JP2006518916A - 偏向用の加速/減速ギャップ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】イオンビームのイオンを加速/減速させる加速構造体及びその方法を開示する。この構造体及び方法は、半導体の製造中にウエハの領域を選択的にドープするために加工物またはウエハ内にイオンを注入する際の使用に適している。イオンを加速/減速する際に、本発明の構成は、イオンビームのイオンを偏向させると共に集束させるのに役立つ。これは、電位を生じた電極間にイオンビームを通過させ、ビーム内の電気的に中性な汚染粒子だけを電位に影響されずにほぼイオンビームの基準経路に沿って進ませるので、イオンビームを浄化させることができる。電極は、ビームの移動距離が最小となるように配置し、これにより、ビームが発散するのを緩和する。
Description
この要約は、本発明の外延的範囲を示すものではなく、また本発明の要部すなわち主要な構成を識別することを意図するものでもないし、また本発明の範囲を正確に規定するものでもない。さらに、この要約の主たる目的は、後でより詳細に説明する記述の序文となるように、単純化した形で本発明の概念を明らかにすることである。
更に、本発明の構成によれば、イオンを加速および/または減速することは、イオンビームのイオンを偏向すると共に集束させるのに役立つ。
(√m/√q)×(Iz2/U3/2)
に比例する。ここで、mはイオンの質量、qはイオンの電荷、Iはビーム電流、Uはビームエネルギー、zはイオンビームの移動距離であり、イオンビームは均一でかつ円形の断面積を有するものとする。
第1の下側サブギャップ電極520に入来するイオンは、より大きな角度で第2の下側サブギャップ電極524を横切りながら減速する。この理由は、イオンが、−6.5KVの電位において、第2の下側サブギャップ電極524を横切るからである(例えば、下側中間ギャップ電極516の電位が−6.5KVであり、第2電極504の電位が0Vであり、その差は−6.5KVとなる。)。
従って、イオンは、イオンが通過する経路が異っていても、ギャップの作用により、ほぼ同一のエネルギーレベル(例えば、2KeV)で出現する。
最も良い従来例というよりも単なる手段としての例示を意味している。
102、202 イオン源
104、216、526 イオンビーム
106 プラズマ源
108 電源
110、204 ビームラインアセンブリ
114 加速構造体
220 ビーム経路
240、300、500、700 加速器
290 ウエハ
302、502 第1電極
304、504 第2電極
306、506 第1開口
308、508 第2開口
310、510 ギャップ
312 軸線
Claims (20)
- 加工物内にイオンを注入する際の使用に適した加速構造体であって、
第1開口を有する第1電極と、
第2開口を有する第2電極とを含み、
前記第1、第2電極は互いにほぼ平行であり、かつ前記第1、第2電極にほぼ直交する軸線が、前記第1、第2開口間に形成されるギャップ及び前記第1、第2開口を通過するように、前記第1、第2開口が整合しており、
イオンビームが前記第1開口を通過して第2開口から出るとき、前記第1、第2電極間に生じた電位によって前記軸線に沿って移動するイオンビームのイオンが、前記電位のバイアスにより加速または減速され、
さらに、前記第1、第2電極間にあって、前記軸線の上方に位置する第1中間ギャップ電極と、
前記第1、第2電極間にあって、前記軸線の下方に位置する第2中間ギャップ電極とを含み、
前記第1、第2中間ギャップ電極間に生じる電位によって、イオンビーム内のイオンが前記軸線から離れて偏向することを特徴とする加速構造体。 - 前記イオンビームは、電気的に中性な粒子を含んでおり、前記第1、第2中間ギャップ電極間に生じる電位が前記中性粒子に影響を与えることなく、前記中性粒子が前記ギャップを通過して前記軸線にほぼ平行な方向に進み、これにより、偏向したイオンビームから分離されることを特徴とする請求項1記載の加速構造体。
- 前記第1、第2中間ギャップ電極間に生じる電位が前記中性粒子に影響を与えることなく、その結果、前記中性粒子が加速器によって加速も減速もされないことを特徴とする請求項2記載の加速構造体。
- 前記第1、第2電極間に生じる電位によって、前記イオンビーム内のイオンを集束させることを特徴とする請求項3記載の加速構造体。
- 前記中性粒子が、偏向して集束するイオンビームから分離されるように、集束しないで前記軸線にほぼ平行な方向に進むことを特徴とする請求項4記載の加速構造体。
- 前記第1、第2中間ギャップ電極は、互いにほぼ平行であることを特徴とする請求項1記載の加速構造体。
- 前記第1、第2中間ギャップ電極の一方は、傾斜した角部を有することを特徴とする請求項1記載の加速構造体。
- 前記第1、第2中間ギャップ電極は、異なる幅を有することを特徴とする請求項1記載の加速構造体。
- 前記第1中間ギャップ電極の下流で前記ギャップの上方に配置された第1抑制電極と、
前記第2中間ギャップ電極の下流で前記ギャップの下方に配置された第2抑制電極とを更に含み、
前記第1、第2抑制電極間に生じた電位は、前記ギャップ内の電位が前記加速器の下流の中性領域内に広がることを防止する障壁を形成することを特徴とする請求項5記載の加速構造体。 - 内部に第3開口を有する第3電極を更に含み、
該第3電極は、前記第1、第2電極にほぼ平行であり、かつ前記第3開口は、前記軸線が前記第1、第2および第3開口における一致点を通過するように、前記第1、第2開口に整合し、
前記第3電極に印加される電位は、前記第1、第2抑制電極によって形成される障壁を終了させる働きをすることを特徴とする請求項9記載の加速構造体。 - 加工物にイオン注入する場合に適した加速構造体であって、
イオンビームのイオンを加速/減速するための手段と、
イオンビームの通常進路に沿う軸線から離れる方向に、イオンビーム内のイオンを偏向させることによって、前記イオンビームを曲げるための手段とを含み、
前記加速/減速するための手段と前記イオンビームを曲げるための手段は、それぞれ、イオンビームを加速/減速および曲げるために、互いに独立して作動することを特徴とする加速構造体。 - 前記加速/減速するための手段は、前記イオンビームのイオンを集束させることを特徴とする請求項11記載の加速構造体。
- 前記イオンビームは、さらに、中性粒子を含み、該中性粒子は、前記加速/減速のための手段および前記イオンビームを曲げるための手段により影響を受けることなく、前記中性粒子が、前記軸線に沿ってほぼ真直ぐに進み、これにより、イオンビーム内のイオンから分離されることを特徴とする請求項12記載の加速構造体。
- 前記イオンビームを曲げるための手段は、加速/減速するための手段の構成要素間に配置されていることを特徴とする請求項11記載の加速構造体。
- 加工物にイオン注入する場合に適するイオンを加速/減速するための方法であって、
イオンビームのイオンを加速/減速させるために、第1組の電極間に電位を生じさせ、
前記イオンビームのイオンを偏向させるために、第2組の電極間に電位を生じさせる、各工程を含むことを特徴とする方法。 - 電位が中性領域内に広がらないように前記第1、第2組の電極からの電位を抑制するために、第3組の電極間に電位を生じさせる工程を更に含むことを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記第1組の電極間に生じる電位は、また、前記イオンビームのイオンを集束させることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記イオンビームは、さらに中性粒子を含み、該中性粒子は、前記第1、第2組の電極から生じる電位により影響を受けることなく、前記中性粒子が、前記イオンビームの基準経路に沿ってほぼ真直ぐに進み、これにより、イオンビーム内のイオンから分離されることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 第2組の電極は、前記第1組の電極における第1、第2電極間に配置されることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記イオンビームは、それぞれ前記第1、第2電極内に形成された第1、第2開口間に形成されるギャップを通過し、第2組の第1電極は、前記ギャップの上方に配置され、かつ第2組の第2電極は、前記ギャップの下方に配置されることを特徴とする請求項19に記載の方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012514836A (ja) * | 2009-01-02 | 2012-06-28 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | イオンビームの偏向、減速、及びフォーカスを独立して制御する技術 |
US9293295B2 (en) | 2014-03-27 | 2016-03-22 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion implantation apparatus, final energy filter, and ion implantation method |
JP2017510023A (ja) * | 2014-01-15 | 2017-04-06 | アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド | 可変エネルギー制御を伴うイオン注入システムおよび方法 |
JP2020533733A (ja) * | 2017-09-08 | 2020-11-19 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | イオン注入のための装置、システムおよび方法 |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7112809B2 (en) | 2003-06-26 | 2006-09-26 | Axcelis Technologies, Inc. | Electrostatic lens for ion beams |
US20080073559A1 (en) * | 2003-12-12 | 2008-03-27 | Horsky Thomas N | Controlling the flow of vapors sublimated from solids |
WO2005060602A2 (en) * | 2003-12-12 | 2005-07-07 | Semequip, Inc. | Controlling the flow of vapors sublimated from solids |
US7102146B2 (en) * | 2004-06-03 | 2006-09-05 | Axcelis Technologies, Inc. | Dose cup located near bend in final energy filter of serial implanter for closed loop dose control |
JP5214090B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2013-06-19 | 株式会社Sen | ビーム偏向走査方法及びビーム偏向走査装置並びにイオン注入方法及びイオン注入装置 |
KR101306541B1 (ko) * | 2005-06-03 | 2013-09-17 | 액셀리스 테크놀로지스, 인크. | 빔 정지 및 빔 조정 방법 |
US7339179B2 (en) * | 2005-11-15 | 2008-03-04 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for providing a segmented electrostatic lens in an ion implanter |
US7675047B2 (en) | 2005-11-15 | 2010-03-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for shaping a ribbon-shaped ion beam |
TWI435378B (zh) * | 2006-04-26 | 2014-04-21 | Axcelis Tech Inc | 劑量均勻性校正方法 |
US7507978B2 (en) * | 2006-09-29 | 2009-03-24 | Axcelis Technologies, Inc. | Beam line architecture for ion implanter |
US7619228B2 (en) * | 2006-09-29 | 2009-11-17 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for improved ion beam transport |
US7750320B2 (en) * | 2006-12-22 | 2010-07-06 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method for two-dimensional beam scan across a workpiece of an ion implanter |
US7586111B2 (en) * | 2007-07-31 | 2009-09-08 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion implanter having combined hybrid and double mechanical scan architecture |
US7875125B2 (en) * | 2007-09-21 | 2011-01-25 | Semequip, Inc. | Method for extending equipment uptime in ion implantation |
US7994488B2 (en) * | 2008-04-24 | 2011-08-09 | Axcelis Technologies, Inc. | Low contamination, low energy beamline architecture for high current ion implantation |
US20100065761A1 (en) * | 2008-09-17 | 2010-03-18 | Axcelis Technologies, Inc. | Adjustable deflection optics for ion implantation |
US8237135B2 (en) | 2009-01-22 | 2012-08-07 | Axcelis Technologies, Inc. | Enhanced low energy ion beam transport in ion implantation |
US8466431B2 (en) * | 2009-02-12 | 2013-06-18 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for improving extracted ion beam quality using high-transparency electrodes |
JP5606793B2 (ja) * | 2010-05-26 | 2014-10-15 | 住友重機械工業株式会社 | 加速器及びサイクロトロン |
TWI452595B (zh) * | 2010-10-22 | 2014-09-11 | Advanced Ion Beam Tech Inc | 用於加速或減速離子束之電極組、離子植入系統及減速點狀或帶狀離子束之方法 |
JP2014137901A (ja) * | 2013-01-16 | 2014-07-28 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入装置およびイオン注入装置の運転方法 |
CN103779164B (zh) * | 2013-11-08 | 2015-12-02 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种离子束减速装置 |
US9455116B2 (en) | 2014-04-30 | 2016-09-27 | Axcells Technologies, Inc. | Angular scanning using angular energy filter |
TW201635326A (zh) | 2014-12-26 | 2016-10-01 | 艾克塞利斯科技公司 | 在具有射束減速的離子植入器中用於射束角度調整的系統及方法 |
US9620327B2 (en) | 2014-12-26 | 2017-04-11 | Axcelis Technologies, Inc. | Combined multipole magnet and dipole scanning magnet |
TWI686838B (zh) | 2014-12-26 | 2020-03-01 | 美商艾克塞利斯科技公司 | 改善混合式掃描離子束植入機之生產力的系統及方法 |
TWI714074B (zh) * | 2015-01-16 | 2020-12-21 | 美商艾克塞利斯科技公司 | 離子植入系統及具有可變能量控制的方法 |
US9978556B2 (en) | 2015-12-11 | 2018-05-22 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Parallelizing electrostatic acceleration/deceleration optical element |
US9953801B1 (en) | 2016-11-29 | 2018-04-24 | Axcelis Technologies, Inc. | Two-axis variable width mass resolving aperture with fast acting shutter motion |
US10037877B1 (en) | 2017-06-29 | 2018-07-31 | Axcelis Technologies, Inc | Ion implantation system having beam angle control in drift and deceleration modes |
US10580616B2 (en) | 2017-10-09 | 2020-03-03 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method for in-situ beamline film stabilization or removal in the AEF region |
US10573485B1 (en) | 2018-12-20 | 2020-02-25 | Axcelis Technologies, Inc. | Tetrode extraction apparatus for ion source |
US20210090845A1 (en) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic filter with shaped electrodes |
USD956005S1 (en) | 2019-09-19 | 2022-06-28 | Applied Materials, Inc. | Shaped electrode |
KR20240043766A (ko) | 2021-08-05 | 2024-04-03 | 액셀리스 테크놀러지스, 인크. | 혼합형 에너지 이온 주입 |
CN117941024A (zh) | 2021-08-05 | 2024-04-26 | 艾克塞利斯科技公司 | 混合能量离子注入 |
CN117438265B (zh) * | 2023-11-27 | 2024-05-07 | 青岛四方思锐智能技术有限公司 | 调速偏转组件及离子注入机 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002052609A2 (en) * | 2000-12-27 | 2002-07-04 | Proteros, Llc | Compact beamline and ion implanter system using same |
JP2002525820A (ja) * | 1998-09-24 | 2002-08-13 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | イオンビームから中性イオンを選択するために配設されたイオン注入装置 |
JP2003234081A (ja) * | 2002-02-06 | 2003-08-22 | Nissin Electric Co Ltd | 静電加速管およびそれを備えるイオン注入装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3566829A (en) * | 1969-03-06 | 1971-03-02 | Bryan H Hill | Ion implantation means including a variable ration ion source |
JPS60249318A (ja) * | 1984-05-25 | 1985-12-10 | Hitachi Ltd | イオンマイクロビ−ム注入法 |
EP0405855A3 (en) * | 1989-06-30 | 1991-10-16 | Hitachi, Ltd. | Ion implanting apparatus and process for fabricating semiconductor integrated circuit device by using the same apparatus |
GB2344214B (en) | 1995-11-08 | 2000-08-09 | Applied Materials Inc | An ion implanter with improved beam definition |
US5693939A (en) * | 1996-07-03 | 1997-12-02 | Purser; Kenneth H. | MeV neutral beam ion implanter |
US5780863A (en) * | 1997-04-29 | 1998-07-14 | Eaton Corporation | Accelerator-decelerator electrostatic lens for variably focusing and mass resolving an ion beam in an ion implanter |
US6060715A (en) * | 1997-10-31 | 2000-05-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for ion beam scanning in an ion implanter |
JP4103016B2 (ja) | 1998-05-21 | 2008-06-18 | 株式会社 Sen−Shi・アクセリス カンパニー | 傾斜ディセル装置とそのイオンビームの形成方法 |
US6441382B1 (en) | 1999-05-21 | 2002-08-27 | Axcelis Technologies, Inc. | Deceleration electrode configuration for ultra-low energy ion implanter |
EP1105908B1 (en) * | 1999-06-23 | 2005-03-02 | Applied Materials, Inc. | Ion beam generation apparatus |
US6635880B1 (en) * | 1999-10-05 | 2003-10-21 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | High transmission, low energy beamline architecture for ion implanter |
US6946667B2 (en) | 2000-03-01 | 2005-09-20 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Apparatus to decelerate and control ion beams to improve the total quality of ion implantation |
US6489622B1 (en) | 2000-03-01 | 2002-12-03 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Apparatus for decelerating ion beams with minimal energy contamination |
-
2003
- 2003-02-21 US US10/370,952 patent/US6777696B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-02-20 EP EP04713444A patent/EP1597748A2/en not_active Withdrawn
- 2004-02-20 KR KR1020057015463A patent/KR101130411B1/ko active IP Right Grant
- 2004-02-20 CN CN2004800106937A patent/CN1777972B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-20 WO PCT/US2004/005200 patent/WO2004077479A2/en active Application Filing
- 2004-02-20 TW TW093104223A patent/TWI327335B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-02-20 JP JP2006503781A patent/JP5120598B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002525820A (ja) * | 1998-09-24 | 2002-08-13 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | イオンビームから中性イオンを選択するために配設されたイオン注入装置 |
WO2002052609A2 (en) * | 2000-12-27 | 2002-07-04 | Proteros, Llc | Compact beamline and ion implanter system using same |
JP2003234081A (ja) * | 2002-02-06 | 2003-08-22 | Nissin Electric Co Ltd | 静電加速管およびそれを備えるイオン注入装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012514836A (ja) * | 2009-01-02 | 2012-06-28 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | イオンビームの偏向、減速、及びフォーカスを独立して制御する技術 |
KR101426282B1 (ko) | 2009-01-02 | 2014-08-05 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 이온 빔의 굴절, 감속 및 포커스를 독립적으로 제어하는 기술 |
JP2017510023A (ja) * | 2014-01-15 | 2017-04-06 | アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド | 可変エネルギー制御を伴うイオン注入システムおよび方法 |
US9293295B2 (en) | 2014-03-27 | 2016-03-22 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion implantation apparatus, final energy filter, and ion implantation method |
JP2020533733A (ja) * | 2017-09-08 | 2020-11-19 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | イオン注入のための装置、システムおよび方法 |
JP7268003B2 (ja) | 2017-09-08 | 2023-05-02 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | イオン注入のための装置、システムおよび方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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