JP2007003563A - Driver circuit of liquid crystal display apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、液晶表示装置の駆動回路に関する。特に、本発明は、液晶表示装置をドット反転駆動方式で駆動するデータ線駆動回路に関する。 The present invention relates to a driving circuit for a liquid crystal display device. In particular, the present invention relates to a data line driving circuit for driving a liquid crystal display device by a dot inversion driving method.
公知の液晶表示装置において、データ線からTFT(Thin Film Transistor)を介して画素に印加される電圧(以下、画素電圧と参照される)の極性は、所定の期間ごとに反転する。つまり、画素は交流的に駆動される。ここで、極性とは、共通電極の電圧(com電圧)を基準とした場合の画素電圧の正負を示す。このような駆動方法は、液晶材料の劣化を抑制するために適用されている。また、1フレームにおいて、隣り合う画素ごとに画素電圧の極性が反転するようにデータ線及び走査線を駆動する「ドット反転駆動方式」が知られている。ドット反転駆動方式によれば、フリッカが低減され、画質が向上する。 In a known liquid crystal display device, the polarity of a voltage (hereinafter referred to as a pixel voltage) applied to a pixel from a data line via a TFT (Thin Film Transistor) is inverted every predetermined period. That is, the pixels are driven in an alternating manner. Here, the polarity indicates the positive or negative of the pixel voltage when the common electrode voltage (com voltage) is used as a reference. Such a driving method is applied to suppress deterioration of the liquid crystal material. Further, a “dot inversion driving method” is known in which the data line and the scanning line are driven so that the polarity of the pixel voltage is inverted for each adjacent pixel in one frame. According to the dot inversion driving method, flicker is reduced and image quality is improved.
このような液晶表示装置を駆動するための駆動回路に関して、その面積はできるだけ小さい方が好ましい。液晶駆動回路の面積の低減を目的とする従来技術として、特許文献1に開示された技術が知られている。
Regarding the driving circuit for driving such a liquid crystal display device, the area is preferably as small as possible. As a conventional technique for reducing the area of the liquid crystal driving circuit, a technique disclosed in
特許文献1に記載されたデータ線駆動回路は、デジタル信号をアナログ信号に変換するD/A変換器と、D/A変換器の出力信号の電圧レベルを液晶表示装置駆動用のレベルまで増幅する増幅器とを備える。増幅器による増幅率αは1より大きい。具体的には、この増幅器において、参照電圧端子と反転入力端子との間に抵抗R1が設けられ、出力端子と反転入力端子との間に抵抗Rfが設けられる。この場合、入力電圧Vinと出力電圧Voutとの関係は、次の式で表される:
Vout=Vin(1+Rf/R1)
このように増幅率αが1より大きい増幅器が設けられた結果、D/A変換器から増幅器へ送られる信号の電圧レベルを画素電圧の1/αに設定することが可能となる。従って、D/A変換器を構成するトランジスタなどの素子の耐圧を低下させることができるので、D/A変換器の面積を縮小することが可能となる。
A data line driving circuit described in
Vout = Vin (1 + Rf / R1)
As a result of providing an amplifier having an amplification factor α greater than 1, the voltage level of the signal sent from the D / A converter to the amplifier can be set to 1 / α of the pixel voltage. Accordingly, the withstand voltage of elements such as transistors constituting the D / A converter can be reduced, and the area of the D / A converter can be reduced.
本願発明者は、次の点に着目した。上述の特許文献1において、D/A変換器及び増幅器は、データ線ごとに設けられる。しかしながら、抵抗R1と抵抗Rfの製造ばらつきにより、各増幅器における増幅率α(>1)はばらついてしまう。このことは、データ線に供給される画素電圧の精度の悪化を招き、縦線状の“むら”等の画質劣化の原因となる。特に、ドット反転駆動方式の場合、隣接するデータ線間で“むら”が発生し、増幅率αのばらつきによる悪影響が顕著に現れる。
The inventor of the present application paid attention to the following points. In
以下に、[発明を実施するための最良の形態]で使用される番号・符号を用いて、[課題を解決するための手段]を説明する。これらの番号・符号は、[特許請求の範囲]の記載と[発明を実施するための最良の形態]との対応関係を明らかにするために括弧付きで付加されたものである。ただし、それらの番号・符号を、[特許請求の範囲]に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。 [Means for Solving the Problems] will be described below using the numbers and symbols used in [Best Mode for Carrying Out the Invention]. These numbers and symbols are added in parentheses in order to clarify the correspondence between the description of [Claims] and [Best Mode for Carrying Out the Invention]. However, these numbers and symbols should not be used for the interpretation of the technical scope of the invention described in [Claims].
本発明に係る液晶表示装置の駆動回路(5)は、最上位ビット(D5)と下位ビット群(D0〜D4)からなるデジタル信号(D0〜D5)を、そのデジタル信号(D0〜D5)に応じたアナログ電圧信号(V0P〜V63P,V0N〜V63N)に変換する。より詳細には、その駆動回路(5)は、基準電圧(GND)に対して正極性を有する「正極アナログ電圧信号(V0P〜V63P)」と、基準電圧(GND)に対して負極性を有する「負極アナログ電圧信号(V0N〜V63N)」を液晶表示装置(1)のデータ線(Y)に出力する。本発明に係る液晶表示装置の駆動回路(5)は、第1の正極D/A変換器(PL)、第2の正極D/A変換器(PH)、及び正極セレクタ(11)を備える。更に、その駆動回路(5)は、第1の負極D/A変換器(NH)、第2の負極D/A変換器(NL)、及び負極セレクタ(21)を備える。 The drive circuit (5) of the liquid crystal display device according to the present invention converts a digital signal (D0 to D5) composed of the most significant bit (D5) and the lower bit group (D0 to D4) into the digital signal (D0 to D5). The analog voltage signals (V0P to V63P, V0N to V63N) are converted accordingly. More specifically, the drive circuit (5) has a “positive analog voltage signal (V0P to V63P)” having a positive polarity with respect to the reference voltage (GND) and a negative polarity with respect to the reference voltage (GND). “Negative polarity analog voltage signals (V0N to V63N)” are output to the data line (Y) of the liquid crystal display device (1). The drive circuit (5) of the liquid crystal display device according to the present invention includes a first positive electrode D / A converter (PL), a second positive electrode D / A converter (PH), and a positive electrode selector (11). The drive circuit (5) further includes a first negative D / A converter (NH), a second negative D / A converter (NL), and a negative selector (21).
第1の正極D/A変換器(PL)は、基準電圧(GND)とその基準電圧より高い第1の電圧(VDD1)とで規定される第1の電圧範囲(GND〜VDD1)で動作する。そして、第1の正極D/A変換器(PL)は、入力される第1のデジタル信号の下位ビット群(D0〜D4)をD/A変換することによって、第1の正極アナログ電圧信号(V32P〜V63P)を生成する。第1の正極D/A変換器(PL)は、その第1の正極アナログ電圧信号(V32P〜V63P)を正極セレクタ(11)に出力する。 The first positive electrode D / A converter (PL) operates in a first voltage range (GND to VDD1) defined by a reference voltage (GND) and a first voltage (VDD1) higher than the reference voltage. . The first positive D / A converter (PL) performs D / A conversion on the lower bit group (D0 to D4) of the first digital signal to be input, whereby the first positive analog voltage signal ( V32P to V63P) are generated. The first positive D / A converter (PL) outputs the first positive analog voltage signal (V32P to V63P) to the positive selector (11).
また、第2の正極D/A変換器(PH)は、第1の電圧(VDD1)とその第1の電圧より高い第2の電圧(VDD2)とで規定される第2の電圧範囲(VDD1〜VDD2)で動作する。そして、第2の正極D/A変換器(PH)は、入力される第1のデジタル信号の下位ビット群(D0〜D4)をD/A変換することによって、第2の正極アナログ電圧信号(V0P〜V31P)を生成する。第2の正極D/A変換器(PH)は、その第2の正極アナログ電圧信号(V0P〜V31P)を正極セレクタ(11)に出力する。 The second positive electrode D / A converter (PH) has a second voltage range (VDD1) defined by the first voltage (VDD1) and a second voltage (VDD2) higher than the first voltage. ~ VDD2). Then, the second positive D / A converter (PH) performs D / A conversion on the lower bit group (D0 to D4) of the input first digital signal, thereby generating a second positive analog voltage signal ( V0P to V31P) are generated. The second positive D / A converter (PH) outputs the second positive analog voltage signal (V0P to V31P) to the positive selector (11).
正極セレクタ(11)は、基準電圧(GND)と第2の電圧(VDD2)とで規定される第5の電圧範囲(GND〜VDD2)で動作する。正極セレクタ(11)は、第1のデジタル信号の最上位ビット(D5)に応じて、第1の正極アナログ電圧信号(V32P〜V63P)及び第2の正極アナログ電圧信号(V0P〜V31P)のいずれかを正極アナログ電圧信号(V0P〜V63P)として選択する。 The positive selector (11) operates in a fifth voltage range (GND to VDD2) defined by the reference voltage (GND) and the second voltage (VDD2). The positive selector (11) selects either the first positive analog voltage signal (V32P to V63P) or the second positive analog voltage signal (V0P to V31P) according to the most significant bit (D5) of the first digital signal. Are selected as positive analog voltage signals (V0P to V63P).
一方、第1の負極D/A変換器(NH)は、基準電圧(GND)とその基準電圧より低い第3の電圧(VDD3)とで規定される第3の電圧範囲(VDD3〜GND)で動作する。そして、第1の負極D/A変換器(NH)は、入力される第2のデジタル信号の下位ビット群(D0〜D4)をD/A変換することによって、第1の負極アナログ電圧信号(V32N〜V63N)を生成する。第1の負極D/A変換器(NH)は、その第1の負極アナログ電圧信号(V32N〜V63N)を負極セレクタ(21)出力する。 On the other hand, the first negative D / A converter (NH) has a third voltage range (VDD3 to GND) defined by a reference voltage (GND) and a third voltage (VDD3) lower than the reference voltage. Operate. Then, the first negative D / A converter (NH) performs D / A conversion on the lower bit group (D0 to D4) of the second digital signal to be input, so that the first negative analog voltage signal ( V32N to V63N). The first negative D / A converter (NH) outputs the first negative analog voltage signal (V32N to V63N) to the negative selector (21).
また、第2の負極D/A変換器(NL)は、第3の電圧(VDD3)とその第3の電圧より低い第4の電圧(VDD4)とで規定される第4の電圧範囲(VDD4〜VDD3)で動作する。そして、第2の負極D/A変換器(NL)は、入力される第2のデジタル信号の下位ビット群(D0〜D4)をD/A変換することによって、第2の負極アナログ電圧信号(V0N〜V31N)を生成する。第2の負極D/A変換器(NL)は、その第2の負極アナログ電圧信号(V0N〜V31N)を負極セレクタ(21)に出力する。 The second negative D / A converter (NL) has a fourth voltage range (VDD4) defined by a third voltage (VDD3) and a fourth voltage (VDD4) lower than the third voltage. ~ VDD3). The second negative D / A converter (NL) performs D / A conversion on the lower bit group (D0 to D4) of the second digital signal to be input, so that the second negative analog voltage signal ( V0N to V31N) are generated. The second negative D / A converter (NL) outputs the second negative analog voltage signal (V0N to V31N) to the negative selector (21).
負極セレクタ(21)は、基準電圧(GND)と第4の電圧(VDD4)とで規定される第6の電圧範囲(VDD4〜GND)で動作する。負極セレクタ(21)は、第2のデジタル信号の最上位ビット(D5)に応じて、第1の負極アナログ電圧信号(V32N〜V63N)及び第2の負極アナログ電圧信号(V0N〜V31N)のいずれかを負極アナログ電圧信号(V0N〜V63N)として選択する。 The negative selector (21) operates in a sixth voltage range (VDD4 to GND) defined by the reference voltage (GND) and the fourth voltage (VDD4). The negative selector (21) selects one of the first negative analog voltage signal (V32N to V63N) and the second negative analog voltage signal (V0N to V31N) according to the most significant bit (D5) of the second digital signal. Is selected as the negative analog voltage signal (V0N to V63N).
このように、第1及び第2の正極D/A変換器(PL,PH)、第1及び第2の負極D/A変換器(NH,NL)、正極セレクタ(11)、並びに負極セレクタ(21)は、それぞれ異なる電圧範囲で動作し、基板(70)上の異なる領域(71〜76)に形成される。ここで、第5の電圧範囲(GND〜VDD2)で動作する正極セレクタ(11)や、第6の電圧範囲(VDD4〜GND)で動作する負極セレクタ(21)は、中電圧素子や高電圧素子で製造され得る。一方、より狭い電圧範囲で動作する正極D/A変換器(PL,PH)や負極D/A変換器(NL,NH)に関しては、中電圧素子より耐圧の低い低電圧素子で製造することが可能である。すなわち、本発明によれば、正極D/A変換器(PL,PH)や負極D/A変換器(NL,NH)を構成する素子の耐圧は従来に比べ低くて構わないので、その素子のゲート長Lやゲート幅Wを小さく設計することが可能となる。従って、正極D/A変換器(PL,PH)や負極D/A変換器(NL,NH)の回路面積を縮小することが可能となる。 Thus, the first and second positive D / A converters (PL, PH), the first and second negative D / A converters (NH, NL), the positive selector (11), and the negative selector ( 21) operate in different voltage ranges, and are formed in different regions (71-76) on the substrate (70). Here, the positive selector (11) operating in the fifth voltage range (GND to VDD2) and the negative selector (21) operating in the sixth voltage range (VDD4 to GND) are the medium voltage element and the high voltage element. Can be manufactured. On the other hand, the positive electrode D / A converter (PL, PH) and the negative electrode D / A converter (NL, NH) operating in a narrower voltage range can be manufactured with a low voltage element having a lower withstand voltage than the medium voltage element. Is possible. That is, according to the present invention, the withstand voltage of the elements constituting the positive electrode D / A converter (PL, PH) and the negative electrode D / A converter (NL, NH) may be lower than the conventional one. It becomes possible to design the gate length L and the gate width W small. Therefore, the circuit area of the positive electrode D / A converter (PL, PH) and the negative electrode D / A converter (NL, NH) can be reduced.
以上に説明されたように、本発明によれば、増幅率αが1より大きい増幅器を使うこと無く、D/A変換を担う回路(PH,PL,NH,NL)の面積を縮小することが可能である。上述の正極アナログ電圧信号(V0P〜V63P)や負極アナログ電圧信号(V0N〜V63N)は、ボルテージフォロア(17,27)を通してデータ線(Y)に出力されればよい。増幅器の製造ばらつきによる増幅率αのばらつきが無くなるので、データ線(Y)に供給される画素電圧の精度が向上する。このように、本発明によれば、液晶表示装置の駆動回路(5)の面積が低減されるだけでなく、“むら”等の画質劣化が防止される。特に、ドット反転駆動方式の場合、本発明に係る構成は有効である。更に、本発明によれば、D/A変換器(PH,PL,NH,NL)の動作電圧が低減されるので、液晶表示装置の駆動回路(5)の消費電力も低減される。 As described above, according to the present invention, the area of the circuit (PH, PL, NH, NL) responsible for D / A conversion can be reduced without using an amplifier having an amplification factor α greater than 1. Is possible. The positive analog voltage signals (V0P to V63P) and the negative analog voltage signals (V0N to V63N) described above may be output to the data line (Y) through the voltage followers (17, 27). Since there is no variation in the amplification factor α due to manufacturing variation of the amplifier, the accuracy of the pixel voltage supplied to the data line (Y) is improved. As described above, according to the present invention, not only the area of the drive circuit (5) of the liquid crystal display device is reduced, but also image quality deterioration such as “unevenness” is prevented. In particular, in the case of the dot inversion driving method, the configuration according to the present invention is effective. Furthermore, according to the present invention, since the operating voltage of the D / A converter (PH, PL, NH, NL) is reduced, the power consumption of the driving circuit (5) of the liquid crystal display device is also reduced.
本発明によれば、液晶表示装置の駆動回路の面積を縮小することが可能となる。また、その駆動回路の消費電力を低減することが可能となる。更に、液晶表示装置における画質劣化を防止することが可能となる。 According to the present invention, the area of the driving circuit of the liquid crystal display device can be reduced. In addition, the power consumption of the drive circuit can be reduced. Furthermore, it is possible to prevent image quality deterioration in the liquid crystal display device.
添付図面を参照して、本発明の実施の形態が説明される。以下の説明は、本発明の実施形態を説明するものであり、本発明が以下の実施形態に限定されることを意味しない。説明の明確化のため、以下の記載は、適宜、省略及び簡略化がなされている。又、当業者であれば、以下の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能である。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The following description is intended to describe embodiments of the present invention and does not mean that the present invention is limited to the following embodiments. For clarity of explanation, the following description is omitted and simplified as appropriate. Moreover, those skilled in the art can easily change, add, and convert each element of the following embodiments within the scope of the present invention.
1.第1の実施の形態
(全体構成)
図1は、本発明に係る液晶表示装置1の構成を示すブロック図である。この液晶表示装置1は、画像が表示される表示パネル2を備えており、その表示パネル2は、マトリックス状に配置された複数の画素3を有している。また、複数の走査線X1〜Xmと複数のデータ線Y1〜Ynが互いに交差するように形成されており、複数の交差点のそれぞれに複数の画素3が配置されている。各画素3は、TFT(Thin Film Transistor)と、液晶と、コモン電極とを有する。TFTのゲート端子は走査線に接続され、TFTのソース端子あるいはドレイン端子はデータ線に接続される。液晶の一端は、TFTのソース端子あるいはドレイン端子に接続され、その他端は、一定のコモン電圧が印加されるコモン電極に接続される。
1. First embodiment (Overall configuration)
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a liquid
複数の走査線X1〜Xmは、走査線駆動回路4に接続されている。制御回路6は、走査線駆動回路4を制御するための走査線駆動信号群を走査線駆動回路4に出力する。走査線駆動回路4は、その走査線駆動信号群に従って、複数の走査線X1〜Xmを順番に駆動する。また、複数のデータ線Y1〜Ynは、データ線駆動回路5に接続されている。制御回路6は、データ線駆動回路5を制御するためのデータ線駆動信号群と、デジタルデータである画素データをデータ線駆動回路5に出力する。データ線駆動回路5は、データ線駆動信号群に従って、複数のデータ線Y1〜Ynを駆動する。具体的には、データ線駆動回路5は、複数のデータ線Y1〜Ynのそれぞれに、画素データに応じた画素電圧を出力する。これにより、選択された1本の走査線Xにつながる複数の画素3のそれぞれに、画素データに応じた画素電圧が印加される。複数の走査線X1〜Xmが順番に駆動されることによって、画像が表示パネル2に表示される。
The plurality of scanning lines X <b> 1 to Xm are connected to the scanning
また、本実施の形態において、液晶表示装置1は、「ドット反転駆動方式」で駆動される。つまり、隣接する画素3に印加される画素電圧の極性は反対である。ここで、極性とは、コモン電極に印加されるコモン電圧を基準とした場合の画素電圧の正負を意味する。例えば、図1において、画素3aに印加される画素電圧の極性は、画素3bや画素3cに印加される画素電圧の極性の反対である。そのため、データ線駆動回路5は、正極性及び負極性の画素電圧を生成し、データ線Y1とデータ線Y2に異なる極性の画素電圧を印加する。また、データ線駆動回路5は、各データ線Yに印加する画素電圧の極性を、水平期間毎に反転させる。更に、データ線駆動回路5は、各データ線Yに印加する画素電圧の極性を、フレーム毎に反転させる。このようなドット反転駆動方式により、フリッカなどが低減され、画質が向上する。
In the present embodiment, the liquid
図2は、本発明に係るデータ線駆動回路5の構成を示すブロック図である。データ線駆動回路5は、D/A変換回路10、階調電圧生成回路40、レベルシフト回路群50、及びロジック回路60を備えている。以下、各回路の概要を説明する。
FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of the data line driving
まず、D/A変換回路10は、画素データを示すデジタル信号を、そのデジタル信号に応じたアナログ電圧信号(階調信号)に変換する回路である。D/A変換回路10の出力は、複数のデータ線Y1〜Ynに接続されている。本実施の形態においては、6ビットのデジタル信号「D5、D4、D3、D2、D1」を用いて説明が行われる。このデジタル信号の最上位ビット(MSB: Most Significant Bit)はD5であり、最下位ビット(LSB: Least Significant Bit)はD0である。また、下位ビット群とは、最上位ビット以外のビットD0〜D4を意味する。
First, the D /
この6ビットのデジタル信号D0〜D5は、64種類の階調を表現できる。例えば、デジタル信号「000000」は第0階調を表し、デジタル信号「011111」は第31階調を表し、デジタル信号「100000」は第32階調を表し、デジタル信号「111111」は第63階調を表す。ドット反転駆動方式の場合、1つの階調は、1つの正極性の画素電圧及び1つの負極性の画素電圧に対応付けられる。よって、以下の説明においては、画素電圧は「階調電圧」と参照され、正極性の階調電圧は「正極階調電圧」と参照され、負極性の階調電圧は「負極階調電圧」と参照される。64種類の階調は、64種類の正極階調電圧V0P〜V63Pと、64種類の負極性の階調電圧V0N〜V63Nに対応付けられる。 The 6-bit digital signals D0 to D5 can express 64 types of gradations. For example, the digital signal “000000” represents the 0th gradation, the digital signal “011111” represents the 31st gradation, the digital signal “100000” represents the 32nd gradation, and the digital signal “111111” represents the 63rd floor. Represents the key. In the case of the dot inversion driving method, one gradation is associated with one positive pixel voltage and one negative pixel voltage. Therefore, in the following description, the pixel voltage is referred to as “grayscale voltage”, the positive grayscale voltage is referred to as “positive grayscale voltage”, and the negative grayscale voltage is referred to as “negative grayscale voltage”. Referred to. The 64 kinds of gradations are associated with 64 kinds of positive gradation voltages V0P to V63P and 64 kinds of negative gradation voltages V0N to V63N.
各階調と階調電圧との対応関係の一例が、図3に示されている。正極性側においては、正極階調電圧V0P〜V63Pが、順番に第0〜第63階調に対応付けられている。また、負極性側においては、負極階調電圧V63N〜V0Nが、順番に第0〜第63階調に対応づけられている。ここで、正極階調電圧V0P〜V63Pにおいて、V0Pに近づくほど電圧が高く、V63Pに近づくほどグランド(システムグランド)GNDに近いとする。一方、負極階調電圧V0N〜V63Nにおいて、V0Nに近づくほど電圧が低く、V63Nに近づくほどグランドGNDに近いとする。画素に印加された電圧はTFTがオフする時にTFTのフィードスルーによりオフセット電圧を発生させるため、コモン電圧としては、n型TFTでは−2〜0V程度、p型TFTでは0〜2V程度の電圧が供給される。 An example of the correspondence between each gradation and gradation voltage is shown in FIG. On the positive polarity side, positive gradation voltages V0P to V63P are sequentially associated with the 0th to 63rd gradations. On the negative polarity side, negative gradation voltages V63N to V0N are sequentially associated with the 0th to 63rd gradations. Here, in the positive gradation voltages V0P to V63P, it is assumed that the voltage is higher as it is closer to V0P and closer to the ground (system ground) GND as it is closer to V63P. On the other hand, in the negative gradation voltages V0N to V63N, it is assumed that the voltage is lower as it is closer to V0N and closer to the ground GND as it is closer to V63N. Since the voltage applied to the pixel generates an offset voltage by the feedthrough of the TFT when the TFT is turned off, the common voltage is about −2 to 0 V for the n-type TFT and about 0 to 2 V for the p-type TFT. Supplied.
尚、図3に示されるように、正極階調電圧V63P〜V32Pを含む電圧範囲は、第1の電圧範囲(GND〜VDD1)と参照される。第1の電圧範囲は、基準電圧(GND)と、基準電圧より高い第1の電圧VDD1(例:2.7V)との間の範囲として規定される。正極階調電圧V31P〜V0Pを含む電圧範囲は、第2の電圧範囲(VDD1〜VDD2)と参照される。第2の電圧範囲は、第1の電圧VDD1と、その第1の電圧VDD1より高い第2の電圧VDD2(例:5V)との間の範囲として規定される。負極階調電圧V32N〜V63Nを含む電圧範囲は、第3の電圧範囲(VDD3〜GND)と参照される。第3の電圧範囲は、基準電圧と、基準電圧より低い第3の電圧VDD3(例:−2.8V)との間の範囲として規定される。負極階調電圧V0N〜V31Nを含む電圧範囲は、第4の電圧範囲(VDD4〜VDD3)と参照される。第4の電圧範囲は、第3の電圧VDD3と、その第3の電圧VDD3より低い第4の電圧VDD4(例:−5V)との間の範囲として規定される。第5の電圧範囲は、基準電圧と、上記第2の電圧VDD2との間の範囲として規定される。第6の電圧範囲は、基準電圧と、上記第4の電圧VDD4との間の範囲として規定される。全ての階調電圧を含む第7の電圧範囲は、上記第2の電圧以上の電圧と、上記第4の電圧以下の電圧との間の範囲として規定される。第2の電圧VDD2や第4の電圧VDD4は、DC−DCコンバータなどの電源回路(記述されない)で生成すればよい。第1の電圧VDD1や第3の電圧VDD3は、後述の階調電圧生成回路40において生成される。
As shown in FIG. 3, the voltage range including the positive gradation voltages V63P to V32P is referred to as the first voltage range (GND to VDD1). The first voltage range is defined as a range between a reference voltage (GND) and a first voltage VDD1 (eg, 2.7 V) higher than the reference voltage. The voltage range including the positive gradation voltages V31P to V0P is referred to as a second voltage range (VDD1 to VDD2). The second voltage range is defined as a range between the first voltage VDD1 and a second voltage VDD2 (eg, 5V) higher than the first voltage VDD1. The voltage range including the negative gradation voltages V32N to V63N is referred to as a third voltage range (VDD3 to GND). The third voltage range is defined as a range between the reference voltage and a third voltage VDD3 (eg, -2.8V) lower than the reference voltage. The voltage range including the negative gradation voltages V0N to V31N is referred to as a fourth voltage range (VDD4 to VDD3). The fourth voltage range is defined as a range between the third voltage VDD3 and a fourth voltage VDD4 (eg, −5 V) lower than the third voltage VDD3. The fifth voltage range is defined as a range between the reference voltage and the second voltage VDD2. The sixth voltage range is defined as a range between the reference voltage and the fourth voltage VDD4. The seventh voltage range including all gradation voltages is defined as a range between a voltage equal to or higher than the second voltage and a voltage equal to or lower than the fourth voltage. The second voltage VDD2 and the fourth voltage VDD4 may be generated by a power supply circuit (not described) such as a DC-DC converter. The first voltage VDD1 and the third voltage VDD3 are generated by a gradation
次に、階調電圧生成回路40は、上述の正極階調電圧V0P〜V63Pと負極階調電圧V0N〜V63NをD/A変換回路10に出力する回路である。具体的には、階調電圧生成回路40は、各階調電圧を有する階調信号(アナログ電圧信号)を、D/A変換回路10に出力する。尚、本明細書において、符号V0P〜V63P、V0N〜V63Nの各々は、各階調電圧だけでなく、各階調電圧を有する階調信号を表す場合がある。つまり、正極階調信号(正極アナログ電圧信号)V0P〜V63Pのそれぞれの電圧は、階調電圧V0P〜V63Pであり、負極階調信号(負極アナログ電圧信号)V0N〜V63Nのそれぞれの電圧は、階調電圧V0N〜V63Nである。
Next, the gradation
次に、ロジック回路60は、画素データを示すデジタル信号D0〜D5や、水平同期信号STB、ラッチ信号LAT、及び極性信号POLを制御回路6から受け取る回路である。ロジック回路60は、これら水平同期信号STB、ラッチ信号LAT、極性信号POLなどに基づいて、画像の表示を制御するための制御信号を出力する。デジタル信号D0〜D5と上記制御信号は、レベルシフト回路群50を通して、D/A変換回路10に送られる。レベルシフト回路群50は、デジタル信号や制御信号の電圧レベルを、D/A変換回路10に適合するように変換するための複数のレベルシフト回路を有している。
Next, the
以下、本発明に係るデータ線駆動回路5の構成及び動作を更に詳細に説明する。
Hereinafter, the configuration and operation of the data line driving
(詳細な構成・動作)
図4は、本発明の第1の実施の形態に係るD/A変換回路10の構成を示す回路ブロック図である。図4においては、隣接する2本のデータ線Y1,Y2を駆動するための構成が示されている。D/A変換回路10の出力端子T1はデータ線Y1に接続され、出力端子T2はデータ線Y2に接続されている。そして、一方のデータ線には正極階調信号V0P〜V63Pのいずれかが印加され、他方のデータ線には負極階調信号V0N〜V63Nのいずれかが印加される。
(Detailed configuration and operation)
FIG. 4 is a circuit block diagram showing a configuration of the D /
図4に示されるように、本実施の形態に係るD/A変換回路10は、第1の正極D/A変換器PL、第2の正極D/A変換器PH、正極セレクタ11、プリチャージスイッチ14〜16、及びボルテージフォロア17を備えている。これらの回路は、正極階調信号V0P〜V63Pを扱い、正極側のデジタル信号(以下、「第1のデジタル信号」と参照される)に応じた1つの正極階調信号を決定する。また、本実施の形態に係るD/A変換回路10は、第1の負極D/A変換器NH、第2の負極D/A変換器NL、負極セレクタ21、プリチャージスイッチ24〜26、及びボルテージフォロア27を備えている。これらの回路は、負極階調信号V0N〜V63Nを扱い、負極側のデジタル信号(以下、「第2のデジタル信号」と参照される)に応じた1つの負極階調信号を決定する。更に、本実施の形態に係るD/A変換回路10は、極性選択回路30を備えている。この極性選択回路30は、上述の1つの正極階調信号をデータ線Y1とY2の一方に出力し、1つの負極階調信号をデータ線Y1とY2の他方に出力する。
As shown in FIG. 4, the D /
まず、正極側の構成から説明が行われる。 First, description will be made from the configuration on the positive electrode side.
第1の正極D/A変換器PLは、第1の電圧範囲GND〜VDD1で動作するように構成される。よって、第1の正極D/A変換器PLには、第1の電圧範囲GND〜VDD1に対応した正極階調信号V32P〜V63Pが供給される(図3参照)。その正極階調信号V32P〜V63Pは、階調電圧生成回路40の正極階調電圧生成回路41により供給される。そして、第1の正極D/A変換器PLは、正極階調信号V32P〜V63Pのうち、第1のデジタル信号の下位ビット群D0〜D4に応じた1つの正極階調信号(以下、「第1の正極階調信号」と参照される)を出力する。つまり、第1の正極D/A変換器PLは、入力される第1のデジタル信号の下位ビット群D0〜D4をD/A変換することによって、第1の正極階調信号を生成する。例えば、下位ビット群D0〜D4が「00000」である場合、階調信号V32Pが第1の正極階調信号として選択される。第1の正極D/A変換器PLは、その第1の正極階調信号を正極セレクタ11に出力する。
The first positive D / A converter PL is configured to operate in the first voltage range GND to VDD1. Therefore, the positive polarity gradation signals V32P to V63P corresponding to the first voltage range GND to VDD1 are supplied to the first positive polarity D / A converter PL (see FIG. 3). The positive polarity gradation signals V32P to V63P are supplied by the positive polarity gradation
図5A及び図5Bには、1つのD/A変換器の回路構成が例示されている。簡単のため、2ビットのデジタル信号(D0,D1)の場合が説明される。図5Aに示されたD/A変換器は、インバータa1,a2、AND回路a3〜a6、及びトランジスタ(スイッチ)a7〜a10を有している。デジタル信号は、インバータa1,a2やAND回路a3〜a6などの論理回路でデコードされる。これにより4個のスイッチa7〜a10のうち1個のスイッチがオンされ、4種類の電圧V0〜V3のうちデジタル信号に応じた1つの電圧が出力される。図5Bに示されたD/A変換器は、複数のトランジスタb1〜b16及びインバータb17,b18を有している。但し、トランジスタb1,b3,b5,b8,b10,b11,b14,及びb16は、エンハンスメント型トランジスタであり、それ以外は常時オンのディプレッション型トランジスタである。各トランジスタのゲートには、デジタル信号(D0,D1)及びその反転信号のいずれかが入力される。これにより、4種類の電圧V0〜V3のうちデジタル信号に応じた1つの電圧が出力される。デジタル信号のビット数が異なる場合でも、同様の原理でD/A変換器が実現される。 5A and 5B illustrate the circuit configuration of one D / A converter. For simplicity, the case of a 2-bit digital signal (D0, D1) will be described. The D / A converter shown in FIG. 5A includes inverters a1 and a2, AND circuits a3 to a6, and transistors (switches) a7 to a10. The digital signal is decoded by logic circuits such as inverters a1 and a2 and AND circuits a3 to a6. As a result, one of the four switches a7 to a10 is turned on, and one voltage corresponding to the digital signal is output from the four types of voltages V0 to V3. The D / A converter shown in FIG. 5B includes a plurality of transistors b1 to b16 and inverters b17 and b18. However, the transistors b1, b3, b5, b8, b10, b11, b14, and b16 are enhancement type transistors, and the other transistors are always on depletion type transistors. Either a digital signal (D0, D1) or its inverted signal is input to the gate of each transistor. Thereby, one voltage according to a digital signal is output among the four types of voltages V0 to V3. Even when the number of bits of the digital signal is different, the D / A converter is realized by the same principle.
第2の正極D/A変換器PHは、第2の電圧範囲VDD1〜VDD2で動作するように構成される。よって、第2の正極D/A変換器PHには、第2の電圧範囲VDD1〜VDD2に対応した正極階調信号V0P〜V31Pが供給される(図3参照)。その正極階調信号V0P〜V31Pは、階調電圧生成回路40の正極階調電圧生成回路41により供給される。そして、第2の正極D/A変換器PHは、正極階調信号V0P〜V31Pのうち、第1のデジタル信号の下位ビット群D0〜D4に応じた1つの正極階調信号(以下、「第2の正極階調信号」と参照される)を出力する。つまり、第2の正極D/A変換器PHは、入力される第1のデジタル信号の下位ビット群D0〜D4をD/A変換することによって、第2の正極階調信号を生成する。例えば、下位ビット群D0〜D4が「11111」である場合、階調信号V31Pが第2の正極階調信号として選択される。第2の正極D/A変換器PHは、その第2の正極階調信号を正極セレクタ11に出力する。第2の正極D/A変換器PHの回路構成は、図5Aや図5Bで示された構成と同様である。
The second positive electrode D / A converter PH is configured to operate in the second voltage range VDD1 to VDD2. Therefore, the positive polarity gradation signals V0P to V31P corresponding to the second voltage range VDD1 to VDD2 are supplied to the second positive polarity D / A converter PH (see FIG. 3). The positive polarity gradation signals V0P to V31P are supplied by the positive polarity gradation
図6A及び図6Bには、正極階調電圧生成回路41の回路構成が例示されている。正極階調電圧生成回路41は、単調増加性に優れている抵抗ストリング回路を含んでいる。例えば、図6Aには、複数の抵抗R1〜R64が直列に接続された抵抗ストリング回路が示されている。この抵抗ストリング回路に、ボルテージフォロア43、44、45のそれぞれを通して、参照電圧Vref2、Vref3、及びVref1が供給されている。また、それぞれの接続点から複数の正極階調電圧V0〜V63が生成されている。参照電圧Vref3は、抵抗R31と抵抗R32との接続点に供給され、その接続点には容量46が接続され、VDD1電源として利用される。この場合、中間調である正極階調電圧V31P及びV32Pは、第1の電圧VDD1近傍の電圧となる。また、図6Bには、複数の抵抗R1〜R63が直列に接続された抵抗ストリング回路が示されている。この場合、中間調である正極階調電圧V31Pが第1の電圧VDD1となる。
6A and 6B illustrate the circuit configuration of the positive gradation
次に、正極セレクタ11は、第1の正極D/A変換器PLから第1の正極階調信号を受け取り、第2の正極D/A変換器PHから第2の正極階調信号を受け取る。従って、正極セレクタ11は、第5の電圧範囲GND〜VDD2で動作するように構成される。そして、正極セレクタ11は、第1のデジタル信号の最上位ビットD5に応じて、第1の正極階調信号及び第2の正極階調信号のいずれかを1つの正極階調信号として選択する。
Next, the
具体的には、正極セレクタ11はスイッチ12及び13を有しており、スイッチ12及び13のON・OFFは、最上位ビットD5の状態を示す制御信号SWCNT1により制御される。最上位ビットD5が「1」の場合、正極階調信号V32P〜V63Pが選択されるので、制御信号SWCNT1は、スイッチ12がOFFし、スイッチ13がONするように正極セレクタ11を制御する。この場合、正極セレクタ11は、第1の正極D/A変換器PLからの第1の正極階調信号を選択する。一方、最上位ビットD5が「0」の場合、正極階調信号V0P〜V31Pが選択されるので、制御信号SWCNT1は、スイッチ12がONし、スイッチ13がOFFするように正極セレクタ11を制御する。この場合、正極セレクタ11は、第2の正極D/A変換器PLからの第2の正極階調信号を選択する。選択された1つの正極階調信号は、ノードN1に出力される。
Specifically, the
ノードN1は、増幅率が1であるボルテージフォロア17の入力に接続される。また、ボルテージフォロア17の出力は、ノードN2に接続される。ノードN2は、極性選択回路30に接続される。上述の1つの正極階調信号は、ボルテージフォロア17を通して極性選択回路30に供給される。尚、プリチャージスイッチ14〜16は、ノードN1やノードN2を所定の電圧にプリチャージするための構成である。プリチャージ動作に関しては後述される。ボルテージフォロア17やプリチャージスイッチ14〜16は、正極セレクタ11と同様に、第5の電圧範囲GND〜VDD2で動作するように構成される。
The node N1 is connected to the input of the
次に、負極側の構成の説明が行われる。 Next, the configuration on the negative electrode side will be described.
第1の負極D/A変換器NHは、第3の電圧範囲VDD3〜GNDで動作するように構成される。よって、第1の負極D/A変換器NHには、第3の電圧範囲VDD3〜GNDに対応した負極階調信号V32N〜V63Nが供給される(図3参照)。その負極階調信号V32N〜V63Nは、階調電圧生成回路40の負極階調電圧生成回路42により供給される。そして、第1の負極D/A変換器NHは、負極階調信号V32N〜V63Nのうち、第2のデジタル信号の下位ビット群D0〜D4に応じた1つの負極階調信号(以下、「第1の負極階調信号」と参照される)を出力する。つまり、第1の負極D/A変換器NHは、入力される第2のデジタル信号の下位ビット群D0〜D4をD/A変換することによって、第1の負極階調信号を生成する。例えば、下位ビット群D0〜D4が「00000」である場合、階調信号V32Nが第1の負極階調信号として選択される。第1の負極D/A変換器NHは、その第1の負極階調信号を負極セレクタ21に出力する。
The first negative D / A converter NH is configured to operate in the third voltage range VDD3 to GND. Therefore, the negative polarity gradation signals V32N to V63N corresponding to the third voltage range VDD3 to GND are supplied to the first negative polarity D / A converter NH (see FIG. 3). The negative gradation signals V32N to V63N are supplied by the negative gradation
第2の負極D/A変換器NLは、第4の電圧範囲VDD4〜VDD3で動作するように構成される。よって、第2の負極D/A変換器NLには、第4の電圧範囲VDD4〜VDD3に対応した負極階調信号V0N〜V31Nが供給される(図3参照)。その負極階調信号V0N〜V31Nは、階調電圧生成回路40の負極階調電圧生成回路42により供給される。そして、第2の負極D/A変換器NLは、負極階調信号V0N〜V31Nのうち、第2のデジタル信号の下位ビット群D0〜D4に応じた1つの負極階調信号(以下、「第2の負極階調信号」と参照される)を出力する。つまり、第2の負極D/A変換器NLは、入力される第2のデジタル信号の下位ビット群D0〜D4をD/A変換することによって、第2の負極階調信号を生成する。例えば、下位ビット群D0〜D4が「11111」である場合、階調信号V31Nが第2の負極階調信号として選択される。第2の負極D/A変換器NLは、その第2の負極階調信号を負極セレクタ21に出力する。
The second negative D / A converter NL is configured to operate in the fourth voltage range VDD4 to VDD3. Therefore, the negative polarity gradation signals V0N to V31N corresponding to the fourth voltage range VDD4 to VDD3 are supplied to the second negative polarity D / A converter NL (see FIG. 3). The negative gradation signals V0N to V31N are supplied by the negative gradation
尚、第1の負極D/A変換器NH及び第2の負極D/A変換器NLの回路構成は、図5Aや図5Bで示された構成と同様である。また、負極階調電圧生成回路42の回路構成は、図6Aや図6Bで示された構成と同様である。抵抗R31と抵抗R32との接続点に容量46が接続され、VDD3電源として利用される。
The circuit configurations of the first negative electrode D / A converter NH and the second negative electrode D / A converter NL are the same as those shown in FIGS. 5A and 5B. The circuit configuration of the negative gradation
負極セレクタ21は、第1の負極D/A変換器NHから第1の負極階調信号を受け取り、第2の負極D/A変換器NLから第2の負極階調信号を受け取る。従って、負極セレクタ21は、第6の電圧範囲VDD4〜GNDで動作するように構成される。そして、負極セレクタ21は、第2のデジタル信号の最上位ビットD5に応じて、第1の負極階調信号及び第2の負極階調信号のいずれかを1つの負極階調信号として選択する。
The
具体的には、負極セレクタ21はスイッチ22及び23を有しており、スイッチ22及び23のON・OFFは、最上位ビットD5の状態を示す制御信号SWCNT1により制御される。最上位ビットD5が「1」の場合、負極階調信号V32N〜V63Nが選択されるので、制御信号SWCNT1は、スイッチ22がONし、スイッチ23がOFFするように負極セレクタ21を制御する。この場合、負極セレクタ21は、第1の負極D/A変換器NHからの第1の負極階調信号を選択する。一方、最上位ビットD5が「0」の場合、負極階調信号V0N〜V31Nが選択されるので、制御信号SWCNT1は、スイッチ22がOFFし、スイッチ23がONするように負極セレクタ21を制御する。この場合、負極セレクタ21は、第2の負極D/A変換器NHからの第2の負極階調信号を選択する。選択された1つの負極階調信号は、ノードN3に出力される。
Specifically, the
ノードN3は、増幅率が1であるボルテージフォロア27の入力に接続される。また、ボルテージフォロア27の出力は、ノードN4に接続される。ノードN4は、極性選択回路30に接続される。上述の1つの負極階調信号は、ボルテージフォロア27を通して極性選択回路30に供給される。尚、プリチャージスイッチ24〜26は、ノードN3やノードN4を所定の電圧にプリチャージするための構成である。プリチャージ動作に関しては後述される。ボルテージフォロア27やプリチャージスイッチ24〜26は、負極セレクタ21と同様に、第6の電圧範囲VDD4〜GNDで動作するように構成される。
The node N3 is connected to the input of the
次に、極性選択回路30の構成の説明が行われる。
Next, the configuration of the
極性選択回路30は、正極セレクタ11から1つの正極階調信号を受け取り、負極セレクタ21から1つの負極階調信号を受け取る。従って、極性選択回路30は、第7の電圧範囲VDD4〜VDD2で動作するように構成される。この極性選択回路30は、1つの正極階調信号をデータ線Y1とY2の一方に出力し、1つの負極階調信号をデータ線Y1とY2の他方に出力する。
The
具体的には、極性選択回路30は、スイッチ31〜34を有している。スイッチ31は、ノードN2と出力端子T1の間に設けられ、スイッチ33は、ノードN2と出力端子T2の間に設けられている。また、スイッチ32は、ノードN4と出力端子T1の間に設けられ、スイッチ34は、ノードN4と出力端子T2の間に設けられている。これらスイッチ31〜34のON・OFFは、極性信号POLの状態を示す制御信号SWCNT2により制御される。例えば、極性信号POLが「1」の場合、制御信号SWCNT2は、スイッチ31、34がONし、スイッチ32、33がOFFするように極性選択回路30を制御する。この場合、極性選択回路30は、正極階調信号をデータ線Y1に出力し、負極階調信号をデータ線Y2に出力する。一方、極性信号POLが「0」の場合、制御信号SWCNT2は、スイッチ31、34がOFFし、スイッチ32、33がONするように極性選択回路30を制御する。この場合、極性選択回路30は、正極階調信号をデータ線Y2に出力し、負極階調信号をデータ線Y1に出力する。
Specifically, the
このように、隣接するデータ線Y1及びY2には、極性の異なる階調信号が出力される。その結果、隣接する画素3(3a−3b;3c−3d)に印加される画素電圧の極性は反対になる。従って、ドット反転駆動が実現される。また、極性信号POL(制御信号SWCNT2)により、正極と負極を反転させることが可能である。ここで、極性信号POLの値は、水平期間ごとに「0」と「1」の間で切り替わると好適である。これにより、データ線Y1、Y2に印加される階調電圧の極性が、水平期間ごとに反転する。その結果、隣接する画素3(3a−3c;3b−3d)に印加される画素電圧の極性は反対になる。従って、ドット反転駆動(ライン反転駆動)が実現される。 Thus, gradation signals having different polarities are output to the adjacent data lines Y1 and Y2. As a result, the polarities of the pixel voltages applied to the adjacent pixels 3 (3a-3b; 3c-3d) are reversed. Therefore, dot inversion driving is realized. Further, it is possible to invert the positive electrode and the negative electrode by the polarity signal POL (control signal SWCNT2). Here, the value of the polarity signal POL is preferably switched between “0” and “1” for each horizontal period. As a result, the polarity of the gradation voltage applied to the data lines Y1 and Y2 is inverted every horizontal period. As a result, the polarities of the pixel voltages applied to the adjacent pixels 3 (3a-3c; 3b-3d) are reversed. Therefore, dot inversion driving (line inversion driving) is realized.
以上に説明されたように、正極D/A変換器PL,PH、負極D/A変換器NH,NL、正極セレクタ11、負極セレクタ21、極性選択回路30は、それぞれ異なる電圧範囲で動作する。ここで、第5の電圧範囲GND〜VDD2で動作する正極セレクタ11や、第6の電圧範囲VDD4〜GNDで動作する負極セレクタ21は、「中電圧素子」で製造され、第7の電圧範囲VDD4〜VDD2で動作する極性選択回路30は、「高電圧素子」で製造される。
As described above, the positive electrode D / A converters PL and PH, the negative electrode D / A converters NH and NL, the
一方、より狭い電圧範囲で動作する正極D/A変換器PL,PHや負極D/A変換器NL,NHに関しては、中電圧素子より耐圧の低い「低電圧素子」で製造することが可能である。すなわち、本実施の形態によれば、正極D/A変換器PL,PHや負極D/A変換器NL,NHを構成する素子の耐圧は、従来に比べ低くて構わない。その結果、正極D/A変換器PL,PHや負極D/A変換器NL,NHを構成する素子のゲート長Lやゲート幅Wを小さく設計することが可能となる。従って、正極D/A変換器(PL,PH)や負極D/A変換器(NL,NH)の回路面積を縮小することが可能となる。 On the other hand, the positive electrode D / A converters PL and PH and the negative electrode D / A converters NL and NH that operate in a narrower voltage range can be manufactured with “low voltage elements” having a lower withstand voltage than the medium voltage elements. is there. In other words, according to the present embodiment, the withstand voltages of the elements constituting the positive electrode D / A converters PL and PH and the negative electrode D / A converters NL and NH may be lower than those in the past. As a result, the gate length L and the gate width W of the elements constituting the positive electrode D / A converters PL and PH and the negative electrode D / A converters NL and NH can be designed to be small. Therefore, the circuit area of the positive electrode D / A converter (PL, PH) and the negative electrode D / A converter (NL, NH) can be reduced.
このように、本実施の形態によれば、増幅率αが1より大きい増幅器を使うこと無く、D/A変換を担う回路の面積を縮小することが可能である。上述の正極階調信号や負極階調信号は、ボルテージフォロア17,27を通してデータ線Yに出力されればよい。増幅器の製造ばらつきによる増幅率αのばらつきが無くなるので、データ線Yに供給される画素電圧の精度が向上する。すなわち、データ線駆動回路5の面積が低減されるだけでなく、“むら”等の画質劣化が防止される。特に、ドット反転駆動方式の場合、本発明に係る構成は有効である。更に、D/A変換器PH,PL,NH,NLの動作電圧が低減されるので、データ線駆動回路5の消費電力も低減される。
As described above, according to the present embodiment, it is possible to reduce the area of a circuit responsible for D / A conversion without using an amplifier having an amplification factor α greater than 1. The positive polarity gradation signal and the negative polarity gradation signal described above may be output to the data line Y through the
尚、動作電圧の異なる各回路へのロジック回路60からの信号の電圧レベルは、図2に示されたレベルシフト回路群50によって、適宜変更されればよい。例えば、図7は、レベルシフト回路群50の構成の一例を示している。レベルシフト回路群50は、レベルシフト回路51〜57を含んでいる。レベルシフト回路51は、下位ビット群D0〜D4の電圧レベルを、第2の正極D/A変換器PHの動作電圧(VDD1〜VDD2)に適合するように変更する。レベルシフト回路52は、下位ビット群D0〜D4の電圧レベルを、第1の正極D/A変換器PLの動作電圧(GND〜VDD1)に適合するように変更する。レベルシフト回路53は、下位ビット群D0〜D4の電圧レベルを、第1の負極D/A変換器NHの動作電圧(VDD3〜GND)に適合するように変更する。レベルシフト回路54は、下位ビット群D0〜D4の電圧レベルを、第2の負極D/A変換器NLの動作電圧(VDD4〜VDD3)に適合するように変更する。
Note that the voltage level of the signal from the
また、ロジック回路60は、最上位ビットD5の状態に基づく制御信号SWCNT1や、極性信号POLの状態に基づく制御信号SWCNT2を出力する。レベルシフト回路55は、制御信号SWCNT1、SWCNT2の電圧レベルを、正極側のスイッチ群12〜16の動作電圧(GND〜VDD2)に適合するように変更する。レベルシフト回路56は、制御信号SWCNT1、SWCNT2の電圧レベルを、負極側のスイッチ群22〜26の動作電圧(VDD4〜GND)に適合するように変更する。レベルシフト回路57は、制御信号SWCNT2の電圧レベルを、極性選択回路30の動作電圧(VDD4〜VDD2)に適合するように変更する。
The
(プリチャージ動作)
まず、ノードN2及びノードN4に対するプリチャージ動作が説明される。図4を参照して、制御信号SWCNT2に応じて、ノードN2やN4は、グランドGNDにプリチャージされる。具体的には、プリチャージ動作時、制御信号SWCNT2により、スイッチ15がOFFし、プリチャージスイッチ16がONする。また、プリチャージ動作時、制御信号SWCNT2により、スイッチ25がOFFし、プリチャージスイッチ26がONする。プリチャージスイッチ16や26はグランド線に接続されており、それらスイッチがONすることにより、ノードN2やノードN4がグランドGNDにプリチャージされる。
(Precharge operation)
First, the precharge operation for the nodes N2 and N4 will be described. Referring to FIG. 4, according to control signal SWCNT2, nodes N2 and N4 are precharged to ground GND. Specifically, during the precharge operation, the
ノードN2やノードN4に対するプリチャージの理由は、ボルテージフォロア17や27に動作電圧以外の電圧が印加されないようにするためである。例えば、ボルテージフォロア17は、スイッチ15を介してノードN2に接続されており、そのノードN2は、スイッチ31,33を介して出力端子T1,T2に接続されている。上述の通り、出力端子T1(データ線Y1)や出力端子T2(データ線Y2)に印加される階調電圧の極性は、制御信号SWCNT2に応じて反転する。よって、素子寿命の低下を防ぐため、第5の動作電圧GND〜VDD2で動作するボルテージフォロア17に負極階調電圧V0N〜V63Nが印加されることを防止する必要がある。そのために、スイッチ15がOFFされ、プリチャージスイッチ16がONされ、ノードN2がグランドGNDにプリチャージされる。この観点において、プリチャージ動作は、極性選択回路30内のスイッチ31〜34が切り替わる際に実行されることが好適である。つまり、プリチャージ動作は、極性信号POLが変化する場合に行われ、極性信号POLの状態に基づく制御信号SWCNT2により制御されることが好適である。ノードN4に関しても同様である。
The reason for precharging the node N2 and the node N4 is to prevent a voltage other than the operating voltage from being applied to the
次に、ノードN1及びノードN3に対するプリチャージ動作が説明される。図4を参照して、制御信号SWCNT1に応じて、ノードN1は、第1の電圧VDD1にプリチャージされる。具体的には、プリチャージ動作時、制御信号SWNCT1により、スイッチ12及び13がOFFし、プリチャージスイッチ14がONする。プリチャージスイッチ14は、ノードN1とVDD1電源(図6A,図6B参照)に接続されており、プリチャージスイッチ14がONすることにより、ノードN1が第1の電圧VDD1にプリチャージされる。また、制御信号SWCNT1に応じて、ノードN3は、第3の電圧VDD3にプリチャージされる。具体的には、プリチャージ動作時、制御信号SWNCT1により、スイッチ22及び23がOFFし、プリチャージスイッチ24がONする。プリチャージスイッチ24は、ノードN3とVDD3電源(図6A,図6B参照)に接続されており、プリチャージスイッチ24がONすることにより、ノードN3が第3の電圧VDD3にプリチャージされる。
Next, the precharge operation for the nodes N1 and N3 will be described. Referring to FIG. 4, node N1 is precharged to first voltage VDD1 in response to control signal SWCNT1. Specifically, during the precharge operation, the
ノードN1やノードN3に対するプリチャージの理由は、D/A変換器PH,PL,NH,NLに動作電圧以外の電圧が印加されないようにするためである。例えば、第1の電圧範囲GND〜VDD1で動作する第1の正極D/A変換器PLは、スイッチ13を介してノードN1に接続されている。ここで、ノードN1には、第2の正極D/A変換器PHから出力される正極階調電圧V0P〜V31Pも印加される。よって、素子寿命の低下を防ぐため、第1の正極D/A変換器PLに、第1の電圧範囲GND〜VDD1以外の電圧が印加されることを防止する必要がある。そのために、スイッチ12及び13がOFFされ、プリチャージスイッチ14がONされ、ノードN1が中間階調電圧である第1の電圧VDD1にプリチャージされる。この観点において、プリチャージ動作は、正極セレクタ11内のスイッチ12、13が切り替わる際に実行されることが好適である。つまり、プリチャージ動作は、第1のデジタル信号の最上位ビットD5が変化する前に行われ、最上位ビットD5の状態に基づく制御信号SWCNT1により制御されることが好適である。ノードN3に関しても同様であり、ノードN3に対するプリチャージ動作は、第2のデジタル信号の最上位ビットD5が変化する前に行われる。
The reason for precharging the node N1 and the node N3 is to prevent a voltage other than the operating voltage from being applied to the D / A converters PH, PL, NH, and NL. For example, the first positive electrode D / A converter PL that operates in the first voltage range GND to VDD1 is connected to the node N1 via the
図8は、デジタル信号の最上位ビットD5の変化を検出して、ノードN1をプリチャージするための構成が示されている。尚、図8においては、正極側に関する回路だけが示されている。負極側に関する回路及び動作は、正極側と同様であり、その説明は適宜省略される。また、図8は、正極となる複数のデータ線Y1〜Y(n−1)のそれぞれに対し、ラッチ回路やプリチャージ用回路が別々に設けられていることを示している。 FIG. 8 shows a configuration for detecting the change of the most significant bit D5 of the digital signal and precharging the node N1. In FIG. 8, only the circuit relating to the positive electrode side is shown. The circuit and operation relating to the negative electrode side are the same as those of the positive electrode side, and the description thereof is omitted as appropriate. FIG. 8 shows that a latch circuit and a precharge circuit are separately provided for each of the plurality of data lines Y1 to Y (n−1) serving as positive electrodes.
図8に示されるように、ロジック回路60は、第1ラッチ回路61、第2ラッチ回路62、及び変化検出回路63を含んでいる。第1ラッチ回路61や第2ラッチ回路62は、6ビットのデジタル信号D0〜D5をラッチするための回路である。ここで、第1ラッチ回路61は、クロック信号に同期したシフトレジスタレジスタ(図示されない)から出力されるサンプリング信号SMPに応じてラッチを行う。一方、第2ラッチ回路62は、第1ラッチ回路61でラッチされたデジタル信号D0〜D5を、ラッチ信号LATに応答して一斉にラッチする。また、第2ラッチ回路62は、1水平期間など所定の期間だけデジタル信号D0〜D5を保持する。
As shown in FIG. 8, the
第2ラッチ回路62に保持されるデジタル信号は、現在のデジタル信号である。一方、第1ラッチ回路61に保持されるデジタル信号は、次のステップにおけるデジタル信号である。よって、第1ラッチ回路61及び第2ラッチ回路62に保持されたデジタル信号を比較することによって、最上位ビットD5の変化を検出することが可能である。変化検出回路63は、その変化を検出するために設けられている。
The digital signal held in the
変化検出回路63は、制御信号C1により制御される。例えば制御信号C1が「1」の場合、変化検出回路63は、第1ラッチ回路61で保持される最上位ビットD5と、第2ラッチ回路62で保持される最上位ビットD5との比較を行う。2つの最上位ビットD5が不一致の場合、すなわち、最上位ビットD5が変化する場合、変化検出回路63は、プリチャージ用の制御信号SWCNT1を出力する。プリチャージ用の制御信号SWCNT1は、スイッチ12及び13をOFFし、プリチャージスイッチ14をONするスイッチ制御信号である。そのプリチャージ用の制御信号SWCNT1は、上述のレベルシフト回路55を通して、スイッチ12、13及びプリチャージスイッチ14に供給される。これにより、ノードN1が第1の電圧VDD1にプリチャージされる。このプリチャージ動作により、素子寿命の劣化が抑制される。
The
また、2つの最上位ビットD5が一致する場合、すなわち、最上位ビットD5が変化しない場合、変化検出回路63は、プリチャージ用の制御信号SWCNT1を出力しない。この場合、スイッチ12、13、及びプリチャージスイッチ14の状態は変化しない。つまり、最上位ビットD5が変化しない場合は、耐圧以上の電圧が正極D/A変換器PH、PLに印加される恐れはないので、プリチャージ動作は行われない。これにより、プリチャージによる無駄な充放電電力を削減することが可能となる。
When the two most significant bits D5 match, that is, when the most significant bit D5 does not change, the
また、制御信号C1が「0」の場合、変化検出回路63は、通常の制御信号SWCNT1を出力する。最上位ビットD5が「1」の場合、変化検出回路63は、スイッチ12をOFFし、スイッチ13をONし、スイッチ14をOFFする制御信号SWCNTを出力する。この場合、第1の正極D/A変換器PLで選択された正極階調電圧(V32P〜V63P)が、ノードN1に出力される。一方、最上位ビットD5が「0」の場合、変化検出回路63は、スイッチ12をONし、スイッチ13をOFFし、スイッチ14をOFFする制御信号SWCNTを出力する。この場合、第2の正極D/A変換器PHで選択された正極階調電圧(V0P〜V31P)が、ノードN1に出力される。
When the control signal C1 is “0”, the
上述の通り、ラッチ信号LATが入力されると、第2ラッチ回路62の内容は、次ステップのデジタル信号に更新されてしまう。よって、プリチャージ動作は、第2ラッチ回路62が更新される直前に行われることが好適である。すなわち、変化検出回路63を制御する制御信号C1は、ラッチ信号LATが入力される前に「1」に設定されると好適である。例えば、制御信号C1は、ある水平期間の開始後、ラッチ信号LATが入力されるまで「1」に設定される。ラッチ信号LATが入力されると同時に、制御信号C1は「0」に設定される。
As described above, when the latch signal LAT is input, the contents of the
(動作例)
次に、本実施の形態に係るデータ線駆動回路5の動作の一例を、図9に示されたタイミングチャートを用いて説明する。図9には、水平同期信号STB、ラッチ信号LAT、極性信号POL、第2ラッチ回路62の内容、各スイッチの状態、各ノードの電圧、及びデータ線Y1、Y2に印可される階調電圧が示されている。
(Operation example)
Next, an example of the operation of the data line driving
尚、ラッチ回路62−1には正極用のデジタル信号(第1のデジタル信号)が格納されるとする。この正極用のデジタル信号D0〜D5の内容は、正極D/A変換器PH,PLに送られる、あるいは、正極側のスイッチ12〜14の制御に用いられる。また、ラッチ回路62−2には負極用のデジタル信号(第2のデジタル信号)が格納されるとする。この負極用のデジタル信号D0〜D5の内容は、負極D/A変換器NH,NLに送られる、あるいは、負極側のスイッチ22〜24の制御に用いられる。ここで、データ線Y1,Y2に供給される階調電圧の極性は、水平期間ごとに反転する。従って、例えばデータ線Y1に対応するデジタル信号は、ラッチ回路62−1と62−2に交互に入力されればよい。
It is assumed that a positive digital signal (first digital signal) is stored in the latch circuit 62-1. The contents of the positive digital signals D0 to D5 are sent to the positive D / A converters PH and PL, or used to control the
まず、第1水平期間において、極性信号POLは「1」である。この時、データ線Y1には正極階調電圧が印加され、データ線Y2には負極階調電圧が印加される。そのため、データ線Y1に対応した第1のデジタル信号「111111」がラッチ回路62−1に格納され、データ線Y2に対応した第2のデジタル信号「000000」がラッチ回路62−2に格納されている。第1のデジタル信号の下位ビット群「11111」に応じて、第1の正極D/A変換器PLは、正極階調電圧V63Pを選択し、第2の正極D/A変換器PHは、正極階調電圧V31Pを選択している。また、その最上位ビット「1」に応じて、スイッチ12がOFFし、スイッチ13がONしている。これにより、ノードN1及びノードN2には、正極階調電圧V63Pが印加されている。
First, in the first horizontal period, the polarity signal POL is “1”. At this time, a positive gray scale voltage is applied to the data line Y1, and a negative gray scale voltage is applied to the data line Y2. Therefore, the first digital signal “111111” corresponding to the data line Y1 is stored in the latch circuit 62-1, and the second digital signal “000000” corresponding to the data line Y2 is stored in the latch circuit 62-2. Yes. In accordance with the lower bit group “11111” of the first digital signal, the first positive D / A converter PL selects the positive gradation voltage V63P, and the second positive D / A converter PH selects the positive The gradation voltage V31P is selected. Further, according to the most significant bit “1”, the
また、第2のデジタル信号の下位ビット群「00000」に応じて、第1の負極D/A変換器NHは、負極階調電圧V32Nを選択し、第2の負極D/A変換器NLは、負極階調電圧V0Nを選択している。また、その最上位ビット「0」に応じて、スイッチ22がOFFし、スイッチ23がONしている。これにより、ノードN3及びノードN4には、負極階調電圧V0Nが印加されている。また、極性信号POLが「1」である場合、極性選択回路30のスイッチ31,34がONし、スイッチ32,33がOFFする。その結果、第1のデジタル信号「111111」に応じた正極階調電圧V63Pがデータ線Y1に印加される。また、第2のデジタル信号「000000」に応じた負極階調電圧V0Nがデータ線Y2に印加される。
Further, according to the lower bit group “00000” of the second digital signal, the first negative D / A converter NH selects the negative gradation voltage V32N, and the second negative D / A converter NL The negative gradation voltage V0N is selected. Further, according to the most significant bit “0”, the
次に、時刻t20において、水平同期信号STBが立ち上がり、第2水平期間が始まる。また、時刻t20において、水平同期信号STBに同期して極性信号POLが反転する。極性信号POLが「0」の場合、データ線Y1には負極階調電圧が印加され、データ線Y2には正極階調電圧が印加される。そのため、後のラッチ信号LATに応答して、データ線Y1に対する第2のデジタル信号「111111」はラッチ回路62−2にラッチされることになる。また、後のラッチ信号LATに応答して、データ線Y2に対する第1のデジタル信号「000000」はラッチ回路62−1に格納されることになる。 Next, at time t20, the horizontal synchronization signal STB rises and the second horizontal period starts. At time t20, the polarity signal POL is inverted in synchronization with the horizontal synchronization signal STB. When the polarity signal POL is “0”, a negative gradation voltage is applied to the data line Y1, and a positive gradation voltage is applied to the data line Y2. Therefore, in response to the later latch signal LAT, the second digital signal “111111” for the data line Y1 is latched by the latch circuit 62-2. In response to the subsequent latch signal LAT, the first digital signal “000000” for the data line Y2 is stored in the latch circuit 62-1.
ラッチ信号LATが入力される前に、まず上述のプリチャージ動作が実行される。そのため、時刻t20において、水平同期信号STBに同期して制御信号C1が「1」に設定される。この時点では、第2のラッチ回路62−1には、第1水平期間におけるデータ線Y1に対するデジタル信号「111111」が格納されており、第1のラッチ回路61−1には、第2水平期間におけるデータ線Y2に対するデジタル信号「000000」が格納されている。よって、変化検出回路63−1は、最上位ビットD5の不一致を検出し、プリチャージ用の制御信号SWCNT1を出力する。これにより、スイッチ12及び13がOFFし、スイッチ14がONする。その結果、ノードN1が第1の電圧VDD1にプリチャージされる。
Before the latch signal LAT is input, the above-described precharge operation is first performed. Therefore, at time t20, the control signal C1 is set to “1” in synchronization with the horizontal synchronization signal STB. At this time, the digital signal “111111” for the data line Y1 in the first horizontal period is stored in the second latch circuit 62-1, and the second horizontal period is stored in the first latch circuit 61-1. The digital signal “000000” for the data line Y2 is stored. Therefore, the change detection circuit 63-1 detects the mismatch of the most significant bit D5 and outputs the precharge control signal SWCNT1. As a result, the
また、第2のラッチ回路62−2には、第1水平期間におけるデータ線Y2に対するデジタル信号「000000」が格納されており、第1のラッチ回路61−2には、第2水平期間におけるデータ線Y1に対するデジタル信号「111111」が格納されている。よって、変化検出回路63−2は、最上位ビットD5の不一致を検出し、プリチャージ用の制御信号SWCNT1を出力する。これにより、スイッチ22及び23がOFFし、スイッチ24がONする。その結果、ノードN3が第3の電圧VDD3にプリチャージされる。
The second latch circuit 62-2 stores a digital signal “000000” for the data line Y2 in the first horizontal period, and the first latch circuit 61-2 stores data in the second horizontal period. The digital signal “111111” for the line Y1 is stored. Therefore, the change detection circuit 63-2 detects the mismatch of the most significant bit D5 and outputs the precharge control signal SWCNT1. As a result, the
更に、水平同期信号STBが「1」になってから数クロックの間、つまり、極性信号POLが反転してから数クロックの間、ノードN2及びN4に対するプリチャージも実行される。具体的には、スイッチ15,25がOFFし、スイッチ16,26がONする。これにより、ノードN2とノードN4が、グランドGNDにプリチャージされる。更に、スイッチ31及び34がONしているので、データ線Y1,Y2もグランドGNDにプリチャージされる。
Further, precharging of the nodes N2 and N4 is also performed for several clocks after the horizontal synchronization signal STB becomes “1”, that is, for several clocks after the polarity signal POL is inverted. Specifically, the
時刻t21において、水平同期信号STBが「0」に変わり、ラッチ信号LATが入力される。これにより、第1のラッチ回路61にラッチされたデジタル信号が、第2のラッチ回路62に一斉に転送されラッチされる。その結果、第2のラッチ回路62−1には、データ線Y2に対する第1のデジタル信号「000000」が格納される。また、第2のラッチ回路62−2には、データ線Y1に対する第2のデジタル信号「111111」が格納される。また、時刻t21において、制御信号C1が「0」に戻る。これにより、スイッチ14,24がOFFし、ノードN1及びノードN3に対するプリチャージは終了する。
At time t21, the horizontal synchronization signal STB changes to “0” and the latch signal LAT is input. As a result, the digital signals latched in the
第1のデジタル信号の下位ビット群「00000」に応じて、第1の正極D/A変換器PLは、正極階調電圧V32Pを選択し、第2の正極D/A変換器PHは、正極階調電圧V0Pを選択する。また、その最上位ビット「0」に応じて、スイッチ12がONし、スイッチ13がOFFする。これにより、ノードN1には、正極階調電圧V0Pが印加される。一方、第2のデジタル信号の下位ビット群「11111」に応じて、第1の負極D/A変換器NHは、負極階調電圧V63Nを選択し、第2の負極D/A変換器NLは、負極階調電圧V31Nを選択する。また、その最上位ビット「1」に応じて、スイッチ22がONし、スイッチ23がOFFする。これにより、ノードN3には、負極階調電圧V63Nが印加される。
In accordance with the lower bit group “00000” of the first digital signal, the first positive D / A converter PL selects the positive gradation voltage V32P, and the second positive D / A converter PH The gradation voltage V0P is selected. Further, according to the most significant bit “0”, the
更に数クロック経過した後、時刻t22において、制御信号SWCNT2に応答して、スイッチ15,25がONし、スイッチ16,26がOFFする。これにより、ノードN2及びノードN4に対するプリチャージが終了する。また、時刻t22において、制御信号SWCNT2に応答して、極性選択回路30のスイッチ31,34がOFFし、スイッチ32,33がONする。その結果、第1のデジタル信号「000000」に応じた正極階調電圧V0Pがデータ線Y2に印加される。また、第2のデジタル信号「111111」に応じた負極階調電圧V63Nがデータ線Y1に印加される。
Further, after several clocks, at time t22, in response to the control signal SWCNT2, the
次に、時刻t30において、水平同期信号STBが立ち上がり、第3水平期間が始まる。また、時刻t30において、水平同期信号STBに同期して極性信号POLが反転する。極性信号POLが「1」の場合、データ線Y1には正極階調電圧が印加され、データ線Y2には負極階調電圧が印加される。 Next, at time t30, the horizontal synchronization signal STB rises and the third horizontal period starts. At time t30, the polarity signal POL is inverted in synchronization with the horizontal synchronization signal STB. When the polarity signal POL is “1”, a positive gradation voltage is applied to the data line Y1, and a negative gradation voltage is applied to the data line Y2.
ラッチ信号LATが入力される前に、まず上述のプリチャージ動作が実行される。そのため、時刻t30において、水平同期信号STBに同期して制御信号C1が「1」に設定される。この時点では、第2のラッチ回路62−1には、第2水平期間におけるデータ線Y2に対するデジタル信号「000000」が格納されており、第1のラッチ回路61−1には、第3水平期間におけるデータ線Y1に対するデジタル信号「000000」が格納されている。最上位ビットD5が一致しているので、変化検出回路63−1は、プリチャージ用の制御信号SWCNT1を出力しない。よって、スイッチ12がONされ、スイッチ13がOFFされた状態が維持される。これにより、プリチャージによる無駄な充放電電力が低減される。
Before the latch signal LAT is input, the above-described precharge operation is first performed. Therefore, at time t30, the control signal C1 is set to “1” in synchronization with the horizontal synchronization signal STB. At this time, the second latch circuit 62-1 stores the digital signal “000000” for the data line Y2 in the second horizontal period, and the first latch circuit 61-1 stores the digital signal “000000”. The digital signal “000000” for the data line Y1 at is stored. Since the most significant bit D5 matches, the change detection circuit 63-1 does not output the precharge control signal SWCNT1. Therefore, the state where the
また、第2のラッチ回路62−2には、第2水平期間におけるデータ線Y1に対するデジタル信号「111111」が格納されており、第1のラッチ回路61−2には、第3水平期間におけるデータ線Y2に対するデジタル信号「000000」が格納されている。よって、変化検出回路63−2は、最上位ビットD5の不一致を検出し、プリチャージ用の制御信号SWCNT1を出力する。これにより、スイッチ22及び23がOFFし、スイッチ24がONする。その結果、ノードN3が第3の電圧VDD3にプリチャージされる。
The second latch circuit 62-2 stores a digital signal “111111” for the data line Y1 in the second horizontal period, and the first latch circuit 61-2 stores data in the third horizontal period. A digital signal “000000” for the line Y2 is stored. Therefore, the change detection circuit 63-2 detects the mismatch of the most significant bit D5 and outputs the precharge control signal SWCNT1. As a result, the
更に、水平同期信号STBが「1」になってから数クロックの間、つまり、極性信号POLが反転してから数クロックの間、ノードN2及びN4に対するプリチャージも実行される。具体的には、スイッチ15,25がOFFし、スイッチ16,26がONする。これにより、ノードN2とノードN4が、グランドGNDにプリチャージされる。更に、スイッチ32及び33がONしているので、データ線Y1,Y2もグランドGNDにプリチャージされる。
Further, precharging of the nodes N2 and N4 is also performed for several clocks after the horizontal synchronization signal STB becomes “1”, that is, for several clocks after the polarity signal POL is inverted. Specifically, the
時刻t31において、水平同期信号STBが「0」に変わり、ラッチ信号LATが入力される。これにより、第1のラッチ回路61にラッチされたデジタル信号が、第2のラッチ回路62に一斉に転送されラッチされる。その結果、第2のラッチ回路62−1には、データ線Y1に対する第1のデジタル信号「000000」が格納される。また、第2のラッチ回路62−2には、データ線Y2に対する第2のデジタル信号「000000」が格納される。また、時刻t31において、制御信号C1が「0」に戻る。これにより、スイッチ24がOFFし、ノードN3に対するプリチャージは終了する。
At time t31, the horizontal synchronization signal STB changes to “0” and the latch signal LAT is input. As a result, the digital signals latched in the
第1のデジタル信号の下位ビット群「00000」に応じて、第1の正極D/A変換器PLは、正極階調電圧V32Pを選択し、第2の正極D/A変換器PHは、正極階調電圧V0Pを選択する。また、その最上位ビット「0」に応じて、スイッチ12がONし、スイッチ13がOFFする。これにより、ノードN1には、正極階調電圧V0Pが印加される。一方、第2のデジタル信号の下位ビット群「00000」に応じて、第1の負極D/A変換器NHは、負極階調電圧V32Nを選択し、第2の負極D/A変換器NLは、負極階調電圧V0Nを選択する。また、その最上位ビット「0」に応じて、スイッチ22がOFFし、スイッチ23がONする。これにより、ノードN3には、負極階調電圧V0Nが印加される。
In accordance with the lower bit group “00000” of the first digital signal, the first positive D / A converter PL selects the positive gradation voltage V32P, and the second positive D / A converter PH The gradation voltage V0P is selected. Further, according to the most significant bit “0”, the
更に数クロック経過した後、時刻t32において、制御信号SWCNT2に応答して、スイッチ15,25がONし、スイッチ16,26がOFFする。これにより、ノードN2及びノードN4に対するプリチャージが終了する。また、時刻t32において、制御信号SWCNT2に応答して、極性選択回路30のスイッチ31,34がONし、スイッチ32,33がOFFする。その結果、第1のデジタル信号「000000」に応じた正極階調電圧V0Pがデータ線Y1に印加される。また、第2のデジタル信号「000000」に応じた負極階調電圧V0Nがデータ線Y2に印加される。
Further, after several clocks, at time t32, the
(素子構造)
本実施の形態において、極性選択回路30は、第7の電圧範囲VDD4〜VDD2で動作するように構成され、それは「高電圧素子」で製造される。また、正極セレクタ11は、第5の電圧範囲GND〜VDD2で動作するように構成され、負極セレクタ21は、第6の電圧範囲VDD4〜GNDで動作するように構成される。従って、正極セレクタ11や負極セレクタ21を、高電圧素子より耐圧(break down voltage)の低い「中電圧素子」で製造することが可能である。更に、正極D/A変換器PH,PL、及び負極D/A変換器NH,NLに関しては、それらを中電圧素子より耐圧の低い「低電圧素子」で製造することが可能である。高電圧素子、中電圧素子、及び低電圧素子のそれぞれ耐圧は、例えば12V、6V、3Vである。このような動作電圧の違いや耐圧の違いにより現れる特徴が以下に説明される。
(Element structure)
In the present embodiment, the
図10は、データ線駆動回路5のレイアウトを概略的に示す平面図である。各回路の動作電圧は様々であり、動作電圧が異なる回路は、基板上の異なる領域に配置される。例えば、第1の電圧範囲GND〜VDD1で動作する第1の正極D/A変換器PLは、基板70上の第1の連続領域71に形成される。第2の電圧範囲VDD1〜VDD2で動作する第2の正極D/A変換器PHは、基板70上の第2の連続領域72に形成される。第3の電圧範囲VDD3〜GNDで動作する第1の負極D/A変換器NHは、基板70上の第3の連続領域73に形成される。第4の電圧範囲VDD4〜VDD3で動作する第2の負極D/A変換器NLは、基板70上の第4の連続領域74に形成される。
FIG. 10 is a plan view schematically showing the layout of the data line driving
それぞれの連続領域は、深いNウェル層で分離されている。また、液晶表示装置1では、使用されるD/A変換回路10は、複数のデータ線Y1〜Ynに対応して複数設けられる。従って、第1の正極D/A変換器PLなども複数設けられる。例えば、それら複数の第1の正極D/A変換器PLは、上記第1の連続領域71に連続的に配置されればよい。
Each continuous region is separated by a deep N-well layer. Further, in the liquid
同様に、第5の電圧範囲GND〜VDD2で動作する正極セレクタ11は、基板70上の第5の連続領域75に形成される。第6の電圧範囲VDD4〜GNDで動作する負極セレクタ21は、基板70上の第6の連続領域76に形成される。第7の電圧範囲VDD4〜VDD2で動作する極性選択回路30は、基板70上の第7の連続領域77に形成される。
Similarly, the
ロジック回路60(図2参照)内の各回路は、低電圧素子で形成され、基板70上の第8の連続領域78に形成される。レベルシフト回路は、第2のラッチ回路62と各D/A変換器との間に設けられてもよいし、第1のラッチ回路61の前段に設けられてもよい。レベルシフト回路が第1のラッチ回路61の前段に設けられる場合、ロジック回路60は、連続領域78aに形成され、レベルシフト回路は第9の連続領域79に形成される。
Each circuit in the logic circuit 60 (see FIG. 2) is formed of a low voltage element and is formed in an eighth
ボルテージフォロア17,27は、中電圧素子で形成される。ボルテージフォロア17,27においては、製造ばらつきによりオフセット電圧にばらつきが生じる可能性がある。よって、ボルテージフォロア17,27を、画素が形成されるガラス基板より素子の相対精度が高いシリコン基板上に製造することが好ましい。一方、スイッチ31〜34で構成される極性選択回路30は、シリコン基板上ではなく、画素が形成されているガラス基板上に形成されてもよい。
The
図11Aは、図10における線A−A’に沿った断面構造を模式的に示している。また、図11Bは、図10における線B−B’に沿った断面構造を模式的に示している。P型基板70中に、第4のNウェル84、第5のNウェル85、第6のNウェル86、及び第7のNウェル87が形成されている。これら第4〜第7のNウェル84〜87は、上述の第4〜第7の連続領域74〜77のそれぞれに対応している。
FIG. 11A schematically shows a cross-sectional structure along the line A-A ′ in FIG. 10. FIG. 11B schematically illustrates a cross-sectional structure taken along line B-B ′ in FIG. 10. A fourth N well 84, a fifth N well 85, a sixth N well 86, and a seventh N well 87 are formed in the P-
第4のNウェル84にはPウェルが形成されている。第4のNウェル84には第3の電圧VDD3が印加され、Pウェルには第4の電圧VDD4が印加されている。また、第4のNウェル84上にはPチャネルMOSトランジスタQ3pが形成され、Pウェル上にはNチャネルMOSトランジスタQ3nが形成されている。各MOSトランジスタのゲート電極は、ゲート酸化膜94を介して基板70上に形成されている。これらMOSトランジスタQ3p、Q3nにより、第4の電圧範囲VDD4〜VDD3で動作する第2の負極D/A変換器NLが構成されている。つまり、MOSトランジスタQ3p、Q3nは、低電圧素子である。第1〜第3、及び第8の連続領域に形成される各回路も、MOSトランジスタQ3p、Q3nで製造される。
A P well is formed in the fourth N well 84. A fourth voltage VDD3 is applied to the fourth N well 84, and a fourth voltage VDD4 is applied to the P well. A P channel MOS transistor Q3p is formed on the fourth N well 84, and an N channel MOS transistor Q3n is formed on the P well. A gate electrode of each MOS transistor is formed on the
第5のNウェル85にはPウェルが形成されている。第5のNウェル85には第2の電圧VDD2が印加され、PウェルにはグランドGNDが印加されている。また、第5のNウェル85上にはPチャネルMOSトランジスタQ2pが形成され、Pウェル上にはNチャネルMOSトランジスタQ2nが形成されている。各MOSトランジスタのゲート電極は、ゲート酸化膜95を介して基板70上に形成されている。これらMOSトランジスタQ2p、Q2nにより、第5の電圧範囲GND〜VDD2で動作する正極セレクタ11が構成されている。つまり、MOSトランジスタQ2p、Q2nは、中電圧素子である。
A P well is formed in the fifth N well 85. A second voltage VDD2 is applied to the fifth N well 85, and a ground GND is applied to the P well. A P channel MOS transistor Q2p is formed on the fifth N well 85, and an N channel MOS transistor Q2n is formed on the P well. A gate electrode of each MOS transistor is formed on the
第6のNウェル86にはPウェルが形成されている。第6のNウェル86にはグランドGNDが印加され、Pウェルには第4の電圧VDD4が印加されている。また、第6のNウェル86上にはPチャネルMOSトランジスタQ2pが形成され、Pウェル上にはNチャネルMOSトランジスタQ2nが形成されている。各MOSトランジスタのゲート電極は、ゲート酸化膜96を介して基板70上に形成されている。これらMOSトランジスタQ2p、Q2nにより、第6の電圧範囲VDD4〜GNDで動作する負極セレクタ21が構成されている。つまり、MOSトランジスタQ2p、Q2nは、中電圧素子である。
A P well is formed in the sixth N well 86. The ground GND is applied to the sixth N well 86, and the fourth voltage VDD4 is applied to the P well. A P channel MOS transistor Q2p is formed on the sixth N well 86, and an N channel MOS transistor Q2n is formed on the P well. A gate electrode of each MOS transistor is formed on the
第7のNウェル87には第2の電圧VDD2が印加され、P型基板70には第4の電圧VDD4が印加されている。また、第7のNウェル87上にはPチャネルMOSトランジスタQ1pが形成され、P型基板70上にはNチャネルMOSトランジスタQ1nが形成されている。各MOSトランジスタのゲート電極は、ゲート酸化膜97を介して基板70上に形成されている。これらMOSトランジスタQ1p、Q1nにより、第7の電圧範囲VDD4〜VDD2で動作する極性選択回路30が構成されている。つまり、MOSトランジスタQ1p、Q1nは、高電圧素子である。
A
このように、第1〜第4、及び第8の連続領域に形成される各回路は、低電圧素子であるMOSトランジスタQ3p、Q3nで製造される。第5及び第6の連続領域に形成される各回路は、中電圧素子であるMOSトランジスタQ2p、Q2nで製造される。第7の連続領域に形成される各回路は、高電圧素子であるMOSトランジスタQ1p、Q1nで製造される。ここで、MOSトランジスタQ3p、Q3nの耐圧は、MOSトランジスタQ2p、Q2nの耐圧より小さくてよい。また、MOSトランジスタQ2p、Q2nの耐圧は、MOSトランジスタQ3p、Q3nの耐圧より小さくてよい。 As described above, each circuit formed in the first to fourth and eighth continuous regions is manufactured by the MOS transistors Q3p and Q3n which are low voltage elements. Each circuit formed in the fifth and sixth continuous regions is manufactured by MOS transistors Q2p and Q2n which are medium voltage elements. Each circuit formed in the seventh continuous region is manufactured by MOS transistors Q1p and Q1n which are high voltage elements. Here, the breakdown voltage of the MOS transistors Q3p and Q3n may be smaller than the breakdown voltage of the MOS transistors Q2p and Q2n. The breakdown voltage of the MOS transistors Q2p and Q2n may be smaller than that of the MOS transistors Q3p and Q3n.
従って、ゲート酸化膜94の膜厚Toxは、ゲート酸化膜95、96の膜厚Toxよりも小さい。ゲート酸化膜95、96の膜厚Toxは、ゲート酸化膜97の膜厚Toxより小さい。最小のゲート長Lやゲート幅Wに関しても、MOSトランジスタQ3p、Q3nの方が、MOSトランジスタQ2p、Q2nより小さく、MOSトランジスタQ2p、Q2nの方が、MOSトランジスタQ1p、Q1nより小さい。このように、耐圧が小さいほど回路面積が縮小し、耐圧が大きいほど回路面積が増大する。
Therefore, the film thickness Tox of the
デジタル信号のビット数の増加に伴いD/A変換回路10の面積は大きくなるので、D/A変換回路10において高電圧素子をできるだけ使用しない回路にするのが好ましい。本発明によれば、正極D/A変換器PH,PL及び負極D/A変換器NH,NLが低電圧素子で形成され、正極セレクタ11及び負極セレクタ21が中電圧素子で形成される。従って、D/A変換回路10の回路面積が低減され、データ線駆動回路5の回路面積も低減される。また、各回路の動作電圧が抑えられるので、データ線駆動回路5の消費電力を低減することが可能となる。
Since the area of the D /
(効果)
以上に説明されたように、本実施の形態によれば、データ線駆動回路5の面積を縮小することが可能となる。ここで、面積を縮小するために、特許文献1に記載された手法を用いる必要はない。つまり、増幅率αが1より大きい増幅器を使うこと無く、D/A変換を担う回路の面積を縮小することが可能である。上述の正極階調信号や負極階調信号は、ボルテージフォロア17,27を通してデータ線Yに出力されればよい。これにより、増幅器の製造ばらつきによる増幅率αのばらつきが無くなるので、データ線Yに供給される画素電圧の精度が向上する。すなわち、本実施の形態によれば、データ線駆動回路5の面積が低減されるだけでなく、“むら”等の画質劣化が防止される。特に、ドット反転駆動方式の場合、本発明に係る構成は有効である。更に、D/A変換器PH,PL,NH,NLの動作電圧が低減されるので、データ線駆動回路5の消費電力も低減される。
(effect)
As described above, according to the present embodiment, the area of the data line driving
2.第2の実施の形態
図12は、本発明の第2の実施の形態に係るD/A変換回路10’の構成を示す回路ブロック図である。図12において、第1の実施の形態における構成と同様の構成には同一の符号が付され、その説明は適宜省略される。
2. Second Embodiment FIG. 12 is a circuit block diagram showing a configuration of a D /
図12に示されるように、ノードN1及びノードN3は、極性選択回路30の入力に直接接続されている。また、極性選択回路30の出力は、ボルテージフォロア17を介して出力端子T1に接続され、ボルテージフォロア27を介して出力端子T2に接続されている。極性選択回路30は、スイッチ31〜34を有している。スイッチ31は、ノードN1とボルテージフォロア17との間に設けられている。スイッチ32は、ノードN3とボルテージフォロア17との間に設けられている。スイッチ33は、ノードN1とボルテージフォロア27との間に設けられている。スイッチ34は、ノードN3とボルテージフォロア27との間に設けられている。
As shown in FIG. 12, the node N <b> 1 and the node N <b> 3 are directly connected to the input of the
本実施の形態において、D/A変換器PH,PL,NH,NLは、低電圧素子で形成されるが、それ以外の回路は、第7の電圧範囲VDD4〜VDD2で動作する高電圧素子で形成される。例えば、正極セレクタ11及び負極セレクタ21は、第1の実施の形態においては中電圧素子で形成されていたが、本実施の形態においては高電圧素子で形成される。よって、正極セレクタ11及び負極セレクタ21は、基板70上の第7の連続領域77に形成される。
In the present embodiment, the D / A converters PH, PL, NH, and NL are formed of low voltage elements, but the other circuits are high voltage elements that operate in the seventh voltage range VDD4 to VDD2. It is formed. For example, the
本実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様の効果が得られる。追加的な効果として、レベルシフト回路群50の構成が、図7に示された場合と比較してより簡素になるという効果が得られる。それは、第5及び第6の電圧範囲に適合するように電圧変換を行うレベルシフト回路55、56が不要になるからである。用いられるレベルシフト回路の種類が減少するので、設計時の利便性が向上する。また、正極D/A変換器PH,PLが中電圧素子で製造され、第5の電圧範囲GND〜VDD2で動作するように構成されてもよい。更に、負極D/A変換器NH,NLも中電圧素子で製造され、第6の電圧範囲VDD4〜GNDで動作するように構成されてもよい。この場合、レベルシフト回路55〜57だけが用いられるので、設計時の利便性が更に向上する。
According to the present embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained. As an additional effect, there is an effect that the configuration of the level
尚、上述の第1及び第2の実施の形態において、集積が行われる基板は、シリコン以外の半導体基板や、ガラス基板、プラスチック基板などであってもよい。また、トランジスタは、MOSトランジスタに限らず、バイポーラトランジスタ、有機トランジスタなどであってもよい。また、基準電圧がシステムグランドGNDである場合が例示されたが、基準電圧はシステムグランドGNDと異なる電圧であってもよい。 In the first and second embodiments described above, the substrate on which the integration is performed may be a semiconductor substrate other than silicon, a glass substrate, a plastic substrate, or the like. The transistor is not limited to a MOS transistor, and may be a bipolar transistor, an organic transistor, or the like. Moreover, although the case where the reference voltage is the system ground GND has been illustrated, the reference voltage may be a voltage different from the system ground GND.
1 液晶表示装置
2 表示パネル
3 画素
4 走査線駆動回路
5 データ線駆動回路
6 制御回路
10 D/A変換回路
11 正極セレクタ
12、13 スイッチ
14 プリチャージスイッチ
15 スイッチ
16 プリチャージスイッチ
17 ボルテージフォロア
21 負極セレクタ
22、23 スイッチ
24 プリチャージスイッチ
25 スイッチ
26 プリチャージスイッチ
27 ボルテージフォロア
30 極性選択回路
31〜34 スイッチ
40 階調電圧生成回路
41 正極階調電圧生成回路
42 負極階調電圧生成回路
43〜45 ボルテージフォロア
46 コンデンサ
50 レベルシフト回路群
51〜57 レベルシフト回路
60 ロジック回路
61 第1ラッチ回路
62 第2ラッチ回路
63 変化検出回路
70 基板
71〜79 分離領域
84〜87 Nウェル
94〜97 ゲート酸化膜
DESCRIPTION OF
Claims (19)
前記基準電圧と前記基準電圧より高い第1の電圧とで規定される第1の電圧範囲で動作し、第1のデジタル信号の下位ビット群をD/A変換することにより第1の正極アナログ電圧信号を出力する第1の正極D/A変換器と、
前記第1の電圧と前記第1の電圧より高い第2の電圧とで規定される第2の電圧範囲で動作し、前記第1のデジタル信号の下位ビット群をD/A変換することにより第2の正極アナログ電圧信号を出力する第2の正極D/A変換器と、
前記第1のデジタル信号の最上位ビットに応じて、前記第1及び第2の正極アナログ電圧信号のいずれかを前記正極アナログ電圧信号として選択する正極セレクタと、
前記基準電圧と前記基準電圧より低い第3の電圧とで規定される第3の電圧範囲で動作し、第2のデジタル信号の下位ビット群をD/A変換することにより第1の負極アナログ電圧信号を出力する第1の負極D/A変換器と、
前記第3の電圧と前記第3の電圧より低い第4の電圧とで規定される第4の電圧範囲で動作し、前記第2のデジタル信号の下位ビット群をD/A変換することにより第2の負極アナログ電圧信号を出力する第2の負極D/A変換器と、
前記第2のデジタル信号の最上位ビットに応じて、前記第1及び第2の負極アナログ電圧信号のいずれかを前記負極アナログ電圧信号として選択する負極セレクタと
を備える
液晶表示装置の駆動回路。 A driving circuit for a liquid crystal display device that outputs a positive analog voltage signal having a positive polarity with respect to a reference voltage and a negative analog voltage signal having a negative polarity to a data line of the liquid crystal display device,
A first positive analog voltage is obtained by operating in a first voltage range defined by the reference voltage and a first voltage higher than the reference voltage, and D / A converting a lower bit group of the first digital signal. A first positive D / A converter that outputs a signal;
It operates in a second voltage range defined by the first voltage and a second voltage higher than the first voltage, and performs D / A conversion on the lower bit group of the first digital signal. A second positive D / A converter that outputs two positive analog voltage signals;
A positive selector that selects one of the first and second positive analog voltage signals as the positive analog voltage signal according to the most significant bit of the first digital signal;
The first negative analog voltage operates in a third voltage range defined by the reference voltage and a third voltage lower than the reference voltage, and D / A converts a lower bit group of the second digital signal. A first negative D / A converter that outputs a signal;
It operates in a fourth voltage range defined by the third voltage and a fourth voltage lower than the third voltage, and performs D / A conversion on the lower bit group of the second digital signal. A second negative D / A converter that outputs two negative analog voltage signals;
A drive circuit for a liquid crystal display device, comprising: a negative selector that selects one of the first and second negative analog voltage signals as the negative analog voltage signal according to the most significant bit of the second digital signal.
前記第1の正極D/A変換器は、基板上の第1の領域に形成され、
前記第2の正極D/A変換器は、前記基板上の第2の領域に形成され、
前記第1の負極D/A変換器は、前記基板上の第3の領域に形成され、
前記第2の負極D/A変換器は、前記基板上の第4の領域に形成される
液晶表示装置の駆動回路。 A drive circuit for a liquid crystal display device according to claim 1,
The first positive electrode D / A converter is formed in a first region on the substrate;
The second positive electrode D / A converter is formed in a second region on the substrate;
The first negative electrode D / A converter is formed in a third region on the substrate,
The second negative electrode D / A converter is formed in a fourth region on the substrate. A driving circuit for a liquid crystal display device.
前記正極セレクタは、前記基準電圧と前記第2の電圧とで規定される第5の電圧範囲で動作し、
前記負極セレクタは、前記基準電圧と前記第4の電圧とで規定される第6の電圧範囲で動作する
液晶表示装置の駆動回路。 A drive circuit for a liquid crystal display device according to claim 1,
The positive selector operates in a fifth voltage range defined by the reference voltage and the second voltage;
The negative selector operates in a sixth voltage range defined by the reference voltage and the fourth voltage. A driving circuit for a liquid crystal display device.
前記第1の正極D/A変換器は、基板上の第1の領域に形成され、
前記第2の正極D/A変換器は、前記基板上の第2の領域に形成され、
前記第1の負極D/A変換器は、前記基板上の第3の領域に形成され、
前記第2の負極D/A変換器は、前記基板上の第4の領域に形成され、
前記正極セレクタは、前記基板上の第5の領域に形成され、
前記負極セレクタは、前記基板上の第6の領域に形成される
液晶表示装置の駆動回路。 A drive circuit for a liquid crystal display device according to claim 3,
The first positive electrode D / A converter is formed in a first region on the substrate;
The second positive electrode D / A converter is formed in a second region on the substrate;
The first negative electrode D / A converter is formed in a third region on the substrate,
The second negative electrode D / A converter is formed in a fourth region on the substrate,
The positive selector is formed in a fifth region on the substrate;
The negative selector is formed in a sixth region on the substrate. A driving circuit for a liquid crystal display device.
前記第1から第6の領域のそれぞれには、MOSトランジスタが形成され、
前記第1から第4の領域における前記MOSトランジスタのゲート酸化膜の膜厚は、前記第5及び第6の領域における前記MOSトランジスタのゲート酸化膜の膜厚より小さい
液晶表示装置の駆動回路。 It is a drive circuit of the liquid crystal display device according to claim 4,
In each of the first to sixth regions, a MOS transistor is formed,
The driving circuit of the liquid crystal display device, wherein the thickness of the gate oxide film of the MOS transistor in the first to fourth regions is smaller than the thickness of the gate oxide film of the MOS transistor in the fifth and sixth regions.
前記正極セレクタ及び前記負極セレクタは、前記第2の電圧以上の電圧と前記第4の電圧以下の電圧とで規定される第7の電圧範囲で動作する
液晶表示装置の駆動回路。 A drive circuit for a liquid crystal display device according to claim 1,
The positive electrode selector and the negative electrode selector operate in a seventh voltage range defined by a voltage equal to or higher than the second voltage and a voltage equal to or lower than the fourth voltage. A driving circuit for a liquid crystal display device.
前記第1の正極D/A変換器は、基板上の第1の領域に形成され、
前記第2の正極D/A変換器は、前記基板上の第2の領域に形成され、
前記第1の負極D/A変換器は、前記基板上の第3の領域に形成され、
前記第2の負極D/A変換器は、前記基板上の第4の領域に形成され、
前記正極セレクタ及び負極セレクタは、前記基板上の第7の領域に形成される
液晶表示装置の駆動回路。 It is a drive circuit of the liquid crystal display device of Claim 6, Comprising:
The first positive electrode D / A converter is formed in a first region on the substrate;
The second positive electrode D / A converter is formed in a second region on the substrate;
The first negative electrode D / A converter is formed in a third region on the substrate,
The second negative electrode D / A converter is formed in a fourth region on the substrate,
The positive selector and the negative selector are formed in a seventh region on the substrate. A driving circuit for a liquid crystal display device.
前記第1から第4及び第7の領域のそれぞれには、MOSトランジスタが形成され、
前記第1から第4の領域における前記MOSトランジスタのゲート酸化膜の膜厚は、前記第7の領域における前記MOSトランジスタのゲート酸化膜の膜厚より小さい
液晶表示装置の駆動回路。 It is a drive circuit of the liquid crystal display device according to claim 7,
A MOS transistor is formed in each of the first to fourth and seventh regions,
The driving circuit of the liquid crystal display device, wherein the thickness of the gate oxide film of the MOS transistor in the first to fourth regions is smaller than the thickness of the gate oxide film of the MOS transistor in the seventh region.
前記正極アナログ電圧信号及び前記負極アナログ電圧信号のそれぞれは、ボルテージフォロアを通して前記データ線に出力される
液晶表示装置の駆動回路。 A driving circuit for a liquid crystal display device according to claim 1,
Each of the positive analog voltage signal and the negative analog voltage signal is output to the data line through a voltage follower.
前記正極アナログ電圧信号は、前記液晶表示装置の第1データ線に供給され、
前記負極アナログ電圧信号は、前記第1データ線に隣接する第2データ線に供給される
液晶表示装置の駆動回路。 A drive circuit for a liquid crystal display device according to claim 1,
The positive analog voltage signal is supplied to a first data line of the liquid crystal display device,
The negative analog voltage signal is supplied to a second data line adjacent to the first data line. A driving circuit for a liquid crystal display device.
前記第2の電圧以上の電圧と前記第4の電圧以下の電圧とで規定される第7の電圧範囲で動作し、前記正極アナログ電圧信号及び前記負極アナログ電圧信号を受け取る極性選択回路を更に備え、
前記極性選択回路は、前記液晶表示装置の第1データ線と前記第1データ線に隣接する第2データ線の一方に前記正極アナログ電圧信号を出力し、前記第1データ線と前記第2データ線の他方に前記負極アナログ電圧信号を出力する
液晶表示装置の駆動回路。 A drive circuit for a liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 10,
A polarity selection circuit that operates in a seventh voltage range defined by a voltage equal to or higher than the second voltage and a voltage equal to or lower than the fourth voltage, and that receives the positive analog voltage signal and the negative analog voltage signal; ,
The polarity selection circuit outputs the positive analog voltage signal to one of the first data line and the second data line adjacent to the first data line of the liquid crystal display device, and the first data line and the second data. A driving circuit for a liquid crystal display device that outputs the negative analog voltage signal to the other of the lines.
前記極性選択回路は、第1極性信号に応答して、前記正極アナログ電圧信号を前記第1データ線に出力し、前記負極アナログ電圧信号を前記第2データ線に出力し、
前記極性選択回路は、第2極性信号に応答して、前記正極アナログ電圧信号を前記第2データ線に出力し、前記負極アナログ電圧信号を前記第1データ線に出力する
液晶表示装置の駆動回路。 It is a drive circuit of the liquid crystal display device according to claim 11,
The polarity selection circuit outputs the positive analog voltage signal to the first data line in response to a first polarity signal, and outputs the negative analog voltage signal to the second data line,
The polarity selection circuit outputs the positive analog voltage signal to the second data line and outputs the negative analog voltage signal to the first data line in response to a second polarity signal. .
前記第1極性信号と前記第2極性信号は、水平期間ごとに切り替わる
液晶表示装置の駆動回路。 A drive circuit for a liquid crystal display device according to claim 12,
The driving circuit of the liquid crystal display device, wherein the first polarity signal and the second polarity signal are switched every horizontal period.
前記第1の正極D/A変換器は、基板上の第1の領域に形成され、
前記第2の正極D/A変換器は、前記基板上の第2の領域に形成され、
前記第1の負極D/A変換器は、前記基板上の第3の領域に形成され、
前記第2の負極D/A変換器は、前記基板上の第4の領域に形成され、
前記極性選択回路は、前記基板上の第7の領域に形成される
液晶表示装置の駆動回路。 A drive circuit for a liquid crystal display device according to any one of claims 11 to 13,
The first positive electrode D / A converter is formed in a first region on the substrate;
The second positive electrode D / A converter is formed in a second region on the substrate;
The first negative electrode D / A converter is formed in a third region on the substrate,
The second negative electrode D / A converter is formed in a fourth region on the substrate,
The polarity selection circuit is formed in a seventh region on the substrate. A driving circuit for a liquid crystal display device.
前記第1の正極D/A変換器は、基板上の第1の領域に形成され、
前記第2の正極D/A変換器は、前記基板上の第2の領域に形成され、
前記第1の負極D/A変換器は、前記基板上の第3の領域に形成され、
前記第2の負極D/A変換器は、前記基板上の第4の領域に形成され、
前記極性選択回路は、画素が形成される基板上の第7の領域に形成される
液晶表示装置の駆動回路。 A drive circuit for a liquid crystal display device according to any one of claims 11 to 13,
The first positive electrode D / A converter is formed in a first region on the substrate;
The second positive electrode D / A converter is formed in a second region on the substrate;
The first negative electrode D / A converter is formed in a third region on the substrate,
The second negative electrode D / A converter is formed in a fourth region on the substrate,
The polarity selection circuit is formed in a seventh region on a substrate where pixels are formed. A driving circuit for a liquid crystal display device.
前記第1から第4及び第7の領域のそれぞれには、MOSトランジスタが形成され、
前記第1から第4の領域における前記MOSトランジスタのゲート酸化膜の膜厚は、前記第7の領域における前記MOSトランジスタのゲート酸化膜の膜厚より小さい
液晶表示装置の駆動回路。 A drive circuit for a liquid crystal display device according to claim 14 or 15,
A MOS transistor is formed in each of the first to fourth and seventh regions,
The driving circuit of the liquid crystal display device, wherein the thickness of the gate oxide film of the MOS transistor in the first to fourth regions is smaller than the thickness of the gate oxide film of the MOS transistor in the seventh region.
前記正極セレクタの出力端子に接続され、前記正極セレクタの出力端子を所定の電圧にプリチャージする正極プリチャージスイッチと、
前記負極セレクタの出力端子に接続され、前記負極セレクタの出力端子を所定の電圧にプリチャージする負極プリチャージスイッチと
を更に備える
液晶表示装置の駆動回路。 A driving circuit for a liquid crystal display device according to claim 1,
A positive precharge switch connected to the output terminal of the positive selector and precharging the output terminal of the positive selector to a predetermined voltage;
A drive circuit for a liquid crystal display device, further comprising: a negative precharge switch connected to the output terminal of the negative selector and precharging the output terminal of the negative selector to a predetermined voltage.
前記正極プリチャージスイッチによるプリチャージは、前記第1のデジタル信号の前記最上位ビットの値が変化する前に行われ、
前記負極プリチャージスイッチによるプリチャージは、前記第2のデジタル信号の前記最上位ビットの値が変化する前に行われる
液晶表示装置の駆動回路。 A driving circuit for a liquid crystal display device according to claim 17,
Precharging by the positive polarity precharge switch is performed before the value of the most significant bit of the first digital signal changes,
The precharge by the negative precharge switch is performed before the value of the most significant bit of the second digital signal is changed.
前記正極プリチャージスイッチは、前記正極セレクタの出力端子を前記第1の電圧にプリチャージし、
前記負極プリチャージスイッチは、前記負極セレクタの出力端子を前記第3の電圧にプリチャージする
液晶表示装置の駆動回路。 A drive circuit for a liquid crystal display device according to claim 17 or 18,
The positive polarity precharge switch precharges the output terminal of the positive polarity selector to the first voltage,
The negative precharge switch precharges the output terminal of the negative selector to the third voltage. A driving circuit for a liquid crystal display device.
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