JP2005236087A - Aligner - Google Patents

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JP2005236087A
JP2005236087A JP2004044227A JP2004044227A JP2005236087A JP 2005236087 A JP2005236087 A JP 2005236087A JP 2004044227 A JP2004044227 A JP 2004044227A JP 2004044227 A JP2004044227 A JP 2004044227A JP 2005236087 A JP2005236087 A JP 2005236087A
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Hideaki Sakamoto
Atsushi Yamaguchi
英昭 坂本
敦史 山口
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Nikon Corp
株式会社ニコン
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To effectively avoid interference between an optical system unit and a mobile object. <P>SOLUTION: A stroke limit which limits the movable range of at least one of a holding member 38 holding an optical system unit PU and a base 71 disposed below the optical system unit PU, and a stroke limit which limits the movable range of a mobile object WTB which has a photosensitive object W mounted and can move along an upper surface of the base and can move in a prescribed stroke range also in a gravity direction, are set according to sequence by a control device 20 which controls anti-vibration parts (56, 66) supporting at least one of a driving system 27 which drives the mobile object, the holding member and the base to a floor surface F to move along the gravity direction in the prescribed stroke range. In the control device, the stroke limit of at least one of the holding member, the base and the movement body is reset every sequence. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、露光装置に係り、さらに詳しくは、半導体素子(集積回路)、液晶表示素子などの電子デバイスを製造する際にリソグラフィ工程で用いられる露光装置に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus, and more particularly, a semiconductor device (integrated circuit), an exposure apparatus used in a lithography process when manufacturing electronic devices such as a liquid crystal display device.

従来より、半導体素子(集積回路等)、液晶表示素子等の電子デバイスを製造するリソグラフィ工程では、マスク又はレチクルのパターンの像を投影光学系を介して、レジスト(感光剤)が塗布されたウエハ又はガラスプレート等の物体(以下、「ウエハ」と呼ぶ)上の複数のショット領域の各々に転写するステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置(いわゆるステッパ)や、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置(いわゆるスキャニング・ステッパ(スキャナとも呼ばれる))などが、主として用いられている。 Conventionally, a semiconductor device (integrated circuit), in a lithography process for manufacturing electronic devices such as a liquid crystal display device, the image of the pattern of the mask or reticle via the projection optical system, the resist wafer (photosensitive agent) is coated or object glass plate (hereinafter, referred to as "wafer") and a reduction projection exposure apparatus by a step-and-repeat method to transfer to each of the plurality of shot areas on (so-called stepper), a step-and-scan method such a projection exposure apparatus (so-called scanning stepper (also called a scanner)) are mainly used.

この種の投影露光装置では、集積回路の高集積化によるパターンの微細化に伴って、より高い解像力(解像度)が年々要求されるようになり、そのために露光光の短波長化及び投影光学系の開口数(NA)の増大化(大NA化)が次第に進んできた。 In this type of projection exposure apparatus, with miniaturization of a pattern with a high integration of integrated circuits, now a higher resolving power (resolution) is required year by year, shorter wavelength and the projection optical system of the exposure light for the increase in the numerical aperture (NA) (larger NA of) have progressed in gradually. しかるに、露光光の短波長化及び投影光学系の大NA化は、投影露光装置の解像力を向上させる反面、焦点深度の狭小化を招く。 However, shortening the wavelength of the exposure light and larger NA of the projection optical system, while improving the resolution of projection exposure apparatus, causing narrowing of the focal depth. また、露光波長は将来的に更に短波長化することが確実視されており、このままでは焦点深度が狭くなり過ぎて、露光動作時のマージンが不足するおそれが生じていた。 The exposure wavelength is Kakujitsushi be future further shorter wavelength, this remains in the too narrow depth of focus margin during the exposure operation has occurred may be insufficient.

そこで、実質的に露光波長を短くして、かつ空気中に比べて焦点深度を大きく(広く)する方法として、液浸法を利用した露光装置が、最近注目されるようになってきた。 Therefore, as a method to substantially shorten the exposure wavelength and increase (wider) the depth of focus than in the air, an exposure apparatus using the liquid immersion method has come to be recently noted. この液浸法を利用した露光装置として、投影光学系の下面とウエハ表面との間を水又は有機溶媒等の液体で局所的に満たした状態で露光を行うものが知られている(例えば、下記特許文献1参照)。 As the liquid immersion method exposure apparatus utilizing, to perform exposure in a state filled locally between the lower surface and the wafer surface of the projection optical system with a liquid such as water or an organic solvent is known (for example, see below Patent Document 1). この特許文献1に記載の露光装置では、液体中での露光光の波長が、空気中の1/n倍(nは液体の屈折率で通常1.2〜1.6程度)になることを利用して解像度を向上すると共に、その解像度と同一の解像度が液浸法によらず得られる投影光学系(このような投影光学系の製造が可能であるとして)に比べて焦点深度をn倍に拡大する、すなわち空気中に比べて焦点深度を実質的にn倍に拡大することができる。 In the exposure apparatus described in Patent Document 1, the wavelength of the exposure light in the liquid, that (n is a usually about 1.2 to 1.6 in the refractive index of the liquid) 1 / n times the air becomes together to improve the resolution by using, n times the depth of focus as compared with the resolution and the same resolution is obtained regardless of the liquid immersion method projection optical system (as it is possible to produce such a projection optical system) expanding, ie can be expanded to substantially n times the depth of focus than in the air.

ところで、近年の投影露光装置では、ウエハステージを支持するステージ定盤が、投影光学系を保持する鏡筒定盤とは、物理的に分離して投影光学系の下方に設置されるタイプ(以下、便宜上「ステージ定盤別置きタイプ」と呼ぶ)が比較的多く用いられている。 Meanwhile, in recent projection exposure apparatus, the stage surface plate for supporting a wafer stage, and the lens barrel base plate for holding the projection optical system, physically separated by the type that is installed below the projection optical system (hereinafter , for convenience referred to as a "stage base by every type") it has been used relatively often. このステージ定盤別置きタイプの投影露光装置では、投影光学系を保持する鏡筒定盤は、床面に設置されたフレームキャスタと呼ばれる支持部材によって第1の防振機構を介して支持される。 In the projection exposure apparatus of the stage surface plate separately positioned type, barrel platform that holds the projection optical system is supported through the first vibration-proof mechanism by a support member called a installed frame caster on the floor . また、ウエハステージを支持するステージ定盤は、フレームキャスタ上又は床面に第2の防振機構を介して支持される。 The stage surface plate for supporting a wafer stage is supported via the second vibration-proof mechanism on the frame caster or floor surface. また、ウエハが載置されるウエハテーブル(ウエハステージの一部)は、ウエハの表面を投影光学系の像面(最良結像面)に合わせ込むために上下方向に移動可能になっている。 Further, (part of the wafer stage) wafer table on which the wafer is mounted is movable in the vertical direction in order intended to adjust the surface of the wafer in the image plane of the projection optical system (best image plane).

従来のステージ定盤別置きタイプの投影露光装置では、第1の防振機構、第2の防振機構及びウエハテーブルそれぞれの重力方向に関するストローク範囲内における可動範囲を設定するストロークリミットは、お互いに無関係に設定されていた。 In the projection exposure apparatus of a conventional stage base separately positioned type, the first vibration isolating mechanism, the stroke limit of setting the movable range of the second vibration isolating mechanism and the stroke range about the direction of gravity of the respective wafer table, to each other It had been set independently. また、第1の防振機構、第2の防振機構及びウエハテーブルそれぞれの重力方向に関する位置をそれぞれの原点位置に設定するリセット動作は、同時に行われていたが、投影光学系とウエハとの間の間隔(いわゆるワーキング・ディスタンス)が十分に広かった(例えば9mm程度あった)たため、リセット時にウエハテーブルと投影光学系とが干渉することはなかった。 The first vibration isolating mechanism, the reset operation for setting the second vibration isolating mechanism and the respective wafer table gravity direction about the position of each of the home position, but was done at the same time, the projection optical system and the wafer because the distance between (the so-called working distance) is that was sufficiently were large (e.g. there about 9 mm), the wafer table and the projection optical system did not interfere at reset.

しかるに、特許文献1に記載されるような局所液浸法を採用した露光装置では、液体の表面張力を利用して、その液体を投影光学系とウエハとの間に保持する関係から、上述のワーキング・ディスタンスを極力狭く、例えば1mm程度にする必要がある。 However, in employing the exposure device local liquid immersion method as described in Patent Document 1 utilizes the surface tension of the liquid, from the relationship that holds between the projection optical system and the wafer to the liquid, the above-mentioned as much as possible narrow working distance, for example, there is a need to be in the order of 1mm. このため、局所液浸法を採用した、ステージ定盤別置きタイプの投影露光装置では、従来の投影露光装置のように、第1の防振機構、第2の防振機構及びウエハテーブルが、それぞれ単独でストロークリミットを持ち、そのストロークリミットの設定が個別に行われていたのでは、投影光学系の最下端部とウエハテーブルとの干渉現象が、リセット時は勿論、通常の使用時においても生じる可能性がある。 Therefore, adopting the local liquid immersion method, the projection exposure apparatus of the type placed by the stage surface plate, as in the conventional projection exposure apparatus, the first vibration isolating mechanism, the second vibration isolating mechanism and the wafer table, either alone has stroke limit, than setting of the stroke limit has been carried out separately, the interference phenomenon between the lowermost end and the wafer table of the projection optical system, reset, of course, even in normal use it may occur.

上述のような、投影光学系の最下端部とテーブルとの干渉現象は、液浸露光装置以外の投影露光装置は勿論、電子ビーム(EB)露光装置その他の露光装置であっても、光学系を含む光学系ユニットとウエハとの間隔(ワーキングディスタンス)が狭い場合には、生じる可能性がある。 As described above, the interference phenomenon between the lowermost end and the table of the projection optical system, the projection exposure apparatus other than the liquid immersion exposure apparatus of course, be an electron beam (EB) exposure apparatus other exposure apparatus, optical system and the gap between the optical system unit and the wafer containing (working distance) is small, it can arise.

国際公開第99/49504号パンフレット International Publication No. WO 99/49504

本発明は、上記事情の下になされたもので、その第1の観点からすると、エネルギビーム(IL)により感光物体(W)を露光して前記感光物体上に所定のパターンを形成する露光装置であって、前記エネルギビームを前記感光物体に照射する露光光学系(PL)を含む光学系ユニット(PU)と;前記光学系ユニットを保持する保持部材(38)と;前記保持部材とは独立して、前記光学系ユニットの下方に配置され、床面(F)にほぼ平行な上面を有するベース(71)と;前記感光物体が載置され、前記ベースの上面に沿って移動可能で、かつ重力方向にも所定ストローク範囲で移動可能な移動体(WTB)と;前記移動体を駆動する駆動系(28、29、31,33)と;前記保持部材と前記ベースとの少なくとも一方を、所定スト The present invention has been made under the above circumstances, the to a first aspect, the energy beam (IL) by the exposure device which exposes the photosensitive object (W) to form a predetermined pattern on the photosensitive object a is an optical system unit including the exposure optical system (PL) that irradiates the energy beam on the photosensitive object and (PU); independently of the holding member; holding member for holding the optical unit (38) to, is disposed below the optical unit, a base (71) having substantially parallel upper surface to the floor (F); the photosensitive object is mounted, movable along the upper surface of said base, and mobile movable in a predetermined stroke range in the direction of gravity and (WTB); driving system for driving the movable body (28,29,31,33); at least one of said holding member said base, the predetermined strike ーク範囲で重力方向に沿って移動可能なように、前記床面に対して防振しつつ支持する防振部(56、66、72、90)と;前記駆動系及び前記防振部を制御するとともに、前記移動体の前記所定ストローク範囲内における可動範囲を制限するストロークリミットと、前記保持部材と前記ベースとの前記少なくとも一方の前記所定ストローク範囲内における可動範囲を制限するストロークリミットとを、シーケンスに応じて設定する制御装置(20)と;を備える第1の露光装置である。 So as to be movable along the direction of gravity over click range, image stabilization section for supporting while anti-vibration to the floor surface (56,66,72,90); the drive system and the anti-vibration unit controls, a stroke limit for limiting the movable range within the predetermined stroke range of said moving member, and a stroke limit for limiting the movable range of the at least one of said predetermined stroke range of the base and the retaining member the control device is set in accordance with the sequence (20) which is a first exposure apparatus comprising a.

これによれば、光学系ユニットを保持する保持部材と、光学系ユニットの下方に配置されたベースとの少なくとも一方の可動範囲を制限するストロークリミットと、感光物体が載置され、前記ベースの上面に沿って移動可能で、かつ重力方向にも所定ストローク範囲で移動可能な移動体の可動範囲を制限するストロークリミットとが、移動体を駆動する駆動系、並びに前記保持部材及び前記ベースの少なくとも一方を、所定ストローク範囲で重力方向に沿って移動可能なように、床面に対して防振しつつ支持する防振部を制御する制御装置によって、シーケンスに応じて設定される。 According to this, a holding member for holding the optical system unit, a stroke limit for limiting at least one of the movable range of the base which is disposed below the optical unit, the photosensitive body is placed, the upper surface of the base at least one movable, and is a stroke limit for limiting the movable range of the movable mobile in a predetermined stroke range in the direction of gravity, a driving system for driving the movable body, and said holding member and said base along the and so as to be movable along a direction of gravity in a predetermined stroke range, the control device for controlling the anti-vibration unit which supports while anti-vibration to the floor surface, is set according to the sequence. このため、制御装置では、シーケンス毎に、保持部材とベースとの少なくとも一方の必要な重力方向の可動範囲と、移動体の必要な重力方向の可動範囲とを予め計算で求め、シーケンス毎に保持部材とベースとの少なくとも一方及び移動体のストロークリミットの設定を変更する。 Therefore, in the control device, for each sequence, and a movable range of at least one of the required gravity direction between the holding member and the base, determined by precalculated and a movable range of the required gravitational direction of the moving body, held for each sequence to change the setting of the stroke limit of at least one and mobile between member and the base. このように、必要に応じてストロークリミットの設定を変更することで、それぞれの予め設定されたストローク範囲内で無制限にそれぞれを駆動してしまうと前記保持部材に保持され前記移動体と対向する部材(例えば光学系ユニット)と移動体とが接触し相互に干渉してしまうような場合であっても、実際の運用上は干渉しないように制御することが可能となる。 In this way, by changing the setting of the stroke limit as needed, each preset the a in the stroke range would drive the respective indefinitely held by the holding member member that faces the movable body (e.g. optical unit) even when the movable body is that would interfere with each other in contact, it is possible on actual operation is controlled so as not to interfere.

この場合において、前記防振部の構成は種々考えられ、例えば前記防振部は、前記保持部材の床面からの高さを所定ストローク範囲で変更可能な第1のエアマウント(60)と、前記ベースの前記床面からの高さを所定ストローク範囲で変更可能な第2のエアマウント(80)と、前記制御装置からの指示に応じて、前記第1、第2のエアマウントそれぞれの可動範囲を制限するストロークリミットをそれぞれ設定するとともに、前記第1、第2のエアマウントの内圧をそれぞれ調整する第1、第2の調整部(72、90)と、を有することとすることができる。 In this case, the configuration of the image stabilization unit is variously considered, for example, the anti-vibration unit, a first air mount capable of changing the height from the floor surface of the holding member in a predetermined stroke range (60), a second air mount mutable (80) in a predetermined stroke range the height from the floor of the base, in response to an instruction from the control device, the first, second air mounts each movable the stroke limit to limit the scope and sets respectively, may be to have the first, first, second adjustment unit for adjusting the internal pressure of the second air mount respectively (72,90), the .

この場合において、前記第1のエアマウントが前記ストローク範囲の最下位置にあり、前記第2のエアマウントが前記ストローク範囲の最下位置にあるとき、前記保持部材に保持され前記移動体と対向する部材と前記移動体とは干渉しないように、前記第1のエアマウント、前記第2のエアマウント及び前記移動体それぞれのストローク範囲が設定されていることとすることができる。 In this case, the first air mount is in the lowermost position of the stroke range, when said second air mount is in the lowermost position of the stroke range, the movable body facing held by the holding member member so as not to interfere with said moving body, said first air mount, the second air mount and the moving body each stroke range can be that it is set.

また、この場合において、前記第1のエアマウントが前記ストローク範囲の最下位置にあり、前記第2のエアマウント及び前記移動体がそれぞれのストローク範囲の最上位置にあるとき、前記保持部材に保持され前記移動体と対向する部材の最下部と前記移動体とが干渉するように、前記第1のエアマウント、第2のエアマウント及び前記移動体それぞれのストローク範囲が設定されていることとすることもできるし、あるいは、前記第1のエアマウント、前記第2のエアマウント及び前記移動体のそれぞれが、それぞれの所定ストローク範囲内で移動したときに、少なくとも前記第1のエアマウントの所定ストローク範囲の一部の範囲で、前記保持部材に保持され前記移動体と対向する部材の最下部と前記移動体とが干渉するように、前記 The holding in this case, the first air mount is in the lowermost position of the stroke range, when the second air mount and the movable body is in the uppermost position of each stroke range, the holding member wherein as the bottom of the moving body and the opposing member and said movable body is interference is, and that the first air mount, a second air mount and the moving body each stroke range is set it is also possible, or the first air mount, a predetermined stroke of the respective second air mount and the moving body, when moving in the respective predetermined stroke range, at least said first air mount in some of the scope, as the bottom of the member opposed to the movable body held by the holding member and the moving body is interference, the 1のエアマウント、前記第2のエアマウント及び前記移動体それぞれのストローク範囲が設定されていることとすることもできる。 1 of the air mount, the second air mount and the moving body each stroke range can also be that they are set.

また、本発明は、第2の観点からすると、露光光学系(PL)からのエネルギビーム(IL)により感光物体(W)を露光し、前記感光物体上に所定のパターンを形成する露光装置であって、前記感光物体を保持して、水平面内で移動可能でかつ重力方向に所定ストローク範囲で移動可能な移動体(WTB)と;略水平な上面を有し、前記移動体を前記上面上で移動可能に支持するベース(71)と;前記移動体を駆動する駆動系(28、29、31,33)と;前記移動体の上方に配置され、前記移動体に対向して設けられる部材(51A、51B、91)と;前記部材と前記ベースとの重力方向に沿った方向の距離を、所定ストローク範囲内で変更する可変部(56、66、72、90)と;前記駆動系と前記可変部とを制御する制御装 Further, the present invention is to a second aspect, in the exposure apparatus exposes a photosensitive object (W) with an energy beam (IL), forming a predetermined pattern on the photosensitive object from the exposure optical system (PL) there are, the photosensitive object holds, movable within a horizontal plane and movable mobile in the direction of gravity in a predetermined stroke range and (WTB); has a substantially horizontal upper surface, the movable body on the upper surface in the base which movably supports the (71); a drive system that drives the movable body (28,29,31,33); disposed above the movable body, the members provided opposite to the movable body (51A, 51B, 91) and; the distance in the direction along the gravity direction of the member and the base, variable section that changes within a predetermined stroke range (the 56,66,72,90); and the drive system control instrumentation for controlling said variable portion (20)と;を備え、前記部材と前記ベースとが前記可変部の所定ストローク範囲内で最も接近し、かつ前記移動体が所定ストローク範囲の最高位置にあるときに、前記部材の最下部と前記移動体とが干渉する場合において、前記制御装置は、前記部材と前記移動体との干渉が起こらないように前記駆動系と前記可変部との少なくとも一方を制御することを特徴とする第2の露光装置である。 (20) and; when and a the said member base is closest within a predetermined stroke range of said variable portion, and which the movable body is at the highest position of the predetermined stroke range, and bottom of the member in the case wherein the mobile interfere, the control device, the second, characterized by controlling at least one of said members and said driving system so that the interference does not occur between the moving entity and the variable portion it is of the exposure apparatus.

これによれば、前記部材と前記可動体とが、特定の条件下において干渉するような場合であっても、互いの干渉(衝突)が起こらないようにすることができる。 According to this, between the member and the movable body, even when the interference under specific conditions, can be made to mutual interference (collision) does not occur.

この場合において、前記可変部は、前記部材と前記ベースとを、重力方向に沿って移動可能にかつ個別に支持する第1可変機構(56)と第2可変機構(66)とを含むこととすることができる。 In this case, the variable part, and the said member base, the first variable mechanism for movably and separately supported along the direction of gravity (56) a second variable mechanism (66) and the include can do. また、前記制御装置は、前記移動体のストローク範囲における可動範囲、及び前記部材と前記ベースとのストローク範囲における可動範囲をそれぞれ制限するストロークリミットを、動作シーケンスに応じて設定することとすることができる。 Further, the control device, the movable range in the stroke range of the movable body, and a stroke limit for limiting the movable range, respectively, in the stroke range of the member and the base, be to set according to the operation sequence it can.

以下、本発明の一実施形態について、図1〜図6に基づいて説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 6.

図1には、一実施形態の露光装置100の概略構成が示されている。 1 is a schematic arrangement of an exposure apparatus 100 of one embodiment is shown. この露光装置100は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置(スキャニング・ステッパ(スキャナ)とも呼ばれる)である。 The exposure apparatus 100 is a projection exposure apparatus by a step-and-scan method (scanning stepper (scanner) also referred to).

この露光装置100は、光源及び照明光学系を含み、エネルギビームとしての照明光(露光光)ILによりマスクとしてのレチクルRを照明する照明系10、レチクルRを保持するレチクルステージRST、光学系ユニットとしての投影ユニットPU、感光物体としてのウエハWが載置されるウエハステージWST、前記レチクルステージRST及び前記投影ユニットPUなどが搭載されたボディBD、及びこれらの制御系等を備えている。 The exposure apparatus 100 includes a light source and an illumination optical system, an illumination system 10 that illuminates a reticle R as a mask by illumination light (exposure light) IL as an energy beam, a reticle stage RST that holds a reticle R, the optical system unit projection unit PU as, wafer stage WST on which a wafer W as a photosensitive object is mounted, like the reticle stage RST and the projection unit PU is provided with a body BD mounted, and these control system and the like.

前記照明系10は、例えば特開平6−349701号公報(対応する米国特許第5,534,970号)などに開示されるように、光源、オプティカルインテグレータ等を含む照度均一化光学系、ビームスプリッタ、リレーレンズ、可変NDフィルタ、レチクルブラインド等(いずれも不図示)を含んで構成されている。 The illumination system 10, for example as disclosed such as in JP-A-6-349701 discloses (corresponding U.S. Pat. No. 5,534,970), a light source, an illuminance uniformity optical system containing an optical integrator or the like, a beam splitter , a relay lens, a variable ND filter (both not shown) a reticle blind and the like is configured to include a. この照明系10では、レチクルブラインドで規定されたレチクルR上のスリット状の照明領域を照明光ILによりほぼ均一な照度で照明する。 In the illumination system 10, with a substantially uniform illuminance by the illumination light IL a slit-shaped illumination area on the reticle R which is defined by the reticle blind. ここで、照明光ILとしては、一例としてArFエキシマレーザ光(波長193nm)が用いられている。 In this case, as illumination light IL, ArF excimer laser beam (wavelength 193 nm) is used as an example. また、オプティカルインテグレータとしては、フライアイレンズ、ロッドインテグレータ(内面反射型インテグレータ)あるいは回折光学素子などを用いることができる。 Further, as the optical integrator, and the like can be used a fly-eye lens, a rod integrator (internal reflection type integrator), a diffractive optical element.

前記レチクルステージRSTは、後述する第2コラム34の天板を構成するレチクルベース36上に、その底面に設けられた不図示のエアベアリングなどによって例えば数μm程度のクリアランスを介して浮上支持されている。 The reticle stage RST is on reticle base 36 which constitutes the top plate of the second column 34 described later, are supported by levitation via a clearance of several μm by, for example, air bearings (not shown) provided on its bottom surface there. このレチクルステージRST上には、レチクルRが、例えば真空吸着(又は静電吸着)により固定されている。 On the reticle stage RST, reticle R is fixed by, for example, vacuum suction (or electrostatic adsorption). レチクルステージRSTは、ここでは、リニアモータ等を含むレチクルステージ駆動部12により、後述する投影光学系PLの光軸AXに垂直なXY平面内で2次元的に(X軸方向、Y軸方向及びXY平面に直交するZ軸回りの回転方向(θz方向)に)微少駆動可能であるとともに、レチクルベース36上を所定の走査方向(ここでは、図1における紙面直交方向であるY軸方向とする)に指定された走査速度で駆動可能となっている。 The reticle stage RST is here, by a reticle stage drive section 12 including a linear motor or the like, two-dimensionally (X-axis direction within the perpendicular XY plane to the optical axis AX of the projection optical system PL that will be described later, Y-axis direction, and ) as well as a possible fine drive in rotation direction about the Z axis orthogonal to the XY plane ([theta] z direction), the upper reticle base 36 in a predetermined scanning direction (here, the Y-axis direction is a direction orthogonal to a surface in FIG. 1 It has a drivable at designated scanning velocity in).

レチクルステージRSTは、実際には、リニアモータによりレチクルベース36上をY軸方向に所定ストローク範囲で駆動可能なレチクル粗動ステージと、該レチクル粗動ステージに対して少なくとも3つのアクチュエータ(例えばボイスコイルモータなど)によりX軸方向、Y軸方向及びθz方向に微小駆動可能なレチクル微動ステージとによって構成されているが、図1では、図示の便宜上から単一のステージとして示されている。 The reticle stage RST is actually a reticle coarse motion stage which can be driven at a predetermined stroke range in the Y-axis direction on reticle base 36 by a linear motor, at least three actuators to said reticle coarse motion stage (such as a voice coil X-axis direction by the motor etc.), it is constituted of a Y-axis direction and the θz direction fine drivable reticle fine movement stage, FIG. 1, is shown as a single stage from the convenience of illustration. 従って、以下においても、レチクルステージRSTはレチクルステージ駆動部12によりX軸方向、Y軸方向及びθz方向に微少駆動可能であるとともに、Y軸方向に走査駆動が可能な単一のステージであるものとして説明する。 Therefore, in the following, as the reticle stage RST is the X-axis direction by a reticle stage drive section 12, together with the Y-axis direction and the θz direction can be finely driven, a Y-axis direction to the scan driver is a single stage possible It described as.

本実施形態の場合、レチクルステージRSTの駆動時(特に走査駆動時)のリニアモータの固定子に作用する反力に起因する振動の影響を極力低減するための対策が講じられている。 In this embodiment, measures for reducing the influence of vibration caused by reaction force acting on the linear motor stator during driving of the reticle stage RST (especially during a scan driver) as much as possible have been taken. 具体的には、前述のリニアモータの固定子は、例えば特開平8−330224号公報(対応する米国特許第5,874,820号)などに開示されるように、ボディBDとは別に設けられた不図示の支持部材(リアクションフレーム)によってそれぞれ支持され、レチクルステージRSTの駆動の際にリニアモータの固定子に作用する反力は、それらのリアクションフレームを介してクリーンルームの床面Fに伝達される(逃がされる)ようになっている。 Specifically, the stator of the aforementioned linear motor, for example, as disclosed such as in JP-A-8-330224 discloses (corresponding U.S. Pat. No. 5,874,820), provided separately from the body BD are respectively supported by a support member (not shown) (reaction frame), the reaction force acting on the stator of the linear motor during driving of the reticle stage RST is transmitted to the floor F of the clean room via their reaction frame that has become (released is) like. この他、例えば、特開平8−63231号公報(対応する米国特許第6,246,204号)などに開示される運動量保存則を利用した反力キャンセル機構をレチクルステージRSTの反力キャンセル機構として採用しても良い。 In addition, for example, a reaction force cancellation mechanism utilizing the momentum conservation law is disclosed in, Japanese Patent Laid-Open 8-63231 discloses (corresponding U.S. Pat. No. 6,246,204) as a reaction force cancellation mechanism of the reticle stage RST it may be adopted.

レチクルステージRSTのステージ移動面内の位置は、レチクルレーザ干渉計(以下、「レチクル干渉計」という)16によって、移動鏡15を介して、例えば0.5〜1nm程度の分解能で常時検出されている。 Position of the stage moving plane of the reticle stage RST, a reticle laser interferometer (hereinafter, "reticle interferometer") 16 via a movable mirror 15, for example, it is constantly detected at a resolution of about 0.5~1nm there. この場合、投影ユニットPUを構成する鏡筒40の側面に固定された固定鏡14を基準として位置計測が行われる。 In this case, the position measurement to the fixed mirror 14 which is fixed to the side surface of the lens barrel 40 in the projection unit PU as a reference are performed. ここで、実際には、レチクルステージRST上にはY軸方向に直交する反射面を有するY移動鏡とX軸方向に直交する反射面を有するX移動鏡とが設けられ、これらの移動鏡に対応してレチクルY干渉計とレチクルX干渉計とが設けられ、更に、これに対応して、X軸方向位置計測用の固定鏡と、Y軸方向位置計測用の固定鏡が設けられているが、図1ではこれらが代表的に移動鏡15、レチクル干渉計16、固定鏡14として示されている。 Here, in fact, on reticle stage RST, a X movable mirror having a reflection surface orthogonal to the Y moving mirror and X-axis direction having a reflection surface orthogonal to the Y-axis direction is provided, on these movable mirrors correspondingly a reticle Y interferometer and a reticle X interferometer are provided, further, in response to this, the X-axis direction position measurement stationary mirror, Y-axis direction position fixed mirror for measurement is provided but in FIG. 1 these typically movable mirror 15, the reticle interferometer 16, shown as fixed mirror 14. なお、例えば、レチクルステージRSTの端面を鏡面加工して反射面(移動鏡15の反射面に相当)を形成しても良い。 Incidentally, for example, the edge surface of reticle stage RST (equivalent to the reflection surface of movable mirror 15) mirror-finished by the reflecting surface may be formed. また、レチクルステージRSTの走査方向(本実施形態ではY軸方向)の位置検出に用いられるX軸方向に伸びた反射面の代わりに、少なくとも1つのコーナーキューブ型ミラー(例えばレトロリフレクタ)を用いても良い。 Further, instead of reflection surface that extends in the X-axis direction used for detecting the position of (Y-axis direction in this embodiment) the scanning direction of the reticle stage RST, using at least one corner cube mirror (e.g. retroreflector) it may be. ここで、レチクルY干渉計とレチクルX干渉計の一方、例えばレチクルY干渉計は、測長軸を2軸有する2軸干渉計であり、このレチクルY干渉計の計測値に基づきレチクルステージRSTのY位置に加え、θz方向の回転も計測できるようになっている。 Here, one of the reticle Y interferometer and reticle X interferometer, e.g., a reticle Y interferometer, a two-axis interferometer that 2 Jikuyu the measurement axes, of the reticle stage RST based on the measurement values ​​of reticle Y interferometer in addition to the Y position, rotation of the θz direction has to be measured.

レチクル干渉計16の計測値は、ステージ制御装置20及びこれを介して主制御装置50に送られている。 The measurement values ​​of reticle interferometer 16 is sent to main controller 50 via the stage controller 20, and this. ステージ制御装置20では、主制御装置50からの指示に応じ、レチクル干渉計16の計測値に基づいてレチクルステージ駆動部12を介してレチクルステージRSTを駆動制御する。 In the stage controller 20, according to instructions from main controller 50, drives and controls reticle stage RST via reticle stage drive section 12 based on the measurement values ​​of reticle interferometer 16.

レチクルRの上方には、投影光学系PLを介してウエハステージWST上の一対の基準マークとこれに対応するレチクルR上の一対のレチクルマークとを同時に観察するための露光波長の光を用いたTTR(Through The Reticle)アライメント系から成る一対のレチクルアライメント系13A,13B(図1では不図示、図3参照)がX軸方向に所定距離隔てて設けられている。 Above the reticle R, using light of the exposure wavelength to observe a pair of reticle marks on the reticle R corresponding to the pair of reference marks on the wafer stage WST via the projection optical system PL at the same time TTR (Through the reticle) a pair of reticle alignment systems 13A made of the alignment system, 13B (not shown in FIG. 1, see FIG. 3) are provided a predetermined distance in the X-axis direction. この一対のレチクルアライメント系13A,13Bとしては、例えば特開平7−176468号公報(対応する米国特許第5,646,413号)などに開示されるものと同様の構成のものが用いられている。 The pair of reticle alignment systems 13A, as the 13B, for example, those Hei 7-176468 discloses a configuration similar to the one that is disclosed in, (the corresponding U.S. Pat. No. 5,646,413) configuration is used .

前記投影ユニットPUは、レチクルステージRSTの図1における下方でボディBDの一部に保持されている。 The projection unit PU is held in a part of the body BD below in Figure 1 of the reticle stage RST. このボディBDは、クリーンルームの床面F上に設置されたフレームキャスタFC上に設けられた第1コラム32と、この第1コラム32の上に固定された第2コラム34とを備えている。 The body BD is provided with a first column 32 which is provided on the frame caster FC installed on floor surface F of a clean room, a second column 34 fixed on the first column 32.

前記フレームキャスタFCは、床面F上に水平に置かれたベースプレートBSと、該ベースプレートBS上に固定された複数本、例えば3本(又は4本)の脚部39(但し、図1における紙面奥側の脚部は図示省略)とを備えている。 The frame caster FC has a base plate BS which placed horizontally on the floor surface F, the base plate BS plurality of which is fixed on, for example, the legs 39 of the three (or four) (where the sheet of FIG. 1 legs on the back side is provided with a not shown) and.

前記第1コラム32は、上記フレームキャスタFCを構成する複数本の脚部39それぞれの上端に個別に固定された複数、例えば3つ(又は4つ)の第1の防振機構(第1可変機構)56によって、ほぼ水平に支持された保持部材としての鏡筒定盤(メインフレーム)38を備えている。 The first column 32, a first vibration isolating mechanism (first variable plurality secured individually to a plurality of legs 39 of each upper constituting the frame caster FC, for example, three (or four) the mechanism) 56, and a barrel surface plate (mainframe) 38 as a holding member supported substantially horizontally.

前記鏡筒定盤38は、例えば鋳物から成り、そのほぼ中央部に不図示の円形開口が形成されている。 The lens barrel surface plate 38, for example, a casting, a circular opening (not shown) at its substantially central portion. この円形開口内に、外観形状が段付き円柱状で中央部に円形開口が形成された支持部材IVが、上方から挿入され、この支持部材IVは上部の大径部を介して鏡筒定盤38に支持されている。 In the circular opening, the support members IV appearance shape circular opening at the center in the stepped cylindrical shape is formed, is inserted from above, the barrel surface plate support member IV via the large diameter portion of the upper and it is supported by the 38. この支持部材IVの円形開口内に、投影ユニットPUが、上方から挿入され、その外周部の下端部近傍に設けられたフランジFLGを介して支持部材IVに支持されている。 This in a circular opening of the supporting member IV, projection unit PU is inserted from above, it is supported by a supporting member IV lower end via a flange FLG arranged in the vicinity of the outer periphery thereof. すなわち、このようにして、投影ユニットPUが、支持部材IVを介して鏡筒定盤38に保持されている。 That, in this way, projection unit PU is held by the barrel surface plate 38 via a support member IV. ここで、フランジFLGと支持部材IVの素材としては、低熱膨張の材料、例えばインバー(Inver:ニッケル36%、マンガン0.25%、及び微量の炭素と他の元素を含む鉄からなる低膨張の合金)が用いられている。 Here, as the material of the flange FLG and the support member IV, a low thermal expansion material, for example Invar (Inver: 36% nickel, manganese 0.25%, and a low expansion of iron containing carbon and other trace element alloy) is used.

前記鏡筒定盤38の上面には、投影ユニットPUを取り囲む位置に、複数本、例えば3本の脚41(但し、図1における紙面奥側の脚は図示省略)の一端(下端)が固定されている。 The upper surface of the lens barrel surface plate 38 at a position surrounding the projection unit PU, a plurality of, for example, three legs 41 (however, verso side of the leg is not shown in FIG. 1) at one end (lower end) of the fixed It is. これらの脚41それぞれの他端(上端)面は、ほぼ同一の水平面上にあり、これらの脚41それぞれの上端面に前述のレチクルベース36の下面が固定されている。 These legs 41 of the other ends (the upper end) surface are in substantially the same horizontal plane, the lower surface of the aforementioned reticle base 36 to the upper end face of each of these legs 41 is fixed. このようにして、複数本の脚41によってレチクルベース36が水平に支持されている。 In this way, the reticle base 36 is supported horizontally by a plurality of legs 41. すなわち、レチクルベース36とこれを支持する3本の脚41とによって第2コラム34が構成されている。 That is, the second column 34 is formed by the three legs 41 for supporting the reticle base 36. レチクルベース36には、その中央部に照明光ILの通路となる開口36aが形成されている。 The reticle base 36, an opening 36a which is a path of illumination light IL in the center portion.

前記投影ユニットPUは、円筒状でその外周部の下端部近傍にフランジFLGが設けられた鏡筒40と、該鏡筒40に保持された複数の光学素子から成る露光光学系としての投影光学系PLとによって構成されている。 The projection unit PU includes a barrel 40 which the flange FLG is provided near the lower end of its outer peripheral portion with a cylindrical shape, the projection optical system of an exposure optical system comprising a plurality of optical elements held in lens barrel 40 It is constituted of a PL.

前記投影光学系PLとしては、例えばZ軸方向の共通の光軸AXを有する複数のレンズ(レンズエレメント)から成る屈折光学系が用いられている。 As the projection optical system PL, for example, a common dioptric system that is composed of a plurality of lenses (lens elements) having an optical axis AX in the Z-axis direction is used. この投影光学系PLは、例えば両側テレセントリックで所定の投影倍率(例えば1/4倍又は1/5倍)を有する。 The projection optical system PL has a predetermined projection magnification (e.g., 1/4 or 1/5) for example, both-side telecentric. このため、照明系10からの照明光ILによってレチクルRの照明領域が照明されると、このレチクルRを通過した照明光ILにより、投影光学系PLを介してその照明領域内のレチクルRの回路パターンの縮小像(回路パターンの一部の縮小像)が表面にレジスト(感光剤)が塗布されたウエハW上に形成される。 Therefore, when the illumination area of ​​the reticle R is illuminated by illumination light IL from illumination system 10, illumination light IL having passed through the reticle R, the circuit of the reticle R in the illumination area via the projection optical system PL reduced image of the pattern (a part of the reduced image of the circuit pattern) resist (photosensitive agent) on the surface is formed on a wafer coated W. ここで、ウエハWは、例えば半導体(シリコンなど)又はSOI(Silicon Insulator)などの円板状の基板であり、その上にレジストが塗布されている。 Here, the wafer W is, for example a semiconductor a disc-shaped substrate, such as (silicon) or SOI (Silicon Insulator), resist is applied thereon.

なお、本実施形態の露光装置100では、液浸法を適用した露光が行われるため、開口数NAが実質的に増大することに伴いレチクル側の開口が大きくなる。 In exposure apparatus 100 of the present embodiment, since exposure applying the liquid immersion method is performed, the numerical aperture NA of the opening on the reticle side with the substantial increase increases. このため、レンズのみで構成する屈折光学系においては、ペッツヴァルの条件を満足することが困難となり、投影光学系が大型化する傾向にある。 Therefore, in the refractive optical system constituting only a lens, it becomes difficult to satisfy the condition of the Petzval tends projection optical system becomes large. かかる投影光学系の大型化を避けるために、ミラーとレンズとを含んで構成される反射屈折系(カタディ・オプトリック系)を用いても良い。 To avoid an increase in size of the projection optical system, it may be used composed catadioptric system (catodioptric system) including mirrors and lenses.

また、本実施形態の露光装置100では、液浸法を適用した露光を行うため、投影光学系PLを構成する最も像面側(ウエハW側)の光学素子としてのレンズ(以下、「先玉」ともいう)91の近傍には、液浸装置132を構成する液体供給ノズル51Aと、液体回収ノズル51Bとが設けられている。 Further, in exposure apparatus 100 of the embodiment, in order to perform exposure applying the liquid immersion method, a lens as an optical element closest to the image plane side of the projection optical system PL (the wafer W side) (hereinafter, "front lens in the vicinity of the "also referred to) 91, a liquid supply nozzle 51A constituting the liquid immersion device 132, and a liquid recovery nozzle 51B is provided. 液体供給ノズル51A及び液体回収ノズル51Bは、保持部材としての鏡筒定盤38に保持されており、移動体としてのウエハテーブルWTB(詳細後述)と対向するように配置されている。 Liquid supply nozzle 51A and liquid recovery nozzle 51B is held by barrel platform 38 as the holding member, wafer table WTB as a moving body are disposed so as to face the (detailed below).

前記液体供給ノズル51Aには、その一端が液体供給装置131A(図1では不図示、図3参照)に接続された不図示の供給管の他端が接続されており、前記液体回収ノズル51Bには、その一端が液体回収装置131B(図1では不図示、図3参照)に接続された不図示の回収管の他端が接続されている。 The liquid supply nozzle 51A has one end liquid supply device 131A (not shown in FIG. 1, see FIG. 3) the other end of the supply pipe of the connected (not shown) is connected to, to the liquid recovery nozzle 51B has one end liquid recovery unit 131B (not shown in FIG. 1, see FIG. 3) the other end of the recovery tube (not shown) connected to the connected.

前記液体供給装置131Aは、液体のタンク、加圧ポンプ、温度制御装置、並びに供給管に対する液体の供給・停止を制御するためのバルブ等を含んで構成されている。 The liquid supply device 131A includes a tank of liquid, a compression pump, a temperature controller, and is configured to include a valve for controlling supply and stop of the liquid to the feed pipe. バルブとしては、例えば液体の供給・停止のみならず、流量の調整も可能となるように、流量制御弁を用いることが望ましい。 The valves, for example, not only the supply and stop of the liquid, so that also the adjustment of flow rate, it is preferable to use a flow control valve. 前記温度制御装置は、液体タンク内の液体の温度を、露光装置本体が収納されているチャンバ(不図示)内の温度と同程度の温度に調整する。 The temperature controller adjusts the temperature of the liquid in the liquid tank, the temperature about the same temperature in the chamber where the exposure apparatus main body is housed (not shown).

前記液体回収装置131Bは、液体のタンク及び吸引ポンプ、並びに回収管を介した液体の回収・停止を制御するためのバルブ等を含んで構成されている。 The liquid recovery apparatus 131B, the liquid in the tank and a suction pump, and is configured to include a valve for controlling the collection and stop of the liquid via recovery pipe. バルブとしては、前述した液体供給装置131A側のバルブに対応して流量制御弁を用いることが望ましい。 The valve, it is desirable to use a flow control valve in response to the valve of liquid supply unit 131A side described above.

上記の液体としては、ここでは、ArFエキシマレーザ光(波長193nmの光)が透過する超純水(以下、特に必要な場合を除いて、単に「水」と記述する)を用いるものとする。 Examples of the liquid, here, ArF excimer laser light (wavelength 193nm light) is ultrapure water passes (hereinafter, except when particularly necessary, simply referred to as "water") shall be used. 超純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できると共に、ウエハ上のフォトレジストや光学レンズ等に対する悪影響がない利点がある。 Ultra pure water can be obtained in large quantities at a semiconductor manufacturing plant or the like, that it has no adverse effects on the photoresist and optical lenses on the wafer or the like. また、超純水は環境に対する悪影響がないと共に、不純物の含有量が極めて低いため、ウエハの表面及び先玉91の表面を洗浄する作用も期待できる。 Also, ultra pure water with no adverse effects on the environment and contains very few impurities, the action of cleaning the surface and the surface of the top lens 91 of the wafer can be expected.

水の屈折率nは、ほぼ1.44である。 Refractive index n of the water is approximately 1.44. この水の中では、照明光ILの波長は、193nm×1/n=約134nmに短波長化される。 In the water the wavelength of illumination light IL is shorter wavelength to 193nm × 1 / n = about 134 nm.

前記液体供給装置131A及び液体回収装置131Bは、それぞれコントローラを具備しており、それぞれのコントローラは、主制御装置50によって制御されるようになっている(図3参照)。 The liquid supply device 131A and the liquid recovery apparatus 131B is provided with a controller, respectively, each of the controllers, are controlled by the main controller 50 (see FIG. 3). 液体供給装置131Aのコントローラは、主制御装置50からの指示に応じ、供給管に接続されたバルブを所定開度で開き、液体供給ノズル51Aを介して先玉91とウエハWとの間に水を供給する。 Controller of the liquid supply device 131A, in response to instructions from main controller 50, opens the valve connected to supply pipe to a predetermined degree, water between the front lens 91 and wafer W via liquid supply nozzle 51A and supplies. また、このとき、液体回収装置131Bのコントローラは、主制御装置50からの指示に応じ、回収管に接続されたバルブを所定開度で開き、液体回収ノズル51Bを介して先玉91とウエハWとの間から液体回収装置131B(液体のタンク)の内部に水を回収する。 At this time, the liquid recovery apparatus 131B of the controller, according to instructions from main controller 50, opens the valve connected to recovery pipe to a predetermined degree, the top lens 91 via the liquid recovery nozzle 51B and the wafer W to collect water in the interior of the liquid recovery apparatus 131B (liquid tank) from between the. このとき、主制御装置50は、先玉91とウエハWとの間に液体供給ノズル51Aから供給される水の量と、液体回収ノズル51Bを介して回収される水の量とが常に等しくなるように、液体供給装置131Aのコントローラ、液体回収装置131Bのコントローラに対して指令を与える。 At this time, the main controller 50, the amount of water supplied from the liquid supply nozzle 51A between the front lens 91 and the wafer W, the amount of water to be recovered is always equal through the liquid recovery nozzle 51B giving way, the liquid supply apparatus 131A controller, a command to the liquid recovery apparatus 131B of the controller. 従って、先玉91とウエハWとの間に、一定量の水Lq(図1参照)が保持される。 Accordingly, between the front lens 91 and the wafer W, a constant amount of water Lq (refer to FIG. 1) it is held. この場合、先玉91とウエハWとの間に保持された水Lqは、常に入れ替わっている。 In this case, water Lq held in the space between the front lens 91 and wafer W is constantly replaced.

上記の説明から明らかなように、本実施形態の液浸装置132は、上記液体供給装置131A、液体回収装置131B、供給管、回収管、液体供給ノズル51A及び液体回収ノズル51B等を含んで構成された、局所液浸装置である。 As apparent from the above description, the immersion device 132 of this embodiment, configured to include the liquid supply device 131A, the liquid recovery apparatus 131B, the supply pipe, the recovery pipe, liquid supply nozzle 51A and liquid recovery nozzle 51B and the like It has been a local liquid immersion device.

なお、上記の説明では、その説明を簡単にするため、液体供給ノズルと液体回収ノズルとがそれぞれ1つずつ設けられているものとしたが、これに限らず、例えば、国際公開第99/49504号パンフレットに開示されるように、ノズルを多数有する構成を採用することとしても良い。 In the above description, in order to simplify the explanation, a liquid supply nozzle and the liquid recovery nozzle it is assumed to be provided one each, not limited to this, for example, WO 99/49504 as disclosed in pamphlet, it is also possible to adopt a configuration having multiple nozzles. 要は、投影光学系PLを構成する最下端の光学部材(先玉)91とウエハWとの間に液体を供給することができるのであれば、その構成はいかなるものであっても良い。 In short, as long as the liquid can be supplied between the lowermost end of the optical member (front lens) 91 and a wafer W constituting the projection optical system PL, the configuration may be any one.

なお、不図示ではあるが、水Lqが保持される液浸領域の外側、例えば液体供給ノズル51A、液体回収ノズル51Bの外側に、例えば光ファイバ式の漏水センサが設置されており、主制御装置50は、この漏水センサの出力に基づいて漏水発生を瞬時に検知できる構成となっている。 Incidentally, although not shown, outside the liquid immersion area where water Lq is held, for example, liquid supply nozzle 51A, the outside of the liquid recovery nozzle 51B, for example, water leakage sensor is installed in the optical fiber type, the main control unit 50 has a configuration capable of detecting leakage occurrence based on the output of the leak sensor instantly.

前記ウエハステージWSTは、図1に示されるように、投影ユニットPUの下方に水平に配置されたベースとしてのステージベース71の上面に、その底面に設けられた複数のエアベアリングを介して非接触で浮上支持されている。 The wafer stage WST, as shown in FIG. 1, the upper surface of the stage base 71 as the base arranged horizontally below the projection unit PU, a non-contact manner via a plurality of air bearings provided on its bottom surface It is in and supported by levitation. このウエハステージWST上に、ウエハホルダ70を介してウエハWが真空吸着(又は静電吸着)によって固定されている。 This wafer stage on WST, wafer W is fixed by vacuum suction (or electrostatic suction) through the wafer holder 70.

前記ステージベース71は、前述のベースプレートBS上に設置されたメンテプレートと呼ばれる平板MP上の複数箇所(例えば3箇所)にそれぞれ配置された、複数(例えば3つ)の支持部材73と、該各支持部材73の上面にそれぞれ固定された複数(例えば3つ)の第2の防振機構(第2可変機構)66とによって、支持金物89A〜89Cをそれぞれ介してほぼ水平に支持されている。 The stage base 71 is respectively disposed at a plurality of locations of a flat plate MP called maintenance plate that is installed on the aforementioned base plate BS (e.g. three), a supporting member 73 of a plurality (e.g., three), each of said by the second vibration isolating mechanism (second variable mechanism) 66 of the plurality which are respectively fixed to the upper surface of the support member 73 (e.g., three), it is supported substantially horizontally through each support hardware 89a to 89c.

これを更に詳述すると、ステージベース71の−X側面には、そのY軸方向の一側と他側の端部近傍にそれぞれ断面L字状の金属等からなる支持金物89A、89B(但し、図1においては支持金物89Bは、支持金物89Aの奥に隠れている)が固定されている。 If this further detail, on the -X side surface of the stage base 71, the Y-axis direction of the one side and each end portion of the other side consists of an L-shaped cross section such as a metal support fittings 89A, 89B (however, supporting hardware 89B in FIG. 1 is hidden behind the support fittings 89A) is fixed. また、ステージベース71の+X側面には、そのY軸方向の中央部に、断面L字状の金属等からなる支持金物89Cが固定されている。 Further, on the + X side surface of stage base 71, the center of the Y-axis direction, the support fittings 89C is fixed consisting of L-shaped cross section such as a metal. ステージベース71は、これら3つの支持金物89A〜89Cをそれぞれ介して、3つの支持部材73の各々の上で第2の防振機構66をそれぞれ介して支持されるようになっている。 Stage base 71 through the three supporting hardware 89A~89C each, has a second vibration isolating mechanism 66 on each of the three support members 73 to be supported via respectively.

本実施形態では、ステージベース71(及び支持金物89A〜89C)と、複数の支持部材73とによって、第3コラムが構成されている。 In the present embodiment, the stage base 71 (and supporting hardware 89a to 89c), by a plurality of support members 73, the third column is formed.

前記ステージベース71の+Z側の面(上面)は、その平坦度が非常に高くなるように加工されており、ウエハステージWSTの移動基準面であるガイド面とされている。 + Z side surface of the stage base 71 (the upper surface), the flatness are processed to be very high, there is a guide surface is a movement reference surface of wafer stage WST.

前記ウエハステージWSTは、投影光学系PLの図1における下方で、リニアモータ(あるいは平面モータ)などのアクチュエータを含むXY駆動部31(図1では不図示、図3参照)によって上記ガイド面に沿ってXY面内で駆動されるXYステージ28と、該XYステージ28上にZ・チルト駆動部29(図3参照)を介して搭載され、該Z・チルト駆動部29によってZ軸方向、θx方向(X軸回りの回転方向)、θy方向(Y軸回りの回転方向)の3自由度方向に微小駆動される移動体としてのウエハテーブルWTBとを含んで構成されている。 The wafer stage WST is below in Figure 1 of the projection optical system PL, and a linear motor (or planar motor) XY drive unit 31 including an actuator such as a (not shown in FIG. 1, see FIG. 3) along the guide surface by an XY stage 28 which is driven in the XY plane Te, is mounted via a Z · tilt driving unit 29 (see FIG. 3) on the XY stage 28, Z-axis direction, [theta] x direction by the Z · tilt driving unit 29 (X-axis rotation direction), and is configured to include a wafer table WTB as a moving body that is finely driven in directions of three degrees of freedom θy direction (Y-axis rotation direction). ウエハテーブルWTBの上面に、ウエハホルダ70を介してウエハWが真空吸着(又は静電吸着)等により固定されている。 The upper surface of wafer table WTB, a wafer W is fixed by such as vacuum suction (or electrostatic adsorption) via a wafer holder 70.

前記Z・チルト駆動部29は、例えば、XYステージ28上でウエハテーブルWTBを3点で支持する3つのアクチュエータ(例えば、ボイスコイルモータ又はEIコア)等を含んで構成される。 Wherein Z · tilt driving unit 29 includes, for example, a like three actuators supporting a wafer table WTB at three points on the XY stage 28 (e.g., a voice coil motor or EI cores). なお、Z・チルト駆動部29は実際には、XYステージ28上に存在するが、本明細書では、一部の箇所で図示及び説明の便宜上から図1のウエハステージ駆動部27の一部であるかのような説明を行っている(図3等参照)。 Actually, is Z · tilt driving unit 29, it is present on the XY stage 28, in the present specification, for the sake of convenience shown and described in some places in some wafer stage drive section 27 of FIG. 1 doing some of that description (see FIG. 3).

このように、ウエハステージWSTを構成するXYステージ28、ウエハテーブルWTBは、XY駆動部31、Z・チルト駆動部29、及び後述するZ・チルトコントローラ33(図3参照)によってそれぞれ駆動されるが、図1では、これらXY駆動部31、Z・チルト駆動部29及びZ・チルトコントローラ33が纏めてウエハステージ駆動部27として示されている。 Thus, XY stage 28 that constitutes the wafer stage WST, wafer table WTB is, XY driver 31, Z · tilt driving unit 29, and are respectively driven by a Z · tilt controller 33 described later (see FIG. 3) in Figure 1, these XY drive unit 31, Z · tilt drive unit 29 and the Z · tilt controller 33 is shown as a wafer stage drive section 27 collectively.

前記ウエハホルダ70は、板状の本体部と、該本体部の上面に固定されその中央にウエハWの直径より2mm程度直径が大きな円形開口が形成された補助プレートとを備えている。 The wafer holder 70 includes a plate-like body portion and a body portion fixed to an upper surface of the auxiliary plate about 2mm in diameter than the diameter of the wafer W is large circular opening formed in its center. この補助プレートの円形開口内部の領域には、多数のピンが配置されており、その多数のピンによってウエハWが支持された状態で、真空吸着されている。 This circular opening inside the region of the auxiliary plate has a number of pins are arranged, with its by a number of pins wafer W is supported, are vacuum suction. この場合、ウエハWが真空吸着された状態では、そのウエハW表面と補助プレートの表面との高さがほぼ同一の高さとなるようになっている。 In this case, in the state where the wafer W is vacuum-adsorbed, the height of the surface with its wafer W surface auxiliary plate is adapted to substantially the same height.

また、補助プレートには、その一部に所定形状の開口が形成され、その開口内に基準マーク板が嵌め込まれている。 Also, the auxiliary plates, the opening of a predetermined shape is formed in a part, the reference mark plate is fitted into the opening. 基準マーク板はその表面が、補助プレートと同一面とされている。 Reference mark plate has a surface, which is the auxiliary plate and the same plane. この基準マーク板の表面には、少なくとも一対のレチクルアライメント用の第1基準マークと、これらの第1基準マークに対して既知の位置関係にあるオフアクシスアライメント系のベースライン計測用の第2基準マークなどが形成されている。 On the surface of the reference mark plate, a first reference mark for at least a pair of reticle alignment, a second reference baseline for measurement of off-axis alignment system in a known positional relationship with respect to those of the first reference mark such as are formed mark.

前記ウエハテーブルWTB(ウエハステージWST)のXY面内の位置情報は、その上部に固定された移動鏡17に測長ビームを照射するウエハレーザ干渉計(以下、「ウエハ干渉計」という)18によって、例えば0.5〜1nm程度の分解能で常時検出されている。 The position information within the XY plane of wafer table WTB (wafer stage WST) is a wafer laser interferometer for irradiating a measurement beam on movable mirror 17 fixed to the upper portion (hereinafter, referred to as "wafer interferometer") by 18, for example, it is constantly detected at a resolution of about 0.5-1 nm. このウエハ干渉計18は、鏡筒定盤38に吊り下げ状態で固定され、投影ユニットPUを構成する鏡筒40の側面に固定された固定鏡57の反射面を基準とする移動鏡17の反射面の位置情報をウエハステージWSTの位置情報として計測する。 The wafer interferometer 18 is fixed in a state suspended barrel platform 38, reflection of the movable mirror 17 relative to the reflecting surface of the projection unit fixed mirror 57 which is fixed to the side surface of the barrel 40 constituting the PU It measures positional information of the surface as the positional information of wafer stage WST.

ここで、ウエハステージWST上には、実際には、走査方向であるY軸方向に直交する反射面を有するY移動鏡と非走査方向であるX軸方向に直交する反射面を有するX移動鏡とが設けられ、これに対応してレーザ干渉計及び固定鏡も、X軸方向位置計測用とY軸方向位置計測用のものがそれぞれ設けられているが、図1ではこれらが代表的に移動鏡17、ウエハ干渉計18、固定鏡57として図示されている。 Here, On wafer stage WST, actually, X movable mirror having a Y movable mirror and reflection surface orthogonal to the X-axis direction which is the non-scanning direction having a reflection surface orthogonal to the Y-axis direction is a scanning direction Doo is provided, the laser interferometer and the fixed mirror correspondingly also, although those in the X-axis direction position measurement and the Y-axis direction position for measurement are respectively provided, in Figure 1 these moves typically mirror 17, wafer interferometer 18, is illustrated as a fixed mirror 57. なお、例えば、ウエハテーブルWTBの端面を鏡面加工して反射面(移動鏡17の反射面に相当)を形成しても良い。 Incidentally, for example, an end surface of the surface position of wafer table WTB (corresponding to the reflection surface of movable mirror 17) mirror-finished by the reflecting surface may be formed. また、X軸方向位置計測用のレーザ干渉計及びY軸方向位置計測用のレーザ干渉計は、ともに測長軸を複数有する多軸干渉計であり、ウエハテーブルWTBのX、Y位置の他、回転(ヨーイング(θz方向の回転)、ピッチング(θx方向の回転)、ローリング(θy方向の回転))も計測可能となっている。 Furthermore, laser interferometers and Y-axis direction position laser interferometer for measuring for measuring X-axis direction position is a multi-axis interferometer having both a plurality of measurement axes, X of wafer table WTB, other Y position, rotation (yawing (rotation in the θz direction), the rotation of the pitching ([theta] x direction), rolling (rotation θy direction)) can also be measured. 従って、以下の説明ではウエハ干渉計18によって、ウエハテーブルWTBのX、Y、θz、θy、θxの5自由度方向の位置が計測されるものとする。 Therefore, in the following description by the wafer interferometer 18, X of wafer table WTB, Y, [theta] z, [theta] y, it is assumed that 5 degrees of freedom of the position of θx is measured. また、多軸干渉計は45°傾いてウエハステージWSTに設置される反射面を介して、投影ユニットPUが保持される鏡筒定盤38に設けられる不図示の反射面にレーザビームを照射し、投影光学系PLの光軸AX方向(Z軸方向)に関する相対位置情報を検出するようにしても良い。 Moreover, multi-axis interferometer via the reflective surface to be placed on the wafer stage WST inclined 45 °, the laser beam is irradiated on the reflecting surface (not shown) provided in the lens barrel base 38 which projection unit PU is held , it may be detected relative position information about the optical axis AX direction of the projection optical system PL (Z-axis direction).

ウエハステージWSTの位置情報(又は速度情報)は、ステージ制御装置20及びこれを介して主制御装置50に送られ、ステージ制御装置20では、主制御装置50からの指示に応じて、ウエハステージWSTの位置情報(又は速度情報)に基づいて、XY駆動部31を介してウエハステージWSTのXY面内の位置を制御する。 Positional information of wafer stage WST (or speed information), via the stage control unit 20 and which is sent to main controller 50, the stage controller 20, in response to instructions from main controller 50, wafer stage WST based on the position information (or velocity information), and controls the position within the XY plane of wafer stage WST via the XY drive unit 31.

本実施形態の露光装置100では、図1では図示が省略されているが、照射系42a及び受光系42b(図3参照)から成る、例えば特開平6−283403号公報(対応米国特許第5,448,332号)等に開示されるものと同様の斜入射方式の多点焦点位置検出系が設けられている。 In exposure apparatus 100 of the present embodiment, illustrated in FIG. 1 is omitted, consisting irradiation system 42a and photodetection system 42b (see FIG. 3), for example, JP-A-6-283403 Patent Publication (corresponding U.S. Patent No. 5, multiple point focal point position detection system similar oblique incidence type as that disclosed in such Patent 448,332) is provided. 本実施形態では、一例として、照射系42aが液体供給ノズル51Aの−X側にて鏡筒定盤38下方に吊り下げ支持され、受光系42bが液体回収ノズル51Bの+X側にて鏡筒定盤38下方に吊り下げ支持されている。 In the present embodiment, as an example, irradiation system 42a is supported by suspension by the barrel surface plate 38 downwardly at the -X side of the liquid supply nozzle 51A, the barrel constant light receiving system 42b is at the + X side of the liquid recovery nozzle 51B board 38 suspended below are supported. すなわち、照射系42a及び受光系42bと、投影光学系PLとが、同一の部材(鏡筒定盤38)に取り付けられており、両者の位置関係が一定に維持されている。 That is, the irradiation system 42a and photodetection system 42b, and projection optical system PL, the same member is attached to the (barrel platform 38), both positional relationship is kept constant. なお、照射系42a及び受光系42bが取り付けられる部材は、鏡筒定盤38に限らず、投影光学系PLとの位置関係が一定に維持される部材であれば良く、例えば投影ユニットPUの鏡筒40や、支持部材IVなどであっても良い。 Incidentally, members that irradiation system 42a and photodetection system 42b is attached is not limited to barrel platform 38 may be a member of the positional relationship between the projection optical system PL is maintained constant, for example, a mirror of the projection unit PU cylinder 40 or, it may be a supporting member IV.

照射系42aは、主制御装置50によってオンオフが制御される光源を有し、投影光学系PLの結像面に向けて多数のピンホール又はスリットの像を形成するための結像光束をウエハ表面に光軸AXに対して斜め方向から照射する。 Irradiation system 42a has a light source on and off is controlled by main controller 50, imaging light beam to the wafer surface for forming an image of a large number of pinholes or slit toward the imaging plane of the projection optical system PL irradiated obliquely to the optical axis AX on. 一方、ウエハ表面で反射されたそれらの結像光束の反射光束は、受光系42b内の受光素子によって受光され、電気信号(焦点ずれ信号)に変換される。 On the other hand, the reflected light beam thereof imaging light beam reflected by the wafer surface is received by the light receiving element in the light receiving system 42b, it is converted into an electric signal (defocus signal). この焦点ずれ信号(デフォーカス信号)は、ステージ制御装置20及びこれを介して主制御装置50に供給されている。 The focus error signal (defocus signal) is supplied to main controller 50 via the stage controller 20, and this. ステージ制御装置20は、後述する走査露光時などに、主制御装置50からの指示に応じ、焦点ずれ信号(デフォーカス信号)、例えばSカーブ信号に基づいてウエハW表面のZ位置、θx方向の回転,θy方向回転を算出し、その算出結果にもとづいて、Z・チルト駆動部29を制御するZ・チルトコントローラ33に指示を与える。 Stage controller 20, such as during scanning exposure, which will be described later, according to instructions from main controller 50, the focus error signal (defocus signal), for example, the Z position of the wafer W surface based on the S-curve signal, the θx direction rotation calculates the θy direction rotation, based on the calculation result, it gives instructions to Z · tilt controller 33 for controlling the Z · tilt driving unit 29. Z・チルトコントローラ33では、その指令に基づいて、ウエハテーブルWTBに対する3つの支持点のそれぞれをZ軸方向に駆動する各アクチュエータの駆動量を算出し、各アクチュエータによって駆動される対応する支持点のZ軸方向の位置を検出するリニアエンコーダの出力をモニタしつつ、各アクチュエータを駆動する。 In Z · tilt controller 33, based on the instruction, each of the three support points on the wafer table WTB calculates a driving amount of each actuator for driving the Z-axis direction, of the corresponding support point are driven by respective actuators while monitoring the output of the linear encoder for detecting the position in the Z axis direction, and drives each actuator. このようにして、ウエハテーブルWTBのZ軸方向への移動、及び2次元方向の傾斜(すなわち、θx,θy方向の回転)が制御され、照明光ILの照射領域(前述の照明領域と共役な照明光ILの照射領域)内で投影光学系PLの結像面にウエハWの表面を実質的に合致させるオートフォーカス(自動焦点合わせ)及びオートレベリングが実行される。 In this way, the movement of the Z-axis direction of wafer table WTB, and the two-dimensional direction of inclination (i.e., [theta] x, the rotation of the θy direction) can be controlled, the irradiation region of the illumination light IL (illumination region and conjugate described above substantially autofocus (alignment autofocus to match) and auto-leveling the irradiation region) in the surface of the wafer W to the imaging plane of the projection optical system PL of the illumination light IL is executed.

本実施形態では、上記の各アクチュエータによって駆動可能な各支持点のZ軸方向に関する位置の最上位置と最下位置との間が、後述するウエハテーブルWTBのストローク範囲に他ならない。 In the present embodiment, between the uppermost position and the lowermost position of the Z-axis direction of the support points which can be driven by the actuator described above, nothing but the stroke range of wafer table WTB, which will be described later.

本実施形態の露光装置100では、同様に図1では図示が省略されているが、投影ユニットPUの近傍に、オフアクシスアライメント系ALG(図1では不図示、図3参照)が設けられている。 In exposure apparatus 100 of the present embodiment, also shown in FIG. 1 is omitted, in the vicinity of projection unit PU, an off-axis alignment system ALG (not shown in FIG. 1, see FIG. 3) is provided . このオフアクシスアライメント系としては、例えば、ウエハ上のレジストを感光させないブロードバンドな検出光束を対象マークに照射し、その対象マークからの反射光により受光面に結像された対象マークの像と不図示の指標の像とを撮像素子(CCD)等を用いて撮像し、それらの撮像信号を出力する画像処理方式のFIA(Filed Image Alignment)系のアライメントセンサが用いられている。 As the off-axis alignment system, for example, a broadband detection light beam resist on the wafer not sensitive to irradiate the target mark, the image and not shown subject mark formed on the light receiving surface by reflected light from the target mark of the indicator image using an image pickup device (CCD) or the like captured, FIA image processing method for outputting those of the image signal (Filed image alignment) system alignment sensor is used. このオフアクシスアライメント系ALGは、指標中心を基準とするマークの位置情報を主制御装置50に供給する。 The off-axis alignment system ALG provides the position information of the mark relative to the index center to the main controller 50. 主制御装置50は、この供給された情報と、ウエハ干渉計18の計測値とに基づいて、検出対象のマーク、具体的には基準マーク板上の第2基準マーク又はウエハ上のアライメントマークのウエハ干渉計18の測長軸で規定されるステージ座標系上における位置情報を計測するようになっている。 The main controller 50 includes a the supplied information, based on the measurement values ​​of wafer interferometer 18, the detection target mark, specifically the alignment mark on the second reference mark or the wafer on the reference mark plate the position information on the stage coordinate system defined by the measurement axes of the wafer interferometer 18 arranged to measure.

図2には、前述した鏡筒定盤38の一端部近傍及びステージベース71の一端部近傍の構成部分が、一部断面して示されている。 2, one end portion structure portion in the vicinity of the end portion near and the stage base 71 of barrel platform 38 described above is shown in partial section. 前記各第1の防振機構56は、そのうちの一つの第1の防振機構56を代表的に採りあげて、図2に示されるように、支持対象物としての鏡筒定盤38を支持する第1のエアマウント(以下、単に「エアマウント」とも記述する)60と、鏡筒定盤38を重力方向(図2における紙面内上下方向)に高応答で微小駆動可能な微小駆動部62とを備えている。 Wherein each of the first vibration isolating mechanism 56, the first vibration isolating mechanism 56 in one of its representatively taken up, as shown in FIG. 2, supporting a barrel platform 38 as the support object the first air mount (hereinafter, simply "air mount" also describes) and 60, the barrel base 38 to the direction of gravity minute drivable fine driving unit 62 with high response to (the plane in the vertical direction in FIG. 2) to It is equipped with a door.

前記エアマウント60は、上部に開口を有するハウジング61と、ハウジング61の前記開口を塞ぐ状態で設けられ、鏡筒定盤38を保持する保持部材63と、前記ハウジング61と保持部材63とに接続され、これらハウジング61及び保持部材63とともにほぼ気密状態の気体室64を形成するダイヤフラム65と、前記気体室64の内部に充填された気体、例えば空気の圧力を調整する電磁レギュレータ(以下、適宜「レギュレータ」とも呼ぶ)67とを備えている。 The air mount 60 is connected to a housing 61 having an opening on top, provided in the state of closing the opening of the housing 61, a holding member 63 for holding the lens barrel surface plate 38, the said housing 61 and the holding member 63 is, the diaphragm 65 which forms a gas chamber 64 substantially airtight with these housings 61 and the holding member 63, the gas filled inside the gas chamber 64, for example, an electromagnetic regulator (hereinafter to adjust the pressure of the air, as " also referred to as a regulator ") and a 67.

前記微小駆動部62は、鏡筒定盤38に直接取り付けられた可動子68aと、該可動子68aとの間で電磁相互作用を行い鏡筒定盤38を重力方向に駆動する電磁力を発生する固定子68bとを有するボイスコイルモータ68と、該ボイスコイルモータ68に駆動電流を供給する電流供給源69とを備えている。 The fine driving unit 62 includes a movable element 68a which is attached directly to the lens barrel surface plate 38, an electromagnetic force for driving the lens barrel surface plate 38 performs the electromagnetic interaction in the gravity direction between the movable element 68a generates a voice coil motor 68 having a stator 68b which, and a current supply source 69 for supplying a driving current to the voice coil motor 68.

このように構成される第1の防振機構56では、ステージ制御装置20の指示に応じ、第1の調整部としての第1の防振コントローラ72によって、不図示の圧力センサの計測値に基づいて電磁レギュレータ67が制御され、気体室64内の気体、例えば空気の圧力制御が行われる。 In the first vibration isolating mechanism 56 thus configured, according to an instruction stage control unit 20, by the first anti-vibration controller 72 as a first adjusting unit, based on the measurement values ​​of the pressure sensor (not shown) electromagnetic regulator 67 is controlled, the gas in the gas chamber 64, for example, pressure control of the air takes place Te. 但し、気体室64内の気体の内圧は高いため、制御応答が20Hz程度しか確保できないので、高応答の制御が必要な場合には、第1の防振コントローラ72は、鏡筒定盤38に取り付けられた不図示の加速度計などの出力に応じてボイスコイルモータ68を制御する。 However, since high pressure of the gas in the gas chamber 64, the control response can not be secured only about 20 Hz, when the control with high response required, the first vibration isolating controller 72, the barrel base 38 controlling the voice coil motor 68 in accordance with the output of such an accelerometer mounted (not shown). 勿論、床振動などの微振動は、エアマウント60の空気ばねによって除振される(マイクロGレベルで絶縁される)。 Of course, the fine vibrations such as floor vibration is (are insulated by the micro G level) by the vibration damping by the air spring of the air mount 60.

また、エアマウント60のハウジング61には、配管74を介して、ノーマルオープン型の電磁弁から成る第1のバルブ76の一端が接続され、該第1のバルブ76の他端には、所定の開口面積を有するオリフィス管から成る第1のオリフィス78の一端が接続され、この第1のオリフィス78の他端は大気開放されている(より正確には、露光装置本体を取り囲む不図示のチャンバの内部雰囲気に開放されている)。 Further, the housing 61 of the air mount 60 via a pipe 74, one end of the first valve 76 is connected consisting of normally-open electromagnetic valve, the other end of the first valve 76, a given one end of the first orifice 78 consisting of an orifice tube having an open area is connected, the other end of the first orifice 78 in the (more precisely that open to the atmosphere surrounds the exposure apparatus main body (not shown) chamber It is open to the internal atmosphere). 第1のバルブ76は、第1の防振コントローラ72によって、平常時は閉じられている。 The first valve 76, the first vibration isolating controller 72, normal time is closed.

前記3つの第2の防振機構66のそれぞれは、支持対象物が異なる点を除き、上述の第1の防振機構56と同様にして構成されている。 Each of the three second vibration isolation mechanism 66, except that the support object are different, is configured in the same manner as the first vibration isolating mechanism 56 described above. 図2には、3つの第2の防振機構66のうちの支持金物89Aを介してステージベース71を支持する第2の防振機構66が代表的に採り挙げて示されている。 2, the second vibration isolating mechanism 66 for supporting the stage base 71 through the support fittings 89A of the three second vibration isolation mechanism 66 is shown by taking as a typical. この図2に示されるように、各第2の防振機構66は、支持対象物としてのステージベース71を支持金物89A(89B、あるいは89C)を介して支持する第2のエアマウント(以下、単に「エアマウント」とも記述する)80と、ステージベース71を支持金物89A(89B、あるいは89C)を介して重力方向(図2における紙面内上下方向)に高応答で微小駆動可能な微小駆動部81とを備えている。 As shown in FIG. 2, the second vibration isolating mechanism 66, the stage base 71 as the support object support hardware 89A (89B or 89C,) a second air mounts supporting via (hereinafter, simply as "air mount" also describes) 80, a stage base 71 supporting hardware 89A (89B, or 89C) through the gravity direction (minute drivable fine driving unit at a high response to the paper surface in the vertical direction) in FIG. 2 and a 81.

前記エアマウント80は、前述のエアマウント60と同様に、上部に開口を有するハウジング82と、ハウジング82の前記開口を塞ぐ状態で設けられ、ステージベース71を支持金物89Aを介して保持する保持部材83と、前記ハウジング82と保持部材83とに接続され、これらハウジング82及び保持部材83とともにほぼ気密状態の気体室84を形成するダイヤフラム85と、前記気体室84の内部に充填された気体、例えば空気の圧力を調整する電磁レギュレータ(以下、適宜「レギュレータ」とも呼ぶ)86とを備えている。 The air mount 80, like the air mount 60 described above, the housing 82 having an opening at the top, provided in the state of closing the opening of the housing 82, the holding member for holding the stage base 71 through the support fittings 89A and 83, is connected to the holding member 83 and the housing 82, a diaphragm 85 which forms a gas chamber 84 substantially airtight with these housings 82 and the holding member 83, the gas filled inside the gas chamber 84, for example, electromagnetic regulator (hereinafter, also referred to as "regulator") for adjusting the pressure of air and a 86.

前記微小駆動部81は、支持金物89A(89B、あるいは89C)に直接取り付けられた可動子87aと、該可動子87aとの間で電磁相互作用を行い支持金物89A(89B、あるいは89C)を介してステージベース71を重力方向に駆動する電磁力を発生する固定子87bとを有するボイスコイルモータ87と、該ボイスコイルモータ87に駆動電流を供給する電流供給源88とを備えている。 The fine driving unit 81, the support hardware 89A and the mover 87a which (89B or 89C,) mounted directly, via a support fittings 89A performs electromagnetic interaction (89B or 89C,) between the movable element 87a a voice coil motor 87 having a stator 87b for generating an electromagnetic force for driving the stage base 71 in the direction of gravity Te, and a current supply source 88 for supplying a driving current to the voice coil motor 87.

このように構成される第2の防振機構66では、ステージ制御装置20の指示に応じ、第2の調整部としての第2の防振コントローラ90によって、不図示の圧力センサの計測値に基づいて電磁レギュレータ86が制御され、ハウジング82の内部に形成された気体室84内の気体、例えば空気の圧力制御が行われる。 In thus configured second vibration isolation mechanism 66, according to an instruction stage control unit 20, by a second vibration damping controller 90 as a second adjustment unit, based on the measurement values ​​of the pressure sensor (not shown) Te is controlled electromagnetic regulator 86, the gas in the gas chamber 84 formed in the housing 82, for example, pressure control of the air takes place. この場合も、高応答の制御が必要な場合には、第2の防振コントローラ90は、不図示の加速度計などの出力に応じてボイスコイルモータ87を制御する。 Again, when the control with high response required, a second anti-vibration controller 90 controls the voice coil motor 87 in accordance with the output of such an accelerometer (not shown). また、ベースプレートBS及び平板MPなどを介して伝達される床振動などの微振動は、エアマウント80の空気ばねによって除振される(マイクロGレベルで絶縁される)。 Also, micro-vibration, such as floor vibrations transmitted via a base plate BS and the flat plate MP is (are insulated by the micro G level) by the vibration damping by the air spring of the air mount 80.

また、エアマウント80のハウジング82には、配管92を介して、ノーマルオープン型の電磁弁から成る第2のバルブ94の一端が接続され、該第2のバルブ94の他端には、第1のオリフィス78より開口面積が大きなオリフィス管から成る第2のオリフィス95の一端が接続され、この第2のオリフィス95の他端は大気開放されている(より正確には、露光装置本体を取り囲む不図示のチャンバの内部雰囲気に開放されている)。 Further, the housing 82 of the air mount 80 via a pipe 92, one end of the second valve 94 is connected consisting of normally-open electromagnetic valve, the other end of the second valve 94, the first opening area than the orifice 78 is connected to one end of the second orifice 95 composed of a large orifice tube, the other end of the second orifice 95 to the atmosphere open it is (more precisely, surrounding the exposure apparatus main body not It is open to the internal atmosphere of the illustrated chamber). 第2のバルブ94は、第2の防振コントローラ90によって、平常時は閉じられている。 The second valve 94 is by a second vibration damping controller 90, normal time is closed.

図3には、本実施形態の露光装置100における、制御系の主要な構成がブロック図にて示されている。 3 shows, in exposure apparatus 100 of the embodiment, the main configuration of a control system in a block diagram. この図3中、主制御装置50及びステージ制御装置20を中心として、制御系が構成されている。 In FIG. 3, around the main controller 50 and stage controller 20, the control system is constructed.

主制御装置50は、CPU(中央演算処理装置)、ROM(リード・オンリ・メモリ)、RAM(ランダム・アクセス・メモリ)等から成るいわゆるマイクロコンピュータ(又はワークステーション)を含んで構成され、装置全体を統括して制御する。 The main controller 50, CPU (Central Processing Unit), ROM (read only memory), is configured to include a RAM called microcomputer comprised of (Random Access Memory) or the like (or a workstation), the entire device It oversees the controls. また、ステージ制御装置20は、マイクロコンピュータから成り、主制御装置50の指示に応じ、レチクルステージ駆動部12、ウエハステージ駆動部27、第1の防振コントローラ72及び第2の防振コントローラ90等を制御する。 The stage controller 20, a microcomputer, a main control unit according to an instruction 50, a reticle stage drive section 12, wafer stage drive section 27, the first vibration isolating controller 72 and the second vibration-proof controller 90 or the like to control.

ここで、この制御系は、図3からも分かる通り、マスター/スレーブ系を構成している。 Here, this control system, as can be seen from FIG. 3, constitutes a master / slave system. すなわち、主制御装置50が、マスター・プロセッサ(Master Processor)を構成し、その配下にあるステージ制御装置20がスレーブ・プロセッサ(Slave Processor)を構成している。 That is, the main controller 50, and configure the master processor (Master Processor), a stage control unit 20 which is under its constitutes the slave processor (Slave Processor). そして、このステージ制御装置20の配下にある、ファンクション・プロセッサ(Function Processor)によって第1,第2の防振コントローラ72,90及びZ・チルトコントローラ33等が構成されている。 Then, in under the stage controller 20, first by the function processor (Function Processor), such as the second anti-vibration controller 72,90 and Z-tilt controller 33 is configured.

次に、本実施形態の露光装置100における、3つの第1の防振機構56をそれぞれ構成する各第1のエアマウント60、3つの第2の防振機構66をそれぞれ構成する各第2のエアマウント80及びウエハテーブルWTBの重力方向に関する位置をそれぞれの原点位置(中立位置)に設定する、リセットシーケンスについて、説明する。 Then, in the exposure apparatus 100 of the present embodiment, the first vibration isolating mechanism 56 each second respectively constituting each first air mount 60,3 one second vibration isolating mechanism 66 constituting each of the three set air mount 80 and the position about the gravity direction of wafer table WTB in the respective home position (neutral position), the reset sequence is described.

ここで、リセットシーケンスそのものの説明に先立って、本実施形態における、エアマウント60,80及びウエハテーブルWTBのZ軸方向のストローク範囲(メカ的な最大可動範囲)などについて、図5に基づいて説明する。 Here, prior to description of the reset sequence itself, in this embodiment, for an air mount 60, 80 and the Z-axis direction of the stroke range of the surface position of wafer table WTB (mechanical maximum movable range), on the basis of FIG. 5 described to. この図5は、各エアマウント60のZ軸方向のストローク範囲ST1、各エアマウント80のZ軸方向のストローク範囲ST2、及びウエハテーブルWTBのZ軸方向のストローク範囲ST3をそれぞれ模式的に示す図である。 FIG 5 is, Z-axis direction of the stroke range ST1 in each air mount 60, respectively diagram schematically showing the Z-axis direction of the stroke range ST3 of the Z-axis direction of the stroke range ST2 of air mounts 80, and wafer table WTB it is. また、この図5は、各エアマウント60のストローク範囲ST1の最下位置と、各エアマウント80のストローク範囲の中立位置とが一致した状態で、ストローク範囲ST1、ST2及びST3の関係を示す図でもある。 Further, FIG. FIG. 5, showing the lowest position of the stroke range ST1 in each air mount 60, in a state where the neutral position matches the stroke range of each air mount 80, the relationship between the stroke range ST1, ST2 and ST3 But there is. この図5においては、ウエハテーブルWTBについては、その最上面の位置がウエハテーブルWTBの代表位置とされ、各エアマウント60については、該エアマウント60の支持対象物である鏡筒定盤38に保持される投影ユニットPUの先玉91の下端面の位置がエアマウント60の代表位置とされ、各エアマウント80については、該エアマウント80によって支持されるステージベース71上面の位置(図5では、便宜上この位置がウエハテーブルWTBの可動範囲内の中立位置と一致するものとしている)が、エアマウント80の代表位置とされている。 In this figure 5, for the wafer table WTB, the position of the uppermost surface is the representative position of the wafer table WTB, for each air mount 60, the barrel base 38 is supported object of the air mounts 60 position of the lower end surface of the front lens 91 of projection unit PU to be retained is a representative position of the air mount 60, for each air mount 80, in the position (FIG. 5 of stage base 71 upper surface which is supported by the air mount 80 for convenience this position is assumed to coincide with the neutral position of the movable range of the wafer table WTB), are a representative position of the air mount 80.

図5において、符号WDは、各エアマウント60、各エアマウント80及びウエハテーブルWTBの3者が、全て原点位置(中立位置)にあるときの投影ユニットPUの最下端部、すなわち先玉91の下端面とウエハテーブルWTBの上面(すなわちウエハW表面)との間隔であるワーキング・ディスタンスを示す。 5, reference numeral WD, each air mount 60, three parties of the respective air mount 80 and wafer table WTB is, the lowermost end of the projection unit PU when in all home position (neutral position), that the front lens 91 it is a distance between the top surface (i.e. the wafer W surface) of the lower end surface and the wafer table WTB showing the working distance. 本実施形態では、ワーキング・ディスタンスWDは1mmに設定されている。 In this embodiment, the working distance WD is set to 1 mm. また、この図5に示されるように、本実施形態では、ST1が±1mm、ST2が±0.8mm、ST3が±0.5mmにそれぞれ設定されている。 Further, as shown in FIG. 5, in the present embodiment, ST1 is ± 1 mm, ST2 is ± 0.8 mm, ST3 are respectively set to ± 0.5 mm.

この図5から明らかなように、本実施形態では、ワーキング・ディスタンスが、1mmと狭くなっているため、無条件で、各エアマウント60、各エアマウント80及びウエハテーブルWTBの重力方向に関する位置を、それぞれの原点位置に設定すると、投影ユニットPUの最下端(先玉91の下面)とウエハテーブルWTBとが、図5に符号Dで示されるように、最大1.3mm干渉するおそれがある。 As apparent from FIG. 5, in the present embodiment, the working distance is, since the narrow and 1 mm, unconditionally, each air mount 60, the position related to the gravity direction of the respective air mount 80 and wafer table WTB , set to the respective home positions, the lowermost end of the projection unit PU (the lower surface of the front lens 91) and wafer table WTB, as indicated by reference numeral D in FIG. 5, there is a maximum 1.3mm may interfere. すなわち、各エアマウント60がストローク範囲ST1の最下位置にあり、各エアマウント80及びウエハテーブルWTBがそれぞれのストローク範囲ST2、ST3の最上位置にあるとき、投影ユニットPUの最下端(先玉91の下面)とウエハテーブルWTBとが1.3mmの干渉幅で干渉するように、各エアマウント60、各エアマウント80及びウエハテーブルWTBそれぞれのストローク範囲が設定されている。 That is, each air mount 60 is in the lowermost position of the stroke range ST1, when the air mounts 80 and wafer table WTB are in the top position of each stroke range ST2, ST3, the lowermost end of the projection unit PU (front lens 91 of the lower surface) and so that the wafer table WTB interferes with the interference width of 1.3 mm, the air mount 60, the air mounts 80 and wafer table WTB each stroke range is set.

次に、リセットシーケンスについて、ステージ制御装置20の処理アルゴリズムを示す、図4のフローチャートに沿って、かつ適宜他の図面を参照して説明する。 Next, the reset sequence, shows a processing algorithm of the stage controller 20, in accordance with the flowchart of FIG. 4, and will be described with reference to the other figures.

この図4のアルゴリズムは、主制御装置50からのリセット開始指示コマンドを受け取ったときに、開始される。 The algorithm in Figure 4, upon receipt of a reset start command from the main controller 50 is started.

まず、ステップ102において、各エアマウント60及び各エアマウント80それぞれの気体室内の気体を強制排気して鏡筒定盤38、ステージベース71を最下位置へ下降させるとともに、Z・チルト駆動部29の各アクチュエータで推力を発生させてウエハテーブルWTBを最下位置まで強制的に下降させる。 First, in step 102, the lens barrel base 38 by forcibly exhausted each air mount 60 and each air mount 80 each gas chamber of the gas, along with lowering the stage base 71 to the lowermost position, Z · tilt driving unit 29 generate a thrust in each actuator forcibly lower the wafer table WTB to the lowest position. なお、このステップ102で実行される各部の動作は、実際には、ステージ制御装置20が、第1の防振コントローラ72、第2の防振コントローラ90及びZ・チルトコントローラ33にそれぞれ指令を与え、この指令を受けた第1の防振コントローラ72、第2の防振コントローラ90及びZ・チルトコントローラ33が、それぞれの指令に応じた動作を行うことで実現される。 The operation of each part that is performed in step 102 is in fact given stage controller 20, the first vibration isolating controller 72, respectively command to the second anti-vibration controller 90 and Z · tilt controller 33 , the first vibration damping controller 72 that received this command, the second anti-vibration controller 90 and Z · tilt controller 33 is realized by performing the operation corresponding to each command.

ここで、各エアマウント60、各エアマウント80それぞれの気体室内の気体の強制排気は、第1のバルブ76、第2のバルブ94を開放して行っても良いし、レギュレータ67、86の設定の変更によって行っても良い。 Wherein each air mount 60, forced ventilation of the air mounts 80 each gas chamber of the gas, the first valve 76 may be performed by opening the second valve 94, setting regulators 67,86 it may be carried out by the change.

いずれにしても、その強制排気により鏡筒定盤38及びステージベース71がともに最下位置へ下降した状態では、ウエハテーブルWTBの位置に拘わらず、投影ユニットPUの最下端(先玉91の下面)とウエハテーブルWTBとは干渉しない(すなわち、ウエハテーブルWTBが最上位置にあっても、投影ユニットPUの最下端(先玉91の下面)とウエハテーブルWTBとの間隔は、0.3mmある)ようになっている(図5参照)。 In any case, in the state where the barrel surface plate 38 and the stage base 71 is lowered together to the lowermost position by its forced ventilation, regardless of the position of wafer table WTB, the lowermost end (lower surface of the front lens 91 of projection unit PU ) and it does not interfere with wafer table WTB (i.e., also wafer table WTB is in the uppermost position, the lowermost end (lower surface of the front lens 91 of projection unit PU) gap between the wafer table WTB is 0.3 mm) It has manner (see FIG. 5).

次のステップ104では、第1の防振コントローラ72に位置決め指令(目標位置:+0.5mm(第1のエアマウントスケール))を与える。 In the next step 104, the positioning command to the first vibration-proof controller 72 (target position: + 0.5 mm (first air mount scale)) give. これにより、第1の防振コントローラ72により、各エアマウント60の気体室64の内圧がレギュレータ72を介して調整され、先玉91の下端面(エアマウント60の代表位置)が+0.5mmの位置に位置決めされる。 Thus, the first anti-vibration controller 72, the internal pressure of the gas chamber 64 of each air mount 60 is adjusted via a regulator 72, the lower end surface of the front lens 91 (representative position of the air mount 60) + 0.5 mm of It is positioned at the position. 勿論、上記ステップ102で第1のバルブ76を開放している場合には、各エアマウント60の気体室64の内圧の調整に先立って、この第1のバルブ76を、第1の防振コントローラ72を介して閉じておく必要がある。 Of course, if you open the first valve 76 at step 102, prior to the adjustment of the internal pressure of the gas chamber 64 of each air mount 60, the first valve 76, a first vibration-proof controller it is necessary to close through 72.

なお、このステップ104での目標位置:+0.5mm(第1のエアマウントスケール)は、各エアマウント80が最上位置、かつウエハテーブルWTBが最上位置となっても、投影ユニットPUの最下端(先玉91の下面)とウエハテーブルWTBとは干渉しない条件を満足する位置である。 The target position in step 104: + 0.5 mm (first air mount scale), each air mount 80 is uppermost, and even if wafer table WTB is the uppermost position, the lowermost end of the projection unit PU ( the lower surface of the top lens 91) and wafer table WTB is located to satisfy the conditions that do not interfere.

次のステップ106では、上記ステップ104で位置決め指令を行ってから所定時間T1が経過するのを待ち、所定時間T1が経過すると、次のステップ108に進んで、第2の防振コントローラ90に指令(目標位置:±0mm(第2のエアマウントスケール))を与える。 In the next step 106, waits for the predetermined time T1 after performing positioning command in step 104 elapses a predetermined time T1 has elapsed, the process proceeds to the next step 108, the command to the second anti-vibration controller 90 give: (target position ± 0mm (the second of the air mount scale)). これにより、第2の防振コントローラ90により、各エアマウント80のレギュレータ86を介した気体室84の内圧制御が開始され、上記の各エアマウント60による先玉91の下端面の位置決め開始後、少し遅れて各エアマウント80によるステージベース71の上面(エアマウント80の代表位置)の位置決めが開始される。 Thus, the second vibration-proof controller 90, the internal pressure control of the gas chamber 84 through the regulator 86 of each air mount 80 is started, after positioning the start of the lower end surface of the front lens 91 by the air mounts 60 described above, positioning of the upper surface of stage base 71 by each air mount 80 (representative position of the air mount 80) is started with a slight delay. 勿論、この場合も、上記ステップ102で第2のバルブ94を開放している場合には、各エアマウント80の気体室84の内圧の調整に先立って、この第2のバルブ94を、第2の防振コントローラ90を介して閉じておく必要がある。 Of course, even in this case, if you open the second valve 94 at step 102, prior to the adjustment of the internal pressure of the gas chamber 84 of each air mount 80, the second valve 94, the second it is necessary to close via the anti-vibration controller 90.

次のステップ110では、上記の目標位置への先玉91の下端面の位置決めが完了するのを待ち、その位置決めが完了すると、ステップ112に進んで、第1の防振コントローラ72に対し、各エアマウント60のストローク範囲ST1内における可動範囲(ST1'とする)を制限するストロークリミットを下限値+0.4mm、上限値+1.0mmに設定するように指令を与える。 In the next step 110, waits for the positioning of the lower end surface of the front lens 91 to said target position is completed and the positioning is completed, the process proceeds to step 112, to the first vibration-proof controller 72, each gives a command to set the stroke limit to restrict (and ST1 ') movable range within the stroke range ST1 of air mounts 60 lower limit + 0.4 mm, the upper limit value + 1.0 mm. これにより、第1の防振コントローラ72によってストロークリミットがソフト的に設定され、以後の各エアマウント60の可動範囲ST1'が(+0.4mm〜+1.0mm)の範囲に制限される。 Thus, stroke limit by a first anti-vibration controller 72 is a software manner set is limited to a range movable range ST1 'is (+ 0.4mm~ + 1.0mm) of each subsequent air mount 60. なお、上記のストロークリミット(下限値+0.4mm、上限値+1.0mm)の設定は、各エアマウント80が最上位置、かつウエハテーブルWTBが最上位置となっても、投影ユニットPUの最下端(先玉91の下面)とウエハテーブルWTBとは干渉が生じない範囲のストロークリミットの設定である。 The setting of the stroke limit (lower limit + 0.4 mm, the upper limit value + 1.0 mm), each air mount 80 is uppermost, and even if wafer table WTB is the uppermost position, the lowermost end of the projection unit PU ( the lower surface of the top lens 91) and wafer table WTB are set for stroke limit range interference does not occur.

次のステップ114では、Z・チルトコントローラ33にウエハテーブルWTBのリセットを開始するように指示する(目標位置:±0mm)。 In the next step 114, an instruction to initiate a reset of wafer table WTB in the Z · tilt controller 33 (target position: ± 0 mm). これにより、Z・チルトコントローラ33によって、Z・チルト駆動部29の各アクチュエータの駆動が開始され、ウエハテーブルWTBのリセットが開始される。 Thus, the Z · tilt controller 33, the driving of the actuators of Z · tilt drive unit 29 is started, the reset of wafer table WTB is started.

次のステップ116では、上記の目標位置へのステージベース71上面の位置決めが完了するのを待ち、その位置決めが完了すると、ステップ118に進んで、第2の防振コントローラ90に対し、各エアマウント80のストローク範囲ST2内における可動範囲(ST2'とする)を制限するストロークリミットを下限値−0.2mm、上限値+0.2mmに設定するように指令を与える。 In the next step 116, waits for the positioning of the stage base 71 top surface to said target position is completed and the positioning is completed, the process proceeds to step 118, to the second anti-vibration controller 90, each air mount lower limit stroke limit to restrict (and ST2 ') movable range in 80 stroke range ST2 of -0.2 mm, it gives a command to set the upper limit value + 0.2 mm. これにより、第2の防振コントローラ90によってストロークリミットがソフト的に設定され、以後の各エアマウント80の可動範囲ST2'が(−0.2mm〜+0.2mm)の範囲に制限される。 Thus, the second stroke limit by vibration isolation controller 90 is a software manner set, the movable range ST2 in each subsequent air mount 80 'is limited to the range of (-0.2mm~ + 0.2mm).

次のステップ120では、ウエハテーブルWTBのリセットが完了するのを待ち、このリセットが完了すると、ステップ122に進んで、Z・チルトコントローラ33に対し、ウエハテーブルWTBのストローク範囲ST3内における可動範囲(ST3'とする)を制限するストロークリミットを下限値−0.1mm、上限値+0.1mmに設定するように指令を与える。 In the next step 120, the reset of wafer table WTB wait for completion, when the reset is complete, the routine proceeds to step 122, with respect to Z · tilt controller 33, movable in the stroke range ST3 of wafer table WTB range ( lower limit stroke limit for limiting the ST3 and ') -0.1 mm, gives a command to set the upper limit value + 0.1 mm. これにより、Z・チルトコントローラ33によってストロークリミットがソフト的に設定され、以後のウエハテーブルWTBのZ軸方向の可動範囲ST3'が(−0.1mm〜+0.1mm)の範囲に制限される。 Thus, the stroke limit by Z · tilt controller 33 is a software manner set, the movable range ST3 'in the Z-axis direction of the subsequent wafer table WTB is limited to a range of (-0.1mm~ + 0.1mm).

次のステップ124では、第1の防振コントローラ72に対し、各エアマウント60のストロークリミットを下限値−0.2mm、上限値+0.2mmに設定する旨の指令及び位置決め指令(目標位置:±0)を与える。 In the next step 124, with respect to the first vibration-proof controller 72, the lower limit of the stroke limit of each air mount 60 -0.2 mm, command and positioning instruction to set the upper limit value + 0.2 mm (target position: ± 0) give. これにより、第1の防振コントローラ72により、原点(中立点)への先玉91の下端面の位置決めが行われるとともに、ストロークリミットがソフト的に設定され、以後の各エアマウント60の可動範囲ST1'が(−0.2mm〜+0.2mm)の範囲に制限される。 Thus, the first anti-vibration controller 72, together with the origin of the lower end surface of the front lens 91 to (neutral point) positioning is performed, the stroke limit is soft to set the movable range of each subsequent air mounts 60 ST1 'is limited to the range of (-0.2mm~ + 0.2mm).

次のステップ126では、Z・チルトコントローラ33に対して、ウエハテーブルWTBのストロークリミットを下限値−0.5mm、上限値+0.5mmに設定するように指令を与えた後、本ルーチンのリセットシーケンスの処理を終了する。 In the next step 126, with respect to Z · tilt controller 33, the lower limit of the stroke limit of wafer table WTB -0.5 mm, after giving an instruction to set the upper limit value + 0.5 mm, the reset sequence of the routine to end the process.

この結果、Z・チルトコントローラ33によって上記下限値、上限値に応じたストロークリミットの設定(この場合、ストロークリミットの設定解除)が行われ、以後のウエハテーブルWTBのZ軸方向の可動範囲ST3'がストローク範囲ST3(−0.5mm〜+0.5mm)に設定される。 As a result, Z · tilt controller 33 by the above lower limit, setting the stroke limit in accordance with the upper limit value (in this case, unset the stroke limit) is performed, the movable range of the Z-axis direction of the subsequent wafer table WTB ST3 ' There is set the stroke range ST3 (-0.5mm~ + 0.5mm).

以上のリセットシーケンスが行われた結果、最終的な各部の可動範囲は、図6に示されるように、次の通りとなる。 The results above reset sequence is performed, the movable range of the final each part, as shown in FIG. 6, the following.

各エアマウント60の可動範囲ST1' :−0.2mm〜+0.2mm Movable range ST1 of each air mount 60 ': -0.2mm~ + 0.2mm
各エアマウント80の可動範囲ST2' :−0.2mm〜+0.2mm Movable range ST2 of each air mount 80 ': -0.2mm~ + 0.2mm
ウエハテーブルWTBの可動範囲ST3' :−0.5mm〜+0.5mm The movable range of the wafer table WTB ST3 ': -0.5mm~ + 0.5mm
この結果、最も可動範囲を広く取る必要がある、ウエハテーブルWTBの可動範囲が1mmあり、ウエハテーブルWTBの可動範囲を十分確保できている。 As a result, it is necessary to widen the most movable range, 1mm movable range of wafer table WTB, it is sufficiently ensured movable range of wafer table WTB. また、このとき、図6からも分かるように、ステージ制御装置20は、各エアマウント60が可動範囲ST1'の最下位置にあり、各エアマウント80が可動範囲ST2' の最上位置にあり、かつウエハテーブルWTBが可動範囲ST3'の最上位置にあるときでも、投影ユニットPUの最下端(先玉91の下面)とウエハテーブルWTBとは干渉が生じないように、各エアマウント60、各エアマウント80及びウエハテーブルWTBのそれぞれのストロークリミットを設定している。 At this time, as can be seen from Figure 6, the stage controller 20, each air mount 60 'is in the lowermost position of each air mount 80 is movable range ST2' movable range ST1 is in the uppermost position of and when the wafer table WTB are in the uppermost position of the movable range ST3 'also as interference between the surface position of wafer table WTB (or the lower surface of the front lens 91) lowermost end of projection unit PU does not occur, the air mount 60, the air and set each of the stroke limit of the mount 80 and wafer table WTB.

また、本実施形態では、上記のリセットシーケンス時に、ステージ制御装置20は、各エアマウント60のストロークリミットを、投影ユニットPUとウエハテーブルWTBとの干渉が生じない範囲に一旦設定し、その後に各エアマウント80及びウエハテーブルWTBのストロークリミットを設定した後に、所望の範囲に再設定している。 Further, in the present embodiment, when the above reset sequence, the stage controller 20, the stroke limit of each air mount 60, once set in a range interference does not occur between the projection unit PU and wafer table WTB, then the after setting the stroke limit of the air mounts 80 and wafer table WTB, are reset to a desired range. このため、前述の図5に符号Dで示されるように、無条件で、各エアマウント60、各エアマウント80及びウエハテーブルWTBの重力方向に関する位置を、それぞれの原点位置に設定した場合に、投影ユニットPUの最下端(先玉91の下面)とウエハテーブルWTBとが、最大1.3mm干渉するおそれがあるような、各部のストロークの設定にもかかわらず、リセット中に投影ユニットPUとウエハテーブルWTBとの干渉が生じないようになっている。 Therefore, as shown by reference numeral D in FIG. 5 described above, unconditionally, each air mount 60, the position related to the gravity direction of the respective air mount 80 and wafer table WTB, when setting the respective home positions, lowermost end of projection unit PU (the lower surface of the front lens 91) and wafer table WTB is, where there is maximum 1.3mm may interfere, despite the setting of each part of the stroke, the projection unit PU during the reset wafer interference with the table WTB is made so as not to occur.

なお、以下で説明する、リセットシーケンス以外のシーケンスにおいても、上述と同様に、動作コマンドが主制御装置50からステージ制御装置20へ出された場合、ステージ制御装置20がその動作に必要な、各エアマウント60、各エアマウント80、及びウエハテーブルWTBの動作コマンドを、各コントローラへ指令するとともに、ストロークリミットを各コントローラを介して設定するようになっている。 Incidentally, described below, even in sequences other than the reset sequence, in the same manner as described above, if the operation command is issued from the main controller 50 to the stage controller 20, the stage controller 20 necessary for the operation, each air mounts 60, each air mount 80, and the operation command of wafer table WTB, as well as commands to the controllers, which is the stroke limit to be set via the respective controller.

本実施形態の露光装置100では、デバイスの製造時には、通常のスキャナと同様に、大略、以下の手順で動作が進行する。 In exposure apparatus 100 of the present embodiment, at the time of manufacture of the device, like a normal scanner, generally, the operation proceeds to the following steps.
a. a. レチクル交換(すなわちレチクルステージRSTからのレチクルのアンロード及びレチクルステージRST上へのレチクルのロード(レチクルステージRST上にレチクルがない場合は、単にレチクルをロード))、b. The reticle exchange (i.e. reticle unloading and reticle loading onto the reticle stage RST from the reticle stage RST (if there is no reticle on the reticle stage RST, simply loads the reticle)), b. レチクルアライメント及びオフアクシスアライメント系ALGのベースライン計測が、ロット先頭のウエハアライメントに先立って行われる。 Reticle alignment and baseline measurement of off-axis alignment system ALG is performed prior to the wafer alignment lot top. 上記a. Above a. 及びb. And b. と並行して(あるいはa.及びb.の後に)、c. In parallel with (or a. And b after.), C. ウエハ交換(すなわち、ウエハホルダ70からの露光済みのウエハのアンロード及びウエハホルダ70への未露光のウエハのロード(ウエハホルダ70上にウエハがない場合は、単にウエハをロード)が行われる。これにより、ロット先頭のウエハがウエハホルダ70上に載置され、その後、そのロット先頭のウエハに対して、d.ウエハアライメント(例えばEGA)及びe.ステップ・アンド・スキャン方式の露光が行われる。そのロット先頭のウエハに対する露光が終了すると、上記のc.、d.及びe.の動作が繰り返し行われ、ロット内の第2枚目以降のウエハに対する処理が行われる。そして、そのロット内の最後のウエハに対する処理が終了すると、上記a.及びb.の動作が行われ、次ロットのウエハに対する処理が開始さ Wafer exchange (i.e., if there is no unexposed wafer wafer on the load (wafer holder 70 to the unloading and the wafer holder 70 of the exposed wafer from the wafer holder 70 is simply loads the wafer) is performed. Thus, lot top of the wafer is placed on wafer holder 70, then, for the beginning of lot of wafers, d. wafer alignment (eg EGA) and e. exposure of the step-and-scan method is performed. the lot top When exposure of wafer is completed, the above c., d., and e operation. is repeated, the processing for the second and subsequent wafers in the lot is performed. Then, the last wafer in the lot When the process is completed for the above a. and b operation. is performed, the start of processing for the wafer of the next lot る。このようにして、複数ロットのウエハに対する処理が行われる。 That. In this way, processing for the wafer of the plurality lot is performed.

なお、a. It should be noted that, a. レチクル交換、b. Reticle exchange, b. レチクルアライメント及びオフアクシスアライメント系ALGのベースライン計測、c. Reticle alignment and baseline measurement of off-axis alignment system ALG, c. ウエハ交換、d. Wafer exchange, d. ウエハアライメント、e. Wafer alignment, e. ステップ・アンド・スキャン方式の露光の各動作シーケンスは、通常のスキャナと異なるところがないので詳細説明は省略する。 Each operation sequence of exposure by the step-and-scan method, detailed description will not is different from the conventional scanner is omitted. 但し、本実施形態では、レチクルアライメント、及び露光の際に、前述のように主制御装置50によって液浸装置132を構成する液体供給装置131A、液体回収装置131Bが制御され、先玉91とウエハWとの間に、一定量の水Lq(図1参照)が保持された状態で、各動作が行われる。 However, in the present embodiment, when the reticle alignment, and exposure, the liquid supply device 131A constituting the liquid immersion device 132 by the main control unit 50 as described above, the liquid recovery apparatus 131B is controlled, the top lens 91 and wafer between is W, a constant amount of water Lq (refer to FIG. 1) is in a state of being held, the operation is performed.

なお、オフアクシスアライメント系ALGのベースライン計測は、f. In addition, baseline measurement of the off-axis alignment system ALG is, f. ベースラインチェックシーケンスとして、ロット先頭以外の任意のときに行うようにしても良い。 As a baseline check sequence, it may be performed at any time other than the beginning of lot. また、本実施形態の露光装置100では、例えば特開平5−190423号(対応する米国特許第5,502,311号)などに開示されるように、多点焦点位置検出系(42a、42b)の各センサの検出オフセットの調整及びセンサ間オフセットの調整を行うためのg. Further, in exposure apparatus 100 of the embodiment, for example, Japanese Unexamined Patent Publication No. 5-190423 as disclosed in, (the corresponding U.S. Pat. No. 5,502,311), a multiple point focal point position detection system (42a, 42b) g for adjusting the detection offset of each sensor and adjusting the sensor between the offset. フォーカスキャリブレーションシーケンスも実行される。 Focus calibration sequence is also executed.

このように、本実施形態では、リセットシーケンス以外に、上記a. Thus, in the present embodiment, in addition to the reset sequence, the a. 〜g. ~g. などの各種動作シーケンスが行われるが、これらの動作シーケンスに際しては、鏡筒定盤38やステージベース71は、所定の高さ位置に位置決めする必要がある反面、偏荷重が作用したり振動が発生又は伝達されたりした場合には、これらの影響を低減又は除去する必要がある。 Various operation sequence, such as is done, when these operation sequence, the barrel base 38 and the stage base 71, although it is necessary to position at a predetermined height position, vibration unbalanced load or onset of action or when or transmitted, it is necessary to reduce or eliminate these effects. そのため、鏡筒定盤38を支持する各エアマウント60や、ステージベース71を支持する各エアマウント80は、それぞれの支持対象物に作用する振動や偏荷重の影響を低減できる程度の僅かの可動範囲を許容するようにストロークリミットを設定することが望ましい。 Therefore, and each air mount 60 for supporting the lens barrel surface plate 38, each air mount 80 for supporting the stage base 71 is slightly movable in the extent that it is possible to reduce the influence of vibrations and unbalanced load acting on each support object it is desirable to set the stroke limit to allow range. −方、ウエハテーブルWTBは、例えば走査露光中には、投影光学系PLの結像面にウエハWの表面を実質的に合致させるオートフォーカス(自動焦点合わせ)及びオートレベリングの際に比較的大きく駆動する必要がある。 - How, wafer table WTB, for example during the scanning exposure, a relatively large during a substantially autofocus (alignment autofocus) to align and auto-leveling of the surface of the wafer W to the imaging plane of the projection optical system PL it is necessary to drive. また、前述のフォーカスキャリブレーションシーケンスにおいても、比較的大きなストローク範囲でZ軸方向にスキャン移動又はステップ移動させたりする必要がある。 Also in the focus calibration sequence described above, it is necessary or to scan moving or stepping movement in the Z-axis direction in a relatively large stroke range.

そこで、ステージ制御装置20は、上記a. Therefore, the stage controller 20, the a. 〜g. ~g. などの動作シーケンス時には、前述の各部の可動範囲ST1'、ST2'、ST3'が次のようになるように、第1の防振コントローラ72、第2の防振コントローラ90及びZ・チルトコントローラ33をそれぞれ介して、各部のストロークリミットを設定する。 In operation sequence such as the movable range ST1 of the foregoing respective units', ST2 ', ST3' is such as follows, the first vibration isolating controller 72, a second anti-vibration controller 90 and Z · tilt controller 33 the through respective sets the stroke limit of each part.

各エアマウント60の可動範囲ST1' :−0.1mm〜+0.1mm Movable range ST1 of each air mount 60 ': -0.1mm~ + 0.1mm
各エアマウント80の可動範囲ST2' :−0.1mm〜+0.1mm Movable range ST2 of each air mount 80 ': -0.1mm~ + 0.1mm
ウエハテーブルWTBの可動範囲ST3':−0.5mm〜+0.5mm The movable range of the wafer table WTB ST3 ': - 0.5mm~ + 0.5mm
この場合のストロークリミットの設定(全体的な設定)は、明らかに、リセットシーケンス時と異なっていることがわかる。 Setting the stroke limit in this case (overall configuration) is clearly seen to be different when a reset sequence.

これまでの説明から明らかなように、本実施形態では、ウエハテーブルWTBにより、ウエハWが載置され、ステージベース71の上面に沿って移動可能で、かつ重力方向(Z軸方向)にも所定ストローク範囲ST3で移動可能な移動体が構成されている。 Previous As apparent from the description, in the present embodiment, the wafer table WTB, wafer W is mounted, movable along the upper surface of stage base 71, and predetermined in the gravity direction (Z-axis direction) movable movable body stroke range ST3 is configured. また、このウエハテーブルWTBをZ軸方向、θx方向及びθy方向に駆動するZ・チルト駆動部29、該Z・チルト駆動部29を制御するZ・チルトコントローラ33、前記Zチルト駆動部29が搭載されたXYステージ28、及び該XYステージ28をXY面内で駆動するXY駆動部31によって、移動体としてのウエハテーブルWTBを駆動する駆動系が構成されている。 Further, the wafer table WTB Z-axis direction, Z · tilt driving unit 29 for driving the θx direction and the θy direction, Z · tilt controller 33 for controlling the Z · tilt driving unit 29, is the Z-tilt driving unit 29 mounted the XY stage 28 and the XY driver 31 for driving the XY stage 28 in the XY plane, which is a driving system for driving the wafer table WTB as a moving body is constructed. すなわち、ウエハステージ駆動部27(図3参照)及びXYステージ28によってウエハテーブルWTBの駆動系が構成されている。 That is, the driving system of the wafer table WTB is composed of a wafer stage drive section 27 (see FIG. 3) and the XY stage 28.

また、本実施形態では、鏡筒定盤38は、3つの第1の防振機構(第1可変機構)56によって所定ストローク範囲で重力方向に沿って移動可能なように、床面Fに対して防振しつつ支持されている。 Further, in the present embodiment, the lens barrel surface plate 38, so as to be movable along the direction of gravity in a predetermined stroke range by a first vibration isolating mechanism (first variable mechanism) 56 of the three, to the floor F and it is supported with anti-vibration Te. また、ステージベース71は、支持金物89A、89B、89Cをそれぞれ介して3つの第2の防振機構(第2可変機構)66によって所定ストローク範囲で重力方向に沿って移動可能なように、床面に対して防振しつつ支持されている。 The stage base 71, the support hardware 89A, 89B, so as to 89C that the moveable along the gravity direction in a predetermined stroke range by a second vibration isolating mechanism (second variable mechanism) 66 of the three through each floor It is supported with antivibration to the plane. そして、上記3つの第1の防振機構56及び3つの第2の防振機構66、並びにこれらを制御する第1の防振コントローラ72及び第2の防振コントローラ90によって防振部(及び可変部)が構成されている。 The anti-vibration unit by the three first vibration isolating mechanism 56 and three second vibration isolation mechanism 66, and a first anti-vibration controller 72 and the second vibration damping controller 90 that controls these (and variable portion) is constituted.

以上説明したように、本実施形態の露光装置100によると、光学系ユニットとしての投影ユニットPUを保持する鏡筒定盤38の重力方向(Z軸方向)の可動範囲ST1'を制限するストロークリミット及び投影ユニットPUの下方に配置されたステージベース71のZ軸方向の可動範囲ST2'を制限するストロークリミット、並びにウエハテーブルWTBのZ軸方向の可動範囲ST3'を制限するストロークリミットが、ステージ制御装置20によって、シーケンス(露光装置の動作シーケンス)に応じて設定される。 As described above, according to exposure apparatus 100 of the present embodiment, the stroke limit for limiting the movable range ST1 'in the gravity direction of the lens barrel surface plate 38 that holds projection unit PU as an optical system unit (Z axis direction) and Z-axis directions of 'stroke limit to limit, as well as the movable range ST3 in the Z-axis direction of wafer table WTB' movable range ST2 of projection unit PU of the stage base 71 which is disposed below stroke limit to limit the stage control the device 20 is set according to the sequence (the operation sequence of the exposure apparatus). すなわち、ステージ制御装置20では、シーケンス毎に、鏡筒定盤38とステージベース71との必要な可動範囲と、ウエハテーブルWTBの必要な重力方向の可動範囲とを予め計算で求め、それぞれのシーケンスにて鏡筒定盤38、ステージベース71及びウエハテーブルWTBのストロークリミットを設定し直す。 That is, in the stage controller 20, for each sequence, determined by precalculated and the necessary range of movement of the lens barrel surface plate 38 and the stage base 71, the necessary gravity direction of wafer table WTB and a movable range, each sequence at barrel platform 38, it resets the stroke limit of the stage base 71 and wafer table WTB. そして、各シーケンス中は、鏡筒定盤38(エアマウント60)、ステージベース71(エアマウント80)及びウエハテーブルWTBを設定されたストロークリミット内で制御する。 Then, during each sequence, the barrel base 38 (air mount 60), controlled by the stage base 71 (air mounts 80) and set the wafer table WTB are within stroke limit. この場合において、仮に鏡筒定盤38、ステージベース71及びウエハテーブルWTBのうちの何れかの位置決め目標値(目標位置)を算出した結果、その目標値が設定されたストロークリミットで規定される可動範囲から外れる場合には、警告を発してシーケンスを中止するようにすれば良い。 In this case, if the lens barrel base 38, a stage base 71 and one of the positioning target value of the surface position of wafer table WTB (target position) result of calculating the movable defined by stroke limit its target value is set when departing from the scope, it is sufficient to stop the sequence warned.

このように、必要に応じてストロークリミットの設定をし直すことで、それぞれの予め設定されたストローク範囲内で無制限にそれぞれを駆動してしまうと投影ユニットPUとウエハテーブルWTBとが接触し相互に干渉してしまうような場合であっても、実際の運用上は干渉しないように制御することが可能となる。 In this way, by re-setting the stroke limit as needed, to each of the preset driving the respective indefinitely within the stroke range will the contact with projection unit PU and wafer table WTB are mutually even when interfering would like, it is possible on actual operation is controlled so as not to interfere.

また、本実施形態の露光装置100では、例えば地震、停電、ステージ制御系のエラー等により各エアマウント60、各エアマウント80及びウエハテーブルWTBが制御不能に陥いる非常事態が発生するおそれがあり、このような場合には、上記の可動範囲を維持することが出来なくなる。 Further, in exposure apparatus 100 of the embodiment, for example earthquakes, power failure, the air mount 60 due to an error or the like of the stage control system, emergency each air mounts 80 and wafer table WTB is Recessed uncontrollably is there may occur in such a case, it becomes impossible to keep the movable range. しかるに、このような場合には、ステージ制御装置20による第1の防振コントローラ72を介した各第1の防振機構56を構成する第1のバルブ76の制御、及びステージ制御装置20による第2の防振コントローラ90を介した各第2の防振機構66を構成する第2のバルブ94の制御も出来なくなる。 However, in such a case, first the control, and the stage control unit 20 of the first valve 76 constituting the first vibration isolating mechanism 56 each through the first vibration damping controller 72 by the stage control unit 20 control of the second valve 94 constituting each second antivibration mechanism 66 through the second anti-vibration controller 90 is also impossible. この結果、ノーマルオープン型の電磁バルブである、第1のバルブ76、第2のバルブ94が開放され、各エアマウント80の気体室84内の空気及び各エアマウント60の気体室64内の空気がそれぞれ排気されるが、第2のオリフィス95の開口面積に比べて第1のオリフィス78の開口面積が小さく設定されているので、各気体室84の空気の単位時間当たりの排気量に比べて各気体室64内の空気の単位時間当たりの排気量の方が小さくなるようになっている。 As a result, a normally open type electromagnetic valve, the first valve 76, second valve 94 is opened, air in the gas chamber 64 of the air and the air mounts 60 in the gas chamber 84 of each air mount 80 Although but is exhausted respectively, the opening area of ​​the first orifice 78 than the opening area of ​​the second orifice 95 is set smaller, compared to the exhaust amount per unit time of the air in each air chamber 84 towards the exhaust volume of air per unit time in each gas chamber 64 is adapted to be smaller. 従って、鏡筒定盤38の下降速度はステージベース71の下降速度に比べて遅くなり、投影ユニットPUの先玉91の下端がウエハテーブルWTBに接触するのを、確実に防止できるようになっている。 Therefore, the lowering speed of the lens barrel base 38 is slower than the lowering speed of the stage base 71, the lower end of the front lens 91 of projection unit PU from contacting the wafer table WTB, so can reliably prevent there. なお、各エアマウント80がストローク範囲の最下位置となり、各エアマウント60がストローク範囲の最下位置となった状態では、ウエハテーブルWTBがそのストローク範囲の最上位置にあったとしても、投影ユニットPUの先玉91の下端とウエハテーブルWTBとの干渉は生じない(図5参照)。 Each air mount 80 becomes the lowermost position of the stroke range, the state in which the respective air mount 60 becomes the lowermost position of the stroke range, as wafer table WTB had the uppermost position of its stroke range, a projection unit interference between the lower end and the wafer table WTB of the PU top lens 91 does not occur (see FIG. 5).

また、本実施形態の露光装置100によると、液浸装置132により投影光学系PLとウエハテーブルWTB上のウエハWとの間に、水(液体)が供給された状態で露光(液浸露光)が行われる。 Further, according to exposure apparatus 100 of the present embodiment, between the wafer W on the projection optical system PL and wafer table WTB by immersion apparatus 132, water exposure in a state where (liquid) is supplied (immersion exposure) It is carried out. 従って、高解像度かつ空気中と比べて大焦点深度の露光を行うことで、レチクルRのパターンを精度良くウエハ上に転写することができ、例えばデバイスルールとして70〜100nm程度の微細パターンの転写を実現することができる。 Therefore, by compared to the high resolution and in the air performing exposure of a large depth of focus, the pattern of reticle R can be transferred with good precision on the wafer, for example, about 70~100nm as a device rule transfer of a fine pattern it can be realized.

なお、上記実施形態では、リセットシーケンス以外の前述のa. In the above embodiment, the above-mentioned a non-reset sequence. 〜g. ~g. の動作シーケンス時には、全てのシーケンスにおいて、全てのストロークリミットの設定を同一にしたが、これに限らず、動作シーケンス毎に、各エアマウント60、各エアマウント80及びウエハテーブルWTBの少なくとも1つのストロークリミットの設定を異ならせても良い。 At the operation sequence, all of the sequence, although the set of all stroke limit the same is not limited thereto, for each operation sequence, each air mount 60, at least one stroke of the air mounts 80 and wafer table WTB it may be different from the setting of the limit.

また、ステージ制御装置20は、例えば、装置の稼動時には前述したストロークリミットの設定を行い、装置の非稼動時には、各エアマウント60、各エアマウント80を厳密に位置決めする必要はないので可動範囲ST1'、ST2'を広げ、ウエハテーブルWTBは動作しないのであるからその分ウエハテーブルWTBの可動範囲ST3'を狭めて、それぞれが以下のような可動範囲となるように、それぞれのストロークリミットを設定するようにしても良い。 The stage controller 20, for example, during operation of the apparatus to set the stroke limit described above, at the time of non-operation of the apparatus, each air mount 60, the movable range ST1 it is not necessary to strictly position each air mount 80 ', ST2' spread, wafer table WTB is narrowed movable range ST3 'of that amount wafer table WTB since it is not work, so that each becomes movable in the following range, and setting the respective stroke limit it may be so.

各エアマウント60の可動範囲ST1' :−0.3mm〜+0.3mm Movable range ST1 of each air mount 60 ': -0.3mm~ + 0.3mm
各エアマウント80の可動範囲ST2' :−0.3mm〜+0.3mm Movable range ST2 of each air mount 80 ': -0.3mm~ + 0.3mm
ウエハテーブルWTBの可動範囲ST3' :−0.3mm〜+0.3mm The movable range of the wafer table WTB ST3 ': -0.3mm~ + 0.3mm
この場合、ステージ制御装置20は、装置の非稼動時に、各エアマウント60、各エアマウント80及びウエハテーブルWTBそれぞれのストロークリミットの全てを、装置の稼動時と異なる値に設定しているが、これに限らず、各エアマウント60、各エアマウント80及びウエハテーブルWTBそれぞれのストロークリミットのうちの1つ、又は2つを装置の稼動時とは異なる値に設定することとしても良い。 In this case, the stage controller 20, during non-operation of the apparatus, each air mount 60, all of the respective air mount 80 and wafer table WTB each stroke limit, but is set to a value different from the time of operation of the apparatus, not limited thereto, the air mount 60, one of the air mounts 80 and wafer table WTB each stroke limit, or may be set to a value different from two and during the operation of the device.

更に、主制御装置50によって実行されるプログラムによらず、オペレータがステージ停止座標を指定して任意の位置にウエハステージWSTを動かす場合や、あるいはオペレーションデスクに設けられたジョイスティックなどを用いて任意の位置にウエハステージWSTを動かす、マニュアルオペレーション時などには、少なくともウエハステージWSTの移動中はウエハテーブルWTBを最下点付近(例えば−0.4mmの位置)に位置決めした上で、可動範囲ST1'〜ST3'が次のようになるように、それぞれのストロークリミットを設定するようにしても良い。 Furthermore, regardless of the program executed by the main control unit 50, the operator or when specifying the stage stop coordinates move the wafer stage WST in any position, or operations desk joystick etc. Any use provided located move the wafer stage WST, the like during manual operation, in terms of positioning the wafer table WTB is during the movement of at least wafer stage WST in the vicinity of the lowest point (e.g. -0.4mm position), the movable range ST1 ' ~ST3 'is such as follows, it may be set the respective stroke limit.

各エアマウント60の可動範囲ST1' :−0.2mm〜+0.2mm Movable range ST1 of each air mount 60 ': -0.2mm~ + 0.2mm
各エアマウント80の可動範囲ST2' :−0.2mm〜+0.2mm Movable range ST2 of each air mount 80 ': -0.2mm~ + 0.2mm
ウエハテーブルWTBの可動範囲ST3' :−0.5mm〜−0.3mm The movable range of the wafer table WTB ST3 ': -0.5mm~-0.3mm
このようにすると、ウエハテーブルWTBが大きく傾いていた場合であっても、ウエハステージWSTの移動中に、投影ユニットPU(先玉91)がウエハテーブルWTBに干渉する事態が発生するのをより確実に回避することができる。 In this way, even when the wafer table WTB is inclined largely, during the movement of wafer stage WST, more reliable projection unit PU (the top lens 91) that interferes with the situation in the wafer table WTB is generated it can be avoided to.

なお、非常時の対策として、上記実施形態の露光装置において、例えば、図7に示されるように、各第1のバルブ76に接続されていたオリフィス78を排除し(あるいは該オリフィス78を介して)、各第1のバルブ76のハウジング61とは反対側の端部を加圧気体の供給源、例えば、圧搾空気タンク96に接続しておいても良い。 As emergency measures, in the exposure apparatus in the embodiment above, for example, as shown in FIG. 7, the orifice 78 is connected to each of the first valve 76 to eliminate (or via the orifice 78 ), a source of pressurized gas to the end opposite to the housing 61 of the first valve 76, for example, may have been connected to the spray tank 96. この場合も、平常時には前述と同様に、第1、第2のバルブ76、94は、第1の防振コントローラ72、第2の防振コントローラ90によってそれぞれ閉じておく。 Again, a normal time in the same manner as described above, first, second valve 76,94 is first vibration damping controller 72, are closed respectively by a second vibration damping controller 90. このようにすると、非常時に、ノーマルオープン型の電磁バルブである、第1のバルブ76、第2のバルブ94が開放されると、各エアマウント80の気体室84内の空気は大気中に排気されるが、各エアマウント60の気体室64内には、圧搾空気タンク96からの加圧空気が流入する。 In this way, in an emergency, a normally open type electromagnetic valve, the first valve 76, the second valve 94 is opened, air in the gas chamber 84 of each air mount 80 is vented to the atmosphere but is the, in the gas chamber 64 of each air mount 60, pressurized air from compressed air tank 96 flows. この結果、ステージベース71は下降するのに対し、鏡筒定盤38は上昇するので、より確実に投影ユニットPUとウエハテーブルWTBとの干渉が生じるのを回避することができる。 As a result, while the stage base 71 lowered, since the barrel surface plate 38 increases, it is possible to avoid interference with the more reliably projection unit PU and wafer table WTB from occurring.

なお、上記実施形態では、鏡筒定盤38とステージベース71との両方を、所定ストローク範囲で重力方向に沿って移動可能なように、床面Fに対して防振しつつ支持する防振部を、露光装置100が備え、ステージ制御装置20が、ウエハテーブルWTBのストローク範囲ST3内における可動範囲ST3'を制限するストロークリミットと、鏡筒定盤38のストローク範囲ST1内における可動範囲ST1'を制限するストロークリミットと、ステージベース71のストローク範囲ST2内における可動範囲ST2'を制限するストロークリミットとを、シーケンスに応じて設定する場合について説明した。 In the above embodiment, both the barrel platform 38 and the stage base 71, so as to be movable along the direction of gravity in a predetermined stroke range, anti-vibration supporting while anti-vibration to the floor surface F the parts, with the exposure apparatus 100, the stage controller 20, the movable range ST3 in the stroke range in ST3 of wafer table WTB 'and stroke limit for restricting a movable range ST1 in the stroke range ST1 of barrel platform 38' a stroke limit for limiting, and a stroke limit for limiting the movable range ST2 'within the stroke range ST2 of stage base 71, has been described a case where set according to the sequence. しかしながら、本発明がこれに限定されないことは勿論である。 However, the present invention is not limited to this of course. すなわち、本発明の露光装置は、光学系ユニット(上記実施形態では、投影ユニットPUがこれに相当)を保持する保持部材(上記実施形態では、鏡筒定盤38がこれに相当)とベース(上記実施形態ではステージベース71がこれに相当)との少なくとも一方を、所定ストローク範囲で重力方向に沿って移動可能なように、床面に対して防振しつつ支持する防振部を備えていれば良く、移動体(上記実施形態ではウエハテーブルWTBがこれに相当)を駆動する駆動系及び前記防振部を制御する制御装置(上記実施形態ではステージ制御装置20がこれに相当)が、前記移動体のストロークリミットと、前記保持部材と前記ベースとの少なくとも一方のストロークリミットとを、シーケンスに応じて設定するものであれば良い。 That is, the exposure apparatus of the present invention, (in the above embodiment, the projection unit PU equivalent) optical system unit (in the above embodiment, corresponding to this barrel platform 38) holding member for holding the base ( at least one of the stage base 71 and corresponds) to the above embodiments, so as to be movable along the direction of gravity in a predetermined stroke range, equipped with anti-vibration unit which supports while anti-vibration to the floor surface may be Re, mobile (corresponding to the stage control unit 20 in the above embodiment this) control device for controlling the drive system and the anti-vibration unit for driving the (above-described wafer table WTB is equivalent thereto in the form) is, wherein the stroke limit of the moving body, and at least one of the stroke limit of the base and the retaining member, as long as it is set according to the sequence. かかる場合にも、制御装置では、シーケンス毎に、保持部材とベースとの少なくとも一方の必要な可動範囲と、移動体の必要な重力方向の可動範囲とを予め計算で求め、それぞれのシーケンスにて保持部材とベースとの少なくとも一方及び移動体のストロークリミットを設定し直すことで、光学系ユニットと移動体とが接触し相互に干渉しないように制御することが可能となる。 Even such a case, the control unit, for each sequence, and at least one of the required range of movement of the holding member and the base, determined by precalculated and a movable range of the required gravitational direction of the moving body, at respective sequences holding member and base and of that reset the stroke limit of at least one and mobile, it is possible to control so as not to interfere with each other in contact with the optical system unit and the moving body.

また、上記実施形態では、各第1のエアマウント60がストローク範囲ST1の最下位置にあり、各第2のエアマウント80及びウエハテーブルWTBがそれぞれのストローク範囲ST2、ST3の最上位置にあるとき、投影ユニットPUの最下部とウエハテーブルWTBとが干渉するように、各第1のエアマウント、各第2のエアマウント及びウエハテーブルWTBそれぞれのストローク範囲が設定されている場合について説明したが、本発明がこれに限定されるものではない。 In the above embodiment, when the first air mount 60 is in the lowermost position of the stroke range ST1, each second air mounts 80 and wafer table WTB are in the top position of each stroke range ST2, ST3 as the bottom and the wafer table WTB of projection unit PU is interference, the first air mount, but when been described that the second air mount and wafer table WTB each stroke range is set, but the present invention is not limited thereto. 例えば、本発明の露光装置では、第1のエアマウント、第2のエアマウント及び移動体のそれぞれが、それぞれの所定ストローク範囲内で移動したときに、少なくとも第1のエアマウントの所定ストローク範囲の一部の範囲で、光学系ユニットの最下部と移動体とが干渉するように、第1のエアマウント、第2のエアマウント及び移動体それぞれのストローク範囲が設定されていても良い。 For example, in the exposure apparatus of the present invention, the first air mounts, each of the second air mount and moving body, when moving in the respective predetermined stroke range, a predetermined stroke range of at least a first air mount in some of the range, as the bottom and a mobile optical system unit interferes, first air mount, a second air mounts and each stroke range mobile may be set.

また、上記実施形態では、XYステージ上にZ・チルト駆動部29を介して載置されたウエハテーブルWTBが移動体を構成する場合について説明したが、これに限らず、ウエハステージWSTそのものを、X軸、Y軸方向の2次元移動に加え、少なくともZ軸方向に関する微小駆動が可能な単一のステージで構成する場合には、そのステージそのものが移動体を構成しても良いことは勿論である。 Further, in the above embodiment, the wafer table WTB which is placed over the Z · tilt driving unit 29 on the XY stage has been described the case that constitutes the movable body is not limited to this, the wafer stage WST itself, X-axis, in addition to the two-dimensional movement of the Y-axis direction, when configured with a single stage capable fine drive for at least the Z-axis direction, it is a matter of course that the stage itself may constitute mobile is there.

上記実施形態では、投影ユニットPUが光学系ユニットを構成し、先玉91の下面が、保持部材としての鏡筒定盤38に保持された投影ユニットPUの最下端部の部材である場合について説明したが、前述した多点AF系を構成するプリズムなどが、投影ユニットPUの鏡筒に設けられるような場合もあり、そのような場合には、そのようなプリズムなども含んで光学系ユニットが構成され、前記プリズムが鏡筒定盤38に保持された部材の最下部となり得る。 In the above embodiment, projection unit PU is the optical system unit, the lower surface of the top lens 91, when a member of the lowermost end of the projection unit PU, which is held on the barrel platform 38 as a holding member for a description but was, like a prism constituting the multipoint AF system described above can, in some cases, such as those installed on a barrel of projection unit PU, in such a case, the optical system unit also includes such such prisms is configured, the prism can be a bottom of the member held by barrel platform 38. あるいは、鏡筒定盤38に保持された液体供給ノズル51A又は液体回収ノズル51Bが、ウエハテーブルWTBと対向して鏡筒定盤38に保持された部材の最下部となる場合もある。 Alternatively, the barrel base 38 liquid supply nozzle 51A or the liquid recovery nozzle 51B is held in the, in some cases wafer table WTB and opposite to the bottom of the member held by barrel platform 38. すなわち、鏡筒定盤38に保持された部材の最下端部の部材は、投影ユニットPUの先玉91に限られず、鏡筒定盤38が保持し、ウエハテーブルWTBと対向する部材の最下部であれば何であっても構わない。 That is, the lowermost end of the members of the member held by the barrel surface plate 38 is not limited to the front lens 91 of projection unit PU, the bottom of the barrel platform 38 is held, the wafer table WTB facing the member it may be any material as long as the.

また、上記実施形態では、各第1のエアマウント60と、各第2のエアマウント80と、ウエハテーブルWTBとのそれぞれのストロークリミットをシーケンスに応じて設定する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。 In the above embodiment, the respective first air mount 60, and the second air mount 80, the case has been described where the set according to each of the stroke limit of the wafer table WTB in the sequence, the present invention is the present invention is not limited to this. 例えば、シーケンス中であってもウエハテーブルWTBと投影ユニットPUの最下部とが干渉しないように、それぞれの位置関係に応じてウエハテーブルWTB、各第1のエアマウント60、各第2のエアマウント80のいずれかを制御するようにしても良い。 For example, as the bottom do not interfere in the wafer table WTB and projection unit PU even in the sequence, wafer table WTB, the first air mount 60, the second air mount according to the respective positional relationships it may be controlled to either 80. すなわち、本発明の露光装置では、移動体(例えば、前述のウエハテーブルWTBがこれに相当)の上方に配置され移動体に対向して設けられる部材(例えば、前述の投影ユニットPU、液体供給ノズル51A、液体回収ノズル51Bなど)と、移動体を移動可能に支持するベース(例えば、前述のステージベース71がこれに相当)との距離が、可変部(例えば、前述の防振部がこれに相当)によって所定ストローク範囲内で変更可能となっており、前記部材と前記ベースとが可変部の所定ストローク範囲内で最も接近し、かつ移動体が所定ストローク範囲の最高位置(最上位置)にあるときに、前記部材の最下部と移動体とが干渉する場合において、制御装置(例えば、前述のステージ制御装置20がこれに相当)が、その部材と移動体 That is, in the exposure apparatus of the present invention, the mobile (for example, corresponding to this wafer table WTB above) member provided to face the movable body is disposed above (e.g., the aforementioned projection unit PU, the liquid supply nozzle 51A, and the like liquid recovery nozzle 51B), the base which movably supports the movable body (e.g., the distance between the corresponding) to the stage base 71 described above are the variables (e.g., in this anti-vibration unit of the above the equivalent) has a changeable within a predetermined stroke range, the said member base and is closest within a predetermined stroke range of the variable portion, and the moving body is in the highest position of the predetermined stroke range (the uppermost position) Occasionally, when the mobile interferes with the bottom of the member, the control device (e.g., corresponding to the stage control unit 20 described above) it is mobile and its member の干渉が起こらないように駆動系と可変部との少なくとも一方を制御するようにしても良い。 The interference may be controlled at least one of the drive system and the variable portion so as not to occur. これによっても移動体と前記部材との干渉(衝突)を防止することができる。 This also makes it possible to prevent interference between the and the mobile member (collision).

なお、上記実施形態では、液体として超純水(水)を用いるものとしたが、本発明がこれに限定されないことは勿論である。 In the above embodiment, it is assumed to use ultra pure water (water) as a liquid, the present invention is not limited to this of course. 液体としては、化学的に安定で、照明光ILの透過率が高く安全な液体、例えばフッ素系不活性液体を使用しても良い。 The liquid, a chemically stable, having high transmittance safe liquid of the illumination light IL, may be used, such as a fluorine-containing inert liquid. このフッ素系不活性液体としては、例えばフロリナート(米国スリーエム社の商品名)が使用できる。 As the fluorine-containing inert liquid, for example, Fluorinert (the brand name of 3M United States) can be used. このフッ素系不活性液体は冷却効果の点でも優れている。 The fluorine-based inert liquid is also excellent from the point of cooling effect. また、液体として、照明光ILに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、また、投影光学系やウエハ表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの(例えばセダー油等)を使用することもできる。 Further, as a liquid, illumination light high as possible refractive index There is permeable to IL, also to use a stable (e.g. cedar oil, etc.) with respect to the photoresist coated on the projection optical system and the wafer surface it is also possible. また、光源としてF 2レーザを用いる場合には、液体として、フッ素系の液体(例えば、フォンブリンオイル)を使用することができる。 In the case of using the F 2 laser as the light source, as a liquid, it can be used a fluorine-based liquid (e.g., Fomblin oil).

また、上記実施形態で、回収された液体を再利用するようにしても良く、この場合は回収された液体から不純物を除去するフィルタを液体回収装置、又は回収管等に設けておくことが望ましい。 Further, in the above embodiment, may be reused recovered liquid, it is desirable to provide a filter for removing impurities in this case from the collected liquid liquid recovery unit, a recovery pipe or the like .

なお、上記実施形態では、投影光学系PLの最も像面側の光学素子が先玉91であるものとしたが、その光学素子は、レンズに限られるものではなく、投影光学系PLの光学特性、例えば収差(球面収差、コマ収差等)の調整に用いる光学プレート(平行平面板等)であっても良いし、単なるカバーガラスであっても良い。 In the above embodiment, although the optical element closest to the image plane side of the projection optical system PL is assumed to be front lens 91, the optical element is not limited to a lens, the optical characteristics of the projection optical system PL , for example, the aberration (spherical aberration, coma aberration, etc.) may be an optical plate (parallel plane plate, etc.) used to adjust, it may be a simple cover glass. 投影光学系PLの最も像面側の光学素子(上記実施形態では先玉91)は、照明光ILの照射によってレジストから発生する飛散粒子又は液体中の不純物の付着等に起因して液体(上記実施形態では水)に接触してその表面が汚れることがある。 The optical element closest to the image plane side of the projection optical system PL (the top lens 91 in the above embodiment), the illumination light IL scattering particles or due to liquid (above adhesion of impurities in the liquid generated from the resist by the irradiation of in embodiments may dirty its surface in contact with water). このため、その光学素子は、鏡筒40の最下部に着脱(交換)自在に固定することとし、定期的に交換することとしても良い。 Therefore, the optical element, and that the bottom in the detachable (interchangeable) freely fixed barrel 40, may be replaced periodically.

このような場合、液体に接触する光学素子がレンズであると、その交換部品のコストが高く、かつ交換に要する時間が長くなってしまい、メンテナンスコスト(ランニングコスト)の上昇やスループットの低下を招く。 In this case, when the optical element in contact with the liquid is a lens, high cost of replacement parts, and becomes longer time required for replacement, lowering the increase and the throughput in the maintenance cost (running cost) . そこで、液体と接触する光学素子を、例えばレンズ91よりも安価な平行平面板とするようにしても良い。 Therefore, the optical element to make contact with the liquid may be an inexpensive plane parallel plate than, for example, a lens 91.

また、上記実施形態において、液体(水)を流す範囲はレチクルのパターン像の投影領域(照明光ILの照射領域)の全域を覆うように設定されていれば良く、その大きさは任意で良いが、流速、流量等を制御する上で、照射領域よりも少し大きくしてその範囲をできる限り小さくしておくことが望ましい。 In the above embodiment, the range of flow of the liquid (water) only needs to be set to cover the entire area of ​​the projection area of ​​the pattern image of the reticle (irradiation area of ​​illumination light IL), its size may be arbitrary There, flow rate, in controlling the flow rate, etc., it is desirable to minimize the scope and slightly larger than the irradiation area.

また、上記実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式等の走査型露光装置に本発明が適用された場合について説明したが、本発明の適用範囲がこれに限定されないことは勿論である。 In the above embodiment, the case has been described where the present invention is applied to a scanning exposure apparatus such as a step-and-scan method, that the scope of the present invention is not limited to this of course. すなわちステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置、さらに、ステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置、又はプロキシミティ方式の露光装置などにも、本発明は適用できる。 That projection exposure apparatus by a step-and-repeat method, further, the exposure apparatus of step-and-stitch method, or to an exposure apparatus of proximity type, the present invention is applicable.

露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置や、有機EL、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD等)、マイクロマシン及びDNAチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。 The use of the exposure apparatus is not limited to the exposure apparatus for manufacturing semiconductor, for example, exposure apparatus for transferring a liquid crystal display device pattern onto a rectangular glass plate, an organic EL, thin-film magnetic heads, imaging devices (CCD, etc.), can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing micromachines, DNA chips, and the like. また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。 In addition to micro devices such as semiconductor devices, optical exposure apparatus, EUV exposure apparatus, X-ray exposure apparatus, and in order to produce a reticle or mask used in an electron beam exposure device, a glass substrate or a silicon wafer, etc. also the present invention can be applied to an exposure apparatus for transferring a circuit pattern.

また、上記各実施形態の露光装置の光源は、ArFエキシマレーザ光源に限らず、KrFエキシマレーザ光源、F 2レーザ光源などのパルスレーザ光源や、g線(波長436nm)、i線(波長365nm)などの輝線を発する超高圧水銀ランプなどを用いることも可能である。 Further, the light source of the exposure apparatus of the above embodiment is not limited to the ArF excimer laser light source, KrF excimer laser light source, or a pulsed laser light source such as F 2 laser light source, g-line (wavelength 436 nm), i-line (wavelength 365 nm) it is also possible to use a high pressure mercury lamp that generates an emission line such as a.

また、DFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(又はエルビウムとイッテルビウムの両方)がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。 Further, the infrared region, which is oscillated from the DFB semiconductor laser or fiber laser, or a single-wavelength laser beam in the visible region, for example, erbium (or both erbium and ytterbium) is a fiber amplifier doped with, a nonlinear optical crystal it may be used harmonic by converting the wavelength into ultraviolet light using. また、投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでも良い。 Further, the magnification of the projection optical system can be either equal magnification and magnifying system not only a reduction system.

また、上記実施形態では、露光装置の照明光ILとしては波長100nm以上の光に限らず、波長100nm未満の光を用いても良いことはいうまでもない。 In the above embodiment, the illumination light IL of the exposure apparatus is not limited to the above wavelength 100nm light, it may of course be used with light having a wavelength less than 100nm. 例えば、近年、70nm以下のパターンを露光するために、SORやプラズマレーザを光源として、軟X線領域(例えば5〜15nmの波長域)のEUV(Extreme Ultraviolet)光を発生させるとともに、その露光波長(例えば13.5nm)の下で設計されたオール反射縮小光学系、及び反射型マスクを用いたEUV露光装置の開発が行われている。 For example, in recent years, in order to expose a pattern equal to or less than 70nm, the SOR or a plasma laser as a light source to generate an EUV (Extreme Ultraviolet) light in a soft X-ray range (e.g. a wavelength range of 5 to 15 nm), the exposure wavelength (e.g., 13.5 nm) All reflection reduction optical system designed under the and development of EUV exposure apparatus using a reflective mask is performed. この装置においては、円弧照明を用いてマスクとウエハを同期走査してスキャン露光する構成が考えられる。 In this apparatus, configured to scanning exposure is performed by synchronously scanning a mask and a wafer using a circular arc illumination can be considered.

また、電子線又はイオンビームなどの荷電粒子線を用いる露光装置にも、本発明は適用できる。 Moreover, even an exposure apparatus that uses charged particle beams such as an electron beam or an ion beam, the present invention is applicable. なお、電子線露光装置は、ペンシルビーム方式、可変成形ビーム方式、セルプロジェクション方式、ブランキング・アパーチャ・アレイ方式、及びマスク投影方式のいずれであっても良い。 The electron beam exposure apparatus, the pencil beam method, a variable-shaped beam method, a cell projection method, a blanking aperture array method, and may be either a mask projection method. 例えば、電子線を用いる露光装置では、電磁レンズを備えた光学系が用いられるが、この光学系が露光用光学系を構成し、この露光用光学系の鏡筒などを含んで光学系ユニットが構成される。 For example, in an exposure apparatus using an electron beam is an optical system having an electromagnetic lens is used, the optical system constitutes an exposure optical system, the optical system unit, and the like barrel of the exposure optical system constructed.

なお、半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した調整方法によりパターンの転写特性が調整される上記実施形態の露光装置で、マスクに形成されたパターンを感光物体上に転写するリソグラフィステップ、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)、検査ステップ等を経て製造される。 The semiconductor device includes the steps of performing a function and performance design of the device, the step of fabricating a reticle based on the designing step, a step of fabricating a wafer from silicon material, the transfer characteristic of the pattern by adjusting the above-described method is adjusted in the exposure apparatus of the above embodiment, the lithographic step, a device assembly step of transferring a pattern formed on a mask onto the photosensitive object (dicing, bonding, including packaging step), and an inspection step or the like.

本発明の露光装置は、半導体素子、液晶表示素子などのマイクロデバイスの製造に適している。 The exposure apparatus of the present invention, a semiconductor device is suitable for manufacture of microdevices such as a liquid crystal display device.

一実施形態の露光装置100の概略構成を示す図である。 It is a view showing the schematic arrangement of an exposure apparatus 100 in the embodiment. 図1の鏡筒定盤の一端部近傍及びベースの一端部近傍の構成部分を、一部断面して示す図である。 The vicinity of one end and the base end configuration portion in the vicinity of the barrel base of FIG. 1, showing in partial cross-section. 図1の露光装置の制御系の主要部を示すブロック図である。 It is a block diagram showing a main part of a control system of the exposure apparatus in FIG 1. リセットシーケンス時のステージ制御装置の処理アルゴリズムを示すフローチャートである。 It is a flowchart illustrating a processing algorithm of the stage controller during the reset sequence. 第1のエアマウント、第2のエアマウント及びウエハテーブルのストローク範囲を示す図である。 First air mount is a diagram showing a stroke range of the second air mount and wafer table. リセットシーケンス終了後の、第1のエアマウント、第2のエアマウント及びウエハテーブルのそれぞれの可動範囲を示す図である。 After the reset sequence is completed, the first air mount is a diagram showing the respective movable range of the second air mount and wafer table. 変形例を示す図である。 It is a diagram showing a modified example.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

20…ステージ制御装置(制御装置)、28…XYステージ(駆動系の一部)、29…Z・チルト駆動部(駆動系の一部)、31…XY駆動部(駆動系の一部)、33…Z・チルトコントローラ(駆動系の一部)、38…鏡筒定盤(保持部材)、56…第1の防振機構(防振部の一部)、60…第1のエアマウント、66…第2の防振機構(防振部の一部)、71…ベース、72…第1の防振コントローラ(防振部の一部、第1の調整部)、76…第1のバルブ、78…第1のオリフィス、80…第2のエアマウント、90…第2の防振コントローラ(防振部の一部、第2の調整部)、94…第2のバルブ、95…第2のオリフィス、96…圧搾空気タンク(加圧気体の供給源)、100…露光装置、132…液浸装置、IL…照明光(エネ 20 ... stage controller (control device), 28 ... (part of the drive system) XY stage, 29 ... Z · tilt driving unit (a part of the drive system), 31 ... XY drive unit (part of the drive system), 33 ... Z · tilt controller (part of the drive system), 38 ... barrel surface plate (holding member), 56 ... first vibration isolating mechanism (part of the anti-vibration unit), 60 ... first air mount, 66 ... second vibration isolating mechanism (part of the anti-vibration unit), 71 ... base, 72 ... (a part of the anti-vibration unit, a first adjuster) first vibration damping controller, 76 ... first valve , 78 ... first orifice, 80 ... second air mount, 90 ... second anti-vibration controller (part of the anti-vibration unit, the second adjusting portion), 94 ... second valve, 95 ... second orifice, 96 ... (a source of pressurized gas) spray tank, 100 ... exposure apparatus, 132 ... immersion apparatus, IL ... illumination light (energy ギビーム)、W…ウエハ(感光物体)、PU…投影ユニット(光学系ユニット)、PL…投影光学系(露光光学系)、F…床面、WTB…ウエハテーブル(移動体)。 Gibimu), W ... wafer (photosensitive object), PU ... projection unit (optical system unit), PL ... projection optical system (exposure optical system), F ... floor, WTB ... wafer table (mobile).

Claims (18)

  1. エネルギビームにより感光物体を露光して前記感光物体上に所定のパターンを形成する露光装置であって、 An exposure apparatus for forming a predetermined pattern on the photosensitive on the object by exposing a photosensitive object with an energy beam,
    前記エネルギビームを前記感光物体に照射する露光光学系を含む光学系ユニットと; An optical system unit comprising an exposure optical system that irradiates the energy beam on the photosensitive object;
    前記光学系ユニットを保持する保持部材と; A holding member for holding the optical unit;
    前記保持部材とは独立して、前記光学系ユニットの下方に配置され、床面にほぼ平行な上面を有するベースと; Independently of the holding member, it is disposed below the optical unit, a base having a substantially parallel top surface to the floor;
    前記感光物体が載置され、前記ベースの上面に沿って移動可能で、かつ重力方向にも所定ストローク範囲で移動可能な移動体と; The photosensitive object is mounted, movable along the upper surface of the base, and a movable mobile in a predetermined stroke range in the direction of gravity;
    前記移動体を駆動する駆動系と; A drive system for driving the movable body;
    前記保持部材と前記ベースとの少なくとも一方を、所定ストローク範囲で重力方向に沿って移動可能なように、前記床面に対して防振しつつ支持する防振部と; At least one of the base and the holding member, so as to be movable along the direction of gravity in a predetermined stroke range, the anti-vibration unit which supports while anti-vibration to the floor surface;
    前記駆動系及び前記防振部を制御するとともに、前記移動体の前記所定ストローク範囲内における可動範囲を制限するストロークリミットと、前記保持部材と前記ベースとの前記少なくとも一方の前記所定ストローク範囲内における可動範囲を制限するストロークリミットとを、シーケンスに応じて設定する制御装置と;を備える露光装置。 Controls the drive system and the anti-vibration unit, a stroke limit for limiting the movable range within the predetermined stroke range of said moving member, within said at least one of the predetermined stroke range of said retaining member and said base and a stroke limit for limiting the movable range, control unit and set according to the sequence; exposure apparatus comprising a.
  2. 前記防振部は、前記保持部材の前記床面からの高さを所定ストローク範囲で変更可能な第1のエアマウントと、前記ベースの前記床面からの高さを所定ストローク範囲で変更可能な第2のエアマウントと、前記制御装置からの指示に応じて、前記第1、第2のエアマウントそれぞれの可動範囲を制限するストロークリミットをそれぞれ設定するとともに、前記第1、第2のエアマウントの内圧をそれぞれ調整する第1、第2の調整部と、を有することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 The anti-vibration unit, changeable first and air mount that can be changed in a predetermined stroke range the height from the floor surface of the holding member, the height from the floor of the base in a predetermined stroke range a second air mount, in accordance with an instruction from the control device, the first, sets the stroke limit respectively for limiting the second air mounts each of the movable range, the first, second air mount first adjusting the internal pressure, respectively, the exposure apparatus according to claim 1, characterized in that it comprises a second adjusting unit.
  3. 前記第1のエアマウントが前記ストローク範囲の最下位置にあり、前記第2のエアマウントが前記ストローク範囲の最下位置にあるとき、前記保持部材に保持され前記移動体と対向する部材と前記移動体とは干渉しないように、前記第1のエアマウント、前記第2のエアマウント及び前記移動体それぞれのストローク範囲が設定されていることを特徴とする請求項2に記載の露光装置。 Said first air mount is in the lowermost position of the stroke range, when said second air mount is in the lowermost position of the stroke range, said a member facing the moving member is held by the holding member so as not to interfere with the moving body, said first air mount, the exposure apparatus according to claim 2, wherein the second air mount and the moving body each stroke range is set.
  4. 前記第1のエアマウントが前記ストローク範囲の最下位置にあり、前記第2のエアマウント及び前記移動体がそれぞれのストローク範囲の最上位置にあるとき、前記保持部材に保持され前記移動体と対向する部材の最下部と前記移動体とが干渉するように、前記第1のエアマウント、第2のエアマウント及び前記移動体それぞれのストローク範囲が設定されていることを特徴とする請求項3に記載の露光装置。 Said first air mount is in the lowermost position of the stroke range, when said second air mount and the movable body is in the uppermost position of each stroke range, the movable body facing held by the holding member to as the bottom and the moving body is interference member, said first air mount, in claim 3 in which the second air mount and the moving body each stroke range is characterized in that it is set the exposure apparatus according.
  5. 前記第1のエアマウント、前記第2のエアマウント及び前記移動体のそれぞれが、それぞれの所定ストローク範囲内で移動したときに、少なくとも前記第1のエアマウントの所定ストローク範囲の一部の範囲で、前記保持部材に保持され前記移動体と対向する部材の最下部と前記移動体とが干渉するように、前記第1のエアマウント、前記第2のエアマウント及び前記移動体それぞれのストローク範囲が設定されていることを特徴とする請求項3に記載の露光装置。 Said first air mounts, each of the second air mount and the moving body, when moving in the respective predetermined stroke range, a part of the range of a predetermined stroke range of at least said first air mount as the bottom of the member opposed to the movable body held by the holding member and the moving body is interference, the first air mount, the second air mount and the moving body each stroke range an apparatus according to claim 3, characterized in that it is set.
  6. 前記制御装置は、前記第1のエアマウントが前記ストローク範囲内における可動範囲の最下位置にあり、前記第2のエアマウント及び前記移動体がそれぞれのストローク範囲内における可動範囲の最上位置にあるとき、前記保持部材に保持され前記移動体と対向する部材と前記移動体との干渉が生じないように、前記第1のエアマウント、前記第2のエアマウント及び前記移動体それぞれのストロークリミットを設定することを特徴とする請求項3〜5のいずれか一項に記載の露光装置。 Wherein the control device is in the lowermost position of the movable range in the first air mount within the stroke range, the second air mount and the movable body is in the uppermost position of the movable range in the respective stroke range when, as interference between the moving entity and member facing the moving member is held by the holding member is not generated, the first air mount, the second air mount and the moving body each stroke limit the exposure apparatus according to any one of claims 3-5, characterized in that the setting.
  7. 前記制御装置は、前記第1、前記第2のエアマウント及び前記移動体の重力方向に関する位置をそれぞれの原点位置に設定するリセットシーケンス時と、その他のシーケンス時とで、前記第1のエアマウント、第2のエアマウント及び前記移動体それぞれのストロークリミットの少なくとも1つの設定を変更することを特徴とする請求項4〜6のいずれか一項に記載の露光装置。 It said control device, said first, said at a reset sequence for setting the second air mount and position regarding the gravity direction of the moving body to each of the home position, and when the other sequence, the first air mount the exposure apparatus according to any one of claims 4-6, characterized in that changing at least one setting of the second air mount and the moving body each stroke limit.
  8. 前記制御装置は、前記リセットシーケンス時には、前記第1のエアマウント、前記第2のエアマウント、前記移動体の順に、それぞれのストロークリミットの最初の設定を開始することを特徴とする請求項7に記載の露光装置。 The control device, when the reset sequence, the first air mount, the second air mount, in the order of the moving body, to claim 7, characterized in that to start the initial configuration of each stroke limit the exposure apparatus according.
  9. 前記制御装置は、前記リセットシーケンス時には、前記第1のエアマウントのストロークリミットを、前記保持部材に保持され前記移動体と対向する部材と前記移動体との干渉が生じない範囲に一旦設定し、その後に前記第2のエアマウント及び前記移動体のストロークを設定した後に、所望の範囲に再設定することを特徴とする請求項7又は8に記載の露光装置。 The control device, when the reset sequence, the stroke limit of said first air mount, held by the holding member is temporarily set in a range interference does not occur between the movable body facing the member and the movable body, after then setting the stroke of the second air mount and the moving body, the exposure apparatus according to claim 7 or 8, characterized in that resetting the desired range.
  10. 前記第1のエアマウントにその一端側が接続されたノーマルオープン型の第1のバルブと; A first valve normally open type whose one end is connected to the first air mount;
    前記第1のバルブの他端にその一端が接続され、他端が大気に開放された第1のオリフィスと; One end connected to the other end of the first valve, the first orifice and the other end is opened to the atmosphere;
    前記第2のエアマウントにその一端側が接続されたノーマルオープン型の第2のバルブと; A second valve normally open type whose one end is connected to the second air mount;
    前記第2のバルブの他端にその一端が接続され、他端が大気に開放された前記第1のオリフィスより大きな開口面積を有する第2のオリフィスと;を更に備え、 Further comprising a; the one end connected to the other end of the second valve, the other end a second orifice having a larger opening area than the first orifice which is open to the atmosphere
    平常時には前記第1、第2のバルブは、前記第1、第2の調整部によってそれぞれ閉じられていることを特徴とする請求項3〜9のいずれか一項に記載の露光装置。 Normal times said first, second valve, the first exposure apparatus according to any one of claims 3-9, characterized in that closed respectively by the second adjustment unit.
  11. 前記第1のエアマウントにその一端側が接続され、他端が加圧気体の供給源に接続されたノーマルオープン型の第1のバルブと; Wherein one end side connected to the first air mount, a first valve of the other end normally open type connected to a source of pressurized gas;
    前記第2のエアマウントにその一端側が接続され、他端が大気に開放されたノーマルオープン型の第2のバルブと;を更に備え、 Further comprising a; the one end side of the second air mount is connected, the other end a second valve normally open type which is open to the atmosphere
    平常時には前記第1、第2のバルブは、前記第1、第2の調整部によってそれぞれ閉じられていることを特徴とする請求項3〜9のいずれか一項に記載の露光装置。 Normal times said first, second valve, the first exposure apparatus according to any one of claims 3-9, characterized in that closed respectively by the second adjustment unit.
  12. 前記制御装置は、装置の非稼動時には前記第1のエアマウント、前記第2のエアマウント及び前記移動体それぞれのストロークのうちの少なくとも1つを装置の稼動時とは異なる値に設定することを特徴とする請求項2〜11のいずれか一項に記載の露光装置。 Wherein the control device, that is at the non-operation time of the apparatus is set to the first air mount, a value different from that during operation of the at least one device of said second air mounts and said each mobile Stroke the exposure apparatus according to any one of claims 2 to 11, characterized.
  13. 前記露光光学系と前記移動体上の感光物体との間に、液体を供給する液浸装置を更に備える請求項1〜12のいずれか一項に記載の露光装置。 Wherein between the exposure optical system and the photosensitive object on the movable body, the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 12, further comprising an immersion device for supplying liquid.
  14. 露光光学系からのエネルギビームにより感光物体を露光し、前記感光物体上に所定のパターンを形成する露光装置であって、 An exposure apparatus for exposing a photosensitive object with an energy beam and forms a predetermined pattern on the photosensitive object from the exposure optical system,
    前記感光物体を保持して、水平面内で移動可能でかつ重力方向に所定ストローク範囲で移動可能な移動体と; The photosensitive object holds a movable mobile in a predetermined stroke range in a movable and and the direction of gravity in a horizontal plane;
    略水平な上面を有し、前記移動体を前記上面上で移動可能に支持するベースと; Substantially it has a horizontal top surface, a base that movably supports the movable body on said upper surface;
    前記移動体を駆動する駆動系と; A drive system for driving the movable body;
    前記移動体の上方に配置され、前記移動体に対向して設けられる部材と; Disposed above the movable body, and a member provided to face the movable body;
    前記部材と前記ベースとの重力方向に沿った方向の距離を、所定ストローク範囲内で変更する可変部と; The distance in the direction along the gravity direction of the member and the base, and a variable portion which changes within a predetermined stroke range;
    前記駆動系と前記可変部とを制御する制御装置と;を備え、 Comprising a; controller and for controlling said variable portion and the drive system
    前記部材と前記ベースとが前記可変部の所定ストローク範囲内で最も接近し、かつ前記移動体が所定ストローク範囲の最高位置にあるときに、前記部材の最下部と前記移動体とが干渉する場合において、 Wherein said member base and is closest within a predetermined stroke range of said variable portion, and the when the mobile is in the highest position of the predetermined stroke range, when the movable body interferes with the bottom of the member in,
    前記制御装置は、前記部材と前記移動体との干渉が起こらないように前記駆動系と前記可変部との少なくとも一方を制御することを特徴とする露光装置。 The control device, exposure and controlling at least one of said members and said driving system so that the interference does not occur between the moving entity and the variable part device.
  15. 前記可変部は、前記部材と前記ベースとを、重力方向に沿って移動可能にかつ個別に支持する第1可変機構と第2可変機構とを含むことを特徴とする請求項14に記載の露光装置。 The variable portion is exposed according to claim 14, characterized in that it comprises a first variable mechanism and a second variable mechanism for supporting the said and the member base, movable and individually along the direction of gravity apparatus.
  16. 前記制御装置は、前記移動体のストローク範囲における可動範囲、及び前記部材と前記ベースとのストローク範囲における可動範囲をそれぞれ制限するストロークリミットを、動作シーケンスに応じて設定することを特徴とする請求項14又は15に記載の露光装置。 The control device claims, characterized in that the movable range in the stroke range of the moving body, and a stroke limit for limiting the movable range, respectively, in the stroke range of the member and the base, set in accordance with the operation sequence An apparatus according to 14 or 15.
  17. 前記部材は、前記露光光学系を含むことを特徴とする請求項14〜16のいずれか一項に記載の露光装置。 The member, an exposure apparatus according to any one of claims 14 to 16, characterized in that it comprises the exposure optical system.
  18. 前記露光光学系と前記感光物体との間に、前記エネルギビームを透過する液体を供給する液浸装置を、更に備え、 Between the photosensitive object with the exposure optical system, the immersion device supplies the liquid that passes through the energy beam, further comprising,
    前記部材は、前記液浸装置の少なくとも一部を含むことを特徴とする請求項14〜17のいずれか一項に記載の露光装置。 The member, an exposure apparatus according to any one of claims 14 to 17, characterized in that it comprises at least a portion of the immersion apparatus.
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