JP2008023690A - Truing method for wafer chamfering grinding wheel and wafer chamfering device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置や電子部品等の材料となるウェーハの面取りを行なうウェーハ面取り砥石のツルーイング方法、及びツルーイング砥石を備えたウェーハ面取り装置に関するものである。 The present invention relates to a wafer chamfering grindstone truing method for chamfering a wafer, which is a material for semiconductor devices and electronic components, and a wafer chamfering apparatus provided with the truing grindstone.
半導体装置や電子部品等の素材となるシリコン等のウェーハは、インゴットの状態から内周刃やワイヤーソー等のスライシング装置でスライスされた後、その周縁の割れや欠け等を防止するために外周部に面取り加工が施される。面取り加工に使用される面取り装置は、ウェーハ外周部を研削する外周部用砥石や、方位の基準位置となるV字状のノッチ部を研削するノッチ部用砥石等の各種砥石が複数取り付けられ、これらの砥石をスピンドルにより高速に回転させて加工を行なう。 A wafer such as silicon, which is a material for semiconductor devices and electronic components, is sliced from the ingot state with a slicing device such as an inner peripheral blade or a wire saw, and then the outer peripheral portion is prevented to prevent cracking or chipping of the peripheral edge. Chamfering is applied to The chamfering device used for chamfering is attached with a plurality of various grindstones such as a grindstone for grinding the outer circumference of the wafer and a notch grindstone for grinding a V-shaped notch serving as a reference position for the orientation, These grindstones are processed by rotating them at high speed with a spindle.
加工の際には、ウェーハを回転するウェーハテーブル上に吸着載置し、Xガイド、Yガイド、及びZガイドの各ガイド軸によりウェーハと砥石とを相対的に移動させ、砥石に形成された面取り用の溝へウェーハ外周部を当てることにより面取り加工を行う。 At the time of processing, the wafer is sucked and mounted on a rotating wafer table, and the wafer and the grindstone are relatively moved by the guide shafts of the X guide, the Y guide, and the Z guide, and the chamfer formed on the grindstone is formed. Chamfering is performed by placing the outer periphery of the wafer against the groove for use.
これらの砥石に形成された面取り用の溝は、砥石を面取り装置に装着した後に形成され、面取り装置には溝を形成するためのツルーイング砥石が備えられている(例えば、特許文献1参照。)。 The chamfering grooves formed in these grindstones are formed after the grindstone is mounted on the chamfering device, and the chamfering device is provided with a truing grindstone for forming the grooves (see, for example, Patent Document 1). .
このような面取り装置では、まずダイヤモンド砥粒を含むメタルボンド砥石により形成された高速に回転するマスター砥石のマスター溝から、グリーンカーバイト砥粒(以下、GC砥粒と称する)により形成された低速で回転するツルーイング砥石(以下、ツルアーと称する)の外周部へ、所望のウェーハ外周形状を転写する。ツルアーに転写された外周形状は、ダイヤモンド砥粒を含むレジンボンド砥石により形成された面取り加工用砥石へ転写される。面取り加工用砥石への溝形状の転写は、高速に回転するツルアーと低速で回転する面取り加工用砥石とが、それぞれの回転中心を結ぶ直線上を移動し、ツルアーが面取り用砥石に切り込むことにより転写される。
しかし、特許文献1に記載されたような面取り装置でツルーイングを行った場合、ツルアーは通常1mm〜2mm程度の厚さしかなく、面取り加工用砥石のツルーイング時の研削抵抗に耐えられず、ツルーイング中に座屈してしまう場合がある。また、転写の回数を重ねるごとにツルーイング面が磨耗してしまい、マスター砥石から転写された形状を正しく面取り加工用砥石へ転写できなくなる。また、転写効率を向上させるためには、移動回数を増やし、時間をかけたツルーイングが必要となるため、装置のダウンタイムが長くなってしまう。 However, when truing is performed with a chamfering device such as that described in Patent Document 1, the truer is usually only about 1 mm to 2 mm thick and cannot withstand the grinding resistance of the chamfering grindstone during truing. May buckle. Further, the truing surface wears with each transfer, and the shape transferred from the master grindstone cannot be correctly transferred to the chamfering grindstone. Further, in order to improve the transfer efficiency, it is necessary to increase the number of movements and to spend truing over time, so that the downtime of the apparatus becomes long.
更には、ツルアーはウェーハテーブルを回転させる軸と同じ軸に装着されているが、ウェーハ面取り時の高分解能、低速度回転とツルーイング時の高速度回転の両方を一つのモータで実現することは困難であり、500から800rpmの高速度回転による発熱で回転軸が熱膨張してしまい、ウェーハの面取り幅精度等が著しく狂う問題も発生する。 Furthermore, although the truer is mounted on the same axis that rotates the wafer table, it is difficult to achieve high resolution during wafer chamfering, both low-speed rotation and high-speed rotation during truing with a single motor. Further, there is a problem that the rotational axis of the rotating shaft is thermally expanded due to heat generated by the high-speed rotation of 500 to 800 rpm, and the chamfering width accuracy of the wafer is significantly deviated.
本発明はこのような問題に対してなされたものであり、ツルアーの回転速度を抑えるとともに、ツルアーの劣化を防ぎ、面取り加工用砥石への形状転写効率を向上させるウェーハ面取り砥石のツルーイング方法及びウェーハ面取り装置を提供することを目的としている。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made for such a problem, and a truing method for a wafer chamfering grindstone and a wafer that suppresses the rotation speed of the truer, prevents the deterioration of the truer, and improves the shape transfer efficiency to the grindstone for chamfering. The object is to provide a chamfering device.
本発明は前記目的を達成するために、ウェーハを保持して回転するウェーハテーブルと、前記ウェーハの外周部を面取りする砥石と、前記ウェーハテーブルを前記砥石に対して相対的に移動させる移動手段と、前記砥石に対して前記ウェーハの外周部を面取りする為の溝を形成するツルーイング砥石とを備えたウェーハ面取り装置を用い、前記ツルーイング砥石は、前記砥石に対して所定の切り込み深さに切り込める位置で該砥石の接線方向に移動することにより、該砥石に対して前記溝を形成することを特徴としている。 In order to achieve the above object, the present invention provides a wafer table that holds and rotates a wafer, a grindstone that chamfers the outer periphery of the wafer, and a moving means that moves the wafer table relative to the grindstone. And using a wafer chamfering device including a truing grindstone for forming a groove for chamfering the outer peripheral portion of the wafer with respect to the grindstone, and the truing grindstone can be cut into the grindstone with a predetermined cutting depth. The groove is formed in the grindstone by moving in a tangential direction of the grindstone at a position.
また、前記ツルーイング砥石はグリーンカーバイト砥石であることと、前記砥石はレジンボンド砥石であることも特徴としている。 The truing grindstone is a green carbide grindstone, and the grindstone is a resin bond grindstone.
本発明によれば、メタルボンド砥石により形成されたマスター砥石から、GC砥石により形成されたツルアーに転写された所望の面取り加工用溝形状が、レジンボンド砥石により形成された面取り加工用砥石に転写される。 According to the present invention, the desired chamfering groove shape transferred from the master grindstone formed by the metal bond grindstone to the truer formed by the GC grindstone is transferred to the chamfering grindstone formed by the resin bond grindstone. Is done.
ツルアーから面取り加工用砥石への転写の際には、ツルアーは0以上150μm以下の所定の切り込み深さに切り込める位置まで面取り加工用砥石の近傍へ移動し、10から200rpmのツルアー直径に応じた回転速度(例えば、φ200mmツルアーで140rpm)で回転しながら、面取り加工用砥石の接線方向に移動することによりクリープフィード研削で面取り加工用砥石へ溝形状を転写する。ツルアーが面取り加工用砥石の接線方向へ移動する際には、ツルーイング開始時、ツルーイング中、及びツルーイング終了時でツルアーの移動速度は可変であって、転写効率が最適となるように速度を変化させる。 When transferring from the truer to the chamfering grindstone, the truer moves to the vicinity of the chamfering grindstone to a position where it can be cut to a predetermined cut depth of 0 to 150 μm, and according to the truer diameter of 10 to 200 rpm. The groove shape is transferred to the chamfering grindstone by creep feed grinding by moving in the tangential direction of the chamfering grindstone while rotating at a rotational speed (for example, 140 rpm with a φ200 mm truer). When the truer moves in the tangential direction of the chamfering grindstone, the truer's moving speed is variable at the beginning of truing, during truing and at the end of truing, and the speed is changed so that the transfer efficiency is optimal. .
これにより、ツルアーが低速度回転するので、回転軸の熱膨張が抑えられ、ウェーハの面取り幅精度が向上する。また、低速度回転でツルアーの砥粒の食いつきが良くなるため、切削効率が上がり、ツルアーの劣化が抑えられ、面取り加工用砥石への形状転写効率を向上させる。更に、形状転写効率が向上するため、従来手法よりも短い時間でツルーイングが可能となる。 Thereby, since the truer rotates at a low speed, the thermal expansion of the rotating shaft is suppressed, and the chamfering width accuracy of the wafer is improved. In addition, the biting of the abrasive grains of the truer is improved at low speed rotation, so that the cutting efficiency is increased, the deterioration of the truer is suppressed, and the shape transfer efficiency to the chamfering grindstone is improved. Further, since the shape transfer efficiency is improved, truing can be performed in a shorter time than the conventional method.
以上説明したように、ウェーハ面取り砥石のツルーイング方法及びウェーハ面取り装置によれば、ツルアーの回転速度を抑えるとともに、ツルアーの劣化を防ぎ、面取り加工用砥石への形状転写効率を向上させ、短時間で精度の高いツルーイングを可能とする。 As described above, according to the truing method and the wafer chamfering device for the wafer chamfering grindstone, the rotation speed of the truer is suppressed, the deterioration of the truer is prevented, the shape transfer efficiency to the grindstone for chamfering processing is improved, and in a short time. Enables truing with high accuracy.
以下、添付図面に従って本発明に係るウェーハ面取り砥石のツルーイング方法及びウェーハ面取り装置の好ましい実施の形態について詳説する。 Hereinafter, preferred embodiments of a truing method for a wafer chamfering grindstone and a wafer chamfering apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
まず初めに、本発明に係わる面取り装置の構成について説明する。図1は、面取り装置の全体正面図である。 First, the configuration of the chamfering apparatus according to the present invention will be described. FIG. 1 is an overall front view of the chamfering apparatus.
最初に、本発明に係るウェーハ面取り装置の構成について説明する。図1は、面取り装置の主要部を示す正面図である。面取り装置10は、ウェーハ送りユニット20、砥石回転ユニット50、図示しないウェーハ供給/収納部、ウェーハ洗浄/乾燥部、ウェーハ搬送手段、及び面取り装置各部の動作を制御するコントローラ等から構成されている。
First, the configuration of the wafer chamfering apparatus according to the present invention will be described. FIG. 1 is a front view showing a main part of the chamfering apparatus. The
ウェーハ送りユニット20は、本体ベース11上に載置されたX軸ベース21、2本のX軸ガイドレール22、22、4個のX軸リニアガイド23、23、…、ボールスクリュー及びACサーボモータから成るX軸駆動手段25によって図のX方向に移動されるXテーブル24を有している。
The
Xテーブル24には、2本のY軸ガイドレール26、26、4個のY軸リニアガイド27、27、…、図示しないボールスクリュー及びACサーボモータから成るY軸駆動手段によって図のY方向に移動されるYテーブル28が組込まれている。
In the X table 24, two Y-
Yテーブル28には、2本のZ軸ガイドレール29、29と図示しない4個のZ軸リニアガイドによって案内され、ボールスクリュー及びACサーボモータから成るZ軸駆動手段30によって図のZ方向に移動されるZテーブル31が組込まれている。
The Y table 28 is guided by two Z-
Zテーブル31には、θ軸モータ32、θスピンドル33が組込まれ、θスピンドル33にはウェーハWを吸着載置するウェーハテーブル34が取り付けられており、ウェーハテーブル34はウェーハテーブル回転軸心CWを中心として図のθ方向に回転される。
The Z table 31 incorporates a θ-
また、ウェーハテーブル34の下部には、ウェーハWの周縁を仕上げ面取りする砥石のツルーイングに用いるツルーイング砥石41(以下ツルアー41と称する)が、ウェーハテーブル回転軸心CWと同心に取り付けられている。 A truing grindstone 41 (hereinafter referred to as a truer 41) used for truing a grindstone for chamfering the peripheral edge of the wafer W is attached to the lower portion of the wafer table 34 concentrically with the wafer table rotation axis CW.
このウェーハ送りユニット20によって、ウェーハW及びツルアー41は図のθ方向に回転されるとともに、X、Y、及びZ方向に移動される。
By the
砥石回転ユニット50は、外周加工砥石52、図示しない外周砥石モータによって軸心CHを中心に回転駆動されるボールベアリングを用いたビルトインモータ駆動の外周砥石スピンドル51が設けられている。
The
更に、砥石回転ユニット50には、外周加工砥石52の上方に配置されたターンテーブル53に取付けられた、エアーベアリングを用いたビルトインモータ駆動の外周精研スピンドル54、外周精研モータ56、エアーベアリングを用いたエアータービン駆動のノッチ粗研スピンドル60、ノッチ粗研モータ62、エアーベアリングを用いたビルトインモータ駆動のノッチ精研スピンドル57、及びノッチ精研モータ59を有している。
Further, in the
外周精研スピンドル54は、回転軸がウェーハWの接線方向(図1に示すX軸方向)に向かって傾斜(本実施例においては8度)している。
The outer peripheral
外周精研スピンドル54にはウェーハWの外周を仕上げ研削する面取り用砥石である外周精研削砥石55が取付けられている。
A
ノッチ粗研スピンドル60にはノッチ粗研削砥石61が、またノッチ精研スピンドル57には、ノッチ部を仕上げ研削する面取り砥石であるノッチ精研削砥石58が取付けられている。ノッチ精研削砥石58は、任意の方向に所定量傾斜させることができるように保持されている。
A notch
外周精研削砥石55、ノッチ精研削砥石58、及びノッチ粗研削砥石61はターンテーブル53の回転によって夫々加工位置に位置付けられる。
The outer peripheral
図2は、ウェーハテーブル34に取付けられたツルアー41を表わしている。ツルアー41は、図2に示すように、ウェーハテーブル34の下部にウェーハテーブル回転軸心CWと同心で取付けられ、θ軸モータ32によってθ回転される。また、ウェーハテーブル34の上面は、図示しない真空源と連通する吸着面になっており、面取り加工されるウェーハWが載置されて吸着固定される。
FIG. 2 shows a
図3は、外周加工砥石52の構成を表わしたものである。外周加工砥石52は2段構成になっており、下段はツルアー41の外周形状を形成するマスター溝52aを有するマスター砥石52Aで、上段はウェーハWの外周粗研削用溝52bが形成された外周粗研削砥石52Bになっている。
FIG. 3 shows the configuration of the outer
なお、図3においては説明を簡略にするため、各砥石に夫々1個の溝が記載されているが、実際には摩耗による溝形状の変形に対処するため、各砥石には夫々複数個の溝が形成されている。 In order to simplify the description in FIG. 3, one grindstone is described for each grindstone. However, in order to cope with the deformation of the groove shape due to wear, a plurality of grindstones are provided for each grindstone. Grooves are formed.
ツルアー41は、加工されるウェーハWと同等以下の外径と厚さの円盤状グリーンカーバイト砥石(以下、GC砥石と称する)により形成されている。 The truer 41 is formed by a disk-shaped green carbide grindstone (hereinafter referred to as a GC grindstone) having an outer diameter and thickness equal to or smaller than those of the wafer W to be processed.
また、マスター砥石52AはウェーハWと同等以下の外径のダイヤモンド砥粒のメタルボンド砥石により形成されている。外周粗研削砥石52Bは、マスター砥石52Aと同様の径を持つダイヤモンド砥粒のメタルボンド砥石であり、マスター砥石52Aよりも粒度が荒くなっている。
The
外周精研削砥石55は、直径50mm程度以下のダイヤモンド砥粒のレジンボンド砥石により形成されている。
The
また、ノッチ粗研削砥石61は直径1.8mm〜2.4mmの小径で、ダイヤモンド砥粒のメタルボンド砥石、ノッチ精研削砥石58は、直径1.8mm〜2.4mmの小径で、ダイヤモンド砥粒のレジンボンド砥石により形成されている。
Further, the notch
面取り装置10のその他の構成部分については、一般的によく知られた機構であるため、詳細な説明は省力する。
Since the other components of the
次に、本発明に係るウェーハ面取り砥石のツルーイング方法について説明する。図4はツルアー41への面取り形状転写を示した正面図、図5はツルーイング開始前の状態を示した斜視図、図6はツルーイング中の状態を示した斜視図、図7はツルアーの動きを示した上面図である。 Next, a truing method for a wafer chamfering grindstone according to the present invention will be described. 4 is a front view showing the chamfered shape transfer to the truer 41, FIG. 5 is a perspective view showing a state before the truing is started, FIG. 6 is a perspective view showing a state during the truing, and FIG. 7 is a diagram showing the movement of the truer. It is the top view shown.
面取り装置10は、最初にマスター砥石52Aでツルアー41の外周に面取り加工を行うことにより、ツルアー41の外周部にマスター溝52aの形状を転写する。ツルアー41への形状転写では、Zテーブル31がZ軸駆動手段30によって移動され、図4(a)に示すように、ツルアー41の高さがマスター砥石52Aのマスター溝52aと一致する高さに位置決めされる。
The
次いでYテーブル28がマスター砥石52Aに向かって移動され、図4(b)に示すように、Yテーブル28のY方向の移動によって、ツルアー41の外周部がマスター砥石52Aのマスター溝52a内に切り込まれ、ウェーハテーブル34がθ軸モータ32によってゆっくりと1回転することにより、ツルアー41の外周部が面取りされ、ツルアー41の外周部にマスター溝52aの形状が転写される。
Next, the Y table 28 is moved toward the
次に、図4(c)に示すように、ツルアー41はマスター砥石52Aから離れる方向に移動され、マスター砥石52Aのマスター溝52aの断面形状からツルアー41の外周部の断面形状への転写が終了する。
Next, as shown in FIG. 4C, the truer 41 is moved away from the
次に、外周部にマスター溝52aの断面形状が転写されたツルアー41を用いて、図5に示す、回転軸がウェーハWの接線方向に8度傾斜した外周精研削砥石55のツルーイングを行う。
Next, truing of the outer
外周精研削砥石55のツルーイングでは、先ずZテーブル31が移動することにより、ツルアー41の高さが外周精研削砥石55の外周部用溝形成位置と同じ高さに合わせられる。
In the truing of the outer
同じ高さに合わせられたツルアー41は、Xテーブル24、Yテーブル28が移動することにより、図7(S)に示すように、外周精研削砥石55へ切り込む深さkだけ外周精研削砥石55へ寄った外周精研削砥石55の近傍へ位置づけられる。
As shown in FIG. 7 (S), the truer 41 adjusted to the same height moves the outer peripheral
この状態でツルアー41は図7に示す矢印A、または矢印B方向へ回転を開始する。それにともない外周精研削砥石55が矢印C方向へ低速度で回転(例えば、φ50mmの外周精研削砥石55の場合、通常面取り加工時の回転速度36000rpmに対し、8400rpmの速度)を開始し、ツルアー41は矢印D方向へ移動する。これにより、図6に示されるように、外周精研削砥石55へは面取り加工用溝55aが形成される。
In this state, the truer 41 starts to rotate in the direction of arrow A or arrow B shown in FIG. Accordingly, the outer
このとき、ツルアー41の回転速度は毎分10rpmから200rpm程度の低速度で回転される。図7(S)位置から矢印D方向へ移動を始めた外周精研削砥石55は、図7(S)から(M)へと移動し、最終的に(E)の位置まで平行に移動する。
At this time, the rotation speed of the truer 41 is rotated at a low speed of about 10 to 200 rpm per minute. The outer
移動する際には、(S)位置、(M)位置、(E)位置でのツルアー41の移動速度は可変であって、転写効率が最適となるように速度を変化させる。例えば、(S)位置では高速に移動し、外周精研削砥石55へ接触する直前は移動速度を低速に変え、(M)位置で再び移動速度を高速に変え(E)位置まで移動する。
When moving, the moving speed of the truer 41 at the (S) position, (M) position, and (E) position is variable, and the speed is changed so that the transfer efficiency is optimized. For example, the movement speed is changed at a high speed at the (S) position, the movement speed is changed to a low speed immediately before the contact with the outer
これにより、外周精研削砥石55へクリープフィード研削で面取り加工用溝55aの形状が高い転写効率で転写され、ツルーイングが終了する。
Thereby, the shape of the chamfering groove 55a is transferred to the outer peripheral
ツルーイングはノッチ精研削砥石58に対しても同様の方法により実施される。全ての砥石のツルーイングが終了した後、面取り装置10は、ウェーハテーブル34上にウェーハWを載置して面取り加工を開始する。
Truing is performed on the notch
以上、説明したように、本発明に係わるウェーハ面取り砥石のツルーイング方法及びウェーハ面取り装置によれば、クリープフィード研削による砥石のツルーイングでツルアーの回転速度が抑えられ、ウェーハテーブルを回転させる回転軸の発熱を防ぎ、回転軸の熱膨張を防止する。これにより、高い精度のウェーハの加工を可能とする。また、加工用砥石へのGC砥粒により形成されたツルアーの食いつきが良くなり、ツルアーの磨耗が減り、面取り加工用砥石への形状転写効率が向上するため、ツルーイング時間を短縮するとともにツルアーの劣化も防ぐこととなる。 As described above, according to the wafer chamfering grindstone truing method and the wafer chamfering apparatus according to the present invention, the rotation speed of the truer is suppressed by the truing of the grindstone by creep feed grinding, and the heat generation of the rotating shaft for rotating the wafer table is achieved. And prevent thermal expansion of the rotating shaft. Thereby, it is possible to process a wafer with high accuracy. In addition, the bite of the truer formed by GC abrasive grains on the processing grindstone is improved, the wear of the truer is reduced, and the shape transfer efficiency to the chamfering grindstone is improved, so that the truing time is shortened and the truer is deteriorated. Will also prevent.
なお、本実施の形態では、外周精研削砥石55は8度傾斜しているが、本発明はそれに限らず、傾斜をしていない外周精研削砥石でも好適に実施可能である。
In the present embodiment, the outer
また、本実施の形態では面取り装置でのツルーイングについて説明しているが、本発明はそれに限らず、砥石とツルアーを取り付けてツルーイングのみを行うツルーイング専用装置においても実施可能である。 In this embodiment, truing with a chamfering device is described. However, the present invention is not limited to this, and the present invention can also be implemented in a truing dedicated device that attaches a grindstone and a truer and performs only truing.
10…面取り装置,24…Xテーブル,28…Yテーブル,33…θスピンドル,34…ウェーハテーブル,41…ツルアー(ツルーイング砥石),52…外周加工砥石,54…外周精研スピンドル,55…外周精研削砥石(面取り用砥石),58…ノッチ精研削砥石(面取り用砥石),W…ウェーハ
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記ウェーハの外周部を面取りする砥石と、
前記ウェーハテーブルを前記砥石に対して相対的に移動させる移動手段と、
前記砥石に対して前記ウェーハの外周部を面取りする為の溝を形成するツルーイング砥石とを備えたウェーハ面取り装置を用い、
前記ツルーイング砥石は、前記砥石に対して所定の切り込み深さに切り込める位置で該砥石の接線方向に移動することにより、該砥石に対して前記溝を形成することを特徴とするウェーハ面取り砥石のツルーイング方法。 A wafer table that holds and rotates the wafer;
A grindstone for chamfering the outer periphery of the wafer;
Moving means for moving the wafer table relative to the grindstone;
Using a wafer chamfering device provided with a truing grindstone that forms a groove for chamfering the outer peripheral portion of the wafer with respect to the grindstone,
The truing grindstone forms the groove with respect to the grindstone by moving in the tangential direction of the grindstone at a position where the truing grindstone can be cut to a predetermined cutting depth. Truing method.
前記ウェーハの外周部を面取りする砥石と、
前記ウェーハテーブルを前記砥石に対して相対的に移動させる移動手段と、
前記砥石に対して所定の切り込み深さに切り込める位置で該砥石の接線方向に移動することにより前記ウェーハの外周部を面取りする為の溝を該砥石に形成するツルーイング砥石とを備えたウェーハ面取り装置。 A wafer table that holds and rotates the wafer;
A grindstone for chamfering the outer periphery of the wafer;
Moving means for moving the wafer table relative to the grindstone;
Wafer chamfering comprising a truing grindstone for forming a groove in the grindstone for chamfering the outer periphery of the wafer by moving in a tangential direction of the grindstone at a position where the grindstone can be cut to a predetermined depth of cut. apparatus.
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