JP2007010002A - Vibration isolation device and exposure device - Google Patents

Vibration isolation device and exposure device Download PDF

Info

Publication number
JP2007010002A
JP2007010002A JP2005190253A JP2005190253A JP2007010002A JP 2007010002 A JP2007010002 A JP 2007010002A JP 2005190253 A JP2005190253 A JP 2005190253A JP 2005190253 A JP2005190253 A JP 2005190253A JP 2007010002 A JP2007010002 A JP 2007010002A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
air damper
vibration
vibration isolator
damper
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005190253A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ryochi Nagahashi
良智 長橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP2005190253A priority Critical patent/JP2007010002A/en
Publication of JP2007010002A publication Critical patent/JP2007010002A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vibration isolation device or the like in which a time required for feeding gas to an air dumper can be shortened. <P>SOLUTION: The vibration isolation device 1a is provided between a floor F and a structure ST and supports the structure ST on the floor F. Besides, the vibration isolation device 1a is structured so as to contain air dumpers 2, 3 that are elastic hollow bags made from rubber materials or the like. Gas such as air or the like is enclosed in the inside 3a of the air dumper 3 which is provided in the air dumper 2. The structure ST is supported by the air dumper 2 by supplying the gas to a space 2a in the air dumper 2, while the structure ST is also supported by the air dumper 3 by exhausting the gas to a space 2a in the air dumper 2. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、支持する構造物の振動を抑制する防振装置、及び当該防振装置により防振された状態で所定のパターンを基板に露光する露光装置に関する。   The present invention relates to a vibration isolator that suppresses vibration of a structure to be supported, and an exposure apparatus that exposes a predetermined pattern on a substrate in a state where the vibration is isolated by the vibration isolator.

半導体素子、液晶表示素子、撮像装置（ＣＣＤ（Charge Coupled Device）等）、薄膜磁気ヘッド等のデバイスの製造工程の一つであるリソグラフィ工程においては、マスクとしてのレチクル（又はフォトマスク等）に形成されているパターンを基板としてのフォトレジストが塗布されたウェハ（又はガラスプレート等）上に転写露光するために、露光装置が使用されている。露光装置としては、ステッパー等の一括露光型（静止露光型）の投影露光装置、又はスキャニングステッパー等の走査露光型の投影露光装置（走査型露光装置）等が使用されている。   Formed on a reticle (or photomask, etc.) as a mask in a lithography process, which is one of the manufacturing processes of devices such as semiconductor elements, liquid crystal display elements, imaging devices (CCD (Charge Coupled Device), etc.) and thin film magnetic heads An exposure apparatus is used to transfer and expose the formed pattern onto a wafer (or a glass plate or the like) coated with a photoresist as a substrate. As the exposure apparatus, a batch exposure type (stationary exposure type) projection exposure apparatus such as a stepper or a scanning exposure type projection exposure apparatus (scanning type exposure apparatus) such as a scanning stepper is used.

上記の露光装置において、レチクルを保持するレチクルステージとウェハを保持するウェハステージとの位置決め精度及び重ね合わせ精度等の露光精度を向上させるためには、振動の影響を極力排除する必要がある。しかしながら、上記の各ステージが移動するときには、その加速時の反力が床に伝わって床が振動することがある。また、露光装置が設置されているデバイス製造工場内の周囲の関連機器の稼働時にも様々な力によって床が振動している。このような床振動が露光装置に伝わって露光精度が低下するのを防止するため、従来から露光装置と床（設置面）との間には防振装置が設けられている。   In the above exposure apparatus, in order to improve exposure accuracy such as positioning accuracy and overlay accuracy between the reticle stage holding the reticle and the wafer stage holding the wafer, it is necessary to eliminate the influence of vibration as much as possible. However, when each of the above stages moves, the reaction force during acceleration may be transmitted to the floor and the floor may vibrate. In addition, the floor vibrates due to various forces during operation of related equipment in the device manufacturing factory where the exposure apparatus is installed. In order to prevent such a floor vibration from being transmitted to the exposure apparatus and lowering the exposure accuracy, a vibration isolator has been conventionally provided between the exposure apparatus and the floor (installation surface).

従来の防振装置としては、内部の圧力がほぼ一定に維持されるように空気が供給されるエアダンパでステージ等を支持する機構が広く用いられている。また、このエアダンパとステージ等に配置した加速度センサで検出される振動を抑制する電磁アクチュエータ（電磁ダンパ）とを組み合わせた能動型の防振装置も使用される機会が増大している。更に、防振性能の向上を図るために、上記の電磁アクチュエータに情報をフィードバックするセンサの種類を増加させるとともに、ステージに設けた運動センサの検出結果を用いてエアダンパの圧力を制御するようにした能動型の防振装置も提案されている。この防振装置の詳細については、例えば以下の特許文献１を参照されたい。
特開２００２−１７５１２２号公報 As a conventional vibration isolator, a mechanism that supports a stage or the like with an air damper to which air is supplied so that the internal pressure is maintained substantially constant is widely used. In addition, an opportunity to use an active vibration isolator that combines this air damper and an electromagnetic actuator (electromagnetic damper) that suppresses vibration detected by an acceleration sensor arranged on a stage or the like is increasing. Furthermore, in order to improve the anti-vibration performance, the number of types of sensors that feed back information to the above-mentioned electromagnetic actuator is increased, and the pressure of the air damper is controlled using the detection result of the motion sensor provided on the stage. An active vibration isolator has also been proposed. For details of the vibration isolator, see, for example, Patent Document 1 below.
JP 2002-175122 A

ところで、近年においては、上述した各種デバイス（特に、半導体素子）のパターンが一層微細化しており、これに伴って必要な露光精度も高くなっている。これにより、露光装置においては、振動の影響を今まで以上に抑制する必要がある。防振装置の剛性を高めると床の振動が露光装置に伝わりやすくなるため、振動の影響を効果的に抑制する観点から、防振装置は剛性が低くされる傾向がある。   By the way, in recent years, patterns of various devices (particularly, semiconductor elements) described above are further miniaturized, and accordingly, necessary exposure accuracy is also increased. Thereby, in the exposure apparatus, it is necessary to suppress the influence of vibration more than ever. When the rigidity of the vibration isolator is increased, the vibration of the floor is easily transmitted to the exposure apparatus. Therefore, the rigidity of the vibration isolator tends to be lowered from the viewpoint of effectively suppressing the influence of the vibration.

防振装置を低剛性にしても、防振装置が露光装置を所定の高さ位置に支持している定常状態であれば、露光装置は防振装置により安定して支持され、且つ床の振動の影響は防振装置により効果的に抑制される。しかしながら、露光装置の立ち上げ時には防振装置の制御を開始して露光装置を浮上させて所定の高さ位置に支持するリセット処理が行われる。また、定期又は不定期のメンテナンス時には防振装置の制御を一旦停止した後で再度防振装置の制御を開始して露光装置を浮上させて所定の高さ位置に支持するリセット処理が行われる。   Even if the vibration isolator is low in rigidity, if the vibration isolator is in a steady state in which the exposure apparatus is supported at a predetermined height position, the exposure apparatus is stably supported by the vibration isolator and the vibration of the floor Is effectively suppressed by the vibration isolator. However, when the exposure apparatus is started up, a reset process is performed in which control of the image stabilizer is started to float the exposure apparatus and support it at a predetermined height position. Further, at the time of regular or irregular maintenance, the control of the image stabilizer is temporarily stopped and then the image stabilizer is started again, and the exposure apparatus is floated and reset processing for supporting the image sensor at a predetermined height position is performed.

上記のリセット処理を行っている間は、エアダンパが一時的に大気圧開放されて防振装置に剛性を付与するために用いられる空気がエアダンパ内から外部へ排出される。このため、リセット処理時にはエアダンパの剛性が低下して防振装置に支持されている露光装置が不安定な状態になるという問題があった。   While the reset process is being performed, the air damper is temporarily opened to atmospheric pressure, and air used to impart rigidity to the vibration isolator is discharged from the air damper to the outside. For this reason, there is a problem that the rigidity of the air damper is lowered during the reset process, and the exposure apparatus supported by the vibration isolator becomes unstable.

また、エアダンパに剛性を与えるためにエアダンパ内を再び空気で満たすときには、エアダンパ内の圧力が大気開放状態から４〜５気圧程度になるまで空気を供給する必要がある。このため、空気供給に要する時間が長くなってリセット処理に長時間を要してしまい、ＭＴＴＲ（Mean Time To Repair：平均復旧時間）が悪化するという問題があった。更に、リセット処理に要する時間の短縮のためにエアダンパに加えて電磁アクチュエータを用いた能動型の防振装置にした場合には、電磁アクチュエータの推力を大きくする必要があり、防振装置が大型化してしまうという問題があった。   Further, when the air damper is filled again with air in order to give rigidity to the air damper, it is necessary to supply air until the pressure in the air damper reaches about 4 to 5 atm from the open state. For this reason, the time required for air supply becomes long, and it takes a long time for the reset process, resulting in a problem that MTTR (Mean Time To Repair) is deteriorated. Furthermore, in order to shorten the time required for the reset process, when an active vibration isolator using an electromagnetic actuator in addition to an air damper is used, it is necessary to increase the thrust of the electromagnetic actuator, which increases the size of the vibration isolator. There was a problem that.

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、気体ダンパに気体を供給する時間を短縮することができる防振装置、及び当該防振装置により防振された状態で所定のパターンを基板に露光する露光装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and a vibration isolator capable of reducing the time for supplying gas to the gas damper, and a predetermined pattern on the substrate in a state where the vibration isolator has been vibrated. An object of the present invention is to provide an exposure apparatus that performs exposure.

本発明は、実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
上記課題を解決するために、本発明の防振装置は、構造物（ＳＴ）を支持する防振装置（１ａ、１ｂ、１ｃ）において、気体の供給部（６）と、前記気体の排出部（６）とを有し、前記構造物を支持可能な第１の気体ダンパ（２）と、内部に気体が封入され、前記構造物の下方に位置する第２の気体ダンパ（３）とを備えることを特徴としている。
この発明によると、供給部から第１の気体ダンパに気体が供給されると、構造物は第１の気体ダンパにより支持され、第１の気体ダンパから排出部を介して気体が排出されると、構造物は第２の気体ダンパに支持される。
また、本発明の露光装置は、防振装置（４３、４９）により防振されたシステムを備え、当該システムを用いて基板（Ｗ）にパターンを露光する露光装置（ＥＸ）において、
前記防振装置として上記の防振装置を備えることを特徴としている。
この発明によると、基板に対するパターンの露光は防振装置が備える第１の気体ダンパにより支持された状態で行われ、第１の気体ダンパの気体が排出された場合には防振装置が備える第２の気体ダンパにより支持される。 The present invention adopts the following configuration corresponding to each diagram shown in the embodiment. However, the reference numerals with parentheses attached to each element are merely examples of the element and do not limit each element.
In order to solve the above-described problems, the vibration isolator of the present invention includes a gas supply unit (6) and a gas discharge unit in the vibration isolator (1a, 1b, 1c) that supports the structure (ST). (6) and a first gas damper (2) capable of supporting the structure, and a second gas damper (3) which is filled with gas and located below the structure. It is characterized by providing.
According to this invention, when the gas is supplied from the supply unit to the first gas damper, the structure is supported by the first gas damper, and the gas is discharged from the first gas damper via the discharge unit. The structure is supported by the second gas damper.
The exposure apparatus of the present invention includes a system that is anti-vibrated by an anti-vibration apparatus (43, 49), and in the exposure apparatus (EX) that exposes a pattern on a substrate (W) using the system.
It is characterized by providing said vibration isolator as said vibration isolator.
According to the present invention, the exposure of the pattern to the substrate is performed in a state supported by the first gas damper provided in the vibration isolator, and the first anti-vibration device is provided when the gas of the first gas damper is discharged. Supported by two gas dampers.

本発明によれば、第１の気体ダンパの気体が排出された場合に構造物は第２の気体ダンパにより支持されるため、再度第１の気体ダンパにより構造物を支持しようとしたときに支持に要する時間を短くすることができ、一連の作業に要する時間を短縮することができるという効果がある。
また、第１の気体ダンパにより再度構造物を支持する場合には、構造物が第２の気体ダンパに支持されて安定している状態から行うことができる。このため、エアダンパに加えて電磁アクチュエータを用いた能動型の防振装置の場合には、電磁アクチュエータの推力をさほど大きくする必要がなく、防振装置の大型化を招くことはない。 According to the present invention, since the structure is supported by the second gas damper when the gas of the first gas damper is discharged, the structure is supported again when the structure is supported by the first gas damper. The time required for this can be shortened, and the time required for a series of operations can be shortened.
In addition, when the structure is supported again by the first gas damper, the structure can be supported from the stable state supported by the second gas damper. For this reason, in the case of an active vibration isolator using an electromagnetic actuator in addition to the air damper, it is not necessary to increase the thrust of the electromagnetic actuator so much, and the vibration isolator does not increase in size.

以下、図面を参照して本発明の一実施形態による防振装置及び露光装置について詳細に説明する。   Hereinafter, an image stabilizer and an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

〔防振装置〕
図１は、本発明の一実施形態による防振装置の基本構成を示す断面図である。図１に示す通り、本実施形態の防振装置１ａは、床Ｆと構造物ＳＴとの間に設けられて床Ｆ上に構造物ＳＴを支持するためのものであって、ゴム材料等からなる可撓性を有する中空の袋（又はゴム等からなる中空のダイアフラム）であるエアダンパ２，３を含んで構成されている。エアダンパ３は、その内部３ａに空気等の気体が封入されており、エアダンパ２の内部に設けられている。 [Vibration isolator]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a basic configuration of a vibration isolator according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the vibration isolator 1a of the present embodiment is provided between the floor F and the structure ST for supporting the structure ST on the floor F, and is made of a rubber material or the like. The air dampers 2 and 3 are hollow flexible bags (or hollow diaphragms made of rubber or the like). The air damper 3 has a gas such as air sealed inside 3 a and is provided inside the air damper 2.

エアダンパ３の内部３ａには、床Ｆ及びエアダンパ２，３の底部Ｂを貫通する配管４が連通しており、この配管４に設けられたバルブ５が開状態であるときに配管４を介して気体をエアダンパ３の内部３ａに供給した後でバルブ５を閉状態にすることで、所定量の気体がエアダンパ３の内部３ａに封入される。バルブ５の開閉は防振台制御系８によって制御される。配管４及びバルブ５を設けることで、エアダンパ３に封入される気体の量を防振装置の組み立て後に可変させることができる。尚、予め所定量の気体が封入されたエアダンパ３を用いて防振装置を組み立てることもできる。かかる構成とすることで、エアダンパ３に封入される気体の量を組み立て後に可変させることはできなくなるが、配管４及びバルブ５を省略することが可能となる。   A pipe 4 penetrating the floor F and the bottom B of the air dampers 2 and 3 communicates with the interior 3a of the air damper 3, and when the valve 5 provided in the pipe 4 is in an open state, A predetermined amount of gas is enclosed in the interior 3 a of the air damper 3 by closing the valve 5 after supplying the gas to the interior 3 a of the air damper 3. The opening and closing of the valve 5 is controlled by the vibration isolator control system 8. By providing the pipe 4 and the valve 5, the amount of gas sealed in the air damper 3 can be varied after the vibration isolator is assembled. In addition, the vibration isolator can also be assembled using the air damper 3 in which a predetermined amount of gas is sealed in advance. With this configuration, the amount of gas sealed in the air damper 3 cannot be changed after assembly, but the piping 4 and the valve 5 can be omitted.

エアダンパ２の内部には、上述の通りエアダンパ３が設けられるとともに、床Ｆを貫通する配管６が連通している。この配管６は気体制御装置７に接続されている。気体制御装置７は、防振台制御系８の制御の下で、エアダンパ２の内部であってエアダンパ３の外部の空間２ａに気体を供給し、又はこの空間２ａの気体を排出する。尚、本実施形態では、配管６を介して空間２ａに気体を供給するとともに空間２ａの気体を排出する場合を例に挙げて説明するが、エアダンパ２内における空間２ａに対する気体の供給を行う配管と、空間２ａの気体の排出を行う配管とを別個に設けた構成であっても良い。防振台制御系８は、配管４に設けられるバルブ５の開閉を制御するとともに、気体制御装置７を制御してエアダンパ２の空間２ａにおける気体の量を制御して、エアダンパ２に付与する剛性を制御する。   Inside the air damper 2, the air damper 3 is provided as described above, and the pipe 6 penetrating the floor F communicates. This pipe 6 is connected to a gas control device 7. The gas control device 7 supplies gas to the space 2a inside the air damper 2 and outside the air damper 3 under the control of the vibration isolation table control system 8, or discharges the gas in the space 2a. In the present embodiment, the case where gas is supplied to the space 2a via the pipe 6 and the gas in the space 2a is discharged will be described as an example, but the pipe for supplying gas to the space 2a in the air damper 2 is described. And the structure which provided separately the piping which discharges | emits the gas of the space 2a may be sufficient. The anti-vibration table control system 8 controls the opening and closing of the valve 5 provided in the pipe 4 and also controls the gas control device 7 to control the amount of gas in the space 2a of the air damper 2 to provide rigidity to the air damper 2. To control.

エアダンパ２の空間２ａに所定量の気体が供給されていると、構造物ＳＴはエアダンパ２により支持される。エアダンパ２が構造物ＳＴを支持している状態においては、エアダンパ３の頂部Ｔ２の高さ位置ｈ２は、エアダンパ２の頂部Ｔ１の高さ位置ｈ１よりも下方に位置する。一方、エアダンパ２の空間２ａの気体が排出されると、エアダンパ２は可撓性を有するため萎んでエアダンパ３と一体になる。この状態では、構造物ＳＴはエアダンパ３により支持される。   When a predetermined amount of gas is supplied to the space 2 a of the air damper 2, the structure ST is supported by the air damper 2. In a state where the air damper 2 supports the structure ST, the height position h2 of the top portion T2 of the air damper 3 is located below the height position h1 of the top portion T1 of the air damper 2. On the other hand, when the gas in the space 2 a of the air damper 2 is exhausted, the air damper 2 is flexible and is deflated so as to be integrated with the air damper 3. In this state, the structure ST is supported by the air damper 3.

構造物ＳＴがエアダンパ２により支持されている場合、及びエアダンパ３により支持されている場合の何れの場合においても、床Ｆからの振動（特に、高周波成分の振動）が構造物ＳＴに伝わらないようにするため、エアダンパ２，３は、その剛性が極力低くなるよう設定される。この剛性は、構造物ＳＴの重量及び振動の伝わりを防止する周波数等によって設定される。エアダンパ２の剛性は、上述した通り空間２ａに供給される気体の量によって制御され、エアダンパ３の剛性は、内部に封入される気体の量によって設定される。エアダンパ２の空間２ａに気体が供給されて構造物ＳＴがエアダンパ２により支持されている状態では、エアダンパ３の剛性はエアダンパ２の剛性よりも低く設定される。   Whether the structure ST is supported by the air damper 2 or the air damper 3, vibration from the floor F (particularly vibration of high-frequency components) is not transmitted to the structure ST. Therefore, the air dampers 2 and 3 are set so that their rigidity is as low as possible. The rigidity is set by the weight of the structure ST and the frequency that prevents transmission of vibration. The rigidity of the air damper 2 is controlled by the amount of gas supplied to the space 2a as described above, and the rigidity of the air damper 3 is set by the amount of gas sealed inside. In a state in which gas is supplied to the space 2 a of the air damper 2 and the structure ST is supported by the air damper 2, the rigidity of the air damper 3 is set lower than the rigidity of the air damper 2.

次に、上記構成における防振装置のリセット処理について説明する。尚、ここにいうリセット処理とは、構造物ＳＴがエアダンパ２によって支持されている状態から、エアダンパ２の空間２ａの気体を一度排出してエアダンパ３により支持し、その後で空間２ａに気体を供給して構造物ＳＴをエアダンパ２により再度支持する処理をいう。気体制御装置７からエアダンパ２の空間２ａに気体が供給されている場合には、構造物ＳＴはエアダンパ２により支持されている。ここで、防振台制御系８が気体制御装置７に対して空間２ａの気体を排出させる旨の制御信号を出力すると、気体制御装置７は配管６を介して空間２ａの気体を排出する。この気体の排出に伴ってエアダンパ２が萎む。空間２ａの全ての気体の排出が完了すると、エアダンパ２はエアダンパ３と一体になり、構造物ＳＴはエアダンパ３により支持される。   Next, the reset process of the vibration isolator having the above configuration will be described. Note that the reset processing here means that the structure ST is supported by the air damper 2, the gas in the space 2a of the air damper 2 is once discharged and supported by the air damper 3, and then the gas is supplied to the space 2a. The structure ST is again supported by the air damper 2. When gas is supplied from the gas control device 7 to the space 2 a of the air damper 2, the structure ST is supported by the air damper 2. Here, when the anti-vibration table control system 8 outputs a control signal for discharging the gas in the space 2 a to the gas control device 7, the gas control device 7 discharges the gas in the space 2 a through the pipe 6. As the gas is discharged, the air damper 2 is deflated. When the discharge of all the gas in the space 2 a is completed, the air damper 2 is integrated with the air damper 3, and the structure ST is supported by the air damper 3.

次いで、防振台制御系８が気体制御装置７に対して空間２ａに対して気体を供給させる旨の制御信号を出力すると、気体制御装置７は配管６を介して空間２ａに対し気体を供給する。この気体の供給に伴ってエアダンパ２は徐々に膨らみ、構造物ＳＴはエアダンパ２によって支持されるようになる。構造物ＳＴが所定の目標位置（所定の高さ位置）に達すると、その位置に留まるように気体制御装置７によって空間２ａへの気体の供給及び空間２ａからの気体の排出が制御される。   Next, when the anti-vibration table control system 8 outputs a control signal for supplying gas to the space 2 a to the gas control device 7, the gas control device 7 supplies gas to the space 2 a via the pipe 6. To do. As the gas is supplied, the air damper 2 gradually expands, and the structure ST is supported by the air damper 2. When the structure ST reaches a predetermined target position (predetermined height position), supply of gas to the space 2a and discharge of gas from the space 2a are controlled by the gas control device 7 so as to remain at that position.

図２は、本発明の一実施形態による防振装置のリセット処理に要する時間を説明するための図である。まず、エアダンパ２の内部に設けられたエアダンパ３が無いと仮定すると、エアダンパ２内の気体を排出してしまうと、構造物ＳＴの高さ位置は床Ｆの上面とほぼ同じ位置になってしまう。この状態において、時刻ｔ０からエアダンパ２の内部への気体の供給を開始したとすると、構造物ＳＴの高さ位置は図２に示すグラフの通りに変化する。このため、構造物ＳＴを目標位置に位置させるのには（ｔ２−ｔ０）だけ時間が必要になる。   FIG. 2 is a diagram for explaining the time required for the reset process of the image stabilizer according to the embodiment of the present invention. First, assuming that there is no air damper 3 provided inside the air damper 2, if the gas in the air damper 2 is exhausted, the height position of the structure ST becomes substantially the same position as the upper surface of the floor F. . In this state, if supply of gas into the air damper 2 is started from time t0, the height position of the structure ST changes as shown in the graph of FIG. For this reason, time (t2-t0) is required to position the structure ST at the target position.

これに対し、エアダンパ２の内部にエアダンパ３が設けられた構成であると、エアダンパ２内の空間２ａの気体を排出しても構造物ＳＴはエアダンパ３により支持される。これにより、構造物ＳＴの高さ位置はエアダンパ２の頂部Ｔ１の高さ位置ｈ２に維持される。この状態において、エアダンパ２内の空間２ａに対する気体の供給を開始して構造物を目標位置に位置させるには、図２において、高さ位置がｈ２である時刻ｈ２から空間２ａに対する気体の供給を開始して目標位置に位置させる制御を行えば良い。このため、構造物ＳＴを目標位置に位置させるのには（ｔ２−ｔ１）だけ時間が必要になり、時刻ｔ０から気体を供給する場合に比べてリセット処理に要する時間が短縮される。また、図１の構成では、エアダンパ２の内部にエアダンパ３が設けられているため、防振装置の大型化を招くこともない。   On the other hand, when the air damper 3 is provided inside the air damper 2, the structure ST is supported by the air damper 3 even if the gas in the space 2a in the air damper 2 is discharged. Thereby, the height position of the structure ST is maintained at the height position h2 of the top portion T1 of the air damper 2. In this state, in order to start supply of gas to the space 2a in the air damper 2 and position the structure at the target position, in FIG. 2, supply of gas to the space 2a is started from time h2 at which the height position is h2. Control may be performed to start and position the target position. For this reason, it takes time (t2-t1) to position the structure ST at the target position, and the time required for the reset process is shortened compared to the case where gas is supplied from time t0. Further, in the configuration of FIG. 1, since the air damper 3 is provided inside the air damper 2, the vibration isolator is not increased in size.

尚、本実施形態では、エアダンパ２内の空間２ａに気体を供給して構造物ＳＴを目標位置に配置するときには、構造物ＳＴを安定して支持するために、目標位置と構造物ＳＴとの高さ位置との差に応じてエアダンパ２に付与する剛性を制御している。また、構造物ＳＴを目標位置に位置決めした場合には、上記のエアダンパ２に付与した剛性を取り除く制御を行っている。この制御の詳細については後述する。   In the present embodiment, when gas is supplied to the space 2a in the air damper 2 and the structure ST is disposed at the target position, the target position and the structure ST are stably supported to support the structure ST. The rigidity applied to the air damper 2 is controlled according to the difference from the height position. Further, when the structure ST is positioned at the target position, control for removing the rigidity applied to the air damper 2 is performed. Details of this control will be described later.

図３は、本発明の一実施形態による防振装置の変形例を示す断面図である。尚、図３においては、図１に示す部材と同一の部材には同一の符号を付している。図１に示す防振装置１ａは、高さ位置がエアダンパ２の高さ位置よりも下方に位置するエアダンパ３を、エアダンパ２の内部に設けた構成であったが、図３に示す防振装置１ｂは、エアダンパ３をエアダンパ２と近接して設けた構成である。尚、エアダンパ２，３の高さ位置の関係は図１に示すエアダンパ２，３の関係と同様である。図３に示す防振装置１ｂは、エアダンパ２とエアダンパ３とを近接してして配置しているため、図１に示す防振装置１ａよりも設置面積が大きくなると考えられる。このため、設置面積に余裕がある場合に採用することが望ましい。   FIG. 3 is a cross-sectional view showing a modification of the vibration isolator according to one embodiment of the present invention. In FIG. 3, the same members as those shown in FIG. The vibration isolator 1a shown in FIG. 1 has a configuration in which the air damper 3 whose height position is located below the height position of the air damper 2 is provided inside the air damper 2. However, the vibration isolator shown in FIG. 1 b is a configuration in which the air damper 3 is provided close to the air damper 2. The relationship between the height positions of the air dampers 2 and 3 is the same as the relationship between the air dampers 2 and 3 shown in FIG. The vibration isolator 1b shown in FIG. 3 is considered to have a larger installation area than the vibration isolator 1a shown in FIG. 1 because the air damper 2 and the air damper 3 are arranged close to each other. For this reason, it is desirable to employ when there is a margin in the installation area.

図１に示す防振装置１ａは、エアダンパ２内の空間２ａに対する気体の供給及び排出を制御することでリセット処理に要する時間を短縮していた。これに対し、図３に示す防振装置１ｂは、エアダンパ２内にエアダンパ３が設けられていないため、エアダンパ２内の気体を全て排出することができる。エアダンパ２内の気体を全て排出してしまうと、リセット処理に時間を要することとなる。このため、図３に示す防振装置１ｂにおいてエアダンパ２内の気体を排出する場合には、構造物ＳＴがエアダンパ３に支持される程度までエアダンパ２内の気体を排出し、完全に排出しないことが望ましい。   The vibration isolator 1a shown in FIG. 1 shortens the time required for the reset process by controlling the supply and discharge of gas to and from the space 2a in the air damper 2. On the other hand, since the air damper 3 is not provided in the air damper 2, the vibration isolator 1 b shown in FIG. 3 can exhaust all the gas in the air damper 2. If all the gas in the air damper 2 is exhausted, it takes time for the reset process. Therefore, when the gas in the air damper 2 is discharged in the vibration isolator 1b shown in FIG. 3, the gas in the air damper 2 is discharged to the extent that the structure ST is supported by the air damper 3, and is not completely discharged. Is desirable.

図４は、本発明の一実施形態による防振装置の他の変形例を示す一部断面図を交えた図である。尚、図３と同様に図４においても、図１に示す部材と同一の部材には同一の符号を付している。図３に示す防振装置１ｃは、エアダンパ３をエアダンパ２と近接して設けた構成であったが、図４に示す防振装置１ｃは、エアダンパ３の周囲に内部が中空であって円環形状のエアダンパ９を設けた構成である。尚、エアダンパ３，９の高さ位置の関係は図３に示すエアダンパ２，３の関係と同様である。   FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing another modification of the vibration isolator according to the embodiment of the present invention. In FIG. 4 as in FIG. 3, the same members as those shown in FIG. The vibration isolator 1c shown in FIG. 3 has a configuration in which the air damper 3 is provided close to the air damper 2. However, the vibration isolator 1c shown in FIG. In this configuration, an air damper 9 having a shape is provided. The relationship between the height positions of the air dampers 3 and 9 is the same as the relationship between the air dampers 2 and 3 shown in FIG.

エアダンパ９の内部には、気体制御装置７に接続された配管４が連通しており、気体制御装置７が防振台制御系８の制御の下でエアダンパ９内への気体の供給・排出を制御する。また、図４に示す防振装置１ｃに設けられたエアダンパ９は、図３に示す防振装置１ｂに設けられたエアダンパ２と同様に、内部の気体を全て排出することができる。このため、図４に示す防振装置１ｃにおいてエアダンパ９内の気体を排出する場合には、図３に示す防振装置１ｂと同様に、構造物ＳＴがエアダンパ３に支持される程度までエアダンパ９内の気体を排出し、完全に排出しないことが望ましい。   A pipe 4 connected to the gas control device 7 communicates with the inside of the air damper 9, and the gas control device 7 supplies and discharges gas into the air damper 9 under the control of the vibration isolator control system 8. Control. Moreover, the air damper 9 provided in the vibration isolator 1c shown in FIG. 4 can discharge all the internal gas, similarly to the air damper 2 provided in the vibration isolator 1b shown in FIG. Therefore, when the gas in the air damper 9 is discharged in the vibration isolator 1c shown in FIG. 4, the air damper 9 is to the extent that the structure ST is supported by the air damper 3 as in the vibration isolator 1b shown in FIG. It is desirable to exhaust the gas inside and not exhaust it completely.

図４に示す防振装置１ｃと図３に示す防振装置１ｂとを比較すると、図３に示す防振装置１ｂは図４に示す防振装置１ｃよりも設置面積が大きくなると考えられる。しかしながら、図３に示す防振装置１ｂのエアダンパ２は、床Ｆ及び構造物ＳＴとほぼ点状に接触するのに対し、図４に示す防振装置１ｃのエアダンパ９は床Ｆ及び構造物ＳＴとほぼ線状（円状）に接触する。このため、図４に示す防振装置１ｃは、設置面積に余裕があり、且つ構造物ＳＴをより安定的に支持したい場合に採用することが望ましい。尚、図４に示した例では、内部に対する気体の供給・排気が可能な円環形状のエアダンパ８を、気体が封入されたエアダンパ３の周囲に配置した構成について説明したが、気体が封入された円環状のエアダンパを、内部に対する気体の供給・排気が可能な球形状（内部は中空）のエアダンパの周囲に配置した構成であっても良い。   When comparing the vibration isolator 1c shown in FIG. 4 with the vibration isolator 1b shown in FIG. 3, it is considered that the vibration isolator 1b shown in FIG. 3 has a larger installation area than the vibration isolator 1c shown in FIG. However, the air damper 2 of the vibration isolator 1b shown in FIG. 3 contacts the floor F and the structure ST almost in a point-like manner, whereas the air damper 9 of the vibration isolator 1c shown in FIG. 4 has the floor F and the structure ST. And almost linear (circular) contact. For this reason, it is desirable to employ the vibration isolator 1c shown in FIG. 4 when there is a sufficient installation area and it is desired to support the structure ST more stably. In the example shown in FIG. 4, the configuration in which the annular air damper 8 capable of supplying and exhausting the gas to the inside is arranged around the air damper 3 in which the gas is sealed has been described. A configuration may also be adopted in which an annular air damper is arranged around a spherical air damper (inside is hollow) that can supply and exhaust gas.

〔露光装置〕
図５は、本発明の一実施形態による露光装置を構成する各機能ユニットのブロック図である。図５に示す露光装置ＥＸは、図５中の投影光学系ＰＬに対してマスクとしてのレチクルＲと基板としてのウェハＷとを相対的に移動させつつ、レチクルＲに形成されたパターンをウェハＷに逐次転写するステップ・アンド・スキャン方式の走査露光型の露光装置である。この図５において、露光装置ＥＸを収納するチャンバーの図示は省略している。 [Exposure equipment]
FIG. 5 is a block diagram of each functional unit constituting the exposure apparatus according to the embodiment of the present invention. The exposure apparatus EX shown in FIG. 5 moves the pattern formed on the reticle R to the wafer W while moving the reticle R as a mask and the wafer W as a substrate relative to the projection optical system PL in FIG. Is a step-and-scan type scanning exposure type exposure apparatus that sequentially transfers to the substrate. In FIG. 5, the illustration of the chamber that houses the exposure apparatus EX is omitted.

尚、以下の説明においては、必要であれば図中にＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。図５に示すＸＹＺ直交座標系は、Ｘ軸及びＹ軸がウェハＷの移動面に平行な面に含まれるよう設定され、Ｚ軸が投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに沿う方向に設定されている。また、本実施形態ではレチクルＲ及びウェハＷを同期移動させる方向（走査方向）をＹ方向に設定している。   In the following description, if necessary, an XYZ orthogonal coordinate system is set in the drawing, and the positional relationship of each member will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. The XYZ orthogonal coordinate system shown in FIG. 5 is set so that the X axis and the Y axis are included in a plane parallel to the moving surface of the wafer W, and the Z axis is set in a direction along the optical axis AX of the projection optical system PL. Yes. In this embodiment, the direction (scanning direction) in which the reticle R and the wafer W are moved synchronously is set to the Y direction.

図５に示す露光装置ＥＸは、露光用の光源としてＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）又はＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）よりなるレーザ光源１１を備えている。このレーザ光源１１としては、上記のエキシマレーザ以外に、Ｆ２レーザ光源（波長１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ光源（波長１４６ｎｍ）、Ａｒ２レーザ光源（波長１２６ｎｍ）等の紫外レーザ光源、ＹＡＧレーザの高調波発生光源、固体レーザ（半導体レーザ等）の高調波発生装置、又は水銀ランプ（ｉ線等）等も使用することができる。 The exposure apparatus EX shown in FIG. 5 includes a laser light source 11 made of a KrF excimer laser (wavelength 248 nm) or an ArF excimer laser (wavelength 193 nm) as a light source for exposure. As the laser light source 11, in addition to the excimer laser described above, an ultraviolet laser light source such as an F 2 laser light source (wavelength 157 nm), a Kr 2 laser light source (wavelength 146 nm), an Ar 2 laser light source (wavelength 126 nm), or a harmonic of a YAG laser is used. A wave generation light source, a harmonic generation device of a solid-state laser (semiconductor laser or the like), a mercury lamp (i-line or the like) or the like can also be used.

レーザ光源１１からの露光ビームとしての露光用の照明光（露光光）ＩＬは、レンズ系とフライアイレンズ系とで構成される均一化光学系１２、ビームスプリッタ１３、光量調整用の可変減光器１４、ミラー１５、及びリレーレンズ系１６を介してレチクルブラインド機構１７を均一な照度分布で照射する。レチクルブラインド機構１７でスリット状又は矩形状に制限された照明光ＩＬは、結像レンズ系１８を介してマスクとしてのレチクルＲ上に照射され、レチクルＲ上にはレチクルブラインド機構１７の開口の像が結像される。均一化光学系１２、ビームスプリッタ１３、光量調整用の可変減光器１４、ミラー１５、リレーレンズ系１６、レチクルブラインド機構１７、及び結像レンズ系１８を含んで照明光学系ＩＬＳが構成されている。   Illumination light (exposure light) IL for exposure as an exposure beam from the laser light source 11 is a homogenizing optical system 12 composed of a lens system and a fly-eye lens system, a beam splitter 13, and variable dimming for light amount adjustment. The reticle blind mechanism 17 is irradiated with a uniform illuminance distribution through the device 14, the mirror 15, and the relay lens system 16. Illumination light IL limited to a slit shape or a rectangular shape by the reticle blind mechanism 17 is irradiated onto a reticle R as a mask through an imaging lens system 18, and an image of an opening of the reticle blind mechanism 17 is formed on the reticle R. Is imaged. The illumination optical system ILS is configured to include the homogenizing optical system 12, the beam splitter 13, the variable dimmer 14 for adjusting the light amount, the mirror 15, the relay lens system 16, the reticle blind mechanism 17, and the imaging lens system 18. Yes.

レチクルＲに形成された回路パターン領域のうち、照明光ＩＬによって照射される部分の像は、両側テレセントリックで投影倍率がβである投影光学系ＰＬを介して基板としてのフォトレジストが塗布されたウェハＷ上に結像投影される。一例として、投影光学系ＰＬの投影倍率βは１／４又は１／５等、像側開口数ＮＡは０．７、視野直径は２７〜３０ｍｍ程度である。投影光学系ＰＬは屈折系であるが、その他に反射屈折系等も使用できる。レチクルＲ及びウェハＷはそれぞれ第１物体及び第２物体とみなすこともできる。尚、照明光ＩＬが照射されるレチクルＲ上の照明領域は、非走査方向であるＸ軸に沿った方向に細長い形状である。   Of the circuit pattern region formed on the reticle R, the image of the portion irradiated by the illumination light IL is a wafer coated with a photoresist as a substrate via a projection optical system PL having a telecentric projection on both sides and a projection magnification of β. An image is projected onto W. As an example, the projection magnification β of the projection optical system PL is 1/4 or 1/5, the image-side numerical aperture NA is 0.7, and the field diameter is about 27 to 30 mm. Although the projection optical system PL is a refractive system, a catadioptric system or the like can also be used. Reticle R and wafer W can also be regarded as a first object and a second object, respectively. Note that the illumination area on the reticle R irradiated with the illumination light IL has an elongated shape in the direction along the X axis, which is the non-scanning direction.

投影光学系ＰＬの物体面側に配置されるレチクルＲは、走査露光時にレチクルベース（不図示）上をエアベアリングを介して少なくともＹ方向に定速移動するマスクステージとしてのレチクルステージＲＳＴ上に保持されている。レチクルステージＲＳＴの移動座標位置（Ｘ方向及びＹ方向の位置、並びにＺ軸の周りの回転角）は、レチクルステージＲＳＴに固定された移動鏡１９と、これに対向して配置されたレーザ干渉計システム２０とで逐次計測され、その移動はリニアモータ及び微動アクチュエータ等で構成される駆動系２１によって行われる。尚、移動鏡１９、レーザ干渉計システム２０は、実際には少なくともＸ方向に１軸及びＹ方向に２軸の３軸のレーザ干渉計を構成している。レーザ干渉計システム２０の計測情報はステージ制御ユニット２６に供給され、ステージ制御ユニット２６はその計測情報及び露光装置ＥＸの全体の動作を統轄制御するコンピュータよりなる主制御系３０からの制御情報（入力情報）に基づいて駆動系２１の動作を制御する。   The reticle R arranged on the object plane side of the projection optical system PL is held on a reticle stage RST as a mask stage that moves at a constant speed in at least the Y direction via an air bearing on a reticle base (not shown) during scanning exposure. Has been. The movement coordinate position of the reticle stage RST (positions in the X and Y directions and the rotation angle around the Z axis) is a moving mirror 19 fixed to the reticle stage RST and a laser interferometer disposed opposite thereto. Measurement is sequentially performed with the system 20, and the movement is performed by a drive system 21 including a linear motor and a fine actuator. The movable mirror 19 and the laser interferometer system 20 actually constitute a triaxial laser interferometer having at least one axis in the X direction and two axes in the Y direction. Measurement information of the laser interferometer system 20 is supplied to a stage control unit 26. The stage control unit 26 controls the measurement information and control information (input) from a main control system 30 comprising a computer that controls the overall operation of the exposure apparatus EX. The operation of the drive system 21 is controlled based on the information.

投影光学系ＰＬの像面側に配置されるウェハＷは、不図示のウェハホルダを介して基板ステージとしてのウェハステージＷＳＴ上に保持され、ウェハステージＷＳＴは、走査露光時に少なくともＹ方向に定速移動できるとともに、Ｘ方向及びＹ方向にステップ移動できるように、エアベアリングを介して不図示のウェハベース上に載置されている。また、ウェハステージＷＳＴの移動座標位置（Ｘ方向及びＹ方向の位置、並びにＺ軸の周りの回転角）は、投影光学系ＰＬの下部に固定された基準鏡２２と、ウェハステージＷＳＴに固定された移動鏡２３と、これに対向して配置されたレーザ干渉計システム２４とで逐次計測され、その移動はリニアモータ及びボイスコイルモータ（ＶＣＭ）等のアクチュエータで構成される駆動系２５によって行われる。   Wafer W arranged on the image plane side of projection optical system PL is held on wafer stage WST as a substrate stage via a wafer holder (not shown), and wafer stage WST moves at a constant speed in at least the Y direction during scanning exposure. It is mounted on a wafer base (not shown) via an air bearing so that it can be moved stepwise in the X and Y directions. Further, the movement coordinate position (positions in the X and Y directions and the rotation angle around the Z axis) of wafer stage WST is fixed to reference mirror 22 fixed to the lower part of projection optical system PL and wafer stage WST. The moving mirror 23 and the laser interferometer system 24 arranged opposite to the moving mirror 23 are sequentially measured, and the movement is performed by a drive system 25 including an actuator such as a linear motor and a voice coil motor (VCM). .

尚、移動鏡２３及びレーザ干渉計システム２４は、実際には少なくともＸ方向に１軸及びＹ方向に２軸の３軸のレーザ干渉計を構成している。また、レーザ干渉計システム２４は、実際には更にＸ軸及びＹ軸の周りの回転角計測用の２軸のレーザ干渉計も備えている。レーザ干渉計システム２４の計測情報はステージ制御ユニット２６に供給され、ステージ制御ユニット２６はその計測情報及び主制御系３０からの制御情報（入力情報）に基づいて駆動系２５の動作を制御する。   The moving mirror 23 and the laser interferometer system 24 actually constitute a triaxial laser interferometer having at least one axis in the X direction and two axes in the Y direction. The laser interferometer system 24 actually further includes a two-axis laser interferometer for measuring rotation angles around the X and Y axes. Measurement information of the laser interferometer system 24 is supplied to a stage control unit 26, and the stage control unit 26 controls the operation of the drive system 25 based on the measurement information and control information (input information) from the main control system 30.

また、ウェハステージＷＳＴには、ウェハＷのＺ方向の位置（フォーカス位置）と、Ｘ軸及びＹ軸の周りの傾斜角を制御するＺレベリング機構も備えられている。そして、投影光学系ＰＬの下部側面に、ウェハＷの表面の複数の計測点にスリット像を投影する投射光学系２７ａと、その表面からの反射光を受光してそれらのスリット像の再結像された像の横ずれ量の情報を検出して、ステージ制御ユニット２６に供給する受光光学系２７ｂとから構成される斜入射方式の多点のオートフォーカスセンサ（２７ａ，２７ｂ）が配置されている。ステージ制御ユニット２６は、そのスリット像の構ずれ量の情報を用いてそれら複数の計測点における投影光学系ＰＬの像面からのデフォーカス量を算出し、走査露光時にはこれらのデフォーカス量が所定の制御精度内に収まるように、オートフォーカス方式でウェハステージＷＳＴ内のＺレベリング機構を駆動する。尚、斜入射方式の多点オートフォーカスセンサの詳細な構成については、例えば特開平１−２５３６０３号公報に開示されている。   Wafer stage WST is also provided with a Z leveling mechanism that controls the position (focus position) of wafer W in the Z direction and the tilt angles around the X and Y axes. Then, on the lower side surface of the projection optical system PL, the projection optical system 27a that projects the slit image onto a plurality of measurement points on the surface of the wafer W, and the reflected light from the surface is received to re-image those slit images. An oblique incidence type multi-point autofocus sensor (27a, 27b) constituted by a light receiving optical system 27b for detecting information on the lateral shift amount of the image and supplying it to the stage control unit 26 is disposed. The stage control unit 26 calculates defocus amounts from the image plane of the projection optical system PL at the plurality of measurement points using information on the amount of misalignment of the slit image, and these defocus amounts are predetermined during scanning exposure. The Z leveling mechanism in the wafer stage WST is driven by the autofocus method so as to be within the control accuracy. The detailed configuration of the oblique incidence type multi-point autofocus sensor is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-253603.

また、ステージ制御ユニット２６は、レーザ干渉計システム２０による計測情報に基づいて駆動系２１を最適に制御するレチクル側のコントロール回路と、レーザ干渉計システム２４による計測情報に基づいて駆動系２５を最適に制御するウェハ側のコントロール回路とを含み、走査露光時にレチクルＲとウェハＷとを同期走査するときは、その両方のコントロール回路が各駆動系２１，２５を協調制御する。また、主制御系３０は、ステージ制御ユニット２６内の各コントロール回路と相互にコマンド及びパラメータをやり取りして、オペレータが指定したプログラムに従って最適な露光処理を実行する。そのために、オペレータと主制御系３０とのインターフェイスをなす不図示の操作パネルユニット（入カデバイスと表示デバイスとを含む）が設けられている。   In addition, the stage control unit 26 optimizes the drive system 25 based on the reticle-side control circuit that optimally controls the drive system 21 based on the measurement information from the laser interferometer system 20 and the measurement information from the laser interferometer system 24. When the reticle R and the wafer W are scanned synchronously during scanning exposure, both control circuits cooperatively control the drive systems 21 and 25. The main control system 30 exchanges commands and parameters with each control circuit in the stage control unit 26, and executes an optimum exposure process according to a program designated by the operator. For this purpose, an operation panel unit (not shown) (including an input device and a display device) that provides an interface between the operator and the main control system 30 is provided.

更に、レーザ光源１１がエキシマレーザ光源であるときは、主制御系３０の制御のもとにあるレーザ制御ユニット２８が設けられる。このレーザ制御ユニット２８は、レーザ光源１１のパルス発振のモード（ワンパルスモード、バーストモード、待機モード等）を制御するとともに、放射されるパルスレーザ光の平均光量を調整するためにレーザ光源１１の放電用高電圧を制御する。また、光量制御ユニット２９は、ビームスプリッタ１３で分割された一部の照明光ＩＬを受光する光電検出器３１（インテグレータセンサ）からの信号に基づいて、適正な露光量が得られるように可変減光器１４を制御するとともに、パルス照明光の強度（光量）情報をレーザ制御ユニット２８及び主制御系３０に送る。   Further, when the laser light source 11 is an excimer laser light source, a laser control unit 28 under the control of the main control system 30 is provided. The laser control unit 28 controls the pulse oscillation mode (one pulse mode, burst mode, standby mode, etc.) of the laser light source 11 and adjusts the average light quantity of the emitted pulsed laser light. Control the high voltage for discharge. The light quantity control unit 29 is variably reduced so as to obtain an appropriate exposure amount based on a signal from the photoelectric detector 31 (integrator sensor) that receives a part of the illumination light IL divided by the beam splitter 13. The optical device 14 is controlled, and the intensity (light quantity) information of the pulse illumination light is sent to the laser control unit 28 and the main control system 30.

また、レチクルＲのパターンをウェハＷ上の各ショット領域に転写するには、露光動作を開始する前に予めレチクルＲとウェハＷとのアライメント（位置合わせ）を行っておく必要がある。そこで、図５の露光装置ＥＸは、レチクルＲを所定位置に設定するためのレチクルアライメント系（ＲＡ系）３２と、ウェハＷ上のマークを検出するためのオフアクシス方式のアライメント系３３とを備えている。   In order to transfer the pattern of the reticle R to each shot area on the wafer W, it is necessary to align the reticle R and the wafer W in advance before starting the exposure operation. Therefore, the exposure apparatus EX shown in FIG. 5 includes a reticle alignment system (RA system) 32 for setting the reticle R at a predetermined position, and an off-axis alignment system 33 for detecting a mark on the wafer W. ing.

以上の構成の露光装置ＥＸにおいて露光動作が開始されると、まず上記のアライメント系３２，３３を用いたレチクルＲとウェハＷとのアライメントが行われる。次いで、レチクルＲへの照明光ＩＬの照射を開始して、レチクルＲのパターンの一部の投影光学系ＰＬを介した像をウェハＷ上の一つのショット領域に投影した状態で、レチクルステージＲＳＴとウェハステージＷＳＴとを投影光学系ＰＬの投影倍率βを速度比としてＹ方向に同期して移動（同期走査）する走査露光動作によって、そのショット領域にレチクルＲのパターン像が転写される。その後、照明光ＩＬの照射を停止して、ウェハステージＷＳＴを介してウェハＷをＸ方向、Ｙ方向にステップ移動する動作と、上記の走査露光動作とを繰り返すことによって、ステップ・アンド・スキャン方式でウェハＷ上の全部のショット領域にレチクルＲのパターン像が転写される。   When an exposure operation is started in the exposure apparatus EX configured as described above, alignment between the reticle R and the wafer W using the alignment systems 32 and 33 is first performed. Next, irradiation of the reticle R with the illumination light IL is started, and the reticle stage RST is projected in a state where an image of a part of the pattern of the reticle R is projected onto one shot area on the wafer W. And the wafer stage WST, the pattern image of the reticle R is transferred to the shot area by a scanning exposure operation in which the projection magnification β of the projection optical system PL is used as a speed ratio to move (synchronously scan) in the Y direction. Thereafter, the irradiation of the illumination light IL is stopped, and the step-and-scan method is performed by repeating the operation of moving the wafer W stepwise in the X and Y directions via the wafer stage WST and the above-described scanning exposure operation. Thus, the pattern image of the reticle R is transferred to all shot areas on the wafer W.

次に、例えば半導体デバイスの製造工場内における上記の露光装置ＥＸの設置状態の一例を説明する。図６は、露光装置ＥＸを床上に設置した状態を示す側面透視図である。尚、図６に示す各部材のうち、図５に示した部材に相当する部材には同一の符号を付してある。図６に示す通り、露光装置ＥＸの本体は製造工場の床ＦＬ上に設けられたチャンバーＣ内に設けられる。図６において、製造工場の床ＦＬ上に例えばＨ型鋼よりなる複数（例えば４箇所以上）の支柱４１を介して、露光装置ＥＸを設置する際の基礎部材としてのベース部材４２が設置されている。   Next, an example of the installation state of the exposure apparatus EX in a semiconductor device manufacturing factory will be described. FIG. 6 is a side perspective view showing a state in which the exposure apparatus EX is installed on the floor. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the member corresponded to the member shown in FIG. 5 among each member shown in FIG. As shown in FIG. 6, the main body of the exposure apparatus EX is provided in a chamber C provided on the floor FL of the manufacturing factory. In FIG. 6, a base member 42 as a base member for installing the exposure apparatus EX is installed on a floor FL of a manufacturing factory via a plurality of (for example, four or more) columns 41 made of H-shaped steel. .

ベース部材４２の端部における３箇所又は４箇所には支持部材が設けられており、この支持部材上に設けられた能動型の防振台４３を介して第１コラム４４（構造物）が載置され、第１コラム４４の中央の開口部に投影光学系ＰＬが保持されている。防振台４３は、前述した防振装置（１ａ，１ｂ，１ｃの何れか）のエアダンパと、ボイスコイルモータ等からなる電磁ダンパとを含み、第１コラム４４に設置されている１組の加速度センサ４８と１組の位置センサ（不図示）との検出情報に基づいてそのエアダンパ内の圧力及び電磁ダンパの推力を制御することで、第１コラム４４（及びこれによって支持されている部材）の除振が能動的に行われる。この場合、エアダンパによって比較的低周波数域の除振が行われ、電磁ダンパによって比較的高周波数域の除振が行われる。また、防振台４３は、除振性能を向上させるために低剛性のものが用いられている。   Support members are provided at three or four locations at the end of the base member 42, and the first column 44 (structure) is mounted via an active vibration isolation table 43 provided on the support member. The projection optical system PL is held in the central opening of the first column 44. The anti-vibration table 43 includes an air damper of the above-described anti-vibration device (one of 1a, 1b, and 1c) and an electromagnetic damper including a voice coil motor and the like, and a set of accelerations installed in the first column 44. By controlling the pressure in the air damper and the thrust of the electromagnetic damper based on the detection information of the sensor 48 and a pair of position sensors (not shown), the first column 44 (and the member supported thereby) Vibration isolation is actively performed. In this case, vibration isolation in a relatively low frequency range is performed by the air damper, and vibration isolation in a relatively high frequency range is performed by the electromagnetic damper. Further, the anti-vibration table 43 is of low rigidity so as to improve the vibration isolation performance.

上記の加速度センサ４８としては、圧電素子（ピエゾ素子等）で発生する電圧を検出する圧電型の加速度センサ、歪みの大きさに応じてＣＭＯＳコンバータの論理閾値電圧が変化することを利用する半導体式の加速度センサ等を使用することができる。また上記の位置センサ（又は変位センサ）としては、例えば渦電流変位センサを使用することができる。他の位置センサとしては、静電容量がセンサの電極と測定対象との距離に反比例することを利用して非接触で距離を検出する静電容量式非接触変位センサ、測定対象からの光ビームの位置をＰＳＤ（半導体式位置検出装置）を用いて検出するようにした光学式センサ等を使用することができる。尚、加速度センサの代わりに速度センサを用いることも可能である。また、加速度センサ４８を省略して、不図示の位置センサの出力に基づいて防振台４３を制御しても良い。   As the acceleration sensor 48, a piezoelectric acceleration sensor that detects a voltage generated by a piezoelectric element (piezo element or the like), a semiconductor type that utilizes the fact that the logical threshold voltage of the CMOS converter changes according to the magnitude of strain. Acceleration sensors or the like can be used. Moreover, as said position sensor (or displacement sensor), an eddy current displacement sensor can be used, for example. Other position sensors include a capacitive non-contact displacement sensor that detects the distance in a non-contact manner by utilizing the fact that the capacitance is inversely proportional to the distance between the sensor electrode and the measurement object, and a light beam from the measurement object. It is possible to use an optical sensor or the like that detects the position of the sensor using a PSD (semiconductor position detector). A speed sensor may be used instead of the acceleration sensor. Further, the acceleration sensor 48 may be omitted, and the anti-vibration table 43 may be controlled based on the output of a position sensor (not shown).

また、第１コラム４４の上部にはレチクルベース４５が固定され、レチクルベース４５を覆うように第２コラム４６が固定され、第２コラム４６の中央部に図５の照明光学系ＩＬＳが収納された照明系サブチャンバ４７が固定されている。図５のレーザ光源１１は一例として図６のベース部材４２の外側の床ＦＬ上に設置されており、レーザ光源１１から射出される照明光ＩＬは、不図示のビーム送光系を介して照明光学系ＩＬＳに導かれる。また、レチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴは、レチクルベース４５上に載置されている。図６において、第１コラム４４、レチクルベース４５、及び第２コラム４６よりコラム構造体ＣＬが構成されている。コラム構造体ＣＬは、ベース部材４２の上面に複数の能動型の防振台４３を介して支持された状態で、投影光学系ＰＬ、レチクルステージＲＳＴ、及び照明光学系ＩＬＳを保持している。尚、照明光学系ＩＬＳの一部はコラム構造体ＣＬから分離して配置しても良い。   In addition, a reticle base 45 is fixed to the top of the first column 44, a second column 46 is fixed so as to cover the reticle base 45, and the illumination optical system ILS of FIG. The illumination system subchamber 47 is fixed. The laser light source 11 of FIG. 5 is installed on the floor FL outside the base member 42 of FIG. 6 as an example, and the illumination light IL emitted from the laser light source 11 is illuminated via a beam transmission system (not shown). Guided to the optical system ILS. In addition, reticle stage RST that holds reticle R is placed on reticle base 45. In FIG. 6, a column structure CL is constituted by a first column 44, a reticle base 45, and a second column 46. The column structure CL holds the projection optical system PL, the reticle stage RST, and the illumination optical system ILS while being supported on the upper surface of the base member 42 via a plurality of active vibration isolation tables 43. A part of the illumination optical system ILS may be arranged separately from the column structure CL.

加速度センサ４８と不図示の位置センサとの少なくとも一方の計測値に基づいて、複数の防振台４３内のエアダンパ及び電磁ダンパは、それぞれコラム構造体ＣＬの振動が小さく維持されるように、且つコラム構造体ＣＬの傾斜角及びＺ方向の高さが一定に維持されるように作用する。また、コラム構造体ＣＬを浮上させて所定の高さ位置（目標位置）に支持する時に、エアダンパ内の圧力又は電磁ダンパの推力を制御してエアダンパにＺ方向の剛性を付与している。尚、この制御の詳細については後述する。   Based on the measured values of at least one of the acceleration sensor 48 and a position sensor (not shown), the air dampers and the electromagnetic dampers in the plurality of vibration isolation tables 43 are respectively configured so that the vibration of the column structure CL is kept small, and This acts so that the inclination angle and the height in the Z direction of the column structure CL are kept constant. Further, when the column structure CL is levitated and supported at a predetermined height position (target position), the pressure in the air damper or the thrust of the electromagnetic damper is controlled to give the air damper rigidity in the Z direction. Details of this control will be described later.

また、ベース部材４２上の防振台４３が配置されている支持部材で囲まれた領域内には、３個又は４個の能動型の防振台４９を介してウェハベース５０が支持されている。ウェハベース５０上にはウェハＷを保持するウェハステージＷＳＴが移動自在に載置されている。防振台４９は、防振台４３と同様の構成の小型のエアダンパ及び電磁ダンパを備えており、防振台４９がベース部材４２の上面にウェハステージＷＳＴを支持している。防振台４９は、ウェハベース５０上の加速度センサ及び位置センサ（不図示）の計測情報に基づいて能動的にウェハベース５０及びウェハステージＷＳＴの振動を抑制する。尚、ウェハステージＷＳＴが６自由度に駆動する場合には、防振台４９を必ずしも設けなくてもいい。   Further, the wafer base 50 is supported via three or four active vibration isolation tables 49 in an area surrounded by the support member on which the vibration isolation table 43 is disposed on the base member 42. Yes. On wafer base 50, wafer stage WST for holding wafer W is movably mounted. The anti-vibration table 49 includes small air dampers and electromagnetic dampers having the same configuration as the anti-vibration table 43, and the anti-vibration table 49 supports the wafer stage WST on the upper surface of the base member 42. The anti-vibration table 49 actively suppresses vibrations of the wafer base 50 and the wafer stage WST based on measurement information from an acceleration sensor and a position sensor (not shown) on the wafer base 50. If wafer stage WST is driven with six degrees of freedom, vibration isolator 49 need not necessarily be provided.

上記の防振台４３，４９及びこれらの制御系（図１，図３，図４に示す防振台制御系８及び気体制御装置７）がそれぞれ防振装置をなしている。これらの防振装置は、それぞれ能動型振動分離システムであるＡＶＩＳ（Active Vibration Isolation System）とも呼ぶことかできる。尚、図６に示す構成では、防振台４３がコラム構造体ＣＬを介してレチクルステージＲＳＴ及び投影光学系ＰＬを支持しているのに対し、防振台４９はウェハベース５０を介してウェハステージＷＳＴのみを支持している。また、走査露光時のレチクルステージＲＳＴの走査速度はウェハステージＷＳＴの走査速度に対して投影倍率βの逆数倍（例えば４倍）速くなっている。このため、コラム構造体ＣＬの方がウェハベース５０よりも振動が発生し易くなっている。従って、防振台４３の除振性能を防振台４９の除振性能よりも高く設定することも可能である。この場合、例えば、防振台４９よりも防振台４３の剛性を低く設定し、又は防振台４９に設けられたエアダンパについてはウェハベース５０のＺ方向の位置がほぼ一定になるように圧力を制御するだけでもよい。   The above-described anti-vibration tables 43 and 49 and their control systems (the anti-vibration table control system 8 and the gas control device 7 shown in FIGS. 1, 3 and 4) respectively constitute an anti-vibration device. Each of these vibration isolators can also be called an AVIS (Active Vibration Isolation System) which is an active vibration isolation system. In the configuration shown in FIG. 6, the anti-vibration table 43 supports the reticle stage RST and the projection optical system PL via the column structure CL, whereas the anti-vibration table 49 supports the wafer via the wafer base 50. Only stage WST is supported. Further, the scanning speed of reticle stage RST during scanning exposure is higher than the scanning speed of wafer stage WST by a reciprocal number (for example, 4 times) the projection magnification β. For this reason, the column structure CL is more susceptible to vibration than the wafer base 50. Therefore, the vibration isolation performance of the vibration isolation table 43 can be set higher than the vibration isolation performance of the vibration isolation table 49. In this case, for example, the rigidity of the anti-vibration table 43 is set lower than that of the anti-vibration table 49, or the air damper provided on the anti-vibration table 49 is pressured so that the position of the wafer base 50 in the Z direction is substantially constant. It is only necessary to control.

尚、図６に示す構成以外に、例えば投影光学系ＰＬを保持する第１コラム４４の底面にウェハベース５０及びウェハステージＷＳＴを吊り下げる構成にしてもよい。かかる構成の場合には、複数の防振台４３によってレチクルステージＲＳＴ、投影光学系ＰＬ、及びウェハステージＷＳＴが全て支持される。また、投影光学系ＰＬ及びウェハステージＷＳＴを支持するコラムと、レチクルステージＲＳＴを支持するコラムとを分離して、これらをそれぞれ防振台４３と同様の防振台を介して支持する構成にしてもよい。更に、レチクルステージＲＳＴ、投影光学系ＰＬ、及びウェハステージＷＳＴを互いに独立に防振台４３と同様の防振台を介して支持する構成にしてもよい。   In addition to the configuration shown in FIG. 6, for example, the wafer base 50 and the wafer stage WST may be suspended from the bottom surface of the first column 44 that holds the projection optical system PL. In such a configuration, reticle stage RST, projection optical system PL, and wafer stage WST are all supported by a plurality of anti-vibration bases 43. Further, the column that supports the projection optical system PL and the wafer stage WST and the column that supports the reticle stage RST are separated, and these are supported via the vibration isolation table similar to the vibration isolation table 43, respectively. Also good. Further, the reticle stage RST, the projection optical system PL, and the wafer stage WST may be supported independently of each other via a vibration isolation table similar to the vibration isolation table 43.

以上説明した通り、図６の能動型の防振台４３，４９は、ほぼ同様の構成にすることができる。以下では代表的に防振台４３及びその制御系の構成について説明する。尚、以下の説明では、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに平行な方向であるＺ方向の振動を抑制する機構について説明するが、これはＸ方向及びＹ方向の振動を抑制する機構、更にはＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸の周りの回転方向の振動を抑制する機構にも同様に適用することができる。   As described above, the active vibration isolation tables 43 and 49 in FIG. 6 can have substantially the same configuration. Below, the structure of the vibration isolator 43 and its control system will be described as a representative. In the following description, a mechanism for suppressing vibration in the Z direction, which is a direction parallel to the optical axis AX of the projection optical system PL, will be described. This is a mechanism for suppressing vibration in the X direction and the Y direction. The present invention can be similarly applied to a mechanism that suppresses vibration in the rotational direction around the X axis, the Y axis, and the Z axis.

図７は、図６中の１箇所の防振台４３及びその制御系を示す一部切り欠き図である。図７において、ベース部材４２上に、Ｚ軸にほぼ垂直な平板状のマウント部５１ａと、このマウント部５１ａをベース部材４２上に所定間隔を開けて支持する脚部５１ｂとからなる第１フレーム５１が固定されている。この第１フレーム５１のマウント部５１ａの上面には、底面が閉じたほぼ円筒状の収納部材５２が載置されており、この収納部材５２中に気体ダンパとしてのエアダンパが収納されている。尚、ここでは、図１に示すエアダンパ２，３が収納されているものとする。エアダンパ２の上部には、ほぼ円柱状の可動部材５３がＺ方向に変位できるように載置されており、可動部材５３の上部は第１コラム４４（構造物）の底面に固定されている。   FIG. 7 is a partially cutaway view showing one vibration isolator 43 and its control system in FIG. In FIG. 7, a first frame comprising a flat plate-like mount portion 51a substantially perpendicular to the Z-axis on a base member 42 and leg portions 51b for supporting the mount portion 51a on the base member 42 at a predetermined interval. 51 is fixed. A substantially cylindrical storage member 52 having a closed bottom surface is placed on the upper surface of the mount portion 51 a of the first frame 51, and an air damper as a gas damper is stored in the storage member 52. Here, it is assumed that the air dampers 2 and 3 shown in FIG. 1 are accommodated. A substantially cylindrical movable member 53 is placed on the upper part of the air damper 2 so as to be displaced in the Z direction, and the upper part of the movable member 53 is fixed to the bottom surface of the first column 44 (structure).

この構成において、収納部材５２と可動部材５３とが、エアダンパ２，３の保持機構に対応している。そして、エアダンパ２内の空間２ａの気体の圧力により、可動部材５３及び第１コラム４４がマウント部５１ａに対してＺ方向（第１コラム４４を支持する支持方向）に変位できるように支持されている。尚、収納部材５２とエアダンパ２，３とを一体的に気体ダンパとみなすことも可能であり、可動部材５３を第１コラム４４と一体化することも可能である。また、エアダンパ２，３の保持機構の構成によっては、この保持機構の構成に依存する剛性を負とすることができる。   In this configuration, the storage member 52 and the movable member 53 correspond to a holding mechanism for the air dampers 2 and 3. The movable member 53 and the first column 44 are supported by the gas pressure in the space 2a in the air damper 2 so that they can be displaced in the Z direction (supporting direction for supporting the first column 44) with respect to the mount 51a. Yes. Note that the storage member 52 and the air dampers 2 and 3 can be integrally regarded as a gas damper, and the movable member 53 can be integrated with the first column 44. Further, depending on the configuration of the holding mechanism of the air dampers 2 and 3, the rigidity depending on the configuration of the holding mechanism can be negative.

エアダンパ２，３は、前述した通り、ゴム材料等からなる可撓性を有する中空の袋（又はゴム等からなる中空のダイアフラム）であり、エアダンパ２の内部にエアダンパ３が配置されている。尚、図１では、エアダンパ３の内部３ａに底部Ｂから配管４が連通している構成を例に挙げて説明したが、ここでは説明の簡単のために、配管４を省略してエアダンパ３の内部３ａに所定量の気体が予め封入されているものとする。また、エアダンパ２には、収納部材５２の側面の開口（不図示）を通して、気体の流量を制御できるサーボバルブ５４が装着された可撓性を有する配管６を介して、所定圧力以上で所定量以上の気体が蓄積されている気体源５５が連結されている。気体源５５、配管６の一部、及びサーボバルブ５４を含んで気体制御装置７が構成されている。   As described above, the air dampers 2 and 3 are flexible hollow bags made of a rubber material or the like (or a hollow diaphragm made of rubber or the like), and the air damper 3 is disposed inside the air damper 2. In FIG. 1, the configuration in which the pipe 4 communicates with the inside 3 a of the air damper 3 from the bottom B has been described as an example. However, for simplicity of explanation, the pipe 4 is omitted here and the air damper 3 is omitted. It is assumed that a predetermined amount of gas is enclosed in the interior 3a in advance. Further, the air damper 2 is passed through an opening (not shown) on the side surface of the storage member 52 through a flexible pipe 6 equipped with a servo valve 54 capable of controlling the gas flow rate, and a predetermined amount above a predetermined pressure. A gas source 55 in which the above gases are accumulated is connected. The gas control device 7 is configured including the gas source 55, a part of the pipe 6, and the servo valve 54.

気体源５５には外部からの気体を取り込むための吸気管５６が備えられており、気体源５５としては、例えばエアコンプレッサと、このエアコンプレッサで加圧された気体が充填されるエアボンベとを組み合わせた装置等が使用できる。また、エアダンパ２の側面には、収納部材５２の側面の開口（不図示）を通る中空のパイプを介してエアダンパ２内の気体の圧力を計測するための圧カセンサ５７が設けられており、圧カセンサ５７の計測値（圧力情報に対応する信号）が防振台制御系８に供給されている。圧カセンサ５７としては、薄い金属のダイアフラムに歪みゲージを固定したセンサ、又はシリコン基板の変形を利用するセンサ等が使用できる。   The gas source 55 is provided with an intake pipe 56 for taking in gas from the outside. As the gas source 55, for example, an air compressor and an air cylinder filled with gas pressurized by the air compressor are combined. Can be used. Further, a pressure sensor 57 for measuring the pressure of the gas in the air damper 2 is provided on the side surface of the air damper 2 through a hollow pipe passing through an opening (not shown) on the side surface of the storage member 52. The measurement value (signal corresponding to the pressure information) of the force sensor 57 is supplied to the vibration isolator control system 8. As the pressure sensor 57, a sensor in which a strain gauge is fixed to a thin metal diaphragm, a sensor using deformation of a silicon substrate, or the like can be used.

また、可動部材５３をＸ方向に挟むようにＺ方向に伸びた平板状の一対の連結部材５８ａ，５８ｂが固定されており、これら連結部材５８ａ，５８ｂの下端部にＺ軸にほぼ垂直な平板状の連動部材５９が固定されている。以上の可動部材５３、連結部材５８ａ，５８ｂ、及び連動部材５９から第２フレーム６０が構成されている。図８は、図７の可動部材５３側から第１フレーム５１を見た平面図である。図８に示す通り、第１フレーム５１の上部（図７のマウント部５１ａ）に２箇所の開口５１ｃ，５１ｄが形成されており、これらの開口５１ｃ，５１ｄ内にそれぞれ連結部材５８ａ，５８ｂが挿通されている。この構成によって、第２フレーム６０の連動部材５９は、第１フレーム５１とベース部材４２とで囲まれた空間内に、第１フレーム５１に接触しない状態でＺ方向に変位自在に支持されている。   Further, a pair of flat connecting members 58a and 58b extending in the Z direction so as to sandwich the movable member 53 in the X direction are fixed, and a flat plate substantially perpendicular to the Z axis is attached to the lower ends of the connecting members 58a and 58b. A shaped interlocking member 59 is fixed. The second frame 60 is composed of the movable member 53, the connecting members 58a and 58b, and the interlocking member 59 described above. FIG. 8 is a plan view of the first frame 51 as viewed from the movable member 53 side in FIG. As shown in FIG. 8, two openings 51c and 51d are formed in the upper part of the first frame 51 (mounting part 51a in FIG. 7), and connecting members 58a and 58b are inserted into these openings 51c and 51d, respectively. Has been. With this configuration, the interlocking member 59 of the second frame 60 is supported in a space surrounded by the first frame 51 and the base member 42 so as to be displaceable in the Z direction without contacting the first frame 51. .

図７に戻り、第２フレーム６０は第１コラム４４と連動してＺ方向に変位する。そして、第２フレーム６０とベース部材４２との間に、電磁ダンパとしてのボイスコイルモータ６１が設置されている。ボイスコイルモータ６１は、ベース部材４２の上面に固定されて永久磁石がＺ方向に所定ピッチで配列された固定子６１ｂと、第２フレーム６０の連動部材５９の底面に固定されてコイルが装着された可動子６１ａとから構成されている。このように防振台４３は、第１フレーム５１、収納部材５２、エアダンパ２，３、第２フレーム６０、及びボイスコイルモータ６１を含んで構成されている。   Returning to FIG. 7, the second frame 60 is displaced in the Z direction in conjunction with the first column 44. A voice coil motor 61 as an electromagnetic damper is installed between the second frame 60 and the base member 42. The voice coil motor 61 is fixed to the upper surface of the base member 42 and fixed to the stator 61b in which permanent magnets are arranged at a predetermined pitch in the Z direction, and fixed to the bottom surface of the interlocking member 59 of the second frame 60. Mover 61a. As described above, the vibration isolation table 43 includes the first frame 51, the storage member 52, the air dampers 2 and 3, the second frame 60, and the voice coil motor 61.

以上の構成の防振台４３は、エアダンパ２（エアダンパ３）とボイスコイルモータ６１とがＺ方向（第１コラム４４の変位方向）に直列に配置されているため小型化することができる。また、エアダンパ２による力（圧力）及びボイスコイルモータ６１による推力は、ほぼＺ軸に平行な同―直線上で作用するため、エアダンパ２とボイスコイルモータ６１とを同時に作用させても第１コラム４４にモーメント等の不要なカが作用することはない。また、エアダンパ２（気体ダンパ）及びボイスコイルモータ６１（電磁ダンパ）は、ベース部材４２から第１コラム４４に対して実質的に並列に力を付与する。従って、第１コラム４４の重量の大部分をエアダンパ２（又は、エアダンパ３）によって支持し、ボイスコイルモータ６１のＺ方向の推力は、主に第１コラム４４のＺ方向への高周波数域の振動を抑制するために用いることができるため、第１コラム４４（構造物）にかかる重量が大きい場合にも広い周波数域で振動を抑制できる。   The vibration isolator 43 having the above configuration can be reduced in size because the air damper 2 (air damper 3) and the voice coil motor 61 are arranged in series in the Z direction (the displacement direction of the first column 44). Further, since the force (pressure) by the air damper 2 and the thrust by the voice coil motor 61 act on the same straight line that is substantially parallel to the Z axis, the first column even if the air damper 2 and the voice coil motor 61 act simultaneously. No unnecessary force such as a moment acts on 44. Further, the air damper 2 (gas damper) and the voice coil motor 61 (electromagnetic damper) apply a force from the base member 42 to the first column 44 substantially in parallel. Therefore, most of the weight of the first column 44 is supported by the air damper 2 (or the air damper 3), and the thrust in the Z direction of the voice coil motor 61 is mainly in the high frequency range of the first column 44 in the Z direction. Since it can be used to suppress vibration, vibration can be suppressed in a wide frequency range even when the weight applied to the first column 44 (structure) is large.

また、前述した通り、第１コラム４４には加速度センサ４８が固定されており、この加速度センサ４８によって一例として第１コラム４４のＺ方向への加速度の情報が計測されている。この加速度センサ４８に加えて、第１コラム４４と一体的に変位する連結部材５８ａに位置センサ６２が固定されており、この位置センサ６２によって第１フレーム５１及びベース部材４２を基準とした第１コラム４４のＺ方向の相対的な位置、又はＺ方向への相対的な変位の情報が計測されている。尚、図示は省略しているが、１つの防振台４３に対して位置センサ６２は複数箇所に設けられており、これにより第１コラム４４のＺ方向の位置のみならず、Ｘ方向及びＹ方向の位置、並びにＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸周りの回転量を求めることができる。一例として、加速度センサ４８は圧電型の加速度センサであり、位置センサ６２は渦電流変位センサである。   Further, as described above, the acceleration sensor 48 is fixed to the first column 44, and the acceleration sensor 48 measures acceleration information in the Z direction of the first column 44 as an example. In addition to the acceleration sensor 48, a position sensor 62 is fixed to a connecting member 58 a that is integrally displaced with the first column 44, and the position sensor 62 uses the first frame 51 and the base member 42 as a reference. Information on the relative position of the column 44 in the Z direction or relative displacement in the Z direction is measured. Although not shown, the position sensor 62 is provided at a plurality of locations with respect to one vibration isolator 43, so that not only the position of the first column 44 in the Z direction but also the X direction and the Y direction are provided. The position in the direction and the amount of rotation around the X, Y, and Z axes can be determined. As an example, the acceleration sensor 48 is a piezoelectric acceleration sensor, and the position sensor 62 is an eddy current displacement sensor.

これら加速度センサ４８及び位置センサ６２の計測値（加速度及び位置に対応する信号）は防振台制御系８に供給されている。防振台４３、加速度センサ４８、位置センサ６２、気体制御装置７、及び防振台制御系８を含む構成が防振装置をなしている。防振台制御系８は、圧カセンサ５７、加速度センサ４８、及び位置センサ６２の計測値に基づいて、気体制御装置７内のサーボバルブ５４内を通過する気体の流量を制御して、エアダンパ２内の気体の圧力を制御する。この動作と並行して防振台制御系８は、加速度センサ４８及び位置センサ６２の計測値に基づいて、ボイスコイルモータ６１の可動子６１ａのコイルに流れる電流を制御することによって、第１コラム４４のＺ方向の位置が予め定められている目標位置になるようにボイスコイルモータ６１によるＺ方向への推力を制御する。   The measurement values (signals corresponding to the acceleration and position) of the acceleration sensor 48 and the position sensor 62 are supplied to the anti-vibration table control system 8. The structure including the vibration isolator 43, the acceleration sensor 48, the position sensor 62, the gas control device 7, and the vibration isolator control system 8 constitutes the vibration isolator. The anti-vibration table control system 8 controls the flow rate of the gas passing through the servo valve 54 in the gas control device 7 based on the measured values of the pressure sensor 57, the acceleration sensor 48, and the position sensor 62, and the air damper 2 Control the gas pressure inside. In parallel with this operation, the anti-vibration table control system 8 controls the current flowing in the coil of the mover 61a of the voice coil motor 61 on the basis of the measurement values of the acceleration sensor 48 and the position sensor 62, whereby the first column The thrust in the Z direction by the voice coil motor 61 is controlled so that the position of 44 in the Z direction becomes a predetermined target position.

次に、上記構成における露光装置ＥＸのリセット処理時の動作について説明する。露光装置ＥＸのリセット処理は、コラム構造体ＣＬが防振台４３に支持されているとともに、ウェハステージＷＳＴ及びウェハベース５０が防振台４９に支持されている状態から、防振台４３，４９の各々に設けられたエアダンパの気体を排出し、その後で防振台４３，４９の各々に設けられたエアダンパに気体を供給してコラム構造体ＣＬ並びにウェハステージＷＳＴ及びウェハベース５０をそれぞれもとの位置で再度支持する処理をいう。尚、以下では、説明の簡単のために、防振台４３についての処理のみを説明する。   Next, the operation at the time of reset processing of the exposure apparatus EX having the above configuration will be described. In the reset process of the exposure apparatus EX, the column structures CL are supported by the vibration isolation table 43, and the vibration isolation tables 43 and 49 are changed from the state in which the wafer stage WST and the wafer base 50 are supported by the vibration isolation table 49. The gas of the air damper provided in each of these is discharged, and then the gas is supplied to the air damper provided in each of the vibration isolators 43 and 49, so that the column structure CL, the wafer stage WST, and the wafer base 50 are respectively used. The process of supporting again at the position. In the following description, only the processing for the image stabilizer 43 will be described for the sake of simplicity.

まず、図７に示す気体制御装置７から配管６を介してエアダンパ２の空間２ａに気体が供給されている場合には、可動部材５３はエアダンパ２により支持されている。これにより、コラム構造体ＣＬは所定の高さ位置に位置決めされている。ここで、防振台制御系８が気体制御装置７に設けられたサーボバルブ５４を制御してサーボバルブ５４を開状態にすると、空間２ａの気体は配管６を介して外部に排出される。   First, when gas is supplied from the gas control device 7 shown in FIG. 7 to the space 2 a of the air damper 2 via the pipe 6, the movable member 53 is supported by the air damper 2. Thereby, the column structure CL is positioned at a predetermined height position. Here, when the vibration isolator control system 8 controls the servo valve 54 provided in the gas control device 7 to open the servo valve 54, the gas in the space 2 a is discharged to the outside through the pipe 6.

この気体の排出に伴ってエアダンパ２が萎む。空間２ａの全ての気体の排出が完了すると、エアダンパ２はエアダンパ３と一体になり、可動部材５３はエアダンパ３により支持される。つまり、コラム構造体ＣＬは、エアダンパ２の内部に設けられたエアダンパ３によって支持されることになる。ここで、エアダンパ３の剛性も極力低くなるよう設定されているため、床ＦＬからベース部材４２を介した振動はエアダンパ３によっても遮断され、コラム構造体ＣＬに伝わるのを抑制することができる。   As the gas is discharged, the air damper 2 is deflated. When the discharge of all the gas in the space 2 a is completed, the air damper 2 is integrated with the air damper 3, and the movable member 53 is supported by the air damper 3. That is, the column structure CL is supported by the air damper 3 provided inside the air damper 2. Here, since the rigidity of the air damper 3 is set to be as low as possible, vibration from the floor FL via the base member 42 is also blocked by the air damper 3 and can be prevented from being transmitted to the column structure CL.

次いで、防振台制御系８が気体制御装置７に対して制御信号を出力してサーボバルブ５４内を通過する気体の流量を制御すると、配管６を介してエアダンパ２内の空間２ａへのに気体の供給が開始される。この気体の供給に伴ってエアダンパ２は徐々に膨らみ、可動部材５３はエアダンパ２によって支持されるようになり、気体の更なる供給によってコラム構造体ＣＬを所定の目標位置に配置する。   Next, when the anti-vibration table control system 8 outputs a control signal to the gas control device 7 to control the flow rate of the gas passing through the servo valve 54, the vibration isolator control system 8 enters the space 2 a in the air damper 2 via the pipe 6. Gas supply is started. As the gas is supplied, the air damper 2 gradually expands, the movable member 53 is supported by the air damper 2, and the column structure CL is disposed at a predetermined target position by the further supply of gas.

ここで、構造体ＣＬを所定の目標位置に配置するときに、構造体ＣＬが目標位置に一度達した後に位置誤差無く留まらせることは難しく、通常は目標位置の前後で振動が生ずる。しかしながら、低剛性の防振台４３は目標位置からのコラム構造体ＣＬの変位を戻す方向に作用する力が弱いため、コラム構造体ＣＬの変位が維持される傾向がある。図９は、リセット時においてエアダンパ２にＺ方向の剛性を付与する制御方法を説明するための図である。   Here, when the structural body CL is arranged at a predetermined target position, it is difficult to keep the structural body CL without a position error after reaching the target position once, and vibration usually occurs before and after the target position. However, since the low-stiffness vibration isolator 43 has a weak force acting in the direction to return the displacement of the column structure CL from the target position, the displacement of the column structure CL tends to be maintained. FIG. 9 is a diagram for explaining a control method for imparting rigidity in the Z direction to the air damper 2 at the time of resetting.

図９（ａ）に示す通り、防振台４３により支持されるコラム構造体ＣＬ（例えば、第１コラム４４）が目標位置から下方向に（−Ｚ方向）にΔｚだけ変位した場合にはコラム構造体ＣＬは下方向にほぼΔｚだけ変位したままとなり、逆に目標位置から上方向に（＋Ｚ方向）にΔｚだけ変位した場合には上方向にほぼΔｚだけ変位したままになる。特に、エアダンパ２の構成により、エアダンパ２が負の剛性を有する場合には、コラム構造体ＣＬに目標位置からの変位が生じた場合には、その変位が増長される力が作用するという特性がある。   As shown in FIG. 9A, when the column structure CL (for example, the first column 44) supported by the anti-vibration table 43 is displaced downward (−Z direction) from the target position by Δz, the column The structure CL remains displaced in the downward direction by substantially Δz. Conversely, when the structural body CL is displaced in the upward direction (+ Z direction) by Δz, it remains displaced in the upward direction by approximately Δz. In particular, when the air damper 2 has a negative rigidity due to the configuration of the air damper 2, there is a characteristic that when the displacement from the target position occurs in the column structure CL, a force that increases the displacement acts. is there.

以上の特性を有する防振台４３を用いてリセット処理によりコラム構造体ＣＬを目標位置に位置決めする場合を考える。エアダンパ２への気体の供給を開始した時点においては、エアダンパ２は目標位置から下方（−Ｚ方向）に位置しているが、気体の供給とともにコラム構造体ＣＬが浮上して目標位置に近づく。ここで、エアダンパ２が正の剛性を有するのであれば、仮にコラム構造体ＣＬが目標位置よりも上方向（＋Ｚ方向）に行きすぎてしまってもコラム構造体ＣＬは目標位置に戻って目標位置に収束する挙動を示す。しかしながら、エアダンパ２が負の剛性を有している場合には、その変位が増長されてしまって目標位置に位置決めすることができない。   Consider a case where the column structure CL is positioned at a target position by reset processing using the vibration isolator 43 having the above characteristics. At the time when the supply of gas to the air damper 2 is started, the air damper 2 is positioned downward (in the −Z direction) from the target position, but the column structure CL floats and approaches the target position with the supply of gas. Here, if the air damper 2 has positive rigidity, even if the column structure CL goes too far upward (+ Z direction) from the target position, the column structure CL returns to the target position and returns to the target position. Shows the behavior of convergence. However, when the air damper 2 has negative rigidity, the displacement is increased and the air damper 2 cannot be positioned at the target position.

このため、本実施形態では、エアダンパ２内の気体の圧力又はボイスコイルモータ６１によるＺ方向への推力を制御してエアダンパ２にＺ方向の剛性を付与している。エアダンパ２の保持機構の構造に依存する剛性をｋｍとし、この剛性が負であるとすると、エアダンパ２に付与する剛性は、エアダンパ２の保持機構の構造に依存する剛性ｋｍを正にする剛性である。つまり、付与する剛性をｋａｄｄとすると、以下の（１）式が満たされる剛性ｋａｄｄを付与する。但し、剛性ｋａｄｄは正の値である。
ｋａｄｄ＋ｋｍ＞０ ……（１） For this reason, in this embodiment, the pressure of the gas in the air damper 2 or the thrust in the Z direction by the voice coil motor 61 is controlled to give the air damper 2 rigidity in the Z direction. The stiffness depends on the structure of the holding mechanism of the air damper 2 and k m, this stiffness is assumed to be negative, the rigidity given to the air damper 2 positive stiffness k m which depends on the structure of the holding mechanism of the air damper 2 It is rigid. In other words, the rigidity imparting When k the add, to impart stiffness k the add the following (1) equation is satisfied. However, the stiffness k add is a positive value.
k add + k m> 0 ...... (1)

具体的には、以下の（２）式に示す力Ｆを発生させる。但し、以下の（２）式において、Ｚ０は目標位置のＺ方向の座標であり、ｚはコラム構造体ＣＬ（構造物）のＺ方向の座標である。
Ｆ＝−ｋａｄｄ（ｚ−Ｚ０） ……（２）
上記（２）式を参照すると、エアダンパ２内で発生させる気体の圧力、又はボイスコイルモータ６１により発生させるＺ方向への推力は、目標位置Ｚ０とコラム構造体ＣＬの位置との差に応じた大きさになる。 Specifically, the force F shown in the following equation (2) is generated. However, in the following formula (2), Z 0 is the coordinate in the Z direction of the target position, and z is the coordinate in the Z direction of the column structure CL (structure).
F = −k add (z−Z 0 ) (2)
Referring to equation (2), a thrust in the Z direction to generate gas pressure to be generated in the air damper within 2 or by the voice coil motor 61, according to the difference between the position of the target position Z 0 and column structure CL It becomes the size.

具体的には、ボイスコイルモータ６１によるＺ方向への推力を制御する場合には、コラム構造体ＣＬが目標位置よりも下方（−Ｚ方向）に位置するときには上方向（＋Ｚ方向）の推力を発生させ、目標位置よりも上方（＋Ｚ方向）に位置するときには下方向（−Ｚ方向）の推力を発生させる。この場合には、ボイスコイルモータ６１がエアダンパ２に対して直接剛性を付与している訳ではないが、図８を用いて説明した通り、エアダンパ２及びボイスコイルモータ６１は、ベース部材４２からコラム構造体ＣＬに対して並列に力を付与することができるため、実質的にエアダンパ２にＺ方向の剛性が付与される。   Specifically, when the thrust in the Z direction by the voice coil motor 61 is controlled, the thrust in the upward direction (+ Z direction) is applied when the column structure CL is positioned below (−Z direction) the target position. When it is positioned above the target position (+ Z direction), a downward thrust (−Z direction) is generated. In this case, the voice coil motor 61 does not directly give rigidity to the air damper 2, but the air damper 2 and the voice coil motor 61 are connected to the column from the base member 42 as described with reference to FIG. Since a force can be applied in parallel to the structure CL, the air damper 2 is substantially given rigidity in the Z direction.

また、エアダンパ２内の気体の圧力を制御する場合には、コラム構造体ＣＬが目標位置よりも下方（−Ｚ方向）に位置するときにはエアダンパ２内の気体を供給し、目標位置よりも上方（＋Ｚ方向）に位置するときにはエアダンパ２に気体を抜く。かかる制御の場合には、エアダンパ２の内部の気体の量を制御しているため、エアダンパ２に直接剛性を付与することができる。   Further, when controlling the pressure of the gas in the air damper 2, when the column structure CL is positioned below (−Z direction) from the target position, the gas in the air damper 2 is supplied and above the target position ( When located in the + Z direction), the air damper 2 is evacuated. In the case of such control, since the amount of gas inside the air damper 2 is controlled, rigidity can be directly imparted to the air damper 2.

以上の制御を行うことにより、図９（ｂ）に示す通り、コラム構造体ＣＬ（第１コラム４４）が目標位置を超えておらず目標位置よりも下方（−Ｚ方向）に位置している場合には目標位置に向かう力Ｆ１が発生して目標位置に向かう剛性が付与される。一方、コラム構造体ＣＬが目標位置を超えて目標位置よりも上方（＋Ｚ方向）に位置した場合には目標位置に戻る力Ｆ２が発生して目標位置に戻る剛性が付与される。エアダンパ２に対して以上の剛性を付加する処理を行うことにより、エアダンパ２自体は負の剛性を有していても、コラム構造体ＣＬは目標位置に収束する挙動を示し、その結果としてコラム構造体ＣＬを目標位置に位置決めすることができる。   By performing the above control, as shown in FIG. 9B, the column structure CL (first column 44) does not exceed the target position and is positioned below (−Z direction) the target position. In this case, a force F1 toward the target position is generated and rigidity toward the target position is given. On the other hand, when the column structure CL is positioned above the target position and above the target position (+ Z direction), a force F2 for returning to the target position is generated and rigidity for returning to the target position is given. By performing the process of adding the above rigidity to the air damper 2, even if the air damper 2 itself has negative rigidity, the column structure CL exhibits a behavior of converging to the target position, and as a result, the column structure The body CL can be positioned at the target position.

リセット処理によりコラム構造体ＣＬを目標位置に位置決めした後は、防振台４３を低剛性として除振性能を高める必要がある。このため、エアダンパ２に付与していた剛性を取り除いてエアダンパ２内の気体の圧力を制御する。また、このエアダンパ２内の気体の圧力の制御に加えて、ボイスコイルモータ６１によるサーボ制御を行うようにしても良い。   After the column structure CL is positioned at the target position by the reset process, it is necessary to improve the vibration isolation performance by making the vibration isolation base 43 low in rigidity. For this reason, the rigidity applied to the air damper 2 is removed, and the pressure of the gas in the air damper 2 is controlled. In addition to the control of the gas pressure in the air damper 2, servo control by the voice coil motor 61 may be performed.

コラム構造体ＣＬを目標位置に位置決めするまでにエアダンパ２に付与していた剛性は、例えば図９（ｃ）に示す通り目標位置に対して許容値ＡＲを設定し、防振台４３の振動の上限値及び下限値が許容値ＡＲ内に収まった時点で取り除くのが望ましい。また、ボイスコイルモータ６１から発生させる推力が所定値以下になった時点で剛性を取り除くようにしても良い。更に、防振台４３の振動の上限値及び下限値が上記の許容値ＡＲ内に収まった時点で、エアダンパ２に剛性を付与し、ボイスコイルモータ６１から発生させる推力が所定値以下になった時点で剛性を取り除くようにしても良い。   For example, as shown in FIG. 9C, the rigidity given to the air damper 2 before the column structure CL is positioned at the target position is set to an allowable value AR with respect to the target position. It is desirable to remove the upper limit value and the lower limit value when they fall within the allowable value AR. Further, the rigidity may be removed when the thrust generated from the voice coil motor 61 becomes a predetermined value or less. Further, when the upper limit value and the lower limit value of the vibration of the vibration isolator 43 are within the above-described allowable value AR, rigidity is given to the air damper 2 and the thrust generated from the voice coil motor 61 becomes a predetermined value or less. You may make it remove rigidity at the time.

以上説明した通り、本実施形態の露光装置ＥＸにおいては、リセット処理を行う際に、エアダンパ２内の空間２ａの気体を排出しても、コラム構造体ＣＬはエアダンパ２内に設けられたエアダンパ３によって支持される。このため、エアダンパ２内の空間２ａに再度気体を供給してコラム構造体ＣＬを元の目標位置に支持するのに要する時間が短くされるため、リセット処理に要する時間が短縮される。また、図１に示す構成の防振装置１ａを防振台４３として用いることで、露光装置ＥＸの大型化を招くこともない。更に、リセット処理においては、コラム構造体ＣＬがエアダンパ３によって支持されて安定している状態からエアダンパ２内の空間２ａに気体を供給して行うことができる。このため、電磁アクチュエータとしてのボイスコイルモータ６１の推力をさほど大きくする必要がなく、防振装置の大型化を招くことはない。   As described above, in the exposure apparatus EX of the present embodiment, the column structure CL is provided in the air damper 2 even if the gas in the space 2a in the air damper 2 is discharged during the reset process. Supported by. For this reason, since the time required to supply the gas again to the space 2a in the air damper 2 and support the column structure CL at the original target position is shortened, the time required for the reset process is shortened. Further, by using the vibration isolator 1a having the configuration shown in FIG. 1 as the vibration isolator 43, the exposure apparatus EX is not increased in size. Further, the reset process can be performed by supplying gas to the space 2a in the air damper 2 from a state in which the column structure CL is supported by the air damper 3 and is stable. For this reason, it is not necessary to increase the thrust of the voice coil motor 61 as an electromagnetic actuator so much, and the vibration isolator does not increase in size.

また、本実施形態の露光装置ＥＸでは、コラム構造体ＣＬを目標位置に配置するときに、目標位置とコラム構造体ＣＬとの高さ位置との差に応じてエアダンパ２に付与する剛性を制御している。更に、構造物ＳＴを目標位置に位置決めした場合には、上記のエアダンパ２に付与した剛性を取り除く制御を行っている。このため、リセット処理を行う場合であってもコラム構造体ＣＬを安定して支持することができ、仮にエアダンパ２が負の剛性を有していても目標位置に位置決めすることができる。また、リセット処理においては、ベース部材４２上の３箇所又は４箇所に設けられた防振台４３について同時にリセット処理を行うことができるため、リセット処理に要する時間を短縮することができる。   Further, in the exposure apparatus EX of the present embodiment, when the column structure CL is arranged at the target position, the rigidity imparted to the air damper 2 is controlled according to the difference between the target position and the height position of the column structure CL. is doing. Furthermore, when the structure ST is positioned at the target position, control is performed to remove the rigidity imparted to the air damper 2. For this reason, even if it is a case where reset processing is performed, the column structure CL can be stably supported, and even if the air damper 2 has negative rigidity, it can be positioned at the target position. Further, in the reset process, the reset process can be simultaneously performed on the anti-vibration bases 43 provided at three or four positions on the base member 42, so that the time required for the reset process can be shortened.

以上、本発明の実施形態による防振装置の制御方法及び露光方法について説明したが、本発明は上記実施形態に制限されず、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。例えば、上記実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置を例に挙げて説明したが、レチクルのパターンを一括して転写するステップ・アンド・リピート方式の露光装置（所謂、ステッパ）にも本発明を適用することができる。   The vibration control device control method and the exposure method according to the embodiment of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to the above embodiment, and can be freely changed within the scope of the present invention. For example, in the above-described embodiment, the step-and-scan type exposure apparatus has been described as an example. However, a step-and-repeat type exposure apparatus (so-called stepper) that collectively transfers a reticle pattern is also used. The present invention can be applied.

また、上記の露光装置は、半導体素子の製造に用いられてデバイスパターンを半導体基板上へ転写する露光装置、液晶表示素子の製造に用いられて回路パターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられてデバイスパターンをセラミックウェハ上へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置等にも適用することができる。更に、上記実施形態においては、露光装置に設けられた防振装置について説明したが、能動型振動分離システムであるＡＶＩＳ一般に本発明を適用することができる。   Further, the above exposure apparatus includes an exposure apparatus used for manufacturing a semiconductor element to transfer a device pattern onto a semiconductor substrate, an exposure apparatus used for manufacturing a liquid crystal display element to transfer a circuit pattern onto a glass plate, and a thin film. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that is used for manufacturing a magnetic head and transfers a device pattern onto a ceramic wafer, and an exposure apparatus that is used to manufacture an image sensor such as a CCD. Further, in the above-described embodiment, the vibration isolator provided in the exposure apparatus has been described. However, the present invention can be applied to AVIS that is an active vibration isolation system in general.

また、上記実施形態の露光装置を用いて半導体デバイスを製造する場合には、この半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいてレチクルを製造するステップ、シリコン材料からウェハＷを形成するステップ、上述した実施形態の露光装置によりレチクルＲのパターンをウェハＷに露光するステップ、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、検査ステップ等を経て製造される。   Further, when a semiconductor device is manufactured using the exposure apparatus of the above embodiment, the semiconductor device includes a step of designing a function / performance of the device, a step of manufacturing a reticle based on the design step, and a silicon material. The wafer W is manufactured through a step of forming the wafer W, a step of exposing the pattern of the reticle R onto the wafer W by the exposure apparatus of the above-described embodiment, a device assembly step (including a dicing process, a bonding process, and a package process), an inspection step, and the like. The

また、国際公開第９９／４９５０４号公報に開示されているような液浸法を用いる露光装置にも本発明を適用することができる。ここで、本発明は、投影光学系ＰＬとウェハＷとの間を局所的に液体で満たす液浸露光装置、特開平６−１２４８７３号公報に開示されているような露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置、特開平１０−３０３１１４号公報に開示されているようなステージ上に所定深さの液体槽を形成し、その中に基板を保持する液浸露光装置の何れの露光装置にも適用可能である。   The present invention can also be applied to an exposure apparatus using a liquid immersion method as disclosed in International Publication No. 99/49504. In the present invention, an immersion exposure apparatus that locally fills the space between the projection optical system PL and the wafer W with a liquid, a substrate to be exposed as disclosed in JP-A-6-124873, is held. An immersion exposure apparatus for moving a stage in a liquid tank, a liquid tank having a predetermined depth formed on a stage as disclosed in JP-A-10-303114, and holding a substrate in the liquid tank The present invention can be applied to any exposure apparatus of the exposure apparatus.

本発明の一実施形態による防振装置の基本構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the basic composition of the vibration isolator by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態による防振装置のリセット処理に要する時間を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the time which the reset process of the vibration isolator by one Embodiment of this invention requires. 本発明の一実施形態による防振装置の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the vibration isolator by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態による防振装置の他の変形例を示す一部断面図を交えた図である。It is the figure which mixed the partial cross section figure which shows the other modification of the vibration isolator by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態による露光装置を構成する各機能ユニットのブロック図である。It is a block diagram of each functional unit which comprises the exposure apparatus by one Embodiment of this invention. 露光装置ＥＸを床上に設置した状態を示す側面透視図である。It is side surface perspective drawing which shows the state which installed exposure apparatus EX on the floor. 図６中の１箇所の防振台４３及びその制御系を示す一部切り欠き図である。FIG. 7 is a partially cutaway view showing one vibration isolator 43 and its control system in FIG. 6. 図７の可動部材５３側から第１フレーム５１を見た平面図である。It is the top view which looked at the 1st frame 51 from the movable member 53 side of FIG. リセット時においてエアダンパ２にＺ方向の剛性を付与する制御方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the control method which provides the rigidity of a Z direction to the air damper 2 at the time of reset.

符号の説明Explanation of symbols

ＳＴ 構造物
１ａ，１ｂ，１ｃ 防振装置
２ エアダンパ（第１の気体ダンパ）
３ エアダンパ（第２の気体ダンパ）
９ エアダンパ（第１の気体ダンパ）
６ 配管（供給部、排出部）
７ 気体制御装置（制御装置）
ＰＬ 投影光学系
Ｒ レチクル（マスク）
ＲＳＴ レチクルステージ（マスクステージ）
Ｗ ウェハ（基板）
ＷＳＴ ウェハステージ（基板ステージ）
ST structure 1a, 1b, 1c Vibration isolator 2 Air damper (first gas damper)
3 Air damper (second gas damper)
9 Air damper (first gas damper)
6 Piping (supply section, discharge section)
7 Gas control device (control device)
PL projection optical system R reticle (mask)
RST reticle stage (mask stage)
W wafer (substrate)
WST wafer stage (substrate stage)

Claims (10)

構造物を支持する防振装置において、
気体の供給部と、前記気体の排出部とを有し、前記構造物を支持可能な第１の気体ダンパと、
内部に気体が封入され、前記構造物の下方に位置する第２の気体ダンパと
を備えることを特徴とする防振装置。 In the vibration isolator that supports the structure,
A first gas damper having a gas supply unit and the gas discharge unit and capable of supporting the structure;
An anti-vibration device comprising: a second gas damper having a gas sealed therein and positioned below the structure. 前記第２の気体ダンパは、前記第１の気体ダンパの前記気体が排出された場合に、前記構造物を支持可能であることを特徴とする請求項１記載の防振装置。   The vibration isolator according to claim 1, wherein the second gas damper can support the structure when the gas of the first gas damper is discharged. 前記第２の気体ダンパは、前記第１の気体ダンパの内部に配置されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の防振装置。   The vibration isolator according to claim 1 or 2, wherein the second gas damper is disposed inside the first gas damper. 前記第１の気体ダンパ及び第２の気体ダンパは、互いに近接して配置されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の防振装置。   The vibration isolator according to claim 1 or 2, wherein the first gas damper and the second gas damper are arranged close to each other. 前記第１の気体ダンパが前記構造物を支持している場合に、前記第２の気体ダンパの剛性は、前記第１の気体ダンパの剛性よりも小さいことを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載の防振装置。   The rigidity of the second gas damper is smaller than the rigidity of the first gas damper when the first gas damper supports the structure. 5. The vibration isolator according to any one of 4 above. 前記第１の気体ダンパ内部の気体の量を制御して前記第１の気体ダンパに付与する剛性を制御する制御装置を備えることを特徴とする請求項１から請求項５の何れか一項に記載の防振装置。   6. The apparatus according to claim 1, further comprising: a control device that controls a rigidity applied to the first gas damper by controlling an amount of gas inside the first gas damper. The vibration isolator as described. 前記制御装置は、前記構造物を位置決めすべき目標位置と前記構造物の位置との差に応じて前記第１の気体ダンパに付与する剛性を制御することを特徴とする請求項６記載の防振装置。   7. The prevention according to claim 6, wherein the control device controls a rigidity to be applied to the first gas damper according to a difference between a target position where the structure is to be positioned and a position of the structure. Shaker. 前記制御装置は、前記構造物が前記目標位置に位置決めされた後に、前記付与した剛性を取り除くことを特徴とする請求項７記載の防振装置。   The vibration control device according to claim 7, wherein the controller removes the added rigidity after the structure is positioned at the target position. 防振装置により防振されたシステムを備え、当該システムを用いて基板にパターンを露光する露光装置において、
前記防振装置として請求項１から請求項８の何れか一項に記載の防振装置を備えることを特徴とする露光装置。 In an exposure apparatus that includes a system that is anti-vibrated by an anti-vibration device, and that exposes a pattern on a substrate using the system.
An exposure apparatus comprising the image stabilizer according to any one of claims 1 to 8 as the image stabilizer. 前記システムは、前記パターンが形成されたマスクを保持するマスクステージ、前記パターンを前記基板に投影する投影光学系、及び前記基板を保持する基板ステージの少なくとも１つ含んでいることを特徴とする請求項９記載の露光装置。
The system includes at least one of a mask stage that holds a mask on which the pattern is formed, a projection optical system that projects the pattern onto the substrate, and a substrate stage that holds the substrate. Item 10. The exposure apparatus according to Item 9.
JP2005190253A 2005-06-29 2005-06-29 Vibration isolation device and exposure device Pending JP2007010002A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005190253A JP2007010002A (en) 2005-06-29 2005-06-29 Vibration isolation device and exposure device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005190253A JP2007010002A (en) 2005-06-29 2005-06-29 Vibration isolation device and exposure device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007010002A true JP2007010002A (en) 2007-01-18

Family

ID=37748790

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005190253A Pending JP2007010002A (en) 2005-06-29 2005-06-29 Vibration isolation device and exposure device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007010002A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009094357A (en) * 2007-10-10 2009-04-30 Canon Inc Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2020517980A (en) * 2017-04-20 2020-06-18 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． Support structure, method, and lithographic apparatus

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0874930A (en) * 1994-09-05 1996-03-19 Showa Electric Wire & Cable Co Ltd Vibration control device
JP2001020996A (en) * 1999-07-07 2001-01-23 Canon Inc Vibration resistant device and semiconductor manufacturing device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0874930A (en) * 1994-09-05 1996-03-19 Showa Electric Wire & Cable Co Ltd Vibration control device
JP2001020996A (en) * 1999-07-07 2001-01-23 Canon Inc Vibration resistant device and semiconductor manufacturing device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009094357A (en) * 2007-10-10 2009-04-30 Canon Inc Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2020517980A (en) * 2017-04-20 2020-06-18 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． Support structure, method, and lithographic apparatus
US10921720B2 (en) 2017-04-20 2021-02-16 Asml Netherlands B.V. Support structure, method and lithographic apparatus
JP7285217B2 (en) 2017-04-20 2023-06-01 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． Support structure, method and lithographic apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6894449B2 (en) Vibration control device, stage device and exposure apparatus
JP3554186B2 (en) Exposure apparatus, device manufacturing method, and reaction force receiving method
JP4656448B2 (en) Projection optical apparatus and exposure apparatus
US8400613B2 (en) Optical element driving apparatus, projection optical system, exposure apparatus and device manufacturing method
JP5109661B2 (en) Exposure apparatus and exposure method
JP4802604B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8064067B2 (en) Exposure apparatus and exposure method
JPH11315883A (en) Vibration damping device, exposing device and manufacture of device
WO2005083294A1 (en) Pneumatic spring apparatus, vibration-proof apparatus, stage apparatus and exposure apparatus
JP2000021702A (en) Aligner and manufacture of devices
US20070030462A1 (en) Low spring constant, pneumatic suspension with vacuum chamber, air bearing, active force compensation, and sectioned vacuum chambers
JP4565271B2 (en) Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4479911B2 (en) Driving method, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2007010002A (en) Vibration isolation device and exposure device
JP5578485B2 (en) MOBILE DEVICE, EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
JP2002217082A (en) Stage system and aligner
JP2005308145A (en) Vibration-isolating device and exposure device
JP2005331009A (en) Vibration control device and exposing device
JP2005236087A (en) Aligner
JP2006070928A (en) Control method and exposure method for vibration control device
JP2002175963A (en) Stage system and method of controlling position thereof, and aligner and method of exposure
JPWO2018181912A1 (en) Moving object apparatus, exposure apparatus, flat panel display manufacturing method, device manufacturing method, and moving object driving method
JP2011100947A (en) Vibration isolator and method of controlling the same, stage device, and exposure device
JP2001345256A (en) Stage device and aligner
JP2009076583A (en) Stage system, exposure device, exposure method, and device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080627

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100405

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101207

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110405