JP2006523488A - 磁性粒子に影響を与える装置 - Google Patents

Abstract

本発明は、作用領域における磁性粒子に影響を与える装置に関する。磁界を生成するための手段を有する装置の助けを借りて、粒子の磁化が非飽和の状態にある少なくとも１つのゾーン（３０１）を有し、残りのゾーンにおいては飽和の状態にある空間的に不均一な磁界が、この場合、生成される。作用領域内の前記ゾーンを移動させることによって、磁化の変化が発生される。磁化の変化は、第１の動作モードにおいて外部から検出されることができるとともに、作用領域の磁性粒子の空間分布に関する情報を与える。第２の動作モードにおいて、移動は、作用領域が温まる又は熱くなる程度頻繁に繰り返される。

Description

本発明は、作用領域における磁性粒子に影響を与える装置に関する。

磁性粒子は、検出するのが比較的容易であり、従って、検査及び研究（特に医学的なもの）のために使用されることができる。検査ゾーンにおける磁性粒子の空間分布を決定するためのこの種の方法及び装置、並びに適切な磁性粒子の使用は、まだ公開されていないドイツ特許出願第１０１５１７７８．５号（出願人整理番号ＰＨＤＥ０１０２８９）明細書に記載されている。このドイツ特許出願明細書は、以下において、Ｄ１と呼ばれる。検査ゾーンにおける磁性粒子の空間分布が決定されることを可能にするために、粒子の磁化が非飽和状態にある少なくとも１つのゾーンを有する空間的に不均一な磁界が生成される。検査ゾーン内におけるこのゾーンの位置の変更は、外部から検出可能であるとともに、検査ゾーンにおける磁性粒子の空間分布に関する情報を与える磁化の変化を生じさせる。

更に、磁性粒子は、特に医学的な温熱療法（ハイパーサーミア）において、それらの周辺部を局所的に加熱するために使用されることもできる。磁性の又は磁化可能な物質の磁化の変化によって対象の領域を局所的に加熱するためのこの種の方法及び装置は、まだ公開されていないドイツ特許出願第１０２３８８５３．９号（出願人整理番号ＰＨＤＥ０２０１９５）明細書に記載されている。このドイツ特許出願明細書は、以下において、Ｄ２と呼ばれる。ターゲット領域（すなわち作用領域）を局所的に加熱するために、低い磁界強度をもつ第１のサブゾーン（磁性粒子が飽和していない）と、より高い磁界強度をもつ第２のサブゾーンとがターゲット領域に生成されるような、磁界強度の空間パターンを有する不均一な磁界が生成される。ターゲット領域における２つのサブゾーンの空間位置は、粒子が、磁化の頻繁な変化により所望の温度にまで温まり又は熱くなるような時間の間、所与の周波数（頻度）で変更される。

従って、本発明の目的は、磁性粒子が一層多様なやり方で影響を与えられることができる方法及び装置を生み出すことである。

この目的は、作用領域における磁性粒子に影響を与える装置であって、
ａ）低い磁界強度をもつ第１のサブゾーン（３０１）及びより高い磁界強度をもつ第２のサブゾーン（３０２）が作用領域に形成されるような、磁界強度の空間パターンを有する磁界を生成するための手段と、
ｂ）粒子の磁化が局所的に変化するように、作用領域における２つのサブゾーンの空間位置を変化させるための手段と、
ｃ）作用領域における磁化に依存する信号を取得するための手段であって、磁化が、空間位置の変化によって影響を及ぼされる、手段と、
ｄ）信号から、作用領域における磁性粒子に関する情報を得るための解析ユニットと、
ｅ）−第１の動作モードにおいて、２つのサブゾーンの位置が変化され、それに起因する信号が取得され、作用領域における磁性粒子の空間分布に関する情報が前記信号から決定され、
−第２の動作モードにおいて、２つのサブゾーンの空間位置が、作用領域の少なくとも一部が加熱される程度の時間の間、作用領域の少なくとも一部が加熱されるような周波数で、変化される、
ようなやり方で、前記各手段を制御するための制御ユニットと、
を有する装置によって達成される。

この装置において、低い磁界強度の第１のサブゾーン及びより高い磁界強度の第２のサブゾーンを有する空間的に不均一な磁界は、磁性粒子が位置する作用領域に生成される。適当な手段を使用することによって、２つのサブゾーンの空間位置が、変更されることができる。不均一な磁界の生成及びサブゾーンの位置の変化のより詳細な説明は、Ｄ１又はＤ２に詳しく与えられている。本発明による装置の第１の動作モードにおいて、空間位置の変化によって生成される、磁性粒子からの信号が取得され、粒子の空間分布に関する情報が、それらから得られる。第２の動作モードにおいて、作用領域の少なくとも一部である加熱のための領域が、空間位置の頻繁な変更によって加熱される。従って、本発明による装置により、対象が、対象内に位置する磁性粒子の空間分布に関して検査されることが可能であるだけでなく（第１の動作モード）、対象の一部が、加熱されることも可能である（第２の動作モード）。装置のさまざまな手段又は構成要素は、この場合、両方の動作モードについて使用されることができ、異なる動作モードで装置を動作させるために、付加の構成要素は必要とされない。それぞれ異なる動作モードは、制御ユニットが、個々のケースにおいて、知られている構成要素を種々に制御することによって得られる。

特に、装置によって、磁性粒子は、装置の手段又は構成要素に対する作用領域の空間位置が変更されることなく、それぞれ異なる動作モード中に、全く同じ作用領域において影響を及ぼされることができる。第１のステップにおいて、対象内の磁性粒子の空間分布は、例えば、第１の動作モードにおいて（例えば、画像の形で）決定されることができる。加熱のための領域は、分布に関するこの情報から決定されることができる。第２のステップにおいて、既に規定された加熱のための対象の領域が、第２の動作モードにおいて加熱される。この場合、計画において使用された磁性粒子の分布に関する空間的な情報が、加熱する領域を決定するために直接使用されることができるので、この加熱は、空間的に高い精度で行われることができる。これが可能であるのは、装置の同じ構成要素が両方のステップにおいて使用され、対象が、構成要素に対して、又は作用領域若しくは加熱する領域に対して、その位置を変更する必要がないからである。

本発明による装置の利用の分野は、請求項２に従って、第３の動作モードにおいて、第１及び第２の動作モードを組み合わせられた形で実施することによって、拡張されることができる。第３の動作モードにおいて、作用領域の一部が加熱され、これと同時に、磁性粒子の空間位置に関する情報が得られることができる。これが可能であるのは、２つのサブゾーンの空間位置が、加熱の間にも変更され、その結果として、磁性粒子の空間分布に関する情報が得られる信号が、（第１の動作モードにおいて行われるのと同じやり方で）磁性粒子によって生成されるからである。

本発明による装置の勾配磁界は、例えば、永久磁石によって生成されることができる。より大きな磁界強度の第２のサブゾーンに囲まれる低い磁界強度の小さい第１のサブゾーンを有する不均一な磁界が、同じ極性の２つの極の間の領域に形成される。磁界がゼロである箇所の周囲のゾーン（第１のサブゾーン）に位置する粒子においてのみ、磁化は飽和しない。このゾーンの外側の粒子において、磁化は、飽和の状態にある。勾配磁界をスイッチング可能にし、又は容易に調整可能にするために、永久磁石を有する装置ではなく、請求項３に従って、作用領域に上述の磁界と同様の勾配磁界を生成するための勾配コイル装置が設けられる。勾配コイル装置は、例えば、ターゲット領域の２つの側に配置されるが、それらを流れる電流が反対方向である同じ種類の２つの巻線を有する（マクスウェルコイル）場合、当該磁界は、巻線の軸に沿った箇所でゼロであり、この箇所の２つの側で反対の極性においてほぼ線形に増加する。

２つのサブゾーンの空間位置を変化させる１つの可能なやり方は、磁界を生成することが意図されるコイル及び／又は永久磁石装置（又はその一部）、又は磁性粒子を含む対象が、互いに相対的に移動されることである。これは、非常に小さい対象が、非常に高い勾配で検査されているとき、好適な方法である（マイクロスコピー）。対照的に、請求項４は、いかなる機械的な運動も必要としない好ましい実施形態を記載している。この磁界が、ある時間にわたって適切なパターンに従い、適切に方向付けられる場合、磁界のゼロポイントは、このようにして、作用領域を通る。この場合、２つのサブゾーンの空間位置は、相対的に速く変更されることができ、これは、作用領域における磁化に依存する信号の取得に付加の利益をもたらす。

磁界のゼロポイントの移動と密接に関係する磁化の変化は、請求項５に記載の工夫において検出されることができる。検査ゾーンに生成される信号を受け取るために使用されるコイルは、この場合、検査ゾーンに磁界を生成するためにすでに使用されているコイルであってもよい。しかしながら、受信用の別個のコイルを使用することも有利である。その理由は、このコイルが、時間的に変化しうる磁界を生成するコイル装置から減結合されることができ、このようにして、信号の受信に関して最適化されることができるからである。更に、改善された信号対雑音比は、１つのコイルによって得られることができるが、より改善された信号対雑音比が、複数のコイルによって得られることができる。

例えば、Ｄ１及びＤ２に記述される磁性粒子が、以下に解明される装置及び方法において使用されることができる。この点に関しては、読者は、明示的にＤ１及びＤ２を参照されたい。

更に、上述の目的は、作用領域における磁性粒子に影響を与える方法であって、
ａ）低い磁界強度をもつ第１のサブゾーン（３０１）及びより高い磁界強度をもつ第２のサブゾーン（３０２）が作用領域に形成されるような、磁界強度の空間パターンを有する磁界を生成するステップと、
ｂ）粒子の磁化が局所的に変化するように、作用領域における２つのサブゾーンの空間位置を変化させるステップと、
ｃ）作用領域における磁化に依存する信号を取得するステップであって、磁化が、空間位置の変化によって影響を及ぼされる、ステップと、
ｄ）作用領域における磁性粒子の空間分布に関する情報を得るために、信号を解析するステップと、
ｅ）作用領域の少なくとも一部である加熱のための領域を規定するステップと、
ｆ）規定された加熱のための領域が加熱される程度の時間、加熱のための領域が加熱されるような周波数で、作用領域における２つのサブゾーンの空間位置を変化させるステップと、
を含む方法によって達成される。

磁性粒子の局所的な加熱のために、磁界の２つのサブゾーンの空間位置は、連続的に変更される。これは、方法のステップｂ）において行われるのと同じようなやり方で、磁性粒子の空間分布に関する詳細が得られうる信号を生成する。これらの信号が、請求項７に従って取得される場合、空間分布に関する情報が、加熱の間、同時に生成されることができる。

本発明のこれら及び他の見地は、以下に記述する実施形態から明らかであり、解明される。

図１において、参照数字１は、検査又は研究のための対象をさし、この例では、患者テーブルに位置する患者であり、そのテーブルのプレート２の一部だけが図示されている。例えば、胃腸管の検査の前に、磁性粒子を含む液体又は食べ物が、患者１に投与される。

この種の粒子は、図３に示されている。粒子は、例えばガラスからなる球形基板１００を有し、この基板は、例えば鉄−ニッケル合金（例えばパーマロイ）からなる軟磁性層１０１でコーティングされる。この層は、例えば酸に対して粒子を保護するコーティング層１０２によって、被覆されることができる。このような粒子の磁化の飽和のために必要な磁界の強度は、粒子の直径に依存する。１０μｍの直径の場合、１ｍＴの磁界がこのために必要とされるのに対して、１００μｍの直径の場合には、１００ｍＴの磁界がいる。より低い飽和磁化を有する材料のコーティングが選択されるとき、より小さい値が得られる。

図４ａ及び図４ｂは、このような粒子を含む分散媒における磁化特性、すなわち磁界強度Ｈの関数としての磁化Ｍの変化を示す。磁化Ｍは、磁界強度＋Ｈ_ｃより上及び磁界強度−Ｈ_ｃより下ではもはや変化せず、これは、飽和した磁化が存在することを意味することが分かる。磁化は、値＋Ｈ_ｃ及び−Ｈ_ｃの間では飽和しない。

図４ａは、他の磁界がアクティブでない場合の正弦波の磁界Ｈ（ｔ）の影響を示す。磁化は、磁界Ｈ（ｔ）の周波数のリズムで、その飽和値の間で往復運動する。結果的に得られる、磁化の時間的な変化が、図４ａの参照符号Ｍ（ｔ）によって示されている。磁化は、同様に周期的に変化し、これによって、同様の周期的な信号が、コイルの外側に誘導されることが分かる。磁化特性の非線形性の結果として、この信号は、もはや単なる正弦波の形状ではなく、高調波、すなわち正弦基本波のより高い高調波を含む。容易に基本波から分けられることができるこれらの高調波は、粒子濃度の尺度である。

曲線の中央のラインの破線の部分は、磁界強度の関数として、磁化の近似の平均変化を示す。この中心線からのずれとして、磁界Ｈが−Ｈ_ｃから＋Ｈ_ｃに増加するときに、磁化は、わずかに右に延び、磁界Ｈが＋Ｈ_ｃから−Ｈ_ｃに減少するとき、わずかに延びる。この知られている効果は、ヒステリシス効果と呼ばれ、熱の生成のためのメカニズムの基礎となる。曲線のパスの間に形成され、その形状及びサイズが材料に依存するヒステリシス表面積は、磁化の変化時の熱の生成の尺度である。

図４ｂは、静磁界Ｈ１が重ねられる正弦波の磁界Ｈ（ｔ）の効果を示す。磁化が飽和状態にあるので、それは、実際に、正弦波の磁界Ｈ（ｔ）による影響を受けない。磁化Ｍ（ｔ）は、この領域では、ある時間にわたって一定のままである。その結果、磁界Ｈ（ｔ）は、磁化の状態の変化をもたらさず、適切なコイルによって検出されることができる検出可能な信号を生じさせない。

本発明において、空間的に不均一な磁界は、適当な手段によって、磁性粒子が位置する作用領域に生成される。このような手段は、例えば、永久磁石、又は動作状態において電流が流れるコイルのような導電体でありえる。生成される磁界は、低い磁界強度の第１のサブゾーン及びより高い磁界強度の第２の磁界サブゾーンを含む。第２のサブゾーンに位置するそれらの磁性粒子の磁化は、飽和の状態にある。第１のサブゾーンに位置する磁性粒子の磁化は、飽和しない。検査されている対象１の磁性粒子の空間濃度の任意の詳細を得るために、患者１及びテーブルのプレートの上下に、複数のコイル対があり、その作用領域は、検査ゾーンを規定する（図１）。第１のコイル対３は、同一の構造の２つの巻線３ａ及び３ｂを有する。これらの巻線は、患者の上下に同軸的に配置され、同じ大きさの電流であるが、反対の循環方向の電流がそれらの巻線を通って流れる。それらによって生成される勾配磁界は、磁力線３００によって図２に示されている。コイル対の（垂直な）軸の方向における勾配は、ほぼ一定であり、この軸に沿った或る箇所で、勾配はゼロの値になる。この磁界のない箇所から始まって、磁界の強度は、磁界のない箇所からの距離が増加するとともに、空間のすべての３方向において増加する。破線で示される磁界のない箇所の周囲のゾーン３０１（第１のサブゾーン）においては、磁界強度は非常に低いので、そのゾーンに位置する磁性粒子の磁化は飽和しない。他方、ゾーン３０１の外側では、磁性粒子の磁化は飽和する。

ゾーン３０１のサイズは、装置の空間分解能を決定する一方、勾配磁界の勾配の大きさと、飽和に必要な磁界の強度と、に依存する。図３に示される球の１０μｍの直径の場合、この磁界の強度は１ｍＴであり、１００μｍの直径の場合、必要な磁界の強度は１００μＴである。後者の値と、磁界の０．２Ｔ／ｍの勾配がある場合、粒子の磁化が飽和しないゾーン３０１は、１ｍｍの寸法を有する。

他の磁界が、作用領域において、勾配磁界に重ねられる場合、ゾーン３０１は、この他の磁界の方向にシフトし、シフトの大きさは、磁界の強度とともに増加する。重ねられる磁界が時間的に変化しうる場合、ゾーン３０１の位置は、それに応じて、時間と共に、空間において変化する。

任意の所望の空間方向について、これらの時間的に変化しうる磁界を生成するために、３つの他のコイル対が設けられる。巻線４ａ及び４ｂを有するコイル対４は、コイル３ａ及び３ｂの対を形成するコイルの軸の方向に延びる磁界を生成する。このために、２つの巻線は、それらを同じ循環方向に流れる同じサイズの電流をもつ。原則として、このコイル対によって達成できる効果は、コイル３ａ、３ｂの対の等しい大きさであるが反対方向の電流に、同方向の電流を重ねることによって達成されうる。この結果、一方のコイル対の電流は減少し、他方のコイル対の電流は増加する。しかしながら、時間的に一定の勾配磁界及び時間的に変化しうる垂直磁界が、別々のコイル対によって生成される場合が有利でありうる。

患者の長手方向おいて空間的に水平方向に延びる磁界、及びそれと垂直な方向の磁界を生成するために、巻線５ａ、５ｂ及び６ａ、６ｂを有する他の２つのコイル対が設けられる。コイル対３ａ、３ｂ及び４ａ、４ｂのようなＨｅｌｍｈｏｌｚタイプのコイル対がこの目的で使用される場合、これらのコイル対は、検査ゾーンの左右に又は前後に配置される必要がある。従って、作用領域のアクセスしやすさが妨げられる。

従って、コイル対の巻線５ａ、５ｂ及び６ａ、６ｂは、作用領域の上下に同様に配置され、それゆえ、それらの巻線構造は、コイル対４ａ、４ｂのものとは異ならなければならない。しかしながら、この種のコイルは、ＲＦコイル対が作用領域の上下に位置するオープン磁石（オープンＭＲＩ）を有する磁気共鳴装置の分野から知られている。ＲＦコイル対は、水平方向の、時間的に変化しうる磁界を生成することができる。従って、このようなコイルの構造については、ここで更に詳しく説明しない。

最後に、図１には、作用領域に生成される信号を検出することを目的とする他のコイル７も示されている。原則として、磁界を生成するコイル対３乃至６のいずれかが、この目的のために使用されることができる。しかしながら、別の受信コイルを使用する利点がある。（特に複数の受信コイルが使用される場合）より良い信号対雑音比が得られ、コイルは、それが他のコイルから減結合されるように配置され、切り替えられることができる。

図５は、図１に示す装置のブロック回路図である。概略的に示されたコイル対３（簡潔さのため、末尾に付くａ及びｂは図５のすべてのコイル対から省かれている）は、直流に関する制御可能な電流源３１によって電流供給される。電流源３１は、制御ユニット１０によって制御され、オン及びオフを切り替えられることができる。制御ユニット１０は、作用領域における粒子の分布を表す画像を示すためのモニタ１３を備えるワークステーション１２と協働する。入力が、キーボード又は他のなんらかの入力装置１４を介してユーザによって行われることができる。

コイル対４、５、６は、電流増幅器４１、５１及び６１から、それらの電流を受け取る。所望の磁界を生成する、増幅される電流Ｉ_ｘ、Ｉ_ｙ及びＩ_ｚのある時間にわたる波形は、個々の波形発生器４２、５２及び６２によってプリセットされる。波形発生器４２、５２、６２は、制御ユニット１０によって制御される。制御ユニット１０は、特定の検査、研究又は治療プロシージャのために必要なある時間にわたる波形を計算し、それを波形発生器へロードする。検査、研究又は治療の間、これらの信号は、波形発生器から読み出され、増幅器４１、５１、６１に供給される。増幅器４１、５１、６１は、コイル対４、５及び６のために必要な電流をそれらから生成する。

一般に、非線形の関係が、勾配コイル装置３の中心の位置からのゾーン３０１のシフトと、勾配コイル装置を通る電流との間に存在する。更に、ゾーン３０１の位置が、中心をはずれて延びる直線に沿ってシフトされる場合、すべての３つのコイルが、概して、磁界を生成しなければならない。時間に関する電流の波形がプリセットされる場合、これは、例えば適切なテーブルの助けを借りて、制御ユニットによって可能にされる。従って、ゾーン３０１は、任意の所望の形状のパスに沿って、作用領域にわたってシフトされることができる。

コイル７によって受け取られる信号は、適切なフィルタ７１を介して増幅器７２に供給される。増幅器７２からの出力信号は、アナログ−デジタル変換器７３によってデジタル化され、画像処理ユニット７４に供給される。画像処理ユニット７４は、信号と、ゾーン３０１が信号の受信中の時間に占めている位置とから、粒子の空間分布を再構成する。ここで、読者は、コイル７によって受け取られる信号からの再構成の詳細な説明について、Ｄ１を参照されたい。再構成された信号から、ワークステーション１２のモニタ１３に示される画像が生成される。

ワークステーション１２の入力装置１４の助けを借りて、ユーザは、画像内の、次のステップにおいて加熱されるべき領域をマークすることができる。これは、例えば、ユーザが、コンピュータマウスによって、加熱されるべき領域を円で囲むことによって、このような領域をインタラクティブに特定することによって、行われる。ワークステーション１２は、これから、加熱されるべき領域の位置を決定し、この位置情報を制御ユニット１０に渡す。装置が動作する第２の動作モードにおいて、選択された加熱のための領域が、実際に加熱される。イメージングと同様のやり方で、位置情報に沿った磁界のない箇所の移動は、波形発生器４２、５２、６２を然るべく制御する制御ユニット１０によって、コイル対４、５及び６の助けを借りて、行われる。

機械的な運動により加熱に寄与する粒子について、１３０ Ｈｚ ｍ／Ａの値が、例えば、磁界変化の周波数に関するガイドライン値として使用されることができ（例えば、図３に示される粒子の場合、２５
ｋＨｚ ｍ／Ａ又は２５０ ｋＨｚ ｍ／Ａの周波数が、層特性に依存して使用可能である）、それによって、約１ ＭＨｚの周波数が、８・１０^３ Ａ／Ｍの磁界の磁界強度について、完全な磁化反転のために必要なものとして得られる。この周波数は、３つのコイル対４、５又は６のうちの１つ、例えばコイル対４に課され、それによって、作用領域が、交番磁界によって影響を及ぼされ、磁界ゾーン３０１は、コイル対４の磁界の方向において、高速に振動するやり方で、連続的にシフトされる。その結果、対応するコイル電流の振幅によって調整されることができる長さのほぼ一次元のゾーンが、治療領域のターゲット領域として加熱される（ゾーン３０１が球形状の場合、細長い柱形の領域が、ストリップの代わりに得られる）。従って、このストリップに適用される合計加熱パワーは、交番磁界の周波数及び振幅（ストリップの空間長さによって与えられる）に依存するだけでなく、加熱の最大の生成のために要求される磁界強度（例えば、飽和磁界強度）にも依存する。周波数が高いほど、加熱パワーも高くなる。高速に振動する磁界ゾーン３０１は、他の２つのコイル対５及び６によって、他の次元において移動され、それによって、加熱の領域全体が加熱される。ストリップの幅は、この場合、同時に変化しうる。更なる詳細については、ドイツ特許出願明細書Ｄ２を参照すべきである。

図３に関連して説明した軟磁性コーティングを有する粒子に代わって、他の磁性粒子が使用されることもできる。このような粒子は、磁界ゾーン３０１をシフトさせるための適切に変更されるやり方とともに、Ｄ２にも記述されている。

第３の動作モードにおいて、加熱のために選択された領域は、第２の動作モードの場合と同様に正確に加熱される。作用領域の画像が、同時にモニタ１３に表示される。これが可能であるのは、ゾーン３０１が、加熱中にシフトされ、その結果、第１の動作モードの場合のように、信号が生成され、当該信号から、作用領域の画像が再構成され、表示されることができるからである。

本発明による方法を実施するための装置を示す図。 装置に含まれるコイル装置によって生成される磁力線のパターンを示す図。 作用領域に存在する磁性粒子の１つを示す図。 この種の粒子の磁化特性を示す図。 この種の粒子の磁化特性を示す図。 図１に示される装置のブロック回路図。

Claims (7)

1. 作用領域における磁性粒子に影響を与える装置であって、
   ａ）低い磁界強度をもつ第１のサブゾーン及びより高い磁界強度をもつ第２のサブゾーンが前記作用領域に形成されるような、磁界強度の空間パターンをもつ磁界を生成するための手段と、
   ｂ）前記磁性粒子の磁化が局所的に変化するように、前記作用領域における前記２つのサブゾーンの空間位置を変化させるための手段と、
   ｃ）前記作用領域における磁化に依存する信号を取得するための手段であって、前記磁化が、前記空間位置の変化によって影響を及ぼされる、手段と、
   ｄ）前記作用領域における前記磁性粒子に関する情報を、前記信号から得るための解析ユニットと、
   ｅ）第１の動作モードにおいて、前記２つのサブゾーンの前記空間位置が変化され、それに起因する信号が取得され、該信号から、前記作用領域における前記磁性粒子の空間分布に関する情報が決定され、
   第２の動作モードにおいて、前記２つのサブゾーンの前記空間位置が、前記作用領域の少なくとも一部が加熱される程度の時間、該少なくとも一部が加熱されるような周波数で、変化される、
   ようなやり方で、前記各手段を制御するための制御ユニットと、
   を有する装置。
2. 第３の動作モードにおいて、前記制御ユニットは、前記第２の動作モードが実行されると同時に、更に前記２つのサブゾーンの前記位置の変化に起因する信号が取得され、前記作用領域における前記磁性粒子の前記空間分布に関する情報がそこから決定されるようなやり方で、前記各手段を制御する、請求項１に記載の装置。
3. 前記磁界を生成するための前記手段は、その方向を反対にし、前記第１のサブゾーンにおいてゼロ交差をもつ勾配磁界を生成するための勾配コイル装置を有する、請求項１に記載の装置。
4. 前記作用領域における前記２つのサブゾーンは、前記勾配磁界に重ねられる時間的に変化しうる磁界によって、位置をシフトされる、請求項１に記載の装置。
5. 前記磁化の時間変化によって前記作用領域にもたらされる信号が、コイル装置によって、受け取られる、請求項１に記載の装置。
6. 作用領域における磁性粒子に影響を与える方法であって、
   ａ）低い磁界強度をもつ第１のサブゾーン及びより高い磁界強度をもつ第２のサブゾーンが前記作用領域に形成されるような、磁界強度の空間パターンを有する磁界を生成するステップと、
   ｂ）前記磁性粒子の磁化が局所的に変化するように、前記作用領域における前記２つのサブゾーンの前記空間位置を変化させるステップと、
   ｃ）前記作用領域における磁化に依存する信号を取得するステップであって、前記磁化が、前記位置の変化によって影響を及ぼされる、ステップと、
   ｄ）前記作用領域における前記磁性粒子の空間分布に関する情報を得るために、前記信号を解析するステップと、
   ｅ）前記作用領域の少なくとも一部である加熱のための領域を規定するステップと、
   ｆ）規定された前記加熱のための領域が加熱される程度の時間、前記加熱のための領域が加熱されるような周波数で、前記作用領域における前記２つのサブゾーンの前記空間位置を変化させるステップと、
   を含む、方法。
7. 前記ステップｃ）及びｄ）が、前記加熱のための領域の加熱中、付加的に実施される、請求項６に記載の方法。

Images