JP2007074601A - カラーラインセンサ、半導体装置、及び画像読取方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】解像度及び感度を維持したまま製造コストを下げることができるカラーラインセンサを提供する。
【解決手段】本発明に係るカラーラインセンサは、緑色の光強度を測定する第1画素11と、第1画素11の横に位置しており、赤色の光強度を測定する第2画素12と、平面的な位置関係において第1画素11の下に位置しており、青色の光強度を測定する第3画素21と、平面的な位置関係において第2画素12の下に位置しており、緑色の光強度を測定する第4画素とを有する半導体装置1と、第1画素11〜第4画素22それぞれの測定結果を演算処理することにより、第1画素11〜第4画素22に囲まれた場所に設定された第1の仮想画素における赤、緑、青それぞれの光強度を算出する演算処理部2とを具備する。
【選択図】 図1
【解決手段】本発明に係るカラーラインセンサは、緑色の光強度を測定する第1画素11と、第1画素11の横に位置しており、赤色の光強度を測定する第2画素12と、平面的な位置関係において第1画素11の下に位置しており、青色の光強度を測定する第3画素21と、平面的な位置関係において第2画素12の下に位置しており、緑色の光強度を測定する第4画素とを有する半導体装置1と、第1画素11〜第4画素22それぞれの測定結果を演算処理することにより、第1画素11〜第4画素22に囲まれた場所に設定された第1の仮想画素における赤、緑、青それぞれの光強度を算出する演算処理部2とを具備する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、カラーラインセンサ、半導体装置、及び画像読取方法に関する。特に本発明は、従来と比較して、解像度及び感度を維持したまま製造コストを下げることができるカラーラインセンサ、半導体装置、及び画像読取方法に関する。
図9は、従来のカラーラインセンサの構成を説明する為の概略図である。本図に示すカラーラインセンサは、例えばカラーコピー又はカラースキャナーに用いられるセンサであり、半導体チップに形成された3つの画素ライン101,102,103を有している。画素ライン101は、赤色の光強度を読み取る画素101aを複数並べることにより形成されている。画素ライン102は、緑色の強度を読み取る画素102aを複数並べることにより形成されている。画素ライン103は、青色の強度を読み取る画素103aを複数並べることにより形成されている。画素ライン101,102,103は、画素101a,102a,103aが上下に並んで縦列を形成するように、互いに平行に配置されている。なお、画素101a,101b,101cは、それぞれ光電変換素子を有している。
(例えば特許文献1参照)。
特許第2723890号公報(図1)
(例えば特許文献1参照)。
被読取画像を読み取るとき、図9のカラーラインセンサは、被読取画像上を、画素ライン101,102,103に対して略垂直な方向(図中矢印X方向)に走査される。これにより、同一の縦列を構成している画素101a,102a,103aそれぞれが、被読取画像の同一地点の上方を通過し、この地点における赤色、緑色、及び青色それぞれの光強度を測定する。
上記した従来例では、カラーラインセンサの半導体チップは、赤色、青色、及び緑色それぞれの光強度を読み取るために、3列の画素ラインを有していた。このため、半導体チップが大型化し、コスト高になっていた。なお、各画素が有する光電変換素子を小型化すると半導体チップは小型化するが、この場合は各画素の感度が低下してしまう。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、解像度及び感度を維持したまま製造コストを下げることができるカラーラインセンサ、半導体装置、及び画像読取方法を提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明に係るカラーラインセンサは、2列×2行に配置された第1乃至第4画素と、演算処理部とを有するカラーラインセンサであって、
前記第1画素は、赤、緑、青のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、前記第1画素の下に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、前記第1画素の横に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、前記第3画素の下に位置し、かつ、前記第1の色の光強度を測定し、
前記演算処理部は、前記第1乃至第4画素それぞれの測定結果を演算処理することにより、前記第1乃至第4画素によって設定された仮想画素の赤、緑、青それぞれの光強度を算出する。
前記第1画素は、赤、緑、青のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、前記第1画素の下に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、前記第1画素の横に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、前記第3画素の下に位置し、かつ、前記第1の色の光強度を測定し、
前記演算処理部は、前記第1乃至第4画素それぞれの測定結果を演算処理することにより、前記第1乃至第4画素によって設定された仮想画素の赤、緑、青それぞれの光強度を算出する。
このカラーラインセンサによれば、前記第1乃至第4画素の測定値を演算処理することにより、前記仮想画素における赤、緑、青それぞれの光強度を算出することができる。このため、半導体装置が有する画素ラインを、前記第1及び第3画素からなる第1のラインと、前記第2及び第4画素からなる第2のラインの2列にすることができる。
従って、従来と比べて画素ラインを一列少なくすることができる。このため、感度及び解像度を維持したまま、前記半導体装置の製造コストを低くすることができる。
従って、従来と比べて画素ラインを一列少なくすることができる。このため、感度及び解像度を維持したまま、前記半導体装置の製造コストを低くすることができる。
本発明に係る他のカラーラインセンサは、後端部に第1及び第2画素を有する第1の半導体チップと、
前記第1の半導体チップの後端部近傍に、該第1の半導体チップに対して直列に配置され、先端部に第3及び第4画素を有する第2の半導体チップと、
演算処理部とを具備し、
前記第1画素は、赤、緑、青のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、平面的な位置関係において前記第1画素の下に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、前記第1画素の横に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、平面的な位置関係において前記第3画素の下に位置し、かつ、前記第1の色の光強度を測定し、
前記演算処理部は、前記第1乃至第4画素それぞれの測定結果を演算処理することにより、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップの間に設定された仮想画素の赤、緑、青それぞれの光強度を算出する。
前記第1の半導体チップの後端部近傍に、該第1の半導体チップに対して直列に配置され、先端部に第3及び第4画素を有する第2の半導体チップと、
演算処理部とを具備し、
前記第1画素は、赤、緑、青のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、平面的な位置関係において前記第1画素の下に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、前記第1画素の横に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、平面的な位置関係において前記第3画素の下に位置し、かつ、前記第1の色の光強度を測定し、
前記演算処理部は、前記第1乃至第4画素それぞれの測定結果を演算処理することにより、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップの間に設定された仮想画素の赤、緑、青それぞれの光強度を算出する。
前記演算処理部は、例えば、前記第1画素の測定結果と前記第4画素の測定結果の平均値を、前記第1の仮想画素における前記第1の色の光強度として算出する。また、前記第2画素の測定結果を、前記第1の仮想画素における前記第2の色の光強度とし、第3画素の測定結果を、前記第1の仮想画素における前記第3の色の光強度とする。
人間の目は緑に最も高感度であるため、前記第1の色は緑であるのが好ましい。
人間の目は緑に最も高感度であるため、前記第1の色は緑であるのが好ましい。
前記第1画素は、第1光電変換素子を具備し、前記第2画素は、第2光電変換素子を具備し、前記第3画素は、第3光電変換素子を具備し、前記第4画素は、第4光電変換素子を具備し、平面配置において前記第1画素の上に位置し、前記第1光電変換素子の出力を増幅する第1増幅回路と、平面配置において前記第2画素の下に位置し、前記第2光電変換素子の出力を増幅する第2増幅回路と、平面配置において前記第3画素の上に位置し、前記第3光電変換素子の出力を増幅する第3増幅回路と、平面配置において前記第4画素の下に位置し、前記第4光電変換素子の出力を増幅する第4増幅回路とを具備してもよい。一般的に、カラーラインセンサには、光を取り込むための開口部が設けられているが、上記した構造にすると、増幅回路を、平面的な位置関係において開口部の外に配置することができる。従って、開口部に対する前記光電変換素子の面積比率を高くして、カラーラインセンサの感度を高くすることができる。
本発明に係る他のカラーラインセンサは、2列×3行に配置された第1乃至第6画素と、演算処理部とを有するカラーラインセンサであって、
前記第1画素は、赤、緑、青のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、前記第1画素の下に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、前記第1画素の横に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、前記第3画素の下に位置し、かつ、前記第1の色の光強度を測定し、
前記第5画素は、前記第3画素の横に位置し、かつ、前記第1の色の光強度を測定し、
前記第6画素は、前記第5画素の下に位置し、かつ、前記第2の色の光強度を測定し、
前記演算処理部は、前記第1乃至第4画素それぞれの測定結果を演算処理することにより、前記第1乃至第4画素によって設定された第1の仮想画素の赤、緑、青それぞれの光強度を算出し、かつ、前記第3乃至第6画素それぞれの測定結果を演算処理することにより、前記第3乃至第6画素によって設定された第2の仮想画素の赤、緑、青それぞれの光強度を算出する。
前記第1画素は、赤、緑、青のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、前記第1画素の下に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、前記第1画素の横に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、前記第3画素の下に位置し、かつ、前記第1の色の光強度を測定し、
前記第5画素は、前記第3画素の横に位置し、かつ、前記第1の色の光強度を測定し、
前記第6画素は、前記第5画素の下に位置し、かつ、前記第2の色の光強度を測定し、
前記演算処理部は、前記第1乃至第4画素それぞれの測定結果を演算処理することにより、前記第1乃至第4画素によって設定された第1の仮想画素の赤、緑、青それぞれの光強度を算出し、かつ、前記第3乃至第6画素それぞれの測定結果を演算処理することにより、前記第3乃至第6画素によって設定された第2の仮想画素の赤、緑、青それぞれの光強度を算出する。
本発明に係る他のカラーラインセンサは、第1画素及び第2画素を交互に並べた第1の画素ラインと、第3画素及び第4画素を交互に並べた第2の画素ラインと、演算処理部とを有するカラーラインセンサであって、
前記第1画素は、赤、緑、青のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、赤、緑、青のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、平面的な位置関係において前記第1画素の下に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、平面的な位置関係において前記第2画素の下に位置し、かつ前記第1の色の光強度を測定し、
前記演算処理部は、前記第1の画素ラインの測定結果と前記第2の画素ラインの測定結果を演算処理することにより、前記第1の画素ラインと前記第2の画素ラインとによって設定される仮想画素の赤、緑、青それぞれの光強度を算出する演算処理部と、
を具備する。
前記第1画素は、赤、緑、青のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、赤、緑、青のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、平面的な位置関係において前記第1画素の下に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、平面的な位置関係において前記第2画素の下に位置し、かつ前記第1の色の光強度を測定し、
前記演算処理部は、前記第1の画素ラインの測定結果と前記第2の画素ラインの測定結果を演算処理することにより、前記第1の画素ラインと前記第2の画素ラインとによって設定される仮想画素の赤、緑、青それぞれの光強度を算出する演算処理部と、
を具備する。
本発明に係る他のカラーラインセンサは、2列×2行に配置された第1乃至第4画素と、演算処理部とを有するカラーラインセンサであって、
前記第1画素は、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、前記第1画素の下に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、前記第1画素の横に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、前記第3画素の下に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1乃至第3の色のいずれとも異なる第4の色の光強度を測定し、
前記演算処理部は、前記第1乃至第4画素それぞれの測定結果を演算処理することにより、前記第1乃至第4画素によって設定された仮想画素の赤、緑、青それぞれの光強度を算出する。
前記第1画素は、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、前記第1画素の下に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、前記第1画素の横に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、前記第3画素の下に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1乃至第3の色のいずれとも異なる第4の色の光強度を測定し、
前記演算処理部は、前記第1乃至第4画素それぞれの測定結果を演算処理することにより、前記第1乃至第4画素によって設定された仮想画素の赤、緑、青それぞれの光強度を算出する。
このカラーラインセンサにおいて、前記演算処理部は、マゼンダ色の光強度の測定結果と、黄色の光強度の測定結果の和から、シアン色の光強度の測定結果を引いた値の半値を、前記仮想画素における赤色の光強度として算出し、マゼンダ色の光強度の測定結果と、シアン色の光強度の測定結果の和から、黄色の光強度の測定結果を引いた値の半値を、前記仮想画素における青色の光強度として算出し、緑色の光強度の測定結果と、シアン色の光強度の測定結果と、黄色の光強度の測定結果の和から、マゼンダ色の光強度の測定結果を引いた値の1/3値を、緑色の強度とする。
本発明に係る他のカラーラインセンサは、2列×3行に配置された第1乃至第6画素と、演算処理部とを有するカラーラインセンサであって、
前記第1画素は、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、前記第1画素の下に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、前記第1画素の横に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、前記第3画素の下に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1乃至第3の色のいずれとも異なる第4の色の光強度を測定し、
前記第5画素は、前記第3画素の横に位置し、かつ、前記第1の色の光強度を測定し、
前記第6画素は、前記第5画素の下に位置し、かつ、前記第2の色の光強度を測定し、
前記演算処理部は、前記第1乃至第4画素それぞれの測定結果を演算処理することにより、前記第1乃至第4画素によって設定された第1の仮想画素の赤、緑、青それぞれの光強度を算出し、かつ、前記第3乃至第6画素それぞれの測定結果を演算処理することにより、前記第3乃至第6画素によって設定された第2の仮想画素の赤、緑、青それぞれの光強度を算出する。
前記第1画素は、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、前記第1画素の下に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、前記第1画素の横に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、前記第3画素の下に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1乃至第3の色のいずれとも異なる第4の色の光強度を測定し、
前記第5画素は、前記第3画素の横に位置し、かつ、前記第1の色の光強度を測定し、
前記第6画素は、前記第5画素の下に位置し、かつ、前記第2の色の光強度を測定し、
前記演算処理部は、前記第1乃至第4画素それぞれの測定結果を演算処理することにより、前記第1乃至第4画素によって設定された第1の仮想画素の赤、緑、青それぞれの光強度を算出し、かつ、前記第3乃至第6画素それぞれの測定結果を演算処理することにより、前記第3乃至第6画素によって設定された第2の仮想画素の赤、緑、青それぞれの光強度を算出する。
本発明に係る半導体装置は、2列×2行に配置された第1乃至第4画素を具備し、
前記第1画素は、赤、緑、青のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、前記第1画素の下に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、前記第1画素の横に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、前記第3画素の下に位置し、かつ、前記第1の色の光強度を測定する。
前記第1画素は、赤、緑、青のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、前記第1画素の下に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、前記第1画素の横に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、前記第3画素の下に位置し、かつ、前記第1の色の光強度を測定する。
本発明に係る他の半導体装置は、2列×2行に配置された第1乃至第4画素を具備し、
前記第1画素は、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、前記第1画素の下に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、前記第1画素の横に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、前記第3画素の下に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1乃至第3の色のいずれとも異なる第4の色の光強度を測定する。
前記第1画素は、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、前記第1画素の下に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、前記第1画素の横に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、前記第3画素の下に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1乃至第3の色のいずれとも異なる第4の色の光強度を測定する。
本発明に係る画像読取方法は、
2列×2行に配置された第1乃至第4画素を具備し、
前記第1画素は、赤、緑、青のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、前記第1画素の下に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、前記第1画素の横に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、前記第3画素の下に位置し、かつ、前記第1の色の光強度を測定する半導体装置を準備し、
前記半導体装置を被読取画像の上方に配置し、該被読取画像上を走査させ、
該走査時における前記前記第1乃至第4画素それぞれの測定結果を演算処理することにより、前記第1乃至第4画素によって設定された仮想画素の赤、緑、青のデータを算出するものである。
2列×2行に配置された第1乃至第4画素を具備し、
前記第1画素は、赤、緑、青のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、前記第1画素の下に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、前記第1画素の横に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、前記第3画素の下に位置し、かつ、前記第1の色の光強度を測定する半導体装置を準備し、
前記半導体装置を被読取画像の上方に配置し、該被読取画像上を走査させ、
該走査時における前記前記第1乃至第4画素それぞれの測定結果を演算処理することにより、前記第1乃至第4画素によって設定された仮想画素の赤、緑、青のデータを算出するものである。
本発明に係る他の画像読取方法は、
2列×2行に配置された第1乃至第4画素を具備し、
前記第1画素は、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、前記第1画素の下に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、前記第1画素の横に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、前記第3画素の下に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1乃至第3の色のいずれとも異なる第4の色の光強度を測定する半導体装置を準備し、
前記半導体装置を被読取画像の上方に配置し、該被読取画像上を走査させ、
該走査時における前記前記第1乃至第4画素それぞれの測定結果を演算処理することにより、前記第1乃至第4画素によって設定された仮想画素の赤、緑、青のデータを算出するものである。
2列×2行に配置された第1乃至第4画素を具備し、
前記第1画素は、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、前記第1画素の下に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、前記第1画素の横に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、前記第3画素の下に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1乃至第3の色のいずれとも異なる第4の色の光強度を測定する半導体装置を準備し、
前記半導体装置を被読取画像の上方に配置し、該被読取画像上を走査させ、
該走査時における前記前記第1乃至第4画素それぞれの測定結果を演算処理することにより、前記第1乃至第4画素によって設定された仮想画素の赤、緑、青のデータを算出するものである。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係るカラーラインセンサの構成を説明する為の概略図である。このカラーラインセンサは原色系のセンサであり、画像からの反射光の強度を測定する半導体チップ1と、半導体チップ1による測定値を演算処理する演算処理部2とを有する。
半導体チップ1は、画素が並べられた2列の画素ライン10,20、及びドライバー30,40を有する。画素ライン10は、緑色光の強度を測定するための緑用画素11と、赤色光の強度を測定するための赤用画素12とを交互に並べた構造である。画素ライン20は、青色光の強度を測定するための青用画素21と、緑色光の強度を測定するための緑用画素22とを交互に並べた構造である。各画素は、互いに同数設けられている。
平面的な位置関係において、画素ライン20は画素ライン10の下に位置している。詳細には、青用画素21が、図中緑用画素11の下に位置しており、緑用画素22が、図中赤用画素12の上に位置している。各画素は、例えばフォトダイオード及びこのフォトダイオードの出力を増幅する回路によって構成されてもよいが、CCDであってもよい。
画像を読み取るとき、画像には白色光が照射される。カラーラインセンサの半導体チップ1は、画像の上方を、画素ライン10,20に略直角な方向(例えば図中矢印X方向)に走査される。この走査時に、画像からの反射光が、所定の開口部(図示せず)から取り込まれ、取り込んだ反射光の強度を、各画素が測定する。そして、ドライバー30,40が動作することにより、各画素の測定値が演算処理部2に出力される。
図2は、半導体チップ1が有する各画素の回路構成を示す図である。緑用画素11はフォトダイオード110及び増幅回路111を有しており、赤用画素12はフォトダイオード120及び増幅回路121を有している。また、青用画素21はフォトダイオード210及び増幅回路211を有しており、緑用画素22はフォトダイオード220及び増幅回路221を有している。各画素の回路構成は同一であるため、青用画素21についてのみ詳細を説明する。
増幅回路211は、トランジスタ211a,211b,211c,211dを有している。トランジスタ211aは、ソースがフォトダイオード210の出力端子に接続されており、ドレインが、トランジスタ211bのソース及びトランジスタ211cのゲートそれぞれに接続されている。トランジスタ211bは、ゲートがリセットライン52に接続されており、ドレインが電源ライン51に接続されている。トランジスタ211cは、ドレインが電源ライン51に接続されており、ソースがトランジスタ211dのドレインに接続されている。トランジスタ211dのソースは、出力ライン55を介して演算処理部2に接続されている。
また、ドライバー30からの制御ラインである行読み出しライン53は、トランジスタ211aのゲートに接続されており、ドライバー40からの制御ラインである行選択ライン54は、トランジスタ211dのゲートに接続されている。
トランジスタ211aのドレインとなる拡散層、及びトランジスタ211bのソースとなる拡散層それぞれは、トランジスタ211cのゲートに接続されているが、これら拡散層は、トランジスタ211a, 211bがオフの状態においてフローティング状態にある。
青用画素21の測定値を得る場合、まず、行選択ライン54にハイ信号が入力され、トランジスタ211dがオンする。この状態は、後述する出力信号が演算処理部2に出力されるまで維持される。
また、行選択ライン54にハイ信号が入力されると同時に、リセットライン52にハイ信号が入力され、トランジスタ211bがオンする。すると、トランジスタ211aのドレインとなる拡散層、及びトランジスタ211bのソースとなる拡散層それぞれは、電源電圧(例えば3.3V)が印加されて電位が上がり、リセットされた状態になる。その後、リセットライン52にロー信号が入力され、上記した2つの拡散層はフローティング状態になる。このとき、トランジスタ211cのゲートにもフローティングの電位が与えられ、この電圧に応じた信号(以下、リセット信号と記載)が、出力ライン55に出力される。
次に、行読み出しライン53にハイ信号が入力され、トランジスタ211aがオンする。トランジスタ211aがオンすると、フォトダイオード210で生成されたキャリアは、上記した拡散層に転送され、これら拡散層の電位を下げる。このとき、トランジスタ211cのゲートに上記した拡散層の電位が与えられ、この電圧に応じた信号(以下、出力信号と記載)が出力ライン55に出力される。
そして、演算処理部2が、上記した出力信号とリセット信号との差分を算出する。これにより、青用画素21の測定値(厳密には、フォトダイオード210の出力が増幅された値)が得られる。
図3(A)は、演算処理部2による測定値の処理方法を説明する為の概略図である。演算処理部2は、緑用画素11、赤用画素12、青用画素21、及び緑用画素22それぞれの測定値から、仮想画素Aにおける赤色光、緑色光、及び青色光それぞれの強度を算出する。仮想画素Aは、緑用画素11、赤用画素12、青用画素21、及び緑用画素22に囲まれた部分それぞれに位置している。
図3(B)は、演算処理部2が行う演算処理を式で示している。演算処理部2は、赤用画素12の測定値を、仮想画素Aにおける赤色光の強度し、青用画素21の測定値を、仮想画素Aにおける青色光の強度とする。また、演算処理部2は、緑用画素11,22の測定値の平均値を、仮想画素Aにおける緑色光の強度とする。
以上、本実施形態によれば、カラーラインセンサの半導体チップ1は、2列の画素ライン10,20を有している。画素ライン10は、緑用画素11及び赤用画素12を交互に並べた構造であり、画素ライン20は、青用画素21及び緑用画素22を交互に並べた構造である。そして、緑用画素11、赤用画素12、青用画素21、及び緑用画素22それぞれの測定値を、演算処理部2で演算処理することにより、仮想画素Aにおける赤色、緑色、及び青色それぞれの光の強度を算出する。
これに対し、従来の半導体チップは画素ラインが3列である。従って、半導体チップ1の画素ラインの数を、従来と比べて一列少なくすることができる。このため、各画素の大きさを変化させない場合、解像度及び感度を維持したまま、半導体チップ1の製造コストを低くすることができる。また、半導体チップ1の大きさを従来と同じにする場合、各画素を大きくすることができるため、カラーラインセンサの感度を向上させることができる。
また、半導体チップ1において、緑用画素11,22の数の和は、赤用画素12及び青用画素21それぞれの数の倍である。従って、赤、緑、及び青のうち、最も人間の目の感度が高い緑色光の強度を、高精度で算出することができる。
図4(A)は、本発明の第2の実施形態に係るカラーラインセンサの構成を説明する為の概略図である。本実施形態におけるカラーラインセンサにおいて、複数の半導体チップ1が直列に配置されており、それぞれの半導体チップ1が一つの演算処理部2に接続されている。それぞれの半導体チップ1の構成及び動作は、第1の実施形態と同一である。 以下、第1の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
図4(B)は、図4(A)に示したカラーラインセンサの演算処理部2の演算処理を説明する為の概略図である。演算処理部2は、第1の実施形態と同一の演算処理を行うことにより、仮想画素Aにおける光の強度を算出する。また、演算処理部2は、半導体チップ1相互間の隙間に位置する仮想画素Bの光の強度を算出する。詳細には、一方の半導体チップ1の末端に位置する赤用画素12の測定値を、仮想画素Bにおける赤色光の強度とし、他方の半導体チップ1の先頭に位置する青用画素21の測定値を、仮想画素Bにおける青色光の強度とする。また、一方の半導体チップ1の末端に位置する緑用画素22、及び、他方の半導体チップ1の先頭に位置する緑用画素11それぞれの測定値の平均値を、仮想画素Bにおける緑色光の強度とする。
本実施形態によっても、第1の実施形態と同一の効果を得ることができる。
本実施形態によっても、第1の実施形態と同一の効果を得ることができる。
図5は、本発明の第3の実施形態に係るカラーラインセンサを説明する為の概略図である。本実施形態に係るカラーラインセンサは、演算処理部2の動作を除いて、第1の実施形態と同一である。以下、演算処理部2の動作を除いて、説明を省略する。
本実施形態において、演算処理部2は、半導体チップ1の端部に位置する仮想画素A1及びその隣の仮想画素A2における各色光の強度を、第1の実施形態と同一の方法で算出する。それ以外の仮想画素A3においては、仮想画素A3を囲む4つの画素の測定値に加えて、更にそれら画素の周囲に位置する画素の測定値を用いて、各色光の強度を算出する。
具体的に説明する。画素ライン10において、緑用画素11a、赤用画素12a、緑用画素11b、赤用画素12b、緑用画素11c、及び赤用画素12cが、この順に並んでいる。また、画素ライン20において、青用画素21a、緑用画素22a、青用画素21b、緑用画素22b、青用画素21c、及び、緑用画素22cが、この順に並んでいる。
仮想画素A3が、緑用画素11b、赤用画素12b、青用画素21b、及び緑用画素22bに囲まれた位置に配置されている場合、演算処理部2は、赤用画素12a,12b,12cそれぞれの測定値の加重平均値を、仮想画素A3における赤色光の強度とし、青用画素21a,21b,21cそれぞれの測定値の加重平均値を、仮想画素A3における青色光の強度とする。赤用画素12a,12b,12cそれぞれの加重値は、仮想画素A3から離れるにつれて小さくなり、例えば3,9,3である。青用画素21a,21b,21cそれぞれの加重値も同じである。
また、演算処理部2は、緑用画素11b,22bの平均値を、仮想画素A3における緑色光の強度とする。
本実施形態によっても、第1の実施形態と同一の効果を得ることができる。
本実施形態によっても、第1の実施形態と同一の効果を得ることができる。
図6は、本発明の第4の実施形態に係るカラーラインセンサの構成を説明する為の概略図である。本実施形態は、半導体チップ1が、画素ライン10,20を構成する各画素の回路構成が異なる点、及び、画素ライン10,20の周辺部に変調部61,62を有する点で、第1の実施形態と異なる。以下、第1の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
図7は、図6に示したカラーラインセンサの半導体チップ1の回路構成を説明する為の図である。本実施形態において、緑用画素11,22、赤用画素12、及び青用画素21は、それぞれフォトダイオード110,220,120,210のみで構成されている。増幅回路111,121は変調部61に配置されており、増幅回路211,221は変調部62に配置されている。このように、増幅回路111,121,211,221を、画像からの反射光を取り込むための開口部の外部に配置しているため、第1の実施形態と比較して、前記した開口部に対する、フォトダイオードの面積比率を大きくすることができる。
本実施形態においても、第1の実施形態と同一の効果を得ることができる。また、第1の実施形態と比較して、反射光を取り込むための開口部に対するフォトダイオードの面積比率を大きくすることができる。このため、カラーラインセンサの感度を上げることができる。
図8(A)は、本発明の第5の実施形態に係るカラーラインセンサの構成を説明する為の概略図である。このカラーラインセンサは補色系のセンサであり、各画素が測定する色、及び演算処理部2が行う演算処理を除いて、第1の実施形態と同一である。以下、第1の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
本実施形態において、画素ライン10は、シアン色光の強度を測定するシアン用画素13と、マゼンダ色光の強度を測定するマゼンダ用画素14とを交互に配置した構成である。画素ライン20は、黄色光の強度を測定する黄用画素23と、緑色光の強度を測定する緑用画素24とを交互に配置した構成である。
また、各画素は、互いに同数設けられている。平面的な配置において、シアン用画素13が、図中黄用画素23の上に位置しており、マゼンタ用画素14が、図中緑用画素24の上に位置している。
仮想画素Aは、シアン用画素13、マゼンダ用画素14、黄用画素23、及び緑用画素24に囲まれた領域に位置している。演算処理部2は、シアン用画素13、マゼンダ用画素14、黄用画素23、及び緑用画素24それぞれの測定値を演算処理することにより、仮想画素Aにおける赤色、緑色、及び青色それぞれの光の強度を算出する。
図8(B)は、演算処理部2が行う演算処理を式で示している。演算処理部2は、マゼンダ用画素14の測定値と黄用画素23の測定値の和から、シアン用画素13の測定値を引き、その結果得られた値を2で除することにより、仮想画素Aにおける赤色光の強度を算出する。また、演算処理部2は、シアン用画素13、黄用画素23、及び緑用画素24それぞれの測定値の和から、マゼンダ用画素14の測定値を引いた値を3で除することにより、仮想画素Aにおける緑色光の強度を算出する。また、演算処理部2は、シアン用画素13の測定値とマゼンダ用画素14の測定値の和から、黄用画素23の測定値を引き、その結果得られた値を2で除することにより、仮想画素Aにおける青色光の強度を算出する。
本実施形態においても、第1の実施形態と同一の効果を得ることができる。
本実施形態においても、第1の実施形態と同一の効果を得ることができる。
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば上記した各実施形態において、各画素の大きさは互いに等しくてもよいが、異なってもよい。また、画素は等間隔に配置されてもよいし、等間隔でなくてもよい。
また、第5の実施形態に係るカラーラインセンサにおいて、回路構成を第4の実施形態と同様にしてもよい。
また、第5の実施形態に係るカラーラインセンサにおいて、回路構成を第4の実施形態と同様にしてもよい。
1…半導体チップ、2…演算処理部、10,20,101,102,103…画素ライン、11,11a,11b,11c,22,22a,22b,22c,24…緑用画素、12,12a,12b,12c…赤用画素、13…シアン用画素、14…マゼンダ用画素、21,21a,21b,21c…青用画素、23…黄用画素、30,40…ドライバー、51…電源ライン、52…リセットライン、53…行読み出しライン、54…行選択ライン、55…出力ライン、61,62…変調部、101a,102a,103a…画素、110,120,210,220…フォトダイオード、111,121,211,221…増幅回路、211a,221b,221c,221d…トランジスタ
Claims (14)
- 2列×2行に配置された第1乃至第4画素と、演算処理部とを有するカラーラインセンサであって、
前記第1画素は、赤、緑、青のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、前記第1画素の下に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、前記第1画素の横に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、前記第3画素の下に位置し、かつ、前記第1の色の光強度を測定し、
前記演算処理部は、前記第1乃至第4画素それぞれの測定結果を演算処理することにより、前記第1乃至第4画素によって設定された仮想画素の赤、緑、青それぞれの光強度を算出するカラーラインセンサ。 - 後端部に第1及び第2画素を有する第1の半導体チップと、
前記第1の半導体チップの後端部近傍に、該第1の半導体チップに対して直列に配置され、先端部に第3及び第4画素を有する第2の半導体チップと、
演算処理部とを具備し、
前記第1画素は、赤、緑、青のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、平面的な位置関係において前記第1画素の下に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、前記第1画素の横に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、平面的な位置関係において前記第3画素の下に位置し、かつ、前記第1の色の光強度を測定し、
前記演算処理部は、前記第1乃至第4画素それぞれの測定結果を演算処理することにより、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップの間に設定された仮想画素の赤、緑、青それぞれの光強度を算出するカラーラインセンサ。 - 前記演算処理部は、
前記第1画素の測定結果と前記第4画素の測定結果の平均値を、前記仮想画素における前記第1の色の光強度として算出し、
前記第2画素の測定結果を、前記仮想画素における前記第2の色の光強度とし、
第3画素の測定結果を、前記仮想画素における前記第3の色の光強度とする請求項1又は2に記載のカラーラインセンサ。 - 前記第1の色は緑である請求項1〜3のいずれか一項に記載のカラーラインセンサ。
- 前記第1画素は、第1光電変換素子を具備し、
前記第2画素は、第2光電変換素子を具備し、
前記第3画素は、第3光電変換素子を具備し、
前記第4画素は、第4光電変換素子を具備し、
平面配置において前記第1画素の上に位置し、前記第1光電変換素子の出力を増幅する第1増幅回路と、
平面配置において前記第2画素の下に位置し、前記第2光電変換素子の出力を増幅する第2増幅回路と、
平面配置において前記第3画素の上に位置し、前記第3光電変換素子の出力を増幅する第3増幅回路と、
平面配置において前記第4画素の下に位置し、前記第4光電変換素子の出力を増幅する第4増幅回路と、
を具備する請求項1〜4のいずれか一項に記載のカラーラインセンサ。 - 2列×3行に配置された第1乃至第6画素と、演算処理部とを有するカラーラインセンサであって、
前記第1画素は、赤、緑、青のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、前記第1画素の下に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、前記第1画素の横に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、前記第3画素の下に位置し、かつ、前記第1の色の光強度を測定し、
前記第5画素は、前記第3画素の横に位置し、かつ、前記第1の色の光強度を測定し、
前記第6画素は、前記第5画素の下に位置し、かつ、前記第2の色の光強度を測定し、
前記演算処理部は、前記第1乃至第4画素それぞれの測定結果を演算処理することにより、前記第1乃至第4画素によって設定された第1の仮想画素の赤、緑、青それぞれの光強度を算出し、かつ、前記第3乃至第6画素それぞれの測定結果を演算処理することにより、前記第3乃至第6画素によって設定された第2の仮想画素の赤、緑、青それぞれの光強度を算出するカラーラインセンサ。 - 第1画素及び第2画素を交互に並べた第1の画素ラインと、第3画素及び第4画素を交互に並べた第2の画素ラインと、演算処理部とを有するカラーラインセンサであって、
前記第1画素は、赤、緑、青のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、赤、緑、青のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、平面的な位置関係において前記第1画素の下に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、平面的な位置関係において前記第2画素の下に位置し、かつ前記第1の色の光強度を測定し、
前記演算処理部は、前記第1の画素ラインの測定結果と前記第2の画素ラインの測定結果を演算処理することにより、前記第1の画素ラインと前記第2の画素ラインとによって設定される仮想画素の赤、緑、青それぞれの光強度を算出する演算処理部と、
を具備するカラーラインセンサ。 - 2列×2行に配置された第1乃至第4画素と、演算処理部とを有するカラーラインセンサであって、
前記第1画素は、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、前記第1画素の下に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、前記第1画素の横に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、前記第3画素の下に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1乃至第3の色のいずれとも異なる第4の色の光強度を測定し、
前記演算処理部は、前記第1乃至第4画素それぞれの測定結果を演算処理することにより、前記第1乃至第4画素によって設定された仮想画素の赤、緑、青それぞれの光強度を算出するカラーラインセンサ。 - 前記演算処理部は、
マゼンダ色の光強度の測定結果と、黄色の光強度の測定結果の和から、シアン色の光強度の測定結果を引いた値の半値を、前記仮想画素における赤色の光強度として算出し、
マゼンダ色の光強度の測定結果と、シアン色の光強度の測定結果の和から、黄色の光強度の測定結果を引いた値の半値を、前記仮想画素における青色の光強度として算出し、
緑色の光強度の測定結果と、シアン色の光強度の測定結果と、黄色の光強度の測定結果の和から、マゼンダ色の光強度の測定結果を引いた値の1/3値を、緑色の強度とする請求項8に記載のカラーラインセンサ。 - 2列×3行に配置された第1乃至第6画素と、演算処理部とを有するカラーラインセンサであって、
前記第1画素は、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、前記第1画素の下に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、前記第1画素の横に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、前記第3画素の下に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1乃至第3の色のいずれとも異なる第4の色の光強度を測定し、
前記第5画素は、前記第3画素の横に位置し、かつ、前記第1の色の光強度を測定し、
前記第6画素は、前記第5画素の下に位置し、かつ、前記第2の色の光強度を測定し、
前記演算処理部は、前記第1乃至第4画素それぞれの測定結果を演算処理することにより、前記第1乃至第4画素によって設定された第1の仮想画素の赤、緑、青それぞれの光強度を算出し、かつ、前記第3乃至第6画素それぞれの測定結果を演算処理することにより、前記第3乃至第6画素によって設定された第2の仮想画素の赤、緑、青それぞれの光強度を算出するカラーラインセンサ。 - 2列×2行に配置された第1乃至第4画素を具備し、
前記第1画素は、赤、緑、青のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、前記第1画素の下に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、前記第1画素の横に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、前記第3画素の下に位置し、かつ、前記第1の色の光強度を測定する半導体装置。 - 2列×2行に配置された第1乃至第4画素を具備し、
前記第1画素は、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、前記第1画素の下に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、前記第1画素の横に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、前記第3画素の下に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1乃至第3の色のいずれとも異なる第4の色の光強度を測定する半導体装置。 - 2列×2行に配置された第1乃至第4画素を具備し、
前記第1画素は、赤、緑、青のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、前記第1画素の下に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、前記第1画素の横に位置し、かつ、赤、緑、青のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、前記第3画素の下に位置し、かつ、前記第1の色の光強度を測定する半導体装置を準備し、
前記半導体装置を被読取画像の上方に配置し、該被読取画像上を走査させ、
該走査時における前記前記第1乃至第4画素それぞれの測定結果を演算処理することにより、前記第1乃至第4画素によって設定された仮想画素の赤、緑、青のデータを算出する、画像読取方法。 - 2列×2行に配置された第1乃至第4画素を具備し、
前記第1画素は、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの第1の色の光強度を測定し、
前記第2画素は、前記第1画素の下に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1の色とは異なる第2の色の光強度を測定し、
前記第3画素は、前記第1画素の横に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1及び第2の色とは異なる第3の色の光強度を測定し
前記第4画素は、前記第3画素の下に位置し、かつ、シアン、マゼンダ、黄、及び緑のうちの、前記第1乃至第3の色のいずれとも異なる第4の色の光強度を測定する半導体装置を準備し、
前記半導体装置を被読取画像の上方に配置し、該被読取画像上を走査させ、
該走査時における前記前記第1乃至第4画素それぞれの測定結果を演算処理することにより、前記第1乃至第4画素によって設定された仮想画素の赤、緑、青のデータを算出する、画像読取方法。
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JP2005261450A JP2007074601A (ja) | 2005-09-09 | 2005-09-09 | カラーラインセンサ、半導体装置、及び画像読取方法 |
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JP2005261450A JP2007074601A (ja) | 2005-09-09 | 2005-09-09 | カラーラインセンサ、半導体装置、及び画像読取方法 |
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JP (1) | JP2007074601A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102930823A (zh) * | 2012-11-12 | 2013-02-13 | 利亚德光电股份有限公司 | Led显示屏像素共享显示方法、装置和系统 |
-
2005
- 2005-09-09 JP JP2005261450A patent/JP2007074601A/ja not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN102930823A (zh) * | 2012-11-12 | 2013-02-13 | 利亚德光电股份有限公司 | Led显示屏像素共享显示方法、装置和系统 |
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