JP2006512603A - 電気光学変換器、電気光学変換器のためのゲル様層、ゲル様層の製造方法及び該方法の実現のための組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
ポリビニルシロキサン(100質量部)及び架橋剤オリゴヒドリドシロキサン(20質量部)を混合する。予備混合後、150質量部のポリメチルシロキサン液を加え、該組成物を再び十分に混合する。次いで1質量部の0.1%塩化白金酸有機溶媒(イソプロピルアルコール)溶液を加える。該組成物を5分間以内で十分に混合し、混合終了後10分間おいてから導電性透明層に塗布する。
計算のための入力パラメーター(図11)は下記の通り。直角二等辺三角形の形態の底辺を有する三角プリズム33の辺側面のエッジの大きさをpとする。空気中の放射の発散角をθとする。媒質の屈折率をnとする。空気中の光の波長をλlとする。用いられる回折次数の最大値をN(±1、・・・、±N)とする。ここでd1=d2=d/2と仮定する(図11)。
h=p/(2N+1) (1)
媒質中の放射発散角はθ/nに等しい。
媒質中の波長はλl/nである。
距離はd=hn/θ-p= p(n/((2N+1)θ)-1) (2)
隣り合う回折次数の間の発散角は
α=(λl/n)/λm (3)
隣り合う回折次数の重複を避けるためには
α=h/(d1+p)=2h/(d+2p) (4)
(2)、(3)及び(4)を考慮に入れると、減少するマイクロレリーフの周期は
λm=λl (d+2p)/(2nh)= λl (1/θ+(2N+1)/n)/2 (5)
マイクロレリーフの物理的な周期は
Λm = λm√2 = λ (1/θ +(2N+1)/n)/√2 (6)
媒質中のレンズの焦点距離は
fp= d+p= pn/((2N+1)θ) (7)
空気中のレンズの焦点距離はf= fp/n、
f= fp/n= p/((2N+1)θ) (8)
下記のパラメーターを用いた計算実行の具体的な例を示す:
θ = 0.05, λl = 0.56 μm, p=0.4 mm, n=1.59, N=2
(2)より、距離d=hn/θ-p= p(n/((2N+1)θ)-1)=2.14 mm,
(1)より、可視化絞りの大きさはh= p/(2N+1)=80 ミクロン,
(6)より、プリズムの側面上の物理的なマイクロレリーフ周期は
Λm≒0.707 λl (1/θ +(2N+1)/n)= 9.16 ミクロン (109 mm-1 )
4つのプリズム33を具備する3色線要素13の計算のもう1つの例を記載する(図12)。
t=(AB)=p/3 (9)
画素の全高は
d=2t+w=2p/3+w (10)
可視化絞りから入力面(ABCDEFL)までの完全な光路は
s=5t+w=5p/3+w (11)
可視化絞りの大きさは隣り合う回折次数の間(特に0番目と1番目の間)の直線距離に等しく、
h=p/(2N+1) (12)
媒質中の放射発散角はθ/nに等しい。
媒質中の波長はλl/nである。
発散で決定される光路の最大値は
s=h/(θ/n)= hn/θ = pn/((2N+1)θ) (13)
w=p(n/((2N+1)θ)-5/3) (14)
(10)より、対応する画素の全大きさは
d= 2p/3+w= p(n/((2N+1)θ)-1) (14a)
(14)を考慮に入れると、λDに対し格子Dから可視化絞りまでの距離(ABCD)は
sD=2t+t/2+w=5t/2+w=5p/6+w= p(n/((2N+1)θ)-5/6) (15D)
(14)を考慮に入れると、λEに対し格子Eから可視化絞りまでの距離(ABCDE)は
sE=3t+t/2+w =7t/2+w =7p/6+w= p(n/((2N+1)θ)-3/6) (15E)
(14)を考慮に入れると、λFに対し格子Fから可視化絞りまでの距離(ABCDEF)は
sF=4t+t/2+w=9t/2+w=9p/6+w=3p/2+w= p(n/((2N+1)θ)-1/6) (15F)
α= (λl/n)/λm (16)
隣り合う回折次数の重複を避けるため
α=h/s1 (17)
(16)及び(17)より、減少するマイクロレリーフ周期は
λm = s1 λl /(n h) (18)
(12)を考慮に入れると、減少するマイクロレリーフ周期は
λm= s1 λl (2N+1)/(n p) (19)
(15)を考慮に入れると、異なる格子に対し(対応して異なる波長に対し)減少するマイクロレリーフ周期は
λmD= sD λD (2N+1)/(n p) = λD (1/θ-(5/6)(2N+1)/n) (19D)
λmE= sE λE (2N+1)/(n p) = λE (1/θ-(3/6)(2N+1)/n) (19E)
λmF= sF λF (2N+1)/(n p) = λF (1/θ-(1/6)(2N+1)/n) (19F)
Λm= λm√2 (20)
又は異なる波長に対し(19)を考慮すると
ΛmD= λmD√2= λD√2(1/θ-(5/6)(2N+1)/n) (21D)
ΛmE= λmE√2 = λE √2(1/θ-(3/6)(2N+1)/n) (21E)
ΛmF= λmF√2 =λF √2(1/θ-(1/6)(2N+1)/n) (21F)
(14)を考慮すると、可塑性のあるレンズ焦点距離は
fp= t+w = p/3+p(n/((2N+1)θ)-5/3)= p(n/((2N+1)θ)-4/3) (22)
空気中のレンズ焦点距離はf = f= fp/n
f= fp/n= p(1/((2N+1)θ)-4/(3n)) (23)
θ = 0.05, λD= 0.60μm, λE= 0.45μm, λF= 0.40μm, p=0.4 mm, n=1.59, N=3のとき、プリズムの直交面は(9)によるとt=p/3=0.133である。
d= 2p/3+w=p(n/((2N+1)θ)-1)=1.417 mm
(12)によると、可視化絞りの大きさはh=p/(2N+1)= 80μm
(21)によると、プリズム面上の物理的なマイクロレリーフ周期は
Λm = λ1(28.28-[5,3,1]*1.0377);
ΛmD = λD√2(1/θ-(5/6)(2N+1)/n) = 13.85μm ( 72.2 mm-1) (赤),
ΛmE = λE √2(1/θ-(3/6)(2N+1)/n) = 11.33μm (88.3 mm-1) (緑),
ΛmF = λF √2(1/θ-(1/6)(2N+1)/n) = 10.89μm (91.5 mm-1) (青)
(22)によると、可塑性のあるレンズ焦点距離は
fp= p(n/((2N+1)θ)-4/3) = 1.28 mm
Claims (44)
- 光軸上に連続して設置された:少なくとも1つの光点灯器、少なくとも1つの平行平板又は少なくとも1つの最大内面反射プリズムの形態の透明支持体又はM個の透明支持体、少なくとも1つの線変調器、少なくとも1つの可視化器、認識装置、及び少なくとも1つの制御装置を具備する電気光学変換器であって、それぞれの線変調器は透明支持体に施され透明ゲル様層で覆われた透明導電性層、並びに、それぞれの線変調器に対応する第2の支持体上の一平面内に配置され、透明ゲル様層の上部にギャップを挟んで設置され、対応する制御装置に電気的に接続された、i個の平行リボン制御電極及び接地電極系を具備し、それぞれの透明支持体は対応する少なくとも1つの変調器と共に線要素を形成し;一方光点灯器は光軸上に連続して設置された長い光源及び照明コンバーチブルレンズから成り、可視化器は光軸上に連続して設置されたフーリエ対物レンズ及び可視化絞りを具備し;光源はパルス又は連続波であって、光パルス繰り返し周波数は像の線周波数と等しく;リボン制御電極は制御歯の周期構造と電気的に接続され、接地電極は接地歯の周期構造と電気的に接続され、それぞれの線画素において歯は対応する電極と一緒になって相互に孤立した2つの導電性の櫛のように見え、櫛の歯は長い光源と平行に設置され、制御歯と接地歯のペアの配置周期λteethは関係式:λteeth ≦ √2 λlight / αdivより計算され、ここでλlightは長い光源の波長、αdiv.(ラジアン単位)は櫛の歯に直交する光源の放射の発散であり、ゲル様層は分子量10000〜16000、粘度800〜1000カンチストークス(cantistokes)のポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO [(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3と、水素化物基を10〜15%含み粘度50〜100サンチストークス(santistokes)のオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3をベースに作製されたものである電気光学変換器。
- 櫛の歯と平行な母線を有する少なくとも1つの円柱状対物レンズが前記照明コンバーチブルレンズ内に挿入されている、請求項1記載の装置。
- 前記可視化器が櫛の歯と平行な母線を有する少なくとも1つの円柱状対物レンズを具備している、請求項1記載の装置。
- 前記認識装置が、投影レンズ、鏡系、線の垂直走査手段、画面、スキャナーの光検出器を具備し、該投影レンズ内に環状円柱状対物レンズが挿入されている、請求項1記載の装置。
- 前記制御装置が、出力が電圧信号の電源のブロックに接続され、入力がスキャナーの光検出器に接続されている同期装置;透明導電性層と接地電極との間に位置するベース電圧電源;線変調器の制御電極のi個の入力に接続された電圧信号の電源のブロック;レリーフ形成のタイムフロントの補正電源を経由して1つの出力が電圧信号の電源のブロックの同様な出力に接続し、他の出力が接地電極に接続しているバイアス電圧電源で構成され;該同期装置は、2つの出力をさらに具備して、その1つが光源に接続され、もう1つが線の走査手段に接続されるとともに、電圧信号の電源のブロックからの入力もさらに具備したものであり、前記のレリーフ形成のタイムフロントの補正電源はバイアス電圧電源と連続して挿入されて該同期装置と接続されていて、パルスシグナルの増幅時に時間決定された形態のさらなるパルスバイアス電圧を印加し、任意の時間−空間規則(time-space rule)に応じたリボン制御及び接地電極上の信号の整流子スイッチング極性は電圧信号の電源のブロックと同期装置とに接続されている、請求項1記載の装置。
- 前記平行リボン制御及び接地電極系が第2の支持体に取り付けられて、均一な厚さの誘電性薄層で覆われ、長い光源と平行な櫛の制御歯及び接地歯がリボン制御及び接地電極に対し垂直方向になるように該誘電性薄層に取り付けられて、制御歯は接触子によって対応するリボン制御電極と電気的に接続され、また接地歯は接触子によって対応するリボン制御電極と電気的に接続され、ここで1つの画素の歯の元口は他の画素の歯の元口とギャップを挟んで向かい合い、該歯は調節可能な電気的パラメーターを有する防護誘電性薄層で覆われている、請求項1記載の装置。
- 前記平行リボン制御及び接地電極系が第2の支持体に取り付けられて均一な厚さの誘電性薄層で覆われ、該誘電性薄層に櫛の接地歯が取り付けられ、該接地歯は接触子によって対応するリボン接地電極と電気的に接続されるとともに均一な厚さの第二防護誘電性薄層で覆われ、該第二防護誘電性薄層に櫛の制御歯が取り付けられ、制御歯は接触子によって対応するリボン制御電極と電気的に接続されており、それぞれの画素において歯の元口は隣り合う画素の元口の間の間隙と向かい合っている、請求項1記載の装置。
- 前記認識装置が投影レンズ、鏡系、線の垂直走査手段を具備しており;該装置は赤、緑、青色光点灯器、及び、赤、緑、青色光点灯器に対応した3つの制御装置を具備し、該制御装置は出力によって色整流子と接続されていて、該色整流子は1つの出力でそれぞれの線変調器と、3つの出力で色整流子により順次にスイッチが入る3つの光点灯器と、5つ目の出力によって走査手段と接続されており、少なくとも1つの最大内面反射三角プリズムの形態で形成された透明支持体、それぞれの線要素は3つの線変調器を具備して同時にスイッチが入り、それぞれの変調器は3色それぞれに対応する制御歯及び接地歯のペアのオーダーの周期λteethを有し、3つの光点灯器は互いに平行に配置され、対応する色の光束は対応する線変調器に垂直に落ち、一方より長い波長の光束はフーリエ対物レンズからより遠い距離にある線変調器に方向づけられ、不透明な可視化絞りは3色全ての0次数の放射を遮断又は透過する、請求項1記載の装置。
- 赤、緑、青色光点灯器、及び、赤、緑、青色光点灯器に対応して色整流子と出力によって接続された制御装置を具備し、該色整流子は1つの出力でそれぞれの線変調器と、3つの出力で色整流子により順次にスイッチが入る3つの光点灯器と、5つ目の出力によって走査手段と接続されており、それぞれの線要素は赤、緑、青色光点灯器の光の波長に対応した制御歯と接地歯のペアのオーダーの個々の空間的周期λR、λG、λBを有しており、適切な時期に順次スイッチが入る3つの線変調器は全てより大きな波長の線変調器ほどフーリエ対物レンズからより遠くに位置するように光軸上に設置されている、請求項1記載の装置。
- それぞれの透明支持体が等しい長さの側辺で順次光学的に結合されている直角三角形を有するN個の三角プリズムの形態で形成され、線変調器が全て又はいくつかの斜辺面に取り付けられており;最初のプリズムの1つの斜辺面は接触物がなく少なくとも1つの光点灯器に向けられ、最後のプリズムの1つの斜辺面は接触物がなく少なくとも1つの可視化器に向けられていて、これらの面は光軸に対し垂直であり、光点灯器からの光は全ての斜辺面上に最大内面反射角よりも大きい角度で落ち、線変調器は櫛の歯の空間周波数と等しい又は異なる空間周波数を有する、請求項1記載の装置。
- 線形マトリックスの形態で編成されたM個の線要素と、同じ数のプリズムを具備する線要素それぞれの透明支持体を具備し、ここで平行な面内又は同一平面内に位置する該線要素の最初及び最後の接触物のない側辺はそれぞれ、M個の単色、3色又は多色光点灯器のマトリックス、並びに対応してM個の単色、3色又は多色可視化器のマトリックスに向けられている、請求項10記載の装置。
- 前記認識装置が透明若しくは無光沢、又は感光性、若しくは感熱性物質の形態で形成され、光軸上で可視化器のマトリックスの後に配置された、請求項11記載の装置。
- 前記長い光源が、1端が単色又は多色情報レーザー光源に接続され、もう1端が光伝達の過程で最初に出会うプリズムと光学的に接続されている1つの光ファイバーまたは複数の光ファイバーのマトリックスの形態で設計されており、それぞれの光ファイバーはそれぞれの線変調器の1個又は数個の画素と光学的に接続され、光伝達の過程で最後に出会うプリズムは1つの可視化器又は複数の可視化器のマトリックスと接続されており、ここで不透明な可視化絞りは0次の光回折を透過させる開口を有する1つの穴又は穴のマトリックスを具備し、該穴又は穴のマトリックスの後であって焦点距離よりも近い位置の光軸上に対物レンズが設置され、該対物レンズは出力光ファイバーに光を集め該出力光ファイバーの他方の端は光情報の認識装置に接続しており、信号電圧は全ての線変調器に同期的に又は3相時間モード若しくは多相時間モードで印加され、その電圧は4.82ラジアンに等しい位相変調の至適深度を創出するために十分なものであって、前記認識装置は光点灯器に電気的に接続されている、請求項10記載の装置。
- 前記長い光源が、1端が単色又は多色情報レーザー光源に接続され、もう1端が光伝達の過程で最初に出会うプリズムと光学的に接続されている1つの光ファイバーまたは複数の光ファイバーのマトリックスの形態で設計されており、それぞれの光ファイバーはそれぞれの線変調器の1個又は数個の画素と光学的に接続し、光伝達の過程で最後に出会うプリズムは1つの可視化器又は複数の可視化器のマトリックスと接続されており、ここで不透明な可視化絞りは画素電極によって制御された光回折の1次及び/又はより高次の放射を透過する開口を有する1つの穴又は穴のマトリックスを具備しており、それぞれの線変調器に対する可視化器は対物レンズが穴又は穴のマトリックスと向かい合って設置されるように設計され、該対物レンズは出力光ファイバーに光を集め該出力光ファイバーの他方の端は光情報の認識装置に接続しており、信号電圧は全ての線変調器に同期的に又は3相時間モード若しくは多相時間モードで4.82ラジアンに等しい位相変調の至適深度を創出するために十分に印加され、光情報の認識装置は光点灯器に電気的に接続されている、請求項10記載の装置。
- 光伝達の過程で最初に出会う線要素のプリズムの側辺に対し、前記光点灯器は90度以下の角度で、前記認識装置は90度の角度で配置され、0次回折光を遮断する可視化絞りの一部は鏡で覆われ、光伝達の過程で最後に出会う線要素のプリズムの側辺に平行に設置されており、第二認識装置又は光吸収装置が可視化絞りの鏡に覆われていない部分に設置されている、請求項10記載の装置。
- 線要素中の1個又は数個の線変調器の櫛の歯が、対応する波長の光を反射する連続した誘電性薄鏡で覆われ、線変調器を具備しない1つ又は全てのプリズム斜辺面(接触物がない面)が鏡で覆われている、請求項10記載の装置。
- 線変調器のプリズムの接触物がない最後の側辺が鏡で覆われている、請求項15又は16に記載の装置。
- 赤、緑、青色光点灯器、少なくとも1つの平行平板又は少なくとも1つの最大内面反射プリズムの形態の透明支持体、1つの線変調器、少なくとも1つの可視化器、認識装置、赤、緑、青色光点灯器に対応する3つの制御装置を具備する電気光学変換器であって、該制御装置は1つの出力で色整流子と電気的に接続し、該色整流子は1つの出力で線変調器と、3つの出力で色整流子により順次スイッチが入る3つの光点灯器と、5つ目の出力で走査手段と接続しており、該線変調器は、透明支持体に塗布され透明ゲル様層で覆われた透明導電性層、並びに、一平面内で第2の支持体に取り付けられゲル様層上部にギャップを挟んで設置されたi個の平行リボン制御電極及び接地電極系を具備しており、線変調器は透明支持体と共に線要素を形成し、それぞれの光点灯器は光軸上に連続して設置された長い光源と照明コンバーチブルレンズで構成され、光源はパルス又は連続波であって、光パルス繰り返し周波数は像の線周波数と等しく;該可視化器は光軸上に連続して設置されたフーリエ対物レンズ及び可視化絞りを具備し;同一直線上にある3色全ての放射束は適切な時間内で順次垂直に線要素上に落ち、リボン制御電極は制御歯の周期構造に電気的に接続され、接地電極は接地歯の周期構造に電気的に接続され、それぞれの線画素に対し歯は電極と一緒になって相互に孤立した2つの導電性の櫛のように見え、櫛の歯は長い光源と平行に設置され、制御歯と接地歯のペアに対する次数の周期λteethは関係式:λteeth ≦√2 λlight min/αdiv maxによって決定され、ここでαdiv maxは赤、緑、青色のうちで最も大きな放射発散、λlight minは光波長の最小値であり、一方不透明な可視化絞りの大きさは3色全ての0次数の重複状況によって決定され、線変調器の制御電極上の電圧はそれぞれの色に対して必要なレリーフ深度を形成し、ゲル様層は分子量10000〜16000、粘度800〜1000カンチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO [(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3と、水素化物基を10〜15%含み粘度50〜100サンチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3をベースに作製されたものである電気光学変換器。
- 少なくとも1つの光点灯器、それぞれ少なくとも1つの平行平板の形態である1個の透明支持体又はM個の透明支持体、少なくとも1つの線変調器、少なくとも1つの可視化器、認識装置を具備した電気光学変換器であって、少なくとも1つの制御装置をさらに具備し、ここでそれぞれの線変調器は対応する透明支持体に取り付けられ透明ゲル様層で覆われた透明導電性層、並びに、それぞれの線変調器に対応する第2の支持体上の一平面内に取り付けられ、透明ゲル様層の上部にギャップを挟んで設置され、制御装置に電気的に接続された、i個の平行リボン制御電極及び接地電極系を具備し、ここでそれぞれの透明支持体は対応する少なくとも1つの変調器と一緒に線要素を形成し;一方光点灯器は光軸上に連続して設置された長い光源及び照明コンバーチブルレンズで構成され、可視化器は光軸上に連続して設置されたフーリエ対物レンズ及び可視化絞りを具備し;光源はパルス又は連続波であって、光パルス繰り返し周波数は像の線周波数と等しく;光点灯器はその放射が平行平板、透明導電性層、透明ゲル様層、空気ギャップに対し90度以下の角度で向かうように配置されており、リボン制御電極は制御歯の周期構造と電気的に接続され、接地電極は接地歯の周期構造と電気的に接続され、それぞれの線画素に対し歯は対応する電極と一緒になって相互に孤立した2つの導電性の櫛のように見え、一方櫛の歯は長い光源と平行に設置されると共に対応する波長の光を反射する連続した誘電性薄鏡で覆われ、制御歯と接地歯のペアに対する次数周期λteethは関係式:λteeth ≦√2 λlight min/αdiv maxによって決定され、ここでλlightは長い光源の波長、αdiv.(ラジアン単位)は櫛の歯に直交する光源の放射の発散であり、ゲル様層は分子量10000〜16000、粘度800〜1000カンチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO [(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3と、水素化物基を10〜15%含み粘度50〜100サンチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3をベースに作製されたものである電気光学変換器。
- 分子量10000〜16000、粘度800〜1000サンチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO[(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3、架橋剤として水素化物基を10〜15%含み粘度50〜100サンチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3、可塑剤として粘度5〜20サンチストークスのポリメチルシロキサン液(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]Si(CH3)3、硬化触媒として塩化白金酸の0.1%有機溶媒溶液又はそれとテトラビニルシランとの錯体を、次の比率(質量部):ポリビニルシロキサン−100、オリゴヒドリドシロキサン−15〜25、ポリメチルシロキサン液−150〜300、塩化白金酸の0.1%有機溶媒溶液又はそれとテトラビニルシランとの錯体−0.3〜2で含むゲル様組成物の構成物の反応産物である、電気光学変換器のためのゲル様層。
- 電気光学変換器のためのゲル様層の調製方法であって、分子量10000〜16000、粘度800〜1000カンチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO[(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3の100質量部と、水素化物基を10〜15%含み粘度50〜100サンチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3の15〜25質量部とを混合し、混合終了後、粘度5〜20サンチストークスのポリメチルシロキサン液(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]Si(CH3)3の150〜300質量部を加えることを包含し、次いで再度混合した後、塩化白金酸の0.1%有機溶媒溶液又はそれとテトラビニルシランとの錯体0.3〜2質量部を加え、反応組成物を混合して、混合終了後均一な厚さの層として導電性透明層に塗布する、ゲル様層の調製方法。
- 前記組成物を混合終了後1〜20分おいてから導電性透明層に塗布する請求項21記載の方法。
- 前記反応組成物を、混合終了後、次の通りの方法:第1層の形成、架橋及び冷却後、続けて第1層又は先に架橋し冷却したゲル層上にさらに1又はいくつかのゲル層を塗布することにより、均一な厚さの層として導電性透明層に塗布する、請求項21記載の方法。
- 電気光学変換器のためのゲル様層の調製方法であって、分子量10000〜16000、粘度800〜1000カンチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO[(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3の100質量部と、水素化物基を10〜15%含み粘度50〜100サンチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3の15〜25質量部とを混合し、混合終了後、粘度5〜20サンチストークスのポリメチルシロキサン液(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]Si(CH3)3の150〜300質量部を加えることを包含し、再度混合した後、塩化白金酸の0.1%有機溶媒溶液又はそれとテトラビニルシランとの錯体0.3〜2質量部を加え、次いで反応組成物を混合し、混合終了後、均一な厚さの層として導電性透明層に塗布し、その後得られた層を光学的に平らな表面を有する付加的な板で覆い、透明導電性層と付加的な板の間に配置したメインスペーサーによって透明ゲル様層の厚さを扁平にし、次いで得られた構築物をオーブン中に置いて約2〜4時間70〜90℃の温度に保ち、次いで付加的な板を外して、制御電極及び接地電極が取り付けられた第2の支持体で該ゲル様層を覆い、該電極は防護誘電性薄層で覆われていて、メインスペーサーよりも大きい付加的なスペーサーによってギャップが付与される、ゲル様層の調製方法。
- 得られた反応混合物を、混合終了後、次の通りの方法:第1層の形成、架橋及び冷却後、続けて第1層又は先に架橋し冷却したゲル層上にさらに1又はいくつかのゲル層を塗布することにより、均一な厚さの層として導電性透明層に塗布する、請求項24記載の方法。
- 前記付加的な板が癒着防止層で覆われている請求項24記載の方法。
- 前記癒着防止層がスルファノール−π(sulfanol-π)のような界面活性剤である請求項26記載の方法。
- 前記付加的な板がプラズマ又は他の洗浄照射で処理される請求項24記載の方法。
- 電気光学変換器のためのゲル様層の調製方法であって、分子量10000〜16000、粘度800〜1000カンチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO[(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3の100質量部と、水素化物基を10〜15%含み粘度50〜100サンチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3の15〜25質量部とを混合し、混合終了後、粘度5〜20サンチストークスのポリメチルシロキサン液(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]Si(CH3)3の150〜300質量部を加えることを包含し、再度混合した後、塩化白金酸の0.1%有機溶媒溶液又はそれとテトラビニルシランとの錯体0.3〜2質量部を加え、次いで反応組成物を混合し、混合終了後、均一な厚さの層として導電性透明層に塗布し、その後得られた層を光学的に平らな表面を有する付加的な板で覆い、透明導電性層と付加的な板の間に配置したメインスペーサーによって透明ゲル様層の厚さを扁平にし、次いで得られた構築物をオーブン中に置いて約1〜2時間70〜90℃の温度に保ち、次いで周辺温度まで冷却し、その後付加的な板を外して、透明導電性層上に設けられた該ゲル様層を再びオーブン中に置き、ゲルの架橋が完了するまで約1〜3時間70〜90℃の温度に保つ、ゲル様層の調製方法。
- 得られた反応組成物を混合終了後、次の通りの方法:第1層の形成、架橋及び冷却後、続けて第1層又は先に架橋し冷却したゲル層上にさらに1又はいくつかのゲル層を塗布することにより、均一な厚さの層として導電性透明層に塗布する、請求項29記載の方法。
- 前記付加的な板が癒着防止層で覆われている請求項29記載の方法。
- 前記癒着防止層がスルファノール−π(sulfanol-π)のような界面活性剤である請求項31記載の方法。
- 前記付加的な板がプラズマ又は他の洗浄照射で処理される請求項29記載の方法。
- 電気光学変換器のためのゲル様層の調製方法であって、分子量10000〜16000、粘度800〜1000カンチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO[(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3の100質量部と、水素化物基を10〜15%含み粘度50〜100サンチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3の15〜25質量部とを混合し、混合終了後、粘度5〜20サンチストークスのポリメチルシロキサン液(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]Si(CH3)3の150〜300質量部を加えることを包含し、再度混合した後、塩化白金酸の0.1%有機溶媒溶液又はそれとテトラビニルシランとの錯体0.3〜2質量部を加え、次いで反応組成物を混合し、混合終了後、均一な厚さの層として導電性透明層に塗布し、その後得られた層を光学的に平らな表面を有する付加的な板で覆い、透明導電性層と付加的な板の間に配置したメインスペーサーによって透明ゲル様層の厚さを扁平にし、次いで得られた構築物をオーブン中に置き約2〜4時間70〜90℃の温度に保ち、次いで付加的な板を外して、制御電極及び接地電極が取り付けられた第2の支持体で該ゲル様層を覆い、該電極は防護誘電性薄層で覆われていて、ゲルの架橋、収縮及び周辺温度までの冷却が完了した後にメインスペーサーによってギャップが付与される、ゲル様層の調製方法。
- 得られた反応組成物を、混合終了後、次の通りの方法:第1層の形成、架橋及び冷却後、続けて第1層又は先に架橋し冷却したゲル層上にさらに1又はいくつかのゲル層を塗布することにより、均一な厚さの層として導電性透明層に塗布する、請求項34記載の方法。
- 前記付加的な板が癒着防止層で覆われている請求項34記載の方法。
- 前記癒着防止層がスルファノール−π(sulfanol-π)のような界面活性剤である請求項36記載の方法。
- 前記付加的な板がプラズマ又は他の洗浄照射で処理される請求項34記載の方法。
- 電気光学変換器のためのゲル様層の調製方法であって、分子量10000〜16000、粘度800〜1000カンチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO[(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3の100質量部と、水素化物基を10〜15%含み粘度50〜100サンチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3の15〜25質量部とを混合し、混合終了後、粘度5〜20サンチストークスのポリメチルシロキサン液(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]Si(CH3)3の150〜300質量部を加えることを包含し、再度混合した後、塩化白金酸の0.1%有機溶媒溶液又はそれとテトラビニルシランとの錯体0.3〜2質量部を加え、次いで反応組成物を混合し、混合終了後、均一な厚さの層として導電性透明層に塗布し、その後得られた層を光学的に平らな表面を有する付加的な板で覆い、透明導電性層と付加的な板の間に配置したメインスペーサーによって透明ゲル様層の厚さを扁平にし、次いで得られた構築物をオーブン中に置き約1〜2時間70〜90℃の温度に保ち、次いで周辺温度まで冷却して、その後付加的な板を外し、透明導電性層上に設けられた該ゲル様層を再びオーブン中に置いて、ゲルの架橋が完了するまで約1〜3時間70〜90℃の温度に保ち、ゲルの架橋、収縮及び周辺温度までの冷却が完了した後にメインスペーサーによってギャップが設けられる、ゲル様層の調製方法。
- 得られた反応組成物を、混合終了後、次の通りの方法:第1層の形成、架橋及び冷却後、続けて第1層又は先に架橋し冷却したゲル層上にさらに1又はいくつかのゲル層を塗布することにより、均一な厚さの層として導電性透明層に塗布する、請求項34記載の方法。
- 前記付加的な板が癒着防止層で覆われている請求項39記載の方法。
- 前記癒着防止層がスルファノール−π(sulfanol-π)のような界面活性剤である請求項41記載の方法。
- 前記付加的な板がプラズマ又は他の洗浄照射で処理される請求項39記載の方法。
- 電気光学変換器のためのゲル様層の調製方法を具現化するための組成物であって、分子量10000〜16000、粘度800〜1000カンチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO [(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3、架橋剤として水素化物基を10〜15%含み粘度50〜100サンチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3、可塑剤として粘度5〜20サンチストークスのポリメチルシロキサン液(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]Si(CH3)3、硬化触媒として塩化白金酸の0.1%有機溶媒溶液又はそれとテトラビニルシランとの錯体を、次の混合物組成比率(質量部):ポリビニルシロキサン−100、オリゴヒドリドシロキサン−15〜25、ポリメチルシロキサン液−150〜300、塩化白金酸の0.1%有機溶媒溶液又はそれとテトラビニルシランとの錯体−0.3〜2で含む組成物。
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