JP4437694B2 - Piezoelectric oscillator manufacturing method, piezoelectric oscillator, and electronic device - Google Patents

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Description

本発明は圧電発振器の製造方法、圧電発振器および電子機器に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing a piezoelectric oscillator, a piezoelectric oscillator, and an electronic device.

圧電発振器は、電子回路において一定の周波数信号を得るため等の目的で、様々な電子機器に利用されている。そして近年は、電子機器が小型化されているのに伴い、圧電発振器も薄型化および小型化されている。図12に従来技術に係る圧電発振器の断面図を示す。従来技術に係る圧電発振器100は、ICチップ101をリードフレーム102上に搭載し、ICチップ101の周囲を樹脂103により被覆した回路部品104と、圧電振動片105をセラミックのパッケージベース106に搭載し、パッケージベース106を金属性の蓋体107で気密封止した圧電振動子108とを上下に配列し、回路部品104と圧電振動子108とを電気的および機械的に接続した構成である(特許文献1を参照)。
特開2001−332932号公報
Piezoelectric oscillators are used in various electronic devices for the purpose of obtaining a constant frequency signal in an electronic circuit. In recent years, as electronic devices have been reduced in size, piezoelectric oscillators have also been reduced in thickness and size. FIG. 12 shows a cross-sectional view of a piezoelectric oscillator according to the prior art. The piezoelectric oscillator 100 according to the prior art includes an IC chip 101 mounted on a lead frame 102, a circuit component 104 in which the periphery of the IC chip 101 is covered with a resin 103, and a piezoelectric vibrating piece 105 mounted on a ceramic package base 106. The piezoelectric vibrator 108 in which the package base 106 is hermetically sealed with a metallic lid 107 is arranged vertically, and the circuit component 104 and the piezoelectric vibrator 108 are electrically and mechanically connected (patent). Reference 1).
JP 2001-332932 A

しかしながら、圧電振動片をパッケージに搭載した圧電振動子と回路部品とを上下に接続した構成の圧電発振器では、パッケージベースの厚さの分だけ薄型化できない問題点があった。すなわちパッケージベースを構成するセラミックの厚さを薄くしていくとパッケージベースの強度が落ちるので、セラミックにはこの強度を確保するための厚さが必要であり、この厚さの分だけパッケージベースを薄型化できない問題点があった。   However, a piezoelectric oscillator having a configuration in which a piezoelectric vibrator having a piezoelectric vibrating piece mounted on a package and a circuit component are vertically connected has a problem that it cannot be reduced by the thickness of the package base. In other words, the strength of the package base decreases as the ceramic thickness of the package base decreases, so the ceramic needs to be thick enough to secure this strength. There was a problem that could not be made thinner.

また圧電発振器を温度補償型圧電発振器とした場合、温度センサを圧電振動片の近くに配設する程圧電振動片の温度を正確に測ることができ、より正確な温度補償を行えるが、パッケージベースによって温度センサと圧電振動片との距離が遠くなり、より正確な温度補償が困難となる問題点があった。   If the piezoelectric oscillator is a temperature-compensated piezoelectric oscillator, the temperature of the piezoelectric vibrating piece can be measured more accurately as the temperature sensor is placed closer to the piezoelectric vibrating piece. As a result, the distance between the temperature sensor and the piezoelectric vibrating piece is increased, which makes it difficult to perform accurate temperature compensation.

さらに圧電発振器は圧電振動子と集積回路チップとを別々に製造し、良品のみを組み合わせているが、圧電振動子と集積回路チップとを組み合わせたときに、集積回路側の負荷容量のばらつきで圧電発振器の発振周波数が基準周波数からずれることがあった。この場合、集積回路チップ側で容量を調整することにより、圧電発振器の発振周波数を調整していた。しかし前記容量を集積回路チップに設けられた容量アレイ(複数のコンデンサ)で調整する場合、集積回路チップの大きさに制限があるため集積回路チップに搭載されるコンデンサの数に限界があり、発振周波数を正確に調整することができない問題点があった。   Furthermore, piezoelectric oscillators are manufactured separately from a piezoelectric vibrator and an integrated circuit chip, and only non-defective products are combined. However, when a piezoelectric vibrator and an integrated circuit chip are combined, the piezoelectric oscillator varies due to variations in load capacity on the integrated circuit side. The oscillation frequency of the oscillator sometimes deviated from the reference frequency. In this case, the oscillation frequency of the piezoelectric oscillator is adjusted by adjusting the capacitance on the integrated circuit chip side. However, when adjusting the capacitance with a capacitor array (multiple capacitors) provided on the integrated circuit chip, the size of the integrated circuit chip is limited, so the number of capacitors mounted on the integrated circuit chip is limited, and oscillation occurs. There was a problem that the frequency could not be adjusted accurately.

本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、薄型化を可能にする圧電発振器の製造方法および圧電発振器を提供することを目的とする。
また本発明は、薄型化を可能にした圧電発振器を搭載した電子機器を提供することを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a piezoelectric oscillator manufacturing method and a piezoelectric oscillator that can be reduced in thickness.
Another object of the present invention is to provide an electronic device equipped with a piezoelectric oscillator that can be made thin.

上記目的を達成するために、本発明に係る圧電発振器の製造方法は、一方側に折曲げされて形成され、接続端子を備えた接続用リードと、他方側に折曲げされて形成され、実装基板に接合する実装端子を備えた実装用リードとを有する積層リードフレームを形成する工程と、前記積層リードフレームに電子部品を実装し、前記積層リードフレームと前記電子部品とを電気的に接続する工程と、前記接続端子と前記実装端子との表面を露出させて前記積層リードフレームと前記電子部品とをモールド封止する工程と、前記接続端子に導電材を介して圧電振動片を実装する工程と、前記圧電振動片を蓋体で覆って気密封止する工程と、を有することを特徴としている。この場合前記圧電振動片を実装する工程は、前記圧電振動片の発振周波数を調整する工程を含む構成にできる。   In order to achieve the above object, a method for manufacturing a piezoelectric oscillator according to the present invention is formed by being bent on one side, formed with a connection lead provided with a connection terminal, and bent on the other side. A step of forming a multilayer lead frame having mounting leads having mounting terminals to be bonded to the substrate; mounting an electronic component on the multilayer lead frame; and electrically connecting the multilayer lead frame and the electronic component A step of exposing the surfaces of the connection terminal and the mounting terminal to mold-sealing the laminated lead frame and the electronic component, and a step of mounting a piezoelectric vibrating piece on the connection terminal via a conductive material And a step of covering the piezoelectric vibrating piece with a lid and hermetically sealing the same. In this case, the step of mounting the piezoelectric vibrating piece may include a step of adjusting the oscillation frequency of the piezoelectric vibrating piece.

これにより薄型化された圧電発振器を製造することができる。また蓋体をモールドパッケージに接合する工程の後に、前記電子部品に設けられたコンデンサの容量または可変容量ダイオードに供給される電圧を変えて、圧電発振器の周波数を調整する工程を設けてもよい。この場合圧電発振器の周波数調整は、圧電振動片をモールドパッケージに実装した後と、モールドパッケージに蓋体を接合した後の2段階の調整方法なので、所望の周波数に正確に調整することができる。また圧電振動片をモールドパッケージに実装した後に、圧電振動片の電極厚さを調整することにより所望の周波数にある程度追い込んでおけば、電子部品側で周波数調整をするときの周波数調整量が少なくて済む。したがって電子部品側における周波数調整の負担が軽減することができる。   As a result, a thin piezoelectric oscillator can be manufactured. Further, after the step of joining the lid to the mold package, a step of adjusting the frequency of the piezoelectric oscillator by changing the capacitance of the capacitor provided in the electronic component or the voltage supplied to the variable capacitance diode may be provided. In this case, since the frequency adjustment of the piezoelectric oscillator is a two-stage adjustment method after the piezoelectric vibrating piece is mounted on the mold package and after the lid is joined to the mold package, it can be accurately adjusted to a desired frequency. In addition, if the piezoelectric resonator element is mounted on the mold package and then adjusted to the desired frequency by adjusting the electrode thickness of the piezoelectric resonator element, the amount of frequency adjustment when adjusting the frequency on the electronic component side is small. That's it. Therefore, the burden of frequency adjustment on the electronic component side can be reduced.

また本発明に係る圧電発振器は、圧電振動片と、前記圧電振動片が実装された接続面を有する接続端子が形成されたリードフレームと、少なくとも前記接続面を露出させつつ前記リードフレームを封止したモールドパッケージと、前記圧電振動片を覆って前記モールドパッケージに気密に接合した蓋体とを有し、前記リードフレームは、少なくとも2枚の積層されたリードフレームであり、かつ一方の前記リードフレームに接続用リードが形成され、他方の前記リードフレームに実装用リードが形成され、前記接続用リードと前記実装用リードとの少なくともいずれか一方が積層面と反対側に折曲げしてある、ことを特徴としている。接続端子と実装端子とが上下に重ねて配置されているので、パッケージと圧電振動片とを重ねて配置することができる。したがって圧電発振器をさらに薄型化できる。 The piezoelectric oscillator according to the present invention includes a piezoelectric vibrating piece, a lead frame on which a connection terminal having a connection surface on which the piezoelectric vibrating piece is mounted is formed, and the lead frame is sealed while exposing at least the connection surface. A molded package and a lid that covers the piezoelectric vibrating piece and is airtightly bonded to the molded package , wherein the lead frame is at least two laminated lead frames, and one of the lead frames A connecting lead is formed on the other lead frame, a mounting lead is formed on the other lead frame, and at least one of the connecting lead and the mounting lead is bent to the opposite side of the laminated surface. It is characterized by. Since the connection terminal and the mounting terminal are arranged so as to overlap each other, the package and the piezoelectric vibrating piece can be arranged so as to overlap each other. Therefore, the piezoelectric oscillator can be further reduced in thickness.

また本発明に係る圧電発振器は、リードフレームから形成された複数のリードを有する圧電発振器であって、前記複数のリードに形成され相互に離間した端子が、パッケージの上下方向に複数段に配置され、前記端子として少なくとも圧電振動片が実装された接続端子を有し、前記リードフレームは、少なくとも2枚の積層されたリードフレームであり、かつ一方の前記リードフレームに接続用リードが形成され、他方の前記リードフレームに実装用リードが形成され、前記接続用リードと前記実装用リードとのいずれか一方が積層面と反対側に折曲げしてあることを特徴としている。これにより圧電振動片はパッケージに収容されていないので、圧電発振器の薄型化が可能になる。また端子をパッケージの上下方向に複数段に配置したことにより、端子を平面的に配列する必要がなく、平面サイズを小さくすることができ、圧電発振器の小型化が可能となる。 The piezoelectric oscillator according to the present invention is a piezoelectric oscillator having a plurality of leads formed from a lead frame, and terminals formed on the plurality of leads and spaced apart from each other are arranged in a plurality of stages in the vertical direction of the package. The lead frame includes at least a connecting terminal on which a piezoelectric vibrating piece is mounted , the lead frame is a laminated lead frame of at least two sheets, and a connecting lead is formed on one of the lead frames, and the other A mounting lead is formed on the lead frame, and one of the connecting lead and the mounting lead is bent to the opposite side of the laminated surface . Accordingly, since the piezoelectric vibrating piece is not accommodated in the package, the piezoelectric oscillator can be thinned. Further, by arranging the terminals in a plurality of stages in the vertical direction of the package, it is not necessary to arrange the terminals in a planar manner, the planar size can be reduced, and the piezoelectric oscillator can be miniaturized.

接続用リードを一方側に立ち上げて、圧電振動片との接続端子とする上側リードフレームと、実装用リードを他方側に立ち上げて、実装基板との実装端子とする下側リードフレームとを積層した積層リードフレームと、前記積層リードフレームに実装した電子部品と、前記接続端子の接続面と、前記実装端子の実装面とを露出させつつ前記積層リードフレームと前記電子部品とを封止したモールドパッケージと、前記接続端子の接続面に実装される圧電振動片と、前記圧電振動片を覆って前記モールドパッケージに気密に接合した蓋体と、を備えたことを特徴としている。これにより電子部品を備えたモールドパッケージ上に圧電振動片を実装できるので、圧電発振器を小型化することができる。 An upper lead frame that raises the connection lead to one side and serves as a connection terminal to the piezoelectric vibrating piece, and a lower lead frame that raises the mounting lead to the other side and serves as a mounting terminal to the mounting board The laminated lead frame and the electronic component are sealed while exposing the laminated lead frame, the electronic component mounted on the laminated lead frame, the connection surface of the connection terminal, and the mounting surface of the mounting terminal. A mold package, a piezoelectric vibrating piece mounted on a connection surface of the connection terminal, and a lid body that covers the piezoelectric vibrating piece and is airtightly joined to the mold package. As a result, the piezoelectric vibrating piece can be mounted on the mold package including the electronic components, so that the piezoelectric oscillator can be reduced in size.

また前記モールドパッケージは、前記接続端子を露出させた面に耐湿材を塗布してあることを特徴としている。これにより圧電振動片が封止されている空間に、パッケージを介して湿気が入ることがないので、圧電振動片を気密封止することができる。そして圧電発振器の発振周波数が変化することがないので、所望の周波数を得ることができる。   Further, the mold package is characterized in that a moisture-resistant material is applied to the surface where the connection terminals are exposed. Accordingly, moisture does not enter the space where the piezoelectric vibrating piece is sealed via the package, and thus the piezoelectric vibrating piece can be hermetically sealed. Since the oscillation frequency of the piezoelectric oscillator does not change, a desired frequency can be obtained.

また前記モールドパッケージの前記接続端子が設けられた側にて、前記モールドパッケージのモールド材または圧電振動片の実装に用いられていない接続端子により前記圧電振動片側へ突出する凸部を形成し、この凸部を前記圧電振動片の支持手段としたことを特徴としている。これにより落下等のために圧電発振器に衝撃が加わっても、圧電振動片が支持手段により支えられているので大きく振られることはなく、圧電振動片にワレやカケ等が発生することがない。したがって高信頼性の圧電発振器を得ることができる。   Further, on the side of the mold package on which the connection terminal is provided, a convex portion that protrudes toward the piezoelectric vibrating piece side is formed by a connection terminal that is not used for mounting the molding material or the piezoelectric vibrating piece of the mold package. The convex portion is a means for supporting the piezoelectric vibrating piece. As a result, even if an impact is applied to the piezoelectric oscillator due to dropping or the like, the piezoelectric vibrating piece is supported by the support means, so that it is not greatly shaken, and cracking or chipping does not occur in the piezoelectric vibrating piece. Therefore, a highly reliable piezoelectric oscillator can be obtained.

また前記接続端子は、露出した接続面に凹部を形成したことを特徴としている。これにより接続端子上に導電性接着剤等の導通材を用いて圧電振動片を実装するばかりでなく、金属ボール等の導通材を用いて圧電振動片を接続端子に実装することができる。   Further, the connection terminal is characterized in that a concave portion is formed in the exposed connection surface. As a result, not only can the piezoelectric vibrating piece be mounted on the connection terminal using a conductive material such as a conductive adhesive, but also the piezoelectric vibrating piece can be mounted on the connection terminal using a conductive material such as a metal ball.

また前記実装端子は、露出した実装面に凹部または凸部を形成したことを特徴としている。これにより実装端子と実装基板とを接合する接合材と、実装端子の実装面との接触面積を大きくすることができ、接合強度を高めることができる。
また本発明に係る電子機器は、上述した圧電発振器を搭載したことを特徴としている。これにより上述した特徴を有する圧電発振器を電子機器に搭載することができる。
Further, the mounting terminal is characterized in that a recessed portion or a protruding portion is formed on the exposed mounting surface. Accordingly, the contact area between the bonding material for bonding the mounting terminal and the mounting substrate and the mounting surface of the mounting terminal can be increased, and the bonding strength can be increased.
An electronic apparatus according to the present invention is characterized by mounting the above-described piezoelectric oscillator. As a result, the piezoelectric oscillator having the above-described features can be mounted on an electronic device.

以下に、本発明に係る圧電発振器の製造方法、圧電発振器および電子機器の好ましい実施の形態について説明する。なお、以下に記載するのは本発明の実施形態の一態様にすぎず、本発明はこれらに限定されるものではない。図1に本実施の形態に係る圧電発振器を分解した斜視図を示す。図2に、図1のA−A線における断面図を示す。なお図1はモールドパッケージと蓋体とを省略した形態で記載している。本実施の形態に係る圧電発振器10は、接続用リード12を一方側に立ち上げて圧電振動片14との接続端子16とする上側リードフレーム18と、実装用リード20を他方側に立ち上げて実装基板(不図示)との実装端子22とする下側リードフレーム24とを積層した積層リードフレームを備えた構成である。さらに前記積層リードフレームに実装した電子部品と、前記接続端子16の接続面と前記実装端子22の実装面とを露出させつつ前記積層リードフレームと前記電子部品とを封止したモールドパッケージ26と、前記接続端子16の接続面に実装される圧電振動片14と、前記圧電振動片14を覆って前記モールドパッケージ26に気密に接合した蓋体28とを備えた構成である。なお前記電子部品は圧電振動片14を発振させるための回路であり、ICチップ30化されている。また電子部品として抵抗やコンデンサ等を実装してもよい。 Hereinafter, preferred embodiments of a method for manufacturing a piezoelectric oscillator, a piezoelectric oscillator, and an electronic device according to the present invention will be described. In addition, what is described below is only one aspect | mode of embodiment of this invention, and this invention is not limited to these. FIG. 1 is an exploded perspective view of the piezoelectric oscillator according to the present embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. In FIG. 1, the mold package and the lid are omitted. In the piezoelectric oscillator 10 according to the present embodiment, the connection lead 12 is raised to one side and the upper lead frame 18 to be the connection terminal 16 with the piezoelectric vibrating piece 14 and the mounting lead 20 are raised to the other side. This is a configuration including a laminated lead frame in which a lower lead frame 24 serving as a mounting terminal 22 with a mounting substrate (not shown) is laminated. Further, an electronic component mounted on the multilayer lead frame, and a mold package 26 that seals the multilayer lead frame and the electronic component while exposing the connection surface of the connection terminal 16 and the mounting surface of the mounting terminal 22; The piezoelectric vibration piece 14 mounted on the connection surface of the connection terminal 16 and a lid 28 that covers the piezoelectric vibration piece 14 and is airtightly joined to the mold package 26. The electronic component is a circuit for causing the piezoelectric vibrating piece 14 to oscillate, and is formed as an IC chip 30. Moreover, you may mount resistance, a capacitor | condenser, etc. as an electronic component.

図3にリードフレームの平面図を示す。なお図3(a)は上側リードフレーム18の平面図であり、図3(b)は下側リードフレーム24の平面図である。本実施の形態に係る圧電発振器10は、2枚のリードフレームを重ね合わせて積層リードフレームを形成している。各リードフレームは導電性を有する金属シートに井桁状の枠部32(32a,32b)を設けるとともに、各枠部32の内側に同一のパターンを形成したものである。図3(a)に示す上側リードフレーム18は、枠部32aの内側の四隅に圧電振動片14との接続用リード12を形成している。なお圧電振動片14には2つの接続電極34が形成されているので、上側リードフレーム18には少なくとも2つの接続用リード12を形成すればよい。接続用リード12を2つ設けた場合、圧電振動片14の実装に寄与しない接続リードが設けられていない分だけ、ICチップ30の実装面積を大きくすることができる。したがってICチップ30の外形を大きくすることができ、この大きくできる部分に出力信号の分周機能等の機能を追加することができる。   FIG. 3 shows a plan view of the lead frame. 3A is a plan view of the upper lead frame 18, and FIG. 3B is a plan view of the lower lead frame 24. In the piezoelectric oscillator 10 according to the present embodiment, two lead frames are overlapped to form a laminated lead frame. Each lead frame is formed by providing a cross-shaped frame portion 32 (32a, 32b) on a conductive metal sheet and forming the same pattern inside each frame portion 32. In the upper lead frame 18 shown in FIG. 3A, leads 12 for connection to the piezoelectric vibrating piece 14 are formed at the four corners inside the frame portion 32a. Since two connection electrodes 34 are formed on the piezoelectric vibrating piece 14, at least two connection leads 12 may be formed on the upper lead frame 18. When two connection leads 12 are provided, the mounting area of the IC chip 30 can be increased by the amount that the connection leads that do not contribute to the mounting of the piezoelectric vibrating piece 14 are not provided. Therefore, the outer shape of the IC chip 30 can be increased, and a function such as a frequency dividing function of an output signal can be added to the increased portion.

また枠部32aの長辺方向における各接続用リード12の内側端部には、ワイヤボンディング用のパッド36が形成されている。なおパッド36を枠部32aと同一面に支持するために、パッド36が枠部32aの長辺に接続されている。これにより接続用リード12が枠部32aに固定される。一方、枠部32aの長辺方向におけるパッド36の外側に傾斜部38が形成され、この傾斜部38の外側に接続端子16が形成されている。そしてパッド36から傾斜部38を立ち上げ形成することにより、上側リードフレーム18から所定の距離をおいて平行に接続端子16が配置される。なお所定距離とはICチップ30にボンディングされたワイヤ40の最大高さより大きい距離とする。   Further, a wire bonding pad 36 is formed at the inner end of each connection lead 12 in the long side direction of the frame portion 32a. In order to support the pad 36 on the same surface as the frame portion 32a, the pad 36 is connected to the long side of the frame portion 32a. Thereby, the connecting lead 12 is fixed to the frame portion 32a. On the other hand, an inclined portion 38 is formed outside the pad 36 in the long side direction of the frame portion 32 a, and the connection terminal 16 is formed outside the inclined portion 38. Then, by forming the inclined portion 38 from the pad 36, the connection terminals 16 are arranged in parallel at a predetermined distance from the upper lead frame 18. The predetermined distance is a distance larger than the maximum height of the wire 40 bonded to the IC chip 30.

図3(b)に示す下側リードフレーム24は、枠部32bの内側の四隅に実装基板との実装用リード20を形成している。また枠部32bの短辺方向における各実装用リード20の内側端部にはワイヤボンディング用のパッド42を形成している。なおパッド42を枠部32bと同一平面上に支持するために、パッド42が枠部32bの短辺に接続されている。これにより実装用リード20が枠部32bに固定される。一方、枠部32bの短辺方向におけるパッド42の外側に傾斜部44が形成され、この傾斜部44の外側に実装端子22が形成されている。そしてパッド42からの傾斜部44を立ち下げることにより、下側リードフレーム24から所定距離をおいて平行に実装端子22が配置される。   The lower lead frame 24 shown in FIG. 3B has mounting leads 20 for mounting with a mounting board at four corners inside the frame portion 32b. Further, a wire bonding pad 42 is formed at the inner end of each mounting lead 20 in the short side direction of the frame portion 32b. In order to support the pad 42 on the same plane as the frame portion 32b, the pad 42 is connected to the short side of the frame portion 32b. Thus, the mounting lead 20 is fixed to the frame portion 32b. On the other hand, an inclined portion 44 is formed outside the pad 42 in the short side direction of the frame portion 32 b, and the mounting terminal 22 is formed outside the inclined portion 44. Then, by lowering the inclined portion 44 from the pad 42, the mounting terminals 22 are arranged in parallel at a predetermined distance from the lower lead frame 24.

また下側リードフレーム24の枠部32bの短辺方向における各実装用リード20の中間部には、ICチップ30の特性検査、特性調整および/または圧電振動子と接続端子16との導通確認をするための調整端子46が形成されている。なお特性検査とは、モールド成形後におけるICチップ30の動作チェックや、圧電発振器10としての特性検査などをいう。また特性調整とは、ICチップ30に温度補償回路が付加された場合に、圧電発振器10の温度による周波数変化を補正したり、入力電圧によって周波数を変化させる機能がICチップ30に付加された場合に、その変化感度を調整したりすることなどをいう。調整端子46は枠部32bの短辺に接続され、下側リードフレーム24と同一平面状に支持される。なお下側リードフレーム24から下側に所定距離をおいて実装端子22を配置するので、調整端子46が実装基板の電極と短絡することはない。   Further, in the middle portion of each mounting lead 20 in the short side direction of the frame portion 32 b of the lower lead frame 24, the characteristic inspection of the IC chip 30, the characteristic adjustment and / or the conduction check between the piezoelectric vibrator and the connection terminal 16 are performed. An adjustment terminal 46 is formed for this purpose. The characteristic inspection refers to an operation check of the IC chip 30 after molding, a characteristic inspection as the piezoelectric oscillator 10, and the like. The characteristic adjustment means that when a temperature compensation circuit is added to the IC chip 30, a function for correcting a frequency change due to the temperature of the piezoelectric oscillator 10 or a function for changing the frequency by an input voltage is added to the IC chip 30. In addition, it means adjusting the change sensitivity. The adjustment terminal 46 is connected to the short side of the frame portion 32 b and is supported on the same plane as the lower lead frame 24. Since the mounting terminal 22 is arranged at a predetermined distance from the lower lead frame 24 to the lower side, the adjustment terminal 46 does not short-circuit with the electrode of the mounting board.

さらに下側リードフレーム24における枠部32bの中央部には、ダイパッド48が形成されている。ダイパッド48は枠部32bの長辺に接続し、下側リードフレーム24と同一平面上に支持されている。なお調整端子46およびダイパッド48は上側リードフレーム18に形成されてもよい。また接続端子16、実装端子22、調整端子46およびダイパッド48が各枠部32a,32bに接続される位置は、長辺または短辺に限定されるものではない。例えば調整端子46の数が多い場合には、調整端子46は長辺側に接続され、ダイパッド48は短辺側に接続される。   Further, a die pad 48 is formed at the center of the frame portion 32 b in the lower lead frame 24. The die pad 48 is connected to the long side of the frame portion 32 b and is supported on the same plane as the lower lead frame 24. The adjustment terminal 46 and the die pad 48 may be formed on the upper lead frame 18. Further, the positions at which the connection terminal 16, the mounting terminal 22, the adjustment terminal 46, and the die pad 48 are connected to the frame portions 32a and 32b are not limited to the long side or the short side. For example, when the number of adjustment terminals 46 is large, the adjustment terminals 46 are connected to the long side, and the die pad 48 is connected to the short side.

そして上側リードフレーム18と下側リードフレーム24とを重ね合わせて、積層リードフレームが形成される。上側リードフレーム18と下側リードフレーム24とは、それぞれの枠部32にスポット溶接等を施すことによって固着される。なお枠部32の内側では、上側リードフレーム18および下側リードフレーム24が接触しないように、各リードフレームの各リードが形成される。これにより積層リードフレームは相互に離間した端子が上下方向に2段に形成される。すなわち積層リードフレームは接続端子16と実装端子22とが平面視において同じ位置に重なった状態で配置される。なお上側リードフレーム18および下側リードフレーム24の材料は、例えば鉄合金や銅合金等が用いられている。   Then, the upper lead frame 18 and the lower lead frame 24 are overlapped to form a laminated lead frame. The upper lead frame 18 and the lower lead frame 24 are fixed to each frame portion 32 by spot welding or the like. In addition, inside the frame portion 32, each lead of each lead frame is formed so that the upper lead frame 18 and the lower lead frame 24 do not come into contact with each other. As a result, the laminated lead frame is formed with terminals spaced apart from each other in two stages in the vertical direction. That is, the laminated lead frame is arranged in a state where the connection terminals 16 and the mounting terminals 22 are overlapped at the same position in plan view. For example, an iron alloy or a copper alloy is used as the material of the upper lead frame 18 and the lower lead frame 24.

この下側リードフレーム24に設けられたダイパッド48の上面に、接着材を介してICチップ30が搭載される。なおICチップ30には、実施形態に応じて温度補償回路や電圧制御回路を付加することもできる。このICチップ30の上面には複数の端子が設けられており、この各端子と積層リードフレームの各端子とが電気的に接続されている。具体的には、接続端子16のパッド、実装端子22のパッドおよび調整端子46と、ICチップ30上面の前記各端子とが、ワイヤボンディングにより接続されている。なお接続用リード12に切欠き50を設けてL字形状としたので、実装端子22のパッドが上方に露出し、このパッドにワイヤボンディングを施すことが可能となる。なおICチップ30はフリップチップボンディングを施して積層リードフレーム上に搭載することもできる。すなわち積層リードフレームは、下側リードフレーム24にダイパッド48を設けず、接続端子16のパッド、実装端子22のパッドおよび調整端子46を中央部に延設するとともに同一平面上に形成した構成とする。そしてICチップ30の各端子を下側に向け、この各端子と接続端子16のパッド、実装端子22のパッドおよび調整端子46とをフリップチップボンディングにより接続すればよい。またICチップ30をダイパッド48の下面に設けることもできる。さらにICチップ30をダイパッド48の上面または下面のいずれか一方の面に実装し、他方の面にチップコンデンサ等の電子部品を実装してもよい。   The IC chip 30 is mounted on the upper surface of the die pad 48 provided on the lower lead frame 24 via an adhesive. Note that a temperature compensation circuit and a voltage control circuit can be added to the IC chip 30 according to the embodiment. A plurality of terminals are provided on the upper surface of the IC chip 30, and each terminal and each terminal of the laminated lead frame are electrically connected. Specifically, the pads of the connection terminals 16, the pads of the mounting terminals 22, and the adjustment terminals 46 are connected to the respective terminals on the upper surface of the IC chip 30 by wire bonding. Since the notch 50 is provided in the connecting lead 12 to form an L shape, the pad of the mounting terminal 22 is exposed upward, and wire bonding can be performed on this pad. The IC chip 30 can also be mounted on a laminated lead frame by performing flip chip bonding. That is, the laminated lead frame has a configuration in which the die pad 48 is not provided on the lower lead frame 24, the pad of the connection terminal 16, the pad of the mounting terminal 22, and the adjustment terminal 46 are extended in the center and formed on the same plane. . Then, each terminal of the IC chip 30 may be directed downward, and each terminal may be connected to the pad of the connection terminal 16, the pad of the mounting terminal 22, and the adjustment terminal 46 by flip chip bonding. The IC chip 30 can also be provided on the lower surface of the die pad 48. Further, the IC chip 30 may be mounted on either the upper surface or the lower surface of the die pad 48, and an electronic component such as a chip capacitor may be mounted on the other surface.

次に、積層リードフレームおよびICチップ30がモールドパッケージ26の内部にモールド封止される。具体的には、ICチップ30を搭載した積層リードフレームを樹脂成型金型内に配置して、この金型内にエポキシ系等の熱硬化性樹脂を射出成型することによりモールドパッケージ26を形成する。モールドパッケージ26は各リードフレームの枠部32の内側に形成される。このとき導電材54を介して圧電振動片14の接続電極34が接続される接続端子16の接続面と、接合材を介して実装基板の電極パターン上に接続される実装端子22の実装面とがモールドパッケージ26の表面に露出している。接続端子16の接続面および実装端子22の実装面をモールドパッケージ26表面に露出させるには、樹脂成型金型の上面および下面に面接触させた状態で樹脂を射出成型すればよい。ところで樹脂の射出圧力によって接続端子16の接続面および実装端子22の実装面と樹脂成型金型との間に樹脂が入り込み、前記接続面および前記実装面に樹脂が付着してしまう場合がある。この場合は、研磨剤入りの液体を前記接続面および前記実装面に向けて吹き付けて、付着した樹脂を除去すればよい。また前記接続面および前記実装面に向けてレーザ光を照射して除去してもよく、薬品を塗布して除去してもよい。   Next, the laminated lead frame and the IC chip 30 are molded and sealed in the mold package 26. Specifically, the laminated lead frame on which the IC chip 30 is mounted is placed in a resin mold, and a mold package 26 is formed by injection-molding a thermosetting resin such as an epoxy resin in the mold. . The mold package 26 is formed inside the frame portion 32 of each lead frame. At this time, the connection surface of the connection terminal 16 to which the connection electrode 34 of the piezoelectric vibrating piece 14 is connected via the conductive material 54, and the mounting surface of the mounting terminal 22 connected to the electrode pattern of the mounting substrate via the bonding material Are exposed on the surface of the mold package 26. In order to expose the connection surface of the connection terminal 16 and the mounting surface of the mounting terminal 22 to the surface of the mold package 26, the resin may be injection-molded in a state of being in surface contact with the upper surface and the lower surface of the resin molding die. By the way, resin may enter between the connection surface of the connection terminal 16 and the mounting surface of the mounting terminal 22 and the resin molding die due to the injection pressure of the resin, and the resin may adhere to the connection surface and the mounting surface. In this case, a liquid containing an abrasive may be sprayed toward the connection surface and the mounting surface to remove the attached resin. Further, it may be removed by irradiating laser light toward the connection surface and the mounting surface, or may be removed by applying a chemical.

なお実装端子22の側面をモールドパッケージ26表面に露出させてもよい。そして接合材を介して圧電発振器10が実装基板に搭載される場合、実装端子22の実装面からはみ出した接合材が、実装端子22の側面に沿ってせり上がり、実装基板の電極パターンから実装端子22の側面にかけてフィレットが形成される。これにより実装基板の電極パターンと圧電発振器10の実装端子22との接続を、外観から容易に確認することができる。   The side surface of the mounting terminal 22 may be exposed on the surface of the mold package 26. When the piezoelectric oscillator 10 is mounted on the mounting board via the bonding material, the bonding material that protrudes from the mounting surface of the mounting terminal 22 rises along the side surface of the mounting terminal 22, and the mounting terminal 22 A fillet is formed on the side surface of 22. Thereby, the connection between the electrode pattern of the mounting board and the mounting terminal 22 of the piezoelectric oscillator 10 can be easily confirmed from the appearance.

そして耐湿材料がモールドパッケージ26の圧電振動片14を実装する側の表面に塗布されて、モールドパッケージ26の表面がコーティング52される。このとき接続端子16の接続面において、前記接続面の周縁部にはコーティング52が施され、前記接続面の中央部にはコーティング52が施されていない。このようにコーティング52することにより、モールドパッケージ26の圧電振動片14側の表面に湿気が通過する箇所がなくなる。また耐湿材料はモールドパッケージ26のモールド材に比べて耐湿性に優れた材料を用いればよく、例えばガラスが用いられる。なおガラスを用いると、圧電振動片14を完全に気密封止することが可能となる。 The moisture resistant material is applied to the surface of the mold package 26 on the side where the piezoelectric vibrating piece 14 is mounted, and the surface of the mold package 26 is coated 52. At this time, in the connection surface of the connection terminal 16, the coating 52 is applied to the peripheral portion of the connection surface, and the coating 52 is not applied to the central portion of the connection surface. By coating 52 in this way, there is no place where moisture passes on the surface of the mold package 26 on the piezoelectric vibrating piece 14 side. The moisture resistant material may be a material having higher moisture resistance than the mold material of the mold package 26. For example, glass is used . If glass is used, the piezoelectric vibrating piece 14 can be completely hermetically sealed.

そして接続端子16の接続面および実装端子22の実装面には、前記接続面への導電材54および前記実装面への前記接合材の密着性を向上させるためのメッキが施される。このメッキは、例えば前記接続面および前記実装面上にニッケルメッキと金メッキとを施してもよく、前記接続面および前記実装面上に半田メッキを施してもよい。この実施の形態では、コーティング52が前記接続面の周縁部と重なっているので、前記接続面にメッキを施す部分は中央部のみとなる。したがって本実施の形態では、前記接続面の全面にメッキを施す場合に比べてメッキを施す面積が狭いので、製造コストを低く抑えることが可能となる。これは高価な金を用いる場合に、特に顕著な効果となる。なお他の実施の形態として、前記接続面および前記実装面にメッキを施した後にモールドパッケージ26に耐湿材料をコーティング52してもよい。この場合、メッキの表面に凹凸をつけておき、メッキの表面とコーティング52の材料との密着性を向上させるようにしてもよい。   The connection surface of the connection terminal 16 and the mounting surface of the mounting terminal 22 are plated to improve the adhesion of the conductive material 54 to the connection surface and the bonding material to the mounting surface. In this plating, for example, nickel plating and gold plating may be performed on the connection surface and the mounting surface, or solder plating may be performed on the connection surface and the mounting surface. In this embodiment, since the coating 52 overlaps with the peripheral edge portion of the connection surface, only the central portion is plated on the connection surface. Therefore, in the present embodiment, since the area to be plated is smaller than that in the case where the entire connection surface is plated, the manufacturing cost can be kept low. This is a particularly remarkable effect when expensive gold is used. As another embodiment, the mold package 26 may be coated with a moisture resistant material 52 after the connection surface and the mounting surface are plated. In this case, unevenness may be provided on the plating surface to improve the adhesion between the plating surface and the material of the coating 52.

この後、接続端子16の接続面上に導電材54を介して圧電振動片14が電気的および機械的に接続される。図2では圧電振動片14は片持ち状に実装されているが、両持ち状に実装されてもよい。圧電振動片14には、厚みすべり振動を生じるATカット等の圧電振動片を用いればよい。また圧電振動片14のかわりに音叉型圧電振動片または弾性表面波(SAW)共振片を用いることもできる。なお図1では、圧電振動片14を用いた形態で記載している。圧電振動片は圧電材料からなる圧電基板56の両面に励振電極58が形成され、圧電基板56の角部に各励振電極58と導通する接続電極34が形成されたものである。また音叉型圧電振動片は基部から複数の振動腕が突出して形成され、各振動腕に励振電極が形成され、基部に励振電極と接続する接続電極が形成されたものである。さらにSAW共振片は圧電基板の上面にすだれ状電極(IDT)が形成され、IDTと接続する接続電極が形成されたものである。なおSAW共振片の接続電極を圧電基板の下面に設け、圧電基板の側面を介して接続電極とIDTとを接続させれば、SAW共振片に弾性表面波が伝搬する面を上方に向けて、SAW共振片を接続端子16上に実装可能となる。これにより圧電振動片14の周波数調整時において、IDTをプラズマやイオン等に曝し易くなる。また導電材54には導電性接着剤や半田等の樹脂系や金属系のものが用いられる。   Thereafter, the piezoelectric vibrating piece 14 is electrically and mechanically connected to the connection surface of the connection terminal 16 via the conductive material 54. In FIG. 2, the piezoelectric vibrating piece 14 is mounted in a cantilever shape, but may be mounted in a double-supported shape. The piezoelectric vibrating piece 14 may be a piezoelectric vibrating piece such as an AT cut that generates a thickness shear vibration. A tuning fork type piezoelectric vibrating piece or a surface acoustic wave (SAW) resonance piece can be used instead of the piezoelectric vibrating piece 14. In FIG. 1, the piezoelectric vibrating piece 14 is used. In the piezoelectric vibrating piece, excitation electrodes 58 are formed on both surfaces of a piezoelectric substrate 56 made of a piezoelectric material, and connection electrodes 34 that are electrically connected to the excitation electrodes 58 are formed at corners of the piezoelectric substrate 56. Further, the tuning fork type piezoelectric vibrating piece is formed by projecting a plurality of vibrating arms from a base, forming an excitation electrode on each vibrating arm, and forming a connection electrode connected to the excitation electrode on the base. Furthermore, the SAW resonator element has a comb-like electrode (IDT) formed on the upper surface of the piezoelectric substrate, and a connection electrode connected to the IDT. If the connection electrode of the SAW resonance piece is provided on the lower surface of the piezoelectric substrate and the connection electrode and the IDT are connected via the side surface of the piezoelectric substrate, the surface on which the surface acoustic wave propagates to the SAW resonance piece faces upward. The SAW resonance piece can be mounted on the connection terminal 16. This makes it easy to expose the IDT to plasma, ions, or the like when adjusting the frequency of the piezoelectric vibrating piece 14. The conductive material 54 is made of a resin or metal such as a conductive adhesive or solder.

接続端子16上に圧電振動片14を実装した後には、各リードフレーム18,24の枠部32と各リードとの接続部が切断される。その切断位置はモールドパッケージ26の表面付近とするのが好ましいが、ICチップ30の調整端子46はモールドパッケージ26から突出させて切断される。   After mounting the piezoelectric vibrating piece 14 on the connection terminal 16, the connection portion between the frame portion 32 of each lead frame 18, 24 and each lead is cut. The cutting position is preferably near the surface of the mold package 26, but the adjustment terminal 46 of the IC chip 30 is protruded from the mold package 26 and cut.

次に、圧電発振器10の周波数調整が行われる。圧電発振器10の周波数調整は、まず圧電振動片14の電極を削り、または電極に金属を成膜することにより行われる。ここで圧電振動片14の前記電極は励振電極のことをいい、励振電極を削りまたは電極に金属を成膜することにより周波数調整される。また圧電振動片14のかわりに音叉型圧電振動片を用いる場合は、前記電極は前記振動椀に設けられた錘のことをいい、この錘を削りまたは電極に金属を成膜することにより周波数調整される。さらに圧電振動片14のかわりにSAW共振片を用いる場合は、前記電極はIDTのことをいい、IDTを削ることにより周波数調整される。   Next, the frequency of the piezoelectric oscillator 10 is adjusted. The frequency adjustment of the piezoelectric oscillator 10 is performed by first cutting the electrode of the piezoelectric vibrating piece 14 or forming a metal film on the electrode. Here, the electrode of the piezoelectric vibrating piece 14 is an excitation electrode, and the frequency is adjusted by cutting the excitation electrode or forming a metal film on the electrode. When a tuning fork type piezoelectric vibrating piece is used instead of the piezoelectric vibrating piece 14, the electrode is a weight provided on the vibrating rod, and the frequency is adjusted by cutting the weight or forming a metal film on the electrode. Is done. Further, when a SAW resonance piece is used instead of the piezoelectric vibrating piece 14, the electrode is an IDT, and the frequency is adjusted by cutting the IDT.

そして圧電振動片14の電極を削る場合は、この電極にプラズマ、イオンまたはレーザ光等を照射することにより行われる。具体的には、まず圧電振動片14が実装されたモールドパッケージ26を真空容器内に納置して、圧電振動片14を励振させる。そして励振させたときの発振周波数を計測しつつ、真空容器内にエッチングガスを導入してプラズマを生成し、このプラズマに圧電振動片14の電極を曝して電極をエッチングする。エッチングは所望の発振周波数に近づいたときに終了する。すなわち発振周波数をエッチングによって、ある程度追い込んでおくのである。   When the electrode of the piezoelectric vibrating piece 14 is cut, the electrode is irradiated with plasma, ions, laser light, or the like. Specifically, first, the mold package 26 on which the piezoelectric vibrating piece 14 is mounted is placed in a vacuum container, and the piezoelectric vibrating piece 14 is excited. Then, while measuring the oscillation frequency when excited, an etching gas is introduced into the vacuum vessel to generate plasma, and the electrode of the piezoelectric vibrating piece 14 is exposed to this plasma to etch the electrode. Etching is terminated when the desired oscillation frequency is approached. That is, the oscillation frequency is driven to some extent by etching.

またイオンを用いて圧電振動片14の電極を削る場合は、圧電振動片14を励振させたときの発振周波数を計測しつつ、真空容器に設けられたイオンガンからイオンを圧電振動片14に照射し、圧電振動片14の電極をエッチングすればよい。さらにレーザ光を用いて圧電振動片14の電極を削る場合は、圧電振動片14を励振させたときの発振周波数を計測しつつ、圧電振動片14の電極にレーザ光を照射して、電極を削ればよい。なお圧電振動片14およびSAW共振片はプラズマまたはイオンを用いて電極を削るのが好ましく、音叉型圧電振動片14はレーザ光を用いて電極を削るのが好ましい。   Further, when the electrodes of the piezoelectric vibrating piece 14 are scraped using ions, the piezoelectric vibrating piece 14 is irradiated with ions from an ion gun provided in a vacuum vessel while measuring the oscillation frequency when the piezoelectric vibrating piece 14 is excited. The electrode of the piezoelectric vibrating piece 14 may be etched. Furthermore, when the electrode of the piezoelectric vibrating piece 14 is cut using laser light, the electrode of the piezoelectric vibrating piece 14 is irradiated with laser light while measuring the oscillation frequency when the piezoelectric vibrating piece 14 is excited. You only have to sharpen it. Note that the piezoelectric vibrating piece 14 and the SAW resonance piece are preferably shaved using plasma or ions, and the tuning fork-type piezoelectric vibrating piece 14 is preferably shaved using laser light.

また圧電振動片14の電極に金属を成膜して周波数調整する場合は、まず電極のみが露出するように圧電振動片14の上面にマスクを設け、圧電振動片14が実装されたモールドパッケージ26を蒸着等の成膜装置内に納置する。そして圧電振動片14を励振させて、圧電振動片14の発振周波数を計測しつつ、金属を電極上に成膜する。金属の成膜は所望の発振周波数に近づいたときに終了する。すなわち発振周波数を金属の成膜によって、ある程度追い込んでおくのである。なお成膜される金属の材料は、密着性の向上のため、圧電振動片14の電極材料と同じものが好ましい。   When adjusting the frequency by forming a metal film on the electrode of the piezoelectric vibrating piece 14, first, a mask is provided on the upper surface of the piezoelectric vibrating piece 14 so that only the electrode is exposed, and the mold package 26 on which the piezoelectric vibrating piece 14 is mounted. Is placed in a deposition apparatus such as vapor deposition. Then, the piezoelectric vibrating piece 14 is excited to measure the oscillation frequency of the piezoelectric vibrating piece 14 and form a metal film on the electrode. The metal film formation ends when the desired oscillation frequency is approached. That is, the oscillation frequency is driven to some extent by metal film formation. The metal material to be formed is preferably the same as the electrode material of the piezoelectric vibrating piece 14 in order to improve adhesion.

この周波数調整後に、圧電振動片14を気密封止する蓋体28がモールドパッケージ26に接合される。具体的には、蓋体28は金属、ガラス、または樹脂等からなる平面基板である。そして圧電振動片14が実装されたモールドパッケージ26とリッドとを気密容器内に納置して、気密容器内を真空にし、または窒素等の不活性ガスで充満させる。この後、蓋体28が圧電振動片14側のモールドパッケージ26周縁に設けられた立ち上げ部60の上面にロウ材61を介して接合され、圧電振動片14が気密封止される。ロウ材61は、例えば低融点ガラスや樹脂等であればよい。また蓋体28に樹脂を用いる場合、蓋体28の圧電振動片14側に向く面に耐湿用のコーティングを施してもよい。このコーティングに用いられる耐湿材料は、金属系あるいはモールドパッケージ26表面にコーティング52される耐湿材料と同じものを用いればよい。   After this frequency adjustment, a lid 28 that hermetically seals the piezoelectric vibrating piece 14 is joined to the mold package 26. Specifically, the lid 28 is a flat substrate made of metal, glass, resin, or the like. Then, the mold package 26 on which the piezoelectric vibrating piece 14 is mounted and the lid are placed in an airtight container, and the airtight container is evacuated or filled with an inert gas such as nitrogen. Thereafter, the lid 28 is joined to the upper surface of the rising portion 60 provided on the periphery of the mold package 26 on the piezoelectric vibrating piece 14 side via the brazing material 61, and the piezoelectric vibrating piece 14 is hermetically sealed. The brazing material 61 may be, for example, low melting point glass or resin. Further, when a resin is used for the lid 28, moisture-resistant coating may be applied to the surface of the lid 28 facing the piezoelectric vibrating piece 14 side. The moisture resistant material used for this coating may be the same as the moisture resistant material coated on the surface of the metal package or the mold package 26.

次に、圧電発振器10の発振周波数がもう一度調整される。蓋体28を封止する前工程において、圧電振動片14の電極厚みを調整して発振周波数をある程度追い込んでおいたので、本工程において圧電発振器10の発振周波数を所望の周波数に調整するのである。この調整は、モールドパッケージ26の外部に露出している調整端子46にプローブを接触させ、ICチップ30への書き込みを行うことによって周波数調整が行われる。図4に周波数調整を行う回路の説明図を示す。図4(a)は容量アレイの説明図であり、図4(b)は可変容量ダイオードを用いた回路の説明図である。なお図4(a)では、コンデンサを3つ用いた形態で記載しているが、コンデンサの数は3つに限定されることはない。図4(a)に示す容量アレイ62を用いて周波数調整する場合、容量アレイ62はICチップ30内に設けられており、容量の異なる複数のコンデンサ64が並列に接続され、これらのコンデンサ64にそれぞれスイッチ66が接続されたものである。そしてICチップ30への書き込みにより、スイッチ66をON/OFFさせて負荷容量を調整して、圧電発振器10の発振周波数を所望の周波数に調整するのである。また図4(b)に示す可変容量ダイオード68を用いた回路で周波数調整する場合、この回路はICチップ30内に設けられており、可変容量ダイオード68に供給される電圧に対応して容量が調整されて、圧電発振器10の発振周波数を所望の周波数に調整するのである。周波数調整後の調整端子46は、モールドパッケージ26の表面付近で切り落とされてもよく、折り曲げられてそのまま製品化されてもよい。   Next, the oscillation frequency of the piezoelectric oscillator 10 is adjusted once again. In the previous step of sealing the lid 28, the electrode thickness of the piezoelectric vibrating piece 14 is adjusted to drive the oscillation frequency to a certain extent. Therefore, in this step, the oscillation frequency of the piezoelectric oscillator 10 is adjusted to a desired frequency. . In this adjustment, the frequency is adjusted by bringing the probe into contact with the adjustment terminal 46 exposed to the outside of the mold package 26 and writing to the IC chip 30. FIG. 4 is an explanatory diagram of a circuit that performs frequency adjustment. 4A is an explanatory diagram of a capacitor array, and FIG. 4B is an explanatory diagram of a circuit using variable capacitance diodes. In FIG. 4A, the configuration using three capacitors is described, but the number of capacitors is not limited to three. When the frequency is adjusted using the capacitor array 62 shown in FIG. 4A, the capacitor array 62 is provided in the IC chip 30, and a plurality of capacitors 64 having different capacities are connected in parallel. Each is connected to a switch 66. Then, by writing to the IC chip 30, the switch 66 is turned on / off to adjust the load capacity, and the oscillation frequency of the piezoelectric oscillator 10 is adjusted to a desired frequency. 4B, when the frequency is adjusted by the circuit using the variable capacitance diode 68 shown in FIG. 4B, this circuit is provided in the IC chip 30 and has a capacitance corresponding to the voltage supplied to the variable capacitance diode 68. By adjusting, the oscillation frequency of the piezoelectric oscillator 10 is adjusted to a desired frequency. The adjustment terminal 46 after the frequency adjustment may be cut off near the surface of the mold package 26, or may be bent and commercialized as it is.

なお圧電振動片14として音叉型圧電振動片を用いるとともに、ガラス製の蓋体28を用いた場合は、蓋体28を接合して音叉型圧電振動片を気密封止した後に、蓋体28を介して前記振動腕に設けられた前記電極(錘)にレーザ光を照射し、圧電発振器10を所望の発振周波数に調整してもよい。また圧電発振器10の所望の発振周波数に調整される直前まで音叉型圧電振動片の前記電極にレーザ光を照射し、この後ICチップ30への書き込みを行うことによって、圧電発振器10を所望の発振周波数に調整してもよい。   When a tuning fork type piezoelectric vibrating piece is used as the piezoelectric vibrating piece 14 and a glass lid 28 is used, the lid 28 is joined and hermetically sealed with the tuning fork type piezoelectric vibrating piece. The piezoelectric oscillator 10 may be adjusted to a desired oscillation frequency by irradiating the electrode (weight) provided on the vibrating arm via a laser beam. Further, the piezoelectric oscillator 10 is made to oscillate at a desired frequency by irradiating the electrode of the tuning fork type piezoelectric vibrating piece with laser light until just before being adjusted to the desired oscillation frequency of the piezoelectric oscillator 10 and then writing to the IC chip 30. The frequency may be adjusted.

また実施形態によっては、圧電振動片14をモールドパッケージ26に実装した後の周波数調整において所望の周波数に合わせておき、蓋体28をモールドパッケージ26に接合した後の周波数調整を行わなくてよい。   In some embodiments, the frequency adjustment after the piezoelectric vibrating piece 14 is mounted on the mold package 26 may be adjusted to a desired frequency, and the frequency adjustment after the lid 28 is joined to the mold package 26 may not be performed.

このように圧電発振器10は、リードフレーム上に導電材54を介して圧電振動片14を実装したことにより、パッケージベースを構成するセラミックの厚さ分を薄型化することができる。なお圧電振動片14をパッケージに収容した従来技術に係る圧電発振器の厚さは1.0〜1.2mmであり、パッケージベースの底板(セラミック)の厚さは0.15〜0.2mmである。したがって本実施の形態に係る圧電発振器10の厚さは、従来技術に係る圧電発振器に比べて少なくとも0.15〜0.2mm薄型化することができる。そして圧電発振器10が薄型化されたことにより、圧電振動片14とICチップ30との距離が短くなるので、圧電振動片14とICチップ30との温度差を小さくすることができる。これにより圧電発振器10を温度補償型としたときに、温度による周波数変化の補正を正確におこなうことができ、周波数偏差の小さい周波数温度特性を得ることができる。   Thus, the piezoelectric oscillator 10 can reduce the thickness of the ceramic constituting the package base by mounting the piezoelectric vibrating piece 14 on the lead frame via the conductive material 54. The thickness of the piezoelectric oscillator according to the prior art in which the piezoelectric vibrating piece 14 is housed in a package is 1.0 to 1.2 mm, and the thickness of the bottom plate (ceramic) of the package base is 0.15 to 0.2 mm. . Therefore, the thickness of the piezoelectric oscillator 10 according to the present embodiment can be reduced by at least 0.15 to 0.2 mm compared to the piezoelectric oscillator according to the prior art. Since the piezoelectric oscillator 10 is thinned, the distance between the piezoelectric vibrating piece 14 and the IC chip 30 is shortened, so that the temperature difference between the piezoelectric vibrating piece 14 and the IC chip 30 can be reduced. As a result, when the piezoelectric oscillator 10 is of the temperature compensation type, it is possible to accurately correct the frequency change due to the temperature, and to obtain a frequency temperature characteristic with a small frequency deviation.

また圧電発振器10の周波数調整は、圧電振動片14をモールドパッケージ26に実装した状態で、圧電振動片14に設けられた電極の厚さを調整して行うことができる。そして圧電発振器10の周波数調整は、ICチップ30側において負荷容量を調整して、または可変容量ダイオード68に供給される電圧を調整して行うことができる。すなわち圧電発振器10の周波数調整は、圧電振動片14の電極厚みを調整した後に、ICチップ30側において負荷容量または電圧を調整する2段階の調整方法なので、ICチップ30側に搭載される容量アレイ62に容量の小さいコンデンサ64を設けることができる。したがって圧電発振器10の発振周波数を細かく調整することができるので、所望の発振周波数を得ることができる。   The frequency of the piezoelectric oscillator 10 can be adjusted by adjusting the thickness of the electrode provided on the piezoelectric vibrating piece 14 in a state where the piezoelectric vibrating piece 14 is mounted on the mold package 26. The frequency of the piezoelectric oscillator 10 can be adjusted by adjusting the load capacitance on the IC chip 30 side or adjusting the voltage supplied to the variable capacitance diode 68. That is, the frequency adjustment of the piezoelectric oscillator 10 is a two-stage adjustment method in which the load capacitance or voltage is adjusted on the IC chip 30 side after the electrode thickness of the piezoelectric vibrating piece 14 is adjusted. A capacitor 64 having a small capacity can be provided at 62. Therefore, since the oscillation frequency of the piezoelectric oscillator 10 can be finely adjusted, a desired oscillation frequency can be obtained.

ところでICチップ30の大きさに制限があるので、このICチップ30に搭載される容量アレイ62のコンデンサ64の数も制限される。このため圧電発振器の周波数調整がICチップ側のみで行なわれる1段階の調整方法の場合、容量アレイには周波数を大きく調整するコンデンサと細かく調整するコンデンサとが必要になるが、コンデンサの数が制限されているので、周波数調整に必要な数のコンデンサの全てを容量アレイに搭載することはできない。したがって圧電発振器の発振周波数を所望の周波数に調整することができない。また圧電発振器の周波数調整が圧電振動片の電極厚みのみ調整される1段階の調整方法の場合、蓋体を接合するときに発生するガス等の影響により、圧電発振器の発振周波数がずれてしまう虞がある。さらに蓋体が接合された後は、圧電振動片やSAW共振片の前記電極をプラズマやイオンに曝すことができないので、圧電発振器の周波数調整ができない。この点、本実施の形態に係る圧電発振器10は2段階の周波数調整方法なので、圧電発振器10の発振周波数を所望の周波数に正確に合わせることができる。またICチップ30に搭載される容量アレイ62のコンデンサ64の数を減らすことも可能になるのでICチップ30を小型化することができ、圧電発振器10も小型化することができる。   Incidentally, since the size of the IC chip 30 is limited, the number of capacitors 64 of the capacitor array 62 mounted on the IC chip 30 is also limited. For this reason, in the case of a one-stage adjustment method in which the frequency adjustment of the piezoelectric oscillator is performed only on the IC chip side, the capacitor array requires a capacitor for adjusting the frequency greatly and a capacitor for fine adjustment, but the number of capacitors is limited. Therefore, it is not possible to mount all the capacitors required for frequency adjustment in the capacitor array. Therefore, the oscillation frequency of the piezoelectric oscillator cannot be adjusted to a desired frequency. Further, in the case of a one-step adjustment method in which only the electrode thickness of the piezoelectric vibrating piece is adjusted for the frequency adjustment of the piezoelectric oscillator, the oscillation frequency of the piezoelectric oscillator may shift due to the influence of gas generated when the lid is joined. There is. Furthermore, after the lid is joined, the electrodes of the piezoelectric vibrating piece and the SAW resonant piece cannot be exposed to plasma or ions, so the frequency of the piezoelectric oscillator cannot be adjusted. In this respect, since the piezoelectric oscillator 10 according to the present embodiment is a two-stage frequency adjustment method, the oscillation frequency of the piezoelectric oscillator 10 can be accurately adjusted to a desired frequency. In addition, since the number of capacitors 64 of the capacitor array 62 mounted on the IC chip 30 can be reduced, the IC chip 30 can be reduced in size, and the piezoelectric oscillator 10 can also be reduced in size.

図5に接続端子16のモールド封止の説明図を示す。上述した実施の形態では、接続端子16の接続面がモールドパッケージ26の表面に露出した形態で説明したが、他の実施形態を用いることもできる。すなわち図5(a)に示すように、接続端子16をモールドパッケージ26内に設け、接続端子16の接続面における中央部を露出させることもでき、図5(b)に示すように、接続端子16の接続面となるリードをモールドパッケージ26の外部に設けることもできる。   FIG. 5 shows an explanatory diagram of mold sealing of the connection terminal 16. In the embodiment described above, the connection surface of the connection terminal 16 has been described as being exposed on the surface of the mold package 26, but other embodiments can also be used. That is, as shown in FIG. 5A, the connection terminal 16 can be provided in the mold package 26, and the central portion of the connection surface of the connection terminal 16 can be exposed. As shown in FIG. It is also possible to provide leads serving as 16 connection surfaces outside the mold package 26.

図6に圧電振動片14が接続端子16に支持される箇所の説明図を示す。上述した実施の形態では、導電材54として樹脂系や金属系を用いた形態で説明したが、他の実施形態として半田等の金属ボール70を用いることもできる。この場合、接続端子16を金属ボール70の形状に合わせて凹部72を設けておく。そして圧電振動片14に金属ボール70をつけた後に、金属ボール70が凹部72に収まるように圧電振動片14を接続端子16上に載せ、接続端子16をかしめるように凹部72を変形して、圧電振動片14を接続端子16上に実装すればよい。また他の実施形態として、導電材54として金属バンプを用い、圧電振動片14をフリップチップボンディングにより接続端子16に実装してもよい。   FIG. 6 is an explanatory diagram of a portion where the piezoelectric vibrating piece 14 is supported by the connection terminal 16. In the above-described embodiment, the conductive material 54 has been described using a resin system or a metal system. However, as another embodiment, a metal ball 70 such as a solder can be used. In this case, the recess 72 is provided so that the connection terminal 16 matches the shape of the metal ball 70. Then, after the metal ball 70 is attached to the piezoelectric vibrating piece 14, the piezoelectric vibrating piece 14 is placed on the connection terminal 16 so that the metal ball 70 fits in the recess 72, and the recess 72 is deformed so that the connection terminal 16 is caulked. The piezoelectric vibrating piece 14 may be mounted on the connection terminal 16. In another embodiment, metal bumps may be used as the conductive material 54 and the piezoelectric vibrating piece 14 may be mounted on the connection terminal 16 by flip chip bonding.

図7に支持手段の説明図を示す。圧電振動片14を片持ち状に実装した場合、圧電振動片14が支持されている側と反対側に支持手段74を設けることができる。この支持手段74はモールドパッケージ26の表面に設けられた圧電振動片14を支える凸部であり、圧電振動片14の実装に寄与していない接続端子16を凸状に変形させ、またはモールドパッケージ26のモールド材により凸部を形成すればよい。支持手段74が設けられた接続端子16は、例えば図7(a)に示すように接続端子16の接続面がモールドパッケージ26の表面に露出されるように設けられ、また図7(b)に示すように接続端子16がモールドパッケージ26内に設けられて、支持手段74がモールドパッケージ26から突出されるように設けられ、さらに図7(c)に示すように接続端子16がモールドパッケージ26の外部に設けられるようにすればよい。またモールド材により支持手段74を形成する場合は、金型に支持手段74を形成する凹部を設けておけばよく、例えば図7(d)に示すように接続端子16の近傍に支持手段74が設けられ、また図7(e)に示すように接続端子16をモールドパッケージ26の内部に設けて、接続端子16の上方において支持手段74を設けるようにすればよい。さらに耐湿用のコーティング52により凸部を形成して、支持手段74を形成してもよい。なお圧電振動片14の実装に寄与しない接続端子16の接続面をモールド材や耐湿用のコーティング52で被っても何ら問題はない。   FIG. 7 shows an explanatory view of the support means. When the piezoelectric vibrating piece 14 is mounted in a cantilever manner, the support means 74 can be provided on the side opposite to the side on which the piezoelectric vibrating piece 14 is supported. The support means 74 is a convex portion that supports the piezoelectric vibrating piece 14 provided on the surface of the mold package 26, and deforms the connection terminal 16 that does not contribute to the mounting of the piezoelectric vibrating piece 14 into a convex shape, or the mold package 26. What is necessary is just to form a convex part with this mold material. The connection terminal 16 provided with the supporting means 74 is provided so that the connection surface of the connection terminal 16 is exposed on the surface of the mold package 26 as shown in FIG. As shown in FIG. 7, the connection terminal 16 is provided in the mold package 26, the support means 74 is provided so as to protrude from the mold package 26, and the connection terminal 16 is connected to the mold package 26 as shown in FIG. It may be provided outside. When the support means 74 is formed of a molding material, it is only necessary to provide a recess for forming the support means 74 in the mold. For example, as shown in FIG. As shown in FIG. 7E, the connection terminals 16 may be provided inside the mold package 26, and the support means 74 may be provided above the connection terminals 16. Further, the support means 74 may be formed by forming convex portions by the moisture resistant coating 52. Note that there is no problem even if the connection surface of the connection terminal 16 that does not contribute to the mounting of the piezoelectric vibrating piece 14 is covered with a molding material or a moisture resistant coating 52.

図8に実装用リード20の説明図を示す。上述した実施の形態では、実装端子22の実装面を平面としているが、他の実施の形態として実装面に凹部76または凸部78を設けることができる。図8(a)に示すように実装面に凹部76が設けることができ、また図8(b)に示すように実装面に凸部78を設けることができる。このような凹部76または凸部78は実装用リード20をプレス加工することにより容易に形成することができる。そして圧電発振器10を実装基板に搭載したときに、実装面に凹部76が設けられた場合は、実装面と接合材との接触面積が大きくなるとともに、凹部76に接合材が入り込むので、接合材との接合強度を高めることができる。また実装面に凸部78が設けられた場合は、実装面と接合材との接触面積が大きくなるとともに、凸部78のアンカー効果により、実装基板との接合強度を高めることができる。   FIG. 8 is an explanatory diagram of the mounting lead 20. In the above-described embodiment, the mounting surface of the mounting terminal 22 is a flat surface. However, as another embodiment, the concave portion 76 or the convex portion 78 can be provided on the mounting surface. As shown in FIG. 8A, a recess 76 can be provided on the mounting surface, and as shown in FIG. 8B, a protrusion 78 can be provided on the mounting surface. Such a recess 76 or protrusion 78 can be easily formed by pressing the mounting lead 20. When the concave portion 76 is provided on the mounting surface when the piezoelectric oscillator 10 is mounted on the mounting substrate, the contact area between the mounting surface and the bonding material is increased, and the bonding material enters the concave portion 76. The joint strength can be increased. Further, when the convex portion 78 is provided on the mounting surface, the contact area between the mounting surface and the bonding material is increased, and the bonding strength with the mounting substrate can be increased by the anchor effect of the convex portion 78.

図9に他の実施形態に係る圧電発振器の断面図を示す。上述した実施の形態では、モールドパッケージ26における圧電振動片14側には、モールドパッケージ26の周縁に立ち上げ部60が設けられているが、他の実施形態として立ち上げ部60を設けない構成にできる。この場合、蓋体79は、金属、ガラス、または樹脂等からなる平面基板の周縁を立ち上げ形成した枡形とすればよい。そしてモールドパッケージ26と蓋体79とをロウ材61で接合すればよい。   FIG. 9 shows a cross-sectional view of a piezoelectric oscillator according to another embodiment. In the embodiment described above, the rising portion 60 is provided on the periphery of the mold package 26 on the piezoelectric vibrating piece 14 side of the mold package 26. However, as another embodiment, the rising portion 60 is not provided. it can. In this case, the lid 79 may have a bowl shape in which a peripheral edge of a flat substrate made of metal, glass, resin, or the like is raised. Then, the mold package 26 and the lid 79 may be joined with the brazing material 61.

また上述した実施の形態では、接続用リード12と実装用リード20とを両方とも折り曲げて形成した形態であるが、一方のリードのみを折り曲げて圧電発振器を形成してもよい。図10に一方のリードのみを折り曲げた積層リードフレームの説明図を示す。図10(a)は接続用リードが折り曲げられた形態を示し、図10(b)は実装用リードが折り曲げられた形態を示す。図10(a)に示すように接続用リード12のみが折り曲げられた場合、接続用リード12は上側リードフレームから上側に折り曲げられて形成され、実装用リード20aは下側リードフレームと同一面内にある平板状の実装端子22からなり、傾斜部が設けられていない。前記下側リードフレームに設けられたダイパッド48の上面にICチップ30が実装され、ワイヤ40を介してICチップ30と、接続端子16、実装端子22および調整端子とが電気的に接続されている。そして接続用リードの折り曲げは、ICチップ30と、接続端子16、実装端子22および調整端子とを電気的に接続するワイヤ40の最高高さよりも高く形成されている。なおダイパッドを上側リードフレームに形成し、このダイパッドの上面にICチップを実装してもよい。   In the above-described embodiment, both the connection lead 12 and the mounting lead 20 are formed by bending. However, only one of the leads may be bent to form a piezoelectric oscillator. FIG. 10 shows an explanatory diagram of a laminated lead frame in which only one lead is bent. 10A shows a form in which the connecting lead is bent, and FIG. 10B shows a form in which the mounting lead is bent. When only the connection lead 12 is bent as shown in FIG. 10A, the connection lead 12 is formed by bending upward from the upper lead frame, and the mounting lead 20a is in the same plane as the lower lead frame. And is not provided with an inclined portion. The IC chip 30 is mounted on the upper surface of the die pad 48 provided on the lower lead frame, and the IC chip 30 is electrically connected to the connection terminal 16, the mounting terminal 22, and the adjustment terminal via the wire 40. . The bending of the connection lead is formed higher than the maximum height of the wire 40 that electrically connects the IC chip 30 to the connection terminal 16, the mounting terminal 22, and the adjustment terminal. A die pad may be formed on the upper lead frame, and an IC chip may be mounted on the upper surface of the die pad.

また図10(b)に示すように実装用リード20のみが折り曲げられた場合、実装用リード20は下側リードフレームから下側に折り曲げられて形成されている。また接続用リード12aは上側リードフレームと同一面内にある平面状の接続端子16からなり、傾斜部が設けられていない。前記下側リードフレームに設けられたダイパッド48の下面にICチップ30が実装され、ワイヤ40を介してICチップ30と、接続端子16、実装端子22および調整端子とが電気的に接続されている。そして実装用リードの折り曲げは、ICチップ30と、接続端子16、実装端子22および調整端子とを電気的に接続するワイヤ40の最高高さよりも高く形成されている。なおダイパッドを上側リードフレームに形成し、このダイパッドの下面にICチップを実装してもよい。
このように接続用リード12または実装用リード20のいずれかを折り曲げて形成することにより、積層リードフレームの上下方向の寸法を小さくすることができ、圧電発振器を薄型化することができる。
Further, as shown in FIG. 10B, when only the mounting lead 20 is bent, the mounting lead 20 is formed to be bent downward from the lower lead frame. The connection lead 12a is composed of a planar connection terminal 16 in the same plane as the upper lead frame, and is not provided with an inclined portion. The IC chip 30 is mounted on the lower surface of the die pad 48 provided on the lower lead frame, and the IC chip 30 is electrically connected to the connection terminal 16, the mounting terminal 22, and the adjustment terminal via the wire 40. . The bending of the mounting lead is formed higher than the maximum height of the wire 40 that electrically connects the IC chip 30 to the connection terminal 16, the mounting terminal 22, and the adjustment terminal. A die pad may be formed on the upper lead frame, and an IC chip may be mounted on the lower surface of the die pad.
In this way, by forming either the connecting lead 12 or the mounting lead 20 by bending, the vertical dimension of the laminated lead frame can be reduced, and the piezoelectric oscillator can be made thinner.

また上述した実施の形態では、接続用リード12と実装用リード20との少なくとも一方は折り曲げられて形成されているが、ハーフエッチングを用いて形成されてもよい。すなわち上側リードフレームや下側リードフレームを厚く形成しておき、これらのリードフレームをエッチングにより厚みをかえることで、接続用リード12や実装用リード20を形成してもよい。また上側リードフレームや下側リードフレームを圧延することによりリードの厚みをかえて、接続用リード12や実装用リード20を形成してもよい。   In the above-described embodiment, at least one of the connecting lead 12 and the mounting lead 20 is formed by being bent, but may be formed by using half etching. That is, the upper lead frame and the lower lead frame may be formed thick, and the connecting lead 12 and the mounting lead 20 may be formed by changing the thickness of these lead frames by etching. Further, the connecting lead 12 or the mounting lead 20 may be formed by rolling the upper lead frame or the lower lead frame to change the thickness of the lead.

次に、上述した圧電発振器を電子機器に搭載した一例について説明する。図11にディジタル式携帯電話の概略構成図を示す。ディジタル式携帯電話80は、送受信信号の送信部82および受信部84等を有し、この送信部82および受信部84に、これらを制御する中央演算装置(CPU)86が接続されている。またCPU86は、送受信信号の変調および復調の他に表示部や情報入力のための操作キー等からなる情報の入出力部88や、RAM,ROM等からなるメモリ90の制御を行っている。このためCPU86には圧電デバイス92が取付けられ、その出力周波数をCPU86に内蔵された所定の分周回路(不図示)等により、制御内容に適合したクロック信号として利用するようにされている。またCPU86は温度補償型圧電発振器94と接続され、この温度補償型圧電発振器94は送信部82と受信部84とに接続されている。これによりCPU86からの基本クロックが、環境温度が変化した場合に変動しても、温度補償型圧電発振器94により修正されて、送信部82および受信部84に与えられるようになっている。   Next, an example in which the above-described piezoelectric oscillator is mounted on an electronic device will be described. FIG. 11 shows a schematic configuration diagram of a digital mobile phone. The digital cellular phone 80 includes a transmission / reception signal transmission unit 82 and a reception unit 84, and a central processing unit (CPU) 86 for controlling them is connected to the transmission unit 82 and the reception unit 84. In addition to modulation and demodulation of transmission / reception signals, the CPU 86 controls an information input / output unit 88 including a display unit and operation keys for inputting information, and a memory 90 including a RAM and a ROM. For this reason, a piezoelectric device 92 is attached to the CPU 86, and its output frequency is used as a clock signal suitable for the control contents by a predetermined frequency dividing circuit (not shown) incorporated in the CPU 86. The CPU 86 is connected to a temperature compensated piezoelectric oscillator 94, and the temperature compensated piezoelectric oscillator 94 is connected to the transmitter 82 and the receiver 84. Thus, even if the basic clock from the CPU 86 fluctuates when the environmental temperature changes, it is corrected by the temperature compensated piezoelectric oscillator 94 and supplied to the transmitter 82 and the receiver 84.

本発明の実施形態に係る圧電発振器が応用されるものとして、例えば温度補償型圧電発振器(TCXO)がある。このTCXOは、周囲の温度変化による周波数変動を小さくした圧電発振器であって、受信部84や送信部82の周波数基準源として広く利用されている。このTCXOは、近年の携帯電話80装置の小型化に伴い、小型化への要求が高くなっており、本発明の実施形態に係る圧電発振器の小型化は極めて有用である。また、本発明の実施形態に係る圧電発振器は、例えばCPU86を含む携帯電話80装置に日付時刻情報を供給するリアルタイムクロックにも応用することができる。   As an example to which the piezoelectric oscillator according to the embodiment of the present invention is applied, there is a temperature compensated piezoelectric oscillator (TCXO), for example. The TCXO is a piezoelectric oscillator in which frequency fluctuation due to ambient temperature change is reduced, and is widely used as a frequency reference source for the receiving unit 84 and the transmitting unit 82. This TCXO has been increasingly demanded for downsizing of the cellular phone 80 device in recent years, and downsizing of the piezoelectric oscillator according to the embodiment of the present invention is extremely useful. The piezoelectric oscillator according to the embodiment of the present invention can also be applied to a real-time clock that supplies date / time information to a mobile phone 80 device including a CPU 86, for example.

本発明の実施形態に係る圧電発振器は、上記のディジタル式携帯電話装置に限らず、パーソナルコンピュータ、ワークステーション、PDA(Personal Digital[Data] Assistants:携帯情報端末)等の、圧電発振器により制御用のクロック信号を得る電子機器に適用することができる。このように、上述した実施形態に係る圧電発振器を電子機器に利用することにより、より小型で信頼性の高い電子機器を実現することができる。   The piezoelectric oscillator according to the embodiment of the present invention is not limited to the above-described digital mobile phone device, and is controlled by a piezoelectric oscillator such as a personal computer, a workstation, a PDA (Personal Digital [Data] Assistant). The present invention can be applied to an electronic device that obtains a clock signal. As described above, by using the piezoelectric oscillator according to the above-described embodiment for an electronic device, a smaller and more reliable electronic device can be realized.

本実施の形態に係る圧電発振器を分解した斜視図である。It is the perspective view which decomposed | disassembled the piezoelectric oscillator which concerns on this Embodiment. 図1のA−A線における断面図である。It is sectional drawing in the AA of FIG. リードフレームの平面図である。It is a top view of a lead frame. 周波数調整を行う回路の説明図である。It is explanatory drawing of the circuit which performs frequency adjustment. 接続電極のモールド封止の説明図である。It is explanatory drawing of the mold sealing of a connection electrode. 圧電振動片が接続電極に支持される箇所の説明図である。It is explanatory drawing of the location where a piezoelectric vibrating piece is supported by a connection electrode. 支持手段の説明図である。It is explanatory drawing of a support means. 実装用リードの説明図である。It is explanatory drawing of the lead for mounting. 他の実施形態に係る圧電発振器の断面図である。It is sectional drawing of the piezoelectric oscillator which concerns on other embodiment. 一方のリードのみを折り曲げた積層リードフレームの説明図である。It is explanatory drawing of the lamination | stacking lead frame which bent only one lead. ディジタル式携帯電話の概略構成図である。It is a schematic block diagram of a digital mobile phone. 従来技術に係る圧電発振器の断面図である。It is sectional drawing of the piezoelectric oscillator which concerns on a prior art.

符号の説明Explanation of symbols

10………圧電発振器、14………圧電振動片、16………接続端子、18………上側リードフレーム、22………実装端子、24………下側リードフレーム、26………モールドパッケージ、28………蓋体、30………ICチップ、48………ダイパッド、80………ディジタル式携帯電話。

10... Piezoelectric oscillator 14... Piezoelectric vibrating piece 16... Connection terminal 18... Upper lead frame 22. Mold package, 28... Lid, 30... IC chip, 48... Die pad, 80.

Claims (12)

一方側に折曲げされて形成され、接続端子を備えた接続用リードと、他方側に折曲げされて形成され、実装基板に接合する実装端子を備えた実装用リードとを有する積層リードフレームを形成する工程と、
前記積層リードフレームに電子部品を実装し、前記積層リードフレームと前記電子部品とを電気的に接続する工程と、
前記接続端子と前記実装端子との表面を露出させて前記積層リードフレームと前記電子部品とをモールド封止する工程と、
前記接続端子に導電材を介して圧電振動片を実装する工程と、
前記圧電振動片を蓋体で覆って気密封止する工程と、
を有することを特徴とする圧電発振器の製造方法。
A laminated lead frame having a connection lead having a connection terminal formed by bending on one side and a mounting lead having a mounting terminal formed by bending on the other side and bonded to a mounting substrate. Forming, and
Mounting electronic components on the multilayer lead frame, electrically connecting the multilayer lead frame and the electronic components;
Exposing the surfaces of the connection terminals and the mounting terminals and mold-sealing the laminated lead frame and the electronic component;
Mounting the piezoelectric vibrating piece on the connection terminal via a conductive material;
Covering the piezoelectric vibrating piece with a lid and hermetically sealing;
A method for manufacturing a piezoelectric oscillator, comprising:
前記モールド封止する工程は、モールド材の前記接続端子を露出させた面に耐湿材を塗布する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の圧電発振器の製造方法。   The method for manufacturing a piezoelectric oscillator according to claim 1, wherein the mold sealing step includes a step of applying a moisture-resistant material to a surface of the molding material where the connection terminals are exposed. 前記圧電振動片を実装する工程は、前記圧電振動片の発振周波数を調整する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の圧電発振器の製造方法。   The method of manufacturing a piezoelectric oscillator according to claim 1, wherein the step of mounting the piezoelectric vibrating piece includes a step of adjusting an oscillation frequency of the piezoelectric vibrating piece. 圧電振動片と、
前記圧電振動片が実装された接続面を有する接続端子が形成されたリードフレームと、
少なくとも前記接続面を露出させつつ前記リードフレームを封止したモールドパッケージと、
前記圧電振動片を覆って前記モールドパッケージに気密に接合した蓋体と、
有し、
前記リードフレームは、少なくとも2枚の積層されたリードフレームであり、
かつ一方の前記リードフレームに接続用リードが形成され、他方の前記リードフレームに実装用リードが形成され、
前記接続用リードと前記実装用リードとの少なくともいずれか一方が積層面と反対側に折曲げしてある、
ことを特徴とする圧電発振器。
A piezoelectric vibrating piece;
A lead frame formed with a connection terminal having a connection surface on which the piezoelectric vibrating piece is mounted;
A mold package that seals the lead frame while exposing at least the connection surface;
A lid that covers the piezoelectric vibrating piece and is airtightly bonded to the mold package;
Have
The lead frame is a laminated lead frame of at least two sheets,
And a lead for connection is formed on one of the lead frames, a lead for mounting is formed on the other lead frame,
At least one of the connecting lead and the mounting lead is bent to the opposite side of the laminated surface;
A piezoelectric oscillator characterized by that .
前記リードフレームは、実装端子が形成され、
前記実装端子の実装面が、前記モールドパッケージから露出していることを特徴とする請求項4に記載の圧電発振器。
The lead frame is formed with mounting terminals,
The piezoelectric oscillator according to claim 4, wherein a mounting surface of the mounting terminal is exposed from the mold package.
リードフレームから形成された複数のリードを有する圧電発振器であって、前記複数のリードに形成され相互に離間した端子が、パッケージの上下方向に複数段に配置され、前記端子として少なくとも圧電振動片が実装された接続端子を有し、
前記リードフレームは、少なくとも2枚の積層されたリードフレームであり、
かつ一方の前記リードフレームに接続用リードが形成され、他方の前記リードフレームに実装用リードが形成され、
前記接続用リードと前記実装用リードとのいずれか一方が積層面と反対側に折曲げしてある
ことを特徴とする圧電発振器。
A piezoelectric oscillator having a plurality of leads formed from a lead frame, wherein the terminals formed on the plurality of leads and spaced apart from each other are arranged in a plurality of stages in the vertical direction of the package, and at least a piezoelectric vibrating piece as the terminal Having mounted connection terminals ,
The lead frame is a laminated lead frame of at least two sheets,
And a lead for connection is formed on one of the lead frames, a lead for mounting is formed on the other lead frame,
One of the connecting lead and the mounting lead is bent to the side opposite to the laminated surface .
接続用リードを一方側に立ち上げて、圧電振動片との接続端子とする上側リードフレームと、実装用リードを他方側に立ち上げて、実装基板との実装端子とする下側リードフレームとを積層した積層リードフレームと、
前記積層リードフレームに実装した電子部品と、
前記接続端子の接続面と、前記実装端子の実装面とを露出させつつ前記積層リードフレームと前記電子部品とを封止したモールドパッケージと、
前記接続端子の接続面に実装される圧電振動片と、
前記圧電振動片を覆って前記モールドパッケージに気密に接合した蓋体と、
を備えたことを特徴とする圧電発振器。
An upper lead frame that raises the connection lead to one side and serves as a connection terminal to the piezoelectric vibrating piece, and a lower lead frame that serves as a mounting terminal to the mounting board by raising the mounting lead to the other side A laminated lead frame, and
Electronic components mounted on the laminated lead frame;
A mold package that seals the laminated lead frame and the electronic component while exposing the connection surface of the connection terminal and the mounting surface of the mounting terminal;
A piezoelectric vibrating piece mounted on the connection surface of the connection terminal;
A lid that covers the piezoelectric vibrating piece and is airtightly bonded to the mold package;
A piezoelectric oscillator comprising:
前記モールドパッケージは、前記接続端子を露出させた面に耐湿材を塗布してあることを特徴とする請求項4,5,および7のいずれかに記載の圧電発振器。 8. The piezoelectric oscillator according to claim 4, wherein the mold package is formed by applying a moisture-proof material to a surface where the connection terminal is exposed. 前記モールドパッケージの前記接続端子が設けられた側にて、前記モールドパッケージのモールド材または圧電振動片の実装に用いられていない接続端子により前記圧電振動片側へ突出する凸部を形成し、この凸部を前記圧電振動片の支持手段としたことを特徴とする請求項4,5,および7のいずれかに記載の圧電発振器。 On the side of the mold package on which the connection terminal is provided, a protrusion projecting toward the piezoelectric vibrating piece is formed by a connection terminal that is not used for mounting the molding material or the piezoelectric vibrating piece of the mold package. The piezoelectric oscillator according to claim 4, wherein the portion is used as a supporting means for the piezoelectric vibrating piece. 前記接続端子は、露出した接続面に凹部を形成したことを特徴とする請求項4ないし9のいずれかに記載の圧電発振器。 The piezoelectric oscillator according to any one of claims 4 to 9 , wherein the connection terminal has a recess formed in an exposed connection surface. 前記実装端子は、露出した実装面に凹部または凸部を形成したことを特徴とする請求項5または7のいずれかに記載の圧電発振器。   8. The piezoelectric oscillator according to claim 5, wherein the mounting terminal has a concave portion or a convex portion formed on the exposed mounting surface. 9. 請求項4ないし11のいずれかに記載の圧電発振器を搭載したことを特徴とする電子機器。 An electronic apparatus comprising the piezoelectric oscillator according to claim 4 .
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