JP2006517285A5 - - Google Patents

Claims (48)

1. 内挿された局所極大又は極小を結果として生ずる、局所極大又は極小での若しくは近傍の関数のサンプルに内挿を実行すること；
   内挿された局所極大又は極小の位置とサンプリングされた局所極大又は極小の位置との間の差を具備する内挿オフセットを導出すること；及び
   内挿オフセットからパラメータの推定値を導出すること、
   を具備する、関数の局所極大又は極小のパラメータを推定する方法。
2. 関数は、相関関数である、請求項１の方法。
3. 相関関数は、受信された信号から導出される、請求項２の方法。
4. 第２の導出するステップは、これらの２つの変数の間に存在する既存の関係を使用して内挿オフセットからパラメータ・バイアスを導出すること、及びその後パラメータ・バイアスからパラメータの推定値を導出することを具備する、請求項２の方法。
5. 内挿オフセットは、コード位相次元に沿った内挿されたピークの位置とサンプリングされたピークの位置との間の差を具備する、請求項４の方法。
6. パラメータ・バイアスは、コード位相バイアスである、請求項５の方法。
7. 推定されたパラメータは、コード位相次元に沿ったピークの位置であり、及びこのパラメータの推定値は、コード位相バイアスから導出される、請求項６の方法。
8. 内挿オフセットは、ドップラー周波数次元に沿った内挿されたピークの位置とサンプリングされたピークの位置との間の差を具備する、請求項４の方法。
9. パラメータ・バイアスは、ドップラー周波数バイアスである、請求項８の方法。
10. 推定されたパラメータは、ドップラー周波数次元に沿った関数のピークの位置であり、及びこのパラメータの推定値は、ドップラー周波数バイアスから導出される、請求項９の方法。
11. パラメータ・バイアスは、ピーク・エネルギー・バイアスである、請求項４の方法。
12. 推定されたパラメータは、ピーク・エネルギーであり、及びこのパラメータの推定値は、ピーク・エネルギー・バイアスから導出される、請求項１１の方法。
13. 内挿オフセットとパラメータ・バイアスとの間の既存の関係は、ルックアップ・テーブルとして具体化される、請求項４の方法。
14. 第２の導出するステップは、ルックアップ・テーブルへのアクセスを通して内挿オフセットからパラメータの推定値を直接導出することを具備する、請求項１３の方法。
15. ルックアップ・テーブルは、内挿オフセットとパラメータ・バイアス若しくはパラメータ推定値との間の既存の関係を与え、及び内挿オフセットは、関数の内挿された局所極大又は極小の位置とサンプリングされた局所極大又は極小の位置との間の差を具備する、ルックアップ・テーブルを実体的に具体化するメモリ。
16. 関数は、相関関数である、請求項１５のメモリ。
17. 相関関数は、受信された信号から導出される、請求項１６のメモリ。
18. ルックアップ・テーブルへのアクセスは、パラメータ・バイアスをもたらす、請求項１６のメモリ。
19. ルックアップ・テーブルへのアクセスは、パラメータ推定値をもたらす、請求項１６のメモリ。
20. 内挿オフセットは、コード位相次元に沿った内挿されたピークの位置とサンプリングされたピークの位置との間の差を具備する、請求項１８のメモリ。
21. パラメータ・バイアスは、コード位相バイアスである、請求項２０のメモリ。
22. パラメータ推定値は、コード位相次元に沿ったピークの位置の推定値である、請求項２１のメモリ。
23. パラメータ・バイアスは、ピーク・エネルギー・バイアスである、請求項１５のメモリ。
24. パラメータ推定値は、ピーク・エネルギーの推定値である、請求項２３のメモリ。
25. パラメータ推定値は、内挿されたピーク・エネルギーとピーク・エネルギー・バイアスとの和を具備する、請求項２３のメモリ。
26. パラメータ推定値は、サンプリングされたピーク・エネルギーとピーク・エネルギー・バイアスとの和を具備する、請求項２３のメモリ。
27. 内挿オフセットは、ドップラー周波数次元に沿った内挿されたピークの位置とサンプリングされたピークの位置との間の差を具備する、請求項１５のメモリ。
28. パラメータ・バイアスは、ドップラー周波数バイアスである、請求項２７のメモリ。
29. パラメータ推定値は、ドップラー周波数次元に沿ったピークの位置の推定値である、請求項２８のメモリ。
30. パラメータ推定値は、内挿オフセットとドップラー周波数バイアスとの和を具備する、請求項２８のメモリ。
31. プロセッサと組み合せられた請求項１５のメモリ、ここにおいて、プロセッサは、ルックアップ・テーブルをアクセスするように設定される。
32. 内挿された局所極大又は極小を結果として生ずる、局所極大又は極小での若しくは近傍の関数のサンプルに内挿を実行すること；
    内挿された局所極大又は極小の位置とサンプリングされた局所極大又は極小の位置との間の差を具備する内挿オフセットを導出すること；及び
    内挿オフセットからパラメータの推定値を導出すること、
    を具備する、関数の局所極大又は極小のパラメータを推定する方法を実行するためのソフトウェア命令のシーケンスを実体的に具体化するメモリ。
33. 関数は、相関関数である、請求項３２のメモリ。
34. 相関関数は、受信された信号から導出される、請求項３３のメモリ。
35. 内挿オフセットからパラメータの推定値を導出することは、これらの２つの変数の間に存在する既存の関係を使用して内挿オフセットからパラメータ・バイアスを導出すること、及びパラメータ・バイアスからパラメータの推定値を導出することを具備する、請求項３３のメモリ。
36. 内挿オフセットは、コード位相次元に沿った内挿されたピークの位置とサンプリングされたピークの位置との間の差を具備する、請求項３５のメモリ。
37. パラメータ・バイアスは、コード位相バイアスである、請求項３６のメモリ。
38. パラメータは、コード位相次元に沿ったピークの位置であり、このパラメータの推定値は、コード位相バイアスから導出される、請求項３７のメモリ。
39. 内挿オフセットは、ドップラー周波数次元に沿った内挿されたピークの位置とサンプリングされたピークの位置との間の差を具備する、請求項３５のメモリ。
40. パラメータ・バイアスは、ドップラー周波数バイアスである、請求項３９のメモリ。
41. 推定されたパラメータは、ドップラー周波数次元に沿った関数のピークの位置であり、及びこのパラメータの推定値は、ドップラー周波数バイアスから導出される、請求項４０のメモリ。
42. パラメータ・バイアスは、ピーク・エネルギー・バイアスである、請求項３５のメモリ。
43. 推定されたパラメータは、ピーク・エネルギーであり、及びこのパラメータの推定値は、ピーク・エネルギー・バイアスから導出される、請求項４２のメモリ。
44. パラメータ・バイアスは、ピーク・エネルギー・バイアスである、請求項３９のメモリ。
45. 推定されたパラメータは、ピーク・エネルギーであり、及びこのパラメータの推定値は、ピーク・エネルギー・バイアスから導出される、請求項４４のメモリ。
46. 内挿オフセットとパラメータ・バイアスとの間の既存の関係は、ルックアップ・テーブルとして具体化される、請求項３５のメモリ。
47. プロセッサと組み合せられた請求項３２のメモリ、ここにおいて、プロセッサは、メモリによって実体的に具体化されたソフトウェア命令をアクセスしそして実行するように設定される。
48. 内挿された局所極大又は極小を結果として生ずる、局所極大又は極小での若しくは近傍の関数のサンプルに内挿を実行するための手段；
    内挿された局所極大又は極小の位置とサンプリングされた局所極大又は極小の位置との間の差を具備する内挿オフセットを導出するための手段；及び
    内挿オフセットからパラメータの推定値を導出するための手段、
    を具備する、関数の局所極大又は極小のパラメータを推定する装置。