figure 2007086763
(式中有機基Dは1価以上4価以下の有機基であり、R1は2価の有機基、R2、R3はそれぞれ1価の有機基を示し、R2、R3の少なくとも一つは芳香族基を示す。mは0又は1であり、mが0のとき、前記Dの有機基は芳香族基でない。nは1以上4以下の整数であり、複数個のR1、R2、R3はそれぞれ同一でも異なっていても良い。)
The said photobase generator (B) is represented by Formula (2), The photosensitive resin composition in any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned.
Figure 2007086763
(In the formula, the organic group D is a monovalent to tetravalent organic group, R 1 is a divalent organic group, R 2 and R 3 are each a monovalent organic group, and at least R 2 and R 3 One represents an aromatic group, m is 0 or 1, and when m is 0, the organic group of D is not an aromatic group, n is an integer of 1 to 4, and a plurality of R 1 , R 2 and R 3 may be the same or different.
前記式(1)におけるbで示される2価の有機基がシロキサン骨格を有する2価の有機基であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。   The photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 4, wherein the divalent organic group represented by b in the formula (1) is a divalent organic group having a siloxane skeleton. . 前記可溶性ポリイミド(A)は、光照射のみにより、もしくは光照射及び加熱により架橋し得る官能基、又は光塩基発生剤(B)に由来するアミンの存在下で光照射のみにより、もしくは光照射及び加熱により架橋し得る官能基をもつ末端構造Wを有し得て、式(3)で示されることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
Figure 2007086763
(式中のα、β、a、b、x、yは式(1)と同じである。)
The soluble polyimide (A) can be crosslinked only by light irradiation or by light irradiation in the presence of a functional group that can be crosslinked by light irradiation and heating, or an amine derived from the photobase generator (B), or by light irradiation and The photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 5, which has a terminal structure W having a functional group capable of being crosslinked by heating, and is represented by the formula (3).
Figure 2007086763
(Α, β, a, b, x, and y in the formula are the same as those in the formula (1).)
前記感光性樹脂組成物は、さらに光増感剤(C)を含有することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。   The photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 6, wherein the photosensitive resin composition further contains a photosensitizer (C). 前記感光性樹脂組成物は、さらにアミド化触媒(D)を含有することを特徴とする請求項1から請求項7のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。   The photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 7, wherein the photosensitive resin composition further contains an amidation catalyst (D). 請求項1から請求項8のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を用いて、少なくとも配線を有する基材上に樹脂組成物層を形成する工程と、前記樹脂組成物層にパターン露光を行う工程と、前記パターン露光後の樹脂組成物層に対してアルカリ水溶液を用いて現像処理を行う工程と、を具備することを特徴とする回路基板の製造方法。   Using the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 8, a step of forming a resin composition layer on a substrate having at least wiring, and pattern exposure to the resin composition layer And a step of developing the resin composition layer after the pattern exposure using an alkaline aqueous solution. 請求項9記載の方法により得られたことを特徴とする回路基板。   A circuit board obtained by the method according to claim 9. 配線を有する基材と、前記配線を覆うように前記基材上に形成され、請求項1から請求項8のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を露光・現像することにより得られた物質で構成されたカバーレイと、を具備することを特徴とする回路基板。   A substrate obtained by exposing and developing the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 8, which is formed on the substrate so as to cover the wiring and a substrate having wiring. A circuit board comprising: a coverlay comprising: 請求項1から請求項8のいずれかに記載の感光性樹脂組成物で構成されたことを特徴とするフィルム。   A film comprising the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 8. キャリアフィルムと、前記キャリアフィルム上に設けられた請求項12記載のフィルムと、を具備することを特徴とする積層フィルム。   A laminated film comprising: a carrier film; and the film according to claim 12 provided on the carrier film. 前記フィルム上に形成されたカバーフィルムを具備することを特徴とする請求項13記載の積層フィルム。   The laminated film according to claim 13, further comprising a cover film formed on the film.
JP2006226864A 2005-08-24 2006-08-23 Photosensitive resin composition and circuit board using the same Expired - Fee Related JP4757741B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006226864A JP4757741B2 (en) 2005-08-24 2006-08-23 Photosensitive resin composition and circuit board using the same

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005243129 2005-08-24
JP2005243129 2005-08-24
JP2006226864A JP4757741B2 (en) 2005-08-24 2006-08-23 Photosensitive resin composition and circuit board using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007086763A true JP2007086763A (en) 2007-04-05
JP4757741B2 JP4757741B2 (en) 2011-08-24

Family

ID=37973745

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006226864A Expired - Fee Related JP4757741B2 (en) 2005-08-24 2006-08-23 Photosensitive resin composition and circuit board using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4757741B2 (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008003581A (en) * 2006-05-22 2008-01-10 Osaka Prefecture Univ Photosensitive resin composition and circuit board using same
JP2009283932A (en) * 2008-04-23 2009-12-03 Asahi Kasei E-Materials Corp Coverlay, and printed wiring board using it
JP2010185036A (en) * 2009-02-13 2010-08-26 Asahi Kasei E-Materials Corp Photobase-generating agent, photosensitive resin composition and circuit board using the same
JP2010185010A (en) * 2009-02-12 2010-08-26 Asahi Kasei E-Materials Corp Photobase-generating agent, light-sensitive resin composition and circuit board using the same
WO2014065398A1 (en) * 2012-10-26 2014-05-01 東京応化工業株式会社 Positive photosensitive resin composition, method for forming polyimide resin patterns, and patterned polyimide resin film
JP2015141303A (en) * 2014-01-28 2015-08-03 太陽インキ製造株式会社 Photosensitive thermosetting resin composition and flexible printed wiring board
CN105785713A (en) * 2015-01-13 2016-07-20 太阳控股株式会社 Photosensitive resin composition, dry film, cured product, electronic component or optical product and adhesive
WO2016147490A1 (en) * 2015-03-16 2016-09-22 太陽ホールディングス株式会社 Positive-tone photosensitive resin composition, dry film, cured product, and printed wiring board
WO2019009135A1 (en) * 2017-07-07 2019-01-10 東レ株式会社 Resin composition, laminate and manufacturing method thereof, electrode, secondary battery, and electric double layer capacitor

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5829821A (en) * 1981-08-17 1983-02-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Photosensitive polyimide resin and its production
JPH06148886A (en) * 1992-11-02 1994-05-27 Nitto Denko Corp Negative type photosensitive resin composition and negative pattern forming method
JPH06295063A (en) * 1993-04-09 1994-10-21 Toray Ind Inc Chemical ray-sensitive polymerizable composition
JP2004333672A (en) * 2003-05-02 2004-11-25 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Photosensitive resin composition and photosensitive dry film resist with favorable storage stability, and use method thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5829821A (en) * 1981-08-17 1983-02-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Photosensitive polyimide resin and its production
JPH06148886A (en) * 1992-11-02 1994-05-27 Nitto Denko Corp Negative type photosensitive resin composition and negative pattern forming method
JPH06295063A (en) * 1993-04-09 1994-10-21 Toray Ind Inc Chemical ray-sensitive polymerizable composition
JP2004333672A (en) * 2003-05-02 2004-11-25 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Photosensitive resin composition and photosensitive dry film resist with favorable storage stability, and use method thereof

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008003581A (en) * 2006-05-22 2008-01-10 Osaka Prefecture Univ Photosensitive resin composition and circuit board using same
JP2009283932A (en) * 2008-04-23 2009-12-03 Asahi Kasei E-Materials Corp Coverlay, and printed wiring board using it
JP2010185010A (en) * 2009-02-12 2010-08-26 Asahi Kasei E-Materials Corp Photobase-generating agent, light-sensitive resin composition and circuit board using the same
JP2010185036A (en) * 2009-02-13 2010-08-26 Asahi Kasei E-Materials Corp Photobase-generating agent, photosensitive resin composition and circuit board using the same
US9547239B2 (en) 2012-10-26 2017-01-17 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive photosensitive resin composition, method for forming polyimide resin patterns, and patterned polyimide resin film
WO2014065398A1 (en) * 2012-10-26 2014-05-01 東京応化工業株式会社 Positive photosensitive resin composition, method for forming polyimide resin patterns, and patterned polyimide resin film
JP2014085635A (en) * 2012-10-26 2014-05-12 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Positive photosensitive resin composition, method for forming polyimide resin pattern and patterned polyimide resin film
JP2015141303A (en) * 2014-01-28 2015-08-03 太陽インキ製造株式会社 Photosensitive thermosetting resin composition and flexible printed wiring board
CN105785713A (en) * 2015-01-13 2016-07-20 太阳控股株式会社 Photosensitive resin composition, dry film, cured product, electronic component or optical product and adhesive
JP2016130836A (en) * 2015-01-13 2016-07-21 太陽ホールディングス株式会社 Photosensitive resin composition, dry film and cured product of the same, electronic component or optical product containing cured product, and adhesive comprising photosensitive resin composition
CN107407875A (en) * 2015-03-16 2017-11-28 太阳控股株式会社 Positive type photosensitive organic compound, dry film, solidfied material and printed circuit board (PCB)
WO2016147490A1 (en) * 2015-03-16 2016-09-22 太陽ホールディングス株式会社 Positive-tone photosensitive resin composition, dry film, cured product, and printed wiring board
JPWO2016147490A1 (en) * 2015-03-16 2017-12-28 太陽ホールディングス株式会社 Positive photosensitive resin composition, dry film, cured product, and printed wiring board
CN107407875B (en) * 2015-03-16 2021-08-24 太阳控股株式会社 Positive photosensitive resin composition, dry film, cured product and printed wiring board
WO2019009135A1 (en) * 2017-07-07 2019-01-10 東レ株式会社 Resin composition, laminate and manufacturing method thereof, electrode, secondary battery, and electric double layer capacitor
CN110809607A (en) * 2017-07-07 2020-02-18 东丽株式会社 Resin composition, laminate, method for producing same, electrode, secondary battery, and electric double layer capacitor
JPWO2019009135A1 (en) * 2017-07-07 2020-05-07 東レ株式会社 Resin composition, laminate and method for producing the same, electrode, secondary battery and electric double layer capacitor
CN110809607B (en) * 2017-07-07 2022-05-17 东丽株式会社 Resin composition, laminate, method for producing same, electrode, secondary battery, and electric double layer capacitor
JP7092029B2 (en) 2017-07-07 2022-06-28 東レ株式会社 Resin composition, laminate and its manufacturing method, electrodes, secondary batteries and electric double layer capacitors
TWI783002B (en) * 2017-07-07 2022-11-11 日商東麗股份有限公司 Resin composition, laminate and manufacturing method thereof, electrode, secondary battery and electric double layer capacitor

Also Published As

Publication number Publication date
JP4757741B2 (en) 2011-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4757741B2 (en) Photosensitive resin composition and circuit board using the same
JP5747431B2 (en) Photosensitive resin composition, pattern forming material comprising the photosensitive resin composition, pattern forming method, article using the photosensitive resin composition, and base generator
JP4930883B2 (en) Photosensitive resin composition and circuit board using the same
TWI633084B (en) Tetracarboxylic acid diester compound, polyimide precursor polymer and method for producing the same, negative photosensitive resin composition, patterning process, and method for forming cured film
WO2009123122A1 (en) Base-generating agent, photosensitive resin composition, pattern-forming material comprising the photosensitive resin composition, pattern formation method using the photosensitive resin composition, and article
JP4997806B2 (en) Photosensitive resin composition, article, and negative pattern forming method
JP5644274B2 (en) Base generator, photosensitive resin composition, pattern forming material comprising the photosensitive resin composition, pattern forming method and article using the photosensitive resin composition
JPH10307393A (en) Photosensitive composition
JPWO2009028208A1 (en) Negative photosensitive material and circuit board
JP2008003582A (en) Photosensitive resin composition and circuit substrate using same
JP2524240B2 (en) Positive photosensitive polyamideimide composition
JP7154184B2 (en) Positive type photosensitive resin composition, pattern forming method, cured film forming method, interlayer insulating film, surface protective film, and electronic component
JP4058788B2 (en) Photosensitive heat resistant resin precursor composition
TWI696893B (en) Positive photosensitive resin composition, dry film, hardened material and printed wiring board
JP2011089119A (en) Base generating agent, photosensitive resin composition, pattern-forming material comprising the photosensitive resin composition, method for forming pattern and article using the photosensitive resin composition
JP5515560B2 (en) Photosensitive resin composition, pattern forming material comprising the photosensitive resin composition, pattern forming method, article using the photosensitive resin composition, and photolatent resin curing accelerator
JP6240471B2 (en) Reaction development image forming method
JP2007249017A (en) Photosensitive resin composition, article and negative pattern forming method
JP2002356555A (en) Polyimide precurser and photosensitive resin composition using it
JPH05339373A (en) Heat-resistant photosensitive material
JP6138943B2 (en) Photosensitive resin composition, relief pattern film thereof, method for producing relief pattern film, electronic component or optical product including relief pattern film, and adhesive including photosensitive resin composition
JP5598031B2 (en) Base generator, photosensitive resin composition, pattern forming material comprising the photosensitive resin composition, pattern forming method and article using the photosensitive resin composition
JP3990906B2 (en) Novel photosensitive resin composition and pattern production method using the same
JP3363580B2 (en) Method for producing photosensitive resin composition and relief pattern
CN108700805B (en) Photosensitive resin composition, dry film, cured product, printed wiring board, and photobase generator

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20090401

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090422

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090422

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090817

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110518

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110531

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110601

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4757741

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140610

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees