JP2007021586A - Truing method for chamfering grinding wheel - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置や電子部品等のウェーハを面取りする面取り砥石のツルーイング方法に関するものである。 The present invention relates to a truing method of a chamfering grindstone for chamfering a wafer such as a semiconductor device or an electronic component.
半導体装置や電子部品等の素材となるシリコン等のウェーハは、インゴットの状態から内周刃やワイヤーソー等のスライシング装置でスライスされた後、その周縁の割れや欠け等を防止するために外周部に面取り加工が施される。 A wafer such as silicon, which is a material for semiconductor devices and electronic components, is sliced from the ingot state with a slicing device such as an inner peripheral blade or a wire saw, and then the outer peripheral portion is prevented to prevent cracking or chipping of the peripheral edge. Chamfering is applied to
従来、ウェーハの周縁の面取り加工においては、良好な加工面の面粗さを得るために、面取り用砥石の回転軸をウェーハ外周の接線方向に所定角度傾斜させて面取り加工することが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。 Conventionally, in chamfering of the peripheral edge of a wafer, it has been proposed to chamfer the chamfering grindstone by tilting the rotation axis of the chamfering grindstone by a predetermined angle in the tangential direction of the outer periphery of the wafer. (For example, refer to Patent Document 1).
この技術によれば、ウェーハの回転方向に対して砥石の砥粒の運動方向が斜め方向となり、加工面の面粗さが改善される。
特許文献1に記載される面取り用砥石の加工用溝形状は、所望の面取り形状に加工された回転する円形のツルーイング砥石を面取り用砥石へ接触させることにより形成される。しかし、ウェーハには、円形の部分の他に結晶方位の判別、及びウェーハの整列を容易にするため、図11(a)に示すように円形のウェーハの一部を直線状に切り欠いたオリフラ(オリエンテーションフラットの略称)、又は図11(b)に示すようなウェーハの一部をV字状に切り欠いたノッチが形成されている。 The processing groove shape of the chamfering grindstone described in Patent Document 1 is formed by bringing a rotating circular truing grindstone processed into a desired chamfering shape into contact with the chamfering grindstone. However, in order to facilitate determination of crystal orientation and alignment of the wafer in addition to the circular portion, the wafer has an orientation flat in which a part of the circular wafer is notched linearly as shown in FIG. (Abbreviation of orientation flat) or a notch formed by cutting a part of the wafer into a V shape as shown in FIG.
このとき、特許文献1に記載された面取り方法では、ウェーハ外周部の加工用溝に対する接触領域と、オリフラ部、又はノッチ部の加工用溝に対する接触領域とが異なるため、各部における面取り幅が異なり、断面形状が変化するという問題があった。そのため、ウェーハのオリフラ部又はノッチ部は、それぞれの部位に適合するツルーイング砥石でツルーイングされた加工溝で面取り加工する必要がある。 At this time, in the chamfering method described in Patent Document 1, the contact area of the wafer outer peripheral portion with the processing groove is different from the contact area of the orientation flat portion or the notch portion with the processing groove, and therefore the chamfer width in each portion is different. There was a problem that the cross-sectional shape changed. Therefore, the orientation flat portion or notch portion of the wafer needs to be chamfered with a processing groove trued with a truing grindstone suitable for each portion.
また、ウェーハ外径が異なると接触部分の曲率が変わり接触領域が変化するため、外径の異なるウェーハの面取り加工を行なう場合は、その外径の大きさに適合したツルーイング砥石に取り替え、面出し作業を行なう必要があったため、ツルーイングに時間がかかり加工効率を下げる原因ともなっていた。 Also, if the wafer outer diameter is different, the curvature of the contact area will change and the contact area will change, so when chamfering a wafer with a different outer diameter, replace it with a truing grindstone that matches the outer diameter, Since it was necessary to perform the work, it took time for truing, which caused a reduction in machining efficiency.
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、ウェーハの回転軸に対して傾斜した回転軸を有する面取り用砥石のツルーイング方法において、同じツルーイング砥石によるウェーハ外周部、オリフラ部、又はノッチ部の面取り加工用溝形状のツルーイングが可能であり、ウェーハの径が異なってもツルーイング砥石の変更が必要ない効率的な面取り用砥石のツルーイング方法を提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of such circumstances, and in the truing method of a chamfering grindstone having a rotation axis inclined with respect to the rotation axis of the wafer, the wafer outer peripheral portion, orientation flat portion, or notch portion by the same truing grindstone. It is an object of the present invention to provide an efficient truing method for chamfering grindstones, which is capable of chamfering groove-shaped truing, and does not require changing the truing grindstone even if the wafer diameter is different.
本発明の請求項1は前記目的を達成するために、ウェーハの回転軸に対して傾斜した回転軸を有する面取り用砥石に、所望の面取り形状に対応した形状の溝を形成する面取り砥石のツルーイング方法において、前記ウェーハに対して平行に支持され前記ウェーハの回転軸に対して平行な回転軸で回転するツルーイング砥石を、前記ウェーハと平行な面内において前記面取り用砥石に向けて接近させるとともに、前記ウェーハと平行な面内において、前記ツルーイング砥石の前記面取り用砥石に対する接近方向と直交する方向に前記ツルーイング砥石を所定量往復移動させ、前記面取り用砥石に前記ウェーハのオリエンテーションフラット部の面取り形状に対応した形状の溝を形成することを特徴としている。 In order to achieve the above object, a truing of a chamfering grindstone in which a groove having a shape corresponding to a desired chamfering shape is formed on a chamfering grindstone having a rotation axis inclined with respect to the rotation axis of the wafer. In the method, a truing grindstone supported in parallel to the wafer and rotating on a rotation axis parallel to the rotation axis of the wafer is brought close to the chamfering grindstone in a plane parallel to the wafer, In a plane parallel to the wafer, the truing grindstone is reciprocated by a predetermined amount in a direction perpendicular to the approaching direction of the truing grindstone to the chamfering grindstone, and the chamfering shape of the orientation flat portion of the wafer is chamfered on the chamfering grindstone. It is characterized by forming a groove having a corresponding shape.
本発明の請求項1によれば、所望の面取り形状に加工され、オリフラ付きのウェーハと平行に載置されて回転するツルーイング砥石が、面取り用砥石へ所望の面取り形状に対応した溝を形成する。溝を形成する際、ツルーイング砥石は、ウェーハと平行な面内において、ツルーイング砥石の面取り用砥石に対する接近方向と直交する方向に往復移動を行う。 According to the first aspect of the present invention, the truing grindstone that is processed into a desired chamfered shape and is placed in parallel with the wafer with the orientation flat and rotates forms a groove corresponding to the desired chamfered shape in the chamfering grindstone. . When forming the groove, the truing grindstone reciprocates in a direction perpendicular to the approaching direction of the truing grindstone with respect to the chamfering grindstone in a plane parallel to the wafer.
これにより、面取り用砥石に接するツルーイング砥石の周縁が直線状に移動するので、面取り用砥石に形成される溝は、直線状のオリフラ部の面取り加工に適した溝形状となる。 Thereby, since the periphery of the truing grindstone in contact with the chamfering grindstone moves linearly, the groove formed on the chamfering grindstone has a groove shape suitable for chamfering of the linear orientation flat portion.
請求項2は、ウェーハの回転軸に対して傾斜した回転軸を有する面取り用砥石に、所望の面取り形状に対応した形状の溝を形成する面取り砥石のツルーイング方法において、前記ウェーハと同一外径のツルーイング砥石を前記ウェーハに対して平行に支持し、前記ウェーハの回転軸に対して平行な回転軸で回転させるとともに前記ウェーハと平行な面内において前記面取り用砥石に向けて接近させ、前記面取り用砥石に前記ウェーハの円周部の面取り形状に対応した形状の溝を形成することを特徴としている。 According to a second aspect of the present invention, there is provided a truing method for a chamfering grindstone in which a groove having a shape corresponding to a desired chamfering shape is formed on a chamfering grindstone having a rotation axis inclined with respect to the rotation axis of the wafer. A truing grindstone is supported in parallel to the wafer, and is rotated by a rotation axis parallel to the rotation axis of the wafer and is brought close to the chamfering grindstone in a plane parallel to the wafer. A groove having a shape corresponding to the chamfered shape of the circumferential portion of the wafer is formed on the grindstone.
請求項2によれば、ウェーハと平行に載置されて回転するウェーハと同一外径のツルーイング砥石により、面取り用砥石へウェーハの外径に適した所望の面取り形状の溝が形成される。 According to the second aspect, a groove having a desired chamfered shape suitable for the outer diameter of the wafer is formed in the chamfering grindstone by the truing grindstone having the same outer diameter as that of the wafer mounted and rotated in parallel with the wafer.
請求項3は、ウェーハの回転軸に対して傾斜した回転軸を有する面取り用砥石に、所望の面取り形状に対応した形状の溝を形成する面取り砥石のツルーイング方法において、前記ウェーハに対して平行に支持され前記ウェーハの回転軸に対して平行な回転軸で回転するツルーイング砥石を、前記ウェーハと平行な面内において前記面取り用砥石に向けて接近させるとともに、前記ウェーハと平行な面内において、前記ツルーイング砥石の周縁を前記ウェーハの外周の円弧に相当する軌跡上を所定量往復移動させ、前記面取り用砥石に前記ウェーハの円周部の面取り形状に対応した形状の溝を形成することを特徴としている。 According to a third aspect of the present invention, there is provided a truing method for a chamfering grindstone in which a groove having a shape corresponding to a desired chamfering shape is formed on a chamfering grindstone having a rotation axis inclined with respect to the rotation axis of the wafer, in parallel with the wafer. A truing grindstone that is supported and rotates on a rotation axis parallel to the rotation axis of the wafer is made to approach the chamfering grindstone in a plane parallel to the wafer, and in a plane parallel to the wafer, The peripheral edge of the truing grindstone is reciprocated by a predetermined amount on the locus corresponding to the arc of the outer periphery of the wafer, and a groove having a shape corresponding to the chamfering shape of the circumferential portion of the wafer is formed in the chamfering grindstone. Yes.
請求項3によれば、ツルーイング砥石と異なる外径を有するウェーハの周縁の形状と同等な円弧に沿ってツルーイング砥石の周縁が往復移動を行い面取り用砥石へ加工用の溝を形成する。 According to the third aspect, the peripheral edge of the truing grindstone reciprocates along an arc equivalent to the shape of the peripheral edge of the wafer having an outer diameter different from that of the truing grindstone to form a processing groove on the chamfering grindstone.
これにより、面取り用砥石に形成される溝の形状は、加工を希望するウェーハ外径と同一の外径を有するツルーイング砥石で形成したものと同等となり、ツルーイング砥石をウェーハの外径に合わせて交換する必要がなくなる。 As a result, the shape of the groove formed in the chamfering grindstone is equivalent to that formed with a truing grindstone having the same outer diameter as the desired wafer outer diameter, and the truing grindstone is exchanged to match the outer diameter of the wafer. There is no need to do it.
請求項4は、ウェーハの回転軸に対して傾斜した回転軸を有する面取り用砥石に、所望の面取り形状に対応した形状の溝を形成する面取り砥石のツルーイング方法において、前記ウェーハに対して平行に支持され前記ウェーハの回転軸に対して平行な回転軸で回転するツルーイング砥石を、前記ウェーハと平行な面内において前記面取り用砥石に向けて接近させるとともに、前記ウェーハと平行な面内において、前記ウェーハのノッチ部中心を前記面取り用砥石に向けたときの前記ノッチ部の直線部分と平行な方向に前記ツルーイング砥石を所定量往復移動させ、前記面取り用砥石に前記ウェーハのノッチ部の面取り形状に対応した形状の溝を形成することを特徴としている。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a truing method for a chamfering grindstone in which a groove having a shape corresponding to a desired chamfering shape is formed on a chamfering grindstone having a rotation axis inclined with respect to the rotation axis of the wafer, in parallel with the wafer. A truing grindstone that is supported and rotates on a rotation axis parallel to the rotation axis of the wafer is made to approach the chamfering grindstone in a plane parallel to the wafer, and in a plane parallel to the wafer, The truing grindstone is reciprocated by a predetermined amount in a direction parallel to the straight portion of the notch when the center of the notch of the wafer faces the chamfering grindstone, and the chamfered shape of the notch of the wafer is chamfered to the chamfering grindstone. It is characterized by forming a groove having a corresponding shape.
請求項4によれば、所望の面取り形状に加工され、ノッチ付きのウェーハと平行に載置されて回転するツルーイング砥石が、ノッチ部面取り用砥石へ所望の面取り形状に対応した溝を形成する。溝を形成する際、ツルーイング砥石は、ウェーハと平行な面内において、ウェーハのノッチ部の直線部分と平行な方向に所定量往復移動を行う。 According to the fourth aspect of the present invention, the truing grindstone that is processed into a desired chamfered shape and is placed in parallel with the notched wafer forms a groove corresponding to the desired chamfered shape in the notched chamfering grindstone. When forming the groove, the truing grindstone reciprocates a predetermined amount in a direction parallel to the straight portion of the notch portion of the wafer in a plane parallel to the wafer.
これにより、ノッチ部面取り用砥石に接するツルーイング砥石の周縁がノッチ部の直線部分の方向と角度とに合わせて直線状に移動するので、面取り用砥石に形成される溝は、ノッチ部直線部分の面取り加工に適した溝形状となる。 As a result, the peripheral edge of the truing grindstone that contacts the notch chamfering grindstone moves linearly in accordance with the direction and angle of the straight portion of the notch portion, so that the groove formed in the chamfering grindstone of the notch portion straight portion The groove shape is suitable for chamfering.
請求項5は、請求項1及び請求項2、又は請求項1及び請求項3において、前記面取り用砥石に、前記ウェーハの円周部の面取り形状に対応した形状の溝と、前記ウェーハのオリエンテーションフラット部の面取り形状に対応した形状の溝とを別々に形成することを特徴としている。 According to a fifth aspect of the present invention, in the first and second aspects, or the first and third aspects, the chamfering grindstone includes a groove having a shape corresponding to a chamfered shape of a circumferential portion of the wafer, and an orientation of the wafer. A groove having a shape corresponding to the chamfered shape of the flat portion is formed separately.
請求項5によれば、ウェーハ円周部加工用の溝形状とオリフラ部加工用の溝形状とが形成された一つの面取り用砥石により、円周部とオリフラ部とが面取り用砥石を交換することなく面取り加工される。 According to the fifth aspect, the circumferential portion and the orientation flat portion exchange the chamfering grinding stone by one chamfering grindstone in which the groove shape for processing the wafer circumferential portion and the groove shape for the orientation flat portion processing are formed. Chamfered without any problems.
以上説明したように、本発明の面取り用砥石のツルーイング方法によれば、ウェーハの回転軸に対して所定角度傾斜させた面取り用砥石に対して、ツルーイング砥石を変更することなく、ウェーハ外周部の面取り加工に適した形状の面取り加工用溝と、オリフラ部の面取り加工に適した形状の面取り加工用溝とを形成することが出来る。 As described above, according to the truing method of the chamfering grindstone of the present invention, the chamfering grindstone inclined at a predetermined angle with respect to the rotation axis of the wafer can be formed on the outer peripheral portion of the wafer without changing the truing grindstone. A chamfering groove having a shape suitable for chamfering and a chamfering groove having a shape suitable for chamfering of the orientation flat portion can be formed.
また、ノッチ部用面取り砥石に対しても、ノッチ部の面取り加工に適した形状の面取り加工溝を同じツルーイング砥石により形成することができる。更に、ウェーハの径が異なってもツルーイング砥石の変更の必要がないため、効率的な面取り用砥石のツルーイングが可能となる。 Moreover, the chamfering groove | channel of the shape suitable for the chamfering process of a notch part can be formed with the same truing grindstone also with respect to the chamfering grindstone for notches. Furthermore, since it is not necessary to change the truing grindstone even if the wafer diameters are different, truing of the chamfering grindstone can be performed efficiently.
以下添付図面に従って本発明に係る面取り用砥石のツルーイング方法の好ましい実施の形態について詳説する。最初に、本発明に係るツルーイング方法で使用するウェーハの面取り装置について説明する。図1は、面取り装置の主要部を示す正面図である。面取り装置10は、ウェーハ送りユニット20、砥石回転ユニット50、図示しないウェーハ供給/収納部、ウェーハ洗浄/乾燥部、ウェーハ搬送手段、及び面取り装置各部の動作を制御するコントローラ等から構成されている。
The preferred embodiments of the truing method for a chamfering grindstone according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. First, a wafer chamfering apparatus used in the truing method according to the present invention will be described. FIG. 1 is a front view showing a main part of the chamfering apparatus. The
ウェーハ送りユニット20は、本体ベース11上に載置されたX軸ベース21、2本のX軸ガイドレール22、22、4個のX軸リニアガイド23、23、…、ボールスクリュー及びステッピングモータから成るX軸駆動手段25によって図のX方向に移動されるXテーブル24を有している。
The
Xテーブル24には、2本のY軸ガイドレール26、26、4個のY軸リニアガイド27、27、…、図示しないボールスクリュー及びステッピングモータから成るY軸駆動手段によって図のY方向に移動されるYテーブル28が組込まれている。
The X table 24 is moved in the Y direction in the figure by Y axis driving means comprising two Y
Yテーブル28には、2本のZ軸ガイドレール29、29と図示しない4個のZ軸リニアガイドによって案内され、ボールスクリュー及びステッピングモータから成るZ軸駆動手段30によって図のZ方向に移動されるZテーブル31が組込まれている。
The Y table 28 is guided by two Z-
Zテーブル31には、θ軸モータ32、θスピンドル33が組込まれ、θスピンドル33にはウェーハWを吸着載置するウェーハテーブル(載置台)34が取り付けられており、ウェーハテーブル34はウェーハテーブル回転軸心CWを中心として図のθ方向に回転される。
The Z table 31 incorporates a θ-
また、ウェーハテーブル34の下部には、ウェーハWの周縁を仕上げ面取りする砥石のツルーイングに用いるツルーイング砥石41(以下ツルアー41と称する)が、ウェーハテーブル回転軸心CWと同心に取り付けられている。 A truing grindstone 41 (hereinafter referred to as a truer 41) used for truing a grindstone for chamfering the peripheral edge of the wafer W is attached to the lower portion of the wafer table 34 concentrically with the wafer table rotation axis CW.
このウェーハ送りユニット20によって、ウェーハW及びツルアー41は図のθ方向に回転されるとともに、X、Y、及びZ方向に移動される。
By the
砥石回転ユニット50は、外周加工砥石52が取り付けられ、図示しない外周砥石モータによって軸心CHを中心に回転駆動される外周砥石スピンドル51、外周加工砥石52の上方に配置されたターンテーブル53に取付けられた外周精研スピンドル54及び外周精研モータ56、ノッチ粗研スピンドル60及びノッチ粗研モータ62、ノッチ精研スピンドル57及びノッチ精研モータ59を有している。
The
外周精研スピンドル54は、回転軸がウェーハWの接線方向(図1に示すX軸方向)に向かって(本実施例においては8度)傾斜している。外周精研スピンドル54にはウェーハWの外周を仕上げ研削する面取り用砥石である外周精研削砥石55が取付けられている。
The outer peripheral
ノッチ粗研スピンドル60にはノッチ粗研削砥石61が、またノッチ精研スピンドル57には、ノッチ部を仕上げ研削する面取り砥石であるノッチ精研削砥石58が取付けられている。ノッチ精研削砥石58は、任意の方向に所定量傾斜させることができるように保持されている。
A notch
図2は、ノッチ精研削砥石58が取付けられたノッチ精研スピンドル57の傾斜駆動機構を表わしたもので、図2(a)は平面図で、図2(b)は正面断面図である。
2A and 2B show an inclination driving mechanism of the notch
ノッチ精研モータ59が組込まれたノッチ精研スピンドル57は、スピンドルホルダ63に取付けられている。スピンドルホルダ63は、段付シャフト63Aを有しており、段付シャフト63Aの下方にはターンテーブル53に取付けられたユニバーサルジョイント64のボール63Bが固定され、段付シャフト63Aの上方にはユニバーサルジョイント66のボール63Cが固定されている。
A
また、ユニバーサルジョイント66はアーム65の一端に取付けられ、アーム65の他端はアーム67の一端とピン68で回動可能に連結され、アーム67の他端はターンテーブル53に取付けられたモータ69のシャフト69Aに固定されている。
The
ノッチ精研削砥石58はこのような機構で保持されているため、モータ69のシャフト69Aを回転させることにより図の揺動支点CNを中心としてスリコギ運動を行う。従ってモータ69の回転角を制御することにより、ノッチ精研削砥石58の軸心を任意の方向に所定角度傾斜させることができる。また、ノッチ精研削砥石58の軸心の傾斜角度αは、アーム67とアーム65の長さを変更することによって任意に設定することができる。
Since the notch
外周精研削砥石55、ノッチ精研削砥石58、及びノッチ粗研削砥石61はターンテーブル53の回転によって夫々加工位置に位置付けられる。
The outer peripheral
図3は、ウェーハテーブル34に取付けられたツルアー41を表わしている。ツルアー41は、図3に示すように、ウェーハテーブル34の下部にウェーハテーブル回転軸心CWと同心で取付けられ、θ軸モータ32によってθ回転される。また、ウェーハテーブル34の上面は、図示しない真空源と連通する吸着面になっており、面取り加工されるウェーハWが載置されて吸着固定される。
FIG. 3 shows a truer 41 attached to the wafer table 34. As shown in FIG. 3, the truer 41 is attached to the lower part of the wafer table 34 concentrically with the wafer table rotation axis CW and is rotated θ by the θ-
図4は、外周加工砥石52の構成を表わしたものである。外周加工砥石52は2段構成になっており、下段はツルアー41の外周形状を形成するマスター溝52aを有するマスター砥石52Aで、上段はウェーハWの外周粗研削用溝52bが形成された外周粗研削砥石52Bになっている。
FIG. 4 shows the configuration of the outer
なお、図4においては説明を簡略にするため、各砥石に夫々1個の溝が記載されているが、実際には摩耗による溝形状の変形に対処するため、各砥石には夫々複数個の溝が形成されている。 In FIG. 4, one groove is described for each grindstone in order to simplify the description. However, in order to cope with the deformation of the groove shape due to wear, a plurality of grindstones are actually provided for each grindstone. Grooves are formed.
本実施の形態においては、ツルアー41は、加工されるウェーハWと同等以下の外径であり、同厚の円盤状GC(Green silicon carbide)砥石、又はWA(White fused alumina)砥石が用いられ、砥石の粒度は#320である。 In the present embodiment, the truer 41 has a disk-shaped GC (Green silicon carbide) grindstone or WA (White fused aluminum) grindstone having the same or smaller outer diameter as the wafer W to be processed. The particle size of the grindstone is # 320.
また、マスター砥石52Aは直径202mmのダイヤモンド砥粒のメタルボンド砥石で、粒度#600とした。また外周粗研削砥石52Bは、直径202mmのダイヤモンド砥粒のメタルボンド砥石で、粒度#800である。
The master grindstone 52A was a diamond bonded metal bond grindstone with a diameter of 202 mm and had a particle size of # 600. The outer peripheral
外周精研削砥石55は、直径50mmのダイヤモンド砥粒のレジンボンド砥石で、粒度#3000とした。また、ノッチ粗研削砥石61は直径1.8mm〜2.4mmの小径で、ダイヤモンド砥粒のメタルボンド砥石、粒度#800が用いられ、ノッチ精研削砥石58は、直径1.8mm〜2.4mmの小径で、ダイヤモンド砥粒のレジンボンド砥石、粒度#4000が用いられている。
The
外周砥石スピンドル51は、ボールベアリングを用いたビルトインモータ駆動のスピンドルで、回転速度8,000rpmで回転される。また、外周精研スピンドル54はエアーベアリングを用いたビルトインモータ駆動のスピンドルで、回転速度35,000rpmで回転される。
The outer peripheral
ノッチ粗研スピンドル60は、エアーベアリングを用いたエアータービン駆動のスピンドルで、回転速度80,000rpmで回転され、ノッチ精研スピンドル57はエアーベアリングを用いたビルトインモータ駆動のスピンドルで、回転速度150,000rpmで回転される。
The notch
面取り装置10のその他の構成部分については、一般的によく知られた機構であるため、詳細な説明は省力する。
Since the other components of the
次に、本発明に係るツルーイング方法について説明する。最初にマスター砥石52Aでツルアー41の外周に面取り加工を行う。この加工においては、マスター砥石52Aが回転速度8,000rpmで回転されている。この状態でZテーブル31がZ軸駆動手段30によって移動され、ツルアー41の高さがマスター砥石52Aのマスター溝52aと一致する高さに位置決めされる。
Next, the truing method according to the present invention will be described. First, chamfering is performed on the outer periphery of the truer 41 with the
次いでYテーブル28がマスター砥石52Aに向かって移動される。図5(a)はこの状態を表わしたものである。Yテーブル28のY方向の移動によって、ツルアー41の外周部がマスター砥石52Aのマスター溝52a内に切り込まれ、ウェーハテーブル34がθ軸モータ32によってゆっくりと1回転することにより、ツルアー41の外周部が面取りされ、ツルアー41の外周部にマスター溝52aの形状が転写される。図5(b)はこの状態を表わしている。
Next, the Y table 28 is moved toward the
次に、図5(c)に示すように、ツルアー41はマスター砥石52Aから離れる方向に移動され、マスター砥石52Aのマスター溝52aの断面形状からツルアー41の外周部の断面形状への転写が終了する。
Next, as shown in FIG. 5C, the truer 41 is moved away from the
次に、外周部にマスター溝52aの断面形状が転写されたツルアー41を用いて、ウェーハW外周部用と、オリフラ部用との面取り加工用溝を、図6(b)に示すような、回転軸がウェーハWの接線方向に8度傾斜した外周精研削砥石55に形成する。この工程では、先ずZテーブル31がZ軸駆動手段30によって移動され、図6(a)に示すように、ツルアー41の高さが外周精研削砥石55の外周部用溝形成位置に位置決めされる。
Next, by using the truer 41 in which the cross-sectional shape of the
次いで、ツルアー41が高速回転されるとともにY方向に移動されて、図7(a)に示すように、外周精研削砥石55の外周部用溝形成位置に切り込み、外周精研削砥石55がゆっくりと回転されることにより外周部用溝55aが形成される。
Next, the truer 41 is rotated at a high speed and moved in the Y direction, and as shown in FIG. 7A, the outer peripheral
このとき、加工されるウェーハWの外径Dがツルアー41の外径dと異なる場合は、Xテーブル24とYテーブル28との移動量を制御しながら2つのテーブルを同時に移動させることにより、ツルアー41の周縁が、ウェーハWの外形形状と等しい図7(b)に示す矢印Rに沿うようにツルアー41を所定量往復移動させる。 At this time, if the outer diameter D of the wafer W to be processed is different from the outer diameter d of the truer 41, the two tables are moved simultaneously while controlling the movement amounts of the X table 24 and the Y table 28, thereby obtaining the truer. The truer 41 is reciprocated by a predetermined amount so that the periphery of 41 is along the arrow R shown in FIG.
これにより、外周精研削砥石55に形成される外周部用溝55aは、加工されるウェーハWの外径Dと同等の外径を有するツルーイング砥石で形成したものと同等となる。よって、ツルアー41をウェーハWの外径Dに合わせて交換しなくてもよい。
Thus, the outer
外周部用溝55aの形成加工が終了するとツルアー41がY方向に戻され、Zテーブル31の移動によりツルアー41の高さが外周精研削砥石55のオリフラ部用溝形成位置に位置決めされる。位置決め後、ツルアー41が高速回転されるとともにY方向に移動し、図8(a)に示すように、外周精研削砥石55のオリフラ部用溝形成位置に切り込みオリフラ部用溝55bが形成される。
When the outer
このとき、ツルアー41はXテーブル24によりX方向へ所定量往復移動を行い、外周精研削砥石55に接するツルアー41の周縁が直線状に移動する。これにより、外周精研削砥石55に形成されるオリフラ部用溝55bは、ウェーハWに直線状に形成されているオリフラ部の面取り加工に適した溝形状となる。
At this time, the truer 41 is reciprocated by a predetermined amount in the X direction by the X table 24, and the peripheral edge of the truer 41 in contact with the outer
オリフラ部用溝55bの形成加工が終了するとツルアー41がY方向に戻され、外周精研削砥石55のツルーイングが終了する。
When the forming process of the orientation
外周精研削砥石55のツルーイングが終了すると、ターンテーブル53を回転し、ノッチ精研削砥石58が加工位置まで移動され、ノッチ精研削砥石58のツルーイングが行なわれる。なお、ノッチ精研削砥石58の回転軸は、ウェーハWの中心とノッチ部の中心とを結ぶ方向であるY方向に傾斜している。
When the truing of the outer
Zテーブル31の移動によりツルアー41の高さが、図9(a)に示すようにノッチ精研削砥石58の加工位置まで移動すると、ツルアー41が高速回転されるとともにY方向に移動されてノッチ精研削砥石58のツルーイングを開始する。
When the Z table 31 moves and the height of the truer 41 moves to the processing position of the notch
図10(a)、(b)に示すように、ツルアー41に向かって傾斜(本実施例においてはα=20度)しているノッチ精研削砥石58へ切り込んだツルアー41は、Z方向下向きに移動してノッチ上面用加工溝58aを加工する。
As shown in FIGS. 10A and 10B, the truer 41 cut into the notch
このとき、ツルアー41は、図9(b)に示すように、Xテーブル24とYテーブル28との移動量を制御しながら2つのテーブルを同時に移動させ、ウェーハWのノッチ部中心を、ノッチ精研削砥石58の回転軸心に向けたときのノッチ部の直線部分と平行な方向である矢印Nの方向(例えば、本実施の形態ではX方向に対して45度の方向)へ往復移動を行なう。
At this time, as shown in FIG. 9B, the truer 41 moves the two tables at the same time while controlling the movement amounts of the X table 24 and the Y table 28, so that the notch center of the wafer W is centered on the notch. Reciprocating is performed in the direction of arrow N (for example, 45 degrees with respect to the X direction in the present embodiment), which is parallel to the straight portion of the notch when facing the rotational axis of the
これにより、ノッチ精研削砥石58に接するツルアー41の周縁がノッチ部直線部分に平行な方向に合わせて直線状に移動するので、ノッチ上面用加工溝58aは、ノッチ部直線部分におけるウェーハW上面側の面取り加工に適した溝形状となる。
As a result, the peripheral edge of the truer 41 in contact with the notch
ノッチ上面用加工溝58aが形成された後、ノッチ精研削砥石58はツルアー41とは逆の方向に傾倒(本実施例においてはα=20度)する。逆方向に傾倒したノッチ精研削砥石58には、ツルアー41に向かって傾倒しているときと同様に、図10(c)に示すように、矢印Nの方向へツルアー41を往復運動させながらZ方向上向きに移動させてノッチ下面用加工溝58bを形成する。これにより、ノッチ下面用加工溝58bは、ノッチ部直線部分におけるウェーハW下面側の面取り加工に適した溝形状となる。
After the notch upper
ノッチ下面用加工溝58bのツルーイングが終了するとツルアー41がY方向に戻され、ノッチ精研削砥石58のツルーイングが終了する。
When the truing of the notch lower
これらの方法により、本発明に係る面取り用砥石のツルーイング方法では、面取り用砥石の回転軸をウェーハの回転軸に対して所定角度傾斜させた面取り方法において、ツルーイング砥石を変更することなく、一つの面取り用砥石へウェーハ外周部とオリフラ部との面取り加工用溝形状が形成される。 By these methods, in the truing method of the chamfering grindstone according to the present invention, in the chamfering method in which the rotation axis of the chamfering grindstone is inclined by a predetermined angle with respect to the rotation axis of the wafer, one truing grindstone is not changed. A chamfering groove shape between the wafer outer peripheral portion and the orientation flat portion is formed on the chamfering grindstone.
また、ウェーハの中心とウェーハのノッチ部中心とを結ぶ方向に面取り用砥石の回転軸を所定角度傾斜させたノッチ部の面取りにおいても、外周部やオリフラ部用の溝を加工したものと同等のツルーイング砥石により、ノッチ部用面取り砥石へツルーイングすることが出来る。更に、ウェーハの径が異なってもツルーイング砥石の変更の必要がないため、効率的な面取り用砥石のツルーイングが可能となる。 In addition, the chamfering of the notch part in which the rotation axis of the chamfering grindstone is inclined at a predetermined angle in the direction connecting the center of the wafer and the center of the notch part of the wafer is equivalent to that obtained by machining the groove for the outer peripheral part or orientation flat part. A truing grindstone can be trued to a chamfering grindstone for notches. Furthermore, since it is not necessary to change the truing grindstone even if the wafer diameters are different, truing of the chamfering grindstone can be performed efficiently.
なお、本実施の形態は、回転軸をウェーハW外周の接線方向に所定角度傾斜させた面取り用砥石のツルーイングについて説明したが、本発明はこれに限らず、回転軸をウェーハW外周の接線方向以外に所定角度傾斜させた面取り用砥石のツルーイングにも好適に利用可能である。 In the present embodiment, the truing of the chamfering grindstone in which the rotation axis is inclined by a predetermined angle in the tangential direction of the outer periphery of the wafer W has been described. However, the present invention is not limited to this, and the rotation axis is tangential to the outer periphery of the wafer W. In addition, it can be suitably used for truing a chamfering grindstone that is inclined at a predetermined angle.
また、ノッチ上面用加工溝58a、及びノッチ下面用加工溝58bの加工の際、ツルアー41を往復移動させる方向は矢印Nの方向だけでなく、図9(b)に示す矢印N´の方向でもよい。更に、ツルアー41を矢印Nの方向に往復移動させて形成する溝と、矢印N´の方向に往復移動させて形成する溝とを、ノッチ精研削砥石58に別々に形成しても好適に利用可能である。
Further, when the notch upper
また、ツルアー41や各砥石の材質、寸法、粒度、及び回転数等、ツルアー41が設けられた位置などを特定した形で説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ツルアー41から面取り加工用の砥石へ形状を転写することが出来れば、種々の材質、寸法、粒度、及び回転数等、もしくはツルーイング専用装置、及びツルーイング専用機構などに適応させることが可能である。 In addition, although the description has been made in the form of specifying the position of the truer 41, such as the material, dimensions, particle size, and rotation speed of the truer 41 and each grindstone, the present invention is not limited to this, and the truer 41 is not limited thereto. As long as the shape can be transferred from the grinding wheel to the chamfering grindstone, it is possible to adapt to various materials, dimensions, particle sizes, rotation speeds, etc., or a truing dedicated device, a truing dedicated mechanism, and the like.
10…面取り装置,24…Xテーブル,28…Yテーブル,33…θスピンドル,34…ウェーハテーブル,41…ツルアー(ツルーイング砥石),52…外周加工砥石,54…外周精研スピンドル,55…外周精研削砥石(面取り用砥石),55a…外周部用溝,55b…オリフラ部用溝,58…ノッチ精研削砥石(面取り用砥石),58a…ノッチ上面用加工溝,58b…ノッチ下面用加工溝,W…ウェーハ
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記ウェーハに対して平行に支持され前記ウェーハの回転軸に対して平行な回転軸で回転するツルーイング砥石を、前記ウェーハと平行な面内において前記面取り用砥石に向けて接近させるとともに、
前記ウェーハと平行な面内において、前記ツルーイング砥石の前記面取り用砥石に対する接近方向と直交する方向に前記ツルーイング砥石を所定量往復移動させ、
前記面取り用砥石に前記ウェーハのオリエンテーションフラット部の面取り形状に対応した形状の溝を形成することを特徴とする面取り用砥石のツルーイング方法。 In a truing method of a chamfering grindstone for forming a groove having a shape corresponding to a desired chamfering shape on a chamfering grindstone having a rotation axis inclined with respect to the rotation axis of the wafer,
A truing grindstone supported in parallel to the wafer and rotating on a rotation axis parallel to the rotation axis of the wafer is brought closer to the chamfering grindstone in a plane parallel to the wafer,
In a plane parallel to the wafer, the truing grindstone is reciprocated by a predetermined amount in a direction orthogonal to the approaching direction of the truing grindstone to the chamfering grindstone,
A truing method for a chamfering grindstone, wherein a groove having a shape corresponding to a chamfering shape of an orientation flat portion of the wafer is formed in the chamfering grindstone.
前記ウェーハと同一外径のツルーイング砥石を前記ウェーハに対して平行に支持し、前記ウェーハの回転軸に対して平行な回転軸で回転させるとともに前記ウェーハと平行な面内において前記面取り用砥石に向けて接近させ、
前記面取り用砥石に前記ウェーハの外周部の面取り形状に対応した形状の溝を形成することを特徴とする面取り用砥石のツルーイング方法。 In a truing method of a chamfering grindstone for forming a groove having a shape corresponding to a desired chamfering shape on a chamfering grindstone having a rotation axis inclined with respect to the rotation axis of the wafer,
A truing grindstone having the same outer diameter as that of the wafer is supported in parallel to the wafer, and is rotated on a rotation axis parallel to the rotation axis of the wafer and is directed to the chamfering grindstone in a plane parallel to the wafer. And approach
A truing method for a chamfering grindstone, wherein grooves having a shape corresponding to a chamfering shape of an outer peripheral portion of the wafer are formed in the chamfering grindstone.
前記ウェーハに対して平行に支持され前記ウェーハの回転軸に対して平行な回転軸で回転するツルーイング砥石を、前記ウェーハと平行な面内において前記面取り用砥石に向けて接近させるとともに、
前記ウェーハと平行な面内において、前記ツルーイング砥石の周縁を前記ウェーハの外周の円弧に相当する軌跡上を所定量往復移動させ、
前記面取り用砥石に前記ウェーハの外周部の面取り形状に対応した形状の溝を形成することを特徴とする面取り用砥石のツルーイング方法。 In a truing method of a chamfering grindstone for forming a groove having a shape corresponding to a desired chamfering shape on a chamfering grindstone having a rotation axis inclined with respect to the rotation axis of the wafer,
A truing grindstone that is supported in parallel to the wafer and rotates on a rotation axis parallel to the rotation axis of the wafer is brought closer to the chamfering grindstone in a plane parallel to the wafer,
In a plane parallel to the wafer, the peripheral edge of the truing grindstone is reciprocated by a predetermined amount on a locus corresponding to the arc of the outer periphery of the wafer,
A truing method for a chamfering grindstone, wherein grooves having a shape corresponding to a chamfering shape of an outer peripheral portion of the wafer are formed in the chamfering grindstone.
前記ウェーハに対して平行に支持され前記ウェーハの回転軸に対して平行な回転軸で回転するツルーイング砥石を、前記ウェーハと平行な面内において前記面取り用砥石に向けて接近させるとともに、
前記ウェーハと平行な面内において、前記ウェーハのノッチ部中心を前記面取り用砥石に向けたときの前記ノッチ部の直線部分と平行な方向に前記ツルーイング砥石を所定量往復移動させ、
前記面取り用砥石に前記ウェーハのノッチ部の面取り形状に対応した形状の溝を形成することを特徴とする面取り用砥石のツルーイング方法。 In a truing method of a chamfering grindstone for forming a groove having a shape corresponding to a desired chamfering shape on a chamfering grindstone having a rotation axis inclined with respect to the rotation axis of the wafer,
A truing grindstone that is supported in parallel to the wafer and rotates on a rotation axis parallel to the rotation axis of the wafer is brought closer to the chamfering grindstone in a plane parallel to the wafer,
In a plane parallel to the wafer, the truing grindstone is reciprocated by a predetermined amount in a direction parallel to the linear portion of the notch when the notch portion center of the wafer is directed to the chamfering grindstone,
A truing method for a chamfering grindstone, wherein a groove having a shape corresponding to a chamfered shape of a notch portion of the wafer is formed in the chamfering grindstone.
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