JP4997806B2 - Photosensitive resin composition, article, and negative pattern forming method - Google Patents

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Description

本発明は、解像性に優れ、低コストで、高分子前駆体の構造上適用可能な選択肢の範囲が広い感光性樹脂組成物に関し、特に、電磁波によるパターニング工程を経て形成される製品又は部材の材料(例えば、電子部品、光学製品、光学部品の成形材料、層形成材料又は接着剤など)として好適に利用することが出来る高分子前駆体樹脂組成物、及び、当該樹脂組成物を用いて作製した物品に関するものである。
さらには、解像性に優れ、低コストで、ポリイミド前駆体又はポリベンゾオキサゾール前駆体の構造上適用可能な選択肢の範囲が広い感光性樹脂組成物に関し、特に、電磁波によるパターニング工程を経て形成される製品又は部材の材料(例えば、電子部品、光学製品、光学部品の成形材料、層形成材料又は接着剤など)として好適に利用することが出来るポリイミド又はポリベンゾオキサゾールの前駆体樹脂組成物、及び、当該樹脂組成物を用いて作製した物品に関するものである。
The present invention relates to a photosensitive resin composition having excellent resolution, low cost, and a wide range of options applicable to the structure of a polymer precursor, and in particular, a product or member formed through a patterning step using electromagnetic waves. A polymer precursor resin composition that can be suitably used as a material (for example, an electronic component, an optical product, a molding material of an optical component, a layer forming material, or an adhesive), and the resin composition It relates to the manufactured article.
Furthermore, the present invention relates to a photosensitive resin composition having excellent resolution, low cost, and a wide range of options applicable to the structure of a polyimide precursor or polybenzoxazole precursor, and is particularly formed through a patterning process using electromagnetic waves. A precursor resin composition of polyimide or polybenzoxazole which can be suitably used as a material of a product or member (for example, an electronic component, an optical product, a molding material of an optical component, a layer forming material or an adhesive), and The present invention relates to an article produced using the resin composition.

従来から、半導体素子の表面保護膜や層間絶縁膜、電子部品の絶縁材料として、耐熱性、電気特性、機械特性に優れたポリイミド樹脂が使用されてきた(非特許文献1)。
さらに、近年、ポリイミドの有する課題を解決する為に、類似の加工工程を適用され、低吸水性で低誘電率を示すポリベンゾオキサゾールや、基板との密着性に優れるポリベンゾイミダゾール等も精力的に研究されている。
Conventionally, a polyimide resin having excellent heat resistance, electrical characteristics, and mechanical characteristics has been used as a surface protective film for semiconductor elements, an interlayer insulating film, and an insulating material for electronic components (Non-patent Document 1).
Furthermore, in recent years, polybenzoxazole, which has a similar processing process applied to solve the problems of polyimide and has low water absorption and low dielectric constant, and polybenzimidazole with excellent adhesion to the substrate, etc. are also energetic. Has been studied.

また、半導体集積回路やプリント基板上の回路パターン形成は、素材表面へのレジスト剤の造膜、所定箇所への露光、エッチング等による不要箇所の除去、基板表面の洗浄作業等の煩雑で多岐に亘る工程を経て行われることから、回路パターンの製造工程を簡略化するために、露光、現像によるパターン形成後も必要な部分のレジストを絶縁材料としてそのまま残して用いることができる耐熱感光性材料が望まれている。これらの材料として、ポリイミドをベースポリマーとした耐熱感光性材料が提案されている。   In addition, circuit pattern formation on semiconductor integrated circuits and printed circuit boards is complicated and diverse, such as the formation of a resist agent on the surface of the material, exposure to predetermined locations, removal of unnecessary portions by etching, etc., and cleaning of the substrate surface. In order to simplify the circuit pattern manufacturing process, a heat-resistant photosensitive material that can be used by leaving a necessary portion of the resist as an insulating material after pattern formation by exposure and development is used to simplify the circuit pattern manufacturing process. It is desired. As these materials, heat-resistant photosensitive materials using polyimide as a base polymer have been proposed.

このような感光性ポリイミドとしては、例えば、特許文献1において、ポリイミド前駆体と重クロム酸塩からなる系が最初に提案された。しかしながら、この材料は、実用的な光感度を有するとともに膜形成能が高いなどの長所を有する反面、保存安定性に欠け、またポリイミド中にクロムイオンが残存することなどの欠点があり、実用には至らなかった。さらに、特許文献2には、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸に感光性基をエステル結合で導入した化合物が、特許文献3には、ポリイミド前駆体にメタクリロイル基を持つアミン化合物をポリアミック酸に添加し、アミノ基とカルボキシル基をイオン結合させた化合物が紹介されている。しかしながら、エステル結合に代表される共有結合型感光性ポリイミドは、合成プロセスが煩雑であり、コストが嵩む点が問題点として挙げられる。また、イオン結合型感光性ポリイミドは、ポリイミド骨格と感光性基の結合力が小さく、露光部も溶解されることから残膜率が低下し、厚膜化が困難である点が問題点として挙げられる(非特許文献2)。また、これらの化合物の多くは、有機溶剤現像性のものであり、コスト面および環境負荷面を鑑みると、アルカリ水溶液により現像可能な化合物の方が望ましい。   As such photosensitive polyimide, for example, in Patent Document 1, a system composed of a polyimide precursor and dichromate was first proposed. However, this material has practical advantages such as high photosensitivity and high film forming ability, but lacks storage stability and has the disadvantage that chromium ions remain in polyimide. Did not come. Furthermore, in Patent Document 2, a compound in which a photosensitive group is introduced into a polyamic acid which is a polyimide precursor by an ester bond, and in Patent Document 3, an amine compound having a methacryloyl group is added to a polyamic acid in a polyimide precursor. A compound in which an amino group and a carboxyl group are ion-bonded has been introduced. However, the covalent bond type photosensitive polyimide represented by the ester bond has a problem in that the synthesis process is complicated and the cost is increased. In addition, the ion-bonded photosensitive polyimide has a problem that the bonding force between the polyimide skeleton and the photosensitive group is small and the exposed part is dissolved, so that the remaining film ratio is lowered and it is difficult to increase the film thickness. (Non-Patent Document 2). Many of these compounds are organic solvent developable, and in view of cost and environmental burden, compounds that can be developed with an alkaline aqueous solution are more desirable.

このようなポリイミド前駆体やポリベンゾオキサゾール前駆体等の高分子前駆体は、耐熱性、機械特性に優れるように芳香族系モノマーを基本骨格に用いている。一般的に、芳香族環を基本骨格に有するポリイミド前駆体のような高分子前駆体は、波長450nm以下の紫外−可視領域、特にi線(波長:365nm)領域に広い吸収帯を有していることから、紫外−可視光照射時において、透光性が低いため露光部において光化学反応が十分に進行せず、低感度であったり、パターンの形状が悪化するという問題があった。耐熱感光性材料の適用範囲が広がるにつれ、材料要求は多種多様のものになってきており、感光性ポリイミドに厚膜形成能が求められている。形成パターンが厚膜の場合においては、光透過性が低い問題はさらに深刻になる。そのため、膜物性および感度の面において共に優れた耐熱性感光性樹脂を実現するためには、g線(波長:436nm)、h線(波長:405nm)領域に、光反応活性を有する感光性システムの構築が必要不可欠である。   Such polymer precursors such as polyimide precursors and polybenzoxazole precursors use an aromatic monomer as a basic skeleton so as to be excellent in heat resistance and mechanical properties. In general, a polymer precursor such as a polyimide precursor having an aromatic ring as a basic skeleton has a wide absorption band in the ultraviolet-visible region of wavelength 450 nm or less, particularly in the i-line (wavelength: 365 nm) region. Therefore, when UV-visible light is irradiated, there is a problem that the photochemical reaction does not proceed sufficiently in the exposed area due to low translucency, resulting in low sensitivity and deterioration of the pattern shape. As the application range of heat-resistant photosensitive materials widens, material requirements are becoming increasingly diverse, and a thick film forming ability is required for photosensitive polyimide. When the formation pattern is a thick film, the problem of low light transmission becomes more serious. Therefore, a photosensitive system having photoreactive activity in the g-line (wavelength: 436 nm) and h-line (wavelength: 405 nm) region in order to realize a heat-resistant photosensitive resin excellent in both film properties and sensitivity. Construction of is indispensable.

近年、新しいパターン形成材料の1つとして、光塩基発生剤が注目されている。しかしながら、既存の光塩基発生剤をポリイミド前駆体やポリベンゾオキサゾール前駆体等の系に適用するには吸収波長の点に問題があった。すなわち、既存の光塩基発生剤は400nm以下に吸収波長を持つものが多く、光反応によるイミド化促進剤としてポリイミド前駆体やポリベンゾオキサゾール前駆体に添加すると、ポリイミド前駆体やポリベンゾオキサゾール前駆体と光塩基発生剤の吸収波長が重なることから感度面で問題が生じる。そのため、耐熱性、機械特性および、感度の面において、共に優れた耐熱性感光性樹脂を実現するために、400nm以上の波長領域、例えばg線(波長:436nm)、h線(波長:405nm)領域に、光反応活性を有する塩基発生剤が求められている。   In recent years, photobase generators have attracted attention as one of new pattern forming materials. However, in order to apply an existing photobase generator to a system such as a polyimide precursor or a polybenzoxazole precursor, there is a problem in the absorption wavelength. That is, many existing photobase generators have an absorption wavelength of 400 nm or less, and when added to a polyimide precursor or polybenzoxazole precursor as an imidization accelerator by photoreaction, a polyimide precursor or polybenzoxazole precursor Since the absorption wavelength of the photobase generator overlaps, a problem arises in terms of sensitivity. Therefore, in order to realize a heat-resistant photosensitive resin that is excellent in terms of heat resistance, mechanical properties, and sensitivity, a wavelength region of 400 nm or more, such as g-line (wavelength: 436 nm), h-line (wavelength: 405 nm) There is a need for a base generator having photoreactive activity in the region.

特公昭49−17374号公報Japanese Patent Publication No.49-17374 特公昭55−30207号公報Japanese Patent Publication No.55-30207 特開昭54−145794号公報JP 54-145794 A 「最新ポリイミド〜基礎と応用」,株式会社エヌー・ティー・エス,2002年,p.327〜338“Latest Polyimide: Fundamentals and Applications”, ENTS, 2002, p. 327-338 「電子部品用高分子材料の最新動向III」,株式会社住ベテクノリサーチ, 2004年,p.36〜39“Latest Trends in Polymer Materials for Electronic Components III”, Sumibe Techno Research, 2004, p. 36-39

本発明は、上記実情を鑑みて成し遂げられたものであり、その主目的は、高感度で、高分子前駆体の種類を問わず大きな溶解性コントラストを得られ、結果的に、十分なプロセスマージンを保ちつつ、形状が良好なパターンを得ることができる感光性樹脂組成物を提供することにある。   The present invention has been achieved in view of the above circumstances, and its main purpose is to provide a high sensitivity and a large solubility contrast regardless of the type of the polymer precursor, resulting in a sufficient process margin. It is in providing the photosensitive resin composition which can obtain a pattern with a favorable shape, keeping it.

本発明に係る感光性樹脂組成物は、下記式(1)で表わされるカルボン酸とアミンとの塩からなる光塩基発生剤、及び高分子前駆体を含有し、前記高分子前駆体はそれ自体が塩基性物質の作用によって最終生成物への反応が促進されるものであることを特徴とする。 The photosensitive resin composition according to the present invention contains a photobase generator composed of a salt of a carboxylic acid and an amine represented by the following formula (1), and a polymer precursor, and the polymer precursor itself Is characterized in that the reaction to the final product is promoted by the action of a basic substance .

Figure 0004997806
(式中、X、Xは独立に酸素原子もしくは硫黄原子を示す。R〜Rは独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、メルカプト基、ニトロ基、シリル基、シラノール基、もしくは1価の有機基を示す。R10、R11、R12は水素原子、もしくは1価の有機基を示す。但し、R10、R11、R12の少なくとも1つは、1価の有機基である。)
Figure 0004997806
(In the formula, X 1 and X 2 independently represent an oxygen atom or a sulfur atom. R 1 to R 9 independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a nitro group, a silyl group, a silanol group, or R 10 , R 11 and R 12 each represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, provided that at least one of R 10 , R 11 and R 12 is a monovalent organic group. .)

上記式(1)で表わされるようなカルボン酸とアミンとの塩は、電磁波を照射するとカルボン酸の光脱炭酸反応によって塩の状態を維持できなくなり、塩基性物質であるアミンを発生させるので、塩基の作用によって最終生成物への反応が促進される高分子前駆体、例えばポリイミド前駆体等に対して、非常に有効な感光性成分として作用する。
特に上記式(1)で表わされるようなカルボン酸とアミンとの塩は、400nm以上の波長領域において光反応活性を有する光塩基発生剤として機能するため、i線(波長:365nm)領域に広い吸収帯を有している芳香族環を基本骨格に有するポリイミド前駆体のような高分子前駆体に対しても、紫外−可視光照射時において、g線(波長:436nm)もしくはh線(波長:405nm)の少なくともいずれか一方の波長領域の光を用いることにより露光部において光化学反応を十分に進行させることが可能となり、高感度な感光性樹脂組成物を達成することができる。
本発明によれば、上記式(1)で表わされるようなカルボン酸とアミンとの塩が高感度の光塩基発生剤として機能するため、感光性樹脂組成物の塗膜又は成形体上の電磁波照射部位と非照射部位の間での溶解性差を大きくでき、結果的に、十分なプロセスマージンを保ちつつ、形状が良好なパターンを得ることができる。
The salt of carboxylic acid and amine represented by the above formula (1) cannot maintain the salt state by photodecarboxylation reaction of carboxylic acid when irradiated with electromagnetic waves, and generates an amine that is a basic substance. It acts as a very effective photosensitive component for a polymer precursor whose reaction to the final product is promoted by the action of a base, such as a polyimide precursor.
In particular, a salt of a carboxylic acid and an amine represented by the above formula (1) functions as a photobase generator having a photoreactive activity in a wavelength region of 400 nm or more, and thus has a wide i-line (wavelength: 365 nm) region. Also for a polymer precursor such as a polyimide precursor having an aromatic ring having an absorption band as a basic skeleton, when irradiated with ultraviolet-visible light, g-line (wavelength: 436 nm) or h-line (wavelength) : 405 nm) by using light in at least one of the wavelength regions, the photochemical reaction can be sufficiently advanced in the exposed portion, and a highly sensitive photosensitive resin composition can be achieved.
According to the present invention, since a salt of a carboxylic acid and an amine represented by the above formula (1) functions as a highly sensitive photobase generator, the electromagnetic wave on the coating film or molded body of the photosensitive resin composition The solubility difference between the irradiated part and the non-irradiated part can be increased, and as a result, a pattern having a good shape can be obtained while maintaining a sufficient process margin.

本発明の感光性樹脂組成物に用いられる高分子前駆体としては、それ自体が塩基性物質の作用によって最終生成物への反応が促進される化合物、中でも、それ自体が塩基性物質の作用によって最終生成物への反応が促進され、且つ加熱により溶解性が変化する化合物が好適に用いられる。   The polymer precursor used in the photosensitive resin composition of the present invention is a compound that itself promotes the reaction to the final product by the action of a basic substance. A compound whose reaction to the final product is accelerated and whose solubility is changed by heating is preferably used.

本発明の感光性樹脂組成物においては、前記カルボン酸とアミンとの塩に用いられるアミンは、塩基性の高いアミンを用いる観点から、脂肪族アミンであることが好ましい。   In the photosensitive resin composition of the present invention, the amine used for the salt of the carboxylic acid and the amine is preferably an aliphatic amine from the viewpoint of using a highly basic amine.

また、本発明の感光性樹脂組成物においては、前記カルボン酸とアミンとの塩が、400nm以上の波長の電磁波の吸収を有することが好ましい。一般的な露光光源である高圧水銀灯の代表的な発光波長は、436nm、405nm、365nmであり、且つ、本発明に用いられる高分子前駆体は、400nm未満の波長領域に吸収を有する場合が多い為、400nm以上の波長の電磁波の吸収を有する場合には、高分子前駆体と光塩基発生剤の吸収波長が重なることなく、感光性樹脂組成物の感度を向上することが可能になるからである。   Moreover, in the photosensitive resin composition of this invention, it is preferable that the said salt of carboxylic acid and amine has absorption of the electromagnetic waves with a wavelength of 400 nm or more. Typical emission wavelengths of a high-pressure mercury lamp, which is a general exposure light source, are 436 nm, 405 nm, and 365 nm, and the polymer precursor used in the present invention often has absorption in a wavelength region of less than 400 nm. Therefore, in the case of absorption of electromagnetic waves having a wavelength of 400 nm or more, it is possible to improve the sensitivity of the photosensitive resin composition without overlapping the absorption wavelengths of the polymer precursor and the photobase generator. is there.

本発明の一実施形態においては、感光性樹脂組成物に増感剤を添加することにより、照射感度を向上させることができる。   In one embodiment of the present invention, irradiation sensitivity can be improved by adding a sensitizer to the photosensitive resin composition.

本発明の一実施形態においては、感光性樹脂組成物の高分子前駆体として、ポリアミック酸のようなポリイミド前駆体、又は、ポリベンゾオキサゾール前駆体を用いることができる。このような高分子前駆体を用いると、耐熱性及び機械特性に優れた感光性樹脂組成物を得ることができる。
本発明によれば、従来、露光部と未露光部の間で溶解性のコントラストを取りにくかったポリイミド前駆体又はポリベンゾオキサゾール前駆体についても、溶解阻害剤、溶解抑制剤の適用なしで良好なパターン形状を得ることができる。
In one embodiment of the present invention, a polyimide precursor such as polyamic acid or a polybenzoxazole precursor can be used as the polymer precursor of the photosensitive resin composition. When such a polymer precursor is used, a photosensitive resin composition excellent in heat resistance and mechanical properties can be obtained.
According to the present invention, a polyimide precursor or a polybenzoxazole precursor, which has conventionally had difficulty in obtaining a solubility contrast between an exposed area and an unexposed area, can be obtained without application of a dissolution inhibitor or a dissolution inhibitor. A pattern shape can be obtained.

さらに本発明は、上記感光性樹脂組成物を用いるネガ型パターン形成方法を提供するものでもある。本発明に係るネガ型パターン形成方法は、上記感光性樹脂組成物からなる塗膜又は成形体の表面に、所定のパターン状に電磁波を照射し、必要に応じて後処理(通常は、加熱処理)を行って前記塗膜又は成形体の電磁波照射部位の溶解性を選択的に低下させた後、当該溶解性が低下する溶媒を現像液として用いて現像することを特徴とする。
上記ネガ型パターン形成方法においては、高分子前駆体と、光塩基発生剤として上記式(1)で表わされるようなカルボン酸とアミンとの塩とを組み合わせて用いることにより、感光性樹脂組成物からなる塗膜又は成形体の表面を現像液から保護するためのレジスト膜を用いずに、現像を行うネガ型パターン形成が可能である。
Furthermore, this invention also provides the negative pattern formation method using the said photosensitive resin composition. The negative pattern forming method according to the present invention irradiates the surface of a coating film or molded body made of the photosensitive resin composition with an electromagnetic wave in a predetermined pattern, and performs post-treatment (usually heat treatment) as necessary. ) To selectively reduce the solubility of the coating film or the electromagnetic wave irradiation site of the molded article, and then develop using a solvent that reduces the solubility as a developer.
In the negative pattern forming method, a photosensitive resin composition is used by combining a polymer precursor and a salt of a carboxylic acid and an amine represented by the above formula (1) as a photobase generator. The negative pattern formation which develops is possible, without using the resist film for protecting the coating film which consists of, or the surface of a molded object from a developing solution.

以上に述べたように、本発明によれば、高分子前駆体に添加剤を混合するという簡便な手法で、感光性樹脂組成物を調製し用いることができる。本発明に係る感光性樹脂組成物に含まれる上記式(1)で表されるカルボン酸とアミンとの塩は、電磁波の吸収に伴う脱炭酸反応により塩基性化合物を遊離する光塩基発生剤として機能し、塩基が触媒として作用する反応を有する種々の高分子前駆体に適用することができる。従って、本発明に係る感光性樹脂組成物は、パターン形成プロセスに制限を受けることなく、最終的な高分子の構造を広範囲から選択することができる。
またさらに、本発明に係る感光性樹脂組成物は、高分子前駆体として、種々の用途へ応用展開されているポリイミド前駆体又はポリベンゾオキサゾール前駆体を適用することで、より幅広い用途に適用可能で、耐熱性、機械特性に優れる感光性ポリイミド樹脂組成物又は感光性ポリベンゾオキサゾール樹脂組成物として利用できる。
特に、上記式(1)で表されるカルボン酸とアミンとの塩は、400nm以上の波長領域に光反応活性を有する。そのため、i線(波長:365nm)領域に強い吸収を持つ一般的なポリアミド酸においても、g線(波長:436nm)、h線(波長:405nm)の少なくともいずれか一方の領域の光を用いることにより、効率的に露光を行うことが可能であり、感度面の向上ならびに厚膜化に大きな効果を発揮する。
本発明によれば、従来、露光部と未露光部の間で溶解性のコントラストを取りにくかったポリイミド前駆体又はポリベンゾオキサゾール前駆体についても、溶解阻害剤、溶解抑制剤の適用なしで良好なパターン形状を得ることができる。
As described above, according to the present invention, a photosensitive resin composition can be prepared and used by a simple method of mixing an additive with a polymer precursor. The salt of carboxylic acid and amine represented by the above formula (1) contained in the photosensitive resin composition according to the present invention is a photobase generator that liberates a basic compound by decarboxylation accompanying absorption of electromagnetic waves. It can be applied to various polymer precursors that function and have a reaction in which a base acts as a catalyst. Therefore, the photosensitive resin composition according to the present invention can select a final polymer structure from a wide range without being limited by the pattern formation process.
Furthermore, the photosensitive resin composition according to the present invention can be applied to a wider range of applications by applying a polyimide precursor or a polybenzoxazole precursor that has been applied to various applications as a polymer precursor. Therefore, it can be used as a photosensitive polyimide resin composition or a photosensitive polybenzoxazole resin composition having excellent heat resistance and mechanical properties.
In particular, the salt of carboxylic acid and amine represented by the above formula (1) has a photoreactive activity in a wavelength region of 400 nm or more. Therefore, even in general polyamic acid having strong absorption in the i-line (wavelength: 365 nm) region, light in at least one of the g-line (wavelength: 436 nm) and h-line (wavelength: 405 nm) should be used. Therefore, it is possible to perform the exposure efficiently, and it exerts a great effect in improving the sensitivity and increasing the thickness.
According to the present invention, a polyimide precursor or a polybenzoxazole precursor, which has conventionally had difficulty in obtaining a solubility contrast between an exposed area and an unexposed area, can be obtained without application of a dissolution inhibitor or a dissolution inhibitor. A pattern shape can be obtained.

また、上記本発明に係る感光性高分子前駆体樹脂組成物は、広範な構造の高分子前駆体を選択できる為、それによって得られる高分子は、耐熱性、寸法安定性、絶縁性等の機能を付与することが可能であることから、これら高分子が適用されている公知の全ての部材用のフィルムや塗膜として好適である。
特に、本発明に係る感光性樹脂組成物は、主にパターン形成材料(レジスト)として用いられ、それによって形成されたパターンは、永久膜として耐熱性や絶縁性を付与する成分として機能し、例えば、カラーフィルター、フレキシブルディスプレー用フィルム、半導体装置、電子部品、層間絶縁膜、配線被覆膜、光回路、光回路部品、反射防止膜、その他の光学部材、又は建築材料を形成するのに適している。
加えて、上記高分子前駆体樹脂組成物の1形態である感光性ポリイミド前駆体樹脂組成物、及び感光性ポリベンゾオキサゾール前駆体樹脂組成物は、広範な構造のポリイミド又はポリベンゾオキサゾールの前駆体を選択できる為、それによって得られる硬化物は、耐熱性、寸法安定性、絶縁性等のポリイミド及びポリベンゾオキサゾールが特徴的に有する機能を付与することが可能であることから、ポリイミド及びポリベンゾオキサゾールが適用されている公知の全ての部材用のフィルム、塗膜又は3次元構造物として好適である。
Moreover, since the photosensitive polymer precursor resin composition according to the present invention can select a polymer precursor having a wide range of structures, the polymer obtained thereby has heat resistance, dimensional stability, insulating properties, etc. Since the function can be imparted, it is suitable as a film or coating film for all known members to which these polymers are applied.
In particular, the photosensitive resin composition according to the present invention is mainly used as a pattern forming material (resist), and the pattern formed thereby functions as a component imparting heat resistance and insulation as a permanent film, for example, Suitable for forming color filters, flexible display films, semiconductor devices, electronic components, interlayer insulation films, wiring coating films, optical circuits, optical circuit components, antireflection films, other optical components, or building materials Yes.
In addition, a photosensitive polyimide precursor resin composition, which is one form of the polymer precursor resin composition, and a photosensitive polybenzoxazole precursor resin composition are polyimide or polybenzoxazole precursors having a wide range of structures. Therefore, the cured product obtained can be imparted with functions characteristic of polyimide and polybenzoxazole, such as heat resistance, dimensional stability, and insulation properties. It is suitable as a film, coating film or three-dimensional structure for all known members to which oxazole is applied.

以下、本発明について詳しく説明する。
なお、本発明において(メタ)アクリロイルとは、アクリロイル及び/又はメタクリロイルであることを意味し、(メタ)アクリルとは、アクリル及び/又はメタクリルであることを意味し、(メタ)アクリレートとは、アクリレート又はメタクリレートのいずれであっても良いことを意味する。
また、本発明において、カルボン酸とアミンとの塩の脱炭酸反応を引き起こす電磁波とは、脱炭酸反応を引き起こすことが可能なものであればよく、可視及び非可視領域の波長の電磁波だけでなく、電子線のような粒子線、及び、電磁波と粒子線を総称する放射線又は電離放射線が含まれる。
The present invention will be described in detail below.
In the present invention, (meth) acryloyl means acryloyl and / or methacryloyl, (meth) acryl means acryl and / or methacryl, and (meth) acrylate means It means that either acrylate or methacrylate may be used.
Further, in the present invention, the electromagnetic wave causing the decarboxylation reaction of the salt of carboxylic acid and amine is not limited as long as it can cause the decarboxylation reaction, and not only the electromagnetic waves having wavelengths in the visible and invisible regions. , A particle beam such as an electron beam, and radiation or ionizing radiation collectively referring to electromagnetic waves and particle beams.

本発明に係る感光性樹脂組成物は、下記式(1)で表わされるカルボン酸とアミンとの塩、及び高分子前駆体を含有することを特徴とする。   The photosensitive resin composition according to the present invention is characterized by containing a salt of a carboxylic acid and an amine represented by the following formula (1) and a polymer precursor.

Figure 0004997806
(式中、X、Xは独立に酸素原子もしくは硫黄原子を示す。R〜Rは独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、メルカプト基、ニトロ基、シリル基、シラノール基、もしくは1価の有機基を示す。R10、R11、R12は水素原子、もしくは1価の有機基を示す。但し、R10、R11、R12の少なくとも1つは、1価の有機基である。)
Figure 0004997806
(In the formula, X 1 and X 2 independently represent an oxygen atom or a sulfur atom. R 1 to R 9 independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a nitro group, a silyl group, a silanol group, or R 10 , R 11 and R 12 each represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, provided that at least one of R 10 , R 11 and R 12 is a monovalent organic group. .)

上記式(1)で表わされるようなカルボン酸とアミンとの塩は、電磁波を照射するとカルボン酸の光脱炭酸反応によって塩の状態を維持できなくなり、塩基性物質であるアミンを発生させるので、塩基の作用によって最終生成物への反応が促進される高分子前駆体、例えばポリイミド前駆体等に対して、非常に有効な感光性成分として作用する。
特に上記式(1)で表わされるようなカルボン酸とアミンとの塩は、400nm以上の波長領域において光反応活性を有する光塩基発生剤として機能するため、i線(波長:365nm)領域に広い吸収帯を有している芳香族環を基本骨格に有するポリイミド前駆体のような高分子前駆体に対しても、紫外−可視光照射時において、g線(波長:436nm)もしくはh線(波長:405nm)の少なくともいずれか一方の波長領域の光を用いることにより露光部において光化学反応を十分に進行させることが可能となり、高感度な感光性樹脂組成物を達成することができる。
本発明によれば、上記式(1)で表わされるようなカルボン酸とアミンとの塩が高感度の光塩基発生剤として機能するため、感光性樹脂組成物の塗膜又は成形体上の電磁波照射部位と非照射部位の間での溶解性差を大きくでき、結果的に、十分なプロセスマージンを保ちつつ、形状が良好なパターンを得ることができる。
The salt of carboxylic acid and amine represented by the above formula (1) cannot maintain the salt state by photodecarboxylation reaction of carboxylic acid when irradiated with electromagnetic waves, and generates an amine that is a basic substance. It acts as a very effective photosensitive component for a polymer precursor whose reaction to the final product is promoted by the action of a base, such as a polyimide precursor.
In particular, a salt of a carboxylic acid and an amine represented by the above formula (1) functions as a photobase generator having a photoreactive activity in a wavelength region of 400 nm or more, and thus has a wide i-line (wavelength: 365 nm) region. Also for a polymer precursor such as a polyimide precursor having an aromatic ring having an absorption band as a basic skeleton, when irradiated with ultraviolet-visible light, g-line (wavelength: 436 nm) or h-line (wavelength) : 405 nm) by using light in at least one of the wavelength regions, the photochemical reaction can be sufficiently advanced in the exposed portion, and a highly sensitive photosensitive resin composition can be achieved.
According to the present invention, since a salt of a carboxylic acid and an amine represented by the above formula (1) functions as a highly sensitive photobase generator, the electromagnetic wave on the coating film or molded body of the photosensitive resin composition The solubility difference between the irradiated part and the non-irradiated part can be increased, and as a result, a pattern having a good shape can be obtained while maintaining a sufficient process margin.

まず、上記式(1)で表されるカルボン酸とアミンとの塩について説明する。
この化合物は、キサントン環もしくはチオキサントン環を有するカルボン酸と、アミン化合物からなる。
キサントン環もしくはチオキサントン環を有するカルボン酸は一般式(2)で表される。
First, the salt of carboxylic acid and amine represented by the above formula (1) will be described.
This compound comprises a carboxylic acid having a xanthone ring or a thioxanthone ring and an amine compound.
The carboxylic acid having a xanthone ring or thioxanthone ring is represented by the general formula (2).

Figure 0004997806
Figure 0004997806

、Xは独立に酸素原子もしくは硫黄原子を示す。R〜Rはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、メルカプト基、ニトロ基、シリル基、シラノール基、もしくは1価の有機基である。ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。また、1価の有機基としては、置換又は無置換の飽和又は不飽和アルキル基、置換又は無置換の芳香族基等の炭化水素骨格を有する基が挙げられる。これら1価の有機基は、有機基中にヘテロ原子等の炭化水素基以外の結合や置換基を含んでよい。また、これらは、直鎖でも分岐でも環状でも良い。1価の有機基としては、炭素数1〜20程度が好ましい。
炭化水素骨格を有する基に含まれるヘテロ原子等の炭化水素基以外の結合としては、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、カーボネート結合など、また置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、メルカプト基、シアノ基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、ニトロ基、アセチル基、アセトキシ基、不飽和アルキルエーテル基、アリールエーテル基、不飽和アルキルチオエーテル基、アリールチオエーテル基等が挙げられるが特に限定されない。
X 1 and X 2 independently represent an oxygen atom or a sulfur atom. R 1 to R 9 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a nitro group, a silyl group, a silanol group, or a monovalent organic group. Examples of the halogen atom include fluorine, chlorine, bromine and iodine. Examples of the monovalent organic group include groups having a hydrocarbon skeleton such as a substituted or unsubstituted saturated or unsaturated alkyl group and a substituted or unsubstituted aromatic group. These monovalent organic groups may contain bonds or substituents other than hydrocarbon groups such as heteroatoms in the organic group. These may be linear, branched or cyclic. The monovalent organic group preferably has about 1 to 20 carbon atoms.
As a bond other than a hydrocarbon group such as a hetero atom contained in a group having a hydrocarbon skeleton, an ether bond, a thioether bond, a carbonyl bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond, a carbonate bond, etc. Halogen atom, hydroxyl group, mercapto group, cyano group, silyl group, silanol group, alkoxy group, nitro group, acetyl group, acetoxy group, unsaturated alkyl ether group, aryl ether group, unsaturated alkyl thioether group, aryl thioether group, etc. There is no particular limitation.

1価の有機基の好ましいものとしては、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数4〜13のシクロアルキル基、炭素数4〜13のシクロアルケニル基、炭素数7〜16のフェノキシアルキル基、炭素数7〜20のアリールアルキル基、炭素数2〜11のシアノアルキル基、炭素数1〜10のヒドロキシアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基、炭素数1〜10のアルキルチオ基、炭素数1〜10のアシル基、炭素数2〜11のエステル基、炭素数6〜20のアリール基、電子供与性基および/または電子吸引性基が置換した炭素数6〜20のアリール基、電子供与性基および/または電子吸引性基が置換したベンジル基、シアノ基、チオメチル基等が挙げられる。
また、上記のアルキル部分は直鎖でも分岐でも環状でも良い。
Preferred examples of the monovalent organic group include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 13 carbon atoms, a cycloalkenyl group having 4 to 13 carbon atoms, a phenoxyalkyl group having 7 to 16 carbon atoms, An arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms, a cyanoalkyl group having 2 to 11 carbon atoms, a hydroxyalkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, an alkylthio group having 1 to 10 carbon atoms, and a carbon number An acyl group having 1 to 10 carbon atoms, an ester group having 2 to 11 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms substituted by an electron-donating group and / or an electron-withdrawing group, and electron donation And a benzyl group, a cyano group, a thiomethyl group and the like substituted with a functional group and / or an electron-withdrawing group.
The alkyl moiety may be linear, branched or cyclic.

炭素数1〜10のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、iso-プロピル基、n−ブチル基、sec-ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、iso-ペンチル基、neo-ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基が挙げられる。炭素数4〜13のシクロアルキル基としては、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基が挙げられる。炭素数4〜13のシクロアルケニル基としては、例えば、シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘプチニル基、シクロオクテニル基が挙げられる。炭素数7〜16のフェノキシアルキル基としては、例えば、フェノキシメチル基、フェノキシエチル基、フェノキシ‐n-プロピル基、フェノキシ‐iso-プロピル基、フェノキシ‐n-ブチル基、フェノキシ‐sec-ブチル基、フェノキシ‐tert-ブチル基、フェノキシペンチル基、フェノキシ‐iso-ペンチル基、フェノキシ‐neo-ペンチル基、フェノキシヘキシル基が挙げられる。炭素数7〜20のアリールアルキル基としては、例えば、フェニルメチル基、フェニルエチル基、フェニル‐n-プロピル基、フェニル‐iso-プロピル基、フェニル‐n-ブチル基、フェニル‐sec-ブチル基、フェニル‐tert-ブチル基、フェニルペンチル基、フェニル−iso-ペンチル基、フェニル‐neo-ペンチル基、フェニルヘキシル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチル‐n-プロピル基、ナフチル‐iso-プロピル基、ナフチル‐n-ブチル基、ナフチル‐sec-ブチル基、ナフチル‐tert-ブチル基、ナフチルペンチル基、ナフチル−iso-ペンチル基、ナフチル‐neo-ペンチル基、ナフチルヘキシル基が挙げられる。炭素数2〜11のシアノアルキル基としては、例えば、シアノメチル基、シアノエチル基、シアノ‐n-プロピル基、シアノ‐iso-プロピル基、シアノ‐n−ブチル基、シアノ‐sec-ブチル基、シアノ‐tert−ブチル基、シアノペンチル基、シアノ‐iso-ペンチル基、シアノ‐neo-ペンチル基、シアノヘキシル基が挙げられる。炭素数1〜10のヒドロキシアルキル基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシ‐n-プロピル基、ヒドロキシ‐iso-プロピル基、ヒドロキシ‐n-ブチル基、ヒドロキシ‐sec-ブチル基、ヒドロキシ‐tert-ブチル基、ヒドロキシペンチル基、ヒドロキシ‐iso-ペンチル基、ヒドロキシ‐neo-ペンチル基、ヒドロキシヘキシル基が挙げられる。   Examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include methyl, ethyl, n-propyl, iso-propyl, n-butyl, sec-butyl, tert-butyl, pentyl, and iso-pentyl. Group, neo-pentyl group, hexyl group, heptyl group and octyl group. Examples of the cycloalkyl group having 4 to 13 carbon atoms include a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the C 4-13 cycloalkenyl group include a cyclobutenyl group, a cyclopentenyl group, a cyclohexenyl group, a cycloheptynyl group, and a cyclooctenyl group. Examples of the phenoxyalkyl group having 7 to 16 carbon atoms include phenoxymethyl group, phenoxyethyl group, phenoxy-n-propyl group, phenoxy-iso-propyl group, phenoxy-n-butyl group, phenoxy-sec-butyl group, Examples include phenoxy-tert-butyl group, phenoxypentyl group, phenoxy-iso-pentyl group, phenoxy-neo-pentyl group and phenoxyhexyl group. Examples of the arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms include phenylmethyl group, phenylethyl group, phenyl-n-propyl group, phenyl-iso-propyl group, phenyl-n-butyl group, phenyl-sec-butyl group, Phenyl-tert-butyl group, phenylpentyl group, phenyl-iso-pentyl group, phenyl-neo-pentyl group, phenylhexyl group, naphthylmethyl group, naphthylethyl group, naphthyl-n-propyl group, naphthyl-iso-propyl group Naphthyl-n-butyl group, naphthyl-sec-butyl group, naphthyl-tert-butyl group, naphthylpentyl group, naphthyl-iso-pentyl group, naphthyl-neo-pentyl group, naphthylhexyl group. Examples of the cyanoalkyl group having 2 to 11 carbon atoms include cyanomethyl group, cyanoethyl group, cyano-n-propyl group, cyano-iso-propyl group, cyano-n-butyl group, cyano-sec-butyl group, cyano- Examples include tert-butyl group, cyanopentyl group, cyano-iso-pentyl group, cyano-neo-pentyl group, and cyanohexyl group. Examples of the hydroxyalkyl group having 1 to 10 carbon atoms include hydroxymethyl group, hydroxyethyl group, hydroxy-n-propyl group, hydroxy-iso-propyl group, hydroxy-n-butyl group, hydroxy-sec-butyl group, Examples thereof include a hydroxy-tert-butyl group, a hydroxypentyl group, a hydroxy-iso-pentyl group, a hydroxy-neo-pentyl group, and a hydroxyhexyl group.

炭素数1〜10のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、ペンチルオキシ基、iso-ペンチルオキシ基、neo-ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基が挙げられる。炭素数1〜10のアルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、n-プロピルチオ基、iso-プロピルチオ基、n-ブチルチオ基、sec-ブチルチオ基、tert-ブチルチオ基、ペンチルチオ基、iso-ペンチルチオ基、neo-ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基が挙げられる。炭素数1〜10のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、イソブチリル基、バレリル基、シクロヘキシルカルボニル基等が挙げられる。 炭素数2〜11のエステル基の例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基などが挙げられる。炭素数6〜20のアリール基の例としては、フェニル基、トリル基、ナフチル基などが挙げられる。また、電子供与性基としては、例えば、ヒドロキシル基、ハロゲン原子(塩素、臭素、ヨウ素など)、アルキル基、メトキシ基等が挙げられる。電子吸引性基としては、例えば、ニトロ基、カルボニル基、ニトリル基等が挙げられる。   Examples of the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group, sec-butoxy group, pentyloxy group, iso-pentyloxy group, and neo-pentyl. Examples thereof include an oxy group, a hexyloxy group, a heptyloxy group, and an octyloxy group. Examples of the alkylthio group having 1 to 10 carbon atoms include methylthio group, ethylthio group, n-propylthio group, iso-propylthio group, n-butylthio group, sec-butylthio group, tert-butylthio group, pentylthio group, and iso-pentylthio group. Group, neo-pentylthio group, hexylthio group, heptylthio group and octylthio group. Examples of the acyl group having 1 to 10 carbon atoms include formyl group, acetyl group, propionyl group, isobutyryl group, valeryl group, and cyclohexylcarbonyl group. Examples of the ester group having 2 to 11 carbon atoms include a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, a propoxycarbonyl group, and an isopropoxycarbonyl group. Examples of the aryl group having 6 to 20 carbon atoms include a phenyl group, a tolyl group, and a naphthyl group. Examples of the electron donating group include a hydroxyl group, a halogen atom (such as chlorine, bromine and iodine), an alkyl group, and a methoxy group. Examples of the electron withdrawing group include a nitro group, a carbonyl group, and a nitrile group.

また、RおよびRの位置に水素原子又は水素原子以外の置換基を導入することによって、脱炭酸のしやすさを調整することができる。かかる観点から、RおよびRの位置に導入し得る1価の有機基としては、水素原子のほかに、例えば、飽和又は不飽和アルキル基、飽和又は不飽和ハロゲン化アルキル基、又は、フェニル、ナフチル等の芳香族基等が挙げられる。これらの1価の有機基は、有機基中に上述のようなヘテロ原子等の炭化水素基以外の結合や置換基を含んでよく、特に、炭素数が1〜20程度、好ましくは炭素数が1〜8程度であることが好ましい。これらは、直鎖でも分岐でも環状でも良い。
さらに、RおよびRの位置に導入し得る置換基としては、特性を損なわない範囲でハロゲン原子、ヒドロキシル基、メルカプト基、シアノ基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、ニトロ基、アセチル基、アセトキシ基、不飽和アルキルエーテル基、アリールエーテル基、不飽和アルキルチオエーテル基、アリールチオエーテル基等を用いても良い。
Moreover, the ease of decarboxylation can be adjusted by introducing a hydrogen atom or a substituent other than a hydrogen atom at the positions of R 8 and R 9 . From this viewpoint, examples of the monovalent organic group that can be introduced at the positions of R 8 and R 9 include, in addition to a hydrogen atom, for example, a saturated or unsaturated alkyl group, a saturated or unsaturated halogenated alkyl group, or phenyl And aromatic groups such as naphthyl. These monovalent organic groups may contain bonds and substituents other than the above-described hydrocarbon groups such as heteroatoms in the organic group, and in particular, have about 1 to 20 carbon atoms, preferably have a carbon number. It is preferable that it is about 1-8. These may be linear, branched or cyclic.
Furthermore, the substituent that can be introduced at the positions of R 8 and R 9 includes a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a cyano group, a silyl group, a silanol group, an alkoxy group, a nitro group, and an acetyl group as long as the characteristics are not impaired. An acetoxy group, an unsaturated alkyl ether group, an aryl ether group, an unsaturated alkyl thioether group, an aryl thioether group, or the like may be used.

一般式(2)で表される化合物の合成方法は特に限定されないが、例えば具体的には、濃硫酸中におけるサリチル酸もしくはチオサリチル酸もしくはこれらの化合物の誘導体と、チオフェノキシ酢酸もしくはフェノキシ酢酸もしくはこれらの化合物の誘導体との脱水環化反応により得られる(例えば、Macromol. Rapid Commun. 2003,24,718−723)。   The method for synthesizing the compound represented by the general formula (2) is not particularly limited. For example, specifically, salicylic acid or thiosalicylic acid or a derivative of these compounds in concentrated sulfuric acid, and thiophenoxyacetic acid, phenoxyacetic acid, or these It is obtained by dehydration cyclization reaction with a derivative of the compound (for example, Macromol. Rapid Commun. 2003, 24, 718-723).

一方、上記式(1)で表されるカルボン酸とアミンとの塩を構成するアミン化合物は以下の一般式(3)で表される。   On the other hand, an amine compound constituting a salt of a carboxylic acid and an amine represented by the above formula (1) is represented by the following general formula (3).

Figure 0004997806
式(3)において、R10、R11、R12は独立に水素原子もしくは、1価の有機基である。但し、R10、R11、R12の少なくとも1つは、1価の有機基である。
10〜R12の位置に導入し得る1価の有機基としては、例えば、置換又は無置換の飽和又は不飽和アルキル基、置換又は無置換の芳香族基が挙げられる。これらの1価の有機基は、有機基中にヘテロ原子等の炭化水素基以外の結合や置換基を含んでよく、特に、炭素数が1〜20程度、好ましくは炭素数が1〜12程度であることが好ましい。これらは、直鎖でも分岐でも環状でも良い。また、R10〜R12のうちの2つ以上が連結し環状になっていても良い。
炭化水素骨格を有する基に含まれるヘテロ原子等の炭化水素基以外の結合としては、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、カーボネート結合など、また置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、メルカプト基、1級アミノ基、2級アミノ基、3級アミノ基、シアノ基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、ニトロ基、アセチル基、アセトキシ基、不飽和アルキルエーテル基、アリールエーテル基、不飽和アルキルチオエーテル基、アリールチオエーテル基等が挙げられるが特に限定されない。
Figure 0004997806
In the formula (3), R 10 , R 11 and R 12 are each independently a hydrogen atom or a monovalent organic group. However, at least one of R 10 , R 11 , and R 12 is a monovalent organic group.
Examples of the monovalent organic group may be introduced to the position of R 10 to R 12, for example, substituted or unsubstituted, saturated or unsaturated alkyl group include substituted or unsubstituted aromatic group. These monovalent organic groups may contain a bond or substituent other than a hydrocarbon group such as a heteroatom in the organic group, and particularly have about 1 to 20 carbon atoms, preferably about 1 to 12 carbon atoms. It is preferable that These may be linear, branched or cyclic. Also, two or more of R 10 to R 12 may be connected to form a ring.
As a bond other than a hydrocarbon group such as a hetero atom contained in a group having a hydrocarbon skeleton, an ether bond, a thioether bond, a carbonyl bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond, a carbonate bond, etc. Halogen atom, hydroxyl group, mercapto group, primary amino group, secondary amino group, tertiary amino group, cyano group, silyl group, silanol group, alkoxy group, nitro group, acetyl group, acetoxy group, unsaturated alkyl ether group , Aryl ether groups, unsaturated alkyl thioether groups, aryl thioether groups, and the like, but are not particularly limited.

10〜R12の位置に導入する水素原子の数ならびに置換基の種類を変更することにより、アミンの塩基性度や熱物性、溶解度などの物性を変化させることが可能である。より塩基性度の高いアミンの方が、イミド化における脱水縮合反応等に対する触媒作用が強く、より少量の添加で、より低い温度での脱水縮合反応等における触媒効果の発現が可能となる。つまりは、上記式(1)で表されるカルボン酸とアミンとの塩自身の電磁波に対する感度が低い場合でも、発生した塩基性物質の触媒効果が大きい為、感光性樹脂組成物としての見た目の感度は向上する。
上記のような触媒効果が大きい点から、上記式(1)で表されるカルボン酸とアミンとの塩の電磁波の吸収に伴う解裂反応によって発生する塩基性物質は脂肪族アミンが好ましい。その中でも、塩基性の観点からは2級又は3級の脂肪族アミンが好ましい。しかしながら脂肪族1級アミンを用いた場合でも、芳香族アミンを用いた場合に比べて、十分な触媒効果を得ることができる。そのため、脂肪族アミンの中でも、更に、5%重量減少温度や50%重量減少温度、熱分解温度といった熱物性や、溶解性といった他の物性面や、合成の簡便性やコストといった観点から、アミンを適宜選択することが望ましい。
By changing the number of hydrogen atoms introduced at the positions of R 10 to R 12 and the kind of the substituent, it is possible to change the physical properties such as basicity, thermal properties, and solubility of the amine. The amine having higher basicity has a stronger catalytic effect on the dehydration condensation reaction and the like in imidization, and the catalytic effect in the dehydration condensation reaction and the like at a lower temperature can be expressed with a smaller amount of addition. That is, even if the salt of the carboxylic acid and amine represented by the above formula (1) has a low sensitivity to electromagnetic waves, the generated basic substance has a large catalytic effect, so that it appears as a photosensitive resin composition. Sensitivity is improved.
In view of the large catalytic effect as described above, the basic substance generated by the cleavage reaction accompanying the absorption of electromagnetic waves of the salt of the carboxylic acid and amine represented by the formula (1) is preferably an aliphatic amine. Among these, secondary or tertiary aliphatic amines are preferable from the viewpoint of basicity. However, even when an aliphatic primary amine is used, a sufficient catalytic effect can be obtained as compared with the case where an aromatic amine is used. Therefore, among aliphatic amines, from the viewpoints of thermal properties such as 5% weight loss temperature, 50% weight loss temperature, thermal decomposition temperature, other physical properties such as solubility, ease of synthesis and cost, etc. It is desirable to select as appropriate.

このような脂肪族アミンを発生させ、高感度を達成し、さらには、露光部未露光部の溶解性コントラストを大きくする観点から、R10〜R12の窒素原子と直接結合している全ての原子が、水素原子もしくはSP3軌道を有する炭素原子である(但し、R10〜R12の全てが水素原子である場合を除く。)ことが好ましい。
このような窒素原子と直接結合している原子がSP3軌道を有する炭素原子となるような置換基としては、直鎖脂肪族炭化水素基、分岐脂肪族炭化水素基、及び、環状脂肪族炭化水素基よりなる群から選択される1種以上の脂肪族炭化水素基が挙げられる。なお、当該脂肪族炭化水素基は、芳香族基等の置換基を有していても良く、或いは、炭化水素鎖中にヘテロ原子等の炭化水素以外の結合を含んでいても良い。好適なものとして、炭素数1〜20の飽和又は不飽和アルキル基、炭素数4〜13のシクロアルキル基、炭素数7〜26のフェノキシアルキル基、炭素数7〜26のアリールアルキル基、炭素数1〜20のヒドロキシアルキル基が挙げられる。具体的には、メチル基、エチル基、エチニル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、シクロヘキシル基、イソボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、ベンジル基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
すなわち、上記R10〜R12の全てが、水素原子、或いは、直鎖脂肪族炭化水素基、分岐脂肪族炭化水素基、及び、環状脂肪族炭化水素基よりなる群から選択される1種以上の脂肪族炭化水素基である(但し、R10〜R12の全てが水素原子である場合を除く。)ことが好ましい。中でも、塩基性の面から、脂肪族3級アミンであることが好ましい。
From the viewpoint of generating such an aliphatic amine, achieving high sensitivity, and increasing the solubility contrast of the unexposed portion of the exposed portion, all of the bonds directly bonded to the nitrogen atoms of R 10 to R 12 It is preferable that the atom is a hydrogen atom or a carbon atom having SP3 orbital (except when all of R 10 to R 12 are hydrogen atoms).
Examples of the substituent in which the atom directly bonded to the nitrogen atom is a carbon atom having an SP3 orbital include a linear aliphatic hydrocarbon group, a branched aliphatic hydrocarbon group, and a cyclic aliphatic hydrocarbon. And one or more aliphatic hydrocarbon groups selected from the group consisting of groups. In addition, the said aliphatic hydrocarbon group may have substituents, such as an aromatic group, or may contain bonds other than hydrocarbons, such as a hetero atom, in a hydrocarbon chain. Preferred are saturated or unsaturated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, cycloalkyl group having 4 to 13 carbon atoms, phenoxyalkyl group having 7 to 26 carbon atoms, arylalkyl group having 7 to 26 carbon atoms, carbon number 1-20 hydroxyalkyl groups are mentioned. Specific examples include, but are not limited to, a methyl group, an ethyl group, an ethynyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a cyclohexyl group, an isobornyl group, a norbornyl group, an adamantyl group, and a benzyl group. It is not a thing.
That is, all of R 10 to R 12 are one or more selected from the group consisting of a hydrogen atom, or a linear aliphatic hydrocarbon group, a branched aliphatic hydrocarbon group, and a cyclic aliphatic hydrocarbon group. It is preferable that it is an aliphatic hydrocarbon group of (except the case where all of R < 10 > -R < 12 > are hydrogen atoms). Among these, an aliphatic tertiary amine is preferable from the viewpoint of basicity.

アミンとしては、n−ブチルアミン、アミルアミン、ヘキシルアミンやオクチルアミンなどの第一級アミン類、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミンのような第2級アミン類、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリエチレンジアミン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、キヌクリジンおよび、3−キヌクリジノールのような脂肪族第3級アミン、ジメチルアニリンなどの芳香族第3級アミン、およびイソキノリン、ピリジン、コリジン、ベータピコリンなどの複素環第3級アミン、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどのアルキレンジアミン類、ジエチレントリアミンなどのトリアミン、その他テトラミン化合物、ベンジルアミンなどが挙げられる。   Examples of amines include primary amines such as n-butylamine, amylamine, hexylamine and octylamine, secondary amines such as diethylamine, dipropylamine, diisopropylamine and dibutylamine, trimethylamine, triethylamine and tripropylamine. , Tributylamine, triethylenediamine, 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane, quinuclidine and aliphatic tertiary amines such as 3-quinuclidinol, aromatic tertiary amines such as dimethylaniline, and isoquinoline Heterocyclic tertiary amines such as pyridine, collidine, and betapicoline, ethylenediamine, propylenediamine, trimethylenediamine, tetramethylenediamine, pentamethylenediamine, hexamethylenediamine, etc. Diamines, triamines, such as diethylenetriamine, other tetramine compounds include benzyl amine.

また、本発明において分子内に2箇所以上アミノ基を有するような化合物を用いても良い。例えば、2つのアミノ基を有する、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタンなどでは、アミン1分子に対して、2分子の光脱炭酸反応をする芳香族成分含有カルボン酸を用いて中性の塩とする。
逆に、2つの光脱炭酸反応をする芳香族成分含有カルボン酸が連結して、2つのカルボン酸を有した化合物の場合は、モノアミン2分子に対して1分子の芳香族成分カルボン酸を適用し中性の塩とする。
In the present invention, a compound having two or more amino groups in the molecule may be used. For example, in 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane having two amino groups, an aromatic component-containing carboxylic acid that undergoes two photodecarboxylation reactions per molecule of amine is used. Use neutral salt.
Conversely, in the case of a compound having two carboxylic acids by linking two aromatic component-containing carboxylic acids that undergo photodecarboxylation, one molecule of aromatic component carboxylic acid is applied to two monoamine molecules. Use neutral salt.

本発明は、電磁波の吸収により脱炭酸反応をする芳香族成分含有カルボン酸のカルボキシル基とアミノ基が等モルになるように組み合わせ塩として樹脂組成物に適用することを趣旨としており、これに反しない範囲で、任意の数のカルボキシル基を有する化合物と任意の数のアミノ基を有する化合物を組み合わせて用いることができる。
さらに、それらは単一でなくてもよく、マトリックスへの溶解性などの観点により、複数の塩、更には複数の芳香族成分含有カルボン酸やアミンを組み合わせて用いることができる。
The present invention is intended to be applied to a resin composition as a combination salt so that the carboxyl group and amino group of an aromatic component-containing carboxylic acid that undergoes a decarboxylation reaction by absorption of electromagnetic waves are equimolar. In such a range, a compound having any number of carboxyl groups and a compound having any number of amino groups can be used in combination.
Furthermore, they may not be single, and from the viewpoint of solubility in the matrix, a plurality of salts, and further a plurality of aromatic component-containing carboxylic acids and amines can be used in combination.

また、上記式(1)で表されるカルボン酸とアミンとの塩の分子内の置換基R〜R12のうちいずれか位置に、置換基を1つ以上を導入することにより、感度を向上させたり、吸収する光の波長を調整することが可能である。
特に、その芳香族環上の置換基R〜Rは、感度を向上させたり、吸収波長を調整する観点から比較的自由に置換基の種類を選択して導入することが可能である。これにより、組み合わせる高分子前駆体の吸収波長も考慮しながら、感光性樹脂組成物の感度を向上させることが可能である。
Moreover, sensitivity is improved by introducing one or more substituents into any position among the substituents R 1 to R 12 in the molecule of the salt of the carboxylic acid and amine represented by the above formula (1). It is possible to improve or adjust the wavelength of light to be absorbed.
In particular, the substituents R 1 to R 7 on the aromatic ring can be introduced by relatively freely selecting the type of substituent from the viewpoint of improving sensitivity or adjusting the absorption wavelength. Thereby, it is possible to improve the sensitivity of the photosensitive resin composition in consideration of the absorption wavelength of the polymer precursor to be combined.

また、上記式(1)で表されるカルボン酸とアミンとの塩、および上記式(1)で表されるカルボン酸とアミンとの塩のカルボン酸の光分解反応により生じるアミンは、本発明の感光性樹脂組成物の塗膜に対して露光後に行う、加熱の温度(高分子がポリイミド前駆体の場合、イミド化の温度)において分解しないことが好ましい。具体的には、上記式(1)で表されるカルボン酸とアミンとの塩や、用いられているアミンを加熱して初期の重量から5%重量が減少したときの温度(5%重量減少温度)が100℃以上であることが好ましい。更には、本発明の感光性樹脂組成物が、製品として用いられる場合、感光性樹脂組成物中にアミンが残存しないことが好ましいので、現像後に行う加熱のプロセス(高分子がポリイミド前駆体の場合、イミド化のプロセス)で分解、または揮発してしまうアミンであることが好ましい。具体的には、アミンを加熱して初期の重量から50%重量が減少したときの温度(50%重量減少温度)が400℃以下であることが好ましい。   The amine produced by the photodecomposition reaction of the carboxylic acid and amine salt represented by the above formula (1) and the carboxylic acid salt of the carboxylic acid and amine represented by the above formula (1) is the present invention. It is preferable not to decompose at the heating temperature (if the polymer is a polyimide precursor, the imidization temperature) performed after the exposure to the coating film of the photosensitive resin composition. Specifically, the temperature when the salt of carboxylic acid and amine represented by the above formula (1) or the amine used is reduced by 5% from the initial weight by heating (5% weight reduction) Temperature) is preferably 100 ° C. or higher. Furthermore, when the photosensitive resin composition of the present invention is used as a product, it is preferable that no amine remains in the photosensitive resin composition, so that a heating process performed after development (when the polymer is a polyimide precursor) , An amine that decomposes or volatilizes in the imidization process). Specifically, the temperature (50% weight reduction temperature) when the amine is heated and 50% weight is reduced from the initial weight is preferably 400 ° C. or less.

一般的な露光光源である高圧水銀灯の代表的な発光波長は、436nm、405nm、365nmであるため、本発明の感光性樹脂組成物においては、前記カルボン酸とアミンとの塩が、436nm、405nm、及び365nmの波長の電磁波のうち少なくとも1つの波長に吸収を有することが好ましい。更に、本発明の感光性樹脂組成物においては、前記カルボン酸とアミンとの塩が、400nm以上の波長の電磁波の吸収を有することが好ましい。本発明に用いられる高分子前駆体は、400nm未満の波長領域に吸収を有する場合が多い為、400nm以上の波長の電磁波の吸収を有する場合には、高分子前駆体と光塩基発生剤の吸収波長が重なることなく、感度を向上することが可能になるからである。一般的な露光光源である高圧水銀灯の代表的な発光波長を用いる点からは、中でも前記カルボン酸とアミンとの塩は、436nm、及び405nmの波長の電磁波のうち少なくとも1つの波長に吸収を有することが好ましい。   Since typical emission wavelengths of a high-pressure mercury lamp, which is a general exposure light source, are 436 nm, 405 nm, and 365 nm, in the photosensitive resin composition of the present invention, the salt of the carboxylic acid and the amine is 436 nm or 405 nm. And it is preferable to have absorption in at least one wavelength among electromagnetic waves having a wavelength of 365 nm. Furthermore, in the photosensitive resin composition of this invention, it is preferable that the said salt of carboxylic acid and amine has absorption of the electromagnetic waves with a wavelength of 400 nm or more. Since the polymer precursor used in the present invention often has absorption in a wavelength region of less than 400 nm, when it has absorption of electromagnetic waves having a wavelength of 400 nm or more, absorption of the polymer precursor and the photobase generator. This is because the sensitivity can be improved without overlapping the wavelengths. From the viewpoint of using a typical emission wavelength of a high-pressure mercury lamp which is a general exposure light source, among others, the salt of carboxylic acid and amine has absorption at at least one of electromagnetic waves having wavelengths of 436 nm and 405 nm. It is preferable.

一方、本発明の感光性樹脂組成物に用いる高分子前駆体とは、それ自身が高分子であり、分子内閉環反応等の分子内反応によって最終的に目的の物性を示す高分子となる物質のことをいい、好ましくは、分子内閉環反応の際に、水分子、および/またはアルコール分子の脱離を伴って環状構造を有する繰り返し単位を形成するものをいう。   On the other hand, the polymer precursor used in the photosensitive resin composition of the present invention is a substance that itself is a polymer and finally becomes a polymer that exhibits desired physical properties by an intramolecular reaction such as an intramolecular ring closure reaction. Preferably, it means a unit that forms a repeating unit having a cyclic structure with elimination of a water molecule and / or an alcohol molecule in the intramolecular ring-closing reaction.

本発明に用いる高分子前駆体は、なんらかの溶媒(有機溶剤、又は水溶液)に可溶なものであることが好ましい。溶媒(有機溶剤、又は水溶液)に可溶なものであると、高分子前駆体の当該溶媒に対する溶解性を変化させることにより、その可溶な溶媒を現像液として用いて、適宜、有機溶剤、塩基性水溶液、酸性水溶液、又は中性水溶液による現像をすることが可能になる。
ここで、ある溶媒に可溶とは、具体的には、基板上に形成された塗膜の25℃における当該溶媒に対する溶解速度が、100Å/sec以上を目安とする。当該溶解速度は1000Å/sec以上であることがさらに好ましい。
例えば、塩基性水溶液に可溶なものは、具体的には、基板上に形成された塗膜の25℃における0.1wt%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液に対する溶解速度が、100Å/sec以上である。当該溶解速度は1000Å/sec以上であることがさらに好ましい。さらには、より一般的に用いられる現像液である2.38重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に対する溶解速度が、100Å/sec以上であることが好ましく、1000Å/sec以上であることがさらに好ましい。上記定義による溶解速度が100Å/secより小さい場合、現像時間が遅くなり作業性、生産性が悪くなると共に、露光部、未露光部間の溶解性コントラストが得にくくなる。
したがって、本発明の感光性樹脂組成物のある溶媒に対しての溶解速度は、25℃における当該溶媒に対する溶解速度が、100Å/sec以上であることが好ましく、1000Å/sec以上であることがさらに好ましい。
The polymer precursor used in the present invention is preferably soluble in any solvent (organic solvent or aqueous solution). If it is soluble in a solvent (an organic solvent or an aqueous solution), by changing the solubility of the polymer precursor in the solvent, using the soluble solvent as a developer, an organic solvent, It is possible to develop with a basic aqueous solution, an acidic aqueous solution, or a neutral aqueous solution.
Here, the term “soluble in a solvent” specifically means that the dissolution rate of the coating film formed on the substrate at 25 ° C. in the solvent is 100 Å / sec or more. The dissolution rate is more preferably 1000 kg / sec or more.
For example, what is soluble in a basic aqueous solution is specifically that the dissolution rate of a coating film formed on a substrate in a 0.1 wt% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution at 25 ° C. It is more than sec. The dissolution rate is more preferably 1000 kg / sec or more. Furthermore, the dissolution rate with respect to a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, which is a more commonly used developer, is preferably 100 kg / sec or more, and more preferably 1000 kg / sec or more. . When the dissolution rate according to the above definition is less than 100 Å / sec, the development time is delayed, workability and productivity are deteriorated, and it is difficult to obtain a solubility contrast between the exposed and unexposed areas.
Accordingly, the dissolution rate of the photosensitive resin composition of the present invention in a solvent is preferably 100 Å / sec or more, more preferably 1000 Å / sec or more, at 25 ° C. preferable.

上記溶解速度を測定する具体的手順としては、無アルカリガラス等の基板上に形成された高分子前駆体の塗膜を、25℃に調温され、撹拌された現像液(0.1重量%TMAH水溶液または、2.38重量%TMAH水溶液等の塩基性水溶液、有機溶剤等)に一定時間、浸漬し、蒸留水でリンス後、乾燥させた後で測定した膜厚と、初期膜厚との差を、膜減り量とし、その膜減り量を、現像液に浸漬した時間で割ったものが、25℃における単位時間当たりの溶解速度ということになる。   As a specific procedure for measuring the dissolution rate, a polymer precursor coating film formed on a substrate such as alkali-free glass was heated to 25 ° C. and stirred with a developer (0.1 wt% The film thickness measured after being immersed in a TMAH aqueous solution or a basic aqueous solution such as a 2.38 wt% TMAH aqueous solution, an organic solvent, etc., rinsed with distilled water and dried, and the initial film thickness The difference is defined as the amount of film reduction, and the amount of film reduction divided by the time of immersion in the developer is the dissolution rate per unit time at 25 ° C.

また、露光部と未露光部の間に十分な溶解性コントラストを得るために、感光性樹脂組成物を、実際に所定の感光パターン形成プロセスにおいて用いた時に、パターン状露光、及び、必要に応じて後工程(通常は加熱工程)を行って得られる、現像工程前における未露光部位と露光部位の現像液に対する溶解性の比(未露光部位の現像液に対する単位時間当たりの溶解速度/露光部位の現像液に対する単位時間当たりの溶解速度)が、10以上であることが好ましい。
単位時間当たりの溶解速度は、上記の方法と同様にして求められ、感光性樹脂組成物の塗膜にパターン露光を行い、露光後の加熱を行った後に、露光部、未露光部の溶解速度を、それぞれ求める。
In addition, when a photosensitive resin composition is actually used in a predetermined photosensitive pattern formation process in order to obtain sufficient solubility contrast between the exposed area and the unexposed area, pattern exposure and, if necessary, The ratio of the solubility of the unexposed part and the exposed part in the developing solution before the developing process, obtained by performing a post-process (usually a heating process) (dissolution rate per unit time in the developing solution of the unexposed part / exposed part) The dissolution rate per unit time in the developer is preferably 10 or more.
The dissolution rate per unit time is determined in the same manner as in the above method. After the pattern exposure is performed on the coating film of the photosensitive resin composition and the heating after the exposure is performed, the dissolution rate of the exposed area and the unexposed area is determined. For each.

本発明においては、塩基性物質の作用によって最終生成物への反応が促進される高分子前駆体が典型的に用いられる。ここで、高分子前駆体が、塩基性物質の作用によって最終生成物への反応が促進される態様には、高分子前駆体が塩基性物質の作用のみによって最終生成物に変化する態様のみならず、塩基性物質の作用によって高分子前駆体の最終生成物への反応温度が、塩基性物質の作用がない場合に比べて低下するような態様が含まれる。
このような塩基性物質の存在の有無により反応温度差が出来る場合には、反応温度差を利用して、塩基性物質と共存する高分子前駆体のみが最終生成物へと反応する適切な温度で加熱することにより、塩基性物質と共存する高分子前駆体のみが最終生成物へと反応しある溶媒への溶解性が変化する。従って、塩基性物質の存在の有無によって、高分子前駆体のある溶媒への溶解性を変化させることが可能となり、ひいては当該溶媒を現像液として用いて現像によるパターニングが可能になる。よって、本発明に用いられる高分子前駆体としては、塩基性物質の作用によって最終生成物への反応が促進され、且つ、加熱により溶解性が、加熱前に比べて低く変化する高分子前駆体が好適に用いられる。
In the present invention, a polymer precursor whose reaction to the final product is promoted by the action of a basic substance is typically used. Here, the mode in which the reaction of the polymer precursor to the final product is promoted by the action of the basic substance is only the mode in which the polymer precursor is changed to the final product only by the action of the basic substance. In addition, an embodiment is included in which the reaction temperature of the polymer precursor to the final product is lowered by the action of the basic substance as compared with the case where there is no action of the basic substance.
If there is a reaction temperature difference due to the presence or absence of such a basic substance, an appropriate temperature at which only the polymer precursor coexisting with the basic substance reacts to the final product using the reaction temperature difference. By heating at, only the polymer precursor coexisting with the basic substance reacts with the final product and the solubility in the solvent changes. Therefore, the solubility of the polymer precursor in a certain solvent can be changed depending on the presence or absence of the basic substance, and thus patterning by development using the solvent as a developing solution becomes possible. Therefore, the polymer precursor used in the present invention is a polymer precursor whose reaction to the final product is promoted by the action of a basic substance, and whose solubility is lowered by heating compared to before heating. Are preferably used.

ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール前駆体としては、そのメカニズムからどのようなポリイミド前駆体又はポリベンゾオキサゾール前駆体であっても用いることができ、2種以上の別々に合成した高分子前駆体の混合物でも良い。
ここで、ポリイミド前駆体としては、式(5)で表されるようなポリアミック酸が好適に用いられ、ポリベンゾオキサゾール前駆体としては、後述するようなポリアミドアルコールが好適に用いられる。
As the polyimide precursor and polybenzoxazole precursor, any polyimide precursor or polybenzoxazole precursor can be used because of its mechanism, and a mixture of two or more separately synthesized polymer precursors. But it ’s okay.
Here, a polyamic acid represented by the formula (5) is suitably used as the polyimide precursor, and a polyamide alcohol as described later is suitably used as the polybenzoxazole precursor.

Figure 0004997806
(式(5)中、R13は4価の有機基である。R14は2価の有機基である。)
なお、R13の4価は酸と結合するための価数のみを示しているが、他に更なる置換基を有していても良い。同様に、R14の2価はアミンと結合するための価数のみを示しているが、他に更なる置換基を有していても良い。
ポリアミック酸は、酸2無水物とジアミンを溶液中で混合するのみで得られるので、1段階の反応で合成することができ、合成が容易で低コストで入手できるので好ましい。
Figure 0004997806
(In Formula (5), R 13 is a tetravalent organic group. R 14 is a divalent organic group.)
Incidentally, tetravalent R 13 represents only valence for bonding with the acid, but may have further substituents other. Similarly, although the divalent value of R 14 indicates only the valence for bonding with the amine, it may have other substituents.
Since polyamic acid can be obtained only by mixing acid dianhydride and diamine in a solution, it can be synthesized by a one-step reaction, is easy to synthesize and can be obtained at low cost, and is preferable.

ポリイミド前駆体又はポリベンゾオキサゾール前駆体のように、塩基の触媒作用によって熱硬化温度が低下する高分子前駆体を用いる場合には、先ず、そのような高分子前駆体、及び上記式(1)で表されるカルボン酸とアミンとの塩を組み合わせた感光性樹脂組成物の塗膜又は成形体上のパターンを残したい部分に電磁波を照射する。すると、照射部には、塩基性物質が発生し、その部分の熱硬化温度が選択的に低下する。次に、照射部は熱硬化するが、非照射部は熱硬化しない処理温度で加熱し、照射部のみ硬化させる。次に、所定の現像液(有機溶媒や塩基性水溶液等)で非照射部を溶解して熱硬化物からなるパターンを形成する。このパターンを、更に必要に応じ加熱して熱硬化を完結させる。以上の工程によって、所望の2次元樹脂パターン(一般的な平面パターン)又は3次元樹脂パターン(立体的に成形された形状)が得られる。   In the case of using a polymer precursor whose thermal curing temperature is lowered by the catalytic action of a base, such as a polyimide precursor or a polybenzoxazole precursor, first, such a polymer precursor and the above formula (1) An electromagnetic wave is irradiated to the part which wants to leave the pattern on the coating film or molded object of the photosensitive resin composition which combined the salt of carboxylic acid and amine represented by these. Then, a basic substance is generated in the irradiated portion, and the thermosetting temperature of that portion is selectively lowered. Next, while the irradiated portion is thermally cured, the non-irradiated portion is heated at a processing temperature that is not thermally cured, and only the irradiated portion is cured. Next, a non-irradiated portion is dissolved with a predetermined developer (such as an organic solvent or a basic aqueous solution) to form a pattern made of a thermoset. This pattern is further heated as necessary to complete thermosetting. Through the above steps, a desired two-dimensional resin pattern (general plane pattern) or three-dimensional resin pattern (three-dimensionally shaped shape) is obtained.

本発明においては、上記式(1)で表されるカルボン酸とアミンとの塩が、高感度の光塩基発生剤として機能し、感光性樹脂組成物の塗膜又は成形体上の電磁波照射部位と非照射部位の間での溶解性差を大きくできるので、有機溶媒ではなく、塩基性水溶液を用いる場合でも優れた現像性が得られる。
副次的な効果として、用いる高分子前駆体がポリアミック酸である場合、塩基性物質の触媒効果によりイミド化に要する温度が低くても充分な為、最終キュア温度を300℃未満、更に好ましくは250℃以下まで下げることが可能である。従来のポリアミック酸はイミド化するために最終キュア温度を300℃以上とする必要があった為、用途が制限されていたが、最終キュア温度を下げることが可能になったことによって、より広範囲の用途に適用が可能である。
In the present invention, the salt of carboxylic acid and amine represented by the above formula (1) functions as a highly sensitive photobase generator, and the electromagnetic wave irradiation site on the coating film or molded body of the photosensitive resin composition. Therefore, even if a basic aqueous solution is used instead of an organic solvent, excellent developability can be obtained.
As a secondary effect, when the polymer precursor to be used is a polyamic acid, it is sufficient even if the temperature required for imidization is low due to the catalytic effect of the basic substance. It can be lowered to 250 ° C. or lower. In order to imidize the conventional polyamic acid, the final cure temperature had to be 300 ° C. or higher, so the use was limited. However, it became possible to lower the final cure temperature, so a wider range Applicable to usage.

また、ポリイミド前駆体に関して、最終的に得られるポリイミドの耐熱性及び寸法安定性の要求が厳しい用途に対しては、酸二無水物由来の部分が芳香族構造を有し、さらにジアミン由来の部分も芳香族構造を含む全芳香族ポリイミド前駆体であることが好ましい。それゆえジアミン成分由来の構造も芳香族ジアミンから誘導される構造であることが好ましい。
ここで、全芳香族ポリイミド前駆体とは、芳香族酸成分と芳香族アミン成分の共重合、又は、芳香族酸/アミノ成分の重合により得られるポリイミド前駆体及びその誘導体である。また、芳香族酸成分とは、ポリイミド骨格を形成する4つの酸基が全て芳香族環上に置換している化合物であり、芳香族アミン成分とは、ポリイミド骨格を形成する2つのアミノ基が両方とも芳香族環上に置換している化合物であり、芳香族酸/アミノ成分とはポリイミド骨格を形成する酸基とアミノ基がいずれも芳香族環上に置換している化合物である。ただし、後述する原料の具体例から明らかなように、全ての酸基又はアミノ基が同じ芳香環上に存在する必要はない。
In addition, regarding the polyimide precursor, for applications where the heat resistance and dimensional stability of the finally obtained polyimide are severe, the part derived from acid dianhydride has an aromatic structure, and the part derived from diamine Is preferably a wholly aromatic polyimide precursor containing an aromatic structure. Therefore, the structure derived from the diamine component is also preferably a structure derived from an aromatic diamine.
Here, the wholly aromatic polyimide precursor is a polyimide precursor obtained by copolymerization of an aromatic acid component and an aromatic amine component, or polymerization of an aromatic acid / amino component, and a derivative thereof. The aromatic acid component is a compound in which all four acid groups forming the polyimide skeleton are substituted on the aromatic ring, and the aromatic amine component is the two amino groups forming the polyimide skeleton. Both are compounds substituted on the aromatic ring, and the aromatic acid / amino component is a compound in which both the acid group and amino group forming the polyimide skeleton are substituted on the aromatic ring. However, as is clear from the specific examples of raw materials described later, it is not necessary for all acid groups or amino groups to be present on the same aromatic ring.

本発明のポリイミド前駆体を製造する方法としては、従来公知の手法を適用することができる。例えば、(1)酸二無水物とジアミンから前駆体であるポリアミド酸を合成する手法。(2)酸二無水物に1価のアルコールやアミノ化合物、エポキシ化合物等を反応させ合成した、エステル酸やアミド酸モノマーのカルボン酸に、ジアミノ化合物やその誘導体を反応させてポリイミド前駆体を合成する手法などが挙げられるがこれに限定されない。   As a method for producing the polyimide precursor of the present invention, a conventionally known method can be applied. For example, (1) A method of synthesizing a polyamic acid as a precursor from an acid dianhydride and a diamine. (2) A polyimide precursor is synthesized by reacting a carboxylic acid such as an ester acid or an amic acid monomer with a monohydric alcohol, an amino compound, or an epoxy compound synthesized with an acid dianhydride. However, the method is not limited to this.

本発明のポリイミド前駆体に適用可能な酸二無水物としては、例えば、エチレンテトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、メチルシクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物などの脂肪族テトラカルボン酸二無水物;ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3’,3,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3’,3,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,6,6’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無水物、1,3−ビス〔(3,4−ジカルボキシ)ベンゾイル〕ベンゼン二無水物、1,4−ビス〔(3,4−ジカルボキシ)ベンゾイル〕ベンゼン二無水物、2,2−ビス{4−〔4−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}プロパン二無水物、   Examples of the acid dianhydride applicable to the polyimide precursor of the present invention include ethylene tetracarboxylic dianhydride, butane tetracarboxylic dianhydride, cyclobutane tetracarboxylic dianhydride, and methylcyclobutane tetracarboxylic dianhydride. , Aliphatic tetracarboxylic dianhydrides such as cyclopentanetetracarboxylic dianhydride; pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,2 ′ , 3,3′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,3 ′, 3,4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2 ′, 3,3′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3 ′, 3,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2 , 6,6'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) propane dianhydride , Bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, 1,1-bis (2,3-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride Bis (2,3-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) -1,1, 1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride, , 3-bis [( , 4-Dicarboxy) benzoyl] benzene dianhydride, 1,4-bis [(3,4-dicarboxy) benzoyl] benzene dianhydride, 2,2-bis {4- [4- (1,2- Dicarboxy) phenoxy] phenyl} propane dianhydride,

2,2−ビス{4−〔3−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}プロパン二無水物、ビス{4−〔4−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}ケトン二無水物、ビス{4−〔3−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}ケトン二無水物、4,4’−ビス〔4−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕ビフェニル二無水物、4,4’−ビス〔3−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕ビフェニル二無水物、ビス{4−〔4−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}ケトン二無水物、ビス{4−〔3−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}ケトン二無水物、ビス{4−〔4−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}スルホン二無水物、ビス{4−〔3−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}スルホン二無水物、ビス{4−〔4−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}スルフィド二無水物、ビス{4−〔3−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}スルフィド二無水物、2,2−ビス{4−〔4−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2−ビス{4−〔3−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス(2,3−又は3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−ぺリレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、1,2,7,8−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、ピリジンテトラカルボン酸二無水物、スルホニルジフタル酸無水物、m−ターフェニル−3,3′,4,4′−テトラカルボン酸二無水物、p−ターフェニル−3,3′,4,4′−テトラカルボン酸二無水物などの芳香族テトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。これらは単独あるいは2種以上混合して用いられる。そして、特に好ましく用いられるテトラカルボン酸二無水物としてピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,6,6’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無水物が挙げられる。 2,2-bis {4- [3- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} propane dianhydride, bis {4- [4- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} ketone dianhydride Bis {4- [3- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} ketone dianhydride, 4,4′-bis [4- (1,2-dicarboxy) phenoxy] biphenyl dianhydride, 4,4′-bis [3- (1,2-dicarboxy) phenoxy] biphenyl dianhydride, bis {4- [4- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} ketone dianhydride, bis { 4- [3- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} ketone dianhydride, bis {4- [4- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} sulfone dianhydride, bis {4- [3- (1,2-dicarbo Cis) phenoxy] phenyl} sulfone dianhydride, bis {4- [4- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} sulfide dianhydride, bis {4- [3- (1,2-dicarboxy) Phenoxy] phenyl} sulfide dianhydride, 2,2-bis {4- [4- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride 2,2-bis {4- [3- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride, 2,3,6 , 7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetraca Boronic acid dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-benzenetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic Acid dianhydride, 2,3,6,7-anthracenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,7,8-phenanthrenetetracarboxylic dianhydride, pyridinetetracarboxylic dianhydride, sulfonyldiphthalic anhydride , Aromatic tetra such as m-terphenyl-3,3 ', 4,4'-tetracarboxylic dianhydride, p-terphenyl-3,3', 4,4'-tetracarboxylic dianhydride Examples thereof include carboxylic dianhydrides. These may be used alone or in combination of two or more. And as a particularly preferred tetracarboxylic dianhydride, pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetra Carboxylic dianhydride, 2,2 ′, 6,6′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, 2,2-bis (3,4-di Carboxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride.

併用する酸二無水物としてフッ素が導入された酸二無水物や、脂環骨格を有する酸二無水物を用いると、透明性をそれほど損なわずに溶解性や熱膨張率等の物性を調整することが可能である。また、ピロメリット酸無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物などの剛直な酸二無水物を用いると、最終的に得られるポリイミドの線熱膨張係数が小さくなるが、透明性の向上を阻害する傾向があるので、共重合割合に注意しながら併用してもよい。   When acid dianhydride into which fluorine is introduced or acid dianhydride having an alicyclic skeleton is used as the acid dianhydride to be used in combination, the physical properties such as solubility and thermal expansion coefficient are adjusted without significantly impairing transparency. It is possible. Also, rigid acid dianhydrides such as pyromellitic acid anhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, etc. If used, the linear thermal expansion coefficient of the finally obtained polyimide becomes small, but it tends to inhibit the improvement of transparency, so it may be used in combination while paying attention to the copolymerization ratio.

一方、アミン成分も、1種類のジアミン単独で、または2種類以上のジアミンを併用して用いることができる。用いられるジアミン成分は限定されるわけではないが、p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、o−フェニレンジアミン、3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、3,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2−ジ(3−アミノフェニル)プロパン、2,2−ジ(4−アミノフェニル)プロパン、2−(3−アミノフェニル)−2−(4−アミノフェニル)プロパン、2,2−ジ(3−アミノフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ジ(4−アミノフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2−(3−アミノフェニル)−2−(4−アミノフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、1,1−ジ(3−アミノフェニル)−1−フェニルエタン、1,1−ジ(4−アミノフェニル)−1−フェニルエタン、1−(3−アミノフェニル)−1−(4−アミノフェニル)−1−フェニルエタン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノベンゾイル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノベンゾイル)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノベンゾイル)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノベンゾイル)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−α,α−ジトリフルオロメチルベンジル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノ−α,α−ジトリフルオロメチルベンジル)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−α,α−ジトリフルオロメチルベンジル)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノ−α,α−ジトリフルオロメチルベンジル)ベンゼン、2,6−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゾニトリル、2,6−ビス(3−アミノフェノキシ)ピリジン、4,4’−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]ケトン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ケトン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルフィド、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルフィド、   On the other hand, the amine component can also be used alone or in combination of two or more diamines. The diamine component used is not limited, but p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, o-phenylenediamine, 3,3′-diaminodiphenyl ether, 3,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diamino. Diphenyl ether, 3,3′-diaminodiphenyl sulfide, 3,4′-diaminodiphenyl sulfide, 4,4′-diaminodiphenyl sulfide, 3,3′-diaminodiphenyl sulfone, 3,4′-diaminodiphenyl sulfone, 4,4 '-Diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminobenzophenone, 3,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4' -Diaminodiph Nylmethane, 2,2-di (3-aminophenyl) propane, 2,2-di (4-aminophenyl) propane, 2- (3-aminophenyl) -2- (4-aminophenyl) propane, 2,2 -Di (3-aminophenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-di (4-aminophenyl) -1,1,1,3,3,3-hexa Fluoropropane, 2- (3-aminophenyl) -2- (4-aminophenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 1,1-di (3-aminophenyl) -1 -Phenylethane, 1,1-di (4-aminophenyl) -1-phenylethane, 1- (3-aminophenyl) -1- (4-aminophenyl) -1-phenylethane, 1,3-bis ( 3-Aminophenoxy) benzene, 1,3 Bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-aminobenzoyl) benzene, 1, 3-bis (4-aminobenzoyl) benzene, 1,4-bis (3-aminobenzoyl) benzene, 1,4-bis (4-aminobenzoyl) benzene, 1,3-bis (3-amino-α, α -Dimethylbenzyl) benzene, 1,3-bis (4-amino-α, α-dimethylbenzyl) benzene, 1,4-bis (3-amino-α, α-dimethylbenzyl) benzene, 1,4-bis ( 4-amino-α, α-dimethylbenzyl) benzene, 1,3-bis (3-amino-α, α-ditrifluoromethylbenzyl) benzene, 1,3-bis (4-amino-α, α-dito Trifluoromethylbenzyl) benzene, 1,4-bis (3-amino-α, α-ditrifluoromethylbenzyl) benzene, 1,4-bis (4-amino-α, α-ditrifluoromethylbenzyl) benzene, 2 , 6-bis (3-aminophenoxy) benzonitrile, 2,6-bis (3-aminophenoxy) pyridine, 4,4′-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, 4,4′-bis (4-amino) Phenoxy) biphenyl, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ketone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ketone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfide, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfide,

ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、2,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[3−(3−アミノフェノキシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、1,3−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,4−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,4−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,4−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,4−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、4,4’−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ジフェニルエーテル、4,4’−ビス[4−(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)フェノキシ]ベンゾフェノン、4,4’−ビス[4−(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)フェノキシ]ジフェニルスルホン、4,4’−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ]ジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジフェノキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジビフェノキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4−フェノキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4−ビフェノキシベンゾフェノン、6,6’−ビス(3−アミノフェノキシ)−3,3,3’,3’−テトラメチル−1,1’−スピロビインダン、6,6’−ビス(4−アミノフェノキシ)−3,3,3’,3’−テトラメチル−1,1’−スピロビインダンのような芳香族アミン; Bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (4-amino) Phenoxy) phenyl] ether, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3- (3-Aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3 3,3-hexafluoropropane, 1,3-bis [4- (3-aminophenoxy) benzoyl] benzene, 1,3-bis [4- (4-aminophenoxy) benzoyl] ben 1,4-bis [4- (3-aminophenoxy) benzoyl] benzene, 1,4-bis [4- (4-aminophenoxy) benzoyl] benzene, 1,3-bis [4- (3-amino Phenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] benzene, 1,3-bis [4- (4-aminophenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] benzene, 1,4-bis [4- (3-aminophenoxy) -Α, α-dimethylbenzyl] benzene, 1,4-bis [4- (4-aminophenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] benzene, 4,4'-bis [4- (4-aminophenoxy) benzoyl ] Diphenyl ether, 4,4′-bis [4- (4-amino-α, α-dimethylbenzyl) phenoxy] benzophenone, 4,4′-bis [4- (4-amino-α, α-dimethylbenzen) ) Phenoxy] diphenylsulfone, 4,4′-bis [4- (4-aminophenoxy) phenoxy] diphenylsulfone, 3,3′-diamino-4,4′-diphenoxybenzophenone, 3,3′-diamino-4 , 4′-Dibiphenoxybenzophenone, 3,3′-diamino-4-phenoxybenzophenone, 3,3′-diamino-4-biphenoxybenzophenone, 6,6′-bis (3-aminophenoxy) -3,3 Like 3 ′, 3′-tetramethyl-1,1′-spirobiindane, 6,6′-bis (4-aminophenoxy) -3,3,3 ′, 3′-tetramethyl-1,1′-spirobiindane Aromatic amines;

1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3−ビス(4−アミノブチル)テトラメチルジシロキサン、α,ω−ビス(3−アミノプロピル)ポリジメチルシロキサン、α,ω−ビス(3−アミノブチル)ポリジメチルシロキサン、ビス(アミノメチル)エーテル、ビス(2−アミノエチル)エーテル、ビス(3−アミノプロピル)エーテル、ビス(2−アミノメトキシ)エチル]エーテル、ビス[2−(2−アミノエトキシ)エチル]エーテル、ビス[2−(3−アミノプロトキシ)エチル]エーテル、1,2−ビス(アミノメトキシ)エタン、1,2−ビス(2−アミノエトキシ)エタン、1,2−ビス[2−(アミノメトキシ)エトキシ]エタン、1,2−ビス[2−(2−アミノエトキシ)エトキシ]エタン、エチレングリコールビス(3−アミノプロピル)エーテル、ジエチレングリコールビス(3−アミノプロピル)エーテル、トリエチレングリコールビス(3−アミノプロピル)エーテル、エチレンジアミン、1,3−ジアミノプロパン、1,4−ジアミノブタン、1,5−ジアミノペンタン、1,6−ジアミノヘキサン、1,7−ジアミノヘプタン、1,8−ジアミノオクタン、1,9−ジアミノノナン、1,10−ジアミノデカン、1,11−ジアミノウンデカン、1,12−ジアミノドデカンのような脂肪族アミン;   1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane, 1,3-bis (4-aminobutyl) tetramethyldisiloxane, α, ω-bis (3-aminopropyl) polydimethylsiloxane, α, ω -Bis (3-aminobutyl) polydimethylsiloxane, bis (aminomethyl) ether, bis (2-aminoethyl) ether, bis (3-aminopropyl) ether, bis (2-aminomethoxy) ethyl] ether, bis [ 2- (2-aminoethoxy) ethyl] ether, bis [2- (3-aminoprotoxy) ethyl] ether, 1,2-bis (aminomethoxy) ethane, 1,2-bis (2-aminoethoxy) ethane 1,2-bis [2- (aminomethoxy) ethoxy] ethane, 1,2-bis [2- (2-aminoethoxy) ethoxy] ethane Ethylene glycol bis (3-aminopropyl) ether, diethylene glycol bis (3-aminopropyl) ether, triethylene glycol bis (3-aminopropyl) ether, ethylenediamine, 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane, 1 , 5-diaminopentane, 1,6-diaminohexane, 1,7-diaminoheptane, 1,8-diaminooctane, 1,9-diaminononane, 1,10-diaminodecane, 1,11-diaminoundecane, 1,12 An aliphatic amine such as diaminododecane;

1,2−ジアミノシクロヘキサン、1,3−ジアミノシクロヘキサン、1,4−ジアミノシクロヘキサン、1,2−ジ(2−アミノエチル)シクロヘキサン、1,3−ジ(2−アミノエチル)シクロヘキサン、1,4−ジ(2−アミノエチル)シクロヘキサン、ビス(4−アミノシクロへキシル)メタン、2,6−ビス(アミノメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、2,5−ビス(アミノメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプタンのような脂環式ジアミンなどが挙げられる。グアナミン類としては、アセトグアナミン、ベンゾグアナミンなどを挙げることができ、また、上記ジアミンの芳香環上水素原子の一部若しくは全てをフルオロ基、メチル基、メトキシ基、トリフルオロメチル基、又はトリフルオロメトキシ基から選ばれた置換基で置換したジアミンも使用することができる。
さらに目的に応じ、架橋点となるエチニル基、ベンゾシクロブテン−4’−イル基、ビニル基、アリル基、シアノ基、イソシアネート基、及びイソプロペニル基のいずれか1種又は2種以上を、上記ジアミンの芳香環上水素原子の一部若しくは全てに置換基として導入しても使用することができる。
1,2-diaminocyclohexane, 1,3-diaminocyclohexane, 1,4-diaminocyclohexane, 1,2-di (2-aminoethyl) cyclohexane, 1,3-di (2-aminoethyl) cyclohexane, 1,4 -Di (2-aminoethyl) cyclohexane, bis (4-aminocyclohexyl) methane, 2,6-bis (aminomethyl) bicyclo [2.2.1] heptane, 2,5-bis (aminomethyl) bicyclo [2.2.1] Alicyclic diamines such as heptane. Examples of guanamines include acetoguanamine, benzoguanamine, and the like, and some or all of the hydrogen atoms on the aromatic ring of the diamine are fluoro group, methyl group, methoxy group, trifluoromethyl group, or trifluoromethoxy group. Diamines substituted with substituents selected from the group can also be used.
Furthermore, depending on the purpose, any one or two or more of the ethynyl group, benzocyclobuten-4′-yl group, vinyl group, allyl group, cyano group, isocyanate group, and isopropenyl group serving as a crosslinking point, Even if it introduce | transduces into some or all of the hydrogen atoms on the aromatic ring of diamine as a substituent, it can be used.

ジアミンは、目的の物性によって選択することができ、p−フェニレンジアミンなどの剛直なジアミンを用いれば、最終的に得られるポリイミドは低膨張率となる。剛直なジアミンとしては、同一の芳香環に2つアミノ基が結合しているジアミンとして、p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、1,4−ジアミノナフタレン、1,5−ジアミノナフタレン、2、6−ジアミノナフタレン、2,7−ジアミノナフタレン、1,4―ジアミノアントラセンなどが挙げられる。
さらに、2つ以上の芳香族環が単結合により結合し、2つ以上のアミノ基がそれぞれ別々の芳香族環上に直接又は置換基の一部として結合しているジアミンが挙げられ、例えば、下記式(6)により表されるものがある。具体例としては、ベンジジン等が挙げられる。
The diamine can be selected depending on the desired physical properties. If a rigid diamine such as p-phenylenediamine is used, the finally obtained polyimide has a low expansion coefficient. Rigid diamines include p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 1,4-diaminonaphthalene, 1,5-diaminonaphthalene, 2, 6 as diamines in which two amino groups are bonded to the same aromatic ring. -Diaminonaphthalene, 2,7-diaminonaphthalene, 1,4-diaminoanthracene and the like can be mentioned.
In addition, diamines in which two or more aromatic rings are bonded by a single bond, and two or more amino groups are each bonded directly or as part of a substituent on a separate aromatic ring, for example, There exists what is represented by following formula (6). Specific examples include benzidine and the like.

Figure 0004997806
Figure 0004997806

(aは1以上の自然数、アミノ基はベンゼン環同士の結合に対して、メタ位または、パラ位に結合する。) (A is a natural number of 1 or more, and the amino group is bonded to the meta position or the para position with respect to the bond between the benzene rings.)

さらに、上記式(6)において、他のベンゼン環との結合に関与せず、ベンゼン環上のアミノ基が置換していない位置に置換基を有するジアミンも用いることができる。これら置換基は、1価の有機基であるがそれらは互いに結合していてもよい。
具体例としては、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’−ジトリフルオロメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジクロロ−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル等が挙げられる。
また、最終的に得られるポリイミドを光導波路、光回路部品として用いる場合には、芳香環の置換基としてフッ素を導入すると1μm以上の波長の電磁波に対しての透過率を向上させることができる。
Furthermore, in the above formula (6), a diamine having a substituent at a position where the amino group on the benzene ring is not substituted and which does not participate in the bond with another benzene ring can also be used. These substituents are monovalent organic groups, but they may be bonded to each other.
Specific examples include 2,2′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl, 2,2′-ditrifluoromethyl-4,4′-diaminobiphenyl, 3,3′-dichloro-4,4′-diamino. Biphenyl, 3,3′-dimethoxy-4,4′-diaminobiphenyl, 3,3′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl and the like can be mentioned.
When the finally obtained polyimide is used as an optical waveguide or an optical circuit component, the transmittance for electromagnetic waves having a wavelength of 1 μm or more can be improved by introducing fluorine as a substituent of the aromatic ring.

一方、ジアミンとして、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサンなどのシロキサン骨格を有するジアミンを用いると、最終的に得られるポリイミドの弾性率が低下し、ガラス転移温度を低下させることができる。
ここで、選択されるジアミンは耐熱性の観点より芳香族ジアミンが好ましいが、目的の物性に応じてジアミンの全体の60モル%、好ましくは40モル%を超えない範囲で、脂肪族ジアミンやシロキサン系ジアミン等の芳香族以外のジアミンを用いても良い。
On the other hand, when a diamine having a siloxane skeleton such as 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane is used as the diamine, the elastic modulus of the finally obtained polyimide is lowered and the glass transition temperature is lowered. be able to.
Here, the selected diamine is preferably an aromatic diamine from the viewpoint of heat resistance. However, depending on the desired physical properties, the diamine may be an aliphatic diamine or siloxane within a range not exceeding 60 mol%, preferably not exceeding 40 mol%. Non-aromatic diamines such as diamines may be used.

一方、ポリイミド前駆体を合成するには、例えば、アミン成分として4,4’−ジアミノジフェニルエーテルをN−メチルピロリドンなどの有機極性溶媒に溶解させた溶液を冷却しながら、そこへ等モルの3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を徐々に加え撹拌し、ポリイミド前駆体溶液を得ることができる。
このようにして合成されるポリイミド前駆体は、最終的に得られるポリイミドに耐熱性及び寸法安定性を求める場合には、芳香族酸成分及び/又は芳香族アミン成分の共重合割合ができるだけ大きいことが好ましい。具体的には、イミド構造の繰り返し単位を構成する酸成分に占める芳香族酸成分の割合が50モル%以上、特に70モル%以上であることが好ましく、イミド構造の繰り返し単位を構成するアミン成分に占める芳香族アミン成分の割合が40モル%以上、特に60モル%以上であることが好ましく、全芳香族ポリイミドであることが特に好ましい。
On the other hand, in order to synthesize a polyimide precursor, for example, while cooling a solution in which 4,4′-diaminodiphenyl ether as an amine component is dissolved in an organic polar solvent such as N-methylpyrrolidone, 3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride is gradually added and stirred to obtain a polyimide precursor solution.
The polyimide precursor synthesized in this way has a copolymerization ratio of the aromatic acid component and / or aromatic amine component as large as possible when the final polyimide obtained is required to have heat resistance and dimensional stability. Is preferred. Specifically, the proportion of the aromatic acid component in the acid component constituting the repeating unit of the imide structure is preferably 50 mol% or more, particularly preferably 70 mol% or more, and the amine component constituting the repeating unit of the imide structure The proportion of the aromatic amine component in the total is preferably 40 mol% or more, particularly preferably 60 mol% or more, and particularly preferably a wholly aromatic polyimide.

本発明に用いられるポリベンゾオキサゾール前駆体であるポリアミドアルコールは、一般式(7)で示される化合物が好適に用いられ、当該化合物はジカルボン酸ハロゲン化物などのジカルボン酸誘導体とジヒドロキシジアミンとを有機溶媒中で付加反応することにより得られる。   As the polyamide alcohol which is a polybenzoxazole precursor used in the present invention, a compound represented by the general formula (7) is preferably used, and the compound is obtained by combining a dicarboxylic acid derivative such as a dicarboxylic acid halide and dihydroxydiamine with an organic solvent. It can be obtained by addition reaction.

Figure 0004997806
(式(7)中、R15は2価の有機基である。R16は4価の有機基である。)
なお、R15の2価は酸と結合するための価数のみを示しているが、他に更なる置換基を有していても良い。同様に、R16の4価はアミン及びヒドロキシル基と結合するための価数のみを示しているが、他に更なる置換基を有していても良い。
Figure 0004997806
(In formula (7), R 15 is a divalent organic group. R 16 is a tetravalent organic group.)
In addition, although the divalent value of R 15 indicates only the valence for bonding with an acid, it may have another substituent. Similarly, the tetravalent value of R 16 indicates only the valency for bonding with an amine and a hydroxyl group, but may have other substituents.

上記の必要に応じて用いられるジカルボン酸およびその誘導体としては、例えば、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、4,4’−ベンゾフェノンジカルボン酸、3,4’−ベンゾフェノンジカルボン酸、3,3’−ベンゾフェノンジカルボン酸、4,4’−ビフェニルジカルボン酸、3,4’−ビフェニルジカルボン酸、3,3’−ビフェニルジカルボン酸、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸、3,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸、3,3’−ジフェニルエーテルジカルボン酸、4,4’−ジフェニルスルホンジカルボン酸、3,4’−ジフェニルスルホンジカルボン酸、3,3’−ジフェニルスルホンジカルボン酸、4,4’−ヘキサフルオロイソプロピリデン二安息香酸、
4,4’−ジカルボキシジフェニルアミド、1,4−フェニレンジエタン酸、1,1−ビス(4−カルボキシフェニル)−1−フェニル−2,2,2−トリフルオロエタン、ビス(4−カルボキシフェニル)テトラフェニルジシロキサン、ビス(4−カルボキシフェニル)テトラメチルジシロキサン、ビス(4−カルボキシフェニル)スルホン、ビス(4−カルボキシフェニル)メタン、5−t−ブチルイソフタル酸、5−ブロモイソフタル酸、5−フルオロイソフタル酸、5−クロロイソフタル酸、2,2−ビス−(p−カルボキシフェニル)プロパン、4,4’−(p−フェニレンジオキシ)二安息香酸、2,6−ナフタレンジカルボン酸、もしくはこれらの酸ハロゲン化物、およびヒドロキシベンゾトリアゾール等との活性エステル体などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。これらは単独であるいは2種類以上を組み合わせて用いられる。
Examples of the dicarboxylic acid and derivatives thereof used as necessary include phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, 4,4′-benzophenone dicarboxylic acid, 3,4′-benzophenone dicarboxylic acid, 3,3′- Benzophenone dicarboxylic acid, 4,4′-biphenyl dicarboxylic acid, 3,4′-biphenyl dicarboxylic acid, 3,3′-biphenyl dicarboxylic acid, 4,4′-diphenyl ether dicarboxylic acid, 3,4′-diphenyl ether dicarboxylic acid, 3 , 3′-diphenyl ether dicarboxylic acid, 4,4′-diphenylsulfone dicarboxylic acid, 3,4′-diphenylsulfone dicarboxylic acid, 3,3′-diphenylsulfone dicarboxylic acid, 4,4′-hexafluoroisopropylidene dibenzoic acid ,
4,4′-dicarboxydiphenylamide, 1,4-phenylenediethanic acid, 1,1-bis (4-carboxyphenyl) -1-phenyl-2,2,2-trifluoroethane, bis (4-carboxy Phenyl) tetraphenyldisiloxane, bis (4-carboxyphenyl) tetramethyldisiloxane, bis (4-carboxyphenyl) sulfone, bis (4-carboxyphenyl) methane, 5-t-butylisophthalic acid, 5-bromoisophthalic acid 5-fluoroisophthalic acid, 5-chloroisophthalic acid, 2,2-bis- (p-carboxyphenyl) propane, 4,4 ′-(p-phenylenedioxy) dibenzoic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid Or an active ester thereof with these acid halides and hydroxybenzotriazole It can be exemplified, but the invention is not limited thereto. These may be used alone or in combination of two or more.

また、ヒドロキシジアミンの具体例としては、例えば、3,3’−ジヒドロキシベンジジン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシビフェニル、 4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシビフェニル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、 ビス−(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス−(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス−(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス−(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス−(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)メタン、 2,2−ビス−(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)プロパン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、 4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、 3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、1,4−ジアミノ−2,5−ジヒドロキシベンゼン、 1,3−ジアミノ−2,4−ジヒドロキシベンゼン、 3−ジアミノ−4,6−ジヒドロキシベンゼンなどが挙げられるがこれらに限定されるものではない。これらは単独であるいは2種類以上を組み合わせて用いられる。   Specific examples of hydroxydiamine include, for example, 3,3′-dihydroxybenzidine, 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxybiphenyl, 4,4′-diamino-3,3′-dihydroxybiphenyl, 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxydiphenylsulfone, 4,4′-diamino-3,3′-dihydroxydiphenylsulfone, bis- (3-amino-4-hydroxyphenyl) methane, 2,2- Bis- (3-amino-4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis- (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis- (4-amino-3-hydroxyphenyl) Hexafluoropropane, bis- (4-amino-3-hydroxyphenyl) methane, 2,2-bis- (4-amino-3) Hydroxyphenyl) propane, 4,4′-diamino-3,3′-dihydroxybenzophenone, 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxybenzophenone, 4,4′-diamino-3,3′-dihydroxydiphenyl ether, 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxydiphenyl ether, 1,4-diamino-2,5-dihydroxybenzene, 1,3-diamino-2,4-dihydroxybenzene, 3-diamino-4,6-dihydroxy Examples include, but are not limited to, benzene. These may be used alone or in combination of two or more.

ポリイミド前駆体やポリベンゾオキサゾール前駆体などの高分子前駆体は、感光性樹脂組成物とした際の感度を高め、マスクパターンを正確に再現するパターン形状を得るために、1μmの膜厚のときに、露光波長に対して少なくとも5%以上の透過率を示すことが好ましく、15%以上の透過率を示すことが更に好ましい。
露光波長に対してポリイミド前駆体やポリベンゾオキサゾール前駆体などの高分子前駆体の透過率が高いということは、それだけ、光のロスが少ないということであり、高感度の感光性樹脂組成物を得ることができる。
また、一般的な露光光源である高圧水銀灯を用いて露光を行う場合には、少なくとも436nm、405nm、365nmの波長の電磁波のうち1つの波長の電磁波に対する透過率が、厚み1μmのフィルムに成膜した時で好ましくは5%以上、さらに好ましくは15%、さらに好ましくは50%以上である。
波長が248nmであるKrFレーザーで露光する場合には、248nmにおける透過率が、厚み1μmのフィルムに成膜した時で好ましくは5%以上、さらに好ましくは15%、さらに好ましくは50%以上である。
Polymer precursors such as polyimide precursors and polybenzoxazole precursors have a film thickness of 1 μm in order to increase the sensitivity of the photosensitive resin composition and obtain a pattern shape that accurately reproduces the mask pattern. Furthermore, it is preferable that the transmittance is at least 5% or more with respect to the exposure wavelength, and it is more preferable that the transmittance is 15% or more.
The high transmittance of polymer precursors such as polyimide precursors and polybenzoxazole precursors with respect to the exposure wavelength means that there is less light loss, and a highly sensitive photosensitive resin composition can be used. Obtainable.
In addition, when exposure is performed using a high-pressure mercury lamp, which is a general exposure light source, a transmittance with respect to an electromagnetic wave having a wavelength of at least 436 nm, 405 nm, and 365 nm is formed on a film having a thickness of 1 μm. Is preferably 5% or more, more preferably 15%, and still more preferably 50% or more.
In the case of exposure with a KrF laser having a wavelength of 248 nm, the transmittance at 248 nm is preferably 5% or more, more preferably 15%, more preferably 50% or more when formed on a film having a thickness of 1 μm. .

ポリイミド前駆体などの高分子前駆体の重量平均分子量は、その用途にもよるが、3,000〜1,000,000の範囲であることが好ましく、5,000〜500,000の範囲であることがさらに好ましく、10,000〜500,000の範囲であることがさらに好ましい。重量平均分子量が3,000未満であると、塗膜又はフィルムとした場合に十分な強度が得られにくい。また、加熱処理等を施しポリイミドなどの高分子とした際の膜の強度も低くなる。一方、重量平均分子量が1,000,000を超えると粘度が上昇し、溶解性も落ちてくるため、表面が平滑で膜厚が均一な塗膜又はフィルムが得られにくい。
ここで用いている分子量とは、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算の値のことをいい、ポリイミド前駆体などの高分子前駆体そのものの分子量でも良いし、無水酢酸等で化学的イミド化処理を行った後のものでも良い。
The weight average molecular weight of a polymer precursor such as a polyimide precursor is preferably in the range of 3,000 to 1,000,000, and in the range of 5,000 to 500,000, depending on the application. More preferably, it is more preferably in the range of 10,000 to 500,000. When the weight average molecular weight is less than 3,000, it is difficult to obtain sufficient strength when a coating film or film is used. In addition, the strength of the film is reduced when heat treatment or the like is performed to obtain a polymer such as polyimide. On the other hand, when the weight average molecular weight exceeds 1,000,000, the viscosity increases and the solubility decreases, so that it is difficult to obtain a coating film or film having a smooth surface and a uniform film thickness.
The molecular weight used here is a value in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC), which may be the molecular weight of a polymer precursor itself such as a polyimide precursor, or chemical imidization with acetic anhydride or the like. It may be after processing.

なお、ポリイミド前駆体やポリベンゾオキサゾール前駆体合成時における溶媒は、極性溶媒が望ましく、代表的なものとして、N-メチル-2-ピロリドン、N−アセチル−2−ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、N,N-ジエチルアセトアミド、N,N-ジメチルメトキシアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルフォスホアミド、ピリジン、ジメチルスルホン、テトラメチレンスルホン、ジメチルテトラメチレンスルホン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、シクロペンタノン、γ−ブチロラクトン、α−アセチル−γ−ブチロラクトン等があり、これらの溶媒は単独であるいは2種類以上を組み合わせて用いられる。この他にも溶媒として組合せて用いられるものとしてベンゼン、ベンゾニトリル、1,4−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ブチロラクトン、キシレン、トルエン、シクロヘキサノン等の非極性溶媒が挙げられ、これらの溶媒は、原料の分散媒、反応調節剤、あるいは生成物からの溶媒の揮散調節剤、皮膜平滑剤などとして使用される。   In addition, the solvent at the time of the polyimide precursor or polybenzoxazole precursor synthesis is preferably a polar solvent, and representative examples include N-methyl-2-pyrrolidone, N-acetyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide. , N, N-dimethylacetamide, N, N-diethylformamide, N, N-diethylacetamide, N, N-dimethylmethoxyacetamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphoamide, pyridine, dimethylsulfone, tetramethylenesulfone, dimethyltetra Examples include methylene sulfone, diethylene glycol dimethyl ether, cyclopentanone, γ-butyrolactone, α-acetyl-γ-butyrolactone, and these solvents are used alone or in combination of two or more. In addition to these, non-polar solvents such as benzene, benzonitrile, 1,4-dioxane, tetrahydrofuran, butyrolactone, xylene, toluene, cyclohexanone, and the like can be used as a solvent. It is used as a reaction regulator, a volatilization regulator of a solvent from the product, a film smoothing agent, and the like.

本発明に係る感光性樹脂組成物は、上記式(1)で表されるカルボン酸とアミンの塩と、高分子前駆体と、溶媒だけの単純な混合物であってもよいが、さらに、増感剤、光又は熱硬化性成分、高分子前駆体以外の非重合性バインダー樹脂、その他の成分を配合して、感光性樹脂組成物を調製してもよい。
感光性樹脂組成物を溶解、分散又は希釈する溶剤としては各種の汎用溶剤を用いることが出来る。また、前駆体としてポリアミド酸を用いる場合には、ポリアミド酸の合成反応により得られた溶液をそのまま用い、そこに必要に応じて他の成分を混合しても良い。
The photosensitive resin composition according to the present invention may be a simple mixture of a carboxylic acid and amine salt represented by the above formula (1), a polymer precursor, and a solvent. A photosensitive resin composition may be prepared by blending a sensitizer, a light or thermosetting component, a non-polymerizable binder resin other than the polymer precursor, and other components.
Various general-purpose solvents can be used as a solvent for dissolving, dispersing or diluting the photosensitive resin composition. Moreover, when using polyamic acid as a precursor, you may use the solution obtained by the synthesis reaction of polyamic acid as it is, and may mix other components there as needed.

上記式(1)で表されるカルボン酸とアミンの塩の吸収波長が高分子前駆体の吸収波長と重なるため十分な感度が得られない場合において、感度向上の手段として、増感剤の添加が効果を発揮する場合がある。また、高分子前駆体を透過する電磁波の波長帯に上記式(1)で表されるカルボン酸とアミンの塩が吸収波長を有する場合においても、感度向上の手段として、増感剤を添加することができる。ただし、増感剤の添加による高分子前駆体の含有率の減少に伴う、得られるパターンの膜物性、特に膜強度や耐熱性の低下に関して考慮に入れる必要がある。
増感剤と呼ばれる化合物の具体例としては、チオキサントン及び、ジエチルチオキサントンなどのその誘導体、シアニン及び、その誘導体、メロシアニン及び、その誘導体、クマリン系及び、その誘導体、ケトクマリン及び、その誘導体、ケトビスクマリン、及びその誘導体、シクロペンタノン及び、その誘導体、シクロヘキサノン及び、その誘導体、チオピリリウム塩及び、その誘導体、キノリン系及び、その誘導体、スチリルキノリン系及び、その誘導体、チオキサンテン系、キサンテン系及び、その誘導体、オキソノール系及び、その誘導体、ローダミン系及び、その誘導体、ピリリウム塩及び、その誘導体等が挙げられる。
In the case where sufficient sensitivity cannot be obtained because the absorption wavelength of the salt of the carboxylic acid and amine represented by the above formula (1) overlaps with the absorption wavelength of the polymer precursor, addition of a sensitizer as a means for improving sensitivity May be effective. Further, even when the salt of carboxylic acid and amine represented by the above formula (1) has an absorption wavelength in the wavelength band of electromagnetic waves that pass through the polymer precursor, a sensitizer is added as a means for improving sensitivity. be able to. However, it is necessary to take into consideration the film physical properties of the resulting pattern, particularly the decrease in film strength and heat resistance, accompanying the decrease in the content of the polymer precursor due to the addition of the sensitizer.
Specific examples of compounds called sensitizers include thioxanthone and derivatives thereof such as diethylthioxanthone, cyanine and derivatives thereof, merocyanine and derivatives thereof, coumarins and derivatives thereof, ketocoumarins and derivatives thereof, and ketobiscoumarins. And derivatives thereof, cyclopentanone and derivatives thereof, cyclohexanone and derivatives thereof, thiopyrylium salts and derivatives thereof, quinoline derivatives and derivatives thereof, styrylquinoline derivatives and derivatives thereof, thioxanthene derivatives, xanthene derivatives and Derivatives, oxonol-based and derivatives thereof, rhodamine-based and derivatives thereof, pyrylium salts and derivatives thereof.

シアニン、メロシアニン及び、その誘導体の具体例としては、3,3’−ジカルボキシエチル−2,2’チオシアニンブロミド、1−カルボキシメチル−1’−カルボキシエチル−2,2’−キノシアニンブロミド、1,3’−ジエチル−2,2’−キノチアシアニンヨ−ジド、3−エチル−5−[(3−エチル−2(3H)−ベンゾチアゾリデン)エチリデン]−2−チオキソ−4−オキサゾリジン等が挙げられる。
クマリン、ケトクマリン及び、その誘導体の具体例としては、3−(2’−ベンゾイミダゾール)−7−ジエチルアミノクマリン、3,3’−カルボニルビス(7−ジエチルアミノクマリン)、3,3’−カルボニルビスクマリン、3,3’−カルボニルビス(5,7−ジメトキシクマリン)、3,3’−カルボニルビス(7−アセトキシクマリン)等が挙げられる。
チオキサントン及び、その誘導体の具体例としては、ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントンなどが挙げられる。
Specific examples of cyanine, merocyanine and derivatives thereof include 3,3′-dicarboxyethyl-2,2′thiocyanine bromide, 1-carboxymethyl-1′-carboxyethyl-2,2′-quinocyanine bromide, 1,3′-diethyl-2,2′-quinothiocyanine iodide, 3-ethyl-5-[(3-ethyl-2 (3H) -benzothiazolidene) ethylidene] -2-thioxo-4- And oxazolidine.
Specific examples of coumarin, ketocoumarin and derivatives thereof include 3- (2′-benzimidazole) -7-diethylaminocoumarin, 3,3′-carbonylbis (7-diethylaminocoumarin), and 3,3′-carbonylbiscoumarin. 3,3′-carbonylbis (5,7-dimethoxycoumarin), 3,3′-carbonylbis (7-acetoxycoumarin) and the like.
Specific examples of thioxanthone and derivatives thereof include diethyl thioxanthone and isopropyl thioxanthone.

さらに他にはベンゾフェノン、アセトフェノン、アントロン、p,p’−テトラメチルジアミノベンゾフェノン(ミヒラーケトン)、フェナントレン、2−ニトロフルオレン、5−ニトロアセナフテン、ベンゾキノン、N−アセチル−p−ニトロアニリン、p−ニトロアニリン、2−エチルアントラキノン、2−ターシャリーブチルアントラキノン、N−アセチル−4−ニトロ−1−ナフチルアミン、ピクラミド、1,2−ベンズアンスラキノン、3−メチル−1,3−ジアザ−1,9−ベンズアンスロン、p,p’−テトラエチルジアミノベンゾフェノン、2−クロロ−4−ニトロアニリン、ジベンザルアセトン、1,2−ナフトキノン、2,5−ビス−(4’−ジエチルアミノベンザル)−シクロペンタン、2,6−ビス−(4’−ジエチルアミノベンザル)−シクロヘキサノン、2,6−ビス−(4’−ジメチルアミノベンザル)−4−メチル−シクロヘキサノン、2,6−ビス−(4’−ジエチルアミノベンザル)−4−メチル−シクロヘキサノン、4,4’−ビス−(ジメチルアミノ)−カルコン、4,4’−ビス−(ジエチルアミノ)−カルコン、p−ジメチルアミノベンジリデンインダノン、1,3−ビス−(4’−ジメチルアミノベンザル)−アセトン、1,3−ビス−(4’−ジエチルアミノベンザル)−アセトン、N−フェニル−ジエタノールアミン、N−p−トリル−ジエチルアミン、などが挙げられる。
本発明ではこれらの増感剤を1種または2種以上使用することができる。
Other examples include benzophenone, acetophenone, anthrone, p, p'-tetramethyldiaminobenzophenone (Michler ketone), phenanthrene, 2-nitrofluorene, 5-nitroacenaphthene, benzoquinone, N-acetyl-p-nitroaniline, p-nitro. Aniline, 2-ethylanthraquinone, 2-tertiarybutylanthraquinone, N-acetyl-4-nitro-1-naphthylamine, picramide, 1,2-benzanthraquinone, 3-methyl-1,3-diaza-1,9- Benzanthrone, p, p'-tetraethyldiaminobenzophenone, 2-chloro-4-nitroaniline, dibenzalacetone, 1,2-naphthoquinone, 2,5-bis- (4'-diethylaminobenzal) -cyclopentane, 2,6-bis- (4′-diethyla Minobenzal) -cyclohexanone, 2,6-bis- (4′-dimethylaminobenzal) -4-methyl-cyclohexanone, 2,6-bis- (4′-diethylaminobenzal) -4-methyl-cyclohexanone, 4, 4'-bis- (dimethylamino) -chalcone, 4,4'-bis- (diethylamino) -chalcone, p-dimethylaminobenzylideneindanone, 1,3-bis- (4'-dimethylaminobenzal) -acetone 1,3-bis- (4′-diethylaminobenzal) -acetone, N-phenyl-diethanolamine, Np-tolyl-diethylamine, and the like.
In the present invention, one or more of these sensitizers can be used.

また、組成物に使用される溶剤としては、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル等のエーテル類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールモノエーテル類(いわゆるセロソルブ類);メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどのケトン類;酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸n−プロピル、酢酸i−プロピル、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、前記グリコールモノエーテル類の酢酸エステル(例えば、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート)、メトキシプロピルアセテート、エトキシプロピルアセテート、蓚酸ジメチル、乳酸メチル、乳酸エチル等のエステル類;エタノール、プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン等のアルコール類;塩化メチレン、1,1−ジクロロエタン、1,2−ジクロロエチレン、1−クロロプロパン、1−クロロブタン、1−クロロペンタン、クロロベンゼン、ブロムベンゼン、o−ジクロロベンゼン、m−ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミド等のアミド類;N−メチルピロリドンなどのピロリドン類;γ−ブチロラクトン等のラクトン類;ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、その他の有機極性溶媒類等が挙げられ、更には、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、及び、その他の有機非極性溶媒類等も挙げられる。これらの溶媒は単独若しくは組み合わせて用いられる。
中でも、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、N,N-ジエチルアセトアミド、N,N-ジメチルメトキシアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルフォスホアミド、N−アセチル−2−ピロリドン、ピリジン、ジメチルスルホン、テトラメチレンスルホン、ジメチルテトラメチレンスルホン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、シクロペンタノン、γ−ブチロラクトン、α−アセチル−γ−ブチロラクトン等の極性溶媒が好適なものとして挙げられる。
Examples of the solvent used in the composition include ethers such as diethyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether; ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol Glycol monoethers (so-called cellosolves) such as monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether; methyl ethyl ketone, acetone, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, etc. Ketones; ethyl acetate, acetic acid Chill, n-propyl acetate, i-propyl acetate, n-butyl acetate, i-butyl acetate, acetate esters of the glycol monoethers (for example, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate), methoxypropyl acetate, ethoxypropyl acetate, Esters such as dimethyl oxalate, methyl lactate, ethyl lactate; alcohols such as ethanol, propanol, butanol, hexanol, cyclohexanol, ethylene glycol, diethylene glycol, glycerin; methylene chloride, 1,1-dichloroethane, 1,2-dichloroethylene, Halogenated hydrocarbons such as 1-chloropropane, 1-chlorobutane, 1-chloropentane, chlorobenzene, bromobenzene, o-dichlorobenzene, m-dichlorobenzene; N, N- Amides such as methylformamide, N, N-diethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N, N-diethylacetamide; Pyrrolidones such as N-methylpyrrolidone; Lactones such as γ-butyrolactone; Sulfoxides such as dimethylsulfoxide And other organic polar solvents, and aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, and xylene, and other organic nonpolar solvents. These solvents are used alone or in combination.
Among them, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N, N-diethylformamide, N, N-diethylacetamide, N, N-dimethylmethoxyacetamide, dimethyl sulfoxide, hexa Polar solvents such as methylphosphoamide, N-acetyl-2-pyrrolidone, pyridine, dimethyl sulfone, tetramethylene sulfone, dimethyltetramethylene sulfone, diethylene glycol dimethyl ether, cyclopentanone, γ-butyrolactone, α-acetyl-γ-butyrolactone It is mentioned as a suitable thing.

光硬化性成分としては、エチレン性不飽和結合を1つ又は2つ以上有する化合物を用いることができ、例えば、アミド系モノマー、(メタ)アクリレートモノマー、ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマー、ポリエステル(メタ)アクリレートオリゴマー、エポキシ(メタ)アクリレート、及びヒドロキシル基含有(メタ)アクリレート、スチレン等の芳香族ビニル化合物を挙げることができる。また、ポリイミド前駆体が、ポリアミック酸等のカルボン酸成分を構造内に有する場合には、3級アミノ基を有するエチレン性不飽和結合含有化合物を用いると、ポリイミド前駆体のカルボン酸とイオン結合を形成し、感光性樹脂組成物としたときの露光部、未露光部の溶解速度のコントラストが大きくなる。   As the photocurable component, a compound having one or more ethylenically unsaturated bonds can be used. For example, an amide monomer, a (meth) acrylate monomer, a urethane (meth) acrylate oligomer, a polyester (meth) Aromatic vinyl compounds such as acrylate oligomers, epoxy (meth) acrylates, hydroxyl group-containing (meth) acrylates, and styrene can be exemplified. In addition, when the polyimide precursor has a carboxylic acid component such as polyamic acid in the structure, the use of an ethylenically unsaturated bond-containing compound having a tertiary amino group causes the carboxylic acid of the polyimide precursor to have an ionic bond. When the photosensitive resin composition is formed, the contrast of the dissolution rate of the exposed area and the unexposed area is increased.

このようなエチレン性不飽和結合を有する光硬化性化合物を用いる場合には、さらに光ラジカル発生剤を添加してもよい。光ラジカル発生剤としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル及びベンゾインイソプロピルエーテル等のベンゾインとそのアルキルエーテル;アセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2,2−ジエトキシ−2−フェニルアセトフェノン、1,1−ジクロロアセトフェノン、1−ヒドロキシアセトフェノン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン及び2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノ−プロパン−1−オン等のアセトフェノン;2−メチルアントラキノン、2−エチルアントラキノン、2−ターシャリ-ブチルアントラキノン、1−クロロアントラキノン及び2−アミルアントラキノン等のアントラキノン;2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン及び2,4−ジイソピルチオキサントン等のチオキサントン;アセトフェノンジメチルケタール及びベンジルジメチルケタール等のケタール;2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド等のモノアシルホスフィンオキシドあるいはビスアシルホスフィンオキシド類;ベンゾフェノン等のベンゾフェノン類;並びにキサントン類等が挙げられる。   When using a photocurable compound having such an ethylenically unsaturated bond, a photoradical generator may be further added. Examples of the photo radical generator include benzoin such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether and benzoin isopropyl ether and alkyl ethers thereof; acetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxy-2 Acetophenones such as phenylacetophenone, 1,1-dichloroacetophenone, 1-hydroxyacetophenone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone and 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-propan-1-one Anthraquinones such as 2-methylanthraquinone, 2-ethylanthraquinone, 2-tertiary-butylanthraquinone, 1-chloroanthraquinone and 2-amylanthraquinone; 2,4-dimethyl Thioxanthone such as luthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone; ketals such as acetophenone dimethyl ketal and benzyldimethyl ketal; 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide Monoacylphosphine oxides or bisacylphosphine oxides; benzophenones such as benzophenone; and xanthones.

本発明に係る樹脂組成物に加工特性や各種機能性を付与するために、その他に様々な有機又は無機の低分子又は高分子化合物を配合してもよい。例えば、染料、界面活性剤、レベリング剤、可塑剤、微粒子等を用いることができる。微粒子には、ポリスチレン、ポリテトラフルオロエチレン等の有機微粒子、コロイダルシリカ、カーボン、層状珪酸塩等の無機微粒子等が含まれ、それらは多孔質や中空構造であってもよい。また、その機能又は形態としては顔料、フィラー、繊維等がある。   In order to impart processing characteristics and various functionalities to the resin composition according to the present invention, various organic or inorganic low-molecular or high-molecular compounds may be blended. For example, dyes, surfactants, leveling agents, plasticizers, fine particles and the like can be used. The fine particles include organic fine particles such as polystyrene and polytetrafluoroethylene, inorganic fine particles such as colloidal silica, carbon, and layered silicate, and these may have a porous or hollow structure. The function or form includes pigments, fillers, fibers, and the like.

本発明に係る感光性樹脂組成物において、前記高分子前駆体(固形分)は、得られるパターンの膜物性、特に膜強度や耐熱性の点から、感光性樹脂組成物の固形分全体に対し、30重量%以上、50重量%以上含有することが好ましい。また、前記式(1)で表されるカルボン酸とアミンとの塩は、感光性樹脂組成物に含まれる高分子前駆体の固形分100重量部に対し、通常、0.01〜50重量部、好ましくは0.1〜30重量部の範囲内で含有させることが好ましい。0.01重量部未満であると環化反応促進効果が不十分となる傾向があり、50重量部を超えると最終的に得られる樹脂硬化物に求められる諸物性を満たしにくくなる。
また、上記増感剤の配合量は高分子前駆体の固形分100重量部に対して50重量部未満とすることが好ましく、30重量部未満とすることがより好ましい。また、最終的に得られる樹脂硬化物に求められる諸物性の低下を防ぐため、前記式(1)で表されるカルボン酸とアミンとの塩と増感剤の合計がポリイミド前駆体100重量部に対して50重量部以下であることが望ましい。
また、その他の任意成分の配合割合は、感光性樹脂組成物の固形分全体に対し、0.1重量%〜95重量%の範囲が好ましい。0.1重量%未満だと、添加物を添加した効果が発揮されにくく、95重量%を超えると、最終的に得られる樹脂硬化物の特性が最終生成物に反映されにくい。なお、感光性樹脂組成物の固形分とは溶剤以外の全成分であり、液状のモノマー成分も固形分に含まれる。
In the photosensitive resin composition according to the present invention, the polymer precursor (solid content) is based on the entire solid content of the photosensitive resin composition from the viewpoint of film physical properties of the pattern to be obtained, particularly film strength and heat resistance. 30% by weight or more, preferably 50% by weight or more. The salt of the carboxylic acid and amine represented by the formula (1) is usually 0.01 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the solid content of the polymer precursor contained in the photosensitive resin composition. The content is preferably within the range of 0.1 to 30 parts by weight. If it is less than 0.01 part by weight, the effect of promoting cyclization reaction tends to be insufficient, and if it exceeds 50 parts by weight, it becomes difficult to satisfy various physical properties required for the finally obtained resin cured product.
Moreover, it is preferable that the compounding quantity of the said sensitizer shall be less than 50 weight part with respect to 100 weight part of solid content of a polymer precursor, and it is more preferable to set it as less than 30 weight part. In addition, in order to prevent deterioration of various physical properties required for the finally obtained resin cured product, the total of the salt of the carboxylic acid and amine represented by the formula (1) and the sensitizer is 100 parts by weight of the polyimide precursor. 50 parts by weight or less is desirable.
Moreover, the mixture ratio of other arbitrary components has the preferable range of 0.1 to 95 weight% with respect to the whole solid content of the photosensitive resin composition. When the amount is less than 0.1% by weight, the effect of adding the additive is hardly exhibited, and when it exceeds 95% by weight, the properties of the finally obtained resin cured product are not easily reflected in the final product. In addition, solid content of the photosensitive resin composition is all components other than a solvent, and a liquid monomer component is also contained in solid content.

本発明に係る感光性樹脂組成物は、さまざまなコーティングプロセスや成形プロセスに用いられて、フィルムや3次元的形状の成形物を作製することができる。   The photosensitive resin composition according to the present invention can be used in various coating processes and molding processes to produce films and molded articles having a three-dimensional shape.

本発明の感光性樹脂組成物より得られるポリイミド及びポリベンゾオキサゾールは、耐
熱性、寸法安定性、絶縁性等の本来の特性も損なわれておらず、良好である。
例えば、本発明の感光性樹脂組成物から得られるポリイミド及びポリベンゾオキサゾールの窒素中で測定した5%重量減少温度は、250℃以上が好ましく、300℃以上がさらに好ましい。特に、はんだリフローの工程を通るような電子部品等の用途に用いる場合は、5%重量減少温度が300℃以下であると、はんだリフローの工程で発生した分解ガスにより気泡等の不具合が発生する恐れがある。
ここで、5%重量減少温度とは、熱重量分析装置を用いて重量減少を測定した時に、サンプルの重量が初期重量から5%減少した時点(換言すればサンプル重量が初期の95%となった時点)の温度である。同様に10%重量減少温度とはサンプル重量が初期重量から10%減少した時点の温度である。
The polyimides and polybenzoxazoles obtained from the photosensitive resin composition of the present invention are good because the original properties such as heat resistance, dimensional stability and insulation are not impaired.
For example, the 5% weight loss temperature measured in nitrogen of polyimide and polybenzoxazole obtained from the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 250 ° C. or higher, more preferably 300 ° C. or higher. In particular, when used in applications such as electronic parts that pass through the solder reflow process, if the 5% weight loss temperature is 300 ° C. or less, defects such as bubbles occur due to the decomposition gas generated in the solder reflow process. There is a fear.
Here, the 5% weight reduction temperature is the time when the weight of the sample is reduced by 5% from the initial weight when the weight loss is measured using a thermogravimetric analyzer (in other words, the sample weight becomes 95% of the initial weight). Temperature). Similarly, the 10% weight reduction temperature is a temperature at which the sample weight is reduced by 10% from the initial weight.

本発明の感光性樹脂組成物から得られるポリイミド及びポリベンゾオキサゾールのガラス転移温度は、耐熱性の観点からは高ければ高いほど良いが、光導波路のように熱成形プロセスが考えられる用途においては、120℃〜450℃程度のガラス転移温度を示すことが好ましく、200℃〜400℃程度のガラス転移温度を示すことがさらに好ましい。ここで本発明におけるガラス転移温度は、感光性樹脂組成物から得られるポリイミド及びポリベンゾオキサゾールをフィルム形状にすることが出来る場合には、動的粘弾性測定によって、tanδ(tanδ=損失弾性率(E’’)/貯蔵弾性率(E’))のピーク温度から求められる。動的粘弾性測定としては、例えば、粘弾性測定装置Solid Analyzer RSA II(Rheometric Scientific社製)によって、周波数3Hz、昇温速度5℃/minにより行うことができる。感光性樹脂組成物から得られるポリイミド及びポリベンゾオキサゾールをフィルム形状にできない場合には、示差熱分析装置(DSC)のベースラインの変曲点の温度で判断する。
本発明の感光性樹脂組成物から得られるポリイミド及びポリベンゾオキサゾールの寸法安定性の観点から、線熱膨張係数は60ppm以下が好ましく、40ppm以下がさらに好ましい。半導体素子等の製造プロセスにおいてシリコンウェハ上に膜を形成する場合には、密着性、基板のそりの観点から20ppm以下がさらに好ましい。ここで、本発明における線熱膨張係数とは、本発明で得られる感光性樹脂組成物から得られるポリイミド及びポリベンゾオキサゾールのフィルムの熱機械的分析装置(TMA)によって求めることができる。熱機械的分析装置(例えばThermo Plus TMA8310(リガク社製)によって、昇温速度を10℃/min、評価サンプルの断面積当たりの加重が同じになるように引張り加重を1g/25000μm2として得られる。
The glass transition temperature of the polyimide and polybenzoxazole obtained from the photosensitive resin composition of the present invention is preferably as high as possible from the viewpoint of heat resistance, but in applications where a thermoforming process is considered like an optical waveguide, It is preferable to show a glass transition temperature of about 120 ° C. to 450 ° C., and it is more preferable to show a glass transition temperature of about 200 ° C. to 400 ° C. Here, the glass transition temperature in the present invention is tan δ (tan δ = loss elastic modulus (tan δ) by dynamic viscoelasticity measurement when polyimide and polybenzoxazole obtained from the photosensitive resin composition can be formed into a film shape. It is obtained from the peak temperature of E ″) / storage elastic modulus (E ′)). The dynamic viscoelasticity measurement can be performed, for example, with a viscoelasticity measuring apparatus Solid Analyzer RSA II (manufactured by Rheometric Scientific) at a frequency of 3 Hz and a temperature rising rate of 5 ° C./min. When the polyimide and polybenzoxazole obtained from the photosensitive resin composition cannot be formed into a film shape, the temperature is determined based on the inflection point of the baseline of the differential thermal analyzer (DSC).
From the viewpoint of the dimensional stability of the polyimide and polybenzoxazole obtained from the photosensitive resin composition of the present invention, the linear thermal expansion coefficient is preferably 60 ppm or less, and more preferably 40 ppm or less. In the case of forming a film on a silicon wafer in a manufacturing process of a semiconductor element or the like, 20 ppm or less is more preferable from the viewpoint of adhesion and warpage of the substrate. Here, the linear thermal expansion coefficient in this invention can be calculated | required with the thermomechanical analyzer (TMA) of the film of the polyimide and polybenzoxazole obtained from the photosensitive resin composition obtained by this invention. Using a thermomechanical analyzer (for example, Thermo Plus TMA8310 (manufactured by Rigaku Corporation), the heating rate is 10 ° C./min, and the tensile load is 1 g / 25,000 μm 2 so that the weight per cross-sectional area of the evaluation sample is the same. .

以上に述べたように、本発明に係る感光性樹脂組成物は、上記式(1)で表されるカルボン酸とアミンとの塩が、高感度の光塩基発生剤として機能することで、多種多様な高分子前駆体を適用することができ、最終的に得られる高分子の構造を広範囲から選択することができる。
また、本発明によれば、高分子前駆体に上記式(1)で表されるカルボン酸とアミンとの塩を混合するだけという簡便な手法で感光性樹脂組成物を得ることができることから、コストパフォーマンスにも優れる。
さらには、電磁波の照射により発生したアミンの触媒効果により、イミド化等の最終生成物への反応に要する処理温度を低減できる為、プロセスへの不可や製品への熱によるダメージを低減することが可能である。
As described above, the photosensitive resin composition according to the present invention can be used in various ways by the salt of carboxylic acid and amine represented by the above formula (1) functioning as a highly sensitive photobase generator. Various polymer precursors can be applied, and the structure of the finally obtained polymer can be selected from a wide range.
In addition, according to the present invention, a photosensitive resin composition can be obtained by a simple method of simply mixing a salt of a carboxylic acid represented by the above formula (1) and an amine with a polymer precursor. Excellent cost performance.
Furthermore, due to the catalytic effect of the amine generated by the irradiation of electromagnetic waves, the processing temperature required for the reaction to the final product such as imidization can be reduced. Is possible.

本発明に係る感光性樹脂組成物は、印刷インキ、接着剤、充填剤、電子材料、光回路部品、成形材料、レジスト材料、建築材料、3次元造形、光学部材等、樹脂材料が用いられる公知の全ての分野・製品に利用できる。   The photosensitive resin composition according to the present invention is a known resin material such as printing ink, adhesive, filler, electronic material, optical circuit component, molding material, resist material, building material, three-dimensional modeling, and optical member. Can be used in all fields and products.

本発明に係る感光性樹脂組成物は、耐熱性、寸法安定性、絶縁性等の特性が有効とされる広範な分野・製品、例えば、塗料又は印刷インキ、或いは、カラーフィルター、フレキシブルディスプレー用フィルム、半導体装置、電子部品、層間絶縁膜、配線被覆膜、光回路、光回路部品、反射防止膜、ホログラム、光学部材又は建築材料の形成材料として好適に用いられる。例えば具体的には、半導体装置用バッファーコート膜、多層配線板の層間絶縁膜等が挙げられる。本発明に係る感光性樹脂組成物又はその熱硬化物により少なくとも一部分が形成されている、印刷物、カラーフィルター、フレキシブルディスプレー用フィルム、半導体装置、電子部品、層間絶縁膜、配線被覆膜、光回路、光回路部品、反射防止膜、ホログラム、光学部材又は建築材料いずれかの物品が提供される。   The photosensitive resin composition according to the present invention is used in a wide range of fields and products in which properties such as heat resistance, dimensional stability, and insulation are effective, such as paints or printing inks, color filters, and films for flexible displays. It is preferably used as a material for forming semiconductor devices, electronic parts, interlayer insulating films, wiring coating films, optical circuits, optical circuit parts, antireflection films, holograms, optical members, or building materials. Specific examples include buffer coating films for semiconductor devices, interlayer insulating films of multilayer wiring boards, and the like. Printed matter, color filter, flexible display film, semiconductor device, electronic component, interlayer insulating film, wiring coating film, optical circuit, at least part of which is formed of the photosensitive resin composition according to the present invention or its thermoset Articles of any of optical circuit components, antireflection films, holograms, optical members or building materials are provided.

特に、ポリイミド前駆体又はポリベンゾオキサゾール前駆体を含有する感光性樹脂組成物は、主にパターン形成材料(レジスト)として用いられ、それによって形成されたパターンは、ポリイミド又はポリベンゾオキサゾールからなる永久膜として耐熱性や絶縁性を付与する成分として機能し、例えば、カラーフィルター、フレキシブルディスプレー用フィルム、電子部品、半導体装置、層間絶縁膜、配線被覆膜、光回路、光回路部品、反射防止膜、その他の光学部材又は電子部材を形成するのに適している。   In particular, a photosensitive resin composition containing a polyimide precursor or a polybenzoxazole precursor is mainly used as a pattern forming material (resist), and the pattern formed thereby is a permanent film made of polyimide or polybenzoxazole. Functions as a component that imparts heat resistance and insulation as, for example, color filters, flexible display films, electronic components, semiconductor devices, interlayer insulating films, wiring coating films, optical circuits, optical circuit components, antireflection films, It is suitable for forming other optical members or electronic members.

次に、本発明に係るネガ型パターン形成方法は、前記本発明に係る感光性樹脂組成物からなる塗膜又は成形体の表面に、所定のパターン状に電磁波を照射し、必要に応じて熱処理等の後処理を行って、前記塗膜又は成形体の電磁波照射部位の溶解性を選択的に低下させた後、当該溶解性が低下する溶媒を現像液として用いて現像することを特徴とする。
本発明に係る感光性樹脂組成物を何らかの支持体上に塗布し、所定のパターン状に電磁波を照射すると、露光部においてのみ、上記式(1)で表されるカルボン酸とアミンとの塩が解裂して塩基性物質が生成する。塩基性物質は、露光部の高分子前駆体の最終生成物への反応を促進する触媒として作用する。
Next, the negative pattern forming method according to the present invention irradiates the surface of the coating film or molded body made of the photosensitive resin composition according to the present invention with electromagnetic waves in a predetermined pattern, and heat treatment as necessary. Or the like, and after selectively reducing the solubility of the electromagnetic wave irradiation site of the coating film or molded article, development is performed using a solvent that reduces the solubility as a developer. .
When the photosensitive resin composition according to the present invention is applied on some support and irradiated with electromagnetic waves in a predetermined pattern, a salt of the carboxylic acid and amine represented by the above formula (1) is formed only in the exposed portion. Cleavage produces a basic substance. The basic substance acts as a catalyst that promotes the reaction of the polymer precursor in the exposed area to the final product.

塩基性物質により、露光部の高分子前駆体が直接的に最終生成物へ反応して、露光部の高分子前駆体のみ、ある溶媒に対する溶解性が選択的に低下される場合には、露光後に特に後処理なく、溶解性が低下していない未露光部のみを当該溶解性が低下される溶媒を現像液として用いて溶解することにより、現像することが可能になる。   If the basic substance reacts directly with the polymer precursor in the exposed area to the final product, and only the polymer precursor in the exposed area is selectively reduced in solubility in a certain solvent, exposure will occur. It becomes possible to develop by dissolving only the unexposed part where the solubility is not lowered without using any post-treatment, using a solvent having a lowered solubility as a developer.

本発明の感光性樹脂組成物は、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、N,N-ジエチルアセトアミド、N,N-ジメチルメトキシアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルフォスホアミド、N−アセチル−2−ピロリドン、ピリジン、ジメチルスルホン、テトラメチレンスルホン、ジメチルテトラメチレンスルホン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、シクロペンタノン、γ−ブチロラクトン、α−アセチル−γ−ブチロラクトン等の極性溶媒に溶解後、浸漬法、スプレー法、スクリーン印刷法、スピンコート法などによって、シリコンウエハ、金属基板、セラミック基板などの基材表面に塗布し、加熱して溶剤の大部分を除くことにより、基材表面に粘着性のない塗膜を与えることができる。塗膜の厚みには特に制限はないが、0.5〜50μmであることが好ましく、感度および現像速度面から1.0〜20μmであることがより望ましい。塗布した塗膜の乾燥条件としては、例えば、80〜100℃、1分〜20分が挙げられる。   The photosensitive resin composition of the present invention includes N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N, N-diethylformamide, N, N-diethylacetamide, N, N- Dimethyl methoxyacetamide, dimethyl sulfoxide, hexamethylphosphoamide, N-acetyl-2-pyrrolidone, pyridine, dimethyl sulfone, tetramethylene sulfone, dimethyltetramethylene sulfone, diethylene glycol dimethyl ether, cyclopentanone, γ-butyrolactone, α-acetyl- After being dissolved in a polar solvent such as γ-butyrolactone, it is applied to the surface of a substrate such as a silicon wafer, a metal substrate, or a ceramic substrate by dipping, spraying, screen printing, spin coating, etc. By removing the part, the coating surface has no adhesiveness on the substrate surface Can be given. Although there is no restriction | limiting in particular in the thickness of a coating film, it is preferable that it is 0.5-50 micrometers, and it is more desirable that it is 1.0-20 micrometers from a sensitivity and a development speed surface. As drying conditions of the apply | coated coating film, 80-100 degreeC and 1 minute-20 minutes are mentioned, for example.

この塗膜に、所定のパターンを有するマスクを通して、電磁波を照射しパターン状に露光後を行い、加熱後、膜の未露光部分を、適切な現像液で現像して除去することにより、所望のパターン化された膜を得ることができる。   This coating film is irradiated with electromagnetic waves through a mask having a predetermined pattern, and is exposed to a pattern. After heating, the unexposed portion of the film is developed and removed with an appropriate developer to obtain a desired pattern. A patterned film can be obtained.

露光工程に用いられる露光方法や露光装置は特に限定されることなく、密着露光でも間接露光でも良くg線ステッパ、i線ステッパ、超高圧水銀灯を用いるコンタクト/プロキシミティ露光機、ミラープロジェクション露光機、又はその他の紫外線、可視光線、X線、電子線などを照射可能な投影機や線源を使用することができる。   The exposure method and exposure apparatus used in the exposure process are not particularly limited, and may be contact exposure or indirect exposure, and may be a g-line stepper, an i-line stepper, a contact / proximity exposure machine using an ultra-high pressure mercury lamp, a mirror projection exposure machine, Alternatively, a projector or a radiation source that can irradiate other ultraviolet rays, visible rays, X-rays, electron beams, or the like can be used.

本発明に係るネガ型パターン形成方法においては、露光工程と現像工程の間に、必要に応じて熱処理などの後処理を行っても良い。ここでの後処理は、前記塗膜又は成形体の電磁波照射部位の、ある溶媒に対する溶解性を選択的に低下させるための処理である。
熱処理等の後処理は、例えば、塩基性物質と共存する露光部の高分子前駆体のみに対して、最終生成物へ反応させる処理とする。従って、熱処理をする場合には、例えば、塩基性物質が存在する露光部と、塩基性物質が存在しない未露光部とで、高分子前駆体の環化率が異なるようになる温度で行うことが好ましい。
In the negative pattern forming method according to the present invention, post-treatment such as heat treatment may be performed between the exposure step and the development step as necessary. The post-treatment here is a treatment for selectively reducing the solubility of an electromagnetic wave irradiation site of the coating film or molded body in a certain solvent.
The post-treatment such as heat treatment is, for example, a treatment in which only the polymer precursor in the exposed portion coexisting with the basic substance is reacted with the final product. Therefore, when performing the heat treatment, for example, it is performed at a temperature at which the cyclization rate of the polymer precursor is different between the exposed portion where the basic substance is present and the unexposed portion where the basic substance is not present. Is preferred.

例えば、ポリイミド前駆体をイミド化する場合、この段階での熱処理の好ましい温度範囲は、通常60℃〜200℃程度である。熱処理温度が60℃より低いと、イミド化の効率が悪く、現実的なプロセス条件で露光部、未露光部のイミド化率の差を創出することが難しくなる。一方、熱処理温度が200℃以上であると、電磁波の吸収に伴う分子内解裂反応により、塩基性物質を生成する中性の化合物が熱分解したり、アミンが存在していない未露光部でもイミド化が進行したりして、露光部と未露光部の溶解性の差が出にくい。
具体的には、例えば、120〜200℃で、1分〜20分加熱を行う。
この熱処理は、公知の方法であればどの方法でもよく、具体的に例示すると、空気、又は窒素雰囲気下の循環オーブン、ホットプレートによる加熱などが挙げられるが、特に限定されない。
For example, when imidizing a polyimide precursor, the preferable temperature range of the heat processing at this stage is usually about 60 ° C to 200 ° C. When the heat treatment temperature is lower than 60 ° C., the imidization efficiency is poor, and it becomes difficult to create a difference in the imidization ratio between the exposed and unexposed areas under realistic process conditions. On the other hand, if the heat treatment temperature is 200 ° C. or higher, a neutral compound that generates a basic substance is thermally decomposed by an intramolecular cleavage reaction accompanying absorption of electromagnetic waves, or even in an unexposed area where no amine exists. Due to the progress of imidization, a difference in solubility between the exposed portion and the unexposed portion is difficult to occur.
Specifically, for example, heating is performed at 120 to 200 ° C. for 1 minute to 20 minutes.
This heat treatment may be any method as long as it is a publicly known method, and specific examples thereof include air, a circulation oven in a nitrogen atmosphere, heating with a hot plate, and the like, but are not particularly limited.

現像工程に用いられる現像液としては、特に限定されず、塩基性水溶液、有機溶剤など、用いられる高分子前駆体に合わせて適宜選択することが可能である。
塩基性水溶液としては、特に限定されないが、例えば、濃度が、0.01重量%〜10重量%、好ましくは、0.05重量%〜5重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液の他、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノエチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、テトラメチルアンモニウムなどの水溶液等が挙げられる。
溶質は、1種類でも2種類以上でも良く、全体の重量の50%以上、さらに好ましくは70%以上、水が含まれていれば有機溶媒等を含んでいても良い。
また、有機溶剤としては、特に限定されないが、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクロン、ジメチルアクリルアミドなどの極性溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類、酢酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類などを、単独であるいは2種類以上を組み合わせて添加してもよい。現像後は水にて洗浄を行う。この場合においてもエタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類などを水に加えても良い。
現像後は必要に応じて水または貧溶媒でリンスを行い、80〜100℃で乾燥しパターンを安定なものとする。このレリーフパターンを、耐熱性のあるものとするために180〜500℃、好ましくは200〜350℃の温度で数十分から数時間加熱することによりパターン化された高耐熱性樹脂層が形成される。
The developer used in the development step is not particularly limited and can be appropriately selected according to the polymer precursor to be used, such as a basic aqueous solution or an organic solvent.
The basic aqueous solution is not particularly limited. For example, in addition to an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) having a concentration of 0.01% by weight to 10% by weight, preferably 0.05% by weight to 5% by weight, diethanolamine, diethylamino Ethanol, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium bicarbonate, potassium bicarbonate, triethylamine, diethylamine, methylamine, dimethylamine, dimethylaminoethyl acetate, dimethylaminoethanol, dimethylaminoethyl methacrylate, cyclohexylamine , Aqueous solutions of ethylenediamine, hexamethylenediamine, tetramethylammonium and the like.
The solute may be one type or two or more types, and may contain 50% or more of the total weight, more preferably 70% or more, and an organic solvent or the like as long as water is contained.
The organic solvent is not particularly limited, but polar solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, γ-butyrolaclone, dimethylacrylamide, methanol, Add alcohols such as ethanol and isopropanol, esters such as ethyl acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate, ketones such as cyclopentanone, cyclohexanone, isobutyl ketone, and methyl isobutyl ketone alone or in combination of two or more. May be. After development, wash with water. Also in this case, alcohols such as ethanol and isopropyl alcohol, esters such as ethyl lactate and propylene glycol monomethyl ether acetate may be added to water.
After development, if necessary, rinse with water or a poor solvent and dry at 80 to 100 ° C. to stabilize the pattern. In order to make this relief pattern heat resistant, a patterned high heat resistant resin layer is formed by heating at a temperature of 180 to 500 ° C., preferably 200 to 350 ° C. for several tens of minutes to several hours. The

(製造例1)
窒素置換した100mLナスフラスコに、濃硫酸20mLおよびチオサリチル酸1.9g(13mmol)を入れ、室温で5分間攪拌した。この溶液にチオフェニル酢酸8.4g(50mmol)を30分間かけて加え、室温で1時間、80℃で2時間攪拌した後、室温で15時間静置した。反応液を熱水200mLに注ぎ込み、5分間加熱還流を行った。この溶液を冷却し、得られた沈殿を濾取し、ジオキサン/水により再結晶を行うことにより、2−(カルボキシメチルチオ)チオキサントン2.8g(9.4mmol、収率75%)を褐色固体として得た。
(Production Example 1)
20 mL of concentrated sulfuric acid and 1.9 g (13 mmol) of thiosalicylic acid were placed in a nitrogen-substituted 100 mL eggplant flask and stirred at room temperature for 5 minutes. To this solution, 8.4 g (50 mmol) of thiophenylacetic acid was added over 30 minutes, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour and at 80 ° C. for 2 hours, and then allowed to stand at room temperature for 15 hours. The reaction solution was poured into 200 mL of hot water and heated under reflux for 5 minutes. The solution was cooled, and the resulting precipitate was collected by filtration and recrystallized from dioxane / water to give 2.8 g (9.4 mmol, yield 75%) of 2- (carboxymethylthio) thioxanthone as a brown solid. Obtained.

2−(カルボキシメチルチオ)チオキサントン1.0g(3.3mmol)および3−キヌクリジノール0.42g(3.3mmol)をジオキサンに加熱溶解し、冷却後、貧溶媒を加えて得られた沈殿を濾取することにより、2−(カルボキシメチルチオ)チオキサントンの3−キヌクリジノール塩を1.2g(2.8mmol、収率85%)得た。   2- (Carboxymethylthio) thioxanthone (1.0 g, 3.3 mmol) and 3-quinuclidinol (0.42 g, 3.3 mmol) are dissolved in dioxane with heating, and after cooling, the precipitate obtained by adding a poor solvent is collected by filtration. As a result, 1.2 g (2.8 mmol, yield: 85%) of 3-quinuclidinol salt of 2- (carboxymethylthio) thioxanthone was obtained.

(製造例2)
窒素置換した100mLナスフラスコに、濃硫酸20mLおよびチオサリチル酸1.9g(13mmol)を入れ、室温で5分間攪拌した。この溶液にフェノキシ酢酸7.6g(50mmol)を30分間かけて加え、室温で1時間、80℃で2時間攪拌した後、室温で15時間静置した。反応液を熱水200mLに注ぎ込み、5分間加熱還流を行った。この溶液を冷却し、得られた沈殿を濾取し、ジオキサン/水により再結晶を行うことにより、2−(カルボキシメトキシ)チオキサントン2.6g(9.0mmol、収率72%)を褐色固体として得た。
(Production Example 2)
20 mL of concentrated sulfuric acid and 1.9 g (13 mmol) of thiosalicylic acid were placed in a nitrogen-substituted 100 mL eggplant flask and stirred at room temperature for 5 minutes. To this solution, 7.6 g (50 mmol) of phenoxyacetic acid was added over 30 minutes, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour and at 80 ° C. for 2 hours, and then allowed to stand at room temperature for 15 hours. The reaction solution was poured into 200 mL of hot water and heated under reflux for 5 minutes. The solution was cooled, and the resulting precipitate was collected by filtration and recrystallized from dioxane / water to give 2.6 g (9.0 mmol, yield 72%) of 2- (carboxymethoxy) thioxanthone as a brown solid. Obtained.

2−(カルボキシメトキシ)チオキサントン0.95g(3.3mmol)および3−キヌクリジノール0.42g(3.3mmol)をジオキサンに加熱溶解し、冷却後、貧溶媒を加えて得られた沈殿を濾取することにより、2−(カルボキシメトキシ)チオキサントンの3−キヌクリジノール塩を1.2g(2.9mmol、収率87%)得た。   0.95 g (3.3 mmol) of 2- (carboxymethoxy) thioxanthone and 0.42 g (3.3 mmol) of 3-quinuclidinol are dissolved by heating in dioxane, and after cooling, a precipitate obtained by adding a poor solvent is collected by filtration. As a result, 1.2 g (2.9 mmol, yield: 87%) of 3-quinuclidinol salt of 2- (carboxymethoxy) thioxanthone was obtained.

(製造例3)
窒素置換した500mL4つ口セパラブルフラスコに、オキシジアニリン44.5g(222mmol)および脱水N−メチル−2−ピロリドン250mLを入れ、氷浴下で撹拌して溶解させた。この溶液にピロメリット酸二無水物48.5g(222mmol)を加え、氷浴下で2時間攪拌した。反応溶液をアセトンにより再沈殿し、濾取して得られた沈殿物を室温で8時間減圧乾燥することにより、ポリアミド酸(ポリイミド前駆体1)を白色固体として定量的に得た。
(Production Example 3)
In a 500 mL four-neck separable flask purged with nitrogen, 44.5 g (222 mmol) of oxydianiline and 250 mL of dehydrated N-methyl-2-pyrrolidone were placed and dissolved by stirring in an ice bath. To this solution, 48.5 g (222 mmol) of pyromellitic dianhydride was added and stirred for 2 hours in an ice bath. The reaction solution was reprecipitated with acetone, and the precipitate obtained by filtration was dried under reduced pressure at room temperature for 8 hours, whereby polyamic acid (polyimide precursor 1) was quantitatively obtained as a white solid.

(実施例1)
上記ポリイミド前駆体1 0.85gと、下記構造式で表される2−(カルボキシメチルチオ)チオキサントンの3−キヌクリジノール塩を0.15gをN−メチル−2−ピロリドン9gに溶解させ、本発明の感光性樹脂組成物(感光性樹脂組成物1)を得た。
Example 1
0.85 g of the polyimide precursor 1 and 0.15 g of 3-quinuclidinol salt of 2- (carboxymethylthio) thioxanthone represented by the following structural formula are dissolved in 9 g of N-methyl-2-pyrrolidone, and the photosensitivity of the present invention. A photosensitive resin composition (photosensitive resin composition 1) was obtained.

Figure 0004997806
Figure 0004997806

(実施例2)
上記ポリイミド前駆体1 0.85gと、下記構造式で表される2−(カルボキシメトキシ)チオキサントンの3−キヌクリジノール塩0.15gをN−メチル−2−ピロリドン9gに溶解させ、本発明の感光性樹脂組成物(感光性樹脂組成物2)を得た。
(Example 2)
0.85 g of the polyimide precursor 1 and 0.15 g of 3-quinuclidinol salt of 2- (carboxymethoxy) thioxanthone represented by the following structural formula are dissolved in 9 g of N-methyl-2-pyrrolidone, and the photosensitivity of the present invention. A resin composition (photosensitive resin composition 2) was obtained.

Figure 0004997806
Figure 0004997806

(比較例1)
上記ポリイミド前駆体1 1.0gのみをN−メチル−2−ピロリドン9gに溶解させて、比較例の感光性樹脂組成物(感光性樹脂組成物3)を得た。
(Comparative Example 1)
Only 1.0 g of the polyimide precursor 1 was dissolved in 9 g of N-methyl-2-pyrrolidone to obtain a photosensitive resin composition (photosensitive resin composition 3) of a comparative example.

(比較例2)
上記ポリイミド前駆体1 0.95gと3−キヌクリジノール0.05gをN−メチル−2−ピロリドン9gに溶解させて、比較例の感光性樹脂組成物(感光性樹脂組成物4)を得た。
(Comparative Example 2)
0.95 g of the polyimide precursor 1 and 0.05 g of 3-quinuclidinol were dissolved in 9 g of N-methyl-2-pyrrolidone to obtain a photosensitive resin composition (photosensitive resin composition 4) of a comparative example.

<試験>
(1)熱硬化温度
アミンを含まない感光性樹脂組成物3と、実施例のカルボン酸とアミンとの塩に使用されているアミンを含む感光性樹脂組成物4を用いて、アミンの存在の有無によるポリイミド前駆体のイミド化率の差を観測した。
感光性樹脂組成物3及び感光性樹脂組成物4をそれぞれクロムめっきされたガラス板上に最終膜厚2μmになるようにスピンコートし、80℃のホットプレート上で30分間乾燥させた。そこへ、手動露光装置(大日本スクリーン株式会社製、MA−1200)でh線換算で、10J紫外−可視光線照射を行った。この塗膜を、日本分光製IR−610及び、アズワン社製 HOTPLATE EC-1200を用い、室温から5℃/minで加熱を350℃まで行いながら赤外分光スペクトルを測定した。
加熱にしたがって前駆体由来のスペクトルが消失し、加熱によって生成したポリイミド由来のピークが現れた。イミド化の進行状況を確認する為に、測定前の前駆体由来の1663cm−1のピーク面積を1としたときに、加熱過程でのピーク面積の減少量をプロットした。
その結果は図1に示した通りである。感光性樹脂組成物4は、感光性樹脂組成物3に比べて前駆体の減少がより低温で起こっており、アミンの存在の有無によるイミド化率の差が175℃付近で最大となることがわかった。
<Test>
(1) Thermosetting temperature Using the photosensitive resin composition 3 containing no amine and the photosensitive resin composition 4 containing the amine used in the salt of the carboxylic acid and amine of the examples, the presence of amine The difference of the imidation ratio of the polyimide precursor by presence or absence was observed.
Photosensitive resin composition 3 and photosensitive resin composition 4 were each spin-coated on a chromium-plated glass plate to a final film thickness of 2 μm and dried on an 80 ° C. hot plate for 30 minutes. Then, 10J ultraviolet-visible light irradiation was performed in h line conversion with a manual exposure device (manufactured by Dainippon Screen Co., Ltd., MA-1200). The infrared spectroscopic spectrum of this coating film was measured using IR-610 manufactured by JASCO Corporation and HOTPLATE EC-1200 manufactured by ASONE Co., Ltd. while heating from room temperature at 5 ° C./min to 350 ° C.
The spectrum derived from the precursor disappeared with heating, and a peak derived from polyimide generated by heating appeared. In order to confirm the progress of imidization, when the peak area of 1663 cm −1 derived from the precursor before the measurement was taken as 1, the amount of decrease in the peak area during the heating process was plotted.
The result is as shown in FIG. In the photosensitive resin composition 4, the decrease in the precursor occurs at a lower temperature than in the photosensitive resin composition 3, and the difference in the imidization rate depending on the presence or absence of amine may be maximized at around 175 ° C. all right.

(2)パターン形成
感光性樹脂組成物1(実施例1)を、ガラス板上に最終膜厚2μmになるようにスピンコートし、80℃のホットプレート上で30分間乾燥させた。そこへ、手動露光装置(大日本スクリーン株式会社製、MA−1200)でh線換算で、5J紫外−可視光線照射を行い、
その後、170℃のホットプレート上で5分加熱したのち、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド 2.38%溶液にイソプロパノールを10wt%添加した溶液に浸漬した。その結果、露光部が現像液に溶解せず残存したパターンを得ることができた。さらに、それらのサンプルを300℃で1時間加熱しイミド化を行った。
この結果から、本発明の感光性樹脂組成物は、良好なパターンを形成することできることが明らかとなった。
(2) Pattern formation The photosensitive resin composition 1 (Example 1) was spin-coated on a glass plate so as to have a final film thickness of 2 μm, and dried on a hot plate at 80 ° C. for 30 minutes. There, 5J ultraviolet-visible light irradiation was performed in h line conversion with a manual exposure device (Dainippon Screen Co., Ltd., MA-1200),
Then, after heating for 5 minutes on a 170 degreeC hotplate, it immersed in the solution which added 10 wt% of isopropanol to the tetramethylammonium hydroxide 2.38% solution. As a result, a pattern was obtained in which the exposed portion remained undissolved in the developer. Furthermore, those samples were heated at 300 ° C. for 1 hour to perform imidization.
From this result, it became clear that the photosensitive resin composition of the present invention can form a good pattern.

図1は、感光性樹脂組成物に紫外−可視光線照射した後の熱硬化処理温度と、ポリイミド前駆体ピークの関係を示すグラフである。FIG. 1 is a graph showing a relationship between a thermosetting temperature after irradiation of ultraviolet-visible light to a photosensitive resin composition and a polyimide precursor peak.

Claims (12)

下記式(1)で表わされるカルボン酸とアミンとの塩からなる光塩基発生剤、及び高分子前駆体を含有し、前記高分子前駆体はそれ自体が塩基性物質の作用によって最終生成物への反応が促進されるものである、感光性樹脂組成物。
Figure 0004997806
(式中、X、Xは独立に酸素原子もしくは硫黄原子を示す。R〜Rは独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、メルカプト基、ニトロ基、シリル基、シラノール基、もしくは1価の有機基を示す。R10、R11、R12は水素原子、もしくは1価の有機基を示す。但し、R10、R11、R12の少なくとも1つは、1価の有機基である。)
A photobase generator comprising a salt of a carboxylic acid and an amine represented by the following formula (1), and a polymer precursor, the polymer precursor itself becoming a final product by the action of a basic substance A photosensitive resin composition in which the reaction is promoted.
Figure 0004997806
(In the formula, X 1 and X 2 independently represent an oxygen atom or a sulfur atom. R 1 to R 9 independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a nitro group, a silyl group, a silanol group, or R 10 , R 11 and R 12 each represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, provided that at least one of R 10 , R 11 and R 12 is a monovalent organic group. .)
前記高分子前駆体は、それ自体が塩基性物質の作用によって最終生成物への反応が促進され、且つ、加熱により溶解性が変化するものである、請求項1に記載の感光性樹脂組成物。   2. The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the polymer precursor itself is one in which the reaction to the final product is promoted by the action of a basic substance and the solubility is changed by heating. . 前記カルボン酸とアミンとの塩に用いられるアミンが脂肪族アミンである請求項1又は2に記載の感光性樹脂組成物。   The photosensitive resin composition according to claim 1 or 2, wherein the amine used in the salt of the carboxylic acid and the amine is an aliphatic amine. 前記カルボン酸とアミンとの塩が、400nm以上の波長の電磁波の吸収を有する請求項1乃至3のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。   The photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the salt of the carboxylic acid and the amine has absorption of an electromagnetic wave having a wavelength of 400 nm or more. 更に、増感剤を含有する請求項1乃至4のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。   Furthermore, the photosensitive resin composition in any one of Claims 1 thru | or 4 containing a sensitizer. 前記高分子前駆体がポリイミド前駆体である請求項1乃至5のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。   The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the polymer precursor is a polyimide precursor. 前記ポリイミド前駆体がポリアミック酸である請求項6に記載の感光性樹脂組成物。   The photosensitive resin composition according to claim 6, wherein the polyimide precursor is a polyamic acid. 前記高分子前駆体がポリベンゾオキサゾール前駆体である請求項1乃至のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。 The photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 5 wherein the polymeric precursor is a polybenzoxazole precursor. 塗料又は印刷インキ、或いは、カラーフィルター、フレキシブルディスプレー用フィルム、半導体装置、電子部品、層間絶縁膜、配線被覆膜、光回路、光回路部品、反射防止膜、ホログラム、光学部材又は建築材料の形成材料として用いられる請求項1乃至8のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。   Paint or printing ink, or color filter, flexible display film, semiconductor device, electronic component, interlayer insulation film, wiring coating film, optical circuit, optical circuit component, antireflection film, hologram, optical member or building material The photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 8, which is used as a material. 前記請求項1乃至9のいずれかに記載の感光性樹脂組成物又はその硬化物により少なくとも一部分が形成されている、印刷物、カラーフィルター、フレキシブルディスプレー用フィルム、半導体装置、電子部品、層間絶縁膜、配線被覆膜、光回路、光回路部品、反射防止膜、ホログラム、光学部材又は建築材料いずれかの物品。   A printed material, a color filter, a film for flexible display, a semiconductor device, an electronic component, an interlayer insulating film, at least partly formed of the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 9 or a cured product thereof. Article of any of wiring coating film, optical circuit, optical circuit component, antireflection film, hologram, optical member or building material. 前記請求項1乃至9のいずれかに記載の感光性樹脂組成物からなる塗膜又は成形体の表面に、所定のパターン状に電磁波を照射し、前記塗膜又は成形体の電磁波照射部位の溶解性を選択的に低下させた後、当該溶解性が低下する溶媒を現像液として用いて現像する、ネガ型パターン形成方法。   The surface of the coating film or molded body comprising the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 9 is irradiated with electromagnetic waves in a predetermined pattern, and the electromagnetic wave irradiation site of the coating film or molded body is dissolved. A negative pattern forming method in which, after selectively reducing the property, development is performed using a solvent having a reduced solubility as a developer. 電磁波を照射後、加熱処理を行って、前記塗膜又は成形体の電磁波照射部位の溶解性を選択的に低下させる、請求項11に記載のネガ型パターン形成方法。   The negative pattern forming method according to claim 11, wherein after the irradiation with the electromagnetic wave, a heat treatment is performed to selectively reduce the solubility of the electromagnetic wave irradiation site of the coating film or the molded body.
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