JP2007081348A - Method for controlling temperature of thermal process, method of thermal process of substrate and device of thermal process of substrate - Google Patents

Method for controlling temperature of thermal process, method of thermal process of substrate and device of thermal process of substrate Download PDF

Info

Publication number
JP2007081348A
JP2007081348A JP2005270924A JP2005270924A JP2007081348A JP 2007081348 A JP2007081348 A JP 2007081348A JP 2005270924 A JP2005270924 A JP 2005270924A JP 2005270924 A JP2005270924 A JP 2005270924A JP 2007081348 A JP2007081348 A JP 2007081348A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
heat treatment
substrate
oxide film
thermal process
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2005270924A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Shiyuuse
諭志 舟瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2005270924A priority Critical patent/JP2007081348A/en
Publication of JP2007081348A publication Critical patent/JP2007081348A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a temperature control method, a method of thermal process of a semiconductor substrate and a device of thermal process which can improve a uniformity of the in-plane temperature of the substrate during a rapid thermal process using lamp heating. <P>SOLUTION: In the first place, calibration data are acquired in temperature measuring positions on the substrate by associating the thickness of an oxide film formed by thermal process and the set temperature of thermal process. In the second place, the thickness of the oxide film which is formed on the substrate is measured in the temperature measuring positions on the substrate which is subjected to thermal process at a specific set temperature of thermal process. Then set temperature T of thermal process corresponding to the measured thickness of the oxide film and set temperature Tm' of thermal process corresponding to the thickness of the oxide film which should be acquired at the specific set temperature of thermal process are acquired from the calibration data. Temperature correction values of temperature probes are acquired according to these temperature differences. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体集積回路の製造工程において広く使用されている半導体基板を高速に熱処理するRTP(Rapid Thermal Process)方式を採用した熱処理装置の精密な温度調整方法、基板の熱処理方法及び基板熱処理装置に関する。   The present invention relates to a precise temperature adjustment method for a heat treatment apparatus employing a rapid thermal process (RTP) method for heat treating a semiconductor substrate widely used in a semiconductor integrated circuit manufacturing process, a substrate heat treatment method, and a substrate heat treatment apparatus. About.

近年、半導体装置を構成する素子パターンの微細化に伴い、薄いゲート絶縁膜や浅い不純物拡散領域等を、スループットを低下させることなく、均一に、かつ安定して形成することが必要となっている。このため、半導体装置の製造工程では、短時間の熱処理を枚葉式で行うRTP熱処理装置が使用されるようになっている。この種の装置として、ハロゲンランプ等の基板加熱用ランプが放射するエネルギーにより半導体基板の熱処理を行うランプ式RTP装置が開発され、一般に普及している。   In recent years, with the miniaturization of element patterns constituting semiconductor devices, it is necessary to form a thin gate insulating film, a shallow impurity diffusion region, and the like uniformly and stably without reducing throughput. . For this reason, in the manufacturing process of a semiconductor device, an RTP heat treatment apparatus that performs a short-time heat treatment in a single wafer type is used. As this type of apparatus, a lamp-type RTP apparatus that heat-treats a semiconductor substrate with energy radiated from a substrate heating lamp such as a halogen lamp has been developed and is widely used.

図1は、上記ランプ式RTP熱処理装置1(以下、熱処理装置1という。)の要部縦断面図を示すものである。当該熱処理装置1は、半導体基板(以下単に基板という)の熱処理が行われる円筒状のチャンバ3の上部に、石英板4を介して、20〜300本程度のタングステンハロゲンランプが配設されたランプユニット2が備えている。   FIG. 1 shows a longitudinal sectional view of an essential part of the lamp type RTP heat treatment apparatus 1 (hereinafter referred to as heat treatment apparatus 1). The heat treatment apparatus 1 is a lamp in which about 20 to 300 tungsten halogen lamps are disposed through a quartz plate 4 above a cylindrical chamber 3 in which a semiconductor substrate (hereinafter simply referred to as a substrate) is heat treated. Unit 2 is provided.

上記チャンバ3の側壁には、チャンバ3内にプロセスガスを導入するためのガス導入路8が連通され、ガス導入路8と対向する位置の側壁には、チャンバ3内のガスを排出するガス導出路9が連通されている。例えば、基板10上に酸化膜や窒化膜等の特定の材料膜を形成する熱処理を行う場合には、当該材料膜に応じた材料ガスがガス導入路8から導入され、不純物が注入された基板10の活性化アニール処理を行う場合には、N2ガスやArガス等の不活性ガスがガス導入路8から導入される。 A gas introduction path 8 for introducing a process gas into the chamber 3 is communicated with the side wall of the chamber 3, and a gas outlet for discharging the gas in the chamber 3 is disposed on the side wall at a position facing the gas introduction path 8. Road 9 is in communication. For example, when a heat treatment for forming a specific material film such as an oxide film or a nitride film on the substrate 10 is performed, a substrate into which impurities are implanted by introducing a material gas corresponding to the material film from the gas introduction path 8. When the activation annealing process 10 is performed, an inert gas such as N 2 gas or Ar gas is introduced from the gas introduction path 8.

また、チャンバ3の内部には、熱処理対象となる基板10の直径よりもわずかに小さい内径を有するシリコンカーバイド等の耐熱材料からなる支持リング5が水平面内に配置されている。支持リング5は、チャンバ3の下面から鉛直上方に突出する円筒状の回転シリンダ6により支持されており、支持リング5の内縁部に基板10のエッジ部が載置される。また、回転シリンダ6は、水平面内で回転可能な軸受け(図示せず)を介して、チャンバ3の底面に支持されており、熱処理は基板10を回転させながら実施される。なお、基板10は、例えば、チャンバ3の側壁に開閉自在に設けられた、図示しない基板入出口から搬入出される。   A support ring 5 made of a heat-resistant material such as silicon carbide having an inner diameter slightly smaller than the diameter of the substrate 10 to be heat-treated is disposed in the horizontal plane in the chamber 3. The support ring 5 is supported by a cylindrical rotary cylinder 6 protruding vertically upward from the lower surface of the chamber 3, and the edge portion of the substrate 10 is placed on the inner edge portion of the support ring 5. The rotating cylinder 6 is supported on the bottom surface of the chamber 3 via a bearing (not shown) that can rotate in a horizontal plane, and the heat treatment is performed while rotating the substrate 10. The substrate 10 is carried in / out through a substrate inlet / outlet (not shown) provided on the side wall of the chamber 3 so as to be freely opened and closed.

また、チャンバ3の底面には、回転シリンダ6の内側の領域に、適当な間隔をおいて配置された光ファイバプローブよりなる複数の温度プローブ7の一端が露出されており、基板10の下面から放射される光(輻射熱)を受け、該光温度プローブ7の他端に接続された、図示しないパイロメータ等の温度計測器によって、熱処理中の基板面の温度が基板の中心部から周辺部に渡って計測される。   Further, at the bottom surface of the chamber 3, one end of a plurality of temperature probes 7 made of optical fiber probes arranged at appropriate intervals is exposed in a region inside the rotary cylinder 6, and is exposed from the bottom surface of the substrate 10. A temperature measuring device such as a pyrometer (not shown) that receives the emitted light (radiant heat) and is connected to the other end of the optical temperature probe 7 changes the temperature of the substrate surface during the heat treatment from the center to the periphery of the substrate. Is measured.

図2は、上述の熱処理装置1において、熱処理に使用される一般的な熱処理シーケンスを示す図である。図2に示すように、熱処理シーケンスは、昇温プロセスと、所定の熱処理温度Tmを所定時間tだけ保持するメインプロセスと、降温プロセスからなる。各プロセスにおいて、ランプパワーバランスは、図1の装置において、各温度プローブ7が計測した温度に基づいて、温度制御手段20が、各温度プローブ7に対向する領域に設置された複数のランプのランプパワーを制御することにより、基板面内における温度が均一となるように調整される。   FIG. 2 is a diagram showing a general heat treatment sequence used for heat treatment in the heat treatment apparatus 1 described above. As shown in FIG. 2, the heat treatment sequence includes a temperature raising process, a main process for maintaining a predetermined heat treatment temperature Tm for a predetermined time t, and a temperature lowering process. In each process, the lamp power balance is determined by the lamps of a plurality of lamps installed in a region opposed to each temperature probe 7 by the temperature control means 20 based on the temperature measured by each temperature probe 7 in the apparatus of FIG. By controlling the power, the temperature in the substrate surface is adjusted to be uniform.

また、基板面内における温度分布の改善を図る技術が種々提案されており、例えば、上記昇温プロセスにおける昇温速度の異なる複数の段階に分けて時間的に半導体基板を昇温し、各々の昇温段階毎にランプのパワーバランスを設定し、さらに各々の昇温段階の昇温速度をメインプロセスの装置設定温度に達するまで順次減速させる手法が提案されている(例えば、特許文献1)。   Various techniques for improving the temperature distribution in the substrate surface have been proposed. For example, the temperature of the semiconductor substrate is increased over time by dividing it into a plurality of stages with different heating rates in the heating process. A method has been proposed in which the power balance of the lamp is set for each temperature raising stage, and the temperature raising speed of each temperature raising stage is sequentially decelerated until reaching the apparatus setting temperature of the main process (for example, Patent Document 1).

この技術では、ランプのパワーバランスは、ダミー基板で得られた評価結果を基に、一定速度で昇温する昇温プロセス及び所定温度を所定時間保持するメインプロセスの熱負荷に対して調整される。例えば、ダミー基板の表面にRTPで酸化膜を形成し、この酸化膜の膜厚の基板面内分布を評価することによって、ランプのパワーバランスの条件を設定している。
特開2000−331949号公報
In this technique, the power balance of the lamp is adjusted based on the evaluation result obtained from the dummy substrate with respect to the heat load of the temperature rising process for raising the temperature at a constant speed and the main process for holding the given temperature for a given time. . For example, a lamp power balance condition is set by forming an oxide film by RTP on the surface of a dummy substrate and evaluating the in-plane distribution of the thickness of the oxide film.
JP 2000-331949 A

しかしながら、昇温プロセスを複数段に分けて昇温しただけでは、図2におけるメインプロセスの温度が500℃〜1200℃の領域での熱処理で、基板面内において、10度以上温度差が場合によっては生じてしまう。このような温度ばらつきは、今後さらに微細化が進む半導体装置では、特性ばらつきの要因となるため、更なる温度均一化の要求が求められる。   However, if the temperature raising process is divided into a plurality of stages, the temperature of the main process in FIG. 2 in the region of 500 ° C. to 1200 ° C. may cause a temperature difference of 10 degrees or more in the substrate surface. Will occur. Such a temperature variation causes a characteristic variation in a semiconductor device that will be further miniaturized in the future. Therefore, there is a demand for further uniform temperature.

本発明は、上記従来の事情を鑑みて提案されたものであって、ランプ加熱を用いる短時間熱処理における以上のような熱処理温度の基板面内不均一性を除去する温度調整方法、基板の熱処理方法及び熱処理装置を提供することを目的とする。   The present invention has been proposed in view of the above-described conventional circumstances, and is a temperature adjusting method for removing in-plane non-uniformity of a substrate at a heat treatment temperature as described above in short-time heat treatment using lamp heating, and heat treatment of a substrate. It is an object to provide a method and a heat treatment apparatus.

上記課題を解決するために本発明は以下の手段を採用している。すなわち、本発明は、同一基板の複数の位置において計測された温度に基づいて温度制御を行い、前記基板の熱処理を行う熱処理裝置に適用される熱処理温度の調整方法であって、まず、熱処理に応じて変動する物理量と熱処理設定温度とを対応づけた校正データを取得する。次いで、特定の熱処理設定温度にて熱処理を行った基板の各温度測定位置において、上記物理量を計測する。そして、上記校正データから、計測した物理量に対応する熱処理設定温度、及び前記特定の熱処理設定温度にて得られるべき物理量に対応する熱処理設定温度を取得し、これらの温度差に基づいて各物理量測定位置に対応する温度プローブの温度補正値を求める。上記校正データは、各温度測定位置において取得することが好ましい。また、上記校正データは、基板面内での上記物理量の平均値と熱処理設定温度を対応づけたデータを使用することもできる。   In order to solve the above problems, the present invention employs the following means. That is, the present invention is a method for adjusting a heat treatment temperature applied to a heat treatment apparatus that performs temperature control based on temperatures measured at a plurality of positions on the same substrate and performs heat treatment of the substrate. Calibration data in which a physical quantity that varies according to the heat treatment set temperature is associated is acquired. Next, the physical quantity is measured at each temperature measurement position of the substrate that has been heat-treated at a specific heat treatment set temperature. Then, from the calibration data, the heat treatment set temperature corresponding to the measured physical quantity and the heat treatment set temperature corresponding to the physical quantity to be obtained at the specific heat treatment set temperature are obtained, and each physical quantity measurement is performed based on these temperature differences. The temperature correction value of the temperature probe corresponding to the position is obtained. The calibration data is preferably acquired at each temperature measurement position. Further, as the calibration data, data in which the average value of the physical quantity in the substrate surface is associated with the heat treatment set temperature can be used.

上記物理量は、例えば、上記熱処理により基板上に形成されたドライ酸化膜やウエット酸化膜の膜厚、あるいは、上記熱処理により活性化される基板上の不純物拡散領域のシート抵抗である。   The physical quantity is, for example, the thickness of the dry oxide film or wet oxide film formed on the substrate by the heat treatment, or the sheet resistance of the impurity diffusion region on the substrate activated by the heat treatment.

上記手法により、熱処理温度を調整した熱処理装置により基板の熱処理を行うことで、基板に対して均一な熱処理を行うことができる。   By performing the heat treatment of the substrate with the heat treatment apparatus in which the heat treatment temperature is adjusted by the above method, the substrate can be uniformly heat treated.

一方、他の観点では、本発明は、上記熱処理温度の調整方法の実施に好適な熱処理装置を提供することができる。すなわち、本発明に係る熱処理装置は、基板を加熱する複数の加熱手段と、前記基板の温度を計測する複数の温度プローブと、前記熱処理に応じて変動する物理量と熱処理設定温度とを対応づけた校正データから算出された各温度プローブの温度補正値に基づいて、各温度プローブが計測した温度を補正する演算処理部を備えている。そして、上記温度補正値に基づいて補正された各温度プローブが取得した温度に基づいて、上記各加熱手段の加熱量が制御される。   On the other hand, in another aspect, the present invention can provide a heat treatment apparatus suitable for carrying out the above-described method for adjusting a heat treatment temperature. That is, the heat treatment apparatus according to the present invention associates a plurality of heating means for heating the substrate, a plurality of temperature probes for measuring the temperature of the substrate, a physical quantity that varies according to the heat treatment, and a heat treatment set temperature. An arithmetic processing unit is provided for correcting the temperature measured by each temperature probe based on the temperature correction value of each temperature probe calculated from the calibration data. And the heating amount of each said heating means is controlled based on the temperature which each temperature probe correct | amended based on the said temperature correction value acquired.

本発明によれば、基板の面内温度の均一性を向上することができ、基板面内の温度差を4度以下に抑えることが可能である。これにより、基板面内における半導体装置の特性ばらつきや信頼性ばらつきを低減することができる。   According to the present invention, the uniformity of the in-plane temperature of the substrate can be improved, and the temperature difference in the substrate surface can be suppressed to 4 degrees or less. As a result, variations in characteristics and reliability of the semiconductor device in the substrate surface can be reduced.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は本実施形態に係る熱処理装置の要部構成を示す概略図である。この熱処理装置は、前述した従来の熱処理装置と同様に、金属製のチャンバ3を有し、チャンバ3の上部に、石英板4を介して、ランプ光源となる多数のタングステンハロゲンランプ等を備えたランプユニット2が設けられている。チャンバ3内には基板10を水平に支持する支持リング5と、チャンバ3の底面(基板10の裏面側)に複数の温度プローブ7が設けられている。支持リング5が載置される回転シリンダ6は、図示しない駆動機構により回転し、基板10をチヤンバ3内で、例えば、90〜250回転/分で回転させる。なお、チャンバ3には、プロセスガスを導入するガス導入路8と、導入されたプロセスガスを排気するガス導出路9が設けられている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic view showing a main configuration of a heat treatment apparatus according to this embodiment. This heat treatment apparatus has a metal chamber 3 similar to the conventional heat treatment apparatus described above, and is provided with a number of tungsten halogen lamps or the like serving as a lamp light source via a quartz plate 4 in the upper part of the chamber 3. A lamp unit 2 is provided. In the chamber 3, a support ring 5 that horizontally supports the substrate 10 and a plurality of temperature probes 7 are provided on the bottom surface of the chamber 3 (the back surface side of the substrate 10). The rotating cylinder 6 on which the support ring 5 is placed is rotated by a driving mechanism (not shown) to rotate the substrate 10 in the chamber 3 at, for example, 90 to 250 rotations / minute. The chamber 3 is provided with a gas introduction path 8 for introducing a process gas and a gas outlet path 9 for exhausting the introduced process gas.

温度プローブ7には、基板10の裏面からの放射光が入射し、当該放射光を温度に換算することで、基板10の温度が測定される。また、基板10の面内の温度及び温度分布を測定するため、温度プローブ7は、基板10の中心に対向する位置から外周に対向する位置に渡って複数設置されている。   Radiation light from the back surface of the substrate 10 enters the temperature probe 7, and the temperature of the substrate 10 is measured by converting the radiation light into temperature. Further, in order to measure the temperature and temperature distribution in the surface of the substrate 10, a plurality of temperature probes 7 are installed from a position facing the center of the substrate 10 to a position facing the outer periphery.

上記熱処理装置1において、熱処理を行う際の熱処理シーケンスは上述の図2のとおりであるのでここでの説明は省略する。   In the heat treatment apparatus 1, the heat treatment sequence when performing heat treatment is as shown in FIG.

さて、本発明に係る熱処理温度の調整方法では、熱処理に応じて基板10の表面上に成長する熱酸化膜の膜厚が熱処理温度を敏感に反映することを利用している。まず、チャンバ3内に一定の流量でドライ酸素を導入して、熱処理温度Tmを維持する時間tを、例えば、5秒から5分までの間の所定時間で固定し、図1に示す熱処理装置を用いて、基板10(ここでは、シリコン基板)を支持リング5とともに回転させながら、実際の半導体装置の製造工程で使用される熱処理温度範囲を含む500〜1200℃の間で酸化処理を行う。このとき、熱処理装置1において、熱処理温度Tmを設定したときに成長した酸化膜厚dを、熱処理温度Tmを5〜100度のステップで変えて計測する。なお、酸化膜厚dは、エリプソメータ等により計測することができる。また、以下では、熱処理装置に設定した熱処理温度を熱処理設定温度という。   The method for adjusting the heat treatment temperature according to the present invention utilizes the fact that the film thickness of the thermal oxide film grown on the surface of the substrate 10 in response to the heat treatment sensitively reflects the heat treatment temperature. First, dry oxygen is introduced into the chamber 3 at a constant flow rate, and the time t for maintaining the heat treatment temperature Tm is fixed, for example, for a predetermined time from 5 seconds to 5 minutes, and the heat treatment apparatus shown in FIG. The substrate 10 (here, a silicon substrate) is rotated together with the support ring 5 using the above, and an oxidation treatment is performed between 500 and 1200 ° C. including the heat treatment temperature range used in the actual semiconductor device manufacturing process. At this time, in the heat treatment apparatus 1, the oxide film thickness d grown when the heat treatment temperature Tm is set is measured by changing the heat treatment temperature Tm in steps of 5 to 100 degrees. The oxide film thickness d can be measured with an ellipsometer or the like. Hereinafter, the heat treatment temperature set in the heat treatment apparatus is referred to as a heat treatment set temperature.

図3は、このようにして取得した熱処理設定温度Tmと酸化膜厚dとの関係を示す図である。温度特性図を取得する温度帯は、温度プローブの温度測定信頼性のある500℃から、一般的なRTPのプロセスに使用する最高温度帯である1200℃まで取得している。   FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the heat treatment set temperature Tm and the oxide film thickness d obtained in this way. The temperature range for acquiring the temperature characteristic diagram is acquired from 500 ° C., which is the temperature measurement reliability of the temperature probe, to 1200 ° C., which is the maximum temperature range used in a general RTP process.

図3は、図1の熱処理装置の異なる位置に配置された3つの温度プローブ7(図3に、実線、破線、点線で示す。)に対向する位置の酸化膜厚dの熱処理設定温度Tmに対する依存性(校正データ)の例を示す図である。図3に示すように、設定温度が同じであっても、各温度プローブ7に対応する位置に形成された酸化膜厚dは異なる。これは温度プローブ7が基板10上の真の温度を測定しているのではなく、熱処理中も基板10とは温度が異なる支持リング5からの距離や、温度プローブ7の取付け具合、各温度プローブ7に対するランプパワーの寄与の差異等のばらつきを含んだ、見かけ上の温度を測定しているためであると考えられる。ここでは、以上のような校正データを、全ての温度プローブ7に対して取得する。   FIG. 3 shows the heat treatment set temperature Tm of the oxide film thickness d at a position facing three temperature probes 7 (shown by solid lines, broken lines, and dotted lines in FIG. 3) arranged at different positions of the heat treatment apparatus of FIG. It is a figure which shows the example of dependence (calibration data). As shown in FIG. 3, even if the set temperature is the same, the oxide film thickness d formed at the position corresponding to each temperature probe 7 is different. This is because the temperature probe 7 does not measure the true temperature on the substrate 10, but during the heat treatment, the distance from the support ring 5 whose temperature is different from that of the substrate 10, the mounting condition of the temperature probe 7, and each temperature probe This is presumably because the apparent temperature was measured including variations such as the difference in the lamp power contribution to 7. Here, the calibration data as described above is acquired for all the temperature probes 7.

全ての温度プローブに対して、図3に示す校正データを取得した後、シリコン面が露出したダミー基板(シリコン基板でよい)を用いて、ドライ酸素流量、熱処理維持時間tを上記固定した条件とし、熱処理設定温度Tmを500℃〜1200℃の間で任意に選択した熱処理シーケンスによりドライ酸化を行う。そして、当該熱処理シーケンスにより成膜された酸化膜の膜厚dに基づいて各温度プローブ7の温度補正値を求める。   After acquiring the calibration data shown in FIG. 3 for all temperature probes, a dry oxygen flow rate and a heat treatment maintenance time t are set as above using a dummy substrate (a silicon substrate may be used) with a silicon surface exposed. Then, dry oxidation is performed by a heat treatment sequence arbitrarily selected between a heat treatment set temperature Tm of 500 ° C. and 1200 ° C. And the temperature correction value of each temperature probe 7 is calculated | required based on the film thickness d of the oxide film formed by the said heat processing sequence.

ここでは、ダミー基板の各温度プローブ7に対向する位置に形成された酸化膜の膜厚を計測する。そして、図3に示した各温度プローブ7に対する校正データに基づいて、それぞれの位置で測定した酸化膜厚に対応する熱処理設定温度Tmを求める。この温度が、酸化膜を形成した位置における温度Tになる。例えば、図3に実線で示す校正データが取得された温度プローブ7に対向する位置に、膜厚が10nmの酸化膜が形成されていた場合、温度Tは、1050℃となる。   Here, the film thickness of the oxide film formed on the dummy substrate at a position facing each temperature probe 7 is measured. Then, based on the calibration data for each temperature probe 7 shown in FIG. 3, a heat treatment set temperature Tm corresponding to the oxide film thickness measured at each position is obtained. This temperature becomes the temperature T at the position where the oxide film is formed. For example, when an oxide film having a thickness of 10 nm is formed at a position facing the temperature probe 7 from which calibration data indicated by a solid line in FIG. 3 is acquired, the temperature T is 1050 ° C.

次いで、上記ダミー基板の熱処理において、ダミー基板上に形成されるべき酸化膜の膜厚(目標酸化膜厚)に対応する熱処理設定温度Tm’と上記温度Tとの差を求め、当該温度差を当該温度プローブ7の温度補正値とする。例えば、図3に実線で示す校正データにおいて、目標酸化膜厚が12nmであった場合、温度Tm’は、1070℃となる。したがって、温度差ΔTは20℃となる。すなわち、当該温度プローブ7の位置では、目標酸化膜厚を得るためには、熱処理設定温度Tm+ΔTの温度として、当該位置に対応する加熱ランプのランプパワーを調整すればよい。   Next, in the heat treatment of the dummy substrate, a difference between the heat treatment set temperature Tm ′ corresponding to the film thickness (target oxide film thickness) of the oxide film to be formed on the dummy substrate and the temperature T is obtained, and the temperature difference is calculated. The temperature correction value of the temperature probe 7 is used. For example, in the calibration data indicated by the solid line in FIG. 3, when the target oxide film thickness is 12 nm, the temperature Tm ′ is 1070 ° C. Therefore, the temperature difference ΔT is 20 ° C. That is, in order to obtain the target oxide film thickness at the position of the temperature probe 7, the lamp power of the heating lamp corresponding to the position may be adjusted as the temperature of the heat treatment set temperature Tm + ΔT.

以上のようにして、各温度プローブ7の温度補正値を求め、当該温度補正値を加味した温度に基づいてランプユニットのランプパワーを調整することにより基板10上のいずれの位置においても同じ酸化膜厚が得られるように温度調整を行うことができる。すなわち、基板10の面内において熱処理温度をほぼ均一にすることができるのである。   As described above, the temperature correction value of each temperature probe 7 is obtained, and the lamp film of the lamp unit is adjusted based on the temperature in consideration of the temperature correction value, so that the same oxide film is formed at any position on the substrate 10. The temperature can be adjusted to obtain a thickness. That is, the heat treatment temperature can be made substantially uniform in the plane of the substrate 10.

ところで、上記では、各温度プローブ7について予め求めた校正データに基づいて、各温度プローブ7の温度補正値を求めたが、当該温度補正値は、以下のようにして求めることもできる。   In the above description, the temperature correction value of each temperature probe 7 is obtained based on the calibration data obtained in advance for each temperature probe 7. However, the temperature correction value can also be obtained as follows.

図4は、図3と同様にして取得された、酸化膜厚と熱処理設定温度Tmとの関係を示す校正データを示す図である。ここでは、酸化膜厚が、基板10の面内の平均膜厚daである点が図3と異なっている。このように、平均膜厚を使用することで、上述の基板10の面内における温度不均一性を排除している。また、熱処理設定温度Tmが、500℃〜1200℃である範囲において、面内温度不均一性が異なることが予想されるが、基板面内の温度ばらつき幅は、いずれの温度でも同等であった。したがって、面内の平均膜厚daを用いた図4に示す校正データは、面内温度ばらつきが低減されたデータであると考察することができる。   FIG. 4 is a diagram showing calibration data showing the relationship between the oxide film thickness and the heat treatment set temperature Tm obtained in the same manner as FIG. Here, the oxide film thickness is different from that in FIG. 3 in that the average film thickness da in the plane of the substrate 10 is used. Thus, by using the average film thickness, the above-described temperature non-uniformity in the surface of the substrate 10 is eliminated. Further, in the range where the heat treatment set temperature Tm is 500 ° C. to 1200 ° C., the in-plane temperature non-uniformity is expected to be different, but the temperature variation width in the substrate surface is the same at any temperature. . Therefore, it can be considered that the calibration data shown in FIG. 4 using the in-plane average film thickness da is data in which the in-plane temperature variation is reduced.

図4に示す校正データを取得した後、上記と同様に、ダミー基板を用いて、ドライ酸素流量、熱処理維持時間tを上記固定した条件とし、熱処理設定温度Tmを500℃〜1200℃の間で任意に選択した熱処理シーケンスによりドライ酸化を行う。そして、当該熱処理シーケンスにより成膜された酸化膜の膜厚dに基づいて各温度プローブ7の温度補正値を求める。   After obtaining the calibration data shown in FIG. 4, similarly to the above, using a dummy substrate, the dry oxygen flow rate and the heat treatment maintenance time t are fixed, and the heat treatment set temperature Tm is between 500 ° C. and 1200 ° C. Dry oxidation is performed by an arbitrarily selected heat treatment sequence. And the temperature correction value of each temperature probe 7 is calculated | required based on the film thickness d of the oxide film formed by the said heat processing sequence.

この場合も、ダミー基板の各温度プローブ7に対向する位置に形成された酸化膜の膜厚を計測し、それぞれの位置で測定した酸化膜厚に対する温度Tを、図4の校正データから求める。次に、同じ図4の曲線から求めた目標酸化膜厚に対応する熱処理設定温度Tm’と温度Tとの差を求め、当該温度差を当該温度プローブ7の温度補正値とする。   Also in this case, the film thickness of the oxide film formed at the position facing each temperature probe 7 of the dummy substrate is measured, and the temperature T with respect to the oxide film thickness measured at each position is obtained from the calibration data of FIG. Next, a difference between the heat treatment set temperature Tm ′ and the temperature T corresponding to the target oxide film thickness obtained from the same curve of FIG. 4 is obtained, and the temperature difference is set as a temperature correction value of the temperature probe 7.

例えば、校正対象の温度プローブ7に対向する位置に、膜厚が10nmの酸化膜が形成されていた場合、図4に示す校正データによれば、温度Tは1050℃となる。そして、目標酸化膜厚が12nmであった場合、温度Tm’は1070℃となる。したがって、温度差ΔTは20℃となる。すなわち、当該温度プローブ7の位置では、目標酸化膜厚を得るためには、熱処理設定温度Tm+ΔTの温度として、当該位置に対応する加熱ランプのランプパワーを調整すればよい。   For example, when an oxide film having a film thickness of 10 nm is formed at a position facing the temperature probe 7 to be calibrated, the temperature T is 1050 ° C. according to the calibration data shown in FIG. When the target oxide film thickness is 12 nm, the temperature Tm ′ is 1070 ° C. Therefore, the temperature difference ΔT is 20 ° C. That is, in order to obtain the target oxide film thickness at the position of the temperature probe 7, the lamp power of the heating lamp corresponding to the position may be adjusted as the temperature of the heat treatment set temperature Tm + ΔT.

以上のようにして、各温度プローブ7の温度補正値を求め、当該温度補正値を加味した温度に基づいてランプユニットのランプパワーを調整することにより基板10上のいずれの位置においても同じ酸化膜厚が得られるように温度調整を行うことができる。すなわち、基板10の面内において熱処理温度をほぼ均一にすることができる。   As described above, the temperature correction value of each temperature probe 7 is obtained, and the lamp film of the lamp unit is adjusted based on the temperature in consideration of the temperature correction value, so that the same oxide film is formed at any position on the substrate 10. The temperature can be adjusted to obtain a thickness. That is, the heat treatment temperature can be made substantially uniform in the plane of the substrate 10.

しかしながら、図4の校正データでは、酸化膜の平均膜厚に基づいて各温度プローブ7の温度補正値を取得することになる。この場合、各温度プローブ7と対向する位置で加熱を行うランプの本数や各温度プローブの基板中央部からの距離、支持リングによる基板外周部の冷却作用、各温度プローブ間の距離等は、温度補正値に正確に反映されていない。したがって、より正確な温度補正値とするために、当該温度補正値に特定の係数を積算することにより、さらに補正を行うことが好ましい。   However, in the calibration data of FIG. 4, the temperature correction value of each temperature probe 7 is acquired based on the average film thickness of the oxide film. In this case, the number of lamps to be heated at the position facing each temperature probe 7, the distance from the center of the substrate of each temperature probe, the cooling action of the outer periphery of the substrate by the support ring, the distance between each temperature probe, etc. It is not accurately reflected in the correction value. Therefore, in order to obtain a more accurate temperature correction value, it is preferable to perform further correction by adding a specific coefficient to the temperature correction value.

以上説明したように、本発明の熱処理温度の調整方法を用いることにより、基板の面内温度の均一性を向上することができる。特に、各温度プローブ7に対して、個別に校正データを取得する手法では、基板面内の温度差を4度以下に抑えることが可能である。したがって、本手法により熱処理温度を調整した熱処理装置により基板の熱処理を行うことで、基板面内における半導体装置の特性ばらつきや信頼性ばらつきを低減することができる。   As described above, the uniformity of the in-plane temperature of the substrate can be improved by using the method for adjusting the heat treatment temperature of the present invention. In particular, with the method of acquiring calibration data individually for each temperature probe 7, the temperature difference in the substrate surface can be suppressed to 4 degrees or less. Therefore, by performing the heat treatment of the substrate by the heat treatment apparatus in which the heat treatment temperature is adjusted by this method, it is possible to reduce the variation in characteristics and reliability of the semiconductor device in the substrate surface.

図5は、上記熱処理温度の調整方法を実行する温度制御手段20を備えた熱処理装置を示す図である。図5に示すように、この熱処理装置は、温度制御手段20の演算処理部22が、各温度プローブ7により計測された基板10の温度を取得する(パイロメータは図示せず)。そして、当該演算処理部22が、各温度プローブ7に対向する領域に設けられた一群のランプのランプパワーを個別に制御するランプドライバ21に、上述の各温度プローブに対する温度補正値を制御信号を出力する。なお、演算処理部22には、図3、あるいは図4に示す校正データが設定されている。また、ランプドライバ21及び演算処理部22は、例えば、専用の演算回路や、プロセッサとRAMやROM等のメモリとを備えたハードウェア、及び当該メモリに格納され、プロセッサ上で動作するソフトウェア等として実現することができる。   FIG. 5 is a view showing a heat treatment apparatus provided with a temperature control means 20 for executing the above heat treatment temperature adjusting method. As shown in FIG. 5, in this heat treatment apparatus, the arithmetic processing unit 22 of the temperature control means 20 acquires the temperature of the substrate 10 measured by each temperature probe 7 (pyrometer is not shown). Then, the arithmetic processing unit 22 sends a control signal to the lamp driver 21 that individually controls the lamp power of a group of lamps provided in a region facing each temperature probe 7, with a temperature correction value for each temperature probe described above. Output. Note that the calibration data shown in FIG. 3 or FIG. 4 is set in the arithmetic processing unit 22. The lamp driver 21 and the arithmetic processing unit 22 include, for example, dedicated arithmetic circuits, hardware including a processor and a memory such as a RAM and a ROM, and software stored in the memory and operating on the processor. Can be realized.

上記構成において、操作者により、入力部23から、熱処理設定温度Tmを含む熱処理シーケンスが入力されると、演算処理部22は、予め設定されている上記校正データに基づいて、上述の演算を行い、各温度プローブ7の温度補正値を算出する。そして、演算処理部22は、各温度プローブ7から入力される温度データに各温度補正値を用いて補正した温度が、入力された熱処理設定温度TmとTmになるような制御信号をランプドライバ21に出力する。ランプドライバ21は、当該制御信号に応じてランプユニット2のランプパワーを制御する。   In the above configuration, when a heat treatment sequence including the heat treatment set temperature Tm is input from the input unit 23 by the operator, the arithmetic processing unit 22 performs the above calculation based on the calibration data set in advance. The temperature correction value of each temperature probe 7 is calculated. Then, the arithmetic processing unit 22 sends a control signal such that the temperature data input from each temperature probe 7 is corrected using each temperature correction value to the input heat treatment set temperatures Tm and Tm. Output to. The lamp driver 21 controls the lamp power of the lamp unit 2 according to the control signal.

このため、上記構成の熱処理装置によれば、上述の手法により取得された温度補正値に基づいてランプパワーの制御が行われるため、基板の全面を均一な温度として熱処理を行うことができる。   For this reason, according to the heat treatment apparatus having the above-described configuration, the lamp power is controlled based on the temperature correction value acquired by the above-described method, and therefore, the heat treatment can be performed with the entire surface of the substrate at a uniform temperature.

なお、以上の説明では、ある1つの熱処理設定温度で温度補正値を求め温度調整を行ったが、一旦調整すると通常は他の熱処理温度でも不均一性が調整されるため、当該温度において求めた温度補正値を用いて、他の温度で熱処理を行うことができる。   In the above description, the temperature correction value is obtained at one heat treatment set temperature and the temperature adjustment is performed. However, once the adjustment is made, the non-uniformity is usually adjusted at other heat treatment temperatures. Heat treatment can be performed at other temperatures using the temperature correction value.

ところで、図3、図4の校正データによれば、校正データを示す関数、Tm=f(d)を構築することが可能である(図3の場合はそれぞれの温度プローブ7に対して関数が作成される)。したがって、演算処理部22が当該関数を内蔵することで、ダミー基板で測定した酸化膜厚を入力部23から入力することで、上記温度補正値を算出する構成としてもよい。このような関数を求めることにより、仮に、上記校正データの取得範囲外の温度領域においても、外挿により温度補正値を求めることが可能となる。また、上記演算処理部22は、入力部23から入力された各温度プローブ7の温度補正値を記憶し、当該温度補正値に基づいて、ランプドライバ21を制御する構成であってよい。   By the way, according to the calibration data of FIGS. 3 and 4, it is possible to construct a function indicating the calibration data, Tm = f (d) (in the case of FIG. 3, there is a function for each temperature probe 7). Created). Therefore, the temperature correction value may be calculated by inputting the oxide film thickness measured with the dummy substrate from the input unit 23 by incorporating the function into the arithmetic processing unit 22. By obtaining such a function, it is possible to obtain a temperature correction value by extrapolation even in a temperature region outside the acquisition range of the calibration data. The arithmetic processing unit 22 may store the temperature correction value of each temperature probe 7 input from the input unit 23 and control the lamp driver 21 based on the temperature correction value.

なお、本発明は、以上で説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の効果を奏する範囲において、種々の変形及び応用が可能である。例えば、上記では、ダミー基板のドライ酸化膜の膜厚により、各温度プローブの温度補正値を求める事例を説明したが、上記酸化膜は、ウエット酸化による酸化膜でもよい。また、上記温度補正値は、熱処理に応じて変動する物理量であれば、酸化膜厚に限らず、任意の物理量を用いて求めることができる。例えば、砒素、リン、ボロンなどの不純物がイオン注入された半導体基板を用いて、熱処理(活性化アニール処理)を行い、当該熱処理後の不純物拡散領域のシート抵抗値の面内分布を用いて上記温度補正値を求めることも可能である。このような不純物拡散領域のシート抵抗値は、熱処理温度に対して非常に敏感に反応するためより厳密な温度補正値を求めることができる。   The present invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications and applications are possible within the scope of the effects of the present invention. For example, the example in which the temperature correction value of each temperature probe is obtained based on the thickness of the dry oxide film on the dummy substrate has been described above. However, the oxide film may be an oxide film formed by wet oxidation. The temperature correction value is not limited to the oxide film thickness as long as it is a physical quantity that varies depending on the heat treatment, and can be obtained using any physical quantity. For example, heat treatment (activation annealing treatment) is performed using a semiconductor substrate into which impurities such as arsenic, phosphorus, and boron are ion-implanted, and the above-described distribution of the sheet resistance value of the impurity diffusion region after the heat treatment is used. It is also possible to obtain a temperature correction value. Since the sheet resistance value of such an impurity diffusion region reacts very sensitively to the heat treatment temperature, a stricter temperature correction value can be obtained.

本発明は、基板の面内温度の均一性を向上させることができ、基板の熱処理を行う熱処理装置に有用である。   The present invention can improve the uniformity of the in-plane temperature of the substrate, and is useful for a heat treatment apparatus for performing heat treatment of a substrate.

本発明の熱処理装置の要部縦断面図The principal part longitudinal cross-sectional view of the heat processing apparatus of this invention 本発明の熱処理シーケンスを説明するため図The figure for demonstrating the heat processing sequence of this invention. 本発明の校正データの一例を示す図The figure which shows an example of the calibration data of this invention 本発明の校正データの一例を示す図The figure which shows an example of the calibration data of this invention 本発明の熱処理装置の概略構成図Schematic configuration diagram of heat treatment apparatus of the present invention

符号の説明Explanation of symbols

1 熱処理装置
2 ランプユニット
3 チャンバ
4 石英板
5 支持リング
6 回転シリンダ
7 温度プローブ
8 ガス導入管
9 ガス導出管
10 基板
20 温度制御手段
21 ランプドライバ
22 演算処理部
23 入力部

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Heat processing apparatus 2 Lamp unit 3 Chamber 4 Quartz plate 5 Support ring 6 Rotating cylinder 7 Temperature probe 8 Gas introduction pipe 9 Gas outlet pipe 10 Substrate 20 Temperature control means 21 Lamp driver 22 Arithmetic processing part 23 Input part

Claims (9)

同一基板の複数の位置において計測された温度に基づいて温度制御を行い、前記基板の熱処理を行う熱処理裝置に適用される熱処理温度の調整方法であって、
前記熱処理に応じて変動する物理量と熱処理設定温度とを対応づけた校正データを取得するステップと、
特定の熱処理設定温度にて熱処理を行った基板の前記各温度測定位置における前記物理量を計測するステップと、
前記校正データから、前記計測した物理量に対応する熱処理設定温度、及び前記特定の熱処理設定温度にて得られるべき物理量に対応する熱処理設定温度を取得し、これらの温度差に基づいて各物理量測定位置に対応する温度プローブの温度補正値を求めるステップと、
を有することを特徴とする熱処理温度の調整方法。
A method of adjusting a heat treatment temperature applied to a heat treatment apparatus for performing a temperature control based on temperatures measured at a plurality of positions on the same substrate and performing a heat treatment of the substrate,
Obtaining calibration data associating a physical quantity varying according to the heat treatment with a heat treatment set temperature;
Measuring the physical quantity at each temperature measurement position of the substrate heat-treated at a specific heat treatment set temperature;
A heat treatment set temperature corresponding to the measured physical quantity and a heat treatment set temperature corresponding to a physical quantity to be obtained at the specific heat treatment set temperature are acquired from the calibration data, and each physical quantity measurement position is based on these temperature differences. Obtaining a temperature correction value of the temperature probe corresponding to
A method for adjusting the heat treatment temperature, characterized by comprising:
前記校正データは、基板面内での前記物理量の平均値と熱処理設定温度を対応づけたデータである請求項1記載の熱処理温度の調整方法。   The method for adjusting a heat treatment temperature according to claim 1, wherein the calibration data is data in which an average value of the physical quantities in a substrate surface is associated with a heat treatment set temperature. 前記校正データが、前記各温度測定位置において取得される請求項1記載の熱処理温度の調整方法。   The method for adjusting a heat treatment temperature according to claim 1, wherein the calibration data is acquired at each temperature measurement position. 前記物理量が、前記熱処理により形成された酸化膜の膜厚である請求項1から3のいずれかに記載の熱処理温度の調整方法。   The method for adjusting a heat treatment temperature according to claim 1, wherein the physical quantity is a thickness of an oxide film formed by the heat treatment. 前記酸化膜がウエット酸化膜である請求項4記載の熱処理温度の調整方法。   The method for adjusting a heat treatment temperature according to claim 4, wherein the oxide film is a wet oxide film. 前記熱処理が基板に形成された不純物拡散領域の活性化アニール処理であり、前記物理量が当該不純物拡散領域のシート抵抗である請求項1から3のいずれかに記載の熱処理温度の調整方法。   The method for adjusting a heat treatment temperature according to any one of claims 1 to 3, wherein the heat treatment is an activation annealing treatment of an impurity diffusion region formed on a substrate, and the physical quantity is a sheet resistance of the impurity diffusion region. 前記不純物は砒素、リンまたはボロンである請求項6記載の熱処理温度の調整方法。   The method for adjusting a heat treatment temperature according to claim 6, wherein the impurity is arsenic, phosphorus, or boron. 請求項1から8のいずれかに記載の熱処理温度の調整方法により調整がなされた熱処理装置により、基板の熱処理を行う基板熱処理方法。   A substrate heat treatment method for performing heat treatment of a substrate by a heat treatment apparatus adjusted by the heat treatment temperature adjustment method according to claim 1. 同一基板の複数の位置において計測された温度に基づいて温度制御を行い、前記基板の熱処理を行う熱処理裝置において、
前記基板を加熱する複数の加熱手段と、
前記基板の温度を計測する複数の温度プローブと、
前記熱処理に応じて変動する物理量と熱処理設定温度とを対応づけた校正データから算出された各温度プローブの温度補正値に基づいて、各温度プローブが計測した温度を補正する手段と、
前記補正された温度に基づいて、前記各加熱手段の加熱量を制御する手段と、
を備えたことを特徴とする熱処理装置。

In a heat treatment apparatus that performs temperature control based on temperatures measured at a plurality of positions on the same substrate and performs heat treatment of the substrate,
A plurality of heating means for heating the substrate;
A plurality of temperature probes for measuring the temperature of the substrate;
Means for correcting the temperature measured by each temperature probe based on the temperature correction value of each temperature probe calculated from the calibration data in which the physical quantity varying according to the heat treatment and the heat treatment set temperature are associated with each other;
Means for controlling the amount of heating of each heating means based on the corrected temperature;
A heat treatment apparatus comprising:

JP2005270924A 2005-09-16 2005-09-16 Method for controlling temperature of thermal process, method of thermal process of substrate and device of thermal process of substrate Withdrawn JP2007081348A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005270924A JP2007081348A (en) 2005-09-16 2005-09-16 Method for controlling temperature of thermal process, method of thermal process of substrate and device of thermal process of substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005270924A JP2007081348A (en) 2005-09-16 2005-09-16 Method for controlling temperature of thermal process, method of thermal process of substrate and device of thermal process of substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007081348A true JP2007081348A (en) 2007-03-29

Family

ID=37941287

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005270924A Withdrawn JP2007081348A (en) 2005-09-16 2005-09-16 Method for controlling temperature of thermal process, method of thermal process of substrate and device of thermal process of substrate

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007081348A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009283588A (en) * 2008-05-21 2009-12-03 Sanyo Electric Co Ltd Method of manufacturing nitride-semiconductor light emitting device
EP3451370A1 (en) 2017-09-05 2019-03-06 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Laser annealing apparatus and sheet resistance calculation apparatus
CN109698141A (en) * 2018-12-27 2019-04-30 上海华力集成电路制造有限公司 A method of promoting gate oxide thickness uniformity
WO2021192801A1 (en) 2020-03-24 2021-09-30 住友重機械工業株式会社 Process monitor and process monitoring method
CN115692236A (en) * 2022-12-16 2023-02-03 广州粤芯半导体技术有限公司 Method for detecting RTA temperature in silicade process
WO2023136858A1 (en) * 2022-01-11 2023-07-20 Applied Materials, Inc. Dynamic and localized temperature control for epitaxial deposition reactors

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009283588A (en) * 2008-05-21 2009-12-03 Sanyo Electric Co Ltd Method of manufacturing nitride-semiconductor light emitting device
EP3451370A1 (en) 2017-09-05 2019-03-06 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Laser annealing apparatus and sheet resistance calculation apparatus
US11257686B2 (en) 2017-09-05 2022-02-22 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Laser annealing apparatus and sheet resistance calculation apparatus
CN109698141A (en) * 2018-12-27 2019-04-30 上海华力集成电路制造有限公司 A method of promoting gate oxide thickness uniformity
WO2021192801A1 (en) 2020-03-24 2021-09-30 住友重機械工業株式会社 Process monitor and process monitoring method
KR20220157995A (en) 2020-03-24 2022-11-29 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 Process monitor and process monitoring method
WO2023136858A1 (en) * 2022-01-11 2023-07-20 Applied Materials, Inc. Dynamic and localized temperature control for epitaxial deposition reactors
CN115692236A (en) * 2022-12-16 2023-02-03 广州粤芯半导体技术有限公司 Method for detecting RTA temperature in silicade process

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6191399B1 (en) System of controlling the temperature of a processing chamber
US6188044B1 (en) High-performance energy transfer system and method for thermal processing applications
US6204484B1 (en) System for measuring the temperature of a semiconductor wafer during thermal processing
TW201816179A (en) Methods for thermally calibrating reaction chambers
KR101104017B1 (en) Tailored temperature uniformity
US9640412B2 (en) Apparatus and method for enhancing the cool down of radiatively heated substrates
TW201140699A (en) Substrate processing device and substrate processing method thereof
JPH05196505A (en) Bi-channel radiation detecting method
JP2002522912A (en) Tuning of substrate temperature measurement system
JP2007081348A (en) Method for controlling temperature of thermal process, method of thermal process of substrate and device of thermal process of substrate
JP2001077041A (en) Temperature calibrating method for thermal process device
JPH03116828A (en) Heat treatment device for semiconductor wafer
JP4056148B2 (en) Temperature measurement method using a radiation thermometer
TW409320B (en) Lamp annealer and method for annealing semiconductor wafer
JP2011108766A (en) Maintenance method for epitaxial growth apparatus, method of calibrating pyrometer, and susceptor for pyrometer calibration
JP2009164483A (en) Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor substrate processing device
JP2008098214A (en) Correction method of heat treatment temperature and heat treatment method
JPH07201765A (en) Heat-treating device and heat treatment
JP2000208524A (en) Method for measuring temperature of semiconductor wafer for temperature monitor
JP2002110556A (en) Heat treatment apparatus
JPH05299428A (en) Method and apparatus for heat-treatment of semiconductor wafer
JP2001289714A (en) Temperature measurement method and measurement device of substrate and treating device of the substrate
Machin et al. Bilateral comparison between NPL and INMETRO using a high-temperature fixed point of unknown temperature
JP3571634B2 (en) Substrate processing equipment
JPH07294569A (en) Apparatus and method for heat treatment

Legal Events

Date Code Title Description
A761 Written withdrawal of application

Effective date: 20070731

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761