JP2007006100A - サーキュレータ - Google Patents

Abstract

【課題】 ＨＦ帯での安定動作が可能な集中定数型のサーキュレータを提供する。
【解決手段】 飽和磁化が１８０ｍＴであるＬｉフェライトからなる２枚の円板状のフェライト板１ａ，１ｂを作製し、一方のフェライト板１ｂの上面に、４本の導線２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄを一組とした３組の導線パターンを導体電極パターンとして接着し、その上に他方のフェライト板１ａを貼り付け、フェライト板１ａの上面及びフェライト板１ｂの下面には、接地電極となる銅板３ａ及び３ｂを接着する。これらの銅板３ａ，フェライト板１ａ，３組の導線２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ、フェライト板１ｂ及び銅板３ｂを積層一体化させたフェライト体を鉄製のヨーク６で挾み、更にヨーク６を挟むように永久磁石７を設ける。共鳴周波数が１３．５６ＭＨｚとなる飽和磁化１８０ｍＴまで低下させてもキュリー点は常温よりも十分に高く、常温で安定的に動作するＨＦ帯サーキュレータ１０を得る。
【選択図】 図１

Description

本発明は、フェライト素子を用いた集中定数型のサーキュレータに関し、特に、ＨＦ帯（３〜３０ＭＨｚ）で動作するサーキュレータに関する。

ＲＦＩＤシステムにおいて、ＩＣカードと中枢装置との間で、送信機・受信機一体の通信機を介して信号の送信・受信を行う場合、システムの形態上、送信時と受信時とでアンテナを共用することが一般的である。通常ＩＣカードは電源を有していないため、ＩＣカードに対する質問用の信号だけでなく、ＩＣカードを動作させるための電気エネルギもＩＣカードへ送信する必要がある。よって、送信機からＩＣカードへの送信電力は、数Ｗ以上である場合がほとんどである。一方、ＩＣカードからの受信信号は数ｍＷ以下、μＷレベルの信号であり、受信機側で微弱な信号を増幅して信号処理を行っている。

このような微弱な信号を処理する受信機側に上述したような高レベルの送信信号が混入された場合には、受信機の許容レベルを遥かに超えたエネルギが印加されるので、受信機が損傷されることになる。よって、このような損傷を防止するために、アンテナ共用器として方向性結合器を用いて、送信信号が受信機側に混入しない工夫がなされている。ＵＨＦ帯以上（３００ＭＨｚ以上）の周波数を用いる携帯電話器などの機器にあっては、高効率で動作安定性が良い集中定数型のサーキュレータが方向性結合器として使用されている（例えば、特許文献１参照）。
特開平１１−９７９０７号公報

集中定数型のサーキュレータには、ＹＩＧ（イットリウム鉄ガーネット）製のフェライト素子のジャイロ磁気特性を応用したものが多く、ＹＩＧフェライト材に静磁界を印加して磁化を一方向に揃えた状態で、静磁界と直角方向に高周波磁界を印加した場合に、静磁界方向に対して右回りにＹＩＧフェライト材の磁化が才差運動することを利用している。この才差運動する周波数は、材料固有の値をとり、飽和磁化と略比例関係をなしている。このため、より低い周波数で動作させるために、材料となるＹＩＧに種々の元素を添加してＹＩＧの飽和磁化を低減させている。

しかしながら、元素の添加により同時にＹＩＧのキュリー温度も低下し、実質的にジャイロ磁気共鳴周波数が１００ＭＨｚ以下のものではキュリー温度が室温に近づいてくるので、室温で安定動作することができない。よって、ＹＩＧフェライトを用いたサーキュレータは、１００ＭＨｚ程度のＶＨＦ帯までが限界であり、ＨＦ帯で安定動作するものは製品化されていない。

ＲＦＩＤシステムでは、割り当てられている周波数がＩＳＭバンドの一つである１３．５６ＭＨｚである。上述したように、このＨＦ帯で安定動作するサーキュレータが製品化されていないので、現状では、ハイブリッドトランスを用いた方向性結合器が使用されている。

図１０は ハイブリッドトランスの構成図であり、図１１は、ハイブリッドトランスを用いた方向性結合器の動作を示す図である。ハイブリッドトランスは２個のトランスＴ１，Ｔ２を組み合わせた４端子素子であって（図１０参照）、一つのポートに信号を入力すると、左右のポートに入力信号の半分のレベルの信号が現れ、向かいのポートには信号が現れない（図１１参照）ことを利用している。よって、４個のポートの中の１個のポートにダミー負荷を設けることで方向性結合器を構成している。

しかしながら、この方向性結合器では、送信した信号の半分の電力がダミー負荷で消費され、一方、受信した信号の半分しか受信機側へ出力されないため、サーキュレータと比較した場合に、同等の受信電力を得るためには略４倍の送信電力が必要となり、効率が悪いという問題がある。また、ハイブリッドトランスは、ダミー負荷とアンテナとのインピーダンスバランスによって動作しているが、自動改札機などを通るＩＣカードでは、ＩＣカードの近接位置が人によって異なるため、送受信時のインピーダンスが人によって異なる。このため、送信信号の打ち消しバランスが崩れて、受信機側への送信信号の混入が避けられないので、受信機の入力側に保護回路を設けなければならない。このようにハイブリッドトランスを用いた方向性結合器には問題点が多いため、ＨＦ帯で動作するサーキュレータの開発が望まれている。

Ｌｉ系フェライトは、ジャイロ磁気特性を発現する物質として知られているが、Ｌｉが水溶性であるためウェットプロセスで製造しにくいことなどからあまり生産されていなかった。しかしながら、近年その製法が確立されて新たにマイクロ〜ミリ波材料として注目されている。また、Ｌｉ系フェライトは、キュリー点が高い特徴がある（例えば、Ｌｉ_0.5 Ｆｅ_2.5 Ｏ₄ で６７０℃）。この点に着目して、本発明者は、Ｌｉ系フェライトへの添加剤を検討したところ、共鳴周波数が１３ＭＨｚ付近になる飽和磁化１０〜２５０ｍＴまで低下させてもキュリー点が８０〜１４０℃と常温より十分に高くなることを知見した。

本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、ＨＦ帯での安定動作が可能な集中定数型のサーキュレータを提供することを目的とする。

本発明に係るサーキュレータは、フェライト素子を用いた集中定数型の構成をなし、ＨＦ帯で動作するサーキュレータにおいて、前記フェライト素子に、飽和磁化が１０〜２５０ｍＴであるＬｉ系フェライトを用いてあることを特徴とする。

本発明のサーキュレータにあっては、飽和磁化が１０〜２５０ｍＴであるＬｉ系フェライトを用いている。よって、磁気共鳴周波数がＨＦ帯となり、またそのキュリー温度が常温より十分に高いため常温での安定した動作を行える。ＹＩＧフェライトはほぼ磁気飽和の状態で用いるのに対して、Ｌｉ系フェライトは、０．６Ｍｓ程度から明瞭な磁気共鳴現象が見られるため、広い周波数における動作が可能である。

本発明に係るサーキュレータは、ＨＦ帯で動作する集中定数型のサーキュレータにおいて、飽和磁化が１０〜２５０ｍＴであるＬｉ系フェライトからなる２枚の円板と、該２枚の円板の間に１２０度回転対称に挿入された複数の導線からなる３組の信号電極と、前記２枚の円板の前記信号電極を挾む面と反対側の面をそれぞれ覆う接地電極とを備えたことを特徴とする。

本発明のサーキュレータにあっては、飽和磁化が１０〜２５０ｍＴであるＬｉ系フェライト材を円板状に加工し、その２枚の円板の間に複数の平行導線の導体を１２０度回転対称に配置し、２枚の円板の上下を接地導体とする。平行板状の導体に平行導線を用いることにより、導体に入り込む磁束による渦電流の発生を抑制するため、損失は低減する。

本発明に係るサーキュレータは、前記２枚の円板を挾むヨークを備えたことを特徴とする。

本発明のサーキュレータにあっては、フェライト円板を挟むようにヨークを設けている。バイアス磁界の不均一は共鳴周波数の不均一につながって、順方向の挿入損の増大またはＦ／Ｂ比の低下を招く。そこで、ヨークを設けて均一なバイアス磁界が印加されるようにする。

本発明に係るサーキュレータでは、前記ヨークは、前記２枚の円板に対向する面が平面状をなし、前記２枚の円板の外周より外側の面がアールを付けた形状であることを特徴とする。

本発明のサーキュレータにあっては、ヨークの形状を、フェライト円板に対向する部分は平面状とし、フェライト円板に対向しない外周縁部分はアールを付けた形状とする。これにより、フェライト円板の周縁部で均一なバイアス磁界が印加されるようにする。

本発明に係るサーキュレータは、前記Ｌｉ系フェライトの組成式が、ｘ（Ｌｉ_0.5 Ｆｅ_0.5 ）Ｏ・ｙＺｎＯ・ｚＦｅ₂ Ｏ₃ （０．１０≦ｘ≦０．５０，０．０５≦ｙ≦０．３５，０．４５≦ｚ≦０．５７５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）であることを特徴とする。

本発明のサーキュレータにあっては、組成式がｘ（Ｌｉ_0.5 Ｆｅ_0.5 ）Ｏ・ｙＺｎＯ・ｚＦｅ₂ Ｏ₃ （０．１０≦ｘ≦０．５０，０．０５≦ｙ≦０．３５，０．４５≦ｚ≦０．５７５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）であるＬｉ系フェライトを用いることにより、飽和磁化１０〜２５０ｍＴを実現する。

本発明に係るサーキュレータは、前記Ｌｉ系フェライトのＦｅ₂ Ｏ₃ の一部をＭｎ₂ Ｏ₃ に置換したことを特徴とする。

本発明のサーキュレータにあっては、Ｆｅ₂ Ｏ₃ の一部をＭｎ₂ Ｏ₃ に置換したＬｉ系フェライトを用いることにより、比抵抗が向上して誘電損失が低減する。

本発明に係るサーキュレータは、前記Ｌｉ系フェライトが、Ｂｉ₂ Ｏ₃ 、Ｖ₂ Ｏ₅ 、Ｎａ₂ Ｏ、Ｋ₂ Ｏの少なくとも１種を５質量％以下添加してなることを特徴とする。

本発明のサーキュレータにあっては、Ｌｉ系フェライトにＢｉ₂ Ｏ₃ 、Ｖ₂ Ｏ₅ 、Ｎａ₂ Ｏ、Ｋ₂ Ｏの少なくとも１種を５質量％以下添加することにより、焼結体密度が向上し、焼結体内部の磁束密度が均一化する。

本発明のサーキュレータでは、フェライト素子として、飽和磁化が１０〜２５０ｍＴであるＬｉ系フェライトを用いるようにしたので、常温であってもＨＦ帯での安定した動作を行うことができる。従来のハイブリッドトランスを使用した場合に比べて、送信電力を半分から１／４程度まで低減できる。また、ダミー負荷がないので、発熱が抑えられ、送信機側の小型低消費電力化を図ることができる。

本発明のサーキュレータでは、飽和磁化が１０〜２５０ｍＴであるＬｉ系フェライトからなる２枚のＬｉ系フェライト円板の間に１２０度回転対称に挿入された複数の導線からなる信号電極を平行配置し、Ｌｉ系フェライト円板の対向する面と反対側の面それぞれを接地電極で覆う構成としたので、バイアス磁束による渦電流の発生を抑制でき、損失を低減することができる。

本発明のサーキュレータでは、２枚のＬｉ系フェライト円板を挟むようにヨークを設けるようにしたので、均一なバイアス磁界をＬｉ系フェライト円板に印加することができ、順方向の伝達ロスまたはＦ／Ｂ比を改善することができる。

本発明のサーキュレータでは、Ｌｉ系フェライト円板に対向する中央部分は平面状をなし、Ｌｉ系フェライト円板に対向しない周縁部分はアールを付けた形状としたヨークを設けるようにしたので、Ｌｉ系フェライト円板の周縁部においても均一なバイアス磁界を印加することができる。

本発明のサーキュレータでは、組成式がｘ（Ｌｉ_0.5 Ｆｅ_0.5 ）Ｏ・ｙＺｎＯ・ｚＦｅ₂ Ｏ₃ （０．１０≦ｘ≦０．５０，０．０５≦ｙ≦０．３５，０．４５≦ｚ≦０．５７５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）であるＬｉ系フェライトを用いるようにしたので、飽和磁化１０〜２５０ｍＴを容易に実現することができる。

本発明のサーキュレータでは、Ｆｅ₂ Ｏ₃ の一部をＭｎ₂ Ｏ₃ に置換したＬｉ系フェライトを用いるようにしたので、比抵抗を向上できて誘電損失を低減することができる。

本発明のサーキュレータでは、Ｌｉ系フェライトにＢｉ₂ Ｏ₃ 、Ｖ₂ Ｏ₅ 、Ｎａ₂ Ｏ、Ｋ₂ Ｏの少なくとも１種を５質量％以下添加するようにしたので、焼結体密度が向上し、焼結体内部の磁束密度を均一化することができる。

以下、本発明をその実施の形態を示す図面を参照して具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。図１は、本発明に係るサーキュレータ１０の構成を示す分解斜視図、図２は同じくその側面図、図３は同じくその等価回路図、図４は導体電極パターンを示す平面図である。

図１において、１ａ，１ｂは同一の円板形状（直径：３０ｍｍ、厚さ：１．５ｍｍ）をなすフェライト板である。これらのフェライト板１ａ，１ｂは、Ｆｅ₂ Ｏ₃ ：５９モル％、Ｌｉ₂ Ｏ：４モル％、ＺｎＯ：３５モル％、Ｍｎ₂ Ｏ₃ ：２モル％の組成を有し、更にＢｉ₂ Ｏ₃ を１質量％添加したＬｉフェライトからなり、その飽和磁化は１８０ｍＴである。

下側のフェライト板１ｂの上面には、図４に拡大して示すように、導体電極パターンとして、４本のポリウレタン製の導線２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄを一組とした３組の導線パターンが、１２０度回転対称位置に接着されている。各導線の間隔は、導線２ａ，２ｂの間、導線２ｂ，２ｃの間、導線２ｃ，２ｄの間がそれぞれ、２ｍｍ、６ｍｍ、２ｍｍである。このような下側のフェライト板１ｂに、導体電極パターンを挟むように上側のフェライト板１ａが接着されている。

フェライト板１ａの上面及びフェライト板１ｂの下面には、接地電極となる銅板３ａ及び３ｂ（直径：３０ｍｍ）がそれぞれ接着剤にて接着されている。導体電極パターンの各組の４本の導線の一端がそれぞれ束ねられ、途中に共振用のコンデンサとしてのトリマコンデンサ４（容量：１０００ｐＦ）が設けられて（図３参照）、上下の銅板３ａ，３ｂにハンダにて接続されている。

図２に示すように、このような上側から銅板３ａ，フェライト板１ａ，３組の導線２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ、フェライト板１ｂ及び銅板３ｂを積層一体化させてなるフェライト体５が、純鉄を削り出して作製したヨーク６に挟まれている。また、ヨーク６を挟むように、バイアス磁界を印加する永久磁石７が設けられている。

次に、本発明のサーキュレータ１０の動作について説明する。導体電極パターンである３組の導線の接地されていない他端が、入力端子または出力端子として機能する３個のポート１、ポート２、ポート３となる（図３参照）。インダクタとなる導体とトリマコンデンサ４とで磁気共鳴が起こり、その共鳴周波数は１３．５６ＭＨｚに設定されている。

図５，図６はサーキュレータ１０の動作を説明するための図である。図５に示すように、フェライト板１ａ，１ｂに永久磁石７により静磁界を印加し（図５では表→裏方向）、磁化を一方向に揃えた状態で、静磁界と直角方向に高周波磁界を印加した場合、静磁界の方向に対して右回りにフェライト板１ａ，１ｂの磁化が才差運動する。この結果、ポート１を入力端子とした場合、ポート２に対応する導線は磁界と鎖交するのでポート２に信号が出力されるが、ポート３に対応する導線は磁界方向と平行になって鎖交する磁界がないのでポート３には信号が出力されない。

この結果、図６（ａ）に示すように、ポート１から入力された信号は、ポート２にのみ出力されてポート３には出ない。また、図６（ｂ）に示すように、ポート２から入力された信号は、ポート３にのみ出力されてポート１には出ない。よって、伝達ロスなく信号を所望方向に切り換えて伝送できる。よって、本発明のサーキュレータ１０は、方向性結合器として機能する。

サーキュレータにおける導体電極パターンは、特許文献１に示されているように、金属箔を使用することが一般的であるが、本発明では、４本の導線を用いている。これは、導体に飛び込む磁束による渦電流の発生を抑制するためであり、順方向伝達ロスを改善できる効果がある。

ＹＩＧフェライトを使用する場合には、完全に飽和磁化させた状態で動作させているが、Ｌｉ系フェライトを使用する本発明では、飽和磁化にならない状態で動作させている。このため、印加磁界による共鳴周波数の変化が大きくなるので、印加磁界を均一にして安定化させる必要がある。そこで、本発明ではフェライト体５を挟むようにヨーク６を設け、ヨーク６の設置により、永久磁石７により印加される磁界が均一になるようにしている。この結果、順方向の伝達ロスの増大及びＦ／Ｂ比の低下を防いでいる。

次に、本発明のサーキュレータ１０の特性の実験結果について説明する。なお、以下の実験では、永久磁石７に代えて電磁石を使用した。以上のような構成を有するように作製したフェライト体５にヨーク６を挾んで電磁石に挿入し、１５０ｍＴのバイアス磁界を印加し、ネットワークアナライザを用いて３個のポートのインピーダンスが１３．５６ＭＨｚで５０Ωに近くなるように調整した。

次いで、ポート３に５０Ωのダミー負荷を接続してポート１，２をネットワークアナライザに接続し、ｓパラメータＳ２１，Ｓ１２を測定した。測定結果は、Ｓ２１（順方向）が−１．５ｄＢ、Ｓ１２（逆方向）が−２５ｄＢとなり、良好なサーキュレータ特性を呈することを確認できた。

図７は、本発明のサーキュレータ１０を方向性結合器として用いたＲＦＩＤシステムの構成を示す図である。サーキュレータ１０の３個のポートには、送信機１１、受信機１２、送受信共用のループアンテナ１３が接続されている。具体的には、上述のポート１には送信機１１が、ポート２にはループアンテナ１３が、ポート３には受信機１２がそれぞれ接続されている。ループアンテナ１３とＩＣカード１４の内蔵アンテナ１５との間で電波の送受信が行われる。

呼び出し信号、書き込み信号などに加えてＩＣカード１４を駆動するためのエネルギ信号を含む高パワーの送信信号が、送信機１１から、サーキュレータ１０及びループアンテナ１３を介して、ＩＣカード１４の内蔵アンテナ１５に送られる。この際、サーキュレータ１０において、ポート１から入力された信号はポート２にのみ出力されてポート３には出ない。よって、送信機１１からの信号は、ループアンテナ１３にのみ送られて、受信機１２側には全く出力されない。高パワーの送信信号が受信機１２に流れ込むことがないので、受信機１２が損傷される虞はない。また、送信信号にあっては、信号切り換えに伴うレベル損失がない。

応答信号、データ信号などを含む低レベルの受信信号が、ＩＣカード１４（内蔵アンテナ１５）から、ループアンテナ１３及びサーキュレータ１０を介して、受信機１２に送られる。この際、サーキュレータ１０において、ポート２から入力された信号はポート３にのみ出力されてポート１には出ない。よって、ＩＣカード１４（内蔵アンテナ１５）からの信号は、受信機１２にのみ送られて、送信機１１側には全く出力されない。よって、受信信号にあっても、信号切り換えに伴うレベル損失がない。

図８は、本発明に係るサーキュレータ１０の他の例の構成を示す分解斜視図、図９は、同じくその側面図である。図８において、図１，図２と同一部分には同一番号を付してそれらの説明を省略する。

この例では、図８に示すように、フェライト板１ａ及び１ｂの側面の３箇所に、ポートとして機能する導体電極パターンの３組の導線の端部は覆わないように、接地電極となる銅板３ｃを貼り付けている。

また、ヨーク６０の形状が前述の例のヨーク６の形状とは異なっており、フェライト体５を挾む完全な円柱状ではなく、その周縁部にアールが付けられている。つまり、フェライト体５に対向する部分はヨーク６と同様に平面状をなしているが、フェライト体５に対向しない周縁部はアールを付けた形状をなしている。具体的には、純鉄から厚さ３ｍｍ、直径３６ｍｍの円板を切り出し、その円板の周辺部を半径３ｍｍの円弧状に削ったものをヨーク６０として使用している。

薄いフェライト体にその厚さ方向にバイアス磁界を印加した場合、フェライト体の周縁部で磁束密度が高くなったり、周縁部で磁束の方向が外側を向いたりする傾向がある。本発明のサーキュレータ１０では、このような磁界の不均一が、前述したように、その特性に大きな影響を及ぼす。そこで、本例では、アールを付けたヨーク６０を用いて、フェライト体の周縁部での磁界の均一を図るようにしている。

この例のサーキュレータ１０に対して、前述した例と同様の特性実験を行ったところ、順方向の伝達ロスを１ｄＢ以上改善できた。

なお、上述した例では、各組４本の導線にて導体電極パターンを構成するようにしたが、６本の導線にて構成しても良い。また、上述したフェライト板１ａ，１ｂの組成は一例であり、共鳴周波数がＨＦ帯になる飽和磁化が１０〜２５０ｍＴであってもキュリー温度が常温よりも高くなるようなＬｉ系フェライトであれば、その組成は任意であって良い。但し、組成式がｘ（Ｌｉ_0.5 Ｆｅ_0.5 ）Ｏ・ｙＺｎＯ・ｚＦｅ₂ Ｏ₃ （０．１０≦ｘ≦０．５０，０．０５≦ｙ≦０．３５，０．４５≦ｚ≦０．５７５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）である場合に、このような条件を満たすＬｉ系フェライトが容易に得られる。

また、前記Ｌｉ系フェライトにおいて、ＺｎＯの一部をＣｕＯに置換することで、低い温度から緻密化が進行し、内部磁場の均一性が高い磁石を得ることができる。また、前記Ｌｉ系フェライトにおいて、Ｆｅ₂ Ｏ₃ の一部をＡｌ₂ Ｏ₃ ，Ｃｒ₂ Ｏ₃ ，ＳｎＯ₂ ，ＴｉＯ₂ などとすることで、フェライト中の八面体位置にあるＦｅの一部をＡｌ，Ｃｒ，Ｓｎ，Ｔｉなどの非磁性元素で置換して飽和磁化を小さくすることができる。

本発明に係るサーキュレータの構成を示す分解斜視図である。 本発明に係るサーキュレータを示す側面図である。 本発明に係るサーキュレータの等価回路図である。 導体電極パターンを示す平面図である。 サーキュレータの動作を説明するための図である。 サーキュレータの動作を説明するための図である。 本発明のサーキュレータを用いたＲＦＩＤシステムの構成を示す図である。 本発明に係るサーキュレータの他の例の構成を示す分解斜視図である。 本発明に係るサーキュレータの他の例を示す側面図である。 ハイブリッドトランスの構成図である。 ハイブリッドトランスを用いた方向性結合器の動作を示す図である。

符号の説明

１ａ，１ｂ フェライト板
２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ 導線
３ａ，３ｂ，３ｃ 銅板
４ トリマコンデンサ
５ フェライト体
６，６０ ヨーク
７ 永久磁石
１０ サーキュレータ

Claims (7)

1. フェライト素子を用いた集中定数型の構成をなし、ＨＦ帯で動作するサーキュレータにおいて、前記フェライト素子に、飽和磁化が１０〜２５０ｍＴであるＬｉ系フェライトを用いてあることを特徴とするサーキュレータ。
2. ＨＦ帯で動作する集中定数型のサーキュレータにおいて、飽和磁化が１０〜２５０ｍＴであるＬｉ系フェライトからなる２枚の円板と、該２枚の円板の間に１２０度回転対称に挿入された複数の導線からなる３組の信号電極と、前記２枚の円板の前記信号電極を挾む面と反対側の面をそれぞれ覆う接地電極とを備えたことを特徴とするサーキュレータ。
3. 前記２枚の円板を挾むヨークを備えたことを特徴とする請求項２記載のサーキュレータ。
4. 前記ヨークは、前記２枚の円板に対向する面が平面状をなし、前記２枚の円板の外周より外側の面がアールを付けた形状であることを特徴とする請求項３記載のサーキュレータ。
5. 前記Ｌｉ系フェライトの組成式は、ｘ（Ｌｉ_0.5 Ｆｅ_0.5 ）Ｏ・ｙＺｎＯ・ｚＦｅ₂ Ｏ₃ （０．１０≦ｘ≦０．５０，０．０５≦ｙ≦０．３５，０．４５≦ｚ≦０．５７５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のサーキュレータ。
6. 前記Ｌｉ系フェライトのＦｅ₂ Ｏ₃ の一部をＭｎ₂ Ｏ₃ に置換したことを特徴とする請求項５記載のサーキュレータ。
7. 前記Ｌｉ系フェライトは、Ｂｉ₂ Ｏ₃ 、Ｖ₂ Ｏ₅ 、Ｎａ₂ Ｏ、Ｋ₂ Ｏの少なくとも１種を５質量％以下添加してなることを特徴とする請求項５または６記載のサーキュレータ。

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