JP2007049589A - Electronic device package, piezoelectric device and electronic apparatus - Google Patents

Electronic device package, piezoelectric device and electronic apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2007049589A
JP2007049589A JP2005234049A JP2005234049A JP2007049589A JP 2007049589 A JP2007049589 A JP 2007049589A JP 2005234049 A JP2005234049 A JP 2005234049A JP 2005234049 A JP2005234049 A JP 2005234049A JP 2007049589 A JP2007049589 A JP 2007049589A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
suction means
piezoelectric
step portion
package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2005234049A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masao Nomura
昌生 野村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2005234049A priority Critical patent/JP2007049589A/en
Publication of JP2007049589A publication Critical patent/JP2007049589A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic device package whose thickness is reduced and whose plane size is miniaturized, and to provide a piezoelectric device. <P>SOLUTION: In a piezo-oscillator 10 of one example of the piezoelectric device, a piezoelectric vibrator 22 and an IC chip 24 to drive the piezoelectric vibrator 22 are mounted on a package 12 having a recess drop 14 with its side faces formed spirally by a first step 26 and a second step 34. The oscillator 10 has the IC chip 24 especially held by an suction means and mounted on a bottom face 20 of the recess drop 14 and the piezoelectric vibrator 22 connected to an upper face of the second step 34. The height of the first step 26 is shorter than the height from a lower face of the suction means to the bottom face 20 when the IC chip 24 is mounted on the bottom face 20 being held by the suction means. There is a distance from the side face of the second step 34 to the side face of the IC chip 24 according to a mounting accuracy of the IC chip 24 and a capillary for a wire bonding. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、電子デバイス用パッケージ、圧電デバイスおよび電子機器に関するものである。   The present invention relates to an electronic device package, a piezoelectric device, and an electronic apparatus.

圧電デバイスには、圧電振動片と、この圧電振動片を駆動させる回路を備えた集積回路（ＩＣ）チップを、内部に凹陥部が形成されたパッケージに実装した構成のものがある。この圧電デバイスの一例である圧電発振器の具体的な構成は、次のようになっている。すなわちパッケージは、パッケージベースと、この上面に接合される蓋体を備えている。パッケージベースに設けられた凹陥部の底面には、ＩＣチップが接合されている。また凹陥部の側面は階段状に形成されており、最下に設けられた第１段差部の上面にボンディング電極が設けられている。そしてＩＣチップの上面に設けられたパッドとボンディング電極がワイヤにより接合されている。また第１段差部上に設けられた第２段差部の上面にマウント電極が設けられ、このマウント電極上に圧電振動片が実装されている（特許文献１，２を参照）。なお圧電発振器の構成によっては、パッケージベースに第１段差部が設けられておらず、ボンディング電極が凹陥部の底面に設けられている場合もある（特許文献２を参照）。   Some piezoelectric devices have a configuration in which an integrated circuit (IC) chip including a piezoelectric vibrating piece and a circuit for driving the piezoelectric vibrating piece is mounted in a package in which a recessed portion is formed. A specific configuration of a piezoelectric oscillator as an example of this piezoelectric device is as follows. That is, the package includes a package base and a lid bonded to the upper surface. An IC chip is bonded to the bottom surface of the recessed portion provided in the package base. Further, the side surface of the recessed portion is formed in a stepped shape, and a bonding electrode is provided on the upper surface of the first step portion provided at the bottom. A pad provided on the upper surface of the IC chip and a bonding electrode are bonded by a wire. Further, a mount electrode is provided on the upper surface of the second step portion provided on the first step portion, and a piezoelectric vibrating piece is mounted on the mount electrode (see Patent Documents 1 and 2). Depending on the configuration of the piezoelectric oscillator, the package base may not be provided with the first step portion, and the bonding electrode may be provided on the bottom surface of the recessed portion (see Patent Document 2).

図４は従来技術に係り、ＩＣチップをパッケージに実装するときの説明図である。パッケージベース１にＩＣチップ２を実装する場合は、ＩＣチップ２を吸着手段３により保持して凹陥部の底面４に移動し、接着剤等で固着していた。吸着手段３は、下面に四角錘の誘い込み部５を有しており、ＩＣチップ２をこの誘い込み部５の内部に入れて真空吸着するものである。このため第１段差部６が吸着手段３に接触するのを防止するために、凹陥部の底面４は吸着手段３の平面サイズよりも大きな面積が必要になっていた。
特開２００１−２７４６５３号公報 国際公開第９６／０１５２４号 実施例７，８を参照 FIG. 4 relates to the prior art, and is an explanatory diagram when an IC chip is mounted on a package. When the IC chip 2 is mounted on the package base 1, the IC chip 2 is held by the suction means 3 and moved to the bottom surface 4 of the recessed portion and fixed with an adhesive or the like. The suction means 3 has a square pyramid lead-in portion 5 on the lower surface, and the IC chip 2 is placed inside the lead-in portion 5 for vacuum suction. For this reason, in order to prevent the first step portion 6 from coming into contact with the suction means 3, the bottom surface 4 of the recessed portion needs to have an area larger than the planar size of the suction means 3.
JP 2001-274653 A International Publication No. 96/01524 See Examples 7 and 8

近年は、圧電発振器が搭載される電子機器が小型化されているのに伴い、圧電発振器にも薄型化および平面サイズの小型化が要求されている。ところが圧電発振器を構成するＩＣチップやパッケージ等は、その機能を確保するためや強度確保のため等の理由により薄型化および小型化に限界がある。このため圧電発振器の内部に少しでも隙間がある場合は、その隙間を詰める必要がある。   In recent years, along with the downsizing of electronic devices on which piezoelectric oscillators are mounted, piezoelectric oscillators are also required to be thinner and smaller in plane size. However, an IC chip, a package, or the like that constitutes a piezoelectric oscillator is limited in thickness and size for reasons such as ensuring its function and ensuring strength. For this reason, if there is any gap inside the piezoelectric oscillator, it is necessary to close the gap.

そして上述した圧電発振器では、凹陥部の底面、すなわち第１段差部の側面同士の距離は、ＩＣチップの実装精度と、吸着手段の平面サイズが必要となる。このため従来の圧電発振器では、第１段差部の間に吸着手段を挿入させるためのスペースが必要になり、平面サイズの小型化ができなかった。   In the above-described piezoelectric oscillator, the distance between the bottom surface of the recessed portion, that is, the side surfaces of the first step portion, requires mounting accuracy of the IC chip and the planar size of the suction means. For this reason, the conventional piezoelectric oscillator requires a space for inserting the suction means between the first step portions, and the planar size cannot be reduced.

またパッケージベースにおける凹陥部の底面にワイヤが接合されるボンディング電極を設けた場合は、ＩＣチップを固着する接着剤が流れ出してきて、ボンディング電極を覆ってしまう可能性がある。ボンディング電極が接着剤で覆われてしまった場合には、ボンディング電極にワイヤを打ちにくくなって、ボンディング電極とワイヤが接合できなくなる虞がある。この場合には、圧電発振器が不良品となるので、廃棄しなければならない。このような問題を回避するためには、ボンディング電極を第１段差部上に設ければよいが、圧電発振器が厚くなってしまう。
本発明は、薄型化および平面サイズが小型化された電子デバイス用パッケージおよび圧電デバイスを提供することを目的とする。
また、この圧電デバイスを用いた電子機器を提供することを目的とする。 In addition, when a bonding electrode to which a wire is bonded is provided on the bottom surface of the recess in the package base, there is a possibility that an adhesive for fixing the IC chip will flow out and cover the bonding electrode. When the bonding electrode is covered with an adhesive, it is difficult to hit a wire on the bonding electrode, and the bonding electrode and the wire may not be bonded. In this case, the piezoelectric oscillator becomes a defective product and must be discarded. In order to avoid such a problem, the bonding electrode may be provided on the first step portion, but the piezoelectric oscillator becomes thick.
It is an object of the present invention to provide an electronic device package and a piezoelectric device that are thin and have a small planar size.
Moreover, it aims at providing the electronic device using this piezoelectric device.

上記目的を達成するために、本発明に係る電子デバイス用パッケージは、第１段差部と、この第１段差部の上側に設けられた第２段差部によって側面が階段状に形成された凹陥部を有する電子デバイス用パッケージであって、前記第１段差部の底面からの高さは、吸着手段に保持された電子部品を前記底面に実装したときに、前記底面から前記吸着手段の下面までの高さよりも低く、前記第２段差部の側面から前記電子部品の側面までは、前記電子部品の実装精度に応じた距離を有する、ことを特徴としている。   In order to achieve the above object, an electronic device package according to the present invention includes a first stepped portion and a recessed portion having a stepped side surface formed by a second stepped portion provided above the first stepped portion. The height from the bottom surface of the first step portion is from the bottom surface to the lower surface of the suction means when the electronic component held by the suction means is mounted on the bottom surface. The distance from the side surface of the second step portion to the side surface of the electronic component is lower than the height, and has a distance corresponding to the mounting accuracy of the electronic component.

電子部品が凹陥部に実装されるときは第１段差部の上方に吸着手段が位置しているが、第１段差部は薄型化されて吸着手段に接触することのない高さに設定されている。このため第１段差部を薄型化したことにより、電子デバイス用パッケージを薄型化することができる。また第２段差部の側面から電子部品の側面までの距離は、電子部品の実装精度を考慮した最低限の距離に設定されているので、第２段差部と吸着手段が接触するのを防止できる。そして第２段差部と電子部品との距離を短くしたため、電子デバイス用パッケージの平面サイズを小型化することができる。   When the electronic component is mounted in the recessed portion, the suction means is located above the first step portion, but the first step portion is thinned and set to a height that does not contact the suction means. Yes. For this reason, the package for electronic devices can be thinned by thinning the first step portion. Further, since the distance from the side surface of the second stepped portion to the side surface of the electronic component is set to the minimum distance in consideration of the mounting accuracy of the electronic component, it is possible to prevent the second stepped portion and the suction means from contacting each other. . Since the distance between the second step portion and the electronic component is shortened, the planar size of the electronic device package can be reduced.

そしてワイヤが接合されるボンディング電極を前記第１段差部の上面に設け、前記第２段差部の側面から前記電子部品の側面までは、ワイヤボンディング用のキャピラリの大きさに応じた距離を有する、ことを特徴としている。ボンディング電極が第１段差部上に設けられているので、電子部品を凹陥部に固着する接着剤が流れ出したとしても接着剤がボンディング電極を覆うことがない。これによりワイヤをボンディング電極に確実に接合することができる。また向い合う第２段差部の側面同士の間は、吸着手段が入る最低限の間隔を有しているとともに、キャピラリが入る最低限の間隔を有しているので、電子デバイス用パッケージの平面サイズを小型化することができる。   Then, a bonding electrode to which a wire is bonded is provided on the upper surface of the first step portion, and the distance from the side surface of the second step portion to the side surface of the electronic component has a distance corresponding to the size of the capillary for wire bonding. It is characterized by that. Since the bonding electrode is provided on the first step portion, the adhesive does not cover the bonding electrode even if the adhesive that fixes the electronic component to the recessed portion flows out. Thereby, a wire can be reliably joined to a bonding electrode. In addition, since the gap between the side surfaces of the second stepped portions facing each other has a minimum gap for the suction means and a minimum gap for the capillary, the plane size of the electronic device package Can be miniaturized.

また前記凹陥部の底面は、前記電子部品の平面サイズと、前記電子部品の実装精度に応じた大きさを有することを特徴としている。凹陥部の底面は、電子部品を実装するための最低限の大きさを有しているので、電子部品を実装するときは、吸着手段の周縁部が第１段差部の上方に位置することになる。これにより電子デバイス用パッケージの平面サイズを小型化することができる。   Further, the bottom surface of the recessed portion has a size corresponding to a planar size of the electronic component and mounting accuracy of the electronic component. Since the bottom surface of the recessed portion has a minimum size for mounting the electronic component, when mounting the electronic component, the peripheral portion of the suction means is positioned above the first step portion. Become. As a result, the planar size of the electronic device package can be reduced.

また本発明に係る圧電デバイスは、第１段差部と、この第１段差部の上側に設けられた第２段差部によって側面が階段状に形成された凹陥部を有するパッケージに、圧電振動片と、この圧電振動片を駆動させるＩＣチップを実装した圧電デバイスであって、吸着手段で保持されて前記凹陥部の底面に実装された前記ＩＣチップと、前記第２段差部の上面に接合された前記圧電振動片とを有し、前記第１段差部の高さは、前記吸着手段に保持されて前記ＩＣチップが前記底面に実装されたときの前記吸着手段の下面から前記底面までの高さよりも低く、前記第２段差部の側面から前記ＩＣチップの側面までは、前記ＩＣチップの実装精度およびワイヤボンディング用のキャピラリに応じた距離を有する、ことを特徴としている。   Further, the piezoelectric device according to the present invention includes a piezoelectric vibrating piece and a package having a first stepped portion and a recessed portion having a stepped side surface formed by a second stepped portion provided above the first stepped portion. A piezoelectric device on which an IC chip for driving the piezoelectric vibrating piece is mounted, which is held by a suction means and mounted on the bottom surface of the recessed portion, and is bonded to the upper surface of the second stepped portion. The height of the first step portion is higher than the height from the bottom surface of the suction means to the bottom surface when the IC chip is mounted on the bottom surface by being held by the suction means. The distance from the side surface of the second step portion to the side surface of the IC chip has a distance corresponding to the mounting accuracy of the IC chip and the capillary for wire bonding.

ＩＣチップが凹陥部に接合されるときは第１段差部の上方に吸着手段が位置しているが、第１段差部は薄型化されて吸着手段に接触することのない高さに設定されている。このため第１段差部を薄型化したことにより、圧電デバイスを薄型化することができる。また第２段差部の側面からＩＣチップの側面までの距離は、ＩＣチップの実装精度を考慮した最低限の距離、およびキャピラリが入る最低限の距離に応じて設定されているので、第２段差部と吸着手段、キャピラリと第２段差部およびキャピラリとＩＣチップが接触するのを防止できる。そして第２段差部とＩＣチップとの距離を短くしたため、圧電デバイスの平面サイズを小型化することができる。   When the IC chip is joined to the recessed portion, the suction means is located above the first step portion, but the first step portion is thinned and set to a height that does not contact the suction means. Yes. Therefore, the piezoelectric device can be thinned by thinning the first step portion. Further, since the distance from the side surface of the second step portion to the side surface of the IC chip is set according to the minimum distance considering the mounting accuracy of the IC chip and the minimum distance where the capillary enters, the second step It is possible to prevent the portion and the suction means, the capillary and the second stepped portion, and the capillary and the IC chip from contacting each other. Since the distance between the second step portion and the IC chip is shortened, the planar size of the piezoelectric device can be reduced.

以下に、本発明に係る電子デバイス用パッケージ、圧電デバイスおよび電子機器の最良の実施形態について説明する。なお以下の実施形態では、電子部品であるＩＣチップと圧電振動片を電子デバイス用パッケージ（以下、パッケージという）に実装した圧電発振器（圧電デバイス）について説明する。   Hereinafter, the best embodiments of the electronic device package, the piezoelectric device, and the electronic apparatus according to the present invention will be described. In the following embodiments, a piezoelectric oscillator (piezoelectric device) in which an IC chip that is an electronic component and a piezoelectric vibrating piece are mounted on an electronic device package (hereinafter referred to as a package) will be described.

図１は圧電発振器の概略断面図である。圧電発振器１０に用いられるパッケージ１２は、内部に凹陥部１４が設けられたパッケージベース１６と、この上面に接合された蓋体１８を備えている。パッケージベース１６の裏面には、外部端子３２が設けられている。パッケージベース１６に設けられた凹陥部１４は、パッケージベース１６の上面側に開口している。そして凹陥部１４の底面２０には、圧電振動片２２を発振（駆動）させる回路を備えたＩＣチップ２４が実装されている。この底面２０の面積は、ＩＣチップ２４の面積と、ＩＣチップ２４の実装精度を考慮して設定されている。なおＩＣチップ２４は、圧電振動片２２から出力される周波数の安定度を高めるために温度補償を行う回路や、圧電振動片２２から出力される周波数を設定電圧に応じて制御する回路等を備えることもできる。   FIG. 1 is a schematic sectional view of a piezoelectric oscillator. The package 12 used for the piezoelectric oscillator 10 includes a package base 16 having a recess 14 provided therein, and a lid 18 joined to the upper surface. External terminals 32 are provided on the back surface of the package base 16. The recessed portion 14 provided in the package base 16 opens to the upper surface side of the package base 16. An IC chip 24 having a circuit for oscillating (driving) the piezoelectric vibrating piece 22 is mounted on the bottom surface 20 of the recessed portion 14. The area of the bottom surface 20 is set in consideration of the area of the IC chip 24 and the mounting accuracy of the IC chip 24. The IC chip 24 includes a circuit that performs temperature compensation to increase the stability of the frequency output from the piezoelectric vibrating piece 22, a circuit that controls the frequency output from the piezoelectric vibrating piece 22 according to a set voltage, and the like. You can also.

また凹陥部１４の側面は階段状に形成されており、図１に示される形態では３段の段差部が形成されている。凹陥部１４の最下部に設けられた第１段差部２６の高さは、ＩＣチップ２４が吸着手段６０に保持されて底面２０に実装されたときに、吸着手段６０の下面から凹陥部１４の底面２０までの高さよりも低く設定されている（図２参照）。これにより第１段差部２６と吸着手段６０が接触することがない。   Further, the side surface of the recessed portion 14 is formed in a step shape, and in the form shown in FIG. 1, three step portions are formed. The height of the first step portion 26 provided at the lowermost portion of the recessed portion 14 is such that when the IC chip 24 is held by the suction means 60 and mounted on the bottom surface 20, the height of the recessed portion 14 is reduced from the lower surface of the suction means 60. The height is set lower than the height to the bottom surface 20 (see FIG. 2). Thereby, the 1st level | step-difference part 26 and the adsorption | suction means 60 do not contact.

また第１段差部２６の上面には、ワイヤ３０が接合されるボンディング電極２８が設けられている。これによりボンディング電極２８とＩＣチップ２４にワイヤ３０が接合されると、これらが導通される。なおボンディング電極２８は複数設けられており、そのうちの一部が外部端子３２と導通している。   A bonding electrode 28 to which the wire 30 is bonded is provided on the upper surface of the first step portion 26. As a result, when the wire 30 is bonded to the bonding electrode 28 and the IC chip 24, they are conducted. A plurality of bonding electrodes 28 are provided, some of which are electrically connected to the external terminal 32.

この第１段差部２６の上側に第２段差部３４が設けられている。第２段差部３４の上面にマウント電極３６が設けられている。そして外部端子３２と導通していないボンディング電極２８とマウント電極３６が導通している。マウント電極３６には、導電性接着剤３８等を用いて圧電振動片２２が実装されている。圧電振動片２２は、ＡＴカット等の圧電振動片、音叉型圧電振動片または弾性表面波共振片等であればよい。   A second step portion 34 is provided above the first step portion 26. A mount electrode 36 is provided on the upper surface of the second step portion 34. The bonding electrode 28 and the mount electrode 36 that are not connected to the external terminal 32 are connected. The piezoelectric vibrating piece 22 is mounted on the mount electrode 36 using a conductive adhesive 38 or the like. The piezoelectric vibrating piece 22 may be a piezoelectric vibrating piece such as an AT cut, a tuning fork type piezoelectric vibrating piece, or a surface acoustic wave resonance piece.

そして第２段差部３４の上面は、ＩＣチップ２４や、ＩＣチップ２４とボンディング電極２８を導通させるワイヤ３０のループ高さよりも高い位置にあり、圧電振動片２２の上下方向の振れ等を考慮して高さが設定されている。また向い合っている第２段差部３４の側面同士の距離は、ＩＣチップ２４を保持する吸着手段６０が入る距離を有しており、吸着手段６０の幅とＩＣチップ２４の実装精度に応じた距離を有している（図２参照）。さらにＩＣチップ２４を底面２０に搭載した後は、ＩＣチップ２４とボンディング電極２８にワイヤ３０が接合されるので、ＩＣチップ２４の側面と第２段差部３４の側面の間は、ワイヤボンディング用のキャピラリ４０が入る距離を有している（図３参照）。したがって第２段差部３４の側面からＩＣチップ２４の側面までは、吸着手段６０が入る距離と、ＩＣチップ２４の実装精度に応じた距離を有するとともに、キャピラリ４０の大きさに応じた距離を有している。
このような第２段差部３４の上側に第３段差部４２が設けられている。第３段差部４２の高さは、圧電振動片２２の上下方向の振れ等を考慮して設定されている。そして第３段差部４２の上面に蓋体１８が接合されている。 The upper surface of the second step portion 34 is at a position higher than the loop height of the IC chip 24 or the wire 30 for conducting the IC chip 24 and the bonding electrode 28, and the vertical vibration of the piezoelectric vibrating piece 22 is taken into consideration. The height is set. Further, the distance between the side surfaces of the second stepped portions 34 facing each other is a distance into which the suction means 60 that holds the IC chip 24 enters, and depends on the width of the suction means 60 and the mounting accuracy of the IC chip 24. It has a distance (see FIG. 2). Further, after the IC chip 24 is mounted on the bottom surface 20, the wire 30 is bonded to the IC chip 24 and the bonding electrode 28, so that the gap between the side surface of the IC chip 24 and the side surface of the second step portion 34 is used for wire bonding. It has a distance for the capillary 40 to enter (see FIG. 3). Therefore, the distance from the side surface of the second step portion 34 to the side surface of the IC chip 24 has a distance corresponding to the suction means 60 and a distance corresponding to the mounting accuracy of the IC chip 24 and a distance corresponding to the size of the capillary 40. is doing.
A third step portion 42 is provided above the second step portion 34. The height of the third step portion 42 is set in consideration of the vertical vibration of the piezoelectric vibrating piece 22 and the like. The lid 18 is joined to the upper surface of the third step portion 42.

次に、圧電発振器１０の製造方法について説明する。図２はパッケージベースにＩＣチップを実装するときの説明図である。図３はＩＣチップとボンディング電極にワイヤボンディングを施すときの説明図である。まずパッケージベース１６は、平板の絶縁シートと枠幅の異なる複数の枠型の絶縁シートを積層させて形成される。具体的には、図２に示されるように平板の絶縁シートは、パッケージベース１６のボトム層５０を形成するものであり、裏面に外部端子３２が形成されている。そして枠幅が広く、厚さが薄く設定されたセカンド層５２がボトム層５０の上面に接合されて、第１段差部２６を形成している。このセカンド層５２の上面には、ボンディング電極２８が形成されている。   Next, a method for manufacturing the piezoelectric oscillator 10 will be described. FIG. 2 is an explanatory diagram when an IC chip is mounted on a package base. FIG. 3 is an explanatory diagram when wire bonding is performed on the IC chip and the bonding electrode. First, the package base 16 is formed by laminating a flat insulating sheet and a plurality of frame-shaped insulating sheets having different frame widths. Specifically, as shown in FIG. 2, the flat insulating sheet forms the bottom layer 50 of the package base 16, and the external terminals 32 are formed on the back surface. The second layer 52 having a wide frame width and a small thickness is joined to the upper surface of the bottom layer 50 to form the first step portion 26. A bonding electrode 28 is formed on the upper surface of the second layer 52.

そして枠幅がセカンド層５２よりも狭く設定されたマウント層５４がセカンド層５２の上面に接合されて第２段差部３４を形成している。マウント層５４の上面には、マウント電極３６が形成されている。そして枠幅がマウント層５４よりも狭く設定されたトップ層５６がマウント層５４の上面に接合されて第３段差部４２を形成している。なお外部端子３２とボンディング電極２８、およびマウント電極３６とボンディング電極２８は、前記絶縁シートに形成された導通パターン（不図示）により接続されている。そして各絶縁シートが接合されたものを焼成し、各電極２８，３２，３６にメッキ等を施すことによってパッケージベース１６が形成される。   A mount layer 54 having a frame width set narrower than the second layer 52 is joined to the upper surface of the second layer 52 to form the second step portion 34. A mount electrode 36 is formed on the upper surface of the mount layer 54. A top layer 56 whose frame width is set narrower than the mount layer 54 is joined to the upper surface of the mount layer 54 to form the third step portion 42. The external terminal 32 and the bonding electrode 28, and the mount electrode 36 and the bonding electrode 28 are connected by a conductive pattern (not shown) formed on the insulating sheet. The package base 16 is formed by firing the bonded insulating sheets and plating the electrodes 28, 32, 36.

このようなパッケージベース１６には、ＩＣチップ２４および圧電振動片２２が実装される。より具体的には、ＩＣチップ２４は、吸着手段６０の下面から内部に向けて設けられた四角錘の誘い込み部６２に誘い込まれ、吸引されることにより保持される。そして吸着手段６０をパッケージベース１６の底面２０に移動させて、接着剤等を用いてＩＣチップ２４を底面２０に固着する。このとき第１段差部２６の上方に吸着手段６０の周縁部が位置することになる。そしてセカンド層５２が所定の厚さに薄く形成されているので、吸着手段６０の下面とセカンド層５２の上面が接触することがない。またマウント層５４は、所定の距離だけ底面２０の側辺から離れているので、吸着手段６０と接触することがない。なお吸着手段６０は、ＩＣチップ２４を真空吸引することで吸着し保持する治具であり、例えばコレットであればよい。   An IC chip 24 and a piezoelectric vibrating piece 22 are mounted on such a package base 16. More specifically, the IC chip 24 is held by being attracted and attracted to the attracting portion 62 of the square weight provided from the lower surface of the suction means 60 toward the inside. Then, the suction means 60 is moved to the bottom surface 20 of the package base 16, and the IC chip 24 is fixed to the bottom surface 20 using an adhesive or the like. At this time, the peripheral edge of the suction means 60 is positioned above the first step portion 26. Since the second layer 52 is thinly formed to a predetermined thickness, the lower surface of the suction means 60 and the upper surface of the second layer 52 do not come into contact with each other. Further, since the mount layer 54 is separated from the side of the bottom surface 20 by a predetermined distance, it does not come into contact with the suction means 60. The suction means 60 is a jig that sucks and holds the IC chip 24 by vacuum suction, and may be a collet, for example.

この後、ＩＣチップ２４の上面に設けられたパッド２５とボンディング電極２８にワイヤボンディングが施される。より具体的には、次のようになっている。すなわち図３に示されるキャピラリ４０は、ワイヤボンディングを施すときに用いられるものであり、下側の先端部を介してワイヤ３０が通されている。そしてキャピラリ４０の下端をパッド２５やボンディング電極２８に接触させることにより、ワイヤ３０をパッド２５等に超音波接合している。このときマウント層５４は、所定の距離だけ底面２０の側辺から離れているので、ボンディング電極２８にワイヤ３０を打つ時にキャピラリ４０やＩＣチップ２４と接触することがない。   Thereafter, wire bonding is performed on the pad 25 and the bonding electrode 28 provided on the upper surface of the IC chip 24. More specifically, it is as follows. That is, the capillary 40 shown in FIG. 3 is used when wire bonding is performed, and the wire 30 is passed through the lower end portion. The lower end of the capillary 40 is brought into contact with the pad 25 and the bonding electrode 28 to ultrasonically bond the wire 30 to the pad 25 and the like. At this time, since the mount layer 54 is separated from the side of the bottom surface 20 by a predetermined distance, it does not come into contact with the capillary 40 or the IC chip 24 when the wire 30 is applied to the bonding electrode 28.

この後、マウント電極３６の上に導電性接着剤３８を用いて圧電振動片２２を実装する。そしてトップ層５６の上面に蓋体１８を接合し、真空や不活性ガスにより凹陥部１４を気密封止する。   Thereafter, the piezoelectric vibrating piece 22 is mounted on the mount electrode 36 using a conductive adhesive 38. Then, the lid 18 is bonded to the upper surface of the top layer 56, and the recessed portion 14 is hermetically sealed with a vacuum or an inert gas.

このような圧電発振器１０は、第１段差部２６の高さが吸着手段６０に接触することのない高さまで薄型化されている。すなわち第１段差部２６の高さは、ＩＣチップ２４が吸着手段６０に保持されている場合において、この吸着手段６０から下側に出ているＩＣチップ２４の高さよりも薄くなっている。このため圧電発振器１０を薄型化することができる。   Such a piezoelectric oscillator 10 is thinned to a height at which the height of the first step portion 26 does not contact the suction means 60. That is, the height of the first step portion 26 is thinner than the height of the IC chip 24 that protrudes downward from the suction means 60 when the IC chip 24 is held by the suction means 60. For this reason, the piezoelectric oscillator 10 can be reduced in thickness.

またボンディング電極２８を第１段差部２６の上面に設けているので、ＩＣチップ２４を凹陥部１４に接合する接着剤によってボンディング電極２８が覆われることがなくなり、ボンディング電極２８にワイヤ３０を確実に接合することができる。したがってワイヤボンディングの不良によって、圧電発振器１０が不良品になってしまうことがない。   Further, since the bonding electrode 28 is provided on the upper surface of the first step portion 26, the bonding electrode 28 is not covered with the adhesive that bonds the IC chip 24 to the recessed portion 14, and the wire 30 is securely attached to the bonding electrode 28. Can be joined. Therefore, the piezoelectric oscillator 10 does not become a defective product due to defective wire bonding.

さらにパッケージベース１６に設けられた凹陥部１４の底面２０は、ＩＣチップ２４の大きさと、ＩＣチップ２４の実装精度を考慮して設定されているので、ＩＣチップ２４を搭載する最低限の大きさを有している。そしてマウント層５４の側面同士の距離は、吸着手段６０が入る距離と、ＩＣチップ２４を実装した後にボンディング電極２８にワイヤ３０を打つキャピラリ４０が入る距離とを考慮した最小の距離を有している。このため圧電発振器１０の平面サイズを小型化することができる。   Furthermore, since the bottom surface 20 of the recessed portion 14 provided in the package base 16 is set in consideration of the size of the IC chip 24 and the mounting accuracy of the IC chip 24, the minimum size for mounting the IC chip 24 is provided. have. The distance between the side surfaces of the mount layer 54 has a minimum distance considering the distance that the suction means 60 enters and the distance that the capillary 40 that strikes the wire 30 on the bonding electrode 28 after the IC chip 24 is mounted enters. Yes. For this reason, the planar size of the piezoelectric oscillator 10 can be reduced.

そして上述した圧電発振器１０は、例えばディジタル式携帯電話や、パーソナルコンピュータ、ワークステーション、携帯情報端末等の、制御用のクロック信号を必要とする電子機器等に搭載される。ここで圧電発振器１０がディジタル式携帯電話に搭載された場合、圧電発振器１０は、例えば送受信信号の送信部および受信部を制御する中央演算装置（ＣＰＵ）に接続される。そして圧電発振器１０の出力周波数を前記ＣＰＵに内蔵された所定の分周回路等により、制御内容に適合したクロック信号として利用するようになっている。また圧電発振器１０に温度補償回路を搭載して温度補償型圧電発振器とした場合、この温度補償型圧電発振器は、例えば前記ＣＰＵの出力側に接続されるとともに、前記送信部および前記受信部に接続される。そして環境温度が変化して前記ＣＰＵからの基本クロックが変動しても、温度補償型圧電発振器により修正されて、前記送信部および前記受信部に与えられるようになっている。   The piezoelectric oscillator 10 described above is mounted on an electronic device that requires a control clock signal, such as a digital cellular phone, a personal computer, a workstation, or a portable information terminal. Here, when the piezoelectric oscillator 10 is mounted on a digital mobile phone, the piezoelectric oscillator 10 is connected to a central processing unit (CPU) that controls, for example, a transmission part and a reception part of a transmission / reception signal. The output frequency of the piezoelectric oscillator 10 is used as a clock signal suitable for the control content by a predetermined frequency dividing circuit built in the CPU. Further, when a temperature compensation circuit is mounted on the piezoelectric oscillator 10 to form a temperature compensation type piezoelectric oscillator, this temperature compensation type piezoelectric oscillator is connected to, for example, the output side of the CPU and also connected to the transmission unit and the reception unit. Is done. Even when the environmental temperature changes and the basic clock from the CPU fluctuates, it is corrected by the temperature-compensated piezoelectric oscillator and is supplied to the transmitting unit and the receiving unit.

圧電発振器の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of a piezoelectric oscillator. パッケージベースにＩＣチップを実装するときの説明図である。It is explanatory drawing when mounting an IC chip on a package base. ＩＣチップとボンディング電極にワイヤボンディングを施すときの説明図である。It is explanatory drawing when performing wire bonding to an IC chip and a bonding electrode. 従来技術に係り、ＩＣチップをパッケージに実装するときの説明図である。It is explanatory drawing when it concerns on a prior art and an IC chip is mounted in a package.

符号の説明Explanation of symbols

１０………圧電発振器、１２………パッケージ、１４………凹陥部、２２………圧電振動片、２４………ＩＣチップ、２６………第１段差部、３４………第２段差部。 10 ......... Piezoelectric oscillator, 12 ......... Package, 14 ......... Depression, 22 ......... Piezoelectric vibrating piece, 24 ......... IC chip, 26 ......... First step, 34 ......... Second Stepped part.

Claims (5)

第１段差部と、この第１段差部の上側に設けられた第２段差部によって側面が階段状に形成された凹陥部を有する電子デバイス用パッケージであって、
前記第１段差部の底面からの高さは、吸着手段に保持された電子部品を前記底面に実装したときに、前記底面から前記吸着手段までの高さよりも低く、
前記第２段差部の側面から前記電子部品の側面までは、前記電子部品の実装精度に応じた距離を有する、
ことを特徴とする電子デバイス用パッケージ。 A package for an electronic device having a first stepped portion and a recessed portion having a stepped side surface formed by a second stepped portion provided above the first stepped portion,
The height from the bottom surface of the first step portion is lower than the height from the bottom surface to the suction means when the electronic component held by the suction means is mounted on the bottom surface,
The side surface of the second step portion to the side surface of the electronic component has a distance corresponding to the mounting accuracy of the electronic component.
A package for an electronic device. ワイヤが接合されるボンディング電極を前記第１段差部の上面に設け、
前記第２段差部の側面から前記電子部品の側面までは、ワイヤボンディング用のキャピラリの大きさに応じた距離を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス用パッケージ。 A bonding electrode to which a wire is bonded is provided on the upper surface of the first step portion,
From the side surface of the second step portion to the side surface of the electronic component has a distance corresponding to the size of the capillary for wire bonding,
The electronic device package according to claim 1. 前記凹陥部の底面は、前記電子部品の平面サイズと、前記電子部品の実装精度に応じた大きさを有することを特徴とする請求項１または２に記載の電子デバイス用パッケージ。   3. The electronic device package according to claim 1, wherein a bottom surface of the recessed portion has a size corresponding to a planar size of the electronic component and a mounting accuracy of the electronic component. 第１段差部と、この第１段差部の上側に設けられた第２段差部によって側面が階段状に形成された凹陥部を有するパッケージに、圧電振動片と、この圧電振動片を駆動させるＩＣチップを実装した圧電デバイスであって、
吸着手段で保持されて前記凹陥部の底面に実装された前記ＩＣチップと、前記第２段差部の上面に接合された前記圧電振動片とを有し、
前記第１段差部の高さは、前記吸着手段に保持されて前記ＩＣチップが前記底面に実装されたときの前記吸着手段の下面から前記底面までの高さよりも低く、
前記第２段差部の側面から前記ＩＣチップの側面までは、前記ＩＣチップの実装精度およびワイヤボンディング用のキャピラリに応じた距離を有する、
ことを特徴とする圧電デバイス。 A piezoelectric vibrating piece and an IC for driving the piezoelectric vibrating piece in a package having a first stepped portion and a recessed portion having a stepped side surface formed by a second stepped portion provided above the first stepped portion. A piezoelectric device mounted with a chip,
The IC chip held by the suction means and mounted on the bottom surface of the recessed portion, and the piezoelectric vibrating piece joined to the upper surface of the second stepped portion,
The height of the first step portion is lower than the height from the bottom surface of the suction means to the bottom surface when the IC chip is mounted on the bottom surface while being held by the suction means.
The side surface of the second step portion to the side surface of the IC chip has a distance corresponding to the mounting accuracy of the IC chip and the capillary for wire bonding,
A piezoelectric device characterized by that. 請求項４に記載の圧電デバイスを備えたことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the piezoelectric device according to claim 4.
JP2005234049A 2005-08-12 2005-08-12 Electronic device package, piezoelectric device and electronic apparatus Withdrawn JP2007049589A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005234049A JP2007049589A (en) 2005-08-12 2005-08-12 Electronic device package, piezoelectric device and electronic apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005234049A JP2007049589A (en) 2005-08-12 2005-08-12 Electronic device package, piezoelectric device and electronic apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007049589A true JP2007049589A (en) 2007-02-22

Family

ID=37852035

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005234049A Withdrawn JP2007049589A (en) 2005-08-12 2005-08-12 Electronic device package, piezoelectric device and electronic apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007049589A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113848615A (en) * 2021-08-30 2021-12-28 中国电子科技集团公司第十三研究所 Ceramic package shell

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113848615A (en) * 2021-08-30 2021-12-28 中国电子科技集团公司第十三研究所 Ceramic package shell

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4314999B2 (en) Piezoelectric oscillator, mobile phone device using piezoelectric oscillator, and electronic device using piezoelectric oscillator
JP2006279872A (en) Piezoelectric vibrator, manufacturing method therefor, and manufacturing method of piezoelectric oscillator using the piezoelectric vibrator
JP4741385B2 (en) Structure
JP2009213061A (en) Oscillator and electronic device
US20130207735A1 (en) Vibrating device and oscillator
EP2355341A2 (en) Piezoelectric vibrator and oscillator using the same
JP2009188483A (en) Piezoelectric device, and surface-mounted type piezoelectric oscillator
US9391259B2 (en) Piezoelectric vibrating piece and piezoelectric vibrator
EP2355342A2 (en) Piezoelectric vibrator and oscillator using the same
JP4238779B2 (en) Piezoelectric oscillator and electronic equipment
JP5377350B2 (en) Piezoelectric vibrator and oscillator using the same
JP2005136705A (en) Bonding structure and bonding method for piezoelectric vibrator, piezoelectric device and its manufacturing method, and portable telephone set and electronic apparatus using piezoelectric device
JP2007043462A (en) Piezoelectric oscillator and electronic equipment
JP2007049589A (en) Electronic device package, piezoelectric device and electronic apparatus
JP2007181130A (en) Piezoelectric device and method of manufacturing the same
JP4020010B2 (en) Piezoelectric vibrating piece, piezoelectric device using the piezoelectric vibrating piece, mobile phone device using the piezoelectric device, and electronic equipment using the piezoelectric device
JP2004289478A (en) Joint structure of piezoelectric vibration piece, piezoelectric device, its manufacturing method, cell phone unit using piezoelectric device, and electronic equipment using piezoelectric device
JP2006041924A (en) Package for housing piezoelectric resonator, and piezoelectric device
KR100738388B1 (en) Crystal unit
JP2004356912A (en) Surface mount type piezoelectric oscillator
JP4437694B2 (en) Piezoelectric oscillator manufacturing method, piezoelectric oscillator, and electronic device
TW200414676A (en) Piezoelectric oscillator and production method thereof, portable phone device, and electronic apparatus
JP2006101181A (en) Piezoelectric oscillator and electronic apparatus
JP2009213003A (en) Piezoelectric device and method for manufacturing the same
JP2006054784A (en) Piezoelectric oscillator and method of manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20070404

A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20081104