JP2006350311A

JP2006350311A - 表示装置及び電子機器

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Publication number: JP2006350311A
Application number: JP2006132912A
Authority: JP
Inventors: Shunpei Yamazaki; 舜平山崎; Jun Koyama; 潤小山; Yoshifumi Tanada; 好文棚田; Mitsuaki Osame; 光明納; Hajime Kimura; 肇木村; Ryota Fukumoto; 良太福本; Hiromi Yanai; 宏美柳井
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2005-05-20
Filing date: 2006-05-11
Publication date: 2006-12-28
Anticipated expiration: 2026-05-11
Also published as: JP5386059B2

Abstract

【課題】暗所から強い外光下においてもその表示が認識できる表示装置を提供することを目的する。
【解決手段】外光強度に応じて階調数を変えて表示を行うものであり、画面に表示する内容に応じて表示モードを切り替えることのできる表示装置である。外光強度に応じて、アナログとデジタルを切り替える。アナログデジタル切り替え回路において、ビデオ信号がアナログ値の場合は、そのまま画素配列に信号を出力し、ビデオ信号がデジタル値の場合は、ラッチ回路などのデジタル動作をする回路に出力する。その結果、画素の表示階調が、適時変化する。これにより、綺麗な画像を表示できる。例えば、暗所若しくは屋内の蛍光灯下から屋外の太陽光下まで広い範囲において視認性を確保することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、文字、静止画若しくは動画などを表示する画面を備えた表示装置に関するものであり、さまざまな使用環境下において、表示画面の視認性を改善するための技術に関する。

近年、画素を発光ダイオード（ＬＥＤ）などの発光素子で形成した、いわゆる自発光型の表示装置が注目を浴びている。このような自発光型の表示装置に用いられる発光素子としては、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ（ＯｒｇａｎｉｃＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）、有機ＥＬ素子、エレクトロルミネッセンス（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）素子などとも言う）が注目を集めており、ＥＬディスプレイ（例えば、有機ＥＬディスプレイなど）に用いられるようになってきている。ＯＬＥＤなどの発光素子は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べて画素の視認性が高く、バックライトが不要で応答速度が速い等の利点がある。また発光素子の輝度は、そこを流れる電流値によって制御される。

このような表示装置の発光階調を制御する駆動方式として、デジタル階調方式とアナログ階調方式とがある。デジタル階調方式はデジタル制御で発光素子をオンオフさせ、階調を表現している。一方、アナログ階調方式には、発光素子の発光強度をアナログ制御する方式と発光素子の発光時間をアナログ制御する方式がある。

デジタル階調方式の場合、発光・非発光の２状態しかないため、このままでは、２階調しか表現できない。そこで、別の手法を組み合わせて、多階調化を図ることが行われている。多階調化のための手法としては、時間階調法を用いられることが多い（特許文献１〜特許文献２参照）。

デジタル制御で画素の表示状態を制御して、時間階調を組み合わせて階調を表現するディスプレイとしては、デジタル階調方式を用いた有機ＥＬディスプレイの他にも、いくつか存在する。例としては、プラズマディスプレイなどがある。

時間階調法とは、発光している期間の長さや、発光した回数を制御して、階調を表現する方法である。つまり、１フレーム期間を複数のサブフレーム期間に分割し、各サブフレームに、発光回数や発光時間などの重み付けを行い、重み付けの総量（発光回数の総和や、発光時間の総和）を階調ごとに差を付けることによって、階調を表現している。

ところで、このような表示用パネルも、見た目の画質が重要視されるようになり、明るさやコントラストを自動または手動で調整する機能が備えられているものが多く普及している。例えば、液晶パネルのバックライトの輝度を上げずに、液晶の透過率を変化させて階調視認性を高める調整機能を備えた液晶表示装置が知られている（特許文献３参照。）。
特開２００１−３２４９５８号公報特開２００１−３４３９３３号公報特開２００３−１８６４５５号公報

しかしながら、液晶パネルは、３００〜７００ルクスの室内環境下では良好な視認性を示すが、１，０００ルクス以上の屋外環境下では視認性が著しく悪化してしまうという問題があった。反射型液晶パネルと呼ばれ、画素電極で外光を反射する構成にしたものあるが、屋内の蛍光灯下ではむしろ画質が低下してしまい、本質的な解決には至っていなかった。すなわち、暗所若しくは屋内の蛍光灯下から屋外の太陽光下まで広い範囲において視認性を確保することが解決されていなかった。

そこで、本発明は、暗所から強い外光下においても表示が認識できる表示装置を提供することを目的する。

本発明は、複数の画素がマトリクス状に配置された表示装置であって、該表示装置は、ソースドライバとゲートドライバとを有し、該ソースドライバは、外光強度に応じて、デジタル値とアナログ値のいずれか一つの信号を、該画素に供給する回路を有していることを特徴としている。

本発明は、複数の画素がマトリクス状に配置された表示装置であって、該表示装置は、少なくとも２つの表示モードを有し、第１の表示モードにおいて、該画素にアナログ信号が供給され、第２の表示モードにおいて、該画素にデジタル信号が供給され、外光強度に応じて表示モードが切り替わることを特徴としている。

本発明は、複数の画素がマトリクス状に配置された表示装置であって、該表示装置は、少なくとも第１及び第２の表示モードを有し、該画素は、発光素子を有し該第１の表示モードにおいて、該画素にアナログ信号が供給され、該第２の表示モードにおいて、該画素にデジタル信号が供給され、外光強度に応じて表示モードが切り替わり、該発光素子に供給させる電圧が、該第１の表示モードと該第２の表示モードとで異なることを特徴としている。

本発明は、複数の画素がマトリクス状に配置された表示装置であって、該表示装置は、少なくとも第１及び第２の表示モードを有し、該画素は、発光素子とトランジスタとを有し、該発光素子の第１の電極と、該トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方とが接続され該第１の表示モードにおいて、該画素にアナログ信号が供給され、該第２の表示モードにおいて、該画素にデジタル信号が供給され、外光強度に応じて表示モードが切り替わり、該発光素子の第２の電極と、該トランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方との間の電圧は、該第１の表示モードと該第２の表示モードとで異なることを特徴としている。

なお、本発明において、トランジスタは、様々な形態のトランジスタを適用させることが出来る。よって、適用可能なトランジスタの種類に限定はない。したがって、非晶質シリコンや多結晶シリコンに代表される非単結晶半導体膜を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、半導体基板やＳＯＩ基板を用いて形成されるＭＯＳ型トランジスタ、接合型トランジスタ、バイポーラトランジスタ、ＺｎＯ、ａ−ＩｎＧａＺｎＯなどの化合物半導体を用いたトランジスタ、有機半導体やカーボンナノチューブを用いたトランジスタ、その他のトランジスタを適用することができる。なお、非単結晶半導体膜には水素またはハロゲンが含まれていてもよい。また、トランジスタが配置されている基板の種類は、様々なものを用いることができ、特定のものに限定されることはない。従って例えば、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、紙基板、セロファン基板、石材基板などに配置することが出来る。また、ある基板でトランジスタを形成し、その後、別の基板にトランジスタを移動させて、別の基板上に配置するようにしてもよい。

なお、トランジスタの構成は、様々な形態をとることができる。特定の構成に限定されない。例えば、ゲート本数が２本以上になっているマルチゲート構造を用いてもよい。マルチゲート構造にすることにより、オフ電流を低減したり、トランジスタの耐圧を向上させて信頼性を良くしたり、飽和領域で動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が変化しても、ドレイン・ソース間電流があまり変化せず、フラットな特性にすることができる。また、チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造でもよい。チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造にすることにより、チャネル領域が増えるため、電流値を大きくしたり、空乏層ができやすくなってＳ値をよくしたりすることができる。また、チャネルの上にゲート電極が配置されている構造でもよいし、チャネルの下にゲート電極が配置されている構造でもよいし、正スタガ構造であってもよいし、逆スタガ構造でもよいし、チャネル領域が複数の領域に分かれていてもよいし、並列に接続されていてもよいし、直列に接続されていてもよい。また、チャネル（もしくはその一部）にソース電極やドレイン電極が重なっていてもよい。チャネル（もしくはその一部）にソース電極やドレイン電極が重なってい構造にすることにより、チャネルの一部に電荷がたまって、動作が不安定になることを防ぐことができる。また、ＬＤＤ領域があってもよい。ＬＤＤ領域を設けることにより、オフ電流を低減したり、トランジスタの耐圧を向上させて信頼性を良くしたり、飽和領域で動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が変化しても、ドレイン・ソース間電流があまり変化せず、フラットな特性にすることができる。

なお、本発明において、接続されているとは、電気的に接続されている場合と直接接続されている場合とを含むものとする。したがって、本発明が開示する構成において、所定の接続関係に加え、その間に電気的な接続を可能とする他の素子（例えば、スイッチやトランジスタや容量素子やインダクタや抵抗素子やダイオードなど）が配置されていてもよい。あるいは、間に他の素子を挟まずに、直接接続されて、配置されていてもよい。なお、電気的な接続を可能とする他の素子を間に介さずに接続されていて、直接接続されている場合のみを含む場合であって、電気的に接続されている場合を含まない場合には、直接接続されている、と記載するものとする。なお、電気的に接続されている、と記載する場合は、電気的に接続されている場合と直接接続されている場合とを含むものとする。

なお、本発明においては、一画素とは、明るさを制御できる要素一つ分を示すものとする。よって、一例としては、一画素とは、一つの色要素を示すものとし、その色要素一つで明るさを表現する。従って、そのときは、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の色要素からなるカラー表示装置の場合には、画像の最小単位は、Ｒの画素とＧの画素とＢの画素との三画素から構成されるものとする。なお、色要素は、三色に限定されず、それ以上でもよく、例えば、ＲＧＢＷ（Ｗは白）や、ＲＧＢに、イエロー、シアン、マゼンダを追加したものなどがある。また、別の例としては、１つの色要素について、複数の領域を用いて明るさを制御する場合は、その領域一つ分を一画素とする。よって、一例としては、面積階調を行う場合、一つの色要素につき、明るさを制御する領域が複数あり、その全体で階調を表現するわけであるが、明るさを制御する領域の一つ分を一画素とする。よって、その場合は、一つの色要素は、複数の画素で構成されることとなる。また、その場合、画素によって、表示に寄与する領域の大きさが異なっている場合がある。また、一つの色要素につき複数ある、明るさを制御する領域において、つまり、一つの色要素を構成する複数の画素において、各々に供給する信号を僅かに異ならせるようにして、視野角を広げるようにしてもよい。

なお、本発明において、画素は、マトリクス状に配置（配列）されている場合を含んでいる。ここで、画素がマトリクスに配置（配列）されているとは、縦縞と横縞を組み合わせたいわゆる格子状にストライプ配置されている場合を含んでいる。そして、三色の色要素（例えばＲＧＢ）でフルカラー表示を行う場合に、三つの色要素のドットがいわゆるデルタ配置されている場合も含むものとする。さらに、ベイヤー配置されている場合も含んでいる。また、色要素のドット毎にその発光領域の大きさが異なっていてもよい。

なお、トランジスタとは、それぞれ、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子である。ゲートとは、ゲート電極とゲート配線（ゲート線またはゲート信号線等とも言う）とを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを言う。ゲート電極とは、チャネル領域やＬＤＤ（ＬｉｇｈｔｌｙＤｏｐｅｄＤｒａｉｎ）領域などを形成する半導体と、ゲート絶縁膜を介してオーバーラップしている部分の導電膜のことを言う。ゲート配線とは、各画素のゲート電極の間を接続したり、ゲート電極と別の配線とを接続したりするための配線のことを言う。

ただし、ゲート電極としても機能し、ゲート配線としても機能するような部分も存在する。そのような領域は、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。つまり、ゲート電極とゲート配線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延伸して配置されているゲート配線とオーバーラップしてチャネル領域がある場合、その領域はゲート配線として機能しているが、ゲート電極としても機能していることになる。よって、そのような領域は、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。

また、ゲート電極と同じ材料で形成され、ゲート電極とつながっている領域も、ゲート電極と呼んでも良い。同様に、ゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート配線とつながっている領域も、ゲート配線と呼んでも良い。このような領域は、厳密な意味では、チャネル領域とオーバーラップしていなかったり、別のゲート電極と接続させる機能を有してなかったりする場合がある。しかし、製造マージンなどの関係で、ゲート電極やゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート電極やゲート配線とつながっている領域がある。よって、そのような領域もゲート電極やゲート配線と呼んでも良い。

また、例えば、マルチゲートのトランジスタにおいて、１つのトランジスタのゲート電極と、別のトランジスタのゲート電極とは、ゲート電極と同じ材料で形成された導電膜で接続される場合が多い。そのような領域は、ゲート電極とゲート電極とを接続させるための領域であるため、ゲート配線と呼んでも良いが、マルチゲートのトランジスタを１つのトランジスタであると見なすことも出来るため、ゲート電極と呼んでも良い。つまり、ゲート電極やゲート配線と同じ材料で形成され、それらとつながって配置されているものは、ゲート電極やゲート配線と呼んでも良い。
また、例えば、ゲート電極とゲート配線とを接続してさせている部分の導電膜も、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。

なお、ゲート端子とは、ゲート電極の領域や、ゲート電極と電気的に接続されている領域について、その一部分のことを言う。

なお、ソースとは、ソース領域とソース電極とソース配線（ソース線またはソース信号線等とも言う）とを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを言う。ソース領域とは、Ｐ型不純物（ボロンやガリウムなど）やＮ型不純物（リンやヒ素など）が多く含まれる半導体領域のことを言う。従って、少しだけＰ型不純物やＮ型不純物が含まれる領域、いわゆる、ＬＤＤ（ＬｉｇｈｔｌｙＤｏｐｅｄＤｒａｉｎ）領域は、ソース領域には含まれない。ソース電極とは、ソース領域とは別の材料で形成され、ソース領域と電気的に接続されて配置されれいる部分の導電層のことを言う。ただし、ソース電極は、ソース領域も含んでソース電極と呼ぶこともある。ソース配線とは、各画素のソース電極の間を接続したり、ソース電極と別の配線とを接続したりするための配線のことを言う。

しかしながら、ソース電極としても機能し、ソース配線としても機能するような部分も存在する。そのような領域は、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。つまり、ソース電極とソース配線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延伸して配置されているソース配線とオーバーラップしてソース領域がある場合、その領域はソース配線として機能しているが、ソース電極としても機能していることになる。よって、そのような領域は、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。

また、ソース電極と同じ材料で形成され、ソース電極とつながっている領域や、ソース電極とソース電極とを接続する部分も、ソース電極と呼んでも良い。また、ソース領域とオーバーラップしている部分も、ソース電極と呼んでも良い。同様に、ソース配線と同じ材料で形成され、ソース配線とつながっている領域も、ソース配線と呼んでも良い。このような領域は、厳密な意味では、別のソース電極と接続させる機能を有していたりすることがない場合がある。しかし、製造マージンなどの関係で、ソース電極やソース配線と同じ材料で形成され、ソース電極やソース配線とつながっている領域がある。よって、そのような領域もソース電極やソース配線と呼んでも良い。

また、例えば、ソース電極とソース配線とを接続してさせている部分の導電膜も、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。

なお、ソース端子とは、ソース領域の領域や、ソース電極や、ソース電極と電気的に接続されている領域について、その一部分のことを言う。

なお、ドレインについては、ソースと同様である。

なお、本発明において、ある物の上に形成されている、あるいは、〜上に形成されている、というように、〜の上に、あるいは、〜上に、という記載については、ある物の上に直接接していることに限定されない。直接接してはいない場合、つまり、間に別のものが挟まっている場合も含むものとする。従って例えば、層Ａの上に（もしくは層Ａ上に）、層Ｂが形成されている、という場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合と、層Ａの上に直接接して別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に直接接して層Ｂが形成されている場合とを含むものとする。また、〜の上方に、という記載についても同様であり、ある物の上に直接接していることに限定されず、間に別のものが挟まっている場合も含むものとする。従って例えば、層Ａの上方に、層Ｂが形成されている、という場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合と、層Ａの上に直接接して別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に直接接して層Ｂが形成されている場合とを含むものとする。なお、〜の下に、あるいは、〜の下方に、の場合についても、同様であり、直接接している場合と、接していない場合とを含むこととする。

本発明によれば、外光強度に応じて表示画像の階調数を制御することにより、視認性の優れた表示装置を提供することができる。すなわち、暗所若しくは屋内の蛍光灯下から屋外の太陽光下まで広い範囲において視認性を確保した表示装置を得ることができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（実施の形態１）
図１に、全体の構成図を示す。画素配列１０１を駆動するために、ソースドライバ１０２、ゲートドライバ１１０が配置されている。なお、ソースドライバ１０２、ゲートドライバ１１０は、各々複数個配置されていてもよい。

光センサ１１３は外光（表示装置が受ける外部の光）を検出する。その出力は、アンプ１１４に供給される。アンプ１１４は光センサ１１３が出力する電気信号を増幅し、増幅した電気信号をコントローラ１１７に供給する。なお、光センサ１１３が出力する電気信号が十分大きければ、アンプ１１４を設けなくてもよい。

コントローラ１１７は、表示モード切替制御回路２１０１を制御する。表示モード切替制御回路２１０１において、表示モードや階調数などを決定する。そして、表示モード制御信号１０７をソースドライバ１０２に出力して制御する。

光センサ１１３からの信号を元にして、コントローラ１１７が表示モード切替制御回路２１０１を制御する。そして、光センサ１１３からの信号により、つまり、周辺の輝度に応じて、ソースドライバ１０２などに供給するビデオ信号の階調数や表示モード制御信号１０７を制御する。階調数を制御するとき、周辺の輝度に応じて、階調数を徐々に変化させてもよいし、幾つかの表示モードを持たせて、どの表示モードで表示させるかを切り替えるようにしてもよい。

このように、光センサ１１３の出力に基づき、表示モード、つまり、表示するときの階調数を変える。具体的には、表示装置が強い外光を受けて、光センサ１１３の出力がある一定の値以上になると、表示画面に表示する画像の総階調数を低くする。表示装置が強い外光を受けると、ある階調目とある階調目との区別がはっきりせず、表示画面に表示する画像がぼやけてしまう。しかしながら、上記のように、表示装置が受ける外光に応じて、総階調数を低くすることにより、ある階調目とある階調目との区別を明確にして、表示パネルの表示画面の視認性を向上させることができる。

また、光センサ１１３の出力により、表示画面に表示する画像の総階調を２階調とする場合、通常では、白地の背景画像に黒地の表示画像を表示すが、それを反転させて黒地の背景画像に白地の表示画像を表示してもよい。そうすると、表示画面の視認性をさらに向上させることができる。また、白地の表示画像の輝度を高くすることにより、表示画面の視認性をさらに向上させることができる。この背景画像と表示画像の組み合わせは黒地に白表示に限定されず、コントラストのとりやすい（明暗比がはっきりする）組み合わせであれば任意の色の組み合わせをすることができる。

光センサ１１３の出力は、アンプ１１４を介して、コントローラ１１７に送られる。コントローラ１１７は、光センサ１１３の出力がある一定の値以上であるかどうかを検出する。光センサ１１３の出力がある一定の値以上ではない場合、表示パネルに出力する映像信号の総階調数は変えない。一方、光センサ１１３の出力がある一定の値以上の場合、表示パネルに出力する映像信号の総階調数を低くなるように補正する。

表１に示すように、室内及び屋外の明るさは、照明の具合や天候などの気象条件、時刻などによりさまざまに変化する。例えば、照明のある室内における照度は８００〜１，０００ルクス前後であり、昼間の曇天下における照度は３２，０００ルクス程度であり、昼間の晴天下の照度は１００，０００ルクスに達する。

このようなさまざまな明るさの状況下において、エレクトロルミネセンスを利用した表示パネル（ＥＬパネル）、透過型液晶パネル（透過型ＬＣＤパネル）、半透過型液晶パネル（半透過型ＬＣＤパネル）、反射型液晶パネル（反射型ＬＣＤ）の視認性を比較した結果を表２に示す。

結果として、１，５００ルクス程度までの明るさ（主に室内、照明付きホールなど）の環境下では、ＥＬパネル、反射型液晶パネルを除く各種液晶パネルで表示パターン（自然画、テキスト（文字、記号）など）によらず良好な視認性が得られた。これに対して、１０，０００ルクス下（昼間の曇天時）においては、ＥＬパネル、透過型液晶パネルでは、自然画を表示した場合、中間調部分などの、コントラストが低い部分の視認度が大きく低下する傾向が見られた。しかしながら、この場合においても、ＥＬパネルの方が透過型液晶パネルよりも視認性は良好であった。また、ＥＬパネルにおいて、階調数を低下させた場合（２〜８階調）視認性は回復し、特にテキスト表示においては実用上支障のない視認性が得られている。一方、半透過型液晶パネルでは、室内から屋外の環境下において、全体的にコントラストがやや低いものの、１０，０００ルクスの環境下で良好な視認性が得られた。消費電力に関しては、反射型液晶パネルが優れているが、室内などの比較的照度が低い環境下において視認性が低下する傾向が現れている。透過型液晶パネルでは、バックライトが電力を消費するので、反射型液晶パネルよりも消費電力が高くなっている。これに対し、ＥＬパネルにおいては、階調数を低くした表示モードでは低消費電力化が図られている。

表２から明らかなように、ＥＬパネルを用い、外光強度に応じて階調数を調節した表示モードとすることにより、室内から屋外までの環境下において視認性を確保しつつ、低消費電力化を図った表示装置を提供することができる。

例えば、図１に示す表示装置において、光センサ１１３の出力により、表示装置が１０〜１００ルクスの外光を受けていることが検出された場合、総階調数は６４〜１０２４として変化させない。また、光センサ１１３の出力により、表示装置が１００〜１，０００ルクスの外光を受けていることが検出された場合、総階調数を減らして総階調数を１６〜６４に補正する。また、光センサ１１３の出力により、表示装置が１，０００〜１０，０００ルクスの外光を受けていることが検出された場合、総階調数を減らして総階調数を４〜１６に補正する。また、光センサ１１３の出力により、表示装置が１０，０００〜１００，０００ルクスの外光を受けていることが検出された場合、総階調数を減らして総階調数を２〜４に補正する。

なお、表示装置に利用者が表示モードを選択する選択スイッチを設けてもよい。そして、利用者が選択スイッチを操作することにより、上記のモードを選択してもよい。また、選択スイッチにより表示モードを選択した場合であっても、光センサ１１３の信号によって（外光強度）に応じて、選択されている表示モードの階調を自動的に増減しても良い。

なお、ソースドライバやその一部は、画素配列１０１と同一基板上に存在せず、例えば、外付けのＩＣチップを用いて構成されることもある。

なお、アンプ１１４や光センサ１１３は、画素配列１０１と同一基板上に存在してもよい。その場合、画素配列１０１と同一基板上で作成してもよい。あるいは、画素配列１０１と同一基板上に、ＣＯＧ（チップオングラス）やバンプなどを用いて、アンプ１１４や光センサ１１３を配置してもよい。

なお、すでに述べたように、本発明におけるトランジスタは、どのようなタイプのトランジスタでもよいし、どのような基板上に形成されていてもよい。したがって、図１で示したような回路が、全てガラス基板上に形成されていてもよいし、プラスチック基板に形成されていてもよいし、単結晶基板に形成されていてもよいし、ＳＯＩ基板上に形成されていてもよいし、どのような基板上に形成されていてもよい。あるいは、図１などにおける回路の一部が、ある基板に形成されており、図１などにおける回路の別の一部が、別の基板に形成されていてもよい。つまり、図１などにおける回路の全てが同じ基板上に形成されていなくてもよい。例えば、図１などにおいて、画素配列１０１とゲートドライバ１１０とは、ガラス基板上にＴＦＴを用いて形成し、ソースドライバ１０２（もしくはその一部）は、単結晶基板上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）で接続してガラス基板上に配置してもよい。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏＢｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いてガラス基板と接続してもよい。

同様に、本発明における光センサは、どのようなタイプの光センサでもよいし、どのような基板上に形成されていてもよい。光センサの例としては、ＰＩＮ型ダイオード、ＰＮ型ダイオード、ショットキー型ダイオードなどがあげられる。また、光センサは、どのような材質で形成されていてもよい。アモルファスシリコンやポリシリコン、単結晶、ＳＯＩなどで形成されていてもよい。アモルファスシリコンやポリシリコンで光センサを作成すると、画素配列と同じ基板で、同じプロセス工程で同時に作成できるため、コストを低減できる。

したがって、光センサやアンプが、全てガラス基板上に形成されていてもよいし、プラスチック基板に形成されていてもよいし、単結晶基板に形成されていてもよいし、ＳＯＩ基板上に形成されていてもよいし、どのような基板上に形成されていてもよい。あるいは、光センサやアンプの一部が、ある基板に形成されており、光センサやアンプの別の一部が、別の基板に形成されていてもよい。つまり、光センサやアンプの全てが同じ基板上に形成されていなくてもよい。例えば、図１などにおいて、光センサ１１３と画素配列１０１とゲートドライバ１１０とは、ガラス基板上にＴＦＴを用いて形成し、ソースドライバ１０２（もしくはその一部）は、単結晶基板上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）で接続してガラス基板上に配置してもよい。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏＢｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いてガラス基板と接続してもよい。

ソースドライバ１０２は、大きく３つの部分に分けることが出来る。

まず、シフトレジスタ１０３は、順次選択していくような信号（いわゆるサンプリングパルス）を出力する回路である。よって、同様な機能を果たす回路であれば、シフトレジスタに限定されない。例えば、デコーダ回路でもよい。

シフトレジスタが出力するサンプリングパルスは、アナログデジタル切り替え回路１０４に入力される。アナログデジタル切り替え回路１０４には、ビデオ信号線１０８を通ってビデオ信号１０６が入力される。そして、入力されたビデオ信号１０６を、デジタルデータ処理回路１０５に入力するのか、画素配列に入力するのかを、表示モード制御信号１０７を用いて制御する機能を有している。表示モード制御信号１０７は、表示モード制御信号線１０９を通って、アナログデジタル切り替え回路１０４に入力される。例えば、表示モード制御信号１０７がＨ信号や有意レベルの信号の時には、ビデオ信号１０６は、画素配列１０１に入力される。逆に、表示モード制御信号１０７がＬ信号や非有意レベルの信号の時には、ビデオ信号１０６は、デジタルデータ処理回路１０５に入力される。

デジタルデータ処理回路１０５は、通常のデジタルドライバと同様な機能を有している。すなわち、ビデオ信号１０６を保持し、保持したビデオ信号１０６を画素配列に出力する機能を有している。

したがって、表示モード制御信号１０７を切り替えることにより、画素配列１０１には、ビデオ信号１０６をそのまま入力する場合と、一旦保持したあとで、画素配列１０１に入力する場合とを切り替えることが出来る。

よって、画素配列１０１にビデオ信号１０６をそのまま入力できるときには、ビデオ信号１０６をアナログ値とすることが可能となる。その場合、画素はアナログ的に制御されることが可能になる。したがって、アナログ階調方式を用いることが出来る。

一方、ビデオ信号１０６を一旦保持する場合は、アナログ値でデータを保持することが困難であるため、ビデオ信号１０６はデジタル値となる。よって、画素は、デジタル的に制御されることになる。したがって、デジタル階調方式を用いることとなる。

そこで、表示モードとして、アナログ階調方式を用いる場合をアナログモード、デジタル階調方式を用いる場合をデジタルモードと呼ぶことにする。

ただし、ビデオ信号１０６を一旦保持する場合であっても、容量素子などを用いれば、アナログ値で信号を保存することも可能である。

以上のことから、表示モード制御信号１０７を切り替えることにより、アナログ階調方式とデジタル階調方式とを切り替えることが可能となる。

次に、図１の構成の一部を具体化した場合を図２に示す。なお、図２では、簡単のため、２列分の場合に関して記載したが、これに限定されない。任意に列数を増やすことが出来る。

アナログデジタル切り替え回路１０４において、サンプリングスイッチ２０１、２０２が、シフトレジスタ１０３から順次出力されるサンプリングパルスにより制御される。そして、モード選択用スイッチ２０３、２０４は、表示モード制御信号１０７により制御される。モード選択用スイッチ２０３、２０４は、排他的にオンオフする。つまり、モード選択用スイッチ２０３、２０４のいずれか一方がオンのときは、他方がオフになる。このモード選択用スイッチにより、ビデオ信号１０６をデジタルデータ処理回路１０５に入力するのか、画素配列１０１に入力するのかを制御する。図２の場合、モード選択用スイッチ２０３がオンのとき、ビデオ信号１０６は、サンプリングスイッチ２０１とモード選択用スイッチ２０３を通って、画素配列１０１に伝達される。同様に、モード選択用スイッチ２０５がオンのとき、ビデオ信号１０６は、サンプリングスイッチ２０２とモード選択用スイッチ２０５を通って、画素配列１０１に伝達される。一方、モード選択用スイッチ２０４がオンのとき、ビデオ信号１０６は、サンプリングスイッチ２０１とモード選択用スイッチ２０４を通って、デジタルデータ処理回路１０５に伝達される。同様に、モード選択用スイッチ２０６がオンのとき、ビデオ信号１０６は、サンプリングスイッチ２０２とモード選択用スイッチ２０６を通って、デジタルデータ処理回路１０５に伝達される。

デジタルデータ処理回路１０５では、ラッチ１回路２０７やラッチ２回路２０８において、ビデオ信号の保存と出力が行われる。ラッチ１回路２０７には、シフトレジスタ１０３から順次出力されるサンプリングパルスにしたがって、ビデオ信号１０６が入力され、保存される。そして、１行分のビデオ信号１０６を保存した後、ラッチ信号２１１がオンする。その結果、ラッチ１回路に保存されていたビデオ信号１０６がラッチ２回路２０８に転送される。このような動作を行うことにより、線順次駆動が可能となる。ラッチ２回路２０８からは、出力制御スイッチ２０９、２１０を介して、画素配列１０１にビデオ信号が出力される。出力制御スイッチ２０９、２１０は、表示モード制御信号１０７に応じて制御される。つまり、ラッチ２回路２０８の出力を画素配列１０１に入力したい場合、例えば、デジタルモードの場合は、出力制御スイッチ２０９、２１０はオンする。逆に、ラッチ２回路２０８の出力を画素配列１０１に入力したくない場合、例えば、アナログモードの場合は、出力制御スイッチ２０９、２１０はオフする。その結果、ビデオ信号１０６は、モード選択用スイッチ２０３、２０５を通って、画素配列１０１に入力される。

ここで、図３に、ラッチ１回路２０７とラッチ２回路２０８の例を示す。クロックドインバータやインバータを用いて、構成されている。なお、図３の構成に限定されない。

なお、図３のようなデジタルデータ処理回路１０５を用いる場合、サンプリングスイッチ２０１、２０２などは、省略することが出来る。なぜなら、図３のようなデジタルデータ処理回路１０５を用いる場合、サンプリングスイッチ２０１、２０２が無くても、デジタルデータ処理回路１０５にデータが入ってしまうことを防ぐことが出来るからである。

画素配列１０１には、画素２２０がマトリクス状に配置されている。１画素分の画素２２０の例を図４に示す。ゲート信号線４０１を用いて、選択用トランジスタ４０４を制御する。選択用トランジスタ４０４がオンすると、ソース信号線４０２から、保持容量４０５にビデオ信号が入力される。すると、ビデオ信号に応じて、駆動用トランジスタ４０６がオンオフし、電源線４０３から発光素子４０７を通って、対向電極４０８へ電流が流れる。

図４における電源線４０３は、図２における電源線２２１へと接続される。また、図４における対向電極４０８は、図２における対向電極２２２へと接続される。対向電極２２２は、全ての画素に接続されている場合が多い。ただし、これに限定されない。

なお、画素構成は、図４に限定されない。例えば、駆動トランジスタのバラツキを補正するような構成でもよい。

バラツキを補正する画素構成としては、大きく分けて、しきい値電圧のバラツキを補正するタイプと、ビデオ信号として電流を入力するタイプとがある。

図３２に、しきい値電圧のバラツキを補正する画素構成を示す。スイッチ３１０６を制御することにより、駆動トランジスタ３１０１のしきい値電圧を容量素子３１０４に保存する。スイッチ３１０３は、駆動トランジスタ３１０１のゲート電位を初期化する機能を果たす。そして、ソース信号線３１１１からスイッチ３１０２を通ってビデオ信号を入力する。このビデオ信号が容量素子３１０５に書き込まれる。スイッチ３１０７は駆動トランジスタ３１０１のソース端子と電源線３１１６との導通又は非導通を制御する。第１の走査線３１１３はスイッチ３１０２のオンオフを制御する。第２の走査線３１１４はスイッチ３１０３のオンオフを制御する。第３の走査線３１１５はスイッチ３１０７のオンオフを制御する。

図３２では、駆動トランジスタ３１０１のゲート電位を初期化するための配線３１１２が必要であったが、それを削除したものを図３３に示す。駆動トランジスタ３１０１のゲートは、スイッチ３２０３を介して、駆動トランジスタ３１０１のドレインに接続されている。

なお、しきい値電圧のバラツキを補正する画素構成には、さまざまなものがあり、図３２，図３３の構成に限定されない。このように、しきい値電圧のバラツキを補正する画素構成を用いると、発光素子に流れる電流のバラツキを低減することができる。特に、アナログモードにおいて、輝度を均一にできる。よって、より好適である。

次に、ビデオ信号として電流を入力するタイプの画素構成を図３４に示す。ソース信号線３３１１にビデオ信号に応じた電流が供給され、スイッチ３３０２及びスイッチ３３０４がオンすると、駆動トランジスタ３３０１にその電流が流れ、それに応じて、ゲート・ソース間電圧が発生する。そのゲート・ソース間電圧は、容量素子３３０５に保存され、その後、スイッチ３３０２及びスイッチ３３０４がオフし、スイッチ３３０６がオンすると電源線３３１６から発光素子に電流が供給される。第１の走査線３３１３はスイッチ３３０２のオンオフを制御する。第２の走査線３３１４はスイッチ３３０４のオンオフを制御する。第３の走査線３３１５はスイッチ３３０６のオンオフを制御する。図３４は、信号電流を供給されるトランジスタと、発光素子に電流を供給するトランジスタとは同一であるが、異なっていても良い。その場合を図３５に示す。信号電流を供給されるトランジスタ３４０１と、発光素子に電流を供給するトランジスタ３４２１とは、別である。

なお、電流を入力してバラツキを補正する画素構成には、さまざまなものがあり、図３４，図３５の構成に限定されない。このように、電流を入力してバラツキを補正する画素構成を用いると、発光素子に流れる電流のバラツキを低減することができる。特に、アナログモードにおいて、輝度を均一にできる。よって、より好適である。

なお、画素に配置するのは、特定の発光素子に限定されない。画素に配置する表示素子の例としては、ＥＬ素子（有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子又は有機物材料び無機材料を含むＥＬ素子）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、光回折素子、放電素子、微小鏡面素子（ＤＭＤ：ＤｉｇｉｔａｌＭｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒＤｅｖｉｃｅ）、圧電素子、カーボンナノチューブなど、電気磁気的作用によりコントラストが変化する表示媒体を適用することができる。なお、ＥＬ素子を用いたＥＬパネル方式の表示装置としてはＥＬディスプレイ、電子放出素子を用いた表示装置としてはフィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ：ＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎＤｉｓｐｌａｙ）やＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎＥｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒＤｉｓｐｌｙ）など、液晶素子を用いた液晶パネル方式の表示装置としては液晶ディスプレイ、電子インクを用いたデジタルペーパー方式の表示装置としては電子ペーパー、光回折素子を用いた表示装置としてはグレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）方式のディスプレイ、放電素子を用いたＰＤＰ（ＰｌａｚｍａＤｉｓｐｌａｙＰａｎｅｌ）方式のディスプレイとしてはプラズマディスプレイ、微小鏡面素子を用いたＤＭＤパネル方式の表示装置としてはデジタル・ライト・プロセッシング（ＤＬＰ）方式の表示装置、圧電素子を用いた表示装置としては圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブを用いた表示装置としてはナノ放射ディスプレイ（ＮＥＤ：ＮａｎｏＥｍｉｓｓｉｖｅＤｉｓｐｌａｙ）、などがある。

なお、保持容量４０５は、駆動用トランジスタ４０６のゲート電位を保持する役目をしている。よって、駆動用トランジスタ４０６のゲートと電源線４０３の間に接続されているが、これに限定されない。駆動用トランジスタ４０６のゲート電位を保持できるように配置されていればよい。また、駆動用トランジスタ４０６のゲート容量などを用いて、駆動用トランジスタ４０６のゲート電位を保持できる場合は、保持容量４０５を省いても良い。

なお、図１などに示すスイッチ、例えば、サンプリングスイッチ２０１やモード選択用スイッチ２０３や出力制御スイッチ２０９等は、電気的スイッチや機械的なスイッチなどがある。つまり、電流の流れを制御できるものであればよく、特定のものに限定されず、様々なものを用いることができる。例えば、トランジスタでもよいし、ダイオード（ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、ショットキーダイオード、ダイオード接続のトランジスタなど）でもよいし、それらを組み合わせた論理回路でもよい。よって、スイッチとしてトランジスタを用いる場合、そのトランジスタは、単なるスイッチとして動作するため、トランジスタの極性（導電型）は特に限定されない。ただし、オフ電流が少ない方が望ましい場合、オフ電流が少ない方の極性のトランジスタを用いることが望ましい。オフ電流が少ないトランジスタとしては、ＬＤＤ領域を設けているものやマルチゲート構造にしているもの等がある。また、スイッチとして動作させるトランジスタのソース端子の電位が、低電位側電源（Ｖｓｓ、ＧＮＤ、０Ｖなど）に近い状態で動作する場合はＮチャネル型を、反対に、ソース端子の電位が、高電位側電源（Ｖｄｄなど）に近い状態で動作する場合はＰチャネル型を用いることが望ましい。なぜなら、ゲートソース間電圧の絶対値を大きくできるため、スイッチとして、動作しやすいからである。なお、Ｎチャネル型とＰチャネル型の両方を用いて、ＣＭＯＳ型のスイッチにしてもよい。ＣＭＯＳ型のスイッチにすると、スイッチを介して出力する電圧（つまりスイッチへの入力電圧）が、出力電圧に対して、高かったり、低かったりして、状況が変化する場合においても、適切に動作させることが出来る。

スイッチの例を図５に示す。図５（Ａ）は、模式的に記載したスイッチである。図５（Ｂ）は、ＡＮＤ回路を用いたスイッチである。制御線５０２を使って、入力５０１の信号を出力５０３に伝えるかどうかを制御する。図５（Ｂ）の場合は、出力５０３は、入力信号にかかわらず、Ｌ信号なる、というような制御は可能である。しかし、出力５０３がフローティング状態になることはない。したがって、出力５０３が、デジタル回路の入力に接続されている場合などに、図５（Ｂ）のスイッチを用いることが好適である。デジタル回路の場合、入力をフローティング状態にしても、出力はフローティング状態にならない。入力をフローティング状態にすると、出力が不安定になり、望ましくない。よって、デジタル回路の入力に接続されている場合などは、図５（Ｂ）のスイッチを用いることが好適である。

なお、図５（Ｂ）は、ＡＮＤ回路を用いて構成したが、これに限定されない。ＯＲ回路やＮＡＮＤ回路やＮＯＲ回路を用いても、同様の機能を果たすことが出来る。

一方、入力をフローティング状態にしたい場合は、図５（Ｃ）や図５（Ｄ）のスイッチを用いればよい。図５（Ｃ）は、トランスミッションゲートもしくはアナログスイッチなどと呼ばれている回路である。図５（Ｃ）は、入力５１１の電位を、ほぼそのまま出力５１３に伝達する。よって、アナログ信号の伝達に好適である。図５（Ｄ）は、クロックドインバータなどと呼ばれている回路である。図５（Ｄ）は、入力５２１の信号を反転させて出力５２３に伝達する。よって、デジタル信号の伝達に好適である。

以上のことから、サンプリングスイッチ２０１などや、アナログ信号を伝達するモード選択用スイッチ２０３などは、図５（Ｃ）のスイッチを用いることが好適である。デジタル信号を伝達するモード選択用スイッチ２０４は、デジタル回路であるラッチ１回路２０７の入力に接続されているので、図５（Ｂ）のスイッチを用いることが好適である。出力制御スイッチ２０９などは、出力をフローティング状態にする必要があるので、図５（Ｃ）や図５（Ｄ）が好適である。ただし、出力制御スイッチ２０９への入力はデジタル信号なので、図５（Ｄ）の方がより好適である。

このように、表示モードの選択や、表示する階調数を、外光強度に応じて制御することができる。このように、周辺の照度に応じて、表示画像の階調数を制御することにより、視認性の優れた表示装置を提供することができる。すなわち、暗所若しくは屋内の蛍光灯下から屋外の太陽光下まで広い範囲において視認性を確保した表示装置を得ることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、アナログモードにおける画素の駆動方法について述べる。

図６に、駆動トランジスタと発光素子とに加わる電圧と電流の関係を示す。図６（Ａ）は、駆動トランジスタ６０１と発光素子６０２の回路を示す。配線６０３と配線６０４の間に、駆動トランジスタ６０１と発光素子６０２とが直列に接続されている。配線６０３の方が配線６０４よりも電位が高いため、駆動トランジスタ６０１から発光素子６０２の方へ電流が流れる。

図４における駆動用トランジスタ４０６が、図６（Ａ）における駆動トランジスタ６０１に相当し、図４における発光素子４０７が、図６（Ａ）における発光素子６０２に相当する。

図６（Ｂ）に、駆動トランジスタ６０１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）と、駆動トランジスタ６０１と発光素子６０２とに流れる電流の関係を示す。ゲート・ソース間電圧（の絶対値）を大きくしていくと、それに応じて、電流値も大きくなっていく。これは、駆動トランジスタ６０１が飽和領域で動作しているためである。飽和領域では、トランジスタのゲート・ソース電圧の２乗に比例して電流値が増える。さらにゲート・ソース間電圧（の絶対値）を大きくしていくと、発光素子６０２に加わる電圧が大きくなるため、ドレイン・ソース電圧が小さくなり、駆動トランジスタ６０１が線形領域で動作するようになる。すると、ドレイン・ソース電圧が小さくなるにしたがって、電流値の上昇率も小さくなっていく。そして、ある電流値以上の電流は流れなくなる。

アナログモードでは、アナログ階調方式を用いて階調を表現する。したがって、駆動トランジスタ６０１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）をアナログ的に変化させることによって、駆動トランジスタ６０１と発光素子６０２とに流れる電流もアナログ的に変化するような状態で動作させることが望ましい。

例えば、６２０のように、電流が殆どながれないようなところから、飽和領域内で動作するような状態で、駆動トランジスタ６０１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）を制御してもよい。電流が殆どながれないような状態とは、駆動トランジスタ６０１のゲート・ソース間電圧が、駆動トランジスタ６０１のしきい値電圧とほぼ等しい場合に相当する。

あるいは、６２１のように、駆動トランジスタ６０１のゲート・ソース間電圧が、駆動トランジスタ６０１のしきい値電圧よりも確実に低い状態から、ゲート・ソース間電圧（の絶対値）を大きくしていって制御し、飽和領域内で動作するような状態で、駆動トランジスタ６０１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）を制御してもよい。このように、黒状態のときの、駆動トランジスタ６０１のゲート・ソース間電圧を、駆動トランジスタ６０１のしきい値電圧よりも確実に低い電圧にすることにより、確実に黒状態にすることができる。例えば、駆動トランジスタ６０１の電流特性がばらついたとき、しきい値電圧もばらつく。よって、ある画素では黒状態になっていても、別の画素では、僅かに発光してしまうこともある。その結果、コントラストの低下を招いてしまう。そこで、それを防止するため、６２１のような電圧範囲で動作させることは、好適である。

なお、６２０や６２１では、駆動トランジスタ６０１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）を大きくしても、飽和領域で動作するとしたが、これに限定されない。６２２や６２３のように、飽和領域だけでなく、線形領域も使って動作させてもよい。駆動トランジスタ６０１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）をアナログ的に変化させることによって、駆動トランジスタ６０１と発光素子６０２とに流れる電流もアナログ的に変化するような範囲であれば、線形領域でも動作させてもよい。

次に、発光素子６０２の色によって、最適化させた場合について述べる。発光素子６０２は、色によって、輝度が異なったり、必要な電流値が異なったりしている。そこで、色バランスを合わせる必要がある。そのためには、駆動トランジスタ６０１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）を色ごとに異なるようにすることが望ましい。あるいは、駆動トランジスタ６０１の電流供給能力（たとえば、トランジスタ幅など）を色ごとに異なるようにすることが望ましい。あるいは、発光素子６０２の発光面積を色ごとに異なるようにすることが望ましい。あるいは、これらの幾つかを組み合わせることが望ましい。これにより、色バランスを合わせることが可能となる。

なお、配線６０３の電位を色ごとに変えることも可能である。ただし、駆動トランジスタ６０１をオフにするときの電圧も色ごとに変わってしまうという欠点がある。よって、配線６０３の電位は、全ての色で同じにしてもよい。

なお、駆動トランジスタ６０１は、Ｐチャネル型の場合について述べたが、これに限定されない。Ｎチャネル型にして、電流が流れる向きを逆にすることは、同業者であれば、容易に実現できる。また、Ｐチャネル型の場合、Ｎチャネル型の場合、各々について、電流が流れる向きを逆にすることも、同業者であれば、容易に実現できる。その場合は、ゲート・ソース間電圧の大きさは、発光素子６０２の電圧電流特性の影響を受けることとなる。

なお、本実施の形態は、実施の形態１の画素について詳細に述べたものである。よって、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１で述べた内容と自由に組み合わせることが出来る。

（実施の形態３）
本実施の形態では、デジタルモードにおける画素の駆動方法について述べる。

図６（Ｂ）の、駆動トランジスタ６０１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）と、駆動トランジスタ６０１と発光素子６０２とに流れる電流の関係を参照する。デジタルモードでは、オンとオフや、ＨとＬのように、２値で制御する。つまり、発光素子６０２に電流が流れるか、流れないかを制御する。したがって、まず、電流が流れない場合について考える。その場合は、駆動トランジスタ６０１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）は、６２４、６２５、６２６に示すように、０Ｖ以上で、かつ、電流が流れない場合、つまり、駆動トランジスタ６０１のしきい値電圧以下であればよい。

次に、電流が流れる場合について考える。その場合は、駆動トランジスタ６０１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）は、６２４、６２５、６２６に示すように、飽和領域内か、線形領域か、さらに電圧を大きくして、電流値が増えなくなっている領域などで動作させればよい。

例えば、飽和領域で動作させる場合は、発光素子６０２の電圧電流特性が劣化しても、そこを流れる電流値が変化しない、という利点がある。そのため、焼き付きの影響を受けにくい。ただし、駆動トランジスタ６０１の電流特性がばらつくと、そこを流れる電流もばらついてしまう。そのため、表示ムラを生じてしまう場合がある。

それに対して、線形領域で動作させると、駆動トランジスタ６０１の電流特性がばらついても、そこを流れる電流値は影響を受けにくい。そのため、表示ムラが生じにくい。また、駆動トランジスタ６０１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）が大きくなりすぎないことと、配線６０３と配線６０４との間の電圧を大きくしておく必要がないため、消費電力も小さくできる。

さらに、駆動トランジスタ６０１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）を大きくすると、駆動トランジスタ６０１の電流特性がばらついても、そこを流れる電流値は影響をほとんど受けなくなる。ただし、発光素子６０２の電圧電流特性が劣化すると、そこを流れる電流値が変化してしまう場合がある。そのため、焼き付きの影響を受けやすくなる。

このように、駆動トランジスタ６０１を飽和領域で動作させると、発光素子６０２の特性が変化しても、電流値が変化しない。よって、その場合、駆動トランジスタ６０１は、電流源として動作していると見なせる。したがって、このような駆動を定電流駆動と呼ぶことにする。

また、駆動トランジスタ６０１を線形領域で動作させると、駆動トランジスタ６０１の電流特性がばらついても、電流値が変化しない。よって、その場合、駆動トランジスタ６０１は、スイッチとして動作していると見なせる。よって、発光素子６０２には、配線６０３の電圧がそのまま加わっているように見なせる。したがって、このような駆動を定電圧駆動と呼ぶことにする。

デジタルモードにおいては、定電圧駆動を用いても良いし、定電流駆動を用いても良い。ただし、定電圧駆動を用いると、トランジスタのバラツキの影響を受けず、消費電力も小さくなるため、好適である。

次に、発光素子６０２の色によって、最適化させた場合について述べる。定電流駆動の場合は、アナログモードと同様である。

定電圧駆動の場合は、駆動トランジスタ６０１のゲート・ソース間電圧（の絶対値）や、駆動トランジスタ６０１の電流供給能力（たとえば、トランジスタ幅など）を色ごとに異なるようにしても、そこを流れる電流値は、あまり変わらない。なぜなら、スイッチとして動作しているからである。

そのため、発光素子６０２の発光面積を色ごとに異なるようにすることが望ましい。あるいは、配線６０３の電位を色ごとに変えることも可能である。あるいは、これらを組み合わせることが望ましい。これにより、色バランスを合わせることが可能となる。

なお、本実施の形態は、実施の形態１の画素について詳細に述べたものである。よって、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１や実施の形態２で述べた内容と自由に組み合わせることが出来る。

（実施の形態４）
デジタルモードの場合、このままでは、発光と非発光の２値しか表現できない。そこで、他の方法を組み合わせて、多階調化を図ってもよい。そこで、多階調化を図った場合の画素の駆動方法について述べる。

多階調化を図る方法として、時間階調方式と面積階調方式とがある。時間階調方式は、ある期間の中で、発光している時間の長さを変えることにより、階調を表現する方法である。面積階調方式は、発光している面積の大きさを変えることにより、階調を表現する方法である。

なお、時間階調方式と面積階調方式とを組み合わせても良い。

ここでは、時間階調方式について、詳細に述べる。デジタル時間階調方式では、１フレーム期間を複数のサブフレーム期間に分割する。そして、各サブフレーム期間における点灯期間の長さを変えることにより、階調を表現する。

まず、画素に信号を書き込む期間と点灯する期間とが分離されている場合のタイミングチャートを図７に示す。まず、信号書き込み期間において、１画面分の信号を全画素に入力する。この間は、画素は点灯しない。信号書き込み期間が終了したのち、点灯期間が始まり、画素が点灯する。次に、次のサブフレームが始まり、信号書き込み期間において、１画面分の信号を全画素に入力する。この間は、画素は点灯しない。信号書き込み期間が終了したのち、点灯期間が始まり、画素が点灯する。

同様のことを繰り返すことにより、階調を表現することが可能となる。このとき、各サブフレーム期間における点灯期間の長さを、１：２：４：８：・・・というように、２のべき乗にすることにより、様々な階調を表現することが出来る。

その場合の画素構成は、図４の構成を用いればよい。

なお、信号書き込み期間においては、電源線４０３と対向電極４０８の電位を制御することにより、発光素子４０７には電圧が加わらないようにしておく。例えば、対向電極４０８の電位を高くして、発光素子４０７に電圧が加わらないようにしたり、対向電極４０８に電荷を供給せず、フローティング状態にしてもよい。その結果、信号書き込み期間において、発光素子４０７が点灯することを避けることが出来る。

次に、画素に信号を書き込む期間と点灯する期間とが分離されていない場合のタイミングチャートを図８に示す。各行において、信号書き込み動作を行うと、すぐに点灯期間が開始する。

ある行において、信号を書き込み、所定の点灯期間が終了したのち、次のサブフレームにおける信号の書き込み動作を開始する。これを繰り返すことにより、点灯期間の長さを各々制御することができる。

このようにすることにより、信号の書き込み動作が遅くても、１フレーム内にたくさんのサブフレームを配置することが可能となる。また、１フレーム期間における点灯期間の割合（いわゆるデューティー比）を大きくできるので、消費電力を低減したり、発光素子の劣化を抑制したり、疑似輪郭を抑制することが可能となる。

その場合の画素構成は、図４の構成を用いればよい。その場合、図８において、時刻ｔ０の場合、同時に３行分の画素に信号を入力する必要がある。通常は、同時に複数行の画素に信号を入力することは出来ない。そこで、図９に示すように、１ゲート選択期間を複数（図９では３つ）に分割する。そして、分割された選択期間内で、各々のゲート信号線４０１を選択し、その時に対応する信号をソース信号線４０２に入力する。例えば、ある１ゲート選択期間において、Ｇ１（ｔ０）ではｉ行目を選択し、Ｇ２（ｔ０）ではｊ行目を選択し、Ｇ３（ｔ０）ではｋ行目を選択する。すると、１ゲート選択期間において、あたかも同時に３行分を選択したかのように動作させることが可能となる。

なお、図８、図９では、同時に３行分の画素に信号を入力する場合について示したが、これに限定されない。さらに多くの行やさらに少ない行に信号を入力してもよい。

なお、このような駆動方法の詳細については、例えば、特開２００１−３２４９５８号公報等に記載されており、その内容を本願と組み合わせて適用することが出来る。

次に、画素の信号を消去する動作を行う場合のタイミングチャートを図１０に示す。各行において、信号書き込み動作を行い、次の信号書き込み動作を行う前に、画素の信号を消去する。このようにすることにより、点灯期間の長さを容易に制御できるようになる。

ある行において、信号を書き込み、所定の点灯期間が終了したのち、次のサブフレームにおける信号の書き込み動作を開始する。もし、点灯期間が短い場合は、信号消去動作を行い、非点灯状態にする。このような動作を繰り返すことにより、点灯期間の長さを制御することが出来る。

このようにすることにより、信号の書き込み動作が遅くても、１フレーム内にたくさんのサブフレームを配置することが可能となる。また、消去動作を行う場合は、消去用のデータをビデオ信号と同様に取得する必要がないため、ソースドライバの駆動周波数も低減出来る。

その場合の画素構成を図１１に示す。消去トランジスタ１１０４が、駆動用トランジスタ４０６のゲートと電源線４０３の間に接続されている。

ゲート信号線４０１を用いて、選択用トランジスタ４０４を制御する。選択用トランジスタ４０４がオンすると、ソース信号線４０２から、保持容量４０５にビデオ信号が入力される。すると、ビデオ信号に応じて、駆動用トランジスタ４０６がオンオフし、電源線４０３から発光素子４０７を通って、対向電極４０８へ電流が流れる。

信号を消去したい場合は、第２ゲート線１１０１を選択して、消去トランジスタ１１０４をオン状態にして駆動用トランジスタ４０６がオフ状態になるようにする。すると、電源線４０３から発光素子４０７を通って、対向電極４０８へ電流が流れないようになる。その結果、非点灯期間を作ることができ、点灯期間の長さを自由に制御できるようになる。

図１１では、消去トランジスタ１１０４を用いていたが、別の方法を用いることも出来る。なぜなら、強制的に非点灯期間をつくればよいので、発光素子４０７に電流が供給されないようにすればよいからである。よって、電源線４０３から発光素子４０７を通って、対向電極４０８へ電流が流れる経路のどこかに、スイッチを配置して、そのスイッチのオンオフを制御して、非点灯期間を作ればよい。あるいは、駆動用トランジスタ４０６のゲート・ソース間電圧を制御して、駆動トランジスタが強制的にオフになるようにすればよい。

駆動トランジスタを強制的にオフにする場合の画素構成の例を図１２に示す。消去ダイオード１２０４が、駆動用トランジスタ４０６のゲートと第２ゲート線１２０１との間に接続されている。

信号を消去したい場合は、第２ゲート線１２０１を選択（ここでは、高い電位にする）して、消去ダイオード１２０４がオンして、第２ゲート線１２０１から駆動用トランジスタ４０６のゲートへ電流が流れるようにする。その結果、駆動用トランジスタ４０６がオフ状態になる。すると、電源線４０３から、発光素子４０７を通って、対向電極４０８には、電流が流れないようになる。その結果、非点灯期間を作ることができ、点灯期間の長さを自由に制御できるようになる。

信号を保持しておきたい場合は、第２ゲート線１２０１を非選択（ここでは、低い電位にする）しておく。すると、消去ダイオード１２０４がオフするので、駆動用トランジスタ４０６のゲート電位は保持される。

なお、消去ダイオード１２０４は、整流性がある素子であれば、なんでもよい。ＰＮ型ダイオードでもよいし、ＰＩＮ型ダイオードでもよいし、ショットキー型ダイオードでもよいし、ツェナー型ダイオードでもよい。

また、トランジスタを用いて、ダイオード接続（ゲートとドレインを接続）して、用いても良い。その場合の回路図を図１３に示す。消去ダイオード１２０４として、ダイオード接続したトランジスタ１３０４を用いている。ここでは、Ｎチャネル型を用いているが、これに限定されない。Ｐチャネル型を用いても良い。

なお、さらに別の回路として、図４の回路を用いて、図１０のような駆動法を実現することも可能である。その場合のタイミングチャートは、図９と同様にすればよい。図９では、１ゲート選択期間を３つに分割しているが、１ゲート選択期間をここでは、２つに分割する。そして、分割された選択期間内で、各々のゲート線を選択し、その時に対応する信号（ビデオ信号と消去するための信号）をソース信号線４０２に入力する。例えば、ある１ゲート選択期間において、前半はｉ行目を選択し、後半はｊ行目を選択する。そして、ｉ行目が選択されているときは、それようのビデオ信号を入力する。一方、ｊ行目が選択されているときは、駆動トランジスタがオフするような信号を入力する。すると、１ゲート選択期間において、あたかも同時に２行分を選択したかのように動作させることが可能となる。

なお、本実施の形態において示したタイミングチャートや画素構成や駆動方法は、一例であり、これに限定されない。様々なタイミングチャートや画素構成や駆動方法に適用することが可能である。

なお、本実施の形態は、実施の形態１〜実施の形態３の画素について詳細に述べたものである。よって、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜実施の形態３で述べた内容と自由に組み合わせることが出来る。

（実施の形態５）
デジタルモードの場合、このままでは、発光と非発光の２値しか表現できない。ただし、２値のみで表示を行ってもよい。２値のみで表示を行うことによって、消費電力を大幅に低減することが可能となる。

また、階調の区別が明確になるため、表示パネルの表示画面の視認性を向上させることができる。

このような表示モードを２値モードと呼ぶことにする。

ここでは、２値モードで表示を行うについて、詳細に述べる。画素構成については、実施の形態４で述べた様々な構成を用いればよい。

まず、実施の形態４で述べた各々の駆動方法と同程度の速度で、行をスキャンしながら信号を書き込んでいく場合のタイミングチャートを図１４（Ａ）に示す。この場合、同程度の周波数でソースドライバやゲートドライバを動作させることになるので、それらのドライバに入力する信号（たとえばクロック信号など）は、同じ周波数でよい。したがって、周波数発生回路は、複数なくてもよく、１つでよい。よって、回路を縮小でき、コスト低減を実現できる。

ただしこの場合、２値モードのデューティー比が、アナログモードや、２値モード以外のデジタルモードと比較したとき、高くなってしまう場合がある。よって、デューティー比を下げるために、消去動作を行っても良い。その場合のタイミングチャートを図１４（Ｂ）に示す。

次に、実施の形態４で述べた各々の駆動方法の場合よりも、低い速度で、行をスキャンしながら信号を書き込んでいく場合のタイミングチャートを図１５（Ａ）に示す。ここでは、１フレーム期間をかけて、全行をスキャンしている。この場合、低い周波数でソースドライバやゲートドライバを動作させることになる。よって、ソースドライバやゲートドライバに供給する信号や電源の電圧が小さくても良い。したがって、消費電力を小さくできる。

ただしこの場合も、２値モードのデューティー比が、アナログモードや、２値モード以外のデジタルモードと比較したとき、高くなってしまう場合がある。よって、デューティー比を下げるために、消去動作を行っても良い。その場合のタイミングチャートを図１５（Ｂ）に示す。

なお、アナログモードにおいても、図１４や図１５のタイミングチャートに従って動作させればよい。

なお、２値モードでカラー表示を行う場合は、ＲＧＢごとに２値で表示するため、合計で８色を表示することが出来る。

なお、ここでは、２値のみで表示を行う場合について述べたが、これに限定されない。２値、つまり、１ビットでの表示だけでなく、２ビット以上で表示してもよい。例えば、３ビット表示を行った場合について、図１６に示す。図１４や図１５のように、消去動作を行ったり、行をスキャンする速度を遅くしてもよい。

なお、本実施の形態は、実施の形態１〜実施の形態４の画素などについて詳細に述べたものである。よって、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜実施の形態４で述べた内容と自由に組み合わせることが出来る。

（実施の形態６）
これまで、様々な表示モードについて述べてきた。まず、アナログモードとデジタルモードとがあり、デジタルモードでは、通常のモードと２値モードとがある。

なお、デジタルモードにおいて、通常のモードよりも表示する階調数が少なく、２値モードよりも表示する階調数が多い場合を、多値モードと呼ぶことにする。つまり、通常のモードはデジタルモードにおいて最も階調数が多い場合の表示モードのことをいい、以下通常のモードをフル階調モードという。多値モードでは、フル階調モードよりも消費電力を低減でき、２値モードよりも画像を綺麗に表示できる。

よって、アナログモードと、フル階調モードのデジタルモード、多値モードのデジタルモード、２値モードのデジタルモードとを、表示する画像や外部や周囲などの照度によって、切り替えても良い。

例えば、写真などのように、綺麗な画像を表示したいや、周囲の照度があまり高くない場合は、アナログモードもしくはフル階調モードを用いて表示する。これにより、正しくかつ、きめ細やかに階調を表現することができる。その場合、ビデオ信号１０６として入力される信号によって、表示モードを切り替えればよい。例えば、ビデオ信号１０６がアナログ信号の場合は、アナログモードを用いて、ビデオ信号１０６がデジタル信号の場合は、フル階調モードを用いればよい。フル階調モードは、６ビット以上の表示、より望ましくは８ビット以上の表示を行うことが望ましい。アナログモードは、８ビット以上の表示を行うことが望ましい。

また、例えば、文字を主体として表示させるような場合、例えば、メールを読む場合や、電子ブックを読む場合や、屋外などのように照度が高い場合、などは、２値モードのデジタルモードを用いて表示することが望ましい。これにより、消費電力を低減することが出来る。また、階調の区別が明確になるため、表示パネルの表示画面の視認性を向上させることができる。

また、例えば、イラストやアニメやマンガなど、階調を表現したいが、写真等ほど細かく表現する必要がない場合や、曇ったときの屋外程度の照度の場合は、多値モードを用いて表示することが望ましい。これにより、消費電力を低減しつつ、綺麗な画像を表示することができる。

なお、本実施の形態は、実施の形態１〜実施の形態５について詳細に述べたものである。よって、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜実施の形態５で述べた内容と自由に組み合わせることが出来る。

（実施の形態７）
次に、各々の表示モード、つまり、アナログモードと、フル階調モード、多値モードのデジタルモード、２値モードのデジタルモードなどにおいて、各表示モードにおける電源線４０３と対向電極４０８の電位に関して述べる。

まず、電源線４０３の電位を変化させた場合について述べる。アナログモード、２値モードのデジタルモード、フル階調モードのデジタルモードという順で表示モードを変化させた場合の電位を図１７に示す。アナログモードでは、駆動トランジスタを主に飽和領域で動作させるため、電源線４０３と対向電極４０８の間の電圧を大きくしておく必要がある。つまり、電源線４０３の電位を高くしておく必要がある。２値モードでは、駆動トランジスタを主に線形領域で動作させるため、電源線４０３と対向電極４０８の間の電圧は、小さくなる。つまり、電源線４０３の電位は低くても良い。また、２値モードでは、デューティー比が高い場合あるので、それも考慮すると、電源線４０３と対向電極４０８の間の電圧は、小さくなる。フル階調モードのデジタルモードでは、２値モードよりもデューティー比が高くなる場合があるので、その場合は、電源線４０３と対向電極４０８の間の電圧は、２値モードの場合よりも大きくなる。つまり、電源線４０３の電位は高くなる。しかし、駆動トランジスタを主に線形領域で動作させるため、アナログモードの場合よりも小さくてよい。つまり、電源線４０３の電位は低くても良い。

なお、色ごとに発光素子の特性が変わるため、２値モードやフル階調モードでは、色ごとに電源線４０３の電位がことなっていてもよい。

図１７では、表示モードによって、電源線４０３の電位を変えたが、これに限定されない。対向電極４０８の電位を変えても良い。その場合を図１８に示す。

アナログモードでは、駆動トランジスタを主に飽和領域で動作させるため、電源線４０３と対向電極４０８の間の電圧を大きくしておく必要がある。つまり、対向電極４０８の電位を低くしておく必要がある。２値モードでは、駆動トランジスタを主に線形領域で動作させるため、電源線４０３と対向電極４０８の間の電圧は、小さくなる。つまり、対向電極４０８の電位は高くても良い。また、２値モードでは、デューティー比が高い場合あるので、それも考慮すると、電源線４０３と対向電極４０８の間の電圧は、小さくなる。フル階調モードでは、２値モードよりもデューティー比が高くなる場合があるので、その場合は、電源線４０３と対向電極４０８の間の電圧は、２値モードの場合よりも大きくなる。つまり、対向電極４０８の電位は低くなる。しかし、駆動トランジスタを主に線形領域で動作させるため、アナログモードの場合よりも小さくてよい。つまり、対向電極４０８の電位は高くても良い。

図１７と図１８を組み合わせてもよい。つまり、電源線４０３と対向電極４０８の電位を両方とも、表示モードに応じて変化させてもよい。ただし、表示モードが異なっていても、電源線４０３や対向電極４０８の電位を変化させなくてもよい。

なお、図１７、図１８では、アナログモード、２値モードのデジタルモード、フル階調モードのデジタルモードという順で変化させたが、これに限定されない。どのような順序で表示モードを変化させてもよい。また、多値モードを用いた場合を図１９、図２０に示す。多値モードでの電源線４０３の電位は、フル階調モードの場合よりも低く、２値モードの場合よりも高いのが望ましい。また、多値モードでの対向電極４０８の電位は、フル階調モードの場合よりも高く、２値モードの場合よりも低いのが望ましい。

これらを用いることにより、表示する画像に応じて、消費電力を低減しつつ、綺麗な画像を表示することが可能となる。

次に、電源線４０３や対向電極４０８の電位を変化させる場合の回路構成について述べる。図２１に、複数の電源を用いた場合の構成図を示す。表示モード切替制御回路２１０１において、表示モードを決定する。そして、表示モード制御信号１０７を出力して制御する。配線２１０２は、電源線４０３、２２１や対向電極４０８、対向電極２２２などに接続されている。そして、スイッチ２１０３やスイッチ２１０４を用いて、電源２１０５、２１０６のどちらの電圧を出力するかを制御する。図２１では、電源２１０５、２１０６やスイッチ２１０３、２１０４は、２個の場合について示したが、これに限定されない。必要な電源数やスイッチ数だけ配置すればよい。したがって、例えば、図２２のように、可変電圧２２０５を用いて配置してもよい。

なお、本実施の形態は、実施の形態１〜実施の形態６について詳細に述べたものである。よって、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜実施の形態６で述べた内容と自由に組み合わせることが出来る。

（実施の形態８）
次に、各々の表示モード、つまり、アナログモードと、デジタルモードにおいて、各表示モードにおけるビデオ信号の電位に関して述べる。

図４の駆動用トランジスタ４０６や図６（Ａ）の駆動トランジスタにおいて、ゲート電極に入力する信号の電位について述べる。

まず、アナログモードでは、駆動トランジスタを主に飽和領域で動作させるため、駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧（の絶対値）は小さい。一方、デジタルモードでは、駆動トランジスタを主に線形領域で動作させるため、駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧（の絶対値）は大きい。

よって、画素に入力するビデオ信号は、アナログモードとデジタルモードとで、異なるようにしてもよい。そこで、レベル制御を行う回路を配置してもよい。その場合の回路図を図２３に示す。ラッチ２回路の後に、レベル制御回路２３０１を配置してもよい。この回路において、表示モードに応じて、画素に入力するビデオ信号が異なるようにしてもよい。

図２４に、レベル制御回路２３０１の構成を示す。レベルシフタ２４０１を通るか通らないかを切り替えることにより、レベルを変換するかどうかを制御する。

なお、本実施の形態は、実施の形態１〜実施の形態７について詳細に述べたものである。よって、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜実施の形態７で述べた内容と自由に組み合わせることが出来る。

（実施の形態９）
次に、本発明の表示装置における画素のレイアウトについて述べる。例としては、図４に示した回路図について、そのレイアウト図を図２５に示す。なお、回路図やレイアウト図は、図４や図２５に限定されない。

選択用トランジスタ４０４、駆動用トランジスタ４０６、発光素子４０７の電極４０７Ａが配置されている。選択用トランジスタ４０４のソースとドレインは各々、ソース信号線４０２と駆動用トランジスタ４０６のゲートに接続されている。選択用トランジスタ４０４のゲートは、ゲート信号線４０１に接続されている。駆動用トランジスタ４０６のソースとドレインは各々、電源線４０３と発光素子４０７の電極に接続されている。保持容量４０５は、駆動用トランジスタ４０６のゲートと電源線４０３の間に接続されている。

ソース信号線４０２、電源線４０３は、第２配線によって形成され、ゲート信号線４０１は、第１配線によって形成されている。

トップゲート構造の場合は、基板、半導体層、ゲート絶縁膜、第１配線、層間絶縁膜、第２配線、の順で膜が構成される。ボトムゲート構造の場合は、基板、第１配線、ゲート絶縁膜、半導体層、層間絶縁膜、第２配線、の順で膜が構成される。

次に、図３６に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とそれに接続する発光素子で構成される画素の断面図を示す。

図３６において、基板７００上に、下地層７０１、ＴＦＴ７５０を構成する半導体層７０２、容量部７５１の一方の電極を構成する半導体層７５２が形成されている。その上層には第１絶縁層７０３が形成され、ＴＦＴ７５０にあってはゲート絶縁層として、容量部７５１にあっては容量を形成するための誘電体層として機能する。

第１絶縁層７０３上にはゲート電極７０４と容量部７５１の他方の電極を形成する導電層７５４が形成されている。ＴＦＴ７５０に接続する配線７０７は、発光素子７１２の第１電極７０８と接続している。この第１電極７０８は、第３絶縁層７０６上に形成されている。第１絶縁層７０３と第３絶縁層７０６との間には、第２絶縁層７０５が形成されていてもよい。発光素子７１２は、第１電極７０８、ＥＬ層７０９、第２電極７１０で構成される。また、第１電極７０８の周辺端部及び、第１電極７０８と配線７０７との接続部を覆うように第４絶縁層７１１が形成されている。

次に、上記に示す構成の詳細を説明する。基板７００としては、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、セラミック基板等を用いることができる。また、ステンレスを含む金属基板または半導体基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。プラスチック等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板を用いても良い。基板７００の表面を、化学的機械研磨（ＣＭＰ）法などの研磨により平坦化しておいても良い。

下地層７０１としては、酸化珪素や、窒化珪素または窒化酸化珪素などの絶縁膜を用いることができる。下地層７０１によって、基板７００に含まれるＮａなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が半導体層７０２に拡散しＴＦＴ７５０の特性に悪影響をおよぼすのを防ぐことができる。図３６では、下地層７０１を単層の構造としているが、２層あるいはそれ以上の複数層で形成してもよい。なお、石英基板など不純物の拡散がさして問題とならない場合は、下地層７０１を必ずしも設ける必要はない。

また、マイクロ波で励起され、電子温度が２ｅＶ以下、イオンエネルギーが５ｅＶ以下、電子密度が１０^１１〜１０^１３／ｃｍ^３程度である高密度プラズマで、ガラス基板の表面を直接処理しても良い。プラズマの生成はラジアルスロットアンテナを用いたマイクロ波励起のプラズマ処理装置を用いることができる。このとき、窒素（Ｎ_２）、またはアンモニア（ＮＨ_３）、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）などの窒化物気体を導入すると、ガラス基板の表面を窒化することができる。このガラス基板の表面に形成された窒化物層は、窒化珪素を主成分とするので、ガラス基板側から拡散してくる不純物のブロッキング層として利用することができる。この窒化物層の上に酸化珪素膜または酸窒化珪素膜をプラズマＣＶＤ法で形成して下地層７０１としても良い。

他にも、酸化珪素や、酸窒化珪素などによる下地層７０１の表面に対し同様なプラズマ処理を行うことにより、その表面及び表面から１〜１０ｎｍの深さを窒化処理をすることができる。このきわめて薄い窒化珪素の層により、その上に形成する半導体層へ応力の影響を与えることなくブロッキング層とすることができる。

半導体層７０２及び半導体層７５２としては、パターニングされた結晶性半導体膜を用いることが好ましい。なお、パターニングとは、膜を形状加工することをいい、フォトリソグラフィー技術によって膜のパターンを形成すること（例えば、感光性アクリルにコンタクトホールを形成することや、感光性アクリルをスペーサとなるように形状加工することも含む）や、フォトリソグラフィー技術によってマスクパターンを形成し、当該マスクパターンを用いてエッチング加工を行うことなどをいう。結晶性半導体膜は非晶質半導体膜を結晶化して得ることができる。結晶化方法としては、レーザ結晶化法、ＲＴＡ又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法等を用いることができる。半導体層７０２は、チャネル形成領域と、一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の不純物領域とを有する。なお、チャネル形成領域と一対の不純物領域との間に、該不純物元素が低濃度で添加された不純物領域を有していてもよい。半導体層７５２には、全体に一導電型若しくはそれと逆の導電型を付与する不純物元素が添加された構成とすることができる。

第１絶縁層７０３としては、酸化珪素、窒化珪素または窒化酸化珪素等を用い、単層または複数の膜を積層させて形成することができる。この場合において、当該絶縁膜の表面を、前述と同様に、マイクロ波で励起され、電子温度が２ｅＶ以下、イオンエネルギーが５ｅＶ以下、電子密度が１０^１１〜１０^１３／ｃｍ^３程度である高密度プラズマ処理によって酸化又は窒化処理して緻密化しても良い。この処理は第１絶縁層７０３の成膜に先立って行っても良い。すなわち、半導体層７０２の表面に対してプラズマ処理を行う。このとき、基板温度を３００〜４５０℃とし、酸化雰囲気（Ｏ_２、Ｎ_２Ｏなど）又は窒化雰囲気（Ｎ_２、ＮＨ_３など）で処理することにより、その上に堆積するゲート絶縁層と良好な界面を形成することができる。

ゲート電極７０４及び導電層７５４としては、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄから選ばれた一種の元素または該元素を複数含む合金若しくは化合物からなる単層または積層構造を用いることができる。

ＴＦＴ７５０は、半導体層７０２と、ゲート電極７０４と、半導体層７０２とゲート電極７０４との間の第１絶縁層７０３とによって構成される。図３６では、画素を構成するＴＦＴ７５０として、発光素子７１２の第１電極７０８に接続されるものを示している。このＴＦＴ７５０は、ゲート電極７０４を半導体層７０２上に複数配置したマルチゲート型の構成を示している。すなわち、複数のＴＦＴが直列に接続された構成を有している。このような構成により、不用意なオフ電流の増加を抑制することができる。なお、また、図３６では、ＴＦＴ７５０をトップゲート型のＴＦＴとして示したが、半導体層の下方にゲート電極を有するボトムゲート型のＴＦＴであっても良いし、半導体層の上下にゲート電極を有するデュアルゲート型のＴＦＴであっても良い。

容量部７５１は、第１絶縁層７０３を誘電体とし、第１絶縁層７０３を挟んで対向する半導体層７５２と導電層７５４とを一対の電極として構成される。なお、図３６では、画素に設ける容量素子として、一対の電極の一方をＴＦＴ７５０の半導体層７０２と同時に形成される半導体層７５２とし、他方の導電層７５４をゲート電極７０４と同時に形成される層とする例を示したが、この構成に限定されない。

第２絶縁層７０５は窒化珪素膜などイオン性不純物をブロッキングするバリア性の絶縁膜であることが望ましい。この第２絶縁層７０５は窒化シリコンまたは酸窒化シリコンで形成する。この第２絶縁層７０５は、半導体層７０２の汚染を防ぐ保護膜としての機能を含んでいる。この第２絶縁層７０５を堆積した後に、水素ガスを導入して前述のようにマイクロ波で励起された高密プラズマ処理をすることで、第２絶縁層７０５の水素化を行っても良い。または、アンモニアガスを導入して、第２絶縁層７０５の窒化と水素化を行っても良い。または、酸素、Ｎ_２Ｏガスなどと水素ガスを導入して、酸化窒化処理と水素化処理を行っても良い。この方法により、窒化処理、酸化処置若しくは酸化窒化処理を行うことにより第２絶縁層７０５の表面を緻密化することができる。それにより保護膜としての機能を強化することができる。この第２絶縁層７０５に導入された水素は、その後４００〜４５０℃の熱処理をすることにより、第２絶縁層７０５絶縁層７４９を形成する窒化シリコンから水素を放出させて、半導体層７０２の水素化をすることができる。

第３絶縁層７０６としては、無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いることができる。無機絶縁膜としては、ＣＶＤ法により形成された酸化シリコン膜や、ＳＯＧ（ＳｐｉｎＯｎＧｌａｓｓ）膜（塗布酸化珪素膜）などを用いることができる。有機絶縁膜としてはポリイミド、ポリアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、アクリルまたはポジ型感光性有機樹脂、ネガ型感光性有機樹脂等の膜を用いることができる。また、第３絶縁層７０６として、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される材料を用いることができる。この材料の置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。

配線７０７としては、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕ、Ｍｎから選ばれた一種の元素または該元素を複数含む合金からなる単層または積層構造を用いることができる。

第１電極７０８及び第２電極７１０の一方もしくは両方を透明電極とすることができる。透明電極としては、酸化タングステンを含むインジウム酸化物（ＩＷＯ）、酸化タングステンと酸化亜鉛を含む酸化インジウム（ＩＷＺＯ）、酸化チタンを含むインジウム酸化物（ＩＴｉＯ）、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物（ＩＴＴｉＯ）、モリブデン含む酸化インジウムスズ（ＩＴＭＯ）などを用いることができる。勿論、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）なども用いることができる。

第１電極７０８及び第２電極７１０の少なくとも一方は、透光性を有さない材料で形成されていてもよい。例えば、ＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、これらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：Ｉｎなど）、およびこれらの化合物（ＣａＦ_２、Ｃａ_３Ｎ_２）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属を用いることができる。

第４絶縁層７１１としては、第３絶縁層７０６と同様の材料を用いて形成することができる。

発光素子７１２は、ＥＬ層７０９と、それを挟む第１電極７０８及び第２電極７１０とによって構成される。第１電極７０８及び第２電極７１０の一方が陽極に相当し、他方が陰極に相当する。発光素子７１２は、陽極と陰極の間にしきい値電圧より大きい電圧が順バイアスで印加されると、陽極から陰極に電流が流れて発光する。

ＥＬ層７０９は、単数または複数の層で構成されている。複数の層で構成されている場合、これらの層は、キャリア輸送特性の観点から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などに分類することができる。なお各層の境目は必ずしも明確である必要はなく、互いの層を構成している材料が一部混合し、界面が不明瞭になっている場合もある。各層には、有機系の材料、無機系の材料を用いることが可能である。有機系の材料として、高分子系、中分子系、低分子系のいずれの材料も用いることが可能である。

ＥＬ層７０９は、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層など、機能の異なる複数の層を用いて構成することが好ましい。正孔注入輸送層は、ホール輸送性の有機化合物材料と、その有機化合物材料に対して電子受容性を示す無機化合物材料とを含む複合材料で形成することが好ましい。このような構成とすることで、本来内在的なキャリアをほとんど有さない有機化合物に多くのホールキャリアが発生し、極めて優れたホール注入性・輸送性が得られる。この効果により、従来よりも駆動電圧を低くすることができる。また、駆動電圧の上昇を招くことなく正孔注入輸送層を厚くすることができるため、ゴミ等に起因する発光素子の短絡も抑制することができる。

ホール輸送性の有機化合物材料としては、例えば、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ジ（ｍ−トリル）アミノ］ベンゼン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、４，４’−ビス｛Ｎ−［４−ジ（ｍ−トリル）アミノ］フェニル−Ｎ−フェニルアミノ｝ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、などが挙げられるが、これらに限定されることはない。

電子受容性を示す無機化合物材料としては、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化レニウム、酸化ルテニウム、酸化亜鉛などが挙げられる。特に酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化レニウムは真空蒸着が可能で扱いやすいため、好適である。

電子注入輸送層は、電子輸送性の有機化合物材料を用いて形成する。具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ_３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、などが挙げられるが、これらに限定されることはない。

ＥＬ層７０９は、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、クマリン３０、クマリン６、クマリン５４５、クマリン５４５Ｔ、ルブレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン（略称：ＴＢＰ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）、５，１２−ジフェニルテトラセン、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−［ｐ−（ジメチルアミノ）スチリル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ１）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−［２−（ジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ２）などが挙げられる。また、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ピコリナート）（略称：Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ））、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（アセチルアセトナート）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム（アセチルアセトナート）（略称：Ｉｒ（ｔｈｐ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（アセチルアセトナート）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ））、などの燐光を放出できる化合物用いることもできる。

また、ＥＬ層７０９は一重項励起発光材料と金属錯体などを含む三重項励起発光材料を用いても良い。例えば、赤色の発光性の画素、緑色の発光性の画素及び青色の発光性の画素のうち、輝度半減時間が比較的短い赤色の発光性の画素を三重項励起発光材料で形成し、他を一重項励起発光材料で形成する。三重項励起発光材料は発光効率が良いので、同じ輝度を得るのに消費電力が少なくて済むという特徴がある。すなわち、赤色画素に適用した場合、発光素子に流す電流量が少なくて済むので、信頼性を向上させることができる。低消費電力化として、赤色の発光性の画素と緑色の発光性の画素とを三重項励起発光材料で形成し、青色の発光性の画素を一重項励起発光材料で形成しても良い。人間の視感度が高い緑色の発光素子も三重項励起発光材料で形成することで、より低消費電力化を図ることができる。

ＥＬ層７０９は、発光波長帯の異なる発光層を画素毎に形成して、カラー表示を行う構成としても良い。典型的には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に対応した発光層を形成する。この場合にも、画素の光放射側にその発光波長帯の光を透過するフィルターを設けた構成とすることで、色純度の向上や、画素部の鏡面化（映り込み）の防止を図ることができる。フィルターを設けることで、従来必要であるとされていた円偏光板などを省略することが可能となり、発光層から放射される光の損失を無くすことができる。さらに、斜方から画素部（表示画面）を見た場合に起こる色調の変化を低減することができる。

図３６で示す構成の画素と外光強度検出手段とを組み合わせることで、発光素子の発光時間を変化させ表示画面の輝度を制御することができる。また、外光強度検出手段により発光素子の発光を制御することにより、無用に点灯時間が増大しりことがないので、表示パネルの消費電力の低減と、寿命時間を延ばすことができる。

なお、トランジスタとして、半導体層にポリシリコンを用いたものだけでなく、アモルファスシリコンを用いたものでもよい。

そこで、次に、トランジスタの半導体層にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜を用いた場合について説明する。図３７にはトップゲートのトランジスタ、図３８及び図３９にはボトムゲートのトランジスタの場合について示す。

アモルファスシリコンを半導体層に用いたトップゲート構造のトランジスタの断面を図３７（ａ）に示す。に示すように、基板２８０１上に下地膜２８０２が形成されている。さらに下地膜２８０２上に画素電極２８０３が形成されている。また、画素電極２８０３と同層に同じ材料からなる第１の電極２８０４が形成されている。

基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板などを用いることができる。また、下地膜２８０２としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ２）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。

また、下地膜２８０２上に配線２８０５及び配線２８０６が形成され、画素電極２８０３の端部が配線２８０５で覆われている。配線２８０５及び配線２８０６の上部にＮ型の導電型を有するＮ型半導体層２８０７及びＮ型半導体層２８０８が形成されている。また、配線２８０６と配線２８０５の間であって、下地膜２８０２上に半導体層２８０９が形成されている。そして、半導体層２８０９の一部はＮ型半導体層２８０７及びＮ型半導体層２８０８上にまで延長されている。なお、この半導体層はアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、微結晶半導体（μ−Ｓｉ：Ｈ）等の非結晶性を有する半導体膜で形成されている。また、半導体層２８０９上にゲート絶縁膜２８１０が形成されている。また、ゲート絶縁膜２８１０と同層の同じ材料からなる絶縁膜２８１１が第１の電極２８０４上にも形成されている。なお、ゲート絶縁膜２８１０としては酸化珪素膜や窒化珪素膜などが用いられる。

また、ゲート絶縁膜２８１０上に、ゲート電極２８１２が形成されている。また、ゲート電極と同層に同じ材料でなる第２の電極２８１３が第１の電極２８０４上に絶縁膜２８１１を介して形成されている。第１の電極２８０４及び第２の電極２８１３で絶縁膜２８１１を挟まれた容量素子２８１９が形成されている。また、画素電極２８０３の端部、駆動トランジスタ２８１８及び容量素子２８１９を覆い、層間絶縁膜２８１４が形成されている。

層間絶縁膜２８１４及びその開口部に位置する画素電極２８０３上に有機化合物を含む層２８１５及び対向電極２８１６が形成され、画素電極２８０３と対向電極２８１６とで有機化合物を含む層２８１５が挟まれた領域では発光素子２８１７が形成されている。

また、図３７（ａ）に示す第１の電極２８０４を図３７（ｂ）に示すように第１の電極２８２０で形成してもよい。第１の電極２８２０は配線２８０５及び２８０６と同層の同一材料で形成されている。

また、アモルファスシリコンを半導体層に用いたボトムゲート構造のトランジスタを用いた表示装置のパネルの部分断面を図３８に示す。

基板２９０１上に下地膜２９０２が形成されている。さらに下地膜２９０２上にゲート電極２９０３が形成されている。また、ゲート電極と同層に同じ材料からなる第１の電極２９０４が形成されている。ゲート電極２９０３の材料にはリンが添加された多結晶シリコンを用いることができる。多結晶シリコンの他に、金属とシリコンの化合物であるシリサイドでもよい。

また、ゲート電極２９０３及び第１の電極２９０４を覆うようにゲート絶縁膜２９０５が形成されている。ゲート絶縁膜２９０５としては酸化珪素膜や窒化珪素膜などが用いられる。

また、ゲート絶縁膜２９０５上に、半導体層２９０６が形成されている。また、半導体層２９０６と同層に同じ材料からなる半導体層２９０７が形成されている。

基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板などを用いることができる。また、下地膜２９０２としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ２）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。

半導体層２９０６上にはＮ型の導電性を有するＮ型半導体層２９０８、２９０９が形成され、半導体層２９０７上にはＮ型半導体層２９１０が形成されている。

Ｎ型半導体層２９０８、２９０９上にはそれぞれ配線２９１１、２９１２が形成され、Ｎ型半導体層２９１０上には配線２９１１及び２９１２と同層の同一材料からなる導電層２９１３が形成されている。

半導体層２９０７、Ｎ型半導体層２９１０及び導電層２９１３からなる第２の電極が構成される。なお、この第２の電極と第１の電極２９０４でゲート絶縁膜２９０５を挟み込んだ構造の容量素子２９２０が形成されている。

また、配線２９１１の一方の端部は延在し、その延在した配線２９１１上部に接して画素電極２９１４が形成されている。

また、画素電極２９１４の端部、駆動トランジスタ２９１９及び容量素子２９２０を覆うように絶縁物２９１５が形成されている。

画素電極２９１４及び絶縁物２９１５上には有機化合物を含む層２９１６及び対向電極２９１７が形成され、画素電極２９１４と対向電極２９１７とで有機化合物を含む層２９１６が挟まれた領域では発光素子２９１８が形成されている。

容量素子の第２の電極の一部となる半導体層２９０７及びＮ型半導体層２９１０は設けなくても良い。つまり第２の電極は導電層２９１３とし、第１の電極２９０４と導電層２９１３でゲート絶縁膜が挟まれた構造の容量素子としてもよい。

なお、図３８（ａ）において、配線２９１１を形成する前に画素電極２９１４を形成することで、図３８（ｂ）に示すような、画素電極２９１４からなる第２の電極２９２１と第１の電極２９０４でゲート絶縁膜２９０５が挟まれた構造の容量素子２９２２を形成することができる。

なお、図３８では、逆スタガ型のチャネルエッチ構造のトランジスタについて示したが、もちろんチャネル保護構造のトランジスタでも良い。チャネル保護構造のトランジスタの場合について、図３９（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。

図３９（ａ）に示すチャネル保護型構造のトランジスタは図３８（ａ）に示したチャネルエッチ構造の駆動トランジスタ２９１９の半導体層２９０６のチャネルが形成される領域上にエッチングのマスクとなる絶縁物３００１が設けられている点が異なり、他の共通しているところは共通の符号を用いている。

また、同様に、図３９（ｂ）に示すチャネル保護型構造のトランジスタは図３８（ｂ）に示したチャネルエッチ構造の駆動トランジスタ２９１９の半導体層２９０６のチャネルが形成される領域上にエッチングのマスクとなる絶縁物３００１が設けられている点が異なり、他の共通しているところは共通の符号を用いている。

本発明の画素を構成するトランジスタの半導体層（チャネル形成領域やソース領域やドレイン領域など）に非晶質半導体膜を用いることで、製造コストを削減することができる。例えば、図６や図３６に示す画素構成を用いることで非晶質半導体膜を適用することが可能である。

なお、本発明の画素構成の適用することができるトランジスタの構造や、容量素子の構造は上述した構成に限られず、さまざまな構成のトランジスタの構造や、容量素子の構造のものを用いることができる。

なお、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜８で述べた内容と自由に組み合わせて実施することができる。

（実施の形態１０）
外光の強度を検出する光センサは表示装置の一部み組み込まれていても良い。この光センサは部品として表示装置に実装されていても良いし、表示パネルに一体形成されていても良い。表示パネルに一体形成されている場合には、表示面を光センサの受光面として併用することができ、意匠上すぐれた効果を発揮する。すなわち表示装置に光センサが付属していることを意識させることなく、その外光強度に基づく階調制御を行うことができる。

図４０は表示パネル上に光センサを一体形成する一態様を示す図である。なお、図４０では、エレクトロルミネセンスによる発光をする発光素子とその動作を制御するＴＦＴで画素を構成する場合を示している。

図４０は、透光性を有する基板８８００上に形成された駆動用ＴＦＴ８８０１、透光性材料により形成された第１の電極（画素電極）８８０２、ＥＬ層８８０３及び透光性材料により形成された第２の電極（対向電極）８８０４が設けられている。第１の電極（画素電極）８８０２は、絶縁膜８８４１の上に形成されている。発光素子８８２５は上方（矢印方向）に発光する。そして、第２の電極８８０４上に形成された絶縁膜８８１２上に、ｐ型層８８３１、実質的に真性なｉ型層８８３２及びｎ型層８８３３の積層体からなる光電変換素子８８３８と、ｐ型層８８３１に接続された電極８８３０、ｎ型層８８３３に接続された電極８８３４が設けられる。なお、光電変換素子８８３８は、絶縁膜８８４１の上に形成されていてもよい。

本実施例では光センサ素子として光電変換素子８８３８を用いる。発光素子８８２５及び光電変換素子８８３８は同一の基板８８００上に形成されており、発光素子８８２５から発せられる光は、映像を構成し、ユーザーが視認する。一方、光電変換素子は外光を検出し、検出信号をコントローラに送る役割を持つ。このようにして、発光素子と光センサ（光電変換素子）を同一基板上に形成でき、セットの小型化に貢献できる。

なお、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜５で述べた内容と自由に組み合わせて実施することができる。

（実施の形態１０）本実施の形態では、実施の形態１から実施の形態９までで述べた駆動方法を制御するハードウェアについて述べる。

大まかな構成図を図２６に示す。基板２７０１の上に、画素配列２７０４が配置されている。ソースドライバ２７０６やゲートドライバ２７０５が配置されている場合が多い。それ以外にも、電源回路やプリチャージ回路やタイミング生成回路などが配置されていることもある。また、ソースドライバ２７０６やゲートドライバ２７０５が配置されていない場合もある。その場合は、基板２７０１に配置されていないものは、ＩＣに形成されることが多い。そのＩＣは、基板２７０１の上に、ＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）によって配置されている場合も多い。あるいは、周辺回路基板２７０２と基板２７０１とを接続する接続基板２７０７の上に、ＩＣが配置される場合もある。

周辺回路基板２７０２には、信号２７０３が入力される。そして、コントローラ２７０８が制御して、メモリ２７０９やメモリ２７１０などに信号が保存される。信号２７０３がアナログ信号の場合は、アナログ・デジタル変換を行った後、そして、メモリ２７０９やメモリ２７１０などに保存されることが多い。そして、コントローラ２７０８がメモリ２７０９やメモリ２７１０などに保存された信号を用いて、基板２７０１に信号を出力する。

実施の形態１から実施の形態９までで述べた駆動方法を実現するために、コントローラ２７０８が、各種のパルス信号などを制御して、基板２７０１に信号を出力する。

なお、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜９で述べた内容と自由に組み合わせて実施することができる。

（実施の形態１２）
本発明の表示装置、およびその駆動方法を用いた表示装置を表示部に有する携帯電話の構成例について図２７を用いて説明する。

表示パネル５４１０はハウジング５４００に脱着自在に組み込まれる。ハウジング５４００は表示パネル５４１０のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。表示パネル５４１０を固定したハウジング５４００はプリント基板５４０１に嵌入されモジュールとして組み立てられる。

表示パネル５４１０はＦＰＣ５４１１を介してプリント基板５４０１に接続される。プリント基板５４０１には、スピーカ５４０２、マイクロフォン５４０３、送受信回路５４０４、ＣＰＵ及びコントローラなどを含む信号処理回路５４０５が形成されている。このようなモジュールと、入力手段５４０６、バッテリ５４０７を組み合わせ、筐体５４０９に収納する。表示パネル５４１０の画素部は筐体５４１２に形成された開口窓から視認できように配置する。

表示パネル５４１０は、画素部と一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波数の低い駆動回路）を基板上にＴＦＴを用いて一体形成し、一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波数の高い駆動回路）をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）で表示パネル５４１０に実装しても良い。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏＢｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いてガラス基板と接続してもよい。なお、一部の周辺駆動回路を基板上に画素部と一体形成し、他の周辺駆動回路を形成したＩＣチップをＣＯＧ等で実装した表示パネルの構成は図２８（ａ）に一例を示してある。なお、図２８（Ａ）の表示パネルは、基板５３００、信号線駆動回路５３０１、画素部５３０２、第１の走査線駆動回路５３０３、第２の走査線駆動回路５３０４、ＦＰＣ５３０５、ＩＣチップ５３０６、ＩＣチップ５３０７、封止基板５３０８、シール材５３０９を有し、ＩＣチップに形成された信号線駆動回路５３０１がＣＯＧ等で実装されている。このような構成とすることで、表示装置の低消費電力を図り、携帯電話機の一回の充電による使用時間を長くすることができる。また、携帯電話機の低コスト化を図ることができる。

また、走査線や信号線に設定する信号をバッファによりインピーダンス変換することで、１行毎の画素の書き込み時間を短くすることができる。よって高精細な表示装置を提供することができる。

また、さらに消費電力の低減を図るため、基板上にＴＦＴを用いて画素部を形成し、全ての周辺駆動回路をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）などで表示パネルに実装しても良い。

そして、本発明の表示装置を用いることにより、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが出来る。

また、本実施例に示した構成は携帯電話の一例であって、本発明の表示装置はこのような構成の携帯電話に限られす様々な構成の携帯電話に適用することができる。

（実施の形態１３）
図２９は表示パネル５７０１と、回路基板５７０２を組み合わせたＥＬモジュールを示している。表示パネル５７０１は画素部５７０３、走査線駆動回路５７０４及び信号線駆動回路５７０５を有している。回路基板５７０２には、例えば、コントロール回路５７０６や信号分割回路５７０７などが形成されている。表示パネル５７０１と回路基板５７０２は接続配線５７０８によって接続されている。接続配線にはＦＰＣ等を用いることができる。

コントロール回路５７０６が、実施の形態７における、コントローラ２７０８やメモリ２７０９やメモリ２７１０などに相当する。主に、コントロール回路５７０６において、サブフレームの出現順序などを制御している。

表示パネル５７０１は、画素部と一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波数の低い駆動回路）を基板上にＴＦＴを用いて一体形成し、一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波数の高い駆動回路）をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）などで表示パネル５７０１に実装するとよい。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏＢｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いて表示パネル５７０１に実装しても良い。なお、一部の周辺駆動回路を基板上に画素部と一体形成し、他の周辺駆動回路を形成したＩＣチップをＣＯＧ等で実装した構成は図２８（ａ）に一例を示してある。このような構成とすることで、表示装置の低消費電力を図り、携帯電話機の一回の充電による使用時間を長くすることができる。また、携帯電話機の低コスト化を図ることができる。

また、さらに消費電力の低減を図るため、ガラス基板上にＴＦＴを用いて画素部を形成し、全ての信号線駆動回路をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）表示パネルに実装してもよい。

なお、基板上にＴＦＴを用いて画素部を形成し、全ての周辺駆動回路をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）で表示パネルに実装するとよい。なお、基板上に画素部を形成し、その基板上に信号線駆動回路を形成したＩＣチップをＣＯＧ等で実装した構成は図２８（ｂ）に一例を示してある。なお、図２８（Ｂ）の表示パネルは、基板５３１０、信号線駆動回路５３１１、画素部５３１２、第１の走査線駆動回路５３１３、第２の走査線駆動回路５３１４、ＦＰＣ５３１５、ＩＣチップ５３１６、ＩＣチップ５３１７、封止基板５３１８、シール材５３１９を有し、ＩＣチップに形成された信号線駆動回路５３１１、第１の走査線駆動回路５３１３及び第２の走査線駆動回路５３１４がＣＯＧ等で実装されている。

このＥＬモジュールによりＥＬテレビ受像機を完成させることができる。図３０は、ＥＬテレビ受像機の主要な構成を示すブロック図である。チューナ５８０１は映像信号と音声信号を受信する。映像信号は、映像信号増幅回路５８０２と、そこから出力される信号を赤、緑、青の各色に対応した色信号に変換する映像信号処理回路５８０３と、その映像信号を駆動回路の入力仕様に変換するためのコントロール回路５７０６により処理される。コントロール回路５７０６は、走査線側と信号線側にそれぞれ信号が出力する。デジタル駆動する場合には、信号線側に信号分割回路５７０７を設け、入力デジタル信号をｍ個に分割して供給する構成としても良い。

チューナ５８０１で受信した信号のうち、音声信号は音声信号増幅回路５８０４に送られ、その出力は音声信号処理回路５８０５を経てスピーカー５８０６に供給される。制御回路５８０７は受信局（受信周波数）や音量の制御情報を入力部５８０８から受け、チューナ５８０１や音声信号処理回路５８０５に信号を送出する。

ＥＬモジュールを筐体に組みこんで、テレビ受像機を完成させることができる。ＥＬモジュールにより、表示部が形成される。また、スピーカー、ビデオ入力端子などが適宜備えられている。

勿論、本発明はテレビ受像機に限定されず、パーソナルコンピュータのモニタをはじめ、鉄道の駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告表示盤など特に大面積の表示媒体として様々な用途に適用することができる。

このように、本発明の表示装置を用いることにより、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが出来る。

なお、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜１３で述べた内容と自由に組み合わせて実施することができる。

（実施の形態１４）
本実施の形態では、光センサやアンプの例を示す。

図４４に、基本的な構成図を示す。光電変換素子３６０１に光が照射され、照度に応じて電流が流れる。その電流を電流電圧変換回路３９０２で電圧信号に変換する。このように、光電変換素子３６０１と電流電圧変換回路３９０２とで光センサ１１３が構成される。そして、光センサ１１３から出力された信号は、アンプ１１４へ入力される。図４４では、オペアンプを用いた電圧フォロワ回路を示した。ただし、これに限定されない。

電流電圧変換回路３９０２の例としては、図４１に示すように、抵抗素子３６０２を用いればよい。ただし、これに限定されない。オペアンプを用いて、回路を構成してもよい。

図４４、図４１では、光電変換素子３６０１に流れる電流を用いていたが、この電流を増幅してもよい。例えば、図４２に示すように、カレントミラー回路３７０３を用いて、電流電圧変換回路である抵抗素子３７０２に流れる電流を大きくしてもよい。その結果、光に対する感度が向上したり、ノイズに対する耐性が向上したりさせることができる。

また、図４３のように、光電変換素子３６０１とカレントミラー回路３８０３とに流れる電流をすべて電流電圧変換回路３８０２に流すようにして、さらに、光に対する感度が向上したり、ノイズに対する耐性が向上したりしてもよい。また、このようにすることにより、光電変換素子３６０１に接続される配線とカレントミラー回路の出力とを１つにすることが出来るため、接続端子を減らすことが出来る。

なお、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜１４で述べた内容と自由に組み合わせて実施することができる。

（実施の形態１５）
本発明は様々な電子機器に適用することができる。具体的には電子機器の表示部に適用することができる。そのような電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌＶｅｒｓａｔｉｌｅＤｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる発光装置を備えた装置）などが挙げられる。

図３１（Ａ）は発光装置であり、筐体３５００１、支持台３５００２、表示部３５００３、スピーカー部３５００４、ビデオ入力端子３５００５等を含む。本発明の表示装置を表示部３５００３に用いることができる。なお、発光装置は、パーソナルコンピュータ用、テレビジョン放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用発光装置が含まれる。本発明の表示装置を表示部３５００３に用いた発光装置は、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが可能となる。

図３１（Ｂ）はカメラであり、本体３５１０１、表示部３５１０２、受像部３５１０３、操作キー３５１０４、外部接続ポート３５１０５、シャッター３５１０６等を含む。

本発明を表示部３５１０２に用いたデジタルカメラは、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが可能となる。

図３１（Ｃ）はコンピュータであり、本体３５２０１、筐体３５２０２、表示部３５２０３、キーボード３５２０４、外部接続ポート３５２０５、ポインティングマウス３５２０６等を含む。本発明を表示部３５２０３に用いたコンピュータは、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが可能となる。

図３１（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体３５３０１、表示部３５３０２、スイッチ３５３０３、操作キー３５３０４、赤外線ポート３５３０５等を含む。本発明を表示部３５３０２に用いたモバイルコンピュータは、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが可能となる。

図３１（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体３５４０１、筐体３５４０２、表示部Ａ３５４０３、表示部Ｂ３５４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部３５４０５、操作キー３５４０６、スピーカー部３５４０７等を含む。表示部Ａ３５４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ３５４０４は主として文字情報を表示することができる。本発明を表示部Ａ３５４０３や表示部Ｂ３５４０４に用いた画像再生装置は、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが可能となる。

図３１（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体３５５０１、表示部３５５０２、アーム部３５５０３を含む。本発明を表示部３５５０２に用いたゴーグル型ディスプレイは、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが可能となる。

図３１（Ｇ）はビデオカメラであり、本体３５６０１、表示部３５６０２、筐体３５６０３、外部接続ポート３５６０４、リモコン受信部３５６０５、受像部３５６０６、バッテリー３５６０７、音声入力部３５６０８、操作キー３５６０９、接眼部３５６１０等を含む。本発明を表示部３５６０２に用いたビデオカメラは、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが可能となる。

図３１（Ｈ）は携帯電話機であり、本体３５７０１、筐体３５７０２、表示部３５７０３、音声入力部３５７０４、音声出力部３５７０５、操作キー３５７０６、外部接続ポート３５７０７、アンテナ３５７０８等を含む。本発明を表示部３５７０３に用いた携帯電話機は、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが可能となる。

以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。また本実施の形態の電子機器は、実施の形態１〜１４に示したいずれの構成の表示装置を用いても良い。

本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の駆動方法を説明する図。本発明の表示装置の駆動方法を説明する図。本発明の表示装置の駆動方法を説明する図。本発明の表示装置の駆動方法を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の駆動方法を説明する図。本発明の表示装置の駆動方法を説明する図。本発明の表示装置の駆動方法を説明する図。本発明の表示装置の駆動方法を説明する図。本発明の表示装置の駆動方法を説明する図。本発明の表示装置の駆動方法を説明する図。本発明の表示装置の駆動方法を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明が適用される電子機器を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明が適用される電子機器を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。光センサやアンプの例。光センサやアンプの例。光センサやアンプの例。光センサやアンプの例。

符号の説明

１０１画素配列
１０２ソースドライバ
１０３シフトレジスタ
１０４回路
１０５デジタルデータ処理回路
１０６ビデオ信号
１０７表示モード制御信号
１０８ビデオ信号線
１０９表示モード制御信号線
１１０ゲートドライバ
１１３光センサ
１１４アンプ
１１６光センサ
１１７コントローラ
２０１サンプリングスイッチ
２０２サンプリングスイッチ
２０３モード選択用スイッチ
２０４モード選択用スイッチ
２０５モード選択用スイッチ
２０６モード選択用スイッチ
２０７回路
２０８回路
２０９出力制御スイッチ
２１１ラッチ信号
２２０画素
２２１電源線
２２２対向電極
４０１ゲート信号線
４０２ソース信号線
４０３電源線
４０４選択用トランジスタ
４０５保持容量
４０６駆動用トランジスタ
４０７発光素子
４０７Ａ電極
４０８対向電極
５０１入力
５０２制御線
５０３出力
５１１入力
５１３出力
５２１入力
５２３出力
５４５クマリン
６０１駆動トランジスタ
６０２発光素子
６０３配線
６０４配線
７００基板
７０１下地層
７０２半導体層
７０３絶縁層
７０４ゲート電極
７０５絶縁層
７０６絶縁層
７０７配線
７０８電極
７０９ＥＬ層
７１０第２電極
７１１絶縁層
７１２発光素子
７４９絶縁層
７５０ＴＦＴ
７５１容量部
７５２半導体層
７５４導電層
１１０１ゲート線
１１０４消去トランジスタ
１２０１ゲート線
１２０４消去ダイオード
１３０４トランジスタ
２１０１表示モード切替制御回路
２１０２配線
２１０３スイッチ
２１０４スイッチ
２１０５電源
２２０５可変電圧
２３０１レベル制御回路
２４０１レベルシフタ
２７０１基板
２７０２周辺回路基板
２７０３信号
２７０４画素配列
２７０５ゲートドライバ
２７０６ソースドライバ
２７０７接続基板
２７０８コントローラ
２７０９メモリ
２７１０メモリ
２８０１基板
２８０２下地膜
２８０３画素電極
２８０４電極
２８０５配線
２８０６配線
２８０７Ｎ型半導体層
２８０８Ｎ型半導体層
２８０９半導体層
２８１０ゲート絶縁膜
２８１１絶縁膜
２８１２ゲート電極
２８１３電極
２８１４層間絶縁膜
２８１５層
２８１６対向電極
２８１７発光素子
２８１８駆動トランジスタ
２８１９容量素子
２８２０電極
２９０１基板
２９０２下地膜
２９０３ゲート電極
２９０４電極
２９０５ゲート絶縁膜
２９０６半導体層
２９０７半導体層
２９０８Ｎ型半導体層
２９１０Ｎ型半導体層
２９１１配線
２９１３導電層
２９１４画素電極
２９１５絶縁物
２９１６層
２９１７対向電極
２９１８発光素子
２９１９駆動トランジスタ
２９２０容量素子
２９２１電極
２９２２容量素子
３００１絶縁物
３１０１駆動トランジスタ
３１０２スイッチ
３１０３スイッチ
３１０４容量素子
３１０５容量素子
３１０６スイッチ
３１０７スイッチ
３１１１ソース信号線
３１１２配線
３１１６電源線
３２０３スイッチ
３３０１駆動トランジスタ
３３０２スイッチ
３３０４スイッチ
３３０５容量素子
３３０６スイッチ
３３１１ソース信号線
３３１６電源線
３４０１トランジスタ
３４２１トランジスタ
３６０１光電変換素子
３６０２抵抗素子
３７０２抵抗素子
３７０３カレントミラー回路
３８０２電流電圧変換回路
３８０３カレントミラー回路
３９０２電流電圧変換回路
５３００基板
５３０１信号線駆動回路
５３０２画素部
５３０３走査線駆動回路
５３０４走査線駆動回路
５３０５ＦＰＣ
５３０８基板
５３１０基板
５３１１信号線駆動回路
５３１２画素部
５３１３走査線駆動回路
５３１４走査線駆動回路
５３１５ＦＰＣ
５３１８基板
５４０１プリント基板
５４０２スピーカ
５４０３マイクロフォン
５４０４送受信回路
５４０５信号処理回路
５４０６入力手段
５４０７バッテリ
５４０９筐体
５４１０表示パネル
５４１１ＦＰＣ
５４１２筐体
５４００ハウジング
５７０１表示パネル
５７０２回路基板
５７０３画素部
５７０４走査線駆動回路
５７０５信号線駆動回路
５７０６コントロール回路
５７０７信号分割回路
５７０８接続配線
５８０１チューナ
５８０２映像信号増幅回路
５８０３映像信号処理回路
５８０４音声信号増幅回路
５８０５音声信号処理回路
５８０６スピーカー
５８０７制御回路
５８０８入力部
８８００基板
８８０１駆動用ＴＦＴ
８８０２電極（画素電極）
８８０３ＥＬ層
８８０４電極
８８１２絶縁膜
８８２５発光素子
８８３０電極
８８３１ｐ型層
８８３２ｉ型層
８８３３ｎ型層
８８３４電極
８８３８光電変換素子
８８４１絶縁膜
３５００１筐体
３５００２支持台
３５００３表示部
３５００４スピーカー部
３５００５ビデオ入力端子
３５１０１本体
３５１０２表示部
３５１０３受像部
３５１０４操作キー
３５１０５外部接続ポート
３５１０６シャッター
３５２０１本体
３５２０２筐体
３５２０３表示部
３５２０４キーボード
３５２０５外部接続ポート
３５２０６ポインティングマウス
３５３０１本体
３５３０２表示部
３５３０３スイッチ
３５３０４操作キー
３５３０５赤外線ポート
３５４０１本体
３５４０２筐体
３５４０３表示部Ａ
３５４０４表示部Ｂ
３５４０５部
３５４０６操作キー
３５４０７スピーカー部
３５５０１本体
３５５０２表示部
３５５０３アーム部
３５６０１本体
３５６０２表示部
３５６０３筐体
３５６０４外部接続ポート
３５６０５リモコン受信部
３５６０６受像部
３５６０７バッテリー
３５６０８音声入力部
３５６０９操作キー
３５６１０接眼部
３５７０１本体
３５７０２筐体
３５７０３表示部
３５７０４音声入力部
３５７０５音声出力部
３５７０６操作キー
３５７０７外部接続ポート
３５７０８アンテナ

Claims

複数の画素がマトリクス状に配置された表示装置であって、
前記表示装置は、ソースドライバとゲートドライバとを有し、
前記ソースドライバは、外光強度に応じて、デジタル値とアナログ値のいずれか一つの信号を、前記画素に供給する回路を有していることを特徴とする表示装置。
複数の画素がマトリクス状に配置された表示装置であって、
前記表示装置は、少なくとも第１及び第２の表示モードを有し、
前記第１の表示モードにおいて、前記画素にアナログ信号が供給され、
前記第２の表示モードにおいて、前記画素にデジタル信号が供給され
外光強度に応じて表示モードが切り替わることを特徴とする表示装置。
複数の画素がマトリクス状に配置された表示装置であって、
前記表示装置は、少なくとも第１及び第２の表示モードを有し、
前記画素は、発光素子を有し
前記第１の表示モードにおいて、前記画素にアナログ信号が供給され、
前記第２の表示モードにおいて、前記画素にデジタル信号が供給され、
外光強度に応じて表示モードが切り替わり、
前記発光素子に供給する電圧が、前記第１の表示モードと前記第２の表示モードとで異なることを特徴とする表示装置。
複数の画素がマトリクス状に配置された表示装置であって、
前記表示装置は、少なくとも第１及び第２の表示モードを有し、
前記画素は、発光素子とトランジスタとを有し、
前記発光素子の第１の電極と、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方とが接続され
前記第１の表示モードにおいて、前記画素にアナログ信号が供給され、
前記第２の表示モードにおいて、前記画素にデジタル信号が供給され、
外光強度に応じて表示モードが切り替わり、
前記発光素子の第２の電極と、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方との間の電圧は、前記第１の表示モードと前記第２の表示モードとで異なることを特徴とする表示装置。
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記表示装置がＥＬディスプレイであることを特徴とする表示装置。
請求項１乃至５のいずれか一項の表示装置を搭載した電子機器。