JP2006523540A5

JP2006523540A5 -

Info

Publication number: JP2006523540A5
Application number: JP2006508015A
Authority: JP
Filing date: 2004-04-08
Publication date: 2007-05-17

Claims

膜層および該膜層の一面上の第一層および該膜層の反対面上の第二層を備えるミクロ機械加工された層状デバイスを作製するための方法であって、該方法は、以下：
膜層が、基板に塗布される工程；
基板上の窓が、該膜層が、該基板が加工の間に該膜層を支持するフレームに作製される間に、該膜層の両側から層を添加することを自由に可能にするために、開放される工程；
少なくとも一つの層が、該膜の各面に、同時に添加されるか、または、一面に一度に添加される工程；
該デバイスが、切り出され、基板フレームから取り外される工程；
を包含する、方法。
請求項１に記載のミクロ機械加工された層状デバイスを作製するための方法であって、前記開放工程が、以下の方法：レーザーアブレーション、湿式化学エッチング、溶媒処理、ならびに、反応性イオンエッチングおよびスパッタエッチングを含むドライエッチングのいずれかを介してなされる、方法。
請求項１または２に記載のミクロ機械加工された層状デバイスを作製するための方法であって、前記切り出しおよび取り外し工程が、以下の方法：湿式化学エッチング、反応性イオンエッチング、ダイシング／ソーイング、鋏またはナイフによる切断、レーザーアブレーションまたはパンチングのいずれかを介してなされる、方法。
請求項１〜３のいずれか１項に記載のミクロ機械加工された層状デバイスを作製するための方法であって、前記工程が、外側を変化させるために、例えば、フォトリソグラフィーまたはソフトリソグラフィーを用いて模様をつける工程からなり得る、方法。
請求項１〜４のいずれか１項に記載のミクロ機械加工された層状デバイスを作製するための方法であって、前記基板が、高分子材料、シリコンのような半導体材料、チタンのような金属、ステンレス鋼のような合金またはガラスから作製される、方法。
請求項１〜５のいずれか１項に記載のミクロ機械加工された層状デバイスを作製するための方法であって、該方法は、さらなる層を付加する工程を包含し得、ここで、前記膜層を含む前記層のいずれかが、金属、金属酸化物、または、金、プラチナ、チタン、ステンレス鋼、酸化アルミニウムおよびニッケルチタン合金を含む金属の合金の層からなり得る、方法。またヒドロキシアパタイトのようなセラミックスが、デバイス層として使用され得る。
請求項１〜６のいずれか１項に記載のミクロ機械加工された層状デバイスを作製するための方法であって、該方法は、さらなる層を付加する工程を包含し得、ここで、前記膜層を含む前記層のいずれかが、ピロール、アニリン、チオフェン、パラフェニレン、ビニレン、およびフェニレンポリマーおよび該種々のモノマーの置換された形態を含むこれらのコポリマーからなり得る、方法。
請求項１〜７のいずれか１項に記載のミクロ加工された層状デバイスを作製するための方法であって、該方法は、さらなる層を付加する工程を包含し得、ここで、前記膜層を含む前記層のいずれかが、ポリイミド、ポリアミド、ポリウレタン、ポリ（テトラフルオロエチレン）、ポリ（ジメチルシロキサン）、（シリコンゴム）、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリエステル、ポリ（塩化ビニル）、ならびに、これらの種々のモノマーのコポリマーおよび置換された形態を含むポリエチレン、エポキシ樹脂、レジン、ならびに合成物を含むポリマーの層からなり得る、方法。
請求項１〜８のいずれか１項に記載のミクロ加工された層状デバイスを作製するための方法であって、第１の前記塗布工程は、前記基板層上に沈着される該デバイスの第１層からなるように実施され；その後、前記開放工程において、前記最終的なデバイスの大きさより少なくともわずかに大きい領域を覆う該第１層の下で、該基板は、例えば、湿式化学エッチングによって選択的に除去され；その後、前記添加工程において、前記膜が、前記基板支持フレーム中に自由に掛かり、さらなる加工のために両側から接近され得る場合、さらに少なくとも一つの層が、該膜のいずれかの側に同時に、または一度に一方の側に付加され；その後、前記切り出しおよび取り外し工程において、該デバイスは、該フレームから取り外される、方法。
請求項１〜９のいずれか１項に記載のミクロ加工された層状デバイスを作製するための方法であって、ここで、前記切り出しおよび取り外し工程は、二つの工程に分けられ、第１の工程において、該デバイスは部分的に切り出され、次いで、活性化され、その後、該デバイスは、該基板から完全に切り出される、方法。
請求項１〜９のいずれか１項に記載のミクロ加工された層状デバイスを作製するための方法であって、ここで、該デバイスは、アクチュエータであり、該方法は、該アクチュエータが前記切り出しおよび取り外し工程の後に活性化される工程を包含する、方法。
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法によって作製された、デバイス。
前記デバイスが、ミクロアクチュエータである、請求項１２に記載のデバイス。