JP2007042864A - Prober and probing test method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve a prober and a probing method which substantially improves the throughput with a simple configuration. <P>SOLUTION: The prober for connecting terminals of a tester to electrodes of a semiconductor device formed on a wafer 15 comprises a probe card 13 having probes 12, a wafer chuck 16 having temperature adjusting means for adjusting the temperature of parts for holding the wafer after holding the wafer, a wafer delivery mechanism, and a controller for controlling each part. The controller obtains test information including temperature conditions at the test of the wafers of the next lot to be housed in the next fed wafer cassette before finishing the test of the all wafers of the previous lot housed in the fed wafer cassette, and controls the temperature adjusting means of the wafer chuck just after finishing the test of all wafers of the previous lot according to test information of the wafers of the next lot. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ウエハ上に形成された複数の半導体チップ(ダイ)の電気的な検査を行うためにダイの電極をテスタに接続するプローバ及びプロービングテスト方法に関し、特にウエハを保持するウエハチャックの表面を加熱及び冷却して高温及び低温環極で検査が行えるウエハプローバ及びプロービングテスト方法に関する。   The present invention relates to a prober and a probing test method for connecting a die electrode to a tester in order to electrically inspect a plurality of semiconductor chips (dies) formed on a semiconductor wafer, and more particularly to a wafer chuck for holding a wafer. The present invention relates to a wafer prober and a probing test method in which a surface can be heated and cooled to perform inspection at a high temperature and a low temperature.

半導体製造工程では、薄い円板状の半導体ウエハに各種の処理を施して、半導体装置(デバイス)をそれぞれ有する複数のチップ(ダイ)を形成する。各チップは電気的特性が検査され、その後ダイサーで切り離なされた後、リードフレームなどに固定されて組み立てられる。上記の電気的特性の検査は、プローバとテスタで構成されるウエハテストシステムにより行われる。プローバは、ウエハをステージに固定し、各チップの電極パッドにプローブを接触させる。テスタは、プローブに接続される端子から、電源および各種の試験信号を供給し、チップの電極に出力される信号をテスタで解析して正常に動作するかを確認する。   In the semiconductor manufacturing process, various processes are performed on a thin disk-shaped semiconductor wafer to form a plurality of chips (dies) each having a semiconductor device (device). Each chip is inspected for electrical characteristics, then separated by a dicer, and then fixed to a lead frame and assembled. The inspection of the electrical characteristics is performed by a wafer test system composed of a prober and a tester. The prober fixes the wafer to the stage and brings the probe into contact with the electrode pad of each chip. The tester supplies power and various test signals from the terminals connected to the probe, and analyzes the signals output to the electrodes of the chip with the tester to check whether it operates normally.

半導体装置は広い用途に使用されており、−50°Cのような低温環境や、150°Cのような高温環境でも使用される半導体装置(デバイス)もあり、ウエハプローバにはこのような環境での検査が行えることが要求される。そこで、プローバにおいてウエハを保持するウエハチャックのウエハ載置面の下に、例えば、ヒータ機構、チラー機構、ヒートポンプ機構などのウエハチャックの表面の温度を変えるウエハ温度調整機構を設けて、ウエハチャックの上に保持されたウエハを過熱又は冷却することが行われる。近年、ウエハを広い温度範囲、例えば、−55°C〜+200°Cに温度調整できるプローバも実現されている。   Semiconductor devices are used in a wide range of applications. There are also semiconductor devices (devices) that are used in a low temperature environment such as −50 ° C. and a high temperature environment such as 150 ° C. It is required to be able to perform inspection at Therefore, a wafer temperature adjusting mechanism for changing the surface temperature of the wafer chuck, such as a heater mechanism, a chiller mechanism, and a heat pump mechanism, is provided below the wafer mounting surface of the wafer chuck for holding the wafer in the prober. The wafer held on is overheated or cooled. In recent years, a prober capable of adjusting the temperature of a wafer in a wide temperature range, for example, −55 ° C. to + 200 ° C. has been realized.

ウエハを過熱又は冷却して検査を行う場合、正確且つ高速にウエハを設定温度にするかが重要である。ウエハの実際の温度と設定温度の誤差が大きければ正確な検査が行えないという問題を生じ、温度設定してからウエハが実際にその温度になるまでの時間が長いと、その間プローバで検査を行うことはできず、スループットが低下するという問題を生じる。   When the inspection is performed by overheating or cooling the wafer, it is important to set the wafer at a set temperature accurately and at high speed. If the error between the actual temperature of the wafer and the set temperature is large, there is a problem that accurate inspection cannot be performed. If the time until the wafer actually reaches the temperature after setting the temperature is long, the prober inspects during that time. This is not possible, resulting in a problem of reduced throughput.

特許文献1は、非検査物の温度を正確に制御する検査方法及び検査装置を記載している。   Patent Document 1 describes an inspection method and an inspection apparatus that accurately control the temperature of a non-inspection object.

特許文献2は、低温での検査を行うプローバにおいて、スループットを向上する構成を記載している。   Patent Document 2 describes a configuration for improving throughput in a prober that performs inspection at a low temperature.

特許文献3は、ウエハを正確に且つ高速に温度制御するプローバを記載している。   Patent Document 3 describes a prober that controls the temperature of a wafer accurately and at high speed.

このように、ウエハを過熱又は冷却して検査を行うプローバについては、広く知られているので、これ以上の説明は省略する。   As described above, probers that perform inspection by overheating or cooling a wafer are widely known, and thus further description thereof is omitted.

量産工程においては、1枚のウエハに数百個のチップが形成されているため、1枚のウエハに形成されたすべてのチップの検査が終了するのに通常30分以上要し、長いものでは数時間から十数時間を要する場合もある。また、検査するウエハは、ウエハカセットに収容されて供給され、プローバでは、ウエハ受け渡し機構によりウエハカセットから1枚のウエハを取り出してウエハチャックに載置して検査を行い、検査の終了したウエハはウエハ受け渡し機構によりウエハチャックからウエハカセットに戻し、ウエハカセット内のすべてのウエハの検査が終了すると、ウエハカセットを回収する。一般のウエハカセットは十数枚から数十枚のウエハを収容することが可能であり、ウエハカセット内のすべてのウエハの検査が終了するには非常に長い時間を要する。通常、1つのウエハカセット内のウエハを1ロットと称するので、ここでもこの語を使用する。   In the mass production process, since several hundred chips are formed on one wafer, it usually takes 30 minutes or more to complete the inspection of all the chips formed on one wafer. It may take several hours to ten and several hours. The wafer to be inspected is supplied while being accommodated in a wafer cassette, and the prober takes out one wafer from the wafer cassette by the wafer transfer mechanism and places it on the wafer chuck for inspection. The wafer is returned from the wafer chuck to the wafer cassette by the wafer delivery mechanism, and when the inspection of all the wafers in the wafer cassette is completed, the wafer cassette is recovered. A general wafer cassette can accommodate ten to several tens of wafers, and it takes a very long time to complete the inspection of all the wafers in the wafer cassette. Usually, the wafer in one wafer cassette is referred to as one lot, so this term is also used here.

そこで、量産工程においては、一人のオペレータが隣接して配置された多数のプローバを管理し、未検査のウエハを収容したウエハカセットの供給及び検査済みのウエハを収容したウエハカセットの回収を行っている。プローバは、ウエハカセット内(1ロット)のすべてのウエハの検査が終了すると、インジケータで検査の終了を報知し、オペレータはインジケータによる報知を認めると、検査済みのウエハを収容したウエハカセットを取り外し、次に検査するウエハを収容したウエハカセット(次ロット)をセットする。この時、オペレータは検査時の温度を入力する。なお、ウエハカセットに付されたバーコードなどを読み取らせて温度を入力する場合もあり得る。   Therefore, in the mass production process, a single operator manages a number of adjacent probers, supplies wafer cassettes that contain uninspected wafers, and collects wafer cassettes that contain inspected wafers. Yes. When the inspection of all the wafers in the wafer cassette (one lot) is completed, the prober notifies the end of the inspection by an indicator. When the operator recognizes the notification by the indicator, the prober removes the wafer cassette containing the inspected wafer, Next, a wafer cassette (next lot) containing a wafer to be inspected is set. At this time, the operator inputs the temperature at the time of inspection. Note that the temperature may be input by reading a barcode or the like attached to the wafer cassette.

また、デバイスの種類が異なると、電極の配置や形状も異なる。そのため、デバイスの電極に接触するプローブが設けられたプローブカードを交換可能にし、デバイスの種類に対応したプローブカードを取り付けて検査を行う。上記のように、次に検査するウエハを収容したウエハカセットに交換する時、次に検査するウエハのデバイスが前に検査されたウエハのデバイスと異なり、プローブカードを変更する必要のある時には、オペレータはウエハカセットを交換すると同時にプローブカードも交換する。   In addition, the arrangement and shape of the electrodes differ depending on the type of device. Therefore, the probe card provided with the probe that contacts the electrode of the device can be exchanged, and the probe card corresponding to the type of the device is attached for inspection. As described above, when the wafer cassette to be inspected next is replaced with the wafer cassette to be inspected next, when the wafer device to be inspected is different from the previously inspected wafer device and the probe card needs to be changed, the operator Replaces the wafer cassette as well as the probe card.

プローブカードが交換されると、針位置検出機構によりプローブの位置を検出して記憶する。ウエハをチャックステージにチャックすると、アライメント用撮像装置によりウエハ上に各チップ(デバイス)の電極の位置を検出し、検出したプローブの位置データと電極の位置データに基づいて、プローブを電極に接触させるようにアライメントを行う。   When the probe card is replaced, the probe position is detected by the needle position detection mechanism and stored. When the wafer is chucked on the chuck stage, the position of the electrode of each chip (device) is detected on the wafer by the alignment imaging device, and the probe is brought into contact with the electrode based on the detected probe position data and electrode position data. Align so that.

なお、上記のように、ウエハカセットの供給と回収はオペレータにより行われるのが一般的であるが、搬送ロボットを使用してウエハカセットの供給と回収を自動で行うシステムも提案されている。また、プローブカードの交換を自動で行うことも提案されているが、自動化すると非常に高価なプローブカードを使用しない遊休状態で多数保持する必要がありコストパフォーマンスが悪いため、及びプローブカードは非常に破損しやすく着脱を完全に自動化するのが難しいため、実現はされていない。   As described above, the supply and recovery of the wafer cassette is generally performed by an operator, but a system that automatically supplies and recovers the wafer cassette using a transfer robot has also been proposed. It has also been proposed to automatically replace the probe card. However, if it is automated, it is necessary to hold a large number in an idle state without using a very expensive probe card, and the cost performance is poor. It has not been realized because it is easily damaged and it is difficult to fully automate attachment and detachment.

特開平8−210881号公報(全体)JP-A-8-210881 (Overall) 特開2000−294606号公報(全体)JP 2000-294606 A (Overall) 特開2004−2662066号公報(全体)Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-266666 (Overall)

半導体装置(デバイス)の製造工程では、製造コストに直接影響するためスループットが非常に重要である。特許文献2は、温度設定してからウエハが実際にその温度になるまでのセットアップ時間を短くしてスループットを向上する構成、及びウエハチャックとウエハカセットの間でウエハを受け渡しする時の時間を短縮する構成を記載している。また、特許文献3は、ウエハチャックとウエハカセットの間でウエハを受け渡しする時の時間を短縮する構成を記載している。   In the manufacturing process of a semiconductor device (device), the throughput is very important because it directly affects the manufacturing cost. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-228561 shortens the setup time until the wafer actually reaches the temperature after setting the temperature to improve the throughput, and shortens the time for transferring the wafer between the wafer chuck and the wafer cassette. The configuration to be described is described. Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-228561 describes a configuration for shortening the time for transferring a wafer between a wafer chuck and a wafer cassette.

前述のように、量産工程においては、ウエハカセットに多数のウエハを収容して検査を行っていたため、ウエハカセット内のすべてのウエハの検査が終了するまでに非常に長い時間を要するのが一般的であった。ウエハチャックとウエハカセットの間でのウエハの受け渡し時間の短縮化は、ウエハの受け渡しの度にスループット向上の効果がある。また、セットアップ時間の短縮化は、もともとのセットアップ時間が長いため、効果的なスループット向上が図れる。   As described above, in a mass production process, since a large number of wafers are stored in a wafer cassette and inspected, it generally takes a very long time to complete the inspection of all the wafers in the wafer cassette. Met. Reduction of the wafer transfer time between the wafer chuck and the wafer cassette has an effect of improving the throughput every time the wafer is transferred. In addition, the shortening of the setup time can effectively improve the throughput because the original setup time is long.

以上説明したように、従来から過熱又は冷却して検査を行うプローバにおいてスループット向上のための各種の構成が提案されているが、本発明は、実際の半導体製造工程の処理の流れに着目して、簡単な構成でスループットを向上する新しいプローバ及びプロービング方法を実現することを目的とする。   As described above, various configurations for improving throughput have been proposed in conventional probers that perform inspection by overheating or cooling, but the present invention focuses on the processing flow of the actual semiconductor manufacturing process. An object of the present invention is to realize a new prober and probing method that improves throughput with a simple configuration.

上記目的を実現するため、本発明のプローバ及びプロービング方法は、ウエハカセットに収容されて供給された前ロットのすべてのウエハの検査が終了する前に、次に供給されるウエハカセットに収容される次ロットのウエハの検査時の温度条件を含む検査情報を得て、前ロットのすべてのウエハの検査が終了した直後に次ロットのウエハの検査情報に従って、ウエハチャックの温度調整を開始することを特徴とする。   In order to achieve the above object, the prober and the probing method of the present invention are accommodated in the wafer cassette to be supplied next before the inspection of all the wafers in the previous lot accommodated in the wafer cassette is completed. Obtain inspection information including the temperature conditions at the time of inspection of the wafer of the next lot, and immediately start the wafer chuck temperature adjustment according to the inspection information of the wafer of the next lot immediately after the inspection of all the wafers of the previous lot is completed. Features.

すなわち、本発明のプローバは、ウエハ上に形成された半導体装置をテスタで検査をするために、前記テスタの各端子を前記半導体装置の電極に接続するプローバであって、前記半導体装置の電極に接触して前記電極を前記テスタの端子に接続するプローブを有するプローブカードと、ウエハを保持し、前記ウエハを保持する部分の温度を調整する温度調整手段を有するウエハチャックと、ウエハカセットと前記ウエハチャックの間で、前記ウエハを受け渡すウエハ受け渡し機構と、各部を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記ウエハカセットに収容されて供給された前ロットのすべてのウエハの検査が終了する前に、次に供給される前記ウエハカセットに収容される次ロットのウエハの検査時の温度条件を含む検査情報を得て、前ロットのすべてのウエハの検査が終了した直後に次ロットのウエハの検査情報に従って、前記ウエハチャックの前記温度調整手段を制御することを特徴とする。   That is, the prober of the present invention is a prober for connecting each terminal of the tester to the electrode of the semiconductor device in order to inspect the semiconductor device formed on the wafer by the tester, and to the electrode of the semiconductor device. A probe card having a probe that contacts and connects the electrode to a terminal of the tester; a wafer chuck having temperature adjustment means for holding a wafer and adjusting a temperature of a portion holding the wafer; a wafer cassette and the wafer A wafer transfer mechanism for transferring the wafer between the chucks and a control unit for controlling each unit, and the control unit completes the inspection of all wafers in the previous lot accommodated and supplied in the wafer cassette. Before the inspection, the inspection information including the temperature condition at the time of inspection of the wafer of the next lot accommodated in the wafer cassette to be supplied next is obtained. Accordance examination information of the wafer following the lot immediately after the inspection of all the wafers of Tsu bets has been completed, and controlling the temperature adjusting means of the wafer chuck.

また、本発明のプロービング方法は、ウエハカセットに収容されたウエハを、温度調整可能なウエハチャック上に保持してテスタで順次検査をするプロービングテスト方法であって、前記ウエハカセットに収容されて供給された前ロットのすべてのウエハの検査が終了する前に、次に供給される前記ウエハカセットに収容される次ロットのウエハの検査時の温度条件を含む検査情報を得て、前ロットのすべてのウエハの検査が終了した直後に次ロットのウエハの検査情報に従って、前記ウエハチャックの温度調整を開始することを特徴とする。   The probing method of the present invention is a probing test method in which wafers accommodated in a wafer cassette are held on a temperature-adjustable wafer chuck and sequentially inspected by a tester, which are accommodated in the wafer cassette and supplied. Before the inspection of all the wafers in the previous lot is completed, the inspection information including the temperature conditions at the time of inspection of the wafers in the next lot stored in the wafer cassette to be supplied next is obtained. Immediately after the inspection of the wafer is completed, the temperature adjustment of the wafer chuck is started according to the inspection information of the wafer of the next lot.

特許文献2及び3は、セットアップ時間及びウエハチャックとウエハカセットの間でのウエハ受け渡し時間の短縮化について記載しているが、ウエハカセット内のすべてのウエハの検査が終了した後、次のウエハカセットに交換されるまでの時間を有効に利用することについては何ら記載していない。   Patent Documents 2 and 3 describe the setup time and the shortening of the wafer delivery time between the wafer chuck and the wafer cassette. After all wafers in the wafer cassette have been inspected, the next wafer cassette is described. There is no description about the effective use of the time until replacement.

前述のように、半導体製造工程では、多数のプローバを隣接して配置し、一人のオペレータが各プローバの検査終了のインジケータを監視して、検査済みウエハカセットの回収及び検査前ウエハカセットの供給、更に必要に応じてプローブカードの交換を行い、検査時の温度条件を含む検査情報の設定を行っている。特許文献2及び3に記載されている短縮化の技術は、オペレータによる検査情報の設定後に適用される。   As described above, in the semiconductor manufacturing process, a large number of probers are arranged adjacent to each other, and one operator monitors an indicator of the completion of the inspection of each prober to collect the inspected wafer cassette and supply the pre-inspection wafer cassette. Furthermore, the probe card is replaced as necessary, and inspection information including temperature conditions at the time of inspection is set. The shortening techniques described in Patent Documents 2 and 3 are applied after setting inspection information by an operator.

オペレータがインジケータに気付いて直ちに上記の動作を開始したとしても、検査前ウエハカセットの選択やプローブカードの選択などの動作を行った後、実際の交換動作を行い、更に次ロットの検査情報の設定を行う必要がある。ウエハカセットやプローブカードの選択に要する時間は工程上の工夫でなくすことができるが、各プローバが検査終了してから、次ロットの検査情報が設定されるまでかならず時間を要する。また、オペレータは、常時インジケータを監視しているわけではなく、次のウエハカセットの準備などの他の作業を行っており、たとえインジケータに気付いたとしても直ちに交換作業を開始できるとは限らず、その分次ロットの検査情報が設定されるまでの時間が長くなる。   Even if the operator notices the indicator and immediately starts the above operation, after performing operations such as selecting a pre-inspection wafer cassette and selecting a probe card, the actual replacement operation is performed, and the inspection information for the next lot is set. Need to do. Although the time required for selecting the wafer cassette and the probe card can be eliminated by the device in the process, it takes time until the inspection information of the next lot is set after each prober completes the inspection. Also, the operator does not always monitor the indicator, but is doing other work such as preparing the next wafer cassette, even if you notice the indicator, you can not immediately start the replacement work, The time until inspection information for the next lot is set becomes longer.

本発明によれば、前ロットの最後のウエハの検査が終了すると直ちに次ロットのウエハの検査情報に従ってウエハチャックの温度調整を開始するので、従来必要としていた最後のウエハの検査終了時から次ロットの検査情報設定までの時間を有効に利用して温度調整に要する時間を短縮することができる。   According to the present invention, as soon as the inspection of the last wafer of the previous lot is completed, the temperature adjustment of the wafer chuck is started according to the inspection information of the wafer of the next lot. The time required for temperature adjustment can be shortened by effectively using the time until the inspection information is set.

なお、従来のプローバにおいては、最後のウエハの検査が終了しても、直ちにインジケータで報知せずに、最後のウエハをウエハカセットに戻し、ウエハカセットの蓋を閉じてウエハカセットが取り外せる状態になってからインジケータで報知しており、検査終了からインジケータによる報知まで時間を要していた。本発明によれば、この時間も温度調整に利用される。   In the conventional prober, even if the inspection of the last wafer is completed, the last wafer is returned to the wafer cassette without being notified immediately by the indicator, the wafer cassette is closed, and the wafer cassette can be removed. Since then, it has been informed by an indicator, and it took time from the end of the inspection to the notification by the indicator. According to the present invention, this time is also used for temperature adjustment.

また、前述の搬送ロボットを使用してウエハカセットの供給と回収を自動で行うシステムでも、次ロットの検査情報が設定は、ウエハカセットを供給する時に行っており、上記と同様に、最後のウエハの検査終了時から次ロットの検査情報設定まで時間があり、本発明を適用すればこの時間を有効に利用してスループットを改善できる。   In the system that automatically supplies and collects the wafer cassette using the transfer robot, the inspection information of the next lot is set when the wafer cassette is supplied. There is a time from the end of the inspection to the setting of inspection information for the next lot, and if the present invention is applied, this time can be used effectively to improve the throughput.

従来のようにウエハカセットに数十枚のウエハを収容している時には、ウエハカセット内のすべてのウエハを検査するのに長時間を要したため、本発明が利用するウエハカセット交換に要する時間は相対的に短く、無視されてきた。しかし、近年半導体製造においては、多品種少量生産の傾向が顕著であり、それに応じてウエハカセットに収容されてプローバに供給されるウエハの枚数が減少する傾向にあり、例えばウエハカセットに数枚のウエハが収容される場合も生じており、ウエハカセット内のすべてのウエハを検査する時間も1時間前後の場合が生じている。温度を変化させる場合のセットアップ時間は、長い時には1時間にもなる場合があり、セットアップ時間が大きな問題になっている。本発明を適用すれば、セットアップ時間を実質的に短縮することができる。   When several tens of wafers are accommodated in the wafer cassette as in the prior art, it takes a long time to inspect all the wafers in the wafer cassette. Short and ignored. However, in recent years, in semiconductor manufacturing, the tendency of high-mix low-volume production is remarkable, and accordingly, the number of wafers stored in the wafer cassette and supplied to the prober tends to decrease. In some cases, wafers are accommodated, and the time for inspecting all the wafers in the wafer cassette is about one hour. When the temperature is changed, the setup time may be as long as one hour at a long time, which is a big problem. By applying the present invention, the setup time can be substantially shortened.

しかも、本発明は、従来のプローバに簡単な機能を付加したり従来からある機能を利用することにより非常に簡単な構成で実現できる。   Moreover, the present invention can be realized with a very simple configuration by adding a simple function to a conventional prober or using a conventional function.

前ロットのすべてのウエハの検査が終了した直後のウエハチャックの温度調整は、通常の場合は、次ロットのウエハの検査時の温度条件になるように制御を開始するが、前ロットが室温に比べて低温で検査されており且つプローブカードを交換する時には、結露を防止するためにウエハチャックを室温にする制御を開始する。   The wafer chuck temperature adjustment immediately after all wafers in the previous lot have been inspected is normally controlled so as to meet the temperature conditions during the inspection of the wafer in the next lot. In contrast, when the probe card is inspected at a low temperature and the probe card is replaced, control to bring the wafer chuck to room temperature is started to prevent condensation.

また、プローブカードを交換すると、針位置検出機構でプローブの位置を検出する必要がある。この検出動作は、従来プローブカードを交換し、検査済みウエハカセットを回収して検査前ウエハカセットをセットして、検査情報を設定してから開始していたが、プローブカードを交換した後検出動作が行える状態になると自動的に開始することが望ましい。   Moreover, when the probe card is replaced, it is necessary to detect the position of the probe with the needle position detection mechanism. This detection operation was started after the probe card was replaced, the inspected wafer cassette was collected, the pre-inspection wafer cassette was set, and the inspection information was set. However, the detection operation was performed after the probe card was replaced. It is desirable to start automatically when it is ready to perform.

前ロットのすべてのウエハの検査が終了する前に、検査終了が近づいていること報知することが望ましく、例えば、前ロットの最後のウエハの検査が開始されると、検査終了が近づいていることを報知するようにする。オペレータは、この報知に応じて検査情報を入力するが、前ロットのすべてのウエハの検査が終了する前であればいつでもよく、例えば、前ロットのウエハカセットを供給する時に、既に次ロットの検査情報が判明していれば、その時にプローバに入力しておくことも可能である。   It is desirable to notify that the inspection end is approaching before the inspection of all wafers in the previous lot is completed. For example, when the inspection of the last wafer in the previous lot is started, the inspection end is approaching. To be notified. The operator inputs inspection information in response to this notification, but may be any time before the inspection of all wafers in the previous lot is completed. For example, when supplying the wafer cassette of the previous lot, the operator already inspects the next lot. If the information is known, it can be input to the prober at that time.

また、プローバが通信手段でホストコンピュータと接続されている場合には、検査終了が近づいていることを通信手段を介してホストコンピュータに報知し、ホストコンピュータが何らかの手段、例えばディスプレイ表示などでオペレータに報知することも可能である。更に、通信手段を介してホストコンピュータからプローバに次ロットの検査情報を送信するようにしてもよい。   When the prober is connected to the host computer by communication means, the host computer is notified via the communication means that the end of the inspection is approaching, and the host computer notifies the operator by some means, for example, display display. It is also possible to notify. Further, the inspection information of the next lot may be transmitted from the host computer to the prober via the communication means.

なお、上記のように、プローバへの次ロットの検査情報の入力は、前ロットのすべてのウエハの検査が終了する前であることが望ましいが、次ロットのウエハカセットのセットの前であれば、検査情報の入力からウエハカセットのセットまでの時間分だけ、従来に比べてスループットが向上する。   As described above, the inspection information of the next lot to the prober is preferably input before the inspection of all wafers of the previous lot is completed, but before the wafer cassette of the next lot is set. The throughput is improved as compared with the prior art by the time from the input of the inspection information to the setting of the wafer cassette.

本発明によれば、過熱又は冷却して検査を行うプローバ及びプロービング方法において、非常に簡単な構成で、実質的にスループットを向上させることができる。   According to the present invention, in a prober and a probing method for performing inspection by overheating or cooling, the throughput can be substantially improved with a very simple configuration.

図1は、本発明の第1実施例のプローバを有するウエハテストシステムの構成を示す図である。プローバ11は、テストする半導体チップの電極配置に合わせて作られたプローブ12を有するプローブカード13と、ウエハ15を保持するウエハチャック16と、ウエハチャック16を移動する移動機構17と、移動機構17を保持するベース18と、ウエハ上に形成されたダイの配列方向を検出するアライメント用カメラ19と、プローブ12の位置を検出する針位置検出カメラ23と、ヒートポンプ機構などのウエハチャック16の表面の温度を変えるウエハ温度制御機構21とを有し、それらは筐体20に収容されている。インジケータ22は、筐体20に設けられている。   FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a wafer test system having a prober according to the first embodiment of the present invention. The prober 11 includes a probe card 13 having a probe 12 made according to the electrode arrangement of a semiconductor chip to be tested, a wafer chuck 16 that holds a wafer 15, a moving mechanism 17 that moves the wafer chuck 16, and a moving mechanism 17. A base 18 for holding the wafer, an alignment camera 19 for detecting the arrangement direction of the dies formed on the wafer, a needle position detection camera 23 for detecting the position of the probe 12, and a surface of the wafer chuck 16 such as a heat pump mechanism. And a wafer temperature control mechanism 21 for changing the temperature. The indicator 22 is provided on the housing 20.

テスタは、テスタ本体1と、テストヘッド2と、テストヘッド2に設けられたプローブカード13の端子と電気的に接触する端子を有するパフォーマンスボード3とを有する。メンテナンスなどのために、テストヘッド2はプローバ11から引き離せるようになっており、プローブカード13の端子とパフォーマンスボード3の端子はバネを使用した接続端子機構、いわゆるスプリングピン構造を有する。プローバは、ウエハテストにおいてテスタと連携して測定を行うが、その電源系や機構部分はテスタ本体及びテストヘッドとは独立した装置である。   The tester includes a tester body 1, a test head 2, and a performance board 3 having terminals that are in electrical contact with terminals of a probe card 13 provided on the test head 2. For maintenance and the like, the test head 2 can be separated from the prober 11, and the terminals of the probe card 13 and the performance board 3 have a connection terminal mechanism using a spring, that is, a so-called spring pin structure. The prober performs measurement in cooperation with the tester in the wafer test, but its power supply system and mechanism are independent from the tester body and the test head.

ウエハ温度制御機構21は、ウエハチャック16に保持されたウエハ15を、例えば、−55°Cから+200°Cまでの任意の温度に設定できる。ウエハ温度制御機構21は、ヒートポンプ機構以外の、電気的な発熱体(ヒータ)や冷却液が巡回するチラー機構などを組み合わせて実現することも可能である。   The wafer temperature control mechanism 21 can set the wafer 15 held by the wafer chuck 16 to an arbitrary temperature from −55 ° C. to + 200 ° C., for example. The wafer temperature control mechanism 21 can be realized by a combination of an electrical heating element (heater), a chiller mechanism for circulating coolant, and the like other than the heat pump mechanism.

また、図示していないが、破線で示す位置に移動したウエハチャック16と載置されたウエハカセットとの間でウエハを受け渡すウエハ搬送機構が設けられている。更に、ウエハチャック16を冷却する時に結露などを生じないように、特許文献2に記載されているような乾燥気体を供給する乾燥気体供給機構も設けられている。更に、プローバには、従来と同様に操作パネルとディスプレイが設けられており、検査情報はこれを利用して入力する。   Although not shown, a wafer transfer mechanism is provided for transferring the wafer between the wafer chuck 16 moved to the position indicated by the broken line and the mounted wafer cassette. Further, a dry gas supply mechanism for supplying a dry gas as described in Patent Document 2 is also provided so that condensation does not occur when the wafer chuck 16 is cooled. Further, the prober is provided with an operation panel and a display as in the prior art, and inspection information is input using this.

以上説明した実施例のプローバの構成は、基本的には特許文献1から3などに詳細が記載されている従来例と同じであり、本発明は従来例の構成における温度制御に特徴を有する。言い換えれば、本発明は、温度調整機能を有するプローバであればどのようなものにも適用可能であり、上記の実施例の構成に限定されるものではない。従って、ここでは従来と同様の構成については説明を省略し、温度制御についてのみ説明する。   The configuration of the prober of the embodiment described above is basically the same as the conventional example described in detail in Patent Documents 1 to 3 and the like, and the present invention is characterized by temperature control in the configuration of the conventional example. In other words, the present invention can be applied to any prober having a temperature adjustment function, and is not limited to the configuration of the above-described embodiment. Therefore, description of the same configuration as the conventional one is omitted here, and only temperature control will be described.

図2は、実施例のプローバのウエハ温度制御機構21を含めたプローバ全体を制御する制御部の構成を示すフローチャートである。制御部は、例えばコンピュータシステムで実現される。   FIG. 2 is a flowchart showing the configuration of a control unit that controls the entire prober including the wafer temperature control mechanism 21 of the prober of the embodiment. The control unit is realized by a computer system, for example.

ステップ101では前のロットの検査が設定された検査情報に従って行われる。この動作は最後のウエハの検査が終了するまで引き続いて行われる。   In step 101, the previous lot is inspected according to the set inspection information. This operation is continued until the final wafer inspection is completed.

ステップ102では、最後のウエハの検査が開始されたかを判定し、開始されていなければステップ101に戻り、検査を進める。最後のウエハの検査が開始された時には、ステップ103に進み、インジケータ22によりオペレータに最後のウエハの検査が開始されたことを報知する。なお、報知はスピーカなどにより行うことも可能である。   In step 102, it is determined whether the inspection of the last wafer has been started. If it has not been started, the process returns to step 101 to proceed with the inspection. When the inspection of the last wafer is started, the process proceeds to step 103, and the indicator 22 notifies the operator that the inspection of the last wafer has started. The notification can also be performed by a speaker or the like.

オペレータが上記の報知に気付いて、次のロットの検査情報を入力する。前述のように、通常1枚のウエハを検査するのに少なくとも30分以上は必要であり、オペレータは報知に気付いた後、他の作業との関係を考慮して適当な時期に次のロットの検査情報を入力する。なお、前ロットの最後のウエハの検査が開始された時点では、通常そのプローバで次に検査する次ロットは決定している。もし次のロットが決定していない時には本発明は適用できない。   The operator notices the above notification and inputs inspection information for the next lot. As described above, it usually takes at least 30 minutes to inspect one wafer. After the operator notices the notification, the next lot of the next lot is taken into consideration at the appropriate time in consideration of the relationship with other operations. Enter inspection information. Note that when the inspection of the last wafer of the previous lot is started, the next lot to be inspected next by the prober is usually determined. If the next lot is not determined, the present invention is not applicable.

ステップ104では、入力された次ロットの検査情報を記憶する。ステップ105では最後のウエハの検査が終了したかを検出する。最後のウエハの検査が終了すると、ステップ106で最後のウエハの検査が終了したことをインジケータで報知する。最後のウエハの検査開始と、最後のウエハの検査終了は、例えば、インジケータの表示色を変えて行う。   In step 104, the inspection information of the input next lot is stored. In step 105, it is detected whether the inspection of the last wafer has been completed. When the inspection of the last wafer is completed, an indicator notifies that the inspection of the last wafer has been completed in step 106. The inspection of the last wafer is started and the inspection of the last wafer is finished, for example, by changing the display color of the indicator.

オペレータは、最後のウエハの検査終了の報知に気付くと、前のロットのウエハカセットの回収と次のロットのウエハカセットのセットを行う。この作業は、できるだけ早急に行うことが望ましいが、次ロットが温度を変更する場合には温度変更まで時間を要するのである程度の時間的余裕があり、オペレータは報知に気付いた後、他の作業との関係を考慮して適当な時期に前ロットのウエハカセットの回収と次ロットのウエハカセットのセットを行う。オペレータは、次ロットのウエハカセットをセットすると、セットしたことを何らかの手段でプローバに知らせる。   When the operator notices the notification of the end of the inspection of the last wafer, the operator collects the wafer cassette of the previous lot and sets the wafer cassette of the next lot. This work should be done as soon as possible, but if the next lot changes temperature, it takes time to change the temperature, so there is some time to spare. Considering this relationship, the wafer cassette of the previous lot is collected and the wafer cassette of the next lot is set at an appropriate time. When the operator sets the wafer cassette of the next lot, the operator is notified of the setting by some means.

また、プローブカード13を交換する場合には、前ロットのウエハカセットの回収及び次ロットのウエハカセットのセットを行う時に行う。ただし、後述するように、プローブカード13を交換する場合には筐体20を開放する必要があり、チャックステージ16が低温の時には結露の恐れがある。そこで、その場合にはチャックステージ16を一旦室温にしてプローブカード13を交換するので、室温になるまで待つ必要があり、前ロットのウエハカセットの回収及び次ロットのウエハカセットのセットもその時に合わせて行うことが望ましい。オペレータは、プローブカードを交換すると、交換したことを何らかの手段でプローバに知らせる。   The probe card 13 is replaced when the wafer cassette of the previous lot is collected and the wafer cassette of the next lot is set. However, as will be described later, when the probe card 13 is replaced, the housing 20 needs to be opened, and condensation may occur when the chuck stage 16 is at a low temperature. Therefore, in that case, the probe stage 13 is replaced with the chuck stage 16 once at room temperature, so it is necessary to wait until it reaches room temperature, and the collection of the wafer cassette of the previous lot and the setting of the wafer cassette of the next lot are also adjusted at that time. It is desirable to do this. When the operator replaces the probe card, the operator notifies the prober by some means.

ステップ107では、検査情報に基づいて次ロットの検査を行うにはプローブカード13を交換する必要があるかを判定する。プローブカード13の交換が必要ない時には、ステップ108に進んで、検査情報に基づいて、チャックステージ16を次ロットの検査を行う温度に変化させるようにウエハ温度制御機構21を制御する。温度変化に要する時間は、温度変化の開始温度と終了温度によるが、30分から1時間を要する場合もある。   In step 107, it is determined whether the probe card 13 needs to be replaced in order to inspect the next lot based on the inspection information. When the probe card 13 does not need to be replaced, the process proceeds to step 108, and the wafer temperature control mechanism 21 is controlled so as to change the chuck stage 16 to a temperature for inspecting the next lot based on the inspection information. The time required for the temperature change depends on the start temperature and the end temperature of the temperature change, but it may take 30 minutes to 1 hour.

プローブカード13の交換が必要な時には、ステップ111に進んで、その時点の温度(言い換えれば前ロットの検査温度)が低い、具体的は室温より所定以上低い温度であるかを判定する。   When the probe card 13 needs to be replaced, the routine proceeds to step 111, where it is determined whether the temperature at that time (in other words, the inspection temperature of the previous lot) is low, specifically, whether the temperature is a predetermined temperature lower than room temperature.

低い温度でない時には、ステップ112に進んで、検査情報に基づいて、チャックステージ16を次ロットの検査を行う温度に変化させるようにウエハ温度制御機構21を制御する。チャックステージ16の温度が変化している間に、上記のようにオペレータが次ロット用のプローブカード13を交換するので、ステップ113で、プローブカード13が交換されたかを判定し、交換されるまで待機する。プローブカード13が交換されると、ステップ114に進み、針位置検出カメラ23によりプローブ12の位置を検出する動作を行う。この間にも、チャックステージ16の温度変化が進行している。   When the temperature is not low, the process proceeds to step 112, and the wafer temperature control mechanism 21 is controlled so as to change the chuck stage 16 to a temperature for inspecting the next lot based on the inspection information. While the temperature of the chuck stage 16 is changing, the operator replaces the probe card 13 for the next lot as described above. Therefore, in step 113, it is determined whether the probe card 13 has been replaced. stand by. When the probe card 13 is replaced, the process proceeds to step 114, and an operation for detecting the position of the probe 12 by the needle position detection camera 23 is performed. Also during this time, the temperature change of the chuck stage 16 proceeds.

ステップ111で低い温度であると判定された時には、ステップ121に進んで、チャックステージ16を室温に変化させるようにウエハ温度制御機構21を制御する。ステップ122で、室温になったかを検出し、室温になるまで待機する。室温になったら、ステップ123に進んで、プローブカード13が交換可能な状態になったことをインジケータにより報知する。ステップ124で、プローブカード13が交換されたかを検出し、交換されるまで待機する。プローブカード13が交換されると、ステップ125に進んで、検査情報に基づいて、チャックステージ16を次ロットの検査を行う温度に変化させるようにウエハ温度制御機構21を制御する。チャックステージ16の温度が変化している間に、ステップ126に進み、針位置検出カメラ23によりプローブ12の位置を検出する動作を行う。この間にも、チャックステージ16の温度変化が進行している。   When it is determined in step 111 that the temperature is low, the process proceeds to step 121 and the wafer temperature control mechanism 21 is controlled so that the chuck stage 16 is changed to room temperature. In step 122, it is detected whether the room temperature has been reached, and the system waits until the room temperature is reached. When the temperature reaches room temperature, the process proceeds to step 123, and an indicator informs that the probe card 13 is in a replaceable state. In step 124, it is detected whether the probe card 13 has been replaced, and waits until it is replaced. When the probe card 13 is replaced, the process proceeds to step 125, and the wafer temperature control mechanism 21 is controlled so as to change the chuck stage 16 to a temperature at which the next lot is inspected based on the inspection information. While the temperature of the chuck stage 16 is changing, the process proceeds to step 126, and an operation of detecting the position of the probe 12 by the needle position detection camera 23 is performed. Also during this time, the temperature change of the chuck stage 16 proceeds.

ステップ108、114及び126の後、ステップ131に進んで、オペレータによりセットされた次ロットのウエハカセットからウエハをロードする。ステップ132で、チャックステージ16上のウエハ15が検査温度になっているかを検出し、検査温度になるまで待機する。検査温度になったら、ステップ133で検査を開始する。   After steps 108, 114, and 126, the process proceeds to step 131 to load a wafer from the wafer cassette of the next lot set by the operator. In step 132, it is detected whether or not the wafer 15 on the chuck stage 16 is at the inspection temperature, and it waits until it reaches the inspection temperature. When the inspection temperature is reached, the inspection is started in step 133.

以上、実施例で使用される本発明のプローバの動作を説明したが、各種の変形例が可能であることはいうまでもない。   The operation of the prober of the present invention used in the embodiments has been described above, but it goes without saying that various modifications are possible.

例えば、上記の実施例では、前ロットの最後のウエハの検査が開始されると、検査終了が近づいていることを報知したが、前ロットのすべてのウエハの検査が終了する前であればいつでもよい。例えば、前ロットのウエハカセットを供給する時に、既に次ロットの検査情報が判明していれば、その時にプローバに入力しておくことも可能である。   For example, in the above embodiment, when the inspection of the last wafer of the previous lot is started, it is notified that the inspection end is approaching, but any time before the inspection of all the wafers of the previous lot is completed. Good. For example, if the inspection information of the next lot is already known when supplying the wafer cassette of the previous lot, it can be input to the prober at that time.

更に、プローバへの次ロットの検査情報の入力は、前ロットのすべてのウエハの検査が終了する前であることが望ましいが、検査が終了した後でも、次ロットのウエハカセットのセットの前であれば次ロットの検査情報を入力することが望ましい。例えば、次ロットのウエハカセットの準備ができていない時には、とりあえず次ロットの検査情報の入力を行って、チャックステージの温度変化を開始し、次ロットのウエハカセットが準備できた時点でウエハカセットをセットすれば、検査情報の入力からウエハカセットのセットまでの時間分だけ、チャックステージの温度変化の時間を短縮できる。   Further, it is desirable that the inspection information of the next lot to be input to the prober is before the inspection of all the wafers of the previous lot is completed, but even after the inspection is completed, before the setting of the wafer cassette of the next lot. If there is, it is desirable to enter inspection information for the next lot. For example, when the wafer cassette of the next lot is not ready, the inspection information of the next lot is input for the time being, the temperature change of the chuck stage is started, and when the wafer cassette of the next lot is ready, If set, the time for temperature change of the chuck stage can be shortened by the time from the input of inspection information to the setting of the wafer cassette.

また、実施例のプローバはスタンドアロン型であるが、多数のプローバを隣接して配置し、それらを通信経路でホストコンピュータ(全体制御部)に接続して管理することも考えられる。そのような場合には、前ロットの最後のウエハの検査開始及び検査終了、プローブカードが交換可能であることを、プローバから通信経路を介してホストコンピュータに送信し、ホストコンピュータがオペレータへの指示を行うようにすることも可能である。また、検査情報をホストコンピュータから通信経路を介してプローバへ送信することも可能である。   Further, although the prober of the embodiment is a stand-alone type, it can be considered that a large number of probers are arranged adjacent to each other and connected to a host computer (overall control unit) via a communication path for management. In such a case, the prober sends information to the host computer via the communication path that the inspection start and end of the last wafer of the previous lot and the probe card can be exchanged, and the host computer instructs the operator. It is also possible to perform. It is also possible to send the inspection information from the host computer to the prober via a communication path.

上記の実施例では、前ロットのウエハカセットの回収及び次ロットのウエハカセットのセットをオペレータが行ったが、これを搬送用ロボットを使用して行うウエハテストシステムに適用することも可能である。図3は、本発明の第2実施例のウエハテストシステムの全体構成を示す図である。   In the above embodiment, the operator has performed the collection of the wafer cassette of the previous lot and the setting of the wafer cassette of the next lot, but it is also possible to apply this to a wafer test system that uses a transfer robot. FIG. 3 is a diagram showing the overall configuration of the wafer test system according to the second embodiment of the present invention.

図示のように、複数台のプローバ11A、11B、11C、…が配置されており、これらのプローバは通信経路35を介して全体制御部(ホストコンピュータ)31に接続されて制御される。検査前のウエハを入れたウエハカセットを収容する検査前ウエハカセットストッカ32及び検査後のウエハが入ったウエハカセットを収容する検査済ウエハカセットストッカ33も通信経路35を介してホストコンピュータ31に接続されて制御される。搬送ロボット34は、無線通信手段などによりホストコンピュータ31に接続されて制御される。   As shown in the figure, a plurality of probers 11A, 11B, 11C,... Are arranged, and these probers are connected to the overall control unit (host computer) 31 via the communication path 35 and controlled. A pre-inspection wafer cassette stocker 32 for accommodating a wafer cassette containing a pre-inspection wafer and an inspected wafer cassette stocker 33 for accommodating a wafer cassette containing a post-inspection wafer are also connected to the host computer 31 via a communication path 35. Controlled. The transfer robot 34 is connected to and controlled by the host computer 31 by wireless communication means or the like.

搬送ロボット34は、ホストコンピュータ31からの指示に応じて、検査前ウエハカセットストッカ32から指定された検査前ウエハが入ったウエハカセットを取り出して指定されたプローバに搬送し、そのプローバから検査済みウエハが入ったウエハカセットを回収すると共に、検査前ウエハが入ったウエハカセットをセットし、検査済みウエハが入ったウエハカセットを検査済ウエハカセットストッカ33に搬送する。   In response to an instruction from the host computer 31, the transfer robot 34 takes out the wafer cassette containing the designated pre-inspection wafer from the pre-inspection wafer cassette stocker 32, conveys the wafer cassette to the designated prober, and inspects the inspected wafer from the prober. The wafer cassette containing the wafer is collected, the wafer cassette containing the pre-inspection wafer is set, and the wafer cassette containing the inspected wafer is transferred to the inspected wafer cassette stocker 33.

各プローバは、前ロットの最後のウエハの検査開始及び検査終了、プローブカードが交換可能であることを、プローバから通信経路35を介してホストコンピュータ31に送信する。一方、ホストコンピュータ31は、各プローバで検査するロットの検査情報を、各プローバで検査している前のロットの最後のウエハの検査が終了する前に通信経路を介してプローバへ送信する。ホストコンピュータ31は、各プローバからの情報及び工程情報に基づいて、搬送ロボット34を制御して、各プローバからの検査済みウエハが入ったウエハカセットの回収及び次ロットの検査前ウエハが入ったウエハカセットのセットを行う。各プローバは、第1実施例と同様の制御を行い、前ロットの最後のウエハの検査が終了すると直ちに次ロットの検査温度への変化を開始するように制御を行う。   Each prober transmits from the prober to the host computer 31 via the communication path 35 that the inspection of the last wafer of the previous lot is started and ended, and that the probe card is replaceable. On the other hand, the host computer 31 transmits the inspection information of the lot to be inspected by each prober to the prober via the communication path before the inspection of the last wafer of the previous lot being inspected by each prober is completed. The host computer 31 controls the transfer robot 34 based on the information from each prober and the process information, collects the wafer cassette containing the inspected wafers from each prober, and wafers containing the wafers before inspection of the next lot. Set the cassette. Each prober performs the same control as in the first embodiment, and controls to start the change to the inspection temperature of the next lot as soon as the inspection of the last wafer of the previous lot is completed.

第2実施例のウエハテストシステムでは、各プローバからの検査済みウエハが入ったウエハカセットの回収及び次ロットの検査前ウエハが入ったウエハカセットのセットは、1台の搬送ロボット34が行っており、複数のプローバから重複してウエハカセットの回収及びセットが要求されても同時に処理することはできず時間遅延が生じ、スループットが低下する。しかし、本発明によれば、この時間遅延の間にも、各プローバは次ロットの検査温度への変化を開始しているので、時間遅延のスループットへの影響を低減することができる。   In the wafer test system of the second embodiment, one transfer robot 34 performs the collection of the wafer cassette containing the inspected wafers from each prober and the setting of the wafer cassette containing the pre-inspection wafer of the next lot. Even if collection and setting of wafer cassettes are requested in duplicate from a plurality of probers, they cannot be processed at the same time, resulting in a time delay and a decrease in throughput. However, according to the present invention, even during this time delay, each prober starts to change to the inspection temperature of the next lot, so that the influence of the time delay on the throughput can be reduced.

本発明は、ウエハの検査を各種温度条件で行うプローバ及びプロービング方法であれば、どのようなものにも適用可能である。本発明を適用することにより、時間を要する温度変化を行う必要のあるプローバのスループットを、非常に簡単に向上することができるので、検査コストを低減することができる。   The present invention can be applied to any prober and probing method for inspecting a wafer under various temperature conditions. By applying the present invention, the throughput of a prober that needs to perform a time-consuming temperature change can be improved very easily, so that the inspection cost can be reduced.

本発明の第1実施例のプローバを有するウエハテストシステムの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the wafer test system which has the prober of 1st Example of this invention. 本発明の第1実施例のプローバの動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows operation | movement of the prober of 1st Example of this invention. 本発明の第2実施例のウエハテストシステムの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the wafer test system of 2nd Example of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

2 テストヘッド
11 プローバ
12 プローブ
15 ウエハ
16 チャックステージ
19 アライメント用カメラ
20 筐体
21 ウエハ温度制御機構
23 針位置合わせカメラ
2 Test Head 11 Prober 12 Probe 15 Wafer 16 Chuck Stage 19 Alignment Camera 20 Housing 21 Wafer Temperature Control Mechanism 23 Needle Positioning Camera

Claims (12)

ウエハ上に形成された半導体装置をテスタで検査をするために、前記テスタの各端子を前記半導体装置の電極に接続するプローバであって、
前記半導体装置の電極に接触して前記電極を前記テスタの端子に接続するプローブを有するプローブカードと、
ウエハを保持し、前記ウエハを保持する部分の温度を調整する温度調整手段を有するウエハチャックと、
ウエハカセットと前記ウエハチャックの間で、前記ウエハを受け渡すウエハ受け渡し機構と、
各部を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記ウエハカセットに収容されて供給された前ロットのすべてのウエハの検査が終了する前に、次に供給される前記ウエハカセットに収容される次ロットのウエハの検査時の温度条件を含む検査情報を得て、前ロットのすべてのウエハの検査が終了した直後に次ロットのウエハの検査情報に従って、前記ウエハチャックの前記温度調整手段を制御することを特徴とするプローバ。
A prober for connecting each terminal of the tester to an electrode of the semiconductor device in order to inspect the semiconductor device formed on the wafer by a tester,
A probe card having a probe that contacts the electrode of the semiconductor device and connects the electrode to a terminal of the tester;
A wafer chuck having a temperature adjusting means for holding the wafer and adjusting the temperature of the portion holding the wafer;
A wafer delivery mechanism for delivering the wafer between a wafer cassette and the wafer chuck;
A control unit for controlling each unit,
The controller controls the temperature at the time of inspection of the wafers of the next lot to be supplied next before the inspection of all the wafers of the previous lot received and supplied to the wafer cassette is completed. A prober that obtains inspection information including conditions and controls the temperature adjusting means of the wafer chuck according to the inspection information of the wafers of the next lot immediately after the inspection of all the wafers of the previous lot is completed.
前記制御部は、前ロットのすべてのウエハの検査が終了した直後に、次ロットのウエハの検査時の温度条件になるように前記ウエハチャックの前記温度調整手段を制御する請求項1に記載のプローバ。   The said control part controls the said temperature adjustment means of the said wafer chuck so that it may become the temperature conditions at the time of the test | inspection of the wafer of the next lot immediately after completion | finish of the test | inspection of all the wafers of the previous lot. Prober. 前記温度条件情報と共に、前記プローブカードの交換の有無に関するプローブカード交換情報を得る請求項1に記載のプローバ。   The prober according to claim 1, wherein prober replacement information relating to presence / absence of replacement of the probe card is obtained together with the temperature condition information. 前記制御部は、前記プローブカードの交換が必要で且つ前ロットのウエハの検査時の温度が所定値以下の低温の時には、前ロットのすべてのウエハの検査が終了した直後に、室温になるように前記ウエハチャックの前記温度調整手段を制御する請求項3に記載のプローバ。   When the probe card needs to be replaced and the temperature at the time of inspection of the wafers in the previous lot is a low temperature below a predetermined value, the control unit is set to room temperature immediately after the inspection of all the wafers in the previous lot is completed. 4. The prober according to claim 3, wherein the temperature adjusting means of the wafer chuck is controlled. 前記プローブカードの前記プローブの位置を検出する針位置検出機構を更に備え、
前記制御部は、前記プローブカードの交換が必要である時には、前記プローブカードの交換が行われた後に、前記針位置検出機構を起動して、前記プローブの位置検出動作を自動的に開始する請求項3に記載のプローバ。
A needle position detection mechanism for detecting the position of the probe of the probe card;
When the probe card needs to be replaced, the control unit activates the needle position detection mechanism and automatically starts the probe position detection operation after the probe card is replaced. Item 4. The prober according to item 3.
前記制御部は、前ロットのすべてのウエハの検査が終了する前に、検査終了が近づいていることを報知する請求項1から5のいずれか1項に記載のプローバ。   The prober according to any one of claims 1 to 5, wherein the control unit notifies that the end of inspection is approaching before the inspection of all the wafers of the previous lot is completed. 前記制御部は、前ロットの最後のウエハの検査が開始されると、検査終了が近づいていることを報知する請求項6に記載のプローバ。   The prober according to claim 6, wherein when the inspection of the last wafer of the previous lot is started, the control unit notifies that the end of inspection is approaching. 検査終了が近づいていることを報知するインジケータを備える請求項7に記載のプローバ。   The prober according to claim 7, further comprising an indicator for notifying that the end of the examination is approaching. 前記検査情報を入力する入力手段をさらに備える請求項1から8のいずれか1項に記載のプローバ。   9. The prober according to claim 1, further comprising input means for inputting the inspection information. ホストコンピュータと接続される通信手段を備え、検査終了が近づいていることを前記通信手段を介して前記ホストコンピュータに報知する請求項7に記載のプローバ。   The prober according to claim 7, further comprising a communication unit connected to the host computer, and notifying the host computer that the end of inspection is approaching. ホストコンピュータと接続される通信手段を備え、前記検査情報の入力手段は、前記通信手段を介して前記ホストコンピュータから前記検査情報を得る請求項9に記載のプローバ。   The prober according to claim 9, further comprising a communication unit connected to a host computer, wherein the inspection information input unit obtains the inspection information from the host computer via the communication unit. ウエハカセットに収容されたウエハを、温度調整可能なウエハチャック上に保持してテスタで順次検査をするプロービングテスト方法であって、
前記ウエハカセットに収容されて供給された前ロットのすべてのウエハの検査が終了する前に、次に供給される前記ウエハカセットに収容される次ロットのウエハの検査時の温度条件を含む検査情報を得て、前ロットのすべてのウエハの検査が終了した直後に次ロットのウエハの検査情報に従って、前記ウエハチャックの温度調整を開始することを特徴とするプロービングテスト方法。
A probing test method in which wafers stored in a wafer cassette are held on a temperature-adjustable wafer chuck and sequentially inspected by a tester,
Inspection information including temperature conditions at the time of inspection of wafers in the next lot to be supplied next before the inspection of all wafers in the previous lot received and supplied in the wafer cassette is completed And the temperature adjustment of the wafer chuck is started according to the inspection information of the wafer of the next lot immediately after the inspection of all the wafers of the previous lot is completed.
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