JP2006350162A

JP2006350162A - Reflection type liquid crystal display device

Info

Publication number: JP2006350162A
Application number: JP2005178918A
Authority: JP
Inventors: Toshihiko Nishihata; 俊彦西端
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 2005-06-20
Filing date: 2005-06-20
Publication date: 2006-12-28

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reflection type liquid crystal display device capable of preventing crosstalk due to the generation of stray capacitance while retaining a light shielding property. SOLUTION: A reflective pixel electrode 6, liquid crystal and a transparent substrate having a transparent electrode are laminated in order above a plurality of MOS transistors 3 and auxiliary capacitance part 4 formed on the surface of a substrate 1, wherein, when a distance between a drain metal wiring 11 connected with a drain region 3C of a MOS transistor 3 and a gate electrode 3B is Xd, and a distance between a connection line 8 connected with a source area 3A and the gate electrode 3B is Xs, the following relation holds; Xd>Xs, and a shielding metal wiring 15 which surrounds a capacitance individual electrode 4A of an auxiliary capacitance part 4, the gate electrode 3B and the source area 3A and is connected with a capacitance common wiring 14 of each capacitance individual electrode 4A is formed. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、画像を表示する反射型液晶表示装置に係り、特に信号線からのクロストークや基板に形成されたＭＯＳトランジスタに読み出し光の一部が画像表示特性に悪影響を及ぼす問題を解消させるための改良に関する。 The present invention relates to a reflective liquid crystal display device for displaying an image, and in particular, to solve the problem that a part of readout light adversely affects image display characteristics in crosstalk from signal lines and a MOS transistor formed on a substrate. Regarding improvements.

屋外公衆用や管制業務用のディスプレイまたハイビジョン等の高精細映像の表示用ディスプレイ等のように映像を大画面に表示するための投射型表示装置の要望が高まっている。投射型表示装置には、液晶を用いた透過型画像表示装置と反射型画像表示装置がある。反射型画像表示装置は、反射電極層の下にトランジスタや配線を形成できるため、開口率を低下させることなく画素数を増大させることができるので、透過型画像表示装置よりも高輝度、高解像度が画像表示を行うことができる。
この反射型液晶表示装置は、特許文献１に記載されている。 There is a growing demand for projection display devices for displaying images on a large screen, such as displays for outdoor public use and control operations, and displays for displaying high-definition images such as high-definition images. Projection type display devices include a transmission type image display device using liquid crystal and a reflection type image display device. Since the reflective image display device can form transistors and wirings under the reflective electrode layer, the number of pixels can be increased without lowering the aperture ratio. Therefore, the reflective image display device has higher brightness and higher resolution than the transmissive image display device. Can display images.
This reflection type liquid crystal display device is described in Patent Document 1.

特許文献１に記載されている反射型液晶表示装置について、図６乃至図９を用いて説明する。
図６は、従来の反射型液晶表示装置を示す斜視図である。
図７は、従来の反射型液晶表示装置の１画素単位を示し、反射画素電極側から基板を見た平面図である。図８は、図７のＭＭ断面図、図９は、図７のＮＮ断面図である。 A reflective liquid crystal display device described in Patent Document 1 will be described with reference to FIGS.
FIG. 6 is a perspective view showing a conventional reflective liquid crystal display device.
FIG. 7 is a plan view showing a pixel unit of a conventional reflective liquid crystal display device as seen from the reflective pixel electrode side. 8 is a cross-sectional view taken along line MM in FIG. 7, and FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line NN in FIG.

図６乃至図９に示すように、従来の反射型液晶表示装置２２は、Ｓｉ基板２上に複数の信号線１０と、この複数の信号線１０に直交する方向に複数の走査線１２が形成され、複数の信号線１０と走査線１２との交差部に反射画素電極６、ＭＯＳトランジスタ３及び補助容量部４がマトリクス状に形成されている。そして、補助容量部４には保持容量共通電極２３が接続され、保持容量共通電極２３には、第1外部接続線が接続されている。
更に、Ｓｉ基板２に対向する面側のガラス基板２１には共通電極２０が形成されている。そして、共通電極２０とＳｉ基板２との間の間隙に液晶１９が封入されている。共通電極２０には、第２外部接続線が接続されている。 As shown in FIGS. 6 to 9, in the conventional reflective liquid crystal display device 22, a plurality of signal lines 10 and a plurality of scanning lines 12 are formed on the Si substrate 2 in a direction orthogonal to the plurality of signal lines 10. The reflection pixel electrode 6, the MOS transistor 3, and the auxiliary capacitance unit 4 are formed in a matrix at intersections between the plurality of signal lines 10 and the scanning lines 12. A storage capacitor common electrode 23 is connected to the auxiliary capacitor section 4, and a first external connection line is connected to the storage capacitor common electrode 23.
Further, a common electrode 20 is formed on the glass substrate 21 on the side facing the Si substrate 2. A liquid crystal 19 is sealed in a gap between the common electrode 20 and the Si substrate 2. A second external connection line is connected to the common electrode 20.

更に、従来の反射型液晶表示装置２２の１画素は以下の構成を有している。
図７乃至図９に示すように、Ｓｉ基板２上には、ＭＯＳトランジスタ３と補助容量部４が形成され、これらの上には、絶縁層５、複数の反射画素電極６が順次積層されている。 Further, one pixel of the conventional reflective liquid crystal display device 22 has the following configuration.
As shown in FIGS. 7 to 9, a MOS transistor 3 and an auxiliary capacitance unit 4 are formed on a Si substrate 2, and an insulating layer 5 and a plurality of reflective pixel electrodes 6 are sequentially stacked thereon. Yes.

絶縁層５中には、ＭＯＳトランジスタ３のソース領域３Ａが反射画素電極６に接続された第１接続線８及び複数の反射画素電極６間から侵入する読み出し光がゲート領域に到達しないように、ソース領域３Ａからゲート電極３Ｂまでを覆うソース金属配線９が形成され、一方向に形成された信号線１０とドレイン領域３Ｃとを接続するドレイン金属配線１１が形成されている。７は、酸化分離層である。 In the insulating layer 5, read light that enters between the first connection line 8 and the plurality of reflective pixel electrodes 6, in which the source region 3 A of the MOS transistor 3 is connected to the reflective pixel electrode 6, does not reach the gate region. A source metal wiring 9 covering the source region 3A to the gate electrode 3B is formed, and a drain metal wiring 11 for connecting the signal line 10 formed in one direction and the drain region 3C is formed. Reference numeral 7 denotes an oxidation separation layer.

更に、補助容量部４の容量個別電極４Ａには、ソース領域３Ａと接続する第２接続線１３が形成されている。ここで、補助容量部４は、容量個別電極４Ａと、Ｓｉ基板２と、容量個別電極４ＡとＳｉ基板２との間に狭持された絶縁層５と、により形成されている。更にまた、ＭＯＳトランジスタ３のソース領域３Ａ及び補助容量部４の容量個別電極４Ａの外側には、信号線１０に並行した容量共通配線１４が形成されている。容量共通配線１４は、補助容量部４の保持容量共通電極２３を一纏めにした配線であると共に、ｐ型ウェル２Ａの電位を外部から供給するものである。 Furthermore, a second connection line 13 connected to the source region 3A is formed on the capacitor individual electrode 4A of the auxiliary capacitor portion 4. Here, the auxiliary capacitor portion 4 is formed by the capacitor individual electrode 4A, the Si substrate 2, and the insulating layer 5 sandwiched between the capacitor individual electrode 4A and the Si substrate 2. Furthermore, a capacitor common line 14 parallel to the signal line 10 is formed outside the source region 3A of the MOS transistor 3 and the capacitor individual electrode 4A of the auxiliary capacitor unit 4. The capacitor common line 14 is a line in which the storage capacitor common electrodes 23 of the auxiliary capacitance unit 4 are gathered together, and supplies the potential of the p-type well 2A from the outside.

次に、動作について説明する。
外部より画像信号を信号線１０を介してＭＯＳトランジスタ３のドレイン領域３Ｃに供給した状態で、走査線１２に走査信号をＭＯＳトランジスタ３のゲート電極３Ｂに供給することにより、ＭＯＳトランジスタ３をオンさせて、反射画素電極６、補助容量部４及び液晶１９に印加する。共通電極２０と各画素の反射画素電極６との間の電位差が書き込まれた画像信号に対して変化させ、読み出し光を画素単位で変調した反射光で画面に画像表示させることができる。
特開平１０−４８６０８号公報 Next, the operation will be described.
With the image signal supplied from the outside to the drain region 3C of the MOS transistor 3 via the signal line 10, the MOS transistor 3 is turned on by supplying the scanning signal to the scanning electrode 12 to the gate electrode 3B of the MOS transistor 3. Then, it is applied to the reflective pixel electrode 6, the auxiliary capacitance unit 4, and the liquid crystal 19. The potential difference between the common electrode 20 and the reflective pixel electrode 6 of each pixel is changed with respect to the written image signal, and an image can be displayed on the screen with reflected light obtained by modulating the readout light in units of pixels.
Japanese Patent Laid-Open No. 10-48608

ところが、反射型画素電極６と信号線１０との間には、浮遊容量Ｃｄｅが、ソース金属配線９と信号線との間には、浮遊容量Ｃｄｓが、信号線１０と補助容量部４の容量個別電極４Ａとの間には、浮遊容量Ｃｄｃが発生し、これらの浮遊容量は、信号線１０の電位変動を反射画素電極６に伝達させる。このため、クロストークが発生するといった問題を生じていた。
例えば、白地に黒の矩形パターンを表示する場合、図１０に示すように矩形パターンの上下にクロストークによる類似パターンが発生する。 However, the floating capacitance Cde is between the reflective pixel electrode 6 and the signal line 10, and the floating capacitance Cds is between the source metal wiring 9 and the signal line, and the capacitance of the signal line 10 and the auxiliary capacitance unit 4. A stray capacitance Cdc is generated between the individual electrodes 4 A, and these stray capacitances transmit potential fluctuations of the signal line 10 to the reflective pixel electrode 6. For this reason, there has been a problem that crosstalk occurs.
For example, when a black rectangular pattern is displayed on a white background, a similar pattern due to crosstalk occurs above and below the rectangular pattern as shown in FIG.

例えば、図１１に示すように、信号線１０とソース金属配線９との間の間隔を広げて、浮遊容量Ｃｄｓによるクロストークを抑えようとした場合には、ソース金属配線９がゲート電極３Ｂ上を覆えなくなり、読み出し光がゲート領域に侵入してしまうため、Ｓｉ基板２内での光キャリア発生によるちらつき、輝度、コントラストの低下といった問題を生じてしまう。 For example, as shown in FIG. 11, when the interval between the signal line 10 and the source metal wiring 9 is widened to suppress crosstalk due to the stray capacitance Cds, the source metal wiring 9 is formed on the gate electrode 3B. Since the readout light enters the gate region, problems such as flickering due to the generation of optical carriers in the Si substrate 2 and a decrease in luminance and contrast occur.

これを解決する対策として、信号線１０とソース金属配線９との間にシールド用の金属配線を設けることが考えられる。しかし、高解像度及び高精細な画像を得るために反射画素電極６が密に形成されるため、シールド用の金属配線を設けるスペースを得ることができない。 As a countermeasure to solve this, it is conceivable to provide a shield metal wiring between the signal line 10 and the source metal wiring 9. However, since the reflective pixel electrodes 6 are formed densely in order to obtain a high-resolution and high-definition image, it is not possible to obtain a space for providing a shield metal wiring.

そこで、本発明は、前述の課題に鑑みて提案されるものであって、遮光性を保持しつつ、浮遊容量の発生によるクロストークを防止できる反射型液晶表示装置を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been proposed in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a reflective liquid crystal display device that can prevent crosstalk due to generation of stray capacitance while maintaining light shielding properties. .

本発明の第１の発明は、半導体基板表面には複数のＭＯＳトランジスタ及び補助容量部がマトリクス状に形成され、前記ＭＯＳトランジスタ及び前記補助容量部上に反射画素電極と、液晶と、透明電極を有する透明基板と、が順次積層され、かつ信号線と走査線が互いに直交し、前記信号線に並行になるように、前記複数の補助容量部の一方の電極となる前記半導体基板に接続された容量共通配線が配置され、前記ＭＯＳトランジスタのドレイン領域に接続されたドレイン金属配線が前記信号線に、ソース領域に接続された接続線が前記補助容量部の個別容量電極及び前記反射画素電極に、ゲート電極が前記走査線に接続され、前記反射画素電極と前記ＭＯＳトランジスタ及び前記補助容量部との間にあって、前記ソース領域全体を覆いかつ前記前記ゲート電極の一部を覆うソース金属配線を備えた反射型液晶表示装置において、前記ドレイン金属配線と前記ゲート電極との間の距離をＸｄ、前記接続線と前記ゲート電極との間の距離をＸｓとするとき、Ｘｄ＞Ｘｓであり、かつ前記容量個別電極、前記ゲート電極及び前記ソース領域を取り囲み、かつ前記容量共通配線に接続するシールド用金属配線が形成されていることを特徴とする反射型液晶表示装置を提供する。
第２の発明は、前記反射型画素電極の下部にあって、かつ前記信号線、前記ソース配線層及び前記ゲート電極上部には、前記シールド用金属配線と異なる他のシールド用金属配線が形成されていることを特徴とする請求項１記載の反射型液晶表示装置を提供する。 According to a first aspect of the present invention, a plurality of MOS transistors and an auxiliary capacitance portion are formed in a matrix on the surface of a semiconductor substrate, and a reflective pixel electrode, a liquid crystal, and a transparent electrode are provided on the MOS transistor and the auxiliary capacitance portion. And a transparent substrate having a plurality of auxiliary capacitance portions connected to the semiconductor substrate so that the signal lines and the scanning lines are orthogonal to each other and parallel to the signal lines. Capacitor common wiring is arranged, drain metal wiring connected to the drain region of the MOS transistor is connected to the signal line, connection line connected to the source region is connected to the individual capacitor electrode and the reflective pixel electrode of the auxiliary capacitor part, A gate electrode connected to the scanning line, between the reflective pixel electrode and the MOS transistor and the auxiliary capacitance unit, covering the entire source region; In the reflective liquid crystal display device having a source metal line covering a part of the gate electrode, the distance between the drain metal line and the gate electrode is Xd, and the distance between the connection line and the gate electrode Xd> Xs, and a shield metal wiring is formed surrounding the capacitor individual electrode, the gate electrode, and the source region and connected to the capacitor common wiring. A reflective liquid crystal display device is provided.
According to a second aspect of the present invention, another shielding metal wiring different from the shielding metal wiring is formed below the reflective pixel electrode and above the signal line, the source wiring layer, and the gate electrode. A reflective liquid crystal display device according to claim 1 is provided.

本発明によれば、前記ドレイン金属配線と前記ゲート電極との間の距離をＸｄ、前記接続線と前記ゲート電極との間の距離をＸｓとするとき、Ｘｄ＞Ｘｓであり、かつ前記容量個別電極、前記ゲート電極及び前記ソース領域を取り囲み、かつ前記容量共通配線に接続するシールド用金属配線が形成されているので、遮光性を保持しつつ、浮遊容量の発生によるクロストークを防止できる。 According to the present invention, when the distance between the drain metal wiring and the gate electrode is Xd, and the distance between the connection line and the gate electrode is Xs, Xd> Xs and the capacitance individual Since the shielding metal wiring that surrounds the electrode, the gate electrode, and the source region and is connected to the capacitor common wiring is formed, crosstalk due to generation of stray capacitance can be prevented while maintaining light shielding properties.

以下、本発明に係る反射型液晶表示装置の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態における１画素単位を示し、（Ａ）は反射画素電極側から基板を見た平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＭＭ断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＮＮ断面図である。
図２は、本発明の実施の形態の第１変形例を示す平面図である。図３は、本発明の実施の形態の第２変形例を示す平面図である。
従来例と同一構成には同一符号を付す。 Hereinafter, embodiments of a reflective liquid crystal display device according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
1A and 1B show a pixel unit in an embodiment of the present invention, where FIG. 1A is a plan view of a substrate viewed from a reflective pixel electrode side, FIG. 1B is a cross-sectional view of MM in FIG. It is NN sectional drawing of A).
FIG. 2 is a plan view showing a first modification of the embodiment of the present invention. FIG. 3 is a plan view showing a second modification of the embodiment of the present invention.
The same components as those in the conventional example are denoted by the same reference numerals.

本発明の実施の形態は、従来の反射型液晶表示装置２２において、容量個別電極４Ａ、ゲート電極３Ｂ及びソース領域３Ａを取り囲み、かつ容量共通配線１３に接続するシールド用金属配線１５が形成され、第１接続線８とゲート電極３Ｂとの間の距離をＸｓ、第２接続線１１とゲート電極３Ｂとの間の距離をＸｄとするとき、Ｘｄ＞Ｘｓの関係を有していることが異なり、それ以外は同様である。
図１（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、本発明に係る反射型液晶表示装置１は、ｎ型Ｓｉ基板２のｐ型ウェル２Ａ内にｎ型ＭＯＳトランジスタ３と補助容量部４が形成され、これらの上には、絶縁層５、所定の間隔を有した複数の反射画素電極６が順次積層されている。ｎ型ＭＯＳトランジスタ３のソース領域３Ａ及びドレイン領域３Ｃは、ｎ型拡散層により形成されている。７は、酸化分離層である。 In the embodiment of the present invention, in the conventional reflective liquid crystal display device 22, a shield metal wiring 15 that surrounds the capacitor individual electrode 4 A, the gate electrode 3 B, and the source region 3 A and is connected to the capacitor common wiring 13 is formed. When the distance between the first connection line 8 and the gate electrode 3B is Xs and the distance between the second connection line 11 and the gate electrode 3B is Xd, the relationship is that Xd> Xs. The others are the same.
As shown in FIGS. 1A to 1C, in a reflective liquid crystal display device 1 according to the present invention, an n-type MOS transistor 3 and an auxiliary capacitance unit 4 are formed in a p-type well 2A of an n-type Si substrate 2. On top of these, an insulating layer 5 and a plurality of reflective pixel electrodes 6 having a predetermined interval are sequentially laminated. The source region 3A and the drain region 3C of the n-type MOS transistor 3 are formed by an n-type diffusion layer. Reference numeral 7 denotes an oxidation separation layer.

絶縁層５中には、以下のような配線が形成されている。
ＭＯＳトランジスタ３のソース領域３Ａが第１接続線８を介して反射画素電極６に接続され、また複数の反射画素電極６間から侵入する読み出し光がゲート電極３Ｂに到達しないように、ソース領域３Ａ全体及びゲート電極３Ｂの一部を覆うようにソース金属配線９が形成されている。信号線１０は、ドレイン金属配線１１を介してドレイン領域３Ｃに接続されている。更に、信号線１０に直交するように走査線１２が形成されている。 The following wiring is formed in the insulating layer 5.
The source region 3A is connected so that the source region 3A of the MOS transistor 3 is connected to the reflective pixel electrode 6 via the first connection line 8, and the readout light entering from between the plurality of reflective pixel electrodes 6 does not reach the gate electrode 3B. A source metal wiring 9 is formed so as to cover the whole and a part of the gate electrode 3B. The signal line 10 is connected to the drain region 3 C through the drain metal wiring 11. Further, a scanning line 12 is formed so as to be orthogonal to the signal line 10.

ソース金属配線９は、読み出し光がソース領域３Ａに到達することを防止するために形成されている。この際、第１接続線８とゲート電極３Ｂとの間の距離をＸｓ、ドレイン金属配線１１とゲート電極３Ｂとの間の距離をＸｄとするとき、Ｘｄ＞Ｘｓの関係を有している。即ち、従来の構成に比較し、ゲート電極３Ｂに対してドレイン金属配線１１を後退させている。 The source metal wiring 9 is formed in order to prevent the readout light from reaching the source region 3A. At this time, when the distance between the first connection line 8 and the gate electrode 3B is Xs and the distance between the drain metal wiring 11 and the gate electrode 3B is Xd, the relationship is Xd> Xs. That is, as compared with the conventional configuration, the drain metal wiring 11 is set back relative to the gate electrode 3B.

ドレイン金属配線１１は、ゲート電極３Ｂとは重ならず、かつドレイン領域３Ｃの一部を露出するように形成されている。
更に、補助容量部４の容量個別電極４Ａは、第２接続線１３によりソース領域３Ａに接続されている。ここで、補助容量部４は、容量個別電極４Ａと、ｐ型ウェル２Ａと、容量個別電極４ＡとＳｉ基板２との間に狭持された絶縁層５と、により構成されている。更にまた、ＭＯＳトランジスタ３のソース領域３Ａ及び補助容量部４の容量個別電極４Ａの外側には、信号線１０に並行した容量共通配線１４が形成されている。この容量共通配線１４は、ｐ型ウェル２Ａ内のｐ型ウェルコンタクト２Ｂを介して接続され、ている。 The drain metal wiring 11 is formed so as not to overlap the gate electrode 3B and to expose a part of the drain region 3C.
Furthermore, the capacitor individual electrode 4 A of the auxiliary capacitor unit 4 is connected to the source region 3 A by the second connection line 13. Here, the auxiliary capacitor section 4 is configured by a capacitor individual electrode 4A, a p-type well 2A, and an insulating layer 5 sandwiched between the capacitor individual electrode 4A and the Si substrate 2. Furthermore, a capacitor common line 14 parallel to the signal line 10 is formed outside the source region 3A of the MOS transistor 3 and the capacitor individual electrode 4A of the auxiliary capacitor unit 4. The capacitor common line 14 is connected via a p-type well contact 2B in the p-type well 2A.

更にまた、シールド用金属配線１５が、容量個別電極４Ａ、ゲート電極３Ｂ及びソース領域３Ａを取り囲み、かつ容量共通配線１４に接続されている。言い換えると、シールド用金属配線１５は、ガードリングを構成している。
Ｘｄ＞Ｘｓを有しているので、ドレイン金属配線１１とゲート電極３Ｂとの間の空間が広げられているため、シールド用金属配線１５を形成することができる。このシールド用金属配線１５には一定の固定電位が供給され、信号線１０とソース金属配線９との間の空間電界を遮蔽して、クロストークを防止する作用を果たしている。
この反射型液晶表示装置１の動作は、従来と同様であるので、その説明を省略する。 Furthermore, a shield metal wiring 15 surrounds the capacitor individual electrode 4A, the gate electrode 3B, and the source region 3A, and is connected to the capacitor common wiring. In other words, the shield metal wiring 15 forms a guard ring.
Since Xd> Xs, the space between the drain metal wiring 11 and the gate electrode 3B is widened, so that the shield metal wiring 15 can be formed. A constant fixed potential is supplied to the shielding metal wiring 15, and the space electric field between the signal line 10 and the source metal wiring 9 is shielded, thereby preventing crosstalk.
Since the operation of the reflective liquid crystal display device 1 is the same as the conventional one, the description thereof is omitted.

ここで、図１（Ｃ）に示すように、信号線１０と補助容量部４の容量個別電極４Ａとの間の距離をＬ₁、容量個別電極４Ａの幅と距離Ｌ₁を加えた距離をＬ₂とするとき、距離Ｌ₁に対する信号線１０と容量個別電極４Ａとの間の浮遊容量及び距離Ｌ₂をパラメータとして、信号線１０からのクロストーク量について調べた。 Here, as shown in FIG. 1C, the distance between the signal line 10 and the capacitor individual electrode 4A of the auxiliary capacitor unit 4 is L ₁ , and the distance obtained by adding the width of the capacitor individual electrode 4A and the distance L ₁ is When L ₂ , the amount of crosstalk from the signal line 10 was examined using the stray capacitance between the signal line 10 and the capacitor individual electrode 4A for the distance L ₁ and the distance L ₂ as parameters.

その結果をそれぞれ図２及び図３に示す。
図２中、横軸は、信号線１０と容量個別電極４Ａとの間の距離Ｌ₁、左縦軸は、信号線１０と容量個別電極４Ａとの間の浮遊容量、右縦軸は、信号線からのクロストーク量を示し、距離Ｌ₂は、１０μｍである。図３中、横軸は、信号線１０と容量個別電極４Ａとの間の距離Ｌ₁、左縦軸は、信号線１０からのクロストーク量である。この際、図３中の距離Ｌ₂のパラメータは、距離Ｌ₁＝０にして、６〜１０μｍの間で変化させた。 The results are shown in FIGS. 2 and 3, respectively.
In FIG. 2, the horizontal axis represents the distance L ₁ between the signal line 10 and the individual capacitor electrode 4A, the left vertical axis represents the stray capacitance between the signal line 10 and the individual capacitor electrode 4A, and the right vertical axis represents the signal. The amount of crosstalk from the line is shown, and the distance L ₂ is 10 μm. In FIG. 3, the horizontal axis represents the distance L ₁ between the signal line 10 and the capacitor individual electrode 4 A, and the left vertical axis represents the crosstalk amount from the signal line 10. At this time, the parameter of the distance L ₂ in FIG. 3 was changed to 6 to 10 μm with the distance L ₁ = 0.

図２に示すように、距離Ｌ₁が増加するにつれて、浮遊容量は、小さくなると共にクロストーク量も減少する傾向にある。浮遊容量及びクロストーク量は、距離Ｌ₁が１．２μｍ以上では緩やかな減少傾向を示している。また、図３に示すように、距離Ｌ₁が１．２μｍ以上であるときは、距離Ｌ₂の値の変化に対するクロストーク量の割合も、ほとんど影響を受けないことがわかった。これらのことから、距離Ｌ₁を１．２μｍ以上にすれば、クロストーク量を低減することができる。この距離Ｌ₁の上限は、画素の形状で抑えられる。 As shown in FIG. 2, as the distance L ₁ increases, the stray capacitance tends to decrease and the crosstalk amount also decreases. The stray capacitance and the amount of crosstalk show a gradual decrease tendency when the distance L ₁ is 1.2 μm or more. In addition, as shown in FIG. 3, it was found that when the distance L ₁ is 1.2 μm or more, the ratio of the crosstalk amount to the change in the value of the distance L ₂ is hardly affected. From these facts, the crosstalk amount can be reduced by setting the distance L ₁ to 1.2 μm or more. The upper limit of the distance L ₁ is suppressed in the form of pixels.

以上のように、本発明の実施の形態によれば、ソース領域３Ａ全体及びゲート電極３Ｂの一部を覆うようにソース金属配線９が形成され、更に容量個別電極４Ａ、ゲート電極３Ｂ及びソース３Ａを取り囲み、かつ容量共通配線１４に接続するシールド用金属配線１５が形成されているので、信号線１０とソース金属配線９との間の空間電界を遮蔽するため、遮光性を保持しつつ、浮遊容量の発生によるクロストークを防止できる。 As described above, according to the embodiment of the present invention, the source metal wiring 9 is formed so as to cover the entire source region 3A and a part of the gate electrode 3B, and further, the capacitor individual electrode 4A, the gate electrode 3B, and the source 3A. Since the shielding metal wiring 15 that surrounds the capacitor and is connected to the capacitor common wiring 14 is formed, the space electric field between the signal line 10 and the source metal wiring 9 is shielded. Crosstalk due to generation of capacity can be prevented.

また、ｐ型ウェル２Ａに一定電位を与えることにより、良好な表示特性を得ることができる。１画素中に、シールド用金属配線１５、ｐ型ウェル２Ａ、容量共通配線１４の３つを兼ねているので、基板表面面積の使用効率が良い。即ち、シールド用金属配線１５のために新たな共通配線を必要としない。シールド用金属配線１５は、ソース金属配線９、信号線１０及びドレイン金属配線１１と同一層に同じ金属材料で形成されているので、従来の工程におけるパターンを変更するだけで同様にして形成することができる。 Also, good display characteristics can be obtained by applying a constant potential to the p-type well 2A. Since one pixel serves as the shield metal wiring 15, the p-type well 2A, and the capacitor common wiring 14, the use efficiency of the substrate surface area is good. That is, no new common wiring is required for the shielding metal wiring 15. Since the shield metal wiring 15 is formed of the same metal material in the same layer as the source metal wiring 9, the signal line 10, and the drain metal wiring 11, it is formed in the same manner only by changing the pattern in the conventional process. Can do.

次に、本発明の実施の形態の第１変形例について図４を用いて説明する。
第１変形例における反射型液晶表示装置１６は、実施の形態の反射型液晶表示装置１の反射型画素電極６の下部にあって、同層に形成されたソース金属配線９、信号線１０及びシールド用金属配線１５の上方にもう一つのシールド用金属配線１７を形成したものであり、それ以外は同様である。
第１変形例によれば、信号線１０と反射画素電極間との間の浮遊容量を削減してより効果的にクロストークを抑制することができる。 Next, a first modification of the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
The reflective liquid crystal display device 16 in the first modification is located below the reflective pixel electrode 6 of the reflective liquid crystal display device 1 of the embodiment, and includes the source metal wiring 9, the signal line 10, and the signal line 10 formed in the same layer. Another shield metal wiring 17 is formed above the shield metal wiring 15, and the rest is the same.
According to the first modification, the crosstalk can be more effectively suppressed by reducing the stray capacitance between the signal line 10 and the reflective pixel electrode.

次に、本発明の実施の形態の第２変形例について図５を用いて説明する。
第２変形例の反射型液晶表示装置１８は、実施の形態の反射型液晶表示装置１のドレイン領域３Ｃが信号線１０に沿い、かつガードリング状のシールド用金属配線１５の外側に形成され、信号線１０とドレイン領域３Ｃとをドレイン金属配線１１で接続するようにしたものであり、それ以外は同様である。
第２変形例によれば、第１変形例と同様にクロストークを抑制することができる。 Next, a second modification of the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
In the reflective liquid crystal display device 18 of the second modified example, the drain region 3C of the reflective liquid crystal display device 1 of the embodiment is formed along the signal line 10 and outside the guard-ring-shaped shield metal wiring 15, The signal line 10 and the drain region 3C are connected by the drain metal wiring 11, and the rest is the same.
According to the second modification, it is possible to suppress crosstalk as in the first modification.

なお、上記のように、Ｓｉ基板２としてはｎ型を用い、このｎ型領域の中にｐ型ウェル２Ａを形成し、ｐ型ウェル２Ａ内にｎ型ＭＯＳトランジスタ３を形成したが、Ｓｉ基板をｐ型にし、ｎ型ウェルを形成し、このｎ型ウェル内にｐ型ＭＯＳトランジスタを形成しても良い。 As described above, the Si substrate 2 is n-type, the p-type well 2A is formed in the n-type region, and the n-type MOS transistor 3 is formed in the p-type well 2A. May be made p-type to form an n-type well, and a p-type MOS transistor may be formed in the n-type well.

本発明の実施の形態における１画素単位を示し、（Ａ）は反射画素電極側から基板を見た平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＭＭ断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＮＮ断面図である。1A shows a unit of one pixel in an embodiment of the present invention, FIG. 3A is a plan view of a substrate viewed from a reflective pixel electrode side, FIG. 2B is a cross-sectional view of MM in FIG. It is sectional drawing. 信号線と容量個別電極間の距離に対する浮遊容量及びクロストーク量の関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship of the stray capacitance and the amount of crosstalk with respect to the distance between a signal line and a capacity | capacitance individual electrode. 容量個別電極の幅と信号線側の容量個別電極の端と信号線の端との距離を加えた距離をパラメータとしたときの信号線と容量個別電極間の距離に対する浮遊容量及びクロストーク量の関係を示す図である。The amount of stray capacitance and crosstalk with respect to the distance between the signal line and the capacitor individual electrode when the distance of the capacitor individual electrode and the distance between the capacitor individual electrode end on the signal line side and the signal line end are used as parameters. It is a figure which shows a relationship. 本発明の実施の形態の第１変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the 1st modification of embodiment of this invention. 本発明の実施の形態の第２変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the 2nd modification of embodiment of this invention. 従来の反射型液晶表示装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the conventional reflection type liquid crystal display device. 従来の反射型液晶表示装置の１画素単位を示し、反射画素電極側から基板を見た平面図である。It is the top view which showed 1 pixel unit of the conventional reflection type liquid crystal display device, and looked at the board | substrate from the reflective pixel electrode side. 図７のＭＭ断面図である。It is MM sectional drawing of FIG. 図７のＮＮ断面図である。It is NN sectional drawing of FIG. 従来のクロストークがある場合の画像表示パターンを示す平面図である。It is a top view which shows the image display pattern in case there exists conventional crosstalk. 従来のクロストークがある場合の対策を示す平面図である。It is a top view which shows the countermeasure when there exists conventional crosstalk.

Explanation of symbols

１、１６、１８…反射型液晶表示装置、２…Ｓｉ基板、２Ａ…ｐ型ウェル、２Ｂ…ｐ型ウェルコンタクト、３…ＭＯＳトランジスタ、３Ａ…ソース領域、３Ｂ…ゲート電極、３Ｃ…ドレイン領域、４…補助容量部、４Ａ…容量個別電極、５…絶縁層、６…反射画素電極、７…酸化分離層、８…第１接続線、９…ソース金属配線、１０…信号線、１１…ドレイン金属配線、１２…走査線、１３…第２接続線、１４…容量共通配線、１５、１７…シールド用金属配線

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 16, 18 ... Reflective type liquid crystal display device, 2 ... Si substrate, 2A ... p-type well, 2B ... p-type well contact, 3 ... MOS transistor, 3A ... Source region, 3B ... Gate electrode, 3C ... Drain region, DESCRIPTION OF SYMBOLS 4 ... Auxiliary capacity | capacitance part, 4A ... Capacity | capacitance separate electrode, 5 ... Insulating layer, 6 ... Reflection pixel electrode, 7 ... Oxidation isolation layer, 8 ... 1st connection line, 9 ... Source metal wiring, 10 ... Signal line, 11 ... Drain Metal wiring, 12 ... scanning line, 13 ... second connection line, 14 ... capacitor common wiring, 15, 17 ... shielding metal wiring

Claims

A plurality of MOS transistors and auxiliary capacitance portions are formed in a matrix on the surface of the semiconductor substrate, and a reflective pixel electrode, a liquid crystal, and a transparent substrate having a transparent electrode are sequentially stacked on the MOS transistors and the auxiliary capacitance portions. And a capacitor common line connected to the semiconductor substrate serving as one electrode of the plurality of auxiliary capacitor portions is arranged so that the signal line and the scanning line are orthogonal to each other and parallel to the signal line, and the MOS A drain metal line connected to the drain region of the transistor is connected to the signal line, a connection line connected to the source region is connected to the individual capacitor electrode and the reflective pixel electrode of the auxiliary capacitor unit, and a gate electrode is connected to the scan line. And between the reflective pixel electrode, the MOS transistor and the auxiliary capacitance portion, covering the entire source region and one of the gate electrodes. In the reflection type liquid crystal display device having a source metal wiring covering,
When the distance between the drain metal wiring and the gate electrode is Xd, and the distance between the connection line and the gate electrode is Xs, Xd> Xs, and the capacitor individual electrode, the gate electrode, and A reflective liquid crystal display device, characterized in that a shielding metal wiring that surrounds the source region and is connected to the capacitor common wiring is formed.

Another shielding metal wiring different from the shielding metal wiring is formed below the reflective pixel electrode and above the signal line, the source wiring layer, and the gate electrode. The reflective liquid crystal display device according to claim 1.