JP2007010449A - Rotation angle detection device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、回転する磁界の変化を電気信号の変化に変換して出力する磁電変換素子を用いて、回転する磁界の回転角を検出する回転角検出装置に関する。 The present invention relates to a rotation angle detection device that detects a rotation angle of a rotating magnetic field using a magnetoelectric transducer that converts a rotating magnetic field change into an electric signal and outputs the change.
回転する磁界の変化を磁電変換素子により検出し、磁電変換素子が出力する電気信号に対して所定の演算を施すことによって、磁界の回転角を検出する回転角検出装置が、例えば、特開2004−271495号公報(特許文献1)に開示されている。 A rotation angle detection device that detects a rotation angle of a magnetic field by detecting a change in a rotating magnetic field by a magnetoelectric conversion element and performing a predetermined calculation on an electric signal output from the magnetoelectric conversion element is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-2004. -271495 (patent document 1).
図12に、従来の回転角検出装置40が磁界Bの回転角を検出する概念を示す。図12(a)に示すように、回転角検出装置40は、2個の磁電変換素子50、51を有している。また、2個の磁電変換素子50、51は、磁界Bの回転中心Pに近接して、互いに1/4波長の位相差がある電気信号を出力するように配置されている。
FIG. 12 shows a concept in which the conventional rotation
回転角検出装置40は、磁電変換素子50、51により回転する磁界BB’を、検出し、磁電変換素子50、51が出力する電気信号に対して、所定の演算を施して磁界BB’の回転角を検出するものである。すなわち、2個の磁電変換素子50、51の出力端子50a−50b、及び、51a−51bには、それぞれ、磁界Bの回転に伴って、図12(b)に示す、正弦波状の電気信号が出力される。そして、これらの電気信号に対して、所定の演算処理を施すことにより、図12(c)に示す演算結果(センサ出力電圧)が得られ、磁界BB’の回転角を検出することができる。
ところで、図12に示す回転角検出装置40は、回転角検出装置40の外部に設置された周辺機器等が発生するノイズを低減、又は、削減する有効な手段を講じていない。すなわち、外部に設置された周辺機器等が発生するノイズが、磁電変換素子50、51が出力する電気信号の少なくともどちらかに侵入した場合、例えば、図12(b)に示すように、磁電変換素子51が出力する電気信号に、磁界の回転角がφの時にノイズが侵入した場合、このノイズは、図12(c)に示すように、センサ出力の誤差の要因となり、回転角検出装置40の検出精度が低下することがある。また、磁電変換素子50、51が、回転する磁界に対して異なる変換特性を備える場合においても、センサ出力の誤差の要因となり、回転角検出装置40の検出精度が低下することがある。
Incidentally, the rotation
そこで、本発明は以上のような課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、回転する磁界の変化を電気信号の変化に変換して出力する磁電変換素子用いて、磁界の回転角を検出する回転角検出装置であって、外部の周辺機器等により生じたノイズ、磁電変換素子の製造のばらつき、磁電変換素子の配置位置、周辺環境の温度分布の違い等に因る誤差を低減するとともに、磁界の回転角の検出精度に優れた、小型の回転角検出装置を提供することにある。 Therefore, the present invention has been made in view of the above-described problems, and the object of the present invention is to use a magnetoelectric transducer that converts a change in a rotating magnetic field into a change in an electric signal and outputs the change. Rotation angle detection device that detects the rotation angle, and errors caused by external peripheral devices, etc., variations in the manufacture of magnetoelectric transducers, placement positions of magnetoelectric transducers, differences in temperature distribution in the surrounding environment, etc. Is to provide a small rotation angle detection device with excellent detection accuracy of the rotation angle of the magnetic field.
上記課題を解決するために、請求項1に係る回転検出装置は、回転する磁界の変化を電気信号の変化に変換して出力する磁電変換素子を用いて、磁界の回転角を検出する回転角検出装置であって、同一の半導体基板上にほぼ90度の間隔で放射状に配置された、第1〜第4の磁電変換素子を備え、磁界の回転に伴って、第1〜第4の磁電変換素子が出力する正弦波信号は、ほぼ同一周期及びほぼ同一振幅を有する正弦波信号であって、第1及び第3の磁電変換素子は、ほぼ同位相の第1の正弦波信号を出力し、第2及び第4の磁電変換素子は、第1の正弦波信号とほぼ1/4波長の位相差を有する、同位相の第2の正弦波信号を出力し、第1及び第2の正弦波信号に基づいて、アークタンジェント演算及び平均化演算を施して、第1及び第2の正弦波信号を、回転角に対してほぼ直線状に表示される検出信号に変換し、磁界の回転角を検出することを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problem, a rotation detection device according to
請求項1に記載の発明によれば、回転する磁界の回転角を検出するにあたり、ほぼ同じ変換特性を有する4個の磁電変換素子を90度の放射状に配置する。すると、ある特定の回転角で、少なくとも1つの磁電変換素子が出力する正弦波信号に外部からのノイズが侵入したとしても、各磁電変換素子が出力する正弦波信号に基づいて平均化演算を施せば、ノイズが侵入していない他の正弦波信号の平均化と共にこのノイズも平均化されることになる。これにより、ノイズが回転検出装置の測定結果に与える影響を低減することができる。さらに、磁電変換素子の製造のばらつき、磁電変換素子の配置位置、周辺環境の温度分布の違い等に起因するオフセットを低減できる。また、磁界の回転に伴って、各磁電変換素子が出力する正弦波信号に基づいて、アークタンジェント演算を施すので各磁電変換素子が出力する正弦波信号をほぼ直線状の検出信号に変換でき、回転する磁界の回転角を容易に検出することができる。 According to the first aspect of the present invention, when detecting the rotation angle of the rotating magnetic field, four magnetoelectric conversion elements having substantially the same conversion characteristics are arranged radially by 90 degrees. Then, even if noise from the outside enters the sine wave signal output from at least one magnetoelectric conversion element at a specific rotation angle, the averaging operation is performed based on the sine wave signal output from each magnetoelectric conversion element. For example, this noise is averaged together with the averaging of other sinusoidal signals into which noise has not entered. Thereby, the influence which noise has on the measurement result of a rotation detection apparatus can be reduced. Furthermore, offset caused by manufacturing variations of magnetoelectric conversion elements, arrangement positions of the magnetoelectric conversion elements, differences in temperature distribution in the surrounding environment, and the like can be reduced. In addition, as the magnetic field rotates, arc tangent calculation is performed based on the sine wave signal output by each magnetoelectric conversion element, so that the sine wave signal output by each magnetoelectric conversion element can be converted into a substantially linear detection signal, The rotation angle of the rotating magnetic field can be easily detected.
請求項2に係る回転検出装置は、第1及び第2の正弦波信号に基づいて、それぞれ平均化演算を施し、平均化された第1及び第2の正弦波信号に基づいて、アークタンジェント演算を施して、平均化された第1及び第2の正弦波信号を、回転角に対してほぼ直線状に表示される検出信号に変換し、磁界の回転角を検出することを特徴とする。これにより、各磁電変換素子が出力する正弦波信号に基づいて、平均化演算を施すことで、正弦波信号を平均化できるので、磁電変換素子の製造のばらつき、磁電変換素子の配置位置、周辺環境の温度分布の違い等に起因するオフセットを低減できる。
The rotation detection device according to
また、この平均化された正弦波信号に対してアークタンジェント演算を施すので、各磁電変換素子が出力する正弦波信号を少ない演算負荷で、ノイズの影響を取り除いた状態の、ほぼ直線状に表示される検出信号に変換できる。 In addition, arc tangent calculation is performed on the averaged sine wave signal, so the sine wave signal output by each magnetoelectric transducer is displayed in a substantially straight line with the effect of noise removed with a small calculation load. Can be converted into a detected signal.
請求項3に係る回転検出装置は、第1及び第2の正弦波信号を1組として、2組設定し、それぞれの組において、アークタンジェント演算を施して、第1及び第2の正弦波信号を、回転角に対してほぼ直線状に表示される検出信号に変換し、検出信号に基づいて、平均化演算を施し、磁界の回転角を検出することを特徴とする。これにより、各磁電変換素子が出力する正弦波信号を、ほぼ直線状に表示される検出信号に変換する演算過程で、この正弦波信号に侵入したノイズが平均化される。したがって、外部から侵入するノイズによる検出精度が低下しにくい回転角検出装置を得ることができる。 The rotation detection device according to claim 3 sets two sets of the first and second sine wave signals as one set, performs arctangent calculation in each set, and performs the first and second sine wave signals. Is converted into a detection signal displayed substantially linearly with respect to the rotation angle, and an averaging operation is performed based on the detection signal to detect the rotation angle of the magnetic field. As a result, in the calculation process of converting the sine wave signal output from each magnetoelectric conversion element into a detection signal displayed substantially linearly, the noise that has entered the sine wave signal is averaged. Therefore, it is possible to obtain a rotation angle detection device in which detection accuracy due to noise entering from the outside is unlikely to decrease.
請求項4に係る回転検出装置は、第1〜第4の磁電変換素子のセットを複数セット備え、異なるセットを構成する磁電変換素子を、交互に且つ所定の間隔で配置し、それぞれのセットについて、第1及び第2の正弦波信号を、回転角に対してほぼ直線状に表示される検出信号に変換し、所定の角度に基づいて、検出信号の位相差の補正を施し、位相差を補正した検出信号に基づいて、平均化処理を施し、磁界の回転角を検出することを特徴とする。これにより、4個からなる磁電変換素子のセットを少なくとも2セット、8つを所定の間隔で配置することで、ある特定の回転角で、少なくとも1つの磁電変換素子が出力する正弦波信号に外部からノイズが侵入したとしても、各セットを構成する磁電変換素子がそれぞれ出力する正弦波信号に基づいて、ノイズを平均化することができる。また、磁電変換素子の間隔(角度)に基づいて、検出信号の位相を補正することで、侵入したノイズを分散させて平均化することができるので、ノイズが回転検出装置の測定結果に与える影響をさらに低減することができる。したがって、より検出精度に優れた回転角検出装置を得ることができる。
The rotation detection device according to
請求項5に係る回転角検出装置は磁電変換素子は、縦型ホール素子であることを特徴とする。これにより、磁電変換素子として磁気抵抗素子(MRE)を用いた時のように、磁気変換素子の個々にバイアス磁石を設置する必要がないので、回転検出装置の小型化が可能となる。 The rotation angle detection device according to claim 5 is characterized in that the magnetoelectric conversion element is a vertical Hall element. Thus, unlike the case where a magnetoresistive element (MRE) is used as the magnetoelectric conversion element, it is not necessary to install a bias magnet for each of the magnetic conversion elements, so that the rotation detecting device can be downsized.
以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。本発明においては、磁電変換素子として、ホール素子を用いる。このため、まず始めに、ホール素子について、図11に基づいて簡単に説明する。図11(a)、(b)は、一般的なホール素子の動作原理を示す図である。半導体のホール効果は、磁束Bに直交するように置かれた導電体(ホール素子20)にキャリアの流れがある時、磁界Bとキャリアの流れの両方に直角な方向に、起電力(ホール電圧)が発生する効果である。 Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described. In the present invention, a Hall element is used as the magnetoelectric conversion element. Therefore, first, the Hall element will be briefly described with reference to FIG. FIGS. 11A and 11B are diagrams showing the operation principle of a general Hall element. The Hall effect of the semiconductor is that when there is a carrier flow in a conductor (Hall element 20) placed so as to be orthogonal to the magnetic flux B, an electromotive force (Hall voltage) in a direction perpendicular to both the magnetic field B and the carrier flow. ).
図11(a)に示すように、ホール素子20の厚さをdとし、端子Ti間に電流Iを流した状態で、ホール素子20に直交する磁界Bを印加した時に、出力端子Tv間に発生する出力電圧(ホール電圧)をVHとする。この時、図中の(1)式が成り立つ。(1)式におけるRhはホール係数で、ホール素子20の材料により定まる値である。
As shown in FIG. 11 (a), when the thickness of the
図11(b)に示すように、磁界が回転してホール素子20の面方向と磁界Bのなす角度(回転角θ)が変わると、出力電圧VHが図中の(2)式のようにcosθを乗じた式に変化する。したがって、図11(b)に示すように、N及びSの磁石の間にホール素子20を配置し、磁石又はホール素子20を回転させた場合には、ホール素子20が出力する出力電圧は正弦波形状になる。この正弦波形状の出力電圧を利用して、回転する磁界Bの回転角θを検出することができる。
As shown in FIG. 11B, when the magnetic field rotates and the angle (rotation angle θ) between the surface direction of the
図11(c),(d)は、縦型ホール素子に分類されるホール素子の一例を示す図で、図11(c)は、縦型ホール素子22の上面図であり、図11(d)は、図11(c)におけるD−D断面図である。図11(c),(d)に示す縦型ホール素子22は、半導体基板1の表面に垂直にホールプレート部が形成され、キャリアが半導体基板1の表面に垂直方向に流れるホール素子である。また、縦型ホール素子22は、接合分離型の縦型ホール素子で、n型の低濃度拡散層(n−)2がp型の高濃度層4bによって分離されている。
FIGS. 11C and 11D are diagrams showing an example of a Hall element classified as a vertical Hall element. FIG. 11C is a top view of the
キャリアは、図11(d)中に点線矢印で示したように、n型の高濃度埋め込み層4uを介して、端子Ti0−Ti1間および端子Ti0−Ti2間を半導体基板1の表面に垂直方向に流れる。なお、素子として動作するのは中央にあるホールプレート部2tであり、ホールプレート部2tに直交する磁界により発生する出力電圧(ホール電圧)VHを、端子Tv間で検出する。
As shown by the dotted arrows in FIG. 11D, the carriers are perpendicular to the surface of the
以上は、縦型ホール素子の一例について説明したものであり、図11(c),(d)に示す構造に限らず、種々の構造をとり得ることができる。例えば、n型の高濃度埋め込み層4uをなくし、端子Ti0から流れ出たキャリアが、p型の高濃度層4bの先端を回り込むようにして、端子Ti1,Ti2に到達するようにしてもよい。また、p型の高濃度層4bによる接合分離ではなく、トレンチ分離したものであってもよい。さらに、図11(c),(d)に示す縦型ホール素子12では、端子Ti1,Ti2を設けて、端子Ti0から流れ出たキャリアが図の左右両側に流れるようにしているが、片側だけであってもよい。
The above is an example of the vertical Hall element, and not only the structure shown in FIGS. 11C and 11D but also various structures can be taken. For example, the n-type high-concentration buried
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態における回転角検出装置30について、図1〜図3を用いて説明する。なお、磁電変換素子として、図11で説明した縦型ホール素子を用いることができる。したがって、磁電変換素子は縦型ホール素子であるとして説明する。
(First embodiment)
A rotation angle detection device 30 according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Note that the vertical Hall element described in FIG. 11 can be used as the magnetoelectric conversion element. Therefore, description will be made assuming that the magnetoelectric conversion element is a vertical Hall element.
図1に示すように、検出対象の磁界B(細矢印で示す)は、磁界B’(破線矢印で示す)となるように太矢印で示した方向へ回転するものとする。なお、磁界B及びB’は、ともに方向性を有するベクトルであり、その向きはそれぞれ矢印が示す方向である。 As shown in FIG. 1, it is assumed that a magnetic field B (indicated by a thin arrow) to be detected rotates in a direction indicated by a thick arrow so as to become a magnetic field B ′ (indicated by a dashed arrow). Note that the magnetic fields B and B 'are both directional vectors, and their directions are the directions indicated by the arrows.
本実施形態における回転角検出装置30は、図1に示すように、回転する磁界BB’の変化に対して、それぞれがほぼ同じ変換特性を備えた第1〜第4の縦型ホール素子10a〜10dを備え、同一の半導体回路基板1上に、10a〜10dの順で、ほぼ90度の間隔となるように放射状に配置している。
As shown in FIG. 1, the rotation angle detection device 30 according to the present embodiment has first to fourth
このように配置された第1〜第4の縦型ホール素子10a〜10dは、回転する磁界BB’の変化を、それぞれがほぼ同一周期及びほぼ同一振幅の正弦波信号100a〜100dに変換して出力する。そして、回転角検出装置30は、これら正弦波信号100a〜100dに基づいて、図示しない信号処理回路によって、後述する平均化演算及びアークタンジェント演算を施して、正弦波信号100a〜100dを、回転する磁界BB’の回転角θに対してほぼ直線状に表示される検出信号15に変換して、磁界BB’の回転角θを検出する。なお、上述した信号処理回路は、第1〜第4の縦型ホール素子10a〜10dと共に、半導体回路基板1に配置してもよく、あるいは、縦型ホール素子が形成された半導体回路基板1とは別の半導体回路基板に配置してもよい。
The first to fourth
ところで、図11(a)〜(d)を用いて、磁界の変化と縦型ホール素子を流れる電流との関係を説明したが、第1〜第4の縦型ホール素子10a〜10dを、ほぼ90度の間隔で放射状となるように配置し、且つ、磁界の回転に伴って、これら縦型ホール素子を流れる電流の向きが同じ方向となるように配置する。すると、第1〜第4の縦型ホール素子10a〜10dが出力する電圧は、正弦波信号100a、100b、100c、100dの順で1/4波長(90度)ずつ位相がずれることになる。
By the way, although the relationship between the change of the magnetic field and the current flowing through the vertical Hall element has been described with reference to FIGS. 11A to 11D, the first to fourth
すなわち、第1の縦型ホール素子10aが出力する正弦波信号100aと第3の縦型ホール素子10cが出力する正弦波信号100cとの間には、ほぼ1/2波長(180度)の位相差が生じることになる。また、第2の縦型ホール素子10bが出力する正弦波信号100bと第4の縦型ホール素子10dが出力する正弦波信号100dとの間には、ほぼ1/2波長(180度)の位相差が生じることになる。
That is, there is approximately a half wavelength (180 degrees) between the
しかしながら、本実施形態における回転角検出装置30では、図2(a)に示すように、第1の縦型ホール素子10aが出力する正弦波信号100aと第3の縦型ホール素子10cが出力する正弦波信号100cとの間には位相差のない正弦波信号(第1の正弦波信号)となるように、第1の縦型ホール素子10aを流れる電流の向きと第3の縦型ホール素子10cを流れる電流の向きとが逆方向となるように、第1の縦型ホール素子10a及び第3の縦型ホール素子10cを配置している。
However, in the rotation angle detection device 30 in the present embodiment, as shown in FIG. 2A, the
また、磁界の回転に伴って、第2の縦型ホール素子10bが出力する正弦波信号100bと第4の縦型ホール素子10dが出力する正弦波信号100dとの間には位相差のない正弦波信号(第2の正弦波信号)となるように、第2の縦型ホール素子10bを流れる電流の向きと第4の縦型ホール素子10dを流れる電流の向きとが逆方向となるように、第2の縦型ホール素子10b及び第4の縦型ホール素子10dを配置している。
Further, as the magnetic field rotates, there is no sine phase difference between the
このように縦型ホール素子10a〜10dを配置すると、図2(a)に示すように、第1の正弦波信号と第2の正弦波信号との間(正弦波信号100aと100bとの間、正弦波信号100cと100dとの間)の位相差は、1/4波長(90度)となる。
When the
ところで、図2(a)から分かるように、正弦波信号100a及び100c、正弦波信号100b及び100dは、それぞれがほぼ同位相であるが、図2(a)中の実線及び破線で示すように、縦型ホール素子の製造のばらつき、半導体基板1上での配置位置の僅かなずれ、周辺環境の温度分布の違い等に起因するオフセットにより、その波形が完全には一致しないことがある。また、磁界BB’の回転角φ(0度≦φ<360度)のときに、縦型ホール素子10aが出力する正弦波信号100aにノイズ4が侵入することがある。こうしたオフセットやノイズ4は、回転角検出装置30の測定誤差の要因となることがある。
As can be seen from FIG. 2 (a), the
そこで、本実施形態における回転角検出装置30は、回転する磁界BB’の回転角θを検出するにあたり、各縦型ホール素子が出力する正弦波信号に基づいて、後述する演算を施すことで、こうしたオフセットやノイズを低減して、磁界BB’の回転角θを正確に検出するものである。 Therefore, the rotation angle detection device 30 in the present embodiment performs a calculation described later based on the sine wave signal output by each vertical Hall element when detecting the rotation angle θ of the rotating magnetic field BB ′. The offset and noise are reduced, and the rotation angle θ of the magnetic field BB ′ is accurately detected.
回転する磁界BB’の回転角θを正確に検出するために、回転角検出装置30は、先ず、図2(a)中で実線で示される第1の正弦波信号100a及び破線で示される第1の正弦波信号100cに基づいて平均化演算を施す。また、、図2(a)中で実線で示される第2の正弦波信号100b及び破線で示される第2の正弦波信号100dに基づいて平均化演算を施す。
In order to accurately detect the rotation angle θ of the rotating magnetic field BB ′, the rotation angle detecting device 30 firstly has a first
この平均化演算により、平均化された第1の正弦波信号100ac及び平均化された第2の正弦波信号100bdを算出する。なお、各磁電変換素子の製造のばらつき、磁電変換素子の配置位置、周辺環境の温度分布の違い等に起因するオフセットを低減できると共に、正弦波信号100aに残っていた回転角φにおけるノイズ4は、この平均化演算によりノイズ4aへと平均化され、その影響が低減される。
By this averaging operation, the averaged first sine wave signal 100ac and the averaged second sine wave signal 100bd are calculated. It is possible to reduce offset due to manufacturing variations of the respective magnetoelectric conversion elements, arrangement positions of the magnetoelectric conversion elements, differences in temperature distribution of the surrounding environment, and the like, and
次に、平均化された第1の正弦波信号100acと平均化された第2の正弦波信号100bdとに基づいて、アークタンジェント演算を施す。すると、平均化された第1の正弦波信号100ac及び平均化された第2の正弦波信号100bdは、回転する磁界BB’の回転角θに対して、ほぼ直線状に表示される検出信号15(センサ出力電圧)に変換される。図3にこの検出信号15を示す。なお、回転角φにおけるノイズ4は、ノイズ4aとして検出信号15に残っているが、ノイズ4と比較して、ノイズ4aが検出信号15に与える影響は低減している。
Next, arc tangent calculation is performed based on the averaged first sine wave signal 100ac and the averaged second sine wave signal 100bd. Then, the averaged first sine wave signal 100ac and the averaged second sine wave signal 100bd are substantially linearly detected with respect to the rotation angle θ of the rotating magnetic field BB ′. Converted into (sensor output voltage). FIG. 3 shows this
そして、本実施形態における回転検出装置30は、このほぼ直線状に表示される検出信号15に基づいて、回転する磁界BB’の回転角θを検出する。
Then, the rotation detection device 30 in the present embodiment detects the rotation angle θ of the rotating magnetic field BB ′ based on the
(第2の実施形態)
本発明の第2の実施形態における回転角検出装置31は、第1の実施形態で説明した演算の順序とは異なる順序で演算を施して、回転する磁界BB’の回転角θを検出するものである。本実施形態における回転角検出装置31では、磁電変換素子は縦型ホール素子であるとして、図4及び図5を用いて説明する。なお、第1〜第4の縦型ホール素子10a〜10dの配置は第1の実施形態と同様であるとする。
(Second Embodiment)
The rotation angle detection device 31 according to the second embodiment of the present invention performs a calculation in an order different from the calculation order described in the first embodiment, and detects the rotation angle θ of the rotating magnetic field BB ′. It is. In the rotation angle detection device 31 according to this embodiment, the magnetoelectric conversion element is assumed to be a vertical Hall element and will be described with reference to FIGS. 4 and 5. The arrangement of the first to fourth
すなわち、第1〜第4の縦型ホール素子10a〜10dを、10a〜10dの順で、ほぼ90度の間隔となるように放射状に配置するが、この配置にあたり、第1の縦型ホール素子10aが出力する正弦波信号100aと第3の縦型ホール素子10cが出力する正弦波信号100cとの間には位相差のない正弦波信号(第1の正弦波信号)となるように配置すると共に、第2の縦型ホール素子10bが出力する正弦波信号100bと第4の縦型ホール素子10dが出力する正弦波信号100dとの間には位相差のない正弦波信号(第2の正弦波信号)となるように配置する。なお、正弦波信号100a〜100dは、ほぼ同一周期及びほぼ同一振幅である。
In other words, the first to fourth
この時、図4(a)に示すように、第1の縦型ホール素子10aが出力する正弦波信号100a(第1の正弦波信号)と第2の縦型ホール素子10bが出力する正弦波信号100b(第2の正弦波信号)との位相差は1/4波長(90度)となる。また、図4(b)に示すように、第3の縦型ホール素子10cが出力する正弦波信号100c(第1の正弦波信号)と第4の縦型ホール素子10dとが出力する正弦波信号100d(第2の正弦波信号)と位相差は1/4波長(90度)となる。
At this time, as shown in FIG. 4A, a
そこで、本実施形態における回転角検出装置31は、磁界BB’の回転角θを検出するにあたり、第1の正弦波信号と第2の正弦波信号とを1組として、2組設定する。すなわち、図4(a)に示す正弦波信号100a(第1の正弦波信号)と正弦波信号100b(第2の正弦波信号)とを組とし、さらに、図4(b)に示す正弦波信号100c(第1の正弦波信号)と正弦波信号100d(第2の正弦波信号)とを組とする。
Therefore, the rotation angle detection device 31 in the present embodiment sets two sets of the first sine wave signal and the second sine wave signal as one set when detecting the rotation angle θ of the magnetic field BB ′. That is, the
そして、各組において、それぞれアークタンジェント演算を施す。すると、図5(a)に示すように、第1の正弦波信号100a及び第2の正弦波信号100b、第1の正弦波信号100c及び第2の正弦波信号100dは、ほぼ直線状に表示される検出信号16、17にそれぞれ変換される。この時、回転角φで正弦波信号100aに侵入したノイズ4は、ほぼそのままのノイズレベルで検出信号16に残る。
In each set, arctangent calculation is performed. Then, as shown in FIG. 5A, the first
続いて、検出信号16、17に基づいて、平均化演算を施す。すると、図5(b)に示すように、回転する磁界BB’の回転角θに対して、ほぼ直線状に表示される検出信号18(センサ出力電圧)が算出される。なお、この平均化演算により、各磁電変換素子の製造のばらつき、磁電変換素子の配置位置、周辺環境の温度分布の違い等に起因するオフセットを低減できると共に、電圧信号16に残っていた回転角φにおけるノイズ4が、ノイズ4aへと平均化され、検出信号18に与える影響が低減する。
Subsequently, an averaging operation is performed based on the detection signals 16 and 17. Then, as shown in FIG. 5B, the detection signal 18 (sensor output voltage) displayed in a substantially straight line is calculated with respect to the rotation angle θ of the rotating magnetic field BB ′. This averaging operation can reduce the offset caused by manufacturing variation of each magnetoelectric conversion element, the arrangement position of the magnetoelectric conversion element, the temperature distribution difference in the surrounding environment, and the like, and the rotation angle remaining in the
そして、本実施形態における回転検出装置31は、このほぼ直線上に表示される検出信号18に基づいて、回転する磁界BB’の回転角θを検出する。
The rotation detection device 31 in the present embodiment detects the rotation angle θ of the rotating magnetic field BB ′ based on the
(第3の実施形態)
本発明の第3の実施形態における回転角検出装置32は、回転する磁界BB’の変化に対して、それぞれがほぼ同じ変換特性を備えた、2セットの第1〜第4の縦型ホール素子10a〜10d(第1のセット)、11a〜11d(第2のセット)を備え、回転する磁界BB’の回転角θを検出するものである。本実施形態における回転角検出装置32では、磁電変換素子は縦型ホール素子であるとして、図6〜図9を用いて説明する。なお、第1、第2のセットにおける第1〜第4の縦型ホール素子10a〜10d、11a〜11dの配置は、第1、第2の実施形態と同様であるとする。
(Third embodiment)
The rotation
すなわち、第1〜第4の縦型ホール素子10a〜10d、11a〜11dを、それぞれ10a〜10d、11a〜11dの順で、ほぼ90度の間隔となるように放射状に配置すると共に、図6に示すように、異なるセットを構成する縦型ホール素子が、等しい間隔を保って、互い違いとなるように配置する(例えば、10a、11a、10b、11b・・・の順)。したがって、隣り合う縦型ホール素子の間隔は、ほぼ45度となる。
That is, the first to fourth
この配置にあたり、第1のセットにおいて、図7(a)に示すように、第1の縦型ホール素子10aが出力する正弦波信号100aと第3の縦型ホール素子10cが出力する正弦波信号100cとの間には位相差のない正弦波信号(第1の正弦波信号)となるように配置すると共に、第2の縦型ホール素子10bが出力する正弦波信号100bと第4の縦型ホール素子10dが出力する正弦波信号100dとの間には位相差のない正弦波信号(第2の正弦波信号)となるように配置する。
In this arrangement, in the first set, as shown in FIG. 7A, the
また、第2のセットにおいて、図7(b)に示すように、第1の縦型ホール素子11aが出力する正弦波信号110aと第3の縦型ホール素子110cが出力する正弦波信号110cとの間には位相差のない正弦波信号(第1の正弦波信号)となるように配置すると共に、第2の縦型ホール素子11bが出力する正弦波信号110bと第4の縦型ホール素子11dが出力する正弦波信号110dとの間には位相差のない正弦波信号(第2の正弦波信号)となるように配置する。なお、正弦波信号100a〜100d、110a〜110dは、ほぼ同一周期及びほぼ同一振幅である。
In the second set, as shown in FIG. 7B, a
そして、回転角検出装置32は、第1、第2のセットの第1〜第4の正弦波信号100a〜100d、110a〜110dに基づいて、図示しない信号処理回路によって、後述する、位相の補正、アークタンジェント演算及び平均化演算を施して、正弦波信号100a〜100d及び110a〜110dを、回転する磁界BB’の回転角θに対してほぼ直線状に表示される検出信号27に変換して、磁界BB’の回転角θを検出する。
The rotation
ところで、図7(a)、(b)から分かるように、第1の正弦波信号である正弦波信号100a及び正弦波信号100c、第2の正弦波信号である100b及び100d、第1の正弦波信号である110a及び110c、第2の正弦波信号である110b及び110dは、それぞれがほぼ同位相の正弦波信号ではあるが、図7(a)、(b)中の実線及び破線で示すように、縦型ホール素子の製造のばらつき、半導体基板1上での配置位置の僅かなずれ、周辺環境の温度分布の違い等に起因するオフセットにより、その波形が完全には一致しないことがある。また、図7(a)に示すように、磁界BB’の回転角φ(0度≦φ<360度)のときに、縦型ホール素子10aが出力する正弦波信号100aにノイズ4が侵入することがある。こうしたオフセットやノイズ4が、回転角検出装置32の測定誤差の要因となることがある。
By the way, as can be seen from FIGS. 7A and 7B, the
そこで、回転角検出装置32は、回転する磁界BB’の回転角θを検出するにあたり、各縦型ホール素子が出力する正弦波信号に基づいて、以下に説明する演算を施して、こうしたオフセットやノイズ4を低減して、回転する磁界BB’の回転角θをさらに正確に検出するものである。
Therefore, the rotation
回転角検出装置32は、正弦波信号100a及び正弦波信号100c、正弦波信号100b及び正弦波信号100dのそれぞれに対して、平均化演算を施して、図8(a)に示す、平均化された正弦波信号100ac、平均化された正弦波信号100bdを算出する。また、正弦波信号110a及び正弦波信号110c、正弦波信号110b及び正弦波信号110dのそれぞれに対して、平均化演算を施して、図8(b)に示す、平均化された正弦波信号110ac、平均化された正弦波信号110bdを算出する。
The rotation
この時、平均化された正弦波信号100acと平均化された正弦波信号100bdとの間には、1/4波長(90度)の位相差がある。また、平均化された正弦波信号110acと平均化された正弦波信号110bdとの間には、1/4波長(90度)の位相差がある。なお、この平均化演算により、各磁電変換素子の製造のばらつき、磁電変換素子の配置位置、周辺環境の温度分布の違い等に起因するオフセットを低減できると共に、正弦波信号100aに残っていた、回転角φにおけるノイズ4は、ノイズ4aへと平均化され、その影響が低減される。
At this time, there is a phase difference of ¼ wavelength (90 degrees) between the averaged sine wave signal 100ac and the averaged sine wave signal 100bd. Further, there is a phase difference of ¼ wavelength (90 degrees) between the averaged sine wave signal 110ac and the averaged sine wave signal 110bd. In addition, this averaging calculation can reduce offset caused by manufacturing variations of the respective magnetoelectric conversion elements, arrangement positions of the magnetoelectric conversion elements, differences in temperature distribution in the surrounding environment, and the like, and remains in the
次に、上述した平均化演算に続いて、平均化された正弦波信号100acと平均化された正弦波信号100bdとに基づいて、アークタンジェント演算を施して、図9(a)に示す、ほぼ直線状に表示される検出信号25に変換する。この時、平均化されたノイズ4aは、ほぼそのままのノイズレベルで検出信号25に残る。さらに、平均化された正弦波信号110acと平均化された正弦波信号110bdとに基づいて、アークタンジェント演算を施して、図9(a)に示す、ほぼ直線状に表示される検出信号26に変換する。
Next, following the above-described averaging calculation, arctangent calculation is performed based on the averaged sine wave signal 100ac and the averaged sine wave signal 100bd, and is approximately shown in FIG. The
ところで、回転角検出装置32は、異なるセットを構成する縦型ホール素子を、等しい間隔を保つようにして、互い違いとなるように配置しているので、隣り合う縦型ホール素子の間隔は、ほぼ45度となる。したがって、第1のセットを構成する縦型ホール素子10a〜10dを基に算出された検出信号25と第2のセットを構成する縦型ホール素子11a〜11dを基に算出された検出信号26との間に、1/8波長(45度)の位相差が存在する。
By the way, since the rotation
そこで、検出信号25と検出信号26との位相差を解消するために、例えば、検出信号26に対して、図9(a)中に示した矢印の方向に、1/8波長(45度)移動する位相の補正を行う。この補正を行うことで、検出信号25と検出信号26との位相差が解消される。
Therefore, in order to eliminate the phase difference between the
そして、位相差が解消された検出信号25、26に基づいて、平均化演算を施す。すると、回転する磁界BB’の回転角θに対して、ほぼ直線状に表示される検出信号27(センサ出力電圧)を得ることができる。図9(b)に検出信号27を示す。
Then, an averaging operation is performed based on the detection signals 25 and 26 from which the phase difference has been eliminated. Then, the detection signal 27 (sensor output voltage) displayed almost linearly with respect to the rotation angle θ of the rotating magnetic field BB ′ can be obtained. FIG. 9B shows the
そして、回転検出装置32は、この検出信号27に基づいて、磁界BB’の回転角θを検出することができる。なお、検出信号25に残っていたノイズ4aは、検出信号25、26に基づいた平均化演算により、ノイズ4bへと平均化されるため、ノイズ4と比較して、ノイズ4bが検出信号27へ与える影響はさらに低減する。
The
(その他の実施形態)
第1及び第2の実施形態では、4個の縦型ホール素子を備えた回転角検出装置30及び31、第3の実施形態では、8個の縦型ホール素子を備えた回転角検出装置32について説明した。
(Other embodiments)
In the first and second embodiments, the rotation angle detection devices 30 and 31 having four vertical Hall elements, and in the third embodiment, the rotation
しかしながら、縦型ホール素子の数をさらに増やした回転角検出装置としても、本発明は有効である。例えば、回転角検出装置33は、図10に示すように、ほぼ同じ変換特性を備えた縦型ホール素子を3セット、12個(10a〜10d、11a〜11d、12a〜12d)を、異なるセットを構成する縦型ホール素子が、等しい間隔を保つようにして、隣り合った縦型ホール素子の間隔がほぼ30度となるように配置してもよい。 However, the present invention is also effective as a rotation angle detection device in which the number of vertical Hall elements is further increased. For example, as shown in FIG. 10, the rotation angle detection device 33 includes three sets of vertical Hall elements having substantially the same conversion characteristics, and 12 sets (10a to 10d, 11a to 11d, and 12a to 12d) in different sets. May be arranged so that the interval between adjacent vertical Hall elements is approximately 30 degrees, so that the vertical Hall elements constituting the same are maintained at equal intervals.
このように、3セットの縦型ホール素子を配置することで、回転角検出装置33は、縦型ホール素子の製造のばらつき、配置位置の僅かなずれ、周辺環境の温度分布の違い等に起因するオフセットをさらに低減できる。また、縦型ホール素子が出力する正弦波信号に、外部からノイズが侵入しても、平均化演算の過程で、このノイズが平均化され、ノイズによる測定誤差を低減できるため、さらに高精度な回転角検出装置とすることができる。 Thus, by arranging three sets of vertical Hall elements, the rotation angle detection device 33 is caused by manufacturing variations of the vertical Hall elements, slight deviations in the arrangement position, differences in temperature distribution in the surrounding environment, and the like. Offset can be further reduced. In addition, even if noise enters the sine wave signal output from the vertical Hall element, this noise is averaged during the averaging calculation process, and measurement errors due to noise can be reduced. It can be set as a rotation angle detection apparatus.
以上、本発明を実施するための最良の形態について説明したが、本発明は上述した実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、数々の変形実施が可能である。また、本発明のうち従属請求項に係る発明においては、従属先の請求項の構成要件の一部を省略する構成とすることもできる。 Although the best mode for carrying out the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. is there. In the invention according to the dependent claims of the present invention, a part of the constituent features of the dependent claims can be omitted.
回転角検出装置32における、回転する磁界BB’の回転角θと縦型ホール素子が出力する電気信号(ホール電圧)との関係を示す図であり、(c)は縦型ホール素子12a〜12dが出力する電気信号を示す図である。
1…半導体基板、2…低濃度拡散層、4,4a,4b…ノイズ、10a〜10d,11a〜11d,12a〜12d,20,22…縦型ホール素子(磁電変換素子)、15,16,17,18,25,26,27…検出信号、30,31,32,33,40…回転角検出装置、50、51…磁電変換素子、50a,50b,51a,51b…出力端子、100a〜100d,110a〜110d…正弦波信号、100ac,110ac…平均化された第1の正弦波信号、100bd,110bd…平均化された第2の正弦波信号
DESCRIPTION OF
Claims (5)
同一の半導体基板上にほぼ90度の間隔で放射状に配置された、第1〜第4の磁電変換素子を備え、
前記磁界の回転に伴って、前記第1〜第4の磁電変換素子が出力する正弦波信号は、ほぼ同一周期及びほぼ同一振幅を有する正弦波信号であって、前記第1及び第3の磁電変換素子は、ほぼ同位相の第1の正弦波信号を出力し、前記第2及び第4の磁電変換素子は、前記第1の正弦波信号とほぼ1/4波長の位相差を有する、ほぼ同位相の第2の正弦波信号を出力し、
前記第1及び第2の正弦波信号に基づいて、アークタンジェント演算及び平均化演算を施して、前記第1及び第2の正弦波信号を、前記回転角に対してほぼ直線状に表示される検出信号に変換し、前記磁界の回転角を検出することを特徴とする回転角検出装置。 A rotation angle detection device that detects a rotation angle of the magnetic field using a magnetoelectric conversion element that converts a change in a rotating magnetic field into a change in an electric signal and outputs the change.
Comprising first to fourth magnetoelectric transducers arranged radially on the same semiconductor substrate at intervals of approximately 90 degrees;
A sine wave signal output from the first to fourth magnetoelectric transducers with the rotation of the magnetic field is a sine wave signal having substantially the same period and substantially the same amplitude, and the first and third magnetoelectric signals. The conversion element outputs a first sine wave signal having substantially the same phase, and the second and fourth magnetoelectric conversion elements have a phase difference of approximately ¼ wavelength with respect to the first sine wave signal. Outputs a second sine wave signal of the same phase,
Based on the first and second sine wave signals, arc tangent calculation and averaging calculation are performed, and the first and second sine wave signals are displayed substantially linearly with respect to the rotation angle. A rotation angle detection device that converts the detection signal into a detection signal and detects the rotation angle of the magnetic field.
平均化された前記第1及び第2の正弦波信号に基づいて、前記アークタンジェント演算を施して、前記第1〜第4の磁電変換素子が出力する正弦波信号を、前記回転角に対してほぼ直線状に表示される検出信号に変換し、前記磁界の回転角を検出することを特徴とする請求項1記載の回転角検出装置。 Based on the first and second sine wave signals, respectively, the averaging operation is performed,
Based on the averaged first and second sine wave signals, the arc tangent calculation is performed, and the sine wave signals output by the first to fourth magnetoelectric transducers are expressed with respect to the rotation angle. The rotation angle detection device according to claim 1, wherein the rotation angle of the magnetic field is detected by converting the detection signal into a substantially linear display.
それぞれの組において、前記アークタンジェント演算を施して、前記第1及び第2の正弦波信号を、前記回転角に対してほぼ直線状に表示される2組の前記検出信号に変換し、
2組の前記検出信号に基づいて、前記平均化演算を施し、前記磁界の回転角を検出することを特徴とする請求項1記載の回転角検出装置。 Two sets of the first and second sine wave signals are set as one set,
In each set, the arc tangent calculation is performed to convert the first and second sine wave signals into two sets of the detection signals displayed substantially linearly with respect to the rotation angle,
The rotation angle detection device according to claim 1, wherein the averaging calculation is performed based on two sets of the detection signals to detect a rotation angle of the magnetic field.
異なるセットを構成する前記磁電変換素子を、交互に且つ所定の間隔で配置し、
それぞれのセットについて、前記第1及び第2の正弦波信号を、前記回転角に対してほぼ直線状に表示される前記検出信号に変換し、
前記所定の角度に基づいて、前記検出信号の位相差の補正を施し、
前記位相差を補正した検出信号に基づいて、平均化処理を施して、前記磁界の回転角を検出することを特徴とする請求項1記載の回転角検出装置。 A plurality of sets of the first to fourth magnetoelectric transducers are provided,
The magnetoelectric transducers constituting different sets are alternately arranged at predetermined intervals,
For each set, the first and second sine wave signals are converted into the detection signal displayed substantially linearly with respect to the rotation angle;
Based on the predetermined angle, the phase difference of the detection signal is corrected,
The rotation angle detection device according to claim 1, wherein the rotation angle of the magnetic field is detected by performing an averaging process based on the detection signal in which the phase difference is corrected.
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