JP2007048780A - Wafer chamfering device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明はウェーハ面取り装置に関するもので、特にクーラント液を効率よく供給することのできるクーラントノズルを備えたウェーハ面取り装置に関する。 The present invention relates to a wafer chamfering apparatus, and more particularly to a wafer chamfering apparatus provided with a coolant nozzle capable of efficiently supplying a coolant liquid.
半導体デバイス等の素材となるシリコン等のウェーハは、インゴットの状態からスライシングマシンやワイヤーソー等で薄くスライスされたのち、周縁エッジ部の割れや欠けを防止するために周縁が面取り加工される。ウェーハの面取り加工は、高速回転させた砥石にウェーハを回転させながら近づけ、ウェーハの周縁を砥石で研削することにより行われる。 A wafer made of silicon or the like as a material for a semiconductor device or the like is sliced thinly from an ingot state with a slicing machine, a wire saw, or the like, and then the periphery is chamfered to prevent cracking or chipping of the peripheral edge portion. The chamfering of the wafer is performed by bringing the wafer close to the grindstone rotated at high speed while grinding the periphery of the wafer with the grindstone.
研削加工部には、ウェーハ及び砥石の冷却と研削屑の除去洗浄を目的としてクーラント液を供給する。このクーラント液が効果的に効率よく供給されないと、ウェーハ及び砥石の温度上昇や砥石の目詰まりによる加工精度の低下や、加工面粗さの悪化をまねき、加工品質が低下する。 A coolant is supplied to the grinding section for the purpose of cooling the wafer and the grindstone and removing and cleaning the grinding debris. If this coolant liquid is not supplied effectively and efficiently, the processing quality deteriorates due to a decrease in processing accuracy due to a rise in the temperature of the wafer and the grindstone and clogging of the grindstone, and a deterioration in the surface roughness of the processing surface.
ところが、従来のウェーハ面取り装置においては、ウェーハの加工ポイント近辺に向けて大量のクーラント液を噴射するようにしたものがほとんどであった(例えば、特許文献1参照。)。 However, in most conventional wafer chamfering apparatuses, a large amount of coolant is sprayed toward the vicinity of the processing point of the wafer (see, for example, Patent Document 1).
この特許文献1に記載のウェーハ面取り装置では、図9に記載のように、ウェーハWの接線方向の両側から加工ポイントに向けてクーラント液を噴射するクーラントノズル130、130がウェーハWに対して相対的に固定状態で設けられている。
ところで、ウェーハWの面取り加工では、最終面取り形状に対応する溝を有する総形砥石が用いられることが多い。また、この総形砥石の回転軸をウェーハWの外周接線方向に傾斜させたヘリカル研削と称される工法が用いられ、面取り加工面の面粗さ低減に大いなる効果を発揮している。 By the way, in the chamfering of the wafer W, a general-purpose grindstone having a groove corresponding to the final chamfered shape is often used. In addition, a method called helical grinding in which the rotation axis of the general-purpose grindstone is inclined in the outer peripheral tangential direction of the wafer W is used, and the effect of greatly reducing the surface roughness of the chamfered surface is exhibited.
しかし、総形砥石による面取り加工や、総形砥石を用いたヘリカル研削による面取り加工の場合、接触長が長いため加工ポイントにクーラント液が届きにくく、前述した特許文献1に記載されたような従来のクーラント液の供給方法では、ウェーハW及び砥石の冷却と研削屑の除去洗浄というクーラント液の効果を達成するには不十分であった。 However, in the case of chamfering with a general-purpose grindstone or chamfering with helical grinding using a general-purpose grindstone, the coolant is difficult to reach the processing point because of the long contact length, and the conventional technology as described in Patent Document 1 described above. This coolant liquid supply method is insufficient to achieve the effect of the coolant liquid, that is, the cooling of the wafer W and the grindstone and the removal cleaning of the grinding debris.
また、半導体ウェーハのような単結晶材料の場合、結晶方位を示すための基準としてウェーハ外周にノッチが形成されている場合が多いが、このノッチ部の面取りでは特に加工ポイントにクーラント液が到達し難いという問題があった。 In the case of a single crystal material such as a semiconductor wafer, a notch is often formed on the outer periphery of the wafer as a reference for indicating the crystal orientation. There was a problem that it was difficult.
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、ウェーハ及び砥石の冷却と研削屑の除去洗浄というクーラント液本来の目的を十分達成することのできる、効率のよいクーラント液の供給を可能にしたウェーハ面取り装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and enables efficient supply of coolant liquid that can sufficiently achieve the original purpose of coolant liquid, that is, cooling of wafers and grindstones, and removal and cleaning of grinding debris. An object of the present invention is to provide a wafer chamfering apparatus.
本発明は前記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、回転するウェーハの外周を回転する砥石で研削し、該ウェーハの外周エッジ部を面取りするウェーハ面取り装置において、クーラント液を供給するクーラントノズルであって、供給されたクーラント液がウェーハ表面で表面内側から外周に向けて広がって研削位置に到達するように、前記ウェーハの表面内側にクーラント液を供給するクーラントノズルが設けられたことを特徴とするウェーハ面取り装置を提供する。 In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 is directed to a wafer chamfering apparatus that grinds the outer periphery of a rotating wafer with a rotating grindstone and chamfers the outer peripheral edge portion of the wafer. A coolant nozzle for supplying a coolant liquid is provided on the inner surface of the wafer so that the supplied coolant liquid spreads from the inner surface to the outer periphery on the wafer surface and reaches a grinding position. There is provided a wafer chamfering apparatus characterized by the above.
請求項1の発明によれば、クーラント液がウェーハの表面内側に供給され、ウェーハ表面で噴射力と遠心力とによって表面内側から外周に向けて広がって研削位置に到達するので、総形砥石を用いたヘリカル研削による面取り加工の場合やノッチ部の面取り加工の場合においても、加工ポイントに効率よくクーラント液を供給することができ、加工品質の向上を図ることができる。 According to the first aspect of the present invention, the coolant liquid is supplied to the inner surface of the wafer and spreads from the inner surface to the outer periphery by the spray force and the centrifugal force to reach the grinding position. Even in the case of chamfering by helical grinding used or in the case of chamfering of the notch portion, the coolant liquid can be efficiently supplied to the processing point, and the processing quality can be improved.
請求項2に記載の発明は、請求項1の発明において、前記クーラントノズルは、前記面取りされるウェーハに対して相対的に固定して設置されたことを特徴とする。請求項2の発明によれば、クーラントノズルがウェーハに対して相対的に固定して設置されているので、全ての砥石の研削時に作用させることができ、クーラントノズルの数を減ずることができて、装置の複雑化を防止することができる。 According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the coolant nozzle is fixedly installed relative to the chamfered wafer. According to the invention of claim 2, since the coolant nozzle is installed relatively fixed to the wafer, it can be applied at the time of grinding all the grindstones, and the number of coolant nozzles can be reduced. Therefore, complication of the apparatus can be prevented.
請求項3に記載の発明は、請求項1又は請求項2の発明において、前記クーラントノズルは、前記面取りされるウェーハの上下両面に対して夫々設けられたことを特徴とする。
請求項2の発明によれば、ウェーハの上下両面に対して夫々クーラントノズルを設けているので、ウェーハの両面から加工ポイントに効率よくクーラント液を供給することができる。
According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect of the present invention, the coolant nozzle is provided on each of upper and lower surfaces of the chamfered wafer.
According to the invention of claim 2, since the coolant nozzles are provided on both the upper and lower surfaces of the wafer, the coolant liquid can be efficiently supplied to the processing point from both surfaces of the wafer.
請求項4に記載の発明は、回転するウェーハの外周を回転する砥石で研削し、該ウェーハの外周エッジ部を面取りするウェーハ面取り装置において、前記砥石に対して相対的に固定して設置され、前記砥石の加工面、端面、及び砥石の台金表面に同時にクーラント液を供給するクーラントノズルが設けられたことを特徴とするウェーハ面取り装置を提供する。 The invention according to claim 4 is a wafer chamfering device for grinding the outer periphery of a rotating wafer with a rotating grindstone and chamfering the outer peripheral edge portion of the wafer, and is fixed and installed relative to the grindstone. There is provided a wafer chamfering apparatus comprising a coolant nozzle for supplying a coolant liquid simultaneously to a processing surface and an end surface of the grindstone and a base metal surface of the grindstone.
請求項4の発明によれば、砥石の加工面、端面、及び砥石の台金表面に同時にクーラント液を供給するクーラントノズルを砥石に対して相対的に固定して設けたので、砥石の移動に関係なく砥石全体の温度を一定に保つことができるとともに、研削屑の除去洗浄効果が大である。 According to the invention of claim 4, since the coolant nozzle for supplying the coolant liquid to the processing surface, the end surface of the grindstone and the base metal surface of the grindstone is fixed relative to the grindstone at the same time. Regardless of the temperature of the entire grindstone can be kept constant, the grinding scrap removal and cleaning effect is great.
請求項5に記載の発明は、請求項4の発明において、前記クーラントノズルは、前記クーラント液を砥石幅以上に薄く広げるように形成された噴射口を有することを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, in the fourth aspect of the invention, the coolant nozzle has an injection port formed so as to spread the coolant liquid thinner than a grindstone width.
請求項5の発明によれば、クーラントノズルの噴射口は、クーラント液を砥石幅以上に薄く広げるように形成されているので、1個のノズルで砥石の台金も含めた砥石全体を冷却及び洗浄することができ、クーラント液の消費量も少ない。 According to the invention of claim 5, since the nozzle of the coolant nozzle is formed so as to spread the coolant liquid thinly beyond the width of the grindstone, the entire grindstone including the grindstone base metal is cooled and It can be cleaned and consumes less coolant.
請求項6に記載の発明は、請求項4又は請求項5の発明において、前記砥石の回転中は、前記ウェーハの着脱時を除いて常時前記クーラントノズルからクーラント液を供給することを特徴とする。 According to a sixth aspect of the invention, in the fourth or fifth aspect of the invention, during the rotation of the grindstone, the coolant liquid is constantly supplied from the coolant nozzle except when the wafer is attached or detached. .
請求項6の発明によれば、ウェーハの着脱時を除いて常時クーラント液を砥石幅以上に供給するので、研削屑の付着防止や除去洗浄効果が大で、砥石の温度上昇も防止して一定の温度に保つことができる。 According to the sixth aspect of the present invention, the coolant liquid is constantly supplied to the wheel width or more except when the wafer is attached / detached. Therefore, the effect of preventing adhesion and removal of grinding debris is great, and the temperature of the wheel is prevented from rising and constant. Can be kept at a temperature of
請求項7に記載の発明は、回転するウェーハの外周を回転する砥石で研削し、該ウェーハの外周エッジ部を面取りするウェーハ面取り装置において、面取り用の複数の溝が形成された研削砥石と、前記研削砥石に対して相対的に固定して設置され、前記研削砥石による研削加工点に集中的にクーラント液を供給するクーラントノズルと、が設けられ、前記研削砥石による研削加工時のみ前記クーラントノズルからクーラント液を供給し、前記研削砥石による研削加工時以外はクーラント液の供給を停止することを特徴とするウェーハ面取り装置を提供する。 The invention according to claim 7 is a grinding wheel with a plurality of chamfering grooves formed in a wafer chamfering apparatus for grinding the outer periphery of a rotating wafer with a rotating grindstone and chamfering the outer peripheral edge portion of the wafer, A coolant nozzle that is fixed relative to the grinding wheel and supplies a coolant liquid intensively to a grinding point by the grinding wheel, and is provided only when grinding with the grinding wheel. The wafer chamfering apparatus is characterized in that the coolant liquid is supplied from the outside and the supply of the coolant liquid is stopped except during grinding by the grinding wheel.
請求項7の発明によれば、面取り用の複数の溝が形成された研削砥石の研削加工点に集中的にクーラント液を供給するクーラントノズルが設けられているので、例えばクーラント液が到達し難いノッチ部の研削加工点にも効率よくクーラント液を供給することができる。また、研削加工時以外はクーラント液の供給を停止するので、クーラント液の消費量を節約することができる。 According to the invention of claim 7, since the coolant nozzle that supplies the coolant liquid intensively to the grinding point of the grinding wheel in which a plurality of chamfering grooves are formed is provided, for example, the coolant liquid is difficult to reach. The coolant liquid can be efficiently supplied to the grinding point of the notch portion. Further, since the supply of the coolant liquid is stopped except during grinding, the consumption amount of the coolant liquid can be saved.
請求項8に記載の発明は、請求項7の発明において、前記クーラントノズルは、前記研削砥石に対して相対的に固定して設置されるとともに、前記研削砥石の複数の溝のうち加工に供する溝の位置に応じて位置調整可能に設けられたことを特徴とする。 The invention according to an eighth aspect is the invention according to the seventh aspect, wherein the coolant nozzle is fixedly installed with respect to the grinding wheel and is used for processing among a plurality of grooves of the grinding wheel. It is characterized in that the position can be adjusted according to the position of the groove.
請求項8の発明によれば、研削砥石に対して相対的に固定してクーラントノズルが設けられているので、研削砥石の移動に関係なく研削砥石にクーラント液を供給することができる。また、クーラントノズルが研削砥石の複数の溝のうち加工に供する溝の位置に応じて位置調整可能に設けられているので、研削加工点に効率よくクーラント液を供給することができる。 According to the invention of claim 8, since the coolant nozzle is provided relatively fixed to the grinding wheel, the coolant liquid can be supplied to the grinding wheel regardless of the movement of the grinding wheel. Moreover, since the coolant nozzle is provided so that the position can be adjusted according to the position of the groove to be processed among the plurality of grooves of the grinding wheel, the coolant liquid can be efficiently supplied to the grinding point.
また、請求項9に記載の発明は、請求項8の発明において、前記クーラントノズルは、 前記面取り加工する加工室外で、前記溝の位置に応じた位置調整が可能に設けられたことを特徴とする。 The invention according to claim 9 is characterized in that, in the invention according to claim 8, the coolant nozzle is provided outside the processing chamber for chamfering so that the position can be adjusted according to the position of the groove. To do.
請求項9の発明によれば、クーラントノズルは面取り加工する加工室外で位置調整が可能に設けられているので、研削砥石の複数の溝のうち加工に供する溝の位置に応じた位置調整を容易に行うことができる。 According to the invention of claim 9, since the coolant nozzle is provided so that the position of the coolant nozzle can be adjusted outside the chamfering processing chamber, it is easy to adjust the position according to the position of the groove used for processing among the plurality of grooves of the grinding wheel. Can be done.
また、請求項10に記載の発明は、請求項9の発明において、前記クーラントノズルを前記加工に供する溝の位置に合わせるための合マークが設けられ、該合マークが前記加工室外部に設けられたことを特徴とする。 According to a tenth aspect of the present invention, in the ninth aspect of the present invention, an alignment mark is provided for aligning the coolant nozzle with a position of the groove for the processing, and the alignment mark is provided outside the processing chamber. It is characterized by that.
請求項10の発明によれば、クーラントノズルを前記加工に供する溝の位置に合わせるための合マークが加工室外部に設けられているので、研削砥石の複数の溝のうち加工に供する溝を変更する時に、溝の位置に応じた位置調整を極めて容易に行うことができる。
According to the invention of
請求項11に記載の発明は、回転するウェーハの外周を回転する砥石で研削し、該ウェーハの外周エッジ部を面取りするウェーハ面取り装置において、前記ウェーハのノッチ部を面取りするノッチ研削砥石と、前記ノッチ部の直線部分に平行にクーラント液を供給するクーラントノズルと、が設けられたことを特徴とするウェーハ面取り装置を提供する。
The invention according to
請求項11の発明によれば、ウェーハのノッチ部の直線部分に平行にクーラント液を供給するクーラントノズルが設けられているので、総形砥石を用いた面取り加工の場合であっても、クーラント液が到達し難いノッチ部の研削加工点に効率よくクーラント液を供給することができ、加工品質の向上を図ることができる。 According to the eleventh aspect of the invention, since the coolant nozzle for supplying the coolant liquid is provided in parallel to the straight portion of the notch portion of the wafer, the coolant liquid can be used even in the case of chamfering using a general-purpose grindstone. Therefore, it is possible to efficiently supply the coolant liquid to the grinding point of the notch portion that is difficult to reach, and to improve the machining quality.
以上説明したように本発明のウェーハ面取り装置によれば、効率のよいクーラント液の供給が可能で、ウェーハ及び砥石の冷却と研削屑の除去洗浄というクーラント液本来の目的を十分達成することができる。 As described above, according to the wafer chamfering apparatus of the present invention, it is possible to efficiently supply the coolant liquid, and it is possible to sufficiently achieve the original purpose of the coolant liquid, that is, the cooling of the wafer and the grindstone and the removal cleaning of the grinding dust. .
以下添付図面に従って本発明に係るウェーハ面取り装置の好ましい実施の形態について詳説する。尚、各図において同一部材には同一の番号または記号を付している。 Hereinafter, preferred embodiments of a wafer chamfering apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In each figure, the same number or symbol is attached to the same member.
図1は、ウェーハ面取り装置の主要部を示す正面図である。ウェーハ面取り装置10は、ウェーハ送りユニット20、砥石回転ユニット50、図示しないウェーハ供給/収納部、ウェーハ洗浄/乾燥部、ウェーハ搬送手段、及び面取り装置各部の動作を制御するコントローラ等から構成されている。
FIG. 1 is a front view showing a main part of the wafer chamfering apparatus. The
ウェーハ送りユニット20は、本体ベース11上に載置されたX軸ベース21、2本のX軸ガイドレール22、22、4個のX軸リニアガイド23、23、…、ボールスクリュー及びステッピングモータから成るX軸駆動手段25によって図のX方向に移動されるXテーブル24を有している。
The
Xテーブル24には、2本のY軸ガイドレール26、26、4個のY軸リニアガイド27、27、…、図示しないボールスクリュー及びステッピングモータから成るY軸駆動手段によって図のY方向に移動されるYテーブル28が組込まれている。
The X table 24 is moved in the Y direction in the figure by Y axis driving means comprising two Y
Yテーブル28には、2本のZ軸ガイドレール29、29と図示しない4個のZ軸リニアガイドによって案内され、ボールスクリュー及びステッピングモータから成るZ軸駆動手段30によって図のZ方向に移動されるZテーブル31が組込まれている。 The Y table 28 is guided by two Z-axis guide rails 29 and 29 and four Z-axis linear guides (not shown), and is moved in the Z direction in the figure by a Z-axis driving means 30 comprising a ball screw and a stepping motor. Z table 31 is incorporated.
Zテーブル31には、θ軸モータ32、θスピンドル33が組込まれ、θスピンドル33にはウェーハテーブル34が取り付けられており、ウェーハテーブル34はウェーハテーブル回転軸心CWを中心として図のθ方向に回転される。ウェーハテーブル34の上面は、図示しない真空源と連通する吸着面になっており、面取り加工されるウェーハWが載置されて吸着固定される。
The Z table 31 incorporates a θ-
また、ウェーハテーブル34の下部には、ウェーハWの周縁を仕上げ面取りする砥石のツルーイングに用いるツルーイング砥石41が、ウェーハテーブル回転軸心CWと同心に取り付けられている。
A truing
このウェーハ送りユニット20によって、ウェーハW及びツルーイング砥石41は図のθ方向に回転されるとともに、X、Y、及びZ方向に移動される。
By this
砥石回転ユニット50は、外周加工砥石52が取り付けられ、図示しない外周砥石モータによって軸心CHを中心に回転駆動される外周砥石スピンドル51、外周加工砥石52の上方に配置されたターンテーブル53に取付けられた外周精研スピンドル54及び外周精研モータ56、ノッチ粗研スピンドル60及びノッチ粗研モータ62、ノッチ精研スピンドル57及びノッチ精研モータ59を有している。
The
外周精研スピンドル54にはウェーハWの外周を仕上げ研削する面取り砥石である外周精研削砥石55が取付けられ、ノッチ粗研スピンドル60にはノッチ粗研削砥石61が、またノッチ精研スピンドル57にはノッチ部を仕上げ研削する面取り砥石であるノッチ精研削砥石58が取付けられている。
An outer peripheral
外周精研削砥石55、ノッチ精研削砥石58、及びノッチ粗研削砥石61はターンテーブル53の回転によって夫々加工位置に位置付けられる。
The outer peripheral
図2は、外周加工砥石52の構成を表わしたものである。外周加工砥石52は3段構成になっており、最下部はツルーイング砥石41の外周形状を形成するマスター溝52aを有するマスター砥石52Aで、中間部はウェーハWの外周粗研削用溝52bが形成された外周粗研削砥石52Bになっており、最上部はウェーハWのオリフラ及びオリフラコーナー精研削用溝52dが形成され、オリフラ及びオリフラコーナーを仕上げ研削する面取り砥石であるオリフラ及びオリフラコーナー精研削砥石52Dになっている。
FIG. 2 shows the configuration of the outer
なお、図2においては説明を簡略にするため、各砥石に夫々1個の溝が記載されているが、実際には摩耗による溝形状の変形に対処するため、各砥石には夫々複数個の溝が形成されている。 In FIG. 2, one groove is described for each grindstone in order to simplify the description. However, in order to deal with deformation of the groove shape due to wear, a plurality of grindstones are actually provided for each grindstone. Grooves are formed.
本実施の形態においては、ツルーイング砥石41は加工されるウェーハWと略同径、同厚の円盤状GC砥石が用いられ、砥石の粒度は#320である。
In the present embodiment, the truing
また、マスター砥石52Aは直径202mmのダイヤモンド砥粒のメタルボンド砥石で、粒度#600とした。また外周粗研削砥石52Bは、直径202mmのダイヤモンド砥粒のメタルボンド砥石で、粒度#800である。また、オリフラ及びオリフラコーナー精研削砥石52Dは、直径202mmのダイヤモンド砥粒のレジンボンド砥石で、粒度#3000である。
The master grindstone 52A was a diamond bonded metal bond grindstone with a diameter of 202 mm and had a particle size of # 600. The outer peripheral
外周精研削砥石55は、直径50mmのダイヤモンド砥粒のレジンボンド砥石で、粒度#3000とした。また、ノッチ粗研削砥石61は直径1.8mm〜2.4mmの小径で、ダイヤモンド砥粒のレジンボンド砥石、粒度#800が用いられ、ノッチ精研削砥石58は、直径1.8mm〜2.4mmの小径で、ダイヤモンド砥粒のレジンボンド砥石、粒度#4000が用いられている。
The
外周砥石スピンドル51は、ボールベアリングを用いたビルトインモータ駆動のスピンドルで、回転速度8,000rpmで回転される。また、外周精研スピンドル54はエアーベアリングを用いたビルトインモータ駆動のスピンドルで、回転速度35,000rpmで回転される。
The outer peripheral
ノッチ粗研スピンドル60は、エアーベアリングを用いたエアータービン駆動のスピンドルで、回転速度80,000rpmで回転され、ノッチ精研スピンドル57はエアーベアリングを用いたビルトインモータ駆動のスピンドルで、回転速度150,000rpmで回転される。
The notch
図3は、外周精研スピンドル54の軸心をウェーハテーブル回転軸心CWに対してウェーハ外周の接線方向に傾斜させたヘリカル研削によって、ウェーハWの外周を仕上げ面取りする様子を表している。このように、研削用の溝付砥石を用いてヘリカル研削をおこなうことによって、砥粒の運動方向がウェーハ外周の運動方向と交差するため研削面の粗さが極度に改善される。ただし、この場合はウェーハWとの接触長が長くなるので、クーラント液の供給の仕方に工夫を要する。
FIG. 3 shows a state in which the outer periphery of the wafer W is finished and chamfered by helical grinding in which the axis of the outer periphery
このように、各砥石には夫々の機能に応じて最適なクーラント液の供給方法が求められ、そのためのクーラントノズルの形状や配置が面取り加工において重要なポイントを占めている。以下に、本発明のウェーハ面取り装置10に設けられた各種のクーラントノズルについて説明する。
As described above, an optimum coolant liquid supply method is required for each grindstone in accordance with its function, and the shape and arrangement of the coolant nozzle for that purpose occupy an important point in chamfering. Below, the various coolant nozzles provided in the
図4は、外周加工砥石52でウェーハWの外周を面取り研削する様子を表す平面図である。ウェーハ面取り装置10は、ウェーハテーブル34の近傍にクーラントノズル71A、71Bを設けている。クーラントノズル71AはウェーハWの上面内側にクーラント液91Aを供給する。供給されたクーラント液91Aは噴射力と遠心力によってウェーハWの上面内側から外周にむけて広がり、外周加工砥石52による研削ポイントに到達する。
FIG. 4 is a plan view showing a state in which the outer periphery of the wafer W is chamfered and ground with the outer
また、クーラントノズル71BはウェーハWの下面内側に図示しないクーラント液を供給する。供給されたこのクーラント液も噴射力と遠心力によってウェーハWの下面内側から外周にむけて広がり、外周加工砥石52による研削ポイントに到達する。なお、クーラントノズル71A、71Bは、外周加工砥石52に対して相対的に固定して設けてもよいが、ウェーハWに対して相対的に固定して設けるほうがより好ましい。
Further, the
クーラントノズル71A、71BをウェーハWに対して相対的に固定して設けた場合は、
外周加工砥石52のみでなく、全ての砥石の研削時に作用させることができ、クーラントノズルの数を減ずることができる。そのため装置の複雑化を防止することができる。
When the
Not only the outer
クーラントノズル71A、71Bはクーラント液を前述のように供給可能に配置されているため、加工ポイントに効率よくクーラント液を供給することができ、加工品質の向上を図ることができる。
Since the
図5は、外周加工砥石52からやや離れた位置に設けられたクーラントノズル71Dを表している。クーラントノズル71Dは外周加工砥石52に対して相対的に固定して設けられたもので、図5中の拡大斜視図に示すように、クーラントノズル71Dの先端は扁平に形成され、細長断面の噴射口71dが形成されている。この細長断面の噴射口71dから供給されるクーラント液91Dは、薄く拡大されて外周加工砥石52の加工面、端面、及び台金52Cに供給される。
FIG. 5 shows a coolant nozzle 71 </ b> D provided at a position slightly away from the outer
なお、クーラント液91Dは、ウェーハWをウェーハテーブル34に対して着脱する時以外は常時供給するようにし、研削屑の付着防止や研削屑の除去洗浄効果を高めるとともに、外周加工砥石52の温度上昇を抑制するようにするのが好適である。
The
このように、クーラントノズル71Dを砥石に対して相対的に固定して設けるとともに、クーラント液91Dを外周加工砥石52全体に効率よく供給するので、外周加工砥石52のウェーハWに対する相対的な移動に関係なく砥石全体の温度を一定に保つことができ、研削屑の除去洗浄効果も大である。
As described above, the
なお、外周加工砥石52の研削加工点にクーラント液を供給するためのクーラントノズルは、図示を省略しているが、前述のクーラントノズル71Dとは別に加工点近傍に噴射口を有する後出のクーラントノズル71Cが設けられている。
Note that the coolant nozzle for supplying the coolant liquid to the grinding point of the outer
また、前述の実施形態ではクーラントノズル71Dを外周加工砥石52に適用させた例で説明したが、外周加工砥石52のみに限らず、外周精研削砥石55、ノッチ粗研削砥石61、及びノッチ精研削砥石58に適用させても効果が大である。
In the above-described embodiment, the example in which the
図6は、ノッチ精研削砥石58に適応させたクーラントノズル71Cを表している。クーラントノズル71Cは、ノッチ精研削砥石58に対して相対的に固定して設けられており、ノッチ精研削砥石58の研削加工点に集中的にクーラント液91Cを供給するように配置されている。なお、クーラント液91Cはノッチ精研削砥石58による研削加工時にのみ供給するようにし、クーラント液91Cの消費量を節減している。
FIG. 6 shows a coolant nozzle 71 </ b> C adapted to the notch
また、ノッチ精研削砥石58には面取り形状に合わせた複数の溝58a、58a、…が形成されており、クーラントノズル71Cは複数の溝58a、58a、…のうち研削加工に供する溝58aの位置に合わせて上下方向に位置調整できるように取り付けられている。
Further, a plurality of
ウェーハテーブル34に吸着固定されたウェーハWは、サイドカバー42及び上面カバー43で覆われた加工室40内で面取り加工されるが、クーラントノズル71Cの位置調整機構部80が加工室40の外側に設けられており、クーラントノズル71Cをノッチ精研削砥石58の溝58aの位置に合わせる上下位置調整を加工室40外で行うことができるようになっている。
The wafer W attracted and fixed to the wafer table 34 is chamfered in the
図6に示すように、クーラントノズル71Cは位置調整機構部80で配管72と接続され、位置調整の際には位置調整機構部80の合マーク85によって容易に位置合わせが可能になっている。
As shown in FIG. 6, the coolant nozzle 71 </ b> C is connected to the
合マーク85は、固定側のガイドベース81に設けられた目盛り85bと移動側に設けられた三角マーク85aとから構成されており、三角マーク85aの頂点を目盛り85bの所定位置に合わせることによって、クーラントノズル71Cの先端がノッチ精研削砥石58の該当する溝58aに合うようになっている。
The
図7は、位置調整機構部80の詳細を表した平面図である。位置調整機構部80は、固定側のガイドベース81、クーラントノズル71Cを保持するノズルホルダ82、締結板83、クランプねじ部材84、及び前出の合マーク85で構成されている。
FIG. 7 is a plan view showing details of the
ガイドベース81にはアリ溝ガイド用のアリ81aが形成されている。ノズルホルダ82は、一方の面には傾斜面82aを形成する切欠きが設けられ、他方の面側エッジ部には傾斜面82bが形成されている。締結板83は傾斜面83a、83bを有する断面凹形状をなしており、図7に示すように、クランプねじ部材84の雄ねじ部をノズルホルダ82に形成された雌ねじ部にねじ込むことによってノズルホルダ82に取り付けられる。
The
ノズルホルダ82の傾斜面82aと締結板83の傾斜面83aとでアリ溝ガイド用のアリ溝を形成するようになっており、ノズルホルダ82はこのアリ溝ガイド手段によって図7の紙面と垂直方向に案内されるようになっている。
A dovetail groove for guiding the dovetail groove is formed by the
クランプねじ部材84を締め付けると、締結板83の傾斜面83bとノズルホルダ82の傾斜面82bとが接触するとともに、締結板83の傾斜面83a及びノズルホルダ82の傾斜面82aがガイドベース81のアリ81aと接触し、ノズルホルダ82は固定される。また、クランプねじ部材84を緩めるとノズルホルダ82は移動可能になる。
When the
固定側のガイドベース81には、目盛り85bを記載した目盛り板87が取り付けられ、
移動側の締結板83には三角マーク85aを記載した表示板86が取り付けられている。
クーラントノズル71Cを位置調整するときは、クランプねじ部材84を緩めてノズルホルダ82を移動させ、三角マーク85aを該当する目盛り85bに合わせ、クランプねじ部材84を締め込んでクランプする。
A
A
When adjusting the position of the
クーラントノズル71Cはこのような機構で取り付けられているため、加工室40の外側でノッチ精研削砥石58の複数の溝58a、58a、…のうち研削加工に供する溝58aの位置に合わせて上下方向に容易に位置調整することができる。
Since the
なお、図6においては、ノッチ精研削砥石58全体にクーラント液91Dを供給するクーラントノズル71Dの記載は省略してある。また、この実施形態ではクーラントノズル71Cをノッチ精研削砥石58に適用させた例で説明したが、ノッチ精研削砥石58のみに限らず、ノッチ粗研削砥石61、外周加工砥石52、及び外周精研削砥石55に適用させても効果が大である。
In FIG. 6, the description of the
また、図8に示すように、ウェーハWのノッチ部Nを面取りする時は、図の矢印方向に回転するノッチ精研削砥石58に対してノッチ部Nの直線部N1に平行に1個のクーラントノズル71Cを設け、直線部N1に平行にクーラント液91Cを供給することにより、
直線部N1を面取りする時だけでなく直線部N2の面取りにおいても、クーラント液91Cがノッチ精研削砥石58の研削加工点に到達し易いのでより好適である。
As shown in FIG. 8, when chamfering the notch portion N of the wafer W, one coolant is parallel to the straight portion N1 of the notch portion N with respect to the notch
The coolant 91 </ b> C is more suitable not only when chamfering the straight portion N <b> 1 but also when chamfering the straight portion N <b> 2, because the coolant 91 </ b> C easily reaches the grinding point of the notch
また、ノッチ部Nの直線部N1及びN2に夫々平行に1個のクーラントノズル71Cを設け、両方のクーラントノズル71C、71Cからクーラント液91Cを供給ししながら
ノッチ部Nの面取りを行うようにしてもよい。
In addition, one
なお、この場合もクーラント液91Cをノッチ精研削砥石58による研削加工時にのみ供給することにより、クーラント液91Cの消費量を節減することができ好適である。
In this case as well, it is preferable to supply the
以上説明したように、本発明のウェーハ面取り装置10では各種のクーラントノズルを適切に配置したので、クーラント液を有効に研削加工点に到達させることができ、ウェーハWの面取り加工品質を高めるとともに、砥石の長寿命化を図ることができる。
As described above, since various coolant nozzles are appropriately arranged in the
なお、前述したウェーハ面取り装置の実施の形態では、各種のクーラントノズルを特定の砥石に合わせて適用させた形態のみで説明したが、本発明はこれに限らず、説明に供した砥石のみでなく他の砥石に対しても適用させることができる。例えば、図4に示したクーラントノズル71A、71Bで全ての砥石に対して作用させ、クーラント液91Aを供給するとともに、全ての砥石に夫々相対的に固定して設置された図6に示すクーラントノズル71Cと図5に示すクーラントノズル71Dを設けることが理想である。しかし、砥石のボンド材、台金などの種類によっては、1種類又は2種類のクーラントノズル設置やクーラント液供給を省略することが可能な場合がある。
In the above-described embodiment of the wafer chamfering apparatus, the description has been given only in the form in which various coolant nozzles are applied in accordance with the specific grindstone. However, the present invention is not limited to this and is not limited to the grindstone provided for the explanation. It can be applied to other grindstones. For example, the
10…ウェーハ面取り装置、52…外周加工砥石(砥石)、52C…台金、55…外周精研削砥石(砥石)、58…ノッチ精研削砥石(砥石、ノッチ研削砥石)、58a…溝、71A・71B・71C・71D…クーラントノズル、71d…噴射口、85…合マーク、91A・91C・91D…クーラント液、N…ノッチ部、N1・N2…直線部分、W…ウェーハ
DESCRIPTION OF
Claims (11)
クーラント液を供給するクーラントノズルであって、供給されたクーラント液がウェーハ表面で表面内側から外周に向けて広がって研削位置に到達するように、前記ウェーハの表面内側にクーラント液を供給するクーラントノズルが設けられたことを特徴とするウェーハ面取り装置。 In a wafer chamfering apparatus that grinds the outer periphery of a rotating wafer with a rotating grindstone and chamfers the outer peripheral edge portion of the wafer,
A coolant nozzle that supplies a coolant liquid, and supplies the coolant liquid to the inside of the surface of the wafer so that the supplied coolant spreads from the inside to the outside of the wafer and reaches the grinding position. A wafer chamfering apparatus characterized by comprising:
前記砥石に対して相対的に固定して設置され、前記砥石の加工面、端面、及び砥石の台金表面に同時にクーラント液を供給するクーラントノズルが設けられたことを特徴とするウェーハ面取り装置。 In a wafer chamfering apparatus that grinds the outer periphery of a rotating wafer with a rotating grindstone and chamfers the outer peripheral edge portion of the wafer,
A wafer chamfering apparatus, wherein a coolant nozzle is provided that is fixed relative to the grindstone and supplies coolant liquid simultaneously to a processing surface, an end surface of the grindstone, and a base metal surface of the grindstone.
前記クーラント液を砥石幅以上に薄く広げるように形成された噴射口を有することを特徴とする請求項4に記載のウェーハ面取り装置。 The coolant nozzle is
The wafer chamfering apparatus according to claim 4, further comprising an injection port formed so as to spread the coolant liquid thinner than a grindstone width.
面取り用の複数の溝が形成された研削砥石と、
前記研削砥石に対して相対的に固定して設置され、前記研削砥石による研削加工点に集中的にクーラント液を供給するクーラントノズルと、が設けられ、
前記研削砥石による研削加工時のみ前記クーラントノズルからクーラント液を供給し、前記研削砥石による研削加工時以外はクーラント液の供給を停止することを特徴とするウェーハ面取り装置。 In a wafer chamfering apparatus that grinds the outer periphery of a rotating wafer with a rotating grindstone and chamfers the outer peripheral edge portion of the wafer,
A grinding wheel formed with a plurality of chamfering grooves,
A coolant nozzle that is fixed and installed relative to the grinding wheel, and that supplies a coolant liquid intensively to a grinding point by the grinding wheel; and
A wafer chamfering apparatus, wherein a coolant liquid is supplied from the coolant nozzle only during grinding with the grinding wheel, and supply of the coolant liquid is stopped except during grinding with the grinding wheel.
前記研削砥石に対して相対的に固定して設置されるとともに、前記研削砥石の複数の溝のうち加工に供する溝の位置に応じて位置調整可能に設けられたことを特徴とする請求項7に記載のウェーハ面取り装置。 The coolant nozzle is
8. The apparatus according to claim 7, wherein the position is relatively fixed with respect to the grinding wheel, and the position of the plurality of grooves of the grinding wheel is adjustable in accordance with a position of a groove to be processed. The wafer chamfering apparatus according to 1.
前記面取り加工する加工室外で、前記溝の位置に応じた位置調整が可能に設けられたことを特徴とする請求項8に記載のウェーハ面取り装置。 The coolant nozzle is
The wafer chamfering apparatus according to claim 8, wherein the wafer chamfering apparatus is provided outside the processing chamber for chamfering so as to be capable of adjusting a position according to the position of the groove.
前記ウェーハのノッチ部を面取りするノッチ研削砥石と、
前記ノッチ部の直線部分に平行にクーラント液を供給するクーラントノズルと、が設けられたことを特徴とするウェーハ面取り装置。 In a wafer chamfering apparatus that grinds the outer periphery of a rotating wafer with a rotating grindstone and chamfers the outer peripheral edge portion of the wafer,
A notch grinding wheel for chamfering the notch portion of the wafer;
A wafer chamfering apparatus, comprising: a coolant nozzle that supplies a coolant liquid in parallel to the straight portion of the notch portion.
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JP2011079124A (en) * | 2009-10-01 | 2011-04-21 | Kapp Gmbh | Hard-finishing machine for hard-finishing workpiece |
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