JP2007014039A - Amplifying circuit - Google Patents

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Eizo Fukui
栄蔵 福井
Kozo Ichimaru
浩三 一丸
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an amplifying circuit capable of driving a load at high speed while suppressing increase in power consumption. <P>SOLUTION: A current inputted through a node N1 to an npn transistor Q1 is detected in a current detection circuit 1. In a bias control circuit 2, a base voltage of an npn transistor Q2 is controlled so as to decrease a current of the npn transistor Q2 in accordance with increase of the detected current and to increase the current of the npn transistor Q2 in accordance with decrease of the detected current. Thus, since a current that may transiently flow to a load can be enlarged, even if the capacitance of a load capacitor CL is great or a frequency is high, an output voltage can follow up a change in an input voltage at high speed, thereby suppressing the distortion of an output voltage waveform. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、エミッタフォロア回路を出力段に備える増幅回路に関するものである。   The present invention relates to an amplifier circuit including an emitter follower circuit in an output stage.

エミッタフォロア回路は、高入力インピーダンスかつ低出力インピーダンスという特徴を有しており、また、電流利得が大きいため、容量性の負荷を駆動するバッファ回路として広く使用されている。   The emitter follower circuit has characteristics of high input impedance and low output impedance, and has a large current gain, and thus is widely used as a buffer circuit for driving a capacitive load.

特許文献1、2はバッファを開示している。
図9および図10は、一般的なエミッタフォロア回路の構成例を示す図である。
Patent Documents 1 and 2 disclose buffers.
9 and 10 are diagrams showing a configuration example of a general emitter follower circuit.

図9に示すエミッタフォロア回路は、npnトランジスタQ101と、抵抗R101とを有する。
npnトランジスタQ101は、コレクタが電源電圧ラインVccに接続され、エミッタが抵抗R101を介して接地ラインGに接続される。また、そのベースは、前段の増幅回路AMP101の出力電圧を入力する。
The emitter follower circuit shown in FIG. 9 includes an npn transistor Q101 and a resistor R101.
Npn transistor Q101 has a collector connected to power supply voltage line Vcc, and an emitter connected to ground line G via resistor R101. The base receives the output voltage of the amplifier circuit AMP101 in the previous stage.

図9に示すエミッタフォロア回路において、入力はnpnトランジスタQ101のベースであり、出力はnpnトランジスタQ101のエミッタである。
出力の電位が入力の電位に比べて低くなり、その電位差がpn接合の順方向電圧より大きくなると、npnトランジスタQ101のエミッタ電流が急激に増加して、エミッタから負荷(図8の例ではキャパシタCLと抵抗RLとの直列回路)に電流が流れる。この電流により負荷のキャパシタCLが充電され、出力と入力との電位差がpn接合の順方向電圧より小さくなると、npnトランジスタQ101のエミッタ電流が減少して、負荷への電流出力が止まる。
また、出力が入力に比べて高電位になる場合は、npnトランジスタQ101がオフの状態になり、負荷から抵抗R101へ電流が引き込まれる。この引き込み電流によってキャパシタCLの電荷が放電され、出力が入力よりpn接合の順方向電圧だけ低電位になると、上述と同様にnpnトランジスタQ101のエミッタ電流がキャパシタCLを充電し、出力電圧の低下が抑えられる。
このようにして、エミッタフォロア回路の出力には、定常状態において、入力電圧をpn接合の順方向電圧だけシフトさせた電圧が発生する。したがって、交流の電圧信号に対する増幅率はほぼ‘1’であり、出力信号は入力信号と同相になる。
In the emitter follower circuit shown in FIG. 9, the input is the base of the npn transistor Q101, and the output is the emitter of the npn transistor Q101.
When the output potential becomes lower than the input potential and the potential difference becomes larger than the forward voltage of the pn junction, the emitter current of the npn transistor Q101 increases abruptly and the load from the emitter (capacitor CL in the example of FIG. 8). Current flows in a series circuit of a RL and a resistor RL. When the capacitor CL of the load is charged by this current and the potential difference between the output and the input becomes smaller than the forward voltage of the pn junction, the emitter current of the npn transistor Q101 decreases and the current output to the load stops.
When the output is higher than the input, the npn transistor Q101 is turned off and current is drawn from the load to the resistor R101. When the charge of the capacitor CL is discharged by this drawing current and the output becomes a potential lower than the input by the forward voltage of the pn junction, the emitter current of the npn transistor Q101 charges the capacitor CL as described above, and the output voltage is reduced. It can be suppressed.
In this manner, a voltage obtained by shifting the input voltage by the forward voltage of the pn junction is generated at the output of the emitter follower circuit in a steady state. Therefore, the amplification factor for the AC voltage signal is substantially “1”, and the output signal is in phase with the input signal.

図10に示すエミッタフォロア回路は、図9に示すエミッタフォロア回路と同様の構成(npnトランジスタQ101,抵抗R101)を有するとともに、npnトランジスタQ102を有する。
npnトランジスタQ102は、npnトランジスタQ101のエミッタと抵抗R101との間に挿入されており、そのベースにはバイアス供給回路B101によって一定のバイアス電圧が供給される。
The emitter follower circuit shown in FIG. 10 has the same configuration (npn transistor Q101, resistor R101) as the emitter follower circuit shown in FIG. 9, and has an npn transistor Q102.
The npn transistor Q102 is inserted between the emitter of the npn transistor Q101 and the resistor R101, and a constant bias voltage is supplied to the base by the bias supply circuit B101.

npnトランジスタQ102は、npnトランジスタQ101のエミッタと接地ラインGとの間に一定のバイアス電流Ibsを流す定電流回路である。このバイアス電流Ibsを超えない範囲で、負荷から電流を引き込むことができる。
実願昭56−048284号(実願昭57−160222号)のマイクロフィルム 特開平09−260974号公報
The npn transistor Q102 is a constant current circuit that allows a constant bias current Ibs to flow between the emitter of the npn transistor Q101 and the ground line G. Current can be drawn from the load within a range not exceeding this bias current Ibs.
Microfilm of Japanese Utility Model No. 56-048284 (Japanese Patent Application No. 57-160222) JP 09-260974 A

ところで、図9および図10に示す従来のエミッタフォロア回路には、電源電圧ラインVccから負荷に電流を吐き出す能力に比べて、負荷から接地ラインGに電流を引き込む能力が低いという問題がある。すなわち、負荷に電流を吐き出す場合は、npnトランジスタQ101を通じて大きな電流を供給できるものの、負荷から電流を引き込む場合は、定電流回路等によって電流の大きさが制限される。引き込み電流が制限されると、キャパシタの放電速度が制限されるため、キャパシタの容量が大きい場合や信号周波数が高い場合には、入力電圧の変化に出力電圧が追従できなくなり、波形が歪んでしまう。   Incidentally, the conventional emitter follower circuit shown in FIGS. 9 and 10 has a problem that the ability to draw current from the load to the ground line G is lower than the ability to discharge current from the power supply voltage line Vcc to the load. That is, when a current is discharged to the load, a large current can be supplied through the npn transistor Q101. However, when a current is drawn from the load, the magnitude of the current is limited by a constant current circuit or the like. If the pull-in current is limited, the discharge rate of the capacitor is limited. Therefore, when the capacitance of the capacitor is large or the signal frequency is high, the output voltage cannot follow the change in the input voltage, and the waveform is distorted. .

図11は、従来のエミッタフォロア回路における出力電圧波形の一例を示す図である。
信号周波数は、図11(A)において約500kHzであり、図10(B)において約50MHzである。図11(B)の点線で囲った部分を見れば分かるように、500kHzから50MHzへ信号周波数を高くすると、負荷から電流を引き込む期間において入力電圧の変化に出力電圧が追従できなくなり、波形が歪んでしまう。
FIG. 11 is a diagram illustrating an example of an output voltage waveform in a conventional emitter follower circuit.
The signal frequency is about 500 kHz in FIG. 11 (A) and about 50 MHz in FIG. 10 (B). As can be seen from the portion surrounded by the dotted line in FIG. 11B, when the signal frequency is increased from 500 kHz to 50 MHz, the output voltage cannot follow the change in the input voltage during the period of drawing current from the load, and the waveform is distorted. It will end up.

このような出力電圧波形の歪みを改善するためには、npnトランジスタQ101のエミッタと接地ラインGとの間に流すバイアス電流Ibsを大きくする必要がある。しかしながら、バイアス電流Ibsを大きくすると、負荷の有無に関わりなく定常的にバイアス電流Ibsが流れるため、消費電力が大きくなるという問題を生じる。   In order to improve such distortion of the output voltage waveform, it is necessary to increase the bias current Ibs that flows between the emitter of the npn transistor Q101 and the ground line G. However, when the bias current Ibs is increased, the bias current Ibs constantly flows regardless of the presence or absence of a load, which causes a problem that power consumption increases.

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、消費電力の増加を抑制しつつ高速に負荷を駆動することができる増幅回路を提供することにある。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide an amplifier circuit capable of driving a load at high speed while suppressing an increase in power consumption.

上記の目的を達成するため、本発明の第1の増幅回路は、制御端子が信号入力端子に電気的に接続された第1のトランジスタと、制御端子が信号出力端子に電気的に接続され、上記第1のトランジスタと共に差動回路を構成する第2のトランジスタと、上記第1及び第2のトランジスタに共通に電気的に接続され、上記第1及び第2のトランジスタに電流を供給するための第3のトランジスタと、上記第1のトランジスタと第1の電源電圧供給線との間に電気的に接続された第1の抵抗素子と、上記第2のトランジスタと上記第1の電源電圧供給線との間に電気的に接続された第2の抵抗素子と、上記第3のトランジスタと第2の電源電圧供給線との間に電気的に接続された第3の抵抗素子と、上記第3のトランジスタの制御端子に所定のバイアス電圧を供給するバイアス供給回路と、上記第3のトランジスタの制御端子と上記第2の電源電圧供給線との間に電気的に接続された第1のキャパシタと、上記第1の電源電圧供給線と上記信号出力端子との間に電気的に接続された第4のトランジスタと、上記信号出力端子と上記第2の電源電圧供給線との間に電気的に接続された第5のトランジスタと、上記第1の電源電圧供給線と上記第4のトランジスタとの間の電流経路に設けられた第4の抵抗素子と、上記第5のトランジスタと上記第2の電源電圧供給船との間の電流経路に設けられた第5の抵抗素子と、上記第4の抵抗素子と上記第4のトランジスタとの間の接続線と上記第5のトランジスタの制御端子との間に電気的に接続された第2のキャパシタと、上記第5のトランジスタの制御端子と上記第2の電源電圧供給線との間に電気的に接続された第3のキャパシタと、上記第3のトランジスタの制御端子と上記第5のトランジスタの制御端子との間に電気的に接続された第6の抵抗素子とを有し、上記第4のトランジスタの制御端子が上記第2の抵抗素子と上記第2のトランジスタとの間の接続線に電気的に接続されている。   In order to achieve the above object, the first amplifier circuit of the present invention includes a first transistor having a control terminal electrically connected to a signal input terminal, and a control terminal electrically connected to the signal output terminal. A second transistor that forms a differential circuit together with the first transistor, and is electrically connected in common to the first and second transistors, for supplying current to the first and second transistors. A third transistor; a first resistance element electrically connected between the first transistor and the first power supply voltage supply line; the second transistor and the first power supply voltage supply line; A second resistance element electrically connected between the third transistor, a third resistance element electrically connected between the third transistor and the second power supply voltage supply line, and the third resistance element. Via that supplies a predetermined bias voltage to the control terminal of the transistor A first capacitor electrically connected between the control terminal of the third transistor and the second power supply voltage supply line; the first power supply voltage supply line; and the signal output. A fourth transistor electrically connected between the terminal, a fifth transistor electrically connected between the signal output terminal and the second power supply voltage supply line, and the first transistor A fourth resistance element provided in a current path between a power supply voltage supply line and the fourth transistor; and a current path provided between the fifth transistor and the second power supply voltage supply ship. A fifth capacitor, a second capacitor electrically connected between a connection line between the fourth resistor and the fourth transistor, and a control terminal of the fifth transistor; Between the control terminal of the fifth transistor and the second power supply voltage supply line. A third capacitor connected electrically, and a sixth resistor element electrically connected between the control terminal of the third transistor and the control terminal of the fifth transistor, The control terminal of the fourth transistor is electrically connected to a connection line between the second resistance element and the second transistor.

また、本発明の第2の増幅回路は、制御端子が第1の信号入力端子に電気的に接続された第1のトランジスタと、制御端子が第2の信号入力端子に電気的に接続された第2のトランジスタと、第1の電源電圧供給線と上記第1のトランジスタとの間に電気的に接続された第1の抵抗素子と、上記第1の電源電圧供給線と上記第2のトランジスタとの間に電気的に接続された第2の抵抗素子と、上記第1のトランジスタと第2の電源電圧供給線との間に電気的に接続された第3のトランジスタと、上記第2のトランジスタと上記第2の電源電圧供給線との間に電気的に接続された第4のトランジスタと、上記第3のトランジスタと上記第2の電源電圧供給線との間の電流経路に設けられた第3の抵抗素子と、上記第4のトランジスタと上記第2の電源電圧供給線との間の電流経路に設けられた第4の抵抗素子と、上記第1のトランジスタと上記第3のトランジスタとの間の接続線と上記第2のトランジスタと上記第4のトランジスタとの間の接続線との間に電気的に接続された第5の抵抗素子と、上記第3及び第4のトランジスタの制御端子に所定のバイアス電圧を供給するバイアス供給回路と、上記第3及び第4のトランジスタの制御端子と上記第2の電源電圧供給線との間に電気的に接続された第1のキャパシタと、上記第1の電源電圧供給線と第1の信号出力端子との間に電気的に接続された第5のトランジスタと、上記第1の信号出力端子と上記第2の電源電圧供給線との間に電気的に接続された第6のトランジスタと、上記第1の電源電圧供給線と上記第5のトランジスタとの間の電流経路に設けられた第6の抵抗素子と、上記第6のトランジスタと上記第2の電源電圧供給線との間の電流経路に設けられた第7の抵抗素子と、上記第6の抵抗素子と上記第5のトランジスタとの間の接続線と上記第6のトランジスタの制御端子との間に電気的に接続された第2のキャパシタと、上記第6のトランジスタの制御端子と上記第2の電源電圧供給線との間に電気的に接続された第3のキャパシタと、上記第3及び第4のトランジスタの制御端子と上記第6のトランジスタの制御端子との間に電気的に接続された第8の抵抗素子と、上記第1の電源電圧供給線と第2の信号出力端子との間に電気的に接続された第7のトランジスタと、上記第2の信号出力端子と上記第2の電源電圧供給線との間に電気的に接続された第8のトランジスタと、上記第1の電源電圧供給線と上記第7のトランジスタとの間の電流経路に設けられた第9の抵抗素子と、上記第8のトランジスタと上記第2の電源電圧供給線との間の電流経路に設けられた第10の抵抗素子と、上記第9の抵抗素子と上記第7のトランジスタとの間の接続線と上記第8のトランジスタの制御端子との間に電気的に接続された第4のキャパシタと、上記第8のトランジスタの制御端子と上記第2の電源電圧供給線との間に電気的に接続された第5のキャパシタと、上記第3及び第4のトランジスタの制御端子と上記第8のトランジスタの制御端子との間に電気的に接続された第11の抵抗素子とを有し、上記第5のトランジスタの制御端子が上記第2の抵抗素子と上記第2のトランジスタとの間の接続線に電気的に接続されており、上記第7のトランジスタの制御端子が上記第1の抵抗素子と上記第1のトランジスタとの間の接続線に電気的に接続されている。   In the second amplifier circuit of the present invention, the control terminal is electrically connected to the first signal input terminal, and the control terminal is electrically connected to the second signal input terminal. A second transistor; a first resistance element electrically connected between the first power supply voltage supply line and the first transistor; the first power supply voltage supply line and the second transistor; A second resistance element electrically connected between the second transistor, a third transistor electrically connected between the first transistor and the second power supply voltage supply line, and the second transistor A fourth transistor electrically connected between the transistor and the second power supply voltage supply line; and a current path between the third transistor and the second power supply voltage supply line. A current path between the third resistance element, the fourth transistor, and the second power supply voltage supply line; A fourth resistance element provided on the path, a connection line between the first transistor and the third transistor, and a connection line between the second transistor and the fourth transistor. A fifth resistance element electrically connected to the control circuit, a bias supply circuit for supplying a predetermined bias voltage to the control terminals of the third and fourth transistors, and a control terminal of the third and fourth transistors; A first capacitor electrically connected between the second power supply voltage supply line and a first capacitor electrically connected between the first power supply voltage supply line and the first signal output terminal; 5 transistors, a sixth transistor electrically connected between the first signal output terminal and the second power supply voltage supply line, the first power supply voltage supply line and the fifth power supply line A sixth resistance element provided in a current path between the transistor and the sixth transistor; A seventh resistance element provided in a current path between the transistor and the second power supply voltage supply line; a connection line between the sixth resistance element and the fifth transistor; and the sixth resistance element. A second capacitor electrically connected between the control terminal of the transistor and a third capacitor electrically connected between the control terminal of the sixth transistor and the second power supply voltage supply line; A capacitor, an eighth resistor element electrically connected between the control terminals of the third and fourth transistors and the control terminal of the sixth transistor, the first power supply voltage supply line, and the first A seventh transistor electrically connected between the second signal output terminal and an eighth transistor electrically connected between the second signal output terminal and the second power supply voltage supply line; Provided in a current path between the transistor and the first power supply voltage supply line and the seventh transistor. The ninth resistor element, the tenth resistor element provided in the current path between the eighth transistor and the second power supply voltage supply line, the ninth resistor element, and the seventh resistor A fourth capacitor electrically connected between the connection line between the first transistor and the control terminal of the eighth transistor, the control terminal of the eighth transistor and the second power supply voltage supply line And an eleventh resistor electrically connected between the control terminals of the third and fourth transistors and the control terminal of the eighth transistor. And the control terminal of the fifth transistor is electrically connected to a connection line between the second resistance element and the second transistor, and the control terminal of the seventh transistor. Is connected to the connection line between the first resistance element and the first transistor. Connected with care.

本発明によれば、トランジスタに定常的に大電流を流すことなく、小さい消費電力で高速に負荷を駆動することができる。   According to the present invention, a load can be driven at high speed with low power consumption without constantly flowing a large current through a transistor.

以下、本発明の増幅回路3つの実施形態について、図面を参照して説明する。   Hereinafter, three embodiments of the amplifier circuit of the present invention will be described with reference to the drawings.

<第1の実施形態>
図1は、本発明の増幅回路の第1の実施形態に係るバッファ回路の構成の一例を示す図である。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a configuration of a buffer circuit according to a first embodiment of an amplifier circuit of the present invention.

図1に示すバッファ回路は、npnトランジスタQ1およびQ2と、電流検出回路1と、バイアス制御回路2と、抵抗R2と、バイアス供給回路B1とを有する。
なお、npnトランジスタQ1は、本発明の第1のトランジスタの一実施形態である。
npnトランジスタQ2は、本発明の第2のトランジスタの一実施形態である。
電流検出回路1は、本発明の電流検出回路の一実施形態である。
バイアス制御回路2は、本発明のバイアス制御回路の一実施形態である。
The buffer circuit shown in FIG. 1 includes npn transistors Q1 and Q2, a current detection circuit 1, a bias control circuit 2, a resistor R2, and a bias supply circuit B1.
The npn transistor Q1 is an embodiment of the first transistor of the present invention.
The npn transistor Q2 is an embodiment of the second transistor of the present invention.
The current detection circuit 1 is an embodiment of the current detection circuit of the present invention.
The bias control circuit 2 is an embodiment of the bias control circuit of the present invention.

npnトランジスタQ1は、ノードN1からノードN2へ流れる電流をベースに入力される信号に応じて制御する。
すなわち、npnトランジスタQ1は、そのコレクタがノードN1に接続され、エミッタがノードN2に接続され、ベースに前段の増幅回路AMP1の出力信号が入力される。
The npn transistor Q1 controls the current flowing from the node N1 to the node N2 according to a signal input based on the base.
That is, npn transistor Q1 has its collector connected to node N1, its emitter connected to node N2, and the output signal of amplifier circuit AMP1 at the previous stage being input to the base.

npnトランジスタQ2は、ノードN2から接地ラインGに流れる電流を、ベースに供給されるバイアス電圧に応じて制御する。
すなわち、npnトランジスタQ2は、そのコレクタがノードN2に接続され、エミッタが抵抗R2を介して接地ラインGに接続され、ベースにバイアス電圧を入力する。
The npn transistor Q2 controls the current flowing from the node N2 to the ground line G according to the bias voltage supplied to the base.
That is, npn transistor Q2 has its collector connected to node N2, its emitter connected to ground line G via resistor R2, and inputs a bias voltage to its base.

電流検出回路1は、電源ラインVccからノードN1を介してnpnトランジスタQ1に入力される電流を検出する。   Current detection circuit 1 detects a current input from power supply line Vcc to npn transistor Q1 via node N1.

バイアス供給回路B1は、npnトランジスタQ2のベースに供給する直流のバイアス電圧を発生する。   The bias supply circuit B1 generates a DC bias voltage supplied to the base of the npn transistor Q2.

バイアス制御回路2は、バイアス供給回路B1において発生するバイアス電圧を、電流検出回路1における電流の検出結果に応じて制御して、npnトランジスタQ2のベースに入力する。
すなわち、バイアス制御回路2は、電流検出回路1の検出電流の増加に応じてnpnトランジスタQ2のバイアス電流Ibsを減少させ、当該検出電流の減少に応じてnpnトランジスタQ2のバイアス電流Ibsを増加させるように、npnトランジスタQ2のベース電圧を制御する。
より詳細に述べると、電流検出回路1の検出電流の増加に応じてnpnトランジスタQ2のベース電圧を低下させ、当該検出電流の減少に応じてnpnトランジスタQ2のベース電圧を上昇させる。
The bias control circuit 2 controls the bias voltage generated in the bias supply circuit B1 according to the current detection result in the current detection circuit 1, and inputs the bias voltage to the base of the npn transistor Q2.
That is, the bias control circuit 2 decreases the bias current Ibs of the npn transistor Q2 according to the increase in the detection current of the current detection circuit 1, and increases the bias current Ibs of the npn transistor Q2 according to the decrease in the detection current. The base voltage of the npn transistor Q2 is controlled.
More specifically, the base voltage of the npn transistor Q2 is decreased according to the increase in the detection current of the current detection circuit 1, and the base voltage of the npn transistor Q2 is increased according to the decrease in the detection current.

また、図1の例において、npnトランジスタQ1のエミッタと接地ラインGとの間には、キャパシタCLと抵抗RLとの直列回路が負荷として接続されている。   In the example of FIG. 1, a series circuit of a capacitor CL and a resistor RL is connected as a load between the emitter of the npn transistor Q1 and the ground line G.

ここで、上述した構成を有する図1に示すバッファ回路の動作を説明する。   Here, the operation of the buffer circuit shown in FIG. 1 having the above-described configuration will be described.

図1に示すバッファ回路において、入力はnpnトランジスタQ1のベースであり、出力はnpnトランジスタQ1のエミッタである。
出力の電位が入力の電位に比べて低くなり、その電位差がpn接合の順方向電圧より大きくなると、npnトランジスタQ1のエミッタ電流が急激に増加して、エミッタから負荷(キャパシタCLおよび抵抗RL)に電流が流れる。この電流により負荷のキャパシタCLが充電され、出力と入力との電位差がpn接合の順方向電圧より小さくなると、npnトランジスタQ1のエミッタ電流が減少して、負荷への電流出力が止まる。
また、出力が入力に比べて高電位になる場合は、npnトランジスタQ1がオフの状態になり、負荷から抵抗R1へ電流が引き込まれる。この引き込み電流によってキャパシタCLの電荷が放電され、出力が入力よりpn接合の順方向電圧だけ低電位になると、上述と同様にnpnトランジスタQ1のエミッタ電流がキャパシタCLを充電し、出力電圧の低下が抑えられる。
このようにして、バッファ回路の出力には、定常状態において、入力電圧をpn接合の順方向電圧だけシフトさせた電圧が発生する。したがって、図9および図10に示すエミッタフォロア回路と同様に、交流の電圧信号に対する増幅率はほぼ‘1’になり、出力信号は入力信号と同相になる。
In the buffer circuit shown in FIG. 1, the input is the base of the npn transistor Q1, and the output is the emitter of the npn transistor Q1.
When the output potential becomes lower than the input potential and the potential difference becomes larger than the forward voltage of the pn junction, the emitter current of the npn transistor Q1 increases abruptly and the emitter to the load (capacitor CL and resistor RL). Current flows. When the capacitor CL of the load is charged by this current and the potential difference between the output and the input becomes smaller than the forward voltage of the pn junction, the emitter current of the npn transistor Q1 is reduced and the current output to the load is stopped.
When the output is higher than the input, the npn transistor Q1 is turned off, and current is drawn from the load to the resistor R1. When the charge of the capacitor CL is discharged by this drawing current and the output becomes a potential lower than the input by the forward voltage of the pn junction, the emitter current of the npn transistor Q1 charges the capacitor CL as described above, and the output voltage decreases. It can be suppressed.
In this way, a voltage obtained by shifting the input voltage by the forward voltage of the pn junction is generated at the output of the buffer circuit in the steady state. Therefore, similarly to the emitter follower circuit shown in FIGS. 9 and 10, the amplification factor for the AC voltage signal is substantially “1”, and the output signal is in phase with the input signal.

更に、上記の構成によれば、電流検出回路1において、ノードN1を介しnpnトランジスタQ1に入力される電流が検出される。バイアス制御回路2では、この検出電流の増加に応じてnpnトランジスタQ2の電流が減少し、検出電流の減少に応じてnpnトランジスタQ2の電流が増加するように、npnトランジスタQ2のベース電圧が制御される。
そのため、増幅回路AMP1の出力信号に応じてnpnトランジスタQ1のベース電圧が上昇し、npnトランジスタQ1の電流が増加する場合には、npnトランジスタQ2へ流れる電流が減少するため、npnトランジスタQ1から負荷(キャパシタCLおよび抵抗RL)へ吐き出される電流が大きくなる。また、npnトランジスタQ1に流れる電流が減少する場合には、npnトランジスタQ2に流れる電流が増加するため、負荷からnpnトランジスタQ2へ引き込まれる電流が大きくなる。すなわち、npnトランジスタQ1から負荷へ吐き出し電流が流れる場合、および、負荷からnpnトランジスタQ2へ引き込み電流が流れる場合の何れにおいても、バイアス制御回路2によるバイアス電圧の制御によって、負荷に過渡的に流すことが可能な電流を大きくすることができる。特に、過渡的に引き込み電流を流す能力を向上させることができる。その結果、負荷キャパシタCLの容量が大きい場合や、周波数が高い場合でも、入力電圧の変化(特に電流引き込み時の変化)に出力電圧を高速に追従させることが可能になり、出力電圧波形の歪みを効果的に抑えることができる。
Furthermore, according to the above configuration, the current detection circuit 1 detects the current input to the npn transistor Q1 via the node N1. In the bias control circuit 2, the base voltage of the npn transistor Q2 is controlled so that the current of the npn transistor Q2 decreases as the detection current increases, and the current of the npn transistor Q2 increases as the detection current decreases. The
Therefore, when the base voltage of the npn transistor Q1 rises according to the output signal of the amplifier circuit AMP1 and the current of the npn transistor Q1 increases, the current flowing to the npn transistor Q2 decreases, so that the load from the npn transistor Q1 ( The current discharged to the capacitor CL and the resistor RL) increases. Further, when the current flowing through npn transistor Q1 decreases, the current flowing through npn transistor Q2 increases, so that the current drawn from the load to npn transistor Q2 increases. That is, in both cases where the discharge current flows from the npn transistor Q1 to the load and the pull-in current flows from the load to the npn transistor Q2, the bias control circuit 2 controls the bias voltage so that the current flows transiently. However, the current that can be increased can be increased. In particular, it is possible to improve the ability to flow a drawing current transiently. As a result, even when the capacity of the load capacitor CL is large or the frequency is high, the output voltage can follow the change of the input voltage (especially, the change at the time of current drawing) at high speed, and the output voltage waveform is distorted. Can be effectively suppressed.

また、負荷の引き込み電流を増やすために、npnトランジスタQ2のバイアス電流IbsをnpnトランジスタQ1の電流に依らず常に大きく設定する方法では、npnトランジスタQ1とnpnトランジスタQ2とを貫通して定常的に大きな電流が流れるため電力が無駄に消費されるが、図1に示すバッファ回路によれば、npnトランジスタQ1の増加/減少に応じてnpnトランジスタQ2のバイアス電流Ibsを減少/増加させるため、定常的に大きな電流を流すことなく負荷の引き込み電流を大きくすることが可能になり、消費電力の増大を抑えることができる。   Further, in order to increase the load pull-in current, the method of constantly setting the bias current Ibs of the npn transistor Q2 large regardless of the current of the npn transistor Q1 steadily increases through the npn transistor Q1 and the npn transistor Q2. Since the current flows, power is wasted. However, according to the buffer circuit shown in FIG. 1, the bias current Ibs of the npn transistor Q2 is decreased / increased according to the increase / decrease of the npn transistor Q1, so that It is possible to increase the load drawing current without flowing a large current, and it is possible to suppress an increase in power consumption.

<第2の実施形態>
次に、本発明の第2の実施形態を述べる。
図2は、本発明の増幅回路の第2の実施形態に係るバッファ回路の構成の一例を示す図である。
<Second Embodiment>
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 2 is a diagram showing an example of the configuration of the buffer circuit according to the second embodiment of the amplifier circuit of the present invention.

図2に示すバッファ回路は、npnトランジスタQ1およびQ2と、抵抗R1〜R3と、キャパシタC1およびC2と、バイアス供給回路B1とを有する。
なお、抵抗R1は、本発明のインピーダンス回路の一実施形態である。
抵抗R3とキャパシタC1およびC2とを含む回路は、本発明のバイアス制御回路の一実施形態である。
キャパシタC1およびC2の直列回路は、本発明のキャパシタの直列回路の一実施形態である。
抵抗R3は、本発明の抵抗の一実施形態である。
The buffer circuit shown in FIG. 2 includes npn transistors Q1 and Q2, resistors R1 to R3, capacitors C1 and C2, and a bias supply circuit B1.
The resistor R1 is an embodiment of the impedance circuit of the present invention.
The circuit including resistor R3 and capacitors C1 and C2 is an embodiment of the bias control circuit of the present invention.
The series circuit of capacitors C1 and C2 is an embodiment of the series circuit of capacitors of the present invention.
Resistor R3 is an embodiment of the resistor of the present invention.

抵抗R1は、電源ラインVccとノードN1との間に接続される。
キャパシタC1は、npnトランジスタQ2のベースとノードN1との間に接続される。
キャパシタC2は、npnトランジスタQ2のベースと接地ラインGとの間に接続される。
抵抗R3は、npnトランジスタQ2のベースとバイアス供給回路B1のバイアス電圧の出力端子との間に接続される。
抵抗R2、npnトランジスタQ1およびQ2は、図1における同一符号の構成要素と同様な接続関係を有する。
Resistor R1 is connected between power supply line Vcc and node N1.
Capacitor C1 is connected between the base of npn transistor Q2 and node N1.
Capacitor C2 is connected between the base of npn transistor Q2 and ground line G.
The resistor R3 is connected between the base of the npn transistor Q2 and the bias voltage output terminal of the bias supply circuit B1.
Resistor R2 and npn transistors Q1 and Q2 have the same connection relationship as the constituent elements having the same reference numerals in FIG.

抵抗R1に生じる電圧の交流成分を‘vr1’とすると、npnトランジスタQ2のベース電圧の交流成分Vb2は次式のように近似することができる。   If the AC component of the voltage generated in the resistor R1 is ‘vr1’, the AC component Vb2 of the base voltage of the npn transistor Q2 can be approximated by the following equation.

vb2=vr1×{c1/(c1+c2)} … (1)     vb2 = vr1 × {c1 / (c1 + c2)} (1)

ただし、式(1)において、‘c1’はキャパシタC1の容量値、‘c2’はキャパシタC2の容量値それぞれを示す。
この式からも分かるように、npnトランジスタQ2のベースには、抵抗R1に発生する電圧信号の交流信号vr1をキャパシタC1およびC2の直列回路で分圧した信号が入力される。
In Expression (1), “c1” indicates the capacitance value of the capacitor C1, and “c2” indicates the capacitance value of the capacitor C2.
As can be seen from this equation, a signal obtained by dividing the AC signal vr1 of the voltage signal generated in the resistor R1 by the series circuit of the capacitors C1 and C2 is input to the base of the npn transistor Q2.

このように、図2に示すバッファ回路によると、npnトランジスタQ1に流れる電流に応じて抵抗R1に発生する交流電圧が、キャパシタC1およびC2の直列回路によって分圧され、バイアス供給回路B1が発生する直流のバイアス電圧に重畳されて、npnトランジスタQ2のベースに入力される。
増幅回路AMP1の出力信号に応じてnpnトランジスタQ1のベース電圧が上昇してnpnトランジスタQ1の電流が増加すると、抵抗R1に流れる電流が増加して、ノードN1の電位が低下するため、キャパシタC1とC2との接続点であるnpnトランジスタQ2のベース電圧も低下し、npnトランジスタQ2の電流が減少する。これにより、npnトランジスタQ1から負荷へ吐き出される電流が大きくなる。また、npnトランジスタQ1に流れる電流が減少すると、抵抗R1に流れる電流が減少して、ノードN1の電位が上昇するため、上述とは逆にnpnトランジスタQ2のベース電圧が上昇して、npnトランジスタQ2の電流が増加する。これにより、負荷からnpnトランジスタQ2へ引き込まれる電流が大きくなる。すなわち、npnトランジスタQ1から負荷へ吐き出し電流が流れる場合、および、負荷からnpnトランジスタQ2へ吸い込み電流が流れる場合の何れにおいても、負荷に過渡的に流すことが可能な電流を大きくすることができる。
したがって、負荷キャパシタCLの容量が大きい場合や、周波数が高い場合でも、入力電圧の変化に出力電圧を高速に追従させることが可能になり、特に電流の引き込み期間において生じやすい出力電圧波形の歪みを効果的に抑えることができる。
As described above, according to the buffer circuit shown in FIG. 2, the AC voltage generated in the resistor R1 according to the current flowing through the npn transistor Q1 is divided by the series circuit of the capacitors C1 and C2, and the bias supply circuit B1 is generated. The signal is superimposed on the DC bias voltage and input to the base of the npn transistor Q2.
When the base voltage of the npn transistor Q1 rises according to the output signal of the amplifier circuit AMP1 and the current of the npn transistor Q1 increases, the current flowing through the resistor R1 increases and the potential of the node N1 decreases. The base voltage of the npn transistor Q2, which is a connection point with C2, also decreases, and the current of the npn transistor Q2 decreases. This increases the current discharged from npn transistor Q1 to the load. Further, when the current flowing through npn transistor Q1 decreases, the current flowing through resistor R1 decreases and the potential of node N1 rises. Therefore, contrary to the above, the base voltage of npn transistor Q2 rises and npn transistor Q2 Current increases. This increases the current drawn from the load to npn transistor Q2. In other words, the current that can be passed through the load transiently can be increased in both cases where a discharge current flows from npn transistor Q1 to the load and a sink current flows from load to npn transistor Q2.
Therefore, even when the capacitance of the load capacitor CL is large or the frequency is high, the output voltage can follow the change of the input voltage at a high speed, and distortion of the output voltage waveform that is likely to occur particularly during the current drawing period can be obtained. It can be effectively suppressed.

また、図2に示すバッファ回路によれば、npnトランジスタQ2に流れるバイアス電流Ibsの直流成分が、バイアス供給回路B1の直流バイアス電圧に応じて一定に保たれており、過渡的な負荷の引き込み電流を大きくするためにこの直流成分を大きく設定する必要がないため、定常的なバイアス電流による消費電力の増大を抑えることができる。   Further, according to the buffer circuit shown in FIG. 2, the DC component of the bias current Ibs flowing through the npn transistor Q2 is kept constant according to the DC bias voltage of the bias supply circuit B1, and a transient load pull-in current is obtained. Since it is not necessary to set a large DC component in order to increase the power consumption, an increase in power consumption due to a steady bias current can be suppressed.

しかも、図2に示すバッファ回路は、例えば図10に示す回路に対して電流検出用の抵抗Rと2つのキャパシタを追加することにより実現できる非常に簡易な構成であるため、回路の面積の増大を微小に抑えつつ、応答特性を大幅に改善することが可能である。   In addition, the buffer circuit shown in FIG. 2 has a very simple configuration that can be realized by adding a current detection resistor R and two capacitors to the circuit shown in FIG. It is possible to greatly improve the response characteristics while minimizing.

このように、本実施形態に係るバッファ回路は、出力の応答性能が優れており、かつ消費電力と回路面積を小さく抑えることができるため、例えば携帯電話機におけるTVチューナ回路のように高速性と低消費電力性を要求される回路や、高速にスイッチを駆動するドライバ回路のように容量負荷を高速にドライブする回路などへ好適に応用することができる。   As described above, since the buffer circuit according to the present embodiment has excellent output response performance and can suppress power consumption and circuit area to be small, for example, a high speed and low performance like a TV tuner circuit in a mobile phone. The present invention can be suitably applied to a circuit that requires power consumption, a circuit that drives a capacitive load at high speed such as a driver circuit that drives a switch at high speed, and the like.

図3は、図2に示すバッファ回路の出力電圧波形の一例を示す図であり、従来のエミッタフォロア回路との比較例を示す。
図3において、曲線C1は本実施形態に係るバッファ回路の出力電圧波形を示し、曲線C2は従来のエミッタフォロア回路の出力電圧波形を示す。両者を比較して分かるように、本実施形態に係るバッファ回路では、負荷からの電流引き込み能力を過渡的に高めることができるため、従来回路に見られるような波形の歪みが改善されている。
FIG. 3 is a diagram showing an example of an output voltage waveform of the buffer circuit shown in FIG. 2, and shows a comparative example with a conventional emitter follower circuit.
In FIG. 3, a curve C1 shows the output voltage waveform of the buffer circuit according to this embodiment, and a curve C2 shows the output voltage waveform of the conventional emitter follower circuit. As can be seen from a comparison between the two, in the buffer circuit according to the present embodiment, the current drawing capability from the load can be transiently increased, so that the waveform distortion found in the conventional circuit is improved.

次に、図2に示すバッファ回路の応用例について述べる。   Next, an application example of the buffer circuit shown in FIG. 2 will be described.

図4は、図2に示すバッファ回路を出力段に設けたユニティゲインの増幅回路の一例を示す図である。
図4に示す増幅回路は、図2に示す回路と同一構成のバッファ回路(Q1,Q2、R1〜R3、C1,C2、B1)を有するとともに、差動増幅回路として、npnトランジスタQ3〜Q5と、pnpトランジスタQ6およびQ7と、抵抗R4〜R6と、キャパシタC3とを有する。
FIG. 4 is a diagram showing an example of a unity gain amplifier circuit in which the buffer circuit shown in FIG. 2 is provided in the output stage.
The amplifier circuit shown in FIG. 4 has buffer circuits (Q1, Q2, R1 to R3, C1, C2, and B1) having the same configuration as the circuit shown in FIG. 2, and npn transistors Q3 to Q5 are used as differential amplifier circuits. , Pnp transistors Q6 and Q7, resistors R4 to R6, and a capacitor C3.

npnトランジスタQ3およびQ4は、互いのエミッタが共通に接続されており、この接続点が、npnトランジスタQ5のコレクタに接続される。npnトランジスタQ5は、そのエミッタが抵抗R4を介して接地ラインGに接続され、ベースにはバイアス供給回路B1の直流バイアス電圧が入力される。
pnpトランジスタQ6およびQ7は、互いのベースが共通に接続されており、この接続点が、pnpトランジスタQ6のコレクタに接続される。pnpトランジスタQ6のコレクタは、npnトランジスタQ3のコレクタに接続され、そのエミッタは、抵抗R5を介して電源ラインVccに接続される。pnpトランジスタQ7のコレクタは、npnトランジスタQ4のコレクタに接続され、そのエミッタは、抵抗R6を介して電源ラインVccに接続される。
pnpトランジスタQ7とnpnトランジスタQ4のコレクタ同士の接続点は、npnトランジスタQ1のベースに接続される。また、ノードN2は、npnトランジスタQ4のベースに接続される。
キャパシタC3は、バイアス供給回路B1と並列に接続されており、直流バイアス電圧の変動を防止する。
なお、バイアス供給回路B1は、出力段のバッファ回路とその前段の差動増幅回路において共用されている。
Npn transistors Q3 and Q4 have their emitters connected in common, and this connection point is connected to the collector of npn transistor Q5. The npn transistor Q5 has an emitter connected to the ground line G via a resistor R4, and a DC bias voltage of the bias supply circuit B1 is input to the base.
The bases of the pnp transistors Q6 and Q7 are connected in common, and this connection point is connected to the collector of the pnp transistor Q6. The collector of the pnp transistor Q6 is connected to the collector of the npn transistor Q3, and the emitter thereof is connected to the power supply line Vcc via the resistor R5. The collector of the pnp transistor Q7 is connected to the collector of the npn transistor Q4, and the emitter thereof is connected to the power supply line Vcc via the resistor R6.
The connection point between the collectors of the pnp transistor Q7 and the npn transistor Q4 is connected to the base of the npn transistor Q1. Node N2 is connected to the base of npn transistor Q4.
The capacitor C3 is connected in parallel with the bias supply circuit B1 and prevents fluctuations in the DC bias voltage.
The bias supply circuit B1 is shared by the output stage buffer circuit and the preceding differential amplifier circuit.

図4に示す増幅回路によれば、入力端子TinからnpnトランジスタQ3のベースに入力信号が与えられた場合、これとほぼ同一電圧波形の信号がノードN2から出力端子Toutへ出力される。
すなわち、入力端子Tinに対して出力端子Toutが電位差を有すると、この電位差は、上述した構成の差動増幅回路によって増幅されて、npnトランジスタQ1のベースに帰還され、この電位差が小さくなるように出力端子Toutの電圧が変化する。差動増幅回路のゲインが十分大きいものとすると、この負帰還制御によって端子Tinと端子Toutとの電位差はほぼゼロになり、出力信号の電圧波形は入力信号とほぼ同一になる。
According to the amplifier circuit shown in FIG. 4, when an input signal is applied from the input terminal Tin to the base of the npn transistor Q3, a signal having substantially the same voltage waveform is output from the node N2 to the output terminal Tout.
That is, when the output terminal Tout has a potential difference with respect to the input terminal Tin, the potential difference is amplified by the differential amplifier circuit having the above-described configuration and fed back to the base of the npn transistor Q1, so that the potential difference is reduced. The voltage at the output terminal Tout changes. Assuming that the gain of the differential amplifier circuit is sufficiently large, the potential difference between the terminal Tin and the terminal Tout becomes almost zero by this negative feedback control, and the voltage waveform of the output signal becomes almost the same as the input signal.

図5は、図2に示すバッファ回路を出力段に2つ搭載した差動増幅回路の一例を示す図である。
図5に示す差動増幅回路は、図2に示す回路と同様な構成を持つバッファ回路BUF1(Q1−1,Q2−1、R1−1〜R3−1、C1−1,C2−1、B1)およびバッファ回路BUF2(Q1−2,Q2−2、R1−2〜R3−2、C1−2,C2−2、B1)を有するとともに、差動増幅回路として、npnトランジスタQ8〜Q11と、抵抗R7〜R11と、キャパシタC3とを有する。
FIG. 5 is a diagram showing an example of a differential amplifier circuit in which two buffer circuits shown in FIG. 2 are mounted in the output stage.
The differential amplifier circuit shown in FIG. 5 has a buffer circuit BUF1 (Q1-1, Q2-1, R1-1 to R3-1, C1-1, C2-1, B1) having the same configuration as the circuit shown in FIG. ) And a buffer circuit BUF2 (Q1-2, Q2-2, R1-2 to R3-2, C1-2, C2-2, B1), and npn transistors Q8 to Q11 and a resistor as a differential amplifier circuit R7 to R11 and a capacitor C3.

npnトランジスタQ8およびQ9は、互いのエミッタが抵抗R7を介して接続される。npnトランジスタQ8は、そのコレクタが抵抗R8を介して電源ラインVccに接続され、ベースが入力端子Tin1に接続され、エミッタがnpnトランジスタQ10のコレクタに接続される。npnトランジスタQ9は、そのコレクタが抵抗R9を介して電源ラインVccに接続され、ベースが入力端子Tin2に接続され、エミッタがnpnトランジスタQ11のコレクタに接続される。
npnトランジスタQ10,Q11は、それぞれエミッタが抵抗R10,R11を介して接地ラインGに接続され、ベースにはバイアス供給回路B1の直流バイアス電圧が共通に入力される。
npnトランジスタQ8のコレクタはnpnトランジスタQ1−2のベースに接続され、npnトランジスタQ9のコレクタはnpnトランジスタQ1−1のベースに接続される。
キャパシタC3は、バイアス供給回路B1と並列に接続されており、直流バイアス電圧の変動を防止する。
なお、バイアス供給回路B1は、出力段の2つのバッファ回路(BUF1,BUF2)とその前段の差動増幅回路において共用されている。
Npn transistors Q8 and Q9 have their emitters connected via a resistor R7. Npn transistor Q8 has its collector connected to power supply line Vcc via resistor R8, its base connected to input terminal Tin1, and its emitter connected to the collector of npn transistor Q10. Npn transistor Q9 has its collector connected to power supply line Vcc via resistor R9, its base connected to input terminal Tin2, and its emitter connected to the collector of npn transistor Q11.
The npn transistors Q10 and Q11 have their emitters connected to the ground line G via resistors R10 and R11, respectively, and the bases are commonly supplied with the DC bias voltage of the bias supply circuit B1.
The collector of npn transistor Q8 is connected to the base of npn transistor Q1-2, and the collector of npn transistor Q9 is connected to the base of npn transistor Q1-1.
The capacitor C3 is connected in parallel with the bias supply circuit B1 and prevents fluctuations in the DC bias voltage.
The bias supply circuit B1 is shared by the two buffer circuits (BUF1 and BUF2) at the output stage and the differential amplifier circuit at the preceding stage.

図5に示す増幅回路によれば、入力端子Tin1とTin2との間に差動信号が入力された場合、これを増幅した差動信号が、ノードN1−1に接続された出力端子Tout1とノードN1−2に接続された出力端子Tout2との間に発生する。
すなわち、入力端子Tin1とTin2との間に差動信号が入力されると、この差動信号は、上述した構成の差動増幅回路によって増幅されて、npnトランジスタQ8およびQ9の2つのコレクタから出力される。増幅された差動信号は、出力段の2つのバッファ回路(BUF1,BUF2)を介して出力端子Tout1−Tout2間に出力され、低いインピーダンスで負荷に供給される。
According to the amplifier circuit shown in FIG. 5, when a differential signal is input between the input terminals Tin1 and Tin2, the differential signal obtained by amplifying the differential signal is connected to the output terminal Tout1 and the node connected to the node N1-1. It occurs between the output terminal Tout2 connected to N1-2.
That is, when a differential signal is input between the input terminals Tin1 and Tin2, the differential signal is amplified by the differential amplifier circuit having the above-described configuration and output from the two collectors of the npn transistors Q8 and Q9. Is done. The amplified differential signal is output between the output terminals Tout1 and Tout2 via the two buffer circuits (BUF1 and BUF2) in the output stage, and is supplied to the load with low impedance.

ところで、図2に示すバッファ回路では、抵抗R1に発生する交流の電圧信号(すなわちnpnトランジスタQ1の電流変化を検出した信号)を分圧してnpnトランジスタQ2のベースに帰還させるため、ノードN1と接地ラインGとの間に直列接続されたキャパシタC1およびC2の接続点を、npnトランジスタQ2のベースに接続している。npnトランジスタQ2のベースに帰還する電圧信号が交流である点を考慮すると、キャパシタC1およびC2の接続は、例えば図6や図7に示すように変更しても良い。   By the way, in the buffer circuit shown in FIG. 2, the AC voltage signal generated in the resistor R1 (that is, the signal detecting the change in the current of the npn transistor Q1) is divided and fed back to the base of the npn transistor Q2. A connection point of capacitors C1 and C2 connected in series with the line G is connected to the base of the npn transistor Q2. Considering that the voltage signal fed back to the base of the npn transistor Q2 is AC, the connection between the capacitors C1 and C2 may be changed as shown in FIGS. 6 and 7, for example.

図6に示すバッファ回路は、図2に示すバッファ回路におけるキャパシタC2と接地ラインGとの接続を切り離し、この接続をバイアス供給回路B1の直流バイアス電圧の出力端子につなぎ替えたものであり、図7に示すバッファ回路は、この接続を電源ラインVccにつなぎ替えたものである。
何れの回路においても、キャパシタC1とC2との接続点には抵抗R1に発生する交流の電圧信号を分圧した信号が発生するため、図2に示す回路と同様の効果を奏することができる。
The buffer circuit shown in FIG. 6 is obtained by disconnecting the connection between the capacitor C2 and the ground line G in the buffer circuit shown in FIG. 2, and connecting this connection to the output terminal of the DC bias voltage of the bias supply circuit B1. The buffer circuit shown in FIG. 7 is obtained by connecting this connection to the power supply line Vcc.
In any circuit, since a signal obtained by dividing the AC voltage signal generated in the resistor R1 is generated at the connection point between the capacitors C1 and C2, the same effect as that of the circuit shown in FIG. 2 can be obtained.

<第3の実施形態>
次に、本発明の増幅回路の第3の実施形態について述べる。
<Third Embodiment>
Next, a third embodiment of the amplifier circuit of the present invention will be described.

図8は、本発明の第3の実施形態に係るバッファ回路の構成の一例を示す図である。
図8に示すバッファ回路は、npnトランジスタQ1およびQ2と、抵抗R2と、インダクタL1およびL2と、バイアス供給回路B1とを有する。
なお、インダクタL1は、本発明の第1のインダクタの一実施形態である。
インダクタL2は、本発明の第2のインダクタの一実施形態である。
FIG. 8 is a diagram showing an example of the configuration of the buffer circuit according to the third embodiment of the present invention.
The buffer circuit shown in FIG. 8 includes npn transistors Q1 and Q2, a resistor R2, inductors L1 and L2, and a bias supply circuit B1.
The inductor L1 is an embodiment of the first inductor of the present invention.
The inductor L2 is an embodiment of the second inductor of the present invention.

インダクタL1は、電源ラインVccからノードN1を介してnpnトランジスタQ1に電流を入力する配線上に挿入される。   Inductor L1 is inserted on a wiring for inputting a current from power supply line Vcc to npn transistor Q1 via node N1.

インダクタL2は、インダクタL1と磁気的に結合されており、インダクタL1に流れる電流に応じた電圧を発生してバイアス供給回路B1の直流バイアス電圧に重畳し、npnトランジスタQ2のベースに入力する。インダクタL2は、バイアス供給回路B1のバイアス電圧の出力端子とnpnトランジスタQ2のベースとの間に接続されており、npnトランジスタQ1から負荷への吐き出し(引き込み)電流が増加した場合にnpnトランジスタQ2のベース電圧を低下させ、この吐き出し電流が減少した場合にnpnトランジスタQ2のベース電圧を上昇させる電圧を発生する。   The inductor L2 is magnetically coupled to the inductor L1, generates a voltage corresponding to the current flowing through the inductor L1, superimposes it on the DC bias voltage of the bias supply circuit B1, and inputs it to the base of the npn transistor Q2. The inductor L2 is connected between the output terminal of the bias voltage of the bias supply circuit B1 and the base of the npn transistor Q2, and when the discharge current from the npn transistor Q1 to the load increases, the npn transistor Q2 When the base voltage is lowered and the discharge current is reduced, a voltage for raising the base voltage of the npn transistor Q2 is generated.

抵抗R2、npnトランジスタQ1およびQ2は、図1における同一符号の構成要素と同様な接続関係を有する。   Resistor R2 and npn transistors Q1 and Q2 have the same connection relationship as the constituent elements having the same reference numerals in FIG.

図8に示すバッファ回路によると、npnトランジスタQ1に流れる電流に応じた電流が、インダクタL1と磁気的に結合されたインダクタL2において発生し、このインダクタL2の電圧がバイアス供給回路B1の直流バイアス電圧に重畳されて、npnトランジスタQ2のベースに入力される。
増幅回路AMP1の出力信号に応じてnpnトランジスタQ1のベース電圧が上昇してnpnトランジスタQ1の電流が増加すると、インダクタL2において、npnトランジスタQ2のベース電圧を低下させる極性の電圧が発生するため、npnトランジスタQ2の電流が減少する。これにより、npnトランジスタQ1から負荷へ吐き出される電流が大きくなる。また、npnトランジスタQ1に流れる電流が減少すると、上述とは逆に、インダクタL2において、npnトランジスタQ2のベース電圧を上昇させる電圧が発生するため、npnトランジスタQ2の電流が増加する。これにより、負荷からnpnトランジスタQ2へ引き込まれる電流が大きくなる。すなわち、npnトランジスタQ1から負荷へ吐き出し電流が流れる場合、および、負荷からnpnトランジスタQ2へ吸い込み電流が流れる場合の何れにおいても、負荷に過渡的に流すことが可能な電流を大きくすることができる。したがって、負荷キャパシタCLの容量が大きい場合や、周波数が高い場合でも、入力電圧の変化に出力電圧を高速に追従させることが可能になり、出力電圧波形の歪みを抑えることができる。
According to the buffer circuit shown in FIG. 8, a current corresponding to the current flowing through the npn transistor Q1 is generated in the inductor L2 magnetically coupled to the inductor L1, and the voltage of the inductor L2 is the DC bias voltage of the bias supply circuit B1. Is input to the base of the npn transistor Q2.
When the base voltage of the npn transistor Q1 rises according to the output signal of the amplifier circuit AMP1 and the current of the npn transistor Q1 increases, a voltage having a polarity that lowers the base voltage of the npn transistor Q2 is generated in the inductor L2. The current of transistor Q2 decreases. This increases the current discharged from npn transistor Q1 to the load. When the current flowing through npn transistor Q1 decreases, a voltage that raises the base voltage of npn transistor Q2 is generated in inductor L2, contrary to the above, and the current of npn transistor Q2 increases. This increases the current drawn from the load to npn transistor Q2. In other words, the current that can be passed through the load transiently can be increased in both cases where a discharge current flows from npn transistor Q1 to the load and a sink current flows from load to npn transistor Q2. Therefore, even when the capacitance of the load capacitor CL is large or the frequency is high, the output voltage can follow the change of the input voltage at high speed, and distortion of the output voltage waveform can be suppressed.

また、図8に示すバッファ回路によれば、npnトランジスタQ2に流れるバイアス電流Ibsの直流成分が、バイアス供給回路B1において発生する直流のバイアス電圧に応じて一定に保たれており、過渡的な負荷の引き込み電流を大きくするためにこの直流成分を大きく設定する必要がないため、消費電力の増大を抑えることができる。   Further, according to the buffer circuit shown in FIG. 8, the direct current component of the bias current Ibs flowing through the npn transistor Q2 is kept constant according to the direct current bias voltage generated in the bias supply circuit B1, and the transient load Since it is not necessary to set a large DC component in order to increase the current drawn in, the increase in power consumption can be suppressed.

更に、図8に示すバッファ回路によれば、図2に示す回路で用いられている抵抗R1や抵抗R3を省略することが可能であり、構成を更に簡易化することができる。   Furthermore, according to the buffer circuit shown in FIG. 8, it is possible to omit the resistors R1 and R3 used in the circuit shown in FIG. 2, and the configuration can be further simplified.

以上、本発明の幾つかの実施形態について述べたが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、種々のバリエーションを含む。   As mentioned above, although some embodiment of this invention was described, this invention is not limited only to the above-mentioned embodiment, Various variations are included.

例えば、図2に示すバッファ回路において、npnトランジスタQ1の電流検出用に抵抗R1を用いているが、これに限らず、例えばインダクタなど、npnトランジスタQ1の電流変化に応じた信号を出力する他の回路に置き換えても良い。
また、図2に示すバッファ回路では、npnトランジスタQ2に入力する直流バイアス電圧にキャパシタC1およびC2を通じて交流成分を重畳させるため、キャパシタC1およびC2の接続点と直流バイアス電圧の供給端子との間に抵抗R3を挿入しているが、本発明はこれに限定されない。例えば、重畳する交流成分の周波数において十分大きなインピーダンスを有するインダクタを抵抗R3の代わりに用いても良い。
For example, in the buffer circuit shown in FIG. 2, the resistor R1 is used for detecting the current of the npn transistor Q1, but the present invention is not limited to this. For example, an inductor or other signal that outputs a signal corresponding to the current change of the npn transistor Q1 is used. It may be replaced with a circuit.
In the buffer circuit shown in FIG. 2, an AC component is superimposed on the DC bias voltage input to the npn transistor Q2 through the capacitors C1 and C2, and therefore, between the connection point of the capacitors C1 and C2 and the DC bias voltage supply terminal. Although the resistor R3 is inserted, the present invention is not limited to this. For example, an inductor having a sufficiently large impedance at the frequency of the alternating current component to be superimposed may be used instead of the resistor R3.

また、上述の各実施形態では、何れもバッファ回路にnpnトランジスタを用いているが、これに限らず、例えばpnpトランジスタを用いて負の電圧を出力する回路にも本発明は適用可能である。
また、トランジスタの種類はバイポーラトランジスタに限られるものではなく、他の様々な種類のトランジスタ(例えば、電界効果トランジスタ等)を用いても良い。
In each of the above embodiments, an npn transistor is used in the buffer circuit. However, the present invention is not limited to this, and the present invention can be applied to a circuit that outputs a negative voltage using, for example, a pnp transistor.
Further, the type of transistor is not limited to the bipolar transistor, and various other types of transistors (for example, field effect transistors) may be used.

本発明の増幅回路の第1の実施形態に係るバッファ回路の構成の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a structure of the buffer circuit which concerns on 1st Embodiment of the amplifier circuit of this invention. 本発明の増幅回路の第2の実施形態に係るバッファ回路の構成の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a structure of the buffer circuit which concerns on 2nd Embodiment of the amplifier circuit of this invention. 図2に示すバッファ回路の出力電圧波形の一例を示す図であFIG. 3 is a diagram showing an example of an output voltage waveform of the buffer circuit shown in FIG. 2. 図2に示すバッファ回路の応用例を示す第1の図である。FIG. 3 is a first diagram illustrating an application example of the buffer circuit illustrated in FIG. 2. 図2に示すバッファ回路の応用例を示す第2の図である。FIG. 3 is a second diagram illustrating an application example of the buffer circuit illustrated in FIG. 2. 図2に示すバッファ回路の変形例を示す第1の図である。FIG. 3 is a first diagram illustrating a modification of the buffer circuit illustrated in FIG. 2. 図2に示すバッファ回路の変形例を示す第2の図である。FIG. 9 is a second diagram showing a modification of the buffer circuit shown in FIG. 2. 本発明の増幅回路の第3の実施形態に係るバッファ回路の構成の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a structure of the buffer circuit which concerns on 3rd Embodiment of the amplifier circuit of this invention. 一般的なエミッタフォロア回路の構成例を示す第1の図である。It is a 1st figure which shows the structural example of a general emitter follower circuit. 一般的なエミッタフォロア回路の構成例を示す第2の図である。It is a 2nd figure which shows the structural example of a general emitter follower circuit. 従来のエミッタフォロア回路における出力電圧波形の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the output voltage waveform in the conventional emitter follower circuit.

符号の説明Explanation of symbols

1…電流検出回路、2…バイアス制御回路、Q1,Q1−1,Q1−2,Q2,Q2−1,Q2−2…npnトランジスタ、R1,R1−1,R1−2,R2,R2−1,R2−2,R3,R3−1,R3−2…抵抗、B1…バイアス供給回路、C1,C1−1,C1−2,C2,C2−1,C2−2…キャパシタ、L1,L2…インダクタ   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Current detection circuit, 2 ... Bias control circuit, Q1, Q1-1, Q1-2, Q2, Q2-1, Q2-2 ... npn transistor, R1, R1-1, R1-2, R2, R2-1 , R2-2, R3, R3-1, R3-2 ... resistors, B1 ... bias supply circuit, C1, C1-1, C1-2, C2, C2-1, C2-2 ... capacitors, L1, L2 ... inductors

Claims (5)

制御端子が信号入力端子に電気的に接続された第1のトランジスタと、
制御端子が信号出力端子に電気的に接続され、上記第1のトランジスタと共に差動回路を構成する第2のトランジスタと、
上記第1及び第2のトランジスタに共通に電気的に接続され、上記第1及び第2のトランジスタに電流を供給するための第3のトランジスタと、
上記第1のトランジスタと第1の電源電圧供給線との間に電気的に接続された第1の抵抗素子と、
上記第2のトランジスタと上記第1の電源電圧供給線との間に電気的に接続された第2の抵抗素子と、
上記第3のトランジスタと第2の電源電圧供給線との間に電気的に接続された第3の抵抗素子と、
上記第3のトランジスタの制御端子に所定のバイアス電圧を供給するバイアス供給回路と、
上記第3のトランジスタの制御端子と上記第2の電源電圧供給線との間に電気的に接続された第1のキャパシタと、
上記第1の電源電圧供給線と上記信号出力端子との間に電気的に接続された第4のトランジスタと、
上記信号出力端子と上記第2の電源電圧供給線との間に電気的に接続された第5のトランジスタと、
上記第1の電源電圧供給線と上記第4のトランジスタとの間の電流経路に設けられた第4の抵抗素子と、
上記第5のトランジスタと上記第2の電源電圧供給船との間の電流経路に設けられた第5の抵抗素子と、
上記第4の抵抗素子と上記第4のトランジスタとの間の接続線と上記第5のトランジスタの制御端子との間に電気的に接続された第2のキャパシタと、
上記第5のトランジスタの制御端子と上記第2の電源電圧供給線との間に電気的に接続された第3のキャパシタと、
上記第3のトランジスタの制御端子と上記第5のトランジスタの制御端子との間に電気的に接続された第6の抵抗素子と、
を有し、
上記第4のトランジスタの制御端子が上記第2の抵抗素子と上記第2のトランジスタとの間の接続線に電気的に接続されている、
増幅回路。
A first transistor having a control terminal electrically connected to the signal input terminal;
A second transistor having a control terminal electrically connected to the signal output terminal and forming a differential circuit together with the first transistor;
A third transistor electrically connected in common to the first and second transistors for supplying current to the first and second transistors;
A first resistance element electrically connected between the first transistor and a first power supply voltage supply line;
A second resistance element electrically connected between the second transistor and the first power supply voltage supply line;
A third resistance element electrically connected between the third transistor and the second power supply voltage supply line;
A bias supply circuit for supplying a predetermined bias voltage to the control terminal of the third transistor;
A first capacitor electrically connected between a control terminal of the third transistor and the second power supply voltage supply line;
A fourth transistor electrically connected between the first power supply voltage supply line and the signal output terminal;
A fifth transistor electrically connected between the signal output terminal and the second power supply voltage supply line;
A fourth resistance element provided in a current path between the first power supply voltage supply line and the fourth transistor;
A fifth resistance element provided in a current path between the fifth transistor and the second power supply voltage supply ship;
A second capacitor electrically connected between a connection line between the fourth resistance element and the fourth transistor and a control terminal of the fifth transistor;
A third capacitor electrically connected between the control terminal of the fifth transistor and the second power supply voltage supply line;
A sixth resistance element electrically connected between the control terminal of the third transistor and the control terminal of the fifth transistor;
Have
A control terminal of the fourth transistor is electrically connected to a connection line between the second resistance element and the second transistor;
Amplification circuit.
上記第1の抵抗素子と上記第1のトランジスタとの間の電流経路に設けられた第6のトランジスタと、
上記第2の抵抗素子と上記第2のトランジスタとの間の電流経路に設けられた第7のトランジスタと、
を更に有し、
上記第6のトランジスタの制御端子と上記第7のトランジスタの制御端子とが互いに接続されており、上記第6のトランジスタと上記第7のトランジスタとがカレントミラー回路を構成する、
請求項1に記載の増幅回路。
A sixth transistor provided in a current path between the first resistance element and the first transistor;
A seventh transistor provided in a current path between the second resistance element and the second transistor;
Further comprising
The control terminal of the sixth transistor and the control terminal of the seventh transistor are connected to each other, and the sixth transistor and the seventh transistor constitute a current mirror circuit.
The amplifier circuit according to claim 1.
上記第1乃至第4のトランジスタがnpnバイポーラトランジスタであり、
上記第6及び第7のトランジスタがpnpバイポーラトランジスタである、
請求項2に記載の増幅回路。
The first to fourth transistors are npn bipolar transistors;
The sixth and seventh transistors are pnp bipolar transistors;
The amplifier circuit according to claim 2.
制御端子が第1の信号入力端子に電気的に接続された第1のトランジスタと、
制御端子が第2の信号入力端子に電気的に接続された第2のトランジスタと、
第1の電源電圧供給線と上記第1のトランジスタとの間に電気的に接続された第1の抵抗素子と、
上記第1の電源電圧供給線と上記第2のトランジスタとの間に電気的に接続された第2の抵抗素子と、
上記第1のトランジスタと第2の電源電圧供給線との間に電気的に接続された第3のトランジスタと、
上記第2のトランジスタと上記第2の電源電圧供給線との間に電気的に接続された第4のトランジスタと、
上記第3のトランジスタと上記第2の電源電圧供給線との間の電流経路に設けられた第3の抵抗素子と、
上記第4のトランジスタと上記第2の電源電圧供給線との間の電流経路に設けられた第4の抵抗素子と、
上記第1のトランジスタと上記第3のトランジスタとの間の接続線と上記第2のトランジスタと上記第4のトランジスタとの間の接続線との間に電気的に接続された第5の抵抗素子と、
上記第3及び第4のトランジスタの制御端子に所定のバイアス電圧を供給するバイアス供給回路と、
上記第3及び第4のトランジスタの制御端子と上記第2の電源電圧供給線との間に電気的に接続された第1のキャパシタと、
上記第1の電源電圧供給線と第1の信号出力端子との間に電気的に接続された第5のトランジスタと、
上記第1の信号出力端子と上記第2の電源電圧供給線との間に電気的に接続された第6のトランジスタと、
上記第1の電源電圧供給線と上記第5のトランジスタとの間の電流経路に設けられた第6の抵抗素子と、
上記第6のトランジスタと上記第2の電源電圧供給線との間の電流経路に設けられた第7の抵抗素子と、
上記第6の抵抗素子と上記第5のトランジスタとの間の接続線と上記第6のトランジスタの制御端子との間に電気的に接続された第2のキャパシタと、
上記第6のトランジスタの制御端子と上記第2の電源電圧供給線との間に電気的に接続された第3のキャパシタと、
上記第3及び第4のトランジスタの制御端子と上記第6のトランジスタの制御端子との間に電気的に接続された第8の抵抗素子と、
上記第1の電源電圧供給線と第2の信号出力端子との間に電気的に接続された第7のトランジスタと、
上記第2の信号出力端子と上記第2の電源電圧供給線との間に電気的に接続された第8のトランジスタと、
上記第1の電源電圧供給線と上記第7のトランジスタとの間の電流経路に設けられた第9の抵抗素子と、
上記第8のトランジスタと上記第2の電源電圧供給線との間の電流経路に設けられた第10の抵抗素子と、
上記第9の抵抗素子と上記第7のトランジスタとの間の接続線と上記第8のトランジスタの制御端子との間に電気的に接続された第4のキャパシタと、
上記第8のトランジスタの制御端子と上記第2の電源電圧供給線との間に電気的に接続された第5のキャパシタと、
上記第3及び第4のトランジスタの制御端子と上記第8のトランジスタの制御端子との間に電気的に接続された第11の抵抗素子と、
を有し、
上記第5のトランジスタの制御端子が上記第2の抵抗素子と上記第2のトランジスタとの間の接続線に電気的に接続されており、
上記第7のトランジスタの制御端子が上記第1の抵抗素子と上記第1のトランジスタとの間の接続線に電気的に接続されている、
増幅回路。
A first transistor having a control terminal electrically connected to the first signal input terminal;
A second transistor having a control terminal electrically connected to the second signal input terminal;
A first resistance element electrically connected between the first power supply voltage supply line and the first transistor;
A second resistance element electrically connected between the first power supply voltage supply line and the second transistor;
A third transistor electrically connected between the first transistor and a second power supply voltage supply line;
A fourth transistor electrically connected between the second transistor and the second power supply voltage supply line;
A third resistance element provided in a current path between the third transistor and the second power supply voltage supply line;
A fourth resistance element provided in a current path between the fourth transistor and the second power supply voltage supply line;
A fifth resistance element electrically connected between a connection line between the first transistor and the third transistor and a connection line between the second transistor and the fourth transistor. When,
A bias supply circuit for supplying a predetermined bias voltage to the control terminals of the third and fourth transistors;
A first capacitor electrically connected between the control terminals of the third and fourth transistors and the second power supply voltage supply line;
A fifth transistor electrically connected between the first power supply voltage supply line and the first signal output terminal;
A sixth transistor electrically connected between the first signal output terminal and the second power supply voltage supply line;
A sixth resistance element provided in a current path between the first power supply voltage supply line and the fifth transistor;
A seventh resistance element provided in a current path between the sixth transistor and the second power supply voltage supply line;
A second capacitor electrically connected between a connection line between the sixth resistor element and the fifth transistor and a control terminal of the sixth transistor;
A third capacitor electrically connected between the control terminal of the sixth transistor and the second power supply voltage supply line;
An eighth resistance element electrically connected between the control terminals of the third and fourth transistors and the control terminal of the sixth transistor;
A seventh transistor electrically connected between the first power supply voltage supply line and the second signal output terminal;
An eighth transistor electrically connected between the second signal output terminal and the second power supply voltage supply line;
A ninth resistance element provided in a current path between the first power supply voltage supply line and the seventh transistor;
A tenth resistance element provided in a current path between the eighth transistor and the second power supply voltage supply line;
A fourth capacitor electrically connected between a connection line between the ninth resistance element and the seventh transistor and a control terminal of the eighth transistor;
A fifth capacitor electrically connected between the control terminal of the eighth transistor and the second power supply voltage supply line;
An eleventh resistance element electrically connected between the control terminals of the third and fourth transistors and the control terminal of the eighth transistor;
Have
A control terminal of the fifth transistor is electrically connected to a connection line between the second resistance element and the second transistor;
A control terminal of the seventh transistor is electrically connected to a connection line between the first resistance element and the first transistor;
Amplification circuit.
上記第1乃至第8のトランジスタがnpnバイポータトランジスタである、
請求項4に記載の増幅回路。
The first to eighth transistors are npn bipolar transistors;
The amplifier circuit according to claim 4.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57160222U (en) * 1981-04-03 1982-10-07
JPH07115334A (en) * 1993-10-20 1995-05-02 Sony Corp Voltage follower circuit
JPH08288758A (en) * 1995-04-18 1996-11-01 Hitachi Ltd Amplifier circuit and semiconductor integrated circuit
JPH09260974A (en) * 1996-03-26 1997-10-03 Mitsumi Electric Co Ltd Amplifier circuit

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57160222U (en) * 1981-04-03 1982-10-07
JPH07115334A (en) * 1993-10-20 1995-05-02 Sony Corp Voltage follower circuit
JPH08288758A (en) * 1995-04-18 1996-11-01 Hitachi Ltd Amplifier circuit and semiconductor integrated circuit
JPH09260974A (en) * 1996-03-26 1997-10-03 Mitsumi Electric Co Ltd Amplifier circuit

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